特開 2022-186120 試料支持体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022186120

(43)【公開日】2022-12-15

(54)【発明の名称】試料支持体

(51)【国際特許分類】

   G01N 27/62 20210101AFI20221208BHJP

   H01J 49/04 20060101ALI20221208BHJP

【ＦＩ】

G01N27/62 F

H01J49/04 180

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021094187

(22)【出願日】2021-06-04

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(72)【発明者】

【氏名】小谷 政弘

(72)【発明者】

【氏名】大村 孝幸

【テーマコード（参考）】

2G041

【Ｆターム（参考）】

2G041CA01

2G041DA04

2G041DA05

2G041DA20

2G041FA10

2G041GA05

2G041GA06

(57)【要約】

【課題】試料について高効率かつ高精度な分析を可能とする試料支持体を提供する。
【解決手段】試料支持体１Ａは、基板２を備えている。基板２は、第１表面２ａ及び第１表面２ａに開口する複数の孔２ｃを有している。基板２は、第１測定領域Ｒ１と、第２測定領域Ｒ２と、を有している。第１測定領域Ｒ１は、第１表面２ａのうちの第１表面領域２１ａを含んでいる。第２測定領域Ｒ２は、第１表面２ａのうちの第２表面領域２２ａを含んでいる。第１表面領域２１ａには、孔２ｃを塞がないように導電層５が設けられている。第２表面領域２２ａには、導電層５が設けられていない。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

試料のイオン化に用いられる試料支持体であって、
表面及び前記表面に開口する複数の孔を有する基板を備え、
前記基板は、前記表面のうちの第１表面領域を含む第１測定領域と、前記表面のうちの第２表面領域を含む第２測定領域と、を少なくとも有し、
前記第１表面領域には、前記孔を塞がないように第１導電層が設けられており、
前記第２表面領域には、前記第１導電層が設けられていない、試料支持体。

【請求項2】

前記第１導電層は、前記試料の質量分析に適した材料によって形成されている、請求項１に記載の試料支持体。

【請求項3】

前記第２測定領域は、光透過性を有しており、
前記第２測定領域の前記第２表面領域、及び前記第２測定領域における前記第２表面領域とは反対側の表面領域は、露出している、請求項１又は２に記載の試料支持体。

【請求項4】

前記基板の厚さは、５μｍ～５０μｍである、請求項３に記載の試料支持体。

【請求項5】

前記第２測定領域の前記第２表面領域には、前記孔を塞がないようにかつ前記第１導電層とは異なる材料によって形成された第２導電層が設けられている、請求項１又は２に記載の試料支持体。

【請求項6】

前記第１測定領域と前記第２測定領域とは、互いに繋がっている、請求項１～５のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項7】

前記第１測定領域と前記第２測定領域との間に設けられた隔壁部を更に備える、請求項１～５のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項8】

前記基板は、前記表面のうちの第３表面領域を含む第３測定領域を更に有し、
前記第３表面領域には、前記孔を塞がないようにかつ前記第１導電層とは異なる材料によって形成された第３導電層が設けられている、請求項１～７のいずれか一項に記載の試料支持体。

【請求項9】

前記基板は、矩形板状を呈しており、
前記基板は、前記基板の厚さ方向から見た場合に、前記基板の互いに異なる角部に位置する複数のキャリブレーション領域を有している、請求項１～８のいずれか一項に記載の試料支持体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、試料支持体に関する。

【背景技術】

【0002】

試料の質量分析に用いられる試料支持体に関する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の技術では、試料支持体の微細凹凸構造面に付着した試料に対してレーザ光が照射されることで、試料がイオン化され、これにより、試料の質量分析が行われている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第４６７４８７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したような技術では、試料について互いに異なる分析を行う場合には、試料を複数の試料支持体のそれぞれに付着させることになるため、作業が煩雑となるおそれがある。また、試料を複数の試料支持体のそれぞれに付着させると、各試料支持体に付着する試料の量又は各試料支持体に付着する試料の状態等にばらつきが生じる場合があり、その場合には、試料についての分析の精度が低下するおそれがある。

【0005】

本開示は、試料について高効率かつ高精度な分析を可能とする試料支持体を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一側面に係る試料支持体は、試料のイオン化に用いられる試料支持体であって、表面及び表面に開口する複数の孔を有する基板を備え、基板は、表面のうちの第１表面領域を含む第１測定領域と、表面のうちの第２表面領域を含む第２測定領域と、を少なくとも有し、第１表面領域には、孔を塞がないように第１導電層が設けられており、第２表面領域には、第１導電層が設けられていない。

【0007】

この試料支持体では、基板は、第１測定領域及び第２測定領域を有している。これにより、試料に対して試料支持体を一回押し当てることで、第１測定領域及び第２測定領域の両方に試料を付着させることができる。しかも、第１測定領域の第１表面領域には、第１導電層が設けられており、第２測定領域の第２表面領域には、第１導電層が設けられていない。これにより、第１測定領域においては、例えば第１表面領域に対してエネルギー線を照射することで、試料の質量分析等を行うことができ、第２測定領域においては、試料について第１測定領域とは異なる分析を行うことができる。このように、この試料支持体によれば、１つの試料支持体によって、試料について互いに異なる分析を効率的に行うことができる。また、試料に対して試料支持体を一回押し当てることで、第１測定領域及び第２測定領域の両方に試料を付着させることができるため、第１測定領域に付着する試料の量と第２測定領域に付着する試料の量とのばらつきを抑制することができる。これにより、第１測定領域及び第２測定領域における分析を精度良く行うことができる。以上により、この試料支持体によれば、試料について高効率かつ高精度な分析を行うことが可能となる。

【0008】

第１導電層は、試料の質量分析に適した材料によって形成されていてもよい。これにより、第１測定領域において、試料の質量分析を好適に行うことができる。

【0009】

第２測定領域は、光透過性を有しており、第２測定領域の第２表面領域、及び第２測定領域における第２表面領域とは反対側の表面領域は、露出していてもよい。これにより、第２測定領域においては、光を透過させることで、第２測定領域に付着した試料の光透過率についての分析を行うことができる。

【0010】

基板の厚さは、５μｍ～５０μｍであってもよい。これにより、基板の強度を確保しつつ、第２測定領域の光透過性を確保することができる。

【0011】

第２測定領域の第２表面領域には、孔を塞がないようにかつ第１導電層とは異なる材料によって形成された第２導電層が設けられていてもよい。これにより、第２測定領域においては、試料について第１測定領域とは異なる分析を行うことができる。

【0012】

第１測定領域と第２測定領域とは、互いに繋がっていてもよい。これにより、第１測定領域及び第２測定領域の面積を確保しつつ、第１測定領域に付着する試料の量と第２測定領域に付着する試料の量とのばらつきをより確実に抑制することができる。

【0013】

上記の試料支持体は、第１測定領域と第２測定領域との間に設けられた隔壁部を更に備えてもよい。これにより、第１測定領域と第２測定領域との境界を明確にしつつ、基板の強度を補強することができる。

