特開 2022-190665 配線回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022190665

(43)【公開日】2022-12-26

(54)【発明の名称】配線回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20221219BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20221219BHJP

   H05K 3/06 20060101ALI20221219BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 A

H05K3/00 J

H05K3/00 K

H05K3/06 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022062685

(22)【出願日】2022-04-04

(31)【優先権主張番号】P 2021098999

(32)【優先日】2021-06-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100103517

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 寛之

(74)【代理人】

【識別番号】100149607

【弁理士】

【氏名又は名称】宇田 新一

(72)【発明者】

【氏名】高倉 隼人

(72)【発明者】

【氏名】柴田 直樹

(72)【発明者】

【氏名】福井 玲

(72)【発明者】

【氏名】田中 智章

【テーマコード（参考）】

5E339

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E339AB02

5E339AD01

5E339BC02

5E339BD08

5E339BE13

5E339GG10

5E343AA02

5E343AA18

5E343BB24

5E343BB67

5E343BB71

5E343DD43

5E343DD63

5E343FF16

5E343GG06

(57)【要約】

【課題】開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
配線回路基板１の製造方法は、支持層１１にパターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２とを設定する第１工程と、少なくともパターン形成領域Ａ１１内において、支持層１１の上にベース絶縁層１２を形成する第２工程と、電解メッキにより、パターン形成領域Ａ１１内のベース絶縁層１２の上に導体パターン１３を形成するとともに、開口形成領域Ａ１２内にダミーパターン２２を形成する第３工程と、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の少なくとも一部をエッチングする第４工程とを含む。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する第１工程と、
少なくとも前記パターン形成領域内において、前記支持層の上に絶縁層を形成する第２工程と、
電解メッキにより、前記パターン形成領域内の前記絶縁層の上に導体パターンを形成するとともに、前記開口形成領域内にダミーパターンを形成する第３工程と、
前記開口形成領域内の前記支持層の少なくとも一部をエッチングする第４工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。

【請求項2】

前記第２工程において、前記パターン形成領域内および前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成し、
前記第３工程において、前記開口形成領域内の前記絶縁層の上に前記ダミーパターンを形成する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。

【請求項3】

前記第１工程において、前記支持層に、前記パターン形成領域と前記開口形成領域とを含む製品領域と、前記製品領域と接続されるフレーム領域とを、さらに設定し、
前記第４工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングして、前記支持層に開口を形成し、前記製品領域と前記フレーム領域との間の前記支持層の一部をエッチングして、前記製品領域の形状に沿って配線回路基板の外形を形成するとともに、前記フレーム領域の形状に沿って、前記配線回路基板と接続されるフレームを形成し、
前記配線回路基板の製造方法は、
前記配線回路基板を前記フレームから切り取るとともに、前記開口内の前記絶縁層を、前記配線回路基板から切り取る第５工程を、さらに含む、請求項２に記載の配線回路基板の製造方法。

【請求項4】

前記第２工程において、前記パターン形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成せず、
前記第３工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の上に前記ダミーパターンを形成する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。

【請求項5】

前記第４工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングする、請求項４に記載の配線回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線回路基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、支持基板上に、配線パターンとダミーパターンとを形成する、プリント配線板の製造方法が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－２７３４９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に記載されるようなプリント配線板に、開口を形成したい場合がある。この場合、特許文献１に記載されるような方法では、プリント配線板が形成される領域の外側にダミーパターンが形成されているので、開口の近くに形成される配線パターンの厚みの均一化を図ることが困難である。

【0005】

本発明は、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明［１］は、支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する第１工程と、少なくとも前記パターン形成領域内において、前記支持層の上に絶縁層を形成する第２工程と、電解メッキにより、前記パターン形成領域内の前記絶縁層の上に導体パターンを形成するとともに、前記開口形成領域内にダミーパターンを形成する第３工程と、前記開口形成領域内の前記支持層の少なくとも一部をエッチングする第４工程とを含む、配線回路基板の製造方法を含む。

