▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022186804
(43)【公開日】2022-12-15
(54)【発明の名称】ディスプレー装置
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20221208BHJP
H01L 51/50 20060101ALI20221208BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20221208BHJP
H05B 33/06 20060101ALI20221208BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
H05B33/14 A
H05B33/02
H05B33/06
【審査請求】有
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022165000
(22)【出願日】2022-10-13
(62)【分割の表示】P 2020199299の分割
【原出願日】2020-12-01
(31)【優先権主張番号】10-2019-0158908
(32)【優先日】2019-12-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100094112
【弁理士】
【氏名又は名称】岡部 讓
(74)【代理人】
【識別番号】100106183
【弁理士】
【氏名又は名称】吉澤 弘司
(72)【発明者】
【氏名】鄭 浩 永
(72)【発明者】
【氏名】金 學 鎭
(57)【要約】
【課題】前面を撮影するカメラを前面に露出せず、表示パネルの下部に配置するディスプレー装置を提供する。
【解決手段】映像が表示される表示領域を含み、基板と、前記基板の上部に位置し、前記表示領域に配置される第１配線を含む表示パネルと、前記表示パネルの前面の外部に露出されず、前記表示パネルの前方を撮影し、前記表示パネルの前記表示領域の下に配置され、前記表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラとを含み、前記第１配線の全体または一部は、前記第１領域と重畳し、前記第１配線で前記第１領域と重畳する第１部分は、前記基板の上部に位置する第１半透過層と、前記第１半透過層上に位置する第１光経路補償層と、前記第１光経路補償層上に位置し、第１メタルを含む第１メタル層と、を含むディスプレー装置。
【選択図】図７
【解決手段】映像が表示される表示領域を含み、基板と、前記基板の上部に位置し、前記表示領域に配置される第１配線を含む表示パネルと、前記表示パネルの前面の外部に露出されず、前記表示パネルの前方を撮影し、前記表示パネルの前記表示領域の下に配置され、前記表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラとを含み、前記第１配線の全体または一部は、前記第１領域と重畳し、前記第１配線で前記第１領域と重畳する第１部分は、前記基板の上部に位置する第１半透過層と、前記第１半透過層上に位置する第１光経路補償層と、前記第１光経路補償層上に位置し、第１メタルを含む第１メタル層と、を含むディスプレー装置。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ディスプレー装置において、
映像が表示される表示領域を含み、基板と、前記基板の上部に位置し、前記表示領域に配置される第１配線を含む表示パネルと、
前記表示パネルの前面の外部に露出されず、前記表示パネルの前方を撮影し、前記表示パネルの前記表示領域の下に配置され、前記表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラと、を含み、
前記第１配線の全体または一部は、前記第１領域と重畳し、
前記第１配線で前記第１領域と重畳する第１部分は、前記基板の上部に位置する第１半透過層と、前記第１半透過層上に位置する第１光経路補償層と、前記第１光経路補償層上に位置し、第１メタルを含む第１メタル層と、を含むディスプレー装置。
映像が表示される表示領域を含み、基板と、前記基板の上部に位置し、前記表示領域に配置される第１配線を含む表示パネルと、
前記表示パネルの前面の外部に露出されず、前記表示パネルの前方を撮影し、前記表示パネルの前記表示領域の下に配置され、前記表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラと、を含み、
前記第１配線の全体または一部は、前記第１領域と重畳し、
前記第１配線で前記第１領域と重畳する第１部分は、前記基板の上部に位置する第１半透過層と、前記第１半透過層上に位置する第１光経路補償層と、前記第１光経路補償層上に位置し、第１メタルを含む第１メタル層と、を含むディスプレー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施例は、ディスプレー装置に関する。
【背景技術】
【0002】
情報化社会が発展するによって画像を表示するディスプレー装置についての要求が増加しており、液晶ディスプレー装置、有機発光ディスプレー装置、または量子ドットディスプレー装置のような様々な種類のディスプレー装置が活用されている。
【0003】
また、ディスプレー装置は、ユーザにより様々な応用機能を提供するために、タッチセンサーなどを用いる入力方式と、カメラおよび近接センサーなどの光学装置を提供している。これにより、ディスプレー装置のデザインが困難になる問題点がある。特に、カメラおよび近接センサーなどは、光の出入りのために外部に露出するしかないため、表示パネルの表示領域が減少するしかないという問題点がある。
【0004】
これによって、従来には、ディスプレー装置の前面デザインは、光学装置の設置および露出のために大きなベゼルを備えたデザインとして設計されるか、表示パネルがノッチ状で切り取られるデザインとして設計されるか、または光学装置が表示パネルの一部分にホール形で露出されるデザインとして設計される問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１９－１０９５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本開示の実施例は、前面を撮影するカメラを前面に露出せず、表示パネルの下部に配置するディスプレー装置を提供し得る。
【0007】
また、本開示の実施例は、前面を撮影するカメラが前面に露出されず、表示パネルの下部に配置されても、ハイクオリティーの前面イメージを獲得できるディスプレー装置を提供し得る。
【0008】
また、本開示の実施例は、前面を撮影するカメラを前面に露出せず、表示パネルの下部に配置する場合、カメラの撮影に必要な外部光が表示パネルの内部に入射し、表示パネル内の配線とカメラとの間で無限に繰り返される現象を防止し、高解像度のイメージを獲得できるディスプレー装置を提供し得る。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本開示の実施例は、映像が表示される表示領域を含み、基板と、基板の上部に位置し、表示領域に配置される第１配線を含む表示パネルと、表示パネルの前面の外部に露出されず、表示パネルの前面を撮影し、表示パネルの表示領域の下に配置され、表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラと、を含むディスプレー装置を提供し得る。
【0010】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１配線の全体または一部は、第１領域と重畳し得る。第１配線で第１領域と重畳する部分は、基板の上部に位置する第１半透過層と、第１半透過層上に位置する第１光経路補償層と、第１光経路補償層上に位置し、第１メタル（Ｓ／Ｄ）を含む第１メタル層と、を含み得る。
【0011】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層は、第１光経路補償層の厚さよりも薄い厚さを有し得る。
【0012】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層、第１光経路補償層および第１メタル層のうち、カメラと最も隣接する第１半透過層の厚さが最も薄く、外部光が入射する部分と最も隣接する第１メタル層の厚さが最も厚いことがある。
【0013】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層は、１ないし５ｎｍの厚さを有し、第１光経路補償層は、３０ないし１２０ｎｍの厚さを有し得る。
【0014】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、外部光が第１配線の側面の開口部に入射してカメラの前面から反射し、カメラの前面から反射した外部光の一部は、第１半透過層の背面から反射し、カメラの前面から反射した外部光の他の一部は、第１半透過層および第１光経路補償層を透過し、第１メタル層の背面から反射し得る。
【0015】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層の背面から反射した外部光と、第１第１メタル層の背面から反射した外部光は、１８０度の奇数倍だけの位相差を有し得る。
【0016】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１光経路補償層は、導電性透明材料を含み得る。
【0017】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、表示領域で第１領域を除いた領域は、第２領域であり、第１配線は、第１領域と重畳する部分と第２領域と重畳する部分を含み得る。第１配線で第２領域と重畳する部分は、第１半透過層および第１光経路補償層なしに、第１メタルを含む第１メタル層を含み得る。
【0018】
本開示の実施例は、映像が表示される表示領域を含み、基板と、基板の上部に位置し、表示領域に配置される電極を含む表示パネルと、表示パネルの前面の外部に露出されず、表示パネルの前面を撮影し、前記表示パネルの前記表示領域の下に配置され、表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラと、を含むディスプレー装置を提供し得る。
【0019】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、電極は、カメラと重畳する第１領域に重畳し、電極は、基板の上部に位置する半透過層と、半透過層上に位置する光経路補償層と、光経路補償層上に位置するメタル層と、を含み得る。
【0020】
半透過層は、光経路補償層の厚さよりも薄い厚さを有し得る。
【0021】
電極は、第１領域と重畳するサブピクセル内のトランジスターの電極であるか、または第１領域と重畳するキャパシタのプレートであり得る。
【発明の効果】
【0022】
本開示の実施例によると、前面を撮影するカメラを前面に露出せず、表示パネルの下部に配置するディスプレー装置を提供し得る。
【0023】
本開示の実施例によると、前面を撮影するカメラを前面に露出せず、表示パネルの下部に配置しても、ハイクオリティーの前面イメージを獲得できるディスプレー装置を提供し得る。
【0024】
本開示の実施例によると、前面を撮影するカメラを前面に露出せず、表示パネルの下部に配置する場合、カメラの撮影に必要な外部光が表示パネルの内部に入射し、表示パネル内の配線とカメラとの間で無限に繰り返される現象を防止し、高解像度のイメージを獲得できるディスプレー装置を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本開示の実施例によるディスプレー装置を示した図面。
【図2】本開示の実施例によるディスプレー装置の画面構成を示した図面。
【図3】本開示の実施例によるディスプレー装置の概略的な断面図。
【図4】本開示の実施例によるディスプレー装置のディスプレーパートの構成図。
【図5】本開示の実施例によるディスプレー装置のタッチセンシングパートおよび指紋センシングパートの構成図。
【図6】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内のタッチセンサー構造の例示図。
【図7】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内のタッチセンサー構造の他の例示図。
【図8】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内のタッチセンサー構造のまた他の例示図。
【図9】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネルの断面図。
【図10】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内のタッチ電極を示した例示図。
【図11】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内の偏光板を示した図面。
【図12】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内の近接センサーのための光発生装置の位置を説明するための図面。
【図13】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示パネル内の近接センサーのための光発生装置の位置を説明するための図面。
【図14】本開示の実施例によるディスプレー装置の異種カソード電極層を示した図面。
【図15】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内のカメラが配置された第１領域での配線構造を示した図面。
【図16】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内のカメラが配置された第１領域での低反射構造を示した図面。
【図17】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造をより詳細に示した図面。
【図18a】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造とカメラが配置されない第２領域での配線構造を示した図面。
【図18b】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造とカメラが配置されない第２領域での配線構造を示した図面。
【図18c】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造とカメラが配置されない第２領域での配線構造を示した図面。
【図19】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造を適用した場合に、低反射効果を示したグラフ。
【図20】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造を適用した場合に、低反射効果を示したグラフ。
【図21】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、カメラが配置された第１領域での低反射構造を適用したデータラインとゲートラインを示した図面。
【図22】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、第１領域に配置されたカメラとサブピクセルを示した図面。
【図23】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、第１領域と第２領域についての断面図。
【図24】本開示の実施例によるディスプレー装置の表示領域内で、第１領域と第２領域についての他の断面図。
【図25】本開示の実施例によるディスプレー装置のカメラが表示領域の中央に位置する場合を示した図面。
【発明を実施するための形態】
【0026】
本開示の利点および特徴、そしてこれらを達成する方法は、添付される図面とともに詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本開示は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形で実装され、単に本実施例は、本開示の開示が完全するようにし、本開示が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本開示の発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。
【0027】
本開示の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは、例示的なものであるため、本開示に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一の参照符号は、同一の構成要素を指称する。また、本開示を説明するにおいて、係る公知技術についての具体的な説明が本開示の要旨を不必要にぼかすことができると判断される場合、その詳細な説明は省略する。
【0028】
本開示上で言及した「含む」、「有する」、「行われる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない以上、他の部分が追加され得る。構成要素を単数として表現した場合に特別に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【0029】
構成要素を解釈するにおいて、別の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むことと解釈する。
【0030】
位置関係についての説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～横に」などで２つの部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使用されない以上、２つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置し得る。
【0031】
時間関係についての説明の場合、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間的先後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使用されない以上、連続的ではない場合も含み得る。
【0032】
第１、第２などが様々な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に１つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で記載される第１構成要素は、本開示の技術的思想内で第２構成要素であり得る。
