特開 2022-34336 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022034336

(43)【公開日】2022-03-03

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20220224BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20220224BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 Q

H05K3/46 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020138083

(22)【出願日】2020-08-18

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池田 大介

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA29

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB03

5E316BB16

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE09

5E316EE33

5E316FF03

5E316FF15

5E316GG15

5E316HH17

5E316JJ13

5E316JJ26

5E338AA03

5E338BB05

5E338CC08

5E338CD32

5E338EE02

(57)【要約】

【課題】放熱を効率良く行うことが可能な配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１０は、電子部品が搭載される部品搭載領域Ａを有する第１面１０Ｆ及び第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｓと、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの間で交互に積層される複数の絶縁層１１及び導体層１２と、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの間に配置される複数のペルチェ素子と、を有する。複数のペルチェ素子のそれぞれは、第１面１０Ｆ側に面する吸熱面１０１、及び、第２面１０Ｓ側に面する発熱面１０２を有し、複数のペルチェ素子は、部品搭載領域Ａを第２面１０Ｓ側に垂直投影した領域に、配線基板１０の厚さ方向に重ねられて配置されており、複数のペルチェ素子のうち、第２面１０Ｓ側に配置されている第１のペルチェ素子の吸発熱能力は、第１のペルチェ素子よりも第１面１０Ｆ側に配置されている第２のペルチェ素子の吸発熱能力よりも高い。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電子部品が搭載される部品搭載領域を有する第１面及び前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面の間で交互に積層される複数の絶縁層及び導体層と、前記第１面及び前記第２面の間に配置される複数のペルチェ素子と、を有する配線基板であって、
前記複数のペルチェ素子のそれぞれは、前記第１面側に面する吸熱面、及び、前記第２面側に面する発熱面を有し、
前記複数のペルチェ素子は、前記部品搭載領域を前記第２面側に垂直投影した領域に、前記配線基板の厚さ方向に重ねられて配置されており、
前記複数のペルチェ素子のうち、前記第２面側に配置されている第１のペルチェ素子の吸発熱能力は、前記第１のペルチェ素子よりも前記第１面側に配置されている第２のペルチェ素子の吸発熱能力よりも高い。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数のペルチェ素子は電気的に並列に接続されている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数のペルチェ素子のそれぞれは電気的に独立している。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記配線基板は前記第１面が部分的に窪む凹部を有し、前記凹部の底面は前記部品搭載領域を有している。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１面は前記部品搭載領域に部品実装パッドを備え、前記部品実装パッドは前記複数のペルチェ素子のうち最も前記第１面の近くに配置されている前記ペルチェ素子の前記吸熱面と導体を介して接続されている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数のペルチェ素子それぞれの前記吸熱面はビア導体と接続している。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２面を構成する導体層は、前記複数のペルチェ素子のうち最も前記第２面の近くに配置されているペルチェ素子の前記発熱面と導体を介して接続されるパターンを有している。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数のペルチェ素子それぞれの前記発熱面はビア導体と接続している。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数のペルチェ素子のうち最も前記第２面の近くに配置されているペルチェ素子の前記発熱面が前記第２面の一部を構成している。

【請求項10】

請求項１記載の配線基板であって、前記複数のペルチェ素子のうち最も前記第２面の近くに配置されているペルチェ素子の前記発熱面と前記第２面との距離は４００μｍ以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、放熱基板が開示されている。放熱基板の厚さ方向における中央部分に位置するコア基板を貫通するキャビティ内に単一のペルチェ素子モジュールが配置されている。コア基板の両面側には、絶縁層及び導体層が積層されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２０１０６６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の放熱基板内には、単一のペルチェ素子モジュールが配置されている。しかし、放熱基板における吸熱側の表面から放熱側の表面へと充分に熱を伝達することができず、熱源から発生する熱が放熱基板内に留まる場合があると考えられる。熱源に対する望ましい冷却効果が得られ難い場合があると考えられ、また、放熱基板に接続され得る電子部品の誤動作や、熱応力による放熱基板の歪みなどの不良を引き起こす虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、電子部品が搭載される部品搭載領域を有する第１面及び前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面の間で交互に積層される複数の絶縁層及び導体層と、前記第１面及び前記第２面の間に配置される複数のペルチェ素子と、を有している。前記複数のペルチェ素子のそれぞれは、前記第１面側に面する吸熱面、及び、前記第２面側に面する発熱面を有し、前記複数のペルチェ素子は、前記部品搭載領域を前記第２面側に垂直投影した領域に、前記配線基板の厚さ方向に重ねられて配置されており、前記複数のペルチェ素子のうち、前記第２面側に配置されている第１のペルチェ素子の吸発熱能力は、前記第１のペルチェ素子よりも前記第１面側に配置されている第２のペルチェ素子の吸発熱能力よりも高い。

【0006】

本発明の実施形態によれば、部品搭載領域に搭載されている電子部品などから発生する熱を、効率よく外部へ放熱することが可能な配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図3】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図4】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図5A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5H】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5I】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5J】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5K】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5L】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5M】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5N】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5O】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【図5P】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は、実施形態の一例である配線基板１０の断面図である。図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、第１面１０Ｆ及び第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｓを有している。配線基板１０は、複数の交互に積層される絶縁層１１及び導体層１２を含む。複数の絶縁層１１のうち絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣはその内部にペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃを有している。ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、それぞれ絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣに設けられる収容口１１ｐｃ内に配置されている。これらの複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは配線基板１０内の厚さ方向において一列に並ぶように重ねられて配置されている。複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれは、詳しくは後述するように、互いに吸発熱能力が異なる。

