特開 2022-19598 改良した電気的特性を有するＪＢＳダイオードを有するワイドバンドギャップ半導体電子装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022019598

(43)【公開日】2022-01-27

(54)【発明の名称】改良した電気的特性を有するＪＢＳダイオードを有するワイドバンドギャップ半導体電子装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/861 20060101AFI20220120BHJP

   H01L 29/872 20060101ALI20220120BHJP

   H01L 29/47 20060101ALI20220120BHJP

   H01L 21/329 20060101ALI20220120BHJP

   H01L 21/28 20060101ALI20220120BHJP

   H01L 21/265 20060101ALI20220120BHJP

【ＦＩ】

H01L29/91 K

H01L29/86 301D

H01L29/91 F

H01L29/86 301F

H01L29/91 C

H01L29/48 D

H01L29/48 P

H01L21/28 301B

H01L21/265 Z

H01L21/265 602A

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021112285

(22)【出願日】2021-07-06

(31)【優先権主張番号】102020000017221

(32)【優先日】2020-07-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】IT

(71)【出願人】

【識別番号】591002692

【氏名又は名称】エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル．

【氏名又は名称原語表記】ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓ．ｒ．ｌ．

(74)【代理人】

【識別番号】100076185

【弁理士】

【氏名又は名称】小橋 正明

(72)【発明者】

【氏名】シモーネ ラスクーナ

【テーマコード（参考）】

4M104

【Ｆターム（参考）】

4M104AA03

4M104BB05

4M104BB14

4M104BB16

4M104BB21

4M104CC01

4M104CC03

4M104GG02

4M104GG03

4M104HH16

4M104HH17

(57)【要約】      （修正有）

【課題】改良した電気的特性を有するＪＢＳダイオードを有するワイドバンドギャップパワーデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ジャンクションバリアショットキーダイオード５０において、第１導電型で表面５５Ａを有するシリコンカーバイドの本体５５は、ドリフト領域５９及び表面５５Ａによって区画化される複数個の第１部分５９Ａと、第２部分５９Ｂと、表面５５Ａからドリフト領域５９内へ延在する第２導電型を有する複数個の第１注入領域６２と、表面５５Ａ上に配置されている複数個の金属部分（第１部分６５Ａ、第２部分６６Ａ）とによって形成される。各金属部分は、複数個の表面部分夫々の表面部分とショットキーコンタクトして第１タイプのショットキーダイオード５１及び第２タイプのショットキーダイオード５２を形成する。各ショットキーダイオードは、平衡状態において、異なる高さのショットキーバリアを有している。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

縦型導通電子パワーデバイス（５０；１００；２００；２５０）において、
第１導電型及び表面（５５Ａ）を有しているワイドバンドギャップ半導体の本体（５５）であって、ドリフト領域（５９）及び該表面によって区画化されている複数個の表面部分（５９Ａ，５９Ｂ；１０５，１０５Ａ；１０５Ｂ）を有している該本体（５５）、
該表面から該ドリフト領域内へ延在している第２導電型の複数個の第１注入領域（６２）、
該表面（５５Ａ）上に配置されている複数個の金属部分（６５Ａ，６６Ａ；１１５Ａ，１１５Ｂ；２１５Ａ，２１６Ａ；２６５Ａ、２６６Ａ，２６６Ｂ）であって、各金属部分が該複数個の表面部分の夫々の表面部分とショットキーコンタクトをしていて第１ショットキーダイオードと第２ショットキーダイオードとを含む複数個のショットキーダイオード（５１，５２；１０１，１０２；２０１，２０１；２５１，２５２，２５３）を形成している該複数個の金属部分、
を有しており、該第１ショットキーダイオードが、平衡状態において、該第２ショットキ－ダイオードとは異なる高さを有するショットキーバリアを有しているパワーデバイス。

【請求項2】

該第１ショットキーダイオード（５１；１０１；２０１；２５１）が該複数個の金属部分の内の第１金属部分（６５Ａ；１１５Ａ；２１５Ａ；２６５Ａ）及び該複数個の表面部分（５９Ａ；１０５；１０５Ａ）の内の第１表面部分を有しており、該第１金属部分が該第１表面部分とショットキーコンタクトしており且つ、平衡状態において、第１高さ（φ_１）を有するショットキーバリアを形成しており；該第２ショットキーダイオード（５２；１０２；２０２；２５２）が該複数個の金属部分の内の第２金属部分（６６Ａ；１１５Ｂ；２１６Ａ；２６６Ａ）及び該複数個の表面部分の内の第２表面部分（５９Ｂ）を有しており、該第２金属部分は該第２表面部分とショットキーコンタクトしており且つ、平衡状態において、第２高さ（φ２）のショットキーバリアを形成しており、該第１高さが該第２高さよりも一層小さい請求項１記載のパワーデバイス。

【請求項3】

該第１表面部分（５９Ａ；１０５；１０５Ａ）が各々夫々の第１注入領域（６２）から第１距離に配置されており、該第２表面部分（５９Ｂ）が各々同じ夫々の第１注入領域から第２距離に配置されており、該第１距離が該第２距離よりも一層小さい請求項２記載のパワーデバイス。

【請求項4】

該第１金属部分（６５Ａ；１１５Ａ；２１５Ａ；２６５Ａ）が第１金属物質からなり、且つ該第２金属部分（６６Ａ；１１５Ｂ；２１６Ａ；２６６Ａ）が第２金属物質からなり、該ドリフト領域及び該第１及び第２表面部分が該第１導電型を有しており、該第１金属物質が該第２金属物質とは異なるものであり及び／又は該第１及び第２表面部分が異なるドーピングレベルを有している請求項２又は３記載のパワーデバイス。

【請求項5】

該ドリフト領域及び該第１及び第２表面部分が同一のドーピングレベルを有しており、且つ該第１金属物質が該第２金属物質とは異なるものである請求項１乃至４の内のいずれか１項に記載のパワーデバイス。

【請求項6】

該第１表面部分が第１ドーピングレベルを有しており、且つ該第２表面部分が該第２ドーピングレベルよちも一層低い第２ドーピングレベルを有しており、且つ該第１金属物質が該第２金属物質とは異なるものである請求項４記載のパワーデバイス。

