ホーム > 特許ランキング > 日本電気硝子株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022183909
(43)【公開日】2022-12-13
(54)【発明の名称】ペン入力装置用カバー部材、及びペン入力装置
(51)【国際特許分類】
G06F 3/041 20060101AFI20221206BHJP
C03C 19/00 20060101ALI20221206BHJP
【ＦＩ】
G06F3/041 460
C03C19/00 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021091432
(22)【出願日】2021-05-31
(71)【出願人】
【識別番号】000232243
【氏名又は名称】日本電気硝子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002217
【氏名又は名称】弁理士法人矢野内外国特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】藤田 直樹
(72)【発明者】
【氏名】木下 沢泉
【テーマコード（参考）】
4G059
【Ｆターム（参考）】
4G059AA01
4G059AC01
(57)【要約】
【課題】本発明は優れた書き心地を実現できるペン入力装置用カバー部材等を提供する。
【解決手段】ペン入力装置１０におけるディスプレイ装置３０の前面側に配置されるガラス基板２０であって、ガラス基板２０の主面２０ａに、２００ｇｆの荷重を与えた１．４ｍｍφのエラストマー製の摩擦子であるペン先５１を、室温下、移動距離５０ｍｍ、移動速度５０ｍｍ／ｓの条件下で１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数μｋ１５と８５回目の動作時における動摩擦係数μｋ８５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４０以下である。
【選択図】図５
【解決手段】ペン入力装置１０におけるディスプレイ装置３０の前面側に配置されるガラス基板２０であって、ガラス基板２０の主面２０ａに、２００ｇｆの荷重を与えた１．４ｍｍφのエラストマー製の摩擦子であるペン先５１を、室温下、移動距離５０ｍｍ、移動速度５０ｍｍ／ｓの条件下で１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数μｋ１５と８５回目の動作時における動摩擦係数μｋ８５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４０以下である。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用カバー部材であって、
当該ペン入力装置用カバー部材の主面に、２００ｇｆの荷重を与えた１．４ｍｍφのエラストマー製の摩擦子を、室温下、移動距離５０ｍｍ、移動速度５０ｍｍ／ｓの条件下で１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数μｋ１５と８５回目の動作時における動摩擦係数μｋ８５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４０以下であることを特徴とするペン入力装置用カバー部材。
当該ペン入力装置用カバー部材の主面に、２００ｇｆの荷重を与えた１．４ｍｍφのエラストマー製の摩擦子を、室温下、移動距離５０ｍｍ、移動速度５０ｍｍ／ｓの条件下で１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数μｋ１５と８５回目の動作時における動摩擦係数μｋ８５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４０以下であることを特徴とするペン入力装置用カバー部材。
【請求項2】
前記ペン入力装置用カバー部材は、少なくとも一方の主面に凹凸形状を有し、
前記凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を、粗さ曲線要素の平均長さの５倍の値とし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を２７μｍとした場合、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍであり、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２を１４μｍとし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２を０．３５μｍとした場合、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍ、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のペン入力装置用カバー部材。
前記凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を、粗さ曲線要素の平均長さの５倍の値とし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を２７μｍとした場合、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍであり、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２を１４μｍとし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２を０．３５μｍとした場合、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍ、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のペン入力装置用カバー部材。
【請求項3】
前記ペン入力装置用カバー部材は化学強化処理されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のペン入力装置用カバー部材。
【請求項4】
請求項１～請求項３の何れか一項に記載のペン入力装置用カバー部材と、ディスプレイ装置と、ペン入力を検出する検出回路とを備えることを特徴とするペン入力装置。
【請求項5】
前記ペン入力装置用カバー部材の主面に接触しながら移動することにより、前記ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備えることを特徴とする請求項４に記載のペン入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ペン入力装置用カバー部材、及びペン入力装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、入力ペンを用いて、ユーザーが文字及び図形等の入力操作を画面上にて手書きで行うことができるペン入力装置が知られている。
【0003】
このようなペン入力装置においては、液晶ディスプレイ等によるディスプレイ装置の前面側に、ガラス基板等で構成された透明なカバー部材が配置されており、当該カバー部材の表面において入力ペンを接触及び移動させることで、様々な入力操作を行うことが可能となっている。
【0004】
ここで、ペン入力装置のカバー部材としてガラス基板を用いた場合、ガラス基板の表面は、一般的に凹凸が小さく滑らかに形成されているため、カバー部材（ガラス基板）の表面に入力ペンを接触させて移動させた際に、当該入力ペンのペン先が滑ってしまい、書き心地が悪いという問題が生じていた。
【0005】
そこで、入力ペンの滑りやすさを防止するために、高い摩擦係数を有するエラストマー材のペン先を用いることが、特許文献１に開示されている。
また、特許文献２には、エッチング処理によってガラス表面に微小な凹凸をつけることにより摩擦力を増加させて、書き心地を向上させたカバーガラス（カバー部材）が開示されている。
また、特許文献２には、エッチング処理によってガラス表面に微小な凹凸をつけることにより摩擦力を増加させて、書き心地を向上させたカバーガラス（カバー部材）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１８－１７３９５５号公報
【特許文献2】国際公開第２０１５／０７２２９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献２に記載されたようなカバー部材に対してエラストマー材のペン先を用いた場合、カバー部材の表面に入力ペンを繰り返し接触させて移動させた際の、ペン先とカバー部材との間の摩擦力が高くなるため、ペン先に摩耗が発生し易くなっていた。この場合、ペン先の摩耗が進んで摩耗度合いが大きくなると、ペン先とカバー部材との間の摩擦力が高くなり過ぎて、書き心地が損なわれることがあった。
【0008】
本発明は、以上に示した現状の問題点に鑑みてなされたものであり、入力ペンによりペン入力装置に対して連続して入力操作を行った場合においても、ペン先とカバー部材との間の摩擦力の増加を抑制してペン先に生じる摩耗を軽減し、優れた書き心地を実現することができる入力装置用カバー部材、及びペン入力装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するペン入力装置用カバー部材、及びペン入力装置は、以下の特徴を有する。
【0010】
即ち、本発明に係るペン入力装置用カバー部材は、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用カバー部材であって、当該ペン入力装置用カバー部材の主面に、２００ｇｆの荷重を与えた１．４ｍｍφのエラストマー製の摩擦子を、室温下、移動距離５０ｍｍ、移動速度５０ｍｍ／ｓの条件下で１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数μｋ１５と８５回目の動作時における動摩擦係数μｋ８５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４０以下であることを特徴とする。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置用カバー部材によれば、高い摩擦係数を有する摩擦子をペン先に用いた入力ペンによるペン入力装置への繰り返しの入力操作においてペン先に生じる摩耗を抑制して、ペン先の摩耗による摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置用カバー部材によれば、高い摩擦係数を有する摩擦子をペン先に用いた入力ペンによるペン入力装置への繰り返しの入力操作においてペン先に生じる摩耗を抑制して、ペン先の摩耗による摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
