特開 2022-190907 磁気ディスク装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022190907

(43)【公開日】2022-12-27

(54)【発明の名称】磁気ディスク装置

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/31 20060101AFI20221220BHJP

   G11B 21/21 20060101ALI20221220BHJP

   G11B 5/39 20060101ALI20221220BHJP

   G11B 5/02 20060101ALI20221220BHJP

【ＦＩ】

G11B5/31 A

G11B21/21 E

G11B5/31 D

G11B5/39

G11B5/02 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021099427

(22)【出願日】2021-06-15

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】317011920

【氏名又は名称】東芝デバイス＆ストレージ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小泉 岳

【テーマコード（参考）】

5D034

5D091

【Ｆターム（参考）】

5D034BA02

5D034BB12

5D091AA10

5D091CC30

(57)【要約】

【課題】主磁極部の磁気ディスク面への接触を回避することができる磁気ディスク装置を提供すること。
【解決手段】磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ディスクにデータをライトするライト素子、及び磁気ディスクに対する浮上量を調整するヒータ素子を含む磁気ヘッドと、ヒータ素子に供給する電力を制御する制御部と、磁気ディスクにライトしたデータの記録品質を測定した測定結果に基づいて設定されるヒータ値を設定する設定部と、を備える。また、制御部は、設定部に設定されるヒータ値に基づいて、ヒータ素子に供給する電力を制御する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにデータをライトするライト素子、及び前記磁気ディスクに対する浮上量を調整するヒータ素子を含む磁気ヘッドと、
前記ヒータ素子に供給する電力を制御する制御部と、
前記磁気ディスクにライトしたデータの記録品質を測定した測定結果に基づいて設定されるヒータ値を設定する設定部と、
を備え、
前記制御部は、前記設定部に設定される前記ヒータ値に基づいて、前記ヒータ素子に供給する電力を制御する、
磁気ディスク装置。

【請求項2】

前記磁気ヘッドは、前記磁気ディスクにライトされたデータをリードするリード素子を含み、
前記ヒータ値は、前記リード素子がリードしたデータの信号振幅のオフトラックプロファイルの測定結果から得られる半値幅に基づいて前記設定部に設定される、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。

【請求項3】

前記ヒータ値は、前記半値幅が広いほど、前記ヒータ素子に供給する電力が小さくなるように前記設定部に設定される、
請求項２に記載の磁気ディスク装置。

【請求項4】

前記磁気ディスクと、前記磁気ヘッドとの組を複数含み、
複数の前記磁気ヘッドのうち、前記半値幅が最も広い前記磁気ヘッドに供給する電力の電力値を第１電力値とし、前記半値幅が最も狭い前記磁気ヘッドに供給する電力の電力値を第２電力値とした場合、
前記ヒータ値は、前記第１電力値が前記第２電力値より小さくなるように、前記設定部に設定される、
請求項２に記載の磁気ディスク装置。

【請求項5】

磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにデータをライトするライト素子、前記磁気ディスクに対する浮上量を調整するヒータ素子、及び前記ライト素子によりデータのライトをアシストするアシスト素子を含む磁気ヘッドと、
前記ヒータ素子に供給する電力を制御する制御部と、
前記アシスト素子の抵抗値に基づいて設定されるヒータ値を設定する設定部と、
を備え、
前記制御部は、前記設定部に設定される前記ヒータ値に基づいて、前記ヒータ素子に供給する電力を制御する、
磁気ディスク装置。

【請求項6】

前記ヒータ値は、前記アシスト素子の抵抗値が高いほど、前記ヒータ素子に供給する電力が小さくなるように前記設定部に設定される、
請求項５に記載の磁気ディスク装置。

【請求項7】

前記磁気ディスクと、前記磁気ヘッドとの組を複数含み、
複数の前記磁気ヘッドのうち、前記抵抗値が最も高い前記磁気ヘッドに供給する電力の電力値を第３電力値とし、前記抵抗値が最も低い前記磁気ヘッドに供給する電力の電力値を第４電力値とした場合、
前記ヒータ値は、前記第３電力値が前記第４電力値より小さくなるように、前記設定部に設定される、
請求項６に記載の磁気ディスク装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

【背景技術】

【0002】

磁気ヘッドを製造する後工程において、磁気ヘッドに含まれる素子を研磨およびイオンビームエッチングにより削り込み、素子高さを調整する技術が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２－１４７９２号公報

