(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022182956
(43)【公開日】2022-12-08
(54)【発明の名称】配線回路基板およびその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20221201BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20221201BHJP
H01P 3/00 20060101ALI20221201BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 Z
H05K3/46 N
H05K3/46 T
H05K1/02 J
H05K1/02 N
H01P3/00 100
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021184613
(22)【出願日】2021-11-12
(31)【優先権主張番号】P 2021089752
(32)【優先日】2021-05-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】松富 亮人
(72)【発明者】
【氏名】澤岻 佳菜代
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
5J014
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA35
5E316AA43
5E316BB02
5E316BB04
5E316BB06
5E316BB13
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC13
5E316CC14
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC34
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD02
5E316DD22
5E316EE01
5E316FF04
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH03
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB13
5E338BB72
5E338CC02
5E338CC06
5E338CD02
5E338CD13
5E338EE11
5J014AA01
(57)【要約】
【課題】第１配線部の電気特性の変動を、第２配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる配線回路基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】配線回路基板１は、多孔質絶縁層２と、第１導体層３１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。第１導体層３１は、第１信号線３４と、第１グランド線３５とを有する。第１グランド線３５は、第１信号線３４より厚い。
【選択図】図１
【解決手段】配線回路基板１は、多孔質絶縁層２と、第１導体層３１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。第１導体層３１は、第１信号線３４と、第１グランド線３５とを有する。第１グランド線３５は、第１信号線３４より厚い。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
多孔質絶縁層と、導体層とを厚み方向の一方側に向かって順に備え、
前記導体層は、第１配線部と、前記第１配線部より厚い第２配線部とを有する、配線回路基板。
前記導体層は、第１配線部と、前記第１配線部より厚い第２配線部とを有する、配線回路基板。
【請求項2】
前記第２配線部は、前記厚み方向に直交する方向に互いに間隔を隔てて２つ配置され、
前記第１配線部は、２つの前記第２配線部の間に配置されている、請求項１に記載の配線回路基板。
前記第１配線部は、２つの前記第２配線部の間に配置されている、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項3】
前記多孔質絶縁層の厚み方向の他方面に配置されるグランド層をさらに備え、
前記グランド層は、厚み方向に投影したときに、前記第１配線部に重なる第３配線部と、前記第２配線部に重なる第４配線部とを有し、
前記第４配線部は、前記第３配線部より厚い、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
前記グランド層は、厚み方向に投影したときに、前記第１配線部に重なる第３配線部と、前記第２配線部に重なる第４配線部とを有し、
前記第４配線部は、前記第３配線部より厚い、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項4】
前記多孔質絶縁層は、前記多孔質絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔に充填される導体接続部であって、前記導体層と前記グランド層とに接触する前記導体接続部をさらに備える、請求項３に記載の配線回路基板。
前記貫通孔に充填される導体接続部であって、前記導体層と前記グランド層とに接触する前記導体接続部をさらに備える、請求項３に記載の配線回路基板。
【請求項5】
接着層と、カバー絶縁層とをさらに備え、
前記カバー絶縁層は、前記接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とを厚み方向の一方側から被覆する、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
前記カバー絶縁層は、前記接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とを厚み方向の一方側から被覆する、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項6】
第１配線部と、前記第１配線部より厚い第２配線部とを有する導体層を多孔質絶縁層の厚み方向の一方面に配置する第１工程と、
カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスする第２工程と
を備える、配線回路基板の製造方法。
カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスする第２工程と
を備える、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
多孔質絶縁樹脂フィルムと、導電層とを備える配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。特許文献１に記載の配線回路基板では、導電層は、複数の配線を有する。特許文献１では、複数の配線部の厚みは、同一である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－１２３８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
用途および目的に応じて、配線回路基板を厚み方向にプレスする場合がある。その場合には、多孔質絶縁樹脂フィルムにおいて複数の配線部と重なる複数の部分は、プレスにより厚みが画一的に変動する。そうすると、複数の配線のそれぞれの電気特性が画一的に変動するという不具合がある。
【0005】
本発明は、第１配線部の電気特性の変動を、第２配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明（１）は、多孔質絶縁層と、導体層とを厚み方向の一方側に向かって順に備え、前記導体層は、第１配線部と、前記第１配線部より厚い第２配線部とを有する、配線回路基板を含む。
【0007】
この配線回路基板では、第２配線部が第１配線部より厚い。換言すれば、第１配線部が第２配線部より薄い。
【0008】
そのため、配線回路基板を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第１配線部と重なる多孔質絶縁層は、厚み方向において第２配線部と重なる多孔質絶縁層に比べて、小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第１配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第２配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動に比べて、抑制できる。
【0009】
その結果、第１配線部の電気特性の変動を、第２配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる。
【0010】
本発明（２）は、前記第２配線部は、前記厚み方向に直交する方向に互いに間隔を隔てて２つ配置され、前記第１配線部は、２つの前記第２配線部の間に配置されている、（１）に記載の配線回路基板を含む。
【0011】
