特開 2022-191643 面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022191643

(43)【公開日】2022-12-28

(54)【発明の名称】面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20221221BHJP

   G01N 21/84 20060101ALI20221221BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 X

G01N21/84 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021099981

(22)【出願日】2021-06-16

(71)【出願人】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100136722

【弁理士】

【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100174399

【弁理士】

【氏名又は名称】寺澤 正太郎

(74)【代理人】

【識別番号】100140453

【弁理士】

【氏名又は名称】戸津 洋介

(72)【発明者】

【氏名】久保田 良輔

【テーマコード（参考）】

2G051

4M106

【Ｆターム（参考）】

2G051AA51

2G051AB02

2G051BA01

2G051BA10

2G051BB01

4M106AA01

4M106BA14

4M106CA17

4M106DH12

4M106DJ17

4M106DJ27

(57)【要約】

【課題】検査時間を短縮できる面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置を提供する。
【解決手段】一実施形態に係る面発光レーザの製造方法では、複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する。複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる。複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する。複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する。第１レーザ光の測定結果に基づいて、ｎ個の面発光レーザの良否を判定する。第２レーザ光の測定結果に基づいて、ｍ個の面発光レーザの良否を判定する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する工程であり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、工程と、
前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する工程と、
前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する工程と、
前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、
前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、
を含む、面発光レーザの製造方法。

【請求項2】

前記ｍ個の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第３レーザ光を測定する工程と、
前記第３レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、
を更に含む、請求項１に記載の面発光レーザの製造方法。

【請求項3】

前記複数のエリアのうち、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程において良好であると判定された面発光レーザの個数が閾値以上となるエリアを合格エリアと決定する工程を更に含み、
前記合格エリアにおいて、前記第２レーザ光を測定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程とが行われる、請求項１又は請求項２に記載の面発光レーザの製造方法。

【請求項4】

前記複数のエリアのうち、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程において良好であると判定された面発光レーザの個数が閾値以上となるエリアを合格エリアと決定する工程を更に含み、
前記合格エリアにおいて、前記第２レーザ光を測定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、前記第３レーザ光を測定する工程と、前記第３レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程とが行われる、請求項２に記載の面発光レーザの製造方法。

【請求項5】

複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する工程であり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、工程と、
前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する工程と、
前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する工程と、
前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、
前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、
を含む、面発光レーザの検査方法。

【請求項6】

複数のエリアを含む主面を有する基板を載置するためのステージであり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、ステージと、
前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加するための第１プローブと、
前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加するための第２プローブと、
前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定するための第１測定器と、
前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定するための第２測定器と、
前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定し、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定するように構成された判定装置と、
を備える、面発光レーザの検査装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、半導体デバイスウェハの検査方法を開示する。この方法では、半導体デバイスのチップが集積されたウェハに量子ビームを照射し、照射位置を変化させつつ、ウェハに発生する熱起電力を検出する。その後、測定した熱起電力電流または熱起電力電圧がしきい値を超えているか否かを判定し、しきい値を超える熱起電力電流または熱起電力電圧が発生した時の、量子ビームのウェハ上への照射位置を不良アドレス情報として記憶する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－２３５８３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ウェハに含まれる面発光レーザの良否判定は、面発光レーザに直流電圧を印加することによって出射されるレーザ光の測定結果に基づいて行われる。しかしながら、直流電圧の印加による良否判定だけでは、面発光レーザの良否を適切に判定できない場合がある。そこで、各面発光レーザに交流電圧を印加することによって出射されるレーザ光を測定し、当該測定結果に基づいて各面発光レーザの良否を判定することが考えられる。ただし、交流電圧の印加によって出射されるレーザ光の測定には比較的長時間がかかる。そのため、面発光レーザの検査に長い時間がかかる。

【0005】

本開示は、検査時間を短縮できる面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一側面に係る面発光レーザの製造方法は、複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する工程であり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、工程と、前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する工程と、前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する工程と、前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、を含む。

【0007】

本開示の他の一側面に係る面発光レーザの検査方法は、複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する工程であり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、工程と、前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する工程と、前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する工程と、前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、を含む。

【0008】

本開示の他の一側面に係る面発光レーザの検査装置は、複数のエリアを含む主面を有する基板を載置するためのステージであり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、ステージと、前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加するための第１プローブと、前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加するための第２プローブと、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定するための第１測定器と、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定するための第２測定器と、前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定し、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定するように構成された判定装置と、を備える。