【0009】

ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃを内部に収容している絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣ、及び、絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣそれぞれの両面に接して積層されている絶縁層１１、及び、絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣに接する導体層１２、及び、絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣの両面に積層されている絶縁層１１に接する導体層１２は、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃと称される。図示の例において、３つの素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、素子内蔵層１Ａと素子内蔵層１Ｂとの間、及び、素子内蔵層１Ｂと素子内蔵層１Ｃとの間にそれぞれ一層の絶縁層１１を介して積層されている。

【0010】

配線基板１０が有する複数の導体層１２のそれぞれは、所望の導体パターンを有するように適宜パターニングされている。そして導体層１２が接する絶縁層１１は、導体層１２と接続する接続用の導体を含んでいる。具体的には、絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣは、絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣそれぞれを貫通してその両側に接する導体層１２同士を接続する貫通導体１４ｐを含んでいる。その他の絶縁層１１のうち任意の絶縁層１１はビア導体１４ｖを含んでいる。そして、配線基板１０は、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、及び１Ｃを連続して貫通する、スルーホール導体１４ｔを有している。

【0011】

図示の例においては、配線基板１０は、その第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｓ側に最も近い導体層１２及び絶縁層１１を被覆する被覆層１３を備えている。被覆層１３は、最外の導体層１２が有する導体パッド１２ｃを露出させる開口１３ａを備えている。被覆層１３はソルダーレジスト層であり得る。

【0012】

配線基板１０の第１面１０Ｆは外部の電子部品などが搭載され得る部品搭載領域Ａを有しており、部品搭載面として機能し得る。部品搭載領域Ａには、例えば、メモリ、マイコン、ＣＰＵ、等の半導体集積回路装置、又はＬＥＤ、ＰＤ（フォトダイオード）等の光半導体デバイスである電子部品ＥＣが搭載され得る。図示の例では、第１面１０Ｆの部品搭載領域Ａに対応する部分は配線基板１０の内側に窪む凹部１０ＦＲを構成している。図示の例では、凹部１０ＦＲの底面は、導体層１２が有する導体パターンとして部品実装領域Ａの全域に亘って形成される部品実装パッド１２０により構成されている。凹部１０ＦＲの側壁（底面以外の部分）は、絶縁層１１及び被覆層１３の露出面から構成されている。そして、第１面１０Ｆの凹部１０ＦＲ以外の部分は、被覆層１３及び被覆層１３に設けられている開口１３ａから露出する導体層１２（導体パッド１２ｃ）によって構成されている。

【0013】

配線基板１０の、導体層１２及び被覆層１３で構成されている第２面１０Ｓは、配線基板１０内部の熱を外部へ放出させる放熱面として機能する。第１面１０Ｆの部品搭載領域Ａに搭載され得る電子部品ＥＣから発生する熱は、重ねられて配置される複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃを介して第２面１０Ｓに伝えられ、配線基板１０の外部へと放熱される。図示の例では、第２面１０Ｓは、導体層１２の導体パターンの一部として形成される放熱用パターン１２ｃｅを有している。第２面１０Ｓには、配線基板１０内部の熱を効率よく外部へと放出させるために、例えば高熱伝導性の接着部材などを介してヒートシンク（図示せず）が接続されてもよい。

【0014】

配線基板１０に配置されている複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれは、一方に第１の面１０１を有し、第１の面１０１と反対側に第２の面１０２を有している。本実施形態においては第１の面１０１は冷却面（吸熱面）として機能し、第２の面１０２は加熱面（発熱面）として機能する。複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれは、第１面１０Ｆの部品搭載領域Ａ側に第１の面１０１を向け、第２面１０Ｓ側に第２の面１０２を向けて配置される。複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれは、第１の面１０１で吸収した熱を、第２の面１０２から放熱するヒートポンプとして機能する。

【0015】

部品搭載領域Ａに配置される電子部品ＥＣから発せられる熱は、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのうちの最も第１面１０Ｆ寄りに配置されているペルチェ素子１００Ａの吸熱面１０１から吸収される。そして、ペルチェ素子１００Ａの発熱面１０２から放熱される熱は、ペルチェ素子１００Ｂの吸熱面１０１から吸収され、ペルチェ素子１００Ｂの発熱面１０２から放熱される。次いで、ペルチェ素子１００Ｂの発熱面１０２から放熱される熱は、ペルチェ素子１００Ｃの吸熱面１０１から吸収され、ペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２から放熱され、さらに第２面１０Ｓから（特に、放熱用パターン１２ｃｅから）配線基板１０の外部へと放熱される。すなわち、３つのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃからなる集合体は、部品搭載領域Ａに配置される電子部品ＥＣから発せられる熱を、第２面１０Ｓから配線基板１０の外部へ放熱させるヒートポンプとして機能する。

