特開 2022-18426 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022018426

(43)【公開日】2022-01-27

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20220120BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20220120BHJP

   G02F 1/1345 20060101ALI20220120BHJP

   G06F 3/041 20060101ALI20220120BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20220120BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 330

G09F9/30 348A

G09F9/30 336

G02F1/1368

G02F1/1345

G06F3/041 412

G06F3/041 430

G06F3/041 495

G06F3/044 120

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020121526

(22)【出願日】2020-07-15

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】河合 謙太朗

(72)【発明者】

【氏名】笹沼 啓太

(72)【発明者】

【氏名】加藤 隆幸

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

5C094

【Ｆターム（参考）】

2H092GA43

2H092GA50

2H092GA55

2H092GA60

2H092GA62

2H092JA26

2H092JA46

2H092JB32

2H092JB52

2H092JB58

2H092KA04

2H092KA05

2H092KA08

2H092KA12

2H092KA18

2H092KB04

2H092KB14

2H092NA25

2H092QA09

2H192AA24

2H192BB13

2H192CB05

2H192CB13

2H192CC55

2H192EA22

2H192EA43

2H192FA65

2H192FA73

2H192FB22

2H192GB33

2H192GB34

5C094AA31

5C094BA03

5C094BA23

5C094BA27

5C094BA43

5C094BA52

5C094BA75

5C094CA19

5C094DA15

5C094DB03

5C094EA04

5C094EA05

5C094EA07

5C094EA10

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB02

5C094FB12

5C094FB15

(57)【要約】

【課題】信頼性の低下を抑制する表示装置を提供する。
【解決手段】表示部と、第１端子と、前記表示部と前記第１端子との間に位置する第２端子と、絶縁膜と、を備え、前記第１端子及び前記第２端子の各々は、金属電極、及び、第１透明電極の積層体であり、前記第１端子において、前記第１透明電極は、前記金属電極の上面及び側面に接しており、前記第２端子において、前記絶縁膜は、前記金属電極の側面に接しており、前記絶縁膜で囲まれた内側において、前記第１透明電極は、前記金属電極の上面に接している、表示装置。
【選択図】 図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示部と、第１端子と、前記表示部と前記第１端子との間に位置する第２端子と、絶縁膜と、を備え、
前記第１端子及び前記第２端子の各々は、金属電極、及び、第１透明電極の積層体であり、
前記第１端子において、前記第１透明電極は、前記金属電極の上面及び側面に接しており、
前記第２端子において、前記絶縁膜は、前記金属電極の側面に接しており、
前記絶縁膜で囲まれた内側において、前記第１透明電極は、前記金属電極の上面に接している、表示装置。

【請求項2】

前記金属電極は、第１層、前記第１層とは異なる材料によって形成された第２層、及び、前記第１層と同一材料によって形成された第３層の積層体であり、
前記絶縁膜は、前記金属電極の側面において、前記第１層、前記第２層、及び、前記第３層に接している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記絶縁膜は、有機絶縁膜である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１端子及び前記第２端子の各々の金属電極は、第１金属電極、第２金属電極、第３金属電極の積層体である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第３金属電極は、第１層、前記第１層とは異なる材料によって形成された第２層、及び、前記第１層と同一材料によって形成された第３層の積層体であり、
前記絶縁膜は、前記第３金属電極の側面において、前記第１層、前記第２層、及び、前記第３層に接している、請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記表示部は、
前記第１金属電極と同一材料によって形成された走査線と、
前記第２金属電極と同一材料によって形成された信号線と、
前記第３金属電極と同一材料によって形成され、前記信号線の直上に位置する金属配線と、
前記第１透明電極と同一材料によって形成され、前記金属配線と電気的に接続された共通電極と、
を備える、請求項４に記載の表示装置。

【請求項7】

さらに、前記第２端子の前記第１金属電極と一体的な出力配線と前記金属配線とを電気的に接続する層変換部と、無機絶縁膜と、有機絶縁膜と、を備え、
前記層変換部は、
前記出力配線まで貫通したコンタクトホールを有する前記無機絶縁膜の上に配置され、前記第２金属電極と同一材料によって形成され、前記コンタクトホールにおいて前記出力配線に接する接続電極を備え、
前記金属配線は、前記接続電極を囲む前記有機絶縁膜の上に配置され、前記有機絶縁膜の開口において前記接続電極に接し、前記有機絶縁膜と前記接続電極との間において前記無機絶縁膜に接している、請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記絶縁膜は、前記有機絶縁膜及び前記金属配線を直接覆っている、請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

表示部と、第１端子と、前記表示部と前記第１端子との間に位置する第２端子と、前記表示部と前記第２端子との間に位置する中継部と、を備え、
前記表示部は、走査線と、信号線と、前記信号線の直上に位置する金属配線と、前記金属配線と電気的に接続された共通電極と、前記共通電極の直上に位置する画素電極と、を備え、
前記中継部は、
前記信号線と同一材料によって形成された第１中継電極と、
前記第２端子と電気的に接続され、前記金属配線と同一材料によって形成され、前記金属配線から離間し、前記第１中継電極に接する第２中継電極と、
前記共通電極と同一材料によって形成され、前記金属配線に接する第３中継電極と、
前記画素電極と同一材料によって形成され、前記第１中継電極及び前記第３中継電極に接する第４中継電極と、を備える、表示装置。