【0011】
本発明に係るペン入力装置用カバー部材において、前記ペン入力装置用カバー部材は、少なくとも一方の主面に凹凸形状を有し、前記凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を、粗さ曲線要素の平均長さの５倍の値とし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を２７μｍとした場合、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍであり、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２を１４μｍとし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２を０．３５μｍとした場合、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍ、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍであることが好ましい。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置用カバー部材によれば、入力ペンによるペン入力装置への入力操作においてペン先の摩耗を抑制して、摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置用カバー部材によれば、入力ペンによるペン入力装置への入力操作においてペン先の摩耗を抑制して、摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
【0012】
また、本発明に係るペン入力装置用カバー部材において、前記ペン入力装置用カバー部材は、化学強化処理されていることが好ましい。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置用カバー部材によれば、ペン入力装置自体の耐久性が向上するとともに、カバー部材の耐傷性が向上し、ペン先の摩耗抑制効果を持続させることができる。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置用カバー部材によれば、ペン入力装置自体の耐久性が向上するとともに、カバー部材の耐傷性が向上し、ペン先の摩耗抑制効果を持続させることができる。
【0013】
そして、本発明に係るペン入力装置は、上述した何れかのペン入力装置用カバー部材と、ディスプレイ装置と、ペン入力を検出する検出回路とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係るペン入力装置は、前記ペン入力装置用カバー部材の主面に接触しながら移動することにより、前記ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備えることを特徴とする。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置によれば、入力ペンによるペン入力装置への入力操作において、ペン先の摩耗を抑制することができ、優れた書き心地を実現することができる。
また、本発明に係るペン入力装置は、前記ペン入力装置用カバー部材の主面に接触しながら移動することにより、前記ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備えることを特徴とする。
このような構成を有することにより、本発明に係るペン入力装置によれば、入力ペンによるペン入力装置への入力操作において、ペン先の摩耗を抑制することができ、優れた書き心地を実現することができる。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、入力ペンによるペン入力装置への入力操作において、ペン先の摩耗を抑制することができ、優れた書き心地を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】ペン入力装置を示す概略側面断面図である。
【図2】主面の測定断面曲線、うねり成分の凹凸、及び微小凹凸を示す図である。
【図3】高域フィルタλｃ及び低域フィルタλｓのカットオフ値を説明するための図であって、波長と振幅伝達率との関係を示す図である。
【図4】摩擦係数測定装置を示す図であって、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図5】一定荷重を印可したペン先を一定速度で１００回往復移動させた際の時間ｔと摩擦係数μとの関係を示した図である。
【図7】実施例である試料１について往復運動を１００回行った場合の時間ｔと摩擦係数μとの関係を示す図である。
【図8】比較例である試料１０について往復運動を１００回行った場合の時間ｔと摩擦係数μとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
次に、本発明に係るペン入力装置用カバー部材、及びペン入力装置を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。
【0017】
【0018】
［ペン入力装置１０の全体構成］
先ず、ペン入力装置１０の全体構成について、図１を用いて説明する。
ペン入力装置１０は、本発明に係るペン入力装置用カバー部材を備えたペン入力装置の一実施形態である。
ペン入力装置１０は、映像を表示するディスプレイ装置の一例であるディスプレイ素子３０、ディスプレイ素子３０の前面側に配置されるカバー部材としてのガラス基板２０、ディスプレイ素子３０の背面側に配置されるデジタイザ回路４０、及び入力ペン５０などを備える。
また、ガラス基板２０は、本発明に係るペン入力装置用カバー部材の一例であり、デジタイザ回路４０は、本発明に係るペン入力を検出する検出回路の一例である。
先ず、ペン入力装置１０の全体構成について、図１を用いて説明する。
ペン入力装置１０は、本発明に係るペン入力装置用カバー部材を備えたペン入力装置の一実施形態である。
ペン入力装置１０は、映像を表示するディスプレイ装置の一例であるディスプレイ素子３０、ディスプレイ素子３０の前面側に配置されるカバー部材としてのガラス基板２０、ディスプレイ素子３０の背面側に配置されるデジタイザ回路４０、及び入力ペン５０などを備える。
また、ガラス基板２０は、本発明に係るペン入力装置用カバー部材の一例であり、デジタイザ回路４０は、本発明に係るペン入力を検出する検出回路の一例である。
【0019】
なお、上記の記載において、ディスプレイ素子３０の「前面側」とは、映像が表示される側を意味し、ディスプレイ素子３０の「背面側」とは、映像が表示される側の反対側を意味する。
本実施形態においては、例えば、ディスプレイ素子３０の「前面側」は、図１中における紙面上方側となり、ディスプレイ素子３０の「後面側」は、図１中における紙面下方側となる。
本実施形態においては、例えば、ディスプレイ素子３０の「前面側」は、図１中における紙面上方側となり、ディスプレイ素子３０の「後面側」は、図１中における紙面下方側となる。
【0020】
ペン入力装置１０は、ガラス基板２０の主面２０ａ（ガラス基板２０に対してディスプレイ素子３０側とは反対側の面）に対して、入力ペン５０を接触させた状態で移動させることにより、文字及び図形などのペン入力（入力操作）を行うことが可能な構成となっている。ペン入力装置１０の例示としては、例えばタブレット端末が挙げられる。
【0021】
ここで、上記タブレット端末は、表示機能、及びペン入力機能の双方を備えたペン入力用表示装置を広く意味し、タブレットＰＣ、モバイルＰＣ、スマートフォン、及びゲーム機などの機器を含むものである。
【0022】
ガラス基板２０は、少なくとも一方の主面（本実施形態においては、上記の主面２０ａ）に凹凸形状が形成された、透明なガラス板により形成されている。
また、ガラス基板２０は、凹凸形状が形成された主面２０ａが、入力ペン５０が接触する側の面となるように配置されている。
また、ガラス基板２０は、凹凸形状が形成された主面２０ａが、入力ペン５０が接触する側の面となるように配置されている。
【0023】
ここで、ガラス基板２０としては、例えばアルミノシリケートガラス、またはホウケイ酸ガラスなどからなるガラス板を用いることができる。
なお、ガラス基板２０の詳細については後述する。
なお、ガラス基板２０の詳細については後述する。
【0024】
デジタイザ回路４０は、入力ペン５０による入力操作を検出する、検出センサを備えている。
また、入力ペン５０は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力器具であり、ガラス基板２０と接触する摩擦子の一例であるペン先５１を有し、当該ペン先５１が、エラストマー材の合成樹脂材で構成されている。なお、ペン先５１としてＰＯＭなどの合成樹脂材、またはフェルトなどを用いても良い。
また、入力ペン５０は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力器具であり、ガラス基板２０と接触する摩擦子の一例であるペン先５１を有し、当該ペン先５１が、エラストマー材の合成樹脂材で構成されている。なお、ペン先５１としてＰＯＭなどの合成樹脂材、またはフェルトなどを用いても良い。
【0025】
入力ペン５０において、エラストマー材からなるペン先５１であれば、微細な凹凸形状によって、ガラス基板の主面２０ａに対して接触面積を低減することができる。
従って、入力ペン５０のペン先５１を、凹凸形状が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合、ペン先５１の摩耗を低減することができ、繰り返し使用における摩擦係数の増加を抑制することができる。
従って、入力ペン５０のペン先５１を、凹凸形状が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合、ペン先５１の摩耗を低減することができ、繰り返し使用における摩擦係数の増加を抑制することができる。
【0026】
なお、本実施形態においては、ペン入力装置用カバー部材としてガラス基板２０を用いているが、これに限定されるものではなく、例えば、合成樹脂により形成され、少なくとも一方の主面に凹凸形状が形成された樹脂基板を、ペン入力装置用カバー部材として用いることも可能である。
この場合、当該樹脂基板の凹凸形状は、例えば、樹脂基板の主面にウェットブラスト等のブラスト加工を施したり、樹脂基板の主面にエンボス加工を施したりすることにより形成することが可能である。
この場合、当該樹脂基板の凹凸形状は、例えば、樹脂基板の主面にウェットブラスト等のブラスト加工を施したり、樹脂基板の主面にエンボス加工を施したりすることにより形成することが可能である。