【請求項7】

各第１表面部分が夫々の第１注入領域と隣接しており且つ該夫々の第１注入領域と夫々の第２注入領域との間に配置されており、本デバイスが、更に、複数個の第１金属領域（６５；２１５）及び第２金属領域（６６，２１６）を有しており、各第１金属領域は夫々の第１注入領域の上側のオーミックコンタクト部分（６５Ｂ；２１５Ｂ）及び夫々の第１表面部分（５９Ａ）とコンタクトしている夫々の第１金属部分を形成するショットキーコンタクト部分（６５Ａ；２１５Ａ）を有しており、及び該第２金属領域は該第１金属領域上を延在しており且つ該第２表面部分（５９Ｂ）とコンタクトしている第２金属部分を形成している請求項５又は６に記載のパワーデバイス。

【請求項8】

更に、該複数個の金属部分の内の第３金属部分（２６６Ｂ）及び該複数個の表面部分の内の第３表面部分（１０５Ｂ）を含む第３ショットキーアイオード（２５３）を有しており、該第３金属部分は該第３表面部分（１０５Ｂ）とショットキーコンタクトしており且つ、平衡状態において、第３高さ（φ_３）を有するショットキーバリアを形成しており、該第３表面部分は該第１ドーピングレベルを有しており且つ各々が夫々の第１表面部分（１０５Ａ）と夫々の第２表面部分（５９Ｂ）との間に配置されており、且つ該第３高さ（φ_３）が該第１高さ（φ_１）よりも一層大きく且つ該第２高さ（φ_２）よりも一層小さい請求項６記載のパワーデバイス。

【請求項9】

各第１表面部分が夫々の第１注入領域と隣接しており、本パワーデバイスが、更に、複数個の第１金属領域（２６５）及び第２金属領域（２６６）を有しており、各第１金属領域は夫々の第１注入領域上側のオーミックコンタクト部分（２６５Ｂ）及び夫々の第１表面部分とコンタクトしている夫々の第１金属部分を形成しているショットキーコンタクト部分（２６５Ａ）を有しており、及び該第２金属領域が該第１金属領域上を延在しており且つ該第２表面部分（５９Ｂ）とコンタクトしている該第２金属部分（２６６Ａ）及び該第３表面部分（１０５Ｂ）とコンタクトしている第３金属部分（２６６Ｂ）を形成している請求項８記載のパワーデバイス。

【請求項10】

該第１表面部分（１０５）が第１ドーピングレベルを有しており且つ該第２表面部分（５９Ｂ）が該第１ドーピングレベルよりも一層低い第２ドーピングレベル及び該第１金属物資が該第２金属物質と同じである請求項４記載のパワーデバイス。

【請求項11】

各第１表面部分が夫々の第１注入領域（６２）と隣接しており且つ該夫々の第１注入領域と夫々の第２表面部分との間に配置されており、該第１表面部分は第２注入領域（１０５）によって形成されており、及び該第１及び第２金属部分（１１５Ａ，１１５Ｂ）が該第２注入領域及び該第２表面部分の上を延在しており且つそれらと直接的に電気的にコンタクトしている単一金属領域（１１５）を形成している請求項１０記載のパワーデバイス。

【請求項12】

更に、複数個の導電性領域（６３）を有しており、該導電性領域は各々夫々の注入領域（６２）と及び夫々の金属部分とオーミックコンタクトしている請求項１乃至１１の内のいずれか１項に記載のパワーデバイス。

【請求項13】

第１導電型及び表面（３００Ａ；４００Ａ）を有しているワイドバンドギャップ半導体のウエハ（３００；４００）であって、ドリフト領域（５９）と複数個の第１注入領域（６２）を包含しており該複数個の第１注入領域が第２導電型を有しており且つ該表面から該ドリフト領域内へ延在している該ウエハから縦型導通電子パワーデバイスを製造する方法において、
該表面上に複数個の金属部分（６５Ａ，６６Ａ；１１５Ａ，１１５Ｂ；２１５Ａ，２１６Ｚ，２６６Ａ，２６６Ｂ）を形成し、各金属部分は該ドリフト領域の複数個の表面部分（５９Ａ，５９Ｂ；１０５）において該ドリフト領域とショットキーコンタクトしており、各表面部分は該表面により区画化されていて第１ショットキーダイオード及び第２ショットキーダイオードを含む複数個のショットキーダイオード（５１，５２；１０１，１０２；２０１，２０２；２５１，２５２，２５３）を形成し、
該第１ショットキーダイオードが、平衡状態において、該第２ショットキーダイオードとは異なる高さを有するショットキーバリアを有している方法。

【請求項14】

複数個の金属部分を形成することが金属物質の層（４０６）を付着させることを包含しており、本方法が、更に、該表面部分に第１導電型のドーパント種を導入することを包含している請求項１３記載の方法。

【請求項15】

複数個の金属部分を形成することが、
第１金属物質の第１層（３０５）を付着させ、
該複数個の表面部分の内の第１表面部分（５９Ａ；１０５；１０５Ａ）とショットキーコンタクトしている第１金属部分（６５Ａ；１１５Ａ；２１５Ａ；２６５Ａ）を形成するために該第１層をパターン形成し、及び
第２金属物質の第２層（３０６）を付着させる、
ことを包含している請求項１３記載の方法。

【請求項16】

該ドリフト領域が第１導電型及び第１ドーピングレベルを有しており、且つ、本方法が、更に、各々が第１ドーピングレベルよりも一層高い第２ドーピングレベルを有するドープ領域（４１０）を形成するために該注入領域（６２）の周りの表面区域において該ドリフト領域内に第１導電型のイオンを選択的に注入する、
ことを包含している請求項１３又は１５に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、改良した電気的特性を有するＪＢＳ（ジャンクションバリアショットキー）ダイオードを有しているワイドバンドギャップ半導体電子装置及び対応する製造方法に関するものである。特に、以後、縦型導通（ｖｅｒｔｉｃａｌ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ）電子パワーデバイスを参照する。

【背景技術】

【0002】

既知の如く、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）及びガリウムナイトライド（ＧａＮ）等の、例えば１．１ｅＶより一層大きなワイドバンドギャップと、低オン状態抵抗と、高熱伝導度と、高動作周波数と、電荷キャリアの高い飽和速度とを有する半導体物質は、特に、例えば６００Ｖと１３００Ｖとの間の電圧において又は高温度等の特定の動作条件において動作するパワー適用例において、シリコン電子装置よりもより良い性能を有する例えばダイオード及びトランジスタ等の電子装置を得ることを可能とする。

【0003】

特に、上述した特性によって区別される例えば３Ｃ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣ、６Ｈ－ＳｉＣ等のポリタイプの内の一つにおけるシリコンカーバイドからなるウエハから上記電子装置を得ることが知られている。

