特開 2022-31036 真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022031036

(43)【公開日】2022-02-18

(54)【発明の名称】真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼

(51)【国際特許分類】

   F04D 19/04 20060101AFI20220210BHJP

【ＦＩ】

F04D19/04 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020135415

(22)【出願日】2020-08-07

(71)【出願人】

【識別番号】508275939

【氏名又は名称】エドワーズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100141829

【弁理士】

【氏名又は名称】山田 牧人

(74)【代理人】

【識別番号】100123663

【弁理士】

【氏名又は名称】広川 浩司

(72)【発明者】

【氏名】樺澤 剛志

(72)【発明者】

【氏名】三枝 健吾

【テーマコード（参考）】

3H131

【Ｆターム（参考）】

3H131AA02

3H131BA01

3H131BA03

3H131CA01

3H131CA34

(57)【要約】

【課題】反応生成物の堆積を効果的に抑制できる真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼を提供する。
【解決手段】回転自在に保持された回転軸１１３と、回転軸１１３の駆動機構と、第１の材料で形成された第１の回転翼２０１と、第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、第１の回転翼２０１より下流側に配設された第２の回転翼２０２と、回転軸１１３、第１の回転翼２０１および第２の回転翼２０２を内包するケーシング２０４と、を有する真空ポンプであって、第１の回転翼２０１に、第２の回転翼２０２が断熱部２０３を介して配設されている。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

回転自在に保持された回転軸と、
前記回転軸の駆動機構と、
第１の材料で形成された第１の回転翼と、
前記第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、前記第１の回転翼より下流側に配設された第２の回転翼と、
前記回転軸、前記第１の回転翼および前記第２の回転翼を内包するケーシングと、を有する真空ポンプであって、
前記回転軸、または、前記第１の回転翼の少なくとも一方に、前記第２の回転翼が断熱部を介して配設されていることを特徴とする真空ポンプ。

【請求項2】

前記断熱部は、前記第１の材料および前記第２の材料よりも熱伝導率が低い第３の材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプ。

【請求項3】

前記第３の材料は、多孔質材料であることを特徴とする請求項２に記載の真空ポンプ。

【請求項4】

前記第３の材料は、ステンレス鋼またはチタン合金であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の真空ポンプ。

【請求項5】

前記第３の材料は、セラミックスであることを特徴とする請求項２または３に記載の真空ポンプ。

【請求項6】

前記第３の材料は、樹脂材料であることを特徴とする請求項２または３に記載の真空ポンプ。

【請求項7】

前記断熱部は、所定の長さと厚みで形成された断熱構造であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の真空ポンプ。

【請求項8】

前記第１の回転翼は、当該第１の回転翼の側面に配設された複数段の回転ブレードの翼列を有し、
前記真空ポンプは、前記回転ブレードの翼列の間に配設された静止ブレードの翼列を有し、
前記回転ブレードの翼列と前記静止ブレードの翼列で、ターボ分子ポンプ機構を形成したことを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の真空ポンプ。

【請求項9】

前記第２の回転翼は、当該第２の回転翼に配設された少なくとも１つの回転円筒部を有し、
前記真空ポンプは、前記回転円筒部の外周面または内周面に対向して配設された少なくとも１つの静止円筒部を有し、
前記回転円筒部と前記静止円筒部で、ホルベック型ドラッグポンプ機構を形成したことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の真空ポンプ。

【請求項10】

前記第２の回転翼は、当該第２の回転翼の側面に配設された少なくとも１つの回転円板部を有し、
前記真空ポンプは、前記回転円板部の軸方向へ向く面に対向して配設された少なくとも１つの静止円板部を有し、
前記回転円板部と前記静止円板部で、シグバーン型ドラッグポンプ機構を形成したことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の真空ポンプ。

【請求項11】

前記第１の回転翼は、少なくとも一部が前記断熱部より下流側へ突出した構造であることを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の真空ポンプ。

【請求項12】

第１の材料で形成された第１の回転翼と、
前記第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、前記第１の回転翼より下流側に配設された第２の回転翼と、を有する真空ポンプ用回転翼であって、
前記第１の回転翼に前記第２の回転翼が断熱部を介して配設されていることを特徴とする真空ポンプ用回転翼。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造装置、液晶製造装置、電子顕微鏡、表面分析装置または微細加工装置等は、装置内の環境を高度の真空状態にすることが必要である。これらの装置の内部を高度の真空状態とするために、真空ポンプが用いられている。

【0003】

真空ポンプの内部に、半導体製造等で生じた反応生成物が堆積することを防ぐために、真空ポンプの下流側に設置されているドラッグポンプ機構を、反応生成物の昇華温度以上に保温する技術が考案されている。しかし、半導体の製造プロセスによっては、反応生成物の昇華温度が高く、体積を防止できない場合もある。その場合には、定期的にドラッグポンプ機構を取り外して分解洗浄することとなるため、その作業に時間と費用が消費される。

【0004】

そこで、特許文献１では、回転翼の下流側の部分を耐熱性の高い材料に置き換えることで、反応生成物が堆積する部分の温度を高温で保持する技術が考案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７－７１１３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上述した特許文献１に記載の技術によれば、真空ポンプの下流側の部分を高温で保持できるように見えるが、実際には、下流側の高温部から上流側の低温部に多量の熱が流入し、低温部が容易に許容温度を超える可能性がある。このため、真空ポンプの下流側の部分の温度を十分に上げられず、反応生成物が堆積しやすくなるという課題がある。

【0007】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、反応生成物の堆積を効果的に抑制できる真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成する本発明に係る真空ポンプは、回転自在に保持された回転軸と、前記回転軸の駆動機構と、第１の材料で形成された第１の回転翼と、前記第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、前記第１の回転翼より下流側に配設された第２の回転翼と、前記回転軸、前記第１の回転翼および前記第２の回転翼を内包するケーシングと、を有する真空ポンプであって、前記回転軸、または、前記第１の回転翼の少なくとも一方に、前記第２の回転翼が断熱部を介して配設されていることを特徴とする。

