(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022183751
(43)【公開日】2022-12-13
(54)【発明の名称】セラミック電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20221206BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201C
H01G4/30 201D
H01G4/30 516
H01G4/30 513
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021091228
(22)【出願日】2021-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100087480
【弁理士】
【氏名又は名称】片山 修平
(72)【発明者】
【氏名】増田 秀俊
(72)【発明者】
【氏名】龍 穣
(72)【発明者】
【氏名】渥美 照夫
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC04
5E001AC09
5E001AC10
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE04
5E001AF06
5E001AH03
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE18
5E082EE19
5E082EE23
5E082EE35
5E082EE37
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG28
5E082PP03
5E082PP09
(57)【要約】
【課題】 内部電極層の断裂を抑制しつつ絶縁信頼性を向上させることができるセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 セラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、前記内部電極層の厚さをＴ（ｎｍ）とし、前記Ａｕ含有層の厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記内部電極層全体においてＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度をＣ（ａｔ％）とした場合に、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立することを特徴とする。
【選択図】 図４
【解決手段】 セラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、前記内部電極層の厚さをＴ（ｎｍ）とし、前記Ａｕ含有層の厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記内部電極層全体においてＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度をＣ（ａｔ％）とした場合に、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立することを特徴とする。
【選択図】 図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、
前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、
前記内部電極層の厚さをＴ（ｎｍ）とし、前記Ａｕ含有層の厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記内部電極層全体においてＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度をＣ（ａｔ％）とした場合に、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立することを特徴とするセラミック電子部品。
前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、
前記内部電極層の厚さをＴ（ｎｍ）とし、前記Ａｕ含有層の厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記内部電極層全体においてＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度をＣ（ａｔ％）とした場合に、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立することを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項2】
前記厚さｔ（ｎｍ）は、１ｎｍまたは１ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項3】
前記Ａｕ含有層の全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項4】
前記誘電体層の前記内部電極層側の表面部分において、Ａｕ濃度よりもＮｉ濃度が高いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項5】
前記内部電極層全体において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項6】
前記内部電極層の前記Ａｕ含有層以外の領域において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、０．０１ａｔ％以上、２０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項7】
前記複数の誘電体層は、チタン酸バリウムを含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項8】
前記内部電極層の厚さＴは、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項9】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、
前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、
前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、０．５ａｔ％以上であることを特徴とするセラミック電子部品。
前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、
前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、０．５ａｔ％以上であることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項10】
前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、１５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項９に記載のセラミック電子部品。
【請求項11】
前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、０ａｔ％以上、４．５ａｔ％以下であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
電子機器の小型化に伴い、電子機器に搭載される積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品についても、さらなる小型化が求められている。基本特性である容量値を大きくするためには、（１）誘電体層の誘電率を大きくする、（２）容量規定面積を大きくする、（３）誘電体層を薄くする、のいずれかの手段が考えられる。誘電率と素子サイズとが既定の場合、誘電体層が薄いほど１層あたりの容量値を大きくできることに加え、誘電体層及び内部電極層を薄くすることにより、既定の厚さ内に積層する数を大きくすることが可能となるため、有利となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００３－７５６２号公報
【特許文献2】特開２０１９－１７６１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一方、誘電体層を薄くすると、同じ使用電圧でも誘電体層に印加される電界強度が大きくなるため、絶縁信頼性の面で不利となる。薄い誘電体層での絶縁信頼性を担保するための方策として、誘電体層に対する濡れ性が悪い貴金属をセラミック原料や内部電極ペーストに添加し、内部電極層と誘電体層との間に添加金属の薄層を形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【0005】