【特許文献2】米国特許出願公開第２００９／０２５７１４５号明細書

【特許文献3】米国特許第７５８３４６２号明細書

【特許文献4】米国特許第１０６７２４１９号明細書

【特許文献5】米国特許第８３３９７２５号明細書

【特許文献6】特開２００９－２５９３７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

既述のように素子高さを削り込むことにより、主磁極部の凹凸が磁極の幅に応じて変化する。具体的には、磁極の幅が広くなるほど突出し高さが大きくなる。このため、とりわけ磁極幅の大きい磁気ヘッドの場合、磁気ディスク表面の突起部との接触が生じる場合がある。このように、主磁極部と磁気ディスク表面との接触が生じると、主磁極部における摩耗、及びコンタミネーションが生じやすくなる。

【0005】

実施形態は、主磁極部の磁気ディスク面への接触を回避することができる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る、磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、前記磁気ディスクにデータをライトするライト素子、及び前記磁気ディスクに対する浮上量を調整するヒータ素子を含む磁気ヘッドと、前記ヒータ素子に供給する電力を制御する制御部と、前記磁気ディスクにライトしたデータの記録品質を測定した測定結果に基づいて設定されるヒータ値を記憶する記憶部と、を備え、前記制御部は、前記記憶部に記憶される前記ヒータ値に基づいて、前記ヒータ素子に供給する電力を制御する。

【0007】

一実施形態に係る、磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、前記磁気ディスクにデータをライトするライト素子、前記磁気ディスクに対する浮上量を調整するヒータ素子、及び前記ライト素子によりデータのライトをアシストするアシスト素子を含む磁気ヘッドと、前記ヒータ素子に供給する電力を制御する制御部と、前記アシスト素子の抵抗値に基づいて設定されるヒータ値を記憶する記憶部と、を備え、前記制御部は、前記記憶部に記憶される前記ヒータ値に基づいて、前記ヒータ素子に供給する電力を制御する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を概略的に示すブロック図。

【図2】同実施形態に係る浮上状態の磁気ヘッドおよび磁気ディスクの一例を示す側面図。

【図3】同実施形態に係る磁気ヘッドのヘッド部および磁気ディスクの一部を拡大して概略的に示す断面図。

【図4】同実施形態に係る浮上状態における磁気ヘッドの記録ヘッド先端部および磁気ディスクの一部を拡大して概略的に示す断面図。

【図5】同実施形態に係る浮上状態における磁気ヘッドの記録ヘッド先端部および磁気ディスクの一部を拡大して概略的に示す断面図。

【図6】同実施形態に係る磁極幅に対する突出し高さの一例を示す図。

【図7】同実施形態に係る記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む後工程前の状態の一例を示す図。

【図8】同実施形態に係る記録ヘッド主磁極製膜面を削込み量が小さい状態の一例を示す図。

【図9】同実施形態に係る記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む量が大きい状態の一例を示す図。

【図10】同実施形態に係る半径方向（オフトラック方向）に対する再生信号振幅の大きさの一例を示す図。

【図11】同実施形態に係る主磁極幅に対するヒータパワーの大きさの一例を示す図。

【図12】同実施形態に係るライト時間に対するＢＥＲ悪化量の関係の一例を示す図。

【図13】第２実施形態に係る記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む後工程前の状態の一例を示す図。

【図14】同実施形態に係る記録ヘッド主磁極製膜面を削込み量が小さい状態の一例を示す図。

【図15】同実施形態に係る記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む量が大きい状態の一例を示す図。

【図16】同実施形態に係るアシスト素子抵抗値に対する突出し高さの一例を示す図。

【図17】同実施形態に係るアシスト素子抵抗値に対するヒータパワーの大きさの一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

【0010】

（第１実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る磁気ディスク装置であるハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」という。）の構成の一例を概略的に示すブロック図である。図２は、浮上状態の磁気ヘッドおよび磁気ディスクの一例を示す側面図である。図３は、磁気ヘッドのヘッド部および磁気ディスクの一部を拡大して概略的に示す断面図である。

