特開 2022-187367出願番号 特願 2021-95367
炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置
公報発行日 2022年12月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-187367 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】ｐ+型コンタクト領域上にＮｉ／Ａｌ／Ｎｉ構造を入れることで、内蔵ダイオードのＶＦを下げることができる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の炭化珪素半導体基板に、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、第１導電型の第１半導体領域と、第２導電型の第２半導体領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間絶縁膜と、第１電極と、第２電極とを形成する。第１電極は、下部Ｎｉ膜、Ａｌ膜および上部Ｎｉ膜を、成膜し、層間絶縁膜膜と接しないようにエッチングし、熱処理により、下部Ｎｉ膜をシンタリングし、Ｎｉシリサイド膜を形成し、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜およびＡｌＳｉ膜を成膜し、ＡｌＳｉ膜をエッチングする。
【選択図】図４
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置によれば、ｐ+型コンタクト領域上にＮｉ／Ａｌ／Ｎｉ構造を入れることで、内蔵ダイオードのＶＦを下げることができるという効果を奏する。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図4出願人が指定した本件の代表的な図
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