【0027】
また、凹凸形状が表面に形成された樹脂層を、ガラス基板の少なくとも一方の主面に積層させたものを、ペン入力装置用カバー部材として用いることも可能である。
この場合、当該カバー部材は、凹凸形状が表面に形成された樹脂シートを、ガラス基板の主面に貼り付けることにより構成することができる。
この場合、当該カバー部材は、凹凸形状が表面に形成された樹脂シートを、ガラス基板の主面に貼り付けることにより構成することができる。
【0028】
なお、上記樹脂シートの凹凸形状は、例えば、樹脂シートの表面にエンボス加工を施したり、粉粒体を混入させた合成樹脂をシート状に形成したりすることにより形成することができる。
また、上記樹脂層は、合成樹脂をガラス基板の主面にスプレーにて吹き付けて形成することも可能である。
また、上記樹脂層は、合成樹脂をガラス基板の主面にスプレーにて吹き付けて形成することも可能である。
【0029】
但し、ペン入力装置用カバー部材としてガラス基板２０を用いた場合は、上述した樹脂基板や、ガラス基板の主面に樹脂層を形成したものなどを用いた場合に比べて、表面（特に、入力ペン５０のペン先５１と接触する主面）の硬度が高くなるため、表面に傷が付き難い点で有利である。
【0030】
［ガラス基板２０の構成］
次に、ガラス基板２０の構成について、図１及び図２を用いて詳細に説明する。
前述したように、ガラス基板２０は、本発明に係るペン入力装置用カバー部材の一実施形態である。図１において、ガラス基板２０の主面２０ａには、凹凸形状が形成されている。
次に、ガラス基板２０の構成について、図１及び図２を用いて詳細に説明する。
前述したように、ガラス基板２０は、本発明に係るペン入力装置用カバー部材の一実施形態である。図１において、ガラス基板２０の主面２０ａには、凹凸形状が形成されている。
【0031】
ガラス基板２０は、上記凹凸形状が形成された主面２０ａ上に、２００ｇｆの荷重を与えた１．４ｍｍφのエラストマー製の摩擦子を、室温下、移動距離５０ｍｍ、移動速度５０ｍｍ／ｓの条件下で１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数μｋ１５と８５回目の動作時における動摩擦係数μｋ８５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４０以下になるように構成されている。
【0032】
ここで、上記の動摩擦係数μｋ１５及び動摩擦係数μｋ８５は、それぞれ１５回目及び８５回目の往復運動における動摩擦係数の平均値である。
本実施形態においては、μｋ８５／μｋ１５が１．４０以下に設定されているが、１．３９に設定されるのが好ましく、１．３８に設定されるのがさらに好ましい。
本実施形態においては、μｋ８５／μｋ１５が１．４０以下に設定されているが、１．３９に設定されるのが好ましく、１．３８に設定されるのがさらに好ましい。
【0033】
動摩擦係数の比μｋ８５／μｋ１５を、上記の範囲に設定するのは、以下の理由による。
即ち、動摩擦係数の比μｋ８５／μｋ１５が１．４０を超える場合、ペン先５１を繰り返し使用する際に当該ペン先５１の摩耗が激しく、ペン先５１を形成する材料の表層の剥離により現れた新生面が原因となって、ペン先５１に高い凝着力が発生するという現象が連続的に現れる。これにより、ペン先５１の連続使用において摩擦力が高くなり過ぎて、書き心地が損なわれることがある。
即ち、動摩擦係数の比μｋ８５／μｋ１５が１．４０を超える場合、ペン先５１を繰り返し使用する際に当該ペン先５１の摩耗が激しく、ペン先５１を形成する材料の表層の剥離により現れた新生面が原因となって、ペン先５１に高い凝着力が発生するという現象が連続的に現れる。これにより、ペン先５１の連続使用において摩擦力が高くなり過ぎて、書き心地が損なわれることがある。
【0034】
一方、動摩擦係数の比μｋ８５／μｋ１５が１．４０以下である場合には、入力ペン５０によるペン入力装置１０への繰り返しの入力操作において、ペン先５１に生じる摩耗を抑制して、ペン先５１の摩耗による摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
【0035】
図２に示すように、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、うねり成分の凹凸、及び微小凹凸からなる大小２種類の凹凸により構成されている。
うねり成分の凹凸は、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍであり、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍである。
また、微小凹凸は、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍであり、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍであり、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍである。
うねり成分の凹凸は、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍであり、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍである。
また、微小凹凸は、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍであり、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍであり、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍである。
【0036】
ここで、本願における最大高さ粗さ（Ｒｚａ及びＲｚｂ）及び粗さ曲線要素の平均長さ（ＲＳｍａ及びＲＳｍｂ）は、ＪＩＳＢ０６０１ ２０１３に準拠し、算術平均高さＳａは、ＩＳＯ ２５１７８に準拠する。
【0037】
うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａは、微小凹凸の算術平均高さＳａに比べて、大きな値となることが好ましい（Ｒｚａ＞Ｓａ）。
また、うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａは、微小凹凸の算術平均高さＳａに対して、１．１～５００倍の値となることがより好ましい（Ｒｚａ＝Ｓａ×（１．１～５００））。
また、うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａは、微小凹凸の算術平均高さＳａに対して、１．１～５００倍の値となることがより好ましい（Ｒｚａ＝Ｓａ×（１．１～５００））。
【0038】
ここで、うねり成分の凹凸において、最大高さ粗さＲｚａは、当該うねり成分の凹凸における最も高い山の高さと最も深い谷の深さの和である。
また、うねり成分の凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａは、所定の基準長さにおける当該凹凸の各周期長さＸａの平均である（ＲＳｍａ＝（Ｘａ１+Ｘａ２+・・・+Ｘａｎ）／ｎ）。
また、うねり成分の凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａは、所定の基準長さにおける当該凹凸の各周期長さＸａの平均である（ＲＳｍａ＝（Ｘａ１+Ｘａ２+・・・+Ｘａｎ）／ｎ）。
【0039】
一方、微小凹凸において、算術平均高さＳａは、所定の面における凹凸の山の高さＺａ、及び谷の深さＺｂの絶対値の平均である（Ｓａ＝（（｜Ｚａ１｜+｜Ｚａ２｜+・・・+｜Ｚａｎ｜）+（｜Ｚｂ１｜+｜Ｚｂ２｜+・・・+｜Ｚｂｎ｜））／２ｎ）。
また、微小凹凸の最大高さ粗さＲｚｂは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の最も高い山の高さＲｐと、最も深い谷の深さＲｖとの和である（Ｒｚｂ＝Ｒｐ+Ｒｖ）。
また、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の各周期長さＸｂの平均である（ＲＳｍｂ＝（Ｘｂ１+Ｘｂ２+・・・+Ｘｂｎ）／ｎ）。
また、微小凹凸の最大高さ粗さＲｚｂは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の最も高い山の高さＲｐと、最も深い谷の深さＲｖとの和である（Ｒｚｂ＝Ｒｐ+Ｒｖ）。
また、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の各周期長さＸｂの平均である（ＲＳｍｂ＝（Ｘｂ１+Ｘｂ２+・・・+Ｘｂｎ）／ｎ）。
【0040】
そして、図２及び図３に示すように、上述したうねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａ及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの値は、主面２０ａの測定断面曲線から長波長成分を遮断するための高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの５倍の値に設定し、且つ主面２０ａの測定断面曲線から短波長成分を遮断するための低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を、２７μｍに設定した場合に得られる粗さ曲線から評価される値である。
つまり、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの５倍の値とし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を２７μｍとした場合、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍのうねり成分として発現する。
つまり、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの５倍の値とし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を２７μｍとした場合、最大高さ粗さＲｚａが３～２０００ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａが１００～５０００μｍのうねり成分として発現する。
【0041】
また、上述した微小凹凸における算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂの値は、主面２０ａの測定断面曲線から長波長成分を遮断するための高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２を１４μｍに設定し、且つ主面２０ａの測定断面曲線から短波長成分を遮断するための低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２を０．３５μｍとした場合に得られる粗さ曲線から評価される値である。
