特開 2022-183134 プラズマ処理装置用の静電チャックアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022183134

(43)【公開日】2022-12-08

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置用の静電チャックアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20221201BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2022086891

(22)【出願日】2022-05-27

(31)【優先権主張番号】202110589056.5

(32)【優先日】2021-05-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(31)【優先権主張番号】17/717,652

(32)【優先日】2022-04-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】502278714

【氏名又は名称】マトソン テクノロジー インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】Ｍａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ．

【住所又は居所原語表記】４７１３１ Ｂａｙｓｉｄｅ Ｐａｒｋｗａｙ， Ｆｒｅｍｏｎｔ， ＣＡ ９４５３８， ＵＳＡ

(71)【出願人】

【識別番号】520111187

【氏名又は名称】ベイジン イータウン セミコンダクター テクノロジー カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｅ－Ｔｏｗｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ． ８ Ｂｕｉｌｄｉｎｇ， Ｎｏ． ２８ Ｊｉｎｇｈａｉ Ｅｒ Ｒｄ．， Ｅｃｏｎｏｍｉｃ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ， １００１７６ Ｂｅｉｊｉｎｇ， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100114890

【弁理士】

【氏名又は名称】アインゼル・フェリックス＝ラインハルト

(74)【代理人】

【識別番号】100098501

【弁理士】

【氏名又は名称】森田 拓

(74)【代理人】

【識別番号】100116403

【弁理士】

【氏名又は名称】前川 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100134315

【弁理士】

【氏名又は名称】永島 秀郎

(74)【代理人】

【識別番号】100162880

【弁理士】

【氏名又は名称】上島 類

(72)【発明者】

【氏名】マオリン ロン

(72)【発明者】

【氏名】ウェイミン ツェン

【テーマコード（参考）】

2G084

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA04

2G084AA05

2G084BB14

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD03

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF06

2G084FF31

(57)【要約】      （修正有）

【課題】ワークピース処理の均一性を調整するためのＤＣオフセット調整を提供する静電チャック。
【解決手段】第１のクランプ電極および第２のクランプ電極を有するクランプ層を含む静電チャック。第１のクランプ領域と第２のクランプ領域とを画定する第１のクランプ電極が設けられている。第１のクランプ領域と第２のクランプ領域とは第１のギャップによって分離されており、第１のギャップを横切って延びる電気接続部によって電気的に接続されている。第２のクランプ電極が、第１のクランプ電極から半径方向外側に配置されている。第２のクランプ電極は、第２のギャップによって分離された、第３のクランプ領域および第４のクランプ領域を画定する。第３のクランプ領域と第４のクランプ領域とは、第２のギャップを横切って延びる電気接続部によって電気的に接続されている。静電チャックを組み込んだプラズマ処理装置およびシステムも提供される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

静電チャックであって、
処理中、ワークピースを支持するように構成されたワークピース支持面と、
１つもしくは複数のクランプ電極を含むクランプ層と
を備え、前記クランプ層は、
第１のクランプ領域および第２のクランプ領域を画定する第１のクランプ電極であって、前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域とは第１のギャップによって分離されており、前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域とは、前記第１のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている、第１のクランプ電極と、
前記第１のクランプ電極から半径方向外側に配置されており、かつ第３のクランプ領域および第４のクランプ領域を画定する第２のクランプ電極であって、前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域とは第２のギャップによって分離されており、前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域とは、前記第２のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている、第２のクランプ電極と
を含む、静電チャック。

【請求項2】

前記第１のギャップは前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域との間の熱伝導を低減し、前記第２のギャップは前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域との間の熱伝導を低減する、請求項１記載の静電チャック。

【請求項3】

前記第１のギャップおよび／または前記第２のギャップがセラミック材料を含む、請求項１記載の静電チャック。

【請求項4】

前記第１の電極および前記第２の電極は電圧源に結合されており、前記電圧源は、クランプ力を平衡化するためのまたはワークピース処理の均一性を調整するためのＤＣオフセット調整を提供するように構成されている、請求項１記載の静電チャック。

【請求項5】

前記第１のクランプ電極および前記第２のクランプ電極は、ＤＣ電源、ＡＣ電源および／またはＲＦ電源に接続されている、請求項１記載の静電チャック。

【請求項6】

前記第１のクランプ電極と前記第２のクランプ電極とは、同じＲＦ電源に接続されている、請求項５記載の静電チャック。

【請求項7】

前記第１のクランプ電極は負のＤＣ電圧に結合されており、前記第２のクランプ電極は正のＤＣ電圧に結合されている、請求項１記載の静電チャック。

【請求項8】

前記第１のクランプ領域は、半径方向で最も内側に配置されており、前記第２のクランプ領域は、前記第１のクランプ領域から半径方向外側かつ前記第３のクランプ領域から半径方向内側に配置されており、前記第３のクランプ領域は、前記第２のクランプ領域から半径方向外側かつ前記第４のクランプ領域から半径方向内側に配置されている、請求項１記載の静電チャック。

【請求項9】

前記ワークピースの均一性を調整するために、異なる量のＤＣ電圧、異なる量のＲＦ電力出力、および／または異なる電源を、前記第１のクランプ領域、前記第２のクランプ領域、前記第３のクランプ領域、および／または前記第４のクランプ領域に印加することができる、請求項１記載の静電チャック。

【請求項10】

前記静電チャックは、加熱層を画定する複数の加熱電極をさらに備え、
前記加熱電極は、半径方向で配置されて、第１の加熱領域、第２の加熱領域、第３の加熱領域、および第４の加熱領域を形成している、
請求項１記載の静電チャック。

【請求項11】

前記加熱層は、ｚ方向で前記クランプ層の下方に配置されており、
さらに、前記第１の加熱領域は、ｚ方向で前記第１のクランプ領域の下方に配置されており、前記第２の加熱領域は、ｚ方向で前記第２のクランプ領域の下方に配置されており、前記第３の加熱領域は、ｚ方向で前記第３のクランプ領域の下方に配置されており、前記第４の加熱領域は、ｚ方向で前記第４のクランプ領域の下方に配置されている、
請求項１０記載のワークピース支持部。

