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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022182493
(43)【公開日】2022-12-08
(54)【発明の名称】撮像装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
H01L 27/146 20060101AFI20221201BHJP
【ＦＩ】
H01L27/146 D
H01L27/146 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021090081
(22)【出願日】2021-05-28
(71)【出願人】
【識別番号】316005926
【氏名又は名称】ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100091487
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 行孝
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(72)【発明者】
【氏名】栗原 槙一郎
【テーマコード（参考）】
4M118
【Ｆターム（参考）】
4M118AA05
4M118AB01
4M118BA07
4M118CA14
4M118CB01
4M118CB14
4M118CB20
4M118EA14
4M118FB23
4M118GB03
4M118GB07
(57)【要約】
【課題】混色を抑制することのできる撮像装置およびこの撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】本開示の撮像装置は、半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、 前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えている。
【選択図】図２Ｃ
【解決手段】本開示の撮像装置は、半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、 前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えている。
【選択図】図２Ｃ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板上に配置された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された透明電極層と、
前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、
前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、
を備える、撮像装置。
前記光電変換層上に配置された透明電極層と、
前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、
前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、
を備える、撮像装置。
【請求項2】
前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるよう配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素同士を分断するように配置された請求項１記載の撮像装置。
【請求項3】
前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置された請求項１記載の撮像装置。
【請求項4】
前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、
前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通するように配置された請求項１記載の撮像装置。
前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通するように配置された請求項１記載の撮像装置。
【請求項5】
前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置された請求項４記載の撮像装置。
【請求項6】
前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向に分離された請求項１記載の撮像装置。
【請求項7】
前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、
前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層を貫通し、かつ前記透明電極層を貫通しないように前記透明電極層の内部に配置された請求項６記載の撮像装置。
前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層を貫通し、かつ前記透明電極層を貫通しないように前記透明電極層の内部に配置された請求項６記載の撮像装置。
【請求項8】
前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置された請求項７記載の撮像装置。
【請求項9】
前記半導体基板と前記光電変換層との間に設けられた配線積層構造体を更に備え、
前記第１遮光部は、前記配線積層構造体に電気的に接続される請求項７記載の撮像装置。
前記第１遮光部は、前記配線積層構造体に電気的に接続される請求項７記載の撮像装置。
【請求項10】
前記第１遮光部は、前記光電変換層の上面から下面まで貫通した電極を含み、前記電極は前記配線積層構造体に電気的に接続される請求項９記載の撮像装置。
【請求項11】
前記第１遮光部は、前記画素の側部を取り囲むように配置された請求項６記載の撮像装置。
【請求項12】
前記第２遮光部は、前記透明電極層を貫通するように配置され、かつ前記第２遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている請求項６記載の撮像装置。
【請求項13】
前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向において接続された請求項１記載の撮像装置。
【請求項14】
前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、
前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通しかつ側部が絶縁膜に覆われ、前記第１遮光部は、前記光電変換層を貫通するように配置され、かつ前記第２遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている請求項１３記載の撮像装置。
前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通しかつ側部が絶縁膜に覆われ、前記第１遮光部は、前記光電変換層を貫通するように配置され、かつ前記第２遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている請求項１３記載の撮像装置。
【請求項15】
前記第１遮光部における前記端部の断面積は、他の部分の断面積より小さい請求項１４記載の撮像装置。
【請求項16】
前記第１遮光部における前記端部の断面積は、他の部分の断面積より大きい請求項１４記載の撮像装置。
【請求項17】
前記透明電極層上に配置された保護層と、
前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続された第３遮光部と、を更に備える、請求項１３記載の撮像装置。
前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続された第３遮光部と、を更に備える、請求項１３記載の撮像装置。
【請求項18】
前記第１遮光部と前記第２遮光部は平面視したときに、少なくとも一部が重なるように配置された請求項１記載の撮像装置。
【請求項19】
前記透明電極層に接地電位を供給する第１配線と、前記第２遮光部に負のバイアス電位を供給する第２配線を更に備えた請求項１記載の撮像装置。
【請求項20】
撮像装置と、
前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、
前記撮像装置は、
半導体基板上に配置された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された透明電極層と、
前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、
前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、
を備えた、電子機器。
前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、
前記撮像装置は、
半導体基板上に配置された光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された透明電極層と、
前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、
前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、
を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、撮像装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
透明電極および光電変換層を有する撮像装置が知られている。この撮像装置は、光電変換層が有機光電変換材料を含む場合は有機センサとなり、光電変換層が化合物半導体（例えばＩｎＧａＡｓ）を含む場合はＩｎＧａＡｓセンサとなる（特許文献１、特許文献２）。これらの撮像装置は、透明電極の導電性を確保するために、画素を区画するためのトレンチを透明電極の下部に形成し、このトレンチを遮光部材で埋め込んでいる。仮に、透明電極の上部迄トレンチを形成し、このトレンチを遮光部材で埋め込むような遮光部を形成すると、透明電極も画素に対応して区分けされるため、各画素に接続するための配線が必要となる。これらの配線を配置することは、レイアウトを実現する上で現実的ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－１１２３７６号公報
【特許文献2】特開２０１７－０３８０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
このため、特許文献１または２に記載された撮像装置においては、透明電極内の画素の境界領域に遮光部が設けられていないため、透明電極を透過した斜め光により混色が生じるという課題がある。
【0005】
本開示は、混色を抑制することのできる撮像装置およびこの撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１態様による撮像装置は、半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、 前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えてもよい。
【0007】
