特開 2022-29731 配線基板及び部品内蔵配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022029731

(43)【公開日】2022-02-18

(54)【発明の名称】配線基板及び部品内蔵配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220210BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20220210BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 Q

H05K3/46 T

H01L23/12 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020133177

(22)【出願日】2020-08-05

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】呉 有紅

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA06

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC02

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316DD02

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316EE31

5E316FF04

5E316FF45

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316JJ12

5E316JJ25

5E316JJ28

(57)【要約】

【課題】配線基板及び部品内蔵配線基板の品質の向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されている第１導体層１１と、第１絶縁層２１の表面２１ａ上及び第１導体層１１上に積層されている第２絶縁層２２と、を備えている。そして、第１導体層１１は、配線基板１００に搭載される部品Ｅが置かれる部品搭載領域Ａを含む部品搭載パッド１１０を含み、第２絶縁層２２は部品搭載領域Ａを露出させる貫通孔２２１を含み、部品搭載パッド１１０は、部品搭載パッド１１０の縁部において第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。実施形態の部品内蔵配線基板は、配線基板１００と、部品搭載パッド１１０上の部品搭載領域Ａに載置されている電子部品Ｅと、第２絶縁層２２における第１絶縁層２１と反対側に積層されていて電子部品Ｅを封止する第４絶縁層と、を含んでいる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面上に形成されている第１導体層と、
前記第１絶縁層の前記表面上及び前記第１導体層上に積層されている第２絶縁層と、
を備える配線基板であって、
前記第１導体層は、前記配線基板に搭載される部品が置かれる部品搭載領域を含む部品搭載パッドを含み、
前記第２絶縁層は前記部品搭載領域を露出させる貫通孔を含み、
前記部品搭載パッドは、前記部品搭載パッドの縁部において前記第１絶縁層の前記表面から離間している。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記部品搭載パッドにおいて前記第１絶縁層の前記表面から離間している前記縁部と前記第１絶縁層の前記表面との間隔は、前記部品搭載パッドの外周に向かって拡大している。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記部品搭載パッドにおける前記第１絶縁層を向く下面と前記部品搭載パッドの側面とによって構成される角部が丸まっている。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記部品搭載パッドにおける前記第１絶縁層の前記表面から離間している前記縁部の表面は曲面を含んでいる。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記部品搭載パッドは、前記第１絶縁層の前記表面上において前記貫通孔と重なる領域を全体的に覆っている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、
前記貫通孔及び前記第１導体層によって前記部品を収容するキャビティが形成され、
前記部品搭載パッドによって前記キャビティの底面全体が構成されている。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２絶縁層における前記第１絶縁層と反対側に形成されている第２導体層を備えている。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２絶縁層はソルダーレジスト層である。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、
前記部品搭載パッドにおける前記第１絶縁層と反対方向を向く上面と前記部品搭載パッドの側面とによって構成される角部が丸められている。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層における前記第１導体層と反対側に、無機フィラーを含む第３絶縁層を備えており、
前記第３絶縁層に含まれる前記無機フィラーの含有率は、前記第１絶縁層中に存在する無機フィラーの含有率よりも高い。

【請求項11】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層における前記第１導体層と反対側に第３絶縁層を備えており、
前記第１絶縁層の厚さは前記第３絶縁層の厚さよりも厚い。

【請求項12】

請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第１絶縁層における前記第１導体層と反対側に第３絶縁層を備えており、
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層、及び前記第３絶縁層のうちで、前記第１絶縁層だけが芯材を含んでいる。

【請求項13】

請求項１～７及び９～１２のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記部品搭載パッド上の前記部品搭載領域に載置されている電子部品と、
前記第２絶縁層における前記第１絶縁層と反対側に積層されていて前記電子部品を封止する第４絶縁層と、
を含んでいる、部品内蔵配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び部品内蔵配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、内蔵電子部品が固定されるストッパー層を含む電子部品内蔵基板が開示されている。ストッパー層は、銅張積層板を構成するコア基板上に形成されており、ストッパー層の縁部は絶縁層に覆われている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６－１９４４１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線基板では、内蔵電子部品の熱膨張率及び／又はストッパー層の熱膨張率と、コア基板の熱膨張率との違いによりコア基板に生じるストレスが、ストッパー層の下面と側面との角部付近に集中することがある。そのため、この角部付近でコア基板のクラックなどの不具合が生じ易いと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層の前記表面上及び前記第１導体層上に積層されている第２絶縁層と、を備えている。そして、前記第１導体層は、前記配線基板に搭載される部品が置かれる部品搭載領域を含む部品搭載パッドを含み、前記第２絶縁層は前記部品搭載領域を露出させる貫通孔を含み、前記部品搭載パッドは、前記部品搭載パッドの縁部において前記第１絶縁層の前記表面から離間している。

【0006】

本発明の部品内蔵配線基板は、前述した本発明の配線基板と、前記部品搭載パッド上の前記部品搭載領域に載置されている電子部品と、前記第２絶縁層における前記第１絶縁層と反対側に積層されていて前記電子部品を封止する第４絶縁層と、を含んでいる。

【0007】

本発明の実施形態によれば、配線基板及び部品内蔵配線基板において、部品搭載パッドが表面に形成されている絶縁層内でのストレス（応力）の集中を緩和できることがある。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態における部品搭載パッドの縁部の断面の拡大図。

【図3A】本発明の一実施形態における部品搭載パッドの縁部の他の例の断面図。

【図3B】本発明の一実施形態における部品搭載パッドの縁部の他の例の断面図。

【図3C】本発明の一実施形態における部品搭載パッドの縁部の他の例の断面図。

【図3D】本発明の一実施形態における部品搭載パッドの縁部の他の例の断面図。

【図4】本発明の一実施形態における部品搭載パッドの縁部のさらに他の例の断面図。

【図5】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図6】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図7】本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の一例を示す断面図。

