(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022181982
(43)【公開日】2022-12-08
(54)【発明の名称】酸化染料の製造方法
(51)【国際特許分類】
C09B 57/00 20060101AFI20221201BHJP
C07D 209/08 20060101ALI20221201BHJP
B01J 23/42 20060101ALI20221201BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20221201BHJP
【ＦＩ】
C09B57/00 Z
C07D209/08
B01J23/42 Z
C07B61/00 300
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021089248
(22)【出願日】2021-05-27
(71)【出願人】
【識別番号】000005887
【氏名又は名称】三井化学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】後藤 謙一
【テーマコード（参考）】
4G169
4H039
【Ｆターム（参考）】
4G169AA02
4G169BB04B
4G169BC75A
4G169BC75B
4G169CB02
4G169DA05
4H039CA42
4H039CB10
(57)【要約】
【課題】簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる酸化染料の製造方法を提供することである。
【解決手段】カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、前記工程（Ｉ）における水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法。ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００式（１）０＜ｘ≦２０．０式（２）
【選択図】なし
【解決手段】カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、前記工程（Ｉ）における水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法。ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００式（１）０＜ｘ≦２０．０式（２）
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、前記インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、
前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、
を含み、
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、
を含み、
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
【請求項2】
前記触媒は、４価の白金を含む請求項１に記載の酸化染料の製造方法。
【請求項3】
前記カルボン酸は、ＸＣＯＯＨで表され、前記Ｘが炭素数１～２０のアルキル基である請求項１又は請求項２に記載の酸化染料の製造方法。
【請求項4】
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び前記反応温度ｙ℃が、さらに下記式（１－１）の条件を満たす請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５７．５０ 式（１－１）
ｙ≦－２．５ｘ＋５７．５０ 式（１－１）
【請求項5】
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び前記反応温度ｙ℃が、さらに下記式（１－２）の条件を満たす請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５５．００ 式（１－２）
ｙ≦－２．５ｘ＋５５．００ 式（１－２）
【請求項6】
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、下記式（２－１）を満たす請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
０．２≦ｘ≦１５．０ 式（２－１）
０．２≦ｘ≦１５．０ 式（２－１）
【請求項7】
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、下記式（２－２）を満たす請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
０．５≦ｘ≦１０．０ 式（２－２）
０．５≦ｘ≦１０．０ 式（２－２）
【請求項8】
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記反応温度ｙ℃が、下記式（１－３）を満たす請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
０≦ｙ≦５０．００ 式（１－３）
０≦ｙ≦５０．００ 式（１－３）
【請求項9】
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記反応温度ｙ℃が、下記式（１－４）を満たす請求項１～請求項８のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
５≦ｙ≦４５．００ 式（１－４）
５≦ｙ≦４５．００ 式（１－４）
【請求項10】
前記インドリン誘導体が、下記式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物を含む請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の酸化染料の製造方法。
〔式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６～１０の置換もしくは無置換のアリール基、酸素含有基、又はハロゲン原子である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の脂肪族基であるか、又は、一体となって、炭素数１～４のアルキレン基を表す。Ｘは塩素原子又は臭素原子であり、ｎは０又は１である。〕
【化1】
〔式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６～１０の置換もしくは無置換のアリール基、酸素含有基、又はハロゲン原子である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の脂肪族基であるか、又は、一体となって、炭素数１～４のアルキレン基を表す。Ｘは塩素原子又は臭素原子であり、ｎは０又は１である。〕
【請求項11】
前記式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４が水素原子である請求項１０に記載の酸化染料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、酸化染料の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩は、空気中の酸素により酸化されて黒色のメラニンとなる性質を有する。そのため、５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩は、古くから前駆体型の酸化染料として用いられてきた。
【0003】
例えば、特許文献１には、染料前駆物質の酸化により酸化染料を生成する方法であって、染料前駆物質が、特定の構造式で示されるインドリンまたはその塩であり、該染料前駆物質を、インドール中間体を単離することなく一工程で酸化することにより酸化染料を生成することを特徴とする方法が記載されている。
【0004】
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の製造方法として、例えば特許文献２には、特定の構造式に相当する少なくとも５，６－ジヒドロキシインドリンおよびその酸付加塩を含む、ケラチン繊維、特にヒトの毛髪の染色組成物が記載されている。
【0005】
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の製造方法として、例えば特許文献３には、特定の構造式で示される５，６－ジヒドロキシインドリンの製法であって、特定の構造式で示されるインドリンエーテルを臭化水素酸と反応させて、その水性反応混合物から直接、５，６－ジヒドロキシインドリンを結晶化することによる、５，６－ジヒドロキシインドリンの製法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】独国特許出願公開第４０１６１７７号明細書
【特許文献2】特許第２９９７５６４号公報
【特許文献3】特表平６－５１００５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献１～特許文献３の方法のような従来の方法では、５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を高純度の結晶として取り出すための精製操作を行う必要があり、時間的又は製造効率的に課題があった。
そのため、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる酸化染料の製造方法が求められる。
そのため、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる酸化染料の製造方法が求められる。
【0008】
本開示の一実施形態が解決しようとする課題は、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる酸化染料の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞ カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、前記インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
＜２＞ 前記触媒は、４価の白金を含む＜１＞に記載の酸化染料の製造方法。
＜３＞ 前記カルボン酸は、ＸＣＯＯＨで表され、前記Ｘが炭素数１～２０のアルキル基である＜１＞又は＜２＞に記載の酸化染料の製造方法。
＜４＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び前記反応温度ｙ℃が、下記式（１－１）の条件を満たす＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５７．５０ 式（１－１）
＜５＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び前記反応温度ｙ℃が、下記式（１－２）の条件を満たす＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５５．００ 式（１－２）
＜６＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０．２以上１５以下である＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜７＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０．５以上１０以下である＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜８＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記反応温度ｙ℃が、０以上５０以下である＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜９＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記反応温度ｙ℃が、５以上４５以下である＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜１０＞ 前記インドリン誘導体が、下記式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物を含む＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜１＞ カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、前記インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
＜２＞ 前記触媒は、４価の白金を含む＜１＞に記載の酸化染料の製造方法。
＜３＞ 前記カルボン酸は、ＸＣＯＯＨで表され、前記Ｘが炭素数１～２０のアルキル基である＜１＞又は＜２＞に記載の酸化染料の製造方法。
＜４＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び前記反応温度ｙ℃が、下記式（１－１）の条件を満たす＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５７．５０ 式（１－１）
＜５＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び前記反応温度ｙ℃が、下記式（１－２）の条件を満たす＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
ｙ≦－２．５ｘ＋５５．００ 式（１－２）
＜６＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０．２以上１５以下である＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜７＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０．５以上１０以下である＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜８＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記反応温度ｙ℃が、０以上５０以下である＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜９＞ 前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、前記反応温度ｙ℃が、５以上４５以下である＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
＜１０＞ 前記インドリン誘導体が、下記式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物を含む＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の酸化染料の製造方法。
【0010】
【化1】
【0011】
〔式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６～１０の置換もしくは無置換のアリール基、酸素含有基、又はハロゲン原子である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の脂肪族基であるか、又は、一体となって、炭素数１～４のアルキレン基を表す。Ｘは塩素原子又は臭素原子であり、ｎは０又は１である。〕
＜１１＞ 前記式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４が水素原子である＜１０＞に記載の酸化染料の製造方法。
＜１１＞ 前記式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４が水素原子である＜１０＞に記載の酸化染料の製造方法。
【発明の効果】
【0012】
本開示の一実施形態によれば、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる酸化染料の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下において、本開示の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本開示の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本開示はそのような実施態様に限定されるものではない。
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本開示において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本開示において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。
【0014】
≪酸化染料の製造方法≫
本開示の酸化染料の製造方法は、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
なお、触媒の添加量ｘの単位はｍｏｌ％であり、反応温度ｙの単位は℃である。
本開示の酸化染料の製造方法は、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、前記インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
なお、触媒の添加量ｘの単位はｍｏｌ％であり、反応温度ｙの単位は℃である。
【0015】
本開示において、酸化染料はメラニン前駆体型の酸化染料であり、メラニンのインドール骨格に置換基が導入されていない化合物、及び、メラニンのインドール骨格に置換基が導入されている化合物の両方を含む概念である。
本開示において、インドール誘導体は、インドール誘導体のインドール骨格に置換基が導入されていない化合物、及び、インドール誘導体のインドール骨格に置換基が導入されている化合物の両方を含む概念である。
本開示において、インドリン誘導体は、インドリン誘導体のインドリン骨格に置換基が導入されていない化合物、及び、インドリン誘導体のインドリン骨格に置換基が導入されている化合物の両方を含む概念である。
本開示において、インドール誘導体は、インドール誘導体のインドール骨格に置換基が導入されていない化合物、及び、インドール誘導体のインドール骨格に置換基が導入されている化合物の両方を含む概念である。