【0014】

基板は、表面のうちの第３表面領域を含む第３測定領域を更に有し、第３表面領域には、孔を塞がないようにかつ第１導電層とは異なる材料によって形成された第３導電層が設けられていてもよい。これにより、第３測定領域においては、試料について第１測定領域とは異なる分析を行うことができる。

【0015】

基板は、矩形板状を呈しており、基板は、基板の厚さ方向から見た場合に、基板の互いに異なる角部に位置する複数のキャリブレーション領域を有していてもよい。これにより、各測定領域の面積を確保しつつ、各測定領域における分析に対応するキャリブレーションを行うことができる。

【発明の効果】

【0016】

本開示によれば、試料について高効率かつ高精度な分析を可能とする試料支持体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、第１実施形態の試料支持体の平面図である。

【図2】図２は、図１のII－II線に沿っての試料支持体の概略断面図である。

【図3】図３は、図１のIII-III線に沿った試料支持体の概略断面図である。

【図4】図４は、図１の試料支持体の基板の拡大像を示す図である。

【図5】図５は、図１の試料支持体のうち、第１測定領域及び第１導電層を含む部分の光透過率と第２測定領域の光透過率との比較結果を示す図である。

【図6】図６は、図１の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。

【図7】図７は、図１の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。

【図8】図８は、図１の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。

【図9】図９は、図１の試料支持体を用いた質量分析方法の工程の一部を示す図である。

【図10】図１０は、第２実施形態の試料支持体の平面図である。

【図11】図１１は、図１０のXI－XI線に沿っての断面図である。

【図12】図１２は、第１変形例に係る試料支持体の平面図である。

【図13】図１３は、第２変形例に係る試料支持体の平面図である。

【図14】図１４は、図１３のXIV－XIV線に沿っての概略断面図である。

【図15】図１５は、第３変形例に係る試料支持体の平面図である。

【図16】図１６は、図１５のXVI－XVI線に沿っての概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図面においては、一部、実施形態に係る特徴部分を分かり易く説明するために誇張している部分があり、実際の寸法とは異なっている場合がある。

【0019】

［第１実施形態］
［試料支持体の構成］
図１～図４を参照して、第１実施形態の試料支持体１Ａについて説明する。試料支持体１Ａは、試料をイオン化するために用いられるイオン化支援基板である。本実施形態では、試料支持体１Ａは、人の皮膚上（皮膚表面）に塗布される試料のイオン化に用いられる。より具体的には、人の皮膚上に塗布された試料に対して試料支持体１Ａを押し当てることにより、試料支持体１Ａに試料を付着させる。その後、試料が付着した試料支持体１Ａにレーザ光等のエネルギー線を照射することにより、当該試料をイオン化する。試料の例としては、薬剤、化粧料等が挙げられる。

【0020】

図１～図３に示されるように、試料支持体１Ａは、基板２と、フレーム３と、導電層（第１導電層）５と、を備えている。図１に示されるように、試料支持体１Ａは、平面視において略矩形状を有している。本実施形態では、試料支持体１Ａの長辺に沿った方向をＸ軸方向と表し、試料支持体１Ａの短辺に沿った方向をＹ軸方向と表し、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向（すなわち、試料支持体１Ａの厚さ方向）をＺ軸方向と表す。一例として、試料支持体１ＡのＸ軸方向の長さは３ｃｍ程度であり、Ｙ軸方向の長さは２ｃｍ程度である。

【0021】

基板２は、第１表面２ａと、第１表面２ａとは反対側の第２表面２ｂと、を有している。図３に示されるように、基板２には、複数の孔２ｃが一様に（均一な分布で）形成されている。各孔２ｃは、基板２の厚さ方向Ｄ（第１表面２ａ及び第２表面２ｂが互いに対向する方向であり、Ｚ軸方向と一致する方向）に沿って延在しており、第１表面２ａ及び第２表面２ｂに開口している。つまり、各孔２ｃは、基板２を貫通する貫通孔である。なお、図２においては、孔２ｃの図示が省略されている。第１表面２ａは、試料支持体１Ａに付着した試料の成分をイオン化させる工程において、レーザ光等のエネルギー線が照射される面である。

【0022】

基板２は、矩形板状を呈している。厚さ方向Ｄから見た場合における基板２の一辺の長さは、例えば数ｃｍ程度である。基板２の厚さは、例えば１μｍ～５０μｍ程度である。一例として、基板２の厚さは、５μｍ～５０μｍである。基板２の厚さは、５μｍ～２０μｍであることが好ましい。これにより、基板２の後述する光透過性を確実に確保することができる。厚さ方向Ｄから見た場合における孔２ｃの形状は、例えば略円形である。孔２ｃの幅は、例えば１ｎｍ～７００ｎｍ程度である。基板２は、絶縁性材料によって形成されている。

【0023】

孔２ｃの幅は、以下のようにして取得される値である。まず、基板２の第１表面２ａ及び第２表面２ｂのそれぞれの画像を取得する。図４は、基板２の第１表面２ａの一部のＳＥＭ画像の一例を示している。当該ＳＥＭ画像において、黒色の部分は孔２ｃであり、白色の部分は孔２ｃ間の隔壁部である。続いて、取得した第１表面２ａの画像に対して例えば二値化処理を施すことで、測定領域Ｒ内の複数の第１開口（孔２ｃの第１表面２ａ側の開口）に対応する複数の画素群を抽出し、１画素当たりの大きさに基づいて、第１開口の平均面積を有する円の直径を取得する。同様に、取得した第２表面２ｂの画像に対して例えば二値化処理を施すことで、測定領域Ｒ内の複数の第２開口（孔２ｃの第２表面２ｂ側の開口）に対応する複数の画素群を抽出し、１画素当たりの大きさに基づいて、第２開口の平均面積を有する円の直径を取得する。そして、第１表面２ａについて取得した円の直径と第２表面２ｂについて取得した円の直径との平均値を孔２ｃの幅として取得する。

【0024】

図４に示されるように、基板２には、略一定の幅を有する複数の孔２ｃが一様に形成されている。図４に示される基板２は、Ａｌ（アルミニウム）を陽極酸化することにより形成されたアルミナポーラス皮膜である。例えば、Ａｌ基板に対して陽極酸化処理が施されることにより、Ａｌ基板の表面部分が酸化されると共に、Ａｌ基板の表面部分に複数の細孔（孔２ｃになる予定の部分）が形成される。続いて、酸化された表面部分（陽極酸化皮膜）がＡｌ基板から剥離され、剥離された陽極酸化皮膜に対して上記細孔を拡幅するポアワイドニング処理が施されることにより、上述した基板２が得られる。なお、基板２は、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｗ（タングステン）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｓｂ（アンチモン）等のＡｌ以外のバルブ金属を陽極酸化することにより形成されてもよいし、Ｓｉ（シリコン）を陽極酸化することにより形成されてもよい。

【0025】

フレーム３は、基板２の第１表面２ａに設けられており、第１表面２ａ側において基板２を支持している。フレーム３は、基板２の第１表面２ａに対向する第１面３ｈと、第１面３ｈとは反対側の第２面３ｇとを有している。本実施形態では、厚さ方向Ｄから見た場合に、フレーム３は、基板２よりも大きい矩形板状に形成されている。