【0016】

配線基板１０の部品搭載領域Ａに配置される電子部品ＥＣが発する熱は、配線基板１０内に留まると電子部品ＥＣの誤動作等の原因になり得る。また、配線基板１０の各構成要素の熱膨張による層間剥離の原因ともなり得る。従って、電子部品ＥＣが発する熱は配線基板１０の外部へ放熱される必要がある。ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、この電子部品ＥＣが発する熱を、第２面１０Ｓから配線基板１０の外側へと効率よく放熱するために設けられている。放熱の効率の観点から、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、部品搭載領域Ａを、第２面１０Ｓ側に垂直投影した領域に、配線基板１０の厚さ方向に重ねられて配置されている。この配置により、電子部品ＥＣからペルチェ素子１００Ａ、ペルチェ素子１００Ａからペルチェ素子１００Ｂ、及びペルチェ素子１００Ｂからペルチェ素子１００Ｃの熱の伝導は、短い伝熱経路により効率よく実現される。

【0017】

本実施形態における配線基板１０において、互いに吸発熱能力の異なる複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、第１面１０Ｆ側から第２面１０Ｓ側に向かって、吸発熱能力が高まるように配置される。すなわち、図示の例において、３つのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのうち、第２面１０Ｓに近い側に配置されているペルチェ素子の吸発熱能力は、第１面１０Ｆに近い側に配置されているペルチェ素子の吸発熱能力よりも高い。具体的には、複数のペルチェ素子のうちの任意の２つのペルチェ素子において、第２面１０Ｓ側に配置される第１のペルチェ素子（例えばペルチェ素子１００Ｃ）の吸発熱能力は、第１のペルチェ素子よりも第１面１０Ｆ側に配置される第２のペルチェ素子（例えばペルチェ素子１００Ｂ）の吸発熱能力よりも高い。すなわち、図示の例においては、ペルチェ素子１００Ｃの吸発熱能力はペルチェ素子１００Ｃよりも第１面１０Ｆ側に配置されているペルチェ素子１００Ｂの吸発熱能力よりも高く、ペルチェ素子１００Ｂの吸発熱能力は、ペルチェ素子１００Ａの吸発熱能力よりも高い。

【0018】

なお、本実施形態の説明におけるペルチェ素子の「吸発熱能力が異なる」とは、任意の２つのペルチェ素子における、一方のペルチェ素子の吸熱面から吸収可能な熱量が、他方のペルチェ素子の吸熱面から吸収可能な熱量と異なることを意味する。従って、詳しくは後述されるように、複数のペルチェ素子が電気的に並列接続されて所定の電圧が共通の電力供給源から印加される場合においては、所定の電圧に対する吸熱可能な熱量（吸発熱効率）が異なることを意味している。しかしながら、「吸発熱能力が異なる」とは吸発熱効率が異なることだけを意味せず、吸発熱効率が等しい複数のペルチェ素子に、個別の電力供給源により異なる大きさの電圧を印加して吸収可能な熱量を異ならせる場合も「吸発熱能力が異なる」と表現される。

【0019】

前述したように、単一のペルチェ素子モジュールが内部に配置された放熱基板においては、単一のペルチェ素子モジュールが有する吸発熱能力では熱源からの熱を吸収しきれない場合があると考えられる。この場合、ペルチェ素子に吸収されずに基板内に滞留する熱は、基板に接続されている電子部品の動作不良や、基板の望ましくない熱変形を引き起こす虞がある。これに対し、より多くの熱量を吸収して放熱し得るようにするため、複数のペルチェ素子モジュールを多段式に積み重ねることで吸発熱能力を高める対応が考えられる。本実施形態では、複数の吸発熱能力の異なるペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃが、熱源側（第１面１０Ｆ側）から放熱面側（第２面１０Ｓ側）に向けて、吸発熱能力が低から高となる勾配を有するように列状に重ねられて配置されている。従って、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ間で熱が漏れる虞がなく、単に同じ吸発熱能力を有する複数のペルチェ素子を列状に重ねられて配置する場合と比較して、熱源からの熱はより確実に放熱面側（第２面１０Ｓ側）に伝熱し得る。

【0020】

配線基板１０内に設けられる複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのうち、最も第２面１０Ｓ側に設けられるペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２から第２面１０Ｓまでの距離は、より小さいことが好ましい。ペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２から第２面１０Ｓまでの距離が、最も第１面１０Ｆ側に設けられるペルチェ素子１００Ａの吸熱面１０１から第１面１０Ｆまでの距離よりも小であると、配線基板１０外へのより効果的な放熱が実現されることがある。ペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２から第２面１０Ｓまでの距離は、４００μｍ以下であることが好ましい。

【0021】

電子部品ＥＣから第２面１０Ｓまでの効率的な熱伝導を実現させる観点から、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃそれぞれの吸熱面１０１及び発熱面１０２には、比較的熱伝導率の高い導体が接続されていることが好ましい。部品実装パッド１２０とペルチェ素子１００Ａとの間、ペルチェ素子１００Ａとペルチェ素子１００Ｂとの間、ペルチェ素子１００Ｂとペルチェ素子１００Ｃとの間、及び、ペルチェ素子１００Ｃと第２面１０Ｓとの間、における熱の漏れが抑制され得る。配線基板１０においては、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃそれぞれの吸熱面１０１及び発熱面１０２には、ビア導体１４ｖが接続され、吸熱面１０１及び発熱面１０２はビア導体１４ｖと一体的に形成される導体層１２と接続している。