【0033】
「少なくとも１つ」の用語は、１つ以上の関連項目から提示可能なすべての組合せを含むものと理解されるべきである。例えば、「第１項目、第２項目および第３項目のうち、少なくとも１つ」の意味は、それぞれ第１項目、第２項目、第３項目だけでなく、第１項目、第２項目および第３項目のうち、２つ以上から提示できるすべての項目の組合せを意味し得る。
【0034】
本開示の様々な例のそれぞれの特徴が部分的、または全体的に互いに結合または組合せが可能であり、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各例が互いについて独立的に実施でき、連関関係としてともに実施できる。
【0035】
以下では、本開示の実施例によるディスプレー装置の例を添付された図面を参照して具体的に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するにおいて、同一の構成要素については、たとえ他の図面上に表示されても、できるだけ同一の符号を有し得る。そして、添付された図面に図示された構成要素のスケールは、説明の便宜のために実際とは異なるスケールを有するので、図面に図示されたスケールに限定されない。
【0036】
図１は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０を前面から見た平面図である。本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、映像を表示する機能と、指やペンなどによるタッチをセンシングする機能と、指紋をセンシングする機能を提供し得る。
【0037】
図１を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、映像を表示する表示パネル１００と、表示パネル１００を保護するケース２００を含み得る。図１では、ユーザが前面から見るとき、ケース２００の一部分が見えることに示されているが、場合によって、フルディスプレータイプ（Ｆｕｌｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｔｙｐｅ）に具現された場合、ユーザが前面から見るとき、ケース２００が全く見えないか、またはほとんど見えず、表示パネル１００のみ見えることもある。表示パネル１００の表示領域のみ見えることもあり、表示領域外郭の非表示領域（ベゼルともいう）が見えることもある。
【0038】
図１を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、表示パネル１００の表示領域の全体で、指やペンなどによるタッチをセンシングでき、指紋もセンシングできる。すなわち、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、前面タッチセンシングおよび前面指紋センシングを提供し得る。
【0039】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、光学装置として、撮影のためのカメラ１１０、周辺に人体や物体が近付いたことを感知するための近接センサー１２０などを含み得る。本開示のカメラ１１０は、前面を撮影する前面カメラである。
【0040】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０を前面から見るとき、カメラ１１０および近接センサー１２０のうち、１つ以上の光学装置が外部から見えない。このために、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、カメラ１１０および近接センサー１２０のうち、１つ以上の光学装置が表示パネル１００の下部に位置する構造を有する。
【0041】
本開示において、外部に露出されず、表示パネル１００の下部に位置するカメラ１１０をＵＤＣ（Ｕｎｄｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃａｍｅｒａ）ともいう。そして、これらのカメラ１１０を含むディスプレー装置１０をカメラ内蔵型ディスプレーという。
【0042】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、光学装置のこのような位置にもかかわらず、カメラ１１０の正常な撮影機能を可能にするか、または、近接センサー１２０の近接センシング機能を可能にする構造を提供する。この構造について以下で詳細に説明する。
【0043】
図２は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の画面構成を示した図面である。
【0044】
図２を参照すると、表示パネル１００は、映像が表示される表示領域ＡＡと、映像が表示されず、表示領域ＡＡの外郭領域である非表示領域ＮＡを含み得る。
【0045】
図２を参照すると、表示領域ＡＡは、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２を含み得る。表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１は、カメラ１１０の撮影が行われるレンズが位置するカメラ領域（カメラレンズ領域）を含み得る。また、表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１は、物体や人体の接近を感知できる近接センシング領域を含み得る。本開示における、表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１と重畳するカメラ１１０は、カメラレンズを意味し得る。
【0046】
例えば、ユーザがディスプレー装置１０を握って自分を撮影するとき、第１領域Ａ１を眺めながら撮影する。ユーザが第１領域Ａ１を顔や指で遮るようになれば、ディスプレー装置１０は、近接センサー１２０を介してユーザの顔や指の近接を感知し、予め指定された動作（例：画面オフなど）を行い得る。
【0047】
表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１は、外部から光学装置への光が入って来る経路（入光部）であり得る。ここで、光は、可視光線、赤外線、または紫外線などの電磁気波であり得る。
【0048】
図２を参照すると、カメラ１１０および近接センサー１２０のうち、１つ以上の光学装置は、第１領域Ａ１の下の部分に位置し得る。すなわち、カメラ１１０および近接センサー１２０のうち、１つ以上の光学装置は、第１領域Ａ１と重畳し得る。
【0049】
図３は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の概略的な断面図である。図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、表示パネル１００の下部に位置するが、表示パネル１００の表示領域ＡＡと重畳するように光学装置（例：カメラ１１０、近接センサー１２０など）が位置しても、光学装置の本来の機能（例：撮影機能、近接センサー１２０の受光機能など）が正常に行われ、ディスプレー機能も正常に行われるようにする構造を有する。
【0050】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、光学装置の機能のために、光（外部光）が入って来る外光入光部ＩＡで独特な構造を有する。外光入光部ＩＡは、表示領域ＡＡ内に位置する。
【0051】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、透明基板３２０と、多数のサブピクセルＳＰを形成するためのサブピクセル別パターンが形成されるサブピクセル形成部３３０と、サブピクセル形成部３３０上に位置し、共通電圧に該当するカソード電圧が印加される異種カソード電極層３４０と、異種カソード電極層３４０上に配置され、外郭で斜面を有する封止層３５０と、封止層３５０上に配置され、タッチ電極を含むタッチセンサー層３６０と、を含み得る。
【0052】
サブピクセル形成部３３０は、透明基板３２０の上部で表示領域ＡＡに位置し、多数のサブピクセルのそれぞれに配置される１つ以上のトランジスターを含むトランジスターアレイ３３１と、トランジスターアレイ３３１上に位置し、多数のサブピクセルのそれぞれに配置され、当該のトランジスターのソースノードまたはドレインノードと電気的に接続されるアノード電極を含むアノード電極層３３２と、アノード電極層３３２上に位置し、多数のサブピクセルのそれぞれで当該のアノード電極上に位置する発光層３３３と、を含み得る。
【0053】
異種カソード電極層３４０は、発光層３３３上に位置する。これによって、アノード電極層３３２、発光層３３３および異種カソード電極層３４０は、多数のサブピクセル別発光素子（例：ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）など）を形成する。
【0054】
タッチセンサー層３６０は、多数のタッチ電極を含み、多数のタッチ電極の全体または一部と電気的に接続される多数のタッチラインをさらに含み得る。
【0055】
例えば、多数のタッチ電極は、１つの層に配置され得、絶縁層によって分離される２つ以上の層に分けて配置され得る。多数のタッチラインは、多数のタッチ電極と他の層に位置し得、多数のタッチ電極のうち、一部と同じ層に位置し得る。
【0056】
多数のタッチ電極は、表示領域ＡＡに配置され、多数のタッチラインのそれぞれは、表示領域ＡＡに位置する当該のタッチ電極と非表示領域ＮＡに位置するパッド部を電気的に接続し得る。したがって、多数のタッチラインは、非表示領域ＮＡを通過することになる。多数のタッチラインは、封止層３５０の斜面に沿って下りてき、パッド部と電気的に接続され得る。
【0057】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、タッチセンサー層３６０上に配置される偏光板３７０と、偏光板３７０上に配置される光学用の透明接着剤３８０と、光学用の透明接着剤３８０上に位置するカバーガラス３９０と、をさらに含み得る。
【0058】
図３を参照すると、表示パネル１００は、透明基板３２０、サブピクセル形成部３３０、異種カソード電極層３４０、封止層３５０、タッチセンサー層３６０、偏光板３７０、光学用の透明接着剤３８０およびカバーガラス３９０などを含み得る。
【0059】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、表示パネル１００の下に位置する指紋センサーパネル３００をさらに含み得る。すなわち、指紋センサーパネル３００は、透明基板３２０の下部に位置し得る。
【0060】
図３を参照すると、表示パネル１００と指紋センサーパネル３００との間に空気層が存在すると、指紋センサーパネル３００による指紋センシング性能が低下するか、または指紋センシング自体が不可能になることもある。したがって、表示パネル１００と指紋センサーパネル３００との間に空気層が存在しないように、表示パネル１００と指紋センサーパネル３００は、ボンディング物質（例：レジン（Ｒｅｓｉｎ）、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）、ＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）など）でボンディングできる。
【0061】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、表示パネル１００と指紋センサーパネル３００との間に位置するバックプレート３１０をさらに含み得る。表示パネル１００は、バックプレート３１０の上面にボンディングされ、指紋センサーパネル３００は、バックプレート３１０の下面にボンディングできる。ここで、バックプレート３１０は、必須の構成ではない。
【0062】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、指紋センサーパネル３００の下に位置し、指紋センサーパネル３００の下部を保護するクッションプレート３０６をさらに含み得る。クッションプレート３０６は、フォームパッド３０２と、銅（Ｃｕ）などからなる金属プレート３０４などを含み得る。
【0063】
図３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、透明基板３２０の下部で表示領域ＡＡに位置する光学装置をさらに含み得る。光学装置は、一例として、カメラ１１０および近接センサー１２０のうち、１つ以上を含み得る。以下では、カメラ１１０および近接センサー１２０の両方が透明基板３２０の下部で表示領域ＡＡに位置する光学装置であるものとして説明する。
【0064】
図３を参照すると、カメラ１１０および近接センサー１２０は、表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１に位置し得る。すなわち、カメラ１１０および近接センサー１２０は、表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１と重畳し得る。
【0065】
図３における、外光入光部ＩＡは、光の経路として、カメラ１１０の撮影のための可視光線が出入りするか、または近接センサー１２０の受光のための光（例：赤外線）が出入りする経路である。外光入光部ＩＡは、平面で見るときは、図２の第１領域Ａ１に該当する。
【0066】
第１領域Ａ１は、カメラ１１０の撮影が行われるレンズが位置するカメラ領域（カメラレンズ領域）であり、物体や人体の接近を感知できる近接センシング領域であり得る。したがって、第１領域Ａ１は、外光入光部ＩＡであるので、光がよく透過する。
【0067】
このため、入光経路上に位置する層３９０、３８０、３７０、３６０、３５０、３４０、３３０、３１０のそれぞれは、第１領域Ａ１と対応する部分で、カメラ１１０および近接センサー１２０それぞれの機能を可能にするレベルに予め設定された臨界透過度以上の高い透過度を有し得る。これについて、以下でより詳細に説明する。
【0068】
一方、第１領域Ａ１は、図２に例示されたように、表示領域ＡＡ内に位置するが、表示領域ＡＡ内で外郭に位置し得る。これとは異なり、第１領域Ａ１は、表示領域ＡＡ内の中央に位置し得る。第１領域Ａ１は、上から見るとき、所定の形状（例：四角形、六角形などの多角形、円形、または楕円形など）を有し得る。
【0069】
図４は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０のディスプレーパートの構成図である。図４を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０において、ディスプレーパートは、多数のデータラインＤＬおよび多数のゲートラインＧＬが配置され、多数のサブピクセルＳＰが配置される表示パネル１００と、多数のデータラインＤＬを駆動するデータ駆動回路４２０と、多数のゲートラインＧＬを駆動するゲート駆動回路４３０と、データ駆動回路４２０とゲート駆動回路４３０を制御するディスプレーコントローラー４４０と、を含み得る。
【0070】
データ駆動回路４２０は、ディスプレーコントローラー４４０のタイミング制御によって多数のデータラインＤＬに映像データ電圧Ｖｄａｔａを供給できる。ゲート駆動回路４３０は、ディスプレーコントローラー４４０のタイミング制御によって多数のゲートラインＧＬにスキャン信号ＳＣＡＮを順次に供給できる。
【0071】
表示パネル１００の表示領域ＡＡに配置された多数のデータラインＤＬは、表示パネル１００の非表示領域ＮＡに位置するディスプレーパッド部４２１に電気的に接続される。ディスプレーパッド部４２１には、データ駆動回路４２０が電気的に接続される。
【0072】
データ駆動回路４２０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）タイプとして具現され、表示パネル１００のディスプレーパッド部４２１にボンディングされた回路フィルムに実装し得る。または、データ駆動回路４２０は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）タイプまたはＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）タイプとして具現され、表示パネル１００のディスプレーパッド部４２１に直接に実装し得る。
【0073】
ゲート駆動回路４３０は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）タイプとして具現され、表示パネル１００に電気的に接続された回路フィルムに実装し得る。または、ゲート駆動回路４３０は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）タイプまたはＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）タイプとして具現され、表示パネル１００の非表示領域ＮＡ上に実装し得る。この場合、ゲート駆動回路４３０をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）タイプまたはＣＯＰ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）タイプであるという。または、ゲート駆動回路４３０は、ＧＩＰ（Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプとして具現され、表示パネル１００の非表示領域ＮＡに形成され得る。
【0074】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、バックライトユニットを含む液晶表示装置（ＬＣＤ）であり得、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレー、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）ディスプレー、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレーなどの自発光ディスプレーであり得る。
【0075】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０がＯＬＥＤディスプレーの場合、各サブピクセルＳＰは、自ら光を放つ有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光素子として含み得る。本実施例によるディスプレー装置１０が量子ドットディスプレーの場合、各サブピクセルＳＰは、自ら光を放つ半導体結晶である量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）で作られた発光素子を含み得る。本実施例によるディスプレー装置１０がマイクロＬＥＤディスプレーの場合、各サブピクセルＳＰは、自ら光を放ち、無機物をベースに作られたマイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を発光素子として含み得る。