【0007】

このような方法によれば、第３工程において、パターン形成領域内の導体パターンを、開口形成領域内のダミーパターンとともに形成できる。

【0008】

そのため、メッキ液中において、導体パターンの周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。

【0009】

その結果、開口の近くに形成される導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。

【0010】

本発明［２］は、前記第２工程において、前記パターン形成領域内および前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記第３工程において、前記開口形成領域内の前記絶縁層の上に前記ダミーパターンを形成する、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。

【0011】

このような方法によれば、開口形成領域内に絶縁層を形成し、その絶縁層でダミーパターンを支持できる。

【0012】

そのため、開口形成領域内の支持層の全部がエッチングされても、絶縁層でダミーパターンを支持できる。

【0013】

本発明［３］は、前記第１工程において、前記支持層に、前記パターン形成領域と前記開口形成領域とを含む製品領域と、前記製品領域と接続されるフレーム領域とを、さらに設定し、前記第４工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングして、前記支持層に開口を形成し、前記製品領域と前記フレーム領域との間の前記支持層をエッチングして、前記製品領域の形状に沿って配線回路基板の外形を形成するとともに、前記フレーム領域の形状に沿って、前記配線回路基板と接続されるフレームを形成し、前記配線回路基板の製造方法が、前記配線回路基板を前記フレームから切り取るとともに、前記開口内の前記絶縁層を、前記配線回路基板から切り取る第５工程を、さらに含む、上記［２］の配線回路基板の製造方法を含む。

【0014】

このような方法によれば、開口形成領域内の支持層の全部をエッチングして、支持層に開口を形成した後、開口内の絶縁層を切り取ることにより、簡単に、ダミーパターンを除去できる。

【0015】

本発明［４］は、前記第２工程において、前記パターン形成領域内に前記絶縁層を形成し、前記開口形成領域内に前記絶縁層を形成せず、前記第３工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の上に前記ダミーパターンを形成する、上記［１］の配線回路基板の製造方法を含む。

【0016】

このような方法によれば、開口形成領域内の支持層でダミーパターンを支持できる。

【0017】

本発明［５］は、前記第４工程において、前記開口形成領域内の前記支持層の全部をエッチングする、上記［４］の配線回路基板の製造方法を含む。

【0018】

このような方法によれば、開口形成領域内の支持層の全部をエッチングすることにより、簡単に、ダミーパターンを除去できる。

【発明の効果】

【0019】

本発明の配線回路基板の製造方法によれば、開口の近くに導体パターンを形成する場合であっても、導体パターンの厚みの均一化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１は、本発明の一実施形態としての配線回路基板の平面図である。

【図2】図２は、図１に示す配線回路基板のＡ－Ａ断面図である。

【図3】図３Ａおよび図３Ｂは、配線回路基板の製造方法を説明するための説明図である。図３Ａは、支持層にパターン形成領域と開口形成領域とを設定する工程（第１工程）を示す。図３Ｂは、図３Ａに続いて、パターン形成領域内にベース絶縁層を形成し、開口形成領域内にダミー絶縁層を形成する工程（第２工程）を示す。

【図4】図４は、図３Ｂに示す支持層、ベース絶縁層およびダミー絶縁層の平面図である。図３Ｂは、図４に示す支持層、ベース絶縁層およびダミー絶縁層のＢ－Ｂ断面図である。

【図5】図５Ａから図５Ｃは、図３Ｂに続いて、配線回路基板の製造方法を説明するための説明図である。図５Ａは、図３Ｂに続いて、ベース絶縁層およびダミー絶縁層の上にシード層を形成する工程を示す。図５Ｂは、図５Ａに続いて、シード層が形成されたベース絶縁層およびダミー絶縁層の上にメッキレジストを貼り合わせて、露光する工程を示す。図５Ｃは、図５Ｂに続いて、露光されたメッキレジストを現像する工程を示す。