【0022】

熱源となる電子部品ＥＣが発する熱を、効率的に第２面１０Ｓから放熱させるためには、図示のように、最も第１面１０Ｆ側に近いペルチェ素子１００Ａの吸熱面１０１は、配線基板１０を構成する導体（ビア導体１４ｖ及び／又は導体層１２）を介して部品実装パッド１２０と接続されていることが好ましい。そして、最も第２面１０Ｓ側に近いペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２は、配線基板１０を構成する導体を介して、第２面１０Ｓを構成する導体層１２の、導体パターンの一部として形成される放熱用パターン１２ｃｅに接続されていることが好ましい。熱源から放熱面（第２面１０Ｓ）までの熱伝導が効率よく行われ得る。

【0023】

導体層１２、ビア導体１４ｖ、貫通導体１４ｐ、及びスルーホール導体１４ｔは、銅やニッケルなど、適切な導電性を有する任意の材料を用いて形成され得る。導体層１２、ビア導体１４ｖ、貫通導体１４ｐ、及びスルーホール導体１４ｔは、例えば金属箔（好ましくは銅箔）、金属膜層（好ましくは無電解銅めっき膜層）、もしくは電解めっき膜層（好ましくは電解銅めっき膜層）を用いて、又はこれらの組み合わせを用いて形成される。図１に示される例では、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを構成する導体層１２は、金属箔、金属膜層、及び電解めっき膜層を含む構造を有している。具体的には、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを構成する導体層１２のうち、スルーホール導体１４ｔの端部を構成する導体層１２は、金属箔、金属膜層、電解めっき膜層、金属膜層、及び電解めっき膜層の５層構造を有している。そして、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを構成するその他の導体層１２は、金属箔、金属膜層、及び電解めっき膜層の３層構造を有している。

【0024】

素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを貫通するスルーホール導体１４ｔは、貫通孔の内壁に形成されている金属膜及び金属膜を給電層として形成される電解めっき膜で構成される導体膜の内側を埋める充填物１４ｔｆを含んでいる。充填物１４ｔｆは、例えばエポキシ、アクリル、フェノールなどの樹脂を含有する絶縁性材料を用いて形成されている。充填物１４ｔｆは、銀粒子などの導電性粒子を含む導電性ペースト又は導電性インクの固化物であってもよい。スルーホール導体１４ｆを構成する金属膜及び電解めっき膜と一体に形成される導体層１２の上には、さらに金属膜及び電解めっき膜が形成され、スルーホール導体１４ｔの端部を構成する導体層１２は５層構造を有している。スルーホール導体１４ｔの充填物１４ｔｆの端面にも金属膜及び電解めっき膜が充填物１４ｔｆを覆うように形成されている。配線基板１０を構成する導体層１２のうち、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを構成する導体層１２以外の導体層１２、ビア導体１４ｖ、及び貫通導体１４ｐは、金属膜層及び電解めっき膜層を含む２層構造を有している。

【0025】

絶縁層１１は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層１１は、ガラス繊維などの補強材及び／又はシリカなどの無機フィラーを含み得る。図１に示される例では、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを構成する絶縁層１１、１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣ、及び、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃの間に介在する絶縁層１１はガラス繊維を含む補強材を含んでいる。そして、その他の絶縁層１１は補強材を含んでいないものが図示されている。ソルダーレジスト層であり得る被覆層１３は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。

【0026】

配線基板１０の第１面１０Ｆ側に形成されている凹部１０ＦＲは、その底面の全域に亘って電子部品ＥＣが載置されるべき部品実装パッド１２０を露出している。部品実装パッド１２０は、配線基板１０を構成する導体層１２のうち一つの層の一部が凹部１０ＦＲの底面に露出したものである。部品実装パッド１２０上に実装用部材を介して電子部品ＥＣが実装される。部品実装パッド１２０には、エポキシ樹脂などで形成される絶縁性の接着剤、又は、導電性粒子を含む導電性接着剤などの実装用部材を介して電子部品ＥＣが実装され得る。電子部品ＥＣの上側には、例えば電子部品ＥＣを制御するコントローラーなどの電子部品（図示せず）が接続されてよい。

【0027】

絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣのそれぞれは、内部にペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃを収容するための貫通孔（収容口）１１ｐｃを有している。収容口１１ｐｃは、その中に収容されるペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの寸法よりも僅かに大きく形成される。収容口１１ｐｃの内面と、その中に収容されるペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃとの間の隙間は、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃを構成する、絶縁層１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣに接する絶縁層１１を構成する樹脂で埋められている。

【0028】

ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれは、一定の間隔をあけて交互に配置されている複数の直方体形状のＰ型熱電半導体素子１００ｐとＮ型熱電半導体素子１００ｎとを有している。ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、この複数の交互に配置されているＰ型及びＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎのうち、隣接するＰ型及びＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎの端部を、電極板１００ｅで互い違いに接続することで構成されている。