第１態様による撮像装置において、前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるよう配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素同士を分断するように配置されてもよい。
【0008】
第１態様による撮像装置において、前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置されてもよい。
【0009】
第１態様による撮像装置において、前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通するように配置されてもよい。
【0010】
第１態様による撮像装置において、前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置されてもよい。
【0011】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向に分離されてもよい。
【0012】
第１態様による撮像装置において、前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層を貫通し、かつ前記透明電極層を貫通しないように前記透明電極層の内部に配置されてもよい。
【0013】
第１態様による撮像装置において、前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置されてもよい。
【0014】
第１態様による撮像装置において、前記半導体基板と前記光電変換層との間に設けられた配線積層構造体を更に備え、前記第１遮光部は、前記配線積層構造体に電気的に接続されてもよい。
【0015】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部は、前記光電変換層の上面から下面まで貫通した電極を含み、前記電極は前記配線積層構造体に電気的に接続されてもよい。
【0016】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部は、前記画素の側部を取り囲むように配置されてもよい。
【0017】
第１態様による撮像装置において、前記第２遮光部は前記透明電極層を貫通するように配置され、かつ第２遮光部の前記側部および端部は絶縁膜によって覆われていてもよい。
【0018】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向において接続されてもよい。
【0019】
第１態様による撮像装置において、前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通しかつ側部が絶縁膜に覆われ、前記第１遮光部は、前記光電変換層を貫通するように配置され、かつ前記第２遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われていてもよい。
【0020】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部における前記端部の断面積は他の部分の断面積より小さくてもよい。
【0021】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部における前記端部の断面積は他の部分の断面積より大きくてもよい。
【0022】
第１態様による撮像装置において、前記透明電極上に配置された保護層と、前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続された第３遮光部と、を更に備えてもよい。
【0023】
第１態様による撮像装置において、前記第１遮光部と前記第２遮光部は平面視したときに、少なくとも一部が重なるように配置されてもよい。
【0024】
第１態様による撮像装置において、前記透明電極層に接地電位を供給する第１配線と、前記第２遮光部に負のバイアス電位を供給する第２配線を更に備えてもよい。
【0025】
第２態様による電子機器は、撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、前記撮像装置は、半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】第１実施形態による撮像装置を示す断面図。
【図4A】第１実施形態の撮像装置を示す平面図。
【図5】第１実施形態の第１変形例による撮像装置を示す断面図。
【図7】第１実施形態の第２変形例による撮像装置を示す断面図。
【図9】第２実施形態による撮像装置を示す断面図。
【図12】第３実施形態による撮像装置を示す断面図。
【図14】第３実施形態による撮像装置の透明電極層を示す断面図。
【図15】第４実施形態による撮像装置の透明電極層を示す断面図。
【図16】第５実施形態による撮像装置の透明電極層を示す断面図。
【図17】第６実施形態による撮像装置の透明電極層を示す断面図。
【図18】第７実施形態による撮像装置の透明電極層を示す断面図。
【図19】車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図。
【図20】車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【0027】
本開示の実施形態について図面を参照して説明する。以下の実施形態では、撮像装置および電子機器の構成部分を主に説明するが、撮像装置および電子機器には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。
【0028】
また、以下の説明で参照される図面は、本開示の実施形態の説明と、その理解を促すための図面であり、分かり易くするために、図中に示される形状、寸法、比などは実際と異なる場合がある。
【0029】
（第１実施形態）
第１実施形態による撮像装置の断面図を図１に示す。この第１実施形態の撮像装置は、半導体基板１０と、この半導体基板１０上に配置された配線積層構造体２０と、配線積層構造体２０上に配置されたバッファ層３０と、このバッファ層３０上に配置された光電変換層４０と、この光電変換層４０上に配置されたバッファ層５０と、このバッファ層５０上に配置された透明電極層６０と、この透明電極層６０上に配置された保護層７０と、を備えている。
第１実施形態による撮像装置の断面図を図１に示す。この第１実施形態の撮像装置は、半導体基板１０と、この半導体基板１０上に配置された配線積層構造体２０と、配線積層構造体２０上に配置されたバッファ層３０と、このバッファ層３０上に配置された光電変換層４０と、この光電変換層４０上に配置されたバッファ層５０と、このバッファ層５０上に配置された透明電極層６０と、この透明電極層６０上に配置された保護層７０と、を備えている。
【0030】
半導体基板１０は、半導体（例えばシリコン）を含む。配線積層構造体２０は、絶縁膜２２に配線層２４が積層された構造を有している。光電変換層４０は、保護層７０、透明電極層６０、バッファ層５０を介して入射された光を電気信号に変換する。この光電変換層４０が化合物半導体（例えば、ＩｎＧａＡｓ）を含む場合は、本実施形態の撮像装置はＩｎＧａＡｓセンサとなり、光電変換層４０が有機光電変換層である場合は、本実施形態の撮像装置は，有機センサとなる。光電変換層４０が化合物半導体を含む場合は、光電変換層４０と配線積層構造体２０との間に配置されるバッファ層３０は化合物半導体を生成する種基板となる。透明電極層６０は、光を透過する材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む電極である。保護層７０は光透過性を有する無機材料、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどにより形成される。
【0031】
本実施形態の撮像装置は、保護層７０、透明電極層６０，バッファ層５０、および光電変換層４０を積層方向に貫通し、バッファ層３０に達する遮光部材８０と、この遮光部材８０の側面および底面を覆う絶縁膜８２とを更に備えている。遮光部材８０は、画素領域区画部を構成するとともに画素間遮光部の一部を形成する。
【0032】
本実施形態の撮像装置を、図１に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図２Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図２Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図２Ｃに示し、切断面Ｄ－Ｄで切断した断面を図２Ｄに示す。図２Ａに示すように、保護層７０上には遮光部材９０が画素領域３００を囲むように四角形状の格子構造を形成している。後述するように四角形で囲まれた領域が画素領域に対応する。格子構造を有する遮光部材９０は画素間遮光部の一部を形成する。
【0033】
図２Ｂに示すように、保護層７０において、遮光部材８０は、画素領域３００を囲むように互いに接続しない辺を有する略四角形状に配置されている。略四角形状に配置された遮光部材８０は、直上の四角形状の遮光部材９０に対応し、遮光部材８０の辺はそれぞれ、遮光部材９０の対応する辺に接続する。図２Ｃに示すように、透明電極層６０において、遮光部材８０は、画素領域３００を囲むように、互いに接続しない辺を有する略四角形状に配置されている。また、図２Ｄに示すように、光電変換層４０において、遮光部材８０は、画素領域３００を囲むように、互いに接続しない辺を有する略四角形状に配置されている。すなわち、遮光部材８０は、保護層７０、透明電極層６０，バッファ層５０、および光電変換層４０の各層において、画素領域３００を囲むように、互いに接続しない辺を有する略四角形状に配置されている。
【0034】
光電変換層４０の略四角形で囲まれた画素領域３００は、図２Ｄにおいて、横方向および縦方向にアレイ状に配置される。すなわち、本実施形態の撮像装置においては、複数の画素を備えており、遮光部材８０は、画素間遮光部の一部を形成する。保護層７０、透明電極層６０，バッファ層５０、および光電変換層４０の各層において、遮光部材８０は、略四角形で囲まれた画素領域３００に区画する。すなわち、遮光部材８０は画素領域を区画する画素領域区画部となる。また、遮光部材８０および遮光部材９０は、区画された画素の画素間遮光部となる。
【0035】
このように、本実施形態の撮像装置においては、各画素領域３００が画素間遮光部を構成する遮光部材８０によって区画される。そして、光電変換層４０．バッファ層５０、透明電極層６０、および保護層７０においては、画素領域３００は、各辺が接続されない略四角形状の遮光部材８０によって区画され、保護層７０上では略四角形状の格子構造を有する遮光部材９０に区画される。したがって、ある画素領域３００に入射した光は、上記当該画素領域３００に隣接する画素領域への侵入が、画素間遮光部を構成する遮光部材９０、８０によって抑制される。遮光部材８０は、透明電極層６０の上面からみたときに、各辺が接続されない略四角形状を有しているので、各辺が接続されていない部分から当該画素領域に、隣接画素領域へ入射する光が入り込む可能性がある。しかし、斜め方向から入射する光は、当該画素領域に直交する方向から入射する光に比べて半分以下であるため、当該画素領域の光の受光特性に大きな劣化が生じることを抑制することができる。したがって、混色を抑制することができる。また、透明電極層６０は、画素間遮光部を構成する遮光部材８０によって分断されず、連続した構造を有する。このため、各画素に対して透明電極層を電気的に接続するための配線が不要となり、レイアウトを容易に行うことができる。
【0036】
（製造方法）
