特開 2022-185819 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022185819

(43)【公開日】2022-12-15

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/04 20060101AFI20221208BHJP

   G09G 3/3208 20160101ALI20221208BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20221208BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20221208BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20221208BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20221208BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20221208BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20221208BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20221208BHJP

【ＦＩ】

H05B33/04

G09G3/3208

G09G3/20 680H

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

G09F9/30 338

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

H05B33/22 Z

H05B33/26 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021093677

(22)【出願日】2021-06-03

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西村 眞澄

(72)【発明者】

【氏名】青木 逸

(72)【発明者】

【氏名】金城 拓海

【テーマコード（参考）】

3K107

5C080

5C094

5C380

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107CC27

3K107CC33

3K107DD37

3K107DD89

3K107DD94

3K107DD95

3K107EE48

3K107FF15

5C080AA06

5C080BB05

5C080CC03

5C080FF11

5C080JJ03

5C080JJ06

5C080KK02

5C080KK07

5C080KK20

5C080KK43

5C094AA38

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA14

5C094EA04

5C094FA01

5C094FA02

5C380AA01

5C380AB06

5C380AB21

5C380AB34

5C380AB36

5C380AC07

5C380AC08

5C380AC12

5C380AC13

5C380CC26

5C380CC33

5C380CC62

5C380CD012

(57)【要約】

【課題】 表示品位の向上が可能な表示装置を提供すること。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、基材と、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間の電圧に応じて発光する有機層を備え、前記基材の上方に配置された複数の表示素子と、隣り合う前記表示素子の間に位置する隔壁と、
前記隔壁に沿う金属層と、無機材料により形成され、前記表示素子、前記隔壁および前記金属層を覆う無機層と、を備えている。前記隔壁は、第１部分と、前記第１部分の下方に位置し、前記第１部分よりも幅が小さい第２部分と、を有している。前記金属層は、前記第２部分の側面の第１領域を覆い、前記無機層は、前記側面の第２領域を覆い、前記第２領域は、前記第１領域と前記第１部分の間に位置している。
【選択図】 図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間の電圧に応じて発光する有機層を備え、前記基材の上方に配置された複数の表示素子と、
隣り合う前記表示素子の間に位置する隔壁と、
前記隔壁に沿う金属層と、
無機材料により形成され、前記表示素子、前記隔壁および前記金属層を覆う無機層と、
を備え、
前記隔壁は、
第１部分と、
前記第１部分の下方に位置し、前記第１部分よりも幅が小さい第２部分と、
を有し、
前記金属層は、前記第２部分の側面の第１領域を覆い、
前記無機層は、前記側面の第２領域を覆い、
前記第２領域は、前記第１領域と前記第１部分の間に位置している、
表示装置。

【請求項2】

前記隔壁は、無機材料により形成されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２電極は、前記金属層と接触している、
請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

隣り合う前記表示素子の間に位置するリブをさらに備え、
前記隔壁および前記金属層は、前記リブの上に配置されている、
請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項5】

前記隔壁は、格子状に配置され、
前記隔壁の交点において、前記金属層の一部が前記第２部分と前記リブの間に位置している、
請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記金属層は、前記表示素子を囲っている、
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、第１電極と、第２電極と、これら電極の間に配置された有機層とを備えている。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧に応じて発光する発光層を含む。

【0003】

一般に、有機層は水分への耐性が低い。何らかの原因で有機層に水分が到達すると、発光時における表示素子の輝度低下など、表示品位の低下を招く一因となり得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献2】特開２０００－１９５６７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、基材と、第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、および、前記第１電極と前記第２電極の間の電圧に応じて発光する有機層を備え、前記基材の上方に配置された複数の表示素子と、隣り合う前記表示素子の間に位置する隔壁と、
前記隔壁に沿う金属層と、無機材料により形成され、前記表示素子、前記隔壁および前記金属層を覆う無機層と、を備えている。前記隔壁は、第１部分と、前記第１部分の下方に位置し、前記第１部分よりも幅が小さい第２部分と、を有している。前記金属層は、前記第２部分の側面の第１領域を覆い、前記無機層は、前記側面の第２領域を覆い、前記第２領域は、前記第１領域と前記第１部分の間に位置している。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、一実施形態に係る副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、一実施形態に係る有機層に適用し得る層構成の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、図３における隔壁の近傍を拡大した概略的な断面図である。

【図6】図６は、一実施形態に係る金属層の形状の一例を示す概略的な平面図である。

【図7】図７は、図６におけるVII－VII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図8】図８は、一実施形態に係る隔壁および金属層を得るための製造工程を示す図である。