【請求項10】

前記第２端子は、第１金属電極、前記第１中継電極と同一材料によって形成された第２金属電極、前記第２中継電極と同一材料によって形成された第３金属電極、前記第３中継電極と同一材料によって形成された第１透明電極、及び、前記第４中継電極と同一材料によって形成された第２透明電極の積層体である、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

さらに、前記第２端子の前記第１金属電極と一体的な出力配線と前記第２中継電極とを電気的に接続する層変換部と、無機絶縁膜と、前記第１中継電極と前記第２中継電極との間に位置する第１有機絶縁膜と、を備え、
前記層変換部は、
前記出力配線まで貫通したコンタクトホールを有する前記無機絶縁膜の上に配置され、前記第２金属電極と同一材料によって形成され、前記コンタクトホールにおいて前記出力配線に接する接続電極を備え、
前記第２中継電極は、前記接続電極を囲む前記第１有機絶縁膜の上に配置され、前記第１有機絶縁膜の開口において前記接続電極に接し、前記第１有機絶縁膜と前記接続電極との間において前記無機絶縁膜に接している、請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

さらに、前記金属配線と前記第３中継電極との間に位置する第２有機絶縁膜を備え、
前記第２有機絶縁膜は、前記第２中継電極を直接覆っている、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

走査線と、前記走査線と交差する方向に延在する信号線と、前記信号線の直上に位置する金属配線と、前記金属配線と電気的に接続された共通電極と、前記共通電極と重畳する画素電極と、を有する表示部と、
外部回路と接続する第１端子及び第２端子を有する実装部と、を備え、
前記第１端子及び前記第２端子の各々は、第１金属電極、前記第１金属電極を覆う第２金属電極、前記第２金属電極を覆う第３金属電極の積層体であり、
前記第１金属電極は、前記走査線と同一材料によって形成され、
前記第２金属電極は、前記信号線と同一材料によって形成され、
前記第３金属電極は、前記金属配線と同一材料によって形成され、
前記第１端子及び前記第２端子のいずれかにおいて、前記第３金属電極の端部は、前記信号線と前記共通電極との間に形成された絶縁膜によって覆われている、表示装置。

【請求項14】

前記第３金属電極は、第１層、前記第１層とは異なる材料によって形成された第２層、及び、前記第１層と同一材料によって形成された第３層の積層体であり、
前記絶縁膜は、前記第３金属電極の端部において、前記第１層、前記第２層、及び、前記第３層に接している、請求項１３に記載の表示装置。

【請求項15】

前記絶縁膜は、有機絶縁膜である、請求項１３に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの各種表示装置は、基板上の一端に、端子部を備えている。端子部は、画素を駆動するのに必要な信号を供給するための端子を含んでいる。また、近年、種々提案されているタッチ検出機能を備えた表示装置においては、端子部は、タッチ検出に必要な信号を送受信するための端子を含んでいる。

【0003】

一例では、ソース電極等と同一材料によって形成された端子電極を含み、ＩＣのバンプと端子電極とを電気的に接続した表示装置が開示されている。また、他の例では、複数の導電層を積層して構成された端子部を含み、フレキシブルプリント回路基板の端子と端子部とを電気的に接続した表示装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１８－２００３７７号公報

【特許文献2】特開２０１９－１９１４６０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制する表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本実施形態の表示装置は、
表示部と、第１端子と、前記表示部と前記第１端子との間に位置する第２端子と、絶縁膜と、を備え、前記第１端子及び前記第２端子の各々は、金属電極、及び、第１透明電極の積層体であり、前記第１端子において、前記第１透明電極は、前記金属電極の上面及び側面に接しており、前記第２端子において、前記絶縁膜は、前記金属電極の側面に接しており、前記絶縁膜で囲まれた内側において、前記第１透明電極は、前記金属電極の上面に接している。

【0007】

本実施形態の表示装置は、
表示部と、第１端子と、前記表示部と前記第１端子との間に位置する第２端子と、前記表示部と前記第２端子との間に位置する中継部と、を備え、前記表示部は、走査線と、信号線と、前記信号線の直上に位置する金属配線と、前記金属配線と電気的に接続された共通電極と、前記共通電極の直上に位置する画素電極と、を備え、前記中継部は、前記信号線と同一材料によって形成された第１中継電極と、前記第２端子と電気的に接続され、前記金属配線と同一材料によって形成され、前記金属配線から離間し、前記第１中継電極に接する第２中継電極と、前記共通電極と同一材料によって形成され、前記金属配線に接する第３中継電極と、前記画素電極と同一材料によって形成され、前記第１中継電極及び前記第３中継電極に接する第４中継電極と、を備えている。
また、本実施形態の表示装置は、
走査線と、前記走査線と交差する方向に延在する信号線と、前記信号線の直上に位置する金属配線と、前記金属配線と電気的に接続された共通電極と、前記共通電極と重畳する画素電極と、を有する表示部と、外部回路と接続する第１端子及び第２端子を有する実装部と、を備え、前記第１端子及び前記第２端子の各々は、第１金属電極、前記第１金属電極を覆う第２金属電極、前記第２金属電極を覆う第３金属電極の積層体であり、前記第１金属電極は、前記走査線と同一材料によって形成され、前記第２金属電極は、前記信号線と同一材料によって形成され、前記第３金属電極は、前記金属配線と同一材料によって形成され、前記第１端子及び前記第２端子のいずれかにおいて、前記第３金属電極の端部は、前記信号線と前記共通電極との間に形成された絶縁膜によって覆われている。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。

