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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022190510
(43)【公開日】2022-12-26
(54)【発明の名称】ディスク装置およびディスク装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
G11B 23/03 20060101AFI20221219BHJP
G11B 23/00 20060101ALI20221219BHJP
G11B 21/02 20060101ALI20221219BHJP
G11B 33/12 20060101ALI20221219BHJP
G11B 33/02 20060101ALI20221219BHJP
G11B 33/14 20060101ALI20221219BHJP
【ＦＩ】
G11B23/03 603B
G11B23/00 601B
G11B21/02 630A
G11B33/12 313S
G11B33/12 313U
G11B33/02 D
G11B33/14 501W
G11B23/00 601F
G11B23/00 601X
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021098869
(22)【出願日】2021-06-14
(71)【出願人】
【識別番号】000003078
【氏名又は名称】株式会社東芝
(71)【出願人】
【識別番号】317011920
【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】上原 学
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 康貴
(57)【要約】
【課題】記録媒体の設置枚数を増大可能なディスク装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、ディスク装置は、底壁１２ａを有するベース１２とカバー１４とを具備する筐体と、外周面と外周面の底壁の側の端部に設けられた環状のフランジ６５と有し、枢軸に回転自在に支持されたハブ６４、を具備する駆動モータ１９と、ハブに取り付けられフランジに積層された１０枚以上の磁気ディスク１８と、それぞれハブに取り付けられ隣り合う磁気ディスクの間に位置し、磁気ディスクとともにフランジに積層配置された複数枚のスペーサリング６６と、を備えている。少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である。
【選択図】図３
【解決手段】実施形態によれば、ディスク装置は、底壁１２ａを有するベース１２とカバー１４とを具備する筐体と、外周面と外周面の底壁の側の端部に設けられた環状のフランジ６５と有し、枢軸に回転自在に支持されたハブ６４、を具備する駆動モータ１９と、ハブに取り付けられフランジに積層された１０枚以上の磁気ディスク１８と、それぞれハブに取り付けられ隣り合う磁気ディスクの間に位置し、磁気ディスクとともにフランジに積層配置された複数枚のスペーサリング６６と、を備えている。少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
底壁を有するベースと前記ベースに固定されたカバーとを具備する筐体と、
前記底壁に立設された枢軸と、前記枢軸と同軸的に位置する外周面と前記外周面の前記底壁の側の端部に設けられた環状のフランジと有し、前記枢軸に回転自在に支持されたハブと、を具備する駆動モータと、
前記ハブに取り付けられ前記フランジに積層された１０枚以上の磁気ディスクと、
それぞれ前記ハブに取り付けられ隣り合う前記磁気ディスクの間に位置し、前記磁気ディスクとともに前記フランジに積層配置された、前記磁気ディスクよりも１枚少ない複数枚のスペーサリングと、を備え、
少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、前記スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である、
ディスク装置。
前記底壁に立設された枢軸と、前記枢軸と同軸的に位置する外周面と前記外周面の前記底壁の側の端部に設けられた環状のフランジと有し、前記枢軸に回転自在に支持されたハブと、を具備する駆動モータと、
前記ハブに取り付けられ前記フランジに積層された１０枚以上の磁気ディスクと、
それぞれ前記ハブに取り付けられ隣り合う前記磁気ディスクの間に位置し、前記磁気ディスクとともに前記フランジに積層配置された、前記磁気ディスクよりも１枚少ない複数枚のスペーサリングと、を備え、
少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、前記スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である、
ディスク装置。
【請求項2】
前記少なくとも１枚のスペーサリングは、前記フランジに最も隣接している磁気ディスクに積層されているスペーサリングである請求項１に記載のディスク装置。
【請求項3】
前記複数枚のスペーサリングのうち、複数枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、前記スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である請求項１に記載のディスク装置。
【請求項4】
前記底壁の上に回動自在に支持されたアクチュエータブロックと、それぞれ前記アクチュエータブロックから延出し延出端に設置面を有する複数本のアームと、それそれ前記設置面に固定された前記アームから延出した支持板と前記支持板の延出端部に支持された磁気ヘッドとを有する複数のサスペンションアッセンブリと、を具備したヘッドアクチュエータを更に備え、
前記アームの設置面と対向する前記磁気ディスクの表面との間隔は、所定の設計値に対して±０．０６ｍｍの誤差範囲内に設定されている請求項１に記載のディスク装置。
前記アームの設置面と対向する前記磁気ディスクの表面との間隔は、所定の設計値に対して±０．０６ｍｍの誤差範囲内に設定されている請求項１に記載のディスク装置。
【請求項5】
前記底壁に設置され前記複数枚の磁気ディスクの外周部に隣接して配置されたランプを更に備え、
前記ランプは、それぞれ前記磁気ディスクの外周部が配置される複数の凹所と、各凹所の近傍からそれぞれ延出し互いに対向した一対のガイド面と、有し、
前記磁気ディスクの厚さ方向の中心軸線と前記ランプの凹所の高さ方向の中心軸線とが一致している、あるいは、±０．０６ｍｍのずれ範囲内にある、請求項１に記載のディスク装置。
前記ランプは、それぞれ前記磁気ディスクの外周部が配置される複数の凹所と、各凹所の近傍からそれぞれ延出し互いに対向した一対のガイド面と、有し、
前記磁気ディスクの厚さ方向の中心軸線と前記ランプの凹所の高さ方向の中心軸線とが一致している、あるいは、±０．０６ｍｍのずれ範囲内にある、請求項１に記載のディスク装置。
【請求項6】
前記筐体は、空気よりも密度の低い低密度ガスが封入されている請求項１に記載のディスク装置。
【請求項7】
前記筐体は、３．５インチ、ディスク装置の規格で規定された最大高さ２６．１ｍｍ以下の高さを有する請求項１に記載のディスク装置。
【請求項8】
底壁を有するベースと前記ベースに固定されたカバーとを具備する筐体と、前記底壁に立設された枢軸と、前記枢軸と同軸的に位置する外周面と前記外周面の前記底壁の側の端部に設けられた環状のフランジと有し、前記枢軸に回転自在に支持されたハブと、を具備する駆動モータと、前記ハブに取り付けられ前記フランジに積層された１０枚以上の磁気ディスクと、それぞれ前記ハブに取り付けられ隣り合う前記磁気ディスクの間に位置し、前記磁気ディスクとともに前記フランジに積層配置された、前記磁気ディスクよりも１枚少ない複数枚のスペーサリングと、を備えるディスク装置の製造方法であって、
少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、前記スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である２種類以上の厚さの異なるスペーサリングを用意し、
前記フランジの高さを測定し、所定の設計中心値からの高さずれを算出し、
１枚目の磁気ディスクの厚さを測定し、所定の設計中心値からの厚さずれを算出し、
前記１枚目の磁気ディスクを前記フランジに積層し、
前記フランジの高さずれ、および、前記磁気ディスクの厚さずれから、積層された前記１枚目の磁気ディスクの上面の高さずれを算出し、
前記算出した前記上面の高さずれの大小に応じて、前記２種類以上のスペーサリングのなかから、前記高さずれを低減する厚さを有するスペーサリングを選択し、
前記選択したスペーサリングの厚さを測定し、所定の設計中心値からの厚さずれを算出し、
前記選択したスペーサリングを前記１枚目の磁気ディスクの上に積層し、
２枚目以降の磁気ディスクおよび２枚目以降のスペーサリングに対して、前記厚さの測定、所定の設計中心値からの厚さずれの算出、積層、磁気ディスク上面の高さずれの算出、スペーサリングの選択を繰り返し、１０枚以上の磁気ディスクおよび９枚以上のスペーサリングを順次、積層する
ディスク装置の製造方法。
少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、前記スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である２種類以上の厚さの異なるスペーサリングを用意し、
前記フランジの高さを測定し、所定の設計中心値からの高さずれを算出し、
１枚目の磁気ディスクの厚さを測定し、所定の設計中心値からの厚さずれを算出し、
前記１枚目の磁気ディスクを前記フランジに積層し、
前記フランジの高さずれ、および、前記磁気ディスクの厚さずれから、積層された前記１枚目の磁気ディスクの上面の高さずれを算出し、
前記算出した前記上面の高さずれの大小に応じて、前記２種類以上のスペーサリングのなかから、前記高さずれを低減する厚さを有するスペーサリングを選択し、