【発明の効果】

【0009】

本開示によれば、検査時間を短縮できる面発光レーザの製造方法、面発光レーザの検査方法及び面発光レーザの検査装置が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、一実施形態に係る面発光レーザの検査装置を模式的に示す図である。

【図2】図２は、検査される面発光レーザを含む基板の例を模式的に示す平面図である。

【図3】図３は、図２の基板の主面における１つのエリアを示す平面図である。

【図4】図４は、一実施形態に係る面発光レーザの製造方法を示すフローチャートである。

【図5】図５は、他の実施形態に係る面発光レーザの製造方法を示すフローチャートである。

【図6】図６は、他の実施形態に係る面発光レーザの製造方法において検査される面発光レーザを含む基板の例を模式的に示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［本開示の実施形態の説明］
一実施形態に係る面発光レーザの製造方法は、複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する工程であり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、工程と、前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する工程と、前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する工程と、前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、を含む。

【0012】

上記面発光レーザの製造方法によれば、第２レーザ光を測定する面発光レーザの個数（ｍ個）が少ないので、比較的長時間を要する第２レーザ光の測定時間を短縮できる。よって、面発光レーザの検査時間を短縮できる。

【0013】

上記製造方法は、前記ｍ個の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第３レーザ光を測定する工程と、前記第３レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、を更に含んでもよい。この場合、第３レーザ光を測定する面発光レーザの個数（ｍ個）が少ないので、比較的長時間を要する第３レーザ光の測定時間を短縮できる。

【0014】

上記製造方法は、前記複数のエリアのうち、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程において良好であると判定された面発光レーザの個数が閾値以上となるエリアを合格エリアと決定する工程を更に含み、前記合格エリアにおいて、前記第２レーザ光を測定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程とが行われてもよい。この場合、第２レーザ光を測定する面発光レーザの個数（ｍ個）が更に少なくなるので、第２レーザ光の測定時間を更に短縮できる。

【0015】

上記製造方法は、前記複数のエリアのうち、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程において良好であると判定された面発光レーザの個数が閾値以上となるエリアを合格エリアと決定する工程を更に含み、前記合格エリアにおいて、前記第２レーザ光を測定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、前記第３レーザ光を測定する工程と、前記第３レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程とが行われてもよい。この場合、第２レーザ光及び第３レーザ光を測定する面発光レーザの個数（ｍ個）が更に少なくなるので、第２レーザ光及び第３レーザ光の測定時間を更に短縮できる。

【0016】

一実施形態に係る面発光レーザの検査方法は、複数のエリアを含む主面を有する基板を準備する工程であり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、工程と、前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加することによって、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定する工程と、前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加することによって、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定する工程と、前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定する工程と、を含む。

【0017】

上記面発光レーザの検査方法によれば、第２レーザ光を測定する面発光レーザの個数（ｍ個）が少ないので、比較的長時間を要する第２レーザ光の測定時間を短縮できる。よって、面発光レーザの検査時間を短縮できる。

【0018】

一実施形態に係る面発光レーザの検査装置は、複数のエリアを含む主面を有する基板を載置するためのステージであり、前記複数のエリアのそれぞれには、複数の面発光レーザが設けられる、ステージと、前記複数の面発光レーザのうちｎ個（ｎは２以上の整数）の面発光レーザにそれぞれ直流電圧を印加するための第１プローブと、前記複数の面発光レーザのうちｍ個（ｍはｎより小さい自然数）の面発光レーザにそれぞれ交流電圧を印加するための第２プローブと、前記ｎ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第１レーザ光を測定するための第１測定器と、前記ｍ個の面発光レーザからそれぞれ出射される第２レーザ光を測定するための第２測定器と、前記第１レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｎ個の面発光レーザの良否を判定し、前記第２レーザ光の測定結果に基づいて、前記ｍ個の面発光レーザの良否を判定するように構成された判定装置と、を備える。

【0019】

上記面発光レーザの検査装置によれば、第２レーザ光を測定する面発光レーザの個数（ｍ個）が少ないので、比較的長時間を要する第２レーザ光の測定時間を短縮できる。よって、面発光レーザの検査時間を短縮できる。

【0020】

［本開示の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照しながら本開示の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示される。

【0021】

図１は、一実施形態に係る面発光レーザの検査装置を模式的に示す図である。図１に示される面発光レーザの検査装置１００は、基板Ｗを載置するためのステージＳＴを備える。ステージＳＴは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動可能であってもよい。基板Ｗは、基板ＷとステージＳＴとの間に配置されたサーモチャックＴＣ上に載置されてもよい。サーモチャックＴＣは、基板Ｗの温度を調整できる。