【図9】図９は、図８に続く製造工程を示す図である。

【図10】図１０は、図９に続く製造工程を示す図である。

【図11】図１１は、一実施形態に係る接続部を得るための製造工程を示す図である。

【図12】図１２は、図１１に続く製造工程を示す図である。

【図13】図１３は、一実施形態の効果を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

【0010】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0011】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの一構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えてもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２において、ゲート電極は走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。表示素子２０のカソードは、共通電圧が印加された給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。

【0016】

図２は、副画素ＳＰ（ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３）のレイアウトの一例を示す図である。ここでは、４個の画素ＰＸに着目する。それぞれの画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３はこの順で第１方向Ｘに並んでいる。すなわち、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ１により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ２により構成される列と、第２方向Ｙに並ぶ複数の副画素ＳＰ３により構成される列とが、第１方向Ｘにおいて交互に配置されている。

【0017】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界には、リブ１４が配置されている。図２の例において、リブ１４は、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰの間に位置する部分と、第２方向Ｙに隣り合う副画素ＳＰの間に位置する部分とを有した格子状である。リブ１４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれにおいて開口ＯＰを形成する。

【0018】

リブ１４の上には、複数の隔壁ＰＴが配置されている。図２の例において、複数の隔壁ＰＴは、第２方向Ｙと平行な複数の隔壁ＰＴ１と、第１方向Ｘと平行な複数の隔壁ＰＴ２とを含む。すなわち、複数の隔壁ＰＴは、格子状に配置されている。

【0019】

隔壁ＰＴ１は、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間にそれぞれ位置している。すなわち、隔壁ＰＴ１は、異なる色の副画素ＳＰの境界に位置している。

【0020】

隔壁ＰＴ２は、第２方向Ｙに隣り合う２つの副画素ＳＰ１の間、第２方向Ｙに隣り合う２つの副画素ＳＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの副画素ＳＰ３の間にそれぞれ位置している。すなわち、隔壁ＰＴ２は、同じ色の副画素ＳＰの境界に位置している。なお、同じ色の副画素ＳＰにおいては混色が生じないため、隔壁ＰＴ２が省略されてもよい。

【0021】

図３は、図２のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図３においては、主に副画素ＳＰ２の断面構造を示すが、副画素ＳＰ１，ＳＰ３も同様の断面構造を有している。なお、副画素ＳＰ２に配置される素子として駆動トランジスタ３および表示素子２０を示し、その他の素子の図示を省略している。

【0022】

表示装置ＤＳＰは、上述の基材１０、リブ１４、隔壁ＰＴ１に加え、絶縁層１１，１２，１３と、第１無機層ＩＬ１と、第２無機層ＩＬ２と、樹脂層ＲＬと、金属層ＭＬとを備えている。

【0023】

絶縁層１１，１２，１３は、基材１０の上において第３方向Ｚに積層されている。絶縁層１１，１２は、例えば無機材料で形成されている。絶縁層１３は、例えば有機材料で形成されている。

【0024】

駆動トランジスタ３は、半導体層３０と、電極３１，３２，３３とを備えている。電極３１は、ゲート電極に相当する。電極３２，３３の一方はソース電極に相当し、他方はドレイン電極に相当する。半導体層３０は、基材１０と絶縁層１１の間に配置されている。電極３１は、絶縁層１１，１２の間に配置されている。電極３２，３３は、絶縁層１２，１３の間に配置され、絶縁層１１，１２を貫通するコンタクトホールを通じて半導体層３０に接触している。

【0025】

表示素子２０は、第１電極Ｅ１と、第２電極Ｅ２と、第１電極Ｅ１および第２電極Ｅ２の間に配置された有機層ＯＲとを備えている。第１電極Ｅ１は、副画素ＳＰ毎に配置された電極であり、画素電極、下部電極またはアノードと称される場合がある。第２電極Ｅ２は、共通電極、上部電極またはカソードと称される場合がある。

【0026】

リブ１４は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ１４は、有機材料で形成することができる。第１電極Ｅ１は、絶縁層１３の上に配置され、開口ＯＰと重なっている。第１電極Ｅ１の周縁部は、リブ１４により覆われている。第１電極Ｅ１は、絶縁層１３を貫通するコンタクトホールを通じて電極３３と電気的に接続されている。第１電極Ｅ１は、金属材料で形成されている。ただし、第１電極Ｅ１は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料で形成されてもよいし、透明導電材料と金属材料の積層体であってもよい。