【請求項12】

ワークピース処理装置であって、
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置されたワークピース支持部と
を備え、前記ワークピース支持部は、
処理中、ワークピースを支持するように構成されたワークピース支持面と、１つもしくは複数のクランプ電極を含むクランプ層とを含む静電チャックを含み、前記クランプ層は、
第１のクランプ領域および第２のクランプ領域を画定する第１のクランプ電極であって、前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域とは第１のギャップによって分離されており、前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域とは、前記第１のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている、第１のクランプ電極と、
前記第１のクランプ電極から半径方向外側に配置されており、かつ第３のクランプ領域および第４のクランプ領域を画定する第２のクランプ電極であって、前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域とは第２のギャップによって分離されており、前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域とは、前記第２のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている、第２のクランプ電極と
を含み、
前記第１のギャップは前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域との間の熱伝導を低減し、前記第２のギャップは前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域との間の熱伝導を低減する、
ワークピース処理装置。

【請求項13】

前記ワークピース処理装置は、１つもしくは複数の処理ガスから前記処理チャンバ内にプラズマを生成することができる誘導結合プラズマ源を含む、請求項１２記載のワークピース処理装置。

【請求項14】

前記ワークピース処理装置は、前記ワークピースに対して熱処理を行うことができる１つもしくは複数の熱源を含む、請求項１２記載のワークピース処理装置。

【請求項15】

前記第１のクランプ電極に負のＤＣ電圧が印加され、前記第２のクランプ電極に正のＤＣ電圧が印加される、請求項１２記載のワークピース処理装置。

【請求項16】

前記第１のクランプ領域は、半径方向で最も内側に配置されており、前記第２のクランプ領域は、前記第１のクランプ領域から半径方向外側かつ前記第３のクランプ領域から半径方向内側に配置されており、前記第３のクランプ領域は、前記第２のクランプ領域から半径方向外側かつ前記第４のクランプ領域から半径方向内側に配置されている、請求項１２記載のワークピース処理装置。

【請求項17】

前記ワークピースの均一性を調整するために、異なる量のＤＣ電圧、ＲＦ電力出力、および／または異なる電源を、前記第１のクランプ領域、前記第２のクランプ領域、前記第３のクランプ領域、および／または前記第４のクランプ領域に印加することができる、請求項１２記載のワークピース処理装置。

【請求項18】

前記ワークピース処理装置は、ｚ方向で前記クランプ層の下方に配置された、加熱層を形成する複数の加熱電極をさらに備え、
前記加熱電極は、半径方向で配置されて、第１の加熱領域、第２の加熱領域、第３の加熱領域、および第４の加熱領域を形成している、
請求項１２記載のワークピース処理装置。

【請求項19】

前記第１の加熱領域は、ｚ方向で前記第１のクランプ領域の下方に配置されており、前記第２の加熱領域は、ｚ方向で前記第２のクランプ領域の下方に配置されており、前記第３の加熱領域は、ｚ方向で前記第３のクランプ領域の下方に配置されており、前記第４の加熱領域は、ｚ方向で前記第４のクランプ領域の下方に配置されている、請求項１８記載のワークピース処理装置。

【請求項20】

ワークピースを処理するためのシステムであって、
ワークピースに対して少なくとも１つの処理プロセスを実行するように構成された処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置されておりかつ静電チャックを含むワークピース支持部と
を備え、前記静電チャックは、
処理中、ワークピースを支持するように構成されたワークピース支持面と、
１つもしくは複数のクランプ電極を含むクランプ層であって、
第１のクランプ領域および第２のクランプ領域を画定する第１のクランプ電極であって、前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域とは第１のギャップによって分離されており、前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域とは、前記第１のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている、第１のクランプ電極と、
前記第１のクランプ電極から半径方向外側に配置されており、かつ第３のクランプ領域および第４のクランプ領域を画定する第２のクランプ電極であって、前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域とは第２のギャップによって分離されており、前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域とは、前記第２のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている、第２のクランプ電極と
を含み、
前記第１のギャップは前記第１のクランプ領域と前記第２のクランプ領域との間の熱伝導を低減し、前記第２のギャップは前記第３のクランプ領域と前記第４のクランプ領域との間の熱伝導を低減する、
クランプ層と、
前記１つもしくは複数のクランプ電極に結合された１つもしくは複数の電圧源であって、クランプ力を平衡化するためのまたはワークピース処理の均一性を調整するためのＤＣオフセット調整を提供するように構成された電圧源と、
前記１つもしくは複数の電圧源から前記１つもしくは複数のクランプ電極への電力出力または電圧源を調整するように構成されたコントローラと
を含む、システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

優先権の主張
本願は、２０２１年５月２８日付にて出願された、“Electrostatic Chuck Assembly For Plasma Processing Apparatus”なるタイトルの中国特許出願第２０２１１０５８９０５６．５号の優先権の利益を主張し、この出願はあらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれるものとする。

【0002】

分野
本開示は、全体としては、ワークピースをプラズマ処理するためのプラズマ処理装置に関する。より具体的には、本開示は、プラズマ処理装置用の静電チャックアセンブリに関する。

【0003】

背景
様々なタイプのワークピースを処理するために、様々なタイプの処理チャンバが利用可能である。ワークピースは、例えば、ガラスプレート、フィルム、リボン、ソーラーパネル、ミラー、液晶ディスプレイ、半導体ウェハなどを含むことができる。例えば、集積回路チップの製造中に半導体ウェハを処理するために、多くの異なるタイプの処理チャンバが利用されうる。処理チャンバは、ウェハのアニーリング、化学蒸着、物理蒸着、プラズマエッチングプロセスおよび化学エッチングプロセス、熱処理、表面加工プロセスならびに他のプロセスを実行するために使用されうる。これらのタイプの処理チャンバは、典型的には、ワークピースをチャンバ内に保持するためのワークピース支持部を含む。

【0004】

多くのプロセスでは、処理中の均一性を制御するために、処理中のワークピースの特定のパラメータを制御することが望ましい。温度の不均一性を制御することのできるワークピース支持部を設計するために様々な試みがなされてきたが、様々な欠陥および欠点が残っている。したがって、改善されたワークピース支持部、プラズマ処理装置、およびシステムが必要とされている。