【0029】

複数の交互に配置されているＰ型及びＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎのうち、末端のＰ型又はＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎにおける電極板１００ｅと反対側の端部には電極１００ａ、１００ｂが設けられている。電極板１００ｅ及び電極１００ａ、１００ｂは、例えばＣｕなどの適切な導電性を有する金属で構成されている。ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、この電極板１００ｅ及び電極１００ａ、１００ｂが設けられた複数のＰ型及びＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎを、２枚の絶縁板（第１絶縁板１００ｃ及び第２絶縁板１００ｈ）で挟むことで形成されている。

【0030】

Ｐ型熱電半導体素子１００ｐとＮ型熱電半導体素子１００ｎとは略同形で同サイズに形成されている。Ｐ型熱電半導体素子１００ｐとしては、例えば、ビスマス－テルル化合物にアンチモンを添加したものが用いられ、Ｎ型熱電半導体素子１００ｎとしては、ビスマス－テルル化合物にセレンを添加したものが用いられ得る。ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの各熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎの間の空間には、絶縁性樹脂などの封止剤が充填されている。封止剤には、例えば、エポキシ系樹脂などの絶縁性の樹脂が使用され得る。

【0031】

ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの両面を構成する第１及び第２絶縁板１００ｃ、１００ｈは、例えば、セラミック板などの高い熱伝導性及び電気絶縁性を有する材料を用いて構成される。第１及び第２絶縁板１００ｃ、１００ｈには例えば、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などが使用され得る。第１絶縁板１００ｃの、Ｐ型及びＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎと反対側の表面は、第１の面（吸熱面）１０１を構成する。第２絶縁板１００ｈの、Ｐ型及びＮ型熱電半導体素子１００ｐ、１００ｎと反対側の表面は、第２の面（発熱面）１０２を構成する。

【0032】

図示される例のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおいては、電極１００ａ及び電極１００ｂが第１の面１０１側に設けられ、第１絶縁板１００ｃの電極１００ａ、１００ｂと重なる部分には、電極１００ａ、１００ｂの一部が露出する開口が形成されている。ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおける電極１００ａ、１００ｂが設けられる位置はこれに限定されない。電極１００ａ、１００ｂの両方が第２の面１０２側に設けられてもよく、電極１００ａ、１００ｂのうち一方が第１の面１０１側に設けられ、他方が第２の面１０２側に設けられる構成とされてもよい。電極１００ａ、１００ｂの位置に応じて、導体層１２、ビア導体１４ｖ、貫通導体１４ｐ、スルーホール導体１４ｔにより、電力供給源から電極１００ａ、１００ｂまでの、適切な導電経路が構成され得る。

【0033】

ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃに電力が供給されると、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの第１絶縁板１００ｃ側では温度が低くなり、反対側の第２絶縁板１００ｈ側で温度が高くなる温度勾配が形成される。すなわち、第１絶縁板１００ｃ側で吸熱現象、第２絶縁板１００ｈ側で発熱現象が発生する。

【0034】

図示の例では、３つのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは、電気的に並列に接続されている。３つのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの電極１００ａは、スルーホール導体１４ｔを介して、共通の導電パッド１２ｃａに接続されている。３つのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの電極１００ｂは、スルーホール導体１４ｔを介して、共通の電極パッド１２ｃｂに接続されている。電気的に並列に接続されていることによって、３つのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃには、共通の電力供給源から等しい値の電圧が印加され得る。上述のように、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃにおいて、ペルチェ素子１００Ｃの吸発熱能力はペルチェ素子１００Ｂの吸発熱能力よりも高く、ペルチェ素子１００Ｂの吸発熱能力はペルチェ素子１００Ａの吸発熱能力よりも高い。すなわち、図示される、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃが電気的に並列接続される例においては、所定の印加電圧における吸収可能な熱量（吸発熱効率）について、第２面１０Ｓ側の１００Ｃで最も高く、第１面１０Ｆ側の１００Ａで最も低い。

【0035】

なお、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの異なる吸発熱能力を実現させるために、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃそれぞれに印加する電圧を異ならせてもよい。具体的には、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃに吸発熱効率が同じものを用い、印加電圧を異ならせることで、吸発熱能力を異ならせる構成を実現してもよい。この場合、複数の電気的に並列接続されたペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれに電圧調整用の抵抗が接続されることで印加電圧が調整され得る。また、複数のペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれは電気的に独立の構成とされ、それぞれのペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの電極１００ａ、１００ｂには個別に、電力供給源が接続されてもよい。

【0036】

図２には、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃのそれぞれに個別の電力供給源が接続される場合の例として、配線基板１０ａが示されている。配線基板１０ａにおいては、ペルチェ素子１００Ａの電極１００ａ、１００ｂは、第１面１０Ｆに露出する導体パッド１２ｃＡに接続されている。ペルチェ素子１００Ｂの電極１００ａ、１００ｂは、スルーホール導体１４ｔを介して、第１面１０Ｆに露出する導体パッド１２ｃＢに接続されている。ペルチェ素子１００Ｃの電極１００ａ、１００ｂは第２面１０Ｓに露出する導体パッド１２ｃＣに接続されている。各ペルチェ素子１００Ａ，１００Ｂ、１００Ｃに個別の電圧源を接続する構成とすることが可能となり、各ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃで吸収可能な熱量を印加電圧によって制御することが可能となる。

