(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022183136
(43)【公開日】2022-12-08
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20221201BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651Z
H01L21/304 648G
H01L21/304 648L
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022086921
(22)【出願日】2022-05-27
(31)【優先権主張番号】10-2021-0069039
(32)【優先日】2021-05-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】ジェ，ジン モ
(72)【発明者】
【氏名】オ，スン フン
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157BH18
5F157CE56
5F157CF14
5F157CF34
5F157CF42
5F157CF44
5F157CF60
5F157CF99
5F157DB32
(57)【要約】
【課題】本発明は、基板を処理する装置を提供する。
【解決手段】このために内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットを含み、前記流体排気ユニットは、前記チャンバと連結される排気ラインと、前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、前記圧力調節部材に設置されるか、または、前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材と、を含むことができる。
【選択図】図１３
【解決手段】このために内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットを含み、前記流体排気ユニットは、前記チャンバと連結される排気ラインと、前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、前記圧力調節部材に設置されるか、または、前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材と、を含むことができる。
【選択図】図１３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、
内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、
前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットを含み、
前記流体排気ユニットは、
前記チャンバと連結される排気ラインと、
前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、
前記圧力調節部材に設置されるか、または、前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材を含む基板処理装置。
内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、
前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットを含み、
前記流体排気ユニットは、
前記チャンバと連結される排気ラインと、
前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、
前記圧力調節部材に設置されるか、または、前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材を含む基板処理装置。
【請求項2】
前記装置は、
制御機をさらに含み、
前記制御機は、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力に昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給する間前記流体排気ユニットが前記内部空間から前記乾燥用流体を排気して前記内部空間で前記乾燥用流体の流動を発生させる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
制御機をさらに含み、
前記制御機は、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力に昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給する間前記流体排気ユニットが前記内部空間から前記乾燥用流体を排気して前記内部空間で前記乾燥用流体の流動を発生させる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御機は、
前記流動段階で前記内部空間に供給される前記乾燥用流体の単位時間当り供給流量と前記内部空間で排気される前記乾燥用流体の単位時間当り排気流量の差が０であるか、または、臨界値以内の範囲になるように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記流動段階で前記内部空間に供給される前記乾燥用流体の単位時間当り供給流量と前記内部空間で排気される前記乾燥用流体の単位時間当り排気流量の差が０であるか、または、臨界値以内の範囲になるように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記制御機は、
前記流動段階で前記内部空間の圧力が前記設定圧力で維持されるように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
前記流動段階で前記内部空間の圧力が前記設定圧力で維持されるように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記設定圧力は、
前記内部空間で前記乾燥用流体が超臨界状態を維持することができるようにする臨界圧力と同じであるか、または、前記臨界圧力より高い圧力であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
前記内部空間で前記乾燥用流体が超臨界状態を維持することができるようにする臨界圧力と同じであるか、または、前記臨界圧力より高い圧力であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記流体排気ユニットは、
前記圧力調節部材の前端に設置される排気バルブをさらに含み、
前記制御機は、
前記流動段階が遂行されるうちに前記排気バルブが開放されるように前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記圧力調節部材の前端に設置される排気バルブをさらに含み、
前記制御機は、
前記流動段階が遂行されるうちに前記排気バルブが開放されるように前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記加熱部材は、
前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記加熱部材は、
熱を発生させる発熱体と、
前記排気ラインに流れる乾燥用流体の温度または前記発熱体の温度を測定する温度センサーを含み、
前記発熱体は、
前記温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
熱を発生させる発熱体と、
前記排気ラインに流れる乾燥用流体の温度または前記発熱体の温度を測定する温度センサーを含み、
前記発熱体は、
前記温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記発熱体は、
前記温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、熱を発生させるようにオン(On)になって、
前記温度センサーの測定結果が前記あらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)になることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
前記温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、熱を発生させるようにオン(On)になって、
前記温度センサーの測定結果が前記あらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)になることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記流体供給ユニットは、
前記乾燥用流体を保存及び供給する流体供給源と、
前記流体供給源と前記内部空間を流体連通させる供給ラインと、
前記供給ラインに設置される流量調節バルブと、
前記流量調節バルブに設置されるか、または、前記流量調節バルブの後端に設置されるヒーターを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
前記乾燥用流体を保存及び供給する流体供給源と、
前記流体供給源と前記内部空間を流体連通させる供給ラインと、
前記供給ラインに設置される流量調節バルブと、
前記流量調節バルブに設置されるか、または、前記流量調節バルブの後端に設置されるヒーターを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
【請求項11】
超臨界状態の乾燥用流体を利用して基板上に残留する処理液を除去する基板処理装置において、
内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、
