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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022182250
(43)【公開日】2022-12-08
(54)【発明の名称】配線基板、電子装置および配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20221201BHJP
H01L 23/14 20060101ALI20221201BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20221201BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20221201BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20221201BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 Z
H01L23/14 S
H05K1/02 C
H05K1/11 H
H05K3/40 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021089713
(22)【出願日】2021-05-28
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】仲谷 吾郎
【テーマコード（参考）】
5E317
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E317AA25
5E317BB01
5E317BB11
5E317CC60
5E317GG16
5E338AA02
5E338AA18
5E338BB14
5E338BB17
5E338BB19
5E338EE32
(57)【要約】
【課題】 製造効率を高めることが可能な配線基板、電子装置および配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 主面１ａおよび裏面１ｂを有し且つ半導体材料を含む基材１と、配線部３と、絶縁層２と、を備え、基材１は、ｚ方向に貫通する第１貫通孔１１を有し、第１貫通孔１１は、主面１ａに繋がる主面側第１部１１ａと、裏面１ｂに繋がる裏面側第１部１１ｂと、を含み、主面側第１部１１ａは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、主面１ａから裏面１ｂに向かうほど小さく、裏面側第１部１１ｂは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、裏面１ｂから主面１ａに向かうほど小さく、配線部３は、主面１ａに配置された主面第１部３１ａ、裏面１ｂに配置された裏面第１部３１ｂ、および第１貫通孔１１に配置され且つ主面第１部３１ａおよび裏面第１部３１ｂに繋がる第１貫通孔導通部３３を含む。
【選択図】 図３
【解決手段】 主面１ａおよび裏面１ｂを有し且つ半導体材料を含む基材１と、配線部３と、絶縁層２と、を備え、基材１は、ｚ方向に貫通する第１貫通孔１１を有し、第１貫通孔１１は、主面１ａに繋がる主面側第１部１１ａと、裏面１ｂに繋がる裏面側第１部１１ｂと、を含み、主面側第１部１１ａは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、主面１ａから裏面１ｂに向かうほど小さく、裏面側第１部１１ｂは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、裏面１ｂから主面１ａに向かうほど小さく、配線部３は、主面１ａに配置された主面第１部３１ａ、裏面１ｂに配置された裏面第１部３１ｂ、および第１貫通孔１１に配置され且つ主面第１部３１ａおよび裏面第１部３１ｂに繋がる第１貫通孔導通部３３を含む。
【選択図】 図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し且つ半導体材料を含む基材と、
配線部と、
前記基材および前記配線部の間に介在する絶縁層と、を備え、
前記基材は、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を有し、
前記第１貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第１部と、前記裏面に繋がる裏面側第１部と、を含み、
前記主面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置された主面第１部、前記裏面に配置された裏面第１部、および前記第１貫通孔に配置され且つ前記主面第１部および前記裏面第１部に繋がる第１貫通孔導通部を含む、配線基板。
配線部と、
前記基材および前記配線部の間に介在する絶縁層と、を備え、
前記基材は、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を有し、
前記第１貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第１部と、前記裏面に繋がる裏面側第１部と、を含み、
前記主面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置された主面第１部、前記裏面に配置された裏面第１部、および前記第１貫通孔に配置され且つ前記主面第１部および前記裏面第１部に繋がる第１貫通孔導通部を含む、配線基板。
【請求項2】
前記絶縁層は、前記主面を覆う主面被覆部、前記裏面を覆う裏面被覆部、および前記第１貫通孔を覆う第１貫通孔被覆部、を含む、
請求項１に記載の配線基板。
請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記第１貫通孔被覆部は、前記主面側第１部を覆う第１貫通孔主面側被覆部と、前記裏面側第１部を覆う第１貫通孔裏面側被覆部と、を含む、
請求項２に記載の配線基板。
請求項２に記載の配線基板。
【請求項4】
前記第１貫通孔主面側被覆部と前記第１貫通孔裏面側被覆部とは、互いに別体の絶縁性部材からなる、
請求項３に記載の配線基板。
請求項３に記載の配線基板。
【請求項5】
前記第１貫通孔主面側被覆部と前記第１貫通孔裏面側被覆部とは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている、
請求項３に記載の配線基板。
請求項３に記載の配線基板。
【請求項6】
前記第１貫通孔導通部は、前記第１貫通孔主面側被覆部に配置された第１貫通孔主面側導通部と、前記第１貫通孔裏面側被覆部に配置された第１貫通孔裏面側導通部と、を含む、
請求項３ないし５のいずれかに記載の配線基板。
請求項３ないし５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項7】
前記基材は、前記厚さ方向に貫通し、且つ前記第１貫通孔から離れた第２貫通孔を有し、
前記第２貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第２部と、前記裏面に繋がる裏面側第２部と、を含み、
前記主面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置され且つ前記主面第１部から離れた主面第２部、前記裏面に配置され且つ前記裏面第１部から離れた裏面第２部、および前記第２貫通孔に配置され且つ前記主面第２部および前記裏面第２部に繋がる第２貫通孔導通部を含む、
請求項２ないし６のいずれかに記載の配線基板。
前記第２貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第２部と、前記裏面に繋がる裏面側第２部と、を含み、
前記主面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置され且つ前記主面第１部から離れた主面第２部、前記裏面に配置され且つ前記裏面第１部から離れた裏面第２部、および前記第２貫通孔に配置され且つ前記主面第２部および前記裏面第２部に繋がる第２貫通孔導通部を含む、
請求項２ないし６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項8】
前記絶縁層は、前記第２貫通孔を覆う第２貫通孔被覆部、を含む、
請求項７に記載の配線基板。
請求項７に記載の配線基板。
【請求項9】
前記第２貫通孔被覆部は、前記主面側第２部を覆う第２貫通孔主面側被覆部と、前記裏面側第２部を覆う第２貫通孔裏面側被覆部と、を含む、
請求項８に記載の配線基板。
請求項８に記載の配線基板。
【請求項10】
前記第２貫通孔主面側被覆部と前記第２貫通孔裏面側被覆部とは、互いに別体の絶縁性部材からなる、
請求項９に記載の配線基板。
請求項９に記載の配線基板。
【請求項11】
前記第２貫通孔主面側被覆部と前記第２貫通孔裏面側被覆部とは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている、
請求項９に記載の配線基板。
請求項９に記載の配線基板。
【請求項12】
前記第２貫通孔導通部は、前記第２貫通孔主面側被覆部に配置された第２貫通孔主面側導通部と、前記第２貫通孔裏面側被覆部に配置された第２貫通孔裏面側導通部と、を含む、
請求項９ないし１１のいずれかに記載の配線基板。
請求項９ないし１１のいずれかに記載の配線基板。
【請求項13】
前記半導体材料は、Ｓｉ単結晶である、
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の配線基板。
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項14】
前記主面および前記裏面は、（１００）面である、
請求項１３に記載の配線基板。
請求項１３に記載の配線基板。
【請求項15】
請求項１ないし１４のいずれかに記載された配線基板と、
前記主面第１部に実装された電子部品と、を備える、電子装置。
前記主面第１部に実装された電子部品と、を備える、電子装置。
【請求項16】
前記主面に支持された封止部材を備える、請求項１５に記載の電子装置。
【請求項17】
前記電子部品は、ＶＣＳＥＬ素子である、請求項１５または１６に記載の電子装置。
【請求項18】
厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ主面から凹む主面側第１凹部を形成する工程と、
前記主面側第１凹部を覆う主面側絶縁膜を形成する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ裏面から凹み且つ前記主面側第１凹部に到達する裏面側第１凹部を形成ことにより、前記ウエハ主面に繋がる主面側第１部および前記ウエハ裏面に繋がる裏面側第１部を含む第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側第１部を覆い且つ前記主面側絶縁膜に接する裏面側絶縁膜を形成する工程と、
前記主面側絶縁膜を覆う第１導電膜を形成する工程と、
前記第１貫通孔内において、前記主面側絶縁膜および前記裏面側絶縁膜を前記厚さ方向に貫通する絶縁膜第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側絶縁膜を覆い且つ前記絶縁膜第１貫通孔を通じて前記第１導電膜に接する第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
異方性エッチングによって前記ウエハ主面から凹む主面側第１凹部を形成する工程と、
前記主面側第１凹部を覆う主面側絶縁膜を形成する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ裏面から凹み且つ前記主面側第１凹部に到達する裏面側第１凹部を形成ことにより、前記ウエハ主面に繋がる主面側第１部および前記ウエハ裏面に繋がる裏面側第１部を含む第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側第１部を覆い且つ前記主面側絶縁膜に接する裏面側絶縁膜を形成する工程と、