次に、第１実施形態の撮像装置の製造方法について、図３Ａ乃至３Ｆを参照して説明する。まず、図３Ａに示すように、例えばシリコンを含む半導体基板１０上に、配線積層構造体２０、バッファ層３０、光電変換層４０、バッファ層５０、透明電極層６０、および保護層７０を順次積層する。その後、保護層７０上にマスク１００を形成し、このマスクにリソグラフィー技術を用いてパターニングを行う。
次に、第１実施形態の撮像装置の製造方法について、図３Ａ乃至３Ｆを参照して説明する。まず、図３Ａに示すように、例えばシリコンを含む半導体基板１０上に、配線積層構造体２０、バッファ層３０、光電変換層４０、バッファ層５０、透明電極層６０、および保護層７０を順次積層する。その後、保護層７０上にマスク１００を形成し、このマスクにリソグラフィー技術を用いてパターニングを行う。
【0037】
次に、図３Ｂに示すように、パターニングされたマスク１００を用いて、保護層７０、透明電極層６０、バッファ層５０、光電変換層４０をエッチングし、保護層７０からバッファ層３０の表面に達する開口１０２を形成する。その後、マスク１００を除去する。
【0038】
次に、図３Ｃに示すように、開口１０２の側面および底面に絶縁膜８２を形成する。続いて、図３Ｄに示すように、開口１０２を例えばタングステンを含む金属で埋め込み、遮光部材８０を形成するとともに、保護層７０上に金属膜１１０を形成する。その後、図３Ｅに示すように、金属膜１１０上に図２Ａに示すような遮光部材９０を形成するためのマスク１２０を形成する。このマスク１２０を用いて金属膜１１０をパターニングすることにより、図３Ｆに示すように、保護層７０上に遮光部材９０を形成する。これにより、第１実施形態の撮像装置が完成する。
【0039】
第１実施形態の撮像装置においては、画素間遮光部（遮光部材）８０．９０に印加する電圧と、透明電極層６０に印加する電圧を異なるようにすることができる。例えば、透明電極層６０は、電圧降下を抑制するために、ＧＮＤ（接地電位）が印加することが好ましく、画素間遮光部（遮光部材）８０，９０は、光電変換層のピニング形成のために負バイアスを印加することが好ましい。このように、第１実施形態において、画素間遮光部（遮光部材）８０．９０と、透明電極層６０とに対して異なる電圧を印加することができること、図４Ａ乃至図４Ｃを参照して説明する。
【0040】
第１実施形態の撮像装置の平面図を図４Ａに示す。この撮像装置は、画素がアレイ状に配置された長方形状の画素アレイ２００を備えている。この画素アレイ２００の４辺のそれぞれに対応して複数の端子２１０が配置され、これらの端子２１０から撮像装置の透明電極層６０に接地電位が供給される。また、画素アレイ２００の４つの角部にはそれぞれ、負のバイアス電圧を供給するための端子２２０が配置され、これらの端子２２０から撮像装置の遮光部材９０に負のバイアス電圧が供給される。
【0041】
図４Ａに示す部分Ｂの断面図を図４Ｂに示し、図４Ａに示す部分Ｃの断面図を図４Ｃに示す。図４Ｂからわかるように、端子２２０は、画素アレイ２００の外側の絶縁膜２５０内に設けられ、外部から負のバイアス電位が供給される。この端子２２０は、絶縁膜２５０に設けられた開口２５２の側面に配置されかつ絶縁膜２５０の上面および保護層７０の上面に配置された配線２３０に接続される。この配線２３０は保護層７０上に配置された遮光部材９０に接続される。すなわち、負のバイアス電位は端子２２０および配線２３０を介して遮光部材９０、８０に供給される。
【0042】
また、図４Ｃからわかるように、端子２１０は、画素アレイ２００の外側の絶縁膜２５０内に設けられ、外部から接地電位が供給される。この端子２１０は、絶縁膜２５０に設けられた開口２５４の側面に配置されかつ絶縁膜２５０の上面に配置された配線２４０に接続される。この配線２４０は保護層７０内の開口を介して透明電極層６０に接続される。すなわち、接地電位は端子２１０および配線２４０を介して透明電極層６０に供給される。なお、この第１実施形態は、図２Ａ乃至図２Ｄに示すように、画素領域３００を囲む遮光部材８０が構成する略四角形の各角部が接続されていないので、半導体基板へのストレスが低いものとなる。
【0043】
以上説明したように、第１実施形態の撮像装置によれば、透明電極層より上層における混色を抑制することができる。また、画素間遮光部を構成する遮光部材８０、９０に印加する電圧と透明電極層６０に印加する電圧を異なるようにすることができ、光電変換層４０のピニング形成を行うことができる。
（第１変形例）
第１実施形態の第１変形例による撮像装置の断面を図５に示す。また、第１変形例の撮像装置を、図５に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図６Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図６Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図６Ｃに示す。図５乃至図６Ｃから分かるように、第１変形例の撮像装置は、図１に示す第１実施形態の撮像装置とは、バッファ層３０に接する遮光部材８０の先端部が異なった形状を備えている。第１実施形態における遮光部材８０は光電変換層４０においては、断面形状が一定である。しかし、第１変形例においては、先端部が尖型形状を有している。
（第１変形例）
第１実施形態の第１変形例による撮像装置の断面を図５に示す。また、第１変形例の撮像装置を、図５に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図６Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図６Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図６Ｃに示す。図５乃至図６Ｃから分かるように、第１変形例の撮像装置は、図１に示す第１実施形態の撮像装置とは、バッファ層３０に接する遮光部材８０の先端部が異なった形状を備えている。第１実施形態における遮光部材８０は光電変換層４０においては、断面形状が一定である。しかし、第１変形例においては、先端部が尖型形状を有している。
【0044】
第１変形例のように、遮光部材８０の先端部を尖型とすることにより、第１実施形態に比べて、遮光部材８０の先端部における混色の耐性を上昇させることができる。なお、この第１変形例も第１実施形態と同様に、透明電極層より上層における混色を抑制することができる。また、画素間遮光部を構成する遮光部材８０、９０に印加する電圧と透明電極層６０に印加する電圧を異なるようにすることができ、光電変換層４０のピニング形成を行うことができる。
（第２変形例）
第１実施形態の第２変形例による撮像装置の断面を図７に示す。また、第１変形例の撮像装置を、図７に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図８Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図８Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図８Ｃに示す。図７乃至図８Ｃから分かるように、第２変形例の撮像装置は、図１に示す第１実施形態の撮像装置とは、バッファ層３０に接する遮光部材８０の先端部が異なった形状を備えている。第２変形例においては、遮光部材８０は、先端部の断面積が他の部分（例えばバッファ層５０に近い部分）の断面積よりも大きい形状を有している。
（第２変形例）
第１実施形態の第２変形例による撮像装置の断面を図７に示す。また、第１変形例の撮像装置を、図７に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図８Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図８Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図８Ｃに示す。図７乃至図８Ｃから分かるように、第２変形例の撮像装置は、図１に示す第１実施形態の撮像装置とは、バッファ層３０に接する遮光部材８０の先端部が異なった形状を備えている。第２変形例においては、遮光部材８０は、先端部の断面積が他の部分（例えばバッファ層５０に近い部分）の断面積よりも大きい形状を有している。
【0045】
第２変形例のように、遮光部材８０の先端部の断面積を他の部分の断面積よりも大きい形状を有することにより、第１実施形態に比べて、遮光部材８０の先端部における混色の耐性を上昇させることができる。なお、この第２変形例も第１実施形態と同様に、透明電極層より上層における混色を抑制することができる。また、画素間遮光部を構成する遮光部材８０、９０に印加する電圧と透明電極層６０に印加する電圧を異なるようにすることができ、光電変換層４０のピニング形成を行うことができる。
【0046】
（第２実施形態）
第２実施形態による撮像装置の断面を図９に示し、図９に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図１０Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図１０Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図１０Ｃに示す。
第２実施形態による撮像装置の断面を図９に示し、図９に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図１０Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図１０Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図１０Ｃに示す。
【0047】
この第２実施形態の撮像装置は、図１に示す撮像装置において、遮光部材８０を遮光部材８４および遮光部材８６に分割するとともに、配線積層構造体２０を配線積層構造体２０Ａに置き換えた構造を有している。遮光部材８４は、バッファ層５０から光電変換層４０およびバッファ層３０を貫通する構造を有し、側面に絶縁膜８１が設けられている。なお、遮光部材８４が絶縁材を含む場合は、絶縁膜８１は削除してもよい。遮光部材８６は保護層７０および透明電極層６０を貫通し、バッファ層５０内に達する。遮光部材８６の側面および底面には絶縁膜８３が設けられ、遮光部材８４と遮光部材８６は電気的に接続しない構成となっている。遮光部材９０は、図１０Ａおよび図２Ａから分かるように保護層７０上では第１実施形態の遮光部材９０と同じ断面構造を有している。また、遮光部材８６は、図１０Ｂおよび図２Ｃからわかるように透明電極層６０内においては、第１実施形態の遮光部材８０と同じ形状を有している。
【0048】
配線積層構造体２０Ａには、絶縁膜２２内に配置された配線２４、２４ａが配置され、配線２４ａは負のバイアス電位を遮光部材８４に供給する。遮光部材８４は、光電変換層４０において、図１０Ｃに示すように断面形状が図２Ｄに示す第１実施形態の遮光部材８０とは異なっており、各画素領域３００を取り囲むように、四角形の格子状に配置される。また、遮光部材８４は、格子点において、配線２４ａに電気的に接続される。
【0049】
このように構成された第２実施形態の撮像装置は、光電変換層４０において各画素の側面が四角形の格子状の遮光部材８４、すなわち画素間遮光膜によって完全に取り囲まれているため、第１実施形態にくらべて、混色の更なる抑制を行うことができる。また、遮光部材９０および遮光部材８６には、遮光部材８４とは異なるバイアス電位を印加することができる。
【0050】
（製造方法）