前記選択したスペーサリングの厚さを測定し、所定の設計中心値からの厚さずれを算出し、
前記選択したスペーサリングを前記１枚目の磁気ディスクの上に積層し、
２枚目以降の磁気ディスクおよび２枚目以降のスペーサリングに対して、前記厚さの測定、所定の設計中心値からの厚さずれの算出、積層、磁気ディスク上面の高さずれの算出、スペーサリングの選択を繰り返し、１０枚以上の磁気ディスクおよび９枚以上のスペーサリングを順次、積層する
ディスク装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明の実施形態は、ディスク装置およびディスク装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ディスク装置として、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、筐体内に設けられた駆動モータと、駆動モータのハブに積層配置された回転自在な複数枚の磁気ディスクと、を備えている。隣り合う磁気ディスクの間にスペーサリングが配置されている。
このように、複数枚の磁気ディスクとスペーサリングとを交互に積層配置した場合、各構成部材の製造誤差により積層高さにばらつきが生じる場合がある。特に、最上部の磁気ディスクは、各部の製造誤差が累積されることになるため、設定値に対する位置ずれが大きくなる可能性がある。
このように、複数枚の磁気ディスクとスペーサリングとを交互に積層配置した場合、各構成部材の製造誤差により積層高さにばらつきが生じる場合がある。特に、最上部の磁気ディスクは、各部の製造誤差が累積されることになるため、設定値に対する位置ずれが大きくなる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平３－１３０９７７号公報
【特許文献2】実開昭６０－７７７９５号公報
【特許文献3】米国特許第６０４０９５７号明細書
【特許文献4】特開平９－１０６６２２号公報
【特許文献5】特開２００４－１６７５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
この発明の実施形態の課題は、積層配置される磁気ディスクの高さずれを低減することが可能なディスク装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態によれば、ディスク装置は、底壁を有するベースと前記ベースに固定されたカバーとを具備する筐体と、前記底壁に立設された枢軸と、前記枢軸と同軸的に位置する外周面と前記外周面の前記底壁の側の端部に設けられた環状のフランジと有し、前記枢軸に回転自在に支持されたハブと、を具備する駆動モータと、前記ハブに取り付けられ前記フランジに積層された１０枚以上の磁気ディスクと、それぞれ前記ハブに取り付けられ隣り合う前記磁気ディスクの間に位置し、前記磁気ディスクとともに前記フランジに積層配置された、前記磁気ディスクよりも１枚少ない複数枚のスペーサリングと、を備えている。少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成され、前記スペーサリングの厚さは、最大の厚さと最小の厚さとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下である。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下図面を参照しながら、実施形態に係るディスク装置およびその製造方法について説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の大きさ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の大きさ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【0008】
（第１実施形態）
ディスク装置として、第１実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）について詳細に説明する。
図１は、カバーを分解して示す第１実施形態に係るＨＤＤの分解斜視図、図２は、カバーを取外した状態のＨＤＤの平面図である。
図１に示すように、ＨＤＤは、ほぼ矩形状の筐体１０を備えている。筐体１０は、上面の開口した矩
形箱状のベース１２と、複数のねじ１３によりベース１２にねじ止めされベース１２の上端開口を閉塞する内カバー１４と、内カバー１４に重ねて配置され、周縁部がベース１２に溶接される外カバー（トップカバー）１６と、を有している。ベース１２は、内カバー１４と隙間を置いて対向する矩形状の底壁１２ａと、底壁１２ａの周縁に沿って立設された側壁１２ｂとを有し、例えば、アルミニウム合金により一体に成形されている。側壁１２ｂは、互いに対向する一対の長辺壁と互いに対向する一対の短辺壁とを含んでいる。側壁１２ｂの上端面に、ほぼ矩形枠状の固定リブ１２ｃが突設されている。
側壁１２ｂの４つの角部の上面に、位置決めボスＢ１がそれぞれ突設されている。４つの位置決めボスＢ１の上面は、同一の高さ、同一平面に位置するように平面加工され、高さ基準面を構成している。
ディスク装置として、第１実施形態に係るハードディスクドライブ（ＨＤＤ）について詳細に説明する。
図１は、カバーを分解して示す第１実施形態に係るＨＤＤの分解斜視図、図２は、カバーを取外した状態のＨＤＤの平面図である。
図１に示すように、ＨＤＤは、ほぼ矩形状の筐体１０を備えている。筐体１０は、上面の開口した矩
形箱状のベース１２と、複数のねじ１３によりベース１２にねじ止めされベース１２の上端開口を閉塞する内カバー１４と、内カバー１４に重ねて配置され、周縁部がベース１２に溶接される外カバー（トップカバー）１６と、を有している。ベース１２は、内カバー１４と隙間を置いて対向する矩形状の底壁１２ａと、底壁１２ａの周縁に沿って立設された側壁１２ｂとを有し、例えば、アルミニウム合金により一体に成形されている。側壁１２ｂは、互いに対向する一対の長辺壁と互いに対向する一対の短辺壁とを含んでいる。側壁１２ｂの上端面に、ほぼ矩形枠状の固定リブ１２ｃが突設されている。
側壁１２ｂの４つの角部の上面に、位置決めボスＢ１がそれぞれ突設されている。４つの位置決めボスＢ１の上面は、同一の高さ、同一平面に位置するように平面加工され、高さ基準面を構成している。
【0009】
内カバー１４は、例えば、ステンレスにより矩形板状に形成されている。内カバー１４は、その周縁部がねじ１３により側壁１２ｂの上面にねじ止めされ、固定リブ１２ｃの内側に固定される。外カバー１６は、例えば、アルミニウムにより矩形板状に形成されている。外カバー１６は、内カバー１４よりも僅かに大きな平面寸法に形成されている。外カバー１６は、その周縁部が全周に亘って、ベース１２の固定リブ１２ｃに溶接され、ベース１２に気密に固定される。気密に閉じられた筐体１０には、空気よりも密度の低い低密度ガス、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）が封入されている。
なお、筐体１０の高さ（厚さ）Ｈ（図３参照）は、３．５インチＨＤＤ規格に従い、最大２６．１ｍｍ以下に形成されている。
なお、筐体１０の高さ（厚さ）Ｈ（図３参照）は、３．５インチＨＤＤ規格に従い、最大２６．１ｍｍ以下に形成されている。
【0010】
筐体１０内には、ディスク状の記録媒体として複数枚、例えば、１０枚の磁気ディスク１８、および磁気ディスク１８を支持および回転させる駆動モータとしてのスピンドルモータ１９が設けられている。スピンドルモータ１９は、底壁１２ａ上に配設されている。各磁気ディスク１８は、例えば、直径９６ｍｍ（３．５インチ）、厚さ０．５～０．６３５ｍｍの円板状に形成され、非磁性体、例えば、ガラスあるいはアルミニウムからなる基板と、基板の上面（第１面）および下面（第２面）に形成された磁気記録層とを有している。本実施形態では、アルミニウムの基板を用いている。各磁気ディスク１８は、スピンドルモータ１９の後述するハブに互いに同軸的に嵌合されて、更に、クランプばね２０によりクランプされている。これにより、磁気ディスク１８は、ベース１２の底壁１２ａと平行に位置した状態に支持されている。複数枚の磁気ディスク１８は、スピンドルモータ１９により所定の回転数で回転される。なお、磁気ディスク１８の搭載枚数は、１０枚に限らず、９枚以下、あるいは、１１枚以上としてもよい。
【0011】
図１および図２に示すように、筐体１０内には、磁気ディスク１８に対して情報の記録、再生を行なう複数の磁気ヘッド１７、および、これらの磁気ヘッド１７を磁気ディスク１８に対して移動自在に支持したアクチュエータアッセンブリ２２が設けられている。また、筐体１０内には、アクチュエータアッセンブリ２２を回動および位置決めするボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２４、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１８の最外周に移動した際、磁気ヘッド１７を磁気ディスク１８から離間したアンロード位置に保持するランプロード機構２５、変換コネクタ等の電子部品が実装された基板ユニット（ＦＰＣユニット）２１、およびスポイラ７０が設けられている。
ベース１２の底壁１２ａの外面には、プリント回路基板４１がねじ止めされている。プリント回路基板４１は、スピンドルモータ１９の動作を制御するとともに、基板ユニット２１を介してＶＣＭ２４および磁気ヘッド１７の動作を制御する制御部を構成している。
ベース１２の底壁１２ａの外面には、プリント回路基板４１がねじ止めされている。プリント回路基板４１は、スピンドルモータ１９の動作を制御するとともに、基板ユニット２１を介してＶＣＭ２４および磁気ヘッド１７の動作を制御する制御部を構成している。
【0012】