【0027】

有機層ＯＲは、開口ＯＰを通じて第１電極Ｅ１に接触している。有機層ＯＲの一部は、リブ１４の上に位置している。第２電極Ｅ２は、有機層ＯＲを覆っている。第２電極Ｅ２は、例えば金属材料で形成されている。ただし、第２電極Ｅ２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。

【0028】

隔壁ＰＴ１は、リブ１４の上に配置されている。図２に示した隔壁ＰＴ２もリブ１４の上に配置されている。隔壁ＰＴ１，ＰＴ２は、本実施形態においては無機材料で形成されている。

【0029】

金属層ＭＬは、隔壁ＰＴ１の根本付近に配置されている。図３の例においては、リブ１４の上に２つの金属層ＭＬが配置され、これら金属層ＭＬの間に隔壁ＰＴ１が位置している。隔壁ＰＴ２の根本付近にも同様に金属層ＭＬが配置されている。金属層ＭＬは、例えばアルミニウムで形成されている。

【0030】

第１無機層ＩＬ１は、第２電極Ｅ２、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および金属層ＭＬを覆っている。樹脂層ＲＬは、第１無機層ＩＬ１を覆っている。樹脂層ＲＬは、例えば有機材料（樹脂）によって形成されている。樹脂層ＲＬは、絶縁層１１，１２，１３、リブ１４、第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２、金属層ＭＬおよび隔壁ＰＴ１，ＰＴ２よりも厚く、リブ１４や隔壁ＰＴ１，ＰＴ２により生じる凹凸を平坦化している。第２無機層ＩＬ２は、樹脂層ＲＬを覆っている。第１無機層ＩＬ１、第２無機層ＩＬ２および樹脂層ＲＬは、有機層ＯＲを水分などから保護する封止層として機能する。

【0031】

隔壁ＰＴ１，ＰＴ２、第１無機層ＩＬ１および第２無機層ＩＬ２は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮｘ）などの無機材料で形成されている。隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１は、両者の密着性の観点からは、同じ無機材料で形成されることが好ましい。また、例えば隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１の一方がシリコン酸化物であり、他方がシリコン窒化物である場合のように、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１の双方がシリコン系の無機材料で形成されてもよい。さらに、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１は、シリコン系以外の同系統の無機材料で形成されてもよい。これらの場合であっても、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１の密着性を向上させることができる。第２無機層ＩＬ２に関しても、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１と同じ無機材料で形成されてもよいし、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２および第１無機層ＩＬ１と同系統の無機材料で形成されてもよい。

【0032】

図４は、有機層ＯＲに適用し得る層構成の一例を示す断面図である。例えば、有機層ＯＲは、第１電極Ｅ１から第２電極Ｅ２に向けて順に積層された第１機能層Ｆ１、発光層ＥＬおよび第２機能層Ｆ２を含んでいる。

【0033】

第１電極Ｅ１の電位が第２電極Ｅ２の電位よりも相対的に高い場合、第１電極Ｅ１がアノードに相当し、第２電極Ｅ２がカソードに相当する。また、第２電極Ｅ２の電位が第１電極Ｅ１の電位よりも相対的に高い場合、第２電極Ｅ２がアノードに相当し、第１電極Ｅ１がカソードに相当する。

【0034】

一例として、第１電極Ｅ１がアノードに相当する場合、第１機能層Ｆ１は正孔注入層、正孔輸送層および電子ブロッキング層の少なくとも１つを含み、第２機能層Ｆ２は電子輸送層、電子注入層および正孔ブロッキング層の少なくとも１つを含む。

【0035】

第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２の間に電位差が形成されると、発光層ＥＬが発光する。本実施形態においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の有機層ＯＲに含まれる発光層ＥＬがいずれも同一色（例えば白色）の光を放つ場合を想定する。この場合において、例えば樹脂層ＲＬの上方に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の色に応じたカラーフィルタが配置されてもよい。また、発光層ＥＬが放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層が副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に配置されてもよい。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の発光層ＥＬは、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色を放つものであってもよい。

【0036】

図５は、図３において副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間に位置する隔壁ＰＴ１の近傍を拡大した概略的な断面図である。隔壁ＰＴ１は、第１部分Ｐ１と、第１部分Ｐ１よりも幅が小さい第２部分Ｐ２とを有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１の下方に位置している。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２は、一体的に形成されている。図５の例においては、第２部分Ｐ２がリブ１４の上面１４ａに接触している。

