特開 2022-189051 接合方法及び蓄電デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022189051

(43)【公開日】2022-12-22

(54)【発明の名称】接合方法及び蓄電デバイス

(51)【国際特許分類】

   H01M 50/536 20210101AFI20221215BHJP

   H01M 50/533 20210101ALI20221215BHJP

   H01M 50/534 20210101ALI20221215BHJP

   H01G 11/84 20130101ALI20221215BHJP

   H01G 11/66 20130101ALI20221215BHJP

   H01G 11/74 20130101ALI20221215BHJP

【ＦＩ】

H01M50/536

H01M50/533

H01M50/534

H01G11/84

H01G11/66

H01G11/74

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021097397

(22)【出願日】2021-06-10

(71)【出願人】

【識別番号】000001236

【氏名又は名称】株式会社小松製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001634

【氏名又は名称】弁理士法人志賀国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】能登 健一

(72)【発明者】

【氏名】河合 良

(72)【発明者】

【氏名】森川 志門

(72)【発明者】

【氏名】笠間 亮太

(72)【発明者】

【氏名】水上 裕之

(72)【発明者】

【氏名】松木 康彦

【テーマコード（参考）】

5E078

5H043

【Ｆターム（参考）】

5E078FA23

5E078KA02

5E078KA08

5H043AA19

5H043BA11

5H043CA03

5H043CA12

5H043EA07

5H043EA22

5H043HA17E

5H043JA01E

5H043JA06E

5H043KA01E

5H043LA02E

5H043LA22E

5H043LA41E

(57)【要約】      （修正有）

【課題】溶接強度を確保しつつスパッタの発生やセパレータの溶融を抑制できる接合方法、および蓄電デバイスを提供する。
【解決手段】接合方法は、電極箔とセパレータとを交互に積層するとともに、前記積層された電極箔を延長するように延びる突出部を形成する工程と、前記突出部に集電板４の内側面を接触させた状態で、前記集電板４の外側面２８にレーザー光を照射して前記突出部と前記集電板４とをワブリング溶接する工程と、を含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電極箔とセパレータとを交互に積層するとともに、前記積層された電極箔を延長するように延びる突出部を形成する工程と、
前記突出部に集電板の内側面を接触させた状態で、前記集電板の外側面にレーザー光を照射して前記突出部と前記集電板とをワブリング溶接する工程と、を含む接合方法。

【請求項2】

前記突出部を形成する工程では、
前記突出部のうちの少なくとも一部を前記電極箔に交差する第一方向に屈曲させて前記第一方向に延びる平坦部を形成し、
前記ワブリング溶接する工程では、
前記集電板の内側面を前記平坦部に接触させた状態で前記ワブリング溶接を行う
請求項１に記載の接合方法。

【請求項3】

前記ワブリング溶接する工程では、
１０００℃以上の融点を有した材料からなる前記突出部と前記集電板とをワブリング溶接する
請求項１又は２に記載の接合方法。

【請求項4】

前記ワブリング溶接する工程では、
前記ワブリング溶接の溶接始点から溶接終点に向かって前記レーザー光の出力を漸次減少させる
請求項１から３の何れか一項に記載の接合方法。

【請求項5】

前記レーザー光の出力を線形に減少させる
請求項４に記載の接合方法。

【請求項6】

前記電極箔に含まれる金属箔の厚さは６～２０μｍ、前記集電板の厚さは０．３～１．０ｍｍである
請求項１から５の何れか一項に記載の接合方法。

【請求項7】

前記ワブリング溶接する工程では、
溶接進行方向と交差する方向に振幅を有したサインカーブ状に前記レーザー光を照射してワブリング溶接を行う
請求項１から６の何れか一項に記載の接合方法。

【請求項8】

交互に積層された電極箔とセパレータとを有する積層部と、
前記電極箔と一体に形成されて前記電極箔を延長する方向に延びる突出部と、
溶接部を介して前記突出部に固定された内側面を有する集電板と、
を備え、
前記集電板は、前記内側面とは反対側を向く外側面のうち前記溶接部に対応する位置にワブリング溶接痕を有する蓄電デバイス。

【請求項9】

前記突出部は、前記電極箔と交差する第一方向に延びる平坦部を備え、
前記集電板の前記内側面は、前記溶接部を介して前記平坦部に固定されている
請求項８に記載の蓄電デバイス。

