(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022026114
(43)【公開日】2022-02-10
(54)【発明の名称】高周波受動部品
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20220203BHJP
H05K 1/14 20060101ALI20220203BHJP
H01P 1/203 20060101ALI20220203BHJP
H01P 7/08 20060101ALI20220203BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 301Z
H05K1/14 G
H01P1/203
H01P7/08
H01L23/12 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020129429
(22)【出願日】2020-07-30
(71)【出願人】
【識別番号】000005186
【氏名又は名称】株式会社フジクラ
(74)【代理人】
【識別番号】100106909
【弁理士】
【氏名又は名称】棚井 澄雄
(74)【代理人】
【識別番号】100126882
【弁理士】
【氏名又は名称】五十嵐 光永
(74)【代理人】
【識別番号】100160093
【弁理士】
【氏名又は名称】小室 敏雄
(74)【代理人】
【識別番号】100169764
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】土谷 信之介
【テーマコード（参考）】
5E344
5J006
【Ｆターム（参考）】
5E344AA02
5E344AA19
5E344AA22
5E344BB06
5E344BB08
5E344BB10
5E344CC24
5E344CD09
5E344DD02
5E344EE21
5J006HB03
5J006HB15
5J006HB21
5J006JA01
5J006PA03
(57)【要約】
【課題】量産性よく製造することができる高周波受動部品を提供する。
【解決手段】高周波受動部品１０は、高周波用基板１と、被接続基板２と、接続部３とを備える。高周波用基板１は、第１基材１１と、第１導体層１２と、第２導体層１３とを有する。第１基材１１は、被接続基板２と対向する第１対向面１１ａを有する。第１導体層１２は、第１対向面１１ａに形成された共振器１４を含む。第２導体層１３は、第１基材１１の第１対向面１１ａとは反対の面である第１外面１１ｂに形成された接地導体層である。被接続基板２は、第２基材２１と、第３導体層２２とを有する。第２基材２１は、高周波用基板１と対向する第２対向面２１ａを有する。第３導体層２２は、第２対向面２１ａに形成された接地導体層を含む導体層である。接続部３は、第１導体層１２と第３導体層２２とを電気的に接続する。共振器１４は、空間４を隔てて第３導体層２２と対向する。
【選択図】図１
【解決手段】高周波受動部品１０は、高周波用基板１と、被接続基板２と、接続部３とを備える。高周波用基板１は、第１基材１１と、第１導体層１２と、第２導体層１３とを有する。第１基材１１は、被接続基板２と対向する第１対向面１１ａを有する。第１導体層１２は、第１対向面１１ａに形成された共振器１４を含む。第２導体層１３は、第１基材１１の第１対向面１１ａとは反対の面である第１外面１１ｂに形成された接地導体層である。被接続基板２は、第２基材２１と、第３導体層２２とを有する。第２基材２１は、高周波用基板１と対向する第２対向面２１ａを有する。第３導体層２２は、第２対向面２１ａに形成された接地導体層を含む導体層である。接続部３は、第１導体層１２と第３導体層２２とを電気的に接続する。共振器１４は、空間４を隔てて第３導体層２２と対向する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高周波用基板と、被接続基板と、前記高周波用基板と前記被接続基板とを接続する接続部と、を備え、
前記高周波用基板は、
前記被接続基板と対向する第１対向面を有する絶縁性の第１基材と、
前記第１対向面に形成され、電磁結合を利用して高周波の電力または信号の授受を行う共振器を含む第１導体層と、
前記第１基材の前記第１対向面とは反対の面である第１外面に形成された接地導体層である第２導体層と、を有し、
前記被接続基板は、
前記高周波用基板と対向する第２対向面を有する第２基材と、
前記第２対向面に形成された接地導体層を含む第３導体層と、を有し、
前記接続部は、前記第１導体層と前記第３導体層とを電気的に接続し、
前記共振器は、空間を隔てて前記第３導体層と対向する、高周波受動部品。
前記高周波用基板は、
前記被接続基板と対向する第１対向面を有する絶縁性の第１基材と、
前記第１対向面に形成され、電磁結合を利用して高周波の電力または信号の授受を行う共振器を含む第１導体層と、
前記第１基材の前記第１対向面とは反対の面である第１外面に形成された接地導体層である第２導体層と、を有し、
前記被接続基板は、
前記高周波用基板と対向する第２対向面を有する第２基材と、
前記第２対向面に形成された接地導体層を含む第３導体層と、を有し、
前記接続部は、前記第１導体層と前記第３導体層とを電気的に接続し、
前記共振器は、空間を隔てて前記第３導体層と対向する、高周波受動部品。
【請求項2】
前記第１導体層は、前記接続部を介して前記第３導体層と接続され、
前記第１導体層と前記第１対向面との間の少なくとも一部の領域に、第１応力緩和層が形成されている、請求項１記載の高周波受動部品。
前記第１導体層と前記第１対向面との間の少なくとも一部の領域に、第１応力緩和層が形成されている、請求項１記載の高周波受動部品。
【請求項3】
前記第１応力緩和層は、平面視において、前記第１導体層の外縁部を含む領域に形成されている、請求項２記載の高周波受動部品。
【請求項4】
前記第２導体層と前記第１外面との間の少なくとも一部の領域に、第２応力緩和層が形成されている、請求項１～３のうちいずれか１項に記載の高周波受動部品。
【請求項5】
前記第１導体層の表面に、前記接続部が形成される開口を有するカバー層が形成されている、請求項１～４のうちいずれか１項に記載の高周波受動部品。
【請求項6】
前記第１対向面と前記第２対向面の少なくとも一方に、調整凹部または調整凸部が形成され、
前記調整凹部または前記調整凸部が前記第１対向面に形成されている場合、前記共振器は、前記第１対向面に形成された前記調整凹部の内面、または前記第１対向面に形成された前記調整凸部の突出面に形成され、
前記調整凹部または前記調整凸部が前記第２対向面に形成されている場合、前記共振器に対向する前記第３導体層は、前記第２対向面に形成された前記調整凹部の内面、または前記第２対向面に形成された前記調整凸部の突出面に形成されている、請求項１～５のうちいずれか１項に記載の高周波受動部品。
前記調整凹部または前記調整凸部が前記第１対向面に形成されている場合、前記共振器は、前記第１対向面に形成された前記調整凹部の内面、または前記第１対向面に形成された前記調整凸部の突出面に形成され、
前記調整凹部または前記調整凸部が前記第２対向面に形成されている場合、前記共振器に対向する前記第３導体層は、前記第２対向面に形成された前記調整凹部の内面、または前記第２対向面に形成された前記調整凸部の突出面に形成されている、請求項１～５のうちいずれか１項に記載の高周波受動部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波受動部品に関する。
【背景技術】
【0002】
電磁結合を利用して高周波の電力または信号の授受を行う共振器を備えた電子部品が用いられている（例えば、特許文献１を参照）。
特許文献１に記載の電子部品は、誘電体フィルタであり、誘電体基板と、アース電極と、共振電極とを備える。誘電体基板は、複数の誘電体層が積層されて構成される。アース電極および共振電極は誘電体基板内に設けられる。