図３は、図２の線Ｅ－Ｅに沿ったＨＤＤの断面図である。一例では、スピンドルモータ１９は、底壁１２ａにほぼ垂直に立設された枢軸６０と、枢軸６０の回りで回転自在に支持された円筒状の回転軸６２と、回転軸６２の周囲に同軸的に固定されたほぼ円筒形状のハブ６４と、底壁１２ａに固定され回転軸６２の周囲に配置された固定子コイルＳＣと、更に、ハブ６４の内周面に取付けられ固定子コイルＳＣに対向した円筒状のマグネットＭと、を有している。ハブ６４は、枢軸６０と同軸的に位置する外周面と、外周面の下端（底壁１２ａ側の端）に一体に形成された環状のフランジ６５とを有している。
【0013】
磁気ディスク１８は、その内孔にハブ６４が挿通された状態で、ハブ６４の外周面に係合している。ハブ６４の外周面に環状のスペーサリング６６が装着され、隣合う２枚の磁気ディスク１８間に挟まれている。複数の磁気ディスク１８および複数のスペーサリング６６は、ハブ６４のフランジ６５上に順に配置され、交互に重なった状態でハブ６４に取付けられている。円盤状のクランプばね２０がハブ６４の上端に取付けられている。クランプばね２０は、複数の磁気ディスク１８の内周部およびスペーサリング６６をフランジ６５の側に押圧している。これにより、複数枚の磁気ディスク１８が互いに所定の間隔を置いて積層状態に固定されている。１０枚の磁気ディスク１８は、回転軸６２およびハブ６４と一体に回転可能に支持されている。１０枚の磁気ディスク１８は、所定の間隔を置いて、互いに平行に、また、底壁１２ａとほぼ平行に支持されている。
【0014】
筐体１０の高さ（厚さ）Ｈは、ＨＤＤ規格に従い、最大２６．１ｍｍに形成されている。各磁気ディスク１８の板厚ＴＤは、０．３５ｍｍ以上、０．７ｍｍ以下に形成され、本実施形態では、０．６３５ｍｍとしている。隣合う２枚の磁気ディスク１８間の間隔、すなわち、スペーサリング６６の板厚ＴＳ（軸方向の厚さ）は、１．２ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下に形成され、本実施形態では、板厚ＴＳが１．４６２ｍｍのスペーサリング６６を基準としている。スペーサリング６６は、例えば、アルミニウムで形成されている。
上述したように、本実施形態によれば、１０枚の磁気ディスク１８および磁気ディスクの枚数よりも１枚少ない９枚のスペーサリング６６が、スピンドルモータ１９のハブ６４の外周に積層配置されている。９枚のスペーサリングのうち、少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成されている。スペーサリング６６の厚さは、最大のものと最小のものとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下に設定している。
上述したように、本実施形態によれば、１０枚の磁気ディスク１８および磁気ディスクの枚数よりも１枚少ない９枚のスペーサリング６６が、スピンドルモータ１９のハブ６４の外周に積層配置されている。９枚のスペーサリングのうち、少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成されている。スペーサリング６６の厚さは、最大のものと最小のものとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下に設定している。
【0015】
図４は、アクチュエータアッセンブリを示す斜視図である。図示のように、アクチュエータアッセンブリ２２は、透孔２６を有するアクチュエータブロック２９と、透孔２６内に設けられた軸受ユニット（ユニット軸受）２８と、アクチュエータブロック２９から延出する複数、例えば、１１本のアーム３２と、各アーム３２に取付けられたサスペンションアッセンブリ（ヘッドジンバルアッセンブリ：ＨＧＡと称する場合もある）３０と、サスペンションアッセンブリ３０に支持された磁気ヘッド１７と、を備えている。ベース１２の底壁１２ａに支持シャフト（枢軸）３１が立設されている。アクチュエータブロック２９は、軸受ユニット２８により、支持シャフト３１の周りで、回動自在に支持されている。
【0016】
本実施形態において、アクチュエータブロック２９および１１本のアーム３２はアルミニウム等により一体に成形され、いわゆるＥブロックを構成している。アーム３２は、例えば、細長い平板状に形成され、支持シャフト３１と直交する方向に、アクチュエータブロック２９から延出している。１１本のアーム３２は、互いに隙間を置いて、平行に設けられている。
アクチュエータアッセンブリ２２は、アクチュエータブロック２９からアーム３２と反対の方向へ延出する支持フレーム３３を有し、この支持フレーム３３により、ＶＣＭ２４の一部を構成するボイスコイル３９が支持されている。図１に示すように、ボイスコイル３９は、ベース１２上にその１つが固定された一対のヨーク３７間に位置し、これらのヨーク３７、および何れかのヨークに固定された磁石とともにＶＣＭ２４を構成している。
アクチュエータアッセンブリ２２は、アクチュエータブロック２９からアーム３２と反対の方向へ延出する支持フレーム３３を有し、この支持フレーム３３により、ＶＣＭ２４の一部を構成するボイスコイル３９が支持されている。図１に示すように、ボイスコイル３９は、ベース１２上にその１つが固定された一対のヨーク３７間に位置し、これらのヨーク３７、および何れかのヨークに固定された磁石とともにＶＣＭ２４を構成している。
【0017】
図４に示すように、アクチュエータアッセンブリ２２は、それぞれ磁気ヘッド１７を支持した２０個のサスペンションアッセンブリ３０を備えている。サスペンションアッセンブリ３０は各アーム３２の延出端３２ａにそれぞれ取付けられている。複数のサスペンションアッセンブリ３０は、磁気ヘッド１７を上向きに支持するアップヘッドサスペンションアッセンブリと、磁気ヘッド１７を下向きに支持するダウンヘッドサスペンションアッセンブリと、を含んでいる。これらのアップヘッドサスペンションアッセンブリおよびダウンヘッドサスペンションアッセンブリは、同一構造のサスペンションアッセンブリ３０を上下向きを変えて配置することにより構成される。
本実施形態では、図４において、最上部のアーム３２にダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０が取付けられ、最下部のアーム３２にアップヘッドサスペンションアッセンブリ３０が取り付けられている。中間の９本のアーム３２の各々には、アップヘッドサスペンションアッセンブリ３０およびダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０が取り付けられている。
本実施形態では、図４において、最上部のアーム３２にダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０が取付けられ、最下部のアーム３２にアップヘッドサスペンションアッセンブリ３０が取り付けられている。中間の９本のアーム３２の各々には、アップヘッドサスペンションアッセンブリ３０およびダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０が取り付けられている。
【0018】
サスペンションアッセンブリ３０は、ほぼ矩形状のベースプレート３８と、細長い板ばねからなるロードビーム４２と、細長い帯状のフレキシャ（配線部材）４０と、を有している。フレキシャ４０は、変位自在なジンバル部を有し、このジンバル部に磁気ヘッド１７が載置されている。ベースプレート３８の基端部がアーム３２の延出端３２ａの設置面（カシメ面）３２ｂ（図５参照）に固定され、例えば、かしめ止めされている。ロードビーム４２は、その基端部がベースプレート３８の端部に重ねて固定されている。ロードビーム４２は、ベースプレート３８から延出し、延出端に向かって先細に形成されている。ベースプレート３８およびロードビーム４２は、例えば、ステンレスにより形成されている。
ロードビーム４２は、磁気ヘッド１７を磁気ディスク１８の表面に向けて付勢するばね力（反力）を生じている。また、ロードビーム４２の先端からタブ４６が突出している。タブ４６は、後述するランプ８０に係合可能であり、ランプ８０と共にランプロード機構２５を構成する。
ロードビーム４２は、磁気ヘッド１７を磁気ディスク１８の表面に向けて付勢するばね力（反力）を生じている。また、ロードビーム４２の先端からタブ４６が突出している。タブ４６は、後述するランプ８０に係合可能であり、ランプ８０と共にランプロード機構２５を構成する。
【0019】
図４に示すように、ＦＰＣユニット２１は、Ｌ字形状に折り曲げられたほぼ矩形状のベース部２１ａと、ベース部２１ａの一側縁から延出した細長い帯状の中継部２１ｂと、中継部２１ｂの先端に連続して設けられた接合部２１ｃと、を一体に有している。ベース部２１ａ、中継部２１ｂ、および接合部２１ｃは、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）により形成されている。フレキシブルプリント配線基板は、ポリイミド等の絶縁層と、この絶縁層上に形成され、複数の配線、接続パッド等を形成した導電層と、導電層を覆う保護層とを有している。
【0020】
ベース部２１ａの上に、図示しない変換コネクタ、複数のコンデンサ等の電子部品が実装され、図示しない配線に電気的に接続されている。ベース部２１ａに、補強板として機能する金属板が貼付されている。ベース部２１ａは、ベース１２の底壁１２ａ上に設置されている。中継部２１ｂは、ベース部２１ａの側縁からアクチュエータアッセンブリ２２のアクチュエータブロック２９に向かって延びている。中継部２１ｂの延出端に設けられた接合部２１ｃは、アクチュエータブロック２９の側面（設置面）とほぼ等しい高さおよび幅の矩形状に形成されている。接合部２１ｃは、アルミニウム等で形成された裏打ち板を介して、アクチュエータブロック２９の設置面に貼付され、更に、固定ねじ７２により設置面にねじ止め固定されている。接合部２１ｃに多数の接続パッドが設けられている。接合部２１ｃには例えば１つのヘッドＩＣ（ヘッドアンプ）６７が実装され、このヘッドＩＣ６７は配線を介して接続パッドおよびベース部２１ａに接続されている。更に、接合部２１ｃには、ボイスコイル３９が接続された接続端子６８が設けられている。
【0021】