前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットと、
前記流体供給ユニットと前記流体排気ユニットを制御する制御機を含み、
前記制御機は、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、
前記内部空間の圧力を前記設定圧力で維持するが、前記内部空間への前記乾燥用流体の供給と、前記内部空間から前記乾燥用流体の排気が共になされる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御し、
前記流体排気ユニットは、
前記チャンバと連結される排気ラインと、
前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、
前記圧力調節部材に設置されるか、または前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、
前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットと、
前記流体供給ユニットと前記流体排気ユニットを制御する制御機を含み、
前記制御機は、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、
前記内部空間の圧力を前記設定圧力で維持するが、前記内部空間への前記乾燥用流体の供給と、前記内部空間から前記乾燥用流体の排気が共になされる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御し、
前記流体排気ユニットは、
前記チャンバと連結される排気ラインと、
前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、
前記圧力調節部材に設置されるか、または前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項12】
前記流体排気ユニットは、
前記圧力調節部材の前端に設置される排気バルブをさらに含み、
前記制御機は、
前記流動段階が遂行されるうちに前記排気バルブが開放されるように前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
前記圧力調節部材の前端に設置される排気バルブをさらに含み、
前記制御機は、
前記流動段階が遂行されるうちに前記排気バルブが開放されるように前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記加熱部材は、
前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記加熱部材は、
熱を発生させる発熱体と、
前記排気ラインに流れる乾燥用流体の温度または前記発熱体の温度を測定する温度センサーを含み、
前記発熱体は、
前記温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
熱を発生させる発熱体と、
前記排気ラインに流れる乾燥用流体の温度または前記発熱体の温度を測定する温度センサーを含み、
前記発熱体は、
前記温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記発熱体は、
前記温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、熱を発生させるようにオン(On)になって、
前記温度センサーの測定結果が前記あらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)になることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
前記温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、熱を発生させるようにオン(On)になって、
前記温度センサーの測定結果が前記あらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)になることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記流体供給ユニットは、
前記乾燥用流体を保存及び供給する流体供給源と、
前記流体供給源と前記内部空間を流体連通させる供給ラインと、
前記供給ラインに設置される流量調節バルブと、
前記流量調節バルブに設置されるか、または前記流量調節バルブの後端に設置されるヒーターを含むことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
前記乾燥用流体を保存及び供給する流体供給源と、
前記流体供給源と前記内部空間を流体連通させる供給ラインと、
前記供給ラインに設置される流量調節バルブと、
前記流量調節バルブに設置されるか、または前記流量調節バルブの後端に設置されるヒーターを含むことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項17】
基板を処理する装置において、
内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に処理液が残留する基板を返送する返送ロボットと、
前記内部空間に二酸化炭素を含む乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、
前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットと、
前記流体供給ユニットと前記流体排気ユニットを制御する制御機を含み、
前記流体排気ユニットは、
前記チャンバと連結される排気ラインと、
前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で調節する圧力調節部材と、
前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償する加熱部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
内部空間を提供するチャンバと、
前記内部空間に処理液が残留する基板を返送する返送ロボットと、
前記内部空間に二酸化炭素を含む乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、
前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットと、
前記流体供給ユニットと前記流体排気ユニットを制御する制御機を含み、
前記流体排気ユニットは、
前記チャンバと連結される排気ラインと、
前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で調節する圧力調節部材と、
前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償する加熱部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項18】
前記装置は、
制御機をさらに含み、
前記制御機は、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給する間前記流体排気ユニットが前記内部空間から前記乾燥用流体を排気して前記内部空間で前記乾燥用流体の流動を発生させる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
制御機をさらに含み、
前記制御機は、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、
前記内部空間に前記乾燥用流体を供給する間前記流体排気ユニットが前記内部空間から前記乾燥用流体を排気して前記内部空間で前記乾燥用流体の流動を発生させる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記加熱部材は、
前記圧力調節部材を囲むように設置されるジャケットヒーターであることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
前記圧力調節部材を囲むように設置されるジャケットヒーターであることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記加熱部材は、
前記排気ラインに設置されるが、前記圧力調節部材より後端に設置されるブロックヒーターであることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
前記排気ラインに設置されるが、前記圧力調節部材より後端に設置されるブロックヒーターであることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するために、基板に写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、そして、薄膜蒸着など多様な工程らを通じて所望のパターンをウェハーなどの基板上に形成する。それぞれの工程には多様な処理液、処理ガスらが使用され、工程進行中にはパーティクル、そして、工程副産物が発生する。このようなパーティクル、そして、工程副産物を基板から除去するためにそれぞれの工程前後には洗浄工程が遂行される。
【0003】
一般な洗浄工程は、基板をケミカル及びリンス液で液処理する。また、基板上に残留するケミカル及びリンス液を除去するために乾燥処理する。乾燥処理の一例で、基板を高速で回転させて基板上に残留するリンス液を除去する回転乾燥工程を有することができる。しかし、このような回転乾燥方式は基板上に形成されたパターンを崩した恐れがある。
【0004】
最近には基板上にイソプロピルアルコール(ＩＰＡ)のような有機溶剤を供給して基板上に残留するリンス液を表面張力が低い有機溶剤で切り替えて、以後基板上に超臨界状態の乾燥用ガス(例えば、二酸化炭素)を供給して基板に残留する有機溶剤を除去する超臨界乾燥工程が利用されている。超臨界乾燥工程では内部が密閉された工程チャンバで乾燥用ガスを供給し、乾燥用ガスを加熱及び加圧する。乾燥用ガスの温度及び圧力はすべて臨界点以上に上昇して乾燥用ガスは超臨界状態で相変化する。