【請求項10】

前記電極箔と前記集電板とは、１０００℃以上の融点を有した材料である
請求項８又は９に記載の蓄電デバイス。

【請求項11】

前記電極箔に含まれる金属箔の厚さは６～２０μｍ、前記集電板の厚さは０．３～１．０ｍｍである
請求項８から１０の何れか一項に記載の蓄電デバイス。

【請求項12】

前記ワブリング溶接痕は、該ワブリング溶接痕の溶接進行方向に交差する方向に振幅を有するサインカーブ状の溶接痕を含む
請求項８から１１の何れか一項に記載の蓄電デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、接合方法及び蓄電デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、正極板と負極板とをセパレータを介して積層して渦巻き状に巻いた極板群を形成し、この極板群の渦巻中心軸方向の一端に突出した正極集電体の突出部と、他端に突出した負極集電体の突出部とにそれぞれレーザー溶接により集電板を接合する接合方法が開示されている。この特許文献１では、極板群の渦巻中心軸方向の一端を押圧することで、渦巻中心軸方向の一端の正極集電体の突出部と、他端の負極集電体の突出部とをそれぞれ渦巻の径方向に折り曲げて平坦部を形成している。さらに、特許文献１では、これら平坦部と平行に正極側の集電板及び負極側の集電板を押し付けた状態で、集電板の渦巻中心軸方向外側の外側面からレーザーを照射して正極集電体の突出部と集電板とをレーザー溶接すると共に、負極集電体の突出部と集電板とをレーザー溶接している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１－１２９３２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１のような接合方法では、レーザーの出力が低すぎると十分な溶接強度が確保できず、溶接不良が生じる可能性が有る。その一方で、レーザーの出力が高すぎると、集電板からのスパッタの発生や、熱によるセパレータの溶融が生じて、内部微短絡や自己放電不良等が発生する可能性が有る。
本開示の目的は、溶接強度を確保しつつスパッタの発生やセパレータの溶融を抑制できる接合方法及び蓄電デバイスを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によれば、接合方法は、電極箔とセパレータとを交互に積層するとともに、前記積層された電極箔を延長するように延びる突出部を形成する工程と、前記突出部に集電板の内側面を接触させた状態で、前記集電板の外側面にレーザー光を照射して前記突出部と前記集電板とをワブリング溶接する工程と、を含んでいる。

【発明の効果】

【0006】

上記態様によれば、溶接強度を確保しつつスパッタの発生やセパレータの溶融を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の一実施形態に係る蓄電デバイスの概略構成を示す断面図である。

【図2】本開示の一実施形態に係る素子を展開した積層体の断面図である。

【図3】図２の積層体の平面図である。

【図4】図２の積層体を、渦巻状に巻いた状態を示す側面図である。

【図5】本開示の一実施形態に係る負極突出部と負極集電板との接合部近傍の断面図である。

【図6】本開示の一実施形態に係る集電板のワブリング溶接痕を示す平面図である。

【図7】上記ワブリング溶接痕の拡大図である。

【図8】本開示の一実施形態に係る接合方法のフローチャートである。

【図9】本開示の一実施形態に係る素子の中心軸ａに沿う断面図である。

【図10】本開示の一実施形態に係る平坦部を形成する工程を示す側面図である。

【図11】本開示の実施形態に係るワブリング溶接の溶接位置（横軸）に対するレーザー光の出力（縦軸）の遷移を示すグラフである。

【図12】本開示の実施形態の第一変形例に係る図５に相当する断面図である。

【図13】本開示の実施形態の第二変形例に係る図６に相当する平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

〈実施形態〉
《蓄電デバイスの構成》
以下、図面を参照しながら実施形態について詳しく説明する。
図１に示すように、本実施形態に係る蓄電デバイス１としては、リチウムイオンキャパシタ（ＬＩＣ）を一例に説明する。つまり、本実施形態の蓄電デバイス１は、正極に電気二重層キャパシタ、負極にリチウムイオンバッテリーの構造を有している。

【0009】

蓄電デバイス１は、ケーシング２と、素子３と、集電板４と、端子板５と、電解液６と、を備えている。
ケーシング２は、アルミニウム合金等の金属により形成され、有底筒状をなしている。ケーシング２は、素子３、集電板４、電解液６を収容する収容空間７を形成している。本実施形態のケーシング２の開口部８には、絞り加工等により端子板５が取り付けられており、この端子板５により開口部８が閉塞されている。