本開示において、インドリン誘導体は、インドリン誘導体のインドリン骨格に置換基が導入されていない化合物、及び、インドリン誘導体のインドリン骨格に置換基が導入されている化合物の両方を含む概念である。
【0016】
本開示において「純度（質量％）」は、目的の生成物の量を実際に得られた生成物全体の量で除した値の百分率を意味する。
本開示において「収率（質量％）」は、実際に得られた量を理論的に計算して得られた量で除した値の百分率を意味する。
上記触媒の添加量ｘｍｏｌ％は、インドール誘導体の物質量に対する触媒の物質量の百分率を意味する。
本開示において「収率（質量％）」は、実際に得られた量を理論的に計算して得られた量で除した値の百分率を意味する。
上記触媒の添加量ｘｍｏｌ％は、インドール誘導体の物質量に対する触媒の物質量の百分率を意味する。
【0017】
酸化染料はメラニンへと酸化され易いため、酸化染料を製造する際、収率が低下し易かった。そのため、簡便な操作を用いて、効率的に、高純度の酸化染料前駆体及び酸化染料を合成する方法が求められていた。
【0018】
本発明者は、インドール誘導体からインドリン誘導体を得るための水素添加反応後に、カルボン酸とインドリン誘導体とが反応し、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化された副生成物が生じ得るという知見を得た。即ち、インドール誘導体からインドリン誘導体を得るための水素添加反応後に、インドリン誘導体として、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化されていない主生成物と、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化された副生成物と、が存在し得るという知見を得た。
主生成物としては、例えば下記式（Ａ）で表される化合物が挙げられる。
副生成物としては、例えば下記式（Ｂ）で表される化合物が挙げられる。式（Ｂ）中、Ｒは、例えばアセチル基表す。
主生成物としては、例えば下記式（Ａ）で表される化合物が挙げられる。
副生成物としては、例えば下記式（Ｂ）で表される化合物が挙げられる。式（Ｂ）中、Ｒは、例えばアセチル基表す。
【0019】
【化2】
【0020】
そして、本発明者は、上記副生成物は、インドリン誘導体と臭化水素との反応後に得られる５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩の純度を低下させる原因になることを見出した。
従来は、この純度の低下を回避するために精製工程を行っていた。しかし、精製工程を行うことによって収率が低下してしまうという問題がある。
これに対し、本発明者が鋭意検討した結果、本開示の酸化染料の製造方法を導き出した。即ち、本開示の酸化染料の製造方法は、本開示における工程（Ｉ）と、本開示における工程（ＩＩ）と、を含み、工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、特定の条件を満たすことで、副生成物の生成を抑制し、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
本開示の酸化染料の製造方法は、必ずしも精製工程を必要としない。本開示の酸化染料の製造方法は、精製工程を行わなかったとしても、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
また、本開示の酸化染料の製造方法は、高収率で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることもできる。
従来は、この純度の低下を回避するために精製工程を行っていた。しかし、精製工程を行うことによって収率が低下してしまうという問題がある。
これに対し、本発明者が鋭意検討した結果、本開示の酸化染料の製造方法を導き出した。即ち、本開示の酸化染料の製造方法は、本開示における工程（Ｉ）と、本開示における工程（ＩＩ）と、を含み、工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、特定の条件を満たすことで、副生成物の生成を抑制し、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
本開示の酸化染料の製造方法は、必ずしも精製工程を必要としない。本開示の酸化染料の製造方法は、精製工程を行わなかったとしても、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
また、本開示の酸化染料の製造方法は、高収率で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることもできる。
【0021】
＜工程（Ｉ）＞
工程（Ｉ）は、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程である。
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
工程（Ｉ）は、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程である。
前記工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、前記触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１）及び下記式（２）の条件を満たす。
ｙ≦－２．５ｘ＋５９．００ 式（１）
０＜ｘ≦２０．０ 式（２）
【0022】
式（１）は、工程（Ｉ）における前記水素添加反応における反応温度ｙ℃の範囲を定める。
触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、式（１）を満たすことで、副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くすることができる。
触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、式（１）を満たすことで、副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くすることができる。
【0023】
副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くする観点から、工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１－１）の条件を満たすことが好ましい。
ｙ≦－２．５ｘ＋５７．５０ 式（１－１）
ｙ≦－２．５ｘ＋５７．５０ 式（１－１）
【0024】
副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くする観点から、工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、下記式（１－２）の条件を満たすことがより好ましい。
ｙ≦－２．５ｘ＋５５．００ 式（１－２）
ｙ≦－２．５ｘ＋５５．００ 式（１－２）
【0025】
ｙ℃は、製造効率を適切に維持する観点から、０≦ｙを満たすことが好ましく、５．００≦ｙを満たすことがより好ましく、１０．００≦ｙを満たすことがさらに好ましく、１５．００≦ｙを満たすことが特に好ましく、２０．００≦ｙを満たすことがより一層好ましい。
【0026】
副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くする観点から、ｙ≦５０．００を満たすことが好ましく、ｙ≦４５を満たすことがより好ましく、ｙ≦４０．００を満たすことがさらに好ましい。
【0027】
工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、反応温度ｙ℃が、下記式（１－３）を満たすことが好ましく、下記式（１－４）を満たすことがより好ましい。
０≦ｙ≦５０．００ 式（１－３）
５．００≦ｙ≦４５．００ 式（１－４）
０≦ｙ≦５０．００ 式（１－３）
５．００≦ｙ≦４５．００ 式（１－４）
【0028】
式（２）は、工程（Ｉ）における前記水素添加反応に用いられる触媒の添加量ｘｍｏｌ％の範囲を定める。
触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、ｘ≦２０．０を満たすことで、副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くすることができる。
上記の観点から、触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、ｘ≦１５．０を満たすことが好ましく、ｘ≦１０．０を満たすことがより好ましい。
触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０＜ｘを満たすことで、製造効率を適切に維持することができる。
上記の観点、及び本開示の効果の再現性を高める観点から、触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０．２≦ｘを満たすことが好ましく、０．５≦ｘを満たすことがより好ましい。
上記「本開示の効果の再現性を高める」とは、具体的には、例えば、触媒を反応釜中に均一に存在させて反応釜中で均一に反応を進行させることで、本開示の効果の再現性を高めることである。
触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、ｘ≦２０．０を満たすことで、副生成物の生成を抑制し、酸化染料の純度及び収率を高くすることができる。
上記の観点から、触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、ｘ≦１５．０を満たすことが好ましく、ｘ≦１０．０を満たすことがより好ましい。
触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０＜ｘを満たすことで、製造効率を適切に維持することができる。
上記の観点、及び本開示の効果の再現性を高める観点から、触媒の添加量ｘｍｏｌ％が、０．２≦ｘを満たすことが好ましく、０．５≦ｘを満たすことがより好ましい。
上記「本開示の効果の再現性を高める」とは、具体的には、例えば、触媒を反応釜中に均一に存在させて反応釜中で均一に反応を進行させることで、本開示の効果の再現性を高めることである。
【0029】
工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒の添加量ｘｍｏｌ％は、下記式（２－１）を満たすことが好ましく、下記式（２－２）を満たすことがより好ましい。
０．２≦ｘ≦１５．０ 式（２－１）
０．５≦ｘ≦１０．０ 式（２－２）
０．２≦ｘ≦１５．０ 式（２－１）
０．５≦ｘ≦１０．０ 式（２－２）
【0030】
＜溶媒＞
工程（Ｉ）は、溶媒を用いて行う。
上記溶媒として、少なくともカルボン酸を含む。
（カルボン酸）
工程（Ｉ）は、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る。
工程（Ｉ）がカルボン酸の存在下で行われることで、反応容器の腐食を抑制しながら、水素添加反応の反応活性を高めることができる。
カルボン酸は、ＸＣＯＯＨで表される化合物であってもよい。上記Ｘは水素原子又は炭素数１～５０の炭化水素基であり、好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基である。
工程（Ｉ）は、溶媒を用いて行う。
上記溶媒として、少なくともカルボン酸を含む。
（カルボン酸）
工程（Ｉ）は、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る。
工程（Ｉ）がカルボン酸の存在下で行われることで、反応容器の腐食を抑制しながら、水素添加反応の反応活性を高めることができる。
カルボン酸は、ＸＣＯＯＨで表される化合物であってもよい。上記Ｘは水素原子又は炭素数１～５０の炭化水素基であり、好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基である。
【0031】
Ｘとしては、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、複素環の一価基等が挙げられる。
また上記の炭化水素基は置換基を含んでいてもよい。
上記置換基としては、水酸基、アルコキシ基、カルボニル基、アルデヒド基、カルボン酸基、エステル基、アミノ基、イミノ基、ニトリル基、ハロゲン等が挙げられる。
また上記の炭化水素基は置換基を含んでいてもよい。
上記置換基としては、水酸基、アルコキシ基、カルボニル基、アルデヒド基、カルボン酸基、エステル基、アミノ基、イミノ基、ニトリル基、ハロゲン等が挙げられる。
【0032】
カルボン酸は、ＸＣＯＯＨで表され、上記Ｘが炭素数１～２０のアルキル基であることが好ましい。
【0033】
Ｘがアルキル基である場合、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、１－メチルプロピル基、ペンチル基、１－メチルブチル基、ヘキシル基、１－メチルペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、１－メチルヘプチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。
【0034】
Ｘがアルキル基である場合、カルボン酸の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ステアリン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸等を挙げることができる。
【0035】
Ｘがシクロアルキル基である場合、カルボン酸の具体例としては、２－シクロプロペンカルボン酸、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、１－テトラリンカルボン酸などが挙げられる。
【0036】
Ｘがアルケニル基である場合、カルボン酸の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、セネシオ酸、２－ペンテン酸、２－ヘキセン酸、２－ヘプテン酸、２－オクテン酸、２－ノネン酸、ゲラン酸、２－デセン酸、２－ドデセン酸、２－オクタデセン酸、ファルネシル酸、ゲラニルゲラン酸、ケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、トラウマト酸、シンナミリデン酢酸、ソルビン酸、ムコン酸、２，４－オクタジエン酸等を挙げることができる。
【0037】
Ｘがアリール基である場合、アリール基としては、炭素数が６～２０であることが好ましい。
アリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ハロゲン化フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントレン基、ペリレン基等が挙げられる。
Ｘがアリール基である場合、カルボン酸の具体例としては、安息香酸、ｏ－トルイル酸、ｍ－トルイル酸、ｐ－トルイル酸、ｏ－フルオロ安息香酸、ｍ－フルオロ安息香酸、ｐ－フルオロ安息香酸、２，３，４，５，６－ペンタフルオロ安息香酸、ｏ－クロロ安息香酸、ｍ－クロロ安息香酸、ｐ－クロロ安息香酸、４－メトキシ安息香酸、ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、フェナントレンカルボン酸、ペリレンカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等を挙げることができる。
アリール基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ハロゲン化フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントレン基、ペリレン基等が挙げられる。
Ｘがアリール基である場合、カルボン酸の具体例としては、安息香酸、ｏ－トルイル酸、ｍ－トルイル酸、ｐ－トルイル酸、ｏ－フルオロ安息香酸、ｍ－フルオロ安息香酸、ｐ－フルオロ安息香酸、２，３，４，５，６－ペンタフルオロ安息香酸、ｏ－クロロ安息香酸、ｍ－クロロ安息香酸、ｐ－クロロ安息香酸、４－メトキシ安息香酸、ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、フェナントレンカルボン酸、ペリレンカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等を挙げることができる。
【0038】
Ｘがアラルキル基である場合、アラルキル基としては、炭素数が７～２１であることが好ましい。
アラルキル基としては、ベンジル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等が挙げられる。
Ｘがアラルキル基である場合、カルボン酸の具体例としては、フェニル酢酸、ナフチル酢酸、アントリル酢酸等を挙げることができる。
アラルキル基としては、ベンジル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等が挙げられる。
Ｘがアラルキル基である場合、カルボン酸の具体例としては、フェニル酢酸、ナフチル酢酸、アントリル酢酸等を挙げることができる。
【0039】
Ｘが複素環の一価基である場合、複素環の一価基としては、複素環に含まれる炭素数が４～２０であることが好ましい。
Ｘが複素環の一価基である場合、カルボン酸の具体例としては、２－フランカルボン酸、３－フランカルボン酸、ニコチン酸、イソニコチン酸等を挙げることができる。
Ｘが複素環の一価基である場合、カルボン酸の具体例としては、２－フランカルボン酸、３－フランカルボン酸、ニコチン酸、イソニコチン酸等を挙げることができる。
【0040】
上記の中で、特に好ましいカルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、セネシオ酸、２－ペンテン酸、２－ヘキセン酸、２－ヘプテン酸、２－オクテン酸、２－ノネン酸、ゲラン酸、２－デセン酸、２－ドデセン酸、２－オクタデセン酸、ファルネシル酸、ゲラニルゲラン酸、ケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、トラウマト酸、シンナミリデン酢酸、ソルビン酸、ムコン酸、２，４－オクタジエン酸、安息香酸、ｏ－トルイル酸、ｍ－トルイル酸、ｐ－トルイル酸、ｏ－フルオロ安息香酸、ｍ－フルオロ安息香酸、ｐ－フルオロ安息香酸、２，３，４，５，６－ペンタフルオロ安息香酸、ｏ－クロロ安息香酸、ｍ－クロロ安息香酸、ｐ－クロロ安息香酸、４－メトキシ安息香酸、ナフトエ酸、アントラセンカルボン酸、フェナントレンカルボン酸、ペリレンカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等を挙げることができる。