【0026】

フレーム３の略中央部には、フレーム３の厚さ方向（すなわち、厚さ方向Ｄ）に貫通する開口部３ａが形成されている。フレーム３の互いに対向する一対の角部には、フレーム３の厚さ方向に貫通する開口部３１ｂ，３２ｂが形成されている。フレーム３のＸ軸方向における縁部３ｃ（すなわち、Ｙ軸方向に沿った縁部）の中央部には、Ｘ軸方向の内側に向かって窪んだ凹部３ｄが設けられている。

【0027】

開口部３ａは、略円形状に形成されている。本実施形態では、開口部３ａは、円の一部（一方向において互いに対向する部分）を弓型に切り欠いた形状を有している。具体的には、開口部３ａは、Ｙ軸方向における両側の縁部がＸ軸方向に平行となるように円の一部を弓型に切り欠いた形状を有している。一例として、開口部３ａのＹ軸方向の幅は、１．５ｃｍ程度である。基板２のうち開口部３ａに対応する部分（すなわち、厚さ方向Ｄから見た場合に開口部３ａと重なる部分）は、試料の測定を行うための測定領域Ｒとして機能する。すなわち、フレーム３に設けられた開口部３ａによって、測定領域Ｒが規定されている。言い換えれば、開口部３ａは、測定領域Ｒに対応するように第１面３ｈ及び第２面３ｇに開口している。つまり、フレーム３は、厚さ方向Ｄから見た場合に基板２の測定領域Ｒを包囲するように形成されている。

【0028】

開口部３１ｂ，３２ｂは、開口部３ａよりも小さい円形状に形成されている。一例として、開口部３１ｂ，３２ｂの直径は、１ｍｍ程度である。基板２のうち開口部３１ｂ，３２ｂに対応する部分（すなわち、厚さ方向Ｄから見た場合に開口部３１ｂ，３２ｂと重なる部分）は、キャリブレーション用のキャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２として機能する。

【0029】

上述したように、基板２には複数の孔２ｃが一様に形成されているため、測定領域Ｒ及びキャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２のいずれも、複数の孔２ｃを含む領域である。測定領域Ｒにおける孔２ｃの開口率（厚さ方向Ｄから見た場合に測定領域Ｒに対して孔２ｃが占める割合）は、実用上は１０～８０％であり、特に６０～８０％であることが好ましい。複数の孔２ｃの大きさは互いに不揃いであってもよいし、部分的に複数の孔２ｃ同士が互いに連結していてもよい。キャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２についても測定領域Ｒと同様である。

【0030】

フレーム３は、例えば、金属又はセラミックス等である。本実施形態では、フレーム３は、非磁性であり且つ耐酸性を有する材料によって形成されている。このような材料としては、例えば、チタン、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等が挙げられる。本実施形態では、フレーム３は、ＳＵＳによって形成されている。試料支持体１Ａの外形は、主にフレーム３によって規定されている。フレーム３のＸ軸方向の長さは３ｃｍ程度であり、フレーム３のＹ軸方向の長さは２ｃｍ程度である。フレーム３の厚さは、例えば３ｍｍ以下である。一例として、フレーム３の厚さは０．２ｍｍである。

【0031】

本実施形態では、図１に示されるように、厚さ方向Ｄから見た場合に、基板２は、フレーム３のＸ軸方向に沿った一対の縁部３ｅの間に収まると共に、フレーム３の一対の凹部３ｄの各々の底部３ｆの間に収まっている。基板２のうち測定領域Ｒ及びキャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２以外の部分は、接着層６によってフレーム３に接合されている。このように基板２がフレーム３に接合されて支持されることにより、試料支持体１Ａのハンドリングが容易になると共に、温度変化等に起因する基板２の変形が抑制される。

【0032】

図３に示されるように、フレーム３は、接着層６によって基板２の第１表面２ａに接合されている。接着層６は、基板２の第１表面２ａとフレーム３の第１面３ｈとの間に形成されており、基板２とフレーム３とを接着している。なお、図２においては、接着層６の図示が省略されている。接着層６は、例えば、放出ガスの少ない接着剤（例えば、低融点ガラス、真空用接着剤等）によって形成され得る。接着層６は、導電性接着剤によって形成されてもよいし、金属ペーストを塗布することによって形成されてもよい。また、接着層６は、ＵＶ硬化性接着剤（光硬化性接着剤）又は無機バインダー等によって形成されてもよい。ＵＶ硬化性接着剤の例として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤等が挙げられる。また、無機バインダーの例として、オーデック社製のセラマボンド（登録商標）、東亞合成社製のアロンセラミック（登録商標）等が挙げられる。本実施形態では一例として、接着層６は、ＵＶ硬化性接着剤によって形成されている。

【0033】

導電層５は、基板２の第１表面２ａに設けられている。図３に示されるように、導電層５は、基板２の第１表面２ａのうちフレーム３の開口部３ａに対応する領域の一部（すなわち、測定領域Ｒの一部）、開口部３ａの内面、及び開口部３ａの周縁部のフレーム３の第２面３ｇに一続きに（一体的に）形成されている。導電層５は、測定領域Ｒにおいて、基板２の第１表面２ａのうち孔２ｃが形成されていない部分を覆っている。つまり、導電層５は、各孔２ｃを塞がないように設けられている。従って、測定領域Ｒにおいては、各孔２ｃが開口部３ａに露出している。また、導電層５は、基板２の第１表面２ａのうちフレーム３の開口部３１ｂに対応する領域（すなわち、キャリブレーション領域Ｃ１）、開口部３１ｂの内面、及び開口部３１ｂの周縁部のフレーム３の第２面３ｇにも一続きに（一体的に）形成されている。導電層５は、キャリブレーション領域Ｃ１において、基板２の第１表面２ａのうち孔２ｃが形成されていない部分を覆っている。つまり、導電層５は、各孔２ｃを塞がないように設けられている。従って、キャリブレーション領域Ｃ１においても、測定領域Ｒと同様に、各孔２ｃが開口部３１ｂに露出している。

【0034】

導電層５は、導電性材料によって形成されている。導電層５は、試料の質量分析に適した材料によって形成されている。具体的には、導電層５は、例えば、Ｐｔ（白金）又はＡｕ（金）によって形成されている。導電層５の材料としては、以下に述べる理由により、試料との親和性（反応性）が低く且つ導電性が高い金属が用いられることが好ましい。

【0035】

例えば、タンパク質等の試料と親和性が高いＣｕ（銅）等の金属によって導電層５が形成されていると、後述する試料のイオン化の過程において、試料分子にＣｕ原子が付加した状態で試料がイオン化され、Ｃｕ原子が付加した分だけ、後述する質量分析法において検出結果がずれるおそれがある。したがって、導電層５の材料としては、試料との親和性が低い金属が用いられることが好ましい。