【図6】図６Ａから図６Ｃは、図５Ｃに続いて、配線回路基板の製造方法を説明するための説明図である。図６Ａは、図５Ｃに続いて、電解メッキにより導体パターンおよびダミーパターンを形成する工程（第３工程）を示す。図６Ｂは、図６Ａに続いて、メッキレジストを剥離する工程を示す。図６Ｃは、図６Ｂに続いて、メッキレジストによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する工程を示す。

【図7】図７は、図６Ｃに示す支持層、ベース絶縁層、ダミー絶縁層、導体パターンおよびダミーパターンの平面図である。図６Ｃは、図７に示す支持層、ベース絶縁層、ダミー絶縁層、導体パターンおよびダミーパターンのＣ－Ｃ断面図である。

【図8】図８Ａおよび図８Ｂは、図６Ｃに続いて、配線回路基板の製造方法を説明するための説明図である。図８Ａは、図６Ｃに続いて、カバー絶縁層を形成する工程を示す。図８Ｂは、図８Ａに続いて、支持層をエッチングする工程（第４工程）を示す。

【図9】図９Ａから図９Ｃは、変形例（１）を説明するための説明図である。図９Ａは、パターン形成領域内にベース絶縁層を形成し、開口形成領域内にダミー絶縁層を形成しない工程（第２工程）を示す。図９Ｂは、図９Ａに続いて、開口形成領域内の支持層の上にダミーパターンを形成する工程（第３工程）を示す。図９Ｃは、図９Ｂに続いて、支持層をエッチングする工程（第４工程）を示す。

【図10】図１０は、図９Ｃに示す支持層、ベース絶縁層、ダミー絶縁層、導体パターンおよびダミーパターンの平面図である。図９Ｃは、図１０に示す支持層、ベース絶縁層、ダミー絶縁層、導体パターンおよびダミーパターンのＤ－Ｄ断面図である。

【図11】図１１は、変形例（３）を説明するための説明図であって、第３工程において、開口形成領域の周縁部において支持層の上にダミーパターンを形成し、開口形成領域の中央部にはダミーパターン２２を形成しない場合を示す。

【図12】図１２は、図１１とともに変形例（３）を説明するための説明図であって、第３工程において、開口形成領域の全域において支持層の上にダミーパターンを形成する場合を示す。

【発明を実施するための形態】

【0021】

１．配線回路基板
図１に示すように、配線回路基板１は、第１方向および第２方向に延びる。本実施形態では、配線回路基板１は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板１の形状は、限定されない。配線回路基板１は、開口１０を有する。

【0022】

本実施形態では、開口１０は、第１方向における配線回路基板１の中央、かつ、第２方向における配線回路基板１の中央に配置される。開口１０は、第１方向および第２方向に延びる。開口１０は、略矩形状を有する。なお、配線回路基板１における開口１０の位置、および、開口１０の形状は、限定されない。

【0023】

図２に示すように、配線回路基板１は、支持層１１と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層１２と、導体パターン１３と、カバー絶縁層１４とを有する。

【0024】

（１－１）支持層
支持層１１は、ベース絶縁層１２、導体パターン１３、および、カバー絶縁層１４を支持する。本実施形態では、支持層１１は、金属箔からなる。金属として、例えば、ステンレス合金、および、銅合金が挙げられる。

【0025】

（１－２）ベース絶縁層
ベース絶縁層１２は、配線回路基板１の厚み方向において、支持層１１の上に配置される。厚み方向は、第１方向および第２方向と直交する。ベース絶縁層１２は、厚み方向において、支持層１１と導体パターン１３との間に配置される。ベース絶縁層１２は、支持層１１と導体パターン１３とを絶縁する。ベース絶縁層１２は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミドが挙げられる。