【0009】

上記目的を達成する本発明に係る真空ポンプ用回転翼は、第１の材料で形成された第１の回転翼と、前記第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、前記第１の回転翼より下流側に配設された第２の回転翼と、を有する真空ポンプ用回転翼であって、前記第１の回転翼に前記第２の回転翼が断熱部を介して配設されていることを特徴とする。

【発明の効果】

【0010】

上記のように構成した真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼は、第１の回転翼よりも下流側の第２の回転翼が、断熱部を介して配設されているため、下流側の第２の回転翼を高温としても、上流側の第１の回転翼への熱の流入を低減できる。このため、上流側の第１の回転翼が過熱されることを抑制しつつ、下流側の第２の回転翼を高温にできるため、真空ポンプの内部に反応生成物が堆積することを抑制できる。なお、回転軸、または、第１の回転翼の少なくとも一方に対して断熱部を介して配設されている第２の回転翼は、断熱部のみを介して直接的に配設される場合のみならず、断熱部に加えて断熱部以外の部材や部位を介して間接的に配設される場合もあり得る。

【0011】

前記断熱部は、前記第１の材料および前記第２の材料よりも熱伝導率が低い第３の材料で形成されてもよい。これにより、第２の回転翼から第１の回転翼への熱の流入を、第３の材料で形成された断熱部によって効果的に抑制できる。

【0012】

前記第３の材料は、多孔質材料であってもよい。これにより、第２の回転翼から第１の回転翼への熱の流入を、熱伝導率が低い多孔質材料により形成された断熱部によって効果的に抑制できる。

【0013】

前記第３の材料は、ステンレス鋼またはチタン合金であってもよい。これにより、第２の回転翼から第１の回転翼への熱の流入を、熱伝導率が低いステンレス鋼またはチタン合金により形成された断熱部によって効果的に抑制できる。

【0014】

前記第３の材料は、セラミックスであってもよい。これにより、第２の回転翼から第１の回転翼への熱の流入を、熱伝導率が低いセラミックスによって形成された断熱部によって効果的に抑制できる。

【0015】

前記第３の材料は、樹脂材料であってもよい。これにより、第２の回転翼から第１の回転翼への熱の流入を、熱伝導率が低い樹脂材料によって形成された断熱部によって効果的に抑制できる。

【0016】

前記断熱部は、所定の長さと厚みで形成された断熱構造であってもよい。これにより、第２の回転翼から第１の回転翼への熱の流入を、所定の長さと厚みで形成された断熱構造の断熱部によって、効果的に抑制できる。

【0017】

前記第１の回転翼は、当該第１の回転翼の側面に配設された複数段の回転ブレードの翼列を有し、前記真空ポンプは、前記回転ブレードの翼列の間に配設された静止ブレードの翼列を有し、前記回転ブレードの翼列と前記静止ブレードの翼列で、ターボ分子ポンプ機構を形成してもよい。これにより、低い圧力まで効果的に排気できる。

【0018】

前記第２の回転翼は、当該第２の回転翼に配設された少なくとも１つの回転円筒部を有し、前記真空ポンプは、前記回転円筒部の外周面または内周面に対向して配設された少なくとも１つの静止円筒部を有し、前記回転円筒部と前記静止円筒部で、ホルベック型ドラッグポンプ機構を形成してもよい。これにより、ポンプの排気口付近の圧力が、比較的高い圧力の場合にも効果的に排気できる。

【0019】

前記第２の回転翼は、当該第２の回転翼の側面に配設された少なくとも１つの回転円板部を有し、前記真空ポンプは、前記回転円板部の軸方向へ向く面に対向して配設された少なくとも１つの静止円板部を有し、前記回転円板部と前記静止円板部で、シグバーン型ドラッグポンプ機構を形成してもよい。これにより、ポンプの排気口付近の圧力が、比較的高い圧力の場合にも効果的に排気できる。

【0020】

前記第１の回転翼は、少なくとも一部が前記断熱部より下流側へ突出した構造であってもよい。これにより、第１の回転翼の表面積を増加させて、第１の回転翼から、第１の回転翼の表面に対向して配置される部材への放熱を促進できる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】真空ポンプの縦断面図である。

【図2】アンプ回路の回路図である。

【図3】電流指令値が検出値より大きい場合の制御を示すタイムチャートである。

【図4】電流指令値が検出値より小さい場合の制御を示すタイムチャートである。

【図5】第１実施形態に係る真空ポンプの縦断面図である。

【図6】第２実施形態に係る真空ポンプの縦断面図である。

【図7】第３実施形態に係る真空ポンプの縦断面図である。

【図8】第４実施形態に係る真空ポンプの縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、図面の寸法は、説明の都合上、誇張されて実際の寸法とは異なる場合がある。また、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

【0023】

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る真空ポンプは、高速回転する回転体の回転ブレードが気体分子を弾き飛ばすことによりガスを排気するターボ分子ポンプ１００である。ターボ分子ポンプ１００は、例えば半導体製造装置等のチャンバからガスを吸引して排気するために使用される。

【0024】

このターボ分子ポンプ１００の縦断面図を図１に示す。図１において、ターボ分子ポンプ１００は、円筒状の外筒１２７の上端に吸気口１０１が形成されている。そして、外筒１２７の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードである複数の回転ブレード１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）を周部に放射状かつ多段に形成した回転体１０３が備えられている。この回転体１０３の中心には回転軸１１３が取り付けられており、この回転軸１１３は、例えば５軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。