各サスペンションアッセンブリ３０のフレキシャ４０は、磁気ヘッド１７に電気的に接続された一端部と、アーム３２の側縁に形成された溝を通ってアクチュエータブロック２９まで延出した他端部と、他端部に設けられた接続端部（テール接続端子部）４８ｃと、を有している。接続端部４８ｃは、細長い矩形状に形成されている。接続端部４８ｃには複数、例えば、１３個の接続端子（接続パッド）５１が設けられている。これらの接続端子５１は、フレキシャ４０の配線にそれぞれ接続されている。すなわち、フレキシャ４０の複数の配線は、フレキシャ４０のほぼ全長に亘って延び、一端は磁気ヘッド１７に電気的に接続され、他端は、接続端子（接続パッド）５１に接続されている。
２０本のフレキシャ４０の接続端部４８ｃに設けられた接続端子５１は、接合部２１ｃの接続パッドに接合され、接続パッドを介して接合部２１ｃの配線に電気的に接続されている。これにより、アクチュエータアッセンブリ２２の２０個の磁気ヘッド１７は、それぞれフレキシャ４０の配線、接続端部４８ｃ、ＦＰＣユニット２１の接合部２１ｃ、中継部２１ｂを通して、ベース部２１ａに電気的に接続される。
２０本のフレキシャ４０の接続端部４８ｃに設けられた接続端子５１は、接合部２１ｃの接続パッドに接合され、接続パッドを介して接合部２１ｃの配線に電気的に接続されている。これにより、アクチュエータアッセンブリ２２の２０個の磁気ヘッド１７は、それぞれフレキシャ４０の配線、接続端部４８ｃ、ＦＰＣユニット２１の接合部２１ｃ、中継部２１ｂを通して、ベース部２１ａに電気的に接続される。
【0022】
上記のように構成されたアクチュエータアッセンブリ２２をベース１２上に組み込んだ状態において、支持シャフト３１は、スピンドルモータ１９のスピンドルとほぼ平行に立設される。各磁気ディスク１８は２本のサスペンションアッセンブリ３０間に位置する。ＨＤＤの動作時、２本のサスペンションアッセンブリ３０に支持された磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１８の上面および下面にそれぞれ対向する。
図５は、ヘッドサスペンションアッセンブリ３０および磁気ディスク１８の配置関係を示す側面図である。図示のように、ＨＤＤの動作時、各磁気ディスク１８は、ダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０とアップヘッドサスペンションアッセンブリ３０との間に挟まれる。２本のサスペンションアッセンブリ３０に支持された磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１８の上面および下面にそれぞれ対向する。図において、アーム３２の先端部３２ａの設置面３２ｂと磁気ディスク１８の表面との間隔をＺハイト（Z-height）と称する。本実施形態によれば、Ｚハイトが所定の設計値に対して±０．０６ｍｍの誤差範囲内に入るように、磁気ディスク１８の設置高さが調整されている。
図５は、ヘッドサスペンションアッセンブリ３０および磁気ディスク１８の配置関係を示す側面図である。図示のように、ＨＤＤの動作時、各磁気ディスク１８は、ダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０とアップヘッドサスペンションアッセンブリ３０との間に挟まれる。２本のサスペンションアッセンブリ３０に支持された磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１８の上面および下面にそれぞれ対向する。図において、アーム３２の先端部３２ａの設置面３２ｂと磁気ディスク１８の表面との間隔をＺハイト（Z-height）と称する。本実施形態によれば、Ｚハイトが所定の設計値に対して±０．０６ｍｍの誤差範囲内に入るように、磁気ディスク１８の設置高さが調整されている。
【0023】
次に、ランプロード機構２５のランプ、およびランプと磁気ディスク１８との配置関係について詳細に説明する。図６は、ランプロード機構のランプを示す斜視図、図７は、ランプの出入口（烏口）部分を模式的に示す側面図である。
ランプロード機構２５は、ランプ８０を備えている。図１に示したように、ランプ８０は、ベース１２の底壁１２ａに固定され、磁気ディスク１８の周縁部近傍に位置している。ＨＤＤの非作動時、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１８の外周から外れて所定の停止位置に移動すると、サスペンションアッセンブリ３０のタブ４６はランプ８０に乗り上げる。これにより、磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１８から離間した位置に保持される。
ランプロード機構２５は、ランプ８０を備えている。図１に示したように、ランプ８０は、ベース１２の底壁１２ａに固定され、磁気ディスク１８の周縁部近傍に位置している。ＨＤＤの非作動時、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１８の外周から外れて所定の停止位置に移動すると、サスペンションアッセンブリ３０のタブ４６はランプ８０に乗り上げる。これにより、磁気ヘッド１７は、磁気ディスク１８から離間した位置に保持される。
【0024】
図６に示すように、ランプ８０は、矩形板状に形成されたランプ本体８２と、ランプ本体の一面上に突設された１０個のガイドブロック８４と、ランプ本体８２の他面に突設された支持ブラケット８５と、を有し、例えば、合成樹脂あるいは金属により一体に成形されている。支持ブラケット８５をベース１２に固定することにより、ランプ本体８２は、ベースの底壁１２ａに対して、ほぼ垂直に立設した状態に配置される。
ガイドブロック８４は、細長い直方体形状を有し、底壁１２ａとほぼ平行に延在している。１０個のガイドブロック８４は、磁気ディスク１８の軸方向に所定の間隔を置いて並んで配置されている。各ガイドブロック８４の磁気ディスク１８側の一端に矩形状の凹所（切欠き）８６が形成されている。図３および図７に示すように、ランプ８０をベース１２に設置した状態において、１０枚の磁気ディスク１８の外周縁部は、それぞれ対応するガイドブロックの凹所８６内に隙間（ギャップ）を持って位置する。
ガイドブロック８４は、細長い直方体形状を有し、底壁１２ａとほぼ平行に延在している。１０個のガイドブロック８４は、磁気ディスク１８の軸方向に所定の間隔を置いて並んで配置されている。各ガイドブロック８４の磁気ディスク１８側の一端に矩形状の凹所（切欠き）８６が形成されている。図３および図７に示すように、ランプ８０をベース１２に設置した状態において、１０枚の磁気ディスク１８の外周縁部は、それぞれ対応するガイドブロックの凹所８６内に隙間（ギャップ）を持って位置する。
【0025】
図６および図７に示すように、各ガイドブロック８４は、ダウンヘッドサスペンションアッセンブリ３０のタブ４６をガイドおよび支持する上ガイド面（第１ガイド面）Ｇａと、アップヘッドサスペンションアッセンブリ３０のタブ４６をガイドおよび支持する下ガイド面（第２ガイド面）Ｇｂと、を有している。上ガイド面Ｇａおよび下ガイド面Ｇｂは、互いに対向して位置しているとともに、ランプ本体８２の一面に対してほぼ垂直に設けられている。
１０個のガイドブロック８４の上ガイド面Ｇａおよび下ガイド面Ｇｂは、磁気ディスク１８の軸方向に沿って所定の間隔をおいて並び、それぞれ対応するサスペンションアッセンブリ３０の高さに合わせて配置されている。各ガイド面Ｇａ、Ｇｂは、磁気ディスク１８の半径方向にほぼ沿って、磁気ディスク１８の外周縁近傍まで延びているとともに、タブ５４の移動経路上に配置されている。
１０個のガイドブロック８４の上ガイド面Ｇａおよび下ガイド面Ｇｂは、磁気ディスク１８の軸方向に沿って所定の間隔をおいて並び、それぞれ対応するサスペンションアッセンブリ３０の高さに合わせて配置されている。各ガイド面Ｇａ、Ｇｂは、磁気ディスク１８の半径方向にほぼ沿って、磁気ディスク１８の外周縁近傍まで延びているとともに、タブ５４の移動経路上に配置されている。
【0026】
上ガイド面Ｇａは、磁気ディスク１８の表面近傍（凹所８６近傍）から磁気ディスク１８から離れる方向、ここでは、上方に傾斜して延在し磁気ヘッド１７を磁気ディスク上にロード、アンロードするための第１傾斜面８７ａと、第１傾斜面８７ａに続いて磁気ディスク表面とほぼ平行に延びる支持面８７ｂと、支持面８７ｂの他端からガイド面の終端まで傾斜して延びる第２傾斜面８７ｃと、を有している。
同様に、下ガイド面Ｇｂは、磁気ディスク１８の表面近傍（凹所８６近傍）から磁気ディスク１８から離れる方向、ここでは、下方に傾斜して延在し磁気ヘッド１７を磁気ディスク上にロード、アンロードするための第１傾斜面８８ａと、第１傾斜面８８ａに続いて磁気ディスク表面とほぼ平行に延びる支持面８８ｂと、支持面８８ｂの他端からガイド面の終端まで傾斜して延びる第２傾斜面８８ｃと、を有している。
同様に、下ガイド面Ｇｂは、磁気ディスク１８の表面近傍（凹所８６近傍）から磁気ディスク１８から離れる方向、ここでは、下方に傾斜して延在し磁気ヘッド１７を磁気ディスク上にロード、アンロードするための第１傾斜面８８ａと、第１傾斜面８８ａに続いて磁気ディスク表面とほぼ平行に延びる支持面８８ｂと、支持面８８ｂの他端からガイド面の終端まで傾斜して延びる第２傾斜面８８ｃと、を有している。
【0027】
図７に示すように、ディスク装置の動作衝撃耐力を決めるパラメータの一つであるランプ８０と磁気ディスク１８の表面との間のギャップＢは、所定の値、例えば、０．２７５ｍｍ程度に設定されていることが望ましい。そのため、磁気ディスク１８の設置高さは、磁気ディスク１８の厚さ方向の中心軸線ＣＤとランプ８０の凹所８６の高さ方向の中心軸線ＣＲとが一致するように、あるいは、±０．０６ｍｍのずれ範囲内に入るように調整されている。
ＨＤＤによれば、ＶＣＭ２４によりアクチュエータアッセンブリ２２を支持シャフト３１の回りで回動させることにより、複数の磁気ヘッド１７は、各磁気ディスク１８の表面に対向した状態で、所望のシーク位置に移動される。ＨＤＤの非作動時、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１８の外周から外れて所定の停止位置に移動すると、複数のサスペンションアッセンブリ３０のタブ４６は、それぞれ対応するランプ８０の上ガイド面Ｇａ、下ガイド面Ｇｂに乗り上げる。これにより、磁気ヘッド１７は、ランプ８０により、磁気ディスク１８から離間したアンロード位置に保持される。