つまり、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２を１４μｍとし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２を０．３５μｍとした場合、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍ、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍの微小凹凸として発現する。
つまり、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２を１４μｍとし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２を０．３５μｍとした場合、算術平均高さＳａが０．５～５０ｎｍ、最大高さ粗さＲｚｂが１０～２９０ｎｍ、且つ粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂが０．０１～１０μｍの微小凹凸として発現する。
【0042】
このように、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、うねり成分の凹凸、及び微小凹凸により構成され、連続的に繋がる微小凹凸が波状に起伏することにより、うねり成分の凹凸の形状が形成される。
【0043】
本実施形態におけるペン入力装置１０（図１を参照）においては、ガラス基板２０の主面２０ａにおける、うねり成分の凹凸の形状、及び微小凹凸の形状が、それぞれ上述した条件の範囲内にて形成されていることにより、ディスプレイ素子３０（同じく、図１を参照）の視認性を保持しつつ、入力ペン５０の書き心地を向上させることが可能となっている。
また、このようなうねり成分の凹凸及び微小凹凸を、上述した条件の範囲内で構成された凹凸形状とすることにより、当該凹凸形状による散乱光の干渉によってスパークリングと呼ばれるギラつきが発生することを、抑制することができる。
さらに、本実施形態においては、ガラス基板２０の主面２０ａに樹脂層が形成されておらず、当該主面２０ａに対して直接的に凹凸形状が形成されているため、耐傷性が高く、傷が付き難いことから、ディスプレイ素子３０の視認性を低下させることがない。
また、このようなうねり成分の凹凸及び微小凹凸を、上述した条件の範囲内で構成された凹凸形状とすることにより、当該凹凸形状による散乱光の干渉によってスパークリングと呼ばれるギラつきが発生することを、抑制することができる。
さらに、本実施形態においては、ガラス基板２０の主面２０ａに樹脂層が形成されておらず、当該主面２０ａに対して直接的に凹凸形状が形成されているため、耐傷性が高く、傷が付き難いことから、ディスプレイ素子３０の視認性を低下させることがない。
【0044】
ところで、うねり成分の凹凸は、ガラス基板２０の主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との接触状態に影響する。
即ち、ペン先５１は、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、主にうねり成分の凹凸における凸部と接触し、うねり成分の凹凸における凹部とは接触し難い。
つまり、うねり成分の凹凸が、上述した条件の範囲内にて形成されていることにより、ガラス基板２０の主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減を図ることができる。
即ち、ペン先５１は、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、主にうねり成分の凹凸における凸部と接触し、うねり成分の凹凸における凹部とは接触し難い。
つまり、うねり成分の凹凸が、上述した条件の範囲内にて形成されていることにより、ガラス基板２０の主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減を図ることができる。
【0045】
よって、入力ペン５０のペン先５１を、凹凸形状が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合、当該ペン先５１と主面２０ａとの間に発生する摩耗を低減することができる。
【0046】
ここで、上述したように、本実施形態においては、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａ（図２を参照）の上限値が２０００ｎｍに設定されているが、当該上限値は、１０００ｎｍに設定されるのが好ましく、５００ｎｍに設定されるのがより好ましく、２００ｎｍに設定されるのがさらに好ましく、１００ｎｍに設定されるのが特に好ましく、５０ｎｍに設定されるのが最も好ましい。
また、本実施形態においては、上記最大高さ粗さＲｚａの下限値が３ｎｍに設定されているが、当該下限値は４ｎｍに設定されるのが好ましく、５ｎｍに設定されるのがさらに好ましい。
また、本実施形態においては、上記最大高さ粗さＲｚａの下限値が３ｎｍに設定されているが、当該下限値は４ｎｍに設定されるのが好ましく、５ｎｍに設定されるのがさらに好ましい。
【0047】
さらに、上述したように、本実施形態においては、うねり成分の凹凸における粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの上限値が５０００μｍに設定されているが、当該上限値は４０００μｍに設定されるのが好ましく、３０００μｍに設定されるのがより好ましく、２０００μｍに設定されるのがさらに好ましく、１５００μｍに設定されるのが特に好ましい。
【0048】
うねり成分の凹凸において、最大高さ粗さＲｚａの上限値及び下限値を上記の範囲に設定するのは、以下の理由による。
即ち、うねり成分の凹凸において、最大高さ粗さＲｚａの上限値が少なくとも２０００ｎｍを超える場合、光の散乱が大きくなり過ぎてガラス基板２０の表面（主面２０ａ）が白濁することに加え、摩擦子であるペン先５１のうねり成分の凸部での切削摩擦が大きくなり、ペン先５１の摩耗が大きくなる。
また、うねり成分の凹凸において、最大高さ粗さＲｚａの下限値が少なくとも３ｎｍに満たない場合、上述したようなガラス基板２０の主面２０ａと入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減による効果が十分に得られず、摩耗低減効果が低下する。
即ち、うねり成分の凹凸において、最大高さ粗さＲｚａの上限値が少なくとも２０００ｎｍを超える場合、光の散乱が大きくなり過ぎてガラス基板２０の表面（主面２０ａ）が白濁することに加え、摩擦子であるペン先５１のうねり成分の凸部での切削摩擦が大きくなり、ペン先５１の摩耗が大きくなる。
また、うねり成分の凹凸において、最大高さ粗さＲｚａの下限値が少なくとも３ｎｍに満たない場合、上述したようなガラス基板２０の主面２０ａと入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減による効果が十分に得られず、摩耗低減効果が低下する。
【0049】
微小凹凸は、ガラス基板２０の主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との間の真実接触部における接触面積に寄与し、ひいては主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力に寄与する。また、上記摩擦力の寄与は、ペン先５１の材質によって変化する。
【0050】
具体的には、低弾性率の材料であるエラストマー製のペン先５１の場合、ガラス基板２０の主面２０ａが平らであればあるほど凝着力による大きな摩擦力が生じ、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１が滑り難くなる。
この場合、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａと入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減を図ることができる。従って、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り易くすることができ、入力ペン５０によるペン入力装置１０への入力操作においてペン先５１の摩耗を低減することができる。これにより、ペン先５１の摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
この場合、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａと入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減を図ることができる。従って、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り易くすることができ、入力ペン５０によるペン入力装置１０への入力操作においてペン先５１の摩耗を低減することができる。これにより、ペン先５１の摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
【0051】
一方、ポリアセタールのような硬い材質からなるペン先５１の場合、ガラス基板２０の主面２０ａが平らであればあるほど摩擦力が低下し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１が滑り易くなる。
これに対しては、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａに対して、入力ペン５０のペン先５１を引掛り易くすることができる。これにより、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が増加し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り難くすることができる。この場合、微小凹凸を上述した範囲内にすることによって、入力ペン５０によるペン入力装置１０への入力操作においてペン先５１の摩耗を抑制することができる。これにより、ペン先５１の摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