前記主面側絶縁膜を覆う第１導電膜を形成する工程と、
前記第１貫通孔内において、前記主面側絶縁膜および前記裏面側絶縁膜を前記厚さ方向に貫通する絶縁膜第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側絶縁膜を覆い且つ前記絶縁膜第１貫通孔を通じて前記第１導電膜に接する第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
【請求項19】
前記第１導電膜および前記第２導電膜を、スパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成する、請求項１８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項20】
厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
前記ウエハ主面および前記ウエハ裏面の双方から異方性エッチングを施すことにより、前記半導体ウエハを前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を覆う貫通孔絶縁膜を形成する工程と、
前記ウエハ主面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第１導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第１導電性ペーストを焼成することにより、第１導電膜を形成する工程と、
前記ウエハ裏面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第２導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第２導電性ペーストを焼成することにより、第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
前記ウエハ主面および前記ウエハ裏面の双方から異方性エッチングを施すことにより、前記半導体ウエハを前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を覆う貫通孔絶縁膜を形成する工程と、
前記ウエハ主面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第１導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第１導電性ペーストを焼成することにより、第１導電膜を形成する工程と、
前記ウエハ裏面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第２導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第２導電性ペーストを焼成することにより、第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
【請求項21】
前記主面側絶縁膜を形成する工程においては、熱酸化処理を用いる、請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板、電子装置および配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、従来の配線基板の一例が開示されている。同文献に開示された配線基板は、ＡｌＮ基板と、ＡｌＮ基板の両面に形成された２つのレーザ光吸収金属層と、Ａｌ露出層とを備える。ＡｌＮ基板には、スルーホールが形成されている。Ａｌ露出層は、スルーホールを覆っており、２つのレーザ光吸収金属層に繋がっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－７４４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
スルーホールの形成は、レーザ光の照射によって行われる。レーザ光によるスルーホールの形成は、スルーホールの形状や個数によって、製造効率を低下させるおそれがある。
【0005】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造効率を高めることが可能な配線基板、電子装置および配線基板の製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の第１の側面によって提供される配線基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し且つ半導体材料を含む基材と、配線部と、前記基材および前記配線部の間に介在する絶縁層と、を備え、前記基材は、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を有し、前記第１貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第１部と、前記裏面に繋がる裏面側第１部と、を含み、前記主面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、前記裏面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、前記配線部は、前記主面に配置された主面第１部、前記裏面に配置された裏面第１部、および前記第１貫通孔に配置され且つ前記主面第１部および前記裏面第１部に繋がる第１貫通孔導通部を含む。
【0007】
本発明の第２の側面によって提供される電子装置は、本発明の第１の側面によって提供される配線基板と、前記主面第１部に実装された電子部品と、を備える。
【0008】
本発明の第３の側面によって提供される配線基板の製造方法は、厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、異方性エッチングによって前記ウエハ主面から凹む主面側第１凹部を形成する工程と、前記主面側第１凹部を覆う主面側絶縁膜を形成する工程と、異方性エッチングによって前記ウエハ裏面から凹み且つ前記主面側第１凹部に到達する裏面側第１凹部を形成ことにより、前記ウエハ主面に繋がる主面側第１部および前記ウエハ裏面に繋がる裏面側第１部を含む第１貫通孔を形成する工程と、前記裏面側第１部を覆い且つ前記主面側絶縁膜に接する裏面側絶縁膜を形成する工程と、前記主面側絶縁膜を覆う第１導電膜を形成する工程と、前記第１貫通孔内において、前記主面側絶縁膜および前記裏面側絶縁膜を前記厚さ方向に貫通する絶縁膜第１貫通孔を形成する工程と、前記裏面側絶縁膜を覆い且つ前記絶縁膜第１貫通孔を通じて前記第１導電膜に接する第２導電膜を形成する工程と、を備える。
【0009】
本発明の第４の側面によって提供される配線基板の製造方法は、厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、前記ウエハ主面および前記ウエハ裏面の双方から異方性エッチングを施すことにより、前記半導体ウエハを前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、前記第１貫通孔を覆う貫通孔絶縁膜を形成する工程と、前記ウエハ主面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第１導電性ペーストを印刷する工程と、前記第１導電性ペーストを焼成することにより、第１導電膜を形成する工程と、前記ウエハ裏面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第２導電性ペーストを印刷する工程と、前記第２導電性ペーストを焼成することにより、第２導電膜を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【0010】
本開示によれば、製造効率を高めることができる。
【0011】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【0014】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0015】
本開示において、「ＡがＢに配置された」とは、ＡがＢに直接接する場合と、Ａが他の部材を介してＢに重なる位置に設けられた場合と、を含む。
【0016】
＜第１実施形態＞
図１～図１７は、本開示の第１実施形態に係る配線基板、電子装置および配線基板の製造方法を示している。図１および図３に示すように、本実施形態の電子装置Ｂ１は、配線基板Ａ１、電子部品５、ワイヤ５９および封止部材７を備えている。図２および図３に示すように、本実施形態の配線基板Ａ１は、基材１、絶縁層２および配線部３を備える。
図１～図１７は、本開示の第１実施形態に係る配線基板、電子装置および配線基板の製造方法を示している。図１および図３に示すように、本実施形態の電子装置Ｂ１は、配線基板Ａ１、電子部品５、ワイヤ５９および封止部材７を備えている。図２および図３に示すように、本実施形態の配線基板Ａ１は、基材１、絶縁層２および配線部３を備える。
【0017】
図１は、電子装置Ｂ１を示す斜視図である。図２は、配線基板Ａ１を示す斜視図である。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、配線基板Ａ１の製造方法を示すフロー図である。図５～図１７は、配線基板Ａ１の製造方法を示す要部断面図である。これらの図において、ｚ方向は、本開示の厚さ方向に相当する。図１においては、封止部材７を想像線で示している。
【0018】
〔基材１〕
基材１は、半導体材料を含む。基材１に含まれる半導体材料は何ら限定されず、本実施形態においては、たとえばＳｉ単結晶である。基材１の大きさおよび形状は、何ら限定されない。本実施形態においては、基材１は、ｚ方向に視て矩形状である。
基材１は、半導体材料を含む。基材１に含まれる半導体材料は何ら限定されず、本実施形態においては、たとえばＳｉ単結晶である。基材１の大きさおよび形状は、何ら限定されない。本実施形態においては、基材１は、ｚ方向に視て矩形状である。
【0019】
基材１は、主面１ａ、裏面１ｂ、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を有する。
【0020】
主面１ａは、ｚ方向の一方を向く。主面１ａは、平坦である。主面１ａは、ｚ方向に直交する。本実施形態においては、主面１ａは、（１００）面である。
【0021】
裏面１ｂは、ｚ方向の他方を向く。裏面１ｂは、平坦である。裏面１ｂは、ｚ方向に直交する。本実施形態においては、裏面１ｂは、（１００）面である。
【0022】
第１貫通孔１１は、基材１をｚ方向に貫通している。第１貫通孔１１は、主面１ａおよび裏面１ｂに到達している。第１貫通孔１１の位置および個数は何ら限定されない。図１および図２に示す例においては、複数の第１貫通孔１１が設けられている。複数の第１貫通孔１１は、ｙ方向に沿って配列されているが、複数の第１貫通孔１１の配置は、何ら限定されない。
【0023】
第１貫通孔１１は、主面側第１部１１ａおよび裏面側第１部１１ｂを有する。
【0024】
主面側第１部１１ａは、主面１ａに繋がる部分である。主面側第１部１１ａは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、主面１ａから裏面１ｂに向かうほど小さい。本実施形態においては、主面側第１部１１ａのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。図３に示すように、図示された例においては、主面側第１部１１ａの内面とｘｙ平面とがなす角度α１ａは、たとえば５４．７°である。
【0025】