ＨＤＤによれば、ＶＣＭ２４によりアクチュエータアッセンブリ２２を支持シャフト３１の回りで回動させることにより、複数の磁気ヘッド１７は、各磁気ディスク１８の表面に対向した状態で、所望のシーク位置に移動される。ＨＤＤの非作動時、磁気ヘッド１７が磁気ディスク１８の外周から外れて所定の停止位置に移動すると、複数のサスペンションアッセンブリ３０のタブ４６は、それぞれ対応するランプ８０の上ガイド面Ｇａ、下ガイド面Ｇｂに乗り上げる。これにより、磁気ヘッド１７は、ランプ８０により、磁気ディスク１８から離間したアンロード位置に保持される。
【0028】
次に、上記構成を有するＨＤＤの製造方法について説明する。
上記ＨＤＤにおいて、磁気ディスク１８の板厚およびスペーサリング６６の板厚は、設計値からのずれが０であることが望ましいが、製造バラつきにより、面積の大きい磁気ディスクは±０．０１ｍｍ程度、面積の小さいスペーサリングは±０．００５ｍｍ程度のバラつきを許容せざるを得ない。しかし、搭載する磁気ディスクの枚数が増加するほど、積層する磁気ディスクやスペーサリングの厚さ寸法バラつきが累積されていくことになるため、上部の磁気ディスク程、ばらつきの影響が大きくなる。例えば、磁気ディスク１８を１０枚搭載する場合は、設計値に対して０．０１ｍｍ厚い磁気ディスク、および設計値に対して０．００５ｍｍ厚いスペーサリングが積層されたとすると、磁気ディスクの最上面の高さは設計値に対し、０．０１×１０＋０．００５×９＝０．１４５ｍｍのずれが生じることになる。
そこで、本実施形態に係るＨＤＤおよびその製造方法においては、スペーサリングの厚さを調整することにより、磁気ディスクの高さずれの低減を図っている。
上記ＨＤＤにおいて、磁気ディスク１８の板厚およびスペーサリング６６の板厚は、設計値からのずれが０であることが望ましいが、製造バラつきにより、面積の大きい磁気ディスクは±０．０１ｍｍ程度、面積の小さいスペーサリングは±０．００５ｍｍ程度のバラつきを許容せざるを得ない。しかし、搭載する磁気ディスクの枚数が増加するほど、積層する磁気ディスクやスペーサリングの厚さ寸法バラつきが累積されていくことになるため、上部の磁気ディスク程、ばらつきの影響が大きくなる。例えば、磁気ディスク１８を１０枚搭載する場合は、設計値に対して０．０１ｍｍ厚い磁気ディスク、および設計値に対して０．００５ｍｍ厚いスペーサリングが積層されたとすると、磁気ディスクの最上面の高さは設計値に対し、０．０１×１０＋０．００５×９＝０．１４５ｍｍのずれが生じることになる。
そこで、本実施形態に係るＨＤＤおよびその製造方法においては、スペーサリングの厚さを調整することにより、磁気ディスクの高さずれの低減を図っている。
【0029】
図８は、ＨＤＤの製造工程を示すフローチャート、図９は、厚さの異なる３種類のスペーサリングを示す斜視図。、図１０は、磁気ディスクを除いた状態の前記ＨＤＤの平面図、図１１は、前記ＨＤＤのベースの平面図。
図８に示すように、製造方法においては、始めに、スペーサリングの積層枚数ｎ＝１（１枚目）、磁気ディスク１８の厚さの設計中心値からのずれΔＳ０＝０を想定する（ＳＴ１）。スピンドルモータ１９のハブ６４のフランジ６５の上面の高さを測定する（ＳＴ２）。一例では、図１０に示すように、ベース１２に設けられた４つの位置決めボスＢ１の上面の高さを基準として例えばレーザ変位計や静電容量変位計などの測定器でフランジ６５の上面の高さを測定する。測定された高さと、設計中心値との差分（高さずれ）をｔ０ (プラスはハブ６４がトップカバー側によっている場合とする)とし、スピンドルモータ１９に紐づけして管理する。
本実施例の場合、ｔ０は例えば-０．０５ｍｍ以上、+０．０５ｍｍ以下となるよう管理し、この範囲を超えるスピンドルモータは使用しない。
図８に示すように、製造方法においては、始めに、スペーサリングの積層枚数ｎ＝１（１枚目）、磁気ディスク１８の厚さの設計中心値からのずれΔＳ０＝０を想定する（ＳＴ１）。スピンドルモータ１９のハブ６４のフランジ６５の上面の高さを測定する（ＳＴ２）。一例では、図１０に示すように、ベース１２に設けられた４つの位置決めボスＢ１の上面の高さを基準として例えばレーザ変位計や静電容量変位計などの測定器でフランジ６５の上面の高さを測定する。測定された高さと、設計中心値との差分（高さずれ）をｔ０ (プラスはハブ６４がトップカバー側によっている場合とする)とし、スピンドルモータ１９に紐づけして管理する。
本実施例の場合、ｔ０は例えば-０．０５ｍｍ以上、+０．０５ｍｍ以下となるよう管理し、この範囲を超えるスピンドルモータは使用しない。
【0030】
次に、図８に示すように、積層する１枚目の磁気ディスク１８の内周部の厚さを測定し、この測定された厚さと、設計中心値との差分（厚さずれ）をΔm1とする（ＳＴ３）。厚さを測定した後、磁気ディスク１８をハブ６４のフランジ６５に積層する（ＳＴ４）。
スペーサリング６６は、設計中心値が異なる２種類以上、例えば、３種類のスペーサリングを準備する。本実施形態では、図９に示すように、
Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）：厚さＴＳ１：１．４５２ｍｍ±０．００５ｍｍ、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）：厚さＴＳ２：１．４６２ｍｍ±０．００５ｍｍ、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）：厚さＴＳ３：１．４７２ｍｍ±０．００５ｍｍ、
の厚さの異なる３種類のスペーサリングを用いる（ＴＳ１＜ＴＳ２＜ＴＳ３）。厚さの公差が±０．００５ｍｍであるため、Ａ、Ｂ、Ｃランクに厚さが重複して属するスペーサリングはない。
なお、種類を見分けやすくするために、スペーサリング６６にマークＭ、例えば、ドットを付しても良い。Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）は、１つドット、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）は、２つドット、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）は、３つドットが付されている。マークＭは、ドットに限らず、バーコードなど種々選択可能である。
スペーサリング６６は、設計中心値が異なる２種類以上、例えば、３種類のスペーサリングを準備する。本実施形態では、図９に示すように、
Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）：厚さＴＳ１：１．４５２ｍｍ±０．００５ｍｍ、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）：厚さＴＳ２：１．４６２ｍｍ±０．００５ｍｍ、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）：厚さＴＳ３：１．４７２ｍｍ±０．００５ｍｍ、
の厚さの異なる３種類のスペーサリングを用いる（ＴＳ１＜ＴＳ２＜ＴＳ３）。厚さの公差が±０．００５ｍｍであるため、Ａ、Ｂ、Ｃランクに厚さが重複して属するスペーサリングはない。
なお、種類を見分けやすくするために、スペーサリング６６にマークＭ、例えば、ドットを付しても良い。Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）は、１つドット、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）は、２つドット、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）は、３つドットが付されている。マークＭは、ドットに限らず、バーコードなど種々選択可能である。
【0031】
次に、図８に示すように、スピンドルモータ１９に紐づけした差分ｔ０に積層した磁気ディスク１８の差分Δm1を加算したものを１枚目の磁気ディスク１８の表面の高さｔ１として算出する（ＳＴ５）。ｔ１の大小に応じて、積層する１枚目のスペーサリング６６のランクを決定する（ＳＴ６～ＳＴ１０）。
ｔ１＜－０．０１の場合（ＳＴ６）、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）を選択する（ＳＴ８）。
－０．０１≦ｔ１≦０．０１の場合（ＳＴ７）、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）を選択する。
０．０１＜ｔ１の場合（ＳＴ７）、Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）を選択する（ＳＴ１０）。
選択した１枚目のスペーサリング６６の厚さを測定し、設計中心値からの測定値のずれをΔＳ１とする（ＳＴ１１）。測定後、スペーサリング６６を１枚目の磁気ディスク１８に積層配置する（ＳＴ１２）。
ｔ１＜－０．０１の場合（ＳＴ６）、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）を選択する（ＳＴ８）。
－０．０１≦ｔ１≦０．０１の場合（ＳＴ７）、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）を選択する。
０．０１＜ｔ１の場合（ＳＴ７）、Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）を選択する（ＳＴ１０）。
選択した１枚目のスペーサリング６６の厚さを測定し、設計中心値からの測定値のずれをΔＳ１とする（ＳＴ１１）。測定後、スペーサリング６６を１枚目の磁気ディスク１８に積層配置する（ＳＴ１２）。
【0032】
スペーサリング６６の積層枚数ｎが９枚よりも少ない場合（ＳＴ１３）、ｎ＝ｎ+１を設定し（ＳＴ１４）、工程（ＳＴ３）～（ＳＴ１３）を繰り返し実行する。すなわち、引き続き、２枚目の磁気ディスク１８をスペーサリング６６に重ねて積層する。積層する前に磁気ディスク１８の内周部の厚さを測定し、設計中心値からの測定値のずれをΔｍ２とする（ＳＴ３）。測定した２枚目の磁気ディスク１８をスペーサリング６６に重ねて積層する（ＳＴ４）。