【0026】

（１－３）導体パターン
導体パターン１３は、厚み方向において、ベース絶縁層１２の上に配置される。導体パターン１３は、厚み方向において、ベース絶縁層１２に対して、支持層１１の反対側に配置される。導体パターン１３は、開口１０の周りに配置される。導体パターン１３は、金属からなる。金属として、例えば、銅が挙げられる。導体パターン１３の形状は、限定されない。

【0027】

本実施形態では、図１に示すように、導体パターン１３は、複数の端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄと、複数の端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄと、複数の配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄとを有する。なお、端子の数、および、配線の数は、限定されない。

【0028】

（１－３－１）端子
本実施形態では、端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向における配線回路基板１の一端部に配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向において、開口１０に対して一方側に配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、互いに間隔を隔てて、第１方向に並ぶ。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。

【0029】

本実施形態では、端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、第２方向における配線回路基板１の他端部に配置される。端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは、第２方向において、開口１０に対して他方側に配置される。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄは、互いに間隔を隔てて、第１方向に並ぶ。端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれは、角ランド形状を有する。

【0030】

（１－３－２）配線
配線１３３Ａの一端は、端子１３１Ａと接続する。配線１３３Ａの他端は、端子１３２Ａと接続する。配線１３３Ａは、端子１３１Ａと端子１３２Ａとを電気的に接続する。

【0031】

配線１３３Ｂの一端は、端子１３１Ｂと接続する。配線１３３Ｂの他端は、端子１３２Ｂと接続する。配線１３３Ｂは、端子１３１Ｂと端子１３２Ｂとを電気的に接続する。

【0032】

配線１３３Ｃの一端は、端子１３１Ｃと接続する。配線１３３Ｃの他端は、端子１３２Ｃと接続する。配線１３３Ｃは、端子１３１Ｃと端子１３２Ｃとを電気的に接続する。

【0033】

配線１３３Ｄの一端は、端子１３１Ｄと接続する。配線１３３Ｄの他端は、端子１３２Ｄと接続する。配線１３３Ｄは、端子１３１Ｄと端子１３２Ｄとを電気的に接続する。

【0034】

なお、以下の説明において、複数の端子１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄのそれぞれを、端子１３１と記載し、複数の端子１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄのそれぞれを、端子１３２と記載し、複数の配線１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄのそれぞれを、配線１３３と記載する。

【0035】

（１－４）カバー絶縁層
図１に示すように、カバー絶縁層１４は、全ての配線１３３を覆う。カバー絶縁層１４は、厚み方向において、ベース絶縁層１２の上に配置される。なお、カバー絶縁層１４は、端子１３１および端子１３２を覆わない。カバー絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。

【0036】

２．配線回路基板の製造方法
次に、配線回路基板１の製造方法について説明する。

【0037】

本実施形態では、配線回路基板１は、セミアディティブ法により製造される。配線回路基板１は、アディティブ法により製造されてもよい。配線回路基板１の製造方法は、第１工程（図３Ａ参照）と、第２工程（図３Ｂ参照）と、第３工程（図５Ａから図６Ｃ参照）と、第４工程（図８Ｂ参照）と、第５工程（図８Ｂおよび図２参照）とを含む。

【0038】

（１）第１工程
図３Ａに示すように、第１工程では、支持層１１に、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２とを設定する。本実施形態では、支持層１１は、金属箔のロールから引き出された金属箔である。

【0039】

上記した配線回路基板１は、製品領域Ａ１に製造される。製品領域Ａ１は、パターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２とを含む。言い換えると、第１工程では、支持層にパターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２とを設定する。パターン形成領域Ａ１１は、開口形成領域Ａ１２外に配置される。パターン形成領域Ａ１１は、開口形成領域Ａ１２を囲む。上記したベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４は、パターン形成領域Ａ１１に形成される。上記した開口１０は、開口形成領域Ａ１２に形成される。

【0040】

フレーム領域Ａ２は、製品領域Ａ１外に設定される。フレーム領域Ａ２は、製品領域Ａ１と接続される。フレーム領域Ａ２には、配線回路基板１を支持するフレームが、形成される。