裏面側第１部１１ｂは、裏面１ｂに繋がる部分である。また、本実施形態においては、裏面側第１部１１ｂは、主面側第１部１１ａに繋がっている。裏面側第１部１１ｂは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、裏面１ｂから主面１ａに向かうほど小さい。本実施形態においては、裏面側第１部１１ｂのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。図３に示すように、図示された例においては、裏面側第１部１１ｂの内面とｘｙ平面とがなす角度α１ｂは、たとえば５４．７°である。
【0026】
第２貫通孔１２は、基材１をｚ方向に貫通している。第２貫通孔１２は、主面１ａおよび裏面１ｂに到達している。第２貫通孔１２の位置および個数は何ら限定されない。図１および図２に示す例においては、複数の第２貫通孔１２が設けられている。複数の第２貫通孔１２は、ｙ方向に沿って配列されているが、複数の第２貫通孔１２の配置は、何ら限定されない。本実施形態においては、複数の第２貫通孔１２は、複数の第１貫通孔１１に対してｘ方向に離れた位置に設けられている。
【0027】
第２貫通孔１２は、主面側第２部１２ａおよび裏面側第２部１２ｂを有する。
【0028】
主面側第２部１２ａは、主面１ａに繋がる部分である。主面側第２部１２ａは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、主面１ａから裏面１ｂに向かうほど小さい。本実施形態においては、主面側第２部１２ａのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。図３に示すように、図示された例においては、主面側第２部１２ａの内面とｘｙ平面とがなす角度α２ａは、たとえば５４．７°である。
【0029】
裏面側第２部１２ｂは、裏面１ｂに繋がる部分である。また、本実施形態においては、裏面側第２部１２ｂは、主面側第２部１２ａに繋がっている。裏面側第２部１２ｂは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、裏面１ｂから主面１ａに向かうほど小さい。本実施形態においては、裏面側第２部１２ｂのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。図３に示すように、図示された例においては、裏面側第２部１２ｂの内面とｘｙ平面とがなす角度α２ｂは、たとえば５４．７°である。
【0030】
〔絶縁層２〕
絶縁層２は、絶縁性の材料を含み、基材１と配線部３との間に介在している。絶縁層２に含まれる材質は何ら限定されず、たとえば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等が挙げられる。
絶縁層２は、絶縁性の材料を含み、基材１と配線部３との間に介在している。絶縁層２に含まれる材質は何ら限定されず、たとえば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等が挙げられる。
【0031】
本実施形態の絶縁層２は、主面被覆部２ａ、裏面被覆部２ｂ、第１貫通孔被覆部２１および第２貫通孔被覆部２２を有する。
【0032】
主面被覆部２ａは、基材１の主面１ａを覆っている。主面被覆部２ａは、主面１ａの全面を覆っていることが好ましいが、必ずしも主面１ａの全面を覆う構成に限定されない。基材１と配線部３とを絶縁可能である範囲において、主面１ａが主面被覆部２ａから露出した構成であってもよい。主面被覆部２ａの具体的構成は何ら限定されず、単層からなる構成であってもよいし、複数層からなる構成であってもよい。本実施形態においては、主面被覆部２ａは、第１絶縁膜２１０および第３絶縁膜２３０が積層された構成である。第１絶縁膜２１０は、主面１ａに直接接しており、たとえばＳｉＮからなる。第１絶縁膜２１０の厚さを例示すると、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。第３絶縁膜２３０は、第１絶縁膜２１０上に積層されており、たとえばＳｉＯ2からなる。第３絶縁膜２３０の厚さを例示すると、たとえば０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【0033】
裏面被覆部２ｂは、基材１の裏面１ｂを覆っている。裏面被覆部２ｂは、裏面１ｂの全面を覆っていることが好ましいが、必ずしも１ｂの全面を覆う構成に限定されない。基材１と配線部３とを絶縁可能である範囲において、裏面１ｂが裏面被覆部２ｂから露出した構成であってもよい。裏面被覆部２ｂの具体的構成は何ら限定されず、単層からなる構成であってもよいし、複数層からなる構成であってもよい。本実施形態においては、裏面被覆部２ｂは、第２絶縁膜２２０および第４絶縁膜２４０が積層された構成である。第２絶縁膜２２０は、裏面１ｂに直接接しており、たとえばＳｉＮからなる。第２絶縁膜２２０の厚さを例示すると、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。第４絶縁膜２４０は、第２絶縁膜２２０上に積層されており、たとえばＳｉＯ2からなる。第４絶縁膜２４０の厚さを例示すると、たとえば０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【0034】
第１貫通孔被覆部２１は、第１貫通孔１１を覆っている。第１貫通孔被覆部２１は、第１貫通孔１１の全面を覆っていることが好ましいが、必ずしも第１貫通孔１１の全面を覆う構成に限定されない。基材１と配線部３とを絶縁可能である範囲において、第１貫通孔１１が第１貫通孔被覆部２１から露出した構成であってもよい。第１貫通孔被覆部２１の具体的構成は何ら限定されず、単層からなる構成であってもよいし、複数層からなる構成であってもよい。第１貫通孔被覆部２１は、主面被覆部２ａおよび裏面被覆部２ｂに繋がっている。
【0035】
第１貫通孔被覆部２１は、絶縁膜第１貫通孔２１５を有する。絶縁膜第１貫通孔２１５は、ｚ方向に通じる貫通孔である。
【0036】
第１貫通孔被覆部２１は、第１貫通孔主面側被覆部２１ａおよび第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂを有する。
【0037】
第１貫通孔主面側被覆部２１ａは、第１貫通孔１１の主面側第１部１１ａを覆っている。本実施形態においては、第１貫通孔主面側被覆部２１ａは、第１絶縁膜２１０からなる。
【0038】
第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂは、第１貫通孔１１の裏面側第１部１１ｂを覆っている。本実施形態においては、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂは、第２絶縁膜２２０からなる。また、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂは、絶縁膜第１貫通孔２１５において第１貫通孔主面側被覆部２１ａと接している。
【0039】
本実施形態においては、第１貫通孔主面側被覆部２１ａが第１絶縁膜２１０からなり、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂが第１貫通孔主面側被覆部２１ａ（第１絶縁膜２１０）とは別体の第２絶縁膜２２０からなる。
【0040】
第２貫通孔被覆部２２は、第２貫通孔１２を覆っている。第２貫通孔被覆部２２は、第２貫通孔１２の全面を覆っていることが好ましいが、必ずしも第２貫通孔１２の全面を覆う構成に限定されない。基材１と配線部３とを絶縁可能である範囲において、第２貫通孔１２が第２貫通孔被覆部２２から露出した構成であってもよい。第２貫通孔被覆部２２の具体的構成は何ら限定されず、単層からなる構成であってもよいし、複数層からなる構成であってもよい。第２貫通孔被覆部２２は、主面被覆部２ａおよび裏面被覆部２ｂに繋がっている。
【0041】
第２貫通孔被覆部２２は、絶縁膜第２貫通孔２２５を有する。絶縁膜第２貫通孔２２５は、ｚ方向に通じる貫通孔である。
【0042】
第２貫通孔被覆部２２は、第２貫通孔主面側被覆部２２ａおよび第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂを有する。
【0043】
第２貫通孔主面側被覆部２２ａは、第２貫通孔１２の主面側第２部１２ａを覆っている。本実施形態においては、第２貫通孔主面側被覆部２２ａは、第１絶縁膜２１０からなる。
【0044】
第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂは、第２貫通孔１２の裏面側第２部１２ｂを覆っている。本実施形態においては、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂは、第２絶縁膜２２０からなる。また、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂは、絶縁膜第２貫通孔２２５において第２貫通孔主面側被覆部２２ａと接している。
【0045】
本実施形態においては、第２貫通孔主面側被覆部２２ａが第１絶縁膜２１０からなり、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂが第２貫通孔主面側被覆部２２ａ（第１絶縁膜２１０）とは別体の第２絶縁膜２２０からなる。
【0046】
〔配線部３〕
配線部３は、導電性材料を含み、電子装置Ｂ１において電子部品５を含む回路の導通経路を構成する。配線部３に含まれる導電性材料は、何ら限定されず、たとえばＡｌ、ＡＵ，Ａｇ，Ｃｕ等が適宜挙げられる。本実施形態においては、配線部３は、Ａｌを含む。本実施形態の配線部３の厚さを例示すると、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
配線部３は、導電性材料を含み、電子装置Ｂ１において電子部品５を含む回路の導通経路を構成する。配線部３に含まれる導電性材料は、何ら限定されず、たとえばＡｌ、ＡＵ，Ａｇ，Ｃｕ等が適宜挙げられる。本実施形態においては、配線部３は、Ａｌを含む。本実施形態の配線部３の厚さを例示すると、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
【0047】
本実施形態の配線部３は、主面第１部３１ａ、主面第２部３２ａ、裏面第１部３１ｂ、裏面第２部３２ｂ、複数の第１貫通孔導通部３３および複数の第２貫通孔導通部３４を有する。
【0048】
主面第１部３１ａは、主面１ａに配置されている。主面第１部３１ａは、主面被覆部２ａを介して主面１ａに重なる位置に設けられている。主面第１部３１ａは、主面被覆部２ａに直接接している。主面第１部３１ａと主面１ａとは、主面被覆部２ａによって絶縁されている。図２および図３に示すように、主面第１部３１ａは、主面１ａの一部に配置されており、主面被覆部２ａを介して主面１ａの一部に重なる位置に設けられている。主面第１部３１ａは、主面１ａのうち複数の第１貫通孔１１を囲む領域に配置されている。
【0049】
主面第２部３２ａは、主面１ａに配置されている。主面第２部３２ａは、主面被覆部２ａを介して主面１ａに重なる位置に設けられている。主面第２部３２ａは、主面被覆部２ａに直接接している。主面第２部３２ａと主面１ａとは、主面被覆部２ａによって絶縁されている。図２および図３に示すように、主面第２部３２ａは、主面１ａの一部に配置されており、主面被覆部２ａを介して主面１ａの一部に重なる位置に設けられている。主面第２部３２ａは、主面１ａのうち複数の第２貫通孔１２を囲む領域に配置されている。主面第２部３２ａは、主面第１部３１ａからｘ方向に離れている。本実施形態においては、主面第２部３２ａのｘ方向の大きさは、主面第１部３１ａのｘ方向の大きさよりも小さい。また、主面第２部３２ａの面積は、主面第１部３１ａの面積よりも小さい。
【0050】