２枚目のスペーサリングを積層する前に、２枚目の磁気ディスク１８の上面の高さ（ｔ２＝ｔ１+ΔＳ１+Δｍ２を算出する（ＳＴ５）。高さｔ２の大小に応じて、２枚目に積層するスペーサリングのランクを決定する（ＳＴ６～ＳＴ１０）。
ｔ２＜－０．０１の場合（ＳＴ６）、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）を選択する（ＳＴ８）。
－０．０１≦ｔ２≦０．０１の場合（ＳＴ７）、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）を選択する。
０．０１＜ｔ２の場合（ＳＴ７）、Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）を選択する（ＳＴ１０）。
選択した２枚目のスペーサリング６６の厚さを測定し、設計中心値からの測定値のずれをΔＳ２とする（ＳＴ１１）。測定後、スペーサリング６６を２枚目の磁気ディスク１８に積層配置する（ＳＴ１２）。
９枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６が積層されるまで上述した工程ＳＴ３～ＳＴ１２を繰り返し実行する。９枚目のスペーサリング６６が積層されると（ＳＴ１３）、１０枚目の磁気ディスク１８がスペーサリング６６に重ねて積層配置される（ＳＴ１５）。その後、クランプばね２０をハブ６４に取り付け、このクランプばね２０により１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６を積層状態に保持する（ＳＴ１６）。
２枚目のスペーサリングを積層する前に、２枚目の磁気ディスク１８の上面の高さ（ｔ２＝ｔ１+ΔＳ１+Δｍ２を算出する（ＳＴ５）。高さｔ２の大小に応じて、２枚目に積層するスペーサリングのランクを決定する（ＳＴ６～ＳＴ１０）。
ｔ２＜－０．０１の場合（ＳＴ６）、Ｃランクのスペーサリング６６（Ｃ）を選択する（ＳＴ８）。
－０．０１≦ｔ２≦０．０１の場合（ＳＴ７）、Ｂランクのスペーサリング６６（Ｂ）を選択する。
０．０１＜ｔ２の場合（ＳＴ７）、Ａランクのスペーサリング６６（Ａ）を選択する（ＳＴ１０）。
選択した２枚目のスペーサリング６６の厚さを測定し、設計中心値からの測定値のずれをΔＳ２とする（ＳＴ１１）。測定後、スペーサリング６６を２枚目の磁気ディスク１８に積層配置する（ＳＴ１２）。
９枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６が積層されるまで上述した工程ＳＴ３～ＳＴ１２を繰り返し実行する。９枚目のスペーサリング６６が積層されると（ＳＴ１３）、１０枚目の磁気ディスク１８がスペーサリング６６に重ねて積層配置される（ＳＴ１５）。その後、クランプばね２０をハブ６４に取り付け、このクランプばね２０により１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６を積層状態に保持する（ＳＴ１６）。
【0033】
上述したように、本実施形態によれば、１０枚の磁気ディスク１８および磁気ディスクの枚数よりも１枚少ない９枚のスペーサリング６６が、スピンドルモータ１９のハブ６４の外周に積層配置されている。９枚のスペーサリングのうち、少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成されている。スペーサリング６６の厚さは、最大のものと最小のものとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下に設定している。
本実施形態によれば、フランジ６５の高さずれ、および、磁気ディスク１８の厚さのずれ、に応じて、最適な厚さのスペーサリングを選択し、積層配置している。これにより、１枚目に積層した磁気ディスク１８の高さずれ（最大０．０６ｍｍ）を超える高さずれを起こす磁気ディスクが生じることなく、１０枚の磁気ディスク１８を所望の高さ位置に積層配置することが可能となる。各サスペンションアッセンブリ３０のＺハイト、および、ランプ８０に対する各磁気ディスク１８の中心軸線ＣＤの高さ位置、を所望の設計値の範囲内に収めることが可能となる。多数枚、例えば、１０枚の磁気ディスク１８を搭載している場合でも、磁気ヘッドの浮上変動が起きたり、ヘッドアクチュエータが正常なロード／アンロード動作を行えなくなるなどの不具合を生じることがなく、ディスク装置の大容量化を達成することが可能となる。
本実施形態によれば、フランジ６５の高さずれ、および、磁気ディスク１８の厚さのずれ、に応じて、最適な厚さのスペーサリングを選択し、積層配置している。これにより、１枚目に積層した磁気ディスク１８の高さずれ（最大０．０６ｍｍ）を超える高さずれを起こす磁気ディスクが生じることなく、１０枚の磁気ディスク１８を所望の高さ位置に積層配置することが可能となる。各サスペンションアッセンブリ３０のＺハイト、および、ランプ８０に対する各磁気ディスク１８の中心軸線ＣＤの高さ位置、を所望の設計値の範囲内に収めることが可能となる。多数枚、例えば、１０枚の磁気ディスク１８を搭載している場合でも、磁気ヘッドの浮上変動が起きたり、ヘッドアクチュエータが正常なロード／アンロード動作を行えなくなるなどの不具合を生じることがなく、ディスク装置の大容量化を達成することが可能となる。
【0034】
次に、この発明の他の実施形態に係るＨＤＤおよびその製造方法について説明する。以下に述べる他の実施形態において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
（第２実施形態）
図７、図８、図１０を参照して、第２実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図７に示すように、磁気ヘッドがランプ８０と磁気ディスク１８との間を確実にロード／アンロード動作するためには、磁気ディスク１８とランプ８０との相対高さＢの設計中心値からのずれが小さいことが望ましい。
前述した第１実施形態では、図８のｔ０として、モータのハブ６４のフランジ６５の高さの設計値からのずれを用いていたが、第２実施形態では、ランプ８０の高さに対するフランジ６５の高さのずれをｔ０として用いる。
詳細には、図１０に示すように、ボスＢ１の上面を基準として、フランジ６５の上面の３点、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３でフランジ６５の上面の高さを測定する。３点の高さによって形成される平面をランプ８０の近傍位置（半径Ｒ２）まで延長した仮想点Ｚｒの設計値からの高さずれを、ｔ０として用いる。本実施例において、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３は、それぞれスピンドルモータ１９の中心軸周りの周方向に角度θ１＝１２０°の等間隔を置いて配置されている。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３は、それぞれ半径Ｒ１＝１４．５ｍｍの位置に配置され、Ｚｒは半径Ｒ２＝４６．６ｍｍの位置に設定している。
ずれｔ０を用いて、図８に示す工程ＳＴ１～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
（第２実施形態）
図７、図８、図１０を参照して、第２実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図７に示すように、磁気ヘッドがランプ８０と磁気ディスク１８との間を確実にロード／アンロード動作するためには、磁気ディスク１８とランプ８０との相対高さＢの設計中心値からのずれが小さいことが望ましい。
前述した第１実施形態では、図８のｔ０として、モータのハブ６４のフランジ６５の高さの設計値からのずれを用いていたが、第２実施形態では、ランプ８０の高さに対するフランジ６５の高さのずれをｔ０として用いる。
詳細には、図１０に示すように、ボスＢ１の上面を基準として、フランジ６５の上面の３点、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３でフランジ６５の上面の高さを測定する。３点の高さによって形成される平面をランプ８０の近傍位置（半径Ｒ２）まで延長した仮想点Ｚｒの設計値からの高さずれを、ｔ０として用いる。本実施例において、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３は、それぞれスピンドルモータ１９の中心軸周りの周方向に角度θ１＝１２０°の等間隔を置いて配置されている。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３は、それぞれ半径Ｒ１＝１４．５ｍｍの位置に配置され、Ｚｒは半径Ｒ２＝４６．６ｍｍの位置に設定している。
ずれｔ０を用いて、図８に示す工程ＳＴ１～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
【0035】
上述した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、フランジ６５の高さずれ、および、磁気ディスク１８の厚さのずれ、に応じて、最適な厚さのスペーサリングを選択し、積層配置することにより、１０枚の磁気ディスク１８をランプ８０に対して所望の高さ位置に積層配置することができる。更に、第２実施形態では、ハブ６４の傾きによって発生するランプ８０近傍位置での磁気ディスク１８の高さずれも考慮できるため、より効果的な高さ調整を行うことができる。
【0036】
（第３実施形態）
図３、図８を参照して、第３実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図３に示したように、スピンドルモータ１９のハブ６４に積層された磁気ディスク１８およびスペーサリング６６は、クランプばね２０により軸方向に押圧された状態で、ハブ６４に固定される。例えば、厚さ０．６３５ｍｍの磁気ディスク１８を１０枚積層する場合、２００Ｇ程度の衝撃に対しても磁気ディスク１８がずれることなく保持されるためには、約１２００Ｎ程度の軸力を磁気ディスク１８に印加する必要がある。この軸力により、ハブ６４のフランジ６５も僅かに変形し、搭載した磁気ディスク１８の高さ位置が０．０１ｍｍ程度変化する場合がある。このような変化は、磁気ディスクの高さずれの要因となる。