【0010】

図１～図４に示すように、素子３は、複数の電極箔９と、複数のセパレータ１０と、複数の突出部１１と、を備えている。本実施形態の素子３は、ケーシング２の収容空間７に収容可能な円筒状に形成されている。この円筒状に形成された素子３は、電解液６と共に収容空間７に収容される。素子３の中心軸ａ（図１参照）は、ケーシング２の収容空間７に収容された状態で、ケーシング２の収容空間７の中心軸に沿って延びている。

【0011】

図２に示すように、本実施形態の素子３は、電極箔９として正極箔９Ｐと負極箔９Ｎとを備え、突出部１１として正極突出部１１Ｐと負極突出部１１Ｎとを備えている。なお、以下の説明においては、素子３の中心軸ａ（図１参照）の延びる方向を中心軸方向Ｄａと称し、中心軸方向Ｄａにおいてケーシング２の開口部８が配置される側を中心軸方向第一側Ｄａ１、その反対側を中心軸方向第二側Ｄａ２と称する。

【0012】

図３に示すように、本実施形態の正極箔９Ｐは、アルミニウム合金からなるアルミニウム層１２と、このアルミニウム層１２の表裏面にそれぞれ炭素材料を塗布してなる正極炭素材層１３と、を備えている。本実施形態の負極箔９Ｎは、１０００℃以上の融点を有する金属である銅からなる銅層１４と、この銅層１４の表裏面にそれぞれ炭素材料を塗布してなる負極炭素材層１５と、を備えている。これらアルミニウム層１２および銅層１４は、例えば６～２０μｍの厚さを有している。本実施形態の正極箔９Ｐ及び負極箔９Ｎは、図３に示す展開した状態の平面視でそれぞれ長方形をなしており、これら長方形の短辺１６，１７が中心軸方向Ｄａに延びている。なお、本実施形態では、正極箔９Ｐの長辺１８の寸法が、負極箔９Ｎの長辺１９の寸法よりも小さく、正極箔９Ｐの短辺１６の寸法が、負極箔９Ｎの短辺１７の寸法と同等（具体的には、僅かに小さい）の場合を例示している。

【0013】

セパレータ１０は、少なくとも蓄電デバイス１の電極間の電気絶縁性を保つ電気絶縁材料からなり、シート状をなしている。セパレータ１０は、正極箔９Ｐと負極箔９Ｎとの間に配置されている。本実施形態のセパレータ１０は、負極箔９Ｎを挟み込むように配置されている。本実施形態のセパレータ１０は、図３に示す展開した状態の平面視で長方形状をなしており、この長方形状の短辺２０が中心軸方向Ｄａに延びている。セパレータ１０の長辺２１の寸法は、それぞれ正極箔９Ｐの長辺１８の寸法や負極箔９Ｎの長辺１９の寸法よりも大きい。さらに、セパレータ１０の短辺２０の寸法は、正極箔９Ｐの短辺１６の寸法や負極箔９Ｎの短辺１７の寸法よりも大きい。セパレータ１０は、例えば、１８～２２μｍの厚さを有している。

【0014】

突出部１１は、電極箔９と一体に形成されて電極箔９を延長する方向に延びている。図２及び図４に示すように、本実施形態の素子３は、複数の突出部１１として、中心軸方向第一側Ｄａ１に負極突出部１１Ｎを備え、中心軸方向第二側Ｄａ２に正極突出部１１Ｐを備えている。

【0015】

正極突出部１１Ｐは、正極箔９Ｐを延長する方向に延びて、セパレータ１０よりも中心軸方向第二側Ｄａ２に突出している。本実施形態における素子３は、例えば、正極箔９Ｐのアルミニウム層１２と正極突出部１１Ｐとを一体に形成したアルミニウム合金からなる正極シート２２をセパレータ１０に対して中心軸方向第二側Ｄａ２にずらして配置することで正極突出部１１Ｐを中心軸方向第二側Ｄａ２に突出させている。