この配線回路基板では、プレス時に、厚み方向において２つの第２配線部と重なる多孔質絶縁層が、大きなプレス圧をバランスよく引き受けることができる。そのため、２つの第２配線部の間に配置される第１配線部と重なる多孔質絶縁層は、より一層小さいプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第１配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第２配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。
【0012】
本発明（３）は、前記多孔質絶縁層の厚み方向の他方面に配置されるグランド層をさらに備え、前記グランド層は、厚み方向に投影したときに、前記第１配線部に重なる第３配線部と、前記第２配線部に重なる第４配線部とを有し、前記第４配線部は、前記第３配線部より厚い、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。
【0013】
この配線回路基板では、グランド層が、第１配線部に重なる第３配線部と、第２配線部に重なり、第３配線部より厚い第４配線部とを備えるので、配線回路基板を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第１配線部と重なる多孔質絶縁層は、厚み方向において第２配線部と重なる多孔質絶縁層に比べて、より一層小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第１配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第２配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。
【0014】
本発明（４）は、前記多孔質絶縁層は、前記多孔質絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔に充填される導体接続部であって、前記導体層と前記グランド層とに接触する前記導体接続部をさらに備える、（３）に記載の配線回路基板を含む。
【0015】
本発明（５）は、接着層と、カバー絶縁層とをさらに備え、前記カバー絶縁層は、前記接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とを厚み方向の一方側から被覆する、（１）から（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【0016】
本発明（６）は、第１配線部と、前記第１配線部より厚い第２配線部とを有する導体層を多孔質絶縁層の厚み方向の一方面に配置する第１工程と、カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスする第２工程とを備える、配線回路基板の製造方法を含む。
【0017】
この製造方法において、第２工程で、カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスして、多孔質絶縁層に大きなプレス圧がかかっても、厚み方向において第１導体部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第２導体部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変 動に比べて、抑制できる。その結果、第１導体部の電気特性の変動を、第２導体部の電気特性の変動よりも、抑制できる。
【発明の効果】
【0018】
本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、第１配線部の電気特性の変動を、第２配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図2】図２Ａから図２Ｄは、図１に示す配線回路基板の製造工程図である。図２Ａが、第１多孔質積層体を準備する工程である。図２Ｂが、第１ビアを形成する工程である。図２Ｃが、第１めっき層を形成する工程である。図２Ｄが、第２導体層をパターニングする工程である。
【図3】図３Ａから図３Ｃは、図２Ｄに引き続き、配線回路基板の製造工程図である。図３Ａが、第１めっき層を形成する工程である。図３Ｂが、第２の多孔質積層体を第２導体層に貼り合わせる工程である。図３Ｃが、第２ビアおよび第３ビアを形成する工程である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
１． 配線回路基板の一実施形態
本発明の配線回路基板の一実施形態を、図１を参照して説明する。
本発明の配線回路基板の一実施形態を、図１を参照して説明する。
【0021】
配線回路基板１は、厚みを有する。配線回路基板１は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。配線回路基板１は、略平板形状を有する。
【0022】
配線回路基板１は、多孔質絶縁層２と、導体層３とを厚み方向に順に備える。多孔質絶縁層２は、第１多孔質絶縁層２１と、第２多孔質絶縁層２２とを、厚み方向に順に備える。導体層３は、第１導体層３１と、第２導体層３２と、第３導体層３３とを厚み方向に順に備える。具体的には、配線回路基板１は、第３導体層３３と、第２多孔質絶縁層２２と、第２導体層３２と、第１多孔質絶縁層２１と、第１導体層３１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。また、配線回路基板１は、導体接続部４と、カバー絶縁層５と、接着層６とをさらに備える。
【0023】
２． 多孔質絶縁層２
多孔質絶縁層２は、第１多孔質絶縁層２１と、第２多孔質絶縁層２２とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
多孔質絶縁層２は、第１多孔質絶縁層２１と、第２多孔質絶縁層２２とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
【0024】
２．１ 第１多孔質絶縁層２１
第１多孔質絶縁層２１は、厚みを有する。第１多孔質絶縁層２１は、面方向に延びる。第１多孔質絶縁層２１は、略平板形状を有する。第１多孔質絶縁層２１は、第１貫通孔２３と、２つの第２貫通孔２４とを有する。
第１多孔質絶縁層２１は、厚みを有する。第１多孔質絶縁層２１は、面方向に延びる。第１多孔質絶縁層２１は、略平板形状を有する。第１多孔質絶縁層２１は、第１貫通孔２３と、２つの第２貫通孔２４とを有する。
【0025】
第１貫通孔２３は、第１方向における第１多孔質絶縁層２１の中間部に配置される。第１方向は、面方向に含まれる。
【0026】
一の第２貫通孔２４は、第１方向において第１貫通孔２３の一方側に間隔を隔てて配置される。他の第２貫通孔２４は、第１方向において第１貫通孔２３の他方側に間隔を隔てて配置される。他の第２貫通孔２４は、第１方向において、第１貫通孔２３に対して一の第２貫通孔２４の反対側に配置される。これにより、一の第２貫通孔２４と、第１貫通孔２３と、他の第２貫通孔２４とは、第１方向に順に並ぶ。つまり、第１貫通孔２３は、２つの第２貫通孔２４の間に配置される。
【0027】
第１貫通孔２３と２つの第２貫通孔２４とのそれぞれは、第１多孔質絶縁層２１を厚み方向に貫通する。第１多孔質絶縁層２１において第１貫通孔２３と２つの第２貫通孔２４とのそれぞれを区画する内周面は、厚み方向に沿う。上記した内周面は、厚み方向の一方側に向かって断面積が次第に増大するテーパ形状を有してもよい。
【0028】
２．２ 第２多孔質絶縁層２２
第２多孔質絶縁層２２は、厚み方向において第１多孔質絶縁層２１の他方側に配置される。第２多孔質絶縁層２２は、厚み方向において第１多孔質絶縁層２１と間隔を隔てる。
なお、第２多孔質絶縁層２２は、後述する第２接着層６２を介して第１多孔質絶縁層２１に接着されている。
第２多孔質絶縁層２２は、厚み方向において第１多孔質絶縁層２１の他方側に配置される。第２多孔質絶縁層２２は、厚み方向において第１多孔質絶縁層２１と間隔を隔てる。
なお、第２多孔質絶縁層２２は、後述する第２接着層６２を介して第１多孔質絶縁層２１に接着されている。
【0029】
第２多孔質絶縁層２２は、厚みを有する。第２多孔質絶縁層２２は、面方向に延びる。第２多孔質絶縁層２２は、略平板形状を有する。第２多孔質絶縁層２２は、２つの第３貫通孔２５を有する。
【0030】
２つの第３貫通孔２５のそれぞれは、厚み方向に投影したときに、２つの第２貫通孔２４のそれぞれと重なる。２つの第３貫通孔２５は、第１方向に互いに間隔を隔てて並ぶ。
【0031】
２つの第３貫通孔２５のそれぞれは、第２多孔質絶縁層２２を厚み方向に貫通する。第２多孔質絶縁層２２において２つの第３貫通孔２５のそれぞれを区画する内周面は、厚み方向に沿う。上記した内周面は、厚み方向の他方側に向かって断面積が次第に増大するテーパ形状を有してもよい。
【0032】
２．３ 多孔質絶縁層２の材料
多孔質絶縁層２の材料としては、樹脂が挙げられる。樹脂は、限定されない。樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂、および、液晶ポリマーが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂、および、液晶ポリマーが挙げられる。