特許文献１に記載の電子部品は、誘電体フィルタであり、誘電体基板と、アース電極と、共振電極とを備える。誘電体基板は、複数の誘電体層が積層されて構成される。アース電極および共振電極は誘電体基板内に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第４４０１５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、前記電子部品は、複数の誘電体層が積層された誘電体基板を用いるため、量産性よく製造するのが容易でなかった。
【0005】
本発明の一態様は、量産性よく製造することができる高周波受動部品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様は、高周波用基板と、被接続基板と、前記高周波用基板と前記被接続基板とを接続する接続部と、を備え、前記高周波用基板は、前記被接続基板と対向する第１対向面を有する絶縁性の第１基材と、前記第１対向面に形成され、電磁結合を利用して高周波の電力または信号の授受を行う共振器を含む第１導体層と、前記第１基材の前記第１対向面とは反対の面である第１外面に形成された接地導体層である第２導体層と、を有し、前記被接続基板は、前記高周波用基板と対向する第２対向面を有する第２基材と、前記第２対向面に形成された接地導体層を含む第３導体層と、を有し、前記接続部は、前記第１導体層と前記第３導体層とを電気的に接続し、前記共振器は、空間を隔てて前記第３導体層と対向する、高周波受動部品を提供する。
【0007】
前記構成によれば、第１外面に第２導体層（接地導体層）を有する高周波用基板の共振器は、空間を隔てて、接地導体層を含む第３導体層に対向する。平面視において、前記共振器の少なくとも一部は、前記第２導体層と、前記第３導体層における接地導体層との両方と重なっている。前記高周波受動部品は、複数の誘電体層が積層された基板を用いた電子部品に比べて構造が簡単であるため、製造が容易である。よって、前記構成の高周波受動部品は、量産性の点で優れている。
前記構成によれば、共振器は、第２導体層と、第３導体層における接地導体層との間に配置されている。すなわち、共振器は、２つの接地導体層の間に配置されている。よって、高周波特性（例えば、誘電正接の小ささ）に優れた高周波受動部品が得られる。
前記構成によれば、共振器は、第２導体層と、第３導体層における接地導体層との間に配置されている。すなわち、共振器は、２つの接地導体層の間に配置されている。よって、高周波特性（例えば、誘電正接の小ささ）に優れた高周波受動部品が得られる。
【0008】
前記高周波受動部品は、共振器と第２導体層とが絶縁性の第１基材で隔てられ、共振器と第３導体層とが空間で隔てられた構造を有する。そのため、信号の損失（例えば、誘電損失）を低く抑えることができる。
【0009】
前記第１導体層は、前記接続部を介して前記第３導体層と接続され、前記第１導体層と前記第１対向面との間の少なくとも一部の領域に、第１応力緩和層が形成されていることが好ましい。
【0010】
前記第１応力緩和層は、平面視において、前記第１導体層の外縁部を含む領域に形成されていてもよい。
【0011】
前記高周波受動部品は、前記第２導体層と前記第１外面との間の少なくとも一部の領域に、第２応力緩和層が形成されている構成であってもよい。
【0012】
前記第１導体層の表面に、前記接続部が形成される開口を有するカバー層が形成されていてもよい。
【0013】
前記高周波受動部品は、前記第１対向面と前記第２対向面の少なくとも一方に、調整凹部または調整凸部が形成され、前記調整凹部または前記調整凸部が前記第１対向面に形成されている場合、前記共振器は、前記第１対向面に形成された前記調整凹部の内面、または前記第１対向面に形成された前記調整凸部の突出面に形成され、前記調整凹部または前記調整凸部が前記第２対向面に形成されている場合、前記共振器に対向する前記第３導体層は、前記第２対向面に形成された前記調整凹部の内面、または前記第２対向面に形成された前記調整凸部の突出面に形成されていてもよい。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一態様によれば、量産性よく製造することができる高周波受動部品を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】第１実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図2】第１導体層の第１の例の模式的な平面図である。
【図3】第３導体層の例の模式的な平面図である。
【図4】第１導体層の第２の例の模式的な平面図である。
【図5】第２実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図6】第３実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図7】第４実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図8】第５実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図9】第６実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図10】第７実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図11】第８実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図12】第９実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図13】第１０実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図14】第１１実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図15】第１２実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図16】第１３実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【図17】第１４実施形態の高周波受動部品の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
［高周波受動部品］（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の高周波受動部品１０の模式的な断面図である。
以下、図１に即して各構成の位置関係を規定する。例えば、高周波用基板１はモジュール基板２に対して上方に位置する。ここで定めた位置関係は、高周波受動部品１０の使用時の姿勢を限定しない。高周波用基板１およびモジュール基板２の厚さ方向から見ることを平面視という。
図１は、第１実施形態の高周波受動部品１０の模式的な断面図である。
以下、図１に即して各構成の位置関係を規定する。例えば、高周波用基板１はモジュール基板２に対して上方に位置する。ここで定めた位置関係は、高周波受動部品１０の使用時の姿勢を限定しない。高周波用基板１およびモジュール基板２の厚さ方向から見ることを平面視という。
【0017】
図１は、高周波受動部品１０の模式的な断面図である。図１は、図２におけるｙ１－ｙ１断面を示す。図２は、第１導体層１２の第１の例である第１導体層１２Ａを示す平面図である。図３は、第３導体層２２の模式的な平面図である。
【0018】
図１に示すように、高周波受動部品１０は、高周波用基板１と、モジュール基板２（被接続基板）と、１または複数の接続部３とを備える。
高周波用基板１は、第１基材１１と、第１導体層１２と、第２導体層１３とを備える。
