特開 2022-182717 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022182717

(43)【公開日】2022-12-08

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20221201BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 T

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021090424

(22)【出願日】2021-05-28

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】竹中 芳紀

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB16

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD12

5E316DD17

5E316DD22

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE31

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG25

5E316HH01

5E316HH11

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、粒状の複数のフィラー４を含んでいる絶縁層２１と、絶縁層２１の厚さ方向において絶縁層２１を挟んで対向する上層導体層１２及び下層導体層１１と、絶縁層２１を貫通して上層導体層１２と下層導体層１１とを接続する貫通導体３１ａと、を備えている。貫通導体３１ａは絶縁層２１の厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅として第１長さＬ１を有していて第１長さＬ１は２５μｍ以下であり、複数のフィラー４のうち貫通導体３１ａから第１長さＬ１の４０％以内の領域Ｒに存在するフィラー４の最大粒径Ｐｘは、第１長さＬ１の２０％以下である。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

粒状の複数のフィラーを含んでいる絶縁層と、
前記絶縁層の厚さ方向において前記絶縁層を挟んで対向する上層導体層及び下層導体層と、
前記絶縁層を貫通して前記上層導体層と前記下層導体層とを接続する貫通導体と、
を備える配線基板であって、
前記貫通導体は前記厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅として第１長さを有していて前記第１長さは２５μｍ以下であり、
前記複数のフィラーのうち前記貫通導体から前記第１長さの４０％以内の領域に存在するフィラーの最大粒径は、前記第１長さの２０％以下である。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記絶縁層における前記貫通導体との界面は、前記複数のフィラー以外の前記絶縁層の構成要素によって構成されている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記絶縁層に含まれている前記複数のフィラー全部の粒径のうちの最大粒径は前記第１長さの２０％以下である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記絶縁層における前記複数のフィラーの体積含有率は、３０％以上、８０％以下である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、
前記貫通導体は、前記厚さ方向の一端において前記最大幅を有すると共に、前記一端と反対側の他端における前記厚さ方向と直交する方向に沿う幅として第２長さを有し、
前記絶縁層に含まれている前記複数のフィラー全部の粒径のうちの最大粒径は、前記第２長さの２０％以下である。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、
前記上層導体層又は前記下層導体層は、前記貫通導体と一体的に形成されている導体パッドを含み、
平面視で前記導体パッドと重なる領域に存在する前記複数のフィラーの最大粒径は、平面視における前記導体パッドの外縁から前記貫通導体の外縁までの距離よりも小さい。

【請求項7】

粒状の複数のフィラーを含む絶縁層を形成することと、
前記絶縁層を挟んで対向する２つの導体層をそれぞれ形成することと、
前記絶縁層を貫通して前記２つの導体層同士を接続する貫通導体を形成することと、
を含む配線基板の製造方法であって、
前記貫通導体は、前記絶縁層の厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅が２５μｍ以下となるように形成され、
前記絶縁層は、前記複数のフィラーとして前記最大幅の２０％を超える粒径を有するフィラーを含まない領域を有するように形成され、
前記貫通導体は前記領域の内部に形成される。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板の製造方法であって、前記絶縁層は、前記最大幅の２０％を超える粒径のフィラーを含まない前記複数のフィラーを含有する樹脂を用いて形成される。

【請求項9】

請求項７記載の配線基板の製造方法であって、前記貫通導体を形成することは、
前記絶縁層を厚さ方向に貫く貫通孔を形成することと、
前記複数のフィラーのうちの前記貫通孔の内壁面に露出するフィラーを除去することと、を含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、貫通導体を含む配線基板が開示されている。貫通導体は、無機絶縁層を貫通する貫通孔の内壁に被着していて、この無機絶縁層上に配された導電層に接続している。無機絶縁層は、無機絶縁粒子及び樹脂部を含む第１部分を含み、この第１部分と貫通導体との間に無機絶縁粒子が介在している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１４／１５７３４２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線基板では、第１部分と貫通導体との間に介在する無機絶縁粒子は無機絶縁層の貫通孔の内壁に露出していて、この内壁から貫通導体側に突出している。そのため、貫通導体の電気的特性や、貫通導体と無機絶縁層との密着強度が影響を受けることがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、粒状の複数のフィラーを含んでいる絶縁層と、前記絶縁層の厚さ方向において前記絶縁層を挟んで対向する上層導体層及び下層導体層と、前記絶縁層を貫通して前記上層導体層と前記下層導体層とを接続する貫通導体と、を備えている。そして、前記貫通導体は前記厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅として第１長さを有していて前記第１長さは２５μｍ以下であり、前記複数のフィラーのうち前記貫通導体から前記第１長さの４０％以内の領域に存在するフィラーの最大粒径は、前記第１長さの２０％以下である。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、粒状の複数のフィラーを含む絶縁層を形成することと、前記絶縁層を挟んで対向する２つの導体層をそれぞれ形成することと、前記絶縁層を貫通して前記２つの導体層同士を接続する貫通導体を形成することと、を含んでいる。そして、前記貫通導体は、前記絶縁層の厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅が２５μｍ以下となるように形成され、前記絶縁層は、前記複数のフィラーとして前記最大幅の２０％を超える粒径を有するフィラーを含まない領域を有するように形成され、前記貫通導体は前記領域の内部に形成される。

【0007】

本発明の実施形態によれば、絶縁層内の貫通導体の電気的特性の低下、及び／又は、貫通導体と絶縁層との密着強度の低下を抑制し得ることがある。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１のII部の拡大図。

【図3】図１に例示される配線基板を示す平面図。

【図4】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図5A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5G】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図5H】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6A】本発明の一実施例における貫通導体形成用の貫通孔のＳＥＭ画像。