多孔質絶縁層２の材料としては、樹脂が挙げられる。樹脂は、限定されない。樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂、および、液晶ポリマーが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂、および、液晶ポリマーが挙げられる。
【0033】
２．４ 多孔質絶縁層２の物性
多孔質絶縁層２は、多孔質である。多孔質絶縁層２は、独立気泡および／または連続気泡を有する。
多孔質絶縁層２は、多孔質である。多孔質絶縁層２は、独立気泡および／または連続気泡を有する。
【0034】
多孔質絶縁層２における空孔率は、例えば、５０％以上、好ましくは、６０％以上、より好ましくは、７０％以上、さらに好ましくは、８０％以上である。なお、多孔質絶縁層２の空孔率は、例えば、１００％未満、さらには、９９％以下である。多孔質絶縁層２の空孔率は、多孔質絶縁層２の材料がポリイミド樹脂である場合には、下記式に基づく計算により求められる。
【0035】
多孔質絶縁層２の誘電率＝空気の誘電率×空孔率＋ポリイミドの誘電率×（１－空孔率）
ここで、空気の誘電率は１、ポリイミド樹脂の誘電率は３．５であるため、
多孔質絶縁層２の誘電率＝空孔率＋３．５（１－空孔率）
空孔率（％）＝［（３．５－多孔質絶縁層２の誘電率）／２．５］×１００
ここで、空気の誘電率は１、ポリイミド樹脂の誘電率は３．５であるため、
多孔質絶縁層２の誘電率＝空孔率＋３．５（１－空孔率）
空孔率（％）＝［（３．５－多孔質絶縁層２の誘電率）／２．５］×１００
【0036】
多孔質絶縁層２の周波数６０ＧＨｚにおける誘電率は、例えば、２．５以下、好ましくは、１．９以下、より好ましくは、１．６以下であり、また、例えば、１．０超過である。多孔質絶縁層２の誘電率は、周波数の６０ＧＨｚを用いる共振器法により、実測される。
【0037】
多孔質絶縁層２の周波数６０ＧＨｚにおける誘電正接は、例えば、０．００６以下であり、また、例えば、０超過である。多孔質絶縁層２の誘電正接は、周波数の６０ＧＨｚを用いる共振器法により、実測される。
【0038】
３． 導体層３
導体層３は、第２方向に延びる。第２方向は、厚み方向および第１方向に交差する。具体的には、第２方向は、厚み方向および第１方向に直交する。
導体層３は、第２方向に延びる。第２方向は、厚み方向および第１方向に交差する。具体的には、第２方向は、厚み方向および第１方向に直交する。
【0039】
導体層３は、第１導体層３１と、第２導体層３２と、第３導体層３３とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
【0040】
３．１ 第１導体層３１
第１導体層３１は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方側に配置される。具体的には、第１導体層３１は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に配置される。第１導体層３１は、第１配線部の一例としての第１信号線３４と、２つの第２配線部の一例としての２つの第１グランド線３５とを有する。
第１導体層３１は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方側に配置される。具体的には、第１導体層３１は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に配置される。第１導体層３１は、第１配線部の一例としての第１信号線３４と、２つの第２配線部の一例としての２つの第１グランド線３５とを有する。
【0041】
３．１．１ 第１信号線３４
第１信号線３４は、信号を第２方向に伝送する。信号としては、例えば、差動信号が挙げられる。信号は、例えば、１Ａ未満、さらには、０．１Ａ未満の小電流を含む。第１信号線３４は、第１導体層３１における第１方向の中間部に配置される。第１信号線３４は、第１貫通孔２３の厚み方向の一方側に配置される。第１信号線３４は、第１貫通孔２３の厚み方向の一端部を塞ぐ。第１信号線３４は、第１多孔質絶縁層２１において第１貫通孔２３の周囲の厚み方向の一方面に接触する。第１信号線３４は、信号端子３４１を含む。信号端子３４１は、第１信号線３４の第２方向の端部に配置される。信号端子３４１には、図示しない外部基板の電極が接続される。
第１信号線３４は、信号を第２方向に伝送する。信号としては、例えば、差動信号が挙げられる。信号は、例えば、１Ａ未満、さらには、０．１Ａ未満の小電流を含む。第１信号線３４は、第１導体層３１における第１方向の中間部に配置される。第１信号線３４は、第１貫通孔２３の厚み方向の一方側に配置される。第１信号線３４は、第１貫通孔２３の厚み方向の一端部を塞ぐ。第１信号線３４は、第１多孔質絶縁層２１において第１貫通孔２３の周囲の厚み方向の一方面に接触する。第１信号線３４は、信号端子３４１を含む。信号端子３４１は、第１信号線３４の第２方向の端部に配置される。信号端子３４１には、図示しない外部基板の電極が接続される。
【0042】
第１信号線３４は、次に説明する第１グランド線３５より薄い。具体的には、第１信号線３４の厚みＴ１は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下、より好ましくは、１８μｍ以下であり、また、例えば、４μｍ以上である。なお、第１信号線３４の厚みＴ１は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面と、第１信号線３４の厚み方向の一方面との、厚み方向の長さである。
【0043】
３．１．２ ２つの第１グランド線３５
２つの第１グランド線３５のそれぞれは、第１信号線３４に影響を及ぼす微弱電流をアースする。微弱電流は、例えば、１Ａ未満、さらには、０．１Ａ未満の電流を含む。２つの第１グランド線３５のそれぞれは、２つの第２貫通孔２４のそれぞれの厚み方向の一方側に配置される。２つの第１グランド線３５のそれぞれは、２つの第２貫通孔２４のそれぞれの厚み方向の一端部を塞ぐ。２つの第１グランド線３５のそれぞれは、第１多孔質絶縁層２１において２つの第２貫通孔２４の周囲の厚み方向の一方面に接触する。
２つの第１グランド線３５のそれぞれは、第１信号線３４に影響を及ぼす微弱電流をアースする。微弱電流は、例えば、１Ａ未満、さらには、０．１Ａ未満の電流を含む。２つの第１グランド線３５のそれぞれは、２つの第２貫通孔２４のそれぞれの厚み方向の一方側に配置される。２つの第１グランド線３５のそれぞれは、２つの第２貫通孔２４のそれぞれの厚み方向の一端部を塞ぐ。２つの第１グランド線３５のそれぞれは、第１多孔質絶縁層２１において２つの第２貫通孔２４の周囲の厚み方向の一方面に接触する。
【0044】
２つの第１グランド線３５は、第１方向に互いに間隔を隔てて配置される。一の第１グランド線３５は、第１方向において第１信号線３４の一方側に間隔を隔てて配置される。
他の第１グランド線３５は、第１方向において第１信号線３４の他方側に間隔を隔てて配置される。他の第１グランド線３５は、第１方向において、第１信号線３４に対して一の第１グランド線３５の反対側に配置される。これにより、一の第１グランド線３５と、第１信号線３４と、他の第１グランド線３５とは、第１方向に順に間隔を隔てて並ぶ。つまり、第１信号線３４は、２つの第１グランド線３５の間に配置されている。
他の第１グランド線３５は、第１方向において第１信号線３４の他方側に間隔を隔てて配置される。他の第１グランド線３５は、第１方向において、第１信号線３４に対して一の第１グランド線３５の反対側に配置される。これにより、一の第１グランド線３５と、第１信号線３４と、他の第１グランド線３５とは、第１方向に順に間隔を隔てて並ぶ。つまり、第１信号線３４は、２つの第１グランド線３５の間に配置されている。
【0045】
２つの第１グランド線３５の少なくともいずれかは、グランド端子３５１を含む。グランド端子３５１は、当該第１グランド線３５の第２方向の端部に配置される。グランド端子３５１には、図示しないアース部材が接続される。
【0046】
２つの第１グランド線３５のそれぞれは、第１信号線３４より厚い。
【0047】
他方、２つの第１グランド線３５のそれぞれが、第１信号線３４と同じ厚みであれば、後述するプレスによって、厚み方向において第１信号線３４および第１グランド線３５と重なる多孔質絶縁層２の厚みが大きく変動し、第１信号線３４の電気特性が大きく変動する。具体的には、第１信号線３４の特性インピーダンスのミスマッチを生じる。
【0048】
２つの第１グランド線３５の厚みＴ２は、例えば、６μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、５２μｍ以下である。なお、第１グランド線３５の厚みＴ２は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面と、第１グランド線３５の厚み方向の一方面との、厚み方向の長さである。
【0049】
第１信号線３４の厚みＴ１に対する第１グランド線３５の厚みＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）は、１超過、好ましくは、１．２以上、より好ましくは、１．４以上、さらに好ましくは、１．６以上である。第１信号線３４の厚みＴ１に対する第１グランド線３５の厚みＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）の上限は、限定されない。比（Ｔ２／Ｔ１）の上限は、例えば、１３である。