【0011】

図１に示すように、ＨＤＤ１０は、矩形状の筐体１１と、筐体１１内に配設された記録媒体としての磁気ディスク１２と、磁気ディスク１２を支持および回転するスピンドルモータ１４と、磁気ディスク１２に対してデータの書込み、読出しを行う複数の磁気ヘッド１６と、を備えている。また、ＨＤＤ１０は、磁気ヘッド１６を磁気ディスク１２上の任意のトラック上に移動するとともに位置決めするヘッドアクチュエータ１８を備えている。ヘッドアクチュエータ１８は、磁気ヘッド１６を移動可能に支持するサスペンションアッセンブリ２０と、このサスペンションアッセンブリ２０を回動させるボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２２とを含んでいる。

【0012】

ＨＤＤ１０は、ヘッドアンプＩＣ３０、メインコントローラ４０およびドライバＩＣ４８を備えている。ヘッドアンプＩＣ３０は、例えば、サスペンションアッセンブリ２０に設けられ、磁気ヘッド１６に電気的に接続されている。メインコントローラ４０およびドライバＩＣ４８は、例えば、筐体１１の背面側に設けられた図示しない制御回路基板に構成されている。メインコントローラ４０は、Ｒ／Ｗチャネル（ＲＤＣ）４２と、メモリ４３と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４４と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）４６と、を備えている。メインコントローラ４０は、ヘッドアンプＩＣ３０に電気的に接続されると共に、ドライバＩＣ４８を介してＶＣＭ２２及びスピンドルモータ１４に電気的に接続されている。Ｒ／Ｗチャネル（ＲＤＣ）４２は、磁気ヘッド１６に記録信号を出力し、又は、磁気ヘッド１６からリードする再生信号を復号する。メモリ４３は、ヒータ設定部４３１を含む。ヒータ設定部４３１は、後述するヒータ１９ａ，１９ｂに供給する電圧値であるヒータ値が設定される。どのようにヒータ値が設定されるかについての詳細は、後述する。ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４４は、ホストコンピュータとのインタフェースを構成する。ＨＤＤ１０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４４を介して、図示しないホストコンピュータに接続可能である。

【0013】

また、ヘッドアンプＩＣ３０は、記録電流供給回路８１と、アシスト素子電流供給回路８２と、ヒータ電圧供給回路８３と、リード電圧供給回路８４と、を備えている。記録電流回路８１は、記録ヘッド（ライト素子を含む）５４に電流を供給する。アシスト素子電流供給回路８２は、アシスト素子６５に電流を供給する。ヒータ電圧供給回路８３は、ヒータ１９ａ，ヒータ１９ｂ（ヒータ素子）に電圧を印加する。リード電圧供給回路８４は、再生ヘッド（リード素子を含む）５４に電圧を印加する。記録電流供給回路８１と、アシスト素子電流供給回路８２と、ヒータ電圧供給回路８３と、リード電圧供給回路８４とは、それぞれＲＤＣ４２と電気的に接続される。また、記録電流供給回路８１、アシスト素子電流供給回路８２、ヒータ電圧供給回路８３、リード電圧供給回路８４は、それぞれ磁気ヘッド１６の記録ヘッド５８、アシスト素子６５、ヒータ１９ａ，ヒータ１９ｂ、再生ヘッド５４と電気的に接続される。

【0014】

図１および図２に示すように、磁気ディスク１２は、ディスク面に対して垂直方向に異方性をもつ記録層を有する垂直磁気記録媒体である。具体的には、磁気ディスク１２は、例えば、直径約２．５インチ（６．３５ｃｍ）の円板状に形成され非磁性体からなる基板１０１を有している。基板１０１の各表面には、下地層としての軟磁性層１０２と、その上層部に、磁気記録層１０３と保護膜１０４とが順次積層されている。磁気ディスク１２は、スピンドルモータ１４のハブに互いに同軸的に嵌合されている。磁気ディスク１２は、スピンドルモータ１４により所定の速度で矢印Ｂ方向に回転される。

【0015】

サスペンションアッセンブリ２０は、筐体１１に回動自在に固定された軸受部２４と、軸受部２４から延出した複数のサスペンション２６と、を有している。図２に示すように、磁気ヘッド１６は、各サスペンション２６の延出端に支持されている。磁気ヘッド１６は、サスペンションアッセンブリ２０に設けられた配線部材２８を介して、ヘッドアンプＩＣ３０に電気的に接続されている。

【0016】

次に、磁気ヘッド１６の構成について詳細に説明する。
図２および図３に示すように、磁気ヘッド１６は浮上型のヘッドとして構成され、ほぼ直方体状に形成されたスライダ１５と、スライダ１５の流出端（トレーリング）側の端部に形成されたヘッド部１７とを有している。スライダ１５は、例えば、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（アルチック）で形成され、ヘッド部１７は複数層の薄膜により成されている。