これに対しては、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａに対して、入力ペン５０のペン先５１を引掛り易くすることができる。これにより、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が増加し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り難くすることができる。この場合、微小凹凸を上述した範囲内にすることによって、入力ペン５０によるペン入力装置１０への入力操作においてペン先５１の摩耗を抑制することができる。これにより、ペン先５１の摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
【0052】
なお、フェルトのような材質からなるペン先５１の場合、上述したポリアセタール製のペン先５１に似た挙動を示し、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａに対して入力ペン５０のペン先５１が引掛り易くなる。これにより、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が増加し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り難くすることができる。この場合においても、微小凹凸を上述した範囲内にすることによって、入力ペン５０によるペン入力装置１０への入力操作においてペン先５１の摩耗を抑制することができる。これにより、ペン先５１の摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、優れた書き心地を実現することができる。
【0053】
このように、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、様々な材質（エラストマー、ポリアセタール、及びフェルト）からなる入力ペン５０のペン先５１に対して、当該ペン先５１が主面２０ａ上で滑ることを適度に抑制し、または主面２０ａ上での当該ペン先５１の滑り難さを適度に調整させることができる。これにより、入力ペン５０によるペン入力装置１０への入力操作においてペン先５１の摩耗を抑制して、摩耗が進むことによる摩擦力の増加を低減でき、入力ペン５０による書き心地を、優れたものにすることができる。
【0054】
ここで、上述したように、本実施形態においては、微小凹凸の算術平均高さＳａの上限値が５０ｎｍに設定されているが、当該上限値は４０ｎｍに設定されるのが好ましく、３０ｎｍに設定されるのがさらに好ましく、２０ｎｍに設定されるのが特に好ましく、１０ｎｍに設定されるのが最も好ましい。
また、微小凹凸の算術平均高さＳａの下限値が０．５ｎｍに設定されているが、当該下限値は１ｎｍに設定されるのが好ましく、１．５ｎｍに設定されるのがさらに好ましい。
また、微小凹凸の算術平均高さＳａの下限値が０．５ｎｍに設定されているが、当該下限値は１ｎｍに設定されるのが好ましく、１．５ｎｍに設定されるのがさらに好ましい。
【0055】
また、上述したように、本実施形態においては、微小凹凸の最大高さ粗さＲｚｂの上限値が２９０ｎｍに設定されているが、当該上限値は２００ｎｍに設定されるのが好ましく、１００ｎｍに設定されるのがさらに好ましく、８０ｎｍに設定されるのが特に好ましく、５０ｎｍに設定されるのが最も好ましい。
また、微小凹凸の最大高さ粗さＲｚｂの下限値が１０ｎｍに設定されているが、当該下限値は１２ｎｍに設定されるのが好ましく、１４ｎｍに設定されるのがさらに好ましい。
また、微小凹凸の最大高さ粗さＲｚｂの下限値が１０ｎｍに設定されているが、当該下限値は１２ｎｍに設定されるのが好ましく、１４ｎｍに設定されるのがさらに好ましい。
【0056】
さらに、上述したように、本実施形態においては、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂの上限値が１０μｍに設定されているが、当該上限値は８μｍに設定されるのが好ましく、５μｍに設定されるのがさらに好ましい。
また、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂの下限値が０．０１μｍに設定されているが、当該下限値は０．１μｍに設定されるのが好ましく、０．５μｍに設定されるのがさらに好ましく、１μｍに設定されるのが特に好ましく、２μｍに設定されるのが最も好ましい。
また、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂの下限値が０．０１μｍに設定されているが、当該下限値は０．１μｍに設定されるのが好ましく、０．５μｍに設定されるのがさらに好ましく、１μｍに設定されるのが特に好ましく、２μｍに設定されるのが最も好ましい。
【0057】
また、ガラス基板２０の主面２０ａは、上述のエラストマー及びポリアセタールなどの合成樹脂材、フェルト、並びにフェルトと合成樹脂材の複合材料など、凹凸に対して摩擦力を調整可能な材質によって構成されているペン先５１に対して、書き心地が特に優れたものとなっている。
【0058】
図１において、ガラス基板２０は、当該ガラス基板２０を介してディスプレイ素子３０の映像を見たときの、映像の視認性の観点から、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが、可視光の波長域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）において１０％未満となることが好ましい。
ガラス基板２０のヘイズを１０％未満とすることで、ガラス基板２０の透明度を保持することができ、ディスプレイ素子３０の視認性を保持することができる。
ガラス基板２０のヘイズを１０％未満とすることで、ガラス基板２０の透明度を保持することができ、ディスプレイ素子３０の視認性を保持することができる。
【0059】
また、ガラス基板２０の主面２０ａには、入力ペン５０が接触する側の反射率を低下させるための反射防止膜、または指紋の付着を防止し、撥水性、撥油性を付与するための防汚膜を形成することができる。
【0060】
上記の反射防止膜は、ガラス基板２０をペン入力装置１０のカバー部材として使用する場合には、少なくともガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに有する。また、ガラス基板２０とディスプレイ素子３０との間に隙間がある場合には、ガラス基板２０の裏側（ディスプレイ素子３０側）の主面２０ｂにも反射防止膜を有することが好ましい。
【0061】
反射防止膜としては、例えばガラス基板２０よりも屈折率が低い低屈折率膜、または相対的に屈折率が低い低屈折率膜と相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜が用いられる。反射防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。
【0062】
ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、当該反射防止膜の表面の凹凸が、上述の表面粗さ（うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａ、並びに微小凹凸の算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂ）の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
【0063】
なお、反射防止膜を形成した後において、微小凹凸の粗さ曲線要素の算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び平均長さＲＳｍｂを測定する場合は、１０ｎｍのＡｕ膜を形成し、その後これらの値を測定する。
【0064】
上記の防汚膜は、ガラス基板２０をペン入力装置１０のカバー部材として使用する場合には、ガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに形成する。また、防汚膜は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含むことが好ましい。
【0065】
含フッ素重合体としては、例えば、主鎖中に、－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ－ユニットを有し、且つ、フッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体を用いることができる。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
【0066】
なお、ガラス基板２０の表側の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを形成する場合には、ガラス基板２０の主面２０ａ上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に防汚膜を形成する。
【0067】
ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、またはガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜の表面の凹凸が、上述の表面粗さ（うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａ、並びに微小凹凸の算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂ）の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、またはガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜を形成した後のガラス基板２０のヘイズ、または反射防止膜と防汚膜とを形成した後のガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、またはガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜を形成した後のガラス基板２０のヘイズ、または反射防止膜と防汚膜とを形成した後のガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
【0068】
また、ガラス基板２０は、化学強化処理されていることが好ましい。
化学強化処理は、アルカリ金属を含む溶融塩中にガラス基板を浸漬させ、ガラス基板の最表面に存在する原子径の小さなアルカリ金属（イオン）を、溶融塩中に存在する原子径の大きなアルカリ金属（イオン）と置換する技術の総称を言う。化学強化処理されたガラス基板の表面には、処理前の元の原子よりも原子径の大きなアルカリ金属（イオン）の原子が配置される。例えば、ガラス基板がナトリウム（Ｎａ）を含む場合、このナトリウムは化学強化処理の際に、溶融塩（例えば硝酸塩）中で、例えばカリウム（Ｋ）と置換される。このため、ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成することができ、これによりガラス基板の強度を向上することが可能となる。