【0050】
３．２ 第２導体層３２
第２導体層３２は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の他方側に配置される。第２導体層３２は、厚み方向において、第１多孔質絶縁層２１に対して第１導体層３１の反対側に配置される。第２導体層３２は、厚み方向において第１多孔質絶縁層２１と第２多孔質絶縁層２２との間に配置される。第２導体層３２は、第１導体層３１と電気的に接続される。第２導体層３２は、第２信号線３６と、２つの第２グランド線３７とを備える。
第２導体層３２は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の他方側に配置される。第２導体層３２は、厚み方向において、第１多孔質絶縁層２１に対して第１導体層３１の反対側に配置される。第２導体層３２は、厚み方向において第１多孔質絶縁層２１と第２多孔質絶縁層２２との間に配置される。第２導体層３２は、第１導体層３１と電気的に接続される。第２導体層３２は、第２信号線３６と、２つの第２グランド線３７とを備える。
【0051】
３．２．１ 第２信号線３６
第２信号線３６は、第１信号線３４とともに上記した信号を第２方向に伝送する。第２信号線３６は、厚み方向に投影したときに、第１信号線３４と重なる。第２信号線３６は、厚み方向において第１信号線３４と電気的に接続される。
第２信号線３６は、第１信号線３４とともに上記した信号を第２方向に伝送する。第２信号線３６は、厚み方向に投影したときに、第１信号線３４と重なる。第２信号線３６は、厚み方向において第１信号線３４と電気的に接続される。
【0052】
３．２．２ ２つの第２グランド線３７
２つの第２グランド線３７は、２つの第１グランド線３５とともに、第１信号線３４および第２信号線３６に影響を及ぼす微弱電流をアースする。２つの第２グランド線３７のそれぞれは、第２信号線３６の第１方向の一方側および他方側のそれぞれにおいて、間隔を隔てて配置される。第２グランド線３７は、厚み方向に投影したときに、第１グランド線３５に重なる。
２つの第２グランド線３７は、２つの第１グランド線３５とともに、第１信号線３４および第２信号線３６に影響を及ぼす微弱電流をアースする。２つの第２グランド線３７のそれぞれは、第２信号線３６の第１方向の一方側および他方側のそれぞれにおいて、間隔を隔てて配置される。第２グランド線３７は、厚み方向に投影したときに、第１グランド線３５に重なる。
【0053】
２つの第２グランド線３７のそれぞれは、第２信号線３６と同一厚みを有する。
【0054】
３．３ 第３導体層３３
第３導体層３３は、グランド層の一例である。つまり、第３導体層３３は、第１信号線３４および第２信号線３６に影響を及ぼす微弱電流を、上記した第１グランド線３５および第２グランド線３７とともにアースする。
第３導体層３３は、グランド層の一例である。つまり、第３導体層３３は、第１信号線３４および第２信号線３６に影響を及ぼす微弱電流を、上記した第１グランド線３５および第２グランド線３７とともにアースする。
【0055】
第３導体層３３は、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方側に配置される。具体的には、第３導体層３３は、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される。第３導体層３３は、厚み方向において、第２多孔質絶縁層２２に対して第２導体層３２の反対側に配置されている。第３導体層３３は、第３配線部の一例としての第３グランド部３８と、第４配線部の一例としての第４グランド部３９とを有する。
【0056】
３．３．１ 第３グランド部３８
第３グランド部３８は、２つの第３貫通孔２５の間の第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される。第３グランド部３８は、第１方向に延びる。第３グランド部３８は、厚み方向に投影したときに、第１信号線３４と重なる。第３グランド部３８は、厚み方向に投影したときに、第１信号線３４を包含する。具体的には、第３グランド部３８は、重なり部分３８１と、非重なり部分３８２とを含む。重なり部分３８１は、第１信号線３４と重なる。非重なり部分３８２は、第１信号線３４と重ならない。本実施形態では、重なり部分３８１は、第３グランド部３８における第１方向の中間部である。非重なり部分３８２は、重なり部分３８１の第１方向の一端部および他端部のそれぞれから外側に延びる。第３グランド部３８は、平板形状を有する。
第３グランド部３８は、２つの第３貫通孔２５の間の第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される。第３グランド部３８は、第１方向に延びる。第３グランド部３８は、厚み方向に投影したときに、第１信号線３４と重なる。第３グランド部３８は、厚み方向に投影したときに、第１信号線３４を包含する。具体的には、第３グランド部３８は、重なり部分３８１と、非重なり部分３８２とを含む。重なり部分３８１は、第１信号線３４と重なる。非重なり部分３８２は、第１信号線３４と重ならない。本実施形態では、重なり部分３８１は、第３グランド部３８における第１方向の中間部である。非重なり部分３８２は、重なり部分３８１の第１方向の一端部および他端部のそれぞれから外側に延びる。第３グランド部３８は、平板形状を有する。
【0057】
第３グランド部３８は、次に説明する第４グランド部３９より薄い。具体的には、第３グランド部３８の厚みＴ３は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下、より好ましくは、１８μｍ以下であり、また、例えば、４μｍ以上である。なお、第３グランド部３８の厚みＴ３は、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面と、第３グランド部３８の厚み方向の他方面との、厚み方向の長さである。
【0058】
３．３．２ 第４グランド部３９
２つの第４グランド部３９のそれぞれは、２つの第３貫通孔２５のそれぞれの厚み方向の他方側に配置される。２つの第４グランド部３９のそれぞれは、２つの第３貫通孔２５のそれぞれの厚み方向の他端部を塞ぐ。２つの第４グランド部３９のそれぞれは、第２多孔質絶縁層２２において２つの第３貫通孔２５の周囲の厚み方向の他方面に接触する。
２つの第４グランド部３９のそれぞれは、２つの第３貫通孔２５のそれぞれの厚み方向の他方側に配置される。２つの第４グランド部３９のそれぞれは、２つの第３貫通孔２５のそれぞれの厚み方向の他端部を塞ぐ。２つの第４グランド部３９のそれぞれは、第２多孔質絶縁層２２において２つの第３貫通孔２５の周囲の厚み方向の他方面に接触する。
【0059】
２つの第４グランド部３９は、第１方向に互いに間隔を隔てて配置される。２つの第４グランド部３９のそれぞれは、平板形状を有する。第４グランド部３９は、厚み方向に投影したときに、第１グランド線３５と重なる。一の第４グランド部３９の厚み方向の一方側部分は、第３グランド部３８の第１方向の一端部（重なり部分３８２）に連結する。他の第４グランド部３９の厚み方向の一方側部分は、第３グランド部３８の第１方向の他端部（重なり部分３８２）に連結する。これにより、２つの第４グランド部３９は、第３グランド部３８を介して互いに電気的に接続される。
【0060】
２つの第４グランド部３９のそれぞれは、第３グランド部３８より厚い。２つの第４グランド部３９のそれぞれが、第３グランド部３８より厚いと、後述するプレスによって、厚み方向において第３グランド部３８および第４グランド部３９と重なる多孔質絶縁層２の厚みが大きく変動することを抑制し、第１信号線３４および第２信号線３６の電気特性が大きく変動することを抑制できる。
【0061】
２つの第４グランド部３９の厚みＴ４は、例えば、６μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上、より好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、５２μｍ以下である。第４グランド部３９の厚みＴ４は、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面と、第４グランド部３９の厚み方向の他方面との、厚み方向の長さである。
【0062】
第３グランド部３８の厚みＴ３に対する第４グランド部３９の厚みＴ４の比（Ｔ４／Ｔ３）は、１超過、好ましくは、１．２以上、より好ましくは、１．４以上、さらに好ましくは、１．６以上である。第３グランド部３８の厚みＴ３に対する第４グランド部３９の厚みＴ４の比（Ｔ４／Ｔ３）の上限は、限定されない。比（Ｔ４／Ｔ３）の上限は、例えば、１３である。
【0063】
３．４ 導体層３の材料
導体層３の材料は、限定されない。導体層３の材料として、例えば、銅、鉄、銀、金、アルミニウム、ニッケル、および、それらの合金（ステンレス、および、青銅）が挙げられる。導体層３の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。