第１基材１１は、絶縁性の基材であり、矩形板状に形成されている。第１基材１１としては、ガラス基材、樹脂基材、セラミックス基材などの誘電体基材が好適である。ガラス基材を構成するガラスは、例えば、石英ガラスである。樹脂基材を構成する樹脂は、例えば、フッ素樹脂である。セラミックス基材を構成するセラミックスは、例えば、Ａｌ２Ｏ３である。
第１基材１１を構成する材料は、高周波特性の優れた材料が好ましい。高周波特性としては、例えば、誘電正接を挙げることができる。誘電正接が小さい場合、高周波特性が優れているといえる。
高周波用基板１は、第１基材１１と、第１導体層１２と、第２導体層１３とを備える。
第１基材１１は、絶縁性の基材であり、矩形板状に形成されている。第１基材１１としては、ガラス基材、樹脂基材、セラミックス基材などの誘電体基材が好適である。ガラス基材を構成するガラスは、例えば、石英ガラスである。樹脂基材を構成する樹脂は、例えば、フッ素樹脂である。セラミックス基材を構成するセラミックスは、例えば、Ａｌ２Ｏ３である。
第１基材１１を構成する材料は、高周波特性の優れた材料が好ましい。高周波特性としては、例えば、誘電正接を挙げることができる。誘電正接が小さい場合、高周波特性が優れているといえる。
【0019】
図１において、第１基材１１の下面は、モジュール基板２に対向する面である。第１基材１１の下面を第１対向面１１ａという。第１基材１１の上面は第１対向面１１ａとは反対の面である。第１基材１１の上面を第１外面１１ｂという。
第１導体層１２は、第１基材１１の第１対向面１１ａに形成される。第１導体層１２は、導電性材料、例えば、銅、銀、これらの合金などの金属で構成される。
第１導体層１２は、第１基材１１の第１対向面１１ａに形成される。第１導体層１２は、導電性材料、例えば、銅、銀、これらの合金などの金属で構成される。
【0020】
図２に示すように、第１導体層１２Ａは、共振器１４を形成する。共振器１４は、共振パターン１５（共振配線部）と、入力部１６と、出力部１７と、第１グランド部５と、第２グランド部６とを備える。なお、共振器１４では、「１６」は出力部であってもよい。「１７」は入力部であってもよい。
図２における左右方向をＸ方向という。右方向を＋Ｘ方向という。左方向を－Ｘ方向という。図２における上下方向をＹ方向という。上方向を＋Ｙ方向という。下方向を－Ｙ方向という。
図２における左右方向をＸ方向という。右方向を＋Ｘ方向という。左方向を－Ｘ方向という。図２における上下方向をＹ方向という。上方向を＋Ｙ方向という。下方向を－Ｙ方向という。
【0021】
共振パターン１５は、複数の主配線１５ａ～１５ｃを備える。この例では、主配線の数は３つである。３つの主配線１５ａ～１５ｃをそれぞれ第１～第３主配線１５ａ，１５ｂ，１５ｃという。主配線１５ａ～１５ｃは、それぞれＹ方向に延在する。主配線１５ａ～１５ｃの長さ（Ｙ方向の寸法）は互いに等しい。
【0022】
第１主配線１５ａは、主配線１５ａ～１５ｃのうち最も－Ｘ方向寄りに位置する配線である。第２主配線１５ｂは、第１主配線１５ａに対して＋Ｘ方向に離れて位置する。第３主配線１５ｃは、第２主配線１５ｂに対して＋Ｘ方向に離れて位置する。第３主配線１５ｃは、主配線１５ａ～１５ｃのうち最も＋Ｘ方向寄りに位置する配線である。
【0023】
第１主配線１５ａと第３主配線１５ｃとは、Ｙ方向の位置が互いに同じである。第２主配線１５ｂの一端１５ｂ１（図２において上端）は、主配線１５ａ，１５ｃの一端１５ａ１，１５ｃ１に比べて＋Ｙ方向寄りに位置する。第２主配線１５ｂの他端１５ｂ２（図２において下端）は、主配線１５ａ，１５ｃの他端１５ａ２，１５ｃ２に比べて＋Ｙ方向寄りに位置する。第２主配線１５ｂの他端１５ｂ２は、主配線１５ａ，１５ｃの一端１５ａ１，１５ｃ１に比べて－Ｙ方向寄りに位置する。
【0024】
入力部１６は、信号線１６ａと、第１グランド配線１６ｂと、第２グランド配線１６ｃと、を備える。信号線１６ａには、接続部３を介して第３導体層２２の一方の信号線２２ａ（図３参照）と接続される接続パッド２３Ａが形成されている。第１グランド配線１６ｂおよび第２グランド配線１６ｃには、接続部３を介して第３導体層２２の接地導体部２２ｂ（図３参照）と接続される接続パッド２３Ａが形成されている。
【0025】
信号線１６ａは、第１主配線１５ａの外側縁１５ａ３（－Ｘ方向側の側縁）の－Ｙ方向寄りの部分（図２における第１主配線１５ａの下部）から－Ｘ方向に延出する。
第１グランド配線１６ｂは、信号線１６ａに対して＋Ｙ方向に離れて位置する。第１グランド配線１６ｂは、Ｘ方向に延在する。第１グランド配線１６ｂは、信号線１６ａと並行して形成されている。第１グランド配線１６ｂは、第１主配線１５ａに対して－Ｘ方向に離れて形成されている。
第１グランド配線１６ｂは、信号線１６ａに対して＋Ｙ方向に離れて位置する。第１グランド配線１６ｂは、Ｘ方向に延在する。第１グランド配線１６ｂは、信号線１６ａと並行して形成されている。第１グランド配線１６ｂは、第１主配線１５ａに対して－Ｘ方向に離れて形成されている。
【0026】
第２グランド配線１６ｃは、信号線１６ａに対して－Ｙ方向に離れて位置する。第２グランド配線１６ｃは、Ｘ方向に延在する。第２グランド配線１６ｃは、信号線１６ａと並行して形成されている。第２グランド配線１６ｃは、第１主配線１５ａに対して－Ｘ方向に離れて形成されている。
信号線１６ａ、第１グランド配線１６ｂおよび第２グランド配線１６ｃは、「配線１６ａ～１６ｃ」ともいう。
信号線１６ａ、第１グランド配線１６ｂおよび第２グランド配線１６ｃは、「配線１６ａ～１６ｃ」ともいう。
【0027】
出力部１７は、信号線１７ａと、第１グランド配線１７ｂと、第２グランド配線１７ｃと、を備える。信号線１７ａには、接続部３を介して第３導体層２２の他方の信号線２２ａ（図３参照）と接続される接続パッド２３Ａが形成されている。第１グランド配線１７ｂおよび第２グランド配線１７ｃには、接続部３を介して第３導体層２２の接地導体部２２ｂ（図３参照）と接続される接続パッド２３Ａが形成されている。
【0028】
信号線１７ａは、第３主配線１５ｃの外側縁１５ｃ３（＋Ｘ方向側の側縁）の－Ｙ方向寄りの部分（図２における第３主配線１５ｃの下部）から＋Ｘ方向に延出する。
第１グランド配線１７ｂは、信号線１７ａに対して＋Ｙ方向に離れて位置する。第１グランド配線１７ｂは、Ｘ方向に延在する。第１グランド配線１７ｂは、信号線１７ａと並行して形成されている。第１グランド配線１７ｂは、第３主配線１５ｃに対して＋Ｘ方向に離れて形成されている。
第１グランド配線１７ｂは、信号線１７ａに対して＋Ｙ方向に離れて位置する。第１グランド配線１７ｂは、Ｘ方向に延在する。第１グランド配線１７ｂは、信号線１７ａと並行して形成されている。第１グランド配線１７ｂは、第３主配線１５ｃに対して＋Ｘ方向に離れて形成されている。
【0029】
第２グランド配線１７ｃは、信号線１７ａに対して－Ｙ方向に離れて位置する。第２グランド配線１７ｃは、Ｘ方向に延在する。第２グランド配線１７ｃは、信号線１７ａと並行して形成されている。第２グランド配線１７ｃは、第３主配線１５ｃに対して＋Ｘ方向に離れて形成されている。
信号線１７ａ、第１グランド配線１７ｂおよび第２グランド配線１７ｃは、「配線１７ａ～１７ｃ」ともいう。
信号線１７ａ、第１グランド配線１７ｂおよび第２グランド配線１７ｃは、「配線１７ａ～１７ｃ」ともいう。
【0030】
入力部１６と出力部１７とは、Ｙ方向の位置（図２における上下方向の位置）がほぼ同じである。詳しくは、信号線１６ａと信号線１７ａとはＹ方向の位置がほぼ同じである。第１グランド配線１６ｂと第１グランド配線１７ｂとは、Ｙ方向の位置がほぼ同じである。第２グランド配線１６ｃと第２グランド配線１７ｃとは、Ｙ方向の位置がほぼ同じである。
【0031】