【0076】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０において、各サブピクセルＳＰは、発光素子ＥＤと、発光素子ＥＤに流れる電流を制御する駆動トランジスターＤＲＴと、映像データ電圧Ｖｄａｔａを駆動トランジスターＤＲＴに伝達するスキャントランジスターＳＣＴと、一定期間の電圧の維持のためのストレージキャパシタＣｓｔと、を含み得る。
【0077】
発光素子ＥＤは、アノード電極ＡＥおよびカソード電極ＣＥと、アノード電極ＡＥおよびカソード電極ＣＥとの間に位置する発光層ＥＬを含む。発光素子ＥＤは、一例として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、量子ドット発光素子であり得る。
【0078】
発光素子ＥＤのカソード電極ＣＥは、共通電極であり得る。この場合、発光素子ＥＤのカソード電極ＣＥには、基底電圧ＥＶＳＳが印加されることができる。ここで、基底電圧ＥＶＳＳは、一例として、グラウンド電圧であるか、またはグラウンド電圧と類似の電圧であり得る。
【0079】
駆動トランジスターＤＲＴは、発光素子ＥＤを駆動するためのトランジスターとして、第１ノード（Ｎ１）、第２ノード（Ｎ２）および第３ノード（Ｎ３）を含む。
【0080】
駆動トランジスターＤＲＴの第１ノード（Ｎ１）は、ゲートノードに該当するノードとして、スキャントランジスターＳＣＴのソースノードまたはドレインノードと電気的に接続され得る。駆動トランジスターＤＲＴの第２ノード（Ｎ２）は、発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥと電気的に接続され得、ソースノードまたはドレインノードであり得る。駆動トランジスターＤＲＴの第３ノード（Ｎ３）は、駆動電圧ＥＶＤＤが印加されるノードとして、駆動電圧ＥＶＤＤを供給する駆動ラインＤＶＬ（Ｄｒｉｖｉｎｇ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｌｉｎｅ）と電気的に接続され得、ドレインノードまたはソースノードであり得る。
【0081】
スキャントランジスターＳＣＴは、ゲートラインＧＬから供給されるスキャン信号ＳＣＡＮに応答し、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノード（Ｎ１）と当該のデータラインＤＬ間の接続を制御できる。
【0082】
スキャントランジスターＳＣＴのドレインノードまたはソースノードは、当該のデータラインＤＬに電気的に接続され得る。スキャントランジスターＳＣＴのソースノードまたはドレインノードは、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノード（Ｎ１）に電気的に接続され得る。スキャントランジスターＳＣＴのゲートノードは、ゲートラインＧＬと電気的に接続され、スキャン信号ＳＣＡＮの印加を受けられる。
【0083】
スキャントランジスターＳＣＴは、ターンオンレベル電圧のスキャン信号ＳＣＡＮによってターンオンされ、当該のデータラインＤＬから供給された映像データ電圧Ｖｄａｔａを駆動トランジスターＤＲＴの第１ノード（Ｎ１）に伝達し得る。
【0084】
スキャントランジスターＳＣＴは、ターンオンレベル電圧のスキャン信号ＳＣＡＮによってターンオンされ、ターンオフレベル電圧のスキャン信号ＳＣＡＮによってターンオフされる。ここで、スキャントランジスターＳＣＴがｎタイプの場合、ターンオンレベル電圧は、ハイレベル電圧であり、ターンオフレベル電圧は、ローレベル電圧であり得る。スキャントランジスターＳＣＴがｐタイプの場合、ターンオンレベル電圧は、ローレベル電圧であり、ターンオフレベル電圧は、ハイレベル電圧であり得る。
【0085】
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノード（Ｎ１）と第２ノード（Ｎ２）との間に電気的に接続され、映像信号電圧に該当する映像データ電圧Ｖｄａｔａまたはこれに対応する電圧を１フレーム時間の間維持し得る。
【0086】
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノード（Ｎ１）と第２ノード（Ｎ２）との間に存在する内部キャパシタ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、駆動トランジスターＤＲＴの外部に意図的に設計した外部キャパシタ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）であり得る。
【0087】
駆動トランジスターＤＲＴおよびスキャントランジスターＳＣＴそれぞれは、ｎタイプのトランジスターであるか、またはｐタイプのトランジスターであり得る。駆動トランジスターＤＲＴおよびスキャントランジスターＳＣＴの両方がｎタイプのトランジスターであるか、またはｐタイプのトランジスターであり得る。駆動トランジスターＤＲＴおよびスキャントランジスターＳＣＴのうち、少なくとも１つは、ｎタイプのトランジスター（またはｐタイプのトランジスター）であり、残りは、ｐタイプのトランジスター（またはｎタイプのトランジスター）であり得る。
【0088】
図４に例示された各サブピクセル構造は、説明のための例示であるだけで、１つ以上のトランジスターをさらに含むか、場合によっては、１つ以上のキャパシタをさらに含み得る。または、多数のサブピクセルのそれぞれが同じ構造からなり得、多数のサブピクセルのうち、一部は、他の構造からなり得る。
【0089】
図５は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０のタッチセンシングパートおよび指紋センシングパートの構成図である。 図５を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０において、タッチデータを用いてタッチ有無またはタッチ位置を獲得するプロセッサ５３０などをセンシングするパートは、ユーザが指またはペンなどのタッチポインタで表示パネル１００をタッチする場合、タッチ位置またはタッチ有無をセンシングするパートとして、タッチセンサーが内蔵された表示パネル１００と、タッチセンサーを駆動してセンシングし、タッチセンシングデータを出力するタッチ駆動回路５１０を含み得る。
【0090】
表示パネル１００に内蔵されたタッチセンサーは、表示パネル１００のタッチセンシング領域ＴＳＡに配置された多数のタッチ電極ＴＥを含む。ここで、タッチセンシング領域ＴＳＡは、表示領域ＡＡと対応し得る。
【0091】
表示パネル１００の非表示領域ＮＡには、タッチ駆動回路５１０が電気的に接続されるタッチパッド部５１１が存在し得る。表示パネル１００には、多数のタッチ電極ＴＥとタッチパッド部５１１を電気的に接続させる多数のタッチラインＴＬを介して多数のタッチ電極ＴＥと電気的に接続され得る。
【0092】
タッチパッド部５１１は、透明基板３２０上に位置するが、表示領域ＡＡの外郭領域である非表示領域ＮＡに位置し得る。多数のタッチラインＴＬは、多数のタッチ電極ＴＥの全体または一部と電気的に接続され、封止層３５０の斜面に沿って下りてき、タッチパッド部５１１と電気的に接続され得る。
【0093】
タッチ駆動回路５１０は、多数のタッチ電極ＴＥの全体または一部を駆動し、多数のタッチ電極ＴＥの全体または一部をセンシングし、タッチセンシングデータを生成してプロセッサ５３０に供給できる。
【0094】
プロセッサ５３０は、タッチセンシングデータに基づいて、タッチ有無またはタッチ位置を決定し、決定されたタッチ有無または決定されたタッチ位置に基づいて、決められた機能（例：入力処理、オブジェクト選択処理、筆記処理など）を行い得る。タッチ駆動回路５１０は、データ駆動回路４２０と統合されて集積回路の形態として具現できる。
【0095】
図５を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の指紋センシングパートは、ユーザの指紋をセンシングするパートとして、多数の指紋センシングピクセルＦＰ－ＰＸＬが配置される指紋センサーパネル３００と、指紋センサーパネル３００を駆動してセンシングし、指紋センシングデータを出力する指紋駆動回路５２０と、指紋センシングデータを用いて指紋を認識し、指紋認識の結果によって決められた機能（例：ユーザ認証など）を行うプロセッサ５３０と、を含み得る。
【0096】
本開示の実施例によるディスプレー装置１０の指紋センシングパートは、光学方式、超音波方式などで指紋をセンシングできる。以下で、ディスプレー装置１０の指紋センシングパートは、超音波指紋センシングを行うことを例に挙げる。
【0097】
指紋センサーパネル３００は、指紋センシング領域ＦＳＡに配置された多数の指紋センシングピクセルＦＰ－ＰＸＬを含む。ここで、指紋センシング領域ＦＳＡは、表示領域ＡＡと対応し得る。
【0098】
多数の指紋センシングピクセルＦＰ－ＰＸＬのそれぞれは、駆動電極、圧電物質層および共通電極を含む圧電素子と、圧電素子から超音波が発生するように圧電素子を駆動させる駆動部（送信部）と、圧電素子が指紋から反射した超音波を受信して発生される信号をセンシングするセンシング部（受信部）と、を含み得る。ここで、駆動部（送信部）およびセンシング部（受信部）それぞれは、１つ以上のスイッチング素子（トランジスター）を含み得る。
【0099】
駆動電極と共通電極のうち、１つには、電圧レベルが変動する信号（ＡＣ信号）が印加され、残りは、電圧レベルが一定している信号（ＤＣ信号）が印加される。
【0100】
指紋センサーパネル３００の指紋センシング領域ＦＳＡの外郭には、指紋駆動回路５２０が電気的に接続される指紋パッド部５２１が存在し得る。
【0101】
指紋センサーパネル３００は、多数の指紋センシングピクセルＦＰ－ＰＸＬのそれぞれのセンシング部（受信部）と指紋パッド部５２１を電気的に接続させる多数のリードアウトラインＲＬを含み得る。
【0102】
指紋駆動回路５２０は、多数の指紋センシングピクセルＦＰ－ＰＸＬの全体または一部を駆動し、多数の指紋センシングピクセルＦＰ－ＰＸＬの全体または一部をセンシングし、指紋センシングデータを生成してプロセッサＴＬに供給できる。
【0103】
プロセッサ５３０は、指紋センシングデータに基づいて、指紋を認識し、指紋認識の結果によって決められた機能（例：ユーザ認証など）を行い得る。
【0104】
一方、図５を参照すると、指紋センサーパネル３００は、第１領域Ａ１と対応する部分にホールまたはノッチ溝５００が存在し得る。
【0105】
【0106】
図６は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示パネル１００内のタッチセンサー構造の例示図である。図６を参照すると、表示パネル１００のタッチセンシング領域ＴＳＡに配置される多数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、互いに分離してブロック化した電極であり得る。多数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、互いに重畳しない。
【0107】
多数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、１つ以上のタッチラインＴＬを介してタッチ駆動回路５１０と電気的に接続され得る。タッチラインＴＬは、データラインＤＬと平行に、同じ方向に配置され得る。
【0108】
多数のタッチ電極ＴＥは、同じ列に配置された第１タッチ電極と第２タッチ電極を含み得る。第１タッチ電極が第２タッチ電極よりタッチ駆動回路５１０から遠くに位置すると仮定する。多数のタッチラインＴＬは、第１タッチ電極と接続された第１タッチラインと、第２タッチ電極と接続された第２タッチラインを含み得る。
【0109】
第１タッチ電極と接続された第１タッチラインは、第２タッチ電極と重畳するが、第２タッチ電極と電気的に接続されない。第１タッチ電極と第２タッチ電極は、表示パネル１００内で分離し、物理的に離れている。第１タッチラインと第２タッチラインは、表示パネル１００内で分離し、物理的に離れている。第１タッチ電極と第２タッチ電極は、表示パネル１００内で分離するが、駆動状況に応じてタッチ駆動回路５１０内のスイッチング回路によって電気的に接続され得る。
【0110】
図６のタッチセンサー構造は、タッチ電極ＴＥとタッチポインタ（例：指、ペンなど）間のキャパシタンスを用いてタッチをセンシングするセルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）ベースのタッチセンシング方式に適合し得る。
【0111】
これによって、タッチ駆動回路５１０は、多数のタッチ電極ＴＥのそれぞれにタッチ駆動信号を供給し、タッチ駆動信号が印加されたタッチ電極ＴＥからタッチセンシング信号を検出し、各タッチ電極ＴＥについてのセンシング値を得てタッチセンシングデータを生成し得る。
【0112】
図７は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示パネル１００内のタッチセンサー構造の他の例示図である。
【0113】
図７のタッチセンサー構造は、２つのタッチ電極ＴＥ間のキャパシタンスを用いてタッチをセンシングするミューチュアルキャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）ベースのタッチセンシング方式に適合し得る。
【0114】
ミューチュアルキャパシタンスベースのタッチセンシング方式のために、図７に示したように、表示パネル１００のタッチセンシング領域ＴＳＡに配置される多数のタッチ電極ＴＥは、互いに異なる方向に配置される多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥを含み得る。ここで、第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと第２タッチ電極Ｙ－ＴＥとの間にミューチュアルキャパシタンスが形成される。
【0115】
多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥは、互いに交差できる。第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと第２タッチ電極Ｙ－ＴＥが互いに交差する地点（領域）をタッチノード（Ｔｏｕｃｈ Ｎｏｄｅ）という。
【0116】
多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥうち、多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥは、タッチ駆動回路５１０からタッチ駆動信号が供給される駆動電極（または送信電極）であり、多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥは、タッチ駆動回路５１０によってセンシングされるセンシング電極（または受信電極）であり得る。
【0117】
これとは逆に、多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥのうち、多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥは、タッチ駆動回路５１０によってセンシングされるセンシング電極（または受信電極）であり、多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥは、タッチ駆動回路５１０からタッチ駆動信号が供給される駆動電極（または送信電極）であり得る。
【0118】
図８は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示パネル１００内のタッチセンサー構造のまた他の例示図である。図８は、図７のミューチュアルキャパシタンスベースのタッチセンシングのためのタッチセンサー構造についての他の例示である。図８のタッチセンサー構造は、図７のタッチセンサー構造と電気的に等価的な構造である。
【0119】
図８を参照すると、表示パネル１００のタッチセンシング領域ＴＳＡに配置された多数のタッチ電極ＴＥは、同じ行に配置され、第１ブリッジパターンＸ－ＣＬによって電気的に接続された第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと、同じ列に配置され、第２ブリッジパターンＹ－ＣＬによって電気的に接続された第２タッチ電極Ｙ－ＴＥを含み得る。
【0120】
同じ行に配置され、同じ層に位置する第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと、これらを接続させる第１ブリッジパターンＸ－ＣＬは、すべて一体化され、同じ層に位置し得る。
【0121】
同じ列に配置され、同じ層に位置する第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと、これらを接続させる第２ブリッジパターンＹ－ＣＬは、互いに他の層に位置し、コンタクトホールを介して電気的に接続され得る。
【0122】
同じ行に配置され、電気的に接続される第１タッチ電極Ｘ－ＴＥは、１つの第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬを形成する。このように形成された１つの第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬは、図７における、１つの第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと電気的に同一である。同一の列に配置され、電気的に接続される第２タッチ電極Ｙ－ＴＥは、１つの第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬを形成する。このように形成された１つの第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬは、図７における、１つの第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと電気的に同一である。
【0123】
多数の第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬのそれぞれは、１つ以上の第１タッチラインＸ－ＴＬと電気的に接続され、多数の第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬのそれぞれは、１つ以上の第２タッチラインＹ－ＴＬと電気的に接続され得る。