【0005】
超臨界状態の乾燥用ガスは高い溶解力と浸透性を有する。すなわち、基板上に超臨界状態の乾燥用ガスが供給されれば、乾燥用ガスは基板上のパターンで易しく浸透し、基板上に残留する有機溶剤も乾燥用ガスに易しく溶解される。これに、基板に形成されたパターンとパターンとの間に残留する有機溶剤を容易に除去することができるようになる。
【0006】
但し、工程チャンバ内の超臨界状態の乾燥用ガスは流動が少ない。これに、超臨界状態の乾燥用ガスは基板で適切に伝達することができないことがある。この場合、基板上に残留される有機溶剤が適切に除去されることができないか、または有機溶剤が溶解された超臨界状態の乾燥用ガスが工程チャンバの外部に適切に排気されることができないことがある。
【0007】
このような問題を解決するために、一般に図１に示されたように工程チャンバ内の圧力を変化させる方法を利用している。図１を参照すれば、昇圧段階(Ｓ１００)で工程チャンバ内の圧力を第１圧力(CP１)に上昇させ、工程段階(Ｓ２００)で工程チャンバ内の圧力を第１圧力(CP１)と第１圧力(CP１)より低い圧力である第２圧力(CP２)の間で繰り返して変化させる(いわゆる、圧力パルシング)。以後、ベント段階(Ｓ３００)で工程チャンバ内の圧力を常圧に変化させる。工程段階(Ｓ２００)で工程チャンバ内の圧力を繰り返して変化させることで、工程チャンバ内の超臨界状態の乾燥用ガスの流動を起こし、基板上に超臨界状態の乾燥用ガスが伝達されることができるようにする。
【0008】
前述した工程チャンバ内の圧力を第１圧力(CP１)と第２圧力(CP２)の間で繰り返して変化させる方式は、一般に工程チャンバ内に乾燥用ガスを供給する供給ラインに設置されるバルブと、工程チャンバの内部空間を排気する排気ラインに設置されるバルブのオン/オフを繰り返して変更することで遂行される。このようにバルブらのオン/オフが繰り返して遂行される場合、バルブらではパーティクル(Particle)が発生されることがあるし、このようなパーティクルは供給ラインまたは排気ラインを通じて工程チャンバ内に伝達することができる。また、工程チャンバ内の圧力を第１圧力(CP１)と第２圧力(CP２)の間で繰り返して変化させる方式は工程段階(Ｓ２００)を遂行することに所要される時間を増加させる。これは、工程段階(Ｓ２００)で昇圧に所要される時間と減圧に所要される時間を減らすことは物理的な限界があるためである。また、昇圧に所要される時間または減圧に所要される時間を減らそうとしてそれぞれの前記バルブらを速くオン/オフさせるようになれば、昇圧と減圧が適切になされないで、むしろ超臨界状態の乾燥用ガスの流動を妨害する恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】日本国特許公開第2018-82099号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本発明は、基板を効率的に処理することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0011】
また、本発明は基板に対する乾燥処理効率を高めることができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0012】
また、本発明は基板を乾燥する乾燥工程を遂行することに所要される時間を短縮することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0013】
また、本発明は基板を乾燥する乾燥工程を遂行しながらパーティクルなどの不純物が発生することを最小化することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0014】
また、本発明は乾燥用流体が圧力調節部材を経って流れながら発生されることがある温度低下を補償することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
【0015】
また、本発明は排気ラインに処理液が付着される問題点を最小化することができる基板処理装置を提供することを一目的をする。
【0016】
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から通常の技術者に明確に理解されることができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0017】
本発明は基板を処理する装置において、内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間に乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットを含み、前記流体排気ユニットは、前記チャンバと連結される排気ラインと、前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、前記圧力調節部材に設置されるか、または前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材を含むことができる。
【0018】
一実施例によれば、前記装置は、制御機をさらに含み、前記制御機は、前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、前記内部空間に前記乾燥用流体を供給する間に前記流体排気ユニットが前記内部空間から前記乾燥用流体を排気して前記内部空間で前記乾燥用流体の流動を発生させる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することができる。
【0019】
一実施例によれば、前記制御機は、前記流動段階で前記内部空間に供給される前記乾燥用流体の単位時間当り供給流量と前記内部空間で排気される前記乾燥用流体の単位時間当り排気流量の差が０であるか、または、臨界値以内の範囲になるように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することができる。
【0020】
一実施例によれば、前記制御機は、前記流動段階で前記内部空間の圧力が前記設定圧力で維持されるように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することができる。
【0021】
一実施例によれば、前記設定圧力は、前記内部空間で前記乾燥用流体が超臨界状態を維持することができるようにする臨界圧力と同じであるか、または、前記臨界圧力より高い圧力であることがある。
【0022】
一実施例によれば、前記流体排気ユニットは、前記圧力調節部材の前端に設置される排気バルブをさらに含み、前記制御機は、前記流動段階が遂行されるうちに前記排気バルブが開放されるように前記流体排気ユニットを制御することができる。
【0023】
一実施例によれば、前記加熱部材は、前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることができる。
【0024】
一実施例によれば、前記加熱部材は、熱を発生させる発熱体と、前記排気ラインに流れる乾燥用流体の温度または前記発熱体の温度を測定する温度センサーを含み、前記発熱体は、前記温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることができる。
【0025】
一実施例によれば、前記発熱体は、前記温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、熱を発生させるようにオン(On)され、前記温度センサーの測定結果が前記あらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)されることがある。
【0026】
一実施例によれば、前記流体供給ユニットは、前記乾燥用流体を保存及び供給する流体供給源と、前記流体供給源と前記内部空間を流体連通させる供給ラインと、前記供給ラインに設置される流量調節バルブと、前記流量調節バルブに設置されるか、または、前記流量調節バルブの後端に設置されるヒーターを含むことがある。
【0027】
また、本発明は超臨界状態の乾燥用流体を利用して基板上に残留する処理液を除去する基板処理装置を提供する。基板処理装置は、内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間で乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットと、前記流体供給ユニットと前記流体排気ユニットを制御する制御機を含み、前記制御機は、前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、前記内部空間の圧力を前記設定圧力で維持するが、前記内部空間への前記乾燥用流体の供給と、前記内部空間から前記乾燥用流体の排気が共になされる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御し、前記流体排気ユニットは、前記チャンバと連結される排気ラインと、前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で維持させる圧力調節部材と、前記圧力調節部材に設置されるか、または前記圧力調節部材の後端に設置される加熱部材を含むことができる。
【0028】
一実施例によれば、前記流体排気ユニットは、前記圧力調節部材の前端に設置される排気バルブをさらに含み、前記制御機は、前記流動段階が遂行されるうちに前記排気バルブが開放されるように前記流体排気ユニットを制御することができる。
【0029】
一実施例によれば、前記加熱部材は、前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることができる。
【0030】