化学強化処理は、アルカリ金属を含む溶融塩中にガラス基板を浸漬させ、ガラス基板の最表面に存在する原子径の小さなアルカリ金属（イオン）を、溶融塩中に存在する原子径の大きなアルカリ金属（イオン）と置換する技術の総称を言う。化学強化処理されたガラス基板の表面には、処理前の元の原子よりも原子径の大きなアルカリ金属（イオン）の原子が配置される。例えば、ガラス基板がナトリウム（Ｎａ）を含む場合、このナトリウムは化学強化処理の際に、溶融塩（例えば硝酸塩）中で、例えばカリウム（Ｋ）と置換される。このため、ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成することができ、これによりガラス基板の強度を向上することが可能となる。
【0069】
従って、ガラス基板２０に化学強化処理を行うことで、ペン入力装置１０自体の耐久性が向上するとともに、カバー部材としてのガラス基板２０の耐傷性が向上し、ペン先５１の摩耗抑制効果を持続させることができる。
【0070】
［ガラス基板２０の製造方法］
次に、ガラス基板２０の製造方法について、図１を用いて説明する。
ガラス基板２０の少なくとも一方の主面２０ａに形成される凹凸は、当該主面２０ａにウェットブラスト処理、化学エッチング処理、及びシリカコーティング処理などの処理方法を、少なくとも１種類以上組み合わせて行うことにより形成される。
次に、ガラス基板２０の製造方法について、図１を用いて説明する。
ガラス基板２０の少なくとも一方の主面２０ａに形成される凹凸は、当該主面２０ａにウェットブラスト処理、化学エッチング処理、及びシリカコーティング処理などの処理方法を、少なくとも１種類以上組み合わせて行うことにより形成される。
【0071】
ウェットブラスト処理は、アルミナなどの個体粒子にて構成される砥粒と、水などの液体とを均一に攪拌してスラリーとしたものを、圧縮エアを用いて噴射ノズルから、ガラスからなるワークに対して高速で噴射することにより、当該ワークに微細な凹凸を形成する処理である。
また、スラリーを噴射するノズルとして、スラリーの噴射口の面積をワークの面積に対して小さく絞った丸ノズルを用い、この丸ノズルをワークに対して相対運動させることにより、様々な表面形状を形成させることができる。
また、スラリーを噴射するノズルとして、スラリーの噴射口の面積をワークの面積に対して小さく絞った丸ノズルを用い、この丸ノズルをワークに対して相対運動させることにより、様々な表面形状を形成させることができる。
【0072】
ウェットブラスト処理においては、高速に噴射されたスラリーがワークに衝突した際に、スラリー内の砥粒がワークの表面を削ったり、叩いたり、こすったりすることにより、ワークの表面に微細な凹凸が形成されることとなる。
この場合、ワークに噴射された砥粒や、砥粒により削られたワークの破片は、ワークに噴射された液体によって洗い流されるため、ワークに残留する粒子が少なくなる。
この場合、ワークに噴射された砥粒や、砥粒により削られたワークの破片は、ワークに噴射された液体によって洗い流されるため、ワークに残留する粒子が少なくなる。
【0073】
また、ノズルをワークに対して任意に走査させて、ワークの表面に部分的にスラリーを噴射することにより、微小凹凸を形成することができる。
ガラス基板２０は、うねり成分の凹凸、及び微小凹凸からなる凹凸形状が表面に形成されたワークを、所望の大きさや形状に切断等して調製することにより得られる。
ガラス基板２０は、うねり成分の凹凸、及び微小凹凸からなる凹凸形状が表面に形成されたワークを、所望の大きさや形状に切断等して調製することにより得られる。
【0074】
ウェットブラスト処理によってワークの主面に形成される、微小凹凸の表面粗さ（算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂ）は、主にスラリーに含まれる砥粒の粒度分布と、スラリーをワークに噴射する際の噴射圧力とにより調整可能である。
また、うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａ及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａは、スラリーを噴射するノズルのサイズ、送りピッチ幅、送り速度、噴射圧、及び砥粒サイズにより調整可能である。
また、うねり成分の凹凸の最大高さ粗さＲｚａ及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａは、スラリーを噴射するノズルのサイズ、送りピッチ幅、送り速度、噴射圧、及び砥粒サイズにより調整可能である。
【0075】
ウェットブラスト処理においては、スラリーをワークに噴射した場合、液体が砥粒をワークまで運ぶため、微細な砥粒を使用することができるとともに、砥粒がワークに衝突する際の衝撃が小さくなり、精密な加工を行うことが可能である。
このように、ワークに対してウェットブラスト処理を施すことで、ガラス基板２０の主面２０ａに、適度なうねり成分の凹凸と、微小凹凸とを形成し易く、ガラス基板２０の透明度を損なうことがない。
このように、ワークに対してウェットブラスト処理を施すことで、ガラス基板２０の主面２０ａに、適度なうねり成分の凹凸と、微小凹凸とを形成し易く、ガラス基板２０の透明度を損なうことがない。
【0076】
また、乾式ブラスト処理を施すことにより、ガラス基板２０の主面２０ａに凹凸形状を形成することも可能である。
【0077】
なお、化学エッチング処理は、ガラス基板２０の主面２０ａを、フッ化水素（ＨＦ）ガス、またはフッ化水素酸によって化学エッチングする処理である。
【0078】
また、シリカコーティング処理は、ガラス基板２０の主面２０ａに、シリカ前駆体等のマトリックス前駆体、及びマトリックス前駆体を溶解する液状媒体を含むコーティング剤を、ガラス基板２０の主面２０ａに塗布し、加熱する処理である。
【実施例0079】
次に、大小２種類の凹凸（うねり成分の凹凸、及び微小凹凸）からなる凹凸形状が一方の主面２０ａに形成された、ガラス基板２０の実施例について、図４～図８を用いて説明する。なお、ガラス基板２０の構成については、以下に示すものに限定されるものではない。
【0080】
［試料の作製］
本実施例においては、ガラス基板２０の実施例として試料１～９を各々作製し、これらの実施例に対する比較例として、試料１０～１１を各々作製した。
なお、これらの試料１～１１に用いたガラス基板２０としては、厚さが０．５５ｍｍのアルカリ含有アルミノシリケートガラスを使用した。
本実施例においては、ガラス基板２０の実施例として試料１～９を各々作製し、これらの実施例に対する比較例として、試料１０～１１を各々作製した。
なお、これらの試料１～１１に用いたガラス基板２０としては、厚さが０．５５ｍｍのアルカリ含有アルミノシリケートガラスを使用した。
【0081】
実施例となる試料１～９のガラス基板２０に対しては、ウェットブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに、微小凹凸からなる凹凸形状を形成した。
具体的には、試料１～９の各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置し、粒度が♯８０００のアルミナからなる砥粒３ｗｔ％と、水と、分散剤とを均一に攪拌してスラリーを調製し、調製したスラリーを、処理圧力０．２３ＭＰａのエアを用いて丸ノズルから噴射させた状態で、当該丸ノズル０．５～１０ｍｍ／ｓの速度にて移動させながら、各ガラス基板２０の一方の主面２０ａの全体に対して走査させることによりウェットブラストを施した。
なお、各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置したのは、主面２０ａの全体に噴き付けられたスラリーが、局所的に留まるのを防ぐためである。
具体的には、試料１～９の各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置し、粒度が♯８０００のアルミナからなる砥粒３ｗｔ％と、水と、分散剤とを均一に攪拌してスラリーを調製し、調製したスラリーを、処理圧力０．２３ＭＰａのエアを用いて丸ノズルから噴射させた状態で、当該丸ノズル０．５～１０ｍｍ／ｓの速度にて移動させながら、各ガラス基板２０の一方の主面２０ａの全体に対して走査させることによりウェットブラストを施した。
なお、各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置したのは、主面２０ａの全体に噴き付けられたスラリーが、局所的に留まるのを防ぐためである。
【0082】
ここで、ウェットブラストを施す丸ノズルは、スラリーの噴射口の断面積を、各ガラス基板２０の主面２０ａの面積に対して小さく絞り、当該主面２０ａに対して、スラリーを部分的に噴射するノズルである。
うねり成分の凹凸における粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａは、丸ノズルの走査速度を変更することで可変させた。
また、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａは、丸ノズルの走査速度を変えることで可変させた。
さらに、微小凹凸における算術平均高さＳａは、丸ノズルの走査速度を変更することで可変させた。
なお、上記の砥粒としては、多角形状を有する砥粒を用いた。
うねり成分の凹凸における粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａは、丸ノズルの走査速度を変更することで可変させた。
また、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａは、丸ノズルの走査速度を変えることで可変させた。
さらに、微小凹凸における算術平均高さＳａは、丸ノズルの走査速度を変更することで可変させた。
なお、上記の砥粒としては、多角形状を有する砥粒を用いた。
【0083】
比較例となる試料１０のガラス基板２０に対しては、一方の主面２０ａに処理を施していない。つまり、試料１０のガラス基板２０は、未処理である。
【0084】
比較例となる試料１１のガラス基板２０に対しては、一方の主面２０ａにＳｉＯ２成分を含む液体を噴射することにより塗布し、塗布したＳｉＯ２成分を含む液体を乾燥させることにより、当該主面２０ａにＳｉＯ２コーティング膜を形成した。つまり、試料１１のガラス基板２０には、ＳｉＯ２コーティングを施した。
【0085】
［表面粗さの測定］
先ず始めに、試料１～１１のガラス基板２０における主面２０ａの表面粗さを測定した。
表面粗さの測定は、試料１～９についてはウェットブラスト処理を施した主面２０ａに対して行い、試料１０については一方の主面２０ａに対して行い、試料１１についてはＳｉＯ２コーティングを施した主面２０ａに対して行った。