【0124】
多数の第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬのそれぞれは、１つ以上の第１タッチラインＸ－ＴＬを介してタッチパッド部５１１に含まれた第１タッチパッドＸ－ＴＰと電気的に接続され、多数の第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬのそれぞれは、１つ以上の第２タッチラインＹ－ＴＬを介してタッチパッド部５１１に含まれた第２タッチパッドＹ－ＴＰと電気的に接続され得る。
【0125】
【0126】
表示領域ＡＡ内の各サブピクセルＳＰでの駆動トランジスターである駆動トランジスターＤＲＴは、透明基板３２０上に配置される。
【0127】
駆動トランジスターＤＲＴは、ゲート電極に該当する第１ノード電極ＮＥ１、ソース電極またはドレイン電極に該当する第２ノード電極ＮＥ２、ドレイン電極またはソース電極に該当する第３ノード電極ＮＥ３および半導体層ＳＥＭＩなどを含む。
【0128】
第１ノード電極ＮＥ１と半導体層ＳＥＭＩは、ゲート絶縁膜ＧＩを間に置いて重畳し得る。第２ノード電極ＮＥ２は、絶縁層ＩＮＳ上に形成されて半導体層ＳＥＭＩの一側と接触し、第３ノード電極ＮＥ３は、絶縁層ＩＮＳ上に形成されて半導体層ＳＥＭＩの他側と接触し得る。
【0129】
発光素子ＥＤは、ピクセル電極に該当するアノード電極ＡＥと、アノード電極ＡＥ上に形成される発光層ＥＬと、発光層ＥＬ上に形成され、共通電極に該当するカソード電極ＣＥを含み得る。
【0130】
アノード電極ＡＥは、平坦化膜ＰＬＮを貫通する画素コンタクトホールを介して露出された駆動トランジスターＤＲＴの第２ノード電極ＮＥ２と電気的に接続される。
【0131】
発光層ＥＬは、バンクＢＡＮＫによって設けられた（露出された）発光領域のアノード電極ＡＥ上に形成される。発光層ＥＬは、アノード電極ＡＥ上に正孔関連層、発光層、電子関連層の順にまたは逆順に積層されて形成される。カソード電極ＣＥは、発光層ＥＬを間に置いてアノード電極ＡＥと対向するように形成される。
【0132】
封止層３５０は、外部の水分や酸素に脆弱な発光素子ＥＤに外部の水分や酸素が浸透することを遮断する。これらの封止層３５０は、１つの層からなり得るが、図９に示したように、多数の層ＰＡＳ１、ＰＣＬ、ＰＡＳ２からなり得る。
【0133】
例えば、封止層３５０が多数の層ＰＡＳ１、ＰＣＬ、ＰＡＳ２からなる場合、封止層３５０は、１つ以上の無機封止層ＰＡＳ１、ＰＡＳ２と１つ以上の有機封止層ＰＣＬを含み得る。具体的な例として、封止層３５０は、第１無機封止層ＰＡＳ１、有機封止層ＰＣＬおよび第２無機封止層ＰＡＳ２が順番に積層された構造からなり得る。
【0134】
ここで、有機封止層ＰＣＬは、少なくとも１つの有機封止層または少なくとも１つの無機封止層をさらに含み得る。
【0135】
第１無機封止層ＰＡＳ１は、発光素子ＥＤと最も隣接するようにカソード電極ＣＥが形成された透明基板３２０上に形成される。これらの第１無機封止層ＰＡＳ１は、一例として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような低温蒸着が可能な無機絶縁材質として形成される。第１無機封止層ＰＡＳ１が低温の雰囲気で蒸着するため、第１無機封止層ＰＡＳ１は、蒸着工程時の高温の雰囲気に脆弱な有機物を含む発光層ＥＬが損傷されることを防止できる。
【0136】
有機封止層ＰＣＬは、第１無機封止層ＰＡＳ１よりも小さい面積に形成され得、この場合、有機封止層ＰＣＬは、第１無機封止層ＰＡＳ１の両端を露出させるように形成され得る。有機封止層ＰＣＬは、有機発光表示装置であるタッチ表示装置の曲がることによる各層間の応力を緩和させる緩衝の役割をし、平坦化性能を強化する役割ができる。有機封止層ＰＣＬは、一例として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリエチレンまたはシリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣ）のような有機絶縁材質として形成され得る。一例として、有機封止層ＰＣＬがインクジェット方式により形成され得る。
【0137】
表示パネル１００には、封止層３５０が崩れることを遮断する１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２が形成され得る。１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡの境界地点に存在するか、または境界地点の辺りに存在し得る。例えば、１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、外郭から内側に入ってから急に高くなる地点の領域であり得る。または、１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、封止層３５０の斜面９００に沿って下りてきてから封止層３５０の傾斜が急に緩やかになったり、また高くなる方向に変わる地点の領域を意味し得る。
【0138】
図９に示したように、１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、タッチパッドＹ－ＴＰを含むタッチパッド部５１１と表示領域ＡＡとの間に配置され得る。１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、バンクＢＡＮＫと同じ物質を含むダム形成パターンＤＦＰなどからなり得る。
【0139】
１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、非表示領域ＮＡにだけ位置し得、非表示領域ＮＡに大部分が存在するが、一部は、表示領域ＡＡにわたり得る。
【0140】
１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２のうち、表示領域ＡＡとより近いダムＤＡＭ１を１次ダムＤＡＭ１といい、タッチパッド部５１１と相対的により近く位置するダムＤＡＭ２を２次ダムＤＡＭ２という。
【0141】
１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２は、液状形態の有機封止層ＰＣＬが表示領域ＡＡに滴下するとき、液状形態の有機封止層ＰＣＬが非表示領域ＮＡの方向に崩れてタッチパッド部５１１などを侵犯することを防止できる。このような効果は、図９に示したように、２つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２が形成された場合、より大きくなり得る。
【0142】
１次ダムＤＡＭ１および／または２次ダムＤＡＭ２は，単層または多層構造に形成され得る。
【0143】
１次ダムＤＡＭ１および／または２次ダムＤＡＭ２は、基本的にダム形成パターンＤＦＰで作られることができる。ダム形成パターンＤＦＰは、タッチパッド部５１１に配置されたタッチパッドＹ－ＴＰよりも高い高さを有し得る。
【0144】
ダム形成パターンＤＦＰは、表示領域ＡＡでサブピクセルＳＰを分離するためのバンクＢＡＮＫと同じ物質として形成され得る。場合によって、ダム形成パターンＤＦＰは、層間の間隔を維持するためのスペーサーなどと同じ物質として形成され得る。このような場合、ダム形成パターンＤＦＰは、バンクＢＡＮＫまたはスペーサーなどと同時に形成され得、これによって、マスクの追加工程および費用の上昇なしにダム構造を形成し得る。
【0145】
図９を参照すると、１次ダムＤＡＭ１および／または２次ダムＤＡＭ２は、第１無機封止層ＰＡＳ１および／または第２無機封止層ＰＡＳ２がダム形成パターンＤＦＰ上に積層された多層構造からなり得る。
【0146】
有機物を含む有機封止層ＰＣＬは、最も内側にある１次ダムＤＡＭ１の内側面にのみ位置し得る。これとは異なり、有機物を含む有機封止層ＰＣＬは、１次ダムＤＡＭ１および２次ダムＤＡＭ２のうち、少なくとも１次ダムＤＡＭ１の上部に位置し得る。
【0147】
第２無機封止層ＰＡＳ２は、有機封止層ＰＣＬが形成された透明基板３２０上に有機封止層ＰＣＬおよび第１無機封止層ＰＡＳ１それぞれの上部面と側面を覆うように形成され得る。第２無機封止層ＰＡＳ２は、外部の水分や酸素が第１無機封止層ＰＡＳ１および有機封止層ＰＣＬに浸透することを最小限に抑えるか、または遮断する。これらの第２無機封止層ＰＡＳ２は、一例として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような無機絶縁材質として形成される。
【0148】
封止層３５０上には、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦが配置され得る。第１および第２タッチ電極Ｘ－ＴＥ、Ｙ－ＴＥと第１および第２ブリッジパターンＸ－ＣＬ、Ｙ－ＣＬは、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦ上に位置し得る。
【0149】
第１および第２タッチラインＸ－ＴＬ、Ｙ－ＴＬそれぞれの全体または一部もタッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦ上に位置し得る。
【0150】
タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、タッチ電極Ｘ－ＴＥ、Ｙ－ＴＥとカソード電極ＣＥとの間に位置するが、タッチ電極Ｘ－ＴＥ、Ｙ－ＴＥと発光素子ＥＤのカソード電極ＣＥとの間の離隔距離が予め決められた最小離隔距離（例：５ｕｍ）を維持するように設計できる。これによって、タッチ電極Ｘ－ＴＥ、Ｙ－ＴＥとカソード電極ＣＥ間の寄生キャパシタンスを減らしたり、防止でき、これによって、寄生キャパシタンスによるタッチ感度の低下を防止できる。
【0151】
タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦなしに、第１および第２タッチ電極Ｘ－ＴＥ、Ｙ－ＴＥと第１および第２ブリッジパターンＸ－ＣＬ、Ｙ－ＣＬが封止層３５０上に直に配置され得る。
【0152】
タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦ上に配置されるタッチセンサーメタルの製造工程時に用いられる薬液（現像液またはエッチング液など）または外部からの水分などが有機物を含む発光層ＥＬに浸透することを遮断できる。これによって、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、薬液または水分に脆弱な発光層ＥＬの損傷を防止できる。
【0153】
タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、高温に脆弱な有機物を含む発光層ＥＬの損傷を防止するために、一定温度（例：１００度（℃））以下の低温で形成可能であり、１～３の低誘電率を有する有機絶縁材質として形成される。例えば、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、アクリル系、エポキシ系またはシロキサン（Ｓｉｌｏｘａｎｅ）系の材質として形成され得る。有機絶縁材質として平坦化性能を有するタッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、有機発光表示装置の曲がることによる封止層３５０内の各封止層ＰＡＳ１、ＰＣＬ、ＰＡＳ２の損傷およびタッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦ上に形成されるタッチセンサーメタルの破れ現象を防止できる。
【0154】
ミューチュアルキャパシタンスベースのタッチセンサー構造によると、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦ上に第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬおよび第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬが配置され、第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬおよび第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬは、交差するように配置され得る。
【0155】
第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬは、多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと、多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥの間を電気的に接続させる多数の第２ブリッジパターンＹ－ＣＬを含み得る。図８に示したように、多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと多数の第２ブリッジパターンＹ－ＣＬは、タッチ絶縁膜ＩＬＤを間に置いて互いに他の層に位置し得る。
【0156】
図８および図９を一緒に参照すると、同じ列に配置される多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥは、ｙ軸方向（列方向）に沿って一定の間隔で離隔し得る。これらの多数の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥのそれぞれは、第２ブリッジパターンＹ－ＣＬを介してｙ軸方向に隣接する他の第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと電気的に接続され得る。
【0157】
第２ブリッジパターンＹ－ＣＬは、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦ上に形成され、タッチ絶縁膜ＩＬＤを貫通するタッチコンタクトホールを介して露出され、ｙ軸方向に隣接する２つの第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと電気的に接続され得る。
【0158】
第２ブリッジパターンＹ－ＣＬは、バンクＢＡＮＫと重畳するように配置され得る。これによって、第２ブリッジパターンＹ－ＣＬによって開口率が低下することを防止できる。
【0159】
図８および図９を一緒に参照すると、第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬは、多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと、多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥの間を電気的に接続させる多数の第１ブリッジパターンＸ－ＣＬを含み得る。多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと多数の第１ブリッジパターンＸ－ＣＬは、タッチ絶縁膜ＩＬＤを間に置いて互いに他の層に位置し得るが、多数の第１ブリッジパターンＸ－ＣＬと多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥは、一体になって同じ層に位置し得る。
【0160】
図８および図９を一緒に参照すると、同じ行に配置される多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥは、タッチ絶縁膜ＩＬＤ上でｘ軸方向（行方向）に沿って一定の間隔で離隔し得る。これらの多数の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥのそれぞれは、第１ブリッジパターンＸ－ＣＬを介してｘ軸方向に隣接する他の第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと電気的に接続され得る。
【0161】
第１ブリッジパターンＸ－ＣＬは、第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと同一の平面上に配置され、別のコンタクトホールなしに、ｘ軸方向に隣接する２つの第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと電気的に接続されるか、またはｘ軸方向に隣接する２つの第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと一体になり得る。
【0162】
第１ブリッジパターンＸ－ＣＬは、バンクＢＡＮＫと重畳するように配置され得る。これによって、第１ブリッジパターンＸ－ＣＬによって開口率が低下することを防止できる。
【0163】
図９を参照すると、第２タッチ電極ラインＹ－ＴＥＬは、第２タッチラインＹ－ＴＬを介して第１非表示領域ＮＡ１内のタッチパッド部５１１に存在する第２タッチパッドＹ－ＴＰと電気的に接続され得る。第２タッチパッドＹ－ＴＰは、タッチ駆動回路５１０と電気的に接続され得る。
【0164】
このような構造と同様に、第１タッチ電極ラインＸ－ＴＥＬは、第１タッチラインＸ－ＴＬを介して第１非表示領域ＮＡ１内のタッチパッド部５１１に存在する第１タッチパッドＸ－ＴＰと電気的に接続され得る。第１タッチパッドＸ－ＴＰは、タッチ駆動回路５１０と電気的に接続され得る。
【0165】
第１タッチパッドＸ－ＴＰおよび第２タッチパッドＹ－ＴＰを覆うパッドカバー電極がさらに配置され得る。
【0166】
第１タッチパッドＸ－ＴＰは、第１タッチラインＸ－ＴＬと別に形成され得、第１タッチラインＸ－ＴＬが延長されて形成され得る。第２タッチパッドＹ－ＴＰは、第２タッチラインＹ－ＴＬと別に形成され得、第２タッチラインＹ－ＴＬが延長されて形成され得る。
【0167】
第１タッチパッドＸ－ＴＰが第１タッチラインＸ－ＴＬが延長されて形成され、第２タッチパッドＹ－ＴＰが第２タッチラインＹ－ＴＬが延長されて形成された場合、第１タッチパッドＸ－ＴＰ、第１タッチラインＸ－ＴＬ、第２タッチパッドＹ－ＴＰおよび第２タッチラインＹ－ＴＬは、同じ第１導電物質として構成され得る。ここで、第１導電物質は、一例として、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏのような耐食性および耐酸性が強く、導電性が良い金属を用いて単層または多層構造として形成され得る。
【0168】
例えば、第１導電物質からなった第１タッチパッドＸ－ＴＰ、第１タッチラインＸ－ＴＬ、第２タッチパッドＹ－ＴＰおよび第２タッチラインＹ－ＴＬは、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉまたはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏのように積層された３層構造として形成され得る。