本開示におけるカルボン酸は、１種含んでもよく、複数種含んでもよい。
本開示におけるカルボン酸は、１種含んでもよく、複数種含んでもよい。
【0041】
上記の中でも、反応性を高める観点、コストの観点、扱いやすさの観点、及び反応容器を腐食しない観点から、Ｘは、炭素数１～２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１～１０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１～５のアルキル基であることがさらに好ましく、メチル基であることが特に好ましい。
【0042】
工程（Ｉ）は、本開示における効果を阻害しない範囲内で、カルボン酸以外に、他の溶媒を含んでもよい。
カルボン酸を含む溶媒は、全体として、原料であるインドール誘導体を溶解できることが好ましい。カルボン酸を含む溶媒は、全体として、均一に混ざることが好ましい。
カルボン酸を含む溶媒は、全体として、原料であるインドール誘導体を溶解できることが好ましい。カルボン酸を含む溶媒は、全体として、均一に混ざることが好ましい。
【0043】
カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率は、０．０１～０．８であることが好ましい。
カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率が、０．０１以上であることで、製造コストを低減させ、生産性を向上させることができる。
カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率が、０．８以下とすることで、副反応の進行を抑制し、酸化染料の純度を上げることができる。
上記同様の観点から、カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率は、０．０５～０．６であることがより好ましく、０．１～０．５であることがさらに好ましく、０．２～０．５であることが特に好ましい。
カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率が、０．０１以上であることで、製造コストを低減させ、生産性を向上させることができる。
カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率が、０．８以下とすることで、副反応の進行を抑制し、酸化染料の純度を上げることができる。
上記同様の観点から、カルボン酸の量（Ｌ）に対するインド―ル誘導体の物質量（ｍｏｌ）の比率は、０．０５～０．６であることがより好ましく、０．１～０．５であることがさらに好ましく、０．２～０．５であることが特に好ましい。
【0044】
（他の添加物）
水素添加反応をさらに加速させる観点から、工程（Ｉ）において、ルイス酸及びブレンステッド酸からなる群から選択される少なくとも１つを用いてもよい。
ルイス酸としては、塩化スズ、塩化セリウム等が挙げられる。
ブレンステッド酸としては、硫酸、硝酸、ハロゲン化水素（例えば、ヨウ化水素、臭化水素、塩化水素など）、スルホン酸を有する有機化合物、リン酸を有する有機化合物等が挙げられる。
水素添加反応をさらに加速させる観点から、工程（Ｉ）において、ルイス酸及びブレンステッド酸からなる群から選択される少なくとも１つを用いてもよい。
ルイス酸としては、塩化スズ、塩化セリウム等が挙げられる。
ブレンステッド酸としては、硫酸、硝酸、ハロゲン化水素（例えば、ヨウ化水素、臭化水素、塩化水素など）、スルホン酸を有する有機化合物、リン酸を有する有機化合物等が挙げられる。
【0045】
（インドール誘導体）
インドール誘導体としては、特に制限なく用いることができる。
例えば、インドール誘導体としては、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。
インドール誘導体としては、特に制限なく用いることができる。
例えば、インドール誘導体としては、下記式（Ｉ）で表される化合物が挙げられる。
【0046】
【化3】
【0047】
〔式（Ｉ）中、Ｒ１及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６～１０の置換もしくは無置換のアリール基、酸素含有基、又はハロゲン原子である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の脂肪族基であるか、又は、一体となって、炭素数１～４のアルキレン基を表す。〕
式（Ｉ）中の置換基の詳細については、後述する。
式（Ｉ）中の置換基の詳細については、後述する。
【0048】
（インドリン誘導体）
インドリン誘導体は、工程（Ｉ）において、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体を変換して得られる。
上述の通り、インドール誘導体からインドリン誘導体を得るための水素添加反応後に、インドリン誘導体として、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化されていない主生成物と、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化された副生成物と、が存在し得る。
そして、上記副生成物は、インドリン誘導体と臭化水素との反応後に得られる５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩の純度を低下させる原因になる。
本開示の酸化染料の製造方法では、水素添加反応によりインドール誘導体を変換する際に発生し得る上記副生成物の生成を抑制することで、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
インドリン誘導体は、工程（Ｉ）において、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体を変換して得られる。
上述の通り、インドール誘導体からインドリン誘導体を得るための水素添加反応後に、インドリン誘導体として、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化されていない主生成物と、インドリン誘導体の窒素原子がアシル化された副生成物と、が存在し得る。
そして、上記副生成物は、インドリン誘導体と臭化水素との反応後に得られる５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩の純度を低下させる原因になる。
本開示の酸化染料の製造方法では、水素添加反応によりインドール誘導体を変換する際に発生し得る上記副生成物の生成を抑制することで、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
【0049】
インドリン誘導体は、酸塩であってもよい。インドリン誘導体の酸塩としては、例えば、塩酸塩、臭化水素酸塩等が挙げられる。
インドリン誘導体の酸塩は、水素添加反応により生じたインドリン誘導体について、工程（ＩＩ）における脱保護は進行させず、単に塩酸、臭化水素酸等で処理することにより得られる。
インドリン誘導体の酸塩は、工程（ＩＩ）において脱保護されることで酸化染料としてもよい。また、インドリン誘導体の酸塩自体を酸化染料として用いることもできる。
インドリン誘導体の酸塩は、水素添加反応により生じたインドリン誘導体について、工程（ＩＩ）における脱保護は進行させず、単に塩酸、臭化水素酸等で処理することにより得られる。
インドリン誘導体の酸塩は、工程（ＩＩ）において脱保護されることで酸化染料としてもよい。また、インドリン誘導体の酸塩自体を酸化染料として用いることもできる。
【0050】
インドリン誘導体は、下記式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物を含むことが好ましい。
式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物は、上述の主生成物に相当するインドリン誘導体である。
式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物は、上述の主生成物に相当するインドリン誘導体である。
【0051】
【化4】
【0052】
〔式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数６～１０の置換もしくは無置換のアリール基、酸素含有基、又はハロゲン原子である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の脂肪族基であるか、又は、一体となって、炭素数１～４のアルキレン基を表す。Ｘは塩素原子又は臭素原子であり、ｎは０又は１である。〕
上述の式（Ｉ）及び式（ＩＩ－Ｉ）中の置換基について、以下に詳細に説明する。
上述の式（Ｉ）及び式（ＩＩ－Ｉ）中の置換基について、以下に詳細に説明する。
【0053】
置換のアルキル基及び置換のアリール基における置換基は、具体的には、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。
これらの置換基は、アルキル基又はアリール基に１個だけ置換されていてもよく、２個以上置換されていてもよい。
これらの置換基がアルキル基又はアリール基に２個以上置換されている場合、各置換基は、単独の置換基で置換されていてもよく、異なる種類の置換基で置換されていてもよい。
これらの置換基は、アルキル基又はアリール基に１個だけ置換されていてもよく、２個以上置換されていてもよい。
これらの置換基がアルキル基又はアリール基に２個以上置換されている場合、各置換基は、単独の置換基で置換されていてもよく、異なる種類の置換基で置換されていてもよい。
【0054】
置換又は無置換アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基等の炭素数１～１０の直鎖アルキル基；
イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、１－ｎ－プロピルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－２－メチルプロピル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、６－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、１－ｎ－プロピルペンチル基、２－ｎ－プロピルペンチル基、１－ｉｓｏ－プロピルペンチル基、２－ｉｓｏ－プロピルペンチル基、１－ｎ－ブチルブチル基、１－ｉｓｏ－ブチルブチル基、１－ｓｅｃ－ブチルブチル基、１－ｔｅｒｔ－ブチルブチル基、２－ｔｅｒｔ－ブチルブチル基等の炭素数２～１０のモノアルキル置換アルキル基；
ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、１，２－ジメチルブチル基、１，３－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、１－エチル－２－メチルプロピル基、１，１－ジメチルペンチル基、１，２－ジメチルペンチル基、１，３－ジメチルペンチル基、１，４－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３，４－ジメチルペンチル基、１－エチル－１－メチルブチル基、１－エチル－２－メチルブチル基、１－エチル－３－メチルブチル基、２－エチル－１－メチルブチル基、２－エチル－３－メチルブチル基、１，１－ジメチルヘキシル基、１，２－ジメチルヘキシル基、１，３－ジメチルヘキシル基、１，４－ジメチルヘキシル基、１，５－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、２，３－ジメチルヘキシル基、２，４－ジメチルヘキシル基、２，５－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、３，４－ジメチルヘキシル基、３，５－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、４，５－ジメチルヘキシル基、１－エチル－２－メチルペンチル基、１－エチル－３－メチルペンチル基、１－エチル－４－メチルペンチル基、２－エチル－１－メチルペンチル基、２－エチル－２－メチルペンチル基、２－エチル－３－メチルペンチル基、２－エチル－４－メチルペンチル基、３－エチル－１－メチルペンチル基、３－エチル－２－メチルペンチル基、３－エチル－３－メチルペンチル基、３－エチル－４－メチルペンチル基、１－ｎ－プロピル－１－メチルブチル基、１－ｎ－プロピル－２－メチルブチル基、１－ｎ－プロピル－３－メチルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－１－メチルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－２－メチルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－３－メチルブチル基、１，１－ジエチルブチル基、１，２－ジエチルブチル基等の炭素数３～１０のジアルキル置換アルキル基；
１，１，２－トリメチルプロピル基、１，２，２－トリメチルプロピル基、１，１，２－トリメチルブチル基、１，１，３－トリメチルブチル基、１，２，３－トリメチルブチル基、１，２，２－トリメチルブチル基、１，３，３－トリメチルブチル基、２，３，３－トリメチルブチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，４－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１－エチル－１，２－ジメチルブチル基、１－エチル－１，３－ジメチルブチル基、１－エチル－２，３－ジメチルブチル基、２－エチル－１，１－ジメチルブチル基、２－エチル－１，２－ジメチルブチル基、２－エチル－１，３－ジメチルブチル基、２－エチル－２，３－ジメチルブチル基等の炭素数４～１０のトリアルキル置換アルキル基；
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～２０の環状アルキル基；
メチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、１，２－ジメチルシクロヘキシル基、１，３－ジメチルシクロヘキシル基、１，４－ジメチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基等の炭素数４～１０のアルキル置換環状アルキル基；
ベンジル基、４－メチルベンジル基等の炭素数７～１０のアリール置換アルキル基；
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、テトラクロロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基等の、ハロゲン原子が一部又は全て置換された炭素数１～１０のハロゲン化アルキル基；などが挙げられる。
イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、１－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、４－メチルペンチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１－メチルヘキシル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、４－メチルヘキシル基、５－メチルヘキシル基、１－エチルペンチル基、２－エチルペンチル基、３－エチルペンチル基、１－ｎ－プロピルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－２－メチルプロピル基、１－メチルヘプチル基、２－メチルヘプチル基、３－メチルヘプチル基、４－メチルヘプチル基、５－メチルヘプチル基、６－メチルヘプチル基、１－エチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、４－エチルヘキシル基、１－ｎ－プロピルペンチル基、２－ｎ－プロピルペンチル基、１－ｉｓｏ－プロピルペンチル基、２－ｉｓｏ－プロピルペンチル基、１－ｎ－ブチルブチル基、１－ｉｓｏ－ブチルブチル基、１－ｓｅｃ－ブチルブチル基、１－ｔｅｒｔ－ブチルブチル基、２－ｔｅｒｔ－ブチルブチル基等の炭素数２～１０のモノアルキル置換アルキル基；
ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、１，２－ジメチルブチル基、１，３－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、１－エチル－２－メチルプロピル基、１，１－ジメチルペンチル基、１，２－ジメチルペンチル基、１，３－ジメチルペンチル基、１，４－ジメチルペンチル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３，３－ジメチルペンチル基、３，４－ジメチルペンチル基、１－エチル－１－メチルブチル基、１－エチル－２－メチルブチル基、１－エチル－３－メチルブチル基、２－エチル－１－メチルブチル基、２－エチル－３－メチルブチル基、１，１－ジメチルヘキシル基、１，２－ジメチルヘキシル基、１，３－ジメチルヘキシル基、１，４－ジメチルヘキシル基、１，５－ジメチルヘキシル基、２，２－ジメチルヘキシル基、２，３－ジメチルヘキシル基、２，４－ジメチルヘキシル基、２，５－ジメチルヘキシル基、３，３－ジメチルヘキシル基、３，４－ジメチルヘキシル基、３，５－ジメチルヘキシル基、４，４－ジメチルヘキシル基、４，５－ジメチルヘキシル基、１－エチル－２－メチルペンチル基、１－エチル－３－メチルペンチル基、１－エチル－４－メチルペンチル基、２－エチル－１－メチルペンチル基、２－エチル－２－メチルペンチル基、２－エチル－３－メチルペンチル基、２－エチル－４－メチルペンチル基、３－エチル－１－メチルペンチル基、３－エチル－２－メチルペンチル基、３－エチル－３－メチルペンチル基、３－エチル－４－メチルペンチル基、１－ｎ－プロピル－１－メチルブチル基、１－ｎ－プロピル－２－メチルブチル基、１－ｎ－プロピル－３－メチルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－１－メチルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－２－メチルブチル基、１－ｉｓｏ－プロピル－３－メチルブチル基、１，１－ジエチルブチル基、１，２－ジエチルブチル基等の炭素数３～１０のジアルキル置換アルキル基；