【0025】

上側径方向電磁石１０４は、４個の電磁石がＸ軸とＹ軸とに対をなして配置されている。この上側径方向電磁石１０４の近接に、かつ上側径方向電磁石１０４のそれぞれに対応されて４個の上側径方向センサ１０７が備えられている。上側径方向センサ１０７は、例えば伝導巻線を有するインダクタンスセンサや渦電流センサなどが用いられ、回転軸１１３の位置に応じて変化するこの伝導巻線のインダクタンスの変化に基づいて回転軸１１３の位置を検出する。この上側径方向センサ１０７は回転軸１１３、すなわちそれに固定された回転体１０３の径方向変位を検出し、図示せぬ制御装置に送るように構成されている。

【0026】

この制御装置においては、例えばＰＩＤ調節機能を有する補償回路が、上側径方向センサ１０７によって検出された位置信号に基づいて、上側径方向電磁石１０４の励磁制御指令信号を生成し、図２に示すアンプ回路１５０（後述する）が、この励磁制御指令信号に基づいて、上側径方向電磁石１０４を励磁制御することで、回転軸１１３の上側の径方向位置が調整される。

【0027】

そして、この回転軸１１３は、高透磁率材（鉄、ステンレスなど）などにより形成され、上側径方向電磁石１０４の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ独立して行われる。また、下側径方向電磁石１０５及び下側径方向センサ１０８が、上側径方向電磁石１０４及び上側径方向センサ１０７と同様に配置され、回転軸１１３の下側の径方向位置を上側の径方向位置と同様に調整している。

【0028】

さらに、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが、回転軸１１３の下部に備えた円板状の金属ディスク１１１を上下に挟んで配置されている。金属ディスク１１１は、鉄などの高透磁率材で構成されている。回転軸１１３の軸方向変位を検出するために軸方向センサ１０９が備えられ、その軸方向位置信号が制御装置に送られるように構成されている。

【0029】

そして、制御装置において、例えばＰＩＤ調節機能を有する補償回路が、軸方向センサ１０９によって検出された軸方向位置信号に基づいて、軸方向電磁石１０６Ａと軸方向電磁石１０６Ｂのそれぞれの励磁制御指令信号を生成し、アンプ回路１５０が、これらの励磁制御指令信号に基づいて、軸方向電磁石１０６Ａと軸方向電磁石１０６Ｂをそれぞれ励磁制御することで、軸方向電磁石１０６Ａが磁力により金属ディスク１１１を上方に吸引し、軸方向電磁石１０６Ｂが金属ディスク１１１を下方に吸引し、回転軸１１３の軸方向位置が調整される。

【0030】

このように、制御装置は、この軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが金属ディスク１１１に及ぼす磁力を適当に調節し、回転軸１１３を軸方向に磁気浮上させ、空間に非接触で保持するようになっている。なお、これら上側径方向電磁石１０４、下側径方向電磁石１０５及び軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂを励磁制御するアンプ回路１５０については、後述する。

【0031】

一方、モータ１２１は、回転軸１１３を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。各磁極は、回転軸１１３との間に作用する電磁力を介して回転軸１１３を回転駆動するように、制御装置によって制御されている。また、モータ１２１には図示しない例えばホール素子、レゾルバ、エンコーダなどの回転速度センサが組み込まれており、この回転速度センサの検出信号により回転軸１１３の回転速度が検出されるようになっている。

【0032】

さらに、例えば下側径方向センサ１０８近傍に、図示しない位相センサが取り付けてあり、回転軸１１３の回転の位相を検出するようになっている。制御装置では、この位相センサと回転速度センサの検出信号を共に用いて磁極の位置を検出するようになっている。

【0033】

回転ブレード１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）とわずかの空隙を隔てて複数枚の静止ブレード１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ・・・が配設されている。回転ブレード１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、回転軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。

【0034】

また、静止ブレード１２３も、同様に回転軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒１２７の内方に向けて回転ブレード１０２の段と互い違いに配設されている。そして、静止ブレード１２３の外周端は、複数の段積みされた静止ブレードスペーサ１２５（１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ・・・）の間に嵌挿された状態で支持されている。

【0035】

静止ブレードスペーサ１２５はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。静止ブレードスペーサ１２５の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒１２７が固定されている。外筒１２７の底部にはベース部１２９が配設されている。チャンバ側から吸気口１０１に入ってベース部１２９には排気口１３３が形成され、外部に連通されている。ベース部１２９に移送されてきた排気ガスは、排気口１３３へと送られる。

【0036】

さらに、ターボ分子ポンプ１００の用途によって、静止ブレードスペーサ１２５の下部とベース部１２９の間には、ネジ付スペーサ１３１が配設される。ネジ付スペーサ１３１は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝１３１ａが複数条刻設されている。ネジ溝１３１ａの螺旋の方向は、回転体１０３の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口１３３の方へ移送される方向である。回転体１０３の回転ブレード１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）に続く最下部には回転円筒部１０２ｄが垂下されている。この回転円筒部１０２ｄの外周面は、円筒状で、かつネジ付スペーサ１３１の内周面に向かって張り出されており、このネジ付スペーサ１３１の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。回転ブレード１０２および静止ブレード１２３によってネジ溝１３１ａに移送されてきた排気ガスは、ネジ溝１３１ａに案内されつつベース部１２９へと送られる。

【0037】

ベース部１２９は、ターボ分子ポンプ１００の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。ベース部１２９はターボ分子ポンプ１００を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。

【0038】

かかる構成において、回転ブレード１０２が回転軸１１３と共にモータ１２１により回転駆動されると、回転ブレード１０２と静止ブレード１２３の作用により、吸気口１０１を通じてチャンバから排気ガスが吸気される。吸気口１０１から吸気された排気ガスは、回転ブレード１０２と静止ブレード１２３の間を通り、ベース部１２９へ移送される。このとき、排気ガスが回転ブレード１０２に接触する際に生ずる摩擦熱や、モータ１２１で発生した熱の伝導などにより、回転ブレード１０２の温度は上昇するが、この熱は、輻射又は排気ガスの気体分子などによる伝導により静止ブレード１２３側に伝達される。