【0017】

スライダ１５は、磁気ディスク１２の表面に対向する矩形状のＡＢＳ（空気支持面）１３を有している。スライダ１５は、磁気ディスク１２の回転によってディスク表面とＡＢＳ１３との間に生じる空気流Ｃにより、磁気ディスク１２の表面から所定量浮上した状態に維持される。空気流Ｃの方向は、磁気ディスク１２の回転方向Ｂと一致している。スライダ１５は、空気流Ｃの流入側に位置するリーディング端１５ａおよび空気流Ｃの流出側に位置するトレーリング端１５ｂを有している。

【0018】

図３に示すように、ヘッド部１７は、スライダ１５のトレーリング端１５ｂに薄膜プロセスで再生ヘッド５４および記録ヘッド５８を形成した、分離型の磁気ヘッドである。ヘッド部１７の記録再生浮上量を制御するため、記録ヘッド５８の奥行き側に記録ヒータ１９ａが配置され、再生ヘッド５４の奥行き側に再生ヒータ１９ｂが配置されている。

【0019】

再生ヘッド５４は、磁気抵抗効果を示す磁性膜による再生素子（リード素子）５５と、この再生素子５５のトレーリング側およびリーディング側に磁性膜５５を挟むようにシールド膜を配置した上部シールド５６および下部シールド５７と、で構成されている。これら再生素子５５、上部シールド５６、下部シールド５７の下端は、スライダ１５のＡＢＳ１３に露出している。再生ヘッド５４は、図示しない電極、配線、および配線部材２８を介して、ヘッドアンプＩＣ３０に接続され、読み取ったデータをヘッドアンプＩＣ３０に出力する。

【0020】

記録ヘッド５８は、再生ヘッド５４に対して、スライダ１５のトレーリング端１５ｂ側に設けられている。記録ヘッド５８は、磁気ディスク１２の表面に対して垂直方向の記録磁界を発生させる高透磁率材料からなる主磁極（ライト素子）６０、トレーリングシールド（ライトシールド、第１シールド）となるリターン磁極６２、および、リーディングシールド（第２シールド）となるリーディングコア６４を有している。主磁極６０とリターン磁極６２とは磁路を形成する第１磁気コアを構成し、主磁極６０とリーディングコア６４とは磁路を形成する第２磁気コアを構成している。記録ヘッド５８は、第１磁気コアに巻き付けられた第１コイル（記録コイル）７０と、第２磁気コアに巻き付けられた第２コイル（記録コイル）７２とを有している。

【0021】

図３に示すように、主磁極６０は、磁気ディスク１２の表面に対してほぼ垂直に延びている。主磁極６０の磁気ディスク１２側の先端部６０ａは、ディスク面に向かって先細に絞り込まれ、例えば、断面が台形状に形成されている。主磁極６０の先端面は、スライダ１５のＡＢＳ１３に露出している。先端部６０ａのトレーリング側端面６０ｂの幅は、磁気ディスク１２におけるトラックの幅にほぼ対応している。

【0022】

軟磁性体で形成されたリターン磁極６２は、主磁極６０のトレーリング側に配置され、主磁極６０の直下の磁気ディスク１２の軟磁性層１０２を介して効率的に磁路を閉じるために設けられている。リターン磁極６２は、ほぼＬ字形状に形成され、主磁極６０に接続される第１接続部５０を有している。第１接続部５０は非導電体５２を介して主磁極６０の上部、すなわち、主磁極６０のＡＢＳ１３から離れた部分、に接続されている。

【0023】

リターン磁極６２の先端部６２ａは、細長い矩形状に形成され、その先端面は、スライダ１５のＡＢＳ１３に露出している。先端部６２ａのリーディング側端面６２ｂは、磁気ディスク１２のトラックの幅方向に沿って延び、また、ＡＢＳ１３に対してほぼ垂直に延びている。このリーディング側端面６２ｂは、主磁極６０のトレーリング側端面６０ｂとライトギャップＷＧを置いてほぼ平行に対向している。