【0041】

（２）第２工程
次に、図３Ｂに示すように、第２工程では、少なくともパターン形成領域Ａ１１内において、支持層１１の上に絶縁層を形成する。本実施形態では、パターン形成領域Ａ１１内および開口形成領域Ａ１２内に絶縁層を形成する。

【0042】

詳しくは、図４に示すように、パターン形成領域Ａ１１内に、上記したベース絶縁層１２を形成し、開口形成領域Ａ１２内に、ダミー絶縁層２１を形成する。

【0043】

ダミー絶縁層２１は、ダミーパターン２２（図７参照）を支持する。ダミーパターン２２については、後で説明する。ダミー絶縁層２１は、支持部２１１と、少なくとも１つの接続部２１２とを有する。本実施形態では、ダミー絶縁層２１は、複数の接続部２１２を有する。

【0044】

支持部２１１は、ダミーパターン２２を支持する。支持部２１１は、ベース絶縁層１２から離れて配置される。本実施形態では、支持部２１１は、略矩形状を有する。なお、支持部２１１の形状は、限定されない。

【0045】

複数の接続部２１２のそれぞれは、支持部２１１とベース絶縁層１２との間に配置される。複数の接続部２１２のそれぞれは、支持部２１１およびベース絶縁層１２と接続される。これにより、ダミー絶縁層２１は、ベース絶縁層１２と接続される。

【0046】

ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１を形成するには、まず、支持層１１の上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１が、支持層１１の上に形成される。

【0047】

（３）第３工程
次に、図５Ａから図６Ｃに示すように、第３工程では、電解メッキにより、パターン形成領域Ａ１１内のベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を形成するとともに、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１の上にダミーパターン２２を形成する。

【0048】

詳しくは、電解メッキにより導体パターン１３およびダミーパターン２２を形成するには、まず、図５Ａに示すように、ベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１の表面にシード層２３を形成する。シード層２３は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層２３の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。

【0049】

次に、図５Ｂに示すように、シード層２３が形成されたベース絶縁層１２およびダミー絶縁層２１の上に、メッキレジストＲを貼り合わせて、導体パターン１３（図７参照）およびダミーパターン２２（図７参照）が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストＲを露光する。

【0050】

次に、図５Ｃに示すように、露光されたメッキレジストＲを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストＲが除去され、導体パターン１３およびダミーパターン２２が形成される部分にシード層２３が露出する。なお、露光された部分、すなわち、導体パターン１３およびダミーパターン２２が形成されない部分のメッキレジストＲは、残る。

【0051】

次に、図６Ａに示すように、露出したシード層２３の上に、電解メッキにより、導体パターン１３およびダミーパターン２２を形成する。

【0052】

このとき、導体パターン１３は、ダミーパターン２２とともに形成される。そのため、メッキ液中において、製品領域Ａ１の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができ、導体パターン１３の厚みの均一化を図ることができる。

【0053】

次に、図６Ｂに示すように、電解メッキが終了した後、メッキレジストＲを剥離する。

【0054】

次に、図６Ｃに示すように、メッキレジストＲによって覆われていたシード層２３を、エッチングにより除去する。

【0055】

これにより、図７に示すように、導体パターン１３が、ベース絶縁層１２の上に形成され、ダミーパターン２２が、ダミー絶縁層２１の上に形成される。

【0056】

次に、図８Ａに示すように、ベース絶縁層１２の形成と同様にして、ベース絶縁層１２および導体パターン１３の上にカバー絶縁層１４を形成する。なお、本実施形態では、ダミー絶縁層２１およびダミーパターン２２の上にカバー絶縁層１４を形成していないが、ダミー絶縁層２１およびダミーパターン２２の上にカバー絶縁層１４を形成してもよい。