【0037】

図１及び図２の配線基板１０、１０ａは、部品実装パッド１２０と電子部品ＥＣとは電気的に絶縁されている例として示されている。電子部品ＥＣへの電力は、例えば電子部品ＥＣの上部に設けられる接続パッドを介して電子部品ＥＣの上に接続され得る他の電子部品等から供給され得る。しかし、電子部品ＥＣへの電力供給は、部品搭載領域Ａに設けられる部品実装パッド１２０を介して行われてもよい。

【0038】

図３に示される配線基板１０ｂでは、電子部品ＥＣがフリップチップ実装で部品実装パッド１２０に電気的に接続されている例が示されている。電子部品ＥＣは、例えば、その直下に設けられる被覆層（ソルダーレジスト層）１３ｒの開口から露出する部品実装パッド１２０に、半田などのバンプを介して接続され得る。図示の例では、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの電極１００ａ、１００ｂに接続されている、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃへの電力供給のための導電経路は、電子部品ＥＣへの導電経路と部分的に重なっている。この実施形態における配線基板１０ｂでも、配線基板１０と同様に、部品実装パッド１２０とペルチェ素子１００Ａが導体を介して接続されている。これにより、電子部品ＥＣとペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃに共通の導電経路で電力供給をしながらも、電子部品ＥＣで発生した熱を効率よくペルチェ素子３０に伝熱し得ることがある。

【0039】

本実施形態の配線基板は、第２面１０Ｓにペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２が露出する構成を有してもよい。ペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２が露出することで、ペルチェ素子１００Ｃの発熱面１０２から発せられる熱は直接、配線基板１０、１０ａ、１０ｂの外部へ放出されることとなり、放熱効率が向上し得る。この露出する発熱面１０２には、高熱伝導率を有する接着剤などを介して外部のヒートシンク（図示せず）と結合させることも可能である。

【0040】

また、本実施形態の配線基板は、図４に示される配線基板１０ｃのように、第１面１０Ｆは凹部を有さず平坦に形成されてもよい。図示される例では、部品実装パッド１２０は第１面１０Ｆに露出する導体パッド１２ｃと同一の面に形成され、電子部品ＥＣは部品実装パッド１２０を介して第１面１０Ｆ上に搭載される。

【0041】

以下、図５Ａ～図５Ｐを参照して、図１に示される配線基板１０の製造方法が説明される。先ず、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃが、例えば両面銅張積層板を出発材料として形成される。なお、以下、図５Ａ～図５Ｈに示される工程は、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃにおいて共通しているため、素子内蔵層１Ａの製造工程のみが説明される。

【0042】

図５Ａに示されるように、例えば、エポキシ樹脂又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁層１１ｐＡの両面に、銅箔１２ｆがラミネートされている両面銅張積層板が用意される。次に、図５Ｂに示されるように、両面銅張積層板の両面側から例えば炭酸ガスレーザー光が照射されて、絶縁層１１ｐＡの厚さ方向における中心部付近へ向かって両面側からテーパー状に縮径する貫通孔１４ｐｈが形成される。

【0043】

次いで、図５Ｃに示されるように、貫通導体１４ｐ及び導体層１２が形成される。貫通孔１４ｐｈ内及び銅箔１２ｆ上に無電解めっき処理が行われ、銅箔１２ｆ上と貫通孔１４ｐｈの内面に無電解めっき膜１２ｎが形成される。そして、銅箔１２ｆ上の無電解めっき膜１２ｎ上に、所定パターンのめっきレジストが形成された後に電解めっき処理が行われ、電解めっき膜１２ｅが貫通孔１４ｐｈ内に充填されて貫通導体１４ｐが形成されると共に、銅箔１２ｆ上の無電解めっき膜１２ｎのめっきレジストから露出している部分に電解めっき膜１２ｅが形成される。続いて、めっきレジストが剥離され、さらにめっきレジストの下方の無電解めっき膜１２ｎ及び銅箔１２ｆがエッチングにより除去される。残された電解めっき膜１２ｅ、無電解めっき膜１２ｎ及び銅箔１２ｆにより、絶縁層１１ｐＡの両面に導体層１２が形成されると共に、導体層１２が貫通導体１４ｐによって接続された状態になる。

【0044】

次いで、図５Ｄに示されるように、絶縁層１１ｐＡにルーター加工又はレーザー光の照射によって、収容口１１ｐｃが形成される。

【0045】

続いて、図５Ｅに示されるように、収容口１１ｐｃの開口の一方を塞ぐように、例えばＰＥＴフィルムからなるテープＴＰが導体層１２上に張り付けられる。そして、ペルチェ素子１００Ａがマウンター（図示せず）によって収容口１１ｐｃの内部に収められ、第２絶縁板１００ｈがテープＴＰに固定される。

【0046】

続いて、図５Ｆに示されるように、プリプレグ１１ｐ及び金属箔１２ｆが、テープＴＰが貼られていない側の導体層１２に積層される。プリプレグ１１ｐは、例えば、ガラス繊維、アラミド繊維などの補強材（芯材）に例えばエポキシ樹脂などの絶縁性の樹脂を含侵させたものである。プリプレグ１１ｐが加圧プレスされることで、導体層１２の導体パターンの間、及び、ペルチェ素子１００Ａと収容口１１ｐｃの内壁との隙間に、プリプレグ１１ｐに含まれる樹脂が入り込み充填される。