また、内部電極層を薄くすると、焼成時に断裂し易くなり、容量に寄与しない無駄な領域が発生してしまうことになる。薄い内部電極の連続性を担保するための方策として、内部電極ペーストに他の金属を添加し、焼成後に内部電極と共材の結晶粒子の外周を添加金属で被覆する構造が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【0006】
しかしながら、特許文献１，２の技術では、Ａｕの添加量が多くなってしまう。Ａｕの添加量が多くなると、内部電極層の断裂が加速されるおそれがある。
【0007】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、内部電極層の断裂を抑制しつつ絶縁信頼性を向上させることができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明に係るセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、前記内部電極層の厚さをＴ（ｎｍ）とし、前記Ａｕ含有層の厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記内部電極層全体においてＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度をＣ（ａｔ％）とした場合に、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立することを特徴とする。
【0009】
上記セラミック電子部品において、前記厚さｔ（ｎｍ）は、１ｎｍまたは１ｎｍ未満であってもよい。
【0010】
上記セラミック電子部品における前記Ａｕ含有層の全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、５ａｔ％以上、１５ａｔ％以下であってもよい。
【0011】
上記セラミック電子部品における前記誘電体層の前記内部電極層側の表面部分において、Ａｕ濃度よりもＮｉ濃度が高くてもよい。
【0012】
上記セラミック電子部品における前記内部電極層全体において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、２０ａｔ％以下であってもよい。
【0013】
上記セラミック電子部品における前記内部電極層の前記Ａｕ含有層以外の領域において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、０．０１ａｔ％以上、２０ａｔ％以下であってもよい。
【0014】
上記セラミック電子部品において、前記複数の誘電体層は、チタン酸バリウムを含んでいてもよい。
【0015】
上記セラミック電子部品において、前記内部電極層の厚さＴは、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であってもよい。
【0016】
本発明に係る他のセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層された積層チップを備え、前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分としてＡｕも含み、前記誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層を備え、前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、０．５ａｔ％以上であることを特徴とする。
【0017】
上記セラミック電子部品の前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、１５ａｔ％以下としてもよい。
【0018】
上記セラミック電子部品の前記複数の内部電極層において、前記Ａｕ含有層以外の領域の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、０ａｔ％以上、４．５ａｔ％以下としてもよい。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、内部電極層の断裂を抑制しつつ絶縁信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。
【図4】内部電極層の詳細を例示する図である。
【図5】（ａ）および（ｂ）はＡｕ濃度の測定手法を例示する図である。
【図6】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。
【図7】（ａ）および（ｂ）は積層工程を例示する図である。
【図8】誘電体層へのＮｉおよびＡｕの拡散についての実験結果である。
【図9】（ａ）～（ｃ）はＡｕ含有層が形成されるメカニズムについて説明するための図である。
【図10】内部電極パターンの形成についての他の例である。
【図11】実施例２のサンプルについて、内部電極層の最表面近傍を観察したＴＥＭ画像である。
【図13】実施例２のサンプルについて、Ｎｉ層と誘電体層との界面を挟む範囲について、各元素濃度をライン分析した結果である。
【図15】ＨＡＬＴ試験の結果を示すワイブルプロットである。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。
【0022】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。
図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。図１～図３で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、略直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。
【0023】
積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、卑金属材料を含む内部電極層１２とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層１２の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた端面と、外部電極２０ｂが設けられた端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層１２との積層体において、積層方向の最外層には内部電極層１２が配置され、当該積層体の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３の材料は、誘電体層１１とセラミック材料の主成分が同じである。
【0024】
積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。
【0025】
誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３－αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム），ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム），ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム），ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム），ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ－ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１－ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等を用いることができる。
【0026】
図２で例示するように、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２と外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２とが対向する領域は、積層セラミックコンデンサ１００において電気容量を生じる領域である。そこで、当該電気容量を生じる領域を、容量領域１４と称する。すなわち、容量領域１４は、異なる外部電極に接続された隣接する内部電極層１２同士が対向する領域である。
【0027】