第１グランド部５は、主延在部５ａと、第１側延出部５ｂと、第２側延出部５ｃとを備える。主延在部５ａは、Ｘ方向に延在する。主延在部５ａの少なくとも一部は、主配線１５ａ～１５ｃに対して＋Ｙ方向側に離れて位置する。第１側延出部５ｂは、主延在部５ａの一端から－Ｙ方向に延出する。第１側延出部５ｂの先端５ｂ１を含む部分は、第１主配線１５ａに対して－Ｘ方向側に位置する。第１側延出部５ｂの先端５ｂ１は、第１グランド配線１６ｂに対向する。第２側延出部５ｃは、主延在部５ａの他端から－Ｙ方向に延出する。第２側延出部５ｃの先端５ｃ１を含む部分は、第３主配線１５ｃに対して＋Ｘ方向側に位置する。第２側延出部５ｃの先端５ｃ１は、第１グランド配線１７ｂに対向する。
【0032】
第２グランド部６は、Ｘ方向に延在する。第２グランド部６の少なくとも一部は、主配線１５ａ～１５ｃに対して－Ｙ方向側に離れて位置する。
【0033】
第１グランド部５および第２グランド部６は、概略、共振パターン１５を包囲して形成されている。第１グランド部５および第２グランド部６には、接続部３を介して第３導体層２２の接地導体部２２ｂ（図３参照）と接続される接続パッド２３Ａが形成されている。第１グランド部５および第２グランド部６は、貫通配線１８によって第２導体層１３（接地導体層）と電気的に接続されている（図１参照）。
【0034】
なお、図２に示す共振器１４における共振パターン１５は、独立した複数の主配線を備えるが、複数の主配線の一部は互いに電気的に接続されていてもよい。複数の主配線の一部は、貫通配線を介して互いに接続されていてもよい。
【0035】
共振器１４は、電磁結合を利用して高周波の電力または信号の授受を行うことができる。高周波の電力または信号の周波数は、例えば、１０～３００ＧＨｚ、６０～８０ＧＨｚ等が挙げられる。高周波の電磁波は、例えば、ミリ波である。共振器１４は、平面視において、少なくとも一部が第２導体層１３および第３導体層２２（図１参照）と重なる位置にある。
【0036】
第２導体層１３は、第１基材１１の第１外面１１ｂに形成される。第２導体層１３は、導電性材料、例えば、銅、銀、これらの合金などの金属で構成される。第２導体層１３は、接地導体層である。
【0037】
図１に示すように、第１基材１１には、複数の貫通孔１１ｃが形成されている。貫通孔１１ｃは、第１対向面１１ａから第１外面１１ｂにかけて形成されている。貫通孔１１ｃは、第１基材１１を厚さ方向に貫通する。
貫通孔１１ｃには、それぞれ貫通配線１８が形成されている。貫通配線１８の一端（図１において下端）は、第１グランド部５および第２グランド部６（図２参照）に達している。貫通配線１８の他端（図１において上端）は、第２導体層１３に達している。
貫通孔１１ｃには、それぞれ貫通配線１８が形成されている。貫通配線１８の一端（図１において下端）は、第１グランド部５および第２グランド部６（図２参照）に達している。貫通配線１８の他端（図１において上端）は、第２導体層１３に達している。
【0038】
モジュール基板２は、第２基材２１と、第３導体層２２とを備える。
第２基材２１は、絶縁性の基材であり、板状に形成されている。図１において、第２基材２１の上面である第２対向面２１ａは、高周波用基板１に対向する面である。第２対向面２１ａは、例えば、高周波用基板１の下面（第１対向面１１ａ）と平行である。
第２基材２１は、絶縁性の基材であり、板状に形成されている。図１において、第２基材２１の上面である第２対向面２１ａは、高周波用基板１に対向する面である。第２対向面２１ａは、例えば、高周波用基板１の下面（第１対向面１１ａ）と平行である。
【0039】
第３導体層２２は、第２基材２１の第２対向面２１ａに形成される。第３導体層２２は、導電性材料、例えば、銅、銀、これらの合金などの金属で構成される。第３導体層２２は、平面視において、少なくとも一部が第１導体層１２に重なる。
【0040】
図３に示すように、第３導体層２２は、一対の信号線２２ａと、接地導体部２２ｂとを備える。接地導体部２２ｂは接地導体層であるため、第３導体層２２は、接地導体層を含む導体層である。
信号線２２ａは、接地導体部２２ｂに形成された開口２２ｃ内に形成される。信号線２２ａおよび接地導体部２２ｂには、接続部３が接続される複数の接続パッド２３Ｂが形成されている。
信号線２２ａは、接地導体部２２ｂに形成された開口２２ｃ内に形成される。信号線２２ａおよび接地導体部２２ｂには、接続部３が接続される複数の接続パッド２３Ｂが形成されている。
【0041】
第２基材２１には、送受信回路、アンテナパターンを形成してもよい。第２基材２１には、送受信ＩＣ、逓倍器等の電子部品を搭載してもよい。第２基材２１は、誘電体層と配線層とが交互に積層されて構成されたビルドアップ基板であってもよい。
【0042】
接続部３は、高周波用基板１とモジュール基板２とを接続する。詳しくは、接続部３は、第１導体層１２と第３導体層２２とを電気的に接続する。
接続部３の一端（図１において上端）は、第１導体層１２に達している。例えば、図２に示すように、複数の接続部３の一端は、それぞれ入力部１６、出力部１７およびグランド部５，６に形成された接続パッド２３Ａに接続される。接続部３の他端（図１において下端）は、第３導体層２２の信号線２２ａおよび接地導体部２２ｂに形成された接続パッド２３Ｂ（図３参照）に接続される。
接続部３は、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。
接続部３の一端（図１において上端）は、第１導体層１２に達している。例えば、図２に示すように、複数の接続部３の一端は、それぞれ入力部１６、出力部１７およびグランド部５，６に形成された接続パッド２３Ａに接続される。接続部３の他端（図１において下端）は、第３導体層２２の信号線２２ａおよび接地導体部２２ｂに形成された接続パッド２３Ｂ（図３参照）に接続される。
接続部３は、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。
【0043】
本実施形態では、接続部３は、入力部１６、出力部１７およびグランド部５，６に形成されているが、これらに加え、入力部１６、出力部１７およびグランド部５，６以外の箇所にも接続部３を設けることができる。これにより、高周波用基板１とモジュール基板２との接続安定性を高めることができる。
入力部１６、出力部１７およびグランド部５，６以外の箇所にも接続部３を設ける場合には、第１対向面１１ａおよび第２対向面２１ａに導体層および接続パッドを形成し、この接続パッドに接続部を形成する。
入力部１６、出力部１７およびグランド部５，６以外の箇所にも接続部３を設ける場合には、第１対向面１１ａおよび第２対向面２１ａに導体層および接続パッドを形成し、この接続パッドに接続部を形成する。
【0044】
接続部３は、高周波用基板１とモジュール基板２とを間隔をおいた状態で接合している。これによって、第１導体層１２の共振器１４は、空間４（空隙層）を隔てて第３導体層２２と対向する。
【0045】
［高周波受動部品の製造方法］
高周波受動部品１０を製造する方法の一例を、図１を参照して説明する。
高周波受動部品１０を製造する方法の一例を、図１を参照して説明する。
【0046】
（準備工程）
図１に示すように、第１基材１１および第２基材２１を用意する。
図１に示すように、第１基材１１および第２基材２１を用意する。
【0047】
（穿孔工程）
第１基材１１に、貫通孔１１ｃを形成する。
第１基材１１に、貫通孔１１ｃを形成する。
【0048】
（導体層形成工程）
第１基材１１の第１対向面１１ａに、接続パッド２３Ａを有する第１導体層１２を形成する。第１基材１１の第１外面１１ｂに第２導体層１３を形成する。第１基材１１の貫通孔１１ｃに貫通配線１８を形成する。第１導体層１２、第２導体層１３、貫通配線１８および接続パッド２３Ａは、無電解メッキ、電解メッキ、蒸着、スパッタ、導電ペーストなどにより形成することができる。