【0169】
第１タッチパッドＸ－ＴＰおよび第２タッチパッドＹ－ＴＰを覆うことができるパッドカバー電極は、第１および第２タッチ電極Ｘ－ＴＥ、Ｙ－ＴＥと同じ材質で第２導電物質として構成され得る。ここで、第２導電物質は、耐食性および耐酸性が強いＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質として形成され得る。これらのパッドカバー電極は、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦによって露出するように形成されることにより、タッチ駆動回路５１０とボンディングされるか、またはタッチ駆動回路５１０が実装した回路フィルムとボンディングできる。
【0170】
ここで、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、タッチセンサーメタルを覆うように形成され、タッチセンサーメタルが外部の水分などによって腐食されることを防止できる。一例として、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、有機絶縁材質として形成されるか、または円偏光板またはエポキシまたはアクリル材質のフィルム形態として形成され得る。これらのタッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦが封止層３５０上にない場合もある。すなわち、タッチバッファ膜Ｔ－ＢＵＦは、必須の構成ではないこともある。
【0171】
第２タッチラインＹ－ＴＬは、コンタクトホールを介して第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと電気的に接続されるか、または第２タッチ電極Ｙ－ＴＥと一体になり得る。
【0172】
これらの第２タッチラインＹ－ＴＬは、非表示領域ＮＡまで伸張し、封止層３５０の斜面９００に沿って下りてき、１つ以上のダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２を経て、非表示領域ＮＡ１内のタッチパッド部５１１に存在する第２タッチパッドＹ－ＴＰと電気的に接続され得る。これによって、第２タッチラインＹ－ＴＬは、第２タッチパッドＹ－ＴＰを介してタッチ駆動回路５１０と電気的に接続され得る。
【0173】
第２タッチラインＹ－ＴＬは、第２タッチ電極Ｙ－ＴＥでのタッチセンシング信号をタッチ駆動回路５１０に伝達するか、またはタッチ駆動回路５１０からタッチ駆動信号の供給を受けて第２タッチ電極Ｙ－ＴＥに伝達し得る。
【0174】
第１タッチラインＸ－ＴＬは、コンタクトホールを介して第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと電気的に接続されるか、または第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと一体になり得る。
【0175】
これらの第１タッチラインＸ－ＴＬは、非表示領域ＮＡまで伸張し、封止層３５０の斜面９００に沿って下りてき、１つ以上のダムＤＡＭを経て、第１非表示領域ＮＡ１内のタッチパッド部５１１に存在する第１タッチパッドＸ－ＴＰと電気的に接続され得る。これによって、第１タッチラインＸ－ＴＬは、第１タッチパッドＸ－ＴＰを介してタッチ駆動回路５１０と電気的に接続され得る。
【0176】
第１タッチラインＸ－ＴＬは、タッチ駆動回路５１０からタッチ駆動信号の供給を受けて第１タッチ電極Ｘ－ＴＥに伝達し得、第１タッチ電極Ｘ－ＴＥでのタッチセンシング信号をタッチ駆動回路５１０に伝達し得る。
【0177】
第１タッチラインＸ－ＴＬおよび第２タッチラインＹ－ＴＬの配置は、パネルの設計事項に応じて様々に変更できる。
【0178】
第１タッチ電極Ｘ－ＴＥおよび第２タッチ電極Ｙ－ＴＥ上にタッチ保護膜ＰＡＣが配置され得る。これらのタッチ保護膜ＰＡＣは、１つ以上のダムＤＡＭの前または後まで拡張され、第１タッチラインＸ－ＴＬおよび第２タッチラインＹ－ＴＬ上にも配置され得る。
【0179】
一方、図９の断面図は、概念的に構造を示したものであって、見る方向や位置などに応じて各パターン（各種の層や各種の電極）の位置、厚さ、または幅が異なる場合があり、各種パターンの接続構造も変更でき、示された多数の層に加えて、追加の層が存在し得、示された多数の層のうち、一部は省略されるか、または統合され得る。例えば、バンクＢＡＮＫの幅は、図面に比べて狭いこともあり、ダムＤＡＭ１、ＤＡＭ２の高さも図面よりも低いか、または高い場合もある。
【0180】
図１０は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示パネル１００内のタッチ電極ＴＥを示した例示図である。
【0181】
図１０を参照すると、表示パネル１００の内部に配置されたタッチ電極ＴＥのうち、第１領域Ａ１に位置するタッチ電極ＴＥのそれぞれは、１つ以上の開口部を有するメッシュタイプの電極であるか、またはメッシュタイプの電極を含み得る。または、タッチ電極ＴＥのうち、第１領域Ａ１に位置するタッチ電極ＴＥのそれぞれは、透明電極であるか、または透明電極を含み得る。
【0182】
前述したように、第１領域Ａ１に位置するタッチ電極ＴＥがメッシュタイプまたは透明電極に形成されることにより、第１領域Ａ１の透過率を高め、第１領域Ａ１を通じるカメラ１１０の撮影機能と、第１領域Ａ１を通じる近接センサー１２０のセンシング機能が可能になる。
【0183】
１つのタッチ電極ＴＥは、開口部（オープン領域）がない透明電極であり得る。これとは異なり、１つのタッチ電極ＴＥは、多数のオープン領域ＯＡを有するメッシュタイプであり得る。すなわち、１つのタッチ電極ＴＥは、多数のオープン領域ＯＡを有するように、メッシュタイプでパターニングされた電極メタルＥＭであり得る。ここで、電極メタルＥＭは、タッチセンサーメタルのうちの１つである。
【0184】
１つのタッチ電極ＴＥに存在する多数のオープン領域ＯＡのそれぞれは、１つ以上のサブピクセルＳＰの発光領域と対応し得る。すなわち、多数のオープン領域ＯＡは、下に配置された多数のサブピクセルＳＰで発光した光が上に過ぎる経路となる。そして、第１領域Ａ１に配置された各タッチ電極ＴＥに存在する多数のオープン領域ＯＡは、第１領域Ａ１での透過率を向上させ得る。
【0185】
タッチ電極ＴＥで多数のオープン領域ＯＡではなく、実際の電極部分（すなわち、電極メタルＥＭ）は、バンクＢＡＮＫ上に位置し得る。
【0186】
多数のタッチ電極ＴＥを形成する方法として、多数のタッチ電極ＴＥを形成するための領域に電極メタルＥＭをメッシュタイプに広く形成した以後、タッチ電極ＴＥ間の境界ラインに沿って電極メタルＥＭを決められたパターンでカッティングし、電気的に分離した電極メタルＥＭを形成する。電気的に分離した電極メタルＥＭが多数のタッチ電極ＴＥとなる。
【0187】
タッチ電極ＴＥの外郭形状は、一例として、ダイヤモンド形状、菱形などの四角形であり得、三角形、五角形、または六角形などの様々な形状であり得る。
【0188】
図１０を参照すると、メッシュタイプのタッチ電極ＴＥが占める領域内には、メッシュタイプの電極メタルＥＭが切れている１つ以上のダミーメタルＤＭが存在し得る。
【0189】
電極メタルＥＭは、実質的なタッチ電極ＴＥに該当する部分として、タッチ駆動信号が印加されるか、またはタッチセンシング信号が感知される部分であるが、ダミーメタルＤＭは、タッチ電極ＴＥの領域内に存在するが、タッチ駆動信号が印加されず、タッチセンシング信号も感知されない部分である。すなわち、ダミーメタルＤＭは、電気的にフローティング（Ｆｌｏａｔｉｎｇ）されたメタルであり得る。
【0190】
したがって、電極メタルＥＭは、タッチ駆動回路５１０と電気的に接続され得るが、ダミーメタルＤＭは、タッチ駆動回路５１０と電気的に接続されない。
【0191】
すべてのタッチ電極ＴＥのそれぞれの領域内には、１つ以上のダミーメタルＤＭが電極メタルＥＭと切れた状態で存在し得る。これとは異なり、すべてのタッチ電極ＴＥのうち、一部のタッチ電極ＴＥの領域内にのみ、１つ以上のダミーメタルＤＭが電極メタルＥＭと切れた状態で存在し得る。すなわち、一部のタッチ電極ＴＥの領域内には、ダミーメタルＤＭが存在しないこともある。
【0192】
一方、ダミーメタルＤＭの役割と関連して、タッチ電極ＴＥの領域内に１つ以上のダミーメタルＤＭが存在せず、電極メタルＥＭのみメッシュタイプとして存在する場合、画面上に電極メタルＥＭの輪郭が見える視認性イシューが発生し得る。
【0193】
これに比べて、タッチ電極ＴＥの領域内に１つ以上のダミーメタルＤＭが存在する場合、画面上に電極メタルＥＭの輪郭が見える視認性イシューを防止できる。
【0194】
また、各タッチ電極ＴＥ別に、ダミーメタルＤＭの存在の有無または数（ダミーメタルの割合）を調節することにより、各タッチ電極ＴＥ別にミューチュアルキャパシタンスの大きさに影響を及ぼす有効電極面積を調節できる。これにより、第１タッチ電極Ｘ－ＴＥと第２タッチ電極Ｙ－ＴＥ間のミューチュアルキャパシタンスの大きさを調節し、タッチ感度を向上させ得る。
【0195】
一方、１つのタッチ電極ＴＥの領域内に形成された電極メタルＥＭで一部の地点をカッティングすることにより、カッティングされた電極メタルＥＭがダミーメタルＤＭとして形成され得る。すなわち、電極メタルＥＭとダミーメタルＤＭは、同じ層に形成された同じ物質であり得る。
【0196】
図１１は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示パネル１００内の偏光板３７０を示した図面である。
【0197】
図１１を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示パネル１００内の偏光板３７０は、第１領域Ａ１と対応する第１部分ＰＯＬ１と第２領域Ａ２と対応する第２部分ＰＯＬ２を含み得る。
【0198】
偏光板３７０における、第１部分ＰＯＬ１は、第２部分ＰＯＬ２よりも高い透過率を有し得る。偏光板３７０の第１部分ＰＯＬ１は、カメラ１１０および近接センサー１２０それぞれの機能を可能にするレベルに予め設定された臨界透過度以上の高い透過率を有し得る。
【0199】
前述したように、偏光板３７０で第１領域Ａ１に位置する第１部分ＰＯＬ１が高い透過率として形成されることにより、第１領域Ａ１の透過率を高め、第１領域Ａ１を通じるカメラ１１０の撮影機能と、第１領域Ａ１を通じる近接センサー１２０のセンシング機能が可能になる。
【0200】
偏光板３７０の上部に位置する光学用の透明接着剤３８０およびカバーガラス３９０それぞれは、カメラ１１０および近接センサー１２０それぞれの機能を可能にするレベルに予め設定された臨界透過度以上の透過度を有する。
【0201】
【0202】
図１２および図１３を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、周辺の人体や物体が近接しているかを感知する近接センサー１２０を含むが、近接センサー１２０は、外光入光部ＩＡに流入する光（例：赤外線）を受け入れ、人体や物体が近接しているかを感知できる。
【0203】
このために、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、光（例：赤外線）を発生させる光発生装置１２００をさらに含み得る。近接センサー１２０は、光発生装置１２００から出射した光を用いて周辺の人体や物体を感知できる。
【0204】
光発生装置１２００が光を発生させると、この光は、近接する人体または物体に反射される。反射された光は、第１領域Ａ１に該当する外光入光部ＩＡに流入する。
【0205】
近接センサー１２０は、表示パネル１００の下部に位置するが、表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１に位置するため、第１領域Ａ１に該当する外光入光部ＩＡに流入した光を受信し得、受信された光をもとに、人体や物体が近接しているかを感知できる。近接センサー１２０は、光発生装置１２００を含むものと見られる。
【0206】
図１２および図１３を参照すると、光発生装置１２００は、封止層３５０上に位置し、タッチセンサー層３６０の側面に位置し得る。例えば、光発生装置１２００は、タッチセンサー層３６０の上端左側面、上端右側面、下端左側面、または下端右側面などに位置し得、表示パネル１００の１つのコーナーに位置し得る。
【0207】
図１３を参照すると、表示領域ＡＡの終わりの地点から封止層３６０の斜面が始まる前までをビューイング領域ＶＡという。光発生装置１２００は、封止層３５０上に位置するが、封止層３５０の斜面９００と表示領域ＡＡとの間のビューイング領域ＶＡに位置し得る。
【0208】
光発生装置１２００の安着構造を見ると、ビューイング領域ＶＡで封止層３５０の平坦化した地点にパッド１３１１が配置される。ボンディング剤１３１２によって、パッド１３１１上にバンパー１３１３がボンディングされている。バンパー１３１３上に光発生装置１２００が安着する。
【0209】
光発生装置１２００は、タッチセンサー層３６０上に形成された偏光板３７０よりも低い。ここで、タッチセンサー層３６０は、互いに他の層に位置する第２タッチ電極Ｙ－ＴＥおよび第２ブリッジパターンＹ－ＣＬと、第２タッチ電極Ｙ－ＴＥおよび第２ブリッジパターンＹ－ＣＬの間に位置する層間絶縁膜ＩＬＤと、第１ブリッジパターンＸ－ＣＬ、第２タッチ電極Ｙ－ＴＥ、第２ブリッジパターンＹ－ＣＬなどのタッチセンサーメタルが形成された層上に位置するタッチ保護膜ＰＡＣなどを含み得る。
【0210】
光発生装置１２００がタッチセンサー層３６０上に形成された偏光板３７０よりも低いため、光発生装置１２００の上部空間１３１４は、偏光板３７０のホール（Ｈｏｌｅ）に該当する。
【0211】
図１４は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の異種カソード電極層３４０を示した図面である。
【0212】
図１４を参照すると、異種カソード電極層３４０は、第１カソード電極ＣＥ１と第２カソード電極ＣＥ２を含む。
【0213】
第１カソード電極ＣＥ１は、光学装置と重畳し、表示領域ＡＡの一部である第１領域Ａ１に配置され、カメラ１１０および近接センサー１２０それぞれの機能を可能にするレベルに予め設定された臨界透過度以上の第１透過度を有し得る。
【0214】
第２カソード電極ＣＥ２は、表示領域ＡＡで第１領域Ａ１とは異なる第２領域Ａ２に配置され、第１カソード電極ＣＥ１の第１透過度（第１透明度）とは異なる第２透過度（第２透明度）を有し得る。
【0215】
第１カソード電極ＣＥ１は、第２透明度よりも高い第１透明度を有する透明電極であり得る。例えば、第１カソード電極ＣＥ１は、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｂａ／Ａｇ、Ｃａ／Ａｇ、グラフェン、銀ナノワイヤ（Ｓｉｌｖｅｒ Ｎａｎｏｗｉｒｅ）、炭素ナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏｔｕｂｅ）のうち、１つ以上を含み得る。
【0216】
第２カソード電極ＣＥ２は、第１透明度よりも低い第２透明度を有する半透明電極であり得る。例えば、第２カソード電極ＣＥ２は、Ｍｇ、Ａｇのうち、１つ以上を含み得る。
【0217】
図１５は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内のカメラ１１０が配置された第１領域Ａ１での配線構造を示した図面である。
【0218】
図１５を参照すると、表示パネル１００の表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１に配置されたカメラ１１０の撮影のために、外部光が入射するべきである。
【0219】
カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１は、映像が表示される表示領域ＡＡ内に含まれるため、第１領域Ａ１には、ディスプレーのための配線ＳＬが配置され得る。本開示での配線ＳＬは、電極などのメタルパターンを含む構成であり得る。
【0220】
このように、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１は、映像が表示される表示領域ＡＡ内に含まれるため、外部光は、メタルからなった配線ＳＬとの間の側面の開口部ＬＯＡを介して入射し、カメラ１１０の前面に到逹することになる。
【0221】
カメラ１１０の前面に到逹した外部光は、カメラ１１０の前面から反射し得る。カメラ１１０の前面から反射した外部光は、配線ＳＬの背面からまた反射し得、配線ＳＬの背面から反射した外部光は、またカメラ１１０の前面から反射し、カメラ１１０の前面からまた反射した外部光は、配線ＳＬの背面からまた反射し得る。このような反射過程は、継続的に繰り返され得る。
【0222】
カメラ１１０と配線ＳＬとの間での反復的な無限反射過程は、光の散乱と干渉を発生させることになり、カメラを介して正常なイメージ撮影を不可能にしたり、高解像度のイメージを得られなくなったりする。
【0223】
図１６は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内のカメラ１１０が配置された第１領域Ａ１での低反射構造を示した図面である。
【0224】
図１６を参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、カメラ１１０と配線ＳＬとの間での反復的な反射過程を防止するために、低反射構造を提供し得る。
【0225】
図１６を参照すると、低反射構造を有する配線ＳＬとの間の側面の開口部ＬＯＡを介して入射した外部光は、カメラ１１０の前面から反射し得る。カメラ１１０の前面から反射した外部光は、低反射構造を有する配線ＳＬの背面から反射しないか、または反射率が著しく低下できる。したがって、カメラ１１０と配線ＳＬとの間での反復的な反射過程が防止できる。
【0226】
したがって、本開示の実施例による低反射構造を用いれば、外部に露出されず、表示パネル１００の表示領域ＡＡの下に配置されたカメラ１１０を用いても、高解像度のイメージを獲得できる。
【0227】
以下では、低反射構造についてより詳細に説明する。但し、以下では、低反射構造を配線の観点で説明するが、電極などの金属パターンに同様に適用できる。
【0228】
図１７は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内で、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１での低反射構造をより詳細に示した図面であり、図１８ａないし図１８ｃは、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内で、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１での低反射構造とカメラ１１０が配置されない第２領域Ａ２での配線構造を示した図面である。図１８ｂは、図１８ａのＸ－Ｘ’断面図であり、図１８ｃは、図１８ａのＹ－Ｙ’断面図である。