【0016】

負極突出部１１Ｎは、負極箔９Ｎを延長する方向に延びて、セパレータ１０よりも中心軸方向第一側Ｄａ１に突出している。負極箔９Ｎの銅層１４と負極突出部１１Ｎとを一体に形成した銅からなる負極シート２３をセパレータ１０に対して中心軸方向第一側Ｄａ１にずらして配置することで負極突出部１１Ｎを中心軸方向第一側Ｄａ１に突出させている。

【0017】

図５に示すように、本実施形態の負極突出部１１Ｎは、その中心軸方向第一側Ｄａ１の縁部に平坦部２４Ｎを備えている。この平坦部２４Ｎは、中心軸方向Ｄａと交差する方向、言い換えれば負極箔９Ｎと交差する方向である第一方向Ｄｈに延びている。なお、図示は省略しているが、正極突出部１１Ｐも、負極突出部１１Ｎと同様に、その中心軸方向第二側Ｄａ２の縁部に平坦部２４を備えている。この正極突出部１１Ｐの平坦部２４Ｐも、中心軸方向Ｄａと交差する方向、言い換えれば正極箔９Ｐと交差する方向である第一方向Ｄｈに延びている。なお、図５は平坦部２４Ｎを模式的に示しており、負極箔９Ｎに対する負極突出部１１Ｎの平坦部２４Ｎの延びる角度が全て同じ角度になっている。しかし、実際の負極突出部１１Ｎでは、例えば、製造上の理由などにより、平坦部２４Ｎの角度が全域で一定とならず、中心軸方向Ｄａから見て凹凸をなす場合がある。

【0018】

図３に示すように、素子３は、複数の電極箔９と複数のセパレータ１０とが積層された状態で、例えば円柱状のローラーＲに巻きつける等により、中心軸ａ周りに渦巻状に形成される。すなわち、素子３を構成する正極箔９Ｐ、負極箔９Ｎ、セパレータ１０、正極突出部１１Ｐ、及び負極突出部１１Ｎは、それぞれ中心軸方向Ｄａから見て渦巻状をなしている。図４に示すように、このように形成された円筒状の素子３は、その外周面にセパレータ１０を備えている。本実施形態では、この外周面の中心軸方向第一側Ｄａ１の縁部と中心軸方向第二側Ｄａ２の縁部とに、それぞれ粘着テープＴ等が巻かれており、セパレータ１０の端部２５が中心軸ａを中心とした径方向外側に広がらないようになっている。

【0019】

図５に示すように、負極集電板４Ｎは、溶接部２６Ｎを介して負極突出部１１Ｎに固定されている。正極集電板４Ｐも同様である。図４に示すように、本実施形態では、複数の集電板４として、正極集電板４Ｐと負極集電板４Ｎとの二つの集電板４を備えている。これら正極集電板４Ｐと負極集電板４Ｎとは、中心軸ａを中心とした円形の外縁を有した概略平板状に形成され、中心軸方向Ｄａで突出部１１側を向く内側面２７と、中心軸方向Ｄａで内側面２７の反対側を向いて背合わせとなる外側面２８とを有している。

【0020】

正極集電板４Ｐは、正極突出部１１Ｐと同一の金属を含む金属により形成されている。すなわち、本実施形態の正極集電板４Ｐは、アルミニウム合金により形成されている。負極集電板４Ｎは、負極突出部１１Ｎと同一の金属を含む金属により形成されている。負極集電板４Ｎは、１０００℃以上の融点を有する材料によって形成されている。本実施形態の負極集電板４Ｎは、銅により形成されている。なお、図１に示すように、本実施形態における集電板４の中央部には、中心軸方向Ｄａの突出部１１側に向かって突出する凸部２９が形成されている。さらに、集電板４の凸部２９には、貫通孔３０が形成されている。凸部２９は、素子３の中央部に形成され中心軸方向Ｄａに延びる断面円形の空洞部３１に挿入されている。

【0021】

図５に示すように、負極集電板４Ｎの内側面２７Ｎは、負極突出部１１Ｎの平坦部２４Ｎに、溶接部２６Ｎを介して固定されている。負極集電板４Ｎの外側面２８Ｎには、内側面２７Ｎ側に形成された溶接部２６Ｎに対応する位置に、ワブリング溶接痕４０が形成されている。言い換えれば、負極集電板４Ｎの内側面２７Ｎは、負極集電板４Ｎの外側面２８Ｎにレーザー光を照射するワブリング溶接によって形成された溶接部２６Ｎを介して平坦部２４Ｎに固定されている。正極集電板４Ｐも同様である。