【図2】図２は、図１に示した表示部ＤＡの基本構成及び等価回路を示す図である。

【図3】図３は、第１基板ＳＵＢ１における画素レイアウトの一構成例を示す平面図である。

【図4】図４は、図３に示したＡ－Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの一構成例を示す断面図である。

【図5】図５は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴの一構成例を示す拡大平面図である。

【図6】図６は、図５に示したＣ－Ｄ線に沿った入力端子ＩＴ１の一構成例を示す断面図である。

【図7】図７は、図５に示したＥ－Ｆ線に沿った出力端子ＯＴ２の一構成例を示す断面図である。

【図8】図８は、図５に示した層変換部３０の一構成例を示す平面図である。

【図9】図９は、図８に示したＧ－Ｈ線に沿った層変換部３０の一構成例を示す断面図である。

【図10】図１０は、図５に示した中継部４０の一構成例を示す平面図である。

【図11】図１１は、図１０に示したＩ－Ｊ線に沿った中継部４０の一構成例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子やμＬＥＤ等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。また、本実施形態に開示する主要な構成は、表示装置に限らず、センサ装置などの電子機器にも適用可能である。

【0011】

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。

【0012】

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、ＩＣチップ１及び２と、一点鎖線で示すフレキシブルプリント回路基板３と、タッチセンサＴＳと、を備えている。ここでは便宜上、表示パネルＰＮＬの長辺ＬＳが延出する方向を第１方向Ｘとし、表示パネルＰＮＬの短辺ＳＳが延出する方向を第２方向Ｙとする。なお、長辺ＬＳが延出する方向を第２方向Ｙとし、短辺ＳＳが延出する方向を第１方向Ｘとしてもよい。

【0013】

表示パネルＰＮＬは、液晶パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、点線で示すように、画像を表示する表示部ＤＡを備えている。表示部ＤＡの詳細については、後述する。第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに延出する基板端部Ｅ１を有している。第２基板ＳＵＢ２は、表示部ＤＡと基板端部Ｅ１との間に位置する基板端部Ｅ２を有している。第１基板ＳＵＢ１は、平面視で、基板端部Ｅ１と基板端部Ｅ２との間に実装部ＭＴを有している。
ＩＣチップ１及び２、及び、フレキシブルプリント回路基板３は、実装部ＭＴに実装されている。

【0014】

タッチセンサＴＳは、例えば自己容量方式のセンサであるが、相互容量方式のセンサであってもよい。タッチセンサＴＳは、複数のセンサ電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３…）と、複数のセンサ配線Ｌ（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３…）と、を備えている。複数のセンサ電極Ｒｘは、表示部ＤＡに位置し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。複数のセンサ配線Ｌは、表示部ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。センサ配線Ｌの各々は、例えば後述する信号線Ｓと重畳する位置に配置されている。また、センサ配線Ｌの各々は、ＩＣチップ１及び２のいずれかに電気的に接続されている。

【0015】

図２は、図１に示した表示部ＤＡの基本構成及び等価回路を示す図である。表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。複数本の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数本の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。共通電極ＣＥは、図１に示したセンサ電極Ｒｘを構成している。１つの共通電極ＣＥあるいは１つのセンサ電極Ｒｘは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。共通電極ＣＥは、電圧供給部ＣＤに接続されている。

【0016】

画像を表示する画像表示モードにおいては、電圧供給部ＣＤは、共通電極ＣＥにコモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。表示部ＤＡへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードにおいては、電圧供給部ＣＤは、コモン電圧とは異なるタッチ駆動電圧を共通電極ＣＥに供給する。

【0017】

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。
画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。

【0018】

図３は、第１基板ＳＵＢ１における画素レイアウトの一構成例を示す平面図である。ここでは、説明に必要な構成のみを図示している。走査線Ｇ１乃至Ｇ３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って直線的に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ３は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。金属配線ＭＬ１乃至ＭＬ３は、平面視で、信号線Ｓ１乃至Ｓ３にそれぞれ重畳している。金属配線ＭＬ１乃至ＭＬ３の延出方向は、信号線Ｓ１乃至Ｓ３の延出方向とほぼ平行である。図２に示したスイッチング素子の半導体層ＳＣは、点線で示している。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。共通電極ＣＥは、例えば、コンタクトホールＣＨ１において金属配線ＭＬ３と電気的に接続されている。

【0019】

複数の画素電極ＰＥ１は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置し、第１方向Ｘに並んでいる。画素電極ＰＥ１は、基部ＢＳ１と、帯電極Ｐａ１と、を有している。基部ＢＳ１は、共通電極ＣＥの開口部ＯＰに位置している。帯電極Ｐａ１は、共通電極ＣＥに重畳している。帯電極Ｐａ１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる方向Ｄ１に延出している。このような画素電極ＰＥ１は、基部ＢＳ１において半導体層ＳＣと電気的に接続されている。

【0020】

詳述しないが、画素電極ＰＥ２は、走査線Ｇ２及びＧ３の間に位置している。画素電極ＰＥ２は、共通電極ＣＥに重畳する帯電極Ｐａ２を有している。帯電極Ｐａ２は、方向Ｄ１とは異なる方向Ｄ２に延出している。図３に示した例では、帯電極Ｐａ１及びＰａ２は、２本であるが、１本でもよいし、３本以上であってもよい。

【0021】

図４は、図３に示したＡ－Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの一構成例を示す断面図である。図４に示した表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ－Ｙ平面に沿った電界を利用する表示モードが適用された例に相当する。