外部電極２０ａに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域を、エンドマージン１５と称する。また、外部電極２０ｂに接続された内部電極層１２同士が、外部電極２０ａに接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域も、エンドマージン１５である。すなわち、エンドマージン１５は、同じ外部電極に接続された内部電極層１２が異なる外部電極に接続された内部電極層１２を介さずに対向する領域である。エンドマージン１５は、電気容量を生じない領域である。
【0028】
図３で例示するように、積層チップ１０において、積層チップ１０の２側面から内部電極層１２に至るまでの領域をサイドマージン１６と称する。すなわち、サイドマージン１６は、上記積層構造において積層された複数の内部電極層１２が２側面側に延びた端部を覆うように設けられた領域である。サイドマージン１６も、電気容量を生じない領域である。
【0029】
積層セラミックコンデンサ１００を小型大容量型可するために、誘電体層１１を薄く形成することが好ましい。例えば、１層あたりの誘電体層１１の厚みは、０．０５μｍ以上５μｍ以下であり、または０．１μｍ以上３μｍ以下であり、または０．２μｍ以上１μｍ以下である。
【0030】
しかしながら、誘電体層１１を薄くすると、同じ使用電圧でも誘電体層１１に印加される電界強度が大きくなるため、絶縁信頼性の面で不利となる。薄い誘電体層１１での絶縁信頼性を担保するための方策として、誘電体層１１に対する濡れ性が悪いＡｕを誘電体層１１用の誘電体材料または内部電極層１２用の金属導電ペーストに添加しておいて焼成し、Ａｕの薄層を内部電極層１２と誘電体層１１との間の界面に形成することが考えられる。
【0031】
ここで、１ｎｍ以上のＡｕ層を内部電極層１２と誘電体層１１との間の界面に形成することについて検討する。内部電極層１２の厚さにもよるが、仮に厚さ５００ｎｍのＮｉの内部電極層１２の表裏に厚さ１０ｎｍのＡｕ層が存在する場合、表裏のＡｕ量だけで、その濃度（ＡｕとＮｉの総量に対するＡｕ量）は４ａｔ％程度となる。添加したすべてのＡｕが誘電体層１１と内部電極層１２との界面に蓄積されるわけではないため、特に金属導電ペーストにＡｕを添加した場合の内部電極層１２中のＡｕ濃度はさらに大きな値となる。一方、ＮｉとＡｕの合金の融点はＮｉの融点よりも低いため、例えばＡｕ濃度が４ａｔ％では１３００℃以下でも液相が生成する。焼成の工程では、内部電極層１２と誘電体層１１とを１０００℃～１３００℃の温度で一括焼成するため、焼成時に内部電極層１２の溶融、あるいは溶融までに至らなくても金属のマイグレーションが加速され、電極の断裂や球状化が加速されてしまう。これらが進行すると、取得できる容量の減少や、ひどい場合には正負電極が接触して短絡故障に至る。また、貴金属のＡｕは高額であるため、添加量を多くするとＮｉ単体で内部電極層１２を形成する場合と比較してコストが激増してしまう。
【0032】
そこで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、内部電極層の断裂を抑制しつつ、コストを抑制し、絶縁信頼性を向上させることができる構造を有している。
【0033】
本実施形態においては、図４で例示するように、内部電極層１２は、誘電体層１１との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層１７を備えている。Ａｕ含有層１７は、全てＡｕで構成されていてもよいが、Ｎｉなどの他の元素を含んでいてもよい。内部電極層１２のＡｕ含有層１７以外の部分は、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満のＮｉ層１８である。Ａｕ含有層１７は、内部電極層１２と誘電体層１１との界面の全体に設けられている必要はなく、当該界面の少なくとも一部に設けられていればよい。ただし、Ａｕ含有層１７は、内部電極層１２と誘電体層１１との界面の全体に設けられていることが好ましい。なお、Ａｕ含有層１７は、図５（ａ）で例示するように、ＴＥＭ画像において積層方向に沿って各サンプル点について各元素濃度をライン分析した場合に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となっているサンプル点の集合領域と定義することができる。Ｎｉ層１８は、積層方向に沿って各元素濃度をライン分析した場合に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるサンプル点の集合領域と定義することができる。当該各サンプル点の間隔は、例えば、０．０５ｎｍである。なお、全検出元素に対するＡｕ濃度にバラツキが生じるおそれがあるため、例えば、図５（ｂ）の丸印に示すように、内部電極層１２の層が延びる方向の異なる１０点において、誘電体層１１と内部電極層１２との界面近傍についてライン分析を行ない、その平均値を採用してもよい。平均値は、当該１０点において、積層方向における同じ高さの値の平均値を求めればよい。
【0034】
本実施形態においては、積層方向における内部電極層１２の断面において、内部電極層１２の厚さをＴ（ｎｍ）とし、Ａｕ含有層１７の厚さをｔ（ｎｍ）とし、内部電極層１２全体においてＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度をＣ（ａｔ％）とした場合に、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立する。内部電極層１２の上面側および下面側の両方にＡｕ含有層１７が設けられている場合には、厚さｔは、１層のＡｕ含有層１７の厚さである。なお、Ａｕ含有層１７の厚さは、ＴＥＭ画像において、内部電極層１２の層が延びる方向の長さ１５ｎｍの範囲の厚さを観察し、その平均値としてもよい。
【0035】
本実施形態によれば、内部電極層１２において誘電体層１１が接する部位に、貴金属のＡｕ濃度の高いＡｕ含有層１７が配置されていることから、界面障壁の作用により絶縁信頼性を向上させることができる。また、Ｃ≦５００×ｔ／Ｔの関係が成立することから、内部電極層１２内のＡｕ濃度を低く抑えることができ、Ａｕ－Ｎｉ合金の融点を所定温度以上に維持し、焼成による内部電極層１２へのダメージを低減することができる。それにより、内部電極層１２の断裂を抑制することができ、所望の素子特性を担保することができる。
【0036】
また、Ａｕという高額な部材の使用量を減らすことになるため、製品コストを低減することができる。さらに、Ａｕはリサイクル技術が確立された材料であるため、都市鉱山をはじめとする豊富なリサイクル源を活用可能であり、天然鉱山の環境負荷を低減できる。
【0037】
内部電極層１２におけるＡｕ量を低減する観点から、Ａｕ含有層１７の厚さｔは小さいことが好ましい。そこで、Ａｕ含有層１７の厚さｔに上限を設けることが好ましい。例えば、Ａｕ含有層１７の厚さｔは、１ｎｍまたは１ｎｍ未満であることが好ましく、０．８ｎｍ以下であることがより好ましく、０．６ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【0038】
Ａｕ含有層１７の全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、８ａｔ％以上であることが好ましく、１０ａｔ％以上であることがより好ましい。Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、積層方向に沿って各サンプル点について各元素濃度をライン分析した場合に、各サンプル点における全検出元素に対するＡｕ濃度の平均値を算出することによって求めることができる。
【0039】
Ａｕ含有層１７において、Ａｕ量が多すぎると融点の低下といった不具合が生じるおそれがある。そこで、Ａｕ含有層１７における全検出元素に対するＡｕ濃度に上限を設けることが好ましい。例えば、Ａｕ含有層１７における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１５ａｔ％以下であることが好ましく、１３ａｔ％以下であることがより好ましく、１２ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【0040】
Ａｕの使用量を低減する観点から、内部電極層１２全体において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度に、上限を設けることが好ましい。例えば、内部電極層１２全体において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、２０ａｔ％以下であることが好ましく、２ａｔ％以下であることがより好ましく、１ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【0041】