一実施例によれば、前記加熱部材は、熱を発生させる発熱体と、前記排気ラインに流れる乾燥用流体の温度または前記発熱体の温度を測定する温度センサーを含み、前記発熱体は、前記温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることができる。
【0031】
一実施例によれば、前記発熱体は、前記温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、熱を発生させるようにオン(On)され、前記温度センサーの測定結果が前記あらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)されることがある。
【0032】
一実施例によれば、前記流体供給ユニットは、前記乾燥用流体を保存及び供給する流体供給源と、前記流体供給源と前記内部空間を流体連通させる供給ラインと、前記供給ラインに設置される流量調節バルブと、前記流量調節バルブに設置されるか、または前記流量調節バルブの後端に設置されるヒーターを含むことができる。
【0033】
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、内部空間を提供するチャンバと、前記内部空間に処理液が残留する基板を返送する返送ロボットと、前記内部空間に二酸化炭素を含む乾燥用流体を供給する流体供給ユニットと、前記内部空間から前記乾燥用流体を排気する流体排気ユニットと、前記流体供給ユニットと前記流体排気ユニットを制御する制御機を含み、前記流体排気ユニットは、前記チャンバと連結される排気ラインと、前記排気ラインに設置され、前記内部空間の圧力を設定圧力で調節する圧力調節部材と、前記乾燥用流体が前記圧力調節部材を通しながら発生する温度低下を補償する加熱部材を含むことができる。
【0034】
一実施例によれば、前記装置は、制御機をさらに含み、前記制御機は、前記内部空間に前記乾燥用流体を供給して前記内部空間の圧力を前記設定圧力で昇圧させる昇圧段階を遂行するように前記流体供給ユニットを制御し、前記内部空間に前記乾燥用流体を供給する間に前記流体排気ユニットが前記内部空間から前記乾燥用流体を排気して前記内部空間で前記乾燥用流体の流動を発生させる流動段階を遂行するように前記流体供給ユニット、そして、前記流体排気ユニットを制御することができる。
【0035】
一実施例によれば、前記加熱部材は、前記圧力調節部材を囲むように設置されるジャケットヒーターであることがある。
【0036】
一実施例によれば、前記加熱部材は、前記排気ラインに設置されるが、前記圧力調節部材より後端に設置されるブロックヒーターであることがある。
【発明の効果】
【0037】
本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
【0038】
また、本発明の一実施例によれば、基板に対する乾燥処理効率を高めることができる。
【0039】
また、本発明の一実施例によれば、基板を乾燥する乾燥工程を遂行することに所要される時間を短縮することができる。
【0040】
また、本発明の一実施例によれば、基板を乾燥する乾燥工程を遂行しながらパーティクルなどの不純物が発生することを最小化することができる。
【0041】
また、本発明の一実施例によれば、乾燥用流体が圧力調節部材を経って流れながら発生されることがある温度低下を補償することができる。
【0042】
また、本発明の一実施例によれば、排気ラインに処理液が付着される問題点を最小化することができる。
【0043】
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0044】
【図1】一般な超臨界乾燥工程を遂行する工程チャンバ内の圧力変化を見せてくれる図面である。
【図2】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。
【図5】本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれるフローチャートである。
【図12】本発明の乾燥工程を遂行する間にボディーの内部空間の圧力変化を見せてくれる図面である。
【図15】本発明の他の実施例による基板処理装置を見せてくれる図面である。
【発明を実施するための形態】
【0045】
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
【0046】
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
【0047】
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【0048】
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明するのに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似第２構成要素も第１構成要素に命名されることができる。
【0049】
ある構成要素が異なる構成要素に“連結されて”いるか、または“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反面に、ある構成要素が異なる構成要素に“直接連結されて”いるか、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。構成要素らとの関係を説明する他の表現ら、すなわち“～間に”と“すぐ～間に”または“～に隣合う”と“～に直接隣合う”なども同じく解釈されなければならない。
【0050】
異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語らは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと等しい意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。
【0051】
図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる平面図である。
【0052】
図２を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして、制御機３０を含む。上部から眺める時、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向(X)といって、上部から眺める時第１方向(X)と垂直な方向を第２方向(Y)といって、第１方向(X)及び第２方向(Y)にすべて垂直な方向を第３方向(Z)という。
【0053】
インデックスモジュール１０は基板(W)が収納された容器(C)から基板(W)を処理モジュール２０に返送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板(W)を容器(C)に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向(Y)に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準でロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板(W)らが収納された容器(C)はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数個が提供されることができるし、複数のロードポート１２は第２方向(Y)に沿って配置されることができる。
【0054】
容器(C)としては、前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:FOUP)のような密閉用容器が使用されることができる。容器(C)はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
【0055】
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向(Y)に提供されたガイドレール１２４が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１２４上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板(W)が置かれるハンド１２２を含んで、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向(Z)を軸にした回転、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２らはお互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
【0056】
制御機３０は基板処理装置を制御することができる。制御機３０は基板処理装置の制御を行うマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で行うための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが保存された保存部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び保存部はプロセスコントローラーに接続されてあり得る。処理レシピは保存部のうちで保存媒体に保存されてあり得て、保存媒体は、ハードディスクでも良く、CD-ROM、DVDなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。
【0057】
制御機３０は以下で説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置を制御することができる。例えば、制御機３０は以下で説明する基板処理方法を遂行できるように流体供給ユニット５３０、流体排気ユニット５００を制御することができる。
【0058】