【図8】図７の部品内蔵配線基板における電子部品及びその周辺部分の拡大図。

【図9A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9G】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図9H】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

［配線基板］
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面それぞれの上に形成されている導体層３１とを含んでいる。絶縁層３２は、絶縁層３２を貫通し、第１面３ａ側及び第２面３ｂ側それぞれの導体層３１同士を接続するスルーホール導体３１０を含んでいる。

【0011】

コア基板３の第１面３ａの上には、第１面３ａ側から順に、２つの絶縁層２と２つの導体層１とが交互に積層され、さらに、絶縁層２３（第３絶縁層）、導体層１、絶縁層２１（第１絶縁層）、導体層１１（第１導体層）、絶縁層２２（第２絶縁層）、導体層１２（第２導体層）及び絶縁層２が順に積層されている。一方、コア基板３の第２面３ｂの上には、６つの絶縁層２と５つの導体層１とが交互に積層されている。各絶縁層には、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続するビア導体１０が形成されている。

【0012】

すなわち配線基板１００は、第１絶縁層２１と、第１導体層１１と、第２絶縁層２２とを備えている。第１導体層１１は、第１絶縁層２１の表面２１ａ上に形成されている。第２絶縁層２２は、第１絶縁層２１の表面２１ａ上及び第１導体層１１上に積層されている。図１の例の配線基板１００は、さらに、第２絶縁層２２における第１絶縁層２１と反対側に形成されている第２導体層１２と、第１絶縁層２１における第１導体層１１と反対側に設けられている第３絶縁層２３とを備えている。

【0013】

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

【0014】

各絶縁層２、並びに、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、第３絶縁層２３、及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層２、第１～第３の絶縁層２１、２２、２３、及び絶縁層３２は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

【0015】

各導体層１、第１導体層１１、第２導体層１２、及び導体層３１、並びに、スルーホール導体３１０及びビア導体１０は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、及びめっき膜３１ｃを含んでいる。スルーホール導体３１０は、コア基板３の第１面側３ａ及び第２面側３ｂそれぞれの導体層３１と一体的に形成されており、金属膜３１ｂ及びめっき膜３１ｃによって構成されている。

【0016】

一方、各導体層１、第１導体層１１及び第２導体層１２、並びにビア導体１０は、それぞれ、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃによって構成されている。各ビア導体１０は、各ビア導体１０が含まれている各絶縁層上に形成されている導体層（各導体層１、第１導体層１１、又は第２導体層１２）と一体的に形成されている。めっき膜３１ｃ、１０ｃは、例えば電解めっき膜である。金属膜３１ｂ及び金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１ｃ及びめっき膜１０ｃを電解めっきで形成する際の給電層として機能する。

【0017】

各導体層１、第１導体層１１及び第２導体層１２は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第１導体層１１は、部品搭載パッド１１０を含んでいる。部品搭載パッド１１０は、配線基板１００に搭載される部品Ｅが置かれる部品搭載領域Ａを含んでいる。部品Ｅとしては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品、又は電気抵抗などの受動部品などの電子部品が例示される。部品搭載領域Ａに置かれる半導体集積回路装置は、ベアチップの状態で置かれてもよい。また部品Ｅは、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。

【0018】

図１に示されるように、第２絶縁層２２は貫通孔２２１を含んでいる。貫通孔２２１は、部品搭載パッド１１０の部品搭載領域Ａを第２絶縁層２２から露出させている。図１の例の部品搭載パッド１１０は、第１絶縁層２１の表面２１ａにおける貫通孔２２１と重なる領域を全体的に覆いながら、部品搭載領域Ａを貫通孔２２１内に露出させている。また図１の例では、第２絶縁層２２及び第２導体層１２それぞれの第１絶縁層２１と反対側の表面上に積層されている絶縁層２にも、貫通孔２２１に繋がる貫通孔２０１が設けられている。貫通孔２２１及び貫通孔２０１によって、コア基板３の第１面３ａ側の配線基板１００の表面に、部品搭載領域Ａが露出している。

【0019】

図１の例において貫通孔２２１は、第１導体層１１と共に、部品Ｅを収容するキャビティ４を形成している。具体的には、貫通孔２２１、貫通孔２０１、及び部品搭載パッド１１０によってキャビティ４が形成されている。図１の例の部品搭載パッド１１０は第１絶縁層２１における貫通孔２２１と重なる領域を全体的に覆っているので、部品搭載パッド１１０によってキャビティ４の底面全体が構成されている。一方、部品搭載パッド１１０における部品搭載領域Ａよりも外周側の部分は第２絶縁層２２に覆われている。

【0020】

図１及び図２に示されるように、実施形態の配線基板１００では、部品搭載パッド１１０は、部品搭載パッド１１０の縁部において第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。なお、部品搭載パッド１１０の「縁部」は、平面視における部品搭載パッド１１０の形状（平面形状）の外縁に沿って部品搭載領域Ａを連続的又は断続的に囲む枠状の部分である。なお「平面視」は、配線基板１００をその厚さ方向に沿った視線で見ることを意味する。図２には、配線基板１００における部品搭載パッド１１０の縁部の断面（例えば図１のII部）の拡大図が示されている。