【0036】

一方、導電性の高い金属ほど一定の電圧を容易に且つ安定して印加し易くなる。そのため、導電性が高い金属によって導電層５が形成されていると、測定領域Ｒにおいて基板２の第１表面２ａに均一に電圧を印加することが可能となる。また、導電性の高い金属ほど熱伝導性も高い傾向にある。そのため、導電性が高い金属によって導電層５が形成されていると、基板２に照射されたレーザ光（エネルギー線）のエネルギーを、導電層５を介して試料に効率的に伝えることが可能となる。したがって、導電層５の材料としては、導電性の高い金属が用いられることが好ましい。

【0037】

以上の観点から、導電層５の材料としては、例えば、Ｐｔ、Ａｕ等が用いられることが好ましい。本実施形態では、導電層５は、Ｐｔである。導電層５は、例えば、蒸着又はスパッタリング等によって、厚さ１ｎｍ～３５０ｎｍ程度に形成される。なお、導電層５の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ａｇ（銀）等が用いられてもよい。

【0038】

試料支持体１Ａは、導電性テープ４によってスライドグラス（補強基板）８に固定されている。導電性テープ４は、導電性材料によって形成されている。導電性テープ４は、例えば、アルミテープ、カーボンテープ等である。導電性テープ４の厚さは、例えば１００μｍである。

【0039】

導電性テープ４は、フレーム３の第２面３ｇ上に貼り付けられている。本実施形態では、導電性テープ４は、フレーム３のＸ軸方向における両側に設けられている。具体的には、導電性テープ４は、フレーム３のＸ軸方向における一方側（図１の図示左側）に設けられた導電性テープ４１と、フレーム３のＸ軸方向における他方側（図１の図示右側）に設けられた導電性テープ４２と、を有している。

【0040】

導電性テープ４１は、フレーム３のＸ軸方向における中央部よりも一方側（図１の図示左側）において、測定領域Ｒ及び及びキャリブレーション領域Ｃ２を覆わないように設けられている。導電性テープ４２には、キャリブレーション領域Ｃ２を露出させるための円形状の開口部４１ａが設けられている。図１に示されるように、本実施形態では、導電性テープ４１の縁部は、フレーム３の縁部３ｃ，３ｅ、フレーム３の開口部３ａの縁部、及びフレーム３の開口部３２ｂの縁部から若干離間している。一方、導電性テープ４１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、フレーム３の凹部３ｄによって形成された空間と重なる位置にも設けられている。すなわち、導電性テープ４１は、厚さ方向Ｄから見てフレーム３と重ならない部分４ｂ（すなわち、凹部３ｄによって形成された空間と重なる部分）を有する。

【0041】

導電性テープ４２は、フレーム３のＸ軸方向における中央部よりも他方側（図１の図示右側）において、測定領域Ｒ及びキャリブレーション領域Ｃ１を覆わないように設けられている。導電性テープ４２には、キャリブレーション領域Ｃ１を露出させるための円形状の開口部４２ａが設けられている。図１に示されるように、本実施形態では、導電性テープ４２の縁部は、フレーム３の縁部３ｃ，３ｅ、フレーム３の開口部３ａの縁部、及びフレーム３の開口部３１ｂの縁部から若干離間している。一方、導電性テープ４２は、厚さ方向Ｄから見た場合に、フレーム３の凹部３ｄと重なる位置にも設けられている。すなわち、導電性テープ４２は、厚さ方向Ｄから見てフレーム３と重ならない部分４ｂ（すなわち、凹部３ｄによって形成された空間と重なる部分）を有する。導電性テープ４１，４２それぞれの部分４ｂがスライドグラス８の載置面８ａに貼り付けられることにより、試料支持体１Ａがスライドグラス８に固定される。

【0042】

スライドグラス８は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide)膜等の透明導電膜が形成されたガラス基板であり、透明導電膜の表面が載置面８ａとなっている。スライドグラス８は、基板２の少なくとも測定領域Ｒの第２表面２ｂの全体を覆うように、基板２に対して固定されている。一例として、スライドグラス８は、厚さ方向Ｄ（Ｚ軸方向）から見て、フレーム３の外形よりも大きい矩形状を有している。すなわち、厚さ方向Ｄから見て、上述した試料支持体１Ａを構成する全ての要素（基板２及びフレーム３等）が、スライドグラス８内に収まっている。すなわち、スライドグラス８は、測定領域Ｒだけでなく、基板２の全体を覆っている。試料支持体１Ａは、スライドグラス８によって補強されている。なお、試料支持体１Ａの補強基板としては、スライドグラス８以外の基板が用いられてもよい。

【0043】

次に、基板２及び測定領域Ｒについて詳細に説明する。基板２は、光透過性を有している。具体的には、基板２の孔２ｃ間の隔壁部は、光透過性を有している。基板２は、光透過性を有する材料によって形成されている。光は、例えば紫外線又は可視光等である。測定領域Ｒは、上述したように、フレーム３の開口部３ａによって規定されている。測定領域Ｒは、基板２の一部である。つまり、測定領域Ｒは、第１表面２ａの一部、第２表面２ｂの一部及び複数の孔２ｃを含んでいる。

【0044】

測定領域Ｒは、第１測定領域Ｒ１と、第２測定領域Ｒ２と、を有している。第１測定領域Ｒ１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、測定領域ＲのうちＹ軸方向における一方側（図１の図示下側）の略半分である。第２測定領域Ｒ２は、厚さ方向Ｄから見た場合に、測定領域ＲのうちＹ軸方向における他方側（図１の図示上側）の略半分である。第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、互いに繋がっている。具体的には、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２のそれぞれは、基板２における互いに連続する一部である。つまり、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、互いに離れていない。第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、その他の領域を介在していない。第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との境界線Ｂは、Ｘ軸方向に沿って直線状に延びている。

【0045】

第１測定領域Ｒ１は、第１表面２ａのうちの第１表面領域２１ａを含んでいる。第１表面領域２１ａには、導電層５が設けられている。第２測定領域Ｒ２は、第１表面２ａのうちの第２表面領域２２ａを含んでいる。第２表面領域２２ａには、導電層５が設けられていない。第２表面領域２２ａは、露出している。つまり、第２表面領域２２ａには、成膜されていない。第２測定領域Ｒ２における第２表面領域２２ａとは反対側の表面領域（基板２の第２表面２ｂの一部）は、露出している。つまり、第２測定領域Ｒ２における第２表面領域２２ａとは反対側の表面領域には、成膜されていない。本実施形態では、基板２の第２表面２ｂの全体が露出している。つまり、第２表面２ｂの全体には、成膜されていない。

【0046】

試料支持体１Ａのうち第２測定領域Ｒ２に対応する部分は、光を透過させる。例えば、厚さ方向Ｄにおける試料支持体１Ａの一方の側から第２測定領域Ｒ２に対して照射された光は、試料支持体１Ａを透過して、厚さ方向Ｄにおける試料支持体１Ａの他方の側に向かって出射する。図５に示されるように、試料支持体１Ａのうち第２測定領域Ｒ２に対応する部分の光透過率は、試料支持体１Ａのうち第１測定領域Ｒ１に対応する部分の光透過率よりも大きい。これは、第２測定領域Ｒ２に対して照射された光は、試料支持体１Ａを透過する一方、第１測定領域Ｒ１に対して照射された光は、導電層５によって遮られるためである。