１，１，２－トリメチルプロピル基、１，２，２－トリメチルプロピル基、１，１，２－トリメチルブチル基、１，１，３－トリメチルブチル基、１，２，３－トリメチルブチル基、１，２，２－トリメチルブチル基、１，３，３－トリメチルブチル基、２，３，３－トリメチルブチル基、１，１，２－トリメチルペンチル基、１，１，３－トリメチルペンチル基、１，１，４－トリメチルペンチル基、１，２，２－トリメチルペンチル基、１，２，３－トリメチルペンチル基、１，２，４－トリメチルペンチル基、１，３，４－トリメチルペンチル基、２，２，３－トリメチルペンチル基、２，２，４－トリメチルペンチル基、２，３，４－トリメチルペンチル基、１，３，３－トリメチルペンチル基、２，３，３－トリメチルペンチル基、３，３，４－トリメチルペンチル基、１，４，４－トリメチルペンチル基、２，４，４－トリメチルペンチル基、３，４，４－トリメチルペンチル基、１－エチル－１，２－ジメチルブチル基、１－エチル－１，３－ジメチルブチル基、１－エチル－２，３－ジメチルブチル基、２－エチル－１，１－ジメチルブチル基、２－エチル－１，２－ジメチルブチル基、２－エチル－１，３－ジメチルブチル基、２－エチル－２，３－ジメチルブチル基等の炭素数４～１０のトリアルキル置換アルキル基；
シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３～２０の環状アルキル基；
メチルシクロペンチル基、メチルシクロヘキシル基、１，２－ジメチルシクロヘキシル基、１，３－ジメチルシクロヘキシル基、１，４－ジメチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基等の炭素数４～１０のアルキル置換環状アルキル基；
ベンジル基、４－メチルベンジル基等の炭素数７～１０のアリール置換アルキル基；
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロエチル基、クロロエチル基、ブロモエチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、テトラクロロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基等の、ハロゲン原子が一部又は全て置換された炭素数１～１０のハロゲン化アルキル基；などが挙げられる。
【0055】
置換又は無置換のアリール基の具体例としては、
フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～１０のアリール基；
２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２－エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基等の炭素数７～１０のモノアルキル置換アリール基；
２，３－ジメチルフェニル基、２，４－ジメチルフェニル基、２，５－ジメチルフェニル基、２，６－ジメチルフェニル基、３，４－ジメチルフェニル基、３，５－ジメチルフェニル基、３，６－ジメチルフェニル基等の炭素数８～１０のジアルキル置換アリール基；
２，３，４－トリメチルフェニル基、２，３，５－トリメチルフェニル基、２，３，６－トリメチルフェニル基、２，４，５－トリメチルフェニル基、２，４，６－トリメチルフェニル基、３，４，５－トリメチルフェニル基等の炭素数９又は１０のトリアルキル置換アリール基；
２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、２－エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、ブトキシフェニル基等の炭素数４以下の置換又は無置換のアルコキシ基が置換した炭素数７～１０のモノアルコキシアリール基；
２，３－ジメトキシフェニル基、２，４－ジメトキシフェニル基、２，５－ジメトキシフェニル基、２，６－ジメトキシフェニル基、３，４－ジメトキシフェニル基、３，５－ジメトキシフェニル基、３，６－ジメトキシフェニル基等の、炭素数４以下の置換又は無置換のアルコキシ基が置換した炭素数８～１０のジアルコキシアリール基；
２，３，４－トリメトキシフェニル基、２，３，５－トリメトキシフェニル基、２，３，６－トリメトキシフェニル基、２，４，５－トリメトキシフェニル基、２，４，６－トリメトキシフェニル基、３，４，５－トリメトキシフェニル基等の、炭素数４以下の置換又は無置換のアルコキシ基が置換した炭素数９又は１０のトリアルコキシアリール基；
クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル基、ヨードフェニル基、フルオロフェニル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等の、ハロゲン原子が置換した炭素数６～１０のアリール基；
トリフルオロメチルフェニル基、トリクロロメチルフェニル基等の、炭素数４以下で一部又は全てがハロゲン置換されたアルキル基が置換した炭素数７～１０のハロゲン化アルキルアリール基；
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノフェニル基、Ｎ－フェニル－Ｎ－メチルアミノフェニル基、Ｎ－トリル－Ｎ－エチルアミノフェニル基、Ｎ－クロロフェニル－Ｎ－シクロヘキシルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノフェニル基等の炭素数１０以下のＮ，Ｎ－二置換アミノ置換アリール基；
メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル基、メチルチオナフチル基、フェニルチオフェニル基等のアルキルチオアリール基又はアリールチオアリール基；などが挙げられる。
フェニル基、ナフチル基等の炭素数６～１０のアリール基；
２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２－エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基等の炭素数７～１０のモノアルキル置換アリール基；
２，３－ジメチルフェニル基、２，４－ジメチルフェニル基、２，５－ジメチルフェニル基、２，６－ジメチルフェニル基、３，４－ジメチルフェニル基、３，５－ジメチルフェニル基、３，６－ジメチルフェニル基等の炭素数８～１０のジアルキル置換アリール基；
２，３，４－トリメチルフェニル基、２，３，５－トリメチルフェニル基、２，３，６－トリメチルフェニル基、２，４，５－トリメチルフェニル基、２，４，６－トリメチルフェニル基、３，４，５－トリメチルフェニル基等の炭素数９又は１０のトリアルキル置換アリール基；
２－メトキシフェニル基、３－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、２－エトキシフェニル基、プロポキシフェニル基、ブトキシフェニル基等の炭素数４以下の置換又は無置換のアルコキシ基が置換した炭素数７～１０のモノアルコキシアリール基；
２，３－ジメトキシフェニル基、２，４－ジメトキシフェニル基、２，５－ジメトキシフェニル基、２，６－ジメトキシフェニル基、３，４－ジメトキシフェニル基、３，５－ジメトキシフェニル基、３，６－ジメトキシフェニル基等の、炭素数４以下の置換又は無置換のアルコキシ基が置換した炭素数８～１０のジアルコキシアリール基；
２，３，４－トリメトキシフェニル基、２，３，５－トリメトキシフェニル基、２，３，６－トリメトキシフェニル基、２，４，５－トリメトキシフェニル基、２，４，６－トリメトキシフェニル基、３，４，５－トリメトキシフェニル基等の、炭素数４以下の置換又は無置換のアルコキシ基が置換した炭素数９又は１０のトリアルコキシアリール基；
クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、ブロモフェニル基、ジブロモフェニル基、ヨードフェニル基、フルオロフェニル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等の、ハロゲン原子が置換した炭素数６～１０のアリール基；
トリフルオロメチルフェニル基、トリクロロメチルフェニル基等の、炭素数４以下で一部又は全てがハロゲン置換されたアルキル基が置換した炭素数７～１０のハロゲン化アルキルアリール基；
Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノフェニル基、Ｎ－フェニル－Ｎ－メチルアミノフェニル基、Ｎ－トリル－Ｎ－エチルアミノフェニル基、Ｎ－クロロフェニル－Ｎ－シクロヘキシルアミノフェニル基、Ｎ，Ｎ－ジトリルアミノフェニル基等の炭素数１０以下のＮ，Ｎ－二置換アミノ置換アリール基；
メチルチオフェニル基、エチルチオフェニル基、メチルチオナフチル基、フェニルチオフェニル基等のアルキルチオアリール基又はアリールチオアリール基；などが挙げられる。
【0056】
酸素含有基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、エステル基、エーテル基、アシル基、カルボキシル基、カルボナート基、ヒドロキシ基、ペルオキシ基、カルボン酸無水物基等が挙げられる。
【0057】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【0058】
Ｒ１～Ｒ４が置換又は無置換のアルキル基を表す場合、アルキル基の炭素数は１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
また、Ｒ１～Ｒ４が置換又は無置換のアリール基を表す場合、アリール基の炭素数は６～１０であることが好ましく、６であることがより好ましい。
また、Ｒ１～Ｒ４が置換又は無置換のアリール基を表す場合、アリール基の炭素数は６～１０であることが好ましく、６であることがより好ましい。
【0059】
Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素数１～１２の脂肪族基であるか、又は、一体となって、炭素数１～４のアルキレン基を表す。
即ち、Ｒ６及びＲ７は、互いに結合していてもよい。
Ｒ６及びＲ７は、互いに結合している場合において、炭素数１～４のアルキレン基を形成する。
即ち、Ｒ６及びＲ７は、互いに結合していてもよい。
Ｒ６及びＲ７は、互いに結合している場合において、炭素数１～４のアルキレン基を形成する。
【0060】
炭素数１～１２の脂肪族基としては、飽和脂肪族基（即ち、アルキル基）であっても、不飽和脂肪族基（即ち、アルケニル基又はアルキニル基）であってもよく、又、分岐構造及び環状構造の少なくとも一方を有していてもよい。
【0061】
炭素数１～１２の脂肪族基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、１－エチルプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、２－メチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１－メチルペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などの直鎖状又は分岐状の飽和脂肪族基（即ち、アルキル基）；
ビニル基、１－プロペニル基、アリル基（２－プロペニル基）、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－１－プロペニル基、ヘキセニル基、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基と同義）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンチニル基、２－ペンチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、５－ヘキシニル基、１－メチル－２－プロピニル基、２－メチル－３－ブチニル基、２－メチル－３－ペンチニル基、１－メチル－２－ブチニル基、１，１－ジメチル－２－プロピニル、１，１－ジメチル－２－ブチニル基、１－ヘキシニル基などの直鎖状又は分岐状の不飽和脂肪族基（即ち、アルケニル基又はアルキニル基）；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、１－シクロペンテニル基、１－シクロヘキセニル基などの環状脂肪族基；
などが挙げられる。
ビニル基、１－プロペニル基、アリル基（２－プロペニル基）、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、２－メチル－１－プロペニル基、ヘキセニル基、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基（プロパルギル基と同義）、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンチニル基、２－ペンチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、５－ヘキシニル基、１－メチル－２－プロピニル基、２－メチル－３－ブチニル基、２－メチル－３－ペンチニル基、１－メチル－２－ブチニル基、１，１－ジメチル－２－プロピニル、１，１－ジメチル－２－ブチニル基、１－ヘキシニル基などの直鎖状又は分岐状の不飽和脂肪族基（即ち、アルケニル基又はアルキニル基）；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、１－シクロペンテニル基、１－シクロヘキセニル基などの環状脂肪族基；
などが挙げられる。
【0062】
炭素数１～１２の脂肪族基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ビニル基、アリル基、及びエチニル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【0063】
炭素数１～４のアルキレン基としては、直鎖状のアルキレン基であってもよいし、分岐状のアルキレン基であってもよい。
【0064】
炭素数１～４のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基及びイソプロピリデン基からなる群から選択される少なくとも１つが好ましく、メチレン基、エチレン基、及びイソプロピリデン基からなる群から選択される少なくとも１つがより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
【0065】
Ｘは塩素原子又は臭素原子であり、ｎは０又は１である。
即ち、式（ＩＩ－Ｉ）で表されるインドリン誘導体は、塩の状態でなくてもよいし、塩酸塩又は臭化水素酸塩の状態であってもよい。
即ち、式（ＩＩ－Ｉ）で表されるインドリン誘導体は、塩の状態でなくてもよいし、塩酸塩又は臭化水素酸塩の状態であってもよい。
【0066】
式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。ただし、式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物は、これらに限定されるわけではない。
【0067】
【化5】
【0068】
酸化染料（即ち、５，６－ジヒドロキシインドリン誘導体）を効率的に製造する観点から、式（ＩＩ－Ｉ）中、Ｒ１～Ｒ４は水素原子であることが好ましい。
【0069】
（触媒）
工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用いる。
触媒としては、例えば、白金粉末、白金－活性炭素、白金－アルミナ、酸化白金（ＩＶ）、塩化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＶ）等の白金系触媒が挙げられる。
工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用いる。
触媒としては、例えば、白金粉末、白金－活性炭素、白金－アルミナ、酸化白金（ＩＶ）、塩化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＶ）等の白金系触媒が挙げられる。
【0070】
触媒は、４価の白金を含むことが好ましい。
４価の白金を含む触媒としては、例えば、酸化白金（ＩＶ）、塩化白金（ＩＶ）などが挙げられる。
４価の白金を含む触媒としては、例えば、酸化白金（ＩＶ）、塩化白金（ＩＶ）などが挙げられる。
【0071】
水素添加反応は、常圧下及び加圧下のいずれでも行うことができる。
また本水素添加反応は、生成するインドリン誘導体の酸化を防ぐ観点から、水素と不活性気体（例えば、窒素、アルゴン等）との混合雰囲気中で行うこともできる。
また本水素添加反応は、生成するインドリン誘導体の酸化を防ぐ観点から、水素と不活性気体（例えば、窒素、アルゴン等）との混合雰囲気中で行うこともできる。
【0072】
〔精製〕
本開示の酸化染料の製造方法において、工程（Ｉ）における前記水素添加反応によって得られたインドリン誘導体の溶液は、副生成物の発生を抑制できる。
そのため、本開示の酸化染料の製造方法において、工程（Ｉ）における前記水素添加反応によって得られたインドリン誘導体の溶液は、晶析等による特段の精製処理を行うことなく、続く工程（ＩＩ）に用いることができる。
なお、必要に応じて触媒灰分を除く工程等を行ってもよい。
本開示の酸化染料の製造方法において、工程（Ｉ）における前記水素添加反応によって得られたインドリン誘導体の溶液は、副生成物の発生を抑制できる。
そのため、本開示の酸化染料の製造方法において、工程（Ｉ）における前記水素添加反応によって得られたインドリン誘導体の溶液は、晶析等による特段の精製処理を行うことなく、続く工程（ＩＩ）に用いることができる。
なお、必要に応じて触媒灰分を除く工程等を行ってもよい。
【0073】
インドリン誘導体の窒素原子がアシル化されていない主生成物（好ましくは式（ＩＩ－Ｉ）で表される化合物）の含有量は、高純度の酸化染料を効率的に製造する観点から、インドリン誘導体の全質量に対して、９２質量％以上であることが好ましく、９４質量％以上であることがより好ましく、９８質量％以上であることがさらに好ましい。
【0074】
水素添加反応の反応時間は、特に制限されない。
水素添加反応の反応時間は、製造効率を向上させる観点から、７０時間以下が好ましく、５０時間以下であることがより好ましく、３０時間以下であることがさらに好ましく、１５時間以下であることが特に好ましい。
また、水素添加反応の反応時間の下限値は特に制限されない。水素添加反応の反応時間は、例えば１分以上であってもよい。