【0039】

静止ブレードスペーサ１２５は、外周部で互いに接合しており、静止ブレード１２３が回転ブレード１０２から受け取った熱や排気ガスが静止ブレード１２３に接触する際に生ずる摩擦熱などを外部へと伝達する。

【0040】

なお、上記では、ネジ付スペーサ１３１は回転体１０３の回転円筒部１０２ｄの外周に配設し、ネジ付スペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａが刻設されているとして説明した。しかしながら、これとは逆に回転円筒部１０２ｄの外周面にネジ溝が刻設され、その周囲に円筒状の内周面を有するスペーサが配置される場合もある。

【0041】

また、ターボ分子ポンプ１００の用途によっては、吸気口１０１から吸引されたガスが上側径方向電磁石１０４、上側径方向センサ１０７、モータ１２１、下側径方向電磁石１０５、下側径方向センサ１０８、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂ、軸方向センサ１０９などで構成される電装部に侵入することのないよう、電装部は周囲をステータコラム１２２で覆われ、このステータコラム１２２内はパージガスにて所定圧に保たれる場合もある。

【0042】

この場合には、ベース部１２９には図示しない配管が配設され、この配管を通じてパージガスが導入される。導入されたパージガスは、保護ベアリング１２０と回転軸１１３間、モータ１２１のロータとステータ間、ステータコラム１２２と回転ブレード１０２の内周側円筒部の間の隙間を通じて排気口１３３へ送出される。

【0043】

ここに、ターボ分子ポンプ１００は、機種の特定と、個々に調整された固有のパラメータ（例えば、機種に対応する諸特性）に基づいた制御を要する。この制御パラメータを格納するために、上記ターボ分子ポンプ１００は、その本体内に電子回路部１４１を備えている。電子回路部１４１は、ＥＥＰ－ＲＯＭ等の半導体メモリ及びそのアクセスのための半導体素子等の電子部品、それらの実装用の基板１４３等から構成される。この電子回路部１４１は、ターボ分子ポンプ１００の下部を構成するベース部１２９の例えば中央付近の図示しない回転速度センサの下部に収容され、気密性の底蓋１４５によって閉じられている。

【0044】

ところで、半導体の製造工程では、チャンバに導入されるプロセスガスの中には、その圧力が所定値よりも高くなり、或いは、その温度が所定値よりも低くなると、固体となる性質を有するものがある。ターボ分子ポンプ１００内部では、排気ガスの圧力は、吸気口１０１で最も低く排気口１３３で最も高い。プロセスガスが吸気口１０１から排気口１３３へ移送される途中で、その圧力が所定値よりも高くなったり、その温度が所定値よりも低くなったりすると、プロセスガスは、固体状となり、ターボ分子ポンプ１００内部に付着して堆積する。

【0045】

例えば、Ａｌエッチング装置にプロセスガスとしてＳｉＣｌ４が使用された場合、低真空（７６０［ｔｏｒｒ］～１０－２［ｔｏｒｒ］）かつ、低温（約２０［℃］）のとき、固体生成物（例えばＡｌＣｌ３）が析出し、ターボ分子ポンプ１００内部に付着堆積することが蒸気圧曲線からわかる。これにより、ターボ分子ポンプ１００内部にプロセスガスの析出物が堆積すると、この堆積物がポンプ流路を狭め、ターボ分子ポンプ１００の性能を低下させる原因となる。そして、前述した生成物は、排気口付近やネジ付スペーサ１３１付近の圧力が高い部分で凝固、付着し易い状況にあった。

【0046】

そのため、この問題を解決するために、従来はベース部１２９等の外周に図示しないヒータや環状の水冷管１４９を巻着させ、かつ例えばベース部１２９に図示しない温度センサ（例えばサーミスタ）を埋め込み、この温度センサの信号に基づいてベース部１２９の温度を一定の高い温度（設定温度）に保つようにヒータの加熱や水冷管１４９による冷却の制御（以下ＴＭＳという。ＴＭＳ；Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ）が行われている。

【0047】

次に、このように構成されるターボ分子ポンプ１００に関して、その上側径方向電磁石１０４、下側径方向電磁石１０５及び軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂを励磁制御するアンプ回路１５０について説明する。このアンプ回路１５０の回路図を図２に示す。

【0048】

図２において、上側径方向電磁石１０４等を構成する電磁石巻線１５１は、その一端がトランジスタ１６１を介して電源１７１の正極１７１ａに接続されており、また、その他端が電流検出回路１８１及びトランジスタ１６２を介して電源１７１の負極１７１ｂに接続されている。そして、トランジスタ１６１、１６２は、いわゆるパワーＭＯＳＦＥＴとなっており、そのソース－ドレイン間にダイオードが接続された構造を有している。

【0049】

このとき、トランジスタ１６１は、そのダイオードのカソード端子１６１ａが正極１７１ａに接続されるとともに、アノード端子１６１ｂが電磁石巻線１５１の一端と接続されるようになっている。また、トランジスタ１６２は、そのダイオードのカソード端子１６２ａが電流検出回路１８１に接続されるとともに、アノード端子１６２ｂが負極１７１ｂと接続されるようになっている。

【0050】

一方、電流回生用のダイオード１６５は、そのカソード端子１６５ａが電磁石巻線１５１の一端に接続されるとともに、そのアノード端子１６５ｂが負極１７１ｂに接続されるようになっている。また、これと同様に、電流回生用のダイオード１６６は、そのカソード端子１６６ａが正極１７１ａに接続されるとともに、そのアノード端子１６６ｂが電流検出回路１８１を介して電磁石巻線１５１の他端に接続されるようになっている。そして、電流検出回路１８１は、例えばホールセンサ式電流センサや電気抵抗素子で構成されている。