【0057】

（４）第４工程
次に、図８Ｂに示すように、第４工程では、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングして、支持層１１に開口１０を形成する。また、第４工程において、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２との間の支持層１１をエッチングして、製品領域Ａ１の形状に沿って配線回路基板１の外形を形成するとともに、フレーム領域Ａ２の形状に沿ってフレームＦを形成する。

【0058】

支持層１１をエッチングするには、支持層１１のうちのエッチングしない部分をエッチングレジストでカバーして、支持層１１をエッチング液に浸漬する。

【0059】

すると、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部がエッチングされて、開口１０が形成される。

【0060】

このとき、ダミーパターン２２は、ダミー絶縁層２１に支持されているので、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部がエッチングされても、エッチング液中に脱落しない。そのため、エッチング液中に脱落したダミーパターン２２を回収する装置が無くても、開口形成領域Ａ１２内にダミーパターン２２を設けることができる。

【0061】

また、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２との間の支持層１１の一部がエッチングされて、配線回路基板１の外形が形成されるとともに、フレームＦが形成される。フレームＦは、配線回路基板１と接続される。これにより、開口１０を有する配線回路基板１と、開口１０内に配置されるダミーパターン２２と、配線回路基板１を支持するフレームＦとを有する集合体シートが得られる。

【0062】

（５）第５工程
次に、図２に示すように、第５工程では、配線回路基板１をフレームＦから切り取るとともに、開口１０内のダミー絶縁層２１を、配線回路基板１から切り取る。

【0063】

これにより、配線回路基板１が得られる。

【0064】

なお、配線回路基板１をフレームＦから切り取る方法、および、ダミー絶縁層２１を配線回路基板１から切り取る方法は、限定されない。例えば、配線回路基板１とフレームＦとの接続部分、および、ダミー絶縁層２１の接続部２１２（図７参照）をカッター、金型による打ち抜き、レーザー加工などで切断することにより、配線回路基板１をフレームＦから切り取り、ダミー絶縁層２１を配線回路基板１から切り取る。配線回路基板１の開口１０の内面には、ダミー絶縁層２１を切り取った痕跡が残っていてもよい。

【0065】

３．作用効果
（１）配線回路基板１の製造方法によれば、図６Ｃおよび図７に示すように、電解メッキにより、パターン形成領域Ａ１１内のベース絶縁層１２の上に導体パターン１３を形成するとともに、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１の上にダミーパターン２２を形成する。

【0066】

そのため、パターン形成領域Ａ１１内の導体パターン１３を、開口形成領域Ａ１２内のダミーパターン２２とともに形成できる。

【0067】

これにより、メッキ液中において、導体パターン１３の周囲の金属イオン濃度の均一化を図ることができる。

【0068】

その結果、開口１０の近くに形成される導体パターン１３の厚みの均一化を図ることができる。

【0069】

（２）配線回路基板１の製造方法によれば、図８Ｂに示すように、開口形成領域Ａ１２内のダミー絶縁層２１でダミーパターン２２を支持できる。

【0070】

そのため、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部がエッチングされても、ダミー絶縁層２１でダミーパターン２２を支持できる。

【0071】

（３）配線回路基板１の製造方法によれば、図８Ｂに示すように、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングして、開口１０を形成し、製品領域Ａ１とフレーム領域Ａ２との間の支持層１１をエッチングして、配線回路基板１の外形を形成するとともに、配線回路基板１と接続されるフレームＦを形成する。

【0072】

そして、図２に示すように、配線回路基板１をフレームＦから切り取るとともに、開口１０内のダミー絶縁層２１を、配線回路基板１から切り取る。

【0073】

これにより、簡単に、ダミーパターン２２を除去できる。

【0074】

４．変形例
次に、図９Ａから図１０を参照して、変形例について説明する。変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。

【0075】

（１）図９Ａに示すように、第２工程において、パターン形成領域Ａ１１内にベース絶縁層１２を形成し、開口形成領域Ａ１２内にダミー絶縁層２１を形成しなくてもよい。

【0076】

この場合、図９Ｂに示すように、第３工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の上にダミーパターン２２を形成する。