【0229】
図１７、図１８ａないし図１８ｃを参照すると、本開示の実施例によるディスプレー装置１０は、映像が表示される表示領域ＡＡを含む表示パネル１００と、外部に露出されず、表示パネル１００の表示領域ＡＡの下に配置されるカメラ１１０などを含み得る。本開示で言及するカメラ１１０は、カメラレンズ（Ｃａｍｅｒａ Ｌｅｎｓ）であり得る。
【0230】
表示パネル１００は、基板３２０と、基板３２０の上部に位置し、表示領域ＡＡに配置される第１配線ＳＬ１などを含み得る。
【0231】
カメラ１１０は、外部に露出されず、表示パネル１００の表示領域ＡＡの下に配置され、表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１と重畳して位置し得る。
【0232】
【0233】
表示パネル１００で映像が表示される表示領域ＡＡは、カメラ１１０などの光学装置が配置される第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１ではない第２領域Ａ２を含み得る。
【0234】
【0235】
図１７、図１８ａおよび図１８ｂを参照すると、第１配線ＳＬ１で第１領域Ａ１と重畳する第１部分ＳＬ１＿ＰＡＲＴ１は、基板３２０の上部に位置する第１半透過層Ｌ１ａと、第１半透過層Ｌ１ａ上に位置する第１光経路補償層Ｌ１ｂと、第１光経路補償層Ｌ１ｂ上に位置し、第１メタルを含む第１メタル層Ｌ１ｃと、を含み得る。
【0236】
第１半透過層Ｌ１ａは、第１光経路補償層Ｌ１ｂの厚さよりも薄い厚さを有し得る。例えば、第１半透過層Ｌ１ａは、１ないし５ｎｍの厚さを有し得る。第１光経路補償層Ｌ１ｂは、 ３０ないし１２０ｎｍの厚さを有し得る。
【0237】
第１配線ＳＬ１を構成する３つの層Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃそれぞれの厚さの大小関係を見ると、例えば、第１半透過層Ｌ１ａ、第１光経路補償層Ｌ１ｂおよび第１メタル層Ｌ１ｃのうち、カメラ１１０と最も隣接する第１半透過層Ｌ１ａの厚さを最も薄くできる。第１半透過層Ｌ１ａ、第１光経路補償層Ｌ１ｂおよび第１メタル層Ｌ１ｃのうち、外部光が入射する部分と最も隣接する第１メタル層Ｌ１ｃの厚さを最も厚くできる。
【0238】
第１光経路補償層Ｌ１ｂは、導電性透明材料を含み得る。例えば、第１光経路補償層Ｌ１ｂは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどの導電性透明材料を含み得る。
【0239】
図１７を参照すると、外部光が第１配線ＳＬ１の側面の開口部ＬＯＡに入射し、カメラ１１０の前面（上面）から反射し得る。
【0240】
図１７を参照すると、カメラ１１０の前面から反射した外部光の一部ＲＬ１ａは、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射し、カメラ１１０の前面から反射した外部光の他の一部ＲＬ１ｂは、第１半透過層Ｌ１ａおよび第１光経路補償層Ｌ１ｂを透過し、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射し得る。
【0241】
図１７を参照すると、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射した外部光ＲＬ１ａと、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射した外部光ＲＬ１ｂは、１８０度の奇数倍だけの位相差を有し得る。
【0242】
図１７を参照すると、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射した外部光ＲＬ１ａと、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射した外部光ＲＬ１ｂ間の光経路の長さの差は、半波長の奇数倍になり得る。
【0243】
したがって、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射した外部光ＲＬ１ａと、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射した外部光ＲＬ１ｂは、互いに相殺干渉を発生させる。
【0244】
したがって、第１配線ＳＬ１とカメラ１１０との間での反復的な反射過程が防止され、これによって、第１配線ＳＬ１とカメラ１１０との間での光の散乱も防止できる。
【0245】
一方、第１半透過層Ｌ１ａと第１光経路補償層Ｌ１ｂの上下関係が変わるか、または第１半透過層Ｌ１ａと第１光経路補償層Ｌ１ｂそれぞれの厚さ関係が前述したものとは異なって変更されると、低反射構造が作られず、第１配線ＳＬ１とカメラ１１０との間での光の散乱も防止できない。
【0246】
図１７、図１８ａおよび図１８ｂを参照すると、第１配線ＳＬ１で第２領域Ａ２と重畳する第２部分ＳＬ１＿ＰＡＲＴ２は、第１半透過層Ｌ１ａおよび第１光経路補償層Ｌ１ｂなしに、第１メタルを含む第１メタル層Ｌ１ｃを含み得る。すなわち、第１配線ＳＬ１でカメラ１１０が配置されない第２領域Ａ２と重畳する部分ＳＬ１＿ＰＡＲＴ２は、単一層からなる。
【0247】
図１７を参照すると、ディスプレー装置１０の表示パネル１００は、基板３２０の上部に位置し、表示領域ＡＡに配置され、第１領域Ａ１と一部重畳する第２配線ＳＬ２をさらに含み得る。
【0248】
【0249】
図１７、図１８ａおよび図１８ｃを参照すると、第２配線ＳＬ２で第１領域Ａ１と重畳する第１部分ＳＬ２＿ＰＡＲＴ１は、基板３２０の上部に位置する第２半透過層Ｌ２ａと、第２半透過層Ｌ２ａ上に位置する第２光経路補償層Ｌ２ｂと、第２光経路補償層Ｌ２ｂ上に位置し、第１メタルとは異なる第２メタル（Ｇａｔｅ）を含む第２メタル層Ｌ２ｃと、を含み得る。
【0250】
第１配線ＳＬ１の第１半透過層Ｌ１ａと第２配線ＳＬ２の第２半透過層Ｌ２ａは、同じ材料を含み得る。第１配線ＳＬ１の第１半透過層Ｌ１ａと第２配線ＳＬ２の第２半透過層Ｌ２ａは、対応する厚さを有し得る。
【0251】
第１配線ＳＬ１の第１光経路補償層Ｌ１ｂと第２配線ＳＬ２の第２光経路補償層Ｌ２ｂは、同じ材料を含み得る。第１配線ＳＬ１の第１光経路補償層Ｌ１ｂと第２配線ＳＬ２の第２光経路補償層Ｌ２ｂは、対応する厚さを有し得る。
【0252】
図１７、図１８ａおよび図１８ｃを参照すると、第２配線ＳＬ２で第２領域Ａ２と重畳する第２部分ＳＬ２＿ＰＡＲＴ２は、第２半透過層Ｌ２ａおよび第２光経路補償層Ｌ２ｂなしに、第２メタルを含む第２メタル層Ｌ２ｃを含み得る。すなわち、第２配線ＳＬ２でカメラ１１０が配置されない第２領域Ａ２と重畳する部分ＳＬ２＿ＰＡＲＴ２は、単一層からなる。
【0253】
例えば、第１配線ＳＬ１の第１メタル層Ｌ１ｃに含まれる第１メタルは、ソースドレインメタルを含み、第２配線ＳＬ２の第２メタル層Ｌ２ｃに含まれる第２メタルは、ゲートメタルを含み得る。逆に、第１配線ＳＬ１の第１メタル層Ｌ１ｃに含まれる第１メタルは、ゲートメタルを含み、第２配線ＳＬ２の第２メタル層Ｌ２ｃに含まれる第２メタルは、ソースドレインメタルを含み得る。
【0254】
例えば、ソースドレインメタルは、トランジスター（例：ＤＲＴ、ＳＣＴなど）のソース電極およびドレイン電極に含まれるメタルであるか、またはデータラインＤＬなどの配線に含まれるメタルであり得る。ゲートメタルは、トランジスター（例：ＤＲＴ、ＳＣＴなど）のゲート電極に含まれるメタルであるか、またはゲートラインＧＬなどの配線に含まれるメタルであり得る。
【0255】
図１７を参照すると、外部光が基板３２０の上部から第１配線ＳＬ１と第２配線ＳＬ２との間の開口部ＬＯＡに入射し、カメラ１１０の前面に向かう。外部光の全体または一部は、カメラ１１０の前面から反射し得る。
【0256】
３つの層Ｌ１ａ、Ｌ１ｂ、Ｌ１ｃを含む第１配線ＳＬ１が形成された領域において、カメラ１１０の前面から反射した外部光の一部ＲＬ１ａは、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射し、カメラ１１０の前面から反射した外部光の他の一部ＲＬ１ｂは、第１半透過層Ｌ１ａおよび第１光経路補償層Ｌ１ｂを透過し、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射し得る。
【0257】
第１配線ＳＬ１が形成された領域において、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射した外部光ＲＬ１ａと、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射した外部光ＲＬ１ｂは、１８０度の奇数倍だけの位相差を有し得る。
【0258】
第１配線ＳＬ１が形成された領域において、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射した外部光ＲＬ１ａと、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射した外部光ＲＬ１ｂ間の光経路の長さの差は、半波長の奇数倍になり得る。
【0259】
第１配線ＳＬ１が形成された領域において、第１半透過層Ｌ１ａの背面から反射した外部光ＲＬ１ａと、第１メタル層Ｌ１ｃの背面から反射した外部光ＲＬ１ｂは、互いに相殺干渉を発生させる。
【0260】
したがって、第１配線ＳＬ１が形成された領域において、第１配線ＳＬ１とカメラ１１０との間での反復的な反射過程が防止され、これによって、第１配線ＳＬ１とカメラ１１０との間での光の散乱も防止できる。
【0261】
また、３つの層Ｌ２ａ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｃを含む第２配線ＳＬ２が形成された領域において、カメラ１１０の前面から反射した外部光の一部ＲＬ２ａは、第２半透過層Ｌ２ａの背面から反射し、カメラ１１０の前面で反射した外部光の他の一部ＲＬ２ｂは、第２半透過層Ｌ２ａおよび第２光経路補償層Ｌ２ｂを透過し、第２メタル層Ｌ２ｃの背面から反射し得る。
【0262】
第２配線ＳＬ２が形成された領域において、第２半透過層Ｌ２ａの背面から反射した外部光ＲＬ２ａと、第２メタル層Ｌ２ｃの背面から反射した外部光ＲＬ２ｂは、１８０度の奇数倍だけの位相差を有し得る。
【0263】
第２配線ＳＬ２が形成された領域において、第２半透過層Ｌ２ａの背面から反射した外部光ＲＬ２ａと、第２メタル層Ｌ２ｃの背面から反射した外部光ＲＬ２ｂ間の光経路の長さの差は、半波長の奇数倍になり得る。
【0264】
第２配線ＳＬ２が形成された領域において、第２半透過層Ｌ２ａの背面から反射した外部光ＲＬ２ａと第２メタル層Ｌ２ｃの背面から反射した外部光ＲＬ２ｂは、互いに相殺干渉を発生させる。
【0265】
よって、第２配線ＳＬ２が形成された領域において、第２配線ＳＬ２とカメラ１１０との間での反復的な反射過程が防止され、これによって、第２配線ＳＬ２とカメラ１１０との間での光の散乱も防止できる。
【0266】
【0267】
図１９は、低反射構造を適用した第１配線ＳＬ１と、低反射構造を適用しない第１配線ＳＬ１のそれぞれの反射率を測定した結果を示したグラフである。
【0268】
低反射構造が適用された第１配線ＳＬ１は、多層膜構造を有し得る。低反射構造が適用された第１配線ＳＬ１は、薄膜の第１半透過層Ｌ１ａ、光経路の長さの差を作る第１光経路補償層Ｌ１ｂおよびメイン配線の役割をする第１メタル層Ｌ１ｃを含み得る。低反射構造が適用されない第１配線ＳＬ１は、単一膜構造を有し得る。低反射構造が適用されない第１配線ＳＬ１は、メイン配線の役割をする第１メタル層Ｌ１ｃのみを含み得る。
【0269】
図２０は、低反射構造を適用した第２配線ＳＬ２と、低反射構造を適用しない第２配線ＳＬ２のそれぞれの反射率を測定した結果を示したグラフである。
【0270】
低反射構造が適用された第２配線ＳＬ２は、多層膜構造を有し得る。低反射構造が適用された第２配線ＳＬ２は、薄膜の第２半透過層Ｌ２ａ、光経路の長さの差を作る第２光経路補償層Ｌ２ｂおよびメイン配線の役割をする第２メタル層Ｌ２ｃを含み得る。低反射構造が適用されない第２配線ＳＬ２は、単一膜構造を有し得る。低反射構造が適用されない第２配線ＳＬ２は、メイン配線の役割をする第２メタル層Ｌ２ｃのみを含み得る。
【0271】
図１９を参照すると、第１メタルを根幹とする第１配線ＳＬ１の場合、低反射構造を適用した第１配線ＳＬ１は、低反射構造を適用しない第１配線ＳＬ１に比べて、可視光線波長帯域（約３８０ｎｍから約８００ｎｍまでの範囲）で反射率が大きく減少することを確認できる。
【0272】
図２０を参照すると、第２メタルを根幹とする第２配線ＳＬ２の場合、低反射構造を適用した第２配線ＳＬ２は、低反射構造を適用しない第２配線ＳＬ２に比べて、可視光線波長帯域（約３８０ｎｍから約８００ｎｍまでの範囲）で反射率が大きく減少することを確認できる。
【0273】
図２１は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内で、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１での低反射構造を適用したデータラインＤＬとゲートラインＧＬを示した図面である。
【0274】
図２１は、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１と重畳するサブピクセルＳＰの形成領域とその周辺を簡単に示した図面であり、図２２は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内の第１領域Ａ１に配置されたカメラ１１０とサブピクセルＳＰを示した図面である。
【0275】
図２１を参照すると、サブピクセルＳＰは、データラインＤＬとゲートラインＧＬと接続され得る。
【0276】
例えば、図１７ないし図２０での第１配線ＳＬ１と第２配線ＳＬ２のうち、１つは、行方向のディスプレー配線（例：ゲートラインＧＬなど）であり、残りの１つは、列方向のディスプレー配線（例：データラインＤＬなど）であり得る。
【0277】
一例として、図２１のように、データラインＤＬが列方向のディスプレー配線であり、ゲートラインＧＬが行方向のディスプレー配線の場合、第１配線ＳＬ１は、データラインＤＬであり得る。第２配線ＳＬ２は、ゲートラインＧＬであり得る。
【0278】
図２１を参照すると、サブピクセルＳＰは、第１領域Ａ１と重畳するため、サブピクセルＳＰの周辺は、外部光が透過する透過領域ＴＡが存在し得る。
【0279】
図２１のサブピクセルＳＰと接続されたデータラインＤＬおよびゲートラインＧＬは、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１と重畳するため、データラインＤＬおよびゲートラインＧＬそれぞれは、低反射構造を有し得る。
【0280】
前述したように、図２１のサブピクセルＳＰは、カメラ１１０が配置された第１領域Ａ１と重畳する。
【0281】
したがって、第１領域Ａ１と重畳したサブピクセルＳＰに配置されたトランジスター（ＤＲＴ、ＳＣＴなど）とストレージキャパシタＣｓｔは、前述した低反射構造を有し得る。前述した低反射構造は、メインメタルの下に付加的な層をさらに含む多層構造であり得る。ここで、付加的な層は、光経路の長さの差を作る光経路補償層と薄膜で形成された半透過層を含み得る。
【0282】
カメラ１１０が重畳する第１領域Ａ１は、第２領域Ａ２と同じ解像度を有し得る。すなわち、第１領域Ａ１で単位面積当たり配置されるサブピクセルＳＰの数は、第２領域Ａ２で単位面積当たり配置されるサブピクセルＳＰの数と同一である。
【0283】
第１領域Ａ１でカメラ１１０の撮影性能を向上させるために、第１領域Ａ１の透過度を第２領域Ａ２の透過度よりも高める必要がある。このために、カメラ１１０が重畳する第１領域Ａ１は、第２領域Ａ２よりも低い解像度を有し得る。すなわち、第１領域Ａ１で単位面積当たり配置されるサブピクセルＳＰの数は、第２領域Ａ２で単位面積当たり配置されるサブピクセルＳＰの数よりも少ないことができる。
【0284】
図２３は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内で、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２についての断面図であり、図２４は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０の表示領域ＡＡ内で、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２についての他の断面図である。
【0285】
【0286】
すなわち、カメラ１１０と重畳する第１領域Ａ１内のサブピクセルＳＰに配置される第１トランジスターＴＲ１および第１キャパシタＣｓｔ１は、３重膜で構成され得る。
【0287】
図２３および図２４を参照すると、カメラ１１０と重畳せずの第２領域Ａ２内のサブピクセルＳＰに配置される第２トランジスターＴＲ２および第２キャパシタＣｓｔ２は、低反射構造を有しないことがある。すなわち、カメラ１１０と重畳せずの第２領域Ａ２内のサブピクセルＳＰに配置される第２トランジスターＴＲ２および第２キャパシタＣｓｔ２は、単一膜で構成され得る。
【0288】
以下で、第１領域Ａ１内のサブピクセルＳＰに配置される第１トランジスターＴＲ１および第１キャパシタＣｓｔ１の構造と、第２領域Ａ２内のサブピクセルＳＰに配置される第２トランジスターＴＲ２および第２キャパシタＣｓｔ２の構造を説明する。
【0289】
但し、図２３および図２４では、第１および第２トランジスターＴＲ１、ＴＲ２がトップゲート（Ｔｏｐ Ｇａｔｅ）構造を有すると仮定する。しかし、図９のように、第１および第２トランジスターＴＲ１、ＴＲ２は、ボトムゲート（Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ）構造を有し得る。
【0290】
【0291】
基板３２０上にバッファー層ＢＵＦが配置される。バッファー層ＢＵＦ上に第１トランジスターＴＲ１のアクティブ層ＡＣＴ１が配置される。
【0292】
第１トランジスターＴＲ１のアクティブ層ＡＣＴ１上にゲート絶縁膜ＧＩが配置される。ゲート絶縁膜ＧＩ上に第１トランジスターＴＲ１のゲート電極Ｇ１が配置される。ゲート電極Ｇ１を覆いつつ、ゲート絶縁膜ＧＩ上にパッシベーション層ＰＡＳが配置され得る。
【0293】
パッシベーション層ＰＡＳ上に第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１とドレイン電極Ｄ１が配置される。第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１は、パッシベーション層ＰＡＳおよびゲート絶縁膜ＧＩの２重コンタクトホールを介してアクティブ層ＡＣＴ１の一部分と接続され得る。