水素添加反応の反応時間は、製造効率を向上させる観点から、７０時間以下が好ましく、５０時間以下であることがより好ましく、３０時間以下であることがさらに好ましく、１５時間以下であることが特に好ましい。
また、水素添加反応の反応時間の下限値は特に制限されない。水素添加反応の反応時間は、例えば１分以上であってもよい。
【0075】
＜工程（ＩＩ）＞
本開示の酸化染料の製造方法は、インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）を含む。
これによって、インドリン誘導体に対して脱保護を行い、酸化染料である５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
本開示の酸化染料の製造方法は、インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）を含む。
これによって、インドリン誘導体に対して脱保護を行い、酸化染料である５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができる。
【0076】
臭化水素は脱保護剤として用いる。
臭化水素としては、臭化水素の気体をそのまま用いてもよく、水溶液である臭化水素酸を用いてもよい。また、臭化水素は、酢酸などの溶媒に溶解させた状態で用いることもできる。
臭化水素としては、臭化水素の気体をそのまま用いてもよく、水溶液である臭化水素酸を用いてもよい。また、臭化水素は、酢酸などの溶媒に溶解させた状態で用いることもできる。
【0077】
工程（ＩＩ）において用いられる溶媒としては、例えば、水、酢酸、酢酸エチル、アセトニトリル、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、２－メチル－１－プロパノール、２－メチル－２－プロパノール、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、トルエン、キシレン（即ち、オルトキシレン、メタキシレン、又はパラキシレン）、シクロヘキサノン等の溶媒が挙げられる。
【0078】
工程（ＩＩ）における反応は、常圧下、減圧下のいずれでも行うことができる。
工程（ＩＩ）における反応は、生成する酸化染料の酸化（メラニン化）を防ぐ観点から、不活性雰囲気下（例えば、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下等）で行うことが好ましい。
工程（ＩＩ）における反応は、生成する酸化染料の酸化（メラニン化）を防ぐ観点から、不活性雰囲気下（例えば、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下等）で行うことが好ましい。
【0079】
工程（ＩＩ）における反応温度は、６０℃～１５０℃であることが好ましい。
反応温度が６０℃以上であることで、酸化染料の生成をより促進させることができる。
反応温度が１５０℃以下であることで、生成した酸化染料の分解を抑制し、生成率をより向上させることができる。
上記同様の観点から、工程（ＩＩ）における反応温度は、８０℃～１４０℃であることがより好ましく、１００℃～１３０℃であることがさらに好ましい。
反応温度が６０℃以上であることで、酸化染料の生成をより促進させることができる。
反応温度が１５０℃以下であることで、生成した酸化染料の分解を抑制し、生成率をより向上させることができる。
上記同様の観点から、工程（ＩＩ）における反応温度は、８０℃～１４０℃であることがより好ましく、１００℃～１３０℃であることがさらに好ましい。
【0080】
工程（ＩＩ）における反応時間は、インドリン誘導体と臭化水素との反応を効率よく進行させる観点から、３０分～１２時間であることが好ましく、１時間～６時間であることがより好ましい。
【0081】
本開示の酸化染料の製造方法においては、工程（ＩＩ）により得られる反応液から溶媒を留去させることにより、目的とする酸化染料（即ち、５，６－ジヒドロキシインドリン誘導体）を高純度で取り出すことができる。
工程（ＩＩ）の後、得られた酸化染料の一部又は全部が析出したスラリーの状態であっても、特段の分離、濾過等の処理をすることなく、そのまま溶媒を留去させることが、操作の簡便性の観点から好ましい。
工程（ＩＩ）の後、得られた酸化染料の一部又は全部が析出したスラリーの状態であっても、特段の分離、濾過等の処理をすることなく、そのまま溶媒を留去させることが、操作の簡便性の観点から好ましい。
【0082】
本開示の酸化染料の製造方法において、工程（ＩＩ）の後に溶媒を留去して得られた酸化染料の湿潤固体を、メタノール、アセトン、アセトニトリル等の低沸点の溶媒で洗浄することもできる。これによって、後の乾燥を効率よく進めることができる。
【0083】
取り出された酸化染料を乾燥する方法としては、棚段式乾燥機での静置乾燥法；コニカル乾燥機での流動乾燥法；ホットプレート、オーブン等の装置を用いて乾燥させる方法；ドライヤーなどの乾燥機で温風又は熱風を供給する方法；等が挙げられる。
【0084】
取り出された酸化染料を乾燥する際の圧力は、常圧及び減圧のいずれであってもよい。
取り出された酸化染料を乾燥する際の温度は、４０℃～１５０℃であることが好ましい。
温度が４０℃以上であることで乾燥効率により優れる。
温度が１５０℃以下であることで、生成した酸化染料の分解を抑制し、安定した状態で取り出すことができる。
上記同様の観点から、取り出された酸化染料を乾燥する際の温度は、５０℃～１４０℃であることがより好ましく、６０℃～１３０℃であることがさらに好ましい。
取り出された酸化染料を乾燥する際の温度は、４０℃～１５０℃であることが好ましい。
温度が４０℃以上であることで乾燥効率により優れる。
温度が１５０℃以下であることで、生成した酸化染料の分解を抑制し、安定した状態で取り出すことができる。
上記同様の観点から、取り出された酸化染料を乾燥する際の温度は、５０℃～１４０℃であることがより好ましく、６０℃～１３０℃であることがさらに好ましい。
【0085】
取り出された酸化染料は、そのまま用いてもよいし、例えば、溶媒中に分散又は溶解させて用いてもよいし、他の物質と混合して用いてもよい。
【0086】
＜酸化染料組成物＞
本開示の酸化染料組成物は、５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を含む。
本開示の酸化染料組成物は、５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を含む。
【0087】
（他の成分）
本開示の酸化染料組成物は、５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩以外の他の成分を含むことができる。
他の成分としては、例えば、酸化防止剤が挙げられる。
本開示の酸化染料組成物が酸化防止剤を含むことで、耐酸化安定性を高めることができる。
酸化防止剤としては、例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、亜ジチオン酸ナトリウム等が挙げられる。
これらの中でも、チオ硫酸ナトリウム及び亜ジチオン酸ナトリウムが好ましく、亜ジチオン酸ナトリウムがより好ましい。
本開示の酸化染料組成物は、５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩以外の他の成分を含むことができる。
他の成分としては、例えば、酸化防止剤が挙げられる。
本開示の酸化染料組成物が酸化防止剤を含むことで、耐酸化安定性を高めることができる。
酸化防止剤としては、例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、亜ジチオン酸ナトリウム等が挙げられる。
これらの中でも、チオ硫酸ナトリウム及び亜ジチオン酸ナトリウムが好ましく、亜ジチオン酸ナトリウムがより好ましい。
【実施例0088】
以下、本開示の実施例を示すが、本開示は以下の実施例には限定されない。
【0089】
〔実施例１〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．７６ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇ（１４３ｍｌ）とを入れ、攪拌混合した。室温（２５℃）で攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。攪拌を１０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ａを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．７６ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇ（１４３ｍｌ）とを入れ、攪拌混合した。室温（２５℃）で攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。攪拌を１０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ａを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0090】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物の主骨格は、５，６－ジメトキシインドリンであり、不純物は含まれていないことが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物の主骨格は、５，６－ジメトキシインドリンであり、不純物は含まれていないことが確認された。
【0091】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0092】
【化6】
【0093】
次に、上述の溶液Ａと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．５４ｇを得た。収率は９２質量％であった。
【0094】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、９．０２ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．５９ｐｐｍ（２Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、９．０２ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．５９ｐｐｍ（２Ｈ）
【0095】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３４．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．４質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．４質量％であった。
【0096】
以上のことから、実施例１の製造方法は、下記反応スキームのとおりに５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成していることが示された。
【0097】
【化7】
【0098】
〔実施例２〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．０１５ｇ（０．０６６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４０℃で４０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ａを得た。この溶液Ａを１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．０１５ｇ（０．０６６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４０℃で４０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ａを得た。この溶液Ａを１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0099】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０５Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主生成物である５，６－ジメトキシインドリンが９３．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも６．２質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０５Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主生成物である５，６－ジメトキシインドリンが９３．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも６．２質量％含まれていることが確認された。
【0100】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0101】
【化8】
【0102】
次に、上述の溶液Ａと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の下乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．３５ｇを得た。収率は９０質量％であった。
【0103】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）。
【0104】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３３．５質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９７．３質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９７．３質量％であった。
【0105】
以上のことから、実施例２の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成していることが示された。
【0106】
【化9】
【0107】
〔実施例３〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．５０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４０℃で１２時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．５０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４０℃で１２時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0108】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．０６Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．０６Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．０６Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０２Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０２Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９７．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも２．２質量％含まれていることが確認された。
以上のことから、本還元反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン化合物を生成していることが示された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．０６Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．０６Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．０６Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０２Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０２Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９７．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも２．２質量％含まれていることが確認された。
以上のことから、本還元反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン化合物を生成していることが示された。
【0109】
【化10】
【0110】
次に、上述の溶液Ｂと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．６７ｇを得た。収率は９３．４質量％であった。
【0111】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
【0112】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３４．１質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．１質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．１質量％であった。
【0113】
以上のことから、実施例３の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成していることが示された。
【0114】
【化11】
【0115】