導体層３の材料は、限定されない。導体層３の材料として、例えば、銅、鉄、銀、金、アルミニウム、ニッケル、および、それらの合金（ステンレス、および、青銅）が挙げられる。導体層３の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。
【0064】
４． 導体接続部４
導体接続部４は、厚み方向において第１導体層３１および第２導体層３２の間と、第２導体層３２および第３導体層３３の間とに配置される。導体接続部４は、第１貫通孔２３、第２貫通孔２４、および、第３貫通孔２５に配置される。導体接続部４は、第１導体接続部４１と、２つの第２導体接続部４２と、２つの第３導体接続部４３とを有する。
導体接続部４は、厚み方向において第１導体層３１および第２導体層３２の間と、第２導体層３２および第３導体層３３の間とに配置される。導体接続部４は、第１貫通孔２３、第２貫通孔２４、および、第３貫通孔２５に配置される。導体接続部４は、第１導体接続部４１と、２つの第２導体接続部４２と、２つの第３導体接続部４３とを有する。
【0065】
４．１ 第１導体接続部４１
第１導体接続部４１の一部（主要部）は、第１貫通孔２３に充填され、第２導体接続部４２の残部（厚み方向の他端部）は、第１貫通孔２３から厚み方向の他方側に向かって突出する。第１導体接続部４１の厚み方向の一端部は、第１信号線３４と接触（連続）する。第１導体接続部４１の厚み方向の他端部は、第２信号線３６と接触する。これによって、第１信号線３４と第２信号線３６とは、第１導体接続部４１を介して電気的に接続される。従って、第１信号線３４と第２信号線３６と第１導体接続部４１とは、断面視において略Ｉ字形状の信号パスを形成する。信号パスは、厚み方向および第２方向に延びる。
第１導体接続部４１の一部（主要部）は、第１貫通孔２３に充填され、第２導体接続部４２の残部（厚み方向の他端部）は、第１貫通孔２３から厚み方向の他方側に向かって突出する。第１導体接続部４１の厚み方向の一端部は、第１信号線３４と接触（連続）する。第１導体接続部４１の厚み方向の他端部は、第２信号線３６と接触する。これによって、第１信号線３４と第２信号線３６とは、第１導体接続部４１を介して電気的に接続される。従って、第１信号線３４と第２信号線３６と第１導体接続部４１とは、断面視において略Ｉ字形状の信号パスを形成する。信号パスは、厚み方向および第２方向に延びる。
【0066】
４．２ 第２導体接続部４２
第２導体接続部４２の一部（主要部）は、第２貫通孔２４に充填され、第２導体接続部４２の残部（厚み方向の他端部）は、第２貫通孔２４から厚み方向の他方側に向かって突出する。第２導体接続部４２の厚み方向の一端部は、第１グランド線３５と接触（連続）する。第２導体接続部４２の厚み方向の他端部は、第２グランド線３７と接触する。これにより、第１グランド線３５と第２グランド線３７とは、第２導体接続部４２を介して電気的に接続される。
第２導体接続部４２の一部（主要部）は、第２貫通孔２４に充填され、第２導体接続部４２の残部（厚み方向の他端部）は、第２貫通孔２４から厚み方向の他方側に向かって突出する。第２導体接続部４２の厚み方向の一端部は、第１グランド線３５と接触（連続）する。第２導体接続部４２の厚み方向の他端部は、第２グランド線３７と接触する。これにより、第１グランド線３５と第２グランド線３７とは、第２導体接続部４２を介して電気的に接続される。
【0067】
４．３ 第３導体接続部４３
第３導体接続部４３の一部（主要部）は、第３貫通孔２５に充填され、第３導体接続部４３の残部（厚み方向の一端部）は、第３貫通孔２５から厚み方向の一方側に向かって突出する。第３導体接続部４３の厚み方向の他端部は、第４グランド部３９と接触（連続）する。第３導体接続部４３の厚み方向の一端部は、第２グランド線３７と接触する。これにより、第２グランド線３７と第３導体層３３とは、第３導体接続部４３を介して電気的に接続される。
第３導体接続部４３の一部（主要部）は、第３貫通孔２５に充填され、第３導体接続部４３の残部（厚み方向の一端部）は、第３貫通孔２５から厚み方向の一方側に向かって突出する。第３導体接続部４３の厚み方向の他端部は、第４グランド部３９と接触（連続）する。第３導体接続部４３の厚み方向の一端部は、第２グランド線３７と接触する。これにより、第２グランド線３７と第３導体層３３とは、第３導体接続部４３を介して電気的に接続される。
【0068】
以上より、第１グランド線３５と第２グランド線３７と第３導体層３３と第２導体接続部４２と第３導体接続部４３とは、断面視において、略Ｕ字形状のグランドパスを形成する。グランドパスは、断面視において、厚み方向の一方側に向かって開放される。
【0069】
４．４ 導体接続部４の材料
導体接続部４の材料は、上記した導体層３の材料と同様である。
導体接続部４の材料は、上記した導体層３の材料と同様である。
【0070】
５． カバー絶縁層５
カバー絶縁層５は、導体層３の厚み方向の一方側および他方側に配置される。カバー絶縁層５は、第１カバー絶縁層５１と、第２カバー絶縁層５２とを有する。
カバー絶縁層５は、導体層３の厚み方向の一方側および他方側に配置される。カバー絶縁層５は、第１カバー絶縁層５１と、第２カバー絶縁層５２とを有する。
【0071】
５．１ 第１カバー絶縁層５１
第１カバー絶縁層５１は、厚み方向において第１導体層３１の一方側に配置される。第１カバー絶縁層５１は、配線回路基板１の厚み方向の一方面を形成する。第１カバー絶縁層５１は、上記した信号端子３４１およびグランド端子３５１を露出する。第１カバー絶縁層５１は、信号端子３４１およびグランド端子３５１以外の第１導体層３１を被覆する。
第１カバー絶縁層５１は、厚み方向において第１導体層３１の一方側に配置される。第１カバー絶縁層５１は、配線回路基板１の厚み方向の一方面を形成する。第１カバー絶縁層５１は、上記した信号端子３４１およびグランド端子３５１を露出する。第１カバー絶縁層５１は、信号端子３４１およびグランド端子３５１以外の第１導体層３１を被覆する。
【0072】
５．２ 第２カバー絶縁層５２
第２カバー絶縁層５２は、厚み方向において第３導体層３３の他方側に配置される。第２カバー絶縁層５２は、配線回路基板１の厚み方向の他方面を形成する。第２カバー絶縁層５２は、第３導体層３３を被覆する。
第２カバー絶縁層５２は、厚み方向において第３導体層３３の他方側に配置される。第２カバー絶縁層５２は、配線回路基板１の厚み方向の他方面を形成する。第２カバー絶縁層５２は、第３導体層３３を被覆する。
【0073】
５．３ カバー絶縁層５の材料
カバー絶縁層５の材料としては、例えば、上記した樹脂が挙げられる。
カバー絶縁層５の材料としては、例えば、上記した樹脂が挙げられる。
【0074】
６． 接着層６
接着層６は、上記した各層間に配置される。接着層６の材料（または原料）は、限定されない。接着層６は、第１接着層６１と、第２接着層６２と、第３接着層６３とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
接着層６は、上記した各層間に配置される。接着層６の材料（または原料）は、限定されない。接着層６は、第１接着層６１と、第２接着層６２と、第３接着層６３とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
【0075】
６．１ 第１接着層６１
第１接着層６１は、第１導体層３１および第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面と、第１カバー絶縁層５１の厚み方向の他方面とに配置されている。第１接着層６１は、第１導体層３１および第１多孔質絶縁層２１と、第１カバー絶縁層５１とを接着する。第１接着層６１は、第１導体層３１の厚み方向の一方面および側面と、第１導体層３１の周囲の第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面とに接触する。第１接着層６１は、第１カバー絶縁層５１の厚み方向の他方面に接触する。
第１接着層６１は、第１導体層３１および第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面と、第１カバー絶縁層５１の厚み方向の他方面とに配置されている。第１接着層６１は、第１導体層３１および第１多孔質絶縁層２１と、第１カバー絶縁層５１とを接着する。第１接着層６１は、第１導体層３１の厚み方向の一方面および側面と、第１導体層３１の周囲の第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面とに接触する。第１接着層６１は、第１カバー絶縁層５１の厚み方向の他方面に接触する。
【0076】
６．２ 第２接着層６２
第２接着層６２は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の他方面と、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の一方面とに配置されている。つまり、第２接着層６２は、第１多孔質絶縁層２１と第２多孔質絶縁層２２との間に配置されている。第２接着層６２は、第２導体層３２を厚み方向に埋設する。具体的には、第２接着層６２は、第２導体層３２の厚み方向の両方面および側面に接触する。また、第２接着層６２は、上記した導体接続部４の残部の側面に接触する。具体的には、第２接着層６２は、第１導体接続部４１の厚み方向の他端部の周側面と、第２導体接続部４２の厚み方向の他端部の周側面と、第３導体接続部４３の厚み方向の一端部の周側面とに接触する。