【0051】

以上のように構成されるアンプ回路１５０は、一つの電磁石に対応されるものである。そのため、磁気軸受が５軸制御で、電磁石１０４、１０５、１０６Ａ、１０６Ｂが合計１０個ある場合には、電磁石のそれぞれについて同様のアンプ回路１５０が構成され、電源１７１に対して１０個のアンプ回路１５０が並列に接続されるようになっている。

【0052】

さらに、アンプ制御回路１９１は、例えば、制御装置の図示しないディジタル・シグナル・プロセッサ部（以下、ＤＳＰ部という）によって構成され、このアンプ制御回路１９１は、トランジスタ１６１、１６２のｏｎ／ｏｆｆを切り替えるようになっている。

【0053】

アンプ制御回路１９１は、電流検出回路１８１が検出した電流値（この電流値を反映した信号を電流検出信号１９１ｃという）と所定の電流指令値とを比較するようになっている。そして、この比較結果に基づき、ＰＷＭ制御による１周期である制御サイクルＴｓ内に発生させるパルス幅の大きさ（パルス幅時間Ｔｐ１、Ｔｐ２）を決めるようになっている。その結果、このパルス幅を有するゲート駆動信号１９１ａ、１９１ｂを、アンプ制御回路１９１からトランジスタ１６１、１６２のゲート端子に出力するようになっている。

【0054】

なお、回転体１０３の回転速度の加速運転中に共振点を通過する際や定速運転中に外乱が発生した際等に、高速かつ強い力での回転体１０３の位置制御をする必要がある。そのため、電磁石巻線１５１に流れる電流の急激な増加（あるいは減少）ができるように、電源１７１としては、例えば５０Ｖ程度の高電圧が使用されるようになっている。また、電源１７１の正極１７１ａと負極１７１ｂとの間には、電源１７１の安定化のために、通常コンデンサが接続されている（図示略）。

【0055】

かかる構成において、トランジスタ１６１、１６２の両方をｏｎにすると、電磁石巻線１５１に流れる電流（以下、電磁石電流ｉＬという）が増加し、両方をｏｆｆにすると、電磁石電流ｉＬが減少する。

【0056】

また、トランジスタ１６１、１６２の一方をｏｎにし他方をｏｆｆにすると、いわゆるフライホイール電流が保持される。そして、このようにアンプ回路１５０にフライホイール電流を流すことで、アンプ回路１５０におけるヒステリシス損を減少させ、回路全体としての消費電力を低く抑えることができる。また、このようにトランジスタ１６１、１６２を制御することにより、ターボ分子ポンプ１００に生じる高調波等の高周波ノイズを低減することができる。さらに、このフライホイール電流を電流検出回路１８１で測定することで電磁石巻線１５１を流れる電磁石電流ｉＬが検出可能となる。

【0057】

すなわち、検出した電流値が電流指令値より小さい場合には、図３に示すように制御サイクルＴｓ（例えば１００μｓ）中で１回だけ、パルス幅時間Ｔｐ１に相当する時間分だけトランジスタ１６１、１６２の両方をｏｎにする。そのため、この期間中の電磁石電流ｉＬは、正極１７１ａから負極１７１ｂへ、トランジスタ１６１、１６２を介して流し得る電流値ｉＬｍａｘ（図示せず）に向かって増加する。

【0058】

一方、検出した電流値が電流指令値より大きい場合には、図４に示すように制御サイクルＴｓ中で１回だけパルス幅時間Ｔｐ２に相当する時間分だけトランジスタ１６１、１６２の両方をｏｆｆにする。そのため、この期間中の電磁石電流ｉＬは、負極１７１ｂから正極１７１ａへ、ダイオード１６５、１６６を介して回生し得る電流値ｉＬｍｉｎ（図示せず）に向かって減少する。

【0059】

そして、いずれの場合にも、パルス幅時間Ｔｐ１、Ｔｐ２の経過後は、トランジスタ１６１、１６２のどちらか１個をｏｎにする。そのため、この期間中は、アンプ回路１５０にフライホイール電流が保持される。

【0060】

第１実施形態に係る真空ポンプは、図５に示すように、回転体１０３に、複数の回転ブレード１０２（１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・）を備える第１の回転翼２０１と、回転円筒部１０２ｄを備える第２の回転翼２０２と、第１の回転翼２０１および第２の回転翼２０２の間に配設される断熱部２０３と、を備える真空ポンプ用回転翼２００を有している。

【0061】

断熱部２０３は、高温となる第２の回転翼２０２から、第１の回転翼２０１への熱の流入を抑制する部材である。断熱部２０３は、リング状または円筒状のスペーサである。断熱部２０３の内周面は、第１の回転翼２０１の下流側の部位の外周面に連結され、断熱部２０３の外周面は、第２の回転翼２０２の上流側の部位の内周面に連結される。断熱部２０３は、第１の回転翼２０１の最も下流側の回転ブレード１０２よりもさらに下流側の部位の外周面に連結される。断熱部２０３が設けられることで、第２の回転翼２０２は、第１の回転翼２０１に対して直接連結されずに、断熱部２０３を介して間接的に連結されて配設される。なお、第１の回転翼２０１と第２の回転翼２０２が直接的に連結されなければ、第１の回転翼２０１が断熱部２０３に連結される部位は特に限定されず、かつ第２の回転翼２０２が断熱部２０３に連結される部位は特に限定されない。

【0062】

第１の回転翼２０１は、断熱部２０３に連結される部位よりも下流側へ突出する円筒状の突出部２０４を有している。突出部２０４を含む第１の回転翼２０１の内周面は、ステータコラム１２２の外周面に対向する。このため、突出部２０４は、ステータコラム１２２と熱交換して、ステータコラム１２２へ放熱できる。