処理モジュール２０はバッファーユニット２００、返送チャンバ３００、液処理チャンバ４００、そして、乾燥チャンバ５００を含む。バッファーユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板(W)と処理モジュール２０から搬出される基板(W)が一時的にとどまる空間を提供する。液処理チャンバ４００は基板(W)上に液を供給して基板(W)を液処理する液処理工程を遂行する。乾燥チャンバ５００は基板(W)上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。返送チャンバ３００はバッファーユニット２００、液処理チャンバ４００、そして、乾燥チャンバ５００の間に基板(W)を返送する。
【0059】
返送チャンバ３００はその長さ方向が第１方向(X)に提供されることができる。バッファーユニット２００はインデックスモジュール１０と返送チャンバ３００の間に配置されることができる。液処理チャンバ４００と乾燥チャンバ５００は返送チャンバ３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバ４００と返送チャンバ３００は第２方向(Y)に沿って配置されることができる。乾燥チャンバ５００と返送チャンバ３００は第２方向(Y)に沿って配置されることができる。バッファーユニット２００は返送チャンバ３００の一端に位置されることができる。
【0060】
一例によれば、液処理チャンバ４００らは返送チャンバ３００の両側に配置され、乾燥チャンバ５００らは返送チャンバ３００の両側に配置され、液処理チャンバ４００らは乾燥チャンバ５００らよりバッファーユニット２００にさらに近い位置に配置されることができる。返送チャンバ３００の一側で液処理チャンバ４００らは第１方向(X)及び第３方向(Z)に沿ってそれぞれAXB(A、Bはそれぞれ１または、１より大きい自然数)配列で提供されることができる。また、返送チャンバ３００の一側で乾燥チャンバ５００らは第１方向(X)及び第３方向(Z)に沿ってそれぞれCXD(C、Dはそれぞれ１または、１より大きい自然数)個が提供されることができる。前述したところと異なり、返送チャンバ３００の一側には液処理チャンバ４００らだけ提供され、その他側には乾燥チャンバ５００らだけ提供されることができる。
【0061】
返送チャンバ３００は返送ロボット３２０を有する。返送チャンバ３００内には長さ方向が第１方向(X)に提供されたガイドレール３２４が提供され、返送ロボット３２０はガイドレール３２４上で移動可能に提供されることができる。返送ロボット３２０は基板(W)が置かれるハンド３２２を含んで、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向(Z)を軸にした回転、そして、第３方向(Z)に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数個が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２らはお互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
【0062】
バッファーユニット２００は基板(W)が置かれるバッファー２２０を複数個具備する。バッファー２２０らは第３方向(Z)に沿ってお互いの間に離隔されるように配置されることができる。バッファーユニット２００は前面(front face)と後面(rear face)が開放される。前面はインデックスモジュール１０と見合わせる面であり、後面は返送チャンバ３００と見合わせる面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファーユニット２００に近付いて、返送ロボット３２０は後面を通じてバッファーユニット２００に近付くことができる。
【0063】
図３は、図１の液処理チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図３を参照すれば、液処理チャンバ４００はハウジング４１０、コップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、そして、昇降ユニット４８０を有する。
【0064】
ハウジング４１０は基板(W)が処理される内部空間を有することができる。ハウジング４１０は概して六面体の形状を有することができる。例えば、ハウジング４１０は直方体の形状を有することができる。また、ハウジング４１０には基板(W)が搬入されるか、または搬出される開口(図示せず)が形成されることができる。また、ハウジング４１０には開口を選択的に開閉するドア(図示せず)が設置されることができる。
【0065】
コップ４２０は上部が開放された桶形状を有することができる。コップ４２０は処理空間を有し、基板(W)は処理空間内で液処理されることができる。支持ユニット４４０は処理空間で基板(W)を支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板(W)上に処理液を供給する。処理液は複数種類で提供され、基板(W)上に順次に供給されることができる。昇降ユニット４８０はコップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
【0066】
一例によれば、コップ４２０は複数の回収桶４２２、４２４、４２６を有する。回収桶ら４２２、４２４、４２６はそれぞれ基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。それぞれの回収桶４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状で提供される。液処理工程が進行時基板(W)の回転によって飛散される処理液は各回収桶４２２、４２４、４２６の流入口４２２a、４２４a、４２６aを通じて回収空間に流入される。一例によれば、コップ４２０は第１回収桶４２２、第２回収桶４２４、そして、第３回収桶４２６を有する。第１回収桶４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収桶４２４は第１回収桶４２２を囲むように配置され、第３回収桶４２６は第２回収桶４２４を囲むように配置される。第２回収桶４２４に液を流入する第２流入口４２４aは第１回収桶４２２に液を流入する第１流入口４２２aより上部に位置され、第３回収桶４２６に液を流入する第３流入口４２６aは第２流入口４２４aより上部に位置されることができる。
【0067】
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は概して円形で提供されて基板(W)より大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板(W)の後面を支持する支持ピン４４２aが提供され、支持ピン４４２aは基板(W)が支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突き出されるように提供される。支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２bが提供される。チャックピン４４２bは支持板４４２から上部に突き出されるように提供され、基板(W)が回転される時基板(W)が支持ユニット４４０から離脱されないように基板(W)の側部を支持する。駆動軸４４４は駆動機４４６によって駆動され、基板(W)の底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準で回転させる。
【0068】
一例によれば、液供給ユニット４６０はノズル４６２を含むことができる。ノズル４６２は基板(W)に処理液を供給することができる。処理液はケミカル、リンス液または有機溶剤であることができる。ケミカルは強酸または強塩基の性質を有するケミカルであることができる。また、リンス液は純水であることがある。また、有機溶剤はイソプロピルアルコール(ＩＰＡ)であることがある。また、液供給ユニット４６０は複数のノズル４６２らを含むことができるし、それぞれのノズル４６２らではお互いに相異な種類の処理液を供給することができる。例えば、ノズル４６２らのうちで何れか一つではケミカルを供給し、ノズル４６２らのうちで他の一つではリンス液を供給し、ノズル４６２らのうちでまた他の一つでは有機溶剤を供給することができる。また、制御機３０はノズル４６２らのうちで他の一つで基板(W)でリンス液を供給した以後、ノズル４６２らのうちでまた他の一つで有機溶剤を供給するように液供給ユニット４６０を制御することができる。これに、基板(W)上に供給されたリンス液は表面張力が小さな有機溶剤に置き換えされることができる。
【0069】
昇降ユニット４８０はコップ４２０を上下方向に移動させる。コップ４２０の上下移動によってコップ４２０と基板(W)との間の相対高さが変更される。これによって基板(W)に供給される液の種類によって処理液を回収する回収桶４２２、４２４、４２６が変更されるので、液らを分離回収することができる。前述したところと異なり、コップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
【0070】
図４は、図１の乾燥チャンバの一実施例を概略的に見せてくれる図面である。図４を参照すれば、本発明の一実施例による乾燥チャンバ５００は超臨界状態の乾燥用流体(Ｇ)を利用して基板(W)上に残留する処理液を除去することができる。例えば、乾燥チャンバ５００は超臨界状態の二酸化炭素(CO２)を利用して基板(W)上に残留する有機溶剤を除去する乾燥工程を遂行することができる。
【0071】
乾燥チャンバ５００はボディー５１０、加熱部材５２０、流体供給ユニット５３０、流体排気ユニット５５０、そして、昇降部材５６０を含むことができる。ボディー５１０は基板(W)が処理される内部空間５１８を有することができる。ボディー５１０は基板(W)が処理される内部空間５１８を提供することができる。ボディー５１０は超臨界状態の乾燥用流体(Ｇ)によって基板(W)が乾燥処理される内部空間５１８を提供することができる。ボディー５１０はチャンバ(Chamber)や、ベッセル (Vessel)などで指称されることもある。
【0072】