第２接着層６２は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の他方面と、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の一方面とに配置されている。つまり、第２接着層６２は、第１多孔質絶縁層２１と第２多孔質絶縁層２２との間に配置されている。第２接着層６２は、第２導体層３２を厚み方向に埋設する。具体的には、第２接着層６２は、第２導体層３２の厚み方向の両方面および側面に接触する。また、第２接着層６２は、上記した導体接続部４の残部の側面に接触する。具体的には、第２接着層６２は、第１導体接続部４１の厚み方向の他端部の周側面と、第２導体接続部４２の厚み方向の他端部の周側面と、第３導体接続部４３の厚み方向の一端部の周側面とに接触する。
【0077】
６．３ 第３接着層６３
第３接着層６３は、第３導体層３３および第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面と、第２カバー絶縁層５２の厚み方向の一方面とに配置されている。なお、図１において、第３接着層６３が第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される態様は、図示されていない。第３接着層６３は、第３導体層３３および第２多孔質絶縁層２２と、第２カバー絶縁層５２とを接着する。第３接着層６３は、第３導体層３３の厚み方向の他方面おおよび側面と、第３導体層３３の周囲の第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面とに接触する。
第３接着層６３は、第３導体層３３および第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面と、第２カバー絶縁層５２の厚み方向の一方面とに配置されている。なお、図１において、第３接着層６３が第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される態様は、図示されていない。第３接着層６３は、第３導体層３３および第２多孔質絶縁層２２と、第２カバー絶縁層５２とを接着する。第３接着層６３は、第３導体層３３の厚み方向の他方面おおよび側面と、第３導体層３３の周囲の第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面とに接触する。
【0078】
７．第４接着層６４および補強層７
また、配線回路基板１は、仮想線で示す第４接着層６４および補強層７をさらに備えてもよい。
また、配線回路基板１は、仮想線で示す第４接着層６４および補強層７をさらに備えてもよい。
【0079】
第４接着層６４は、第２カバー絶縁層５２の厚み方向の他方面に配置される。第４接着層６４は、第２カバー絶縁層５２と、次に説明する補強層７とを接着する。
【0080】
補強層７は、第１信号線３４および第３グランド部３８を補強する。補強層７は、第２カバー絶縁層５２の厚み方向の他方側に配置される。具体的には、補強層７は、第４接着層６４を介して、第２カバー絶縁層５２の厚み方向の他方面に接着される。補強層７は、厚み方向に投影したときに第１信号線３４および第３グランド部３８と重なる。補強層７は、平板形状を有する。補強層７の材料は、限定されない。補強層７の材料としては、例えば、金属、および、硬質樹脂が挙げられる。補強層７の材料としては、好ましくは、金属、具体的には、ステンレス、銅、鉄、および、アルミニウムが挙げられる。補強層７の厚みは、限定されない。
【0081】
【0082】
８．１ 第１多孔質積層体８１の準備
図２Ａに示すように、この方法では、まず、第１多孔質積層体８１を準備する。
図２Ａに示すように、この方法では、まず、第１多孔質積層体８１を準備する。
【0083】
第１多孔質積層体８１は、第２導体層３２と、一方側第２接着層６２Ａと、第１多孔質絶縁層２１と、第１下地層３１１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。
【0084】
第１多孔質積層体８１における第２導体層３２は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の他方側に配置されている。第１多孔質積層体８１における第２導体層３２は、まだパターニングされる前であり、図１に示す配線回路基板１の第２導体層３２ではない。
【0085】
一方側第２接着層６２Ａは、第２導体層３２の厚み方向の一方面、および、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の他方面に配置されている。
【0086】
第１下地層３１１は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に配置される。第１下地層３１１は、図１における配線回路基板１の第１導体層３１に含まれる。
【0087】
第１多孔質積層体８１の準備方法は、例えば、特開２０１９－１２３８５１号公報に記載される。
【0088】
８．２ 第１ビア９１の形成
図２Ｂに示すように、次いで、第１ビア９１を、第１下地層３１１と、第１多孔質絶縁層２１と、一方側第２接着層６２Ａとに形成する。なお、第１多孔質絶縁層２１における第１ビア９１は、上記した第１貫通孔２３である。
図２Ｂに示すように、次いで、第１ビア９１を、第１下地層３１１と、第１多孔質絶縁層２１と、一方側第２接着層６２Ａとに形成する。なお、第１多孔質絶縁層２１における第１ビア９１は、上記した第１貫通孔２３である。
【0089】
第１ビア９１の形成方法としては、例えば、穿孔加工が挙げられる。穿孔加工としては、例えば、レーザー加工、ドリル加工およびブラスト法が挙げられる。好ましくは、レーザー加工が挙げられる。
【0090】
８．３ 第１めっき層３１２の形成
図２Ｃに示すように、次いで、第１めっき層３１２を、第１ビア９１の内周面と、第１下地層３１１の厚み方向の一方面とに形成する。第１ビア９１の内周面に形成される第１めっき層３１２は、上記した第１導体接続部４１である。
図２Ｃに示すように、次いで、第１めっき層３１２を、第１ビア９１の内周面と、第１下地層３１１の厚み方向の一方面とに形成する。第１ビア９１の内周面に形成される第１めっき層３１２は、上記した第１導体接続部４１である。
【0091】
８．４ 第２導体層３２のパターニング
図２Ｄに示すように、第２導体層３２をパターニングして、第２信号線３６と、２つの第２グランド線３７とを形成する。第２導体層３２のパターニングとしては、例えば、ウエットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。
図２Ｄに示すように、第２導体層３２をパターニングして、第２信号線３６と、２つの第２グランド線３７とを形成する。第２導体層３２のパターニングとしては、例えば、ウエットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。
【0092】
【0093】
図２Ｄの下側図に示すように、まず、第２の多孔質積層体８２を準備する。第２の多孔質積層体８２は、他方側第２接着層６２Ｂと、第２多孔質絶縁層２２と、第２下地層３３１とを厚み方の他方側に向かって順に備える。
【0094】
他方側第２接着層６２Ｂは、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の一方面に配置される。
【0095】
第２下地層３３１は、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される。第２下地層３３１は、上記した第３導体層３３に含まれる。
【0096】
第２の多孔質積層体８２の準備方法は、例えば、特開２０１９－１２３８５１号公報に記載される。
【0097】
次いで、図２Ｄの矢印および図３Ａに示すように、第２の多孔質積層体８２の他方側第２接着層６２Ｂを、第２導体層３２に貼り合わせる。この際、厚み方向にプレス可能なプレス機（図示せず）を用いる。プレスの圧力は、限定されない。プレスの圧力は、例えば、０．５ＭＰａ以上、好ましくは、３ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下である。プレスの時間は、例えば、１分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、１２０分以下である。プレスは、熱プレスであってもよい。プレス温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、３００℃以下である。
【0098】
上記した他方側第２接着層６２Ｂの貼り合わせにおいて、一方側第２接着層６２Ａおよび他方側第２接着層６２Ｂは、変形して、隣接する第２信号線３６および第２グランド線３７の間に入り込む。これによって、一方側第２接着層６２Ａと他方側第２接着層６２Ｂとは、第２接着層６２を形成する。図３Ａから図４Ｂにおいて、一方側第２接着層６２Ａと他方側第２接着層６２Ｂとの界面を、仮想線で示しているが、この界面は、観察されなくてもよい。一方側第２接着層６２Ａと他方側第２接着層６２Ｂとは、一体をなす。
【0099】
８．６ 第２ビア９２および第３ビア９３の形成