裏面第１部３１ｂは、裏面１ｂに配置されている。裏面第１部３１ｂは、裏面被覆部２ｂを介して裏面１ｂに重なる位置に設けられている。裏面第１部３１ｂは、裏面被覆部２ｂに直接接している。裏面第１部３１ｂと裏面１ｂとは、裏面被覆部２ｂによって絶縁されている。図３に示すように、裏面第１部３１ｂは、裏面１ｂの一部に配置されており、裏面被覆部２ｂを介して裏面１ｂの一部に重なる位置に設けられている。裏面第１部３１ｂは、裏面１ｂのうち複数の第１貫通孔１１を囲む領域に配置されている。
【0051】
裏面第２部３２ｂは、裏面１ｂに配置されている。裏面第２部３２ｂは、裏面被覆部２ｂを介して裏面１ｂに重なる位置に設けられている。裏面第２部３２ｂは、裏面被覆部２ｂに直接接している。裏面第２部３２ｂと裏面１ｂとは、裏面被覆部２ｂによって絶縁されている。図３に示すように、裏面第２部３２ｂは、裏面１ｂの一部に配置されており、裏面被覆部２ｂを介して裏面１ｂの一部に重なる位置に設けられている。裏面第２部３２ｂは、裏面１ｂのうち複数の第２貫通孔１２を囲む領域に配置されている。裏面第２部３２ｂは、主面第２部３２ａからｘ方向に離れている。本実施形態においては、裏面第２部３２ｂのｘ方向の大きさは、裏面第１部３１ｂのｘ方向の大きさよりも小さい。また、裏面第２部３２ｂの面積は、裏面第１部３１ｂの面積よりも小さい。
【0052】
第１貫通孔導通部３３は、第１貫通孔１１に配置されている。第１貫通孔導通部３３は、第１貫通孔被覆部２１を介して第１貫通孔１１に重なる位置に設けられている。第１貫通孔導通部３３は、第１貫通孔被覆部２１に直接接している。第１貫通孔導通部３３と第１貫通孔１１とは、第１貫通孔被覆部２１によって絶縁されている。第１貫通孔導通部３３は、主面第１部３１ａと裏面第１部３１ｂとに繋がっており、主面第１部３１ａと裏面第１部３１ｂとを導通させている。また、本実施形態においては、第１貫通孔導通部３３は、第１貫通孔１１（絶縁膜第１貫通孔２１５）を塞いでいる。
【0053】
第１貫通孔導通部３３は、第１貫通孔主面側導通部３３ａおよび第１貫通孔裏面側導通部３３ｂを有する。
【0054】
第１貫通孔主面側導通部３３ａは、主面側第１部１１ａに配置されている。第１貫通孔主面側導通部３３ａは、第１貫通孔主面側被覆部２１ａを介して主面側第１部１１ａに重なる位置に設けられている。第１貫通孔主面側導通部３３ａは、第１貫通孔主面側被覆部２１ａに直接接している。第１貫通孔主面側導通部３３ａと主面側第１部１１ａとは、第１貫通孔主面側被覆部２１ａによって絶縁されている。第１貫通孔主面側導通部３３ａは、主面第１部３１ａに繋がっている。また、本実施形態においては、第１貫通孔主面側導通部３３ａは、第１貫通孔１１（絶縁膜第１貫通孔２１５）を塞いでいる。
【0055】
第１貫通孔裏面側導通部３３ｂは、裏面側第１部１１ｂに配置されている。第１貫通孔裏面側導通部３３ｂは、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂを介して裏面側第１部１１ｂに重なる位置に設けられている。第１貫通孔裏面側導通部３３ｂは、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂに直接接している。第１貫通孔裏面側導通部３３ｂと裏面側第１部１１ｂとは、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂによって絶縁されている。第１貫通孔裏面側導通部３３ｂは、裏面第１部３１ｂおよび第１貫通孔主面側導通部３３ａに繋がっている。また、本実施形態においては、第１貫通孔裏面側導通部３３ｂは、第１貫通孔１１（絶縁膜第１貫通孔２１５）を塞いでいる。
【0056】
第２貫通孔導通部３４は、第２貫通孔１２に配置されている。第２貫通孔導通部３４は、第２貫通孔被覆部２２を介して第２貫通孔１２に重なる位置に設けられている。第２貫通孔導通部３４は、第２貫通孔被覆部２２に直接接している。第２貫通孔導通部３４と第２貫通孔１２とは、第２貫通孔被覆部２２によって絶縁されている。第２貫通孔導通部３４は、主面第２部３２ａと裏面第２部３２ｂとに繋がっており、主面第２部３２ａと裏面第２部３２ｂとを導通させている。また、本実施形態においては、第２貫通孔導通部３４は、第２貫通孔１２（絶縁膜第２貫通孔２２５）を塞いでいる。
【0057】
第２貫通孔導通部３４は、第２貫通孔主面側導通部３４ａおよび第２貫通孔裏面側導通部３４ｂを有する。
【0058】
第２貫通孔主面側導通部３４ａは、主面側第２部１２ａに配置されている。第２貫通孔主面側導通部３４ａは、第２貫通孔主面側被覆部２２ａを介して主面側第２部１２ａに重なる位置に設けられている。第２貫通孔主面側導通部３４ａは、第２貫通孔主面側被覆部２２ａに直接接している。第２貫通孔主面側導通部３４ａと主面側第２部１２ａとは、第２貫通孔主面側被覆部２２ａによって絶縁されている。第２貫通孔主面側導通部３４ａは、主面第２部３２ａに繋がっている。また、本実施形態においては、第２貫通孔主面側導通部３４ａは、第２貫通孔１２（絶縁膜第２貫通孔２２５）を塞いでいる。
【0059】
第２貫通孔裏面側導通部３４ｂは、裏面側第２部１２ｂに配置されている。第２貫通孔裏面側導通部３４ｂは、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂを介して裏面側第２部１２ｂに重なる位置に設けられている。第２貫通孔裏面側導通部３４ｂは、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂに直接接している。第２貫通孔裏面側導通部３４ｂと裏面側第２部１２ｂとは、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂによって絶縁されている。第２貫通孔裏面側導通部３４ｂは、裏面第２部３２ｂおよび第２貫通孔主面側導通部３４ａに繋がっている。また、本実施形態においては、第２貫通孔裏面側導通部３４ｂは、第２貫通孔１２（絶縁膜第２貫通孔２２５）を塞いでいる。
【0060】
〔電子部品５〕
電子部品５は、電子装置Ｂ１の電気的機能を発揮する素子である。電子部品５の具体的構成は何ら限定されない。電子部品５は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子およびＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）素子等の発光素子、トランジスタやダイオード、ＩＣ（Integrated Circuit)）などの半導体素子、抵抗器やキャパシタ、インダクタなどの受動素子であってもよい。上述の配線基板Ａ１に実装される電子部品５としては、たとえばアノード電極およびカソード電極（いずれも図示略）を有する構成が挙げられる。本実施形態においては、電子部品５は、ＶＣＳＥＬ素子である。このような電子部品５は、所定の波長帯の光を発し、電子装置Ｂ１の光源になる。
電子部品５は、電子装置Ｂ１の電気的機能を発揮する素子である。電子部品５の具体的構成は何ら限定されない。電子部品５は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子およびＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）素子等の発光素子、トランジスタやダイオード、ＩＣ（Integrated Circuit)）などの半導体素子、抵抗器やキャパシタ、インダクタなどの受動素子であってもよい。上述の配線基板Ａ１に実装される電子部品５としては、たとえばアノード電極およびカソード電極（いずれも図示略）を有する構成が挙げられる。本実施形態においては、電子部品５は、ＶＣＳＥＬ素子である。このような電子部品５は、所定の波長帯の光を発し、電子装置Ｂ１の光源になる。
【0061】
電子部品５は、配線部３の主面第１部３１ａに搭載されている。電子部品５の下面に電極（図示略）が設けられている場合、電子部品５と主面第１部３１ａとは、はんだまたはＡｇペースト等の導電性接合材（図示略）によって導通接合される。
【0062】
〔ワイヤ５９〕
複数のワイヤ５９はそれぞれ、電子部品５と、配線基板Ａ１の主面第２部３２ａとに接合されている。これにより、電子部品５の電極（図示略）と主面第２部３２ａとが、各ワイヤ５９を介して導通する。ワイヤ５９の材料、太さ、および本数などは、特に限定されない。ワイヤ５９の材料としては、たとえばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ等があげられる。なお、電子部品５は、ワイヤ５９を用いた実装形態に限定されず、たとえばフリップチップ実装等の導電性接合材を用いた実装形態であってもよい。
複数のワイヤ５９はそれぞれ、電子部品５と、配線基板Ａ１の主面第２部３２ａとに接合されている。これにより、電子部品５の電極（図示略）と主面第２部３２ａとが、各ワイヤ５９を介して導通する。ワイヤ５９の材料、太さ、および本数などは、特に限定されない。ワイヤ５９の材料としては、たとえばＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ等があげられる。なお、電子部品５は、ワイヤ５９を用いた実装形態に限定されず、たとえばフリップチップ実装等の導電性接合材を用いた実装形態であってもよい。
【0063】
〔封止部材７〕
封止部材７は、配線基板Ａ１上に形成され、主面１ａに支持されている。封止部材７は、電子部品５および複数のワイヤ５９を保護する封止材である。封止部材７の具体的構成は何ら限定されない。図示された例においては、封止部材７は、外壁部７１およびカバー部７２を有する。
封止部材７は、配線基板Ａ１上に形成され、主面１ａに支持されている。封止部材７は、電子部品５および複数のワイヤ５９を保護する封止材である。封止部材７の具体的構成は何ら限定されない。図示された例においては、封止部材７は、外壁部７１およびカバー部７２を有する。
【0064】
外壁部７１は、平面視において、電子部品５の周囲を囲む枠状である。外壁部７１は、絶縁性樹脂を含む。この絶縁性樹脂としては、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂が採用される。
【0065】
カバー部７２は、ｚ方向において外壁部７１に対して配線基板Ａ１とは反対側に設けられている。カバー部７２は、枠状の外壁部７１を塞いでいる。カバー部７２は、電子部品５からの光を透過する材質からなり、たとえばガラスおよびアクリル樹脂等からなる。
【0066】
【0067】
図４に示すように、配線基板Ａ１の製造方法は、半導体ウエハを準備する工程、主面側第１凹部を形成する工程、主面側絶縁膜を形成する工程、第１貫通孔を形成する工程、裏面側絶縁膜を形成する工程、第１導電膜を形成する工程、絶縁膜第１貫通孔を形成する工程および第２導電膜を形成する工程、を備える。
【0068】
まず、図５に示すように、半導体ウエハ１０を準備する工程を行う。半導体ウエハ１０は、複数の基材１を形成可能な材料である。以降に説明する製造方法は、複数の配線基板Ａ１を一括して製造する構成であってもよいし、１つの配線基板Ａ１を個別に製造する構成であってもよい。
【0069】
半導体ウエハ１０は、半導体材料を含む。半導体ウエハ１０に含まれる半導体材料は何ら限定されず、本実施形態においては、たとえばＳｉ単結晶である。半導体ウエハ１０は、ウエハ主面１０ａおよびウエハ裏面１０ｂを有する。
【0070】
ウエハ主面１０ａは、ｚ方向の一方を向く。ウエハ主面１０ａは、平坦である。ウエハ主面１０ａは、ｚ方向に直交する。本実施形態においては、ウエハ主面１０ａは、（１００）面である。ウエハ主面１０ａは、配線基板Ａ１の主面１ａとなる面である。
【0071】
ウエハ裏面１０ｂは、ｚ方向の他方を向く。ウエハ裏面１０ｂは、平坦である。ウエハ裏面１０ｂは、ｚ方向に直交する。本実施形態においてはウエハ裏面１０ｂは、（１００）面である。ウエハ裏面１０ｂは、配線基板Ａ１の裏面１ｂとなる面である。
【0072】