【0022】

第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、信号線Ｓ２及びＳ３、金属配線ＭＬ２及びＭＬ３、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１、配向膜ＡＬ１などを備えている。図３に示した半導体層ＳＣは、絶縁膜１１と絶縁膜１２との間に配置されている。図２等に示した走査線Ｇは、絶縁膜１２及び１３の間に配置されている。

【0023】

信号線Ｓ２及びＳ３は、絶縁膜１３の上に配置され、絶縁膜１４によって覆われている。信号線Ｓ２及びＳ３は、例えば、複数の金属層を積層した積層体として構成されている。

【0024】

金属配線ＭＬ２及びＭＬ３は、絶縁膜１４の上に配置され、絶縁膜１５によって覆われている。金属配線ＭＬ２は信号線Ｓ２の直上に位置し、金属配線ＭＬ３は信号線Ｓ３の直上に位置している。金属配線ＭＬ２及びＭＬ３は、例えば、複数の金属層を積層した積層体として構成されている。これらの金属配線ＭＬ２及びＭＬ３は、図１を参照して説明したタッチセンサＴＳのセンサ配線Ｌを形成することができる。

【0025】

共通電極ＣＥは、絶縁膜１５の上に配置され、絶縁膜１６によって覆われている。また、共通電極ＣＥは、絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールＣＨ１において金属配線ＭＬ３に接している。画素電極ＰＥ１は、共通電極ＣＥの直上に位置し、絶縁膜１６の上に配置され、配向膜ＡＬ１によって覆われている。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥ１は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。

【0026】

絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの透明な無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４は、例えば、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁膜（第１有機絶縁膜）である。絶縁膜１５は、例えば、アクリル樹脂などの透明な有機絶縁膜（第２有機絶縁膜）であるが、透明な無機絶縁膜であってもよい。

【0027】

第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。カラーフィルタ層ＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、及び、青色のカラーフィルタＣＦＢを含んでいる。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。

【0028】

液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。

【0029】

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。照明装置ＩＬは、第３方向Ｚにおいて光学素子ＯＤ１を介して第１基板ＳＵＢ１に対向している。

【0030】

図５は、図１に示した第１基板ＳＵＢ１の実装部ＭＴの一構成例を示す拡大平面図である。なお、外部回路としてのＩＣチップ１は、一点鎖線で示している。ＩＣチップ１が重畳する重畳領域Ａ１において、第１基板ＳＵＢ１は、入力端子ＩＴと、出力端子ＯＴと、を備えている。入力端子ＩＴは、第２方向Ｙにおいて、出力端子ＯＴと基板端部Ｅ１との間に位置している。出力端子ＯＴは、第２方向Ｙにおいて、表示部ＤＡ（または第２基板ＳＵＢ２）と入力端子ＩＴとの間に位置している。入力端子ＩＴ及び出力端子ＯＴは、例えば、第２方向Ｙに延びた長方形状に形成されている。入力端子ＩＴは、ＩＣチップ１の入力側端子と接続される。出力端子ＯＴは、ＩＣチップ１の出力側端子と接続される。

【0031】

また、第１基板ＳＵＢ１は、層変換部３０と、中継部４０と、を備えている。層変換部３０及び中継部４０は、第２方向Ｙにおいて、表示部ＤＡ（または第２基板ＳＵＢ２）と出力端子ＯＴとの間に位置している。また、中継部４０は、第２方向Ｙにおいて、表示部ＤＡ（または第２基板ＳＵＢ２）と層変換部３０との間に位置している。層変換部３０及び中継部４０の詳細については後述する。なお、中継部４０は、省略される場合がある。

【0032】

出力端子ＯＴの各々と電気的に接続された出力配線ＯＬは、例えば、図３に示した走査線Ｇ１などと同一層の配線である。出力配線ＯＬの各々は、表示部ＤＡに向かって延び、中継部３０において、金属配線ＭＬと電気的に接続されている。なお、出力端子ＯＴの各々から入力端子ＩＴの側に向かって延びる配線は、図示しない回路や他の配線等に接続されている。入力端子ＩＴの各々は、金属配線ＭＬとは電気的に接続されていない。

【0033】

このような実装部ＭＴにおいて、出力端子ＯＴを含む領域Ａ２においては、図４に示した絶縁膜１４は配置されず、絶縁膜１５は各出力端子ＯＴの中央部を除いて配置されている。つまり、絶縁膜１５は、各出力端子ＯＴの周縁部、及び、隣接する出力端子ＯＴの間に配置され、出力端子ＯＴの間の出力配線ＯＬに重畳している。また、重畳領域Ａ１においては、領域Ａ２を除いて、図４に示した絶縁膜１４及び１５のいずれも配置されていない。

【0034】

複数の入力端子ＩＴを代表して、入力端子ＩＴ１の断面構造について図６を参照しながら説明する。また、複数の出力端子ＯＴを代表して、出力端子ＯＴ２の断面構造について図７を参照しながら説明する。

【0035】

図６は、図５に示したＣ－Ｄ線に沿った入力端子ＩＴ１の一構成例を示す断面図である。入力端子ＩＴ１は、複数の電極の積層体であり、例えば、第３方向Ｚにおいて、金属電極Ｔ１１、金属電極Ｔ１２、金属電極Ｔ１３、透明電極Ｔ１４、及び、透明電極Ｔ１５が順に積層された積層体として構成されている。