【0024】

第１コイル７０は、主磁極６０およびリターン磁極６２を含む磁気回路（第１磁気コア）に巻き付くように配置されている。第１コイル７０は、例えば、第１接続部５０の回りに巻付けられている。磁気ディスク１２に信号を書き込む際、第１コイル７０に記録電流を流すことにより、第１コイル７０は、主磁極６０を励起して主磁極６０に磁束を流す。

【0025】

アシスト素子６５は、ライトギャップＷＧ内において、主磁極６０の先端部６０ａとリターン磁極６２との間に設けられ、その一部は、ＡＢＳ１３に露出している。アシスト素子６５は、例えば高周波アシスト素子や熱アシスト素子から構成される。なお、アシスト素子６５の下端面は、ＡＢＳ１３と面一に位置している場合に限らず、ＡＢＳ１３から高さ方向上方に離間していてもよい。

【0026】

図３に示すように、主磁極６０とリターン磁極６２とに接続端子９１、９２がそれぞれ接続され、これらの接続端子９１、９２は、配線を介してヘッドアンプＩＣ３０に接続される。これにより、ヘッドアンプＩＣ３０から主磁極６０、アシスト素子６５、リターン磁極６２を通して電流を直列に通電できるように電流回路が構成されている。また、記録ヒータ１９ａと再生ヒータ１９ｂとに接続端子９７，９８がそれぞれ接続され、これらの接続端子９７，９８は、配線を介してヘッドアンプＩＣ３０に接続される。

【0027】

図３に示すように、軟磁性体で形成されたリーディングコア６４は、主磁極６０のリーディング側に主磁極６０と対向して設けられている。リーディングコア６４は、ほぼＬ字形状に形成され、磁気ディスク１２側の先端部６４ａは細長い矩形状に形成されている。この先端部６４ａの先端面（下端面）は、スライダ１５のＡＢＳ１３に露出している。先端部６４ａのトレーリング側端面６４ｂは、磁気ディスク１２のトラックの幅方向に沿って延びている。このトレーリング側端面６４ｂは、主磁極６０のリーディング側端面とギャップを置いて対向している。このギャップは、非磁性体としての保護絶縁膜７６によって覆われている。

【0028】

リーディングコア６４は、磁気ディスク１２から離間した位置で主磁極６０との間のバックギャップに接合された第２接続部６８を有している。この第２接続部６８は、例えば、軟磁性体で形成され、主磁極６０およびリーディングコア６４とともに磁気回路を形成している。記録ヘッド５８の第２コイル７２は、主磁極６０およびリーディングコア６４を含む磁気回路（第２磁気コア）に巻きつくように配置され、この磁気回路に磁界を印加する。第２コイル７２は、例えば、第２接続部６８の回りに巻付けられている。なお、第２接続部６８の一部に非導電体、もしくは、非磁性体を挿入してもよい。

【0029】

第２コイル７２は、第１コイル７０と反対向きに巻かれている。第１コイル７０および第２コイル７２は、端子９５、９６にそれぞれ接続され、これらの端子９５、９６は配線を介してヘッドアンプＩＣ３０に接続される。第２コイル７２は、第１コイル７０と直列に接続されてもよい。また、第１コイル７０および第２コイル７２は、別々に電流の供給を制御するようにしてもよい。第１コイル７０および第２コイル７２に供給する電流は、ヘッドアンプＩＣ３０およびメインコントローラ４０によって制御される。

【0030】

次に、磁気ヘッド１６の浮上状態の一例について説明する。
図４及び図５は、浮上状態における磁気ヘッド１６の記録ヘッド先端部および磁気ディスク１２の一部を拡大して概略的に示す断面図である。図６は、主磁極幅に対する突出し高さの一例を示す図である。図７，図８，図９は、磁気ヘッド１６の記録ヘッド主磁極製膜面におけるヘッド後工程前後の形状を概略的に示す断面図である。より詳細には、図７は、記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む後工程前の状態の一例を示す図であり、図８は、記録ヘッド主磁極製膜面を削込み量が小さい状態の一例を示す図であり、図９は、記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む量が大きい状態の一例を示す図である。