【0022】

図６、図７に示すように、ワブリング溶接痕４０は、複数設けられている。本実施形態のワブリング溶接痕４０は、中心軸ａを中心とした径方向（言い換えれば放射方向）Ｄｒを溶接進行方向としたワブリング溶接によって形成される。ここで、溶接進行方向とは、ワブリング溶接を開始する溶接始点からワブリング溶接を終了する溶接終点に向かう方向である。

【0023】

本実施形態では、互いに平行に延びる二つのワブリング溶接痕４０が組をなし、このワブリング溶接痕４０の組が、中心軸ａを中心とした周方向Ｄｃに間隔をあけて複数設けられている。これら複数のワブリング溶接痕４０は、それぞれ溶接進行方向に交差する方向に振幅を有するサインカーブ状の溶接痕Ｓｃ（図７参照）を含んでいる。本実施形態における溶接進行方向（言い換えれば径方向Ｄｒ）に交差する方向（言い換えれば周方向Ｄｃ）のワブリング溶接痕４０の幅寸法Ｌｗは、例えば、０．４～０．８ｍｍとされ、サインカーブ状の溶接痕Ｓｃの太さは、１００～２００μｍ程度とされている。また、サインカーブ状の溶接痕Ｓｃは、単位距離（１０ｍｍ）当たり２０～３０周期とされている。

【0024】

本実施形態では、ワブリング溶接痕４０として、複数の第一ワブリング溶接痕４０Ｌと、第一ワブリング溶接痕４０Ｌよりも溶接進行方向の寸法が短い複数の第二ワブリング溶接痕４０Ｓと、を有している。本実施形態で例示する第一ワブリング溶接痕４０Ｌは、周方向Ｄｃに等間隔で６組設けられ、第二ワブリング溶接痕４０Ｓは、周方向Ｄｃに等間隔で３組設けられている。

【0025】

中心軸方向Ｄａから見て、集電板４の径方向Ｄｒにおける第一ワブリング溶接痕４０Ｌの外側端部４０ｔｏは、最も外周側に配置された突出部１１の位置よりも僅かに外周側に位置している。さらに、中心軸方向Ｄａから見て、集電板４の径方向Ｄｒ内側における第一ワブリング溶接痕４０Ｌの内側端部４０ｔｉは、最も内周側に配置された突出部１１の位置よりも僅かに内周側に位置している。なお、本実施形態で例示する集電板４には、剛性を確保するために周方向Ｄｃで隣り合う第一ワブリング溶接痕４０Ｌの間のうちの径方向Ｄｒ外側の位置に、周方向Ｄｃに延びる溝部４１が形成されている。また、周方向Ｄｃにおける第一ワブリング溶接痕４０Ｌ同士の間のうち、第二ワブリング溶接痕４０Ｓの形成されていない箇所には、円形孔４２が形成されている場合を例示している。

【0026】

本実施形態における第二ワブリング溶接痕４０Ｓは、これら溝部４１よりも径方向Ｄｒ内側にのみ形成されている。本実施形態の第二ワブリング溶接痕４０Ｓは、第一ワブリング溶接痕４０Ｌの１／２程度の長さとなっている。上述した溶接部２６は、ワブリング溶接するために外側面２８へレーザー光を照射することで、このレーザー光の照射位置の反対側に位置する集電板４の内側面２７の一部およびレーザー光が照射された集電板４の一部が溶融して固まることで形成される。

【0027】

図１に示すように、端子板５は、ケーシング２の開口部８を閉塞している。本実施形態の端子板５は、端子板本体３５と、圧力調整弁３６と、封口ゴム３７と、を少なくとも備えている。端子板本体３５は、中心軸方向Ｄａから見て円形をなしており、その中央部に孔３５ｈを有している。圧力調整弁３６は、端子板本体３５の中央部に配置され、孔３５ｈを介して収容空間７の圧力を調整する。封口ゴム３７は、端子板本体３５とケーシング２の開口部８の内周面との隙間をシールしている。圧力調整弁３６は、端子板本体３５の孔３５ｈから収容空間７に電解液６を注入したあとに孔３５ｈを塞ぐように取り付けられる。