【図6B】本発明に対する比較例における貫通導体形成用の貫通孔のＳＥＭ画像。

【図7】従来の配線基板において生じ得る問題を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の断面図が示されており、図２には、図１のII部の拡大図が示されている。また、図３には、図１の配線基板１００の平面図の一例が示されている。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、絶縁層２０と、絶縁層２０の両面それぞれに交互に積層された導体層及び絶縁層と、を含んでいる。絶縁層２０の第１面２０ａ上には、第１面２０ａ側から順に導体層１１（第１導体層）、絶縁層２１（第１絶縁層）、導体層１２（第２導体層）、絶縁層２２（第２絶縁層）、及び導体層１３（第３導体層）が積層されている。絶縁層２０の第２面２０ｂ上には導体層１５が形成されており、さらに２つの絶縁層２３それぞれと、２つの導体層１４それぞれとが交互に積層されている。絶縁層２０、導体層１１、及び導体層１５によって配線基板１００のコア基板が構成されている。導体層１１～１４及び絶縁層２１～２３は、コア基板の両面それぞれに逐次形成されており、配線基板１００のビルドアップ部を構成している。なお、図１に示される配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎず、実施形態の配線基板は、任意の層数の導体層及び絶縁層を有し得る。また、実施形態の配線基板は、コア基板を有さない所謂コアレス基板であってもよい。

【0011】

上記及び下記の説明において、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層２０から遠い側は、「上側」、「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層２０に近い側は、「下側」、「下方」、又は単に「下」とも称される。配線基板１００の各構成要素において絶縁層２０側を向く表面は「下面」とも称され、絶縁層２０と反対側を向く表面は「上面」とも称される。

【0012】

絶縁層２１は、絶縁層２０の上面２０ａ上に形成されている導体層１１上、及び上面２０ａ上に形成されていて、導体層１１及び上面２０ａを覆っている。絶縁層２２は、絶縁層２１上に形成されている導体層１２上、及び絶縁層２１上に形成されていて、導体層１２及び絶縁層２１を覆っている。導体層１３は、絶縁層２２上に形成されている。導体層１１と導体層１２は、絶縁層２１の厚さ方向において絶縁層２１を挟んで対向している。絶縁層２１に関して、導体層１１は導体層１２の下層導体層であり、導体層１２は導体層１１の上層導体層である。同様に、導体層１２と導体層１３は、絶縁層２２の厚さ方向において絶縁層２２を挟んで対向している。絶縁層２２に関して、導体層１２は導体層１３の下層導体層であり、導体層１３は導体層１２の上層導体層である。また、絶縁層２０の第２面２０ｂ側においても、各絶縁層２３に関して絶縁層２０側の導体層（導体層１４又は導体層１５）は下層導体層であり、各絶縁層２３に関して絶縁層２０と反対側の導体層（導体層１４）は上層導体層である。さらに、絶縁層２０に関して、導体層１１と導体層１５とが対向しており、導体層１１及び導体層１５のいずれか一方が上層導体層であり、他方が下層導体層である。

【0013】

配線基板１００は、さらに、各絶縁層を貫通する貫通導体３１ａ～３１ｄを備えている。貫通導体３１ａは絶縁層２１を貫通し、導体層１１と導体層１２とを接続している。同様に、貫通導体３１ｂは絶縁層２２を貫通し、導体層１２と導体層１３とを接続している。各貫通導体３１ｃは、各絶縁層２３を貫通し、導体層１４と導体層１５とを接続するか、導体層１４同士を接続している。貫通導体３１ａ～３１ｃは、配線基板１００のビルドアップ部を構成する各絶縁層に形成されている貫通導体であり、所謂ビア導体である。一方、貫通導体３１ｄは導体層１１と導体層１５とを接続している。貫通導体３１ｄは、コア基板の絶縁層２０を貫通してその両側の導体層同士を接続する貫通導体であり、所謂スルーホール導体である。

【0014】

図１の配線基板１００は、さらに、配線基板１００における絶縁層２０の第１面２０ａ側及び第２面２０ｂ側それぞれにおいて最表層の導体層及び絶縁層を覆うソルダーレジスト層６を備えている。ソルダーレジスト層６には、導体層１３及び導体層１４の一部を露出させる開口６１が設けられている。ソルダーレジスト層６は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの任意の絶縁性樹脂を用いて形成されている。

【0015】

絶縁層２０～２３は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。図示されていないが、各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。

【0016】

絶縁層２０～２３は、それぞれ、絶縁層２０～２３それぞれの特性を調整する充填剤として粒状の形態を有する複数のフィラー４を含んでいる。フィラー４によって、絶縁層２０～２３それぞれの、例えば、熱膨張率及び熱伝導率のような熱的特性、及び／又は、弾性率や柔軟性のような機械的特性などが調整され得る。複数のフィラー４としては、二酸化ケイ素（シリカ、ＳｉＯ₂）、アルミナ、又は、ムライトなどの無機物の粒体からなる無機フィラーが例示される。複数のフィラー４は、シリコーン又はポリイミドなどの有機物の粒体からなる有機フィラーであってもよい。

【0017】

導体層１１～１５及び貫通導体３１ａ～３１ｄは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。従って導体層１１～１５及び貫通導体３１ａ～３１ｄは、それぞれ、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。しかし、導体層１１～１５及び貫通導体３１ａ～３１ｄは、それぞれ、単一の金属層だけを含む単層構造を有していてもよい。

【0018】

導体層１１～１５それぞれは、所定の導体パッド及び／又は配線パターンを有するようにパターニングされている。例えば、導体層１１は導体パッド１１ａを、導体層１２は導体パッド１２ａを、導体層１３は導体パッド１３ａを、それぞれ含んでいる。導体パッド１１ａ、導体パッド１２ａ、及び導体パッド１３ａは、それぞれ、貫通導体３１ｄ、貫通導体３１ａ、及び貫通導体３１ｂと接続されている。導体パッド１１ａ、導体パッド１２ａ、及び導体パッド１３ａは、それぞれ、貫通導体３１ｄ、貫通導体３１ａ、及び貫通導体３１ｂと一体的に形成されている。導体パッド１１ａは貫通導体３１ｄの所謂スルーホールパッドであり、導体パッド１２ａ及び導体パッド１３ａは、それぞれ、貫通導体３１ａ及び貫通導体３１ｂの所謂ビアパッドである。各導体パッドによって各貫通導体と各導体層との接続の確実性が高められている。