第１基材１１の第１対向面１１ａに、接続パッド２３Ａを有する第１導体層１２を形成する。第１基材１１の第１外面１１ｂに第２導体層１３を形成する。第１基材１１の貫通孔１１ｃに貫通配線１８を形成する。第１導体層１２、第２導体層１３、貫通配線１８および接続パッド２３Ａは、無電解メッキ、電解メッキ、蒸着、スパッタ、導電ペーストなどにより形成することができる。
【0049】
第２基材２１の第２対向面２１ａに、接続パッド２３Ｂを有する第３導体層２２を形成する。第３導体層２２および接続パッド２３Ｂは、無電解メッキ、電解メッキ、蒸着、スパッタ、導電ペーストなどにより形成することができる。
【0050】
はんだ付けなどにより接続部３を形成する。接続部３は、高周波用基板１とモジュール基板２とを接続する。これにより、高周波受動部品１０を得る。
【0051】
［第１実施形態の高周波受動部品が奏する効果］
高周波受動部品１０は、第１外面１１ｂに第２導体層１３（接地導体層）を有する高周波用基板１の共振器１４が、空間４を隔ててモジュール基板２の第３導体層２２（一部が接地導体層）に対向する構造を有する。高周波受動部品１０は、複数の誘電体層が積層された基板を用いた電子部品に比べて構造が簡単であるため、製造が容易である。よって、高周波受動部品１０は、量産性の点で優れている。
高周波受動部品１０は、第１外面１１ｂに第２導体層１３（接地導体層）を有する高周波用基板１の共振器１４が、空間４を隔ててモジュール基板２の第３導体層２２（一部が接地導体層）に対向する構造を有する。高周波受動部品１０は、複数の誘電体層が積層された基板を用いた電子部品に比べて構造が簡単であるため、製造が容易である。よって、高周波受動部品１０は、量産性の点で優れている。
【0052】
高周波受動部品１０では、共振器１４は、第２導体層１３（接地導体層）と、第３導体層２２（一部が接地導体層）との間に配置されている。すなわち、共振器１４は、２つの接地導体層の間に配置されている。共振器１４は、誘電正接が最小となる空気の層（空間４）によって第３導体層２２と隔てられている。よって、高周波特性（例えば、誘電正接の小ささ）に優れた高周波受動部品１０が得られる。
【0053】
高周波受動部品１０は、共振器１４と第２導体層１３とが絶縁性の第１基材１１で隔てられ、共振器１４と第３導体層２２とが空間４で隔てられた構造を有する。そのため、信号の損失（誘電損失）を低く抑えることができる。
【0054】
高周波受動部品１０は、高周波用基板１の第１基材１１がガラス基材または樹脂基材である場合、高周波特性を高めることができる。例えば、誘電正接を小さくできる。
高周波受動部品１０は前述の簡略な構造により、第１基材１１に大きな力が加えられにくい。そのため、第１基材１１が脆弱であっても破損が起こりにくい。
高周波受動部品１０は前述の簡略な構造により、第１基材１１に大きな力が加えられにくい。そのため、第１基材１１が脆弱であっても破損が起こりにくい。
【0055】
図４は、第１導体層１２の第２の例である第１導体層１２Ｂの模式的な平面図である。
図４に示すように、第１導体層１２Ｂは、共振器１１４を形成する。共振器１１４は、共振パターン１１５（共振配線部）と、入力部１６と、出力部１７と、第１グランド部１０５と、第２グランド部１０６とを備える。図２に示す第１導体層１２Ａと共通の構成については同じ符号を付して説明を省略する。なお、共振器１１４では、「１６」は出力部であってもよい。「１７」は入力部であってもよい。
図４に示すように、第１導体層１２Ｂは、共振器１１４を形成する。共振器１１４は、共振パターン１１５（共振配線部）と、入力部１６と、出力部１７と、第１グランド部１０５と、第２グランド部１０６とを備える。図２に示す第１導体層１２Ａと共通の構成については同じ符号を付して説明を省略する。なお、共振器１１４では、「１６」は出力部であってもよい。「１７」は入力部であってもよい。
【0056】
共振パターン１１５は、複数の主配線１１５ａ～１１５ｄを備える。この例では、主配線の数は４つである。
入力部１６は、出力部１７に比べて、＋Ｙ方向寄りに位置する。
入力部１６は、出力部１７に比べて、＋Ｙ方向寄りに位置する。
【0057】
第１グランド部１０５は、主延在部１０５ａと、側延出部１０５ｂとを備える。主延在部１０５ａは、Ｘ方向に延在する。主延在部１０５ａの少なくとも一部は、主配線１１５ａ～１１５ｄに対して＋Ｙ方向側に離れて位置する。
側延出部１０５ｂは、主延在部１０５ａの一端から－Ｙ方向に延出する。側延出部１０５ｂの先端１０５ｂ１を含む部分は、主配線１１５ｄに対して＋Ｘ方向側に位置する。側延出部１０５ｂの先端１０５ｂ１は、第１グランド配線１７ｂに対向する。
側延出部１０５ｂは、主延在部１０５ａの一端から－Ｙ方向に延出する。側延出部１０５ｂの先端１０５ｂ１を含む部分は、主配線１１５ｄに対して＋Ｘ方向側に位置する。側延出部１０５ｂの先端１０５ｂ１は、第１グランド配線１７ｂに対向する。
【0058】
第２グランド部１０６は、主延在部１０６ａと、側延出部１０６ｂとを備える。主延在部１０６ａは、Ｘ方向に延在する。主延在部１０６ａの少なくとも一部は、主配線１１５ａ～１１５ｄに対して－Ｙ方向側に離れて位置する。
側延出部１０６ｂは、主延在部１０６ａの一端から＋Ｙ方向に延出する。側延出部１０６ｂの先端１０６ｂ１を含む部分は、主配線１１５ａに対して－Ｘ方向側に位置する。側延出部１０６ｂの先端１０６ｂ１は、第２グランド配線１６ｃに対向する。
側延出部１０６ｂは、主延在部１０６ａの一端から＋Ｙ方向に延出する。側延出部１０６ｂの先端１０６ｂ１を含む部分は、主配線１１５ａに対して－Ｘ方向側に位置する。側延出部１０６ｂの先端１０６ｂ１は、第２グランド配線１６ｃに対向する。
【0059】
第１グランド部１０５および第２グランド部１０６には、接続部３を介して第３導体層２２の接地導体部２２ｂ（図３参照）と接続される接続パッド２３Ａが形成されている。第１グランド部１０５および第２グランド部１０６は、貫通配線１８によって第２導体層１３と電気的に接続されている（図１参照）。
【0060】
［高周波受動部品］（第２実施形態）
図５は、第２実施形態の高周波受動部品１０Ａの模式的な断面図である。図５は、図２におけるｙ１－ｙ１断面を示す。以下、既出の実施形態との共通構成については、同じ符号を付して説明を省略する。
図５は、第２実施形態の高周波受動部品１０Ａの模式的な断面図である。図５は、図２におけるｙ１－ｙ１断面を示す。以下、既出の実施形態との共通構成については、同じ符号を付して説明を省略する。
【0061】
図５に示すように、高周波受動部品１０Ａは、第１導体層１２と第１対向面１１ａとの間に、第１応力緩和層（応力緩和層）１９が形成されている。第１応力緩和層１９は、例えば、第１導体層１２のうち、入力部１６および出力部１７の配線１６ａ～１６ｃ，１７ａ～１７ｃ（図２参照。図５には不図示）と、第１対向面１１ａとの間に形成されている。第１グランド部５および第２グランド部６と、第１対向面１１ａとの間にも、第１応力緩和層１９が形成されている。
【0062】
第１応力緩和層１９は、例えば、平面視において、配線１６ａ～１６ｃ，１７ａ～１７ｃおよびグランド部５，６の全領域を包含して形成されている。配線１６ａ～１６ｃ，１７ａ～１７ｃおよびグランド部５，６は、第１応力緩和層１９によって第１対向面１１ａから隔てられている。
【0063】
第１応力緩和層（応力緩和層）１９の構成材料としては、誘電体、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂が挙げられる。
応力緩和層の線膨張係数（例えば、ＪＩＳ Ｋ７１９７に準拠）は、この層に接する導体層の線膨張係数より大きくてもよい。応力緩和層のヤング率（例えば、ＪＩＳ Ｋ７１６１、ＪＩＳ Ｋ７１７１等に準拠）は、この応力緩和層が接する基材および導体層のヤング率のいずれより小さいことが好ましい。応力緩和層のヤング率は、例えば、５ＧＰａ以下である。本実施形態では、第１応力緩和層１９のヤング率は、第１基材１１および第１導体層１２のヤング率のいずれより小さいことが好ましい。