次に、第２実施形態の撮像装置の製造方法について図１１Ａ乃至１１Ｉを参照して説明する。まず、図１１Ａに示すように、例えばシリコンを含む半導体基板１０上に、配線積層構造体２０Ａ、バッファ層３０、光電変換層４０、およびバッファ層５０を順次積層する。その後、バッファ層５０上にマスク１００を形成し、このマスクにリソグラフィー技術を用いてパターニングを行う。このパタ－ニングは、図１０Ｃに示す格子状の遮光部材を形成するためのものである。続いて、パターニングされたマスク１００を用いて、バッファ層５０、光電変換層４０、およびバッファ層３０をエッチングし、配線積層構造体２０Ａの上面に達する開口１０４を形成する。その後、マスク１００を除去する。
次に、第２実施形態の撮像装置の製造方法について図１１Ａ乃至１１Ｉを参照して説明する。まず、図１１Ａに示すように、例えばシリコンを含む半導体基板１０上に、配線積層構造体２０Ａ、バッファ層３０、光電変換層４０、およびバッファ層５０を順次積層する。その後、バッファ層５０上にマスク１００を形成し、このマスクにリソグラフィー技術を用いてパターニングを行う。このパタ－ニングは、図１０Ｃに示す格子状の遮光部材を形成するためのものである。続いて、パターニングされたマスク１００を用いて、バッファ層５０、光電変換層４０、およびバッファ層３０をエッチングし、配線積層構造体２０Ａの上面に達する開口１０４を形成する。その後、マスク１００を除去する。
【0051】
次に、図１１Ｂに示すように、開口１０４の側面に絶縁膜８１を形成する。なお、開口１０４の底面にも絶縁膜８１が形成されるが除去する。続いて、図１１Ｃに示すように、開口１０４を例えばタングステンを含む金属で埋め込む。このとき、バッファ層５０の上面にも金属層が形成される。この金属層は図１１Ｄに示すように例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて削除され、開口１０４内に遮光部材８４が形成される。
【0052】
次に、図１１Ｅに示すように、遮光部材８４およびバッファ層５０を覆うように、透明電極層６０を形成する。続いて、図１１Ｆに示すように、透明電極層６０上に保護層７０を形成し、さらに保護層７０上にパターニングされたマスク１０６を形成する。このパターニングされたマスク１０６は遮光部材８６を形成するためのものである。その後、マスク１０６を用いて保護層７０および透明電極層６０をエッチングし、開口１０７を形成する。その後、マスク１０６を除去する（図１１Ｇ）。
【0053】
次に、図１１Ｈに示すように、開口１０７の底面および側面に絶縁膜８３を形成する。続いて、図１１Ｉに示すように、開口１０７を埋め込むとともに保護層７０上に、例えばタングステンを含む金属膜を形成する。このとき、開口１０７に埋め込まれた金属膜は遮光部材８６となる。その後、保護層７０上の金属膜をパターニングすることにより、保護層７０上に遮光部材９０を形成する。これにより、第２実施形態の撮像装置が完成する。
【0054】
以上説明したように、第２実施形態の撮像装置は、第１実施形態の撮像装置と同様に、透明電極層より上層における混色を抑制することができる。また、透明電極層よりも下層における混色を第１実施形態に比べて、より抑制することができる。
【0055】
（変形例）
第２実施形態の変形例による撮像装置の断面を図１２に示し、図１２に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図１３Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図１３Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図１３Ｃに示す。
第２実施形態の変形例による撮像装置の断面を図１２に示し、図１２に示す切断面Ａ－Ａで切断した断面を図１３Ａに示し、切断面Ｂ－Ｂで切断した断面を図１３Ｂに示し、切断面Ｃ－Ｃで切断した断面を図１３Ｃに示す。
【0056】
この変形例の撮像装置は、遮光部材８６が透明電極層６０を貫通しない構造を有している以外は、図９に示す撮像装置と同じ構造を備えている。すなわち、この変形例においては、遮光部材８６の底面がバッファ層５０の上面に達せず、透明電極層６０の途中に位置する。
【0057】
この変形例の撮像装置も第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【0058】
（第３実施形態）
第３実施形態による撮像装置について図１４を参照して説明する。第１実施形態および第２実施形態ならびにそれらの変形例の撮像装置のいずれかにおいて、透明電極層６０における遮光部材８０または８６の断面形状は、図２Ｃに示すように、各辺が接続されない略四角形状を有している。
第３実施形態による撮像装置について図１４を参照して説明する。第１実施形態および第２実施形態ならびにそれらの変形例の撮像装置のいずれかにおいて、透明電極層６０における遮光部材８０または８６の断面形状は、図２Ｃに示すように、各辺が接続されない略四角形状を有している。
【0059】
第３実施形態の撮像装置は、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１４に示す。第３実施形態における遮光部材８０は、図１４に示すように、画素領域３００を囲むように配置され、図１４において左右方向（第１方向）に沿って延びる第１部分８０ａおよび第２部分８０ｂと、図１４において上下方向（第２方向）に延びる第３部分８０ｃおよび第４部分８０ｄとを備えている。そして、第３部分８０ｃおよび第４部分８０ｄは、第１部分８０ａと第２部分８０ｂとの間の領域に配置される。すなわち、画素領域３００を囲むように配置された第１部分８０ａ、第２部分８０ｂ、第３部分８０ｃ、第４部分８０ｄは、略四角形状の辺を構成し、これらの辺は、それぞれ接続されないように配置される。すなわち、第３部分８０ｃは第１部分８０ａおよび第２部分８０ｂと接続せず、分８０ｄは第１部分８０ａおよび第２部分８０ｂと接続しないように配置される。
【0060】
この実施形態においては、第１部分８０ａおよび第２部分８０ｂが第１方向に沿って延びているので、ある画素領域３００の透明電極層６０は、第１方向に隣接する画素領域の透明電極層と電気的に接続される。しかし、第２方向に隣接する画素領域の透明電極層とは電気的に接続されない。このため、第１実施形態および第２実施形態ならびにそれらの変形例に比べて、第２方向からの混色を、より抑制することができる。
【0061】
（第４実施形態）
第４実施形態の撮像装置について、図１５を参照して説明する。この第４実施形態の撮像装置は、第３実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１５に示す形状に変えた構成を有している。
第４実施形態の撮像装置について、図１５を参照して説明する。この第４実施形態の撮像装置は、第３実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１５に示す形状に変えた構成を有している。
【0062】
この第４実施形態の遮光部材８０は、図１５に示すように、第１方向に沿って延びた第１部分８０ａおよび第２部分８０ｂと、第１方向に交差する第２方向に沿って延びた第３部分８０ｃおおよび第４部分８０ｄを有している。これらの第１乃至第４部分８０ａ～８０ｄは、互いに交差せずに配置されている。第１部分８０ａの一部分、第２部分８０ｂの一部分、第３部分８０ｃの一部分、および第４部分８０ｄの一部分がそれぞれ、画素領域３００を囲む略四角形状の辺を構成している。
【0063】
第１部分８０ａは第１方向に沿って配置された第１端部８０ａ１および第２端部８０ａ２を有し、第２部分８０ｂは第１方向に沿って配置された第３端部８０ｂ１および第４端部８０ｂ２を有し、第３部分８０ｃは第２方向に沿って配置された第５端部８０ｃ１および第６端部８０ｃ２を有し、第４部分８０ｄは第２方向に沿って配置された第７端部８０ｄ１および第８端部８０ｄ２を有している。第１部分８０ａの一部（例えば、中央部）から第２端部８０ａ２までの部分が略四角形の辺を構成し、第２部分８０ｂの一部（例えば、中央部）から第４端部８０ｂ２までの部分が略四角形の辺を構成し、第３部分８０ｃの一部（例えば、中央部）から第６端部８０ｃ２までの部分が略四角形の辺を構成し、第４部分８０ｄの一部（例えば、中央部）から第８端部８０ｄ２までの部分が略四角形の辺を構成する。
【0064】
したがって、第１部分８０ａにおいて第１端部８０ａ１から第２端部８０ａ２に向かう方向が第３部分８０ｃの第５端部８０ｃ１と第６端部８０ｃ２との間に位置しかつ第２端部８０ａ２が第３部分８０ｃに接続しない。第２部分８０ｂにおいて第３端部８０ｂ１から第４端部８０ｂ２に向かう方向が第４部分８０ｄの第７端部８０ｄ１と第８端部８０ｄ２との間に位置しかつ第４端部８０ｂ２が第４部分８０ｄに接続しない。第３部分８０ｃにおいて第５端部８０ｃ１から第６端部８０ｃ２に向かう方向が第２部分８０ｂの第３端部８０ｂ１と第４端部８０ｂ２との間に位置しかつ第６端部８０ｃ２が第２部分８０ｂに接続しない。第４部分８０ｄにおいて第７端部８０ｄ１から第８端部８０ｄ２に向かう方向が第１部分８０ａの第１端部８０ａ１と第２端部８０ａ２との間に位置し第８端部８０ｄ２が第１部分８０ａに接続しない。
【0065】
このように構成された第４実施形態においては、画素の略四角形の角部はそれぞれ、この角部を構成する辺とは接続されていない。このため、すべての画素領域３００は電気的に接続されて、各画素に対して透明電極層を電気的に接続するための配線が不要となり、レイアウトを容易に行うことができる。また、第４実施形態も第１実施形態と同様に、混色が生じるのを抑制することができる。なお、この第５実施形態においては、第１乃至第４部分の長さを長くすることができるため、加工時に半導体基板が反るのを抑制することができる。
【0066】
（第５実施形態）
第５実施形態の撮像装置について、図１６を参照して説明する。この第５実施形態の撮像装置は、第４実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１６に示す形状に変えた構成を有している。
第５実施形態の撮像装置について、図１６を参照して説明する。この第５実施形態の撮像装置は、第４実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１６に示す形状に変えた構成を有している。
【0067】
この第５実施形態の遮光部材８０は、図１６に示すように、第１方向に沿って延びた第１部分８０ａおよび第２部分８０ｂと、第１方向に交差する第２方向に沿って延びた第３部分８０ｃおおよび第４部分８０ｄを有している。第１部分８０ａは第４部分８０ｄと互いに中央部で接続するが第３部分８０ｃとは接続せず、第２部分８０ｂは第３部分８０ｃと互いに中央部で接続するが第４部分８０ｄとは接続しない。第１部分８０ａの一部分、第２部分８０ｂの一部分、第３部分８０ｃの一部分、および第４部分８０ｄの一部分がそれぞれ、画素領域３００を囲む略四角形状の辺を構成している。
【0068】
第１部分８０ａは第１方向に沿って配置された第１端部８０ａ１および第２端部８０ａ２を有し、第２部分８０ｂは第１方向に沿って配置された第３端部８０ｂ１および第４端部８０ｂ２を有し、第３部分８０ｃは第２方向に沿って配置された第５端部８０ｃ１および第６端部８０ｃ２を有し、第４部分８０ｄは第２方向に沿って配置された第７端部８０ｄ１および第８端部８０ｄ２を有している。第１部分８０ａの中央部から第２端部８０ａ２までの部分が略四角形の辺を構成し、第２部分８０ｂの中央部から第４端部８０ｂ２までの部分が略四角形の辺を構成し、第３部分８０ｃの中央部から第５端部８０ｃ１までの部分が略四角形の辺を構成し、第４部分８０ｄの中央部から第７端部８０ｄ１までの部分が略四角形の辺を構成する。
【0069】
したがって、画素領域３００を区画する遮光部材８０の透明電極層６０における断面形状の略四角形は、第１部分８０ａと第３部分とが構成する角部は接続されず、第１部分８０ａと第３部分とが構成する角部は接続されない。
【0070】