ボディー５１０は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４を含むことができる。上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４はお互いに組合されて前記内部空間５１８を形成することができる。基板(W)は内部空間５１８で支持されることができる。例えば、基板(W)は内部空間５１８で支持部材(図示せず)によって支持されることができる。支持部材は基板(W)の縁領域の下面を支持するように構成されることができる。上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つは昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動されることができる。例えば、下部ボディー５１４は昇降部材５６０と結合され、昇降部材５６０によって上下方向に移動されることができる。これに、ボディー５１０の内部空間５１８は選択的に密閉されることができる。前述した例では、下部ボディー５１４が昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上部ボディー５１２が昇降部材５６０と結合されて上下方向に移動することもできる。
【0073】
温度調節部材５２０は内部空間５１８に供給される乾燥用流体(Ｇ)を加熱することができる。温度調節部材５２０はボディー５１０の内部空間５１８温度を昇温させて内部空間５１８に供給される乾燥用流体(Ｇ)を超臨界状態に相変化させることができる。また、温度調節部材５２０はボディー５１０の内部空間５１８温度を昇温させて内部空間５１８に供給される超臨界状態の乾燥用流体(Ｇ)が超臨界状態を維持するようにできる。
【0074】
また、温度調節部材５２０はボディー５１０内に埋設されることができる。例えば、温度調節部材５２０は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つに埋設されることができる。例えば、温度調節部材５２０は下部ボディー５１４内に提供されることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、温度調節部材５２０は内部空間５１８の温度を昇温させることができる多様な位置に提供されることができる。また、温度調節部材５２０はヒーターであることがある。しかし、これに限定されるものではなくて、温度調節部材５２０は内部空間５１８の温度を昇温させることができる公知された装置で多様に変形されることができる。
【0075】
流体供給ユニット５３０はボディー５１０の内部空間５１８に乾燥用流体(Ｇ)を供給することができる。流体供給ユニット５３０が供給する乾燥用流体(Ｇ)は二酸化炭素(CO２)を含むことができる。流体供給ユニット５３０は流体供給源５３１、供給ライン５３３、供給バルブ５３５、流量調節バルブ３５７、バルブヒーター３５８、そして、ラインヒーター３５９を含むことができる。
【0076】
流体供給源５３１はボディー５１０の内部空間５１８に供給される乾燥用流体(Ｇ)を保存及び/または供給することができる。流体供給源５３１が保存及び/または供給する乾燥用流体(Ｇ)は供給ライン５３３を通じて内部空間５１８に供給されることができる。
【0077】
供給ライン５３３は流体供給源５３１と内部空間５１８を流体連通させることができる。供給ライン５３３はメイン供給ライン５３３a、第１供給ライン５３３b、そして、第２供給ライン５３３cを含むことができる。メイン供給ライン５３３aの一端は流体供給源５３１と連結されることができる。メイン供給ライン５３３aの他端は第１供給ライン５３３b、そして、第２供給ライン５３３cに分岐されることができる。
【0078】
また、第１供給ライン５３３bはボディー５１０の内部空間５１８の上部で乾燥用ガスを供給する上部供給ラインであることがある。例えば、第１供給ライン５３３bはボディー５１０の内部空間５１８の上から下に向ける方向に乾燥用ガスを供給することができる。例えば、第１供給ライン５３３bは上部ボディー５１２に連結されることができる。また、第２供給ライン５３３cはボディー５１０の内部空間５１８の下部で乾燥用ガスを供給する下部供給ラインであることがある。例えば、第２供給ライン５３３cはボディー５１０の内部空間５１８に下から上に向ける方向に乾燥用ガスを供給することができる。例えば、第２供給ライン５３３cは下部ボディー５１４に連結されることができる。
【0079】
供給バルブ５３５はメイン供給バルブ５３５a、第１供給バルブ５３５b、そして、第２供給バルブ５３５cを含むことができる。
【0080】
メイン供給ライン５３３aにはオン/オフバルブ(オートバルブ)であるメイン供給バルブ５３５aが設置されることができる。第１供給ライン５３３bにはオン/オフバルブ(オートバルブ)である第１供給バルブ５３５bが設置されることができる。第２供給ライン５３３cにはオン/オフバルブ(オートバルブ)である第２供給バルブ５３５cが設置されることができる。
【0081】
また、メイン供給ライン５３３aにはメーターリングバルブである流量調節バルブ５３７が設置されることができる。流量調節バルブ５３７はメイン供給バルブ５３５aより下流に設置されることができる。流量調節バルブ５３７を経りながら乾燥用流体(Ｇ)は断熱圧縮されることができる。これに、流量調節バルブ５３７の後端では乾燥用流体(Ｇ)が断熱膨張されることがある。例えば、流量調節バルブ５３７より下流のメイン供給ライン５３３aには乾燥用流体(Ｇ)が断熱膨張されることがある。すなわち、流量調節バルブ５３７の後端では乾燥用流体(Ｇ)の温度が低下されることがある。これに、メイン供給ライン５３３aには結露または結氷が発生されることがある。このような問題を解消するために、流量調節バルブ５３７にはバルブヒーター５３８が設置されることがある。バルブヒーター５３８は流量調節バルブ５３７を囲むように設置されるジャケットヒーターであることがある。
【0082】
ヒーター５３９はメインヒーター５３９a、第１ヒーター５３９b、そして、第２ヒーター５３９cを含むことができる。メイン供給ライン５３３aにはブロックヒーター(Block heater)であるメインヒーター５３９aが設置されることができる。メインヒーター５３９は流量調節バルブ５３７より下流(流量調節バルブ５３７の後端)に設置されることができる。第１供給ライン５３３bにはブロックヒーター(Block heater)である第１ヒーター５３９bが設置されることができる。第１ヒーター５３９bはメイン供給ライン５３３aが分岐される支点より下流、そして、第１供給バルブ５３５bより上流に設置されることができる。第２供給ライン５３３cにはブロックヒーター(Block heater)である第２ヒーター５３９cが設置されることができる。第２ヒーター５３９cはメイン供給ライン５３３aが分岐される支点より下流、そして、第２供給バルブ５３５cより上流に設置されることができる。
【0083】
流体排気ユニット５５０はボディー５１０の内部空間５１８から乾燥用流体(Ｇ)を排気することができる。流体排気ユニット５５０はメイン排気ライン５５１、流動ライン５５３、スローベントライン５５５、そして、クィックベントライン５５７のような排気ラインを含むことができる。また、流体排気ユニット５５０は排気ラインに設置される第１排気バルブ５３３a、第２排気バルブ５５５a、第３排気バルブ５５７aのような排気バルブを含むことができる。また、流体排気ユニット５５０は排気ラインに設置される圧力調節部材５５３b、そして、スローベントラインオリフィス５５５b、クィックベントラインオリフィス５５７bのようなオリフィスを含むことができる。
【0084】
メイン排気ライン５５１はボディー５１０と連結されることができる。メイン排気ライン５５１はボディー５１０の内部空間５１８に供給された乾燥用流体(Ｇ)をボディー５１０の外部に排気することができる。例えば、メイン排気ライン５５１の一端はボディー５１０と連結されることができる。メイン排気ライン５５１の一端は上部ボディー５１２、そして、下部ボディー５１４のうちで何れか一つと連結されることができる。例えば、メイン排気ライン５５１の一端は下部ボディー５１４と連結されることができる。また、メイン排気ライン５５１の他端は分岐されることができる。例えば、メイン排気ライン５５１の他端は分岐されることができる。メイン排気ライン５５１が分岐されたラインは流動ライン５５３、スローベントライン５５５、そして、クィックベントライン５５７を含むことができる。
【0085】
流動ライン５５３はメイン排気ライン５５１の他端から分岐されることができる。メイン排気ライン５５１には第１排気バルブ５５３a、圧力調節部材５５３b、そして、加熱部材５５９が設置されることができる。第１排気バルブ５５３aは圧力調節部材５５３bより上流に設置されることができる。第１排気バルブ５５３aはオン/オフバルブ(オートバルブ)であることがある。第１排気バルブ５５３aはメイン排気ライン５５１に乾燥用流体(Ｇ)が選択的に流れるようにできる。また、流動ライン５５３は後述する流動段階(Ｓ３３)で使用されることができる。
【0086】
また、圧力調節部材５５３bはボディー５１０の内部空間５１８圧力を設定圧力で一定に維持させることができる。また、圧力調節部材５５３bはボディー５１０の内部空間５１８圧力を設定圧力で維持させることができるように、流動ライン５５３を通じて排気される乾燥用流体(Ｇ)の単位時間当り排気流量を調節することができる。例えば、圧力調節部材５５３bはバックプレッシャーレギュレーター(BPR、Back Pressure Regulator)であることがある。例えば、ボディー５１０の内部空間５１８に対する設定圧力が１５０Barと仮定すれば、圧力調節部材５５３bはボディー５１０の内部空間５１８に対する設定圧力に１５０Barに至るまでは流動ライン５５３を通じて乾燥用流体(Ｇ)が排気されないようにできる。また、ボディー５１０の内部空間５１８の圧力が設定圧力よりさらに高い圧力、例えば、１７０Barに至った場合には、ボディー５１０の内部空間５１８の圧力が１５０Barで低くなるように、流動ライン５５３を通じて乾燥用流体(G)を排気させることができる。
【0087】