次に、半導体ウエハ１０に、第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０を形成する。第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０の形成は、たとえばウエハ主面１０ａおよびウエハ裏面１０ｂに、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を用いてＳｉＮを堆積させることにより行う。第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０の厚さは、たとえば、０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
【0073】
また、第１絶縁膜２１０には、エッチング等を用いて開口部２１１および開口部２１２を形成する。開口部２１１の位置は、基材１における第１貫通孔１１（主面側第１部１１ａ）が設けられる位置に対応している。開口部２１２の位置は、基材１における第２貫通孔１２（主面側第２部１２ａ）が設けられる位置に対応している。
【0074】
次に、図６に示すように、主面側第１凹部を形成する工程を行う。本実施形態においては、主面側第１凹部を形成する工程は、主面側第２凹部を形成する工程を含む。第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０が形成された半導体ウエハ１０に対して、たとえばＫＯＨを用いた異方性エッチングを行う。ＫＯＨは、Ｓｉ単結晶に対して良好な異方性エッチングを実現しうるアルカリエッチング溶液の一例である。これにより、半導体ウエハ１０には、主面側第１凹部１１０ａおよび主面側第２凹部１２０ａが形成される。
【0075】
主面側第１凹部１１０ａは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、ウエハ主面１０ａからウエハ裏面１０ｂに向かうほど小さい。本実施形態においては、主面側第１凹部１１０ａのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。ＫＯＨを用いた異方性エッチングを行った場合、主面側第１凹部１１０ａの内面とｘｙ平面とがなす角度α１ａは、たとえば５４．７°である。
【0076】
主面側第２凹部１２０ａは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、ウエハ主面１０ａからウエハ裏面１０ｂに向かうほど小さい。本実施形態においては、主面側第２凹部１２０ａのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。ＫＯＨを用いた異方性エッチングを行った場合、主面側第２凹部１２０ａの内面とｘｙ平面とがなす角度α２ａは、たとえば５４．７°である。
【0077】
次に、主面側絶縁膜を形成する工程を行う。本実施形態においては、図７に示すように、第３絶縁膜２３０を形成する工程が、主面側絶縁膜を形成する工程に相当する。すなわち、第３絶縁膜２３０は、本開示の主面側絶縁膜の一例である。第３絶縁膜２３０の形成は、たとえば半導体ウエハ１０のウエハ主面１０ａ側からプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を用いてＳｉＯ2を堆積させることにより行う。第３絶縁膜２３０の厚さは、たとえば０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【0078】
第３絶縁膜２３０によって、主面被覆部２ａと主面側第１凹部１１０ａおよび裏面側第１凹部１１０ｂが覆われる。第３絶縁膜２３０のうち主面側第１凹部１１０ａを覆う部分が、上述した第１貫通孔主面側被覆部２１ａとなる。第３絶縁膜２３０のうち主面側第２凹部１２０ａを覆う部分が、上述した第２貫通孔主面側被覆部２２ａとなる。また、第１絶縁膜２１０および第３絶縁膜２３０が積層された構成の主面被覆部２ａが構成される。
【0079】
次に、図８に示すように、第２絶縁膜２２０にエッチング等を用いて開口部２２１および開口部２２２を形成する。開口部２２１の位置は、基材１における第１貫通孔１１（裏面側第１部１１ｂ）が設けられる位置に対応している。開口部２２２の位置は、基材１における第２貫通孔１２（裏面側第２部１２ｂ）が設けられる位置に対応している。
【0080】
次に、図９に示すように、第１貫通孔１１を形成する工程を行う。本実施形態においては、第１貫通孔１１を形成する工程は、第２貫通孔１２を形成する工程を含む。第２絶縁膜２２０および第３絶縁膜２３０が形成された半導体ウエハ１０に対して、たとえばＫＯＨを用いた異方性エッチングを行う。これにより、半導体ウエハ１０には、裏面側第１凹部１１０ｂおよび裏面側第２凹部１２０ｂが形成される。
【0081】
裏面側第１凹部１１０ｂは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、ウエハ裏面１０ｂからウエハ主面１０ａに向かうほど小さい。本実施形態においては、裏面側第１凹部１１０ｂのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。ＫＯＨを用いた異方性エッチングを行った場合、裏面側第１凹部１１０ｂの内面とｘｙ平面とがなす角度α１ｂは、たとえば５４．７°である。
【0082】
裏面側第１凹部１１０ｂを形成するエッチングにより、主面側第１凹部１１０ａと裏面側第１凹部１１０ｂとが繋がり、ウエハ主面１０ａをｚ方向に貫通する第１貫通孔１１が形成される。第１貫通孔主面側被覆部２１ａは、当該エッチングの後も残存する。このため、第１貫通孔１１は、第１貫通孔主面側被覆部２１ａによって塞がれている。
【0083】
裏面側第２凹部１２０ｂは、ｚ方向と直角である断面の大きさが、ウエハ裏面１０ｂからウエハ主面１０ａに向かうほど小さい。本実施形態においては、裏面側第２凹部１２０ｂのｚ方向と直角である断面の形状は、矩形状である。ＫＯＨを用いた異方性エッチングを行った場合、裏面側第２凹部１２０ｂの内面とｘｙ平面とがなす角度α２ｂは、たとえば５４．７°である。
【0084】
裏面側第２凹部１２０ｂを形成するエッチングにより、主面側第２凹部１２０ａと裏面側第２凹部１２０ｂとが繋がり、ウエハ主面１０ａをｚ方向に貫通する第２貫通孔１２が形成される。第２貫通孔主面側被覆部２２ａは、当該エッチングの後も残存する。このため、第２貫通孔１２は、第２貫通孔主面側被覆部２２ａによって塞がれている。
【0085】
次に、裏面側絶縁膜を形成する工程を行う。本実施形態においては、図１０に示すように、第４絶縁膜２４０を形成する工程が、裏面側絶縁膜を形成する工程に相当する。すなわち、第４絶縁膜２４０は、本開示の裏面側絶縁膜の一例である。第４絶縁膜２４０の形成は、たとえば半導体ウエハ１０のウエハ裏面１０ｂ側からプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を用いてＳｉＯ2を堆積させることにより行う。第４絶縁膜２４０厚さは、たとえば０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。
【0086】
第４絶縁膜２４０によって、裏面被覆部２ｂと主面側第１凹部１１０ａおよび裏面側第１凹部１１０ｂと第１貫通孔主面側被覆部２１ａおよび第２貫通孔主面側被覆部２２ａの一部ずつとが覆われる。第４絶縁膜２４０のうち裏面側第１部１１ｂを覆う部分が、上述の第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂとなる。第４絶縁膜２４０のうち裏面側第２部１２ｂを覆う部分が、上述の第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂとなる。また、第２絶縁膜２２０および第４絶縁膜２４０が積層された構成の裏面被覆部２ｂが構成される。
【0087】
次に、図１１に示すように、第１導電膜３１０を形成する工程を行う。半導体ウエハ１０に対してウエハ主面１０ａ側から、たとえばスパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によりＡｌを堆積させる。これにより、第３絶縁膜２３０を覆う第１導電膜３１０が形成される。第１導電膜３１０の厚さは、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。第１導電膜３１０のうち第１貫通孔主面側被覆部２１ａを覆う部分は、上述の第１貫通孔主面側導通部３３ａとなる。また、第１導電膜３１０のうち第２貫通孔主面側被覆部２２ａを覆う部分は、上述の第２貫通孔主面側導通部３４ａとなる。
【0088】
次に、第１導電膜３１０に対してエッチング等を用いたパターニングを行う。これにより、第１導電膜３１０が分割され、図１２に示す主面第１部３１ａおよび主面第２部３２ａが形成される。第１導電膜３１０のうち第１貫通孔主面側被覆部２１ａを覆う部分が、上述の第１貫通孔主面側導通部３３ａとなる。また、第１導電膜３１０のうち第２貫通孔主面側被覆部２２ａを覆う部分が、上述の第２貫通孔主面側導通部３４ａとなる。
【0089】
次に、絶縁膜第１貫通孔を形成する工程を行う。本実施形態においては、絶縁膜第１貫通孔を形成する工程は、絶縁膜第２貫通孔を形成する工程を含む。まず、図１３に示すように、マスク層９１を形成する。マスク層９１は、半導体ウエハ１０をウエハ裏面１０ｂ側から覆うように形成され、第４絶縁膜２４０を覆う。
【0090】
マスク層９１には、開口９１１および開口９１２が設けられている。開口９１１は、第１貫通孔１１内において第１貫通孔主面側被覆部２１ａと第２貫通孔主面側被覆部２２ａとが積層された部分を露出させている。開口９１２は、第２貫通孔１２内において第２貫通孔主面側被覆部２２ａと第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂとが積層された部分を露出させている。
【0091】
次いで、マスク層９１をマスクとして、第４絶縁膜２４０および第３絶縁膜２３０にエッチングを施す。これにより、図１４に示すように、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂおよび第１貫通孔主面側被覆部２１ａを貫通する絶縁膜第１貫通孔２１５が形成される。また、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂおよび第２貫通孔主面側被覆部２２ａを貫通する絶縁膜第２貫通孔２２５が形成される。
【0092】
第１貫通孔主面側被覆部２１ａおよび第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂを含み且つ絶縁膜第１貫通孔２１５を有する第１貫通孔被覆部２１が得られる。第２貫通孔主面側被覆部２２ａおよび第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂを含み且つ絶縁膜第２貫通孔２２５を有する第２貫通孔被覆部２２が得られる。絶縁膜第１貫通孔２１５からは、第１貫通孔主面側導通部３３ａが露出している。絶縁膜第２貫通孔２２５からは、第２貫通孔主面側導通部３４ａが露出している。絶縁膜第１貫通孔２１５および絶縁膜第２貫通孔２２５を形成した後は、図１５に示すように、マスク層９１を除去する。
【0093】
次に、図１６に示すように、第２導電膜３２０を形成する工程を行う。半導体ウエハ１０に対してウエハ裏面１０ｂ側から、たとえばスパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によりＡｌを堆積させる。これにより、第４絶縁膜２４０を覆い且つ絶縁膜第１貫通孔２１５および絶縁膜第２貫通孔２２５を埋める第２導電膜３２０が形成される。第２導電膜３２０の厚さは、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
【0094】