【0036】

金属電極Ｔ１１は、絶縁膜１２と絶縁膜１３との間に配置されている。金属電極Ｔ１１は、図３の走査線Ｇ１と同一層に位置し、走査線Ｇ１と同一材料によって形成されている。例えば、金属電極Ｔ１１は、モリブデン－タングステン合金によって形成されている。絶縁膜１３は、金属電極Ｔ１１まで貫通したコンタクトホールＣＨ１１を有している。

【0037】

金属電極Ｔ１２は、絶縁膜１３の上に配置され、コンタクトホールＣＨ１１において、露出した金属電極Ｔ１１の上面Ｔ１１Ａに接している。金属電極Ｔ１２は、図３の信号線Ｓ１と同一層に位置し、信号線Ｓ１と同一材料によって形成されている。金属電極Ｔ１２は、例えば、金属層Ｌ１２１乃至Ｌ１２３の積層体として構成されている。

【0038】

金属層Ｌ１２１及びＬ１２３は、同一材料によって形成され、金属層Ｌ１２２は、金属層Ｌ１２１とは異なる材料によって形成されている。一例では、金属層Ｌ１２１及びＬ１２３はチタン系材料によって形成されたチタン層であり、金属層Ｌ１２２はアルミニウム系材料によって形成されたアルミニウム層である。

【0039】

金属電極Ｔ１３は、金属電極Ｔ１２を覆っている。つまり、金属電極Ｔ１３は、金属電極Ｔ１２の上面Ｔ１２Ａ及び側面Ｔ１２Ｓに接している。金属電極Ｔ１３は、図３の金属配線ＭＬ１と同一層に位置し、金属配線ＭＬ１と同一材料によって形成されている。金属電極Ｔ１３は、例えば、金属層Ｌ１３１乃至Ｌ１３３の積層体として構成されている。金属層Ｌ１３１は、側面Ｔ１２Ｓにおいて金属層Ｌ１２１乃至Ｌ１２３に接している。

【0040】

金属層Ｌ１３１及びＬ１３３は、同一材料によって形成され、金属層Ｌ１３２は、金属層Ｌ１３１とは異なる材料によって形成されている。一例では、金属層Ｌ１３１及びＬ１３３はモリブデン系材料によって形成されたモリブデン層であり、金属層Ｌ１３２はアルミニウム系材料によって形成されたアルミニウム層である。なお、金属層Ｌ１３１及びＬ１３３はチタン層であってもよいし、金属層Ｌ１２１及びＬ１２３はモリブデン層であってもよい。

【0041】

透明電極Ｔ１４は、金属電極Ｔ１３を覆っている。つまり、透明電極Ｔ１４は、金属電極Ｔ１３の上面Ｔ１３Ａ及び側面Ｔ１３Ｓに接している。透明電極Ｔ１４は、図３の共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料によって形成されている。透明電極Ｔ１４は、側面Ｔ１３Ｓにおいて金属層Ｌ１３１乃至Ｌ１３３に接している。

【0042】

絶縁膜１６は、絶縁膜１３を直接覆っている。つまり、絶縁膜１６は、絶縁膜１３の上面１３Ａに接している。図４の絶縁膜１４及び１５は、絶縁膜１３と絶縁膜１６との間に配置されていない。絶縁膜１６は、透明電極Ｔ１４まで貫通したコンタクトホールＣＨ１２を有している。

【0043】

透明電極Ｔ１５は、絶縁膜１６の上に配置され、コンタクトホールＣＨ１２において、露出した透明電極Ｔ１４の上面Ｔ１４Ａに接している。透明電極Ｔ１５は、図３の画素電極ＰＥ１と同一層に位置し、画素電極ＰＥ１と同一材料によって形成されている。このような透明電極Ｔ１５は、導電材料を介して、図１に示したＩＣチップ１の入力側端子と電気的に接続される。

【0044】

図７は、図５に示したＥ－Ｆ線に沿った出力端子ＯＴ２の一構成例を示す断面図である。出力端子ＯＴ２は、複数の電極の積層体であり、例えば、第３方向Ｚにおいて、金属電極Ｔ２１、金属電極Ｔ２２、金属電極Ｔ２３、透明電極Ｔ２４、及び、透明電極Ｔ２５が順に積層された積層体として構成されている。

【0045】

金属電極Ｔ２１は、絶縁膜１２と絶縁膜１３との間に配置されている。金属電極Ｔ２１は、図３の走査線Ｇ１及び図６の金属電極Ｔ１１と同一材料によって形成されている。絶縁膜１３は、金属電極Ｔ２１まで貫通したコンタクトホールＣＨ２１を有している。

【0046】

金属電極Ｔ２２は、絶縁膜１３の上に配置され、コンタクトホールＣＨ２１において、露出した金属電極Ｔ２１の上面Ｔ２１Ａに接している。金属電極Ｔ２２は、図３の信号線Ｓ１及び図６の金属電極Ｔ１２と同一材料によって形成されている。金属電極Ｔ２２は、例えば、金属層Ｌ２２１乃至Ｌ２２３の積層体として構成されている。
金属層Ｌ２２１及びＬ２２３は、同一材料によって形成され、例えばチタン層である。金属層Ｌ２２２は、金属層Ｌ２２１とは異なる材料によって形成され、例えばアルミニウム層である。