【0005】

当業者に向けた実施形態の詳細な説明を、添付の図を参照しつつ、本明細書に記載する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本開示の例示的な実施形態による例示的な処理装置を示す図である。

【図2】本開示の例示的な実施形態による例示的なワークピース支持部を示す図である。

【図3】本開示の例示的な実施形態による例示的なワークピース支持部を示す図である。

【図4】本開示の例示的な実施形態による２つのクランプ電極を有するクランプ層の上面図である。

【図5】本開示の例示的な実施形態による１つもしくは複数の加熱電極を有する加熱層を示す上面図である。

【図6】本開示の例示的な実施形態によるクランプ層およびトレース接続部を示す下面図である。

【図7】本開示の例示的な実施形態によるクランプ層およびトレース接続部を示す下面図である。

【図8】本開示の例示的な実施形態によるクランプ層およびトレース接続部を示す下面図である。

【図9】本開示の例示的な実施形態による熱制御システムを示す上面図である。

【図10】本開示の例示的な実施形態によるワークピース支持部の一部を示す図である。

【0007】

詳細な説明
以下では、複数の実施形態を、そのうちの１つもしくは複数の例を図面に示しつつ、詳細に参照する。各例は、実施形態を説明するために提供されたものであり、本開示を限定するものではない。実際に、当業者には、本開示の範囲または精神から逸脱することなく、実施形態に対して様々な修正および変更を行えることが明らかであろう。例えば、一実施形態の一部として図示または説明される特徴を別の実施形態と共に使用して、さらに別の実施形態を創出することができる。したがって、本開示の態様は、このような修正および変更をカバーすることを意図している。

【0008】

本開示の態様は、例示および説明の目的で、「ワークピース」、「ウェハ」もしくは半導体ウェハに関して説明される。当業者は、本明細書において提供される開示を使用して、本開示の例示的な態様が任意の半導体ワークピースまたは他の適切なワークピースに関連して使用可能であることを理解するであろう。さらに、数値と併せて「約」なる用語が使用される場合、記載された数値の１０パーセント（１０％）以内を指すことが意図されている。「ペデスタル」とは、ワークピースの支持に使用可能な任意の構造体を指す。「遠隔プラズマ」とは、ワークピースから離れて生成されるプラズマ、例えば分離グリッドによってワークピースから分離されたプラズマチャンバ内で生成されるプラズマを指す。「直接プラズマ」とは、ワークピースに直接に曝露されるプラズマ、例えばワークピースを支持するように動作可能なペデスタルを有する処理チャンバ内で生成されるプラズマを指す。

【0009】

本明細書で使用される「約」なる用語は、記載された数値と併せて使用することによって、記載された数値の１０％以内の値の範囲を含むことができる。

【0010】

従来のプラズマ処理装置は、静電チャックを含むことができるワークピース支持部を有する。一般的に、静電チャックは、セラミックパック内に埋め込まれた１つもしくは複数の電極を含む。電極に電気が帯電されると、電極とワークピースとの間の静電荷の差により、ワークピース支持部上にワークピースが保持される。既存の静電チャックには、モノポーラ（例えば、単一電極）またはダイポーラ（例えば、２電極）設計が含まれる。しかし、本発明者らは、電極によって発生する静電力がワークピース上にプロセスの不均一性を生じさせうることを発見した。例えば、既存のバイポーラ静電チャックは、その電極が１つもしくは複数のそれぞれの電源に接続されることにより電界分布に鮮明なサイドツーサイドパターンを有するので、こうした電極のレイアウトに起因してサイドツーサイドのエッチング速度の不均一パターンを引き起こす可能性がある。

【0011】

したがって、本開示の例示的な態様は、チャック（例えばクランプ）電極のための専用の半径方向レイアウトを提供する。チャック電極は、熱的に絶縁されて、チャック電極に全部で４つの絶縁領域が生じるように電気的に接続することができる。概して、本開示の例示的な態様は、１つもしくは複数のクランプ電極を有するクランプ層を含む静電チャックに関する。クランプ電極は、第１のクランプ領域および第２のクランプ領域を画定する第１のクランプ電極を含む。クランプ電極は、第３のクランプ領域および第４のクランプ領域を画定する第２のクランプ電極を含む。第１のクランプ領域と第２のクランプ領域とは第１のギャップによって分離されている。第１のクランプ領域と第２のクランプ領域とは、第１のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている。第３のクランプ領域と第４のクランプ領域とは第２のギャップによって分離されている。第３のクランプ領域と第４のクランプ領域とは、第２のギャップを横切って延びる少なくとも１つの電気接続部によって電気的に接続されている。

【0012】

第１のクランプ電極および第２のクランプ電極は、第１のクランプ領域が半径方向で最も内側にあり、第２のクランプ領域が第３のクランプ領域から半径方向内側かつ第１のクランプ領域から半径方向外側にあり、第３のクランプ領域が第４のクランプ領域から半径方向内側かつ第２のクランプ領域から半径方向外側にあるように、半径方向で配置されている。これらのクランプ領域は、加熱電極を備える加熱層内に画定される１つもしくは複数の加熱領域の配置に対応させることができる。

【0013】

さらに、静電チャックは熱制御システムを含むことができる。熱制御システムは、熱交換流体または熱交換ガス（例えばヘリウム）を分配するためにチャック内に配置された層を含むことができる。熱制御システムは、特定の放出領域に配置された１つもしくは複数の放出開口に相互接続された１つもしくは複数の流路を含むことができる。例えば、実施形態では、開口の放出領域は、クランプ領域および／または加熱領域に対応する半径方向パターンで配置することができる。例えば、放出開口の第１の領域は半径方向の最も内側に配置可能であり、放出開口の第２の領域は放出開口の第１の領域から半径方向外側に配置可能である。放出開口の第３の領域は、放出開口の第２の領域から半径方向外側かつ放出開口の第４の領域から半径方向内側に配置可能である。