第２導電膜３２０のうち第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂを覆う部分は、上述の第１貫通孔裏面側導通部３３ｂとなる。第１貫通孔裏面側導通部３３ｂは、絶縁膜第１貫通孔２１５を通じて第１貫通孔主面側導通部３３ａに接している。これにより、上述の第１貫通孔主面側導通部３３ａおよび第１貫通孔裏面側導通部３３ｂからなる第１貫通孔導通部３３が形成される。
【0095】
また、第２導電膜３２０のうち第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂを覆う部分は、上述の第２貫通孔裏面側導通部３４ｂとなる。第２貫通孔裏面側導通部３４ｂは、絶縁膜第２貫通孔２２５を通じて第２貫通孔主面側導通部３４ａに接している。これにより、上述の第２貫通孔主面側導通部３４ａおよび第２貫通孔裏面側導通部３４ｂからなる第２貫通孔導通部３４が形成される。
【0096】
次に、第２導電膜３２０に対してエッチング等を用いたパターニングを行う。これにより、第２導電膜３２０が分割され、図１７に示す裏面第１部３１ｂおよび裏面第２部３２ｂが形成される。
【0097】
この後は、の電子部品５の実装、ワイヤ５９のボンディング、および封止部材７の取り付けを行った後に、半導体ウエハ１０を個片に分割するように切断する。これにより、半導体ウエハ１０の個片によって配線基板Ａ１が構成される。また、配線基板Ａ１、電子部品５および封止部材７を備える電子装置Ｂ１が得られる。
【0098】
次に、配線基板Ａ１、電子装置Ｂ１および配線基板Ａ１の製造方法の作用について説明する。
【0099】
本実施形態によれば、図６および図９に示すように、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２をエッチングによって一括して形成することが可能である。このため、たとえばレーザによって第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を個別に形成する場合と比べて、形成時間を短縮することが可能である。したがって、配線基板Ａ１の製造効率を高めることができる。
【0100】
第１貫通孔１１の主面側第１部１１ａの内面は、ｘｙ平面に対して角度α１ａだけ傾いており、裏面側第１部１１ｂの内面は、ｘｙ平面に対して角度α１ｂだけ傾いている。これにより、図１１に示す第１導電膜３１０の形成および図１６に示す第２導電膜３２０の形成において、主面側第１部１１ａおよび裏面側第１部１１ｂを第１導電膜３１０および第２導電膜３２０によってより確実に覆うことができる。この点は、主面側第２部１２ａおよび裏面側第２部１２ｂについても同様である。
【0101】
主面側第１部１１ａは、主面１ａ側に設けられており、裏面側第１部１１ｂは、裏面１ｂ側に設けられている。たとえば、主面１ａ側から形成した主面側第１部１１ａのみによって基材１を貫通する場合、主面側第１部１１ａの開口面積が過度に大きくなってしまう。本実施形態によれば、第１貫通孔１１の主面１ａおよび裏面１ｂにおける開口面積を縮小することが可能であり、配線基板Ａ１および電子装置Ｂ１の小型化に好ましい。この点は、第２貫通孔１２についても同様である。
【0102】
【0103】
＜第１実施形態 第１変形例＞
図１８は、電子装置Ｂ１の第１変形例を示している。本変形例の電子装置Ｂ１１は、封止部材７の構成が上述した配線基板Ａ１の封止部材７と異なっている。
図１８は、電子装置Ｂ１の第１変形例を示している。本変形例の電子装置Ｂ１１は、封止部材７の構成が上述した配線基板Ａ１の封止部材７と異なっている。
【0104】
本変形例の封止部材７は、透光部７３を含む。透光部７３は、基材１の主面１ａに支持されており、電子部品５およびワイヤ５９を覆っている。封止部材７は、電子部品５からの光を透過させる材質からなる。なお、電子部品５が発光機能を果たさない構成である場合、封止部材７は、不透明な材質からなる構成であってもよい。
【0105】
本変形例によっても、配線基板Ａ１の製造効率を高めることができる。また、本変形例から理解されるように、配線基板Ａ１が用いられる電子装置Ｂ１の具体的な構成は、種々に変更可能である。
【0106】
＜第２実施形態＞
図１９～図２８は、本開示の第２実施形態に係る配線基板、電子装置および配線基板の製造方法を示している。図１９に示すように、本実施形態の電子装置Ｂ２は、配線基板Ａ２、電子部品５、ワイヤ５９および封止部材７を備えている。本実施形態の配線基板Ａ２は、基材１、絶縁層２および配線部３を備える。
図１９～図２８は、本開示の第２実施形態に係る配線基板、電子装置および配線基板の製造方法を示している。図１９に示すように、本実施形態の電子装置Ｂ２は、配線基板Ａ２、電子部品５、ワイヤ５９および封止部材７を備えている。本実施形態の配線基板Ａ２は、基材１、絶縁層２および配線部３を備える。
【0107】
【0108】
本実施形態の第１貫通孔主面側被覆部２１ａと第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂとは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている。第１貫通孔被覆部２１は、たとえば熱酸化処理によって形成されたＳｉＯ2からなる。第１貫通孔被覆部２１の厚さは、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
【0109】
本実施形態の第２貫通孔主面側被覆部２２ａと第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂとは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている。第２貫通孔被覆部２２は、たとえば熱酸化処理によって形成されたＳｉＯ2からなる。第２貫通孔被覆部２２の厚さは、たとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
【0110】
主面被覆部２ａおよび裏面被覆部２ｂは、いずれも単層の絶縁膜からなる。主面被覆部２ａおよび裏面被覆部２ｂは、たとえば上述の第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０と同様に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等によって形成されたＳｉＮからなり、厚さはたとえば０．５μｍ以上２．０μｍ以下である。
【0111】
配線部３は、金属を含む層からなり、たとえば導電性ペーストを印刷した後に、当該導電性ペーストを焼成することによって形成されている。配線部３に含まれる金属としては、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ等が挙げられ、本実施形態においては、Ｃｕが用いられている。配線部３の厚さは、たとえば２．０μｍ以上７．０μｍ以下である。なお、図示された例の第１貫通孔導通部３３および第２貫通孔導通部３４は、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を塞いでいるが、主面１ａ側と裏面１ｂ側とを通じさせる貫通孔を有する構成であってもよい。
【0112】
【0113】
図２０に示すように、配線基板Ａ２の製造方法は、半導体ウエハを準備する工程、第１貫通孔を形成する工程、貫通孔絶縁膜を形成する工程、第１導電性ペーストを印刷する工程、第１導電膜を形成する工程、第２導電性ペーストを印刷する工程および第２導電膜を形成する工程、を備える。
【0114】
まず、図２１に示すように、半導体ウエハ１０を用意する工程を行う。次いで、半導体ウエハ１０に第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０を形成する。半導体ウエハ１０と第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０との材質は、上述した第１実施形態と同様である。第１絶縁膜２１０には、開口部２１１および開口部２１２を形成する。第２絶縁膜２２０には、開口部２２１および開口部２２２を形成する。開口部２１１および開口部２１２の構成と、開口部２２１および開口部２２２の構成とは、上述した第１実施形態と同様である。
【0115】
次いで、図２２に示すように、第１貫通孔１１を形成する工程を行う。本実施形態の第１貫通孔１１を形成する工程は、第２貫通孔１２を形成する工程を含む。第１絶縁膜２１０および第２絶縁膜２２０が形成された半導体ウエハ１０に対して、たとえばＫＯＨを用いた異方性エッチングを行う。これにより、半導体ウエハ１０に第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を形成する。第１貫通孔１１は、上述の主面側第１部１１ａおよび裏面側第１部１１ｂを有する構成となる。第２貫通孔１２は、上述の主面側第２部１２ａおよび裏面側第２部１２ｂを有する構成となる。
【0116】
次いで、図２３に示すように、貫通孔絶縁膜を形成する工程を行う。本実施形態においては、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２を形成した半導体ウエハ１０に、熱酸化処理を施す。これにより、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２の内面が熱参加され、ＳｉＯ2からなる貫通孔絶縁膜が形成される。このような処理によって形成された貫通孔絶縁膜の厚さは、たとえば０．５μｍ以上１．０μｍ以下である。第１貫通孔１１を覆う貫通孔絶縁膜は、第１貫通孔被覆部２１となる。第２貫通孔１２を覆う貫通孔絶縁膜は、第２貫通孔被覆部２２となる。第１貫通孔被覆部２１は、第１貫通孔主面側被覆部２１ａおよび第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂを含む。第２貫通孔被覆部２２は、第２貫通孔主面側被覆部２２ａおよび第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂを含む。第１貫通孔被覆部２１および第２貫通孔被覆部２２は、第１貫通孔１１および第１貫通孔被覆部２１をｚ方向に塞いでおらず、ウエハ主面１０ａ側とウエハ裏面１０ｂ側とを通じさせている。
【0117】
次いで、図２４に示すように、第１導電性ペースト３４０を印刷する工程を行う。第１導電性ペースト３４０の印刷は、たとえばスクリーン印刷によって行う。半導体ウエハ１０のウエハ主面１０ａ側にスクリーンＳｃを配置する。スクリーンＳｃは、マスク部Ｓｃ１がマスクとして塞がれた部分であり、その余の部分は、第１導電性ペースト３４０を通過させる部分である。なお、半導体ウエハ１０は、ウエハ裏面１０ｂ側から支持部材９９によって支持されることが好ましい。支持部材９９は、何ら限定されず、ウエハ、板状部材、あるいはテープ等であってもよい。
【0118】
スクリーンＳｃに所定量の第１導電性ペースト３４０を載置し、スキージＳｑによってスクリーンＳｃ上に押し広げる。これにより、半導体ウエハ１０上の主面被覆部２ａ、第１貫通孔被覆部２１（第１貫通孔主面側被覆部２１ａ）および第２貫通孔被覆部２２（第２貫通孔主面側被覆部２２ａ）に、第１導電性ペースト３４０が塗布される。
【0119】
スクリーン印刷に用いられる第１導電性ペースト３４０は、適度な粘性を有する。このため、第１導電性ペースト３４０は、第１貫通孔主面側被覆部２１ａの開口部分と、第２貫通孔主面側被覆部２２ａの開口部分とを塞ぎうる。なお、図示された例とは異なり、第１導電性ペースト３４０が、第１貫通孔主面側被覆部２１ａの開口部分と、第２貫通孔主面側被覆部２２ａの開口部分とを塞がない構成であってもよい。支持部材９９は、ｚ方向の下方に第１導電性ペースト３４０が漏れた場合に、この第１導電性ペースト３４０を受け止める機能を果たす。
【0120】
次に、第１導電膜を形成する工程を行う。半導体ウエハ１０に印刷された第１導電性ペースト３４０を所定温度に加熱し焼成する。これにより、図２５に示すように、第１導電膜が得られる。第１導電膜のうち第１貫通孔１１を取り囲む部分が、主面第１部３１ａとなり、第２貫通孔１２を取り囲む部分が、主面第２部３２ａとなる。また、第１導電膜のうち第１貫通孔主面側被覆部２１ａを覆う部分が第１貫通孔主面側導通部３３ａとなり、第２貫通孔主面側被覆部２２ａを覆う部分が第２貫通孔主面側導通部３４ａとなる。