【0004】

例えば、図１は、シリコンカーバイドからなる既知のＪＢＳダイオード１を示している。該ＪＢＳダイオード１は、概略、複数個の基本セル（１個のみ図示）から形成されており、それらのセルは互いに等しく且つ同一のダイ内に並列的に配置されており、各基本セルはショットキーダイオード２と互いに並列接続されている一対のＰＮダイオード３とを有している。

【0005】

該ＪＢＳダイオード１は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の本体５内に形成されており、該本体はカーテシアン座標系ＸＹＺの第１軸Ｚに沿って互いに反対側である第１表面５Ａと第２表面５Ｂとによって区画されており且つ基板７と例えばエピタキシャル成長によって該基板７の上に形成されたドリフト領域９とを有している。基板７はＮ型のものであって且つ本体５の第２表面５Ｂを形成している。ドリフト領域９はＮ型であって基板７のドーピングレベルよりも一層低いドーピングレベルを有しており且つ本体５の第１表面５Ａを形成している。

【0006】

例えばニッケル又はニッケルシリサイドの導電性物質からなるカソードメタリゼーション領域１０が本体５の第２表面５Ｂ上を延在しており且つＪＳＢ装置１のカソードＫを形成している。

【0007】

ＪＢＳダイオード１は、更に、複数個のバリア領域１２を有しており、図１中にはその内の２個のみが示されており且つそれらは実質的にドリフト領域９内に収容されている。該バリア領域１２は、カーテシアン座標系ＸＹＺの第２軸Ｙに沿って互いに離隔されて配置されており、且つその各々は本体５の第１表面５Ａからドリフト領域９内へ延在するＰ型の夫々の注入領域１３によって形成されている。更に、該バリア領域１２は、カーテシアン座標系ＸＹＺの第３軸Ｘに沿って延在している。

【0008】

バリア領域１２の各々は、更に、例えばニッケルシリサイド等の導電物質からなる夫々のオーミックコンタクト領域１４を有しており、それは夫々の注入領域１３上を部分的にその中に入って延在しており、且つ、図１の断面図において、夫々の注入領域１３の範囲以下の第２軸Ｙに沿っての範囲を有している。注入領域１３とドリフト領域９との間の界面の各々はＰＮダイオード３を形成している。

【0009】

ＪＢＳダイオード１は、更に、チタン、ニッケル、又はモリブデン等の金属物質からなるアノードメタリゼーション領域１８を有しており、それは本体５の第１表面５Ａ上を延在しており且つＪＢＳダイオード１のアノードＡを形成している。注入領域１３のそばでドリフト領域９と直接的に電気的接触しているアノードメタリゼーション領域１８の部分は、ショットキー接合（即ち、半導体－金属接合）を形成しており、その各々は夫々のショットキーダイオード２を構成している。

【0010】

該ショットキー接合の各々は平衡状態において高さφ_０を有する夫々のバリアを有しており、それは夫々のショットキーダイオード２の導通スレッシュホールド電圧を決定する。使用する場合に、逆バイアス又は順方向バイアスを得るためにＪＢＳダイオード１のカソードＫとアノードＡとの間にバイアス電圧を印加させることが可能である。詳細に説明すると、順方向バイアスにおいては（アノードＡがカソードＫよりも一層高い電位にある）、ショットキー接合のバリア高さφ_０を低下させる順方向電圧を印加して、ショットキーダイオード２をスイッチオンさせ且つＪＢＳダイオード１のアノードＡとカソードＫとの間に例えば１０Ａの動作電流が流れることを許容する。

【0011】

低バリア高さφ_０、従ってショットキーダイオード２の低導通スレッシュホールド電圧は、該動作電流の流れに必要な順方向電圧の値を低下させること、従ってＪＢＳダイオード１の低電力消費を達成することを可能とする。

【0012】

一方、逆バイアスにおいては（即ち、カソードＫがアノードＡよりも一層高い電位にある）、ＪＢＳダイオード１は、例えば、６００Ｖと１３００Ｖとの間の高いバイアス電圧の存在下においてアノードＡとカソードＫとの間のリーク電流の値が可及的に低いものであることを保証せねばならない。

【0013】

この様に高いバイアス電圧はショットキー接合内に高い電界を発生し、例えばトンネル効果に起因してリーク電流を増加させる。この様な増加は、特にバリア高さφ_０が小さい場合に特に顕著である。その結果、小さなバリア高さφ_０は高いリーク電流を発生させ、従ってＪＢＳダイオード１の動作問題を発生させる。

【0014】

更に、逆バイアスにおいては、各ＰＮダイオード３は、低濃度の電荷キャリアを有する夫々の空乏ゾーンを形成させ、それは夫々の注入領域１３とドリフト領域９との間の界面から主にドリフト領域９内側を延在する。該空乏ゾーンは、夫々のショットキー接合の近傍において、高バイアス電圧によって発生される電界値を局所的に低下させることに貢献する。

【0015】

従って、２つの隣接する注入領域１３の間の第２軸Ｙに沿っての距離を可及的に小さいものであるようにＪＢＳダイオード１を設計することが知られている。２つの隣接する注入領域１３の間の距離がより小さければ、実際に、ショットキー接合全体の電界の低下を一層大きなものとし、その結果リーク電流を低下させることとなる。しかしながら、２つの隣接する注入領域１３の間の距離が一層小さいと、順方向バイアスにおける電流の流れのために使用可能なショットキーダイオード２の面積が一層小さくなり、従ってＪＢＳダイオード１の抵抗を増加させ、その結果ＪＢＳダイオード１の性能を悪化させることとなる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0016】

本発明の目的とするところは、該従来技術の欠点を解消することである。

【課題を解決するための手段】

【0017】

本発明によれば、特許請求の範囲に記載されるように、ＪＢＳダイオードを有するワイドバンドギャップ半導体電子装置及び対応する製造方法が提供される。本発明をより良く理解するために、添付の図面を参照して純粋に非制限的な例としての本発明の実施例について説明する。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】既知のワイドバンドギャップ電子半導体パワーデバイスの断面図。