そこで、第３実施形態では、クランプばね２０による荷重で生じるフランジ６５のたわみ量Δｈを予め別のサンプルを用いて求めておき、図８の工程ＳＴ２において、測定したｔ０からΔｈを差し引く。以後、（ｔ０－Δｈ）を基準として、図８に示す工程ＳＴ３～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
図３、図８を参照して、第３実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図３に示したように、スピンドルモータ１９のハブ６４に積層された磁気ディスク１８およびスペーサリング６６は、クランプばね２０により軸方向に押圧された状態で、ハブ６４に固定される。例えば、厚さ０．６３５ｍｍの磁気ディスク１８を１０枚積層する場合、２００Ｇ程度の衝撃に対しても磁気ディスク１８がずれることなく保持されるためには、約１２００Ｎ程度の軸力を磁気ディスク１８に印加する必要がある。この軸力により、ハブ６４のフランジ６５も僅かに変形し、搭載した磁気ディスク１８の高さ位置が０．０１ｍｍ程度変化する場合がある。このような変化は、磁気ディスクの高さずれの要因となる。
そこで、第３実施形態では、クランプばね２０による荷重で生じるフランジ６５のたわみ量Δｈを予め別のサンプルを用いて求めておき、図８の工程ＳＴ２において、測定したｔ０からΔｈを差し引く。以後、（ｔ０－Δｈ）を基準として、図８に示す工程ＳＴ３～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
【0037】
上記第３実施形態によれば、クランプばね取付時の変形によるフランジ６５の高さずれΔｈを加味してスペーサリング６６のランクを適切に選択することができ、クランプ後の磁気ディスクの高さをより効果的に調整することが可能となる。すなわち、クランプばねによるフランジの高さずれが、フランジと直接、接しない磁気ディスクの高さのずれとして伝播しないように、あるいは、磁気ディスクの高さずれが軽減されるように、高さ調整可能となる。
【0038】
（第４実施形態）
図７、図８、図１１を参照して、第４実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図７に示すように、磁気ヘッドがランプ８０と磁気ディスク１８との間を確実にロード／アンロード動作するためには、磁気ディスク１８とランプ８０との相対高さＢの設計中心値からのずれが小さいことが望ましい。
図１１に示すように、ベース１２の底壁１２ａの内面に、ランプ８０の設置面Ｚｂが形成されている。設置面Ｚｂは、機械加工により高精度に形成されるが、その場合でも、高さ方向に±０．０３ｍｍ程度の加工バラつきは避けられない。そこで、第４実施形態では、ボスＢ１の上面を基準としてランプの設置面Ｚｂの高さを測定し、設計中心値からの測定値のずれΔＺｂを算出する。図８の工程ＳＴ２において、測定したｔ０からΔＺｂを差し引く。以後、（ｔ０－ΔＺｂ）を基準として、図８に示す工程ＳＴ３～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
図７、図８、図１１を参照して、第４実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図７に示すように、磁気ヘッドがランプ８０と磁気ディスク１８との間を確実にロード／アンロード動作するためには、磁気ディスク１８とランプ８０との相対高さＢの設計中心値からのずれが小さいことが望ましい。
図１１に示すように、ベース１２の底壁１２ａの内面に、ランプ８０の設置面Ｚｂが形成されている。設置面Ｚｂは、機械加工により高精度に形成されるが、その場合でも、高さ方向に±０．０３ｍｍ程度の加工バラつきは避けられない。そこで、第４実施形態では、ボスＢ１の上面を基準としてランプの設置面Ｚｂの高さを測定し、設計中心値からの測定値のずれΔＺｂを算出する。図８の工程ＳＴ２において、測定したｔ０からΔＺｂを差し引く。以後、（ｔ０－ΔＺｂ）を基準として、図８に示す工程ＳＴ３～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
【0039】
上記第４実施形態によれば、ランプ設置面の高さずれΔＺｂを差し引くことにより、ランプ設置面の高さずれの影響を低減させるように、スペーサリング６６の厚さを選択し、磁気ディスク高さ位置を最適に調整することが可能となる。
【0040】
（第５実施形態）
図８、図１１を参照して、第５実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図１１に示すように、ベース１２の底壁１２ａの内面に、ヘッドアクチュエータ２２の設置面Ｚｐが形成されている。この設置面Ｚｐには、アクチュエータブロックを回転自裁に支持するための枢軸３１が設置される。設置面Ｚｐは、機械加工により高精度に形成されるが、その場合でも、高さ方向に±０．０３ｍｍ程度の加工バラつきは避けられない。
設置面Ｚｐの高さが設計値からずれていると、アクチュエータアッセンブリ２２およびサスペンションアッセンブリ３０の高さ位置にずれが生じる。サスペンションアッセンブリ３０の高さ位置のずれは、Ｚハイトのずれとなり、磁気ヘッドの浮上変動の要因となる。そのため、Ｚハイトの設計中心値からのずれは小さいことが望ましい。
そこで、第５実施形態によれば、ボスＢ１の上面を基準としてヘッドアクチュエータの設置面Ｚｐの高さを測定し、設計中心値からの測定値のずれΔＺｐを算出する。図８の工程ＳＴ２において、測定したｔ０からΔＺｐを差し引く。以後、（ｔ０－ΔＺｐ）を基準として、図８に示す工程ＳＴ３～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
図８、図１１を参照して、第５実施形態に係るＨＤＤの製造方法について説明する。
図１１に示すように、ベース１２の底壁１２ａの内面に、ヘッドアクチュエータ２２の設置面Ｚｐが形成されている。この設置面Ｚｐには、アクチュエータブロックを回転自裁に支持するための枢軸３１が設置される。設置面Ｚｐは、機械加工により高精度に形成されるが、その場合でも、高さ方向に±０．０３ｍｍ程度の加工バラつきは避けられない。
設置面Ｚｐの高さが設計値からずれていると、アクチュエータアッセンブリ２２およびサスペンションアッセンブリ３０の高さ位置にずれが生じる。サスペンションアッセンブリ３０の高さ位置のずれは、Ｚハイトのずれとなり、磁気ヘッドの浮上変動の要因となる。そのため、Ｚハイトの設計中心値からのずれは小さいことが望ましい。
そこで、第５実施形態によれば、ボスＢ１の上面を基準としてヘッドアクチュエータの設置面Ｚｐの高さを測定し、設計中心値からの測定値のずれΔＺｐを算出する。図８の工程ＳＴ２において、測定したｔ０からΔＺｐを差し引く。以後、（ｔ０－ΔＺｐ）を基準として、図８に示す工程ＳＴ３～ＳＴ１６を実行することにより、１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリングがハブ６４のフランジ６５の上に積層配置される。
【0041】
上記第５実施形態によれば、アクチュエータの設置面Ｚｐの高さずれ、すなわち、サスペンションアッセンブリ３０の高さずれ（ΔＺｐ）を加味してスペーサリング６６のランクを適切に選択することができ、磁気ディスクの高さ位置、およびＺハイトをより効果的に調整することが可能となる。すなわち、設置面Ｚｐの高さずれが、フランジと直接、接しない磁気ディスクの高さのずれとして伝播しないように、あるいは、磁気ディスクの高さずれが軽減されるように、高さ調整可能となる。
【0042】
（第６実施形態）
図１２は、第６実施形態に係るＨＤＤの製造方法を示すフローチャートである。
前述した第１ないし第５実施形態では、スピンドルモータのフランジの高さずれｔ０、磁気ディスク１８の厚さずれΔｍ、スペーサリング６６の厚さずれΔｓをＨＤＤの製造工程で順次測定しながら磁気ディスクおよびスペーサリングを積層する方法としている。
これに対して、第６実施形態によれば、スピンドルモータのフランジ６５の高さずれｔ０、各磁気ディスク１８の厚さずれΔｍ、各スペーサリング６６の厚さΔｓを、予め、部品単位で測定し、測定値を個体毎またはロット平均値として紐づけして保存しておき、製造時に、各測定値をデータとして用いている。
図１２に示すように、始めに、フランジの高さずれｔ０を読み出し（ＳＴ１）、続いて、１枚目の磁気ディスクの厚さずれΔｍ１を読み出す（ＳＴ２）。次いで、１枚目の磁気ディスクをフランジ６５の上に積層した後（ＳＴ４）、１枚目の磁気ディスク上面の高さずれ（ｔ１＝ｔ０+Δｍ１）を算出する（ＳＴ５）。
算出したずれｔ１の大小に応じて、最適なスペーサリング６６を選択し、選択されたスペーサリングの厚さずれΔｓ１のデータを読み出す（ＳＴ～ＳＴ１１）。
図１２は、第６実施形態に係るＨＤＤの製造方法を示すフローチャートである。
前述した第１ないし第５実施形態では、スピンドルモータのフランジの高さずれｔ０、磁気ディスク１８の厚さずれΔｍ、スペーサリング６６の厚さずれΔｓをＨＤＤの製造工程で順次測定しながら磁気ディスクおよびスペーサリングを積層する方法としている。
これに対して、第６実施形態によれば、スピンドルモータのフランジ６５の高さずれｔ０、各磁気ディスク１８の厚さずれΔｍ、各スペーサリング６６の厚さΔｓを、予め、部品単位で測定し、測定値を個体毎またはロット平均値として紐づけして保存しておき、製造時に、各測定値をデータとして用いている。
図１２に示すように、始めに、フランジの高さずれｔ０を読み出し（ＳＴ１）、続いて、１枚目の磁気ディスクの厚さずれΔｍ１を読み出す（ＳＴ２）。次いで、１枚目の磁気ディスクをフランジ６５の上に積層した後（ＳＴ４）、１枚目の磁気ディスク上面の高さずれ（ｔ１＝ｔ０+Δｍ１）を算出する（ＳＴ５）。
算出したずれｔ１の大小に応じて、最適なスペーサリング６６を選択し、選択されたスペーサリングの厚さずれΔｓ１のデータを読み出す（ＳＴ～ＳＴ１１）。