【0047】

キャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２は、基板２の一部である。つまり、キャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２は、第１表面２ａの一部、第２表面２ｂの一部及び複数の孔２ｃを含んでいる。キャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２は、基板２の互いに異なる角部に位置している。キャリブレーション領域Ｃ１は、第１測定領域Ｒ１に隣接している。具体的には、キャリブレーション領域Ｃ１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との境界線Ｂに対して、第２測定領域Ｒ２とは反対側に位置している。キャリブレーション領域Ｃ１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、基板２のうち第１測定領域Ｒ１に隣接する１つの角部に位置している。キャリブレーション領域Ｃ１の表面領域（第１表面２ａの一部）は、導電層５が設けられている。

【0048】

キャリブレーション領域Ｃ１は、質量校正（マスキャリブレーション）のための領域として用いられ得る。例えば、試料の測定（後述する質量分析方法）を開始する前に、キャリブレーション領域Ｃ１に質量校正用の試料（例えばペプチド等）を配置して測定を実施することにより、マススペクトルの補正を行うことが可能となる。このようなマススペクトルの補正を測定対象試料の測定前に行うことにより、当該測定対象試料を測定した際に当該測定対象試料の正確なマススペクトルを得ることが可能となる。

【0049】

キャリブレーション領域Ｃ２は、第２測定領域Ｒ２に隣接している。具体的には、キャリブレーション領域Ｃ２は、厚さ方向Ｄから見た場合に、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との境界線Ｂに対して、第１測定領域Ｒ１とは反対側に位置している。キャリブレーション領域Ｃ２は、厚さ方向Ｄから見た場合に、基板２のうち第２測定領域Ｒ２に隣接する１つの角部に位置している。キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域（第１表面２ａの一部）には、導電層５が設けられていない。キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域は、露出している。つまり、キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域には、成膜されていない。

【0050】

キャリブレーション領域Ｃ２は、バックグラウンド測定領域として用いられ得る。例えば、試料が付着していないキャリブレーション領域Ｃ２、及びスライドグラス８の光透過率を測定し、試料が付着している第２測定領域Ｒ２、及びスライドグラス８の光透過率を測定した後、これらの光透過率の差分を算出することで試料のみの光透過率を得ることが可能となる。なお、第２測定領域Ｒ２の一部をバックグラウンド測定領域として用いてもよい。この場合、当該バックグラウンド測定領域に試料が付着しないように、予めマスク等を設けることが好ましい。

【0051】

［質量分析方法］
次に、図６～図９を参照して、試料支持体１Ａを用いた質量分析方法（イオン化方法を含む）の一例について説明する。なお、図６～図９においては、孔２ｃ、導電層５、及び接着層６の図示が省略されている。

【0052】

まず、上述した試料支持体１Ａを予め用意する。続いて、図６に示されるように、人の皮膚５０上（皮膚５０の表面）に、試料Ｓを塗布する。皮膚５０は、人体の任意の部位の皮膚である。皮膚５０は、試料Ｓの種類、用法等に応じて決定され得る。例えば、試料Ｓが顔に塗布される薬剤等である場合には、皮膚５０は額の皮膚であってもよい。また、試料Ｓが日焼止めクリーム等の場合には、皮膚５０は腕の皮膚であってもよい。また、試料Ｓの塗布前に、皮膚５０の表面をアルコール等で消毒してもよい。或いは、試料Ｓが化粧料等であり、通常使用時における試料Ｓの状態（すなわち、皮脂と試料Ｓとが混合した状態）を分析したい場合等には、試料Ｓの塗布前に皮膚５０の消毒をあえて行わないようにしてもよい。

【0053】

続いて、基板２の第１表面２ａを人の皮膚５０上に塗布された試料Ｓに対向させた状態で、試料支持体１Ａを皮膚５０に押し当てることにより、測定領域Ｒに試料Ｓを付着させる。つまり、測定領域Ｒに試料Ｓを転写させる。例えば、試料支持体１Ａの測定領域Ｒに十分な量の試料を付着させるために、比較的大きい力で試料支持体１Ａを試料Ｓに対して押し当てる必要が生じる場合がある。一方、試料支持体１Ａの基板２は非常に薄い。このため、試料支持体１Ａを皮膚５０上の試料Ｓに対して押し当てる力が強すぎた場合、基板２（測定領域Ｒ部分）が破損するおそれがある。

【0054】

試料支持体１Ａがスライドグラス８によって補強されているため、試料支持体１Ａに試料Ｓを付着させる工程における試料支持体１Ａ（特に基板２）の破損を効果的に抑制することができる。より具体的には、補強基板としてのスライドグラス８によって基板２の測定領域Ｒを含む部分の強度を高められるため、試料Ｓを付着させる工程、及びその後に試料支持体１Ａを皮膚５０から引き離す工程において、試料支持体１Ａ（基板２）の破損を好適に抑制できる。

【0055】

図７に示されるように、皮膚５０上の試料Ｓの一部である成分Ｓ１は、測定領域Ｒに付着する。成分Ｓ１は、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の両方に付着する。成分Ｓ１は、１回のサンプリングによって、つまり、試料支持体１Ａが試料Ｓに１回押し当てられることで、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の両方に付着する。そのため、第１測定領域Ｒ１に付着する成分Ｓ１の量と第２測定領域Ｒ２に付着する成分Ｓ１の量とは、概ね同じである。測定領域Ｒに付着する成分Ｓ１の量とは、単位面積当たりの成分Ｓ１の量のことをいう。

【0056】

続いて、図８に示されるように、試料支持体１Ａは、予めスライドグラス８と一体化された状態で、質量分析装置１０の支持部１２上に載置される。試料支持体１Ａは、導電性テープ４１，４２によってスライドグラス８に固定されていてもよいし、例えば両面テープ等を介してスライドグラス８に固定されていてもよい。

【0057】

質量分析装置１０は、支持部１２と、試料ステージ１８と、カメラ１６と、照射部１３と、電圧印加部１４と、イオン検出部１５と、制御部１７と、を備えている。支持部１２は、試料ステージ１８上に載置される。照射部１３は、試料支持体１Ａの第１表面２ａに対してレーザ光Ｌ等のエネルギー線を照射する。電圧印加部１４は、試料支持体１Ａの第１表面２ａに対して電圧を印加する。イオン検出部１５は、イオン化された試料Ｓの成分（試料イオンＳ２）を検出する。カメラ１６は、照射部１３によるレーザ光Ｌの照射位置を含むカメラ画像を取得する装置である。カメラ１６は、例えば、照射部１３に付随する小型のＣＣＤカメラである。

【0058】

制御部１７は、試料ステージ１８、カメラ１６、照射部１３、電圧印加部１４、イオン検出部１５の動作を制御する。制御部１７は、例えば、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ等）、及びメモリ（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ等）等を備えるコンピュータ装置である。