【0047】

次に、図５Ｇに示されるように、テープＴＰが導体層１２及びペルチェ素子１００Ａから取り外されて除去される。

【0048】

次に、図５Ｈに示されるように、導体層１２及びペルチェ素子１００Ａの第２の面１０２の上側に、プリプレグ１１ｐ及び金属箔１２ｆが積層されてプレスされる。この際、プリプレグ１１ｐに含まれる樹脂が、導体層１２の導体パターンの間、及び、収容口１１ｐｃの内面とペルチェ素子１００Ａとの隙間に充填され、隙間は完全に樹脂によって充填される。以上により、絶縁層１１ｐＡ内へのペルチェ素子１００Ａの配置が完了する。素子内蔵層１Ｂ、１Ｃの製造においても、素子内蔵層１Ａと同様に図５Ａ～図５Ｈに示される工程により、絶縁層１１ｐＢ、１１ｐＣ内へのペルチェ素子１００Ｂ、１００Ｃの配置が行われる。

【0049】

続いて、図５Ｉに示されるように、ペルチェ素子１００Ａの第２の面１０２側、ペルチェ素子１００Ｂの第１の面１０１側及び第２の面１０２側、及びペルチェ素子１００Ｃの第１の面１０１側の絶縁層１１にビア導体１４ｖが形成されると共に導体層１２が形成される。絶縁層１１にビア導体１４ｖ用の貫通孔がレーザー加工によって形成され、例えばサブトラクティブ法、又は金属箔を用いるセミアディティブ法を用いて、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜の３層で構成される所望の導体パターンを有する導体層１２、及び、無電解めっき膜及び電解めっき膜の２層で構成されるビア導体１４ｖが形成される。

【0050】

以上により、素子内蔵層１Ｂの形成は完了する。なお、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃに接する絶縁層１１には、芯材を有するプリプレグの代わりに芯材を有しない樹脂フィルムが用いられてもよい。この場合、絶縁層１１に形成されるビア導体１４ｖの形成、及び、絶縁層１１に接して形成される導体層１２の形成においてはセミアディティブ法が用いられ得る。

【0051】

続いて、図５Ｊに示されるように、未硬化のプリプレグ１１ｐが、素子内蔵層１Ａと素子内蔵層１Ｂとの間、及び、素子内蔵層１Ｂと素子内蔵層１Ｃとの間に配置される。そして、これらの重ねられた素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、及びプリプレグ１１ｐが一括プレスされて一体化される。

【0052】

続いて、図５Ｋに示されるように、素子内蔵層１Ａ、１Ｂ、１Ｃが一体化した積層体の両側の絶縁層１１（ペルチェ素子１００Ａの第１の面１０１側の絶縁層１１、及び、ペルチェ素子１００Ｃの第２面１０２側の絶縁層１１）にビア導体用の貫通孔１４ｖｈが形成されると共に、スルーホール１４ｔｈが形成される。スルーホール１４ｔｈは、素子内蔵層１Ｂ、１Ｃの電極１００ａ、１００ｂに接続している導体層１２を貫通するように、例えばドリル加工によって形成される。

【0053】

次いで、図５Ｌに示されるように、ビア導体用の貫通孔１４ｖｈが導体で充填されることでビア導体１４ｖが形成される。スルーホール１４ｔｈの内壁面も導体で被覆されると共に充填物１４ｔｆが充填されることでスルーホール導体１４ｔが形成される。具体的には、スルーホール１４ｔｈの内壁面上、ビア導体用の貫通孔１４ｖｈの内壁面上、並びに金属箔の上に金属膜層が例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどによって形成される。続いて、金属膜層を給電層として用いる電解めっきによって、金属膜層上に電解めっき膜が形成される。スルーホール１４ｔｈの内壁面上には、スルーホール導体１４ｔの導電性を担う、金属膜及び電解めっき膜の２層構造の導体膜が形成される。同時に、ビア導体用の貫通孔１４ｖｈの内壁にも金属膜層及び電解めっき膜が形成され、ビア導体１４ｖが形成される。次いで、スルーホール１４ｔｈの金属膜及び電解めっき膜の２層構造の導体膜の内側が、例えば、エポキシ、アクリル又はフェノールなどの樹脂である充填物１４ｔｆで充填される。

【0054】

さらに、素子内蔵層１Ａ、１Ｃにおける電解めっき膜及び充填物１４ｔｆの上に金属膜及び電解めっき膜が順に形成される。その結果、素子内蔵層１Ａ、１Ｃの表面に５層構造を有する導体層１２が形成される。このように５層に形成される導体層１２は、例えば電解めっき膜の形成後に、所望の導体パターンを有するように例えばサブトラクティブ法を用いてパターニングされる。以上により、ペルチェ素子１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃは電気的に並列に接続された状態となる。

【0055】

次いで、素子内蔵層１Ａ側に、ビルドアップ工法により、絶縁層１１及び導体層１２の積層が繰り返される。なお、図５Ｌに示される状態の形成が完了した後、素子内蔵層１Ａの上側へさらに絶縁層１１及び導体層１２が積層される際に、素子内蔵層１Ｃの露出する面は、例えばＰＥＴフィルムなどのベースフィルム（図示せず）を用いて適宜保護される。