【0021】

図２に示されるように、部品搭載パッド１１０の縁部は、第１絶縁層２１の表面２１ａから離れている。換言すると、部品搭載パッド１１０の縁部では、部品搭載パッド１１０が第１絶縁層２１の表面２１ａから浮き上がっている。部品搭載パッド１１０の下面１１１と側面１１２とで構成される角部が切り欠かれている。そのため、図２に示される断面図では、部品搭載パッド１１０と表面２１ａとの間に、二点鎖線で囲まれている切り欠き状の空間Ｇが形成されている。空間Ｇは、第２絶縁層２２を構成するエポキシ樹脂などによって充填されている。なお、部品搭載パッド１１０の下面１１１は、部品搭載パッド１１０における第１絶縁層２１を向く表面である。また、部品搭載パッド１１０の側面１１２は、部品搭載パッド１１０における第１絶縁層２１と反対方向を向く上面１１３と下面１１１との間の表面であって、平面視において部品搭載パッド１１０の外縁を構成する表面である。

【0022】

部品搭載パッド１１０の縁部が表面２１ａから離れているため、部品搭載パッド１１０の側面１１２と、その下面１１１と表面２１ａとの界面の外縁（この界面の外縁は単に「外縁Ｆ」とも称される）とは、表面２１ａの垂直方向において一列に並んでいない。すなわち、側面１１２と外縁Ｆとは平面視で重なっていない。外縁Ｆは、側面１１２よりも部品搭載パッド１１０の内側（中央側）に位置している。また、部品搭載パッド１１０の縁部が表面２１ａから離れているため、部品搭載パッド１１０の側面１１２の下端Ｑ（第１絶縁層２１側の先端）は、表面２１ａと接しておらず、表面２１ａから離れている。

【0023】

本実施形態と異なり、部品搭載パッド１１０のような導体パッド（以下、導体パッドＡと称される）の縁部がその下層の絶縁層（以下、絶縁層Ｂと称される）の表面から離れていない場合、温度変化などによって絶縁層Ｂにおいて応力集中が生じ易い。すなわち、導体パッドＡと絶縁層Ｂとの熱膨張率の差によって生じる応力が、導体パッドＡの側面と下面（絶縁層Ｂを向く面）との交線に接する絶縁層Ｂの表面に集中し易い。例えば、図２に示される第１絶縁層２１が絶縁層Ｂと仮定され、部品搭載パッド１１０が導体パッドＡと仮定され、導体パッドＡがその縁部において絶縁層Ｂの表面（図２の表面２１ａ）から離れていない場合、図２中の点Ｐにおいて応力集中が生じ易い。そして、その集中した応力が、絶縁層Ｂが有する強度を越えると、絶縁層Ｂ（図２における第１絶縁層２１）に点Ｐを起点とするクラックが発生する。

【0024】

これに対して本実施形態では、部品搭載パッド１１０の縁部は、第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。そのため、部品搭載パッド１１０の縁部が表面２１ａから離れていない場合に点Ｐに集中し得る応力は、例えば、部品搭載パッド１１０の側面１１２の下端Ｑから外縁Ｆまでの間に分散されると考えられる。従って、第１絶縁層２１における応力集中が緩和され、クラックの発生が抑制されると考えられる。部品搭載パッド１１０には部品Ｅ（図１参照）が搭載されるため、部品Ｅの熱膨張率と第１絶縁層２１の熱膨張率との違いによる応力も生じると考えられる。しかし本実施形態では第１絶縁層２１における応力集中が緩和されるため、第１絶縁層２１にクラックが生じ難いと考えられる。

【0025】

部品搭載パッド１１０の縁部における第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している部分の表面２１ａ上での長さＬ（平面視における側面１１２から外縁Ｆまでの距離）は、応力集中緩和の面からは長い方が好ましい。一方で、所定の面積の部品搭載パッド１１０上での広く安定した部品搭載領域Ａ（図１参照）の確保の面では、長さＬは短い方が好ましいと考えられる。長さＬは、応力集中の緩和と部品搭載領域Ａの確保との両方が適切に実現されるように、例えば、３μｍ以上、１０μｍ以下である。

【0026】

図２の例では、互いから離間している部品搭載パッド１１０の縁部と第１絶縁層２１の表面２１ａとの間隔は、部品搭載パッド１１０の外周に向かって拡大している。換言すると、部品搭載パッド１１０の縁部を表面２１ａから離間させている切り欠き状の空間Ｇの高さ（表面２１ａからの高さ）は、部品搭載パッド１１０の外周に向かうほど高くなっている。すなわち、部品搭載パッド１１０における第１絶縁層２１の表面２１ａからの離間部分の表面が、側面１１２や下面１１１と略平行や略直角ではなく傾いている。そのため、第１絶縁層２１から離間している部品搭載パッド１１０の縁部と第２絶縁層２２との界面に部品搭載パッド１１０の熱収縮などによって加わり得る剥離方向の力が、その界面に沿った方向にも分散されると考えられる。そのため、部品搭載パッド１１０と第２絶縁層２２との界面剥離が生じ難いと推察される。

【0027】

さらに図２の例では、部品搭載パッド１１０の下面１１１と側面１１２とによって構成される角部が丸まっている。そして、部品搭載パッド１１０において第１絶縁層２１から離間している縁部の表面は曲面を含んでいる。すなわち、部品搭載パッド１１０の縁部が第１絶縁層２１の表面２１ａから離間していない場合における下面１１１と側面１１２との仮想の交線（点Ｐ）付近が丸まっていてその表面に曲面状の部分を有している。部品搭載パッド１１０の縁部が丸まっているので、第２絶縁層２２及び／又は第１絶縁層２１にクラックが生じ難いと考えられる。