また、加熱部材５５９は圧力調節部材５５３bより後端に設置されることができる。加熱部材５５９はブロックヒーター(Block heater)であることがある。加熱部材５５９は流動ライン５５３に設置されることができる。加熱部材５５９は熱を発生させる発熱体と、流動ライン５５３に流れる乾燥用流体の温度または発熱体の温度を測定する温度センサーを含むことができる。発熱体は、後述するように乾燥用流体(Ｇ)が圧力調節部材５５３bを通しながら発生する温度低下を補償することができる温度で調節されることができる。例えば、加熱部材５５９の発熱体は、略２００℃程度の温度で調節されることができる。
【0088】
発熱体は温度センサーの測定結果に根拠して熱を発生させることができる。例えば、温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の下限より低い場合、発熱体は熱を発生させるようにオン(On)されることがある。これは、後述するように圧力調節部材５５３bの後端で発生する温度低下を補償するためである。また、温度センサーの測定結果があらかじめ設定された温度範囲の上限より高い場合、熱の発生を中断させるようにオフ(off)されることがある。これは加熱部材５５９の過熱を防止するためである。
【0089】
スローベントライン５５５はメイン排気ライン５５１の他端から分岐されることができる。スローベントライン５５５はボディー５１０の内部空間５１８の圧力を低めることができる。スローベントライン５５５は後述する第１ベント段階(Ｓ３４)で使用されることができる。スローベントライン５５５には第２排気バルブ５５５a、そして、スローベントラインオリフィス５５５bが設置されることができる。第２排気バルブ５５５aはスローベントラインオリフィス５５５bより上流に設置されることができる。第２排気バルブ５５５aはオン/オフバルブ(オートバルブ)であることがある。また、スローベントラインオリフィス５５５bの流路直径は後述するクィックベントラインオリフィス５５７bの流路直径より小さいことがある。
【0090】
クィックベントライン５５７はメイン排気ライン５５１の他端から分岐されることができる。クィックベントライン５５７はボディー５１０の内部空間５１８の圧力を低めることができる。クィックベントライン５５７は後述する第２ベント段階(Ｓ３５)で使用されることができる。クィックベントライン５５７には第３排気バルブ５５７a、そして、クィックベントラインオリフィス５５７bが設置されることができる。第３排気バルブ５５７aはクィックベントラインオリフィス５５５bより上流に設置されることができる。第３排気バルブ５５７aはオン/オフバルブ(オートバルブ)であることがある。また、クィックベントラインオリフィス５５７bの流路直径は後述するスローベントラインオリフィス５５５bの流路直径より大きいことがある。
【0091】
以下では本発明の一実施例による基板処理方法に対して説明する。以下で説明する基板処理方法は基板処理装置が遂行することができる。前述したように制御機３０は以下で説明する基板処理方法を基板処理装置が遂行できるように、基板処理装置を制御することができる。
【0092】
図５は、本発明の一実施例による基板処理方法を見せてくれるフローチャートである。図５を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理方法は液処理段階(Ｓ１０)、返送段階(Ｓ２０)、そして、乾燥段階(Ｓ３０)を含むことができる。
【0093】
液処理段階(Ｓ１０)は基板(W)に処理液を供給して基板(W)を液処理する段階である。液処理段階(Ｓ１０)は液処理チャンバ４００で遂行されることができる。例えば、液処理段階(Ｓ１０)には回転する基板(W)に処理液を供給して基板(W)を液処理することができる(図６参照)。液処理段階(Ｓ１０)で供給される処理液は上述したケミカル、リンス液、そして、有機溶剤のうち少なくとも何れか一つ以上であることがある。例えば、液処理段階(Ｓ１０)では回転する基板(W)にリンス液を供給して基板(W)をリンス処理することができる。以後、回転する基板(W)に有機溶剤を供給して基板(W)上に残留するリンス液を有機溶剤で切り替えることができる。
【0094】
返送段階(Ｓ２０)は基板(W)を返送する段階である。返送段階(Ｓ２０)は液処理が遂行された基板(W)を乾燥チャンバ５００に返送する段階であることがある。例えば、返送段階(Ｓ２０)には返送ロボット３２０が基板(W)を液処理チャンバ４００で乾燥チャンバ５００に返送することができる。返送段階(Ｓ２０)に返送される基板(W)上には処理液が残留することがある。例えば、基板(W)上には有機溶剤が残留することがある。すなわち、基板(W)は有機溶剤に濡れた状態で乾燥チャンバ５００に返送されることがある。
【0095】
乾燥段階(Ｓ３０)は基板(W)を乾燥する段階である。乾燥段階(Ｓ３０)は乾燥チャンバ５００で遂行されることができる。乾燥段階(Ｓ３０)ではボディー５１０の内部空間５１８から基板(W)に乾燥用流体(Ｇ)を供給して基板(W)を乾燥することができる。乾燥段階(Ｓ３０)から基板(W)に伝達される乾燥用流体(Ｇ)は超臨界状態であることがある。例えば、乾燥用流体(Ｇ)は超臨界状態に転換されて内部空間５１８に流入されることができるし、また、乾燥用流体(Ｇ)は内部空間５１８で超臨界状態に転換されることもできる。
【0096】
乾燥段階(Ｓ３０)は昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２)、流動段階(Ｓ３３)、そして、ベント段階(Ｓ３４、Ｓ３５)を含むことができる。昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２)はボディー５１０の内部空間５１８の圧力を設定圧力で昇圧させる段階であることができる。
【0097】
流動段階(Ｓ３３)は昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２)以後に遂行されることができる。流動段階(Ｓ３３)はボディー５１０の内部空間５１８に供給された超臨界状態の乾燥用流体(Ｇ)に流動を発生させる段階であることができる。
【0098】
ベント段階(Ｓ３４、Ｓ３５)は流動段階(Ｓ３３)以後に遂行されることができる。ベント段階(Ｓ３４、Ｓ３５)にはボディー５１０の内部空間５１８の圧力を低めることができる。例えば、ベント段階(Ｓ３４、Ｓ３５)にはボディー５１０の内部空間５１８の圧力を常圧で低めることができる。
【0099】
以下では、前述した昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２)、流動段階(Ｓ３３)、そして、ベント段階(Ｓ３４、Ｓ３５)に対してより詳しく説明する。
【0100】
昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２)は第１昇圧段階(Ｓ３１)、そして、第２昇圧段階(Ｓ３２)を含むことができる。
【0101】
第１昇圧段階(Ｓ３１)には第２供給ライン５３３cがボディー５１０の内部空間５１８に乾燥用流体(Ｇ)を供給することができる(図７参照)。すなわち、第１昇圧段階(Ｓ３１)にはボディー５１０内部空間５１８の下部、具体的には内部空間５１８で支持された基板(W)の下部に乾燥用流体(Ｇ)が供給されることができる。第１昇圧段階(Ｓ３１)にはボディー５１０の内部空間５１８圧力を第２設定圧力(Ｐ２)まで昇圧させることができる。第２設定圧力(Ｐ２)は１２０Barであることがある。また、第１昇圧段階(Ｓ３１)が遂行されるうちに第１排気バルブ５５３aはオン(On)状態を維持することができる。第１昇圧段階(Ｓ３１)にはボディー５１０の内部空間５１８の圧力が所望の圧力(例えば、後述する第２圧力(Ｐ２))に到逹しなかったので、第１排気バルブ５５３aがオン(On)状態であっても、圧力調節部材５５３bによって流動ライン５５３には乾燥用流体(Ｇ)が流れないこともある。
【0102】
第２昇圧段階(Ｓ３２)には第１供給ライン５３３aがボディー５１０の内部空間５１８に乾燥用流体(Ｇ)を供給することができる(図８参照)。すなわち、第２昇圧段階(Ｓ３２)には内部空間５１８の上部、具体的に内部空間５１８で支持された基板(W)の上部に乾燥用流体(Ｇ)が供給されることができる。第２昇圧段階(Ｓ３２)にはボディー５１０の内部空間５１８圧力を第１設定圧力(Ｐ１)まで昇圧させることができる。第１設定圧力(Ｐ１)は１５０Barであることがある。第１設定圧力(Ｐ１)は内部空間５１８で乾燥用流体(Ｇ)が超臨界状態を維持することができるようにする臨界圧力と同じであるか、または臨界圧力より高い圧力であることがある。また、第２昇圧段階(Ｓ３２)が遂行されるうちに第１排気バルブ５５３aはオン(On)状態を維持することができる。第２昇圧段階(Ｓ３２)にはボディー５１０の内部空間５１８の圧力が所望の圧力(例えば、第２圧力(Ｐ２))に到逹しなかったので、第１排気バルブ５５３aがオン(On)状態であっても、圧力調節部材５５３bによって流動ライン５５３には乾燥用流体(Ｇ)が流れないこともある。
【0103】
前述した例では、第２昇圧段階(Ｓ３２)に第１供給ライン５３３aが乾燥用流体(Ｇ)を供給することを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２昇圧段階(Ｓ３２)は第２供給ライン５３３cが乾燥用流体(Ｇ)を供給して遂行されることもできて、これと異なり、第１供給ライン５３３a及び第２供給ライン５３３cすべてで乾燥用流体(Ｇ)を供給して遂行されることもできる。
【0104】
昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２）が遂行されながら、内部空間５１８の圧力は所望の圧力に到逹することができる。昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２）が遂行されながら、内部空間５１８は加熱部材５２０によって加熱されることができる。これに、内部空間５１８に供給された乾燥用流体(Ｇ)は超臨界状態で相変化することがある。しかし、これに限定されるものではなくて、乾燥用流体(Ｇ)は超臨界状態で内部空間５１８に供給されることができる。この場合、昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２）で内部空間５１８が所望の圧力(例えば、第１設定圧力(Ｐ１))に到逹するようになるので、超臨界状態で内部空間５１８に供給された乾燥用流体(Ｇ)は、超臨界状態を続いて維持することができる。