【0047】

金属電極Ｔ２３は、金属電極Ｔ２２を覆っている。つまり、金属電極Ｔ２３は、金属電極Ｔ２２の上面Ｔ２２Ａ及び側面Ｔ２２Ｓに接している。金属電極Ｔ２３は、図３の金属配線ＭＬ１及び図６の金属電極Ｔ１３と同一材料によって形成されている。金属電極Ｔ２３は、例えば、金属層Ｌ２３１乃至Ｌ２３３の積層体として構成されている。金属層Ｌ２３１は、側面Ｔ２２Ｓにおいて金属層Ｌ２２１乃至Ｌ２２３に接している。
金属層Ｌ２３１及びＬ２３３は、同一材料によって形成され、例えばモリブデン層である。金属層Ｌ２３２は、金属層Ｌ２３１とは異なる材料によって形成され、例えばアルミニウム層である。なお、金属層Ｌ２３１及びＬ２３３はチタン層であってもよいし、金属層Ｌ２２１及びＬ２２３はモリブデン層であってもよい。

【0048】

絶縁膜１５は、絶縁膜１３を直接覆っている。つまり、絶縁膜１５は、絶縁膜１３の上面１３Ａに接している。図４の絶縁膜１４は、出力端子ＯＴ２の周囲に配置されていない。また、絶縁膜１５は、金属電極Ｔ２３の上面Ｔ２３Ａのうちの周縁部Ｔ２３Ｂ、及び、側面Ｔ２３Ｓに接している。換言すると、絶縁膜１５は、金属電極Ｔ２３の上面Ｔ２３Ａまで貫通した開口ＡＰ１を有している。つまり、絶縁膜１５は、金属電極Ｔ２３の中央部を除いて配置されている。絶縁膜１５は、側面Ｔ２３Ｓにおいて金属層Ｌ２３１乃至Ｌ２３３に接している。また、絶縁膜１５は、出力端子ＯＴ２とは異なる出力端子に接続された出力配線ＯＬに重畳している。

【0049】

透明電極Ｔ２４は、絶縁膜１５の上に配置され、絶縁膜１５で囲まれた内側（つまり開口ＡＰ１）において、露出した金属電極Ｔ２３の上面Ｔ２３Ａに接している。透明電極Ｔ２４は、図３の共通電極ＣＥ及び図６の透明電極Ｔ１４と同一材料によって形成されている。絶縁膜１６は、絶縁膜１５を直接覆っている。絶縁膜１６は、透明電極Ｔ２４まで貫通したコンタクトホールＣＨ２２を有している。

【0050】

透明電極Ｔ２５は、絶縁膜１６の上に配置され、コンタクトホールＣＨ２２において、露出した透明電極Ｔ２４の上面Ｔ２４Ａに接している。透明電極Ｔ２５は、図３の画素電極ＰＥ１及び図６の透明電極Ｔ１５と同一材料によって形成されている。このような透明電極Ｔ１５は、導電材料を介して、図１に示したＩＣチップ１の出力側端子と電気的に接続される。

【0051】

本明細書において、例えば、入力端子ＩＴは第１端子に相当し、出力端子ＯＴは第２端子に相当し、金属電極Ｔ１１及びＴ２１は第１金属電極に相当し、金属電極Ｔ１２及びＴ２２は第２金属電極に相当し、金属電極Ｔ１３及びＴ２３は第３金属電極に相当し、透明電極Ｔ１４及びＴ２４は第１透明電極に相当し、透明電極Ｔ１５及びＴ２５は第２透明電極に相当する。また、金属層Ｌ２３１は第１層に相当し、金属層Ｌ２３２は第２層に相当し、金属層Ｌ２３３は第３層に相当する。

【0052】

次に、層変換部３０について説明する。

【0053】

図８は、図５に示した層変換部３０の一構成例を示す平面図である。層変換部３０は、走査線と同一層に位置する出力配線ＯＬと、走査線とは異なる層に位置する金属配線ＭＬとを電気的に接続する部分に相当する。出力配線ＯＬは、図７に示した出力端子ＯＴ２の金属電極Ｔ２１と一体的に形成されている。

【0054】

層変換部３０は、出力配線ＯＬと金属配線ＭＬとの間に介在する接続電極ＣＮを備えている。一点鎖線で示す接続電極ＣＮは、後述するが、信号線と同一層に位置している。接続電極ＣＮは、出力配線ＯＬのうち、点線で示す端部ＯＬＥに重畳している。端部ＯＬＥは、出力配線ＯＬのうち、平面視において、金属配線ＭＬに重畳する部分に相当する。接続電極ＣＮは、絶縁膜１３のコンタクトホールＣＨ１３において、出力配線ＯＬと電気的に接続されている。絶縁膜１４は、接続電極ＣＮを囲むように形成され、接続電極ＣＮに重畳していない。絶縁膜１４の開口ＡＰ２は、接続電極ＣＮに重畳する領域に形成されている。

【0055】

金属配線ＭＬの端部ＭＬＥは、開口ＡＰ２に位置し、接続電極ＣＮに重畳している。開口ＡＰ２においては、接続電極ＣＮと端部ＭＬＥとの間に介在する絶縁膜が存在しないため、端部ＭＬＥが接続電極ＣＮに接し、金属配線ＭＬと接続電極ＣＮとが互いに電気的に接続される。つまり、接続電極ＣＮを介して、金属配線ＭＬと出力配線ＯＬとが互いに電気的に接続される。