【0014】

特定の実施形態では、静電チャックはシーリングバンドを含むこともできる。シーリングバンドは、概して静電チャックのワークピース支持面の少なくとも一部の上に着座し、より具体的にはシーリングバンドは静電チャックの外周を包囲する。シーリングバンドは、約３ミリメートル（ｍｍ）超から約１０ｍｍまでの幅Ｗ１を有するように構成されている。本開示の例示的な態様によるシーリングバンドの寸法設定では、熱交換ガスの漏れが生じやすくなる損傷を受けることなく、処理条件およびクリーニング条件に良好に耐えうる、より頑強なシーリングバンドが提供される。

【0015】

本開示の例示的な実施形態による静電チャックは、多数の利点および技術的効果を提供することができる。例えば、少なくとも２つのクランプ電極は、半径方向に配置されかつ接続されて、少なくとも４つの熱絶縁領域を生じさせることができる。プロセスの均一性を向上させるために、各熱絶縁領域を制御することができる。さらに、静電チャックバイアス補償（例えば、チャック電圧オフセット）を使用して、処理中のワークピースでのエッチング速度の均一性および／または化学的堆積を能動的に制御することができる。さらに、特定の加熱領域および／または放出開口の領域を提供されるように配置することにより、ワークピースを横切る半径方向および方位方向における温度制御をさらに高めることができる。さらに、本明細書で提供されるシーリングバンドの寸法設定は、シーリングバンドがより耐久性を有しかつプラズマ曝露による侵食を受けにくくなり、これによりワークピースの周縁部の周囲に熱交換ガスが漏れにくくなることを保証する。

【0016】

図１～図２を参照すると、例えば、本開示に従って形成されたワークピース処理システム１００の一実施形態が示されている。図１に示されている実施形態では、システムは処理チャンバ９を含む。処理チャンバ９はワークピース処理ステーション１３を含む。処理ステーション１３は、本開示に従って作製されたワークピース支持部１２を含む。図１に示された処理チャンバは、１つのワークピース、例えば半導体ウェハを処理するための１つの処理ステーション１３を含む。ただし、処理チャンバ９が他の実施形態において２つ以上の処理ステーションを含んでもよいことを理解されたい。図示されているように、処理ステーション１３は処理領域１４を含んでいる。処理領域１４は、分離弁１７に連通している。分離弁１７は、ワークピースが交換可能となるように開閉する。分離弁１７は、処理チャンバ壁１０をシールしている。

【0017】

図示の実施形態では、ワークピース支持部１２、またはワークピース支持部の少なくとも一部は、静電チャック２４を含む。静電チャック２４は、ワークピース１６をワークピース支持部１２の上面に保持する静電力を発生させるように構成されている。より具体的には、静電チャックは、自身とワークピースとの間に、モノポーラの場合１つの、またはバイポーラの場合２つの、高ＤＣ電圧を印加することによって機能する。例えば、バイポーラの場合の２つのＤＣ電圧により、第１の誘電体層２８の一方側に正電荷および負電荷の双方が発生される。これらの電荷により、ワークピース支持部１２の上面とワークピース１６との間に引き合うクーロン力が生じる。以下でより詳細に説明するように、ワークピース支持部１２は、静電チャック機能を可能にする１つもしくは複数のクランプ電極を含むクランプ層を有する。なお、本開示の教説および基本方式は、必ずしも静電チャックを含まない他のワークピース支持部にも適用可能であることを理解されたい。

【0018】

処理ステーション１３は、ワークピース支持部１２上のワークピース１６を収容するように構成されている。半導体ウェハなどのワークピース１６が処理チャンバ内にロードされると、ワークピース１６はエネルギ源の作用を受け、これによりワークピース１６が所望の物理的変化および／または化学的変化を被る。ワークピースの処理に使用することのできるエネルギ源は、例えば、イオン源、反応性化学源、熱源、プラズマ源、またはこれらの混合装置を含むことができる。ワークピースにエネルギを供給するために使用されうる熱源には、光エネルギ源、例えばプラズマアークランプ、タングステンハロゲンランプ、マイクロ波、誘導性ヒータ、抵抗性ヒータ、またはこれらの混合装置が含まれる。

【0019】

特定の実施形態では、処理チャンバ９は、ワークピースをプラズマに曝露するためのプラズマ源を含む。プラズマは、ＲＦインピーダンス適合化装置（図示せず）ならびにＲＦ電源（図示せず）と通信する１つもしくは複数の誘導コイル３９によって供給される。１つの誘導コイル３９が示されているのみであるが、開示はこの形態に限定されない。実際には、処理チャンバ９内にプラズマを生成するために、任意の数の誘導コイルを設けることができる。

【0020】

図１のワークピース処理システム１００は、例示および説明の目的で提示されている。当業者は、本明細書において提供する開示を使用して、本開示の例示的な態様による静電チャックが任意の適切な処理システム（例えば任意の適切なプラズマ処理システム）において使用可能であることを理解するであろう。

【0021】

図２を参照すると、図示されているように、ワークピース支持部１２は、誘電体部分２０によって画定されたワークピース受容面１８を含む。誘電体部分２０はベースの上面に位置しており、このベースは、この実施形態では、第１のベース部分２２およびその下方に位置する第２のベース部分１５を含む。実施形態では、誘電体部分２０と第１のベース部分２２と第２のベース部分１５との組み合わせを静電チャック２４と称することがある。静電チャック２４およびそれぞれの層は、任意の適切な金属材料またはセラミック材料から形成されている。例えば、一実施形態において、ベース部分２２および１５は、アルミニウムから形成可能である。静電チャック２４はまた、アルミナ、アルミニウム窒化物、イットリア、ジルコニアおよび／または他の任意の耐化学性セラミック材料またはプラスチック材料を含むこともできる。静電チャック２４は、ワークピース支持ペデスタル５７に取り付けられている。ペデスタル５７の目的は、静電チャック２４に対する剛性的な機械的支持を提供し、処理チャンバ９からの熱的絶縁および電気的絶縁の双方を提供することである。

【0022】

上述したように、誘電体部分２０は、第１のベース部分２２の上側に配置されており、ワークピース受容面１８を定めている。誘電体部分２０は、任意の適切な誘電体材料、例えばセラミック材料から形成することができる。誘電体部分は、誘電体材料の複数の層を含むことができ、または単一の層を含むことができる。実施形態では、誘電体部分２０は、第１の誘電体層２８と、その下方に配置されたより厚い第２の誘電体層３０とを含む。第１の誘電体層２８は例えば約０．４ｍｍ～約１ｍｍの厚さを有することができ、一方、第２の誘電体層３０は約２ｍｍ～約５ｍｍの厚さを有することができる。