Ａｕの使用量を低減する観点から、Ｎｉ層１８において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度に上限を設けることが好ましい。例えば、Ｎｉ層１８において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、２０ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることがより好ましく、０．５ａｔ％以下であることがさらに好ましい。なお、Ａｕ含有層１７が備わることによってＮｉ層１８にもＡｕが含有される。例えば、Ｎｉ層１８において、ＮｉとＡｕの総量に対するＡｕ濃度は、０．０１ａｔ％以上となっている。
【0042】
内部電極層１２の厚さＴは、例えば、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であり、２０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。
【0043】
なお、詳細は後述するが、誘電体層１１および内部電極層１２の焼成時に、ＮｉおよびＡｕが誘電体層１１に含まれるペロブスカイト構造のセラミック中に拡散し得る。ただし、Ｎｉの方がＡｕよりも拡散しやすいため、誘電体層１１の内部電極層１２側の表面部分において、Ａｕ濃度よりもＮｉ濃度が高くなっている。
【0044】
（第２実施形態）
第２実施形態においては、第１実施形態と異なる点について説明する。第２実施形態においては、Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、０．５ａｔ％以上となっている。
第２実施形態においては、第１実施形態と異なる点について説明する。第２実施形態においては、Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、０．５ａｔ％以上となっている。
【0045】
本実施形態においても、内部電極層１２において誘電体層１１が接する部位に、貴金属のＡｕ濃度の高いＡｕ含有層１７が配置されるため、界面障壁の作用により絶縁信頼性を向上させることができる。また、Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、０．５ａｔ％以上となっていることから、内部電極層１２内のＡｕ濃度を低く抑えることができ、Ａｕ－Ｎｉ合金の融点を所定温度以上に維持し、焼成による内部電極層１２へのダメージを低減することができる。それにより、内部電極層１２の断裂を抑制することができ、所望の素子特性を担保することができる。
【0046】
また、Ａｕという高額な部材の使用量を減らすことになるため、製品コストを低減することができる。さらに、Ａｕはリサイクル技術が確立された材料であるため、都市鉱山をはじめとする豊富なリサイクル源を活用可能であり、天然鉱山の環境負荷を低減できる。
【0047】
Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差は、５ａｔ％以上であることが好ましく、１０ａｔ％以上であることがより好ましい。
【0048】
Ａｕ含有層１７において、Ａｕ量が多すぎると融点の低下といった不具合が生じるおそれがある。そこで、Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差に上限を設けることが好ましい。例えば、Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差は、１５ａｔ％以下であることが好ましく、１３ａｔ％以下であることがより好ましく、１２ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【0049】
Ａｕの使用量を低減する観点から、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、小さいことが好ましい。例えば、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、０ａｔ％以上、４．５ａｔ％以下であることが好ましく、３ａｔ％以下であることがより好ましく、２ａｔ％以下であることがさらに好ましい。
【0050】
続いて、第１実施形態および第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図６は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。
【0051】
（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
【0052】
得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、希土類元素(イットリウム（Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホロミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ)、ツリウム（Ｔｍ）およびイッテルビウム（Ｙｂ）)の酸化物、または、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）もしくはケイ素（Ｓｉ）を含む酸化物、または、コバルト、ニッケル、リチウム、ホウ素、ナトリウム、カリウムもしくはケイ素を含むガラスが挙げられる。
【0053】
例えば、セラミック原料粉末に添加化合物を含む化合物を湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料を調製する。例えば、上記のようにして得られたセラミック材料について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。以上の工程により、誘電体材料が得られる。
【0054】
（積層工程）
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材５１上に例えば厚み０．５μｍ以上１．０μｍ以下の誘電体グリーンシート５２を塗工して乾燥させる。基材５１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムである。
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材５１上に例えば厚み０．５μｍ以上１．０μｍ以下の誘電体グリーンシート５２を塗工して乾燥させる。基材５１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムである。
【0055】
次に、図７（ａ）で例示するように、誘電体グリーンシート５２上に、内部電極パターン５３を成膜する。図７（ａ）では、一例として、誘電体グリーンシート５２上に４層の内部電極パターン５３が所定の間隔を空けて成膜されている。成膜手法は、特に限定されるものではないが、例えば、Ｎｉ－Ａｕ合金を用いたスパッタなどの真空成膜、個別ターゲットを用いた同時スパッタなどを用いることができる。または、Ｎｉ金属粉のペーストにＡｕ金属粉を混ぜたペーストを塗布してもよい。内部電極パターン５３が成膜された誘電体グリーンシート５２を、積層単位とする。
【0056】
次に、誘電体グリーンシート５２を基材５１から剥がしつつ、図７（ｂ）で例示するように、積層単位を積層する。
【0057】
次に、積層単位が積層されることで得られた積層体の上下にカバーシートを所定数（例えば２～１０層）だけ積層して熱圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットする。図７（ｂ）の例では、点線に沿ってカットする。カバーシートは、誘電体グリーンシート５２と同じ成分であってもよく、添加化合物が異なっていてもよい。
【0058】
（焼成工程）
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａ，２０ｂの下地層となる金属ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧１０－５～１０－８ａｔｍの還元雰囲気中で１１００～１３００℃で１０分～２時間焼成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。
このようにして得られたセラミック積層体を、Ｎ２雰囲気で脱バインダ処理した後に外部電極２０ａ，２０ｂの下地層となる金属ペーストをディップ法で塗布し、酸素分圧１０－５～１０－８ａｔｍの還元雰囲気中で１１００～１３００℃で１０分～２時間焼成する。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。
【0059】
（再酸化処理工程）
その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃～１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。