応力緩和層（本実施形態では第１応力緩和層１９）は、この応力緩和層が接する基材（本実施形態では第１基材１１）が硬質基材（例えば、ヤング率５０ＧＰａ以上）である場合に、その機能を十分に発揮する。
高周波受動部品１０Ａの、第１応力緩和層１９以外の構成は、図１に示す高周波受動部品１０と同様としてよい。
応力緩和層の線膨張係数（例えば、ＪＩＳ Ｋ７１９７に準拠）は、この層に接する導体層の線膨張係数より大きくてもよい。応力緩和層のヤング率（例えば、ＪＩＳ Ｋ７１６１、ＪＩＳ Ｋ７１７１等に準拠）は、この応力緩和層が接する基材および導体層のヤング率のいずれより小さいことが好ましい。応力緩和層のヤング率は、例えば、５ＧＰａ以下である。本実施形態では、第１応力緩和層１９のヤング率は、第１基材１１および第１導体層１２のヤング率のいずれより小さいことが好ましい。
応力緩和層（本実施形態では第１応力緩和層１９）は、この応力緩和層が接する基材（本実施形態では第１基材１１）が硬質基材（例えば、ヤング率５０ＧＰａ以上）である場合に、その機能を十分に発揮する。
高周波受動部品１０Ａの、第１応力緩和層１９以外の構成は、図１に示す高周波受動部品１０と同様としてよい。
【0064】
高周波受動部品１０Ａは、第１導体層１２と第１対向面１１ａとの間に第１応力緩和層１９が設けられているため、第１導体層１２と第１基材１１との間の線膨張係数の差に起因して配線が第１基材１１から剥離するのを抑制できる。
【0065】
【0066】
図６に示すように、高周波受動部品１０Ｂは、第１導体層１２と第１対向面１１ａとの間の一部の領域に、第１応力緩和層（応力緩和層）２９が形成されている。第１応力緩和層２９は、例えば、第１導体層１２のうち、配線１６ａ～１６ｃ，１７ａ～１７ｃ（図２参照。図６には不図示）およびグランド部５，６と、第１対向面１１ａとの間の一部の領域に形成されている。
【0067】
第１応力緩和層２９は、平面視において、第１導体層１２の外縁部を含む領域に形成されている。第１応力緩和層２９は、例えば、平面視において、配線１６ａ～１６ｃ，１７ａ～１７ｃの外縁部、および、グランド部５，６の外縁部を包含するように形成されている。第１応力緩和層２９は、第１導体層１２の外縁部の全長に限らず、外縁部のうち少なくとも一部を包む領域に形成されていればよい。第１応力緩和層２９は、例えば、平面視において、接続部３を外れた位置に形成されている。第１応力緩和層は、第１導体層と第１対向面との間の少なくとも一部の領域に形成されていればよい。
【0068】
第１応力緩和層２９の構成材料としては、誘電体、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂が挙げられる。
高周波受動部品１０Ｂの、第１応力緩和層２９以外の構成は、図１に示す高周波受動部品１０と同様としてよい。
高周波受動部品１０Ｂの、第１応力緩和層２９以外の構成は、図１に示す高周波受動部品１０と同様としてよい。
【0069】
高周波受動部品１０Ｂは、第１導体層１２と、第１対向面１１ａとの間の一部領域に第１応力緩和層２９が設けられているため、第１導体層１２と第１基材１１との間の線膨張係数の差に起因して配線が第１基材１１から剥離するのを抑制できる。
第１応力緩和層２９は、平面視において、第１導体層１２の外周縁を含む部分のみに形成されているため、第１応力緩和層２９による信号の損失を最小限に抑えることができる。
第１応力緩和層２９は、平面視において、第１導体層１２の外周縁を含む部分のみに形成されているため、第１応力緩和層２９による信号の損失を最小限に抑えることができる。
【0070】
【0071】
図７に示すように、高周波受動部品１０Ｃは、第２導体層１３と、第１基材１１の第１外面１１ｂとの間の少なくとも一部の領域に、第２応力緩和層（応力緩和層）３９が形成されている。第２応力緩和層３９は、平面視において、第２導体層１３の外周縁を包む領域に形成されている。第２応力緩和層３９は、第２導体層１３の外縁部の全長に限らず、外縁部のうち少なくとも一部を包む領域に形成されていればよい。
【0072】
第２応力緩和層３９の構成材料としては、誘電体、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂が挙げられる。
高周波受動部品１０Ｃの、第２応力緩和層３９以外の構成は、図７に示す高周波受動部品１０Ｂと同様としてよい。高周波受動部品１０Ｃの第２応力緩和層３９以外の構成は、図５に示す高周波受動部品１０Ａと同様としてもよいし、図１に示す高周波受動部品１０と同様としてもよい。
第２応力緩和層３９は、第２導体層１３と第１外面１１ｂとの間の全領域を包含して形成されてもよい。
高周波受動部品１０Ｃの、第２応力緩和層３９以外の構成は、図７に示す高周波受動部品１０Ｂと同様としてよい。高周波受動部品１０Ｃの第２応力緩和層３９以外の構成は、図５に示す高周波受動部品１０Ａと同様としてもよいし、図１に示す高周波受動部品１０と同様としてもよい。
第２応力緩和層３９は、第２導体層１３と第１外面１１ｂとの間の全領域を包含して形成されてもよい。
【0073】
高周波受動部品１０Ｃは、第２導体層１３と第１外面１１ｂとの間に第２応力緩和層３９が設けられているため、第２導体層１３と第１基材１１との間の線膨張係数の差に起因して第２導体層１３が第１基材１１から剥離するのを抑制できる。
【0074】
【0075】
図８に示すように、高周波受動部品１０Ｄは、カバー層３１が高周波用基板１に設けられ、カバー層３２がモジュール基板２に設けられている。
カバー層３１は、平面視において、第１導体層１２の一部を含む領域に設けられている。カバー層３１は、第１導体層１２の入力部１６、出力部１７（図２参照。図８には不図示）およびグランド部５，６の少なくとも一部を覆う。カバー層３１は、平面視において接続部３を包囲して形成されている。カバー層３１は、接続部３が形成される開口３１ａを有する。
カバー層３１は、平面視において、第１導体層１２の一部を含む領域に設けられている。カバー層３１は、第１導体層１２の入力部１６、出力部１７（図２参照。図８には不図示）およびグランド部５，６の少なくとも一部を覆う。カバー層３１は、平面視において接続部３を包囲して形成されている。カバー層３１は、接続部３が形成される開口３１ａを有する。
【0076】
カバー層３２は、第３導体層２２の表面の一部領域を覆って設けられている。カバー層３２は、平面視において接続部３を包囲して形成されている。カバー層３２は、接続部３が形成される開口３２ａを有する。
カバー層３１，３２の構成材料としては、誘電体、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂が挙げられる。
高周波受動部品１０Ｄの、カバー層３１，３２以外の構成は、図７に示す高周波受動部品１０Ｃと同様としてよい。高周波受動部品１０Ｄのカバー層３１，３２以外の構成は、図６に示す高周波受動部品１０Ｂ、図５に示す高周波受動部品１０Ａ、または図１に示す高周波受動部品１０と同様としてもよい。
カバー層３１，３２の構成材料としては、誘電体、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等の樹脂が挙げられる。
高周波受動部品１０Ｄの、カバー層３１，３２以外の構成は、図７に示す高周波受動部品１０Ｃと同様としてよい。高周波受動部品１０Ｄのカバー層３１，３２以外の構成は、図６に示す高周波受動部品１０Ｂ、図５に示す高周波受動部品１０Ａ、または図１に示す高周波受動部品１０と同様としてもよい。
【0077】
高周波受動部品１０Ｄは、接続部３が形成される開口３１ａ，３２ａを有するカバー層３１，３２を備えるため、接続部３の形成が容易となる。
【0078】
【0079】
図９に示すように、高周波受動部品１０Ｅは、高周波用基板１とモジュール基板２との間にサイドフィル３３（充てん層）が設けられている。サイドフィル３３は、高周波用基板１の下面と、モジュール基板２の上面との間であって、接続部３の周辺部に設けられている。