【0019】

導体パッド１１ａは、さらに貫通導体３１ａと接続されており、導体パッド１２ａは、さらに貫通導体３１ｂと接続されている。導体パッド１１ａ及び導体パッド１２ａは、それぞれ、貫通導体３１ａ及び貫通導体３１ｂの所謂受けパッドである。導体パッド１１ａによって貫通導体３１ａと導体層１１との接続の確実性が高められ、導体パッド１２ａによって貫通導体３１ｂと導体層１２との接続の確実性が高められる。

【0020】

貫通導体３１ａ～３１ｄは、それぞれ、貫通孔３２ａ内に形成されており、配線基板１００の厚さ方向（以下、配線基板１００の厚さ方向及び配線基板１００の厚さ方向と平行な方向は、単に「Ｚ方向」とも称される）に沿って延びている。各貫通導体３１ａ～３１ｄは、Ｚ方向と直交する方向において「幅」を有している。各貫通導体の「幅」は、各貫通導体におけるＺ方向と直交する断面又は端面の外周の任意の２点間の距離のうちの最長距離である。各貫通導体は、その断面又は端面として円形状や楕円形状などの任意の形状を有し得る。各貫通導体の断面又は端面の形状が円形状、楕円形状、又は矩形状である場合、その貫通導体の「幅」は、それぞれ、断面形状又は端面形状における直径、長径、又は対角線の長さである。所謂ビア導体である貫通導体３１ａ～３１ｃの幅は「ビア径」とも称され、所謂スルーホール導体である貫通導体３１ｄの幅は「スルーホール径」とも称される。

【0021】

貫通導体３１ａ～３１ｄは、それぞれ、Ｚ方向（各貫通導体の軸方向）全体にわたって略一定の幅を有していてもよいが、図１の例のように、Ｚ方向の一に応じて変化する幅を有していてもよい。各貫通導体の最大の幅は各貫通導体の「第１長さ」とも称される。図１の例では貫通導体３１ａ～３１ｄはテーパー形状を有しているため、それぞれ、Ｚ方向の一端において最大幅を有している。具体的には、貫通導体３１ａ～３１ｃは、それぞれが貫通する絶縁層に対する上層導体層側の端面において最大幅を有している。また、貫通導体３１ａ～３１ｃは、それぞれが貫通する絶縁層に対する下層導体層側の端面において最小幅を有している。貫通導体３１ｄは、Ｚ方向の両端において最大幅を有し、Ｚ方向の略中心部において最小幅を有している。

【0022】

本実施形態では、配線基板１００を構成する１以上の絶縁層（図１の例では絶縁層２０～２３）のうちの少なくとも１つの絶縁層において、その少なくとも１つの絶縁層を貫通する貫通導体は、２５μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下の最大幅（第１長さ）を有している。配線基板１００の小型化が促進されると考えられる。図１の例では、例えば、貫通導体３１ａ～３１ｃのいずれか１以上が、２５μｍ以下の最大幅を有している。

【0023】

図１～図３に例示の配線基板１００では、図２に示されるように、導体層１１は、金属箔１０ａ、金属膜１０ｂ、及びめっき膜１０ｃを含む３層構造を有している。一方、導体層１２、並びに貫通導体３１ａ、３１ｂ、３１ｄは、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃを含む２層構造を有している。図示されていないが、導体層１５は導体層１１と同様の３層構造を、導体層１３及び導体層１４は導体層１２と同様の２層構造を、貫通導体３１ｃは貫通導体３１ｂと同様の２層構造を、それぞれ有し得る。金属箔１０ａは、例えば銅箔又はニッケル箔などであり、絶縁層２０の表面上に形成されている。金属膜１０ｂは、金属箔１０ａ上、又は各絶縁層の表面上に無電解めっき又はスパッタリングによって形成されている。めっき膜１０ｃは、例えば、金属膜１０ｂ上を給電層として用いる電解めっきによって形成されている。

【0024】

本実施形態における各貫通導体の最大幅と、各絶縁層に含まれるフィラー４の粒径との関係が、絶縁層２１、貫通導体３１ａ、並びに、絶縁層２１を挟んで対向する導体層１２（上層導体層）及び導体層１１（下層導体層）を例に、さらに説明される。図２が主に参照される。図２に示されるように、貫通導体３１ａは、導体層１２側の一端である導体層１２との界面において最大幅である第１長さＬ１を有している。図２の例の貫通導体３１ａは、２５μｍ以下の第１長さＬ１を有している。貫通導体３１ａは、導体層１２側の一端と反対側に位置する他端（導体層１１との界面）における幅として第２長さＬ２を有している。

【0025】

図２に示されるように、絶縁層２１に含まれる複数のフィラー４を構成する各フィラー４１～４４は任意の粒径を有している。複数のフィラー４それぞれの「粒径」は、複数のフィラー４それぞれの外表面における任意の２点間の距離のうちの最長距離である。

【0026】

本実施形態では、図２に示される絶縁層２１のように２５μｍ以下の第１長さＬ１を有する貫通導体によって貫通される絶縁層に含まれる複数のフィラー４は、第１長さＬ１の２０％以下の粒径を有するフィラーを含んでいる。「２５μｍ以下の第１長さＬ１を有する貫通導体によって貫通される絶縁層」は、以下では単に「対象絶縁層」とも称される。