【0023】

図２に示されているように、ワークピース支持部１２はさらに、ＲＦインピーダンス適合化装置（図示せず）と通信するＲＦ導管３６と通信することができ、このＲＦインピーダンス適合化装置は、ワークピースにＲＦバイアス電力を供給するためのＲＦ電源３８と通信する。

【0024】

代替的な実施形態では、ＲＦ源電力は、ＲＦ導管３６と通信するＲＦインピーダンス適合化装置（図示せず）を介してワークピース支持部１２に結合可能である。この実施形態では、処理ステーション１３に供給される付加的なＲＦ電力は存在しない。代替的な実施形態では、ＲＦ源電力はワークピース支持部１２に結合されない。ワークピースの処理中、ＲＦ電源にエネルギを供給して、ワークピース１６の上面との所望の化学反応のためのイオンおよび電子をプラズマとして生成することができる。他の実施形態では、ＲＦ電源は、イオンがワークピースの上面に衝突したときに有するエネルギの独立した制御を提供する。ＲＦ電源およびＤＣ電源は、双方とも、任意の適切な技術を使用して接地することができる。一実施形態では、例えば、ＲＦ電源およびＤＣ電源の双方が、処理チャンバと通信する電極に対して接地されていてよい。図示の実施形態では、処理チャンバは、誘導結合ＲＦ電力を使用して、ワークピースの処理に必要なプラズマを生成および維持する。ＲＦバイアス電力は、ワークピース支持部１２を介してプラズマに容量結合される。

【0025】

ワークピースをワークピース受容面１８にロードおよびアンロードするために、ワークピース支持部１２は、任意の適切なマウント装置を含むことができる。例えば、一実施形態では、ワークピース支持部１２は、ワークピース１６をワークピース受容面１８上に適切に配置するため、かつワークピース１６をワークピース受容面に対して昇降させるために使用可能な複数のリフトピン（図示せず）を備えることができる。このことに関して、ワークピース支持部１２は、リフトピンアセンブリのための複数のピンチャネルを有することができる。一実施形態では、例えば、ワークピース支持部１２は、３つのピンを収容するための３つのピンチャネルを有していてよい。

【0026】

実施形態では、ワークピース処理システム１００は、コントローラ１７５を含むことができる。コントローラ１７５は、処理チャンバ９内の種々のコンポーネントを制御して、ワークピース１６の処理を指示する。例えば、コントローラ１７５は、クランプ層４０および／または加熱層５０内の電極に接続された電源（例えばＤＣ電源、ＡＣ電源、および／またはＲＦ電源）を制御するために使用可能である。付加的にかつ／または代替的に、コントローラ１７５は、所望のワークピース温度を制御または維持するための熱管理システム７０の制御に使用可能である。コントローラ１７５は、１つもしくは複数のプロセスパラメータ、例えばワークピース１６の処理中の処理チャンバ９のガス流量コントローラの制御および／または条件の変更を実現することもできる。コントローラ１７５は、例えば、１つもしくは複数のプロセッサおよび／または１つもしくは複数のメモリデバイスを含むことができる。１つもしくは複数のメモリデバイスは、１つもしくは複数のプロセッサによって実行される際に、１つもしくは複数のプロセッサに、動作、例えば本明細書に記載の制御動作のうちのいずれかの動作を実行させるためのコンピュータ可読命令を記憶することができる。

【0027】

ここで図３を参照すると、ワークピース支持部１２の静電チャック２４の部分が示されている。図示されているように、ワークピース１６は、ワークピース受容面１８上に配置されている。シーリングバンド８０が静電チャック２４の周囲に配置されており、ワークピース受容面１８の少なくとも一部上に配置されている。シーリングバンド８０については本明細書の以下で説明する。クランプ層４０は、第１の誘電体層２８と第２の誘電体層３０との間に配置されている。クランプ層４０は１つもしくは複数のクランプ領域４２，４４，４６，４８を含んでいてよく、これについては本明細書の以下で説明する。加熱層５０は、ｚ方向でクランプ層４０の下方に配置されている。加熱層５０は、第２の誘電体層３０内に、または第２の誘電体層３０と第１のベース部分２２との間に配置可能である。加熱層は、１つもしくは複数の加熱領域５２，５４，５６，５８を含み、これについては本明細書の以下で説明する。静電チャック２４内には、熱制御システム７０が配置されている。熱制御システム７０は、第２の誘電体層３０内または第１のベース部分２２内に配置することができる。熱制御システム７０は、クランプ層４０および加熱層５０と同様に、ワークピース１６の温度を制御するために熱交換流体または熱交換ガスを放出させるための放出開口７３の１つもしくは複数の領域７２，７４，７６，７８を含む。熱制御システム７０については、本明細書の以下で説明する。

【0028】

図３および図４に示されているように、一実施形態では、静電チャック２４を形成するために、１つもしくは複数のクランプ電極を含むクランプ層４０を静電チャック２４内に配置することができる。例えば実施形態では、クランプ層４０は、第１の誘電体層２８と第２の誘電体層３０との間に配置可能である。クランプ層４０内に存在する１つもしくは複数のクランプ電極は、図２に示されているＤＣ電源３４と通信するように配置可能である。２つの異なるＤＣ電圧を、単一のＤＣ電源または２つの独立した電源によって供給することができる。ＤＣ電源３４は、ワークピース受容面１８とその表面に保持されたワークピース１６との間に静電引力を形成する電界の形成に必要な電圧を供給する。ＤＣ電源によって形成される電圧の量は、静電引力の量を調整するために使用することができる。さらに、ワークピース支持部１２からワークピース１６を取り外す必要がある場合、電圧が形成されないように、または開始電位から逆極性電圧が形成可能となるように、ＤＣ電源をオフにすることができる。ＤＣ電圧は、典型的には約５００Ｖ～２０００Ｖで変化する。