〔実施例４〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．１２ｇ（４．９３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。室温（２５℃）で攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。攪拌を８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．１２ｇ（４．９３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。室温（２５℃）で攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。攪拌を８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0116】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１２Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１２Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１２Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０４Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９５．２質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも４．８質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１２Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１２Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１２Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０４Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９５．２質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも４．８質量％含まれていることが確認された。
【0117】
以上のことから、本還元反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン化合物を生成していることが示された。
【0118】
【化12】
【0119】
次に、上述の溶液Ｂと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．７９ｇを得た。収率は９４．７質量％であった。
【0120】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
【0121】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３３．３質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９６．８質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９６．８質量％であった。
【0122】
以上のことから、実施例４の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成していることが示された。
【0123】
【化13】
【0124】
〔実施例５〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．５０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。１０℃に冷却、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を１０℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下及び８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０５Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９４．２質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも５．８質量％含まれていることが確認された。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．５０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。１０℃に冷却、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を１０℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下及び８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０５Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９４．２質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも５．８質量％含まれていることが確認された。
【0125】
以上のことから、本還元反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン化合物を生成していることが示された。
【0126】
【化14】
【0127】
次に、上述の溶液Ｂと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下及び６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．２４ｇを得た。収率は８８．８質量％であった。
【0128】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３３．５質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９７．４質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３３．５質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９７．４質量％であった。
【0129】
以上のことから、実施例５の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成していることが示された。
【0130】
【化15】
【0131】
〔実施例６〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．２５ｇ（１．１ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４５℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４５℃で２０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．２５ｇ（１．１ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４５℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４５℃で２０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、還元反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0132】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０２Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０２Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９７．１質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも２．９質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０２Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０２Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、還元反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９７．１質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも２．９質量％含まれていることが確認された。
【0133】
以上のことから、本還元反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン化合物を生成していることが示された。
【0134】
【化16】
【0135】
次に、上述の溶液Ｂと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａに減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．５５ｇを得た。収率は９２．２質量％であった。
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
【0136】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３４．１質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．１質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．１質量％であった。
【0137】
以上のことから、実施例６の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成していることが示された。
【化17】
【0138】
〔実施例７〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．７６ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。３５℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を３５℃で８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ａを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．７６ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。３５℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を３５℃で８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ａを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0139】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０４Ｈ） 。
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９５．６質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも４．４質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０７Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０４Ｈ） 。
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９５．６質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも４．４質量％含まれていることが確認された。
【0140】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0141】
【化18】
【0142】
次に、上述の溶液Ａと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．６８ｇを得た。収率は９３．５質量％であった。
【0143】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、９．０２ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．５９ｐｐｍ（２Ｈ）
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、９．０２ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．５９ｐｐｍ（２Ｈ）
【0144】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３４．０質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９８．８質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９８．８質量％であった。
【0145】
以上のことから、実施例７の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩が得られることが示された。
【化19】
【0146】
〔実施例８〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．３２ｇ（５．８ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。２０℃に保温、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を２０℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．３２ｇ（５．８ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。２０℃に保温、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を２０℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0147】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０９Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０９Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０５Ｈ） 。
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９４．５質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも５．５質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０９Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０９Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０５Ｈ） 。
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９４．５質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも５．５質量％含まれていることが確認された。
【0148】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0149】
【化20】
【0150】
次に、上述の溶液Ｂと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．２８ｇを得た。収率は８９．２質量％であった。
【0151】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３３．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９６．５質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３３．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９６．５質量％であった。
【0152】
以上のことから、実施例８の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩が得られることが示された。
【0153】
【化21】
【0154】
〔実施例９〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．１２ｇ（４．９３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。０℃に冷却、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を０℃で２４時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．１２ｇ（４．９３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。０℃に冷却、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を０℃で２４時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。
この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｂを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0155】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０３Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０３Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０１Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０１Ｈ） 。