【0063】

第２の回転翼２０２は、回転円筒部１０２ｄを備えて円筒状であり、上流側の部位の内周面に、断熱部２０３の外周面が連結されている。

【0064】

第１の回転翼２０１を形成する第１の部材は、特に限定されないが、真空ポンプの回転性能を向上させるために比較的軽量であることが好ましく、例えばアルミ合金である。第２の回転翼２０２を形成する第２の部材は、特に限定されないが、高い耐熱性を有することが好ましく、例えばステンレス鋼である。第１の部材は、第２の部材よりも軽量であり、第２の部材は、第１の部材よりも高い耐熱性を有する。

【0065】

断熱部２０３を形成する第３の部材は、第１の材料および第２の材料よりも熱伝導率が低い低熱伝導率材料である。このため、断熱部２０３は、下流側に配置される高温部である第２の回転翼２０２から、下流側に配置されて高温部ほど高温とならない低温部である第１の回転翼２０１への熱の流入を抑制できる。第３の部材は、特に限定されないが、例えば二酸化ジルコニウム等のセラミックス、ポリアミドイミド等の樹脂材料、または細かい孔が多数空いている多孔質材料である。多孔質材料は、例えばステンレス鋼やチタン合金等の金属材料、セラミックスまたは樹脂材料等によって形成される。多孔質材料の製造方法は、特に限定されず、例えば３Ｄプリンタにより素材を積層して形成し、または粉末を焼結して形成することができる。

【0066】

外筒１２７およびベース部１２９は、ケーシング２０４を構成する。ケーシング２０４は、回転軸１１３、第１の回転翼２０１および第２の回転翼２０２を回転可能に内包する。

【0067】

次に、上述した真空ポンプの作用を説明する。真空ポンプの回転軸１１３が駆動機構であるモータ１２１により駆動されると、回転体１０３が回転する。これにより、回転ブレード１０２と静止ブレード１２３の作用により、吸気口１０１を通じてチャンバからの排気ガスが吸気される。

【0068】

吸気口１０１から吸気された排気ガスは、第1の回転翼２０１の回転ブレード１０２と静止ブレード１２３によって形成されるターボ分子ポンプ機構によって、下流側へ移送される。下流側へ移送されてきた排気ガスは、第２の回転翼２０２の回転円筒部１０２ｄおよび静止円筒部であるネジ付スペーサ１３１により形成されるホルベック型ドラッグポンプ機構へ案内された後、排気口１３３へ移送される。なお、本実施形態では、ネジ付きスペーサ１３１は第２の回転翼２０２の外周に配置され、ネジ付きスペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａが形成されている。しかしながら、これとは逆に、第２の回転翼２０２の外周面にネジ溝が形成され、その周囲に円筒状の内周面を有するスペーサが配置されてもよい。

【0069】

以上のように、第１実施形態に係る真空ポンプは、回転自在に保持された回転軸１１３と、回転軸１１３の駆動機構（モータ１２１）と、第１の材料で形成された第１の回転翼２０１と、第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、第１の回転翼２０１より下流側に配設された第２の回転翼２０２と、回転軸１１３、第１の回転翼２０１および第２の回転翼２０２を内包するケーシング２０４と、を有する真空ポンプであって、第１の回転翼２０１に、第２の回転翼２０２が断熱部２０３を介して配設されている。

【0070】

また、真空ポンプ用回転翼２００は、第１の材料で形成された第１の回転翼２０１と、第１の材料より耐熱性が高い第２の材料で形成され、第１の回転翼２０１より下流側に配設された第２の回転翼２０２と、を有する真空ポンプ用回転翼２００であって、第１の回転翼２０１に第２の回転翼２０２が断熱部２０３を介して配設されている。

【0071】

上記のように構成した真空ポンプおよび真空ポンプ用回転翼２００は、第１の回転翼２０１よりも下流側の第２の回転翼２０２が、断熱部２０３を介して配設されているため、下流側の第２の回転翼２０２を高温としても、上流側の第１の回転翼２０１への熱の流入を低減できる。このため、上流側の第１の回転翼２０１が過熱されることを抑制しつつ、下流側の第２の回転翼２０２を高温に保持できるため、真空ポンプの内部に反応生成物が堆積することを抑制できる。このため、真空ポンプの分解洗浄が不要となり、または分解洗浄の回数が減少し、作業時間および作業費用を削減できる。また、上流側の部分の過熱を抑制できるために、連続排気するガスの流量を制限する必要がなくなるため、ガスの流量を適切に維持することができる。

【0072】

なお、第１の回転翼２０１に対して断熱部２０３を介して配設されている第２の回転翼２０２は、断熱部２０３のみを介して直接的に配設されている場合のみならず、断熱部２０３および断熱部２０３以外の部位や部材を介して間接的に配設されている場合もあり得る。

【0073】

また、断熱部２０３は、第１の材料および第２の材料よりも熱伝導率が低い第３の材料で形成されてもよい。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、第３の材料で形成された断熱部２０３によって効果的に抑制できる。

【0074】

また、第３の材料は、多孔質材料であってもよい。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、熱伝導率が低い多孔質材料により形成された断熱部２０３によって効果的に抑制できる。

【0075】

また、第３の材料は、ステンレス鋼またはチタン合金であってもよい。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、熱伝導率が低いステンレス鋼またはチタン合金により形成された断熱部２０３によって効果的に抑制できる。

【0076】

また、第３の材料は、セラミックスであってもよい。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、熱伝導率が低いセラミックスによって形成された断熱部２０３によって効果的に抑制できる。

【0077】

また、第３の材料は、樹脂材料であってもよい。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、熱伝導率が低い樹脂材料によって形成された断熱部２０３によって効果的に抑制できる。