サイドフィル３３の構成材料としては、誘電体、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂が挙げられる。
サイドフィル３３の構成材料としては、誘電体、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂等の樹脂が挙げられる。
【0080】
高周波受動部品１０Ｅの、サイドフィル３３以外の構成は、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様としてよい。高周波受動部品１０Ｅのサイドフィル３３以外の構成は、図７に示す高周波受動部品１０Ｃ、図６に示す高周波受動部品１０Ｂ、図５に示す高周波受動部品１０Ａ、または図１に示す高周波受動部品１０と同様としてもよい。
【0081】
高周波受動部品１０Ｅでは、サイドフィル３３を備えるため、高周波用基板１のモジュール基板２に対する接合強度を高めることができる。
【0082】
【0083】
図１０に示すように、高周波受動部品１０Ｆは、接続部３に代えて接続部４３を備えること以外は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様の構成を有する。
接続部４３は、コア部４３ａと、コア部４３ａの外周面を覆う接続層４３ｂとを備える。接続部４３は、いわゆるコアボールである。コア部４３ａは、例えば、球状に形成されている。コア部４３ａは、金属、樹脂などで構成される。コア部４３ａの構成材料の融点は接続層４３ｂの構成材料の融点より高い。接続層４３ｂは、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。
接続部４３は、コア部４３ａと、コア部４３ａの外周面を覆う接続層４３ｂとを備える。接続部４３は、いわゆるコアボールである。コア部４３ａは、例えば、球状に形成されている。コア部４３ａは、金属、樹脂などで構成される。コア部４３ａの構成材料の融点は接続層４３ｂの構成材料の融点より高い。接続層４３ｂは、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。
【0084】
高周波受動部品１０Ｆでは、コア部４３ａを有する接続部４３を用いる。接続部４３は高融点のコア部４３ａを有するため、変形しにくい。よって、高周波用基板１とモジュール基板２との距離を精度よく設定できる。
【0085】
【0086】
図１１に示すように、高周波受動部品１０Ｇは、接続部３に代えて、接続部５３を備えること以外は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様の構成を有する。
接続部５３は、柱状部５３ａ（ピラー）と、柱状部５３ａの上面に設けられた接続層５３ｂとを備える。柱状部５３ａは、例えば、対向面１１ａ，２１ａに対して垂直な中心軸を有する円柱状に形成されている。柱状部５３ａの少なくとも表面は導電性材料、例えば、銅などの金属で構成される。柱状部５３ａの構成材料の融点は接続層５３ｂの構成材料の融点より高い。接続層５３ｂは、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。柱状部５３ａの形状は円柱状に限らず、角柱状であってもよい。
接続部５３は、柱状部５３ａ（ピラー）と、柱状部５３ａの上面に設けられた接続層５３ｂとを備える。柱状部５３ａは、例えば、対向面１１ａ，２１ａに対して垂直な中心軸を有する円柱状に形成されている。柱状部５３ａの少なくとも表面は導電性材料、例えば、銅などの金属で構成される。柱状部５３ａの構成材料の融点は接続層５３ｂの構成材料の融点より高い。接続層５３ｂは、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。柱状部５３ａの形状は円柱状に限らず、角柱状であってもよい。
【0087】
高周波受動部品１０Ｇでは、柱状部５３ａを有する接続部５３を用いる。接続部５３は高融点の柱状部５３ａを有するため変形しにくい。よって、高周波用基板１とモジュール基板２との距離を精度よく設定できる。
【0088】
【0089】
図１２に示すように、高周波受動部品１０Ｈは、高周波用基板１の第１対向面１１ａに、調整凹部６１が形成されている。
第１導体層１２の共振器１４は、調整凹部６１の内面６１ａ（詳しくは、内天面６１ｂ）に形成されている。内天面６１ｂは、第２基材２１に対向する面であって、例えば、第２基材２１の第２対向面２１ａと平行である。
高周波受動部品１０Ｈのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
第１導体層１２の共振器１４は、調整凹部６１の内面６１ａ（詳しくは、内天面６１ｂ）に形成されている。内天面６１ｂは、第２基材２１に対向する面であって、例えば、第２基材２１の第２対向面２１ａと平行である。
高周波受動部品１０Ｈのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
【0090】
高周波受動部品１０Ｈでは、第１対向面１１ａに調整凹部６１が形成されるため、調整凹部６１の深さに応じて共振器１４と第３導体層２２との距離を調整することができる。よって、高周波受動部品１０Ｈの特性向上を図ることができる。
【0091】
【0092】
図１３に示すように、高周波受動部品１０Ｉは、高周波用基板１の第１対向面１１ａに、調整凸部６３が形成されている。調整凸部６３は、モジュール基板２の第２対向面２１ａに近づく方向（図１３において下方）に突出する。
第１導体層１２の共振器１４は、調整凸部６３の突出面６３ａに形成されている。突出面６３ａは、第２基材２１に対向する面であって、例えば、第２基材２１の第２対向面２１ａと平行である。
高周波受動部品１０Ｉのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
第１導体層１２の共振器１４は、調整凸部６３の突出面６３ａに形成されている。突出面６３ａは、第２基材２１に対向する面であって、例えば、第２基材２１の第２対向面２１ａと平行である。
高周波受動部品１０Ｉのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
【0093】
高周波受動部品１０Ｉでは、第１対向面１１ａに調整凸部６３が形成されるため、調整凸部６３の突出高さに応じて共振器１４と第３導体層２２との距離を調整することができる。よって、高周波受動部品１０Ｉの特性向上を図ることができる。
【0094】
【0095】
図１４に示すように、高周波受動部品１０Ｊは、モジュール基板２の第２対向面２１ａに、調整凹部６２が形成されている。６２ａは調整凹部６２の内面である。６２ｂは調整凹部６２の内面６２ａのうち底面である。底面６２ｂは、高周波用基板１の第１対向面１１ａに対向する面であり、例えば、第１対向面１１ａと平行である。調整凹部６２は、平面視において共振器１４を包含する領域に形成されている。
【0096】
第３導体層２２Ｊは、一対の信号線２２ａ（図３参照。図１４には不図示）と、接地導体部２２Ｊｂとを備える。接地導体部２２Ｊｂは、第１層２２Ｊｂ１と、第２層２２Ｊｂ２と、接続配線２２Ｊｂ３とを備える。第１層２２Ｊｂ１は、第２基材２１の第２対向面２１ａに形成されている。第２層２２Ｊｂ２は、調整凹部６２の底面６２ｂを含む高さ位置に形成されている。接続配線２２Ｊｂ３は、第１層２２Ｊｂ１と第２層２２Ｊｂ２とを接続する。
第２層２２Ｊｂ２のうち共振器１４に対向する部分は、調整凹部６２の内面６２ａ（詳しくは、底面６２ｂ）に形成されている。
高周波受動部品１０Ｊのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