その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃～１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。
【0060】
（めっき処理工程）
その後、めっき処理により、外部電極２０ａ，２０ｂに、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行ってもよい。
その後、めっき処理により、外部電極２０ａ，２０ｂに、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行ってもよい。
【0061】
本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の製造方法によれば、内部電極パターン５３を焼成する際に、含まれる金属成分が誘電体層１１に含まれるペロブスカイト構造を有するセラミック中に拡散する。ただし、Ａｕは、Ｎｉと比較すると、ペロブスカイト構造を有するセラミック中で不安定である。したがって、Ａｕと比較してＮｉが誘電体層１１へ拡散しやすい傾向にあるため、内部電極層１２と誘電体層１１との界面にＡｕ含有層１７が形成されることになる。
【0062】
図８は、誘電体グリーンシート５２の主成分セラミックにチタン酸バリウムを用い、内部電極パターン５３の金属成分としてＮｉおよびＡｕを用いた場合における、誘電体層１１へのＮｉおよびＡｕの拡散についての実験結果である。図８において、横軸は、内部電極層１２からの距離を示している。したがって、横軸は、誘電体層１１における表面から内部に向かう距離を示している。縦軸は、Ｔｉ量に対する濃度を示している。なお、内部電極パターン５３におけるＮｉとＡｕとの原子量比は、９６：２とした。図８の結果から、誘電体層１１内においては、Ｎｉ：Ａｕ＝９６：２の比率以上に、Ａｕ量が少なくなっている。この結果から、ペロブスカイト構造を有するセラミックに対して、Ｎｉが拡散しやすく、Ａｕが拡散しにくいことがわかる。
【0063】
図９（ａ）～図９（ｃ）は、Ａｕ含有層１７が形成されるメカニズムについて説明するための図である。図９（ａ）は焼成前の図である。図９（ａ）で例示するように、焼成前においては、誘電体グリーンシート５２においてペロブスカイト構造を有するセラミックに対して、ＮｉもＡｕも拡散していない。図９（ｂ）は、焼成途中の図である。図９（ｂ）で例示するように、誘電体グリーンシート５２に近いＮｉがセラミックに対して拡散することになるが、Ａｕはセラミックに対して拡散しにくくなっている。それにより、誘電体グリーンシート５２と内部電極パターン５３との界面にＡｕが原子レベルで蓄積され、当該界面におけるＡｕ濃度が上昇する。なお、界面にＡｕが濃縮されると、セラミックに対するＮｉの拡散も抑制されるものと考えられる。図９（ｃ）は、焼成後の図である。図９（ｃ）で例示するように、誘電体層１１と内部電極層１２との界面に、Ａｕ濃度の高いＡｕ含有層が形成される。なお、内部電極層１２の内部にも、Ａｕが残り得る。
【0064】
以上のように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の製造方法によれば、内部電極層１２は、誘電体層１１との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層１７を備えるようになる。なお、誘電体グリーンシート５２の厚さ、内部電極パターン５３の厚さ、内部電極パターン５３におけるＮｉとＡｕとの比率などを調整することによって、焼成後の積層セラミックコンデンサ１００においてＣ≦５００×ｔ／Ｔの関係を成立させることができる。また、Ａｕ含有層１７の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層１８の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差を、０．５ａｔ％以上とすることができる。
【0065】
例えば、誘電体グリーンシート５２上に内部電極パターン５３を成膜する際に、スパッタを用いることによって、成膜直後の状態の均一性を高めることが可能であり、薄いＡｕ含有層１７を安定して形成することができる。または、粒径や濃度が高均一で微小粒径の合金ペーストを用いることによって、成膜直後の状態の均一性を高めることが可能であり、薄いＡｕ含有層１７を安定して形成することができる。
【0066】
または、誘電体層１１の焼結性と内部電極層１２の拡散とを考えたとき、これらの温度依存性のバランスはそれぞれ異なっている。すなわち、ある温度と時間では、誘電体層１１の焼結を十分に進行させつつ、Ａｕ含有層１７の成長を抑制することができる。一方、他の焼成条件では、焼結が十分に進行した場合にはＡｕ含有層１７が厚く成長している。そこで、焼成工程において、焼成温度、焼成時間、昇温速度などを適切に調整することによって、Ａｕ含有層１７を安定して形成することができる。
【0067】
図１０で例示するように、内部電極パターン５３を形成する際に、Ａｕ濃度の低いＮｉパターン５３１の上面および下面に、Ｎｉパターン５３１よりもＡｕ濃度の高い高濃度部５３２を形成しておいてもよい。Ｎｉパターン５３１および高濃度部５３２は、スパッタで形成してもよく、ペースト印刷で形成してもよい。高濃度部５３２は、Ａｕのみで形成してもよい。
【0068】
なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。
【実施例0069】
以下、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。
【0070】
（実施例１）
チタン酸バリウム粉末に対して添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に有機バインダとしてブチラール系、溶剤としてトルエン、エチルアルコールを加えてドクターブレード法にてＰＥＴの基材上に誘電体グリーンシートを塗工した。誘電体グリーンシートの表面に、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで、厚さ２００ｎｍの内部電極パターンを成膜した。パターニングには、メタルマスクを用いたマスク法を採用した。合金中のＡｕ濃度は、ＡｕとＮｉの総量に対するＡｕ量として規定し、１．０ａｔ％とした。内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを、内部電極パターンが交互にずれるように１００層積層し、所定の大きさにカットし、内部電極パターンが露出する２端面に外部電極用の金属導電ペーストを塗布し、焼成した、積層セラミックコンデンサを得た。
チタン酸バリウム粉末に対して添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に有機バインダとしてブチラール系、溶剤としてトルエン、エチルアルコールを加えてドクターブレード法にてＰＥＴの基材上に誘電体グリーンシートを塗工した。誘電体グリーンシートの表面に、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで、厚さ２００ｎｍの内部電極パターンを成膜した。パターニングには、メタルマスクを用いたマスク法を採用した。合金中のＡｕ濃度は、ＡｕとＮｉの総量に対するＡｕ量として規定し、１．０ａｔ％とした。内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを、内部電極パターンが交互にずれるように１００層積層し、所定の大きさにカットし、内部電極パターンが露出する２端面に外部電極用の金属導電ペーストを塗布し、焼成した、積層セラミックコンデンサを得た。
【0071】
各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層の厚みの測定手法は、断面ＳＥＭで長さ５ｕｍの範囲を観察し、厚さの平均値を導出とした。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。Ａｕ含有層の厚みの測定手法は、断面ＴＥＭで長さ１５ｎｍの範囲を観察し、厚さの平均値を導出した。５００×ｔ／Ｔは、２であった。
【0072】
（実施例２）
実施例２では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を２．０ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例２では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。Ａｕの拡散が十分に進行すると、一定温度では一定の厚さで拡散が停止するため、全体のＡｕ量に関わらずに同じ厚さのＡｕ含有層が形成される。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と寿命は、実施例１と同等であった。