【0037】

図５の例において、第１部分Ｐ１の一対の側面ＳＦ１は、これら側面ＳＦ１の間の距離が第１部分Ｐ１の上端から下端に向けて大きくなるように傾斜している。すなわち、第１部分Ｐ１の幅は、第３方向Ｚにおいて一定ではない。他の例として、一対の側面ＳＦ１は、第３方向Ｚと平行であってもよい。また、一対の側面ＳＦ１は、これら側面ＳＦ１の間の距離が第１部分Ｐ１の上端から下端に向けて小さくなるように傾斜していてもよい。

【0038】

図５の例において、第２部分Ｐ２の一対の側面ＳＦ２は、これら側面ＳＦ２の間の距離が第２部分Ｐ２の上端から下端に向けて小さくなるように傾斜している。すなわち、第２部分Ｐ２の幅は、第３方向Ｚにおいて一定ではない。他の例として、一対の側面ＳＦ２は、第３方向Ｚと平行であってもよい。また、一対の側面ＳＦ２は、これら側面ＳＦ２の間の距離が第２部分Ｐ２の上端から下端に向けて大きくなるように傾斜していてもよい。

【0039】

第１部分Ｐ１は、側面ＳＦ１と側面ＳＦ２を繋ぐ一対の下面ＢＦを有している。これら下面ＢＦは、リブ１４の上面１４ａと対向している。このような形状の第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２を有する隔壁ＰＴ１の形状は、例えばオーバーハング形状と呼ぶことができる。

【0040】

金属層ＭＬは、側面ＳＦ２の一部を覆っている。換言すると、側面ＳＦ２は、金属層ＭＬにより覆われた第１領域Ａ１と、金属層ＭＬにより覆われていない第２領域Ａ２とを有している。第２領域Ａ２は、第１領域Ａ１と第１部分Ｐ１の間に位置している。

【0041】

図５の例においては、金属層ＭＬの第１方向Ｘにおける幅が、金属層ＭＬの第３方向Ｚにおける幅よりも小さい。金属層ＭＬは、全体的に第１部分Ｐ１の下方に位置している。金属層ＭＬの下端は、上面１４ａに接触している。金属層ＭＬの上端は、リブ１４上の第２電極Ｅ２よりも上方に位置している。なお、金属層ＭＬの形状はここで例示したものに限られない。

【0042】

隔壁ＰＴ１（第１部分Ｐ１）の上面ＵＦは、有機層ＯＲａにより覆われている。また、有機層ＯＲａは、導電層Ｅ２ａにより覆われている。図５の例において、有機層ＯＲａは、側面ＳＦ１も覆っている。

【0043】

有機層ＯＲａは、有機層ＯＲと同じ材料で形成されている。導電層Ｅ２ａは、第２電極Ｅ２と同じ材料で形成されている。有機層ＯＲａは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２に配置された有機層ＯＲと離間している。導電層Ｅ２ａは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２に配置された第２電極Ｅ２と離間している。

【0044】

有機層ＯＲおよび第２電極Ｅ２は、例えば真空蒸着により表示領域ＤＡの全面に形成される。このとき、隔壁ＰＴ１の上面ＵＦや側面ＳＦ１に蒸着源からの材料が付着することにより、有機層ＯＲａおよび導電層Ｅ２ａが形成される。一方、下面ＢＦや側面ＳＦ２には蒸着源からの材料が付着しにくい。これにより、有機層ＯＲと有機層ＯＲａが分断され、第２電極Ｅ２と導電層Ｅ２ａが分断される。

【0045】

有機層ＯＲは、リブ１４の上面１４ａに位置する第１端部ＥＤ１を有している。第２電極Ｅ２は、上面１４ａに位置する第２端部ＥＤ２を有している。第１端部ＥＤ１は、第２電極Ｅ２により覆われている。第２端部ＥＤ２は、金属層ＭＬと接触している。

【0046】

第１無機層ＩＬ１は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の第２電極Ｅ２、一対の側面ＳＦ２にそれぞれ形成された金属層ＭＬ、一対の側面ＳＦ２のそれぞれの第２領域Ａ２、一対の下面ＢＦおよび導電層Ｅ２ａを連続的に覆っている。すなわち、第１無機層ＩＬ１は、第２領域Ａ２において第２部分Ｐ２と接触している。