【0043】
スペーサリング６６の積層枚数ｎが９枚よりも少ない場合（ＳＴ１３）、ｎ＝ｎ+１を設定し（ＳＴ１４）、工程（ＳＴ３）～（ＳＴ１３）を繰り返し実行する。すなわち、引き続き、２枚目の磁気ディスク１８をスペーサリング６６に重ねて積層する。積層した後、２枚目の磁気ディスク１８の厚さずれΔｍ２を読み出し、２枚目の磁気ディスク１８の上面の高さ（ｔ２＝ｔ１+ΔＳ１+Δｍ２）を算出する（ＳＴ５）。高さｔ２の大小に応じて、２枚目に積層するスペーサリングのランクを決定する（ＳＴ６～ＳＴ１０）。
選択した２枚目のスペーサリング６６の厚さずれΔＳ２を読み出した後（ＳＴ１１）、スペーサリング６６を２枚目の磁気ディスク１８に積層配置する（ＳＴ１２）。
９枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６が積層されるまで上述した工程ＳＴ３～ＳＴ１２を繰り返し実行する。９枚目のスペーサリング６６が積層されると（ＳＴ１３）、１０枚目の磁気ディスク１８がスペーサリング６６に重ねて積層配置される（ＳＴ１５）。その後、クランプばね２０をハブ６４に取り付け、このクランプばね２０により１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６を積層状態に保持する（ＳＴ１６）。
このような第６実施形態に係る製造方法によれば、工程ごとにずれ量を測定する方法に比較して、製造効率の向上を図ることが可能となる。
選択した２枚目のスペーサリング６６の厚さずれΔＳ２を読み出した後（ＳＴ１１）、スペーサリング６６を２枚目の磁気ディスク１８に積層配置する（ＳＴ１２）。
９枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６が積層されるまで上述した工程ＳＴ３～ＳＴ１２を繰り返し実行する。９枚目のスペーサリング６６が積層されると（ＳＴ１３）、１０枚目の磁気ディスク１８がスペーサリング６６に重ねて積層配置される（ＳＴ１５）。その後、クランプばね２０をハブ６４に取り付け、このクランプばね２０により１０枚の磁気ディスク１８および９枚のスペーサリング６６を積層状態に保持する（ＳＴ１６）。
このような第６実施形態に係る製造方法によれば、工程ごとにずれ量を測定する方法に比較して、製造効率の向上を図ることが可能となる。
【0044】
（第７実施形態）
図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃは、それぞれ第７実施形態に係るＨＤＤの製造方法において、Ｚ－ハイトずれと高さ調整との関係を模式的に示す図である。
第７実施形態によれば、積層する全てのスペーサリング６６について厚さランク選択を行うのではなく、数回のみスペーサリングの厚さランクの選択を行い、他のスペーサリングは厚さ中心ランク、例えば、Ｂランクのスペーサリングを用いる。
例えば、積層する磁気ディスクが１０枚、磁気ディスク厚さの平均値が設計中心値＋０．００５ｍｍ（５μｍ）、フランジ６５の高さずれが＋０．０４ｍｍ（４０μｍ）である場合、スペーサリング６６のランク選択を行わずに（Ａ．高さ調整無し）磁気ディスクおよびスペーサリングを積層すると、図１３Ａに示すように、１０枚目の磁気ディスクを積層した際に生じる高さずれは＋０．０９ｍｍとなる。
こに対して、本実施形態によれば、図１３Ｂに示すように、例えば、１枚目と２枚目の磁気ディスクの間に積層するスペーサリング６６を、厚さが設計中心値に対して－０．０５ｍｍのランクのスペーサリングを選択して積層する。この場合、スペーサリング６６ののランク選択１回のみでも、１０枚目の磁気ディスクの上面の積層高さずれを＋０．０５ｍｍに抑えることができる。
図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃは、それぞれ第７実施形態に係るＨＤＤの製造方法において、Ｚ－ハイトずれと高さ調整との関係を模式的に示す図である。
第７実施形態によれば、積層する全てのスペーサリング６６について厚さランク選択を行うのではなく、数回のみスペーサリングの厚さランクの選択を行い、他のスペーサリングは厚さ中心ランク、例えば、Ｂランクのスペーサリングを用いる。
例えば、積層する磁気ディスクが１０枚、磁気ディスク厚さの平均値が設計中心値＋０．００５ｍｍ（５μｍ）、フランジ６５の高さずれが＋０．０４ｍｍ（４０μｍ）である場合、スペーサリング６６のランク選択を行わずに（Ａ．高さ調整無し）磁気ディスクおよびスペーサリングを積層すると、図１３Ａに示すように、１０枚目の磁気ディスクを積層した際に生じる高さずれは＋０．０９ｍｍとなる。
こに対して、本実施形態によれば、図１３Ｂに示すように、例えば、１枚目と２枚目の磁気ディスクの間に積層するスペーサリング６６を、厚さが設計中心値に対して－０．０５ｍｍのランクのスペーサリングを選択して積層する。この場合、スペーサリング６６ののランク選択１回のみでも、１０枚目の磁気ディスクの上面の積層高さずれを＋０．０５ｍｍに抑えることができる。
【0045】
更に、スペーサリング６６のランク選択を３回に増やした場合、図１３Ｃに示すように、例えば、１枚目と２枚目の磁気ディスクの間、４枚目と５枚目の磁気ディスクの間、７枚目と８枚目の磁気ディスクの間に挿入するスペーサリング６６を厚さ設計中心値に対して－０．０２ｍｍのランクのスペーサリングを選択することにより、１０枚目の磁気ディスクの上面の積層高さずれを＋０．０４ｍｍに抑えることができる。
上記のように、第７実施形態によれば、数回のみスペーサリングの厚さランクの選択を行い、他のスペーサリングは厚さ中心ランク、例えば、Ｂランクのスペーサリングを用いることにより、磁気ディスクの高さずれを低減することができるとともに、磁気ディスクの積層設備を簡略化し製造効率の向上を図ることが可能となる。
上記のように、第７実施形態によれば、数回のみスペーサリングの厚さランクの選択を行い、他のスペーサリングは厚さ中心ランク、例えば、Ｂランクのスペーサリングを用いることにより、磁気ディスクの高さずれを低減することができるとともに、磁気ディスクの積層設備を簡略化し製造効率の向上を図ることが可能となる。
【0046】
以上のように、前述した実施形態に係るＨＤＤによれば、フランジ６５の高さずれ、および、磁気ディスク１８の厚さのずれ、に応じて、最適な厚さのスペーサリングを選択し、積層配置している。複数枚の磁気ディスク１８および磁気ディスクの枚数よりも１枚少ないスペーサリング６６が、スピンドルモータ１９のハブ６４の外周に積層配置されている。複数枚のスペーサリングのうち、少なくとも１枚のスペーサリングは、他のスペーサリングと異なる厚さに形成されている。スペーサリング６６の厚さは、最大のものと最小のものとの差が０．０１ｍｍ以上、０．０９ｍｍ以下に設定している。
これにより、前述した実施形態によれば、積層配置される磁気ディスクの高さずれを低減することが可能なディスク装置およびその製造方法を提供することができる。
これにより、前述した実施形態によれば、積層配置される磁気ディスクの高さずれを低減することが可能なディスク装置およびその製造方法を提供することができる。
【0047】
本発明は上述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
上述した実施形態において、磁気ディスクの設置枚数は、１０枚に限らず、１１枚以上としてもよい。磁気ディスクの厚さは、０．６３５ｍｍあるいは０．５ｍｍに限らず、必要に応じて、種々変更可能である。同様に、磁気ディスクの直径は、９６ｍｍに限らず、例えば、９５ｍｍあるいは９７ｍｍとしてもよい。磁気ディスクの形成材料は、アルミニウムに限らず、ガラス等でもよい。スペーサリングの形成材料もアルミニウムに限らず、例えば、チタン、ステンレス、ガラス等でもよい。
筐体のベースのランプ設置面、アクチュエータの設置面、およびフランジの高さ測定、磁気ディスク厚の測定、スペーサリング厚の測定は、部品毎に事前に実施しておいてその測定値を使用しても良い。磁気ディスクの厚さは個々の厚さではなくロット平均値やカセットごとの平均値を用いてもよい。さらに、磁気ディスクの積層高さずれや、ランプ設置面、アクチュエータ設置面の高さずれに応じて、異なる高さのランプやアクチュエータを使用したり、ランプやアクチュエータの高さを調整してもよい。
上述した実施形態において、磁気ディスクの設置枚数は、１０枚に限らず、１１枚以上としてもよい。磁気ディスクの厚さは、０．６３５ｍｍあるいは０．５ｍｍに限らず、必要に応じて、種々変更可能である。同様に、磁気ディスクの直径は、９６ｍｍに限らず、例えば、９５ｍｍあるいは９７ｍｍとしてもよい。磁気ディスクの形成材料は、アルミニウムに限らず、ガラス等でもよい。スペーサリングの形成材料もアルミニウムに限らず、例えば、チタン、ステンレス、ガラス等でもよい。
筐体のベースのランプ設置面、アクチュエータの設置面、およびフランジの高さ測定、磁気ディスク厚の測定、スペーサリング厚の測定は、部品毎に事前に実施しておいてその測定値を使用しても良い。磁気ディスクの厚さは個々の厚さではなくロット平均値やカセットごとの平均値を用いてもよい。さらに、磁気ディスクの積層高さずれや、ランプ設置面、アクチュエータ設置面の高さずれに応じて、異なる高さのランプやアクチュエータを使用したり、ランプやアクチュエータの高さを調整してもよい。
【符号の説明】
【0048】
１０…筺体、１２…ベース、１２ａ…底壁、１２ｂ…側壁、１７…磁気ヘッド、
１８…磁気ディスク、１９…スピンドルモータ、２２…アクチュエータアッセンブリ、
２５…ランプロード機構、３０…サスペンションアッセンブリ、３２…アーム、
６４…ハブ、６５…フランジ、６６、６６（Ａ）、６６（Ｂ）、６６（Ｃ）…スペーサリング、８０…ランプ
１８…磁気ディスク、１９…スピンドルモータ、２２…アクチュエータアッセンブリ、
２５…ランプロード機構、３０…サスペンションアッセンブリ、３２…アーム、
６４…ハブ、６５…フランジ、６６、６６（Ａ）、６６（Ｂ）、６６（Ｃ）…スペーサリング、８０…ランプ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13A】
【図13B】
【図13C】