【0022】

基板Ｗは、例えばＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体基板である。基板Ｗは主面Ｗａを有する。主面Ｗａは、図２に示されるように、複数のエリアＡを含む。複数のエリアＡは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って２次元状に配置される。複数のエリアＡのそれぞれには、図３に示されるように、複数の面発光レーザＬＤが設けられる。複数の面発光レーザＬＤは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って２次元状に配置される。各面発光レーザＬＤは、例えば垂直共振型面発光レーザである。１つの基板Ｗは例えば３万個以上の面発光レーザＬＤを含む。１つのエリアＡには、例えば５００個以上の面発光レーザＬＤが設けられる。

【0023】

検査装置１００は、各面発光レーザＬＤに直流電圧を印加するための複数の第１プローブＰＲ１を備える。複数の第１プローブＰＲ１には直流電源１０が接続されてもよい。２つの第１プローブＰＲ１の先端は各面発光レーザＬＤの第１電極及び第２電極にそれぞれ接触することができる。第１電極は、面発光レーザＬＤに含まれるｐ型半導体層に接続される。第２電極は、面発光レーザＬＤに含まれるｎ型半導体層に接続される。

【0024】

検査装置１００は、各面発光レーザＬＤに交流電圧を印加するための複数の第２プローブＰＲ２を備える。複数の第２プローブＰＲ２には交流電源１２が接続されてもよい。２つの第２プローブＰＲ２の先端は各面発光レーザＬＤの第１電極及び第２電極にそれぞれ接触することができる。交流電源１２と複数の第２プローブＰＲ２との間にはバイアスティー１４が配置されてもよい。バイアスティー１４には、直流電源１０が接続される。

【0025】

検査装置１００は、各面発光レーザＬＤからＺ軸方向に出射されるレーザ光（第１レーザ光Ｌ１、第２レーザ光Ｌ２又は第３レーザ光Ｌ３）を測定するための測定装置２０を備える。測定装置２０は、レンズ２２と、レンズ２２に光ファイバ２４を介して接続される測定器２６とを備えてもよい。レンズ２２はレーザ光を受けることができる。レンズ２２に入射したレーザ光は、光ファイバ２４を通って測定器２６に到達する。

【0026】

測定器２６は、第１測定器２６ａ及び第２測定器２６ｂを備える。第１測定器２６ａは、第１レーザ光Ｌ１の強度を測定するためのパワーメータであってもよいし、第１レーザ光Ｌ１の波長を測定するための分光器又は光スペクトラムアナライザであってもよい。第２測定器２６ｂは、第２レーザ光Ｌ２の高周波特性を測定するための光コンポーネントアナライザ（ＬＣＡ：Lightwave component analyzer）であってもよい。第２測定器２６ｂは交流電源１２を含んでもよい。測定器２６は第３測定器２６ｃを備えてもよい。第３測定器２６ｃは、第３レーザ光Ｌ３の相対強度ノイズ（ＲＩＮ：Relative Intensity Noise）を測定するためのＲＩＮ測定システムであってもよい。

【0027】

検査装置１００は制御装置３０を備える。制御装置３０は、測定装置２０による第１レーザ光Ｌ１から第３レーザ光Ｌ３の測定結果に基づいて、各面発光レーザＬＤの良否を判定するように構成される判定装置であってもよい。制御装置３０は例えばプロセッサを含む。制御装置３０は、ステージＳＴ、直流電源１０及び測定装置２０をそれぞれ制御するように構成される。

【0028】

図４は、一実施形態に係る面発光レーザの製造方法を示すフローチャートである。図４に示される面発光レーザの製造方法ＭＴ１（以下、単に方法ＭＴ１という）は、一実施形態に係る面発光レーザの検査方法を含む。方法ＭＴ１は、工程Ｓ１から工程Ｓ９を含んでもよい。工程Ｓ１から工程Ｓ９は順に行われてもよい。工程Ｓ１、工程Ｓ２、工程Ｓ５、工程Ｓ８及び工程Ｓ９は行われなくてもよい。方法ＭＴ１は、検査装置１００を用いて行われてもよい。方法ＭＴ１により、以下のように面発光レーザＬＤを製造することができる。