【図2】電気的均等性がハイライトされている本ワイドバンドギャップ電子半導体パワーデバイスの１実施例の断面図。

【図2A】本電子装置の幾何学的パラメータがハイライトされている図２の拡大詳細図。

【図3】図１の既知の電子装置の基本セルと比較した図２の電子装置の基本セルの順方向バイアス電流－電圧曲線のシミュレーションを示したグラフ図。

【図4】図２Ａのセクションライン８０に沿っての電界の挙動を示したグラフ図。

【図5】別の実施例に基づく本ワイドバンドギャップ電子半導体パワーデバイスの断面図。

【図6】別の実施例に基づく本ワイドバンドギャップ電子半導体パワーデバイスの断面図。

【図7】別の実施例に基づく本ワイドバンドギャップ電子半導体パワーデバイスの断面図。

【図8】製造中の或るステップにおける図２の電子パワーデバイスを示した断面図。

【図9】製造中の或るステップにおける図２の電子パワーデバイスを示した断面図。

【図10】製造中の或るステップにおける図２の電子パワーデバイスを示した断面図。

【図11】製造中の或るステップにおける図２の電子パワーデバイスを示した断面図。

【図12】製造中の或るステップにおける図５の電子装置を示した断面図。

【図13】製造中の或るステップにおける図５の電子装置を示した断面図。

【図14】製造中の或るステップにおける図５の電子装置を示した断面図。

【発明を実施するための形態】

【0019】

縦型導通電子パワーデバイス内に組み込まれており且つ異なるタイプの複数個のショットキーダイオードであって各タイプのショットキーダイオードが平衡状態において異なるバリア高さを有するショットキー接合を有している該複数個のショットキーバリアダイオードを有しており特にシリコンカーバイドのワイドバンドギャップ半導体ＪＢＳ（ジャンクションバリアショットキー）ダイオードについて以下説明する。

【0020】

詳細には、図２及び２ＡはＪＢＳダイオード５０を示しており、それは、本実施例においては、互いに等しいものであり同一のダイ内に並列接続されている複数個の基本セル５４を有している。

【0021】

特に図２に示した如く、各基本セル５４は、一つ又はそれ以上の第１タイプのショットキーダイオード５１と、一つ又はそれ以上の第２タイプのショットキーダイオード５２と、並列して配置された一つ又はそれ以上のＰＮダイオード５３とを有している。特に、この実施例においては、各基本セル５４は、２個の第１タイプのショットキーダイオード５１によって及び２個の隣接するＰＮダイオード５３の間に配置されている１個の第２タイプのショットキーダイオード５２によって形成されている。

【0022】

ＪＢＳダイオード５０は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）の本体５５内に形成されており、該本体はカーテシアン座標系ＸＹＺの第１軸Ｚに沿って互いに反対側の第１表面５５Ａと第２表面５５Ｂとによって区画化されており且つ基板５７とその上に例えばエピタキシャル的に成長されたドリフト領域５９とを有している。基板５７は、Ｎ型であり、例えば２ｍΩ・ｃｍと３０ｍΩ・ｃｍとの間の低い固有抵抗を有するようなドーピングレベルであり、例えば、５０μｍと３６０μｍとの間で特に１８０μｍである厚さを有しており、且つ本体５５の第２表面５５Ｂを形成している。ドリフト領域５９はＮ型であり、基板５７のドーピングレベルよりも一層低く、例えば１０^１６ａｔ／ｃｍ^３のオーダーのドーピングレベルを有しており、５μｍと１５μｍとの間の厚さを有しており且つ本体３３の第１表面５５Ａを形成している。

【0023】

ドリフト領域５９の厚さは、ＪＢＳダイオード５０の特定の適用例に基づいて、例えばＪＢＳダイオード５０へ印加されるべき最大動作電圧に従って、設計段階において選択することが可能である。例えばニッケル又はニッケルシリサイド等の導電性物質のカソードメタリゼーション領域５４が本体５５の第２表面５５Ｂ上を延在しており且つＪＢＳ５０のカソードＫを形成している。ＪＢＳダイオード５０は、更に、ドリフト領域５９内に収容されている複数個の注入領域６２を有している。

【0024】

注入領域６２はＰ型であり、ドリフト領域５９のドーピングレベルよりも一層高いドーピングレベルを有しており、各々が第１軸Ｚに沿ってドリフト領域５９内部を本体５５の第１表面５５Ａから或る深さ延在しており、且つ各々が、例えば１μｍと６μｍとの間のカーテシアン座標系ＸＹＺの第２軸Ｙに沿っての或る幅を有している。

【0025】

更に、注入領域６２は、第２軸Ｙに沿って互いに或る距離、例えば２μｍと５μｍとの間、Ｓ_Ｙ離隔されて配置されている。平面図（ここでは例示されていない）において、注入領域６２は、カーテシアン座標系ＸＹＺの第３軸Ｘに沿って長手方向に延在するストリップの形状を有することが可能であり、又はその他の任意の形状を有することが可能であり、例えば、それらは、正方形、矩形、六角形、又は円等の規則的又は不規則的な幾何学的図形を形成することが可能である。

【0026】

その結果、図２に例示されている注入領域６２は、例示した断面において別個の領域として見ることが可能な一層複雑な形状を有している単一の領域の一部とすることが可能である。注入領域６２とドリフト領域５９との間の界面はＰＮ接合を形成しており、各々が夫々のＰＮダイオード５３を形成している。

【0027】

ＪＢＳダイオード５０は、更に、導電性物質からなる複数個のオーミックコンタクト領域６３を有することが可能であり、その各々は夫々の注入領域６２上を延在しており且つ注入領域６２のものにほぼ対応する形状を有している。各オーミックコンタクト領域６３は夫々の注入領域６２と直接的に電気的にコンタクトしており且つ、第２軸Ｙに沿って、夫々の注入領域６２の幅と等しいか又はそれより小さい幅にわたり延在している。

【0028】

詳細に説明すると、この実施例においては、オーミックコンタクト領域６３はニッケルシリサイドからなり、その各々は夫々の注入領域６２内を部分的に延在しており且つ夫々の注入領域６２のものよりも一層小さい幅を有している。

【0029】

ＪＢＳダイオード５０は、更に、各タイプのショットキーダイオードに対して１個づつ（後に詳述する如く）、複数個のアノードメタリゼーション領域を有しており、それは本体５５の第１表面５５Ａ上を延在している。この実施例においては、ＪＢＳダイオード５０は第１アノードメタリゼーション領域６５及び第２アノードメタリゼーション領域６６を有している。