【0056】

図９は、図８に示したＧ－Ｈ線に沿った層変換部３０の一構成例を示す断面図である。層変換部３０は、第３方向Ｚにおいて、出力配線ＯＬの端部ＯＬＥ、接続電極ＣＮ、及び、金属配線ＭＬの端部ＭＬＥが順に積層された積層体を有している。

【0057】

すなわち、端部ＯＬＥを含む出力配線ＯＬは、絶縁膜１２と絶縁膜１３との間に配置されている。出力配線ＯＬは、金属電極Ｔ１１及びＴ２１と同一材料によって形成されている。絶縁膜１３は、端部ＯＬＥまで貫通したコンタクトホールＣＨ１３を有している。

【0058】

接続電極ＣＮは、絶縁膜１３の上に配置され、コンタクトホールＣＨ１３において、露出した端部ＯＬＥの上面ＯＬＡに接している。接続電極ＣＮは、金属電極Ｔ１２及びＴ２２と同一材料によって形成されている。接続電極ＣＮは、図７に示した金属電極Ｔ２２と同様に、チタン層の間にアルミニウム層を備えた積層体として構成されているが、ここでは詳細な説明を省略する。

【0059】

絶縁膜１４は、接続電極ＣＮ及び絶縁膜１３まで貫通した開口ＡＰ２を有している。金属配線ＭＬは、接続電極ＣＮを囲む絶縁膜１４の上に配置され、開口ＡＰ２に延出している。金属配線ＭＬの端部ＭＬＥは、開口ＡＰ２において接続電極ＣＮを覆っている。つまり、端部ＭＬＥは、接続電極ＣＮの上面ＣＮＡ及び側面ＣＮＳに接している。また、金属配線ＭＬは、絶縁膜１４と接続電極ＣＮとの間において、絶縁膜１３に接している。金属配線ＭＬは、金属電極Ｔ１３及びＴ２３と同一材料によって形成されている。金属配線ＭＬは、図７に示した金属電極Ｔ２３と同様に、モリブデン層の間にアルミニウム層を備えた積層体として構成されているが、ここでは詳細な説明を省略する。

【0060】

絶縁膜１５は、端部ＭＬＥを含む金属配線ＭＬ、及び、絶縁膜１４を直接覆っている。また、絶縁膜１５は、端部ＭＬＥと絶縁膜１４との間において、絶縁膜１３に接している。絶縁膜１６は、絶縁膜１５を直接覆っている。

【0061】

ところで、表示装置ＤＳＰの製造過程で発生した電子の移動に伴い、表示部ＤＡの絶縁膜に形成されたコンタクトホールにおいて、絶縁膜の過剰現像、あるいは、コンタクトホールから露出した金属電極の過剰溶解が生じる場合がある。このような現象は、絶縁膜の縁部が金属電極から浮き上がる不具合の原因となる。

【0062】

上記の本実施形態によれば、表示部ＤＡの配線（例えば金属配線ＭＬ）と電気的に接続された出力端子ＯＴは、金属電極Ｔ２２の側面Ｔ２２Ｓが金属電極Ｔ２３によって覆われ、しかも、金属電極Ｔ２３の側面Ｔ２３Ｓが絶縁膜１５によって覆われている。このため、金属電極Ｔ２２及びＴ２３の各々が異種金属の積層体として構成されている場合に、側面Ｔ２２Ｓ及びＴ２３Ｓにおいて、絶縁膜１５を形成する際に適用されるアルカリ性水溶液が異種金属に接することがなく、電子の発生が抑制される。これにより、表示部ＤＡのコンタクトホールにおいては、電子の発生に伴う絶縁膜の過剰現像や金属電極の過剰溶解が抑制される。

【0063】

例えば、図４に示した絶縁膜１５にコンタクトホールＣＨ１が形成される際、金属配線ＭＬ３と電気的に接続された出力端子での電子の発生が抑制され、また、金属配線ＭＬ３への電子の移動も抑制される。このため、コンタクトホールＣＨ１での絶縁膜１５の過剰現像や金属配線ＭＬ３の過剰溶解が抑制され、コンタクトホールＣＨ１に沿った絶縁膜１５の縁部の浮き上がりが抑制される。これにより、コンタクトホールＣＨ１における共通電極ＣＥと金属配線ＭＬとの接続不良が抑制される。

【0064】

また、出力端子ＯＴと金属配線ＭＬとの間の層変換部３０では、絶縁膜１４は、接続電極ＣＮから離間している。このため、たとえ接続電極ＣＮに電子が発生したとしても、接続電極ＣＮと絶縁膜１４との接触面が存在せず、絶縁膜１４の過剰現像が抑制される。また、開口ＡＰ２に沿った絶縁膜１４の縁部の浮き上がりが抑制される。これにより、層変換部３０における金属配線ＭＬと接続電極ＣＮとの接続不良が抑制される。

【0065】

したがって、信頼性の低下が抑制される。

【0066】

次に、中継部４０について説明する。

【0067】

図１０は、図５に示した中継部４０の一構成例を示す平面図である。中継部４０は、信号線と同一層に位置する第１中継電極４１と、金属配線ＭＬと同一層に位置する第２中継電極４２と、共通電極ＣＥと同一層に位置する第３中継電極４３と、画素電極ＰＥ１と同一層に位置する第４中継電極４４と、を備えている。