【0028】

具体的には、部品搭載パッド１１０の側面１１２とめっき膜１０ｃの下面（第１絶縁層２１を向く表面）とによって構成されるべき角部が丸まっていて曲面状の表面を有している。一方、金属膜１０ｂにおけるめっき膜１０ｃと第１絶縁層２１との間の端面は略平坦面であって、第１絶縁層２１側ほど部品搭載パッド１１０の内周側に向かうように傾斜している。従って、部品搭載パッド１１０を構成する金属膜１０ｂの端部も第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。金属膜１０ｂとめっき膜１０ｃとの界面の外縁は、めっき膜１０ｃの表面の曲面状の部分と平坦な下面との境界付近に位置している。

【0029】

図３Ａ～図３Ｄには、それそれ、部品搭載パッド１１０の縁部の他の例が示されている。図３Ａの例では、部品搭載パッド１１０は、第１絶縁層２１から離間する縁部において、金属膜１０ｂの表面だけでなくめっき膜１０ｃの表面にも平坦部１０ｃ１を有している。図３Ａの例の部品搭載パッド１１０の縁部の表面は、平坦部１０ｃ１と側面１１２との間、及び平坦部１０ｃ１とめっき膜１０ｃの下面との間それぞれに曲面部１０ｃ２を有している。２つの曲面部１０ｃ２によって、平坦部１０ｃ１と側面１１２、及び、平坦部１０ｃ１とめっき膜１０ｃの下面とが滑らかに繋がれている。図３Ａの例においても、第２絶縁層２２及び／又は第１絶縁層２１にクラックが生じ難いと考えられる。

【0030】

図３Ｂの例の部品搭載パッド１１０は、図３Ａの例の部品搭載パッド１１０と同様に、めっき膜１０ｃの表面上に平坦部１０ｃ１を有しているが、図３Ａに示される曲面部１０ｃ２を備えていない。しかし、図３Ｂの例においても、部品搭載パッド１１０の縁部は第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。従って、部品搭載パッド１１０の縁部が表面２１ａから離間していない場合に点Ｐに集中し得る応力が、例えば、側面１１２の下端Ｑ、外縁Ｆ、及び、めっき膜１０ｃと金属膜１０ｂとの境界部分の屈曲点Ｒとに分散されると考えられる。従って、図３Ｂの例においても、第１絶縁層２１にクラックが生じ難いと考えられる。

【0031】

図３Ｃの例の部品搭載パッド１１０は、互いから離間している部品搭載パッド１１０の縁部と第１絶縁層２１の表面２１ａとの間隔が略一定である平行部１１４を含んでいる。すなわち、平行部１１４においては、部品搭載パッド１１０と第１絶縁層２１の表面２１ａとの間隔は、部品搭載パッド１１０の外周及び内周のいずれに向かっても拡大していない。本実施形態の配線基板１００が備える部品搭載パッド１１０は、その縁部において、図３Ｃに示されるような、第１絶縁層２１の表面２１ａとの間隔が略一定である平行部１１４を有していてもよい。図３Ｃの例においても、部品搭載パッド１１０の縁部が表面２１ａから離間していない場合に点Ｐに集中し得る応力が、例えば、側面１１２の下端Ｑ、外縁Ｆ、及び、屈曲点Ｒに分散されると考えられる。従って、図３Ｃの例においても、第１絶縁層２１にクラックが生じ難いと考えられる。

【0032】

図３Ｄの例の部品搭載パッド１１０では、部品搭載パッド１１０の側面１１２と上面１１３とによって構成される角部が丸められている。すなわち、側面１１２と上面１１３とによって構成される角部が丸まっていない場合における側面１１２と上面１１３との仮想の交線（点Ｐ１）付近が丸まっていて曲面状の表面を有している。図３Ｄ示されるように第２絶縁層２２に覆われる部品搭載パッド１１０（めっき膜１０ｃ）の角部が丸められていると、第２絶縁層２２にクラックが生じ難いと考えられる。

【0033】

図４には、本実施形態における部品搭載パッドの他の例である部品搭載パッド１１０ａの縁部の一例が示されている。図４に示される例は、第１導体層１１が１層だけで形成される例であり、そのため、部品搭載パッド１１０ａも単層構造を有している。図４の例の部品搭載パッド１１０ａは、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜で構成されている。図４の例の部品搭載パッド１１０ａの縁部も、第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。また、部品搭載パッド１１０ａの下面１１１と側面１１２とによって構成されるべき角部が丸まっており、部品搭載パッド１１０において第１絶縁層２１から離間している縁部の表面は曲面を含んでいる。従って、図４の例においても、第１絶縁層２１にクラックが生じ難いと考えられる。

【0034】

図５には、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板１００ａの断面図が示されている。配線基板１００ａは、全体的に、先に参照した図１に示される配線基板１００と同様の構造を備えている。図５には、配線基板１００と配線基板１００ａとの違いが理解され易いように、配線基板１００ａにおける、図１に示される配線基板１００のＶ部に相当する部分の拡大図が示されている。

【0035】

図５に示される配線基板１００ａにおいて第１絶縁層２１の厚さは、第３絶縁層２３の厚さよりも厚い。図５の例において、第１絶縁層２１の厚さは、第２絶縁層２２の厚さよりも厚い。配線基板１００ａにおいて、第１絶縁層２１は、配線基板１００ａに備えられる絶縁層のうちで最も厚くてもよい。

【0036】

また、配線基板１００ａでは、第１絶縁層２１は芯材（補強材）２１ｂを含んでおり、第２及び第３の絶縁層２２、２３は芯材を含んでいない。図５において、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、及び第３絶縁層２３のうちで、第１絶縁層２１だけが芯材２１ｂを含んでいる。配線基板１００ａに備えられる全ての絶縁層のうちで、第１絶縁層２１だけが芯材２１ｂを含んでいてもよい。芯材２１ｂとしては、ガラス繊維やアラミド繊維などが例示されるが、芯材２１ｂの材料はこれらに限定されない。