このように構成された第５実施形態においては、画素領域３００の略四角形の対角に位置する２つの角部は、これらの角部を構成する辺とは接続されていない。このため、すべての画素領域３００は電気的に接続されて、各画素に対して透明電極層を電気的に接続するための配線が不要となり、レイアウトを容易に行うことができる。また、第５実施形態も第１実施形態と同様に、混色が生じるのを抑制することができる。なお、この第５実施形態においては、第１乃至第４部分の長さを長くすることができるため、加工時に半導体基板が反るを抑制することができる。
（第６実施形態）
第６実施形態の撮像装置について、図１７を参照して説明する。この第６実施形態の撮像装置は、第１実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１７に示す形状に変えた構成を有している。
（第６実施形態）
第６実施形態の撮像装置について、図１７を参照して説明する。この第６実施形態の撮像装置は、第１実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１７に示す形状に変えた構成を有している。
【0071】
この第６実施形態の遮光部材８０は、図２Ｃに示す第１実施形態の遮光部材８０のように、略四角形状に配置され互いに接続しない第１部分８０ａ、第２部分８０ｂ、第３部分８０ｃ、および第４部分８０ｄを備え、更に、略四角形の角部に第５部分８０ｅ、第６部分８０ｆ、第７部分８０ｇ、第８部分８０ｈが配置された構成を備えている。第５部分８０ｅは第１部分８０ａと第３部分８０ｃが構成する角部に配置されかつ第１部分８０ａおよび第３部分８０ｃとは接続しないように配置される。第６部分８０ｆは第３部分８０ｃと第２部分８０ｂが構成する角部に配置されかつ第３部分８０ｃおよび第２部分８０ｂとは接続しないように配置される。第７部分８０ｇは第２部分８０ｂと第４部分８０ｄが構成する角部に配置されかつ第２部分８０ｂおよび第４部分８０ｄとは接続しないように配置される。第８部分８０ｈは第４部分８０ｄと第１部分８０ａが構成する角部に配置されかつ第４部分８０ｄおよび第１部分８０ａとは接続しないように配置される。
【0072】
このように構成された第６実施形態においては、画素領域３００の略四角形の対角に位置する４つの角部には第５部分８０ｅ乃至第８部分８０ｈが配置され、これらの第１乃至第８部分８０ａ～８０ｈは、互いに接続しないように配置される。このため、すべての画素領域３００は電気的に接続されて、各画素に対して透明電極層を電気的に接続するための配線が不要となり、レイアウトを容易に行うことができる。また、第６実施形態は、略四角形の各角部に第５乃至第８部分８０ｅ～８０ｈが配置されているため、第１実施形態の場合に比べて斜め方向から隣接画素から光の侵入を抑制することが可能となり、混色が生じるのをより抑制することができる。なお、この第６実施形態においては、略四角形の角部に第５乃至第８部分が配置されるため、加工時に半導体基板が反るを抑制することができる。
【0073】
（第７実施形態）
第７実施形態の撮像装置について、図１８を参照して説明する。この第７実施形態の撮像装置は、第６実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１８に示す形状に変えた構成を有している。
第７実施形態の撮像装置について、図１８を参照して説明する。この第７実施形態の撮像装置は、第６実施形態の撮像装置において、透明電極層６０における遮光部材８０の断面形状を図１８に示す形状に変えた構成を有している。
【0074】
この第７実施形態の遮光部材８０は、図１７に示す第６実施形態の遮光部材８０において、略四角形の角部に配置された第５部分８０ｅ、第６部分８０ｆ、第７部分８０ｇ、第８部分８０ｈをそれぞれ、対応する角部から画素領域３００の内側の領域に移動した配置を備えている。第５部分８０ｅは第１部分８０ａと第３部分８０ｃが構成する角部から画素領域３００の内側に移動されかつ第１部分８０ａおよび第３部分８０ｃとは接続しないように配置される。第６部分８０ｆは第３部分８０ｃと第２部分８０ｂが構成する角部から画素領域３００の内側に移動されかつ第３部分８０ｃおよび第２部分８０ｂとは接続しないように配置される。第７部分８０ｇは第２部分８０ｂと第４部分８０ｄが構成する角部から画素領域３００の内側に移動されかつ第２部分８０ｂおよび第４部分８０ｄとは接続しないように配置される。第８部分８０ｈは第４部分８０ｄと第１部分８０ａが構成する角部から画素領域３００の内側に移動されかつ第４部分８０ｄおよび第１部分８０ａとは接続しないように配置される。なお、第１乃至第８部分は互いに接続しないように配置される。
【0075】
このように構成された第７実施形態においては、第５乃至第８部分８０ｅ～８０ｈが画素領域３００の略四角形の角部よりも画素領域３００の内側に配置され、かつこれらの第１乃至第８部分８０ａ～８０ｈは、互いに接続しないように配置される。このため、すべての画素領域３００は電気的に接続されて、各画素に対して透明電極層を電気的に接続するための配線が不要となり、レイアウトを容易に行うことができる。また、第６実施形態は、略四角形の各角部よりも画素領域３００の内側に第５乃至第８部分８０ｅ～８０ｈが配置されているため、第１実施形態の場合に比べて斜め方向から隣接画素から光の侵入を抑制することが可能となり、混色が生じるのをより抑制することができる。なお、この第７実施形態においては、略四角形の角部よりも内側に第５乃至第８部分が配置されるため、加工時に半導体基板が反るを抑制することができる。
【0076】
（応用例）
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット、建設機械、農業機械（トラクター）などのいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【0077】
図１９は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システム７０００の概略的な構成例を示すブロック図である。車両制御システム７０００は、通信ネットワーク７０１０を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１９に示した例では、車両制御システム７０００は、駆動系制御ユニット７１００、ボディ系制御ユニット７２００、バッテリ制御ユニット７３００、車外情報検出ユニット７４００、車内情報検出ユニット７５００、及び統合制御ユニット７６００を備える。これらの複数の制御ユニットを接続する通信ネットワーク７０１０は、例えば、ＣＡＮ（Controller Area Network）、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）、ＬＡＮ（Local Area Network）又はＦｌｅｘＲａｙ（登録商標）等の任意の規格に準拠した車載通信ネットワークであってよい。
【0078】
各制御ユニットは、各種プログラムにしたがって演算処理を行うマイクロコンピュータと、マイクロコンピュータにより実行されるプログラム又は各種演算に用いられるパラメータ等を記憶する記憶部と、各種制御対象の装置を駆動する駆動回路とを備える。各制御ユニットは、通信ネットワーク７０１０を介して他の制御ユニットとの間で通信を行うためのネットワークＩ／Ｆを備えるとともに、車内外の装置又はセンサ等との間で、有線通信又は無線通信により通信を行うための通信Ｉ／Ｆを備える。図１９では、統合制御ユニット７６００の機能構成として、マイクロコンピュータ７６１０、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０、音声画像出力部７６７０、車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０及び記憶部７６９０が図示されている。他の制御ユニットも同様に、マイクロコンピュータ、通信Ｉ／Ｆ及び記憶部等を備える。
【0079】
駆動系制御ユニット７１００は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット７１００は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。駆動系制御ユニット７１００は、ＡＢＳ（Antilock Brake System）又はＥＳＣ（Electronic Stability Control）等の制御装置としての機能を有してもよい。
【0080】
駆動系制御ユニット７１００には、車両状態検出部７１１０が接続される。車両状態検出部７１１０には、例えば、車体の軸回転運動の角速度を検出するジャイロセンサ、車両の加速度を検出する加速度センサ、あるいは、アクセルペダルの操作量、ブレーキペダルの操作量、ステアリングホイールの操舵角、エンジン回転数又は車輪の回転速度等を検出するためのセンサのうちの少なくとも一つが含まれる。駆動系制御ユニット７１００は、車両状態検出部７１１０から入力される信号を用いて演算処理を行い、内燃機関、駆動用モータ、電動パワーステアリング装置又はブレーキ装置等を制御する。
【0081】
ボディ系制御ユニット７２００は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット７２００は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット７２００には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット７２００は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
【0082】
バッテリ制御ユニット７３００は、各種プログラムにしたがって駆動用モータの電力供給源である二次電池７３１０を制御する。例えば、バッテリ制御ユニット７３００には、二次電池７３１０を備えたバッテリ装置から、バッテリ温度、バッテリ出力電圧又はバッテリの残存容量等の情報が入力される。バッテリ制御ユニット７３００は、これらの信号を用いて演算処理を行い、二次電池７３１０の温度調節制御又はバッテリ装置に備えられた冷却装置等の制御を行う。
【0083】
車外情報検出ユニット７４００は、車両制御システム７０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット７４００には、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０のうちの少なくとも一方が接続される。撮像部７４１０には、ＴｏＦ（Time Of Flight）カメラ、ステレオカメラ、単眼カメラ、赤外線カメラ及びその他のカメラのうちの少なくとも一つが含まれる。車外情報検出部７４２０には、例えば、現在の天候又は気象を検出するための環境センサ、あるいは、車両制御システム７０００を搭載した車両の周囲の他の車両、障害物又は歩行者等を検出するための周囲情報検出センサのうちの少なくとも一つが含まれる。
【0084】
環境センサは、例えば、雨天を検出する雨滴センサ、霧を検出する霧センサ、日照度合いを検出する日照センサ、及び降雪を検出する雪センサのうちの少なくとも一つであってよい。周囲情報検出センサは、超音波センサ、レーダ装置及びＬＩＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）装置のうちの少なくとも一つであってよい。これらの撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０は、それぞれ独立したセンサないし装置として備えられてもよいし、複数のセンサないし装置が統合された装置として備えられてもよい。
【0085】