【0031】

図４に示すように、磁気ディスク１２上を浮上しているときの磁気ヘッド１６の記録ヘッド近傍を拡大すると、主磁極部（主磁極６０の先端部分）は他の領域に対して、僅かに突き出ている。この突き出し高さＷ１は、図７，図８，図９に示すように、ヘッド後工程で素子高さを削り込む際、クランプ（ＣＭＰ）等の研磨工程後にイオンビームエッチング（ＩＢＥ）で素子高さが浮上面２００となるよう調整される。主磁極部は、とりわけ高い透磁率が要求されるためイオンミリングレートが低いＦｅ，Ｃｏといった磁性金属材料の含有率が高い。このため、図８，図９に示すように、相対的に浮上面２００に対し突き出る形となる。加えて、エッチングの際は、図７，図８，図９に示すように、クロストラック幅方向のサイドからのミリング影響もあるため、磁極の幅が狭い図８に示すヘッドの突出し高さＷ３に対し、図９に示す磁極の幅が広いヘッドの突出し高さＷ４（＞Ｗ３）の方が突出し高さは大きくなる。その結果、図６に示すように、磁極幅、つまり、磁極の物理幅が広いほど、突出し高さＷが大きくなるような関係になる。

【0032】

一方で、図４，図５のように、摩耗やコンタミネーション、媒体突起といったヘッドディスクインタフェース（ＨＤＩ）要因（以下、「ＨＤＩ障害」ともいう。）による記録ヘッド１６の記録能力低下を防止するためには、主磁極６０の先端からディスク面までの保証Spacingを維持する必要がある。このため、図４に示すように、主磁極６０の幅が狭く、突き出し高さＷ１が小さいヘッドに対し、図５に示すように、主磁極６０の幅が広く、突き出し高さＷ２（＞Ｗ１）が大きいヘッドでは、スライダ１５全体の浮上量バックオフ（ＢＯ）を、突き出し高さ×Ｃｏｓ（θ）の差分だけ引き上げる必要が生じる。ここで、θはスライダ１５浮上時のピッチ角であり、一般的には、１００～１５０uradである。

【0033】

本実施形態では、主磁極６０の幅は、次のように測定する。
図１０は、オフトラック方向位置（半径方向位置）に対する再生信号振幅の大きさの一例を示す図である。図１０に示すように、１トラックライトされたデータの再生信号振幅をＲＤＣ４２にてオフトラック位置を変えながら測定する。これにより、ＭＰＵ４６は、同振幅のオフトラックプロファイルの半値幅を取得することができる。この半値幅の結果、つまり、主磁極６０の幅に基づき、ＭＰＵ４６は、スライダ１５全体の浮上量を設定する。具体的には、ＭＰＵ４６は、次のように設定する。

【0034】

図１１は、主磁極６０の幅（以下、「主磁極幅」ともいう。）に対するヒータパワーの大きさの一例を示す図である。
図１１から、主磁極幅とヒータパワーとの間には、比例関係があることがわかる。したがって、ＭＰＵ４６は、図１０のように測定した半値幅に応じて、スライダ１５全体の浮上量をヒータ１９ａのパワーを変更することで調整する。具体的には、ＭＰＵ４６は、メモリ４３のヒータ設定部４３１に、測定した半値幅に応じたヒータ値（本実施形態では、電圧値）を設定する。このヒータ値は、半値幅が広いほど、ヒータ１９ａに供給する電力が小さくなるように設定される。このヒータ値の設定は、例えば、ＨＤＤ１０の出荷時に実行される。

【0035】

なお、主磁極幅が広いほどビットエラーレイト（ＢＥＲ）やオーバーライト（ＯＷ）特性が良くなり、ヒータパワーとの間に比例関係を有する（図示省略）。このため、ＭＰＵ４６は、測定したＢＥＲ、又はＯＷに基づいて、ヒータ値をヒータ設定部４３１に設定するようにしてもよい。また、磁気ヘッド１６内に複数のヒータを有する場合には、ＭＰＵ４６は、トラック走行方向位置で主磁極に最も近いヒータ１９ａ以外のヒータ１９ｂのヒータ値も併せて変更してもよいし、さらに、全てのヒータに供給する電力、つまり、総電力値を調整してヒータ設定部４３１に設定することにより、スライダ１５全体の浮上量を調整してもよい。

【0036】

図１２は、ライト時間に対するＢＥＲ悪化量の関係の一例を示す図である。より詳細には、図１２は、本実施形態のＨＤＤ１０と、本実施形態と異なる他の磁気ディスク装置とにおいて、磁極幅が広く、突出し高さが大きい磁気ヘッド１６で長時間ライト動作を継続した場合の記録データのビットエラーレイト（ＢＥＲ）変動の一例を示している。ここで、他の磁気ディスク装置とは、既述のようにヒータ設定部３４１のヒータ値の調整をしていない磁気ディスク装置である。