【0037】

また、配線基板１００ａでは、第１～第３の絶縁層２１、２２、２３はそれぞれ、無機フィラー２０ａを含んでいる。図５に示されるように、配線基板１００ａでは、第３絶縁層２３に含まれる無機フィラー２０ａの含有率は、第１絶縁層２１中に存在する無機フィラー２０ａの含有率よりも高い。第１絶縁層２１に含まれる無機フィラー２０ａの含有率は、第２及び第３の絶縁層２２、２３それぞれに含まれる無機フィラー２０ａの含有率よりも低くてもよい。

【0038】

図示されていないが、配線基板１００ａに備えられる絶縁層のうちで、第１絶縁層２１以外の全ての絶縁層が無機フィラー２０ａを含み、第１絶縁層２１だけが無機フィラー２０ａを含んでいなくてもよい。その場合も、配線基板１００ａにおいて第３絶縁層層２３に含まれる無機フィラー２０ａの含有率は、第１絶縁層２１中に存在する無機フィラー２０ａの含有率よりも高い。無機フィラー２０ａとしては、前述したシリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子が例示されるが、無機フィラー２０ａはこれらに限定されない。

【0039】

前述したように、部品搭載パッド１１０には部品Ｅが搭載され、そのため、第１絶縁層２１には、部品Ｅと第１絶縁層２１との間の熱膨張率の違いによる応力も生じ得る。すなわち、第１絶縁層２１では、第２及び第３の絶縁層２２、２３などの配線基板１００ａ内の他の絶縁層よりも大きな応力が生じ易く、そのためクラックが生じ易いと考えられる。

【0040】

しかし図５に示される配線基板１００ａでは、第１絶縁層２１の厚さが比較的厚いので、部品搭載パッド１１０の縁部を起点に万一クラックが発生しても、そのクラックは第１絶縁層２１を貫通し難い。従って、第１絶縁層２１を挟む第１導体層１１と導体層１との間の短絡などの実質的な不具合が生じ難い。また、第１絶縁層２１が芯材２１ｂを含んでいるので、万一クラックが発生しても、そのクラックの進展が芯材２１ｂによって防がれることがある。さらに、無機フィラー２０ａの含有率が比較的低い第１絶縁層２１は延性や靭性が高いと考えられる。そのため、第１絶縁層２１において万一クラックが発生しても、そのクラックは進展し難いと考えられる。

【0041】

本実施形態では、前述したように第１絶縁層２１におけるクラックの発生が抑制される。さらに図５の例によれば、万一クラックが発生しても、そのクラックは実質的な不具合に至り難いと考えられる。

【0042】

なお、図５の例では、部品搭載パッド１１０の縁部だけでなく、図５に示されている全ての導体パッドの縁部が、各導体パッドの下層側の絶縁層の表面から離間している。図示されていないが、本実施形態では、配線基板に含まれる全ての導体パターンの縁部が、その導体パターンの下層の絶縁層から離間していてもよい。

【0043】

図１及び図５にそれぞれ示される配線基板１００、１００ａでは、第１導体層１１の上側に第２導体層１２が形成されている。すなわち、部品搭載パッド１１０を含む第１導体層１１は、配線基板１００、１００ａの表面に備えられる外層導体層ではなく内層導体層である。また、第１絶縁層２１は、第１導体層１１と導体層１との間に積層されている層間絶縁層である。しかし、本実施形態の配線基板において第１導体層１１は、図６に示される例のように、外層導体層であってもよい。

【0044】

図６には、本実施形態の配線基板のさらに他の例である配線基板１００ｂが示されている。配線基板１００ｂは、全体的に、先に参照した図１に示される配線基板１００と同様の構造を備えている。図６には、図５と同様に、配線基板１００ｂにおける、図１に示される配線基板１００のＶ部に相当する部分の拡大図が示されている。図６の配線基板１００ｂは、図１の配線基板１００に備えられている第２導体層１２及び第２導体層１２上の絶縁層２を備えていない。

【0045】

図６に示されるように、配線基板１００ｂにおいて第１導体層１１は、配線基板１００ｂに備えられる第１及び第３の絶縁層２１、２３などの層間絶縁層のうちの最も外側の層間絶縁層（図６の例では第１絶縁層２１）上に形成される外層導体層である。そのため、第１導体層１１及び第１絶縁層２１上には、ソルダーレジスト層が形成される。すなわち、配線基板１００ｂにおいて、第２絶縁層２２は、２つの導体層間を絶縁する層間絶縁層ではなく、第１導体層１１の導体パターン同士の間を絶縁するソルダーレジスト層である。

【0046】

ソルダーレジスト層として機能する第２絶縁層２２は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。図６の例においても、部品搭載パッド１１０の縁部は第１絶縁層２１から離間しているので、第１絶縁層２１における応力集中が緩和される。図６の例のように、本実施形態において第１導体層１１は外層導体層であってもよく、第２絶縁層２２はソルダーレジスト層であってもよい。

【0047】

［部品内蔵配線基板］
図７及び図８を参照して本発明の他の実施形態である部品内蔵配線基板が説明される。図７には、他の実施形態の一例である部品内蔵配線基板２００の断面図が示されている。図８は、図７のVIII部の拡大図である。