【0028】

《接合方法》
本実施形態の蓄電デバイス１は、上述した構成を備えている。次に、上記蓄電デバイス１を組み立てる組立方法のうち、とりわけ素子３と端子板５との接合方法について図面を参照しながら説明する。
図８に示すように、本実施形態の接合方法は、突出部を形成する工程（ステップＳ０１）と、ワブリング溶接する工程（ステップＳ０２）と、を含んでいる。

【0029】

突出部を形成する工程（ステップＳ０１）では、図２に示すように、電極箔９とセパレータ１０とを交互に積層するとともに、積層された電極箔９を延長するように延びる突出部１１を形成する。本実施形態においては、上述したように、正極箔９Ｐのアルミニウム層１２と正極突出部１１Ｐとを一体に形成した正極シート２２を、セパレータ１０に対して中心軸方向第二側Ｄａ２にずらして配置することで中心軸方向第二側Ｄａ２に突出した正極突出部１１Ｐを形成している。また、負極箔９Ｎの銅層１４と負極突出部１１Ｎとを一体に形成した負極シート２３を、セパレータ１０に対して中心軸方向第一側Ｄａ１にずらして配置することで中心軸方向第一側Ｄａ１に突出した負極突出部１１Ｎを形成している。

【0030】

突出部を形成する工程（ステップＳ０１）では、更に、上記積層された積層体を、図３に示す矢印方向に渦巻状に巻いて円筒状とし、この円筒状の外周面に露出するセパレータ１０の中心軸方向Ｄａの両端部に粘着テープＴを巻き回す。この突出部を形成する工程（ステップＳ０１）では、さらに、図９に示すように、円筒状に形成された素子３の正極突出部１１Ｐと、負極突出部１１Ｎとに対して、それぞれ図１０に示すように中心軸方向Ｄａから押圧治具５０を押し当てて、正極突出部１１Ｐの縁部を正極箔９Ｐと交差する第一方向へ屈曲させると共に、負極突出部１１Ｎの縁部を負極箔９Ｎと交差する第一方向へ屈曲させて、正極突出部１１Ｐ及び負極突出部１１Ｎのそれぞれに平坦部２４Ｎおよび２４Ｐ（図示せず）を形成する。

【0031】

ワブリング溶接する工程（ステップＳ０２）では、突出部１１と集電板４とをワブリング溶接により接合する。より具体的には、このワブリング溶接する工程（ステップＳ０２）では、図５に示すように、負極集電板４Ｎを負極突出部１１Ｎの平坦部２４Ｎと平行な姿勢にして、負極集電板４Ｎの内側面２７Ｎを負極突出部１１Ｎの平坦部２４Ｎに接触させる。そして、負極集電板４Ｎの外側面２８Ｎにレーザー光を照射してワブリング溶接する。同様に、このワブリング溶接する工程（ステップＳ０２）では、正極集電板４Ｐ（図示せず）を正極突出部１１Ｐ（図示せず）の平坦部２４Ｐ（図示せず）と平行な姿勢にして、正極集電板４Ｐの内側面２７Ｐを正極突出部１１Ｐの平坦部２４Ｐに接触させる。そして、正極集電板４Ｐの外側面２８Ｎにレーザー光を照射してワブリング溶接する。ここで、ワブリング溶接では、図７に示すように、上述した溶接進行方向に対して交差する方向に振幅を有するサインカーブを描くようにレーザー光を照射する。このレーザー光の照射は、上述したように正極集電板４Ｐの外側面２８Ｐと負極集電板４Ｎの外側面２８Ｎとのそれぞれに対し、径方向Ｄｒに複数回行う。本実施形態では、上述した第一ワブリング溶接痕４０Ｌと第二ワブリング溶接痕４０Ｓとが形成されるように、ワブリング溶接を行っている。