【0059】

続いて、電圧印加部１４によって、スライドグラス８の載置面８ａ及び導電性テープ４を介して試料支持体１Ａの導電層５（図２参照）に電圧が印加される。続いて、制御部１７が、カメラ１６により取得された画像に基づいて、照射部１３を動作させる。具体的には、制御部１７は、レーザ照射範囲（例えば、第１測定領域Ｒ１のうち、カメラ１６により取得された画像に基づいて特定された成分Ｓ１が存在する領域）内の第１表面２ａに対してレーザ光Ｌが照射されるように照射部１３を動作させる。

【0060】

一例として、制御部１７は、試料ステージ１８を移動させると共に、照射部１３によるレーザ光Ｌの照射動作（照射タイミング等）を制御する。すなわち、制御部１７は、試料ステージ１８が所定間隔移動したことを確認した後に、照射部１３にレーザ光Ｌの照射を実行させる。例えば、制御部１７は、レーザ照射範囲内をラスタスキャンするように試料ステージ１８の移動（走査）と照射部１３によるレーザ光Ｌの照射とを繰り返す。なお、第１表面２ａに対する照射位置の変更は、試料ステージ１８ではなく照射部１３を移動させることによって行われてもよいし、試料ステージ１８及び照射部１３の両方を移動させることによって行われてもよい。

【0061】

このように、導電層５に電圧が印加されつつレーザ照射範囲内の第１表面２ａに対してレーザ光Ｌが照射されることにより、第１測定領域Ｒ１に付着した成分Ｓ１がイオン化され、試料イオンＳ２（イオン化された成分Ｓ１）が放出される。具体的には、レーザ光Ｌのエネルギーを吸収した導電層５から、第１測定領域Ｒ１に付着した成分Ｓ１にエネルギーが伝達され、エネルギーを獲得した成分Ｓ１が気化すると共に電荷を獲得して、試料イオンＳ２となる。以上の各工程が、試料支持体１Ａを用いた成分Ｓ１のイオン化方法（ここでは一例として、質量分析方法の一部としてのレーザ脱離イオン化法）に相当する。

【0062】

放出された試料イオンＳ２は、試料支持体１Ａとイオン検出部１５との間に設けられたグランド電極（図示省略）に向かって加速しながら移動する。つまり、試料イオンＳ２は、電圧が印加された導電層５とグランド電極との間に生じた電位差によって、グランド電極に向かって加速しながら移動する。そして、イオン検出部１５によって試料イオンＳ２が検出される。

【0063】

イオン検出部１５による試料イオンＳ２の検出結果は、レーザ光Ｌの照射位置に関連付けられる。具体的には、イオン検出部１５は、レーザ照射範囲内の各位置について個別に試料イオンＳ２を検出する。これにより、試料Ｓの質量分布を示す分布画像（ＭＳマッピングデータ）が取得される。さらに、試料Ｓを構成する分子の二次元分布を画像化することができる。すなわち、イメージング質量分析を行うことができる。なお、ここでの質量分析装置１０は、飛行時間型質量分析法（ＴＯＦ－ＭＳ：Time-of-Flight Mass Spectrometry）を利用する質量分析装置である。

【0064】

続いて、第２測定領域Ｒ２に付着した成分Ｓ１の光透過率を測定する。具体的には、図９に示されるように、試料支持体１Ａは、スライドグラス８に固定された状態で、光測定装置２０の支持部２３上に載置される。光測定装置２０は、光源２１と、光検出部２２と、支持部２３と、を備えている。光源２１は、試料支持体１Ａの第１表面２ａに対して紫外線Ｕ等の光を照射する。光検出部２２は、試料支持体１Ａを透過した紫外線Ｕを検出する。光源２１、光検出部２２、支持部２３の動作は、制御部によって制御される。制御部は、制御部１７と同様な構成を備えるコンピュータ装置である。

【0065】

続いて、光源２１によって、キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域及び第２測定領域Ｒ２の第２表面領域２２ａに対して、紫外線Ｕが照射される。キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域に対して照射された紫外線Ｕは、キャリブレーション領域Ｃ２及びスライドグラス８を透過した後、光検出部２２によって検出される。第２測定領域Ｒ２の第２表面領域２２ａに対して照射された紫外線Ｕは、第２測定領域Ｒ２、第２測定領域Ｒ２に付着した成分Ｓ１及びスライドグラス８を透過した後、光検出部２２によって検出される。続いて、キャリブレーション領域Ｃ２における光透過率と第２測定領域Ｒ２における光透過率との差分が算出される。これにより、第２測定領域Ｒ２に付着した成分Ｓ１の光透過率が得られる。続いて、第１測定領域Ｒ１を用いて得られた結果（イメージング質量分析の結果）と第２測定領域Ｒ２を用いて得られた結果（光透過率の結果）との相関を分析する。

【0066】

以上説明したように、試料支持体１Ａでは、基板２が、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２を有している。これにより、試料Ｓに対して試料支持体１Ａを一回押し当てることで、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の両方に試料Ｓを付着させることができる。しかも、第１測定領域Ｒ１の第１表面領域２１ａには、導電層５が設けられており、第２測定領域Ｒ２の第２表面領域２２ａには、導電層５が設けられていない。これにより、第１測定領域Ｒ１においては、第１表面領域２１ａに対してレーザ光Ｌを照射することで、試料Ｓの質量分析等を行うことができ、第２測定領域Ｒ２においては、試料Ｓについて第１測定領域Ｒ１とは異なる分析を行うことができる。更に、第１測定領域Ｒ１を用いて得られた結果と第２測定領域Ｒ２を用いて得られた結果との相関を分析することで、試料Ｓについてより詳細な分析を行うことができる。このように、試料支持体１Ａによれば、１つの試料支持体１Ａによって、試料Ｓについて互いに異なる分析を効率的に行うことができる。また、試料Ｓに対して試料支持体１Ａを一回押し当てることで（１回のサンプリング）、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の両方に試料Ｓを付着させることができるため、第１測定領域Ｒ１に付着する試料Ｓの量と第２測定領域Ｒ２に付着する試料Ｓの量とのばらつきを抑制することができる。これにより、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２における分析を精度良く行うことができる。第１測定領域Ｒ１に付着する試料Ｓの量と第２測定領域Ｒ２に付着する試料Ｓの量とのばらつきが抑制されていると、上記相関の分析の精度が更に向上する。以上により、試料支持体１Ａによれば、試料Ｓについて高効率かつ高精度な分析を行うことが可能となる。

【0067】

導電層５は、試料Ｓの質量分析に適した材料によって形成されている。これにより、第１測定領域Ｒ１において、試料Ｓの質量分析を好適に行うことができる。

【0068】

第２測定領域Ｒ２は、光透過性を有している。第２測定領域Ｒ２の第２表面領域２２ａ、及び第２測定領域Ｒ２における第２表面領域２２ａとは反対側の表面領域（基板２の第２表面２ｂ）は、露出している。これにより、第２測定領域Ｒ２においては、光を透過させることで、第２測定領域Ｒ２に付着した試料Ｓの光透過率についての分析を行うことができる。