【0105】
流動段階(Ｓ３３)には内部空間３１８に供給された超臨界状態の乾燥用流体(Ｇ)に対して流動を発生させることができる。流動段階(Ｓ３３)には第１供給ライン５３３aが乾燥用流体(Ｇ)を続いて供給し、これと同時に流動ライン５５３が乾燥用流体(Ｇ)を続いて排気することができる(図９参照)。すなわち、乾燥用流体(Ｇ)の供給と、乾燥用流体(Ｇ)の排気が共になされることがある。すなわち、流動段階(Ｓ３３)は流体供給ユニット５３０が内部空間５１８に乾燥用流体(Ｇ)を供給する間、流体排気ユニット５５が内部空間５１８から乾燥用流体(Ｇ)を続いて排気することができる。また、流動段階(Ｓ３３)が遂行される間には、圧力調節部材５５３bの前端に設置される第１排気バルブ５５３aがオン(On)状態(開放された状態)を維持することができる。また、流動段階(Ｓ３３)には第２排気バルブ５５５a、そして、第３排気バルブ５５７aがオフ(Off)状態を維持することができる。
【0106】
また、圧力調節部材５５３bが内部空間５１８の圧力を第１設定圧力(Ｐ１)、例えば、１５０Bar)で一定に維持させることができるように、流動ライン５５３に流れる乾燥用流体(Ｇ)の単位時間当り排気流量を調節する。また、流体供給ユニット５３０の第１供給ライン５３３aが供給する乾燥用流体(Ｇ)の単位時間当り供給流量と流体排気ユニット５５０が流動ライン５５３を通じて排気する単位時間当り排気流量はお互いに等しく維持されることができる(すなわち、供給流量と排気流量の差が０であるか、または、仮に差が発生してもその差は臨界値以内の範囲になる)。すなわち、流動段階(Ｓ３３)には第１供給ライン５３３aが乾燥用流体(Ｇ)を続いて供給し、流動ライン５５３が乾燥用流体(Ｇ)を続いて排気して内部空間５１８で乾燥用流体(Ｇ)に流動が発生されることができるようにする。
【0107】
第１ベント段階(Ｓ３４)にはスローベントライン５５５を通じて乾燥用流体(Ｇ)が排気されるが、流体供給ユニット５３０は乾燥用流体(Ｇ)の供給を中断することができる(図１０参照)。これに、内部空間５１８の圧力は低くなることがある。また、第１ベント段階(Ｓ３４)には第２バルブ５５５aがオン(On)になって、そのオン(On)状態を維持することができる。また、第１ベント段階(Ｓ３４)には第１排気バルブ５５３a、そして、第３排気バルブ５５７aがオフ(Off)状態を維持することができる。
【0108】
第２ベント段階(Ｓ３５)にはクィックベントライン５５７を通じて乾燥用流体(Ｇ)が排気されるが、流体供給ユニット５３０は乾燥用流体(Ｇ)の供給を中断することができる(図１１参照)。これに、内部空間５１８の圧力は低くなることがある。また、第２ベント段階(Ｓ３５)には第３バルブ５５７aがオン(On)になって、そのオン(On)状態を維持することができる。また、第２ベント段階(Ｓ３５)には第１排気バルブ５５３a、そして、第２排気バルブ５５５aがオフ(Off)状態を維持することができる。
【0109】
また、前述したようにスローベントラインオリフィス５５５bの流路直径は、クィックベントラインオリフィス５５７bの流路直径より小さいので、第１ベント段階(Ｓ３４)での減圧速度は第２ベント段階(Ｓ３５)での減圧速度より遅いことがある。
【0110】
図１２は、本発明の乾燥工程を遂行する間ボディーの内部空間の圧力変化を見せてくれる図面である。図１２を参照すれば、第１昇圧段階(Ｓ３１)には内部空間５１８の圧力が第２設定圧力(Ｐ２)まで昇圧することがある。第２設定圧力(Ｐ２)は略１２０Barであることがある。第２昇圧段階(Ｓ３２)には内部空間５１８の圧力が第１設定圧力(Ｐ１)まで昇圧することがある。第１設定圧力(Ｐ１)は略１５０Barであることがある。流動段階(Ｓ３３)には内部空間５１８の圧力が第１設定圧力(Ｐ１)で維持されることができる。第１ベント段階(Ｓ３４)には内部空間５１８の減圧がゆっくりなされて、第２ベント段階(Ｓ３５)には内部空間５１８の減圧が早くなされることがある。
【0111】
以下では、本発明の効果に対して詳しく説明する。
【0112】
以下の表は、流動段階(Ｓ３３)を以前に説明した圧力パルシング方式で遂行した場合、そして、流動段階(Ｓ３３)を流動ライン５５３を使って本発明のコンティニューアース(Continuous)方式で遂行した場合工程を遂行した時間、そして、基板(W)上に残留するパーティクル数を示した表である。この時、昇圧段階(Ｓ３１、Ｓ３２)とベント段階(Ｓ３４、Ｓ３５)は等しい時間の間遂行した。また、基板(W)上に残留する有機溶剤の量に対する条件はお互いに等しく遂行した。
【0113】
【表1】
【0114】
前述した表をよく見れば分かるように、本発明のコンティニューアース方式を利用して流動段階(Ｓ３３)を遂行する場合、従来の圧力パルシング方式と比べる時流動段階(Ｓ３３)を遂行する設定時間を減らしても、基板(W)上に残留するパーティクルの数は同一であるか、または、それより低い数値を有することを分かる。すなわち、本発明の一実施例によれば、基板(W)を処理することに所要される時間を短縮させながら、基板(W)上に残留するパーティクルの数を以前と同一な水準で維持するか、または、それより低くすることができる。また、前述した実験データを通じて分かるように本発明で維持段階(Ｓ３３)が遂行される設定時間(t２～t３)は２０秒乃至６５秒に属する何れか一つの時間の間に遂行され、望ましくは、２５秒乃至６５秒に属する何れか一つの時間の間遂行された方が良いことがある。例えば、維持段階(Ｓ３３)は低いパーティクル水準を見せる３３秒または４０秒間遂行されることができる。また、本発明で維持段階(Ｓ３３)で内部空間５１８の圧力は１２０Bar乃至１５０Barに属する何れか一つの圧力で維持されることができる。例えば、維持段階(Ｓ３３)で内部空間５１８の圧力は略１５０Barで維持されることができる。
【0115】
図１３は、図４の流動ラインに設置される圧力調節部材及び加熱部材を概略的に見せてくれる図面であり、図１４は図４の流動ラインに加熱部材が設置されない場合、圧力調節部材より後端に乾燥用流体の温度変化を見せてくれるグラフである。図１３、そして図１４を参照すれば、前述したようなコンティニューアースフロー(Continuous Flow)を具現するために使用される圧力調節部材５５３bは、内部に流路が形成されたボディー(Ｂ)、乾燥用流体(Ｇ)が流れることができる流路の幅を調節するプランジャー(ＰＬ)、プランジャー(ＰＬ)に設置されるバルブ(Ｖ)及びスプリング(Ｓ)、そして、圧力調節スクリュー(Pressure adjusting screw)を含むことができる。乾燥用流体(Ｇ)は圧力調節部材５５３bを経りながらその温度が下がることができる。乾燥用流体(Ｇ)はバルブ(Ｖ)端で断熱圧縮され、以後バルブ(Ｖ)の後端とボディー(Ｂ)の後端を経りながら断熱膨張されることができるためである。この場合、乾燥用流体(Ｇ)の温度は図１４に示されたように略-５０℃水準まで落ちることができる。この場合、圧力調節部材５５３bの後端には結露/結氷などが発生されることができる。また、内部空間５１８を経った乾燥用流体(Ｇ)にはＩＰＡのような有機溶剤らが溶解されている。圧力調節部材５５３bを経りながら乾燥用流体(Ｇ)の温度が急激に降りれば、乾燥用流体(Ｇ)の溶解力は非常に低くなるようになる。この場合、乾燥用流体(Ｇ)に溶解されていた有機溶剤らは析出されて流動ライン５５３に付着することがあるし、これに流動ライン５５３には詰まり現象が発生されることがある。本発明の一実施例によれば、圧力調節部材５５３bの後端にブロックヒーター(Block Heater)である加熱部材５５９を設置することで、乾燥用流体(Ｇ)が圧力調節部材５５３bを通しながら発生する温度低下を補償することができる。これに、前述した結露/結氷の問題、そして、上述した流動ライン５５３の詰まり現象などの問題を解消することができる。
【0116】
前述した例では、加熱部材５５９が圧力調節部材５５３bの後端に設置されるブロックヒーター(Block Heater)であることを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図１５に示されたように他の実施例による加熱部材５５９aは圧力調節部材５５３bに、より詳細には、圧力調節部材５５３bを囲むように設置されるジャケットヒーター(Jacket Heater)であることがある。この場合、ジャケットヒーターである加熱部材５５９aが有する発熱体は略１５０～２００℃程度の温度で調節されることができる。
【0117】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0118】
５００ 乾燥チャンバ
５１０ ボディー
５１２ 上部ボディー
５１４ 下部ボディー
５２０ 加熱部材
５３０ 流体供給ユニット
５５１ メイン排気ライン
５５３ 流動ライン
５５３a 第１排気バルブ
５５３b 圧力調節部材
５５５ スローベントライン
５５５a 第２排気バルブ
５５５b スローベントラインオリフィス
５５７ クィックベントライン
５５７a 第３排気バルブ
５５７b クィックベントラインオリフィス
５５９ 加熱部材
５１０ ボディー
５１２ 上部ボディー
５１４ 下部ボディー
５２０ 加熱部材
５３０ 流体供給ユニット
５５１ メイン排気ライン
５５３ 流動ライン
５５３a 第１排気バルブ
５５３b 圧力調節部材
５５５ スローベントライン
５５５a 第２排気バルブ
５５５b スローベントラインオリフィス
５５７ クィックベントライン
５５７a 第３排気バルブ
５５７b クィックベントラインオリフィス
５５９ 加熱部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】