【0029】

図４に示されているように、クランプ層４０は、１つもしくは複数の電極、例えば半径方向に配置された少なくとも２つの電極４１，４３を有していてよい。第１のクランプ電極４１は負の電荷源に結合可能であり、一方、第２のクランプ電極４３は正の電荷源に結合可能である。ただし、他の実施形態では、第１のクランプ電極４１または第２のクランプ電極４３のいずれかを正の電荷源または負の電荷源に結合することも可能である。例えば、実施形態では、第１のクランプ電極４１は負のＤＣ電圧に結合されており、第２のクランプ電極４３は正のＤＣ電圧に結合されている。さらに、第１のクランプ電極４１および第２のクランプ電極４３は、ＤＣ電源、ＡＣ電源および／またはＲＦ電源に結合可能である。実施形態では、第１のクランプ電極４１および第２のクランプ電極４３の双方を、同じＲＦ電源に結合することができる。

【0030】

さらに、図４に示されているように、クランプ層４０は、半径方向に配置された第１のクランプ電極４１および第２のクランプ電極４３を含む。すなわち、第１のクランプ電極４１は、第２のクランプ電極４３よりも半径方向内側に配置されている。第１のクランプ電極４１は、第１のクランプ領域４８および第２のクランプ領域４６を画定している。第２のクランプ電極４３は、第３のクランプ領域４４および第４のクランプ領域４２を画定している。図示されているように、第１のクランプ領域４８は、半径方向で最も内側に配置されている。第２のクランプ領域４６は、第１のクランプ領域４８から半径方向外側かつ第３のクランプ領域４４から半径方向内側に配置されている。第４のクランプ領域４２は、半径方向で最も外側に配置されている。

【0031】

各クランプ領域４２，４４，４６，４８は、互いに熱的に絶縁されていてよい。例えば、第１のクランプ領域４８と第２のクランプ領域４６とをギャップ４５ａによって分離することができる。第３のクランプ領域４４と第４のクランプ領域４２とをギャップ４５ｂによって分離することもできる。さらに、ギャップ４５ａは第１のクランプ領域４８と第２のクランプ領域４６との間の熱伝導を低減し、第２のギャップ４５ｂは第３のクランプ領域４４と第４のクランプ領域４２との間の熱伝導を低減する。ギャップ４５ａ，４５ｂは、エアギャップを含んでいてよく、または任意の適切な材料を含んでいてもよい。例えば、特定の実施形態では、ギャップ４５ａ，４５ｂは、誘電体材料（例えば、セラミック材料）を含む。

【0032】

第１のクランプ領域４８を第２のクランプ領域４６に結合するために、１つもしくは複数の電気接続部４７を使用することができる。例えば、複数の電気接続部４７、例えば少なくとも５つの電気接続部４７を使用することができる。同様に、第３のクランプ領域４４を第４のクランプ領域４２に結合するために、１つもしくは複数の電気接続部４９を使用することができる。電気接続部４９の数は、１個より多くてよく、例えば５個より多くてよく、例えば１０個より多くてよい。特定の実施形態では、第１のクランプ領域４８と第２のクランプ領域４６とを接続する電気接続部４７の数は、第３のクランプ領域４４と第４のクランプ領域４２とを接続する電気接続部４９の数よりも少なくてよい。

【0033】

２つのクランプ電極４１，４３のそれぞれは２つの各領域へと熱的に絶縁されているが、ほぼ同じ電位での維持のために、これら２つのクランプ電極４１，４３は電気接続部４７または４９を介して接続されている。例えば、実施形態では、第１のクランプ領域４８および第２のクランプ領域４６が正極に対して同じチャック電圧を有し、一方、第３のクランプ領域４４および第４のクランプ領域４２が負極に対して同じチャック電圧を有する。一般的には、正のチャック電圧と負のチャック電圧との間のオフセットは、ワークピースに対する自己ＤＣバイアスを補償するためにクランプ力を平衡化することを目標とすることができ、または均一性を調整する目的で意図的に非平衡モードで動作させることができる。例えば、ワークピースを処理してワークピースの均一性を評価することができる。均一性が問題となっていると評価された場合、静電チャックバイアスを調整して、将来処理されるワークピースのために、ワークピースの均一性を調整することができる。例えば、第１のクランプ電極４１または第２のクランプ電極４３のいずれかのクランプ電圧を、ワークピースの均一性の調整のために調整することができる。

【0034】

さらに、上記したように、クランプ電極４１および４３は、任意の適切な電源または電圧源（例えばＤＣ電源またはＲＦ電源）に接続することができる。特定の実施形態では、クランプ電極４１，４３は、電圧源（例えば高ＤＣ電圧源）に結合されており、この電圧源は、１つもしくは複数のクランプ力を平衡化しまたはワークピースの処理の均一性を調整するＤＣオフセット調整を提供するように構成されている。特定の構成では、クランプ電極はバイポーラ高電圧源（例えばバイポーラ高ＤＣ電圧源）に結合される。特定の構成では、ワークピースの均一性を調整するために、クランプ領域４２，４４，４６および／または４８のそれぞれを相互に独立して動作させることができる。例えば、実施形態では、異なる電力出力量および／または異なる電源そのものをクランプ領域４２，４４，４６および４８のいずれかに印加して、ワークピースの均一性を調整することができる。例えば、異なる量のＤＣ電圧、ＲＦ電力出力および／または異なる電源をクランプ領域４２，４４，４６，４８のいずれかに印加して、ワークピースの均一性を調整することができる。例えば、特定の実施形態では、クランプ領域４２，４４，４６，４８に横断的に異なる量のＤＣ電圧および／またはＲＦ電力を印加することにより、３極または４極の静電チャックが形成されるように、クランプ電極４１，４３を修正することができる。さらに、クランプ電極は、ＤＣ電圧がＲＦ送給に干渉するまたは介入することを阻止するために、ＲＦ経路に沿って配置された１つもしくは複数のキャパシタを備えたＤＣ電源またはＲＦ電源に接続可能である。付加的にもしくは代替的に、ＲＦ電圧がＤＣ電圧源に達することを阻止するために、直列のインダクタおよび／または抵抗をＤＣ経路内に配置することができる。