【0068】

第２中継電極４２は、金属配線ＭＬから離間している。第２中継電極４２の端部４２Ｅは、第１中継電極４１に重畳している。第２中継電極４２は、絶縁膜１４のコンタクトホールＣＨ４１において、第１中継電極４１と電気的に接続されている。ここに示す第２中継電極４２は、図９に示した金属配線ＭＬと置換され、接続電極ＣＮに接し、出力配線ＯＬと電気的に接続されている。

【0069】

一点鎖線で示す第３中継電極４３は、金属配線ＭＬの端部ＭＬＥに重畳している。第３中継電極４３は、絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールＣＨ４２において、金属配線ＭＬと電気的に接続されている。

【0070】

第４中継電極４４は、第１中継電極４１及び第３中継電極４３に重畳している。第４中継電極４４は、絶縁膜１４乃至１６を貫通するコンタクトホールＣＨ４３において、第１中継電極４１と電気的に接続されている。また、第４中継電極４４は、絶縁膜１６を貫通するコンタクトホールＣＨ４４において、第３中継電極４３と電気的に接続されている。つまり、図９に示した出力配線ＯＬと電気的に接続された第２中継電極４２は、第１中継電極４１、第４中継電極４４、及び、第３中継電極４３を介して、金属配線ＭＬと電気的に接続される。

【0071】

図１１は、図１０に示したＩ－Ｊ線に沿った中継部４０の一構成例を示す断面図である。
第１中継電極４１は、絶縁膜１３と絶縁膜１４との間に配置されている。第１中継電極４１は、信号線Ｓや、金属電極Ｔ１２及びＴ２２と同一材料によって形成されている。絶縁膜１４は、第１中継電極４１まで貫通したコンタクトホールＣＨ４１を有している。

【0072】

端部４２Ｅを含む第２中継電極４２は、金属配線ＭＬと同様に、絶縁膜１４と絶縁膜１５との間に配置されている。端部４２Ｅは、コンタクトホールＣＨ４１において、露出した第１中継電極４１の上面４１Ａに接している。第２中継電極４２は、金属配線ＭＬや、金属電極Ｔ１３及びＴ２３と同一材料によって形成されている。絶縁膜１５は、第２中継電極４２を直接覆っている。また、絶縁膜１５は、金属配線ＭＬの端部ＭＬＥまで貫通したコンタクトホールＣＨ４２を有している。

【0073】

第３中継電極４３は、絶縁膜１５と絶縁膜１６との間に配置されている。第３中継電極４３は、コンタクトホールＣＨ４２において、露出した端部ＭＬＥの上面ＭＬＡに接している。第３中継電極４３は、共通電極ＣＥや、透明電極Ｔ１４及びＴ２４と同一材料によって形成されている。

【0074】

絶縁膜１４乃至１６は、第１中継電極４１まで貫通したコンタクトホールＣＨ４３を有している。また、絶縁膜１６は、第３中継電極４３まで貫通したコンタクトホールＣＨ４４を有している。

【0075】

第４中継電極４４は、絶縁膜１６の上に配置されている。第４中継電極４４は、コンタクトホールＣＨ４３において、露出した第１中継電極４１の上面４１Ａに接している。また、第４中継電極４４は、コンタクトホールＣＨ４４において、露出した第３中継電極４３の上面４３Ａに接している。第４中継電極４４は、画素電極ＰＥ１や、透明電極Ｔ１５及びＴ２５と同一材料によって形成されている。

【0076】

このような本実施形態によれば、絶縁膜１４及び１５が形成される製造段階では、中継部４０の第４中継電極４４が存在せず、出力端子ＯＴと金属配線ＭＬとが電気的に接続されていない。このため、絶縁膜１４及び１５が形成される製造段階で、たとえ出力端子ＯＴで電子が発生したとしても、中継部４０において、金属配線ＭＬへの電子の移動が抑制される。表示部ＤＡのコンタクトホールにおいては、電子の発生に伴う絶縁膜の過剰現像や金属電極の過剰溶解が抑制される。したがって、上記したのと同様に、信頼性の低下が抑制される。

【0077】

ここで説明した中継部４０は、図８及び図９を参照して説明した層変換部３０と組み合わせることができる。

【0078】

なお、中継部４０が適用される場合、出力端子ＯＴは、図６を参照して説明した入力端子ＩＴ１と同様の構造を適用することができる。つまり、出力端子ＯＴを構成する金属電極Ｔ２３の側面Ｔ２３Ｓは、絶縁膜１５によって覆われていなくてもよい。

【0079】

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制する表示装置を提供することができる。

【0080】

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0081】

本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型に限らず、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。

【0082】

また、本実施形態では、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードに対応した表示パネルＰＮＬについて説明したが、これに限らず、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの表示パネルであってもよい。ここでの基板主面とは、Ｘ－Ｙ平面と平行な面である。

【符号の説明】

【0083】

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＤＡ…表示部 ＭＴ…実装部
Ｇ…走査線 Ｓ…信号線 ＰＥ…画素電極 ＣＥ…共通電極 ＭＬ…金属配線
ＩＴ…入力端子 ＯＴ…出力端子
Ｔ１１、Ｔ２２…第１金属電極 Ｔ１２、Ｔ２２…第２金属電極 Ｔ１３、Ｔ２３…第３金属電極 Ｔ１４、Ｔ２４…第１透明電極 Ｔ１５、Ｔ２５…第２透明電極
３０…層変換部 ＣＮ…接続電極
４０…中継部 ４１…第１中継電極 ４２…第２中継電極 ４３…第３中継電極 ４４…第４中継電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】