図３Ｂに示すように、第２ビア９２を、第１めっき層３１２と、第１下地層３１１と、一方側第２接着層６２Ａとに形成する。なお、第１多孔質絶縁層２１における第２ビア９２は、第２貫通孔２４である。
図３Ｂに示すように、第２ビア９２を、第１めっき層３１２と、第１下地層３１１と、一方側第２接着層６２Ａとに形成する。なお、第１多孔質絶縁層２１における第２ビア９２は、第２貫通孔２４である。
【0100】
併せて、第３ビア９３を、第２下地層３３１と、第２多孔質絶縁層２２と、他方側第２接着層６２Ｂとに、形成する。なお、第２多孔質絶縁層２２における第３ビア９３は、第３貫通孔２５である。
【0101】
第２ビア９２および第３ビア９３の形成方法としては、第１ビア９１で例示した形成方法が挙げられる。
【0102】
８．７ 第２めっき層３１３および第３めっき層３３２の形成
次いで、図３Ｃに示すように、第２めっき層３１３を、第１めっき層３１２の厚み方向の一方面と、第２ビア９２の内周面とに形成する。併せて、第３めっき層３３２を第２下地層３３１の厚み方向の他方面と、第３ビア９３の内周面とに形成する。
次いで、図３Ｃに示すように、第２めっき層３１３を、第１めっき層３１２の厚み方向の一方面と、第２ビア９２の内周面とに形成する。併せて、第３めっき層３３２を第２下地層３３１の厚み方向の他方面と、第３ビア９３の内周面とに形成する。
【0103】
具体的には、第２めっき層３１３および第３めっき層３３２の形成の前に、図３Ｂに示すように、第１レジスト９５と第２レジスト９６とのそれぞれを、第１めっき層３１２の厚み方向の一方面と、第２下地層３３１の厚み方向の他方面とのそれぞれに配置する。第１レジスト９５と第２レジスト９６とは、いずれもめっきレジストである。第１レジスト９５は、第２めっき層３１３の逆パターンを有する。第２レジスト９６は、第３めっき層３３２の逆パターンを有する。
【0104】
その後、第１レジスト９５が配置された第１めっき層３１２と、第２レジスト９６が配置された第２下地層３３１とを備えるレジスト積層体８３をめっき浴に浸漬して、めっき処理を実施する。
【0105】
第１レジスト９５から露出する第１めっき層３１２の厚み方向の一方面と、第２ビア９２の内周面とに、第２めっき層３１３が析出する。一方、第１レジスト９５が配置された第１めっき層３１２の厚み方向の一方面には、第２めっき層３１３が析出しない。
【0106】
第２レジスト９６から露出する第２下地層３３１の厚み方向の他方面と、第３ビア９３の内周面とに、第３めっき層３３２が析出する。一方、第２レジスト９６が配置された第２下地層３３１の厚み方向の他方面には、第３めっき層３３２が析出しない。
【0107】
これによって、第３グランド部３８と第４グランド部３９とを備える第３導体層３３が形成される。
【0108】
第３グランド部３８は、第２下地層３３１から形成される。そのため、第３グランド部３８の厚みＴ３は、第２下地層３３１の厚みと同一である。
【0109】
第４グランド部３９は、第２下地層３３１と第３めっき層３３２とから形成される。そのため、第４グランド部３９の厚みＴ４は、第２下地層３３１と第３めっき層３３２との合計厚みと同一である。
【0110】
その後、上記した第１レジスト９５と第２レジスト９６とを除去する。
【0111】
８．８ 第１めっき層３１２および第１下地層３１１のパターニング
図４Ａに示すように、第１めっき層３１２および第１下地層３１１をパターニングする。第１めっき層３１２および第１下地層３１１のパターニングとしては、例えば、ウエットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。これによって、第１信号線３４と、第１グランド線３５とを備える３１が形成される（第１工程の実施）。
図４Ａに示すように、第１めっき層３１２および第１下地層３１１をパターニングする。第１めっき層３１２および第１下地層３１１のパターニングとしては、例えば、ウエットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。これによって、第１信号線３４と、第１グランド線３５とを備える３１が形成される（第１工程の実施）。
【0112】
第１信号線３４は、パターニングされた第１下地層３１１と、パターニングされた第１めっき層３１２とから形成される。そのため、第１信号線３４の厚みＴ１は、第１下地層３１１と第１めっき層３１２との合計厚みである。
【0113】
第１グランド線３５は、パターニングされた第１下地層３１１と、パターニングされた第１めっき層３１２と、第２めっき層３１３とから形成される。そのため、第１グランド線３５の厚みＴ２は、第１下地層３１１と第１めっき層３１２と第２めっき層３１３との合計厚みである。
【0114】
８．９ 第１カバー積層体８５、および、第２カバー積層体８６の貼り合わせ
図４Ｂに示すように、第１カバー積層体８５を第１導体層３１に貼り合わせる（第２工程の実施）。仮想線で示すように、第１カバー積層体８５は、第１カバー絶縁層５１と、第１接着層６１とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
図４Ｂに示すように、第１カバー積層体８５を第１導体層３１に貼り合わせる（第２工程の実施）。仮想線で示すように、第１カバー積層体８５は、第１カバー絶縁層５１と、第１接着層６１とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
【0115】
併せて、第２カバー積層体８６を第２導体層３２に貼り合わせる。仮想線で示すように、第２カバー積層体８６は、第２カバー絶縁層５２と、第２接着層６２とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。
【0116】
上記した貼り合わせでは、上記したプレス機を用いる。プレスの条件は、上記と同様である。
【0117】
上記した第１カバー積層体８５の貼り合わせにおいて、第１接着層６１は、隣接する第１信号線３４と第１グランド線３５との間に入り込む。第１接着層６１は、第１信号線３４と第１グランド線３５とから露出する第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に接触する。
【0118】
上記した第２カバー積層体８６の貼り合わせにおいて、第２接着層６２は、第３導体層３３の周囲の第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に接触する。
【0119】
以上によって、多孔質絶縁層２と、導体層３と、導体接続部４と、カバー絶縁層５と、接着層６とを備える配線回路基板１が製造される。
【0120】
さらに、図１に示すように、配線回路基板１に補強層７を設ける場合には、補強層７を第４接着層６４を介して第２カバー絶縁層５２に貼り合わせる。補強層７の貼り合わせでは、上記したプレス機を用いる。プレスの条件は、上記と同様である。
【0121】
９． 一実施形態の作用効果
この配線回路基板１では、第１グランド線３５が第１信号線３４より厚い。換言すれば、第１信号線３４が第１グランド線３５より薄い。
この配線回路基板１では、第１グランド線３５が第１信号線３４より厚い。換言すれば、第１信号線３４が第１グランド線３５より薄い。
【0122】
そのため、例えば、第２の多孔質積層体８２（図２Ｄ参照）を第２導体層３２に貼り合わせる際、さらには、補強層７を配線回路基板１に設ける際に、第１多孔質絶縁層２１を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第１信号線３４と重なる第１多孔質絶縁層２１は、厚み方向において第１グランド線３５と重なる第１多孔質絶縁層２１に比べて、小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第１信号線３４と重なる第１多孔質絶縁層２１の厚みの変動を、厚み方向において第１グランド線（第２配線部）３５と重なる２１の厚みの変動に比べて、抑制できる。具体的には、第１信号線３４の特性インピーダンスのミスマッチを抑制できる。
【0123】
その結果、第１信号線３４の電気特性の変動を、第１グランド線３５の電気特性の変動よりも、抑制できる。
【0124】
他方、第１グランド線３５と重なる第１多孔質絶縁層２１は、大きく変動するものの、第１グランド線３５に流れる微弱電流はアースされることから、第１グランド線３５の電気特性の大きな変動は許容される。
【0125】
この配線回路基板１では、グランド層である第３導体層３３が、第１信号線３４に重なる第３グランド部３８と、第１グランド線３５に重なり、第３グランド部３８より厚い第４グランド部３９とを備える。そのため、配線回路基板１を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第１信号線３４と重なる多孔質絶縁層２（第１多孔質絶縁層２１および第２多孔質絶縁層２２）は、厚み方向において第１グランド線３５と重なる多孔質絶縁層２に比べて、より一層小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第１信号線３４と重なる多孔質絶縁層２の厚みの変動を、厚み方向において第１グランド線３５と重なる多孔質絶縁層２の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。具体的には、第１信号線３４の特性インピーダンスのミスマッチをより一層抑制できる。