【0069】

基板２の厚さは、５μｍ～５０μｍである。これにより、基板２の強度を確保しつつ、第２測定領域Ｒ２の光透過性を確保することができる。

【0070】

第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、互いに繋がっている。これにより、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の面積を確保しつつ、第１測定領域Ｒ１に付着する試料Ｓの量と第２測定領域Ｒ２に付着する試料Ｓの量とのばらつきをより確実に抑制することができる。すなわち、例えば第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とが互いに離れている場合に比べると、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との距離が近くなるため、上記のばらつきが抑制される。また、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とが互いに繋がっていると、測定領域Ｒの全体に亘って、各測定器（例えばプローブ等）を第１表面２ａに近付けることができ、測定の精度を向上させることができる。

【0071】

基板２は、矩形板状を呈している。基板２は、厚さ方向Ｄから見た場合に、基板２の互いに異なる角部に位置するキャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２を有している。これにより、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の面積を確保しつつ、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２のそれぞれにおける分析に対応するキャリブレーションを行うことができる。

【0072】

［第２実施形態］
図１０及び図１１を参照して、第２実施形態の試料支持体１Ｂについて説明する。図１０に示されるように、試料支持体１Ｂは、基板２Ｂと、フレーム３Ｂと、導電層５と、導電層（第３導電層）５３と、導電層５４と、を備えている。一例として、試料支持体１ＢのＸ軸方向の長さは５ｃｍ程度であり、Ｙ軸方向の長さは２ｃｍ程度である。基板２ＢのＸ軸方向における長さは、基板２のＸ軸方向における長さよりも大きい。基板２Ｂのその他は、基板２と同じである。

【0073】

フレーム３ＢのＸ軸方向における長さは、フレーム３のＸ軸方向における長さよりも大きい。フレーム３Ｂの開口部３ａは、Ｘ軸方向に沿って延びる矩形状に形成されている。本実施形態では、開口部３ａは、矩形の各角部を直線状に切り欠いた形状に形成されている。

【0074】

フレーム３Ｂの各角部には、フレーム３Ｂの厚さ方向に貫通する開口部３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ，３４ｂが形成されている。各開口部３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ，３４ｂは、フレーム３の開口部３１ｂ，３２ｂと同様な形状に形成されている。基板２Ｂのうち各開口部３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ，３４ｂに対応する部分は、キャリブレーション用のキャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４として機能する。フレーム３Ｂのその他は、フレーム３と同じである。試料支持体１Ｂは、試料支持体１Ａと同様に、導電性テープ４によってスライドグラス８に固定されている。

【0075】

導電層５３，５４は、導電層５と同様に、各孔２ｃを塞がないように基板２Ｂの第１表面２ａに設けられている。導電層５３，５４は、導電層５とは異なる材料によって形成されている。本実施形態では、導電層５３は、例えばＡｕであり、導電層５４は、例えばＡｇである。

【0076】

基板２Ｂは、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２に加えて、第３測定領域Ｒ３及び第４測定領域Ｒ４を更に有している。本実施形態では、第１測定領域Ｒ１、第２測定領域Ｒ２、第３測定領域Ｒ３及び第４測定領域Ｒ４は、Ｘ軸方向における試料支持体１Ｂの一方側（図１０の図示左側）から他方側（図１０の図示右側）に向かって、この順に配置されている。第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、互いに繋がっている。第２測定領域Ｒ２と第３測定領域Ｒ３とは、互いに繋がっている。第３測定領域Ｒ３と第４測定領域Ｒ４とは、互いに繋がっている。第１測定領域Ｒ１、第２測定領域Ｒ２、第３測定領域Ｒ３及び第４測定領域Ｒ４の境界線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３は、Ｙ軸方向に沿って直線状に延びている。

【0077】

第１測定領域Ｒ１のその他は、第１実施形態の第１測定領域Ｒ１と同じである。第２測定領域Ｒ２のその他は、第１実施形態の第２測定領域Ｒ２と同じである。第３測定領域Ｒ３は、第１表面２ａのうちの第３表面領域２３ａを含んでいる。第３表面領域２３ａには、導電層５３が設けられている。第４測定領域Ｒ４は、第１表面２ａのうちの第４表面領域２４ａを含んでいる。第４表面領域２４ａには、導電層５４が設けられている。

【0078】

キャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２は、厚さ方向Ｄから見た場合に、基板２Ｂのうち第１測定領域Ｒ１に隣接する２つの角部のそれぞれに位置している。キャリブレーション領域Ｃ２，Ｃ３は、厚さ方向Ｄから見た場合に、基板２Ｂのうち第４測定領域Ｒ４に隣接する２つの角部のそれぞれに位置している。

【0079】

キャリブレーション領域Ｃ１の表面領域（第１表面２ａの一部）には、導電層５が設けられている。キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域（第１表面２ａの一部）には、導電層５，５３，５４が設けられていない。キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域は、露出している。つまり、キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域には、成膜されていない。キャリブレーション領域Ｃ３の表面領域（第１表面２ａの一部）には、導電層５３が設けられている。キャリブレーション領域Ｃ４の表面領域（第１表面２ａの一部）には、導電層５４が設けられている。

【0080】

第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２のそれぞれにおいては、試料支持体１Ａと同様に、試料Ｓのイメージング質量分析及び光透過率に関する分析のそれぞれを行うことができる。第３測定領域Ｒ３においては、例えば第１測定領域Ｒ１とは異なるイメージング質量分析を行うことができる。また、第３測定領域Ｒ３においては、例えば表面増強ラマン散乱（ＳＥＲＳ：Surface Enhanced Raman Scattering）を生じさせることができる。第４測定領域Ｒ４においては、例えば第１測定領域Ｒ１とは異なるイメージング質量分析を行うことができる。また、第４測定領域Ｒ４においては、例えば表面増強ラマン散乱を生じさせることができる。また、第４測定領域Ｒ４においては、例えば２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）を行うことができる。

【0081】

導電性テープ４１には、キャリブレーション領域Ｃ１，Ｃ２を露出させるための円形状の開口部４１ａ，４２ａが設けられている。導電性テープ４２には、キャリブレーション領域Ｃ３，Ｃ４を露出させるための円形状の開口部４３ａ，４４ａが設けられている。

【0082】

以上説明したように、試料支持体１Ｂによれば、試料支持体１Ａと同様に、試料Ｓについて高効率かつ高精度な分析を行うことが可能となる。また、第３測定領域Ｒ３及び第４測定領域Ｒ４のそれぞれにおいては、試料Ｓについて第１測定領域Ｒ１とは異なる分析を行うことができる。

【0083】

［変形例］
図１２に示されるように、試料支持体１Ａにおいて、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との境界線Ｂは、Ｙ軸方向に沿って直線状に延びていてもよい。第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２の配置は、必要に応じて任意に設定されていてもよい。また、第２測定領域Ｒ２の第２表面領域２２ａには、孔２ｃを塞がないように導電層５２（第２導電層）が設けられていてもよい。導電層５２は、例えばＡｌ等であってもよい。この場合、キャリブレーション領域Ｃ２の表面領域には、導電層５２が設けられている。このような構成によれば、第２測定領域Ｒ２においては、例えば表面増強ラマン散乱を生じさせることができる。

