特開2022-180443IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

開示の基板処理装置および基板処理方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】基板の表面に乾燥防止用の液膜を形成し、液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて乾燥処理を行う基板処理装置において基板乾燥処理の歩留まりを向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】搬入出ステーション、処理ステーション及び制御装置からなる基板処理装置において、制御装置は、液量検出部と、被覆検出部と、を含む制御部を備える。液量検出部は、基板上に形成された液膜の液量を検出する。被覆検出部は、液膜による基板の被覆状態を検出する。
【選択図】図６

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述した基板処理装置では、液膜が基板に適切に形成されていない状態で、乾燥処理が行われることがあり、乾燥処理後の基板の歩留まりが低下するおそれがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、液量検出部と、被覆検出部とを備える。液量検出部は、基板上に形成された液膜の液量を検出する。被覆検出部は、液膜による基板の被覆状態を検出する。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

実施形態の一態様によれば、基板の歩留まりを向上させることができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、第１基板処理システムの概略構成を示す模式図である。
【図2】 図２は、受渡部の概略構成を示す断面図である。
【図3】 図３は、洗浄処理ユニットの概略構成を示す断面図である。
【図4】 図４は、乾燥処理ユニットの構成を示す外観斜視図である。
【図5A】 図５Ａは、受け渡し位置における乾燥処理ユニットの一部を示す概略断面図である。
【図5B】 図５Ｂは、待機位置における乾燥処理ユニットの一部を示す概略断面図である。
【図6】 図６は、第１制御装置の概略ブロック図である。
【図7A】 図７Ａは、ＩＰＡ液体の液膜に不良部が発生していない状態を示す模式図である。
【図7B】 図７Ｂは、ＩＰＡ液体の液膜に不良部が発生した状態を示す模式図である。
【図8】 図８は、第１実施形態における基板処理を説明するフローチャートである。
【図9】 図９は、第２基板処理システムの概略構成を示す模式図である。
【図10A】 図１０Ａは、第２乾燥処理ユニットの一部を示す概略断面図である。
【図10B】 図１０Ｂは、ウェハが保持板に載置された状態を示す乾燥処理ユニットの概略断面図である。
【図11】 図１１は、第２制御装置の概略ブロック図である。
【図12】 図１２は、第２基板処理を説明するフローチャートである。
【図13】 図１３は、第３乾燥処理ユニットの概略平面図である。
【図14】 図１４は、図１３のXIV－XIV断面における乾燥処理ユニットの一部を示す概略断面図である。
【図15】 図１５は、ＩＰＡ液体の液膜が形成されたウェハにおけるレーザー光の反射状態を示す模式図である。
【図16A】 図１６Ａは、ＩＰＡ液体の液膜に不良部が発生していない状態における反射光を示す模式図である。
【図16B】 図１６Ｂは、ＩＰＡ液体の液膜に不良部が発生した状態における反射光を示す模式図である。
【図17】 図１７は、第３制御装置の概略ブロック図である。
【図18】 図１８は、第４乾燥処理ユニットの概略平面図である。
【図19】 図１９は、図１８のXIX－XIX断面における乾燥処理ユニットの一部を示す概略断面図である。
【図20】 図２０は、干渉縞の発生原理を説明する図である。
【図21A】 図２１Ａは、ＩＰＡ液体の液膜に不良部が発生していない状態のウェハを斜め上方から見た模式図である。
【図21B】 図２１Ｂは、ＩＰＡ液体の液膜に不良部が発生していない状態のウェハを斜め上方から見た模式図である。
【図22】 図２２は、変形例に係る基板処理システムの乾燥処理ユニットの概略平面図である。

選択図 図6出願人が指定した本件の代表的な図

１ 基板処理システム（基板処理装置） １６ 洗浄処理ユニット １７ 乾燥処理ユニット（乾燥部） １９ 制御部 １９Ａ 液量検出部 １９Ｂ 被覆状態検出部（被覆検出部） ２７ 赤外線センサ ２８ｃ ロードセル ３９ｃ ロードセル ４３ ロードセル ６０ 赤外線センサ ７０ レーザー照射部 ７１ スクリーン ７２ 撮像装置 ７５ 単色光照射部

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