【0032】

ワブリング溶接する工程（ステップＳ０２）では、更に、ワブリング溶接の溶接始点から溶接終点に向かって、レーザー光の出力を漸次減少させる。本実施形態では、図１１に示すように、ワブリング溶接の溶接始点から溶接終点に向かって、レーザー光の出力を線形に漸次減少させている。つまり、本実施形態のワブリング溶接では、溶接距離に対するレーザー光の出力低下率が一定となっている。なお、溶接距離に対するレーザー光の出力減少は線形に遷移させる場合に限られず、例えば曲線状に遷移させるようにしてもよい。なお、溶接始点と溶接終点におけるレーザー出力の一例としては、溶接始点のレーザー出力を８００Ｗ、溶接終点のレーザー出力を７００Ｗにする場合を例示できる。また、他の一例として、溶接始点のレーザー出力を７５０Ｗ、溶接終点のレーザー出力を６００Ｗにする場合を例示できる。

【0033】

上記の接合方法により突出部１１と集電板４とが接合された構造体は、端子板本体３５を集電板４に溶接後、ケーシング２に収容される。その後、ケーシング２の開口部８が端子板５の封口ゴム３７により閉塞され、端子板本体３５の孔３５ｈから電解液６が注入されて、圧力調整弁３６が取り付けられる。

【0034】

《作用効果》
以上のように、本実施形態では、突出部１１に集電板４の内側面２７を接触させた状態で、集電板４の外側面２８にレーザー光を照射して突出部１１と集電板４とをワブリング溶接している。このようにワブリング溶接により突出部１１と集電板４とを接合する場合、溶接進行方向にレーザー光を直線状に照射する場合と比較して、溶接面積を確保すると共に、溶接による入熱を安定させることができる。したがって、集電板４への入熱量が低下して突出部１１と集電板４との溶接強度が不足することを抑制できる。さらに、ワブリング溶接により溶接による入熱を安定させることで、集電板４への入熱量を増加させ過ぎて、スパッタが発生したり、セパレータ１０の溶融が発生したりすることを抑制できる。そのため、正極箔９Ｐと負極箔９Ｎとの間に短絡や、正極箔９Ｐと負極箔９Ｎとの間での微短絡に起因する自己放電不良等が生じることを抑制することができる。

【0035】

本実施形態の接合方法によれば、更に、ワブリング溶接によりセパレータ１０の溶融を抑制できるため、電極箔９と集電板４との距離を短縮できる。したがって、ケーシング２の大きさを一定とした場合、電極箔９とセパレータ１０との積層部分の面積をより広くすることができるため、蓄電デバイス１としてより大きな容量を確保することが可能となる。

【0036】

本実施形態では、更に、突出部１１に平坦部２４を形成して、この平坦部２４に集電板４をワブリング溶接している。この場合、突出部１１と集電板４との接触面積を増大することができるので、より容易に溶接強度を得ることが可能となる。

【0037】

本実施形態の負極突出部１１Ｎと負極集電板４Ｎとは、１０００℃以上の融点を有し、且つレーザー光の反射率の高い金属である銅により形成されている。このような１０００℃以上の融点を有する金属は、直線状にレーザー溶接を行おうとすると入熱が安定せずに、十分な溶接強度が得られない場合がある。しかし、本実施形態の接合方法では、ワブリング溶接により負極突出部１１Ｎと負極集電板４Ｎとを溶接しているため、レーザー溶接による負極集電板４Ｎへの入熱量が過大になることを抑制でき、安定した溶接を行うことが可能となる。

【0038】

本実施形態では、溶接始点から溶接終点に向かってレーザー光の出力を漸次減少させている。この場合、集電板４への入熱がなされていない溶接初期には、相対的に高いレーザー出力により迅速に入熱することができる。また、集電板４への入熱が進むにつれてレーザー出力を漸次減少させることができるため、集電板４への入熱が過大になることを抑制できる。したがって、スパッタが発生したりセパレータ１０の溶融が発生したりすることを、より一層抑制できる。

【0039】

本実施形態では、レーザー光の出力を漸次線形に減少させている。したがって、レーザー光の出力制御が複雑化せずに、容易にワブリング溶接を行うことができる。

【0040】

本実施形態では、溶接進行方向と交差する方向に振幅を有したサインカーブ状にレーザー光を照射してワブリング溶接を行っている。この場合、レーザー光の照射軌跡（言い換えれば、サインカーブ状の溶接痕Ｓｃ）が交差したり角部を形成したりしない。したがって、レーザー光照射による入熱が特定の箇所に集中することを抑制できる。