先ず始めに、試料１～１１のガラス基板２０における主面２０ａの表面粗さを測定した。
表面粗さの測定は、試料１～９についてはウェットブラスト処理を施した主面２０ａに対して行い、試料１０については一方の主面２０ａに対して行い、試料１１についてはＳｉＯ２コーティングを施した主面２０ａに対して行った。
【0086】
測定した表面粗さのパラメータは、うねり成分の凹凸に関しては、最大高さ粗さＲｚａ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａであり、微小凹凸に関しては、算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲｓｍｂであり、表面粗さの測定は、白色干渉顕微鏡を用いて行った。用いた白色干渉顕微鏡は、Ｚｙｇｏ社製の白色干渉顕微鏡（製品名：Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ７３００）である。
【0087】
うねり成分の凹凸の測定条件は、対物レンズ２．５倍、ズームレンズ０．５倍を使用し、測定エリア５６５８×４２４４μｍの領域に対して、カメラ画素数が６４０×４８０、積算回数１回となるように設定した。
また、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａを測定する際の、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１は、当該粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの間隔の５倍に設定し、低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１は２７μｍに設定した。
また、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａを測定する際の、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１は、当該粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍａの間隔の５倍に設定し、低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１は２７μｍに設定した。
【0088】
一方、微小凹凸の測定条件は、対物レンズ５０倍、ズームレンズ２倍を使用し、測定エリア７４×５５μｍの領域に対して、カメラ画素数が６４０×４８０、積算回数１０回となるように設定した。
また、算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂを測定する際の、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２は１４μｍに設定し、低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２は０．３５μｍに設定した。
また、算術平均高さＳａ、最大高さ粗さＲｚｂ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍｂを測定する際の、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ２は１４μｍに設定し、低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ２は０．３５μｍに設定した。
【0089】
［表面粗さの測定結果］
試料１～１１について行った、表面粗さの測定結果について説明する。
表１に測定結果を示す。
試料１～１１について行った、表面粗さの測定結果について説明する。
表１に測定結果を示す。
【0090】
【表1】
【0091】
表１に示すように、うねり成分の凹凸における粗さ曲線要素の平均長さＲｓｍａは、実施例である試料1～９については、５００～１０００μｍの範囲内の数値であった。
また、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａは、実施例である試料１～９については、８～３５ｎｍの範囲内の数値であった。
これに対して、比較例である未処理の試料１０、及びＳｉＯ２コーティングを施した試料１１については、うねり成分の凹凸自体が形成されていなかった。
また、うねり成分の凹凸における最大高さ粗さＲｚａは、実施例である試料１～９については、８～３５ｎｍの範囲内の数値であった。
これに対して、比較例である未処理の試料１０、及びＳｉＯ２コーティングを施した試料１１については、うねり成分の凹凸自体が形成されていなかった。
【0092】
一方、微小凹凸における算術平均高さＳａは、実施例である試料１～９については、１．８～５．８ｎｍの範囲内の数値であった。
これに対して、比較例である試料１０～１１においては、未処理の試料１０の算術平均高さＳａは０．１ｎｍと小さかった。なお、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１１の算術平均高さＳａは４７．５ｎｍであった。
これに対して、比較例である試料１０～１１においては、未処理の試料１０の算術平均高さＳａは０．１ｎｍと小さかった。なお、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１１の算術平均高さＳａは４７．５ｎｍであった。
【0093】
また、微小凹凸における最大高さ粗さＲｚｂは、実施例である試料１～９については、１５．８～４５．３ｎｍの範囲内の数値であった。
これに対して、比較例である試料１０～１１においては、未処理の試料１０の最大高さ粗さＲｚｂは０．９ｎｍと小さく、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１１の最大高さ粗さＲｚｂは２９６．１ｎｍと大きかった。
これに対して、比較例である試料１０～１１においては、未処理の試料１０の最大高さ粗さＲｚｂは０．９ｎｍと小さく、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１１の最大高さ粗さＲｚｂは２９６．１ｎｍと大きかった。
【0094】
さらに、微小凹凸における粗さ曲線要素の平均長さＲｓｍｂは、実施例である試料１～９については、２．２～４．３μｍの範囲内であり、比較例である試料１０については０．９μｍであり、比較例である試料１１については９．９μｍであった。
【0095】
［往復運動による動摩擦係数μｋの測定］
次に、試料１～１１のガラス基板２０における主面２０ａの動摩擦係数μｋを往復運動により測定し、各々のガラス基板２０のペン先の摩耗度合いを評価した。
ここで、動摩擦係数μｋの測定については、以下に示す摩擦係数測定装置１０１を新たに構築し、当該摩擦係数測定装置１０１を用いて実施した。
次に、試料１～１１のガラス基板２０における主面２０ａの動摩擦係数μｋを往復運動により測定し、各々のガラス基板２０のペン先の摩耗度合いを評価した。
ここで、動摩擦係数μｋの測定については、以下に示す摩擦係数測定装置１０１を新たに構築し、当該摩擦係数測定装置１０１を用いて実施した。
【0096】
即ち、図４（ａ）に示すように、摩擦係数測定装置１０１は、測定対象であるガラス基板２０を水平姿勢の状態で保持しつつ、当該ガラス基板２０とともに前後方向に往復移動可能に設けられる可動式定盤部１１０、及び摩擦子であるペン先５１を、ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）に当接させた状態で保持するペン先保持部１２０などを備える。
【0097】
可動式定盤部１１０は、水平状に設けられる第一定盤１１１、第一定盤１１１の直上において当該第一定盤１１１と平行に配置される第二定盤１１２、これらの第一定盤１１１及び第二定盤１１２の間に介装される六軸力覚センサ１１３、第一定盤１１１の移動方向を規制するリニアガイド１１４、並びに第一定盤１１１を前後方向に往復移動させる一軸アクチュエータ機構１１５などにより構成される。
【0098】
そして、第二定盤１１２の上面にガラス基板２０を載置して固定し、一軸アクチュエータ機構１１５によって第一定盤１１１を可動させることにより、当該ガラス基板２０は、前後方向に繰り返し往復移動される。
また、上記の往復移動に伴い、ガラス基板２０と、当該ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）に当接されたペン先５１との間に発生した摩擦力は、六軸力覚センサ１１３によって検知される。
また、上記の往復移動に伴い、ガラス基板２０と、当該ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）に当接されたペン先５１との間に発生した摩擦力は、六軸力覚センサ１１３によって検知される。
【0099】
なお、六軸力覚センサ１１３については、レプトリノ社製の六軸力覚センサ（製品名：ＦＦＳ０８０ＹＡ５０１）を用いることとした。
また、一軸アクチュエータ機構１１５については、サーボモータ１１５ａと連結するＴＨＫ社製のＬＭガイドアクチュエータ（製品名：ＳＫＲ２６－２－１１０）を用いることとした。
また、一軸アクチュエータ機構１１５については、サーボモータ１１５ａと連結するＴＨＫ社製のＬＭガイドアクチュエータ（製品名：ＳＫＲ２６－２－１１０）を用いることとした。
【0100】
ペン先保持部１２０は、可動式定盤部１１０によるガラス基板２０の往復移動の方向、即ち前後方向に延出する支持部材１２１、支持部材１２１の延長方向中央部において当該支持部材１２１を上下方向に回動可能に軸支する軸受１２２、支持部材１２１の前端部に設けられるペン先取付け治具１２３、支持部材１２１の後端部に設けられるバランスウエイト１２４、及びペン先取付け治具１２３の直上に設けられる負荷ウエイト１２５などにより構成される。
【0101】
ペン先取付け治具１２３は、支持部材１２１の前端部において下方に延出するようにして設けられ、左右方向から見て、ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）に対して直交し、且つ図４（ｂ）に示すように、前後方向（即ち、可動式定盤部１１０によるガラス基板２０の往復移動の方向）から見て、ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）との傾斜角度θが６０°となるように、傾斜した状態にて支持されている。
【0102】
そして、軸受１２２を支点とする、支持部材１２１の前端部（ペン先取付け治具１２３）及び後端部の各々のモーメントが釣り合うように、バランスウエイト１２４の重量は設定されている。