実施例２では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を２．０ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例２では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。Ａｕの拡散が十分に進行すると、一定温度では一定の厚さで拡散が停止するため、全体のＡｕ量に関わらずに同じ厚さのＡｕ含有層が形成される。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と寿命は、実施例１と同等であった。
【0073】
（実施例３）
実施例３では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を２．０ａｔ％とした。焼成温度を実施例１よりも高くした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例３では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、１．０ｎｍであった。焼成温度を高くしたため、全体のＡｕ量が同じ実施例２よりもＡｕ含有層の厚さが大きくなっている。５００×ｔ／Ｔは、２．５であった。得られた素子の容量は実施例１，２と同等で、負荷寿命が改善した。Ａｕ含有層の厚さが大きくなったため、界面障壁が安定したものと考えられる。
実施例３では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を２．０ａｔ％とした。焼成温度を実施例１よりも高くした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例３では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、１．０ｎｍであった。焼成温度を高くしたため、全体のＡｕ量が同じ実施例２よりもＡｕ含有層の厚さが大きくなっている。５００×ｔ／Ｔは、２．５であった。得られた素子の容量は実施例１，２と同等で、負荷寿命が改善した。Ａｕ含有層の厚さが大きくなったため、界面障壁が安定したものと考えられる。
【0074】
（実施例４）
実施例４では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を１．０ａｔ％とした。焼成時間を実施例1よりも短くした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例４では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．５ｎｍであった。焼成時間を短くしたため、全体のＡｕ量が同じ実施例１よりもＡｕ含有層の厚さが小さくなっている。５００×ｔ／Ｔは、１．２５であった。得られた素子の容量は実施例１～３と同等で、負荷寿命が実施例１よりも若干劣化している。Ａｕ含有層の厚さが小さくなったため、界面障壁が不安定になったものと考えられる。
実施例４では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を１．０ａｔ％とした。焼成時間を実施例1よりも短くした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例４では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．５ｎｍであった。焼成時間を短くしたため、全体のＡｕ量が同じ実施例１よりもＡｕ含有層の厚さが小さくなっている。５００×ｔ／Ｔは、１．２５であった。得られた素子の容量は実施例１～３と同等で、負荷寿命が実施例１よりも若干劣化している。Ａｕ含有層の厚さが小さくなったため、界面障壁が不安定になったものと考えられる。
【0075】
（実施例５）
実施例５では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意した。スパッタリングの際には、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを同時に使用した。内部電極パターンにおけるＡｕ濃度は、１．０ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例５では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と負荷寿命は、実施例１と同等であった。
実施例５では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意した。スパッタリングの際には、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを同時に使用した。内部電極パターンにおけるＡｕ濃度は、１．０ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例５では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と負荷寿命は、実施例１と同等であった。
【0076】
（実施例６）
実施例６では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意した。誘電体グリーンシート上において、Ａｕ→Ｎｉ→Ａｕの順に成膜し、Ｎｉ表面が厚さ１．０ｎｍのＡｕで被覆された積層構造とした。成膜された内部電極パターンの全体において、Ａｕ濃度は１．０ａｔ％であった。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例６においては、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。成膜時に１ｎｍのＡｕ層は、焼成時に拡散し、仕上り時には０．８ｎｍとなっていた。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と負荷寿命は、実施例１と同等であった。
実施例６では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意した。誘電体グリーンシート上において、Ａｕ→Ｎｉ→Ａｕの順に成膜し、Ｎｉ表面が厚さ１．０ｎｍのＡｕで被覆された積層構造とした。成膜された内部電極パターンの全体において、Ａｕ濃度は１．０ａｔ％であった。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例６においては、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。成膜時に１ｎｍのＡｕ層は、焼成時に拡散し、仕上り時には０．８ｎｍとなっていた。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と負荷寿命は、実施例１と同等であった。
【0077】
（実施例７）
実施例７では、Ａｕ－Ｎｉ合金ペーストを誘電体グリーンシート上に印刷した。合金中のＡｕ量を１．０ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例７では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と負荷寿命は、実施例１と同等であった。
実施例７では、Ａｕ－Ｎｉ合金ペーストを誘電体グリーンシート上に印刷した。合金中のＡｕ量を１．０ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。実施例７では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子の容量と負荷寿命は、実施例１と同等であった。
【0078】
（比較例１）
比較例１では、純Ｎｉターゲットを用いた。その他の条件は、実施例１と同様とした。比較例１では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。得られた素子の容量は、実施例１と同等であるが、負荷寿命が劣った。これは、Ａｕ含有層による界面障壁の効果が作用しないためであると考えられる。
比較例１では、純Ｎｉターゲットを用いた。その他の条件は、実施例１と同様とした。比較例１では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。得られた素子の容量は、実施例１と同等であるが、負荷寿命が劣った。これは、Ａｕ含有層による界面障壁の効果が作用しないためであると考えられる。
【0079】
（比較例２）
比較例２では、Ｐｔ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＰｔ量を０．５ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。比較例２では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、Ｐｔ含有層は形成されていなかった。得られた素子の容量は、実施例1と同等であるが、負荷寿命が劣った。Ｐｔも障壁を作り易い元素であるものの、界面への偏析が無いため、界面障壁はＮｉに支配されているものと考えられる。