【0047】

なお、図５においては副画素ＳＰ１，ＳＰ２の境界付近の構造を示したが、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の境界付近や副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界付近にも同様の構造を適用できる。図２に示した隔壁ＰＴ２には隔壁ＰＴ１と同様の形状を適用できる。図５に示した構造は、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ１の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ２の境界付近、第２方向Ｙに並ぶ２つの副画素ＳＰ３の境界付近の断面構造にも適用できる。

【0048】

図６は、金属層ＭＬの形状の一例を示す概略的な平面図である。図６においては、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２の第１部分Ｐ１の外形を破線で示している。金属層ＭＬは、隔壁ＰＴ１に沿って第２方向Ｙに延びる第１線部ＬＮ１と、隔壁ＰＴ２に沿って第１方向Ｘに延びる第２線部ＬＮ２とを有している。図３および図５に示した金属層ＭＬは、第１線部ＬＮ１に相当する。

【0049】

図６の例においては、副画素ＳＰ１の開口ＯＰに近接する２本の第１線部ＬＮ１と２本の第２線部ＬＮ２が矩形状に接続されている。すなわち、金属層ＭＬは、開口ＯＰや表示素子２０を囲っている。

【0050】

金属層ＭＬは、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２の交点（リブ１４の交点）において、接続部ＣＰを有している。接続部ＣＰは、複数の第１線部ＬＮ１および複数の第２線部ＬＮ２を接続している。これにより、隣接する副画素ＳＰを囲う複数の第１線部ＬＮ１および複数の第２線部ＬＮ２が接続される。

【0051】

このような構成の金属層ＭＬは、図２に示した給電線ＦＬとして利用することができる。この場合において、金属層ＭＬは、例えば周辺領域ＳＡにて共通電圧が印加された配線と接続されている。図５に示したように本実施形態においては第２電極Ｅ２と金属層ＭＬが接触しているため、金属層ＭＬを通じて第２電極Ｅ２に共通電圧が印加される。

【0052】

図７は、図６におけるVII－VII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、リブ１４より下方の層や第１無機層ＩＬ１より上方の層を省略している。

【0053】

接続部ＣＰは、リブ１４の上面１４ａと隔壁ＰＴ１の第２部分Ｐ２との間に位置している。接続部ＣＰは、第２部分Ｐ２の一対の側面ＳＦ２にそれぞれ配置された第１線部ＬＮ１と一体的に形成されている。図７とは異なる断面において、接続部ＣＰは、第２線部ＬＮ２とも接続されている。

【0054】

ここで、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。
図８乃至図１２は、隔壁ＰＴおよび金属層ＭＬを得るための製造工程を示す図である。図８においては、リブ１４および第１電極Ｅ１を覆う第１層Ｌ１と、第１層Ｌ１を覆う第２層Ｌ２とが形成されている。

【0055】

第１層Ｌ１は、金属層ＭＬと同じ金属材料で形成されている。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１よりもウェットエッチングに対する耐性が弱い（エッチングレートが高い）金属材料で形成されている。一例として、第１層Ｌ１はアルミニウムで形成することができ、第２層Ｌ２はモリブデンタングステン合金で形成することができる。

【0056】

リブ１４の上方において、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２には溝ＧＲが設けられている。平面視において、溝ＧＲは、図２に示した隔壁ＰＴ１，ＰＴ２と同様の格子状である。図８の断面においては、溝ＧＲがリブ１４の上面１４ａまで貫通している。

【0057】

このような第１層Ｌ１および第２層Ｌ２が形成された後、隔壁ＰＴ１，ＰＴ２の基となる無機層が第２層Ｌ２の上に形成される。当該無機層は、溝ＧＲを満たす。当該無機層をパターニングすることで、図９に示すように隔壁ＰＴ１が得られる。第１部分Ｐ１は、パターニングされた無機層のうち溝ＧＲの外に位置する部分に相当する。第２部分Ｐ２は、パターニングされた無機層のうち溝ＧＲ内に位置する部分に相当する。当該パターニングにより隔壁ＰＴ２も形成される。

【0058】

隔壁ＰＴ１，ＰＴ２が形成された後、第１層Ｌ１および第２層Ｌ２を取り除くためのウェットエッチングが施される。第２層Ｌ２は当該ウェットエッチングに対する耐性が弱いため全体的に取り除かれ、溝ＧＲにおいて第２層Ｌ２と接触していた第２部分Ｐ２の側面ＳＦ２が露出する。

【0059】

一方、第１層Ｌ１は完全には取り除かれず、図１０に示すように少なくとも側面ＳＦ２に接触していた部分が残る。この残った部分が金属層ＭＬの第１線部ＬＮ１に相当する。隔壁ＰＴ２付近においても同様に、当該ウェットエッチングにより金属層ＭＬの第２線部ＬＮ２が形成される。