【0048】

本実施形態の部品内蔵配線基板は、前述した一実施形態の配線基板を含んでいる。図７の例の部品内蔵配線基板２００は、図１に例示される配線基板１００を含んでいる。部品内蔵配線基板２００は、さらに、電子部品Ｅと、電子部品Ｅを封止する第４絶縁層２４とを含んでいる。電子部品Ｅは、キャビティ４内に収容され、接着剤６を用いて部品搭載パッド１１０に接合されている。電子部品Ｅは、電子部品Ｅと外部回路との接続に用いられる電極Ｅ１を含んでいる。キャビティ４は第４絶縁層２４の構成材料で充填されている。

【0049】

図７の部品内蔵配線基板２００は、さらに第４絶縁層２４上に形成されている第３導体層１３と、第４絶縁層２４及び第３導体層１３を覆うソルダーレジスト層７と、ビア導体１０１及びビア導体１０２とを含んでいる。第３導体層１３は、外部回路との接続に用いられる接続パッド１３１、１３２を含んでいる。ソルダーレジスト層７は、接続パッド１３１、１３２を露出させる開口を有している。ビア導体１０１は、第４絶縁層２４、及び第４絶縁層２４と第２絶縁層２２との間の絶縁層２を貫通し、第３導体層１３と第２導体層１２とを接続している。ビア導体１０２は、電子部品Ｅ上の第４絶縁層２４を貫通して、電子部品Ｅの電極Ｅ１と第３導体層１３とを接続している。

【0050】

なお、配線基板１００におけるコア基板３の第２面３ｂ側の表面上には、絶縁層２５、導体層１５、ソルダーレジスト層７０、及びビア導体１０３が、それぞれ形成されている。

【0051】

第４絶縁層２４及び絶縁層２５は、第１～第３の絶縁層２１、２２、２３と同様の材料を用いて形成され得る。第３導体層１３及び導体層１５、並びにビア導体１０１～１０３は、第１及び第２の導体層１１、１２、並びにビア導体１０と同様の材料を用いて形成され、これらと同様の構造を有し得る。ソルダーレジスト層７、７０は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの任意の絶縁性材料を用いて形成される。

【0052】

図８に示されるように、電子部品Ｅは、部品搭載パッド１１０上の部品搭載領域Ａに載置されている。電子部品Ｅをキャビティ４内に封入する第４絶縁層２４は、第２絶縁層２２における第１絶縁層２１と反対側に積層されている。ビア導体１０２は、第４絶縁層２４において電極Ｅ１上に穿孔された孔２４ａ内に形成されている。ビア導体１０２は、第３導体層１３と一体的に形成されている。ビア導体１０２は、例えば電解めっきによって形成されるめっき膜１０ｃと、めっき膜１０ｃの形成時に給電層として用いられる金属膜１０ｂとによって構成されている。ビア導体１０２は、具体的には、電極Ｅ１と接続パッド１３２とを接続している。

【0053】

接着剤６には、任意の材料が用いられ得る。接着剤６としては、はんだ、金、もしくは銅などの金属、銀などの任意の導電性粒子を含む導電性接着剤、並びに、単にエポキシ樹脂などで構成される絶縁性接着剤などが例示される。

【0054】

本実施形態の部品内蔵配線基板２００では、部品搭載パッド１１０の縁部が第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。従って、先に説明がなされたように、第１絶縁層２１における応力集中が緩和され、第１絶縁層２１においてクラックが生じ難いと考えられる。従って、本実施形態によれば、短絡不良などの少ない品質の良好な部品内蔵配線基板を実現することができると考えられる。

【0055】

なお、図７及び図８の例の部品内蔵配線基板２００は、図１に例示される配線基板１００そのものではなく、配線基板１００の説明において示された変形例、又は、図５に示される配線基板１００ａを含んでいてもよい。

【0056】

［配線基板の製造方法］
つぎに、一実施形態の配線基板を製造する方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図９Ａ～図９Ｈを参照して説明される。

【0057】

図９Ａに示されるように、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１及びスルーホール導体３１０が形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によってスルーホール導体３１０の形成位置に貫通孔が形成され、その貫通孔内及び金属箔上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜が形成される。そしてこの金属膜を給電層として用いる電解めっきによってめっき膜が形成される。その結果、３層構造の導体層３１、及びスルーホール導体３１０が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が得られる。

【0058】

図９Ｂに示されるように、コア基板３の第１面３ａ上及び第２面３ｂ上それぞれに、絶縁層２及び導体層１が交互に形成される。第１面３ａ及び第２面３ｂの上にそれぞれ３組の絶縁層２及び導体層１が形成された後、第１面３ａ側にさらに第１絶縁層２１が形成され、第２面３ｂ側にもさらに絶縁層２が形成される。

【0059】

第１絶縁層２１及び各絶縁層２の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上、又は先に形成された絶縁層２及び導体層１の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、第１絶縁層２１及び各絶縁層２が形成される。第１絶縁層２１及び各絶縁層２には、ビア導体１０を形成するための貫通孔が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

【0060】

各導体層１は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、各導体層１の下地となる絶縁層２上の全面、及びその絶縁層２に形成された貫通孔内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。各絶縁層２に形成された貫通孔内にはビア導体１０が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、所定の導体パターンを含む２層構造の各導体層１が形成される。各導体層１は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。

【0061】

図９Ｂに示されるように、第１絶縁層２１の表面２１ａ上及び第１絶縁層２１に形成された貫通孔内に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜１０ｂが形成される。コア基板３の第２面３ｂ側にも同様に金属膜１０ｂが形成される。