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９８．５質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１．５質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．０３Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．０４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．０３Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０１Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０１Ｈ） 。
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９８．５質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１．５質量％含まれていることが確認された。
【0156】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0157】
【化22】
【0158】
次に、上述の溶液Ｂと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、濃茶色の粉体８．７９ｇを得た。収率は９４．７質量％であった。
【0159】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３４．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．４質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、６．８１ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８７ｐｐｍ（１Ｈ）、８．４８ｐｐｍ（１Ｈ）、１０．６０ｐｐｍ（２Ｈ）
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：３４．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は９９．４質量％であった。
【0160】
以上のことから、実施例９の製造方法は、下記反応スキームのとおりの５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩が得られることが示された。
【0161】
【化23】
【0162】
〔比較例１〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．０１５ｇ（０．０６６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。６０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を６０℃で３０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．０１５ｇ（０．０６６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。６０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を６０℃で３０時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0163】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．６０Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．４０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．６０Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．６０Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．４０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．２０Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．２０Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが７９．９質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも２０．１質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．６０Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．４０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．６０Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．６０Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．４０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．２０Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．２０Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが７９．９質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも２０．１質量％含まれていることが確認された。
【0164】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0165】
【化24】
【0166】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体４．８０ｇを得た。収率は５１．７質量％であった。
【0167】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
【0168】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２３．３質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は６７．７質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は６７．７質量％であった。
【0169】
以上のことから、比較例１の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0170】
【化25】
【0171】
〔比較例２〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．７６ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４０℃で８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．７６ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。４０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を４０℃で８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0172】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．４５Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．３０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．４５Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．４５Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．３０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．１５Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８３．２質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１６．８質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．４５Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．３０Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．４５Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．４５Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．３０Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．１５Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．１５Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８３．２質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１６．８質量％含まれていることが確認された。
【0173】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0174】
【化26】
【0175】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体６．８０ｇを得た。収率は７３．３質量％であった。
【0176】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
【0177】
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２３．７質量％ であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は６８．９質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は６８．９質量％であった。
【0178】
以上のことから、比較例２の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0179】
【化27】
【0180】
〔比較例３〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．５０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。室温（２５℃）で攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。攪拌を６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．５０ｇ（６．６ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。室温（２５℃）で攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。攪拌を６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0181】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０８Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９０．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも９．２質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０８Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９０．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも９．２質量％含まれていることが確認された。
【0182】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0183】
【化28】
【0184】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体７．４３ｇを得た。収率は８０．１質量％であった。
【0185】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、ベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２７．０質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７８．５質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、ベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２７．０質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７８．５質量％であった。
【0186】
以上のことから、比較例３の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0187】
【化29】
【0188】
〔比較例４〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．５０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。５０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を５０℃で１２時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）０．５０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。５０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を５０℃で１２時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0189】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．２７Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１８Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．２７Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．２７Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１８Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０９Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０９Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８９．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１０．２質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．２７Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１８Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．２７Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．２７Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１８Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０９Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０９Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８９．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１０．２質量％含まれていることが確認された。
【0190】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0191】
【化30】
【0192】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体７．３６ｇを得た。収率は７９．３質量％であった。
【0193】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、ベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２７．１質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７８．８質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、ベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２７．１質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７８．８質量％であった。
【0194】