ここで、図２０は、撮像部７４１０及び車外情報検出部７４２０の設置位置の例を示す。撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６，７９１８は、例えば、車両７９００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部のうちの少なくとも一つの位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部７９１０及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として車両７９００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部７９１２，７９１４は、主として車両７９００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部７９１６は、主として車両７９００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部７９１８は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
【0086】
なお、図２０には、それぞれの撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲ａは、フロントノーズに設けられた撮像部７９１０の撮像範囲を示し、撮像範囲ｂ，ｃは、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部７９１２，７９１４の撮像範囲を示し、撮像範囲ｄは、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部７９１６の撮像範囲を示す。例えば、撮像部７９１０，７９１２，７９１４，７９１６で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両７９００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【0087】
車両７９００のフロント、リア、サイド、コーナ及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２２，７９２４，７９２６，７９２８，７９３０は、例えば超音波センサ又はレーダ装置であってよい。車両７９００のフロントノーズ、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部に設けられる車外情報検出部７９２０，７９２６，７９３０は、例えばＬＩＤＡＲ装置であってよい。これらの車外情報検出部７９２０～７９３０は、主として先行車両、歩行者又は障害物等の検出に用いられる。
【0088】
図１９に戻って説明を続ける。車外情報検出ユニット７４００は、撮像部７４１０に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像データを受信する。また、車外情報検出ユニット７４００は、接続されている車外情報検出部７４２０から検出情報を受信する。車外情報検出部７４２０が超音波センサ、レーダ装置又はＬＩＤＡＲ装置である場合には、車外情報検出ユニット７４００は、超音波又は電磁波等を発信させるとともに、受信された反射波の情報を受信する。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、降雨、霧又は路面状況等を認識する環境認識処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した情報に基づいて、車外の物体までの距離を算出してもよい。
【0089】
また、車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等を認識する画像認識処理又は距離検出処理を行ってもよい。車外情報検出ユニット７４００は、受信した画像データに対して歪補正又は位置合わせ等の処理を行うとともに、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを合成して、俯瞰画像又はパノラマ画像を生成してもよい。車外情報検出ユニット７４００は、異なる撮像部７４１０により撮像された画像データを用いて、視点変換処理を行ってもよい。
【0090】
車内情報検出ユニット７５００は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部７５１０が接続される。運転者状態検出部７５１０は、運転者を撮像するカメラ、運転者の生体情報を検出する生体センサ又は車室内の音声を集音するマイク等を含んでもよい。生体センサは、例えば、座面又はステアリングホイール等に設けられ、座席に座った搭乗者又はステアリングホイールを握る運転者の生体情報を検出する。車内情報検出ユニット７５００は、運転者状態検出部７５１０から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。車内情報検出ユニット７５００は、集音された音声信号に対してノイズキャンセリング処理等の処理を行ってもよい。
【0091】
統合制御ユニット７６００は、各種プログラムにしたがって車両制御システム７０００内の動作全般を制御する。統合制御ユニット７６００には、入力部７８００が接続されている。入力部７８００は、例えば、タッチパネル、ボタン、マイクロフォン、スイッチ又はレバー等、搭乗者によって入力操作され得る装置によって実現される。統合制御ユニット７６００には、マイクロフォンにより入力される音声を音声認識することにより得たデータが入力されてもよい。入力部７８００は、例えば、赤外線又はその他の電波を利用したリモートコントロール装置であってもよいし、車両制御システム７０００の操作に対応した携帯電話又はＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の外部接続機器であってもよい。入力部７８００は、例えばカメラであってもよく、その場合搭乗者はジェスチャにより情報を入力することができる。あるいは、搭乗者が装着したウェアラブル装置の動きを検出することで得られたデータが入力されてもよい。さらに、入力部７８００は、例えば、上記の入力部７８００を用いて搭乗者等により入力された情報に基づいて入力信号を生成し、統合制御ユニット７６００に出力する入力制御回路などを含んでもよい。搭乗者等は、この入力部７８００を操作することにより、車両制御システム７０００に対して各種のデータを入力したり処理動作を指示したりする。
【0092】
記憶部７６９０は、マイクロコンピュータにより実行される各種プログラムを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、及び各種パラメータ、演算結果又はセンサ値等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）を含んでいてもよい。また、記憶部７６９０は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）等の磁気記憶デバイス、半導体記憶デバイス、光記憶デバイス又は光磁気記憶デバイス等によって実現してもよい。
【0093】
汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、外部環境７７５０に存在する様々な機器との間の通信を仲介する汎用的な通信Ｉ／Ｆである。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、ＧＳＭ（登録商標）（Global System of Mobile communications）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ（登録商標）（Long Term Evolution）若しくはＬＴＥ－Ａ（LTE－Advanced）などのセルラー通信プロトコル、又は無線ＬＡＮ（Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）ともいう）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのその他の無線通信プロトコルを実装してよい。汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えば、基地局又はアクセスポイントを介して、外部ネットワーク（例えば、インターネット、クラウドネットワーク又は事業者固有のネットワーク）上に存在する機器（例えば、アプリケーションサーバ又は制御サーバ）へ接続してもよい。また、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０は、例えばＰ２Ｐ（Peer To Peer）技術を用いて、車両の近傍に存在する端末（例えば、運転者、歩行者若しくは店舗の端末、又はＭＴＣ（Machine Type Communication）端末）と接続してもよい。
【0094】
専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、車両における使用を目的として策定された通信プロトコルをサポートする通信Ｉ／Ｆである。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、例えば、下位レイヤのＩＥＥＥ８０２．１１ｐと上位レイヤのＩＥＥＥ１６０９との組合せであるＷＡＶＥ（Wireless Access in Vehicle Environment）、ＤＳＲＣ（Dedicated Short Range Communications）、又はセルラー通信プロトコルといった標準プロトコルを実装してよい。専用通信Ｉ／Ｆ７６３０は、典型的には、車車間（Vehicle to Vehicle）通信、路車間（Vehicle to Infrastructure）通信、車両と家との間（Vehicle to Home）の通信及び歩車間（Vehicle to Pedestrian）通信のうちの１つ以上を含む概念であるＶ２Ｘ通信を遂行する。
【0095】
測位部７６４０は、例えば、ＧＮＳＳ（Global Navigation Satellite System）衛星からのＧＮＳＳ信号（例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）衛星からのＧＰＳ信号）を受信して測位を実行し、車両の緯度、経度及び高度を含む位置情報を生成する。なお、測位部７６４０は、無線アクセスポイントとの信号の交換により現在位置を特定してもよく、又は測位機能を有する携帯電話、ＰＨＳ若しくはスマートフォンといった端末から位置情報を取得してもよい。
【0096】
ビーコン受信部７６５０は、例えば、道路上に設置された無線局等から発信される電波あるいは電磁波を受信し、現在位置、渋滞、通行止め又は所要時間等の情報を取得する。なお、ビーコン受信部７６５０の機能は、上述した専用通信Ｉ／Ｆ７６３０に含まれてもよい。
【0097】