【0062】

図９Ｂ及び図９Ｃに示されるように、金属膜１０ｂ上に、めっきレジストＰＲが設けられる。図９Ｃには、図９ＢのIXＣ部の拡大図が示されている。第１絶縁層２１の上に設けられるめっきレジストＰＲには、第１導体層１１（図９Ｅ参照）に含まれるべき導体パターンに対応する領域に開口ＰＲ１が形成される。図９ＢのIXＣ部を含む開口ＰＲ１の内部には、第１導体層１１の部品搭載パッド１１０（図９Ｅ参照）が形成される。

【0063】

各開口ＰＲ１を備えるめっきレジストＰＲは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成される。まず、例えばネガ型の感光性樹脂フィルムを金属膜１０ｂ上の全面に積層することによって、めっきレジストＰＲとなるレジスト膜が形成される。そして、レジスト膜における開口ＰＲ１が形成されるべき領域を覆う露光マスクＥＭが、レジスト膜上に配置される。

【0064】

図９Ｃに示されるように、例えば紫外線Ｕが、露光マスクＥＭを通してめっきレジストＰＲとなるレジスト膜に照射される。レジスト膜のうちの露光マスクＥＭに覆われていない露光部分ＰＲａが架橋反応によって不溶性に変化する。一方、レジスト膜のうち露光マスクＥＭに覆われている非露光部分ＰＲｂの大部分は溶解性のまま変化しない。しかし露光マスクＥＭの真下の部分のうち、金属膜１０ｂ及び露光部分ＰＲａの両方に近接する境界部分ＢＰは、金属膜１０ｂで反射した紫外光Ｕによって露光されて不溶性へと変化する。

【0065】

その後、露光マスクＥＭが除去され、非露光部分ＰＲｂが現像によって除去される。しかし、紫外線Ｕの反射光によって露光された境界部分ＢＰは、露光部分ＰＲａと共に残存する。その結果、境界部分ＢＰによって金属膜１０ｂとの近傍部分が切り欠かれた開口ＰＲ１を有するめっきレジストＰＲが、換言すると、境界部分ＢＰによって金属膜１０ｂとの近傍部分が拡幅されたマスク部を有するめっきレジストＰＲが、形成される。

【0066】

境界部分ＢＰは、例えば、金属膜１０ｂの表面を粗化して紫外線Ｕを適度に乱反射させたり、異なる角度で多方向からめっきレジストＰＲに紫外線Ｕを照射したりすることによって形成され得る。なお、以下の説明では、境界部分ＢＰは、めっきレジストＰＲの「拡幅部分ＢＰ」とも称される。

【0067】

図９Ｄに示されるように、めっきレジストＰＲの開口ＰＲ１内に、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによって、第１導体層１１、又はコア基板３の第２面３ｂ側の導体層１それぞれの各導体パターンが形成される。図９Ｄに示される開口ＰＲ１には、第１導体層１１の部品搭載パッド１１０を構成するめっき膜１０ｃが形成される。図９Ｄに示されるように、縁部における金属膜１０ｂとの近傍部分がめっきレジストＰＲの拡幅部分ＢＰによって切り欠かれためっき膜１０ｃが形成される。その後、めっきレジストＰＲが、例えばアルカリ性の溶剤などを用いて除去される。

【0068】

図９Ｅ及び図９Ｆに示されるように、めっきレジストの除去によって露出する金属膜１０ｂの不要部分がフラッシュエッチングなどによって除去される。部品搭載パッド１１０などの所定の導体パターンを有する第１導体層１１が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には、所定の導体パターンを有する導体層１が形成される。なお、図９Ｆには、図９ＥのIXＦ部の拡大図が示されている。

【0069】

図９Ｆに示されるように、部品搭載パッド１１０を構成する金属膜１０ｂの端面１０ｂ１は、第１絶縁層２１側の方がめっき膜１０ｃ側よりも多く除去されている。その結果、端面１０ｂ１は、第１絶縁層２１側ほど部品搭載パッド１１０の内周側に向かうように傾斜している。めっき膜１０ｃの縁部における金属膜１０ｂとの近傍部分を切り欠かれた形状とすることによって、エッチング液の回り込みについて第１絶縁層２１側とめっき膜１０ｃ側との間において異なる状況を作り出すことができる。その結果、図９Ｆに示されるように端面１０ｂ１を傾斜させることができる。

【0070】

図９Ｆの例では、めっき膜１０ｃの縁部における金属膜１０ｂとの近傍部分がめっきレジストの拡幅部分によって切り欠かれたような形状を有しているため、部品搭載パッド１１０の縁部が第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。さらに、金属膜１０ｂの端面１０ｂ１が第１絶縁層２１側ほど部品搭載パッド１１０の内周側に向かうように傾斜しているため、より長い範囲に渡って部品搭載パッド１１０の縁部が第１絶縁層２１の表面２１ａから離間している。

【0071】

なお、先に参照した図３Ａ～図３Ｃに示されるめっき膜１０ｃの形状も、前述した金属膜１０ｂの表面の粗化の調整や、紫外線の照射角度及び光度の調整によって形成し得ると考えられる。また、図３Ｄに示される部品搭載パッド１１０の上面１１３側の形状は、前述しためっき膜１０ｂの不要部分を除去する際のフラッシュエッチングの条件を調整することによって形成することができる。

【0072】

図９Ｇに示されるように、第１絶縁層２１及び第１導体層１１の上に第２絶縁層２２が形成される。図９Ｇの例では、第２絶縁層２２の上に、さらに第２導体層１２が形成され、さらに、第２絶縁層２２及び第２導体層１２上に絶縁層２が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側にも同様に、図９Ｅの状態から、さらに２層の絶縁層２と、その２層の絶縁層２に挟まれる導体層１が形成されている。第２絶縁層２２及び各絶縁層２は、図９Ｅの状態において形成されている絶縁層２と同様の材料で形成され得る。第２導体層１２及び第２面３ｂ側にさらに形成される導体層１は、図９Ｅの状態において形成されている導体層１と同様の材料で形成され得る。