【0035】

付加的に、１つもしくは複数のトレースを利用して、任意のタイプの電気的構成でクランプ領域４２，４４，４６，４８を配置することができる。例えば、第１のクランプ領域４８および第３のクランプ領域４４は、第１のクランプ電極４１を形成する静電チャック２４の層に埋め込まれた１つもしくは複数のトレースに電気的に結合可能であり、第２のクランプ領域４６および第４のクランプ領域４２は、第２のクランプ電極４３を形成する静電チャック２４の層に埋め込まれた１つもしくは複数のトレースに電気的に結合可能である。さらに、実施形態では、第１のクランプ領域４８および第４のクランプ領域４２は、第１のクランプ電極４１を形成する静電チャック２４の層に埋め込まれた１つもしくは複数のトレースに電気的に結合可能であり、第２のクランプ領域４６および第３のクランプ領域４４は、第２のクランプ電極４３を形成する静電チャック２４の層に埋め込まれた１つもしくは複数のトレースに電気的に結合可能である。こうした実施形態では、異なるクランプ領域４２，４４，４６，４８の接続のために用いられるトレースを、全体として、クランプ層４０の下方の静電チャックの層内に配置することができる。選択されたクランプ領域がトレースを介して結合されると、このトレースは、本明細書において説明しているように、任意の適切な電源に接続可能となる。

【0036】

１つもしくは複数の実施形態では、加熱層５０は、ワークピース支持部１２内に配置可能である。例えば、図５は、加熱層５０の異なる領域を示している。例えば、加熱層５０は、１つもしくは複数の電極５１、例えば半径方向パターンで配置された複数の電極５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄを含むことができる。例えば、特定の実施形態では、加熱層５０は、少なくとも４つの電極５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄを含む。電極５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄのそれぞれは、適切なＡＣ電源またはＤＣ電源に接続可能である。特定の実施形態では、複数の加熱電極５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは、図５に示されているように、第１の加熱領域５８、第２の加熱領域５６、第３の加熱領域５４、および第４の加熱領域５２を形成するために半径方向で配置されている。加熱領域５２，５４，５６，５８は、静電チャック２４内の加熱層５０上または加熱層５０内に任意の形式で配置することができる。

【0037】

特定の実施形態では、加熱領域５２，５４，５６，５８は、クランプ層４０内に存在するクランプ領域４２，４４，４６，４８に対応する。例えば図３に示されているように、第１の加熱領域５８は、ｚ方向で第１のクランプ領域４８の下方に配置されている。第２の加熱領域５６は、ｚ方向で第２のクランプ領域４６の下方に配置されている。第３の加熱領域５４は、ｚ方向で第３のクランプ領域４４の下方に配置されている。第４の加熱領域５２は、ｚ方向で第４のクランプ領域４２の下方に配置されている。さらに、加熱領域５２，５４，５６，５８の幅は、クランプ領域４２，４４，４６，４８の幅と実質的に同じである。例えば、第１の加熱領域５８の幅は、第１のクランプ領域４８の幅と実質的に同じである。第２の加熱領域５６の幅は、第２のクランプ領域４６の幅と実質的に同じである。第３の加熱領域５４の幅は、第３のクランプ領域４４の幅と実質的に同じである。第４の加熱領域５２の幅は、第４のクランプ領域４２の幅と実質的に同じである。加熱領域５２，５４，５６，５８をクランプ領域４２，４４，４６，４８に対して相対的に配置することにより、半径方向での領域ごとの熱絶縁を補助することができる。さらに、各加熱領域５２，５４，５６，５８は、半径方向での領域ごとの熱遷移を補助するために、対応するクランプ領域４２，４４，４６，４８と重なり合う。

【0038】

処理中にワークピースの異なる半径方向領域にわたる加熱を調整するために、加熱領域５２，５４，５６，５８のそれぞれを独立して制御することができる。例えば、各加熱領域５２，５４，５６，５８は少なくとも１つの電極から形成することができ、個別の加熱領域５２，５４，５６，５８の形成に使用される各個々の電極（例えば５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ）は独立して電源に接続することができる。したがって、加熱領域５２，５４，５６，５８のそれぞれに対する温度を調整するために、各電極に異なる量の電力および／または異なる種類の電力を供給することができる。

【0039】

静電チャックに存在する電極（例えばクランプ電極および／または加熱電極）のそれぞれを適切な電源または所望の電源に接続するために、電極を電源に接続する１つもしくは複数のトレースおよび／またはビアを使用することができる。図６～図８を参照すると、例えば特定の実施形態において、第２のクランプ電極４３を適切な電源に接続するために、トレース６０が用いられている。例えば、トレース６０は、第２の電極４３からクランプ層４０の中心に向かって延在しうる。特定の実施形態では、トレース６０は、第２のクランプ電極４３を適切な電源に結合するために、クランプ電極４１，４３の下方に配置された層内で、中央に配置されたデリバリソケット位置に向かって延在している。さらに、実施形態では、トレース６０を第２の電極４３およびデリバリソケット位置に接続する１つもしくは複数のビア６１を使用することができる。ビア６１はクランプ層４０の下方の層にトレース６０を延在させるために使用可能であり、すなわち、トレース６０はｚ方向で直交するクランプ層４０と同じ平面には位置しない。同様に、加熱電極を適切な電源に結合するために、加熱電極（例えば５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ）のそれぞれから中央に配置されたデリバリソケット位置に向かって１つもしくは複数のトレース６０を延在させることができる。クランプ電極の配置と同様に、１つもしくは複数のビアを使用して、加熱層５０の下のトレース６０を延在させることができ、すなわち、加熱電極を電源に接続するために使用されるトレース６０（またはトレース）は、ｚ方向で直交する加熱層５０と同じ平面には位置しない。

【0040】

特定の実施形態では、ワークピース支持部１２は、熱制御システム７０をさらに含むことができる。熱制御システム７０は、熱交換流体または熱交換ガス（例えばヘリウム）を循環させるための１つもしくは複数のチャネル７１を含むことができる。熱制御システム７０は、静電チャック内に配置される層として含まれうる。例えば、特定の実施形態では、熱制御システム７０の層は、ワークピースがワークピース支持部１２上に配置される場合、ワークピース１６の下方に位置しうる。例えば、特定の実施形態では、熱制御システム７０は、ワークピース１６とクランプ層４０との間に配置することができる。しかし、特定の他の実施形態では、熱制御システム７０がクランプ層４０と加熱層５０との間にまたは加熱層５０の下方に配置可能となることが企図される。熱制御システム７０は、処理チャンバにおけるワークピース１６の処理に適した任意の形式で静電チャック内に配置することができる。再び図３を参照すると、熱制御システム７０は、ｚ方向でクランプ層４０および加熱層５０の双方の下方に配置されている。