【0027】

本実施形態では、さらに、対象絶縁層に含まれる複数のフィラー４のうち少なくとも各貫通導体（図２の例では貫通導体３１ａ）から第１長さＬ１の４０％以内の領域に存在するフィラーの最大粒径Ｐｘは、第１長さＬ１の２０％以下である。すなわち、対象絶縁層は、各貫通導体から第１長さＬ１の４０％以内の領域には、第１長さＬ１の２０％を超えるフィラー４１～４４を含んでいない。「各貫通導体から第１長さＬ１の４０％以内の領域」は、以下では単に、各貫通導体の「近傍領域Ｒ」とも称される。

【0028】

好ましくは、対象絶縁層に含まれる複数のフィラー４のうち少なくとも各貫通導体から第１長さＬ１の６０％以内の領域に存在するフィラーの最大粒径は、第１長さＬ１の２０％以下である。また好ましくは、対象絶縁層に含まれる複数のフィラー４のうち少なくとも各貫通導体の近傍領域Ｒに存在するフィラーの最大粒径は、第１長さＬ１の１０％以下である。さらに好ましくは、対象絶縁層に含まれる複数のフィラー４のうち少なくとも各貫通導体から第１長さＬ１の６０％以内の領域に存在するフィラーの最大粒径は、第１長さＬ１の１０％以下であってもよい。

【0029】

本実施形態では、このように少なくとも対象絶縁層において、貫通導体３１ａのような貫通導体の近傍には、比較的小さな粒径を有するフィラー４１～４４だけが存在する。従って、例えば絶縁層２１において、貫通孔３２ａ内にフィラー４１～４４が突出し難い。また、製造工程において貫通孔３２ａの内壁に一旦複数のフィラー４のいずれかが露出しても、貫通導体３１ａの形成まで残存し難い。すなわち、後述されるように、貫通導体３１ａの形成では、絶縁層２１に貫通孔３２ａが形成され、例えばめっき処理によって貫通孔３２ａ内に貫通導体３１ａが形成される。このめっき処理の前に、好ましくは、デスミア処理などの薬液処理が実施される。デスミア処理によって、貫通孔３２ａの穿孔時に生じた樹脂残渣が除去される。比較的小径のフィラー４１～４４は、貫通孔３２ａ内に露出しても、このデスミア処理によって剥離する。結果として、貫通導体３１ａの形成のためのめっき時には、フィラー４１～４４が内部に突出していない貫通孔３２ａが得られる。

【0030】

貫通導体３１ａの最大幅が大きいほど、すなわち貫通孔３２ａの開口径が大きいほど、貫通孔３２ａ内にデスミア処理などで用いられる薬液が入り込み易い。そのため、貫通孔３２ａに露出するフィラーが剥離され易い。換言すると、貫通導体３１ａの最大幅が小さいほど、貫通孔３２ａに露出するフィラーに対するデスミア処理による剥離力は低下する。しかし貫通導体３１ａの最大幅の２０％以下の粒径のフィラー４１～４４であれば、例えばデスミア処理のような薬液処理によって十分に剥離され得ると考えられる。

【0031】

フィラー４１～４４のようなフィラーが内部に突出している貫通孔内に貫通導体が形成されると、後に図７を参照して詳述されるように、貫通導体の電気抵抗の増大や、絶縁層と貫通導体との不十分な密着強度による界面剥離などの問題が生じることがある。このような問題は、貫通導体が比較的大きい場合は顕在化し難い。しかし、貫通導体が狭小であると、貫通導体の断面の面積や、絶縁層と貫通導体との接触面積が小さくなるため、具体的な問題が生じ易い。

【0032】

本実施形態において対象絶縁層は、２５μｍ以下の最大幅を有する貫通導体を含んでおり、比較的狭小な貫通導体を含んでいる。しかし本実施形態では、例えば貫通導体３１ａの近傍領域Ｒには、貫通導体３１ａの最大幅（第１長さＬ１）の２０％以下の粒径を有するフィラー４１～４４しか存在していない。そのため、そもそも、貫通孔３２ａ内にフィラー４１～４４が突出し難い。例えばフィラー４１～４４の粒径に１００％のばらつきが生じても、すなわち、最大で第１長さＬ１の４０％の粒径のフィラー４１～４４が存在しても、フィラー４１～４４は貫通孔３２ａ内に露出し難い。

【0033】

そして、万一貫通孔３２ａの形成直後にその内部に露出しているフィラー４１～４４が存在していても、その後のデスミア処理などの薬液処理によって、粒径の小さいフィラー４１～４４は容易に除去され得る。図２の例においても、貫通孔３２ａの壁面に露出してその後剥離した複数のフィラー４のいずれかの痕跡からなる凹部４ａが、貫通孔３２ａの内壁に存在する。このように貫通孔３２ａ内にフィラー４１～４４が露出してもそのフィラーは除去され易いので、貫通孔３２ａ内に適切に形成された貫通導体３１ａが得られる。貫通導体３１ａの電気抵抗の増大や、絶縁層２１と貫通導体３１ａとの剥離などの問題の発生が抑制されると考えられる。

【0034】

さらに、貫通導体３１ａの近傍に大きな粒径を有するフィラー４１～４４が存在しないので、フィラー４１～４４と周囲の樹脂材料との間の熱膨張率の違いに因る貫通孔３２ａの内壁面のうねりが生じ難いと考えられる。この点からも、絶縁層２１と貫通導体３１ａとの剥離が抑制されると考えられる。

【0035】

本実施形態では、対象絶縁層に含まれている複数のフィラー４全部の粒径のうちの最大粒径が、第１長さＬ１の２０％以下であってもよく、第１長さＬ１の１０％以下であってもよい。すなわち対象絶縁層は、その全体にわたって、第１長さＬ１の２０％を超える粒径を有するフィラーを含んでいなくてもよく、さらに、第１長さＬ１の１０％を超える粒径を有するフィラーを含んでいなくてもよい。その場合、近傍領域Ｒに存在する複数のフィラー４の最大粒径Ｐｘが、略確実に第１長さＬ１の２０％以下となり、より確実に、貫通孔３２ａの内部へのフィラー４１～４４の突出を防ぐことができる。