【0029】

まず、基板Ｗにおいてウェハプロセスを実行する（工程Ｓ１）。ウェハプロセスは、例えば成膜、フォトリソグラフィー及びエッチング等を含む。工程Ｓ１により、複数の面発光レーザＬＤを含む基板Ｗが準備される。

【0030】

次に、測定サンプル数ｍを決定する（工程Ｓ２）。測定サンプル数ｍは、工程Ｓ４及び工程Ｓ５において測定対象とされる面発光レーザＬＤの数である。工程Ｓ２は工程Ｓ１の前に行われてもよい。測定サンプル数ｍは、１つのエリアＡにおける測定サンプル数とエリアＡの総数との積であってもよい。

【0031】

測定サンプル数ｍは、生産者危険α及び消費者危険βのそれぞれが目標値以下となるように決定されてもよい。例えば、測定サンプル数ｍは、消費者危険βが１０％以下、生産者危険αが５％以下となるように決定される。前提条件の例は以下の通りである。
（前提条件）
許容される不良数ｋ：１個、
レーザ光の波長が許容範囲内となる割合：９０％、
ロット許容不良率（ＬＴＰＤ：Lot Tolerance Percent Defective）：１０％、
合格品質限界（ＡＱＬ：Acceptable Quality Limit）：５％以下。

【0032】

ＡＱＬが例えば０．７１％である場合、測定サンプル数ｍが５６個であれば、βが３．３８％となり、αが４．９３％となる。生産者危険α及び消費者危険βはいずれも目標値以下である。

【0033】

次に、複数の面発光レーザＬＤのうちｎ個の面発光レーザＬＤにそれぞれ直流電圧を印加することによって、ｎ個の面発光レーザＬＤからそれぞれ出射される第１レーザ光Ｌ１を測定する（工程Ｓ３）。ｎは２以上の整数である。ｎは、基板Ｗに含まれる複数の面発光レーザＬＤの全個数であってもよい。工程Ｓ３では、第１レーザ光Ｌ１の強度、第１レーザ光Ｌ１の発振波長及び第１レーザ光Ｌ１のスペクトル幅のうち少なくとも１つが測定される。工程Ｓ３は工程Ｓ２の前に行われてもよい。

【0034】

工程Ｓ３は、図１の検査装置１００により行われてもよい。第１プローブＰＲ１から各面発光レーザＬＤに直流電圧が印加されると、各面発光レーザＬＤから第１レーザ光Ｌ１が出射される。第１レーザ光Ｌ１は、第１測定器２６ａによって測定される。第１レーザ光Ｌ１の測定結果は、第１測定器２６ａから制御装置３０に送られる。制御装置３０は、第１測定器２６ａを制御するための信号を第１測定器２６ａに送る。制御装置３０は、直流電源１０を制御するための信号を直流電源１０に送る。各面発光レーザＬＤに印加される電流及び電圧のデータは、直流電源１０から制御装置３０に送られる。

【0035】

第１レーザ光Ｌ１の強度は、各面発光レーザＬＤに印加される直流電圧を例えば０ボルトから数ボルトまで変化させながら測定される。第１レーザ光Ｌ１の発振波長及びスペクトル幅は、予め定められたバイアス電流を各面発光レーザＬＤに印加しながら測定される。第１レーザ光Ｌ１の発振波長の範囲は、例えば８００ｎｍ～９５０ｎｍである。

【0036】

次に、複数の面発光レーザＬＤのうちｍ個の面発光レーザＬＤにそれぞれ交流電圧を印加することによって、ｍ個の面発光レーザＬＤからそれぞれ出射される第２レーザ光Ｌ２を測定する（工程Ｓ４）。ｍはｎより小さい自然数である。ｍは、工程Ｓ２において決定された測定サンプル数ｍである。工程Ｓ４では、交流電圧の周波数の変化に対する第２レーザ光Ｌ２の強度の変化（追随性）が測定される。例えば数ＭＨｚから５０ＧＨｚまで交流電圧の周波数を変化させながら第２レーザ光Ｌ２の強度の変化が測定されてもよい。工程Ｓ４は工程Ｓ３の前に行われてもよい。

【0037】

工程Ｓ４は、図１の検査装置１００により行われてもよい。第２プローブＰＲ２から各面発光レーザＬＤに交流電圧が印加されると、各面発光レーザＬＤから第２レーザ光Ｌ２が出射される。第２レーザ光Ｌ２は、第２測定器２６ｂによって測定される。第２レーザ光Ｌ２の測定結果は、第２測定器２６ｂから制御装置３０に送られる。制御装置３０は、第２測定器２６ｂを制御するための信号を第２測定器２６ｂに送る。第２測定器２６ｂは、高周波信号を各面発光レーザＬＤに送る。制御装置３０は、直流電源１０を制御するための信号を直流電源１０に送る。