【0030】

第１アノードメタリゼーション領域６５も夫々の注入領域６２のものにほぼ対応する形状を有しているが、後に詳述するように、一層大きな幅を有しており、更に、注入領域６２について上述した如く、それらは一層複雑な形状を有する第１の単一のアノードメタリゼーション領域６５の一部を構成することが可能である。それらは、いずれにしても、電気的に並列接続されており、従ってそれらは単一の領域として考えることが可能である。

【0031】

第１アノードメタリゼーション領域６５は、例えばモリブデンである第１金属物質からなり、且つその各々は少なくとも１個の第１部分６５Ａ（図２Ａ）を有しており、該第１部分６５Ａは、夫々の注入領域６２に隣接した位置においてその側部上においてドリフト領域５９の夫々の第１部分５９Ａ上を延在しており且つ直接的に電気的にコンタクトしている。この実施例においては、第１アノードメタリゼーション領域６５の各々は、更に、夫々の第２領域６５Ｂを有しており、該第２領域６５Ｂは夫々の注入領域６２及び夫々のオーミックコンタクト６３の上を延在しており且つそれらと直接的に電気的にコンタクトしている。

【0032】

第１アノードメタリゼーション領域６５の第１部分６５Ａは、各々、幅Ｗ_１を有しており且つ隣接する第１アノードメタリゼーション領域６５の第１部分６５Ａから距離Ｗ_２に配置されている。

【0033】

第１アノードメタリゼーション領域６５の第１部分６５Ａは、各々、ドリフト領域５９の夫々の第１ 部分５９Ａと共に、夫々の第１タイプのショットキーダイオード５１（図２）を構成するショットキー接合を形成している。第１タイプのショットキーダイオード５１の接合は、各々、夫々のショットキーバリアを有しており、該バリアは、夫々の第１タイプのショットキーダイオード５１の第１導通スレッシュホールド電圧を決定する例えば約０．５ｅＶである高さφ_１を平衡状態において有している。

【0034】

第２アノードメタリゼーション領域６６は、例えばチタン又はニッケルなどの第２金属物質からなり且つ本体５５の第１表面５５Ａ上及び第１アノードメタリゼーション領域６５上を延在している。その結果（図２Ａ）、第２メタリゼーション領域６６の一部６６Ａは、隣接する第１アノードメタリゼーション領域６５の２つの第１部分６５Ａの間の距離Ｗ_２に等しい幅に対してドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと直接的に電気的にコンタクト（ショットキーコンタクト）している。

【0035】

換言すると、第２部分５９Ｂは、夫々の同一の注入領域６２から、第１部分５９Ａに関して、一層大きな距離に配置されている。

【0036】

従って、第２メタリゼーション領域６６の一部６６Ａは、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと共に、夫々の第２タイプのショットキーダイオード５２（図２）を構成するショットキー接合を形成している。第２タイプのショットキーダイオード５２の接合は、各々、夫々のショットキーバリアを有しており、該バリアは、平衡状態において、第１導通スレッシュホールド電圧よりも一層高い夫々の第２タイプのショットキーダイオード５２の第２導通スレッシュホールド電圧を決定するバリア高さφ_１よりも一層大きな高さφ_２、例えば１．２ｅＶ、を有している。

【0037】

第１及び第２アノードメタリゼーション領域６５，６６は、更に、ＪＢＳダイオード５０のアノードＡを形成する。

【0038】

使用する場合に、順方向バイアスにおいて（ＪＢＳダイオード５０のカソードＫへ印加される電圧よりもアノードＡへ印加される電圧が一層高い）、低電圧がＪＢＳダイオード５０のアノードＡからカソードＫへの例えば１０Ａの値の高い動作電流の流れを可能とさせる。実際に、第１タイプのショットキーダイオード５１は第２タイプのショットキーダイオード５２と比較して、より低い順方向電圧での電流の流れを可能とさせる。何故ならば、第１導通スレッシュホールド電圧が第２導通スレッシュホールド電圧よりも一層低いからである。

【0039】

その結果、全体として、本発明者等によって行われた図３に例示したシミュレーションに表されているように、ＪＢＳダイオード５０は図１に例示したＪＢＳダイオード１よりも一層低い導通スレッシュホールドを有しており、図３において、実線の曲線はＪＢＳダイオード５０に対しての電圧Ｖの関数としての電流Ｉのプロットを表しており且つ点線は基本セルに関しての既知のＪＢＳダイオード１に対する同様のプロットを示している。理解されるように、ＪＢＳダイオード５０の場合には、アノードＡとカソードＫとの間に印加される一層低い順方向バイアス電圧で同一の電流の流れを得ることが可能である。従って、ＪＢＳダイオード５０は順方向バイアスにおける電力消費は低いものである。

【0040】

逆バイアスにおいては、アノードＡとカソードＫとの間に例えば６００Ｖと１３００Ｖとの間の高い電圧をＪＢＳダイオード５０へ印加させることが可能である。逆バイアスにおいては、注入領域６２とドリフト領域５９との間の界面は、各々、電荷キャリアの低濃度を有している夫々の空乏領域を形成し、それは、特に本体５５の第１表面５５Ａの近傍において、高電圧によって発生される電界を局所的に低下させる。実際に、本実施例においては、該空乏領域は、主に、ドリフト領域５９内に延在するが、その理由は、ドリフト領域５９のドーピングレベルは注入領域６２のドーピングレベルよりも一層低いからである。

【0041】

特に、ドリフト領域５９の第１部分５９Ａは、各々、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと比較して、夫々のＰＮ接合から一層小さい距離に延在している。従って、第１部分５９Ａは夫々の空乏ゾーンの影響によってより一層影響される。その結果、第１部分５９Ａは、本体５５の第１表面５５Ａの近傍において、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂの平均電界よりも一層低い平均電界へ局所的に露呈される。

【0042】

換言すると、ドリフト領域５９における電界は、本体５５の第１表面５５Ａの近傍において、ドリフト領域５９の第１部分５９Ａと注入領域６２との間の界面において最小値を有しており、且つドリフト領域５９の第２部分５９Ｂの中央において、即ち注入領域６２から最大距離において、それが最大値となるまで第２軸Ｙに沿って注入領域６２から離れるに従って増加する。

【0043】

上記の電気的挙動は本発明者等が行った図４のシミュレーションに例示されており、それは図２Ａのライン８０に沿っての電界Ｅの挙動を示しており、該ラインは、注入領域６２とドリフト領域５９の第１部分５９Ａとの間の界面からドリフト領域５９の第２部分５９Ｂの中央点へ第１表面５５Ａに対して平行な方向に延在している。