【0036】

本実施形態では、このように貫通導体の近傍領域Ｒに比較的大きな粒径のフィラーが存在しないので、フィラーが存在しない絶縁層と貫通導体との界面が得られやすい。図２の例においても、複数のフィラー４は、絶縁層２１と貫通導体３１ａとの界面には存在しない。すなわち、絶縁層２１における貫通導体３１ａとの界面は、複数のフィラー４以外の構成要素、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ樹脂などの樹脂成分によって構成されている。従って、貫通導体３１ａの電気抵抗の低下や、貫通導体３１ａと絶縁層２１との剥離などの問題が生じ難いと考えられる。

【0037】

図２の例の貫通導体３１ａが導体層１１との界面における幅として有する第２長さＬ２は、第１長さＬ１よりも短い。例えば、第２長さＬ２は第１長さＬ１の５０％以上、８０％以下である。複数のフィラー４の全部の粒径のうちの最大粒径は、この第１長さＬ１よりも短い第２長さＬ２の２０％以下であってもよい。フィラー４１～４４の貫通孔３２ａの内部への突出が一層確実に防止されると考えられる。

【0038】

本実施形態では、対象絶縁層における複数のフィラー４の含有率は特に限定されず、含有率は、対象絶縁層に所望される特性に応じて選択され得る。例えば、対象絶縁層における複数のフィラー４の体積含有率としては、３０％以上、８０％以下が例示される。この範囲の含有率で複数のフィラー４が対象絶縁層に含まれていると、比較的高い含有率を要する所望の特性を達成しながら、貫通孔３２ａへのフィラー４１～４４の突出を抑制し得ると考えられる。

【0039】

図２の例では、複数のフィラー４の最大粒径Ｐｘは、絶縁層２１の厚さＴの２０％以上、４０％以下である。絶縁層２１の厚さＴは第１長さＬ１の５０％以上、１００％以下である。複数のフィラー４の最大粒径Ｐｘが絶縁層２１の厚さＴの４０％以下であれば、フィラー４１～４４と周囲の樹脂材料との間の熱膨張率の違いに因る、絶縁層２１と導体層１１又は導体層１２との界面におけるうねりが生じ難いと考えられる。また、第１長さＬ１の５０％以上、１００％以下の厚さＴを有する絶縁層２１には、第１長さＬ１を有する貫通導体３１ａが容易、且つ適切に形成されると考えられる。なお、対象絶縁層の厚さは、図２において厚さＴで示されるように、対象絶縁層を挟む導体層間の距離である。

【0040】

図２の例では、導体パッド１２ａは、導体層１２と貫通導体３１ａとの界面の面積よりも大きい面積を有している。そして、導体パッド１２ａと平面視で重なる領域に存在する複数のフィラー４の最大粒径Ｐｘは、平面視における導体パッド１２ａの外縁から貫通導体３１ａの外縁までの距離Ｄよりも小さい。なお「平面視」は、Ｚ方向に沿う視線で実施形態の配線基板を見ることを意味している。すなわち導体パッド１２ａに少なくとも一部が覆われているフィラー４１～４４の粒径のうちの最大粒径Ｐｘは距離Ｄよりも小さい。このように、対象絶縁層を貫通する貫通導体と一体的に形成されている導体パッドに平面視で少なくとも一部が覆われている複数のフィラー４の最大粒径Ｐｘは、その導体パッドの所謂アニュラリング幅よりも小さくてもよい。複数のフィラー４の膨張又は収縮による、導体パッド１２ａのような導体パッドと対象絶縁層との界面の平坦性への影響が少ないと考えられる。なお、距離Ｄは、導体パッド１２ａのような導体パッド（ビアパッド又はスルーホールパッド）のアニュラリング幅の設計値である。

【0041】

本実施形態の配線基板では、対象絶縁層における複数のフィラー４の粒径に関する平面視での任意の領域間でのばらつきは小さいほど好ましい。このばらつきが小さいと、各貫通導体の近傍領域Ｒにおける複数のフィラー４の最大粒径の適正さが、少ない箇所の抜き取り検査で十分な信頼性を備えて確認され得るからである。

【0042】

例えば、図３が示す配線基板１００の平面図に示される隅部Ｃ１、隅部Ｃ２、隅部Ｃ３、隅部Ｃ４、及び中央部Ｃ５の間での複数のフィラー４の最大粒径のばらつきは、好ましくは、対象絶縁層を貫通する貫通導体の第１長さＬ１の５％以下である。複数のフィラー４の最大粒径がこの程度のばらつきであれば、対象絶縁層を貫通する貫通導体の幅に対する複数のフィラーの粒径の適正さが、対象絶縁層全体にわたって、少ない箇所での抜き取り検査で過剰に厳しい判定閾値を用いずに確認され得ると考えられる。

【0043】

図３における隅部Ｃ１～Ｃ４及び中央部Ｃ５は、対象絶縁層の厚さ（例えば図２に示される厚さＴ）を一辺の長さとして有する単位立方体を平面視で示している。対象絶縁層に含まれる複数のフィラーの粒径のばらつきは、図３に示されるような対象絶縁層の４隅及び中央それぞれで画定される単位立方体中のフィラーの最大粒径間のばらつきを用いて代替され、確認されてもよい。