【0078】

また、第１の回転翼２０１は、当該第１の回転翼２０１の側面に配設された複数段の回転ブレード１０２の翼列を有し、真空ポンプは、回転ブレード１０２の翼列の間に配設された静止ブレード１２３の翼列を有し、回転ブレード１０２の翼列と静止ブレード１２３の翼列で、ターボ分子ポンプ機構が形成される。これにより、低い圧力まで効果的に排気できる。また、第１の回転翼２０１を含むターボ分子ポンプ機構への熱の流入を、断熱部２０３によって効果的に抑制できる。

【0079】

また、第２の回転翼２０２は、当該第２の回転翼２０２に配設された少なくとも１つの回転円筒部１０２ｄを有し、真空ポンプは、回転円筒部１０２ｄの外周面に対向して配設された少なくとも１つの静止円筒部（ネジ付きスペーサ１３１）を有し、回転円筒部１０２ｄと静止円筒部で、ホルベック型ドラッグポンプ機構が形成される。これにより、ポンプの排気口１３３付近の圧力が、比較的高い圧力の場合にも効果的に排気できる。また、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を断熱部２０３により低減させて、第２の回転翼２０２を含むホルベック型ドラッグポンプ機構を高温に保持して、ドラッグポンプ機構の内部の反応生成物の堆積を効果的に抑制できる。

【0080】

また、第１の回転翼２０１は、少なくとも一部が断熱部２０３より下流側へ突出した構造である。これにより、第１の回転翼２０１の表面積（内周面の面積）を増加させて、第１の回転翼２０１から、第１の回転翼２０１の内側に配置される部材（ステータコラム１２２）への放熱を促進できる。

【0081】

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る真空ポンプは、図6に示すように、断熱部３０２の構造が、第１実施形態と異なる。

【0082】

第２実施形態に係る真空ポンプの真空ポンプ用回転翼３００は、第１の回転翼２０１と、第１の回転翼２０１の下流側の端部に連結されたリング状の第１連結部３０１と、第１連結部３０１から上流側へ延在する円筒状の断熱部３０２と、断熱部３０２の上流側の端部に連結されたリング状の第２連結部３０３と、第２連結部３０３から下流側へ延在する円筒状の第２の回転翼２０２とを備えている。第１連結部３０１、断熱部３０２、第２連結部３０３および第２の回転翼２０２は、同一の材料（例えばステンレス鋼）によって一体的に形成されている。

【0083】

第１連結部３０１は、第１の回転翼２０１の下流側の端部と、断熱部３０２の下流側の端部とを連結している。第１連結部３０１は、第１の回転翼２０１の下流側の端部の外周面から径方向外側へ突出している。

【0084】

第２連結部３０３は、第２の回転翼２０２の上流側の端部と、断熱部３０２の上流側の端部とを連結している。第２連結部３０３は、第２の回転翼２０２の上流側の端部の内周面から径方向内側へ突出している。

【0085】

断熱部３０２は、第１の回転翼２０１の外周面と第２の回転翼２０２の内周面の間に、第１の回転翼２０１の外周面および第２の回転翼２０２の内周面から離れて配設されている。断熱部３０２は、径方向へ所定の厚みＷ１と、軸方向へ所定の長さＬ１を有する断熱構造である。軸方向とは、回転体１０３の回転の中心軸に沿う方向である。径方向とは、回転体１０３の回転の中心軸と直交する断面において、中心軸に対して離間または接近する方向である。厚みＷ１は、特に限定されないが、好ましくは１～１０ｍｍ、より好ましくは２～５ｍｍであり、例えば３ｍｍである。長さＬ１は、特に限定されないが、好ましくは１０～５０ｍｍ、より好ましくは２０～４０ｍｍであり、例えば３０ｍｍである。厚みＷ１が薄く、かつ長さＬ１が長いほど、断熱部３０２の伝熱量が低下し、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を低減できる。厚みＷ１は、例えば、第１の回転翼２０１の最も下流側の回転ブレード１０２よりも下流側の部位の径方向の厚みよりも小さく、かつ第２の回転翼２０２の上流側の部位の径方向の厚みよりも小さい。これにより、断熱部３０２の伝熱量が低下し、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を低減できる。

【0086】

以上のように、第２実施形態に係る真空ポンプの断熱部３０２は、所定の長さＬ１と厚みＷ１で形成された断熱構造である。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、所定の長さＬ１と厚みＷ１を有する断熱構造の断熱部３０２によって、効果的に抑制できる。

【0087】

また、第１連結部３０１は、第２連結部３０３よりも下流側に配置されるため、第１の回転翼２０１を軸方向へ長く形成できる。このため、第１の回転翼２０１がステータコラム１２２に対向する面積を広く確保でき、第１の回転翼２０１からステータコラム１２２への放熱を促進できる。

【0088】

＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る真空ポンプは、図７に示すように、回転軸１１３および第１の回転翼２０１の両方に、第２の回転翼２０２が断熱部４０２を介して配設されている点で、第１～第２実施形態と異なる。

【0089】

第３実施形態に係る真空ポンプの真空ポンプ用回転翼４００は、第１の回転翼２０１と、回転軸１１３および第１の回転翼２０１の上流側の部位に連結される略リング状の第１連結部４０１と、第１連結部４０１から下流側へ延在する円筒状の断熱部４０２と、断熱部４０２の下流側の端部に連結されるリング状の第２連結部４０３と、第２連結部４０３から下流側へ延在する円筒状の第２の回転翼２０２とを備えている。第１連結部４０１、断熱部４０２、第２連結部４０３および第２の回転翼２０２は、同一の材料（例えばステンレス鋼）によって一体的に形成されている。

【0090】

第１連結部４０１は、回転軸１１３の外周面に連結され、かつ軸方向において回転軸１１３と第１の回転翼２０１の間に挟まれて連結されている。第１連結部４０１は、回転軸１１３の外周面から径方向外側へ広がり、さらに下流側へ突出している。

【0091】

第２連結部４０３は、第２の回転翼２０２の上流側の端部と、断熱部４０２の下流側の端部とを連結している。第２連結部４０３は、第２の回転翼２０２の上流側の端部の内周面から径方向内側へ突出している。