【0294】
第１トランジスターＴＲ１のドレイン電極Ｄ１は、パッシベーション層ＰＡＳおよびゲート絶縁膜ＧＩの２重コンタクトホールを介してアクティブ層ＡＣＴ１の他の部分と接続され得る。
【0295】
アクティブ層ＡＣＴ１で、第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１と接続された第１部分と第１トランジスターＴＲ１のドレイン電極Ｄ１と接続された第２部分は、導体化された部分である。アクティブ層ＡＣＴ１で、第１部分と第２部分との間は、第１トランジスターＴＲ１のチャンネルが形成される部分である。
【0296】
第１トランジスターＴＲ１は、サブピクセルＳＰ内の駆動トランジスターＤＲＴまたはスキャントランジスターＳＣＴであり得る。図２３および図２４の第１トランジスターＴＲ１は、サブピクセルＳＰ内の駆動トランジスターＤＲＴを例に挙げたものである。また、第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１が発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥと電気的に接続されることを例に挙げる。
【0297】
第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１とドレイン電極Ｄ１を覆いつつ、パッシベーション層ＰＡＳ上に絶縁層ＰＡＣが配置され得る。絶縁層ＰＡＣ上にアノード電極ＡＥが配置される。アノード電極ＡＥは、絶縁層ＰＡＣのコンタクトホールを介して第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１と接続される。
【0298】
サブピクセルＳＰの発光領域を定義するバンクＢＡＮＫが絶縁層ＰＡＣ上に配置され得る。
【0299】
図２３および図２４を参照すると、第１領域Ａ１に配置された第１キャパシタＣｓｔ１は、互いに離隔された２つのプレートＰＬＴ１Ａ、ＰＬＴ１Ｂを含む。２つのプレートＰＬＴ１Ａ、ＰＬＴ１Ｂのうち、第１プレートＰＬＴ１Ａは、アクティブ層ＡＣＴ１と同じ物質（半導体物質）が導体化された電極であり得る。２つのプレートＰＬＴ１Ａ、ＰＬＴ１Ｂのうち、第２プレートＰＬＴ１Ｂは、ゲート電極Ｇ１と同じゲートメタルであり得る。
【0300】
図２３および図２４を参照して第２領域Ａ２についての積層構造を説明する。第２トランジスターＴＲ２は、基板３２０の上部に位置するが、第１領域Ａ１と重畳せず、第２領域Ａ２と重畳し得る。基板３２０上にバッファー層ＢＵＦが配置される。バッファー層ＢＵＦ上に第２トランジスターＴＲ２のアクティブ層ＡＣＴ２が配置される。第２トランジスターＴＲ２のアクティブ層ＡＣＴ２上にゲート絶縁膜ＧＩが配置される。ゲート絶縁膜ＧＩ上に第２トランジスターＴＲ２のゲート電極Ｇ２が配置される。ゲート電極Ｇ２を覆いつつ、ゲート絶縁膜ＧＩ上にパッシベーション層ＰＡＳが配置され得る。
【0301】
パッシベーション層ＰＡＳ上に第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２とドレイン電極Ｄ２が配置される。第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２は、パッシベーション層ＰＡＳおよびゲート絶縁膜ＧＩの２重コンタクトホールを介してアクティブ層ＡＣＴ２の一部分と接続され得る。
【0302】
第２トランジスターＴＲ２のドレイン電極Ｄ２は、パッシベーション層ＰＡＳおよびゲート絶縁膜ＧＩの２重コンタクトホールを介してアクティブ層ＡＣＴ１の他の部分と接続され得る。
【0303】
アクティブ層ＡＣＴ１で、第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２と接続された第１部分と第２トランジスターＴＲ２のドレイン電極Ｄ２と接続された第２部分は、導体化された部分である。アクティブ層ＡＣＴ２で、第１部分と第２部分との間は、第２トランジスターＴＲ２のチャンネルが形成される部分である。
【0304】
第２トランジスターＴＲ２は、サブピクセルＳＰ内の駆動トランジスターＤＲＴまたはスキャントランジスターＳＣＴであり得る。図２３および図２４の第２トランジスターＴＲ２は、サブピクセルＳＰ内の駆動トランジスターＤＲＴを例に挙げたものである。また、第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２が発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥと電気的に接続されることを例に挙げる。
【0305】
第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２とドレイン電極Ｄ２を覆いつつ、パッシベーション層ＰＡＳ上に絶縁層ＰＡＣが配置され得る。絶縁層ＰＡＣ上にアノード電極ＡＥが配置される。アノード電極ＡＥは、絶縁層ＰＡＣのコンタクトホールを介して第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２と接続される。
【0306】
サブピクセルＳＰの発光領域を定義するバンクＢＡＮＫが絶縁層ＰＡＣ上に配置され得る。
【0307】
図２３を参照すると、第２領域Ａ２に配置された第２キャパシタＣｓｔ２は、互いに離隔された２つのプレートＰＬＴ２Ａ、ＰＬＴ２Ｂを含む。２つのプレートＰＬＴ２Ａ、ＰＬＴ２Ｂのうち、第１プレートＰＬＴ２Ａは、アクティブ層ＡＣＴ２と同じ物質（半導体物質）が導体化された電極であり得る。２つのプレートＰＬＴ２Ａ、ＰＬＴ２Ｂのうち、第２プレートＰＬＴ２Ｂは、ゲート電極Ｇ２と同じゲートメタルであり得る。
【0308】
図２３を参照すると、カメラ１１０と全体または一部分が重畳する第１トランジスターＴＲ１は、低反射構造を有する。
【0309】
図２３を参照すると、第１トランジスターＴＲ１のソース電極Ｓ１は、第１ソース電極層２３３１、第２ソース電極層２３３２および第３ソース電極層２３３３を含み得る。
【0310】
第１ソース電極層２３３１は、第１半透過層Ｌ１ａと対応する材料および厚さを有し、第２ソース電極層２３３２は、第１光経路補償層Ｌ１ｂと対応する材料および厚さを有し、第３ソース電極層２３３３は、ソースドレインメタルである第１メタルを含み得る。
【0311】
第１トランジスターＴＲ１のドレイン電極Ｄ１は、第１ドレイン電極層２３２１、第２ドレイン電極層２３２２および第３ドレイン電極層２３２３を含み得る。
【0312】
第１ドレイン電極層２３２１は、第１半透過層Ｌ１ａと対応する材料および厚さを有し、第２ドレイン電極層２３２２は、第１光経路補償層Ｌ１ｂと対応する材料および厚さを有し、第３ドレイン電極層２３２３は、ソースドレインメタルである第１メタルを含み得る。
【0313】
第１トランジスターＴＲ１のゲート電極Ｇ１は、第１ゲート電極層２３１１、第２ゲート電極層２３１２および第３ゲート電極層２３１３を含み得る。
【0314】
第１ゲート電極層２３１１は、第２半透過層Ｌ２ａと対応する材料および厚さを有し、第２ゲート電極層２３１２は、第２光経路補償層Ｌ２ｂと対応する材料および厚さを有し、第３ゲート電極層２３１３は、ゲートメタルである第２メタルを含み得る。
【0315】
図２３を参照すると、カメラ１１０と重畳しない第２トランジスターＴＲ２は、低反射構造（３重の層構造）を有せず、一般的な構造（単一層構造）を有し得る。場合によっては、カメラ１１０と重畳しない第２トランジスターＴＲ２も、第１トランジスターＴＲ１のように低反射構造（３重の層構造）を有し得る。
【0316】
図２３を参照すると、第２トランジスターＴＲ２のソース電極Ｓ２は、第１ソース電極層２３３１および第２ソース電極層２３３２なしに、第３ソース電極層２３３３のみを含み得る。第２トランジスターＴＲ２のドレイン電極Ｄ２は、第１ドレイン電極層２３２１および第２ドレイン電極層２３２２なしに、第３ドレイン電極層２３２３のみを含み得る。第２トランジスターＴＲ２のゲート電極Ｇ２は、第１ゲート電極層２３１１および第２ゲート電極層２３１２なしに、第３ゲート電極層２３１３のみを含み得る。
【0317】
図２３を参照すると、表示パネル１００は、基板３２０の上部に位置するが、第２領域Ａ２と重畳せず、第１領域Ａ１と重畳する第１キャパシタＣｓｔ１をさらに含み得る。
【0318】
第１キャパシタＣｓｔ１は、互いに離隔された２つのプレートＰＬＴ１Ａ、ＰＬＴ１Ｂを含み得る。２つのプレートＰＬＴ１Ａ、ＰＬＴ１Ｂのうち、少なくとも１つ（例えば、ＰＬＴ１Ｂ）は、第１プレート層２３４１、第２プレート層２３４２および第３プレート層２３４３を含み得る。すまわち、カメラ１１０と重畳する第１領域Ａ１に配置される第１キャパシタＣｓｔ１の２つのプレートＰＬＴ１Ａ、ＰＬＴ１Ｂのうち、少なくとも１つ（例えば、ＰＬＴ１Ｂ）は、低反射構造を有し得る。
【0319】
第１プレート層２３４１は、第１半透過層Ｌ１ａと対応する材料および厚さを有し得る。第２プレート層２３４２は、第１光経路補償層Ｌ１ｂと対応する材料および厚さを有し得る。第３プレート層２３４３は、ソースドレインメタルである第１メタルまたはゲートメタルである第２メタルを含み得る。
【0320】
表示パネル１００は、基板３２０の上部に位置するが、第１領域Ａ１と重畳せず、第２領域Ａ２と重畳する第２キャパシタＣｓｔ２をさらに含み得る。
【0321】
第２キャパシタＣｓｔ２は、互いに離隔され、単一層からなる２つのプレートＰＬＴ２Ａ、ＰＬＴ２Ｂを含み得る。第２キャパシタＣｓｔ２の第１プレートＰＬＴ２Ａは、第１キャパシタＣｓｔ１の第３プレート層２３４３と同じ物質を含むか、または第１キャパシタＣｓｔ１の第３プレート層２３４３と同じ層に配置され得る。
【0322】
図２４を参照すると、表示パネル１００は、第１トランジスターＴＲ１のアクティブ層ＡＣＴ１の下に配置される第１ライトシールドＬＳ１をさらに含み得る。第１領域Ａ１でカメラ１１０と重畳する第１ライトシールドＬＳ１は、第１トランジスターＴＲ１のチャンネルを保護するパターンである。
【0323】
カメラ１１０と重畳する第１領域Ａ１に配置される第１ライトシールドＬＳ１は、低反射構造を有し得る。すまわち、カメラ１１０と重畳する第１領域Ａ１に配置される第１ライトシールドＬＳ１は、基板３２０上に位置する第１ライトシールド層２４０１、第１ライトシールド層２４０１上に位置する第２ライトシールド層２４０２および第２ライトシールド層２４０２上に位置する第３ライトシールド層２４０３を含み得る。
【0324】
第１ライトシールドＬＳ１において、第１ライトシールド層２４０１は、第２ライトシールド層２４０２よりも薄いことがあり、第１ライトシールド層２４０１は、第１半透過層Ｌ１ａと対応する材料を有し得、第２ライトシールド層２４０２は、第１光経路補償層Ｌ１ｂと対応する材料を有し得る。
【0325】
図２４を参照すると、表示パネル１００は、第２トランジスターＴＲ２のアクティブ層ＡＣＴ２の下に配置され、カメラ１１０と重畳しない第２領域Ａ２に配置される第２ライトシールドＬＳ２をさらに含み得る。カメラ１１０と重畳しない第２ライトシールドＬＳ２は、第２トランジスターＴＲ２のチャンネルを保護するパターンである。
【0326】
カメラ１１０と重畳しない第２領域Ａ２に配置される第２ライトシールドＬＳ２は、第３ライトシールド層２４０３を含み、第１ライトシールド層２４０１および第２ライトシールド層２４０２を含まないことがある。
【0327】
つまり、カメラ１１０と重畳しない第２領域Ａ２に配置される第２ライトシールドＬＳ２は、単一層構造を有し得る。
【0328】
図２５は、本開示の実施例によるディスプレー装置１０のカメラ１１０が表示領域ＡＡの中央に位置する場合を示した図面である。
【0329】
図２５を参照すると、表示パネル１００の表示領域ＡＡは、カメラ１１０と重畳する第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１とは異なる第２領域Ａ２を含み得る。
【0330】
第１領域Ａ１は、表示領域ＡＡ内に位置するが、表示領域ＡＡの外郭領域である非表示領域ＮＡと隣接する境界領域に位置し得る。この場合、第１領域Ａ１の一部のみが第２領域Ａ２によって囲まれ得る。第１領域Ａ１は、ディスプレー装置１０の上端部に存在し得る。
【0331】
これとは異なり、図２５に示したように、第１領域Ａ１は、表示領域ＡＡの中央に位置し得る。この場合、第１領域Ａ１は、すべての方向に第２領域Ａ２によって囲まれ得る。
【0332】
以上で説明した本開示の実施例は、映像が表示される表示領域を含み、基板と、基板の上部に位置し、表示領域に配置される第１配線を含む表示パネルと、表示パネルの前面の外部に露出されず、表示パネルの前方を撮影し、表示パネルの表示領域の下に配置され、表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラと、を含むディスプレー装置を提供し得る。
【0333】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１配線の全体または一部は、第１領域と重畳し得る。第１配線で第１領域と重畳する部分は、基板の上部に位置する第１半透過層と、第１半透過層上に位置する第１光経路補償層と、第１光経路補償層上に位置し、第１メタル（Ｓ／Ｄ）を含む第１メタル層と、を含み得る。
【0334】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層は、第１光経路補償層の厚さよりも薄い厚さを有し得る。
【0335】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層、第１光経路補償層および第１メタル層のうち、カメラと最も隣接する第１半透過層の厚さが最も薄く、外部光が入射する部分と最も隣接する第１メタル層の厚さが最も厚いことがある。
【0336】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層は、１ないし５ｎｍの厚さを有し、第１光経路補償層は、３０ないし１２０ｎｍの厚さを有し得る。
【0337】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、外部光が第１配線の側面の開口部に入射してカメラの前面から反射し、カメラの前面から反射した外部光の一部は、第１半透過層の背面から反射し、カメラの前面から反射した外部光の他の一部は、第１半透過層および第１光経路補償層を透過し、第１メタル層の背面から反射し得る。
【0338】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層の背面から反射した外部光と、第１メタル層の背面から反射した外部光は、１８０度の奇数倍だけの位相差を有し得る。
【0339】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１光経路補償層は、導電性透明材料を含み得る。
【0340】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、表示領域で第１領域を除いた領域は、第２領域であり、第１配線は、第１領域と重畳する部分と第２領域と重畳する部分を含み得る。第１配線で第２領域と重畳する部分は、第１半透過層および第１光経路補償層なしに、第１メタルを含む第１メタル層を含み得る。
【0341】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、基板の上部に位置し、表示領域に配置され、第１領域と全体または一部が重畳する第２配線をさらに含み得る。
【0342】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第２配線で第１領域と重畳する部分は、基板の上部に位置する第２半透過層と、第２半透過層上に位置する第２光経路補償層と、第２光経路補償層上に位置し、第１メタルとは異なる第２メタル（Ｇａｔｅ）を含む第２メタル層と、を含み得る。
【0343】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１半透過層と第２半透過層は、同じ材料を含み、第１光経路補償層と第２光経路補償層は、同じ材料を含み得る。
【0344】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、外部光が基板の上部から第１配線と第２配線との間の開口部に入射し、カメラの前面に向かうことができる。
【0345】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１配線と第２配線のうち、１つは、ディスプレー駆動のための行方向のディスプレー配線であり、残りの１つは、ディスプレー駆動のための列方向のディスプレー配線であり得る。
【0346】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、基板の上部に位置するが、第１領域と重畳する第１トランジスターをさらに含み得る。
【0347】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１トランジスターのソース電極は、第１ソース電極層、第２ソース電極層および第３ソース電極層を含み得る。第１ソース電極層は、第１半透過層と対応する材料および厚さを有し、第２ソース電極層は、第１光経路補償層と対応する材料および厚さを有し、第３ソース電極層は、第１メタルを含み得る。
【0348】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１トランジスターのドレイン電極は、第１ドレイン電極層、第２ドレイン電極層および第３ドレイン電極層を含み得る。第１ドレイン電極層は、第１半透過層と対応する材料および厚さを有し、第２ドレイン電極層は、第１光経路補償層と対応する材料および厚さを有し、第３ドレイン電極層は、第１メタルを含み得る。
【0349】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１トランジスターのゲート電極は、第１ゲート電極層、第２ゲート電極層および第３ゲート電極層を含み得る。第１ゲート電極層は、第２半透過層と対応する材料および厚さを有し、第２ゲート電極層は、第２光経路補償層と対応する材料および厚さを有し、第３ゲート電極層は、第２メタルを含み得る。
【0350】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１トランジスターのアクティブ層の下に配置されるライトシールドをさらに含み得る。
【0351】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、ライトシールドは、基板上に位置する第１ライトシールド層、第１ライトシールド層上に位置する第２ライトシールド層および第２ライトシールド層上に位置する第３ライトシールド層を含み得る。