【0037】

図１２に示すように、他の磁気ディスク装置においては、主磁極幅（突出し高さ）に応じてスライダ１５の浮上量が調整されない。このため、主磁極６０の先端からディスク面までのSpacingが、保障可能なSpacingより相対的に小さくなり、信頼性が低下する。このように信頼性が低下すると、長時間経過するとビットエラーレイトの劣化が生じる。一方、本実施形態のＨＤＤ１０においては、主磁極幅（突出し高さ）に応じてスライダ１５の浮上量が調整される。このため、例えば、既述の図５に示す主磁極幅の広い磁気ヘッド１６によるSpacing低下起因の摩耗等を抑制できる。図１２においては、本実施形態のＨＤＤ１０では、ライト時間が長時間になっても、ビットエラーレイト劣化を抑制できていることが確認できる。したがって、ＨＤＤ１０は、主磁極部の磁気ディスク１２のディスク面への接触を回避することができ、主磁極部における摩耗、及びコンタミネーションの発生等のＨＤＩ障害の発生を防止することができる。

【0038】

なお、上記第１実施形態では、磁気ヘッド１６にアシスト素子が含まれる場合で説明したが、これに限るものではない。例えば、磁気ヘッドにアシスト素子が含まれない磁気ディスク装置にも既述の技術を適用することができる。

【0039】

また、上記第１実施形態では、磁気ディスク１２と、磁気ヘッド１６とが１組の場合を例に挙げて説明したが、ＨＤＤ１０は、磁気ディスク１２と、磁気ヘッド１６との組が複数含む場合もある。このように構成されるＨＤＤ１０の場合、複数の磁気ヘッド１６のうち、半値幅が最も広い磁気ヘッド１６に供給する電力の電力値を第１電力値とし、半値幅が最も狭い磁気ヘッド１６に供給する電力の電力値を第２電力値とした場合、ヒータ設定部４３１に設定される各磁気ヘッド１６のヒータ値においては、少なくても第１電力値が第２電力値より小さくなるように、ヒータ値設定部４３１に設定されるようにしてもよい。さらに、全ての磁気ヘッド１６のヒータ１９ａ，１９ｂに供給される電力値が第２電力値より小さくなるようにしてもよい。これにより、ＨＤＤ１０が、磁気ディスク１２と、磁気ヘッド１６との組を複数有する場合にも、主磁極部における摩耗、及びコンタミネーションの発生等のＨＤＩ障害の発生を防止することができる。

【0040】

（第２実施形態）
既述の第１実施形態では、主磁極６０の幅に基づいてヒータ値を設定する場合を説明したが、本第２実施形態では、アシスト素子６５の抵抗値に基づいてヒータ値を設定する点が異なっている。以下では、アシスト素子６５の抵抗値に基づいてヒータ値をヒータ設定部４３１に設定する構成について詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一の構成には、同一の符号を付し、これらについては詳細な説明は省略する。

【0041】

図１３，図１４，図１５は、磁気ヘッド１６の記録ヘッド主磁極製膜面におけるヘッド後工程前後の形状を概略的に示す断面図である。より詳細には、図１３は、記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む後工程前の状態の一例を示す図であり、図１４は、記録ヘッド主磁極製膜面を削込み量が小さい状態の一例を示す図であり、図１５は、記録ヘッド主磁極製膜面を削り込む量が大きい状態の一例を示す図である。図１６は、アシスト素子抵抗値に対する突出し高さの一例を示す図である。

【0042】

既述の図５に示すように、ヘッド後工程で素子高さを削り込む際、クランプ（ＣＭＰ）等の研磨工程後にイオンビームエッチング（ＩＢＥ）で素子高さが浮上面２００となるよう調整されるのは第２実施形態でも同様である。また、図１３に示すように、主磁極が奥行側（図示上側）で広がる形状を有する。このため、その削り込み量次第によっても、残る主磁極の幅が変わり、磁極の突出し高さＷが左右される。