【0077】

そして、図９Ｃおよび図１０に示すように、第４工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の一部をエッチングする。詳しくは、パターン形成領域Ａ１１と開口形成領域Ａ１２との境界に沿って、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の一部をエッチングする。これにより、開口形成領域Ａ１２内に、ダミーパターン２２を支持するダミー支持層３１を形成する。

【0078】

ダミー支持層３１は、支持層１１からなり、上記したダミー絶縁層２１と同じ形状を有する。詳しくは、ダミー支持層３１は、支持部３１１と、少なくとも１つの接続部３１２とを有する。この変形例では、ダミー支持層３１は、複数の接続部３１２を有する。

【0079】

支持部３１１は、ダミーパターン２２を支持する。支持部３１１は、ベース絶縁層１２から離れて配置される。本実施形態では、支持部３１１は、略矩形状を有する。なお、支持部３１１の形状は、限定されない。

【0080】

複数の接続部３１２のそれぞれは、支持部３１１とベース絶縁層１２との間に配置される。複数の接続部３１２のそれぞれは、支持部３１１、および、ベース絶縁層１２の下の支持層１１と接続される。これにより、ダミー支持層３１は、ベース絶縁層１２の下の支持層１１と接続される。

【0081】

この変形例では、図９Ｃおよび図２に示すように、第５工程において、ダミー支持層３１を、配線回路基板１から切り取る。

【0082】

（２）上記した実施形態の第４工程（図８Ｂ参照）において、上記した変形例（１）と同様に開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の一部をエッチングして、ダミー絶縁層２１と同じ形状のダミー支持層３１（図９Ｃ参照）を形成してもよい。

【0083】

（３）上記した変形例（１）の第４工程において、ダミー支持層３１を形成せず、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングしてもよい。

【0084】

詳しくは、図９Ａに示すように、第２工程において、パターン形成領域Ａ１１内にベース絶縁層１２を形成し、開口形成領域Ａ１２内にダミー絶縁層２１を形成しない。

【0085】

次に、図１１または図１２に示すように、第３工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の上にダミーパターン２２を形成する。

【0086】

図１１では、開口形成領域Ａ１２の周縁部Ａ１２１にダミーパターン２２を形成し、開口形成領域Ａ１２の中央部Ａ１２２にはダミーパターン２２を形成しない。周縁部Ａ１２１とは、中央部Ａ１２２と導体パターン１３との間に位置する部分である。

【0087】

図１２では、開口形成領域Ａ１２の全域にダミーパターン２２を形成する。

【0088】

そして、第４工程において、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングする。この場合、ダミーパターン２２は、エッチング液中に脱落してもよい。ダミーパターン２２がエッチング液中に脱落する場合、エッチング液中に脱落したダミーパターン２２を回収するための装置を使用することが好ましい。

【0089】

この変形例によれば、開口形成領域Ａ１２内の支持層１１の全部をエッチングすることにより、簡単に、ダミーパターン２２を除去できる。

【0090】

（４）上記した実施形態において、図１１に示すように、開口形成領域Ａ１２の周縁部Ａ１２１にダミーパターン２２を形成し、開口形成領域Ａ１２の中央部Ａ１２２にはダミーパターン２２を形成しないこともできる。

【0091】

（５）ダミーパターン２２は、開口形成領域Ａ１２内だけでなく、フレーム領域Ａ２にも、形成されてもよい。

【符号の説明】

【0092】

１ 配線回路基板
１０ 開口
１１ 支持層
１２ ベース絶縁層
１３ 導体パターン
２１ ダミー絶縁層
２２ ダミーパターン
３１ ダミー支持層
Ａ１ 製品領域
Ａ２ フレーム領域
Ａ１１ パターン形成領域
Ａ１２ 開口形成領域
Ｆ フレーム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】