【0044】

図４には、図１の配線基板１００の他の例が示されている。図４は、配線基板１００の他の例における図２に示される部分に対応する部分の断面図を示している。前述したように、実施形態の配線基板１００では、対象絶縁層に含まれる複数のフィラー４のうち少なくとも近傍領域Ｒに存在するフィラーの最大粒径Ｐｘが、第１長さＬ１の２０％以下である。換言すると、近傍領域Ｒ以外では、対象絶縁層は、第１長さＬ１の２０％を超える粒径を有するフィラーを含み得る。図４に示される実施形態の配線基板１００の他の例では、絶縁層２１は、フィラー４１～４５を含む複数のフィラー４を含み、近傍領域Ｒ以外の領域に、第１長さＬ１の２０％を超える粒径Ｐｙを有するフィラー４５を含んでいる。近傍領域Ｒよりも、貫通導体３１から離れた位置に比較的大きな粒径のフィラー４５が存在していても、貫通孔３２ａの内部に突出するフィラーは生じ難いと考えられる。従って実施形態の配線基板１００では、対象絶縁層は、近傍領域Ｒ以外の領域において、第１長さＬ１の２０％を超える粒径を有するフィラーを含んでいてもよい。

【0045】

図２及び図４を参照してなされた説明は、絶縁層２１、導体層１１、導体層１２、及び貫通導体３１ａを、それぞれ、絶縁層２２、導体層１２、導体層１３、及び貫通導体３１ｂと読み替えることによって、絶縁層２２、導体層１２、導体層１３、及び貫通導体３１ｂにも適用され得る。同様に、図２及び図４を参照してなされた説明は、絶縁層２０の第２面２０ｂ側の各絶縁層、各導体層、及び各貫通導体についても適用され得る。

【0046】

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図５Ａ～図５Ｈを参照して説明される。

【0047】

図５Ａに示されるように、コア基板１０が用意される。例えば複数のフィラー４を含んでいて両面に金属箔（図示せず）が積層された絶縁層２０を含む両面銅張積層板１０１が用意され、絶縁層２０の第１面２０ａに導体層１１が形成されると共に、第２面２０ｂに導体層１５が形成される。絶縁層２０には貫通導体３１ｄが形成される。例えばパネルめっきを含むサブトラクティブ法によって、導体層１１、１５、及び貫通導体３１ｄが形成される。導体層１１及び導体層１５は、導体層１１の導体パッド１１ａのような所定の導体パターンを含むようにパターニングされる。

【0048】

図５Ｂに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、粒状の複数のフィラー４を含む絶縁層２１を形成することを含んでいる。図５Ｂの例では、絶縁層２１は、絶縁層２０の第１面２０ａ上に形成されている。絶縁層２０の第２面２０ｂ上には、絶縁層２１と同様に粒状の複数のフィラー４を含む絶縁層２３が形成されている。例えば、複数のフィラー４を含むフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板１０の両面それぞれに積層され、加熱及び加圧される。その結果、絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれが形成される。絶縁層２１及び絶縁層２３は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。

【0049】

絶縁層２１は、所定の長さの２０％を超える粒径を有するフィラーを複数のフィラー４に含まない領域Ｒ１を有するように形成される。「所定の長さ」は、後工程で形成される貫通導体３１ａ（図５Ｇ参照）における絶縁層２１の厚さ方向と直交する方向に沿う幅のうちの最大値（最大幅）である。例えば絶縁層２１は、所定の長さの２０％を超える粒径のフィラーを含まない複数のフィラー４を含有する樹脂を用いて形成される。その場合、所定の長さの２０％を超える粒径を有するフィラーを含まない領域Ｒ１を絶縁層２１に容易に設けることができる。所定の長さの２０％を超える粒径のフィラーを含まない複数のフィラー４を含有する樹脂は、前述したようにフィルム状に成形された、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂であってもよく、シート状に成形されていてもよい。

【0050】

絶縁層２３も、後工程で形成される貫通導体３１ｃ（図５Ｇ参照）における絶縁層２３の厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅の２０％を超える粒径を有するフィラーを複数のフィラー４に含まない領域Ｒ２を含むように形成されてもよい。

【0051】

図５Ｃに示されるように、絶縁層２１及び絶縁層２３に、絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれを厚さ方向に貫く貫通孔３２ａが形成される。貫通孔３２ａは、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。貫通孔３２ａは、貫通導体３１ａ又は貫通導体３１ｃ（図５Ｇ参照）を形成すべく形成される。絶縁層２１を貫通する貫通孔３２ａは、領域Ｒ１内に形成される。図５Ｃの例では、絶縁層２３を貫通する貫通孔３２ａは、領域Ｒ２内に形成されている。そのため、貫通孔３２ａの開口径に対して一定以上の大きさ（前述した「所定の長さ」の２０％を超える大きさ）の粒径を有するフィラーは、貫通孔３２ａに露出し難い。

【0052】

図５Ｄには、図５ＣのＶＤ部の拡大図が示されている（後に参照される図５Ｅ及び図５Ｆにも、図５ＣのＶＤ部における各工程後の状態が示されている）。図５Ｄに示されるように、貫通孔３２ａ内には、複数のフィラー４のうちの比較的小径の一部のフィラー４ｘが露出することがある。好ましくは、貫通孔３２ａ内に露出するフィラー４ｘが除去される。例えば、アルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔３２ａの内壁を晒すデスミア処理が行われる。デスミア処理によって、貫通孔３２ａの形成時に生じた樹脂残渣（スミア）と共に、貫通孔３２ａ内に露出するフィラー４ｘが除去される。貫通孔３２ａの周囲には比較的小径のフィラーしか存在しないので、貫通孔３２ａ内に露出するフィラー４ｘは容易に除去され得る。

【0053】

図５Ｅには、デスミア処理後の貫通孔３２ａが示されている。図５Ｅに示されるように貫通孔３２ａの内壁には、剥離したフィラーの痕跡からなる凹部４ａが形成されている。このように、複数のフィラー４のうちの一部の小径のフィラーが貫通孔３２ａ内に一旦露出しても、小径のフィラーは、剥離し易く、また除去され易いので、貫通孔３２ａの内部にフィラーが残存し難い。従って、後工程において貫通導体３１ａ（図５Ｇ参照）を適切に形成することができる。