【0038】

次に、ｍ個の面発光レーザＬＤにそれぞれ直流電圧を印加することによって、ｍ個の面発光レーザＬＤからそれぞれ出射される第３レーザ光Ｌ３を測定する（工程Ｓ５）。工程Ｓ５では、第３レーザ光Ｌ３の相対強度ノイズが測定される。工程Ｓ５は工程Ｓ４の前に行われてもよい。

【0039】

工程Ｓ５は、図１の検査装置１００により行われてもよい。第１プローブＰＲ１から各面発光レーザＬＤに直流電圧が供給されると、各面発光レーザＬＤから第３レーザ光Ｌ３が出射される。第３レーザ光Ｌ３は、第３測定器２６ｃによって測定される。第３レーザ光Ｌ３の測定結果は、第３測定器２６ｃから制御装置３０に送られる。制御装置３０は、第３測定器２６ｃを制御するための信号を第３測定器２６ｃに送る。制御装置３０は、直流電源１０を制御するための信号を直流電源１０に送る。

【0040】

次に、工程Ｓ３における第１レーザ光Ｌ１の測定結果に基づいて、ｎ個の面発光レーザＬＤの良否を判定する（工程Ｓ６）。例えば、第１レーザ光Ｌ１の発振波長が許容範囲内にある場合、面発光レーザＬＤが良品であると判定する。工程Ｓ６は、工程Ｓ５の前又は工程Ｓ４の前に行われてもよい。工程Ｓ６において面発光レーザＬＤの良品率が閾値未満である場合、基板Ｗに含まれる良品の面発光レーザＬＤの数が少ないので、基板Ｗ自体が廃棄されてもよい。

【0041】

次に、工程Ｓ４における第２レーザ光Ｌ２の測定結果に基づいて、ｍ個の面発光レーザＬＤの良否を判定する（工程Ｓ７）。例えば、交流電圧の周波数の変化に対する第２レーザ光Ｌ２の強度の変化が許容範囲内である場合、面発光レーザＬＤが良品であると判定する。工程Ｓ７は、工程Ｓ６の前又は工程Ｓ５の前に行われてもよい。

【0042】

次に、工程Ｓ５における第３レーザ光Ｌ３の測定結果に基づいて、ｍ個の面発光レーザＬＤの良否を判定する（工程Ｓ８）。例えば、第３レーザ光Ｌ３の相対強度ノイズが許容範囲内である場合、面発光レーザＬＤが良品であると判定する。工程Ｓ８は、工程Ｓ７の前又は工程Ｓ６の前に行われてもよい。

【0043】

次に、基板Ｗをダイシングする（工程Ｓ９）。これにより、複数の面発光レーザＬＤを互いに分離する。その結果、単一の面発光レーザＬＤを含むチップ又は複数の面発光レーザＬＤを含むアレイが得られる。工程Ｓ６から工程Ｓ８の全てにおいて良品と判定された面発光レーザＬＤが選別されて製品として出荷され得る。あるいは、工程Ｓ７において判明した不良数がｋ個以下（ｋは前提条件で定めた許容される不良数）であった基板Ｗについては、工程Ｓ７において不良と判定された面発光レーザＬＤを除いて、工程Ｓ６において良品と判定された面発光レーザＬＤの全てが製品として出荷され得る。この場合、製品は第２レーザ光Ｌ２の測定が行われていない面発光レーザＬＤも含むことができる。あるいは、工程Ｓ８において不良数がｋ個以下であるような基板Ｗについては、工程Ｓ８において不良と判定された面発光レーザＬＤを除いて、工程Ｓ６において良品と判定された面発光レーザＬＤの全てが製品として出荷され得る。この場合、製品は第３レーザ光Ｌ３の測定が行われていない面発光レーザＬＤも含むことができる。

【0044】

方法ＭＴ１によれば、第２レーザ光Ｌ２を測定する面発光レーザＬＤの個数（ｍ個）が少ないので、比較的長時間を要する第２レーザ光Ｌ２の測定時間を短縮できる。また、工程Ｓ５及び工程Ｓ８が行われる場合、第３レーザ光Ｌ３を測定する面発光レーザＬＤの個数（ｍ個）が少ないので、比較的長時間を要する第３レーザ光Ｌ３の測定時間を短縮できる。よって、面発光レーザＬＤの検査時間を短縮できる。したがって、面発光レーザＬＤの製造時間を短縮できる。