【0043】

図１４に示すように、削り込み量が少ない場合、主磁極の幅は狭く、突出し高さＷ５は小さくなる。一方、図１５に示すように、削り込み量が大きい場合、主磁極６０の幅は広くなり、突き出高さＷ６（＞Ｗ５）も大きくなる。このように削り込み量に応じて、アシスト素子６５の高さ方向（図示の上下方向）の長さも変わる。これにより、アシスト素子６５の抵抗値自体も変化する。図１４に示すように、アシスト素子６５の素子長さが長い場合は抵抗値が低くなり、図１５に示すように、アシスト素子６５の素子長さが短い場合は抵抗値が高くなる。その結果、図１６に示すように、アシスト素子抵抗値が高いほど、突出し高さが大きくなるような関係になる。

【0044】

図１７は、アシスト素子抵抗値に対するヒータパワーの大きさの一例を示す図である。図１７から、アシスト素子抵抗値とヒータパワーとの間には、比例関係があることがわかる。したがって、ＭＰＵ４６は、測定したアシスト素子抵抗値に応じて、スライダ１５全体の浮上量をヒータ１９ａのパワーを変更することで調整する。具体的には、ＭＰＵ４６は、メモリ４３のヒータ設定部４３１に、測定したアシスト素子抵抗値に応じたヒータ値（本実施形態では、電圧値）を設定する。このヒータ値は、アシスト素子６５の抵抗値が高いほど、ヒータ１９ａに供給する電力が小さくなるように設定される。

【0045】

このように、ＭＰＵ４６は、アシスト素子６５のアシスト抵抗値に応じて、ヒータ１９ａのパワーを変更し、スライダ１５全体の浮上量を調整することでも、既述の図５に示す磁極幅の広い磁気ヘッド１６によるSpacing低下起因の摩耗等を抑制できる。したがって、ＨＤＤ１０は、第１実施形態と同様に、主磁極部の磁気ディスク面への接触を回避することができ、主磁極部における摩耗、及びコンタミネーションの発生等のＨＤＩ障害の発生を防止することができる。

【0046】

また、上記第２実施形態では、磁気ディスク１２と、磁気ヘッド１６とが１組の場合を例に挙げて説明したが、ＨＤＤ１０は、磁気ディスク１２と、磁気ヘッド１６との組が複数含む場合もある。このように構成されるＨＤＤ１０の場合、複数の磁気ヘッド１６のうち、抵抗値が最も高い磁気ヘッド１６に供給する電力の電力値を第３電力値とし、抵抗値が最も低い磁気ヘッド１６に供給する電力の電力値を第４電力値とした場合、ヒータ設定部４３１に設定される各磁気ヘッド１６のヒータ値においては、少なくとも第３電力値が第４電力値より小さくなるように、ヒータ値設定部４３１に設定されるようにしてもよい。さらに、全ての磁気ヘッド１６のヒータ１９ａ，１９ｂに供給される電力値が第４電力値より小さくなるようにするようにしてもよい。これにより、ＨＤＤ１０が、磁気ディスク１２と、磁気ヘッド１６との組を複数有する場合にも、主磁極部における摩耗、及びコンタミネーションの発生等のＨＤＩ障害の発生を防止することができる。

【0047】

さらに、上記実施形態では、ＨＤＤ１０の出荷時に、ヒータ設定部４３１にヒータ値を設定する場合で説明したが、ヒータ値を設定するタイミングは、これに限るものではない。例えば、出荷後において、ユーザがＨＤＤ１０を使用する環境に応じて、再度、ヒータ値を設定することが可能なように構成してもよい。この場合、図１１に示す主磁極幅とヒータパワーとの関係を示すグラフを、例えば、メモリ４３に記憶しておき、ＭＰＵ４６は、図１０に示したような、オフトラック方向位置と再生信号振幅との関係を測定して半値幅を算出し、算出した半値幅に応じたヒータ値をヒータ設定部４３１に設定するようにしてもよい。これにより、ＨＤＤ１０は、出荷後の環境に応じて最適なヒータ値をヒータ設定部４３１に設定することが可能になる。

【0048】

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0049】

１０…磁気ディスク装置、１１…筐体、１２…磁気ディスク、１３…ＡＢＳ、１４…スピンドルモータ、１５…スライダ、１６…磁気ヘッド、１７…ヘッド部、１８…ヘッドアクチュエータ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…メインコントローラ、４３…メモリ、５４…再生ヘッド、５８…記録ヘッド、６０…主磁極、６２…リターン磁極、６４…リーディングコア、６５…アシスト素子、８１…記録電流供給回路、８２…アシスト素子電流供給回路、８３…ヒータ電圧供給回路、８４…リード電圧供給回路、４３１…ヒータ設定部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】