【0073】

図９Ｈに示されるように、第２絶縁層２２及びその上の絶縁層２を貫通して部品搭載パッド１１０の部品搭載領域を露出させる貫通孔２２１、２０１が形成される。図９Ｈには、貫通孔２２１及びその周辺部分だけが拡大して示されている。貫通孔２２１、２０１は、例えば、貫通孔２２１、２０１の形成領域全体に渡ってレーザー光ＬＢをピッチ送りしながら照射することによって形成される。レーザー光ＬＢとしては、炭酸ガスレーザー光が例示される。部品搭載パッド１１０は、貫通孔２２１、２０１の形成時のレーザー光ＬＢのストッパーとして機能し得る。貫通孔２２１、２０１は、ドリル加工などの他の任意の方法で形成され得る。

【0074】

貫通孔２２１、２０１の形成後、好ましくは、貫通孔２２１、２０１内に残存する樹脂残渣（スミア）が、プラズマ処理、又は過マンガン酸塩などを含む薬液を用いた処理によって除去（デスミア処理）される。以上の工程を経ることによって図１に示される配線基板１００が完成する。

【0075】

［部品内蔵配線基板の製造方法］
図７及び図８に示される他の実施形態の部品内蔵配線基板２００を製造する方法の一例が説明される。まず、例えば図９Ａ～図９Ｈを参照して説明された配線基板の製造方法を用いて、キャビティ４を有する配線基板１００が用意される。

【0076】

キャビティ４内に露出する部品搭載パッド１１０に電子部品Ｅが載置される。例えば、はんだ若しくは銅などの金属ペレット、又は、導電性若しくは絶縁性のペーストが、マウンタやディスペンサを用いて接着剤６として部品搭載パッド１１０上に供給され、さらに、電子部品Ｅがダイボンダなどによって載置される。電子部品Ｅ及び接着剤６は、例えば、部品搭載パッド１１０上で加熱及び加圧され、その結果接着剤６が硬化し、電子部品Ｅが部品搭載パッド１１０に接合される。

【0077】

そして、電子部品Ｅを覆う第４絶縁層２４が、第２絶縁層２２上の絶縁層２の上に形成される。コア基板３の第２面３ｂ側の最外の絶縁層２上には絶縁層２５が形成される。第４絶縁層２４及び絶縁層２５は、前述した第１絶縁層２１などと同様に、例えばフィルム状のエポキシ樹脂の積層、並びに加熱及び加圧によって形成され得る。その第４絶縁層２４の形成時に、第４絶縁層２４を構成するエポキシ樹脂などが、加熱及び加圧によって軟化してキャビティ４内に流入する。そして、キャビティ４内が、第４絶縁層２４を構成する樹脂で充填され、第４絶縁層２４を構成する樹脂で電子部品Ｅがキャビティ４内に封止される。

【0078】

その後、第３導体層１３、並びに、ビア導体１０１及びビア導体１０２が形成される。絶縁層２５上には、導体層１５が形成される。また、絶縁層２５を貫通するビア導体１０３が形成される。第３導体層１３には、外部回路との接続に用いられる接続パッド１３１、１３２が設けられる。第３導体層１３は、第４絶縁層２４及び第４絶縁層２４の下の絶縁層２を貫通するビア導体１０１によって第２導体層１２と接続される。接続パッド１３２は、電子部品Ｅ上の第４絶縁層２４を貫通するビア導体１０２によって、電子部品Ｅの電極Ｅ１と接続される。

【0079】

第３導体層１３及び導体層１５、ビア導体１０１、１０３は、前述した、第１導体層１１及びビア導体１０の形成方法と同様の方法及び同様の材料を用いて形成され得る。ビア導体１０２の形成に関して、電子部品Ｅの電極Ｅ１に向かって、第４絶縁層２４の表面から例えば紫外線（ＵＶ）レーザー光を照射することによって電極Ｅ１を露出させる貫通孔が形成される。その貫通孔内に、第３導体層１３の形成と共にめっき膜を充填することによってビア導体１０２が形成される。

【0080】

その後、第３導体層１３及び第４絶縁層２４上にソルダーレジスト層７が形成されると共に、導体層１５及び絶縁層２５上にはソルダーレジスト層７０が形成される。ソルダーレジスト層７には接続パッド１３１、１３２を露出させる開口が設けられ、ソルダーレジスト層７０にも適宜開口が設けられる。ソルダーレジスト層７、７０、及び各ソルダーレジスト層の開口は、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

【0081】

ソルダーレジスト層７、７０の開口に露出する接続パッド１３１、１３２上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経る事によって図７及び図８の例の部品内蔵配線基板２００が完成する。

【0082】

実施形態の配線基板及び実施形態の部品内蔵配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を有し得る。

【符号の説明】

【0083】

１００、１００ａ、１００ｂ 配線基板
１、１５ 導体層
１１ 第１導体層
１１０、１１０ａ 部品搭載パッド
１１１ 部品搭載パッドの下面
１１２ 部品搭載パッドの側面
１１３ 部品搭載パッドの上面
１２ 第２導体層
２００ 部品内蔵配線基板
２、２５ 絶縁層
２０ａ 無機フィラー
２１ 第１絶縁層
２１ａ 表面
２１ｂ 芯材
２２ 第２絶縁層
２３ 第３絶縁層
４ キャビティ
Ａ 部品搭載領域
Ｅ 部品（電子部品）

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図3D】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図9E】

【図9F】

【図9G】

【図9H】