車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、マイクロコンピュータ７６１０と車内に存在する様々な車内機器７７６０との間の接続を仲介する通信インタフェースである。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＮＦＣ（Near Field Communication）又はＷＵＳＢ（Wireless USB）といった無線通信プロトコルを用いて無線接続を確立してもよい。また、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、図示しない接続端子（及び、必要であればケーブル）を介して、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＨＤＭＩ（登録商標）（High-Definition Multimedia Interface、又はＭＨＬ（Mobile High-definition Link）等の有線接続を確立してもよい。車内機器７７６０は、例えば、搭乗者が有するモバイル機器若しくはウェアラブル機器、又は車両に搬入され若しくは取り付けられる情報機器のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。また、車内機器７７６０は、任意の目的地までの経路探索を行うナビゲーション装置を含んでいてもよい。車内機器Ｉ／Ｆ７６６０は、これらの車内機器７７６０との間で、制御信号又はデータ信号を交換する。
【0098】
車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、マイクロコンピュータ７６１０と通信ネットワーク７０１０との間の通信を仲介するインタフェースである。車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０は、通信ネットワーク７０１０によりサポートされる所定のプロトコルに則して、信号等を送受信する。
【0099】
統合制御ユニット７６００のマイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、各種プログラムにしたがって、車両制御システム７０００を制御する。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット７１００に対して制御指令を出力してもよい。例えば、マイクロコンピュータ７６１０は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行ってもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行ってもよい。
【0100】
マイクロコンピュータ７６１０は、汎用通信Ｉ／Ｆ７６２０、専用通信Ｉ／Ｆ７６３０、測位部７６４０、ビーコン受信部７６５０、車内機器Ｉ／Ｆ７６６０及び車載ネットワークＩ／Ｆ７６８０のうちの少なくとも一つを介して取得される情報に基づき、車両と周辺の構造物や人物等の物体との間の３次元距離情報を生成し、車両の現在位置の周辺情報を含むローカル地図情報を作成してもよい。また、マイクロコンピュータ７６１０は、取得される情報に基づき、車両の衝突、歩行者等の近接又は通行止めの道路への進入等の危険を予測し、警告用信号を生成してもよい。警告用信号は、例えば、警告音を発生させたり、警告ランプを点灯させたりするための信号であってよい。
【0101】
音声画像出力部７６７０は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１９の例では、出力装置として、オーディオスピーカ７７１０、表示部７７２０及びインストルメントパネル７７３０が例示されている。表示部７７２０は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。表示部７７２０は、ＡＲ（Augmented Reality）表示機能を有していてもよい。出力装置は、これらの装置以外の、ヘッドホン、搭乗者が装着する眼鏡型ディスプレイ等のウェアラブルデバイス、プロジェクタ又はランプ等の他の装置であってもよい。出力装置が表示装置の場合、表示装置は、マイクロコンピュータ７６１０が行った各種処理により得られた結果又は他の制御ユニットから受信された情報を、テキスト、イメージ、表、グラフ等、様々な形式で視覚的に表示する。また、出力装置が音声出力装置の場合、音声出力装置は、再生された音声データ又は音響データ等からなるオーディオ信号をアナログ信号に変換して聴覚的に出力する。
【0102】
なお、図１９に示した例において、通信ネットワーク７０１０を介して接続された少なくとも二つの制御ユニットが一つの制御ユニットとして一体化されてもよい。あるいは、個々の制御ユニットが、複数の制御ユニットにより構成されてもよい。さらに、車両制御システム７０００が、図示されていない別の制御ユニットを備えてもよい。また、上記の説明において、いずれかの制御ユニットが担う機能の一部又は全部を、他の制御ユニットに持たせてもよい。つまり、通信ネットワーク７０１０を介して情報の送受信がされるようになっていれば、所定の演算処理が、いずれかの制御ユニットで行われるようになってもよい。同様に、いずれかの制御ユニットに接続されているセンサ又は装置が、他の制御ユニットに接続されるとともに、複数の制御ユニットが、通信ネットワーク７０１０を介して相互に検出情報を送受信してもよい。
【0103】
【0104】
以上、添付図面を参照して本開示の実施形態をについて詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかである。これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【0105】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記効果とともに、または上記効果に代えて、本明細書の記載から当業者に明らかな他の効果を奏し得る。
【0106】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１） 半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、 前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えた撮像装置。
（２） 前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるよう配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素同士を分断するように配置された（１）記載の撮像装置。
（３） 前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置された（１）記載の撮像装置。
（４） 前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通するように配置された（１）乃至（３）のいずれかに記載の撮像装置。
（５） 前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置された（４）記載の撮像装置。
（６） 前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向に分離された（１）乃至（５）のいずれかに記載の撮像装置。
（７） 前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層を貫通し、かつ前記透明電極層を貫通しないように前記透明電極層の内部に配置された（６）記載の撮像装置。
（８） 前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置された（７）記載の撮像装置。
（９） 前記半導体基板と前記光電変換層との間に設けられた配線積層構造体を更に備え、前記第１遮光部は、前記配線積層構造体に電気的に接続される（７）または（８）記載の撮像装置。
（１０） 前記第１遮光部は、前記光電変換層の上面から下面まで貫通した電極を含み、前記電極は前記配線積層構造体に電気的に接続される（９）記載の撮像装置。
（１１） 前記第１遮光部は、前記画素の側部を取り囲むように配置された（６）記載の撮像装置。
（１２） 前記第２遮光部は前記透明電極層を貫通するように配置され、前記第遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている（６）記載の撮像装置。
（１３） 前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向において接続された（１）記載の撮像装置。
（１４） 前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通しかつ側部が絶縁膜に覆われ、前記第１遮光部は、前記光電変換層を貫通するように配置され、かつ前記第２遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている（１３）記載の撮像装置。
（１５） 前記第１遮光部における前記端部の断面積は他の部分の断面積より小さい（１４）記載の撮像装置。
（１６） 前記第１遮光部における前記端部の断面積は他の部分の断面積より大きい（１４）記載の撮像装置。
（１７） 前記保護層上に設けられた第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は前記第２遮光部に接続された（１３）記載の撮像装置。
（１８） 前記第１遮光部と前記第２遮光部は平面視したときに、少なくとも一部が重なるように配置された（１）乃至（１７）のいずれかに記載の撮像装置。
（１９） 前記透明電極層に接地電位を供給する第１配線と、前記第２遮光部に負のバイアス電位を供給する第２配線を更に備えた（１）乃至（１８）のいずれかに記載の撮像装置。
（２０） 撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、前記撮像装置は、半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えた、電子機器。
（２１） 前記第２遮光部は、前記透明電極層の上面側から見たときに、前記第１方向に延び対向する第１部分および第２部分と、前記第２方向に延び対向する第３部分および第４部分と、を有し、前記第１乃至第４部分は前記区画された画素を囲む略四角形の辺に対応し、前記略四角形の少なくとも２つの角部のそれぞれを構成する辺に対応する部分は接続されていない（１）記載の撮像装置。
（２２） 前記略四角形のそれぞれの角部を構成する辺に対応する部分は接続されていない（２１）記載の撮像装置。
（２３） 前記第３部分および前記第４部分はそれぞれ、前記第１部分と前記第２部分との間の領域に配置される（２２）記載の撮像装置。
（２４） 前記第１部分は前記第１方向に配置された第１端部および第２端部を有し、前記第２部分は前記第１方向に配置された第３端部および第４端部を有し、前記第３部分は前記第２方向に配置された第５端部および第６端部を有し、前記第４部分は前記第２方向に配置された第７端部および第８端部を有し、前記第１部分の一部から前記第２端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第２部分の一部から前記第４端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第３部分の一部から前記第６端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第４部分の一部から前記第８端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第１部分において前記第１端部から前記第２端部に向かう方向が前記第３部分の前記第５端部と前記第６端部との間に位置しかつ前記第２端部が前記第３部分に接続せず、前記第２部分において前記第３端部から前記第４端部に向かう方向が前記第４部分の前記第７端部と前記第８端部との間に位置しかつ前記第４端部が前記第４部分に接続せず、前記第３部分において前記第５端部から前記第６端部に向かう方向が前記第２部分の前記第３端部と前記第４端部との間に位置しかつ前記第６端部は前記第２部分に接続せず、前記第４部分において前記第７端部から前記第８端部に向かう方向が前記第１部分の前記第１端部と前記第２端部との間に位置しかつ前記第８端部は前記第１部分に接続しない請求項（２２）記載の撮像装置。