【0045】

図５は、他の実施形態に係る面発光レーザの製造方法を示すフローチャートである。図６は、他の実施形態に係る面発光レーザの製造方法において検査される面発光レーザを含む基板の例を模式的に示す平面図である。図５に示される面発光レーザの製造方法ＭＴ２（以下、単に方法ＭＴ２という）は、工程Ｓ１から工程Ｓ３、工程Ｓ６、工程Ｓ１０、工程Ｓ４、工程Ｓ５、工程Ｓ７から工程Ｓ９を含んでもよい。工程Ｓ１から工程Ｓ３、工程Ｓ６、工程Ｓ１０、工程Ｓ４、工程Ｓ５、工程Ｓ７から工程Ｓ９は、順に行われてもよい。工程Ｓ１、工程Ｓ２、工程Ｓ５、工程Ｓ８及び工程Ｓ９は行われなくてもよい。方法ＭＴ２は、検査装置１００を用いて行われてもよい。方法ＭＴ２により、以下のように面発光レーザＬＤを製造することができる。

【0046】

まず、方法ＭＴ１と同様に工程Ｓ１から工程Ｓ３が行われる。その後、方法ＭＴ１と同様の工程Ｓ６が行われる。

【0047】

次に、複数のエリアＡのうち、工程Ｓ６において良好であると判定された面発光レーザＬＤの個数が閾値以上となるエリアを合格エリアＡ１（図６参照）と決定する（工程Ｓ１０）。複数のエリアＡのうち合格エリアＡ１以外のエリアは不合格エリアＡ２となる。

【0048】

次に、合格エリアＡ１において、ｍ個の面発光レーザＬＤにそれぞれ交流電圧を印加することによって、ｍ個の面発光レーザＬＤからそれぞれ出射される第２レーザ光Ｌ２を測定する（工程Ｓ４）。

【0049】

次に、合格エリアＡ１において、ｍ個の面発光レーザＬＤにそれぞれ直流電圧を印加することによって、ｍ個の面発光レーザＬＤからそれぞれ出射される第３レーザ光Ｌ３を測定する（工程Ｓ５）。工程Ｓ５は、工程Ｓ４の前に行われてもよい。

【0050】

次に、合格エリアＡ１において、第２レーザ光Ｌ２の測定結果に基づいて、ｍ個の面発光レーザＬＤの良否を判定する（工程Ｓ７）。工程Ｓ７は、工程Ｓ５の前に行われてもよい。

【0051】

次に、合格エリアＡ１において、第３レーザ光Ｌ３の測定結果に基づいて、ｍ個の面発光レーザＬＤの良否を判定する（工程Ｓ８）。工程Ｓ８は、工程Ｓ７の前に行われてもよい。

【0052】

次に、方法ＭＴ１と同様の工程Ｓ９が行われる。

【0053】

方法ＭＴ２によれば、方法ＭＴ１と同様に面発光レーザＬＤの検査時間を短縮できる。また、不合格エリアＡ２において工程Ｓ４、工程Ｓ５、工程Ｓ７及び工程Ｓ８を行う必要がない。そのため、第２レーザ光Ｌ２及び第３レーザ光Ｌ３を測定する面発光レーザＬＤの個数（ｍ個）が更に少なくなるので、第２レーザ光Ｌ２及び第３レーザ光Ｌ３の測定時間を更に短縮できる。

【0054】

以上、本開示の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本開示は上記実施形態に限定されない。

【0055】

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0056】

１０…直流電源
１２…交流電源
１４…バイアスティー
２０…測定装置
２２…レンズ
２４…光ファイバ
２６…測定器
２６ａ…第１測定器
２６ｂ…第２測定器
２６ｃ…第３測定器
３０…制御装置
１００…検査装置
Ａ…エリア
Ａ１…合格エリア
Ａ２…不合格エリア
Ｌ１…第１レーザ光
Ｌ２…第２レーザ光
Ｌ３…第３レーザ光
ＬＤ…面発光レーザ
ＭＴ１…方法
ＭＴ２…方法
ＰＲ１…第１プローブ
ＰＲ２…第２プローブ
ＳＴ…ステージ
ＴＣ…サーモチャック
Ｗ…基板
Ｗａ…主面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】