【0044】

第１タイプのショットキーダイオード５１はドリフト領域５９の第１部分５９Ａ内に延在しており、従って低い平均電界に露呈される。従って、第１タイプのショットキーダイオード５１は、逆バイアスにおいて印加される高い電圧にもかかわらずに低いリーク電流を保証することが可能である。

【0045】

第２タイプのショットキーダイオード５２は、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂに延在しており、従って一層高い平均電界に露呈される。しかしながら、第２タイプのショットキーダイオード５２はバリア高さφ_１よりも一層大きなバリア高さφ_２を有しており、従って一層高い電界が存在しても低いリーク電流を保証することが可能である。従って、全体としては、ＪＢＳダイオード５０は逆バイアスにおいて低いリーク電流を得ることが可能である。

【0046】

設計段階において、２つの隣接する注入領域６２の間の距離Ｓ_Ｙを一定に維持することによって、その幅Ｗ_１及び距離Ｗ_２を、特定の適用例によって要求されるＪＢＳダイオード５０の特性に基づいて、調整することが可能である。例えば、低い順方向バイアス電圧を得ることが望ましい場合には、幅Ｗ_１を増加させ且つ距離Ｗ_２を減少させることが可能である。一方、逆バイアスにおいて低いリーク電流とすることが望ましい場合には、幅Ｗ_１を減少させることが可能であり且つ距離Ｗ_２を増加させることが可能である。

【0047】

更に、例えば２つの隣接するＰＮダイオード５３の空乏領域が殆どオーバーラップが無い状態となる点まで、２つの隣接する注入領域６２の間の距離Ｓ_Ｙが大きいものであるようにＪＢＳダイオード５０を構成することが可能である。

【0048】

２つの隣接する空乏領域６２が殆どオーバーラップしない状態にあるということは、距離Ｓ_Ｙが一層小さい場合と比較して、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂにおける平均電界を一層高くさせる。しかしながら、第２タイプのショットキーダイオード５２の一層大きなバリア高さがこの様な一層大きな平均電界を補償して低いリーク電流を保証することを可能とさせる。更に、一層大きな距離Ｓ_Ｙは、アノードとカソードとの間の電流の流れに対してＪＢＳダイオード５０が一層低い抵抗を有することを可能とし、従って順方向バイアスにおいての電力消費を低下させることを可能とする。

【0049】

距離Ｓ_Ｙが実際に大きい場合、幅Ｗ_１と距離Ｗ_２とにも夫々依存する電流の流れのために使用可能な第１タイプのショットキーダイオード５１の及び第２タイプのショットキーダイオード５２の面積は、一層小さな距離Ｓ_Ｙに対するものよりも一層大きい。従って、全体として、ＪＢＳダイオード５０は電流の通過のために使用可能な一層大きな面積を有することが可能であり、従って順方向バイアスにおいて一層低い抵抗とすることが可能である。

【0050】

換言すると、ＪＢＳダイオード５０は、順方向バイアスにおける低電力消費と逆バイアスにおける低いリーク電流の両方を提供することが可能である。

【0051】

図５は、別の実施例に基づくＪＢＳダイオード１００を示している。

【0052】

ＪＢＳダイオード１００は、ＪＢＳダイオード５０と同様の構造を有しており、従って共通の要素には同一の参照番号を付してある。

【0053】

詳細に説明すると、ＪＢＳダイオード１００は、第１タイプのショットキーダイオード１０１と、第２タイプのショットキーダイオード１０２と、ＰＮダイオード５３とを有しており、且つ本体５５内に形成されている。本体５５も基板５７と、ドリフト領域５９と、注入領域６２と、オーミックコンタクト領域６３とを有している。更に、カソードメタリゼーション領域５４が本体５５の第２表面５５Ｂ上に延在している。

【0054】

ＪＢＳダイオード１００は、更に、Ｎ型の複数個の注入したアノード領域１０５を有しており、該アノード領域は各注入領域６２の横で、本体５５の第１表面５５Ａからドリフト領域５９内へ延在している。注入したアノード領域１０５は、ドリフト領域５９のドーピングレベルよりも一層高いドーピングレベルを有しており、例えば、１×１０^１７ａｔ／ｃｍ^３よりも一層高いドーパント原子の濃度を有しており、且つ、例えば１０ｎｍと１００ｎｍとの間の小さな深さを有している。

【0055】

詳細に説明すると、注入したアノード領域１０５は、各々、夫々の注入領域６２と隣接してドリフト領域５９内に延在しており、各々、幅Ｗ_１を有しており且つ、第１アノードメタリゼーション領域６５の第１部分６５Ａに対するＪＢＳダイオード５０に関して前述したように、夫々の隣接する注入したアノード領域１０５から距離Ｗ_２に配置されている。

【0056】

従って、注入したアノード領域１０５は、ＪＢＳダイオード５０の第１部分５９Ａと同様のドリフト領域５９の表面部分を構成しており且つ第１部分５９Ａよりも一層高いドーピングレベルを有している。

【0057】

例えばモリブデン、チタン、又はニッケルのアノードメタリゼーション領域１１５が、本体５５の第１表面５５Ａ上及びオーミックコンタクト領域６３上を延在している。

【0058】

注入したアノード領域１０５と直接的に電気的にコンタクト（ショットキーコンタクト）しているアノードメタリゼーション領域１１５の第１部分１１５Ａは、各々、夫々の第１タイプのショットキーダイオード１０１を形成し、各第１タイプのショットキーダイオード１０１は、平衡状態において、高さφ_１のショットキーバリアを有している。

【0059】

２つの隣接する注入したアノード領域１０５の間の距離Ｗ_２に等しい幅を有しているドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと直接的に電気的にコンタクトしているアノードメタリゼーション領域１１５の第２部分１１５Ｂは、各々、夫々の第２タイプのショットキーダイオード１０２を形成しており、各第２タイプのショットキーダイオード１０２は、平衡状態において、第１タイプのショットキーダイオード１０１のものよりも一層大きな高さφ_２のショットキーバリアを有している。

【0060】

本実施例においては、ショットキーダイオード１０１と第２タイプのショットキーダイオード１０２との間のバリア高さの差異は、注入したアノード領域１０５のドーピングレベルとドリフト領域５９のドーピングレベルとの間の差異に依存する。この差異は、設計段階において、特定の適用例に従って調整することが可能である。