【0054】

図５Ｆに示されるように、絶縁層２１の表面上、貫通孔３２ａの内壁上、及び貫通孔３２ａに露出する導体パッド１１ａ上に、例えば無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜１０ｂが形成される。図５Ｆの例では、貫通孔３２ａの内壁の凹部４ａの内部にも金属膜１０ｂが形成されている。複数のフィラー４のうち、貫通孔３２ａの内壁から貫通孔３２ａの内部に向かって突出するフィラーが存在し難く、現に図５Ｆの例では存在しないので、貫通孔３２ａの内壁においてめっき金属などの未析出箇所などが生じ難い。従って、金属膜１０ｂの未着部分が生じ難いと考えられる。

【0055】

図５Ｇに示されるように、絶縁層２１上に導体層１２が形成されると共に、貫通孔３２ａ内に貫通導体３１ａが形成される。貫通導体３１ａによって導体層１２と導体層１１とが接続される。絶縁層２０の第２面２０ｂ側では、絶縁層２３上に導体層１４が形成されると共に、導体層１４と導体層１５とを接続する貫通導体３１ｃが形成される。このように本実施形態の配線基板の製造方法は、複数のフィラー４を含む絶縁層（絶縁層２１、２３）を挟んで対向する２つの導体層それぞれ（導体層１１、１２、１４、１５）を形成することを含んでいる。さらに、本実施形態の配線基板の製造方法は、複数のフィラー４を含む絶縁層を貫通してその絶縁層を挟む２つの導体層同士を接続する貫通導体（貫通導体３１ａ、３１ｃ）を形成することを含んでいる。

【0056】

また貫通導体３１ａを形成することは、前述したように、絶縁層２１を厚さ方向に貫く貫通孔３２ａを形成することと、複数のフィラー４のうちの貫通孔３２ａの内壁面に露出するフィラーを除去することとを含み得る。同様に、貫通導体３１ｃを形成することも、絶縁層２３を厚さ方向に貫く貫通孔３２ａを形成することと、複数のフィラー４のうちの貫通孔３２ａの内壁面に露出するフィラーを除去することとを含み得る。

【0057】

貫通導体３１ａは、絶縁層２１の厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅が、２５μｍ以下となるように、好ましくは２０μｍ以下となるように形成される。ファインピッチで並ぶ配線パターンを導体層１２及び導体層１１に形成し得ることがある。同様に貫通導体３１ｃも、絶縁層２３の厚さ方向と直交する方向に沿う最大幅が、２５μｍ以下となるように、好ましくは２０μｍ以下となるように形成されてもよい。

【0058】

貫通導体３１ａ、３１ｃは、それぞれ、貫通孔３２ａ内に形成される。絶縁層２１を貫通する貫通孔３２ａは、貫通導体３１ａの最大幅の２０％を超える粒径を有するフィラーを含まない領域Ｒ１内に形成されている。従って、貫通導体３１ａも領域Ｒ１の内部に形成される。領域Ｒ１内に貫通導体３１ａが形成されるので、複数のフィラー４のうちの比較的粒径の大きなフィラーは、貫通導体３１ａの内部に向かって突出し難い。図５Ｇの例では、貫通導体３１ｃも、貫通導体３１ｃの最大幅の２０％を超える粒径を有するフィラーを含まない領域Ｒ２の内部に形成されている。貫通導体３１ｃの内部へのフィラーの突出が抑制されるとか考えられる。

【0059】

貫通導体３１ａは、好ましくは、領域Ｒ１の外縁との間に、貫通導体３１ａの最大幅の４０％を超える間隔を有するように形成される。換言すると、絶縁層２１は、好ましくは、領域Ｒ１の外縁と、後工程で形成される貫通導体３１ａとの間に、貫通導体３１ａの最大幅の４０％を超える間隔が確保されるように形成される。このような間隔が確保されることによって、貫通孔３２ａの開口径がばらついても、及び／又は、複数のフィラー４の粒径がばらついても、貫通孔３２ａの内部に比較的大きな粒径のフィラーが露出し難いと考えられる。結果として、貫通導体３１ａの内部へのフィラーの突出が抑制されると考えられる。なお、貫通導体３１ｃも、好ましくは、領域Ｒ２の外縁との間に、貫通導体３１ｃの最大幅の４０％を超える間隔を有するように形成される。

【0060】

導体層１２、１４及び貫通導体３１ａ、３１ｃは、例えば電解めっきを用いるパターンめっきによって形成される。導体層１２、１４は、前述した金属膜１０ｂ（図５Ｆ参照）の不要部分を除去することによって、導体パッド１２ａのような所定の導体パターンを含むようにパターニングされる。すなわち、図５Ｆ及び図５Ｇの例では、導体層１２、１４及び貫通導体３１ａ、３１ｃは、金属膜１０ｂの形成を含むセミアディティブ法によって形成されている。前述したように金属膜１０ｂの形成時には貫通孔３２ａの内部に突出する複数のフィラー４が存在し難い。そのため、貫通孔３２ａの内壁との未着部分が少なく、また貫通孔３２ａの内壁との界面剥離などが生じ難い、貫通導体３１ａ、３１ｃが形成されると考えられる。

【0061】

図５Ｈに示されるように、さらに、絶縁層２２、導体層１３、及び貫通導体３１ｂが形成され、絶縁層２０の第２面２０ｂ側では、さらに、絶縁層２３、導体層１４、及び貫通導体３１ｃが形成される。絶縁層２２、及びさらに形成される絶縁層２３は、それぞれ、例えば絶縁層２１の形成方法と同様の方法で形成される。導体層１３、及びさらに形成される導体層１４は、それぞれ、例えば導体層１２の形成方法と同様の方法で形成される。また貫通導体３１ｂ、及びさらに形成される貫通導体３１ｃは、それぞれ、例えば貫通導体３１ａの形成方法と同様の方法で形成される。そのため、貫通導体３１ｂ、及び、さらに形成される貫通導体３１ｃにおいても、各貫通導体の内部へのフィラーの突出が抑制される。