【0092】

断熱部４０２は、ステータコラム１２２の外周面と第１の回転翼２０１の内周面の間に、ステータコラム１２２の外周面および第１の回転翼２０１の内周面から離れて配設されている。断熱部４０２は、径方向へ所定の厚みＷ２と、軸方向へ所定の長さＬ２を有する断熱構造である。厚みＷ２は、特に限定されないが、好ましくは１～１５ｍｍ、より好ましくは２～８ｍｍであり、例えば５ｍｍである。長さＬ２は、特に限定されないが、好ましくは２０～１６０ｍｍ、より好ましくは５０～１２０ｍｍであり、例えば８０ｍｍである。厚みＷ２が薄く、長さＬ２が長いほど、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を低減できる。厚みＷ２は、例えば、第２の回転翼２０２の上流側の部位の径方向の厚みよりも小さい。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入をさらに低減できる。

【0093】

以上のように、第３実施形態に係る真空ポンプは、回転軸１１３および第１の回転翼２０１の両方に、第２の回転翼２０２が断熱部４０２を介して配設されている。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、断熱部４０２によって、効果的に抑制できる。なお、第２の回転翼２０２は、回転軸１１３および第１の回転翼２０１に断熱部４０２のみを介して直接的に配設されてもよいが、断熱部４０２および断熱部４０２以外の部位や部材を介して間接的に配設されてもよい。また、第２の回転翼２０２は、第１の回転翼２０１ではなく回転軸１１３のみに対して、断熱部４０２を介して直接的にまたは間接的に配設されてもよい。

【0094】

また、第３実施形態に係る真空ポンプの断熱部４０２は、所定の長さＬ２と厚みＷ２で形成された断熱構造である。これにより、第２の回転翼２０２から第１の回転翼２０１への熱の流入を、所定の長さＬ２と厚みＷ２を有する断熱構造の断熱部４０２によって、効果的に抑制できる。

【0095】

＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る真空ポンプは、図８に示すように、断熱部５０３および第２の回転翼５０１の構造が、第１～第３実施形態と異なる。

【0096】

第４実施形態に係る真空ポンプの真空ポンプ用回転翼５００は、第１の回転翼２０１と、第１の回転翼２０１の下流側の端部と第２の回転翼５０１の上流側の端部に連結される断熱部５０３と、軸方向に並ぶ２つの回転円板部５０２を備える第２の回転翼５０１と、を備えている。

【0097】

真空ポンプは、さらに、２つの回転円板部５０２の間に、２つの回転円板部５０２の軸方向へ向く面に対向して配設された静止円板部５０４を備えている。静止円板部５０４の軸方向へ向く両面（下流側の面および上流側の面）には、渦巻状の溝５０５が複数条刻設されている。溝５０５の渦巻の方向は、回転体１０３の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口１３３の方へ移送される方向である。

【0098】

第4実施形態では、回転円板部５０２は２つ、静止円板部５０４は１つ設けられるが、回転円板部５０２および静止円板部５０４の数は特に限定されない。したがって、例えば回転円板部５０２および静止円板部５０４は１つずつ設けられても、回転円板部５０２および静止円板部５０４の各々が２つ以上設けられてもよい。

【0099】

断熱部５０３を形成する第３の部材は、第１の材料および第２の材料よりも熱伝導率が低い低熱伝導率材料である。このため、断熱部５０３は、高温部である第２の回転翼５０１から、低温部である第１の回転翼２０１への熱の流入を抑制できる。

【0100】

第４実施形態において、第２の回転翼５０１は、当該第２の回転翼５０１の側面に配設された少なくとも１つの回転円板部５０２を有し、真空ポンプは、回転円板部５０２の軸方向へ向く面に対向して配設された少なくとも１つの静止円板部５０４を有し、回転円板部５０２と静止円板部５０４で、シグバーン型ドラッグポンプ機構を形成される。これにより、ポンプの排気口１３３付近の圧力が、比較的高い圧力の場合にも効果的に排気できる。また、第２の回転翼５０１から第１の回転翼２０１への熱の流入を断熱部５０３により低減させて、第２の回転翼５０１を含むシグバーン型ドラッグポンプ機構を高温で保持し、ドラッグポンプ機構の内部の反応生成物の堆積を効果的に抑制できる。

【0101】

なお、本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の技術的思想内において当業者により種々変更が可能である。例えば、真空ポンプの下流側の高温部は、シグバーン型ドラッグポンプ機構と、ホルベック型ドラッグポンプ機構とを組み合わせて形成されてもよい。例えば、上流側にシグバーン型ドラッグポンプ機構が配置され、下流側にホルベック型ドラッグポンプ機構が配置されてもよく、または逆に配置されてもよい。また、上述の第１～第３実施形態において、ホルベック型ドラッグポンプ機構は、回転円筒部１０２ｄの外周面と静止円筒部（ネジ付スペーサ１３１）の内周面によって形成されるが、回転円筒部の内周面と静止円筒部の外周面によって形成されてもよい。

【符号の説明】

【0102】

１００ ターボ分子ポンプ
１０１ 吸気口
１０２ 回転ブレード
１０２ｄ 回転円筒部
１０３ 回転体
１１３ 回転軸
１２１ モータ（駆動機構）
１２２ ステータコラム
１２３ 静止ブレード
１３１ ネジ付スペーサ（静止円筒部）
１３３ 排気口
２００、３００、４００、５００ 真空ポンプ用回転翼
２０１ 第１の回転翼
２０２、５０１ 第２の回転翼
２０３、３０２、４０２、５０３ 断熱部
２０４ ケーシング
５０２ 回転円板部
５０４ 静止円板部
Ｌ１、Ｌ２ 断熱部の長さ
Ｗ１、Ｗ２ 断熱部の幅

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】