【0061】

ＪＢＳダイオード５０に関して前述した如く、第１タイプのショットキーダイオード１０１のショットキー接合は、第２タイプのショットキーダイオード１０２のショットキー接合と比較して、一層小さなバリア高さを有しており且つ一層低い電界に露呈される。従って、全体として、ＪＢＳダイオード１００は低電力消費であり、低リーク電流であり、且つ異なる動作条件に対して高い適応性を有している。

【0062】

図６は、本ＪＢＳダイオードの更なる実施例であるＪＢＳダイオード２００を示している。ＪＢＳダイオード２００はＪＢＳダイオード５０と類似した概略構造を有しており、従って共通の要素には同じ参照番号を付してある。

【0063】

詳細に説明すると、ＪＢＳダイオード２００は、第１タイプのショットキーダイオード２０１と第２タイプのショットキーダイオード２０２と、ＰＮダイオードと、を有しており、基板５７を有している本体５５内に形成されている。該基板はここでもドリフト領域５９と、注入領域６２と、オーミックコンタクト領域６３と、注入アノード領域１０５とを有している。更に、カソードメタリゼーション領域５４が本体５５の第２表面５５Ｂ上を延在している。

【0064】

更に、ＪＢＳダイオード２００は、第１アノードメタリゼーション領域２１５と第２アノードメタリゼーション領域２１６とを有しており、それらは本体５５の第１表面５５Ａ上を延在している。第１アノードメタリゼーション領域２１５は、図２のＪＢＳダイオード５０を参照して説明した第１アノードメタリゼーション領域６５の形状と類似した形状を有しており、且つ例えばモリブデン等の第１金属物質からなる。

【0065】

特に、第１アノードメタリゼーション領域２１５は、各々、幅Ｗ_１を有している少なくとも１個の第１部分２１５Ａを含む複数個の部分を有しており、且つ夫々の注入アノード領域１０５と直接的に電気的コンタクト（ショットキーコンタクト）をしてそれらの上に配置されている。本実施例においては、各第１アノードメタリゼーション領域２１５も第２部分２１５Ｂを有しており、それは、夫々の注入領域６２及び夫々のオーミックコンタクト領域６３の上に延在しており且つそれらと直接的に電気的にコンタクトしている。

【0066】

夫々の注入アノード領域１０５とショットキーコンタクトしている第１アノードメタリゼーション領域２１５の第１部分２１５Ａは、第１タイプのショットキーダイオード２０１を形成しており、その各々は、平衡状態において、高さφ_１のショットキーバリアを有している。第２アノードメタリゼーション領域２１６は、例えばチタン又はニッケル等の第２金属物質からなり、且つ本体５５の第１表面５５Ａ上及び第１アノードメタリゼーション領域２１５上を延在している。

【0067】

従って、第２アノードメタリゼーション領域２１６の一部２１６Ａは、２つの隣接する注入アノード領域１０５の間に配置されているドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと直接的に電気的にコンタクト（ショットキーコンタクト）しており、該第２部分５９Ｂは距離Ｗ_２に等しい幅を有している。第２アノードメタリゼーション領域２１６の一部２１６Ａは、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと共に、第２タイプのショットキーダイオード２０２を形成し、その各々は、第１タイプのショットキーダイオード２０１の高さφ_１を有するバリアよりも一層大きな高さφ_２のバリアを、平衡状態において、有するショットキー接合を有している。

【0068】

本実施例においては、第１タイプのショットキーダイオード２０１の及び第２タイプのショットキーダイオード２０２のバリア高さは、注入アノード領域１０５のドーピングレベルとドリフト領域５９のドーピングレベルとの間の差を修正することによって、及び第１アノードメタリゼーション領域２１５と第２アノードメタリゼーション領域２１５とを夫々形成している第１金属物質と第２金属物質とによって誘起されるバリア高さの差を修正することの両方によって調整することが可能である。

【0069】

従って、ＪＢＳダイオード２００は、ＪＢＳダイオード５０，１００に関して前述したものと同様の利点を有しており、且つ異なる動作条件に対する一層大きな適応性を有しており、それは設計段階において調整することが可能である。

【0070】

図７は、本ＪＢＳダイオードの更なる実施例であるＪＢＳダイオード２５０を示している。ＪＢＳダイオード２５０は、ＪＢＳダイオード２００の構造と類似した構造を有しており、従って、共通の要素には同一の参照番号を付してある。

【0071】

ＪＢＳダイオード２５０は、第１タイプのショットキーダイオード２５１と、第２タイプのショットキーダイオード２５２と、第３タイプのショットキーダイオード２５３とを有しており、それらはＰＮダイオード５３と並列に配置されている。詳細に説明すると、本実施例においては、第１アノードメタリゼーション領域２６５の一部２６５Ａ（ＪＢＳダイオード２００の第１アノードメタリゼーション領域２１５の第１部分２１５Ａと同様に）は、各々、夫々の注入領域６２に隣接する夫々の注入アノード領域１０５の第１部分１０５Ａ上を、注入アノード領域１０５の幅Ｗ_１よりも一層小さな幅にわたり延在している。

【0072】

第２アノードメタリゼーション領域２６６（それはＪＢＳダイオード２００の第２アノードメタリゼーション領域２１６に類似している）は本体５５の第１表面５５Ａ上を延在している。詳細に説明すると、第１アノードメタリゼーション領域２６６の第１部分２６６Ａは、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと直接的に電気的にコンタクト（ショットキーコンタクト）しており、且つ第２アノードメタリゼーション領域２６６の第２部分２６６Ｂは、第１部分１０５Ａと隣接している注入アノード領域１０５の第２部分１０５Ｂと直接的に電気的にコンタクト（ショットキーコンタクト）している。

【0073】

従って、注入アノード領域１０５の第２部分１０５Ｂは、各々、注入アノード領域１０５の夫々の第１部分１０５Ａとドリフト領域５９の夫々の第２部分５９Ｂとの間に配置されている。更に、注入アノード領域１０５の第２部分１０５Ｂは、各々、同じ夫々の注入領域６２から夫々の第１部分１０５Ａよりも一層大きな距離にあり、且つ同じ夫々の注入領域６２から夫々の第２部分５９Ｂよりも一層小さな距離にある。

【0074】

即ち、注入アノード領域１０５の第１部分１０５Ａと直接的に電気的にコンタクトしている第１アノードメタリゼーション領域２６５の第１部分２６５Ａは、平衡状態において高さφ_１のバリアを有しており且つ第１タイプのショットキーダイオード２５１を形成するショットキー接合を形成する。