【0056】

図５Ｍに示されるように部品実装パッド１２０を含む導体層１２までが形成される。次いで、部品実装パッド１２０の上に剥離層１５が形成され、剥離層１５の平面形状に基づく開口を有する樹脂フィルムが、部品実装パッド１２０を有する導体層１２上に積層され、剥離層１５をその開口内に収容する絶縁層１１が形成される。剥離層１５は、粘着層１５ａと粘着層１５ａに積層された接合層１５ｂとを有している。粘着層１５ａは、導体層１２（部品実装パッド１２０）と強固には接着せず、しかし、導体層１２と密着し得る材料を用いて形成される。粘着層１５ａと導体層１２とは、比較的弱い力で容易に分離され得る。粘着層１５ａには、例えばアクリル樹脂が用いられる。一方、接合層１５ｂは、銅などの金属及びエポキシ樹脂などに対して十分な接着性を発現し得る材料で形成される。接合層１５ｂの材料としてはポリイミド樹脂が例示される。

【0057】

次いで、図５Ｎに示されるように、剥離層１５の部品実装パッド１２０の反対側に、さらに絶縁層１１及び導体層１２が形成される。図示されるように、剥離層１５より上側に形成される導体層１２には、ダミーパターン１２ｄが設けられ得る。ダミーパターン１２ｄが設けられていることによって、後述の工程における絶縁層１１及び導体層１２の部分的な除去が安定して行われ得る。

【0058】

最外の絶縁層１１及び導体層１２の上には被覆層１３が形成される。被覆層１３は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され、被覆層１３には、露光及び現像によって開口１３ａが形成される。開口からは最外の導体層１２に含まれる導体パッド１２ｃが露出する。

【0059】

次いで、図５Ｏに示されるように、剥離層１５の縁部に沿って部品実装パッド１２０に達する溝Ｇが形成される。溝Ｇは、例えば、炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーなどのレーザー光（図示せず）を、剥離層１５の縁部に沿った経路で照射することによって形成される。溝Ｇの形成において、部品実装パッド１２０がレーザー光のストッパとして機能し得る。

【0060】

その後、溝Ｇに囲まれた部分である除去部分Ｒが剥離層１５と共に除去される。その結果、図５Ｐに示されるように凹部１０ＦＲが形成される。前述したように、剥離層１５の粘着層１５ａは、部品実装パッド１２０と強固に接着されておらず、その粘着性によって単に付着しているだけである。従って、除去部分Ｒは、例えば、治工具などに吸着されて引き上げられるなどの任意の方法で容易に除去され得る。凹部１０ＦＲの形成に伴って、部品実装パッド１２０が凹部１０ＦＲの底面に露出する。

【0061】

凹部１０ＦＲは、例えば、第１面１０Ｆ側から凹部１０ＦＲの形成領域全体に渡ってレーザー光をピッチ送りしながら照射することによって形成されてもよい。凹部１０ＦＲを形成する方法は、レーザー光の照射を利用する方法に限定されず、例えば、ドリル加工によって凹部１０ＦＲが形成されてもよい。凹部１０ＦＲの形成後、凹部１０ＦＲ内に残存する樹脂残渣（スミア）が、例えば、過マンガン酸塩などを含む薬液を用いた処理によって除去（デスミア処理）され得る。

【0062】

以上の工程を経ることによって、配線基板１０が完成する。凹部１０ＦＲの形成後、凹部１０ＦＲの底面に露出する部品実装パッド１２０、並びに、被覆層１３の開口１３ａ内に露出する導体パッド１２ｃの表面に保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又はＳｎなどからなる保護膜がめっき法により形成され得る。

【0063】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板１０は任意の数の導体層１２及び絶縁層１１を有し得る。配線基板内に配置される複数のペルチェ素子の数は３つに限定されず、熱源からの発熱量及び配線基板の寸法などに応じて適宜その数は増減され得る。凹部１０ＦＲは、例えば、電子部品ＥＣの厚さ、及び、配線基板１０内の電気回路の構成などに応じて、任意のパターンを有する導体層１２及び絶縁層１１が底面を構成するように形成され得る。凹部１０ＦＲの底面には複数の部品実装領域が設けられてもよい。

【0064】

また、実施形態の配線基板の製造方法に関して説明された条件や順序などは適宜変更されてよく、現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。また、各導体層の導体パターンの形成では、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、又はフルアディティブ法などが、適宜用いられ得る。

【符号の説明】

【0065】

１０ 配線基板
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ 素子内蔵層
１１、１１ｐＡ、１１ｐＢ、１１ｐＣ 絶縁層
１２ 導体層
１２ｃ 導体パッド
１３ａ 開口
１４ｖ ビア導体
１４ｐ 貫通導体
１４ｔ スルーホール導体
１４ｔｈ スルーホール
１４ｔｆ 充填物
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ ペルチェ素子
１０１ 第１の面
１０２ 第２の面
１００ａ、１００ｂ 電極
１００ｃ 第１絶縁板
１００ｈ 第２絶縁板
１０ＦＲ 凹部
１２０ 部品実装パッド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図5L】

【図5M】

【図5N】

【図5O】

【図5P】