特開2022-191379IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

本開示の金属表面上にブロッキング層を堆積させるための方法に関する。より詳細には、本開示の金属表面上にブロッキング層を堆積させて、誘電体表面上のみへの窒化ケイ素の堆積を促進するための方法を対象とする。

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】選択的堆積を向上させる方法が記載されている。
【解決手段】いくつかの実施形態では、ブロッキング層を金属表面上に堆積させてから、誘電体を堆積させる。いくつかの実施形態では、金属表面を官能化して、その反応性を向上または減少させる。
【選択図】図２

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

堆積選択性を改善するための方法が、当該技術分野で継続的に必要とされている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の１つまたは複数のブロッキング層を選択的に堆積させる方法に関する。方法は、金属表面および誘電体表面を有する基板をシランに曝露して、金属表面上に選択的にブロッキング層を形成することを含み、シランは、一般式ＳｉＨ3Ｒ（式中、Ｒは、Ｃ４－Ｃ２０アルキル、パーフルオロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基から選択される）を有する少なくとも１種の化合物を含む。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本開示の１つまたは複数の実施形態による、アジドおよびアルキンブロッキング剤の可能な数または反応基に関する一連の一般的な構造を示す図である。
【図2】 本開示の１つまたは複数の実施形態による、金属表面の存在下でのモノマーおよび金属表面上に選択的にポリマーネットワークを生成するための環化反応の反応図である。
【図3】 本開示の１つまたは複数の実施形態による、金属表面上へのポリマーブロッキング層および誘電体表面上への誘電体膜の選択的堆積を可能にするための一般的なプロセスフローを示す図である。
【図4】 本開示の１つまたは複数の実施形態による、酸素系遠隔プラズマおよび水素系遠隔プラズマの使用によってポリマーブロッキング層を除去するためのプロセスの例を示す図である。
【図5】 本開示の１つまたは複数の実施形態による、選択的堆積プロセスのプロセスフローを示す図である。

選択図 図2出願人が指定した本件の代表的な図

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