【0352】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１ライトシールド層は、第２ライトシールド層よりも薄いことがある。第１ライトシールド層は、第１半透過層と対応する材料を有し、第２ライトシールド層は、第１光経路補償層と対応する材料を有し得る。
【0353】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、基板の上部に位置するが、表示領域内で第１領域を除いた第２領域と重畳する第２トランジスターをさらに含み得る。
【0354】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第２トランジスターのソース電極は、第１ソース電極層および第２ソース電極層なしに、第３ソース電極層のみを含み得る。第２トランジスターのドレイン電極は、第１ドレイン電極層および第２ドレイン電極層なしに、第３ドレイン電極層のみを含み得る。第２トランジスターのゲート電極は、第１ゲート電極層および第２ゲート電極層なしに、第３ゲート電極層のみを含み得る。
【0355】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、基板の上部に位置するが、第１領域と重畳する第１キャパシタをさらに含み得る。第１ストレージキャパシタは、互いに離隔された２つのプレートを含み、２つのプレートのうち、少なくとも１つは、第１プレート層、第２プレート層および第３プレート層を含み得る。
【0356】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１プレート層は、第１半透過層と対応する材料および厚さを有し、第２プレート層は、第１光経路補償層と対応する材料および厚さを有し、第３プレート層は、第１メタルまたは第２メタルを含み得る。
【0357】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、基板の上部に位置するが、表示領域内で第１領域を除いた第２領域と重畳する第２キャパシタをさらに含み得る。第２ストレージキャパシタは、互いに離隔され、単一層からなる２つのプレートを含み得る。
【0358】
本開示の実施例によるディスプレー装置は、基板の上部で表示領域に位置するトランジスターアレイと、トランジスターアレイ上に位置するアノード電極層と、アノード電極層上に位置する発光層と、発光層上に位置するカソード電極層と、カソード電極層上に位置する封止層と、をさらに含み得る。
【0359】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、カソード電極層は、第１領域と重畳する第１カソード電極と、表示領域内で第１領域を除いた第２領域と重畳する第２カソード電極を含み得る。
【0360】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１カソード電極は、予め設定された臨界透過度以上の第１透過度を有する透明カソード電極であり得る。
【0361】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、第１カソード電極と第２カソード電極は、分離しており、第２カソード電極は、第１透過度未満の第２透過度を有し得る。
【0362】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、封止層上に配置され、タッチ電極を含むタッチセンサー層と、基板上に位置するが、表示領域の外郭領域である非表示領域に位置するタッチパッド部と、タッチ電極の全体または一部と電気的に接続され、封止層の斜面に沿って下りて、タッチパッド部と電気的に接続されるタッチラインと、をさらに含み得る。
【0363】
本開示の実施例によるディスプレー装置は、光発生装置と、光発生装置から出射した光を用いて周辺の人体や物体を感知する近接センサーをさらに含み得る。光発生装置は、封止層上に位置するが、タッチセンサー層の側面に位置し得る。近接センサーは、基板の下部に位置し、第１領域と重畳し得る。
【0364】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、タッチ電極のうち、カメラが配置された領域と重畳して位置するタッチ電極のそれぞれは、透明電極であるか、または１つ以上の開口部があるメッシュタイプの電極であり得る。
【0365】
表示領域は、カメラと重畳する第１領域と、第１領域とは異なる第２領域を含み得る。一例として、第１領域は、表示領域内で外郭に位置し、第１領域の一部のみが第２領域によって囲まれ得る。
【0366】
他の例として、第１領域は、表示領域の中央に位置し、第１領域は、すべての方向に第２領域によって囲まれ得る。
【0367】
本開示の実施例は、映像が表示される表示領域を含み、基板と、基板の上部に位置し、表示領域に配置される電極を含む表示パネルと、表示パネルの前面の外部に露出されず、表示パネルの前方を撮影し、前記表示パネルの前記表示領域の下に配置され、表示領域内の第１領域と重畳して位置するカメラと、を含むディスプレー装置を提供し得る。
【0368】
本開示の実施例によるディスプレー装置において、電極は、カメラと重畳する第１領域に重畳し、電極は、基板の上部に位置する半透過層と、半透過層上に位置する光経路補償層と、光経路補償層上に位置するメタル層と、を含み得る。
【0369】
半透過層は、光経路補償層の厚さよりも薄い厚さを有し得る。電極は、第１領域と重畳するサブピクセル内のトランジスターの電極であるか、または第１領域と重畳するキャパシタのプレートであり得る。
【0370】
本開示の実施例によると、前方を撮影するカメラが前面に露出されず、表示パネルの下部に配置されるディスプレー装置を提供し得る。
【0371】
また、本開示の実施例によると、前方を撮影するカメラが前面に露出されず、表示パネルの下部に配置されても、ハイクオリティーの前方イメージを獲得できるディスプレー装置を提供し得る。
【0372】
また、本開示の実施例によると、前方を撮影するカメラが前面に露出されず、表示パネルの下部に配置される場合、カメラの撮影に必要な外部光が表示パネルの内部に入射し、表示パネル内の配線とカメラとの間で反復的に反射される現象を防止し、高解像度のイメージを獲得できるディスプレー装置を提供し得る。
【0373】
以上で説明した明細書は、前述の実施例および添付した図面に限定されるものではなく、本開示の技術的思想を逸脱しない範囲内で様々な置換、変形および変更が可能であることが本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本開示の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味および範囲、そして、その等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本開示の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18a】
【図18b】
【図18c】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【手続補正書】
【提出日】2022-11-11
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１領域および前記第１領域とは異なる第２領域を含む表示領域、および前記表示領域の外側の非表示領域を含み、
基板、
トランジスタアレイの上に配置されたアノード電極層、
前記アノード電極層の上に位置する発光層、
前記発光層の上に位置するカソード電極層、
前記カソード電極層の上に配置された封止層
を含む表示パネルと、
前記表示パネルの下に位置し、前記表示領域の前記第１領域と重畳する光学装置と、
第１配線、および前記第１配線とは異なる第２配線を含む少なくとも２つの配線であって、少なくとも２つの前記配線の少なくとも一部は前記光学装置と重畳する前記第１領域に配置される、少なくとも２つの配線と、
前記封止層の上に配置され、複数のタッチ電極を含むとタッチセンサと、
前記基板上であって、前記非表示領域に位置するタッチパッド部と、
複数の前記タッチ電極の内の１つまたは複数と電気的に接続され、前記タッチパッド部と電気的に接続される、複数のタッチ配線とを含み、
前記カソード電極層が、前記第１領域に配置された第１カソード電極層および前記第２領域に配置された第２カソード電極層を含む、ディスプレー装置。
基板、
トランジスタアレイの上に配置されたアノード電極層、
前記アノード電極層の上に位置する発光層、
前記発光層の上に位置するカソード電極層、
前記カソード電極層の上に配置された封止層
を含む表示パネルと、
前記表示パネルの下に位置し、前記表示領域の前記第１領域と重畳する光学装置と、
第１配線、および前記第１配線とは異なる第２配線を含む少なくとも２つの配線であって、少なくとも２つの前記配線の少なくとも一部は前記光学装置と重畳する前記第１領域に配置される、少なくとも２つの配線と、
前記封止層の上に配置され、複数のタッチ電極を含むとタッチセンサと、
前記基板上であって、前記非表示領域に位置するタッチパッド部と、
複数の前記タッチ電極の内の１つまたは複数と電気的に接続され、前記タッチパッド部と電気的に接続される、複数のタッチ配線とを含み、
前記カソード電極層が、前記第１領域に配置された第１カソード電極層および前記第２領域に配置された第２カソード電極層を含む、ディスプレー装置。
【請求項2】
少なくとも２つの前記配線は複数の信号線、複数の電極、または複数の金属パターンを含む、請求項１に記載のディスプレー装置。
【請求項3】
前記第１配線および前記第２配線の内の少なくとも１つは複数の層を含む、請求項１に記載のディスプレー装置。
【請求項4】
複数の前記層は、半透過層、光経路補償層、およびメタル層を含む、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項5】
前記第１配線は、前記第１領域と重畳する第１部分および前記第２領域と重畳する第２部分を含み、
前記第１配線に含まれる前記半透過層、前記光経路補償層、および前記メタル層は、前記第１領域と重畳する前記第１部分に配置される、請求項４に記載のディスプレー装置。
前記第１配線に含まれる前記半透過層、前記光経路補償層、および前記メタル層は、前記第１領域と重畳する前記第１部分に配置される、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項6】
前記第１配線に含まれる前記メタル層は前記第２部分の少なくとも一部に配置され、前記光経路補償層および前記メタル層は前記第２部分の前記少なくとも一部に配置されない、請求項５に記載のディスプレー装置。
【請求項7】
前記第２配線に含まれる前記半透過層、前記光経路補償層、および前記メタル層は、前記第１領域と重畳する前記第２配線の一部に配置される、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項8】
前記半透過層は、前記光経路補償層の厚さよりも薄い厚さを有し、
前記光経路補償層は、導電性透明材料を含む、請求項４に記載のディスプレー装置。
前記光経路補償層は、導電性透明材料を含む、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項9】
前記半透過層、前記光経路補償層、および前記メタル層のうち、前記光学装置に最も近い半透過層の厚さが最も薄く、外部光が入射する部分に最も近い金属層の厚さが最も厚い、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項10】
前記基板の上に位置し、前記第１領域と重畳する第１トランジスターをさらに含み、
前記第１トランジスターのソース電極は第１ソース電極層、第２ソース電極層、および第３ソース電極層を含み、
前記第１ソース電極層は前記半透過層の材料と対応する材料を有し、
前記第２ソース電極層は前記光経路補償層の材料と対応する材料を有し、
前記第３ソース電極層は第１メタルを含み、
前記第１トランジスターのドレイン電極は第１ドレイン電極層、第２ドレイン電極層、および第３ドレイン電極層を含み、
前記第１ドレイン電極層は前記半透過層の材料と対応する材料を有し、
前記第２ドレイン電極層は前記光経路補償層の材料と対応する材料を有し、
前記第３ドレイン電極層は前記第１メタルを含み、
前記第１トランジスターのゲート電極は第１ゲート電極層、第２ゲート電極層、および第３ゲート電極層を含み、
前記第１ゲート電極層は前記半透過層の材料と対応する材料を有し、
前記第２ゲート電極層は前記光経路補償層の材料と対応する材料を有し、
前記第３ゲート電極層は前記第２メタルを含む、請求項４に記載のディスプレー装置。
前記第１トランジスターのソース電極は第１ソース電極層、第２ソース電極層、および第３ソース電極層を含み、
前記第１ソース電極層は前記半透過層の材料と対応する材料を有し、
前記第２ソース電極層は前記光経路補償層の材料と対応する材料を有し、
前記第３ソース電極層は第１メタルを含み、
前記第１トランジスターのドレイン電極は第１ドレイン電極層、第２ドレイン電極層、および第３ドレイン電極層を含み、
前記第１ドレイン電極層は前記半透過層の材料と対応する材料を有し、
前記第２ドレイン電極層は前記光経路補償層の材料と対応する材料を有し、
前記第３ドレイン電極層は前記第１メタルを含み、
前記第１トランジスターのゲート電極は第１ゲート電極層、第２ゲート電極層、および第３ゲート電極層を含み、
前記第１ゲート電極層は前記半透過層の材料と対応する材料を有し、
前記第２ゲート電極層は前記光経路補償層の材料と対応する材料を有し、
前記第３ゲート電極層は前記第２メタルを含む、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項11】
前記第１トランジスターのアクティブ層の下に配置されるライトシールドをさらに含み、
前記ライトシールドは、前記基板の上に位置する第１ライトシールド層、前記第１配線の前記ライトシールド層の上に位置する第２ライトシールド層、および前記第２配線の前記ライトシールド層の上に位置する第３ライトシールド層を含み、
前記第１ライトシールド層は前記第２ライトシールド層よりも薄く、
前記第１ライトシールド層は前記半透過層と対応する材料を有し、
前記第２ライトシールド層は前記光経路補償層と対応する材料を有する、請求項１０に記載のディスプレー装置。
前記ライトシールドは、前記基板の上に位置する第１ライトシールド層、前記第１配線の前記ライトシールド層の上に位置する第２ライトシールド層、および前記第２配線の前記ライトシールド層の上に位置する第３ライトシールド層を含み、
前記第１ライトシールド層は前記第２ライトシールド層よりも薄く、
前記第１ライトシールド層は前記半透過層と対応する材料を有し、
前記第２ライトシールド層は前記光経路補償層と対応する材料を有する、請求項１０に記載のディスプレー装置。
【請求項12】
前記基板の上に位置し、前記表示領域の前記第２領域と重畳する第２トランジスターをさらに含み、
前記第２トランジスターのソース電極は前記第３ソース電極層を含み、前記第１ソース電極層および前記第２ソース電極層を含まず、
前記第２トランジスターのドレイン電極は前記第３ドレイン電極層を含み、前記第１ドレイン電極層および前記第２ドレイン電極層を含まず、
前記第２トランジスターのゲート電極は前記第３ゲート電極層を含み、前記第１ゲート電極層および前記第２ゲート電極層を含まない、請求項１０に記載のディスプレー装置。
前記第２トランジスターのソース電極は前記第３ソース電極層を含み、前記第１ソース電極層および前記第２ソース電極層を含まず、
前記第２トランジスターのドレイン電極は前記第３ドレイン電極層を含み、前記第１ドレイン電極層および前記第２ドレイン電極層を含まず、
前記第２トランジスターのゲート電極は前記第３ゲート電極層を含み、前記第１ゲート電極層および前記第２ゲート電極層を含まない、請求項１０に記載のディスプレー装置。
【請求項13】
前記基板の上に位置し、前記第１領域と重畳する第１キャパシタをさらに含み、
前記第１ストレージキャパシタは互いに離隔された２つのプレートを含み、
前記２つのプレートの内の少なくとも一方は、第１プレート層、第２プレート層および第３プレート層を含み、
前記第１プレート層は前記半透過層と対応する材料を有し、
前記第２プレート層は前記光経路補償層と対応する材料を有し、
前記第３プレート層は前記メタル層と対応する材料を有する、請求項４に記載のディスプレー装置。
前記第１ストレージキャパシタは互いに離隔された２つのプレートを含み、
前記２つのプレートの内の少なくとも一方は、第１プレート層、第２プレート層および第３プレート層を含み、
前記第１プレート層は前記半透過層と対応する材料を有し、
前記第２プレート層は前記光経路補償層と対応する材料を有し、
前記第３プレート層は前記メタル層と対応する材料を有する、請求項４に記載のディスプレー装置。
【請求項14】
前記基板の上に位置し、前記表示領域の前記第２領域と重畳する第２キャパシタをさらに含み、
前記第２ストレージキャパシタは互いに離隔された２つのプレートを含み、
前記第２ストレージキャパシタの前記２つのプレートのそれぞれは単一層である、請求項１３に記載のディスプレー装置。
前記第２ストレージキャパシタは互いに離隔された２つのプレートを含み、
前記第２ストレージキャパシタの前記２つのプレートのそれぞれは単一層である、請求項１３に記載のディスプレー装置。
【請求項15】
前記第１配線は第１方向に配置され、前記第２配線は前記第１方向とは異なる第２方向に配置される、請求項１に記載のディスプレー装置。
【請求項16】
前記第１方向は、前記第２方向に対して垂直である、請求項１３に記載のディスプレー装置。
【請求項17】
前記第１カソード電極は、臨界透過度以上の第１透過度を有する透明カソード電極であり、
前記第２カソード電極は、第１透明度よりも低い第２透明度を有する、請求項１に記載のディスプレー装置。
前記第２カソード電極は、第１透明度よりも低い第２透明度を有する、請求項１に記載のディスプレー装置。
【請求項18】
光発生装置と、
前記光発生装置から出射した光を用いて周辺の人体や物体を感知する近接センサーとをさらに含み、
前記光発生装置は、前記封止層の上に位置し、前記タッチセンサー層の前記側面に位置し、
前記近接センサーは前記基板の下に位置し、前記第１領域と重畳する、請求項１に記載のディスプレー装置。
前記光発生装置から出射した光を用いて周辺の人体や物体を感知する近接センサーとをさらに含み、
前記光発生装置は、前記封止層の上に位置し、前記タッチセンサー層の前記側面に位置し、
前記近接センサーは前記基板の下に位置し、前記第１領域と重畳する、請求項１に記載のディスプレー装置。
【請求項19】
前記第１領域は、表示領域の中央に位置し、前記第１領域は、すべての方向に第２領域によって囲まれる、請求項１に記載のディスプレー装置。