（２５） 前記第２遮光部は第５乃至第８部分を更に備え、前記第５部分は前記第１部分と前記第３部分とによって構成される角部に配置され、前記第６部分は前記第３部分と前記第２部分とによって構成される角部に配置され、前記第７部分は前記第２部分と前記第４部分とによって構成される角部に配置され、前記第８部分は前記第４部分と前記第１部分とによって構成される角部に配置されている（２２）記載の撮像装置。
（２６） 前記第２遮光部は第５乃至第８部分を更に備え、前記第５部分は前記第１部分と前記第３部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置され、前記第６部分は前記第３部分と前記第３部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置され、前記第７部分は前記第２部分と前記第４部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置され、前記第８部分は前記第４部分と前記第１部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置されている（２２）記載の撮像装置。
（２７） 前記第１部分は前記第４部分に接続するが前記第３部分に接続せず、前記第２部分は前記第３部分に接続するが前記第４部分に接続しない（２１）記載の撮像装置。
（１） 半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、 前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えた撮像装置。
（２） 前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるよう配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素同士を分断するように配置された（１）記載の撮像装置。
（３） 前記第２遮光部は、前記透明電極層における前記第１方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置され、かつ前記第２方向に沿って配列された画素の境界の一部分が途切れるように配置された（１）記載の撮像装置。
（４） 前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通するように配置された（１）乃至（３）のいずれかに記載の撮像装置。
（５） 前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置された（４）記載の撮像装置。
（６） 前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向に分離された（１）乃至（５）のいずれかに記載の撮像装置。
（７） 前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層を貫通し、かつ前記透明電極層を貫通しないように前記透明電極層の内部に配置された（６）記載の撮像装置。
（８） 前記保護層上に設けられ前記第２遮光部に接続される第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は、画素の境界に沿って格子状に配置された（７）記載の撮像装置。
（９） 前記半導体基板と前記光電変換層との間に設けられた配線積層構造体を更に備え、前記第１遮光部は、前記配線積層構造体に電気的に接続される（７）または（８）記載の撮像装置。
（１０） 前記第１遮光部は、前記光電変換層の上面から下面まで貫通した電極を含み、前記電極は前記配線積層構造体に電気的に接続される（９）記載の撮像装置。
（１１） 前記第１遮光部は、前記画素の側部を取り囲むように配置された（６）記載の撮像装置。
（１２） 前記第２遮光部は前記透明電極層を貫通するように配置され、前記第遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている（６）記載の撮像装置。
（１３） 前記第１遮光部と前記第２遮光部は積層方向において接続された（１）記載の撮像装置。
（１４） 前記透明電極層上に配置された保護層を更に備え、前記第２遮光部は、前記保護層の上面から前記保護層および前記透明電極層を貫通しかつ側部が絶縁膜に覆われ、前記第１遮光部は、前記光電変換層を貫通するように配置され、かつ前記第２遮光部の側部および端部は絶縁膜によって覆われている（１３）記載の撮像装置。
（１５） 前記第１遮光部における前記端部の断面積は他の部分の断面積より小さい（１４）記載の撮像装置。
（１６） 前記第１遮光部における前記端部の断面積は他の部分の断面積より大きい（１４）記載の撮像装置。
（１７） 前記保護層上に設けられた第３遮光部を更に備え、前記第３遮光部は前記第２遮光部に接続された（１３）記載の撮像装置。
（１８） 前記第１遮光部と前記第２遮光部は平面視したときに、少なくとも一部が重なるように配置された（１）乃至（１７）のいずれかに記載の撮像装置。
（１９） 前記透明電極層に接地電位を供給する第１配線と、前記第２遮光部に負のバイアス電位を供給する第２配線を更に備えた（１）乃至（１８）のいずれかに記載の撮像装置。
（２０） 撮像装置と、前記撮像装置で撮像された画素信号に基づいて信号処理を行う信号処理部と、を備え、前記撮像装置は、半導体基板上に配置された光電変換層と、前記光電変換層上に配置された透明電極層と、前記光電変換層を、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列される複数の画素に分離し分離された画素の境界に沿って配置された第１遮光部と、前記透明電極層の内部における前記分離された画素の境界に沿って配置され、かつ隣接する画素の境界の一部分が途切れるように配置された第２遮光部と、を備えた、電子機器。
（２１） 前記第２遮光部は、前記透明電極層の上面側から見たときに、前記第１方向に延び対向する第１部分および第２部分と、前記第２方向に延び対向する第３部分および第４部分と、を有し、前記第１乃至第４部分は前記区画された画素を囲む略四角形の辺に対応し、前記略四角形の少なくとも２つの角部のそれぞれを構成する辺に対応する部分は接続されていない（１）記載の撮像装置。
（２２） 前記略四角形のそれぞれの角部を構成する辺に対応する部分は接続されていない（２１）記載の撮像装置。
（２３） 前記第３部分および前記第４部分はそれぞれ、前記第１部分と前記第２部分との間の領域に配置される（２２）記載の撮像装置。
（２４） 前記第１部分は前記第１方向に配置された第１端部および第２端部を有し、前記第２部分は前記第１方向に配置された第３端部および第４端部を有し、前記第３部分は前記第２方向に配置された第５端部および第６端部を有し、前記第４部分は前記第２方向に配置された第７端部および第８端部を有し、前記第１部分の一部から前記第２端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第２部分の一部から前記第４端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第３部分の一部から前記第６端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第４部分の一部から前記第８端部までの部分が前記略四角形の辺を構成し、前記第１部分において前記第１端部から前記第２端部に向かう方向が前記第３部分の前記第５端部と前記第６端部との間に位置しかつ前記第２端部が前記第３部分に接続せず、前記第２部分において前記第３端部から前記第４端部に向かう方向が前記第４部分の前記第７端部と前記第８端部との間に位置しかつ前記第４端部が前記第４部分に接続せず、前記第３部分において前記第５端部から前記第６端部に向かう方向が前記第２部分の前記第３端部と前記第４端部との間に位置しかつ前記第６端部は前記第２部分に接続せず、前記第４部分において前記第７端部から前記第８端部に向かう方向が前記第１部分の前記第１端部と前記第２端部との間に位置しかつ前記第８端部は前記第１部分に接続しない請求項（２２）記載の撮像装置。
（２５） 前記第２遮光部は第５乃至第８部分を更に備え、前記第５部分は前記第１部分と前記第３部分とによって構成される角部に配置され、前記第６部分は前記第３部分と前記第２部分とによって構成される角部に配置され、前記第７部分は前記第２部分と前記第４部分とによって構成される角部に配置され、前記第８部分は前記第４部分と前記第１部分とによって構成される角部に配置されている（２２）記載の撮像装置。
（２６） 前記第２遮光部は第５乃至第８部分を更に備え、前記第５部分は前記第１部分と前記第３部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置され、前記第６部分は前記第３部分と前記第３部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置され、前記第７部分は前記第２部分と前記第４部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置され、前記第８部分は前記第４部分と前記第１部分とによって構成される角部に対応する前記画素の内側に配置されている（２２）記載の撮像装置。
（２７） 前記第１部分は前記第４部分に接続するが前記第３部分に接続せず、前記第２部分は前記第３部分に接続するが前記第４部分に接続しない（２１）記載の撮像装置。
【符号の説明】
【0107】
１０・・・半導体基板、２０・・・配線積層構造体、２２・・・絶縁膜、２４・・・配線層、３０・・・バッファ層、４０・・・光電変換層、５０・・・バッファ層、６０・・・透明電極層、７０・・・保護層、８０・・・遮光部材、８１・・・絶縁膜、８２・・・絶縁膜、８３・・・絶縁膜、８４・・・遮光部材、８６・・・遮光部材、９０・・・遮光部材、１００・・・マスク、１０２，１０４・・・開口、１０６・・・マスク、１０７・・・開口、１１０・・・金属膜、２００・・・画素アレイ、２１０，２２０・・・端子、２３０，２４０・・・配線、２５０・・・絶縁膜、２５２，２５４・・・開口、７０００・・・車両制御システム、７０１０・・・通信ネットワーク、７１００・・・駆動系制御ユニット、７１１０・・・車両状態検出部、７２００・・・ボディ系制御ユニット、７３００・・・バッテリ制御ユニット、７３１０・・・二次電池、７４００・・・車外情報検出ユニット、７４１０・・・撮像部、７４２０・・・車外情報検出部、７５００・・・車内情報検出ユニット、７５１０・・・運転者状態検出部、７６００・・・統合制御ユニット、７６１０・・・マイクロコンピュータ、７６２０・・・汎用通信Ｉ／Ｆ、７６３０・・・専用通信Ｉ／Ｆ、７６４０・・・測位部、７６５０・・・ビーコン受信部、７６６０・・・車内機器Ｉ／Ｆ、７６７０・・・音声画像出力部、７６８０・・・車載ネットワークＩ／Ｆ、７６９０・・・記憶部、７７１０・・・オーディオスピーカ、７７２０・・・表示部、７７３０・・・インストルメントパネル、７７５０・・・外部環境、７７６０・・・車内機器、７８００・・・入力部、７９００・・・車両、７９１０～７９１６・・・撮像部、７９２０～７９３０・・・車外情報検出部
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】
【図11A】
【図11B】
【図11C】
【図11D】
【図11E】
【図11F】
【図11G】
【図11H】
【図11I】
【図12】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】