【0062】

図１の配線基板１００が製造される図５Ｈの例では、ソルダーレジスト層６が形成されている。ソルダーレジスト層６には導体層１３又は導体層１４の一部を露出させる開口６１が設けられる。ソルダーレジスト６及び開口６１は、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

【0063】

以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト層６の開口６１内に露出する導体層１３又は導体層１４の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

【0064】

図６Ａには、実施形態の配線基板の製造方法の一実施例における、先に参照した図５Ｅに示されるデスミア処理後の貫通孔３２ａの平面視でのＳＥＭ画像が示されている。図６Ｂには、図６Ａの一実施例に対する比較例における、デスミア処理後の貫通孔１３２ａの平面視でのＳＥＭ画像が示されている。

【0065】

図６Ａに示される実施例では、１μｍの最大粒径を有する複数のフィラーを含む絶縁層２１に、１０μｍの最大幅を有する貫通導体の形成のために１０μｍの開口径を有する貫通孔３２ａが形成されている。すなわち、複数のフィラーの最大粒径は、貫通導体の最大幅の１０％程度である。一方、図６Ｂの比較例では、５μｍの最大粒径を有する複数のフィラーを含む絶縁層１２１に、１５μｍの最大幅を有する貫通導体の形成のために１５μｍの開口径を有する貫通孔１３２が形成されている。すなわち、複数のフィラーの最大粒径は、貫通導体の最大幅の３３％程度である。

【0066】

図６Ａに示されるように、一実施例では、貫通孔３２ａの内部にフィラーは露出していない。一方、図６Ｂの比較例では、貫通孔１３２の内部にフィラー１０４が露出しており、貫通孔１３２の内壁からフィラー１０４が突出している。図６Ａ及び図６Ｂに示される実施例及び比較例から、貫通導体の幅（最大幅）に対して、少なくとも３０％以上の粒径のフィラーを絶縁層に含めないことによって、貫通孔３２ａの内部へのフィラーの突出を抑制し得ることが解る。また、複数のフィラーは絶縁層２１内に略一様に分散されていると考えられるので、図６Ａの実施例においても、貫通孔３２ａの形成直後には、貫通孔３２ａの内部に露出するフィラーが存在していたものと考えられる。しかし、その露出するフィラーの粒径は１μｍ以下と小さいため、そのフィラーと貫通孔３２ａの内壁との付着力は比較的小さいと考えられる。そのため、露出していたフィラーがデスミア処理によって剥離したと推定される。このように、形成される貫通導体の幅に対して一定以上の比率で小さい粒径を有するフィラーだけを（特に貫通導体近傍の領域の）絶縁層に含めることによって、貫通導体の内部へのフィラーの突出を抑制し得ることがある。

【0067】

図６Ｂの例のように、貫通孔１３２内にフィラー１０４が露出し、結果として貫通導体の内部にフィラーが突出する場合に生じ得る問題が、図７を参照して説明される。図７には、絶縁層１２１を貫通する貫通孔１３２の内部に形成された貫通導体１３１が示されている。貫通孔１３２の内壁からは貫通導体１３１の内部に向かってフィラー１０４が突出している。

【0068】

図７に示されるようにフィラー１０４が貫通孔１３２の内壁から突出していると、金属膜１１０を形成する際の無電解めっきのめっき液がフィラー１０４の下側まで回り込み難く、金属膜１１０の未着部分Ｆ１が生じることがある。また、例えば電解めっきによるめっき膜１１１の形成においても、フィラー１０４の下側などでのめっき液の循環性が低下してめっき膜１１１内にボイドＦ２が生じることがある。

【0069】

貫通導体１３１の形成後においても、フィラー１０４とめっき膜１１１との密着力不足などに起因して、フィラー１０４を起点とするクラックＦ３が発生することがある。さらに、配線基板の使用時においても、図７において導電路幅Ｃで示されるように、貫通導体１３１において通電方向に交差する方向の実質的な幅が狭くなるため、貫通導体１３１の電気抵抗が上昇し、配線基板の電気的特性が低下することがある。

【0070】

先に説明された実施形態の配線基板、及びその製造方法によれば、貫通孔の内部や貫通導体の内部へのフィラーの突出が抑制される。そのため、図７に示されるような不具合が抑制され、結果として、貫通導体の電気的特性の低下、及び／又は、貫通導体と絶縁層との密着強度の低下などの問題が抑制されると考えられる。

【0071】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。実施形態の配線基板では、一部の絶縁層だけが、粒状の複数のフィラーを含んでいてもよい。その粒状の複数のフィラーを含む絶縁層は、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る

【0072】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば各導体層は、フルアディティブ法によって形成されてもよい。また、小径のフィラーは自然落下などによっても貫通孔の内壁から剥離し得るので、デスミア処理は必ずしも実行されなくてもよい。各絶縁層の貫通孔は、レーザー光の照射以外の方法で行われてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0073】

１００ 配線基板
１１ 導体層（下層導体層）
１２ 導体層（上層導体層）
１２ａ 導体パッド
１３～１５ 導体層
２０～２３ 絶縁層
３１ａ～３１ｃ 貫通導体（ビア導体）
３１ｄ 貫通導体（スルーホール導体）
３２ａ 貫通孔
４ 複数のフィラー
４１～４５ 各フィラー
４ｘ 露出するフィラー
Ｄ 導体パッドの外縁から貫通導体の外縁までの距離
Ｌ１ 貫通導体の最大幅（第１長さ）
Ｌ２ 貫通導体の幅（第２長さ）
Ｐｘ 近傍領域内のフィラーの最大粒径
Ｒ 貫通導体から第１長さの４０％以内の領域（近傍領域）
Ｔ 絶縁層の厚さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図6A】

【図6B】

【図7】