【0060】

なお、金属層ＭＬの接続部ＣＰが設けられる位置においては、図１１に示すように第１層Ｌ１を貫通しないように溝ＧＲが形成される。この溝ＧＲに対して隔壁ＰＴ１，ＰＴ２が形成されると、第２部分Ｐ２とリブ１４の上面１４ａとの間に第１層Ｌ１が介在する。第１層Ｌ１および第２層Ｌ２に対してウェットエッチングが施されると、図１２に示すように第２部分Ｐ２の下方に接続部ＣＰが形成される。

【0061】

続いて、本実施形態が奏する効果の一例について説明する。
図１３は、隔壁ＰＴ１の近傍を拡大して示す概略的な断面図である。第１無機層ＩＬ１は、第２電極Ｅ２が形成された後に、例えば化学蒸着法（ＣＶＤ）などの蒸着により形成される。第１無機層ＩＬ１を蒸着により形成するときに、大きな角度をなす２つの面で構成される角の近傍においては、一方の面から無機層が成長するとともに、他方の面からも無機層が成長してくる。これら無機層が接近すると、その間の部分へのガスの流入が抑制され、クレバス状のボイド（隙間）やシームが形成されることがある。ボイドには樹脂層ＲＬが入り込みにくいため、ボイド内に大気が残留し得る。

【0062】

図１３の例においては、側面ＳＦ２と下面ＢＦの角付近においてボイドＶが形成されている。このボイドＶに代えて、側面ＳＦ２と下面ＢＦの角付近にシームが形成される場合もある。このようなボイドＶやシームが形成された場合、表示素子２０への水分浸入を十分に抑制できない可能性がある。

【0063】

すなわち、仮に金属層ＭＬが側面ＳＦ２の全体に形成されている場合、ボイドＶやシームを通じて第１無機層ＩＬ１の内側に入り込んだ水分が金属層ＭＬと側面ＳＦ２の境界や金属層ＭＬと第１無機層ＩＬ１の境界を伝って表示素子２０に到達し得る。水分が表示素子２０、特に有機層ＯＲに到達すると、表示素子２０の輝度低下（ダークスポットの発生）などの表示不良の一因となり得る。

【0064】

これに対し、本実施形態では、側面ＳＦ２のうち第１領域Ａ１が金属層ＭＬにより覆われ、第１領域Ａ１の上方の第２領域Ａ２が第１無機層ＩＬ１により覆われている。このような構成であれば、ボイドＶやシームと金属層ＭＬとの間で第１無機層ＩＬ１と側面ＳＦ２が接触し、金属層ＭＬおよび表示素子２０に至る水分浸入の経路を遮ることができる。結果として、表示装置ＤＳＰの表示品位を向上させることが可能となる。

【0065】

さらに、第１無機層ＩＬ１および隔壁ＰＴ１が無機材料で形成されているため、第１無機層ＩＬ１と側面ＳＦ２が良好な密着性を発揮する。これにより、金属層ＭＬおよび表示素子２０への水分浸入をより好適に抑制することができる。なお、図１３においては隔壁ＰＴ１と第１線部ＬＮ１を含む断面構造を示したが、隔壁ＰＴ２と第２線部ＬＮ２を含む断面構造においても同様の効果を得ることができる。

【0066】

上述したように金属層ＭＬを第２電極Ｅ２への給電線ＦＬとして利用する場合には、別途の給電線ＦＬを形成する必要がない。この場合において、図６に示したように金属層ＭＬが表示素子２０を囲う形状であれば、第２電極Ｅ２の周囲から効率的に給電することが可能となる。

【0067】

なお、図５および図７においては金属層ＭＬと第２電極Ｅ２が接触している構成を示したが、金属層ＭＬを給電線ＦＬとして利用しない場合には、第２電極Ｅ２と金属層ＭＬが離間していてもよい。

【0068】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0069】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0070】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0071】

ＤＳＰ…表示装置、ＰＸ…画素、ＳＰ…副画素、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、ＯＲ…有機層、ＰＴ１，ＰＴ２…隔壁、Ｐ１…第１部分、Ｐ２…第２部分、ＭＬ…金属層、ＦＬ…給電線、１…画素回路、１４…リブ、ＩＬ１…第１無機層、ＩＬ２…第２無機層、ＲＬ…樹脂層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】