【0075】

ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂと直接的に電気的にコンタクトしている第２アノードメタリゼーション領域２６６の第１部分２６６Ａは、平衡状態において、高さφ_１よりも一層大きな高さφ_２のバリアを有しており且つ第２タイプのショットキーダイオード２５２を形成するショットキー接合を形成する。

【0076】

注入アノード領域１０５の第２部分１０５Ｂと直接的に電気的にコンタクトしている第２アノードメタリゼーション領域２６６の第２部分２６６Ｂは、平衡状態において、高さφ_１よりも一層大きく且つ高さφ_２よりも一層小さな高さφ_３のバリアを有しており且つ第３タイプのショットキーダイオード２５３を形成するショットキー接合を形成している。

【0077】

従って、第３タイプのショットキーダイオード２５３は、第２タイプのショットキーダイオード２５２のものよりも一層低い導通スレッシュホールド電圧を有している。従って、全体的に、ＪＢＳダイオード２５０は低い導通スレッシュホールドを有しており、その結果低い電力消費を有している。

【0078】

更に、第３タイプのショットキーダイオード２５３は、注入アノード領域１０５の第２部分１０５Ｂに配置されており、それは、同じ隣接する注入領域６２から第２部分５９Ｂの距離よりも一層小さい隣接する注入領域６２からの或る距離に配置されているので、逆バイアスにおいて、ドリフト領域５９の第２部分５９Ｂよりも一層低い平均電界に露呈される。

【0079】

その結果、全体的に、第１タイプのショットキーダイオード２５１、第２タイプのショットキーダイオード２５２、及び第３タイプのショットキーダイオード２５３もＪＢＳダイオード２５０に対して低リーク電流を保証することが可能である。

【0080】

以後、ＪＢＳダイオード５０，１００，２００，２５０を製造するステップについて説明する。

【0081】

ＪＢＳダイオード５０は、第１表面３００Ａと第２表面３００Ｂとを有しており且つ既に第１の既知の処理ステップが行われている図８に断面で例示したシリコンカーバイド（ＳｉＣ）のウエハ３００から製造することが可能である。

【0082】

特に、図８において、ウエハ３００は、基板５７と、ドリフト領域５９と、注入領域６２と、オーミックコンタクト領域６３とを有する本体５５（その第１及び第２表面５５Ａ，５５Ｂは、夫々、ウエハ３００の第１表面３００Ａ及び第２表面３００Ｂに対応している）を形成するために既に処理されている。

【0083】

次いで、図９に示すように、例えばモリブデンの第１金属物質の第１メタリゼーション層３０５をウエハ３００の第１表面３００Ａ上に付着させ、且つ、既知のリソグラフィステップを介して、パターン形成（図１０）をして第１アノードメタリゼーション領域６５を形成する。

【0084】

次いで、図１１に示すように、例えばチタン又はニッケルの第２金属物質の第２メタリゼーション層３０６をウエハ３００の第１表面３００Ａ上に付着させて第２アノードメタリゼーション領域６６を形成する。

【0085】

基板５７の薄層化等の既知の処理ステップにより、ウエハ３００の第２表面３００Ｂ上にカソードメタリゼーション領域を形成し、ウエハ３００をダイシングし、且つパッケージングを行ってＪＢＳダイオード５０を得る。

【0086】

ＪＢＳダイオード１００は、図１２に例示したシリコンカーバイドのウエハ４００から製造することが可能である。ウエハ４００は図８に例示したウエハ３００と類似しており、従って、同様の要素には同一の参照番号を付してある。

【0087】

詳細に説明すると、ウエハ４００は第１表面４００Ａと第２表面４００Ｂとを有しており、且つ基板５７，ドリフト層５９，及び注入領域６２を形成すべく既に処理されている。次いで、図１３に示すように、複数個のウィンドウ４０２を有するハードマスク４０１をウエハ４００の第１表面４００Ａ上に設ける。ウィンドウ４０２は、注入領域６２の上方及び注入アノード領域１０５が形成されることが意図されている箇所で夫々の注入領域６２に隣接しているドリフト領域の部分の上方に配置される。

【0088】

ウィンドウ４０２は、模式的に矢印４０５で表したようにイオン注入のため及び注入イオン領域１０５を形成することが意図されているここではＮ型のドープ領域４１０を形成するために使用される。例えば１０^１１と１０^１３ａｔ／ｃｍ^２との間で特に１０^１２ａｔ／ｃｍ^２のドーズでイオンを注入させることが可能である。このドーズは、実際に、注入領域６２のドーピングを危険にさらすこと無しに、ドリフト領域５９の夫々の部分のドーピングレベルを増加させるのに十分である。

【0089】

代替的に、ハードマスク４０１は、注入アノード領域１０５を形成することが意図されているドリフト領域５９の部分の上方のみにウィンドウ４０２が配置されるように注入領域６２上にも延在する部分（不図示）を有することが可能である。

【0090】

例示していないが既知の態様で、次いで、ハードマスク４０１を除去し、且つウエハ４００を、例えば１５００℃よりも高い温度においてドープ領域４１０を活性化させるためにアニーリングに露呈させて注入アノード領域１０５（図１４）を形成する。

【0091】

その後、図１４に示すように、オーミックコンタクト領域６３を既知の態様で形成し、且つ例えばチタン又はニッケルの第２金属物質の第１メタリゼーション層４０６をウエハ４００の第１表面４００Ａ上に付着させて第２アノードメタリゼーション領域１１５を形成する。

【0092】

基板５７の薄層化等の既知の処理ステップが続いて、基板４００の第２表面４００Ｂ上にカソードメタリゼーション領域を形成し、ウエハ４００をダイシングし、且つパッケージングをしてＪＢＳ１００を得る。

【0093】

当業者等に明らかなように、ＪＢＳダイオード５０，１００について図９－１４を参照して既に説明したステップと同様のステップを介して図１２のウエハ４００からＪＢＳダイオード２００，２５０を得ることが可能であるが、その詳細な説明は割愛する。

【0094】

最後に、明らかな如く、以上説明し例示した該ワイドバンドギャップ半導体電子装置に対して及びその製造方法に対して特許請求の範囲を逸脱すること無しに種々の修正及び変形を行うことが可能であることは勿論である。例えば、導電型ＰとＮとを逆にすることも可能であり且つ上述したことをＭＰＳ（合体型ＰｉＮショットキー）ダイオードへ適用することも可能である。

【図1】

【図2】

【図2A】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】