【0121】
次に、図２６に示すように、半導体ウエハ１０をｚ方向において上下を反転させる。これは、この後のスクリーン印刷の便宜である。印刷手法によって半導体ウエハ１０の反転が不要である場合、半導体ウエハ１０を反転させなくてもよい。
【0122】
次に、図２７に示すように、第２導電性ペースト３５０を印刷する工程を行う。第２導電性ペースト３５０の印刷は、たとえばスクリーン印刷によって行う。半導体ウエハ１０のウエハ裏面１０ｂ側にスクリーンＳｃを配置する。スクリーンＳｃは、マスク部Ｓｃ２がマスクとして塞がれた部分であり、その余の部分は、第２導電性ペースト３５０を通過させる部分である。
【0123】
スクリーンＳｃに所定量の第２導電性ペースト３５０を載置し、スキージＳｑによってスクリーンＳｃ上に押し広げる。これにより、半導体ウエハ１０上の裏面被覆部２ｂ、第１貫通孔被覆部２１（第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂ）および第２貫通孔被覆部２２（第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂ）に、第２導電性ペースト３５０が塗布される。この際、第１貫通孔１１内において、第２導電性ペースト３５０を第１貫通孔主面側導通部３３ａに接触させるように印刷する。また、第２貫通孔１２内において、第２導電性ペースト３５０を第２貫通孔主面側導通部３４ａに接触させるように印刷する。
【0124】
スクリーン印刷に用いられる第２導電性ペースト３５０は、適度な粘性を有する。このため、第２導電性ペースト３５０は、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂの開口部分と、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂの開口部分とを塞ぎうる。なお、図示された例とは異なり、第２導電性ペースト３５０が、第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂの開口部分と、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂの開口部分とを塞がない構成であってもよい。
【0125】
次に、第２導電膜を形成する工程を行う。半導体ウエハ１０に印刷された第２導電性ペースト３５０を所定温度に加熱し焼成する。これにより、図２８に示すように、第２導電膜が得られる。第２導電膜のうち第１貫通孔１１を取り囲む部分が、裏面第１部３１ｂとなり、第２貫通孔１２を取り囲む部分が、裏面第２部３２ｂとなる。また、第２導電膜のうち第１貫通孔裏面側被覆部２１ｂを覆う部分が第１貫通孔裏面側導通部３３ｂとなり、第２貫通孔裏面側被覆部２２ｂを覆う部分が第２貫通孔裏面側導通部３４ｂとなる。第１貫通孔主面側導通部３３ａおよび第１貫通孔裏面側導通部３３ｂによって第１貫通孔導通部３３が構成され、第２貫通孔主面側導通部３４ａおよび第２貫通孔裏面側導通部３４ｂによって第２貫通孔導通部３４が構成される。
【0126】
この後は、上述の配線基板Ａ１および電子装置Ｂ１の製造方法と同様の工程を経ることにより、配線基板Ａ２および電子装置Ｂ２が得られる。
【0127】
本実施形態によっても、配線基板Ａ２の製造効率を高めることができる。また、図２４および図２７に示すように、第１導電性ペースト３４０および第２導電性ペースト３５０を印刷する構成を採用することにより、配線部３を適切に形成することができる。また、図２４に示すように、第１貫通孔１１および第２貫通孔１２が第１貫通孔被覆部２１および第２貫通孔被覆部２２によって塞がれていない状態で、第１導電性ペースト３４０の印刷を行い、第１導電膜を形成することが可能である。これは、配線基板Ａ２の製造効率を高めるのに好ましい。
【0128】
図２２に示すように、主面側第１部１１ａおよび裏面側第１部１１ｂと主面側第２部１２ａおよび裏面側第２部１２ｂとを、同一のエッチング処理によって一括して形成した後に、図２３に示すように、熱酸化処理によって第１貫通孔被覆部２１および第２貫通孔被覆部２２を一括して形成可能である。これは、配線基板Ａ２の製造効率を高めるのにさらに好ましい。
【0129】
＜第２実施形態 第１変形例＞
図２９は、配線基板Ａ２の第１変形例を示している。本変形例の電子装置Ｂ２１は、配線基板Ａ２１を備えている。本変形例の配線基板Ａ２１は、第１貫通孔導通部３３および第２貫通孔導通部３４の構成が、上述した配線基板Ａ２の第１貫通孔導通部３３および第２貫通孔導通部３４と異なっている。
図２９は、配線基板Ａ２の第１変形例を示している。本変形例の電子装置Ｂ２１は、配線基板Ａ２１を備えている。本変形例の配線基板Ａ２１は、第１貫通孔導通部３３および第２貫通孔導通部３４の構成が、上述した配線基板Ａ２の第１貫通孔導通部３３および第２貫通孔導通部３４と異なっている。
【0130】
本変形例の第１貫通孔導通部３３は、第１貫通孔１１の内部空間の全体に埋められた構成となっている。また、第２貫通孔導通部３４は、第２貫通孔１２の内部空間の全体に埋められた構成となっている。
【0131】
図３０は、配線基板Ａ２１の製造方法における第１導電性ペースト３４０を印刷する工程を示している。第１導電性ペースト３４０の印刷において、第１導電性ペースト３４０が、第１貫通孔１１（主面側第１部１１ａ）の内部空間と第２貫通孔１２（主面側第２部１２ａ）の内部空間とを埋め尽くすように塗布されている。このような印刷形態は、第１導電性ペースト３４０の粘性やスクリーンＳｃの具体的構成、スキージＳｑの取り扱い等によって生じうる。同様に、第２導電性ペースト３５０を印刷する工程において、第２導電性ペースト３５０が第１貫通孔１１（裏面側第１部１１ｂ）の内部空間と第２貫通孔１２（裏面側第２部１２ｂ）の内部空間とを埋め尽くすように塗布されている。
【0132】
本変形例によっても、配線基板Ａ２１の製造効率を高めることができる。また、本変形例から理解されるように、第１貫通孔導通部３３および第２貫通孔導通部３４の具体的構成は、第１導電性ペースト３４０および第２導電性ペースト３５０を印刷する工程の諸条件によって適宜変更されうる。
【0133】
本発明に係る配線基板、電子装置および配線基板の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る配線基板、電子装置および配線基板の製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0134】
〔付記１〕
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し且つ半導体材料を含む基材と、
配線部と、
前記基材および前記配線部の間に介在する絶縁層と、を備え、
前記基材は、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を有し、
前記第１貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第１部と、前記裏面に繋がる裏面側第１部と、を含み、
前記主面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置された主面第１部、前記裏面に配置された裏面第１部、および前記第１貫通孔に配置され且つ前記主面第１部および前記裏面第１部に繋がる第１貫通孔導通部を含む、配線基板。
〔付記２〕
前記絶縁層は、前記主面を覆う主面被覆部、前記裏面を覆う裏面被覆部、および前記第１貫通孔を覆う第１貫通孔被覆部、を含む、
付記１に記載の配線基板。
〔付記３〕
前記第１貫通孔被覆部は、前記主面側第１部を覆う第１貫通孔主面側被覆部と、前記裏面側第１部を覆う第１貫通孔裏面側被覆部と、を含む、
付記２に記載の配線基板。
〔付記４〕
前記第１貫通孔主面側被覆部と前記第１貫通孔裏面側被覆部とは、互いに別体の絶縁性部材からなる、
付記３に記載の配線基板。
〔付記５〕
前記第１貫通孔主面側被覆部と前記第１貫通孔裏面側被覆部とは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている、
付記３に記載の配線基板。
〔付記６〕
前記第１貫通孔導通部は、前記第１貫通孔主面側被覆部に配置された第１貫通孔主面側導通部と、前記第１貫通孔裏面側被覆部に配置された第１貫通孔裏面側導通部と、を含む、
付記３ないし５のいずれかに記載の配線基板。
〔付記７〕
前記基材は、前記厚さ方向に貫通し、且つ前記第１貫通孔から離れた第２貫通孔を有し、
前記第２貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第２部と、前記裏面に繋がる裏面側第２部と、を含み、
前記主面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置され且つ前記主面第１部から離れた主面第２部、前記裏面に配置され且つ前記裏面第１部から離れた裏面第２部、および前記第２貫通孔に配置され且つ前記主面第２部および前記裏面第２部に繋がる第２貫通孔導通部を含む、
付記２ないし６のいずれかに記載の配線基板。
〔付記８〕
前記絶縁層は、前記第２貫通孔を覆う第２貫通孔被覆部、を含む、
付記７に記載の配線基板。
〔付記９〕
前記第２貫通孔被覆部は、前記主面側第２部を覆う第２貫通孔主面側被覆部と、前記裏面側第２部を覆う第２貫通孔裏面側被覆部と、を含む、
付記８に記載の配線基板。
〔付記１０〕
前記第２貫通孔主面側被覆部と前記第２貫通孔裏面側被覆部とは、互いに別体の絶縁性部材からなる、
付記９に記載の配線基板。
〔付記１１〕
前記第２貫通孔主面側被覆部と前記第２貫通孔裏面側被覆部とは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている、
付記９に記載の配線基板。
〔付記１２〕
前記第２貫通孔導通部は、前記第２貫通孔主面側被覆部に配置された第２貫通孔主面側導通部と、前記第２貫通孔裏面側被覆部に配置された第２貫通孔裏面側導通部と、を含む、
付記９ないし１１のいずれかに記載の配線基板。
〔付記１３〕
前記半導体材料は、Ｓｉ単結晶である、
付記１ないし付記１２のいずれかに記載の配線基板。
〔付記１４〕
前記主面および前記裏面は、（１００）面である、
付記１３に記載の配線基板。
〔付記１５〕
付記１ないし１４のいずれかに記載された配線基板と、
前記主面第１部に実装された電子部品と、を備える、電子装置。
〔付記１６〕
前記主面に支持された封止部材を備える、付記１５に記載の電子装置。
〔付記１７〕
前記電子部品は、ＶＣＳＥＬ素子である、付記１５または１６に記載の電子装置。
〔付記１８〕
厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ主面から凹む主面側第１凹部を形成する工程と、
前記主面側第１凹部を覆う主面側絶縁膜を形成する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ裏面から凹み且つ前記主面側第１凹部に到達する裏面側第１凹部を形成ことにより、前記ウエハ主面に繋がる主面側第１部および前記ウエハ裏面に繋がる裏面側第１部を含む第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側第１部を覆い且つ前記主面側絶縁膜に接する裏面側絶縁膜を形成する工程と、
前記主面側絶縁膜を覆う第１導電膜を形成する工程と、
前記第１貫通孔内において、前記主面側絶縁膜および前記裏面側絶縁膜を前記厚さ方向に貫通する絶縁膜第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側絶縁膜を覆い且つ前記絶縁膜第１貫通孔を通じて前記第１導電膜に接する第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