第２層２２Ｊｂ２のうち共振器１４に対向する部分は、調整凹部６２の内面６２ａ（詳しくは、底面６２ｂ）に形成されている。
高周波受動部品１０Ｊのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
【0097】
高周波受動部品１０Ｊでは、第２対向面２１ａに調整凹部６２が形成されるため、調整凹部６２の深さに応じて共振器１４と第３導体層２２Ｊとの距離を調整することができる。よって、高周波受動部品１０Ｊの特性向上を図ることができる。
【0098】
【0099】
図１５に示すように、高周波受動部品１０Ｋは、共振器１４が接続部３Ｋを介して第３導体層２２と電気的に接続されている。共振器１４と第１対向面１１ａとの間の一部の領域には、応力緩和層２９Ｋが形成されている。応力緩和層２９Ｋは、平面視において、共振器１４の外周縁を含む部分に形成されている。応力緩和層２９Ｋは、接続部３Ｋを外れた位置に形成されている。
【0100】
共振器１４の表面の一部領域には、カバー層３１Ｋが形成されている。カバー層３１Ｋは、平面視において接続部３Ｋを包囲して形成されている。カバー層３１Ｋは、接続部３Ｋが形成される開口３１Ｋａを有する。
第３導体層２２の表面の一部領域には、カバー層３２Ｋが形成されている。カバー層３２Ｋは、平面視において接続部３Ｋを包囲して形成されている。カバー層３２Ｋは、接続部３Ｋが形成される開口３２Ｋａを有する。
高周波受動部品１０Ｋのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
第３導体層２２の表面の一部領域には、カバー層３２Ｋが形成されている。カバー層３２Ｋは、平面視において接続部３Ｋを包囲して形成されている。カバー層３２Ｋは、接続部３Ｋが形成される開口３２Ｋａを有する。
高周波受動部品１０Ｋのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
【0101】
高周波受動部品１０Ｋでは、接続部３Ｋによって共振器１４と第３導体層２２とを電気的に接続することができる。
【0102】
【0103】
図１６に示すように、高周波受動部品１０Ｌは、高周波用基板１に複数の貫通孔１１ｄが形成されている。貫通孔１１ｄは、第１対向面１１ａから第１外面１１ｂにかけて形成されている。貫通孔１１ｄは、第１基材１１を厚さ方向に貫通する。貫通孔１１ｄにはそれぞれ貫通配線２８が形成されている。入力部１６のグランド配線１６ｂ，１６ｃ、および出力部１７のグランド配線１７ｂ，１７ｃ（図２参照）は、それぞれ貫通配線２８によって第２導体層１３と電気的に接続されている。
高周波受動部品１０Ｌのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
高周波受動部品１０Ｌのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
【0104】
高周波受動部品１０Ｌでは、共振器１４の入力部１６および出力部１７のグランドを強化することができる。
【0105】
【0106】
図１７に示すように、高周波受動部品１０Ｍは、第２基材２１の第２外面２１ｂ（図１７において下面）に、第４導体層２４が形成されている。第２外面２１ｂは、第２対向面２１ａと反対の面である。第２基材２１には、複数の貫通孔２１ｃが形成されている。貫通孔２１ｃは、第２対向面２１ａから第２外面２１ｂにかけて形成されている。貫通孔２１ｃにはそれぞれ貫通配線２５が形成されている。第４導体層２４は、貫通配線２５によって第３導体層２２と電気的に接続されている。第４導体層２４および貫通配線２５は、導電性材料、例えば、銅、銀、これらの合金などの金属で構成される。
【0107】
第４導体層２４には、接続用のバンプ６４が形成されている。バンプ６４は、導電性材料、例えば、はんだなどの金属で構成される。
高周波受動部品１０Ｍのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
高周波受動部品１０Ｍのその他の構成は、例えば、図８に示す高周波受動部品１０Ｄと同様とすることができる。
【0108】
高周波受動部品１０Ｍは、接続用のバンプ６４を有するため、他の部品への接続が容易である。よって、取り扱い性を高めることができる。
【0109】
以上、本発明の高周波受動部品について説明してきたが、本発明は前記の例に限定されず、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、図１２および図１４に示す高周波受動部品１０Ｈ，１０Ｊでは、高周波用基板１の第１対向面１１ａとモジュール基板２の第２対向面２１ａのいずれか一方に調整凹部が形成されているが、調整凹部は、高周波用基板の第１対向面とモジュール基板の第２対向面との両方に形成されてもよい。
図１３に示す高周波受動部品１０Ｉでは、高周波用基板１の第１対向面１１ａに調整凸部６３が形成されているが、調整凸部はモジュール基板の第２対向面に形成されていてもよい。調整凸部は、高周波用基板の第１対向面とモジュール基板の第２対向面との両方に形成されてもよい。
例えば、図１２および図１４に示す高周波受動部品１０Ｈ，１０Ｊでは、高周波用基板１の第１対向面１１ａとモジュール基板２の第２対向面２１ａのいずれか一方に調整凹部が形成されているが、調整凹部は、高周波用基板の第１対向面とモジュール基板の第２対向面との両方に形成されてもよい。
図１３に示す高周波受動部品１０Ｉでは、高周波用基板１の第１対向面１１ａに調整凸部６３が形成されているが、調整凸部はモジュール基板の第２対向面に形成されていてもよい。調整凸部は、高周波用基板の第１対向面とモジュール基板の第２対向面との両方に形成されてもよい。
【0110】
換言すれば、第１対向面１１ａと第２対向面２１ａのいずれか一方には、調整凹部または調整凸部が形成されてもよい。調整凹部（第１調整凹部と呼ぶ）または調整凸部（第１調整凸部と呼ぶ）が第１対向面１１ａに形成されている場合、共振器１４は、第１調整凹部の内面または第１調整凸部の突出面に形成される。
調整凹部（第２調整凹部と呼ぶ）または調整凸部（第２調整凸部と呼ぶ）が第２対向面２１ａに形成されている場合、共振器１４に対向する第３導体層２２は、第２調整凹部の内面または第２調整凸部の突出面に形成される。
第１対向面１１ａに調整凹部が形成されている場合、第２対向面２１ａには調整凹部が形成されていてもよいし、調整凸部が形成されていてもよい。第１対向面１１ａに調整凸部が形成されている場合、第２対向面２１ａには調整凹部が形成されていてもよいし、調整凸部が形成されていてもよい。
調整凹部（第２調整凹部と呼ぶ）または調整凸部（第２調整凸部と呼ぶ）が第２対向面２１ａに形成されている場合、共振器１４に対向する第３導体層２２は、第２調整凹部の内面または第２調整凸部の突出面に形成される。
第１対向面１１ａに調整凹部が形成されている場合、第２対向面２１ａには調整凹部が形成されていてもよいし、調整凸部が形成されていてもよい。第１対向面１１ａに調整凸部が形成されている場合、第２対向面２１ａには調整凹部が形成されていてもよいし、調整凸部が形成されていてもよい。
【符号の説明】
【0111】
１…高周波用基板、２…モジュール基板（被接続基板）、３，４３，５３…接続部、４…空間、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１０Ｉ，１０Ｊ，１０Ｋ，１０Ｌ，１０Ｍ…高周波受動部品、１１…第１基材、１１ａ…第１対向面、１１ｂ…第１外面、１２…第１導体層、１３…第２導体層、１９…第１応力緩和層、２１…第２基材、２１ａ…第２対向面、２２…第３導体層、２９…第１応力緩和層、３１…カバー層、３１ａ…開口、３９…第２応力緩和層、６１，６２…調整凹部、６１ａ，６２ａ…内面、６３…調整凸部、６３ａ…突出面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】