比較例２では、Ｐｔ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＰｔ量を０．５ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。比較例２では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、Ｐｔ含有層は形成されていなかった。得られた素子の容量は、実施例1と同等であるが、負荷寿命が劣った。Ｐｔも障壁を作り易い元素であるものの、界面への偏析が無いため、界面障壁はＮｉに支配されているものと考えられる。
【0080】
（比較例３）
比較例３では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を２．５ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。比較例３では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。実施例２と同様に、拡散が十分に進行しているため、初期Ａｕ濃度が高くてもＡｕ層の厚さは一定の０．８ｎｍに落ち着いている。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子は、初期特性がオープンであった。添加したＡｕ量が多すぎたため、融点が低下し、内部電極が断裂してしまったものと考えられる。初期特性がオープンであったため、負荷寿命は評価できなかった。
比較例３では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットにおけるＡｕ量を２．５ａｔ％とした。その他の条件は、実施例１と同様とした。比較例３では、各内部電極層の厚みは、２００ｎｍであった。内部電極層において、誘電体層との界面に、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上のＡｕ含有層が形成されていた。Ａｕ含有層の厚みは、０．８ｎｍであった。実施例２と同様に、拡散が十分に進行しているため、初期Ａｕ濃度が高くてもＡｕ層の厚さは一定の０．８ｎｍに落ち着いている。５００×ｔ／Ｔは、２であった。得られた素子は、初期特性がオープンであった。添加したＡｕ量が多すぎたため、融点が低下し、内部電極が断裂してしまったものと考えられる。初期特性がオープンであったため、負荷寿命は評価できなかった。
【0081】
図１１は、実施例２のサンプルについて、内部電極層の最表面近傍を観察したＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）画像である。この像では、重元素あるいは高密度であるほど輝度が強く観察される。図１１に見られるように、Ｎｉ層と誘電体層との界面に、輝度の強い領域が確認できた。また、輝度が強い領域において、結晶の配列がＮｉ母材とよく整合していることが分かる。輝度が強い領域は、界面から３原子層程度であることが分かる。図１２は、図１１の画像中の元素の分布をマッピング測定した像である。図１２の左上図は、図１１の一部分である。図１２の右上は、Ｔｉについての観察結果である。図１２の左下図は、Ａｕについての観察結果である。図１２の右下図は、Ｎｉについての観察結果である。ＡｕのシグナルがＮｉ層の最表面に集中し、その厚さが０．５ｎｍ程度であることが分かる。以上のことから、実施例２について、０．５ｎｍのＡｕ含有層が形成されていることが確認された。
【0082】
図１３は、実施例２のサンプルについて、Ｎｉ層と誘電体層との界面を挟む範囲について、各元素濃度をライン分析した結果である。縦軸は、その点における全検出元素に対する注目元素の濃度を示している。したがって、縦軸は、Ａｕ／（Ａｕ＋Ｎｉ）を表しているわけではない。なお、Ｔｉについては、濃度測定値を５倍に拡大してプロットしてある。Ａｕについては、濃度測定値を１０倍に拡大してプロットしてある。図１３に見られるように、Ａｕのシグナルは界面の直上ではなく、界面から０．５ｎｍ程度Ｎｉ側に入り込んだ部位で最大値を示していることが分かる。図１４は、図１３のプロットの横軸範囲を広げ、Ａｕのシグナルのみを抽出した結果である。図１４に見られるように、界面近傍でＡｕのシグナルが局所的に大きくなっていることに加え、界面の両側でＡｕの濃度に明瞭な差異が確認できた。
【0083】
実施例１～７および比較例１～３のそれぞれのサンプルの負荷寿命については、１２５Ｃ／１８ＶのＨＡＬＴ試験（加速寿命試験）を実施することによって評価した。図１５は、実施例２、比較例１、および比較例２のサンプルについてのＨＡＬＴ試験の結果を示すワイブルプロットである。横軸は、故障に至るまでの時間を示す。縦軸は、累積故障率を示す。図１５に見られるように、Ｎｉのみで内部電極を構成した素子と比較して、Ａｕを用いた素子は寿命時間の絶対値が大きく、プロットの傾きが急峻である（寿命ばらつきが小さい）ことが分かる。なお、図１５において、「●」は比較例１の結果であり、「×」は比較例２の結果であり、「■」は実施例２の結果である。
【0084】
表１に、実施例１～７および比較例１～３のそれぞれのサンプルについて、容量値と負荷寿命の測定結果を示す。容量値は、ＬＣＲメータを用い、周波数１ｋＨｚ／振幅０．５Ｖの条件で測定した。負荷寿命は、１２５Ｃ／１８Ｖの負荷を印加し、リーク電流が１ｍＡを超えた時間を故障時間と判定した。
【表1】
【0085】
（実施例８）
チタン酸バリウム粉末に対して添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に有機バインダとしてブチラール系、溶剤としてトルエン、エチルアルコールを加えてドクターブレード法にてＰＥＴの基材上に誘電体グリーンシートを塗工した。誘電体グリーンシートの表面に、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで、内部電極パターンを成膜した。パターニングには、メタルマスクを用いたマスク法を採用した。内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを、内部電極パターンが交互にずれるように１００層積層し、所定の大きさにカットし、内部電極パターンが露出する２端面に外部電極用の金属導電ペーストを塗布し、焼成した、積層セラミックコンデンサを得た。
チタン酸バリウム粉末に対して添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に有機バインダとしてブチラール系、溶剤としてトルエン、エチルアルコールを加えてドクターブレード法にてＰＥＴの基材上に誘電体グリーンシートを塗工した。誘電体グリーンシートの表面に、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで、内部電極パターンを成膜した。パターニングには、メタルマスクを用いたマスク法を採用した。内部電極パターンが形成された誘電体グリーンシートを、内部電極パターンが交互にずれるように１００層積層し、所定の大きさにカットし、内部電極パターンが露出する２端面に外部電極用の金属導電ペーストを塗布し、焼成した、積層セラミックコンデンサを得た。
【0086】
全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。
【0087】
（実施例９）
実施例９でも、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、５．２ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、４．２ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例９でも、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、５．２ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、４．２ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0088】
（実施例１０）
実施例１０でも、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、５．２ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．５ａｔ％であった。これらの濃度差は、０．７ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例１０でも、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、５．２ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．５ａｔ％であった。これらの濃度差は、０．７ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0089】