【0041】

本実施形態では、電極箔９のアルミニウム層１２および銅層１４の厚さが６～２０μｍ、集電板４の厚さが０．３～１．０ｍｍである場合に、これら電極箔９と集電板４とをワブリング溶接により接合している。したがって、このように集電板４の厚さに対して電極箔９のアルミニウム層１２および銅層１４の厚さが極めて小さい場合であっても、必要な溶接強度を確保して蓄電デバイス１の信頼性を向上することが可能となる。

【0042】

〈他の実施形態〉
以上、図面を参照して一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、様々な設計変更等をすることが可能である。
上述した実施形態では、サインカーブ状の溶接痕Ｓｃを含むワブリング溶接痕４０を形成する場合について説明した。しかし、ワブリング溶接痕４０は、サインカーブ状の溶接痕Ｓｃを含む場合に限られない。ワブリング溶接痕４０に含まれる溶接痕としては、例えば、円形や算用数字の８の字等の形状であってもよい。また、上記溶接痕としては、サインカーブ、円形、及び算用数字の８の字等、ワブリング溶接で使用可能な複数の形状を組み合わせてもよい。

【0043】

上述した実施形態では、正極突出部１１Ｐと正極集電板４Ｐとをワブリング溶接するとともに、負極突出部１１Ｎと負極集電板４Ｎとをワブリング溶接する場合について説明したが、例えば、正極突出部１１Ｐと正極集電板４Ｐとをワブリング溶接以外の他の溶接により接合し、負極突出部１１Ｎと負極集電板４Ｎとをワブリング溶接により接合するようにしてもよい。

【0044】

上述した実施形態では、負極突出部１１Ｎと負極集電板４Ｎとが銅により形成される場合について説明した。しかし、負極突出部１１Ｎと負極集電板４Ｎとは、１０００℃以上の融点を有した材料であればよく、銅に限られない。さらに、正極突出部１１Ｐと正極集電板４Ｐとを、アルミニウム合金により形成する場合について説明したが、１０００℃以上の融点を有した、例えば、銅等の材料で形成するようにしてもよい。

【0045】

上述した実施形態では、突出部１１に平坦部２４を形成する場合について説明したが、例えば、図１２に示す第一変形例のように、突出部１１の平坦部２４を省略して、中心軸方向Ｄａに延びる突出部１１の端縁に集電板４の内側面２７を突き当てて溶接部２６を介して突出部１１を集電板４に固定するようにしてもよい。

【0046】

上述した実施形態では、集電板４の外側面２８に第一ワブリング溶接痕４０Ｌと第二ワブリング溶接痕４０Ｓとが形成されている場合について説明した。しかし、例えば、図１３に示す第二変形例のように、第二ワブリング溶接痕４０Ｓを省略して、第一ワブリング溶接痕４０Ｌのみを設けるようにしてもよい。また、ワブリング溶接痕４０の径方向Ｄｒにおける長さは、上述した実施形態の長さに限られず、適宜変更してもよい。

【0047】

上述した実施形態では、複数の電極箔９と複数のセパレータ１０とが交互に積層された後に、渦巻状に巻いて素子３を円筒状に形成する場合について説明したが、渦巻状に巻かれていない素子３に対しても本開示の接合方法は適用可能である。

【0048】

上述した実施形態では、蓄電デバイス１としてリチウムイオンキャパシタを一例にして説明したが、リチウムイオンキャパシタとは異なる他のキャパシタや二次電池であってもよい。

【符号の説明】

【0049】

１…蓄電デバイス ２…ケーシング ３…素子 ４…集電板 ５…端子板 ６…電解液 ７…収容空間 ８…開口部 ９…電極箔 ９Ｐ…正極箔 ９Ｎ…負極箔 １０…セパレータ １１…突出部 １１Ｐ…正極突出部 １１Ｎ…負極突出部 １２…アルミニウム層 １３…正極炭素材層 １４…銅層 １５…負極炭素材層 １６，１７，２０…短辺 １８，１９，２１…長辺 ２２…正極シート ２３…負極シート ２４…平坦部 ２５…端部 ２６…溶接部 ２７…内側面 ２８…外側面 ２９…凸部 ３０…貫通孔 ３１…空洞部 ３５…端子板本体 ３６…圧力調整弁 ３７…封口ゴム ４０…ワブリング溶接痕 ４１…溝部 Ｒ…ローラー Ｔ…粘着テープ Ｓｃ…溶接痕

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】