換言すると、負荷ウエイト１２５が未だ設けられていない状態において、支持部材１２１は、バランスウエイト１２４によって水平姿勢に保持された状態となっており、ペン先取付け治具１２３の下端部に装着されるペン先５１は、ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）に対して、略押圧することなく接することが可能となっている。
換言すると、負荷ウエイト１２５が未だ設けられていない状態において、支持部材１２１は、バランスウエイト１２４によって水平姿勢に保持された状態となっており、ペン先取付け治具１２３の下端部に装着されるペン先５１は、ガラス基板２０の上面（主面２０ａ）に対して、略押圧することなく接することが可能となっている。
【0103】
負荷ウエイト１２５は、ペン先取付け治具１２３の下端部に装着されるペン先５１の直上に設けられ、自身の全荷重がペン先５１の先端部（下端部）に作用するように配置されている。
【0104】
以上のような構成からなる動摩擦係数測定装置１０１を用いて、試料１～１１のガラス基板２０における主面２０ａの動摩擦係数μｋを測定した。
具体的には、摩擦子であるペン先５１として、エラストマー製のペン先を有するワコム社製の替え芯（製品名：エラストマー芯（ＡＣＫ－２０００４）、ペン先の直径：約１．４ｍｍ）を用いることとし、凹凸形状が形成された主面２０ａを上面として、ガラス基板２０を第二定盤１１２に固定した後、各ペン先５１を、試料面（ガラス基板の主面２０ａ）に対して６０°傾斜し、且つ上記往復移動の方向に対して９０°直立した状態となるようにして、ペン先取付け治具１２３に装着した。
次に、２００ｇｆの負荷ウエイト１２５を取付け、ペン先５１に当該荷重を負荷させた。
具体的には、摩擦子であるペン先５１として、エラストマー製のペン先を有するワコム社製の替え芯（製品名：エラストマー芯（ＡＣＫ－２０００４）、ペン先の直径：約１．４ｍｍ）を用いることとし、凹凸形状が形成された主面２０ａを上面として、ガラス基板２０を第二定盤１１２に固定した後、各ペン先５１を、試料面（ガラス基板の主面２０ａ）に対して６０°傾斜し、且つ上記往復移動の方向に対して９０°直立した状態となるようにして、ペン先取付け治具１２３に装着した。
次に、２００ｇｆの負荷ウエイト１２５を取付け、ペン先５１に当該荷重を負荷させた。
【0105】
そして、一軸アクチュエータ機構１１５を可動させ、ガラス基板２０の往復移動を行うとともに、六軸力覚センサ１１３によって、当該往復移動によって発生する摩擦力の動摩擦係数μｋを測定した。
【0106】
なお、ガラス基板２０の往復移動における諸条件として、移動速度は５０ｍｍ／ｓに設定し、移動距離は５０ｍｍに設定し、且つ往復回数は１００回に設定することとした。
また、図５に示すように、動摩擦係数μｋの測定値については、繰り返し入力の初期値として１５往復目の値を動摩擦係数μｋ１５として採用し、また、繰り返し入力の終盤の値として８５往復目の値を動摩擦係数μｋ８５として採用することとした。
動摩擦係数μｋ１５は、１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数である。動摩擦係数μｋ８５は、１００回往復運動させた際の、８５回目の動作時における動摩擦係数である。
また、図５に示すように、動摩擦係数μｋの測定値については、繰り返し入力の初期値として１５往復目の値を動摩擦係数μｋ１５として採用し、また、繰り返し入力の終盤の値として８５往復目の値を動摩擦係数μｋ８５として採用することとした。
動摩擦係数μｋ１５は、１００回往復運動させた際の、１５回目の動作時における動摩擦係数である。動摩擦係数μｋ８５は、１００回往復運動させた際の、８５回目の動作時における動摩擦係数である。
【0107】
さらに、図６に示すように、動摩擦係数μｋの測定値については、往方向の動摩擦係数を平均した値（μｋ往）と、復方向の動摩擦係数を平均した値（μｋ復）とをそれぞれ読み取り、往方向の値（μｋ往）の絶対値と、復方向の値（μｋ復）の絶対値との平均値を採用することにした。
【0108】
なお、動摩擦係数μｋの測定は、それぞれの測定結果のばらつきを考慮し、同一試料に対して３回測定を行った。各試料表面の清浄度を同じ状態にするため、毎回、測定前に試料表面をエタノールで拭き取った。
【0109】
［動摩擦係数μｋ１５、及びμｋ８５の測定結果］
試料１～１１について行った、動摩擦係数μｋ１５、及びμｋ８５の測定結果について説明する。
表２に測定結果を示す。
試料１～１１について行った、動摩擦係数μｋ１５、及びμｋ８５の測定結果について説明する。
表２に測定結果を示す。
【0110】
【表2】
【0111】
表２に示すように、実施例である試料１～９については、それぞれ、エラストマー製のペン先５１である場合の８５回目の動摩擦係数μｋ８５と１５回目の動摩擦係数μｋ１５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．０７～１．３８の範囲内の数値であった。
【0112】
これに対して、比較例である未処理の試料１０については、エラストマー製のペン先５１である場合の８５回目の動摩擦係数μｋ８５と１５回目の動摩擦係数μｋ１５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４３～１．５１の数値であった。
また、比較例であるＳｉＯ２コーティングを施した試料１１については、エラストマー製のペン先５１である場合の８５回目の動摩擦係数μｋ８５と１５回目の動摩擦係数μｋ１５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４３～１．５０の数値であった。
また、比較例であるＳｉＯ２コーティングを施した試料１１については、エラストマー製のペン先５１である場合の８５回目の動摩擦係数μｋ８５と１５回目の動摩擦係数μｋ１５との比であるμｋ８５／μｋ１５が、１．４３～１．５０の数値であった。
【0113】
［ペン先の摩耗の評価］
次に、試料１～１１について、往復回数１００回の往復運動後のペン先の摩耗度合いについて観察した。
評価方法としては、１００回往復試験後の試料面（ガラス基板の主面２０ａ）を観察し、試料面における試験痕の有無から以下に示す２段階で評価を行った。
〇：目視にて試料面に試験痕は確認できなかった、×：目視にて試料面に試験痕が確認できた。
次に、試料１～１１について、往復回数１００回の往復運動後のペン先の摩耗度合いについて観察した。
評価方法としては、１００回往復試験後の試料面（ガラス基板の主面２０ａ）を観察し、試料面における試験痕の有無から以下に示す２段階で評価を行った。
〇：目視にて試料面に試験痕は確認できなかった、×：目視にて試料面に試験痕が確認できた。
【0114】
[ペン先の摩耗の評価結果]
試料１～１１について行った、ペン先の摩耗の評価結果について説明する。
上記の表２に測定結果を示す。
試料１～１１について行った、ペン先の摩耗の評価結果について説明する。
上記の表２に測定結果を示す。
【0115】
表２に示すように、ペン先の摩耗の有無については、実施例である試料１～９については、全て〇となった。
これに対して、比較例である未処理の試料１０については×となり、比較例であるＳｉＯ２コーティングを施した試料１１については×となった。
これに対して、比較例である未処理の試料１０については×となり、比較例であるＳｉＯ２コーティングを施した試料１１については×となった。
【0116】
［各試料の総合評価］
以上の結果から、実施例である試料１～９については、入力ペン５０のエラストマー製ペン先５１が接する主面２０ａに形成された、うねり成分の凹凸及び微小凹凸によって、ペン先５１とガラス基板２０の主面２０ａ間の接触面積を低減できたため、高い凝着力によるペン先５１の摩耗を抑制でき、結果として往復運動下において摩擦力が増加することを抑制できた。例えば、図７に示すように、試料１について往復運動を１００回行った場合の動摩擦係数μｋを見ると、往復回数が増えても動摩擦係数μｋがあまり増加していないことがわかる。
以上の結果から、実施例である試料１～９については、入力ペン５０のエラストマー製ペン先５１が接する主面２０ａに形成された、うねり成分の凹凸及び微小凹凸によって、ペン先５１とガラス基板２０の主面２０ａ間の接触面積を低減できたため、高い凝着力によるペン先５１の摩耗を抑制でき、結果として往復運動下において摩擦力が増加することを抑制できた。例えば、図７に示すように、試料１について往復運動を１００回行った場合の動摩擦係数μｋを見ると、往復回数が増えても動摩擦係数μｋがあまり増加していないことがわかる。
【0117】
一方、未処理の比較例である試料１０については、入力ペン５０が接する主面２０ａの凹凸が小さく、エラストマー製のペン先５１とガラス基板２０の主面２０ａ間に高い凝着力が生じたため、ペン先５１の摩耗が激しく、結果として往復運動下において摩擦力が増加した。例えば、図８に示すように、試料１０について往復運動を１００回行った場合の動摩擦係数μｋを見ると、往復回数が増えるにつれて動摩擦係数μｋが増加しており、動摩擦係数μｋの増加度合いが図７に示す試料１の場合と比べて大きいことがわかる。
【0118】
また、ＳｉＯ２コーティングを施した比較例である試料１１については、大きな凹凸により、エラストマー製のペン先５１とガラス基板２０の主面２０ａ間に大きな切削摩擦が生じたため、ペン先５１の摩耗が激しく、結果として往復運動下において摩擦力が増加した。
【符号の説明】
【0119】
１０ ペン入力装置
２０ ガラス基板（ペン入力装置用カバー部材）
２０ａ 主面
３０ ディスプレイ素子（ディスプレイ装置）
４０ デジタイザ回路（検出回路）
５０ 入力ペン５０
５１ ペン先（摩擦子）
ＲＳｍａ （うねり成分の凹凸における）粗さ曲線要素の平均長さ
ＲＳｍｂ （微小凹凸における）粗さ曲線要素の平均長さ
Ｒｚａ （うねり成分の凹凸における）最大高さ粗さ
Ｒｚｂ （微小凹凸における）最大高さ粗さ
Ｓａ （微小凹凸における）算術平均高さ
μｋ 動摩擦係数
μｋ１５ １５往復目の動摩擦係数
μｋ８５ ８５往復目の動摩擦係数
λｃ 高域フィルタ
λｃ１、λｃ２ 高域フィルタのカットオフ値
λｓ 低域フィルタ
λｓ１、λｓ２ 低域フィルタのカットオフ値
２０ ガラス基板（ペン入力装置用カバー部材）
２０ａ 主面
３０ ディスプレイ素子（ディスプレイ装置）
４０ デジタイザ回路（検出回路）
５０ 入力ペン５０
５１ ペン先（摩擦子）
ＲＳｍａ （うねり成分の凹凸における）粗さ曲線要素の平均長さ
ＲＳｍｂ （微小凹凸における）粗さ曲線要素の平均長さ
Ｒｚａ （うねり成分の凹凸における）最大高さ粗さ
Ｒｚｂ （微小凹凸における）最大高さ粗さ
Ｓａ （微小凹凸における）算術平均高さ
μｋ 動摩擦係数
μｋ１５ １５往復目の動摩擦係数
μｋ８５ ８５往復目の動摩擦係数
λｃ 高域フィルタ
λｃ１、λｃ２ 高域フィルタのカットオフ値
λｓ 低域フィルタ
λｓ１、λｓ２ 低域フィルタのカットオフ値
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】