以上のことから、比較例４の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0195】
【化31】
【0196】
〔比較例５〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．１２ｇ（４．９３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。３０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を３０℃で８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．１２ｇ（４．９３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。３０℃に加熱、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を３０℃で８時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0197】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０８Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９０．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも９．２質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．２４Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．１６Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．０８Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．０８Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが９０．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも９．２質量％含まれていることが確認された。
【0198】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0199】
【化32】
【0200】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体７．６６ｇを得た。収率は８２．５質量％であった。
【0201】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、ベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２７．６質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は８０．２質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、ベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２７．６質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は８０．２質量％であった。
【0202】
以上のことから、比較例５の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0203】
【化33】
【0204】
〔比較例６〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．７１ｇ（７．５３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。２２℃に保温、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を２２℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）１．７１ｇ（７．５３ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。２２℃に保温、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を２２℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0205】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．４２Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．２８Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．４２Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．４２Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．２８Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．１４Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８４．９質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１５．１質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．４２Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．２８Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．４２Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．４２Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．２８Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．１４Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．１４Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８４．９質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１５．１質量％含まれていることが確認された。
【0206】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0207】
【化34】
【0208】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体７．２９ｇを得た。収率は７８．６質量％であった。
【0209】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２５．６質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７４．４質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２５．６質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７４．４質量％であった。
【0210】
以上のことから、比較例６の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0211】
【化35】
【0212】
〔比較例７〕
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）２．００ｇ（８．８ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。１０℃に冷却、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を１０℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
撹拌装置、温度計、ガス導入ライン、排気ライン、及び、コンデンサを備えた３００ｍＬのフラスコを準備した。上記３００ｍＬのフラスコを乾燥窒素ガスでパージした後、ここに、触媒としての酸化白金（ＩＶ）２．００ｇ（８．８ｍｍｏｌ）と、インドール誘導体としての５，６－ジメトキシインドール７．０９ｇ（０．０４ｍｏｌ）と、カルボン酸としての酢酸１５０ｇとを入れ、攪拌混合した。１０℃に冷却、攪拌しながら、ガス導入ラインに水素を導入し、排気ラインを閉じて、フラスコ内部を水素微加圧状態とすることで反応を開始した。反応を１０℃で６時間継続し、水素の吸収が飽和に達したところで、フラスコ内部を窒素ガスでパージし反応を停止した。この反応液を濾過して触媒灰分を除いた液に、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）７．５７ｇ（０．０４４ｍｏｌ）を加えて、水素添加反応の生成物を含む溶液Ｃを得た。この溶液を１ｍｌ程度採取し、２ｋＰａ以下、８０℃の条件で減圧乾燥させ、少量の薄茶色結晶を得た。
【0213】
得られた結晶を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．３３Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．２２Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．３３Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．３３Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．２２Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．１１Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８７．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１２．２質量％含まれていることが確認された。
１Ｈ－ＮＭＲ：２．８１ｐｐｍ（２Ｈ）、３．３５ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６２ｐｐｍ（３Ｈ）、３．６６ｐｐｍ（３Ｈ）、５．０５ｐｐｍ（１Ｈ）、６．２４ｐｐｍ（１Ｈ）、６．７３ｐｐｍ（１Ｈ）、２．１０ｐｐｍ（０．３３Ｈ）、３．０７ｐｐｍ（０．２２Ｈ）、３．４３ｐｐｍ（０．３３Ｈ）、３．７７ｐｐｍ（０．３３Ｈ）、４．０４ｐｐｍ（０．２２Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（０．１１Ｈ）、７．８０ｐｐｍ（０．１１Ｈ）
上記１Ｈ－ＮＭＲのスペクトルパターンより、水素添加反応の生成物は、主に５，６－ジメトキシインドリンが８７．８質量％含まれるが、Ｎ－アセチル－５，６－ジメトキシインドリンも１２．２質量％含まれていることが確認された。
【0214】
以上のことから、本水素添加反応は、下記反応スキームのとおりにインドリン誘導体を生成していることが示された。
【0215】
【化36】
【0216】
次に、上述の溶液Ｃと、臭化水素酸（４７質量％ＨＢｒ）６１．２３ｇ（０．３５６ｍｏｌ）とを濃縮器に入れ、５ｋＰａ以下、６０℃の条件で酢酸を留去させた。酢酸の留出が止まったところで、常圧に戻し、加熱温度を１５０℃に上げ、この条件で３時間処理して濃縮させながら反応を行った。その後、１５０℃に加熱したまま５ｋＰａ以下に減圧して更に１時間処理して操作を終了した。濃縮器内に得られた固体にアセトニトリル１００ｇを加えてスラリーとし、これを濾過して取り出した固体を、８０℃の乾燥窒素通気で乾燥させることにより、黒色の粉体７．１２ｇを得た。収率は７６．７質量％であった。
【0217】
得られた粉体を重ジメチルスルホキシド溶媒に溶解し、１Ｈ－ＮＭＲ分析を行った。得られたスペクトルのケミカルシフト〔ｐｐｍ〕、及び積分値（比）は、それぞれ以下の通りであった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２４．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７０．３質量％であった。
１Ｈ－ＮＭＲ：３．０４ｐｐｍ（２Ｈ）、３．６７ｐｐｍ（２Ｈ）、５．７６（０．８Ｈ）、６．８０ｐｐｍ（１Ｈ）、６．８６ｐｐｍ（１Ｈ）、９．２０ｐｐｍ（１．５Ｈ）、１０．５４ｐｐｍ（２Ｈ）その他、多数のベースラインノイズあり。
また、得られた粉体を、燃焼分解イオンクロマトグラフィー法によりＢｒ分を分析した。結果は、Ｂｒ：２４．２質量％であった。
５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の理論Ｂｒ分は３４．４質量％であるため、本合成で得られた５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の純度は７０．３質量％であった。
【0218】
以上のことから、比較例７の製造方法は、下記反応スキームのとおり５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩を生成しているが、純度が低かった。
【0219】
【化37】
【0220】
各実施例及び比較例について、工程（Ｉ）における触媒の添加量ｘｍｏｌ％、反応温度ｙ℃、反応時間、及びインドリン誘導体中の窒素原子がアシル化されていない主生成物の含有量を表１に示す。
各実施例及び比較例について、工程（ＩＩ）における５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の収率及び純度を表１に示す。
触媒の添加量ｘは小数点１桁で、－２．５ｘ＋５９．００は小数点２桁で、それぞれ計算した。
各実施例及び比較例について、工程（ＩＩ）における５，６－ジヒドロキシインドリン臭化水素酸塩の収率及び純度を表１に示す。
触媒の添加量ｘは小数点１桁で、－２．５ｘ＋５９．００は小数点２桁で、それぞれ計算した。
【0221】
【表1】
【0222】
表１に示す通り、カルボン酸の存在下で、水素添加反応によりインドール誘導体をインドリン誘導体に変換し、インドリン誘導体を含む溶液を得る工程（Ｉ）と、インドリン誘導体を含む溶液に臭化水素を添加する工程（ＩＩ）と、を含み、工程（Ｉ）における前記水素添加反応は、触媒を用い、触媒の添加量ｘｍｏｌ％及び反応温度ｙ℃が、式（１）及び式（２）の条件を満たす酸化染料の製造方法を用いた実施例は、精製等の特別な操作を行うことなく、簡便な操作を用いて、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができた。
また、実施例は収率にも優れていた。
一方、ｙ＞－２．５ｘ＋５９．００であるために式（１）を満たさない比較例１～比較例７は、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができなかった。また、比較例は収率も低かった。
また、実施例は収率にも優れていた。
一方、ｙ＞－２．５ｘ＋５９．００であるために式（１）を満たさない比較例１～比較例７は、高純度で５，６－ジヒドロキシインドリンの酸塩を得ることができなかった。また、比較例は収率も低かった。
【0223】
表２及び表３に、各実施例における最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２を示す。
最終収率［％］は、収率［％］×純度［％］／１００で算出される値である。
生成速度指数１［％／ｈｒ］は、最終収率［％］／反応時間［ｈｒ］で算出される値である。
生成速度指数２［％／ｈｒ／ｍｏｌ％］は、生成速度指数１［％／ｈｒ］／触媒の添加量ｘ［ｍｏｌ％］で算出される値である。
最終収率［％］は、収率［％］×純度［％］／１００で算出される値である。
生成速度指数１［％／ｈｒ］は、最終収率［％］／反応時間［ｈｒ］で算出される値である。
生成速度指数２［％／ｈｒ／ｍｏｌ％］は、生成速度指数１［％／ｈｒ］／触媒の添加量ｘ［ｍｏｌ％］で算出される値である。
【0224】
【表2】
【0225】
表２に示す通り、より反応温度が低い実施例３は、より反応温度が高い比較例４と比較して、最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２に優れている。
また、より反応温度が低い実施例４は、より反応温度が高い比較例５と比較して、最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２に優れている。
一般に、反応温度を上げた場合に反応速度が上がる傾向にある。しかし、上記の通り、本開示の酸化染料の製造方法を用いることで、反応温度を下げた場合でも優れた最終収率及び反応速度が得られることがわかった。
また、より反応温度が低い実施例４は、より反応温度が高い比較例５と比較して、最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２に優れている。
一般に、反応温度を上げた場合に反応速度が上がる傾向にある。しかし、上記の通り、本開示の酸化染料の製造方法を用いることで、反応温度を下げた場合でも優れた最終収率及び反応速度が得られることがわかった。
【0226】
【表3】
【0227】
表３に示す通り、より触媒の添加量ｘが少ない実施例３は、より触媒の添加量ｘが多い比較例２と比較して、最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２に優れている。
また、より触媒の添加量ｘが少ない実施例５は、より触媒の添加量ｘが多い比較例７と比較して、最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２に優れている。
一般に、触媒の添加量ｘを多くした場合に反応速度が上がる傾向にある。しかし、上記の通り、本開示の酸化染料の製造方法を用いることで、触媒の添加量ｘを少なくした場合でも優れた最終収率及び反応速度が得られることがわかった。
また、より触媒の添加量ｘが少ない実施例５は、より触媒の添加量ｘが多い比較例７と比較して、最終収率、生成速度指数１及び生成速度指数２に優れている。
一般に、触媒の添加量ｘを多くした場合に反応速度が上がる傾向にある。しかし、上記の通り、本開示の酸化染料の製造方法を用いることで、触媒の添加量ｘを少なくした場合でも優れた最終収率及び反応速度が得られることがわかった。