【0126】
また、上記した製造方法において、図４Ｂに示すように、第１カバー積層体８５を第１導体層３１に貼り合わせる工程で、多孔質絶縁層２（第１多孔質絶縁層２１および第２多孔質絶縁層２２）に大きなプレス圧がかかっても、上記したように、厚み方向において第１信号線３４と重なる多孔質絶縁層２の厚みの変動を、厚み方向において第１グランド線３５と重なる多孔質絶縁層２の厚みの変動に比べて、抑制できる。その結果、第１信号線３４の電気特性の変動を、第１グランド線３５の電気特性の変動よりも、抑制できる。
【0127】
１０． 変形例
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
【0128】
第１グランド線３５、第２グランド線３７および第３導体層３３のそれぞれは、第１電源線、第２電源線および電源層のそれぞれであってもよい。第１電源線、第２電源線および電源層は、第２導体接続部４２と第３導体接続部４３ととともに、電源パスを形成する。電源パスには、例えば、１Ａ以上、さらには、１０Ａ以上の大電流が流れる。
【0129】
図１に示すように、第１信号線３４は、２つの第１グランド線３５の間に配置されている。図示しないが、変形例では、第１信号線３４は、第１方向において一の第１グランド線３５に対する他の第１グランド線３５の反対側に配置されていてもよい。また、第１信号線３４は、第１方向において他の第１グランド線３５に対する一の第１グランド線３５の反対側に配置されていてもよい。
【0130】
好ましくは、第１信号線３４は、２つの第１グランド線３５の間に配置されている。そうすれば、平板形状を有するプレス板を用いるプレス時に、厚み方向において２つの第１グランド線３５と重なる多孔質絶縁層２が、大きなプレス圧をバランスよく受けることができるので、２つの第１グランド線３５の間に配置される第１信号線３４と重なる多孔質絶縁層２は、より一層小さいプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第１信号線３４と重なる多孔質絶縁層２の厚みの変動を、厚み方向において第１グランド線３５と重なる多孔質絶縁層２の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。
【0131】
図示しないが、第１グランド線（第２配線部）３５は１つであってもよい。
【0132】
図５に示す配線回路基板１では、導体層３は、グランド層の一例としての第１導体層３０を有する。第１導体層３０は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に配置されている。第１導体層３０は、第１グランド部３０１と、第２グランド部３０２とを備える。
【0133】
第１グランド部３０１は、２つの第２貫通孔２４の間の第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に配置される。第１グランド部３０１は、第１方向に延びる。第１グランド部３０１は、厚み方向に投影したときに、第３グランド部３８と重なる。第１グランド部３０１は、平板形状を有する。
【0134】
一の第２グランド部３０２の厚み方向の他方側部分は、第１グランド部３０１の第１方向の一端部に連結される。他の第２グランド部３０２の厚み方向の他方側部分は、第１グランド部３０１の第１方向の他端部に連結される。これにより、２つの第２グランド部３０２は、第１グランド部３０１を介して互いに電気的に接続される。
【0135】
従って、第１導体層３０と、第２グランド線３７と、第３導体層３３と、導体接続部４とは、断面視において、略矩形枠形状のグランドパスを形成する。矩形枠は、断面視において、第２信号線３６を囲む。
【0136】
図６に示すように、配線回路基板１は、１つの多孔質絶縁層２と、１つの導体層３と、２つの接着層６と、１つのカバー絶縁層５とを備える。
【0137】
多孔質絶縁層２は、第１多孔質絶縁層２１である。第１多孔質絶縁層２１は、第２貫通孔２４を備えない。
【0138】
導体層３は、第１導体層３１である。
【0139】
接着層６は、第１接着層６１と、第２接着層６２とを備える。
【0140】
カバー絶縁層５は、第１カバー絶縁層５１である。
【0141】
図６に示す配線回路基板１では、第１多孔質絶縁層２１と、第２接着層６２と、第１導体層３１と、第１接着層６１と、第１カバー絶縁層５１とが厚み方向の一方側に向かって順に配置される。
【0142】
図７に示す配線回路基板１では、導体層３は、上記した第１導体層３１と、第３導体層４０とを備える。
【0143】
第３導体層４０は、第２信号線３６と、２つの第４グランド部３９とを備える。
【0144】
図示しないが、多孔質絶縁層２は、厚み方向の一端部および／または他端部に位置するスキン層を含む。スキン層は、面方向に延びる。スキン層は、平滑である。例えば、第１多孔質絶縁層２１は、厚み方向の一端部および／または他端部に配置されるスキン層を含む。第２多孔質絶縁層２２は、厚み方向の一端部および／または他端部にスキン層を含む。
【0145】
厚み方向における第１多孔質絶縁層２１の一端部に位置するスキン層は、厚み方向における第１多孔質絶縁層２１の一方面を形成する。厚み方向における第１多孔質絶縁層２１の他端部に位置するスキン層は、厚み方向における第１多孔質絶縁層２１の他方面を形成する。第１多孔質絶縁層２１の厚みに対するスキン層の厚みの比は、例えば、０．１未満である。スキン層の厚みは、スキン層の第１下地層３１１に対する剥離強度を担保できるように適宜調整される。具体的には、スキン層の厚みは、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【0146】
厚み方向における第２多孔質絶縁層２２の一端部に位置するスキン層は、厚み方向における第２多孔質絶縁層２２の一方面を形成する。厚み方向における第２多孔質絶縁層２２の他端部に位置するスキン層は、厚み方向における第２多孔質絶縁層２２の他方面を形成する。第２多孔質絶縁層２２の厚みに対するスキン層の厚みの比は、例えば、０．１未満である。スキン層の厚みは、スキン層の一方側第２接着層６２Ａに対する剥離強度を担保できるように適宜調整される。具体的には、スキン層の厚みは、例えば、１μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【0147】
図示しないが、接着層６は、図示しない第４接着層および第５接着層を備える。
【0148】
第４接着層は、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面に配置さる。第４接着層は、第１多孔質絶縁層２１と、第１導体層３１との間に介在する。第４接着層は、第１多孔質絶縁層２１と、第１導体層３１とを接着する。この変形例では、第１多孔質絶縁層２１の厚み方向の一方面および両方面のそれぞれに、第４接着層および第２接着層６２（一方側第２接着層６２Ａ、図３Ｃ参照）のそれぞれが配置される。
【0149】
第５接着層は、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の他方面に配置される。第５接着層は、第２多孔質絶縁層２２と、第３導体層３３との間に介在する。第５接着層は、第２多孔質絶縁層２２と、第３導体層３３とを接着する。この変形例では、第２多孔質絶縁層２２の厚み方向の一方面および他方面のそれぞれに、第２接着層６２（他方側第２接着層６２Ｂ、図３Ｃ参照）および第５接着層のそれぞれ４が配置される。
【0150】
この変形例の配線回路基板１を製造するには、図２Ａが参照されるように、第２導体層３２と、一方側第２接着層６２Ａと、第１多孔質絶縁層２１と、図示しない第４接着層と、第１下地層３１１とを厚み方向の一方側に向かって順に備える第１多孔質積層体８１を準備する。
【0151】
図２Ｄの下側図が参照されるように、他方側第２接着層６２Ｂと、第２多孔質絶縁層２２と、図示しない第５接着層と、第２下地層３３１とを厚み方の他方側に向かって順に備える第２の多孔質積層体８２を用いる。
【符号の説明】
【0152】
１ 配線回路基板
２ 多孔質絶縁層
３ 導体層
４ 導体接続部
５ カバー絶縁層
２１ 第１多孔質絶縁層
２２ 第２多孔質絶縁層
２３ 第１貫通孔
２４ 第２貫通孔
２５ 第３貫通孔
３０，３１ 第１導体層
３２ 第２導体層
３３，４０ 第３導体層（グランド層）
３４ 第１信号線（第１配線部）
３５ 第１グランド線（第２配線部）
３６ 第２信号線
３７ 第２グランド線
３８ 第３グランド部（第３配線部）
３９ 第４グランド部（第４配線部）
５１ 第１カバー絶縁層
５２ 第２カバー絶縁層
２ 多孔質絶縁層
３ 導体層
４ 導体接続部
５ カバー絶縁層
２１ 第１多孔質絶縁層
２２ 第２多孔質絶縁層
２３ 第１貫通孔
２４ 第２貫通孔
２５ 第３貫通孔
３０，３１ 第１導体層
３２ 第２導体層
３３，４０ 第３導体層（グランド層）
３４ 第１信号線（第１配線部）
３５ 第１グランド線（第２配線部）
３６ 第２信号線
３７ 第２グランド線
３８ 第３グランド部（第３配線部）
３９ 第４グランド部（第４配線部）
５１ 第１カバー絶縁層
５２ 第２カバー絶縁層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