〔付記１９〕
前記第１導電膜および前記第２導電膜を、スパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成する、付記１８に記載の配線基板の製造方法。
〔付記２０〕
厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
前記ウエハ主面および前記ウエハ裏面の双方から異方性エッチングを施すことにより、前記半導体ウエハを前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を覆う貫通孔絶縁膜を形成する工程と、
前記ウエハ主面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第１導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第１導電性ペーストを焼成することにより、第１導電膜を形成する工程と、
前記ウエハ裏面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第２導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第２導電性ペーストを焼成することにより、第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
〔付記２１〕
前記主面側絶縁膜を形成する工程においては、熱酸化処理を用いる、付記１９に記載の配線基板の製造方法。
厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面を有し且つ半導体材料を含む基材と、
配線部と、
前記基材および前記配線部の間に介在する絶縁層と、を備え、
前記基材は、前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を有し、
前記第１貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第１部と、前記裏面に繋がる裏面側第１部と、を含み、
前記主面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第１部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置された主面第１部、前記裏面に配置された裏面第１部、および前記第１貫通孔に配置され且つ前記主面第１部および前記裏面第１部に繋がる第１貫通孔導通部を含む、配線基板。
〔付記２〕
前記絶縁層は、前記主面を覆う主面被覆部、前記裏面を覆う裏面被覆部、および前記第１貫通孔を覆う第１貫通孔被覆部、を含む、
付記１に記載の配線基板。
〔付記３〕
前記第１貫通孔被覆部は、前記主面側第１部を覆う第１貫通孔主面側被覆部と、前記裏面側第１部を覆う第１貫通孔裏面側被覆部と、を含む、
付記２に記載の配線基板。
〔付記４〕
前記第１貫通孔主面側被覆部と前記第１貫通孔裏面側被覆部とは、互いに別体の絶縁性部材からなる、
付記３に記載の配線基板。
〔付記５〕
前記第１貫通孔主面側被覆部と前記第１貫通孔裏面側被覆部とは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている、
付記３に記載の配線基板。
〔付記６〕
前記第１貫通孔導通部は、前記第１貫通孔主面側被覆部に配置された第１貫通孔主面側導通部と、前記第１貫通孔裏面側被覆部に配置された第１貫通孔裏面側導通部と、を含む、
付記３ないし５のいずれかに記載の配線基板。
〔付記７〕
前記基材は、前記厚さ方向に貫通し、且つ前記第１貫通孔から離れた第２貫通孔を有し、
前記第２貫通孔は、前記主面に繋がる主面側第２部と、前記裏面に繋がる裏面側第２部と、を含み、
前記主面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記主面から前記裏面に向かうほど小さく、
前記裏面側第２部は、前記厚さ方向と直角である断面の大きさが、前記裏面から前記主面に向かうほど小さく、
前記配線部は、前記主面に配置され且つ前記主面第１部から離れた主面第２部、前記裏面に配置され且つ前記裏面第１部から離れた裏面第２部、および前記第２貫通孔に配置され且つ前記主面第２部および前記裏面第２部に繋がる第２貫通孔導通部を含む、
付記２ないし６のいずれかに記載の配線基板。
〔付記８〕
前記絶縁層は、前記第２貫通孔を覆う第２貫通孔被覆部、を含む、
付記７に記載の配線基板。
〔付記９〕
前記第２貫通孔被覆部は、前記主面側第２部を覆う第２貫通孔主面側被覆部と、前記裏面側第２部を覆う第２貫通孔裏面側被覆部と、を含む、
付記８に記載の配線基板。
〔付記１０〕
前記第２貫通孔主面側被覆部と前記第２貫通孔裏面側被覆部とは、互いに別体の絶縁性部材からなる、
付記９に記載の配線基板。
〔付記１１〕
前記第２貫通孔主面側被覆部と前記第２貫通孔裏面側被覆部とは、同一の絶縁性部材によって一体的に形成されている、
付記９に記載の配線基板。
〔付記１２〕
前記第２貫通孔導通部は、前記第２貫通孔主面側被覆部に配置された第２貫通孔主面側導通部と、前記第２貫通孔裏面側被覆部に配置された第２貫通孔裏面側導通部と、を含む、
付記９ないし１１のいずれかに記載の配線基板。
〔付記１３〕
前記半導体材料は、Ｓｉ単結晶である、
付記１ないし付記１２のいずれかに記載の配線基板。
〔付記１４〕
前記主面および前記裏面は、（１００）面である、
付記１３に記載の配線基板。
〔付記１５〕
付記１ないし１４のいずれかに記載された配線基板と、
前記主面第１部に実装された電子部品と、を備える、電子装置。
〔付記１６〕
前記主面に支持された封止部材を備える、付記１５に記載の電子装置。
〔付記１７〕
前記電子部品は、ＶＣＳＥＬ素子である、付記１５または１６に記載の電子装置。
〔付記１８〕
厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ主面から凹む主面側第１凹部を形成する工程と、
前記主面側第１凹部を覆う主面側絶縁膜を形成する工程と、
異方性エッチングによって前記ウエハ裏面から凹み且つ前記主面側第１凹部に到達する裏面側第１凹部を形成ことにより、前記ウエハ主面に繋がる主面側第１部および前記ウエハ裏面に繋がる裏面側第１部を含む第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側第１部を覆い且つ前記主面側絶縁膜に接する裏面側絶縁膜を形成する工程と、
前記主面側絶縁膜を覆う第１導電膜を形成する工程と、
前記第１貫通孔内において、前記主面側絶縁膜および前記裏面側絶縁膜を前記厚さ方向に貫通する絶縁膜第１貫通孔を形成する工程と、
前記裏面側絶縁膜を覆い且つ前記絶縁膜第１貫通孔を通じて前記第１導電膜に接する第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
〔付記１９〕
前記第１導電膜および前記第２導電膜を、スパッタリングまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって形成する、付記１８に記載の配線基板の製造方法。
〔付記２０〕
厚さ方向において互いに反対側を向くウエハ主面およびウエハ裏面を有する半導体ウエハを準備する工程と、
前記ウエハ主面および前記ウエハ裏面の双方から異方性エッチングを施すことにより、前記半導体ウエハを前記厚さ方向に貫通する第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔を覆う貫通孔絶縁膜を形成する工程と、
前記ウエハ主面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第１導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第１導電性ペーストを焼成することにより、第１導電膜を形成する工程と、
前記ウエハ裏面側から、前記第１貫通孔を含む領域に第２導電性ペーストを印刷する工程と、
前記第２導電性ペーストを焼成することにより、第２導電膜を形成する工程と、
を備える、配線基板の製造方法。
〔付記２１〕
前記主面側絶縁膜を形成する工程においては、熱酸化処理を用いる、付記１９に記載の配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【0135】
Ａ１，Ａ２，Ａ２１：配線基板
Ｂ１，Ｂ１１，Ｂ２，Ｂ２１：電子装置
１ ：基材
１ａ ：主面
１ｂ ：裏面
２ ：絶縁層
２ａ ：主面被覆部
２ｂ ：裏面被覆部
３ ：配線部
５ ：電子部品
７ ：封止部材
１０ ：半導体ウエハ
１０ａ ：ウエハ主面
１０ｂ ：ウエハ裏面
１１ ：第１貫通孔
１１ａ ：主面側第１部
１１ｂ ：裏面側第１部
１２ ：第２貫通孔
１２ａ ：主面側第２部
１２ｂ ：裏面側第２部
２１ ：第１貫通孔被覆部
２１ａ ：第１貫通孔主面側被覆部
２１ｂ ：第１貫通孔裏面側被覆部
２２ ：第２貫通孔被覆部
２２ａ ：第２貫通孔主面側被覆部
２２ｂ ：第２貫通孔裏面側被覆部
３１ａ ：主面第１部
３１ｂ ：裏面第１部
３２ａ ：主面第２部
３２ｂ ：裏面第２部
３３ ：第１貫通孔導通部
３３ａ ：第１貫通孔主面側導通部
３３ｂ ：第１貫通孔裏面側導通部
３４ ：第２貫通孔導通部
３４ａ ：第２貫通孔主面側導通部
３４ｂ ：第２貫通孔裏面側導通部
５９ ：ワイヤ
７１ ：外壁部
７２ ：カバー部
７３ ：透光部
９１ ：マスク層
９９ ：支持部材
１１０ａ ：主面側第１凹部
１１０ｂ ：裏面側第１凹部
１２０ａ ：主面側第２凹部
１２０ｂ ：裏面側第２凹部
２１０ ：第１絶縁膜
２１１，２１２：開口部
２１５ ：絶縁膜第１貫通孔
２２０ ：第２絶縁膜
２２１ ：開口部
２２２ ：開口部
２２５ ：絶縁膜第２貫通孔
２３０ ：第３絶縁膜
２４０ ：第４絶縁膜
３１０ ：第１導電膜
３２０ ：第２導電膜
３４０ ：第１導電性ペースト
３５０ ：第２導電性ペースト
９１１，９１２：開口
Ｓｃ ：スクリーン
Ｓｃ１，Ｓｃ２：マスク部
Ｓｑ ：スキージ
α１ａ，α１ｂ，α２ａ，α２ｂ：角度
Ｂ１，Ｂ１１，Ｂ２，Ｂ２１：電子装置
１ ：基材
１ａ ：主面
１ｂ ：裏面
２ ：絶縁層
２ａ ：主面被覆部
２ｂ ：裏面被覆部
３ ：配線部
５ ：電子部品
７ ：封止部材
１０ ：半導体ウエハ
１０ａ ：ウエハ主面
１０ｂ ：ウエハ裏面
１１ ：第１貫通孔
１１ａ ：主面側第１部
１１ｂ ：裏面側第１部
１２ ：第２貫通孔
１２ａ ：主面側第２部
１２ｂ ：裏面側第２部
２１ ：第１貫通孔被覆部
２１ａ ：第１貫通孔主面側被覆部
２１ｂ ：第１貫通孔裏面側被覆部
２２ ：第２貫通孔被覆部
２２ａ ：第２貫通孔主面側被覆部
２２ｂ ：第２貫通孔裏面側被覆部
３１ａ ：主面第１部
３１ｂ ：裏面第１部
３２ａ ：主面第２部
３２ｂ ：裏面第２部
３３ ：第１貫通孔導通部
３３ａ ：第１貫通孔主面側導通部
３３ｂ ：第１貫通孔裏面側導通部
３４ ：第２貫通孔導通部
３４ａ ：第２貫通孔主面側導通部
３４ｂ ：第２貫通孔裏面側導通部
５９ ：ワイヤ
７１ ：外壁部
７２ ：カバー部
７３ ：透光部
９１ ：マスク層
９９ ：支持部材
１１０ａ ：主面側第１凹部
１１０ｂ ：裏面側第１凹部
１２０ａ ：主面側第２凹部
１２０ｂ ：裏面側第２凹部
２１０ ：第１絶縁膜
２１１，２１２：開口部
２１５ ：絶縁膜第１貫通孔
２２０ ：第２絶縁膜
２２１ ：開口部
２２２ ：開口部
２２５ ：絶縁膜第２貫通孔
２３０ ：第３絶縁膜
２４０ ：第４絶縁膜
３１０ ：第１導電膜
３２０ ：第２導電膜
３４０ ：第１導電性ペースト
３５０ ：第２導電性ペースト
９１１，９１２：開口
Ｓｃ ：スクリーン
Ｓｃ１，Ｓｃ２：マスク部
Ｓｑ ：スキージ
α１ａ，α１ｂ，α２ａ，α２ｂ：角度
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】