（実施例１１）
実施例１１でも、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１６ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１５ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例１１でも、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１６ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１５ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0090】
（実施例１２）
実施例１２では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意し、スパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例１２では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意し、スパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0091】
（実施例１３）
実施例１３では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意し、スパッタで内部電極パターンを成膜した。誘電体グリーンシート上において、Ａｕ→Ｎｉ→Ａｕの順に成膜し、Ｎｉ表面がＡｕで被覆された積層構造とした。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例１３では、ＡｕターゲットおよびＮｉターゲットを個別に用意し、スパッタで内部電極パターンを成膜した。誘電体グリーンシート上において、Ａｕ→Ｎｉ→Ａｕの順に成膜し、Ｎｉ表面がＡｕで被覆された積層構造とした。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0092】
（実施例１４）
実施例１４では、Ａｕ－Ｎｉ合金ペーストを誘電体グリーンシート上に印刷した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例１４では、Ａｕ－Ｎｉ合金ペーストを誘電体グリーンシート上に印刷した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１１ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１０ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0093】
（実施例１５）
実施例１５では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１７ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１６ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
実施例１５では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１７ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、１ａｔ％であった。これらの濃度差は、１６ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0094】
（比較例４）
比較例４では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。比較例４では、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層は形成されなかった。全検出元素に対するＡｕ濃度が比較的高くなる領域全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．９ａｔ％となっていた。全検出元素に対するＡｕ濃度が比較的低くなる領域全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．４ａｔ％であった。これらの濃度差は、０．５ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
比較例４では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。比較例４では、全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層は形成されなかった。全検出元素に対するＡｕ濃度が比較的高くなる領域全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．９ａｔ％となっていた。全検出元素に対するＡｕ濃度が比較的低くなる領域全体において、全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．４ａｔ％であった。これらの濃度差は、０．５ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0095】
（比較例５）
比較例５では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、５．２ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．８ａｔ％であった。これらの濃度差は、０．４ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
比較例５では、Ａｕ－Ｎｉ合金ターゲットを用いたスパッタで内部電極パターンを成膜した。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％以上となるＡｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、５．２ａｔ％であった。全検出元素に対するＡｕ濃度が５ａｔ％未満となるＮｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度は、４．８ａｔ％であった。これらの濃度差は、０．４ａｔ％となった。その他の条件は、実施例８と同様とした。
【0096】
実施例１～７および比較例１～３と同様の手法を用いて、実施例８～１５および比較例４，５について、容量値と負荷寿命を測定した。結果を表２に示す。表２に示すように、実施例８～１５では、容量値も負荷寿命も高い値となった。これは、Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が０．５ａｔ％以上となったことで、内部電極層の断裂が抑制され、かつ絶縁信頼性が向上したからであると考えられる。また、実施例１５と比較すると、実施例８～１４では負荷寿命が長くなった。この結果から、Ａｕ含有層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度と、Ｎｉ層の全体における全検出元素に対するＡｕ濃度との差が、１５ａｔ％以下であることが好ましいことがわかる。
【表2】
【0097】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0098】
１０ 積層チップ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量領域
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
１７ Ａｕ含有層
１８ Ｎｉ層
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５１ 基材
５２ 誘電体グリーンシート
５３ 内部電極パターン
１００ 積層セラミックコンデンサ
１１ 誘電体層
１２ 内部電極層
１３ カバー層
１４ 容量領域
１５ エンドマージン
１６ サイドマージン
１７ Ａｕ含有層
１８ Ｎｉ層
２０ａ，２０ｂ 外部電極
５１ 基材
５２ 誘電体グリーンシート
５３ 内部電極パターン
１００ 積層セラミックコンデンサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】