【0041】

図９に示されているように、熱制御システム７０は、１つもしくは複数のチャネル７１を含むとともに、１つもしくは複数の放出開口７３も含む。１つもしくは複数のチャネル７１は、各放出開口７３へのパターンによって相互接続されている。放出開口７３は、放出開口７３の領域７２，７４，７６，７８に従って編成されている。単一の熱交換流体入口または熱交換ガス入口７５のみが示されている。例えば、実施形態では、熱制御システム７０は、放出開口７３の第１の領域７８、放出開口７３の第２の領域７６、放出開口７３の第３の領域７４、および放出開口７３の第４の領域７２を含む。放出開口７３の第１の領域７８は、半径方向で最も内側に配置されている。放出開口７３の第２の領域７６は、放出開口７３の第１の領域７８の半径方向外側かつ放出開口７３の第３の領域７４の半径方向内側に配置されている。放出開口７３の第３の領域７４は、放出開口７３の第４の領域７２の半径方向内側かつ放出開口７３の第２の領域７６の半径方向外側に配置されている。放出開口７３の少なくとも４つの領域（例えば７２，７４，７６，７８）が示されているが、本開示はこの形態に限定されない。実際には、本明細書に開示されている熱制御システム７０には、放出開口の任意の数の領域を構成することができる。さらに、放出開口７３の第１の領域７８は、他の領域７２，７４，７６に比べて最も少ない数の放出開口７３を有する。放出開口７３の第２の領域７６は、放出開口７３の第１の領域７８よりも多くの放出開口７３を含むが、放出開口７３の第３の領域７４よりも少ない放出開口７３を含む。放出開口７３の第３の領域７４は、放出開口７３の第２の領域７６よりも多くの放出開口７３を含むが、放出開口７３の第４の領域７２よりも少ない放出開口７３を含む。放出開口７３の第４の領域７２は、他の領域７４，７６，７８と比べて最も多くの放出開口７３を含む。

【0042】

実施形態では、放出開口７３の領域７２，７４，７６，７８のそれぞれは、概して１つもしくは複数の加熱領域５２，５４，５６，５８および／またはクランプ領域４２，４４，４６，４８にそれぞれ対応する。すなわち、放出開口７３の領域７２，７４，７６，７８は、クランプ層４０および加熱層５０の対応する領域の下方または上方に配置することができる。このような配置が図３に示されている。特定の実施形態では、放出開口の領域７２，７４，７６，７８は、クランプ層４０および加熱層５０の双方の下方に位置する層に配置することができる。したがって、１つもしくは複数の熱交換導管は、ワークピース受容面１８、クランプ層４０および加熱層５０を通って貫通可能であり、これにより領域７２，７４，７６，７８のそれぞれに配置された放出開口７３から放出された熱交換流体または熱交換ガスをワークピース１６の裏面に接触させて、ワークピース１６の温度を調整することができる。ただし、別の実施形態では、熱制御システム７０は、ワークピース支持部１２に保持されたときに、ワークピース１６の真下に位置してもよい。例えば、放出開口７３の領域７２，７４，７６，７８は、第１の誘電体層２８内またはその直下に位置することができる。実施形態では、領域７２，７４，７６，７８のそれぞれに配置された放出開口７３から放出された熱交換ガスまたは熱交換流体がワークピース１６の裏面に接触してワークピース１６の温度を調整できるように、１つもしくは複数の導管を第１の誘電体層２８のみに貫通させることができる。

【0043】

ここで図１０を参照すると、特定の実施形態（例えば、ヘリウム分布が可能な熱制御システムを含む実施形態）では、静電チャック２４はシーリングバンド８０を含むことができる。シーリングバンド８０は、通常は、ワークピース受容面１８の少なくとも一部を含む静電チャック２４の外周を取り囲んでいる。シーリングバンド８０は、約３ミリメートル（ｍｍ）超から約１０ｍｍまで、例えば４ｍｍ超から約９ｍｍまで、例えば５ｍｍ超から約８ｍｍまで、例えば５ｍｍ超から約７ｍｍまでの幅Ｗ１を有するように構成されている。シーリングバンド８０は、ワークピース１６が静電チャック２４にチャックされる際に、ワークピース１６の下方の熱交換流体および／または熱交換ガス（例えばヘリウム）をシールするために、通常は静電チャック２４上に着座している。さらに、静電チャックは、しばしば、インサイチュでのドライクリーニング（ＩＳＤ）、さらにメンテナンス中のオフサイチュでのクリーニングにかけられることがある。所定の使用時間後またはクリーニング中にシーリングバンドが損傷しまたは摩耗した場合、こうした損傷は熱交換ガス（例えば、ヘリウム）の漏れを引き起こすことがあり、これによりワークピース温度が本来のように維持されなくなる。さらに、熱交換ガス（例えばヘリウム）がプロセス中にワークピースの上部に達してシールバンドの周囲から漏出しうるならば、このことはワークピースの処理中にさらなる均一性の問題を生じさせる可能性がある。したがって、本明細書において提供されるシーリングバンド８０の幅Ｗ１は、シーリングバンド８０がよりロバストとなり、熱交換ガスの漏れが生じにくくなり、損傷なく処理条件およびクリーニング条件に対してより良好に耐えうるものとなるように定められる。

【0044】

本主題をその特定の例示的な実施形態に関して詳細に説明してきたが、当業者であれば、前述した事柄を理解したうえで、こうした実施形態に対する代替形態、変形形態、および等価形態を容易になしうることが理解されるであろう。したがって、本開示の範囲は限定ではなく例としてのものであり、本主題の開示は、当業者には容易に明らかであるように、本主題に対するこうした修正形態、変形形態、および／または追加形態を包含することを排除するものではない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【外国語明細書】