【0084】

図１３及び図１４に示されるように、試料支持体１Ａにおいて、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、互いに離れていてもよい。具体的には、フレーム３は、隔壁部３１を有していてもよい。隔壁部３１は、開口部３ａを横断している。隔壁部３１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、Ｘ軸方向に沿って直線状に延びている。隔壁部３１は、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との間に設けられている。基板２における隔壁部３１と重なる部分は、接着層６によって隔壁部３１に接合されている。このような構成によれば、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２との境界を明確にしつつ、基板２の強度を補強することができる。

【0085】

図１５及び図１６に示されるように、試料支持体１Ｂにおいて、第１測定領域Ｒ１と第２測定領域Ｒ２とは、互いに離れていてもよい。第２測定領域Ｒ２と第３測定領域Ｒ３とは、互いに離れていてもよい。第３測定領域Ｒ３と第４測定領域Ｒ４とは、互いに離れていてもよい。第３測定領域Ｒ３と第４測定領域Ｒ４とは、互いに離れていてもよい。具体的には、フレーム３Ｂは、複数の隔壁部３１を有していてもよい。

【0086】

各隔壁部３１は、開口部３ａを横断している。各隔壁部３１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、Ｙ軸方向に沿って直線状に延びている。各隔壁部３１は、厚さ方向Ｄから見た場合に、所定の間隔をもってＸ軸方向において並んでいる。各隔壁部３１は、第１測定領域Ｒ１、第２測定領域Ｒ２、第３測定領域Ｒ３及び第４測定領域Ｒ４の間に設けられている。基板２Ｂにおける各隔壁部３１と重なる部分は、接着層６によって各隔壁部３１に接合されている。

【0087】

試料Ｓが人の皮膚５０上に塗布されている例を示したが、試料Ｓは、人の皮膚５０上に塗布された試料ではなくてもよい。試料Ｓは、例えば生体試料等であってもよい。試料Ｓは、例えば、動物の臓器切片又は植物等であってもよい。

【0088】

基板２の第１表面２ａを試料Ｓに対向させた状態で、試料支持体１Ａを皮膚５０に押し当てることにより、測定領域Ｒに試料Ｓを付着させる例を示したが、基板２の第２表面２ｂを試料Ｓに対向させた状態で、試料支持体１Ａを皮膚５０に押し当てることにより、測定領域Ｒに試料Ｓを付着させてもよい。これにより、毛細管現象によって試料Ｓの成分Ｓ１を第２表面２ｂ側から第１表面２ａ側へと各孔２ｃを介して移動させることができる。その結果、第１表面２ａを試料Ｓの成分Ｓ１のイオン化に適した状態にすることができる。このような場合には、試料支持体１Ａは、スライドグラス８に固定されていない。

【0089】

各孔２ｃが基板２を貫通する貫通孔である例を示したが、各孔２ｃは、基板２を貫通していなくてもよい。各孔２ｃは、例えば第２表面２ｂには開口していなくてもよい。つまり、各孔２ｃにおける第２表面２ｂ側の部分は、塞がれていてもよい。各孔２ｃは、少なくとも第１表面２ａに開口していればよい。

【0090】

導電層５，５２，５３，５４の材料は、限定されない。導電層５２，５３，５４が導電層５と異なっていれば、各導電層５，５２，５３，５４の材料は、様々な組合せを有していてもよい。

【0091】

第２測定領域Ｒ２は、帯電した微小液滴（charged-droplets）を照射することにより、試料を脱離・イオン化する方法である脱離エレクトロスプレーイオン化法（ＤＥＳＩ：Desorption Electrospray Ionization）に用いられてもよい。また、第２測定領域Ｒ２は、核磁気共鳴（ＮＭＲ：Nuclear Magnetic Resonance）に用いられてもよい。この場合、隔壁部３１が設けられていると、第２測定領域Ｒ２のみを試料支持体１Ａ，１Ｂから容易に剥離させることができる。また、第２測定領域Ｒ２は、ラマン分光法によるイメージング分析、又は赤外分光法に用いられてもよい。

【0092】

試料支持体１Ｂは、第２測定領域Ｒ２、第３測定領域Ｒ３及び第４測定領域Ｒ４の少なくとも１つを有していてもよい。例えば、試料支持体１Ｂは、第３測定領域Ｒ３又は第４測定領域Ｒ４の少なくとも１つを有していなくてもよい。

【0093】

導電層５，５３，５４は、少なくとも第１表面２ａに設けられていればよい。導電層５，５３，５４は、第１表面２ａに加えて、例えば、第２表面２ｂにも設けられてもよいし、各孔２ｃの内面の全体又は一部にも設けられてもよい。

【0094】

電圧印加部１４によって電圧が印加される対象は、載置面８ａに限られない。例えば、電圧は、フレーム３，３Ｂ又は導電層５，５３，５４に直接印加されてもよい。

【0095】

質量分析装置１０は、走査型の質量分析装置であってもよいし、投影型の質量分析装置であってもよい。走査型の場合、照射部１３による１回のレーザ光Ｌの照射毎に、レーザ光Ｌのスポット径に対応する大きさの１画素の信号が取得される。つまり、１画素毎にレーザ光Ｌの走査（照射位置の変更）及び照射が行われる。一方、投影型の場合、照射部１３による１回のレーザ光Ｌの照射毎に、レーザ光Ｌのスポット径に対応する画像（複数の画素）の信号が取得される。投影型の場合においてレーザ光Ｌのスポット径に測定領域Ｒの全体が含まれる場合には、１回のレーザ光Ｌの照射によってイメージング質量分析を行うことができる。なお、投影型の場合においてレーザ光Ｌのスポット径に測定領域Ｒの全体が含まれない場合には、走査型と同様にレーザ光Ｌの走査及び照射を行うことにより、測定領域Ｒ全体の信号を取得することができる。また、上述したイオン化方法は、イオンモビリティ測定等の他の測定・実験にも利用することができる。

【0096】

試料支持体の用途は、レーザ光Ｌの照射による試料のイオン化に限定されない。試料支持体は、レーザ光、イオンビーム、電子線等のエネルギー線の照射による試料のイオン化に用いることができる。上述したイオン化方法及び質量分析方法では、このようなエネルギー線の照射によって試料をイオン化することができる。

【符号の説明】

【0097】

１Ａ，１Ｂ…試料支持体、２…基板、２ａ…第１表面、２ｃ…孔、５…第１導電層、２１ａ…第１表面領域、２２ａ…第２表面領域、２３ａ…第３表面領域、２４ａ…第４表面領域、３１…隔壁部、５２…第２導電層、５３…第３導電層、Ｃ１，Ｃ２…キャリブレーション領域、Ｒ１…第１測定領域、Ｒ２…第２測定領域、Ｒ３…第３測定領域、Ｓ…試料。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】