特開2022-45105検査用ケルビンコンタクト及び検査用ケルビンソケット並びに検査用ケルビンコンタクトの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022045105
(43)【公開日】2022-03-18
(54)【発明の名称】検査用ケルビンコンタクト及び検査用ケルビンソケット並びに検査用ケルビンコンタクトの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01R 13/03 20060101AFI20220311BHJP
H01R 33/76 20060101ALI20220311BHJP
H01R 43/16 20060101ALI20220311BHJP
G01R 1/073 20060101ALI20220311BHJP
G01R 31/26 20200101ALI20220311BHJP
【ＦＩ】
H01R13/03 Z
H01R33/76 502C
H01R43/16
G01R1/073 B
G01R31/26 J
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020150608
(22)【出願日】2020-09-08
(71)【出願人】
【識別番号】000177690
【氏名又は名称】山一電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100112737
【弁理士】
【氏名又は名称】藤田 考晴
(74)【代理人】
【識別番号】100140914
【弁理士】
【氏名又は名称】三苫 貴織
(74)【代理人】
【識別番号】100136168
【弁理士】
【氏名又は名称】川上 美紀
(74)【代理人】
【識別番号】100172524
【弁理士】
【氏名又は名称】長田 大輔
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 勝己
(72)【発明者】
【氏名】源馬 亮
(72)【発明者】
【氏名】松本 剛士
(72)【発明者】
【氏名】久保田 哲也
【テーマコード（参考）】
2G003
2G011
5E024
5E063
【Ｆターム（参考）】
2G003AA07
2G003AG01
2G003AG03
2G011AA03
2G011AA15
2G011AB06
2G011AB08
2G011AC14
2G011AE02
2G011AF02
5E024CA07
5E024CA09
5E024CB03
5E063GA02
5E063GA07
(57)【要約】
【課題】ケルビン検査を繰り返し行ってもコンタクトと絶縁層とが相対的にずれるおそれが少ない検査用ケルビンコンタクトを提供する。
【解決手段】ＩＣデバイス５の一の電極端子５ａに対して上部接点７ａが接触するとともに、下部接点７ｂが検査基板１０の電極パッド１０ａに対して接触する第１コンタクト７Ａと、一の電極端子５ａに対して上部接点７ａが接触するとともに、下部接点７ｂが検査基板１０の電極パッド１０ａに対して接触する第２コンタクト７Ｂと、を備え、第１コンタクト７Ａと第２コンタクト７Ｂとは、共通の一の電極端子５ａに対して接触可能なように隣接されて配置され、第１コンタクト７Ａ及び第２コンタクト７Ｂには、上部接点７ａを含む上部接点領域及び下部接点７ｂを含む下部接点領域を除く本体領域の全体を囲繞する絶縁層が設けられている。
【選択図】図４
【解決手段】ＩＣデバイス５の一の電極端子５ａに対して上部接点７ａが接触するとともに、下部接点７ｂが検査基板１０の電極パッド１０ａに対して接触する第１コンタクト７Ａと、一の電極端子５ａに対して上部接点７ａが接触するとともに、下部接点７ｂが検査基板１０の電極パッド１０ａに対して接触する第２コンタクト７Ｂと、を備え、第１コンタクト７Ａと第２コンタクト７Ｂとは、共通の一の電極端子５ａに対して接触可能なように隣接されて配置され、第１コンタクト７Ａ及び第２コンタクト７Ｂには、上部接点７ａを含む上部接点領域及び下部接点７ｂを含む下部接点領域を除く本体領域の全体を囲繞する絶縁層が設けられている。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子部品の一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第１コンタクトと、
前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、
を備え、
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクト。
前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、
を備え、
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクト。
【請求項2】
前記絶縁層は、前記本体領域の全てにわたって設けられている請求項１に記載の検査用ケルビンコンタクト。
【請求項3】
前記絶縁層は、前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの両方に設けられている請求項１又は２に記載の検査用ケルビンコンタクト。
【請求項4】
請求項１から３のいずれかに記載された検査用ケルビンコンタクトと、
前記検査用ケルビンコンタクトを収容するコンタクト収容部と、
を備えている検査用ケルビンソケット。
前記検査用ケルビンコンタクトを収容するコンタクト収容部と、
を備えている検査用ケルビンソケット。
【請求項5】
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとから構成される１対のコンタクト対と、隣り合う他のコンタクト対との間に、絶縁性を有する仕切板が設けられている請求項４に記載の検査用ケルビンソケット。
【請求項6】
前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトは、前記コンタクト収容部に対して交換可能とされている請求項４又は５に記載の検査用ケルビンソケット。
【請求項7】
電子部品の一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第１コンタクトと、
前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、
を備え、
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクトの製造方法であって、
前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの前記一端領域および前記他端領域をマスキングした後に、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトに対して前記絶縁層を形成する検査用ケルビンコンタクトの製造方法。
前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、
を備え、
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクトの製造方法であって、
前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの前記一端領域および前記他端領域をマスキングした後に、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトに対して前記絶縁層を形成する検査用ケルビンコンタクトの製造方法。
【請求項8】
電子部品の一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第１コンタクトと、
前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、
を備え、
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクトの製造方法であって、
前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの全体に対して前記絶縁層を形成した後に、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの前記一端領域および前記他端領域に形成された前記絶縁層をレーザによって除去する検査用ケルビンコンタクトの製造方法。
前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、
を備え、
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、
前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクトの製造方法であって、
前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの全体に対して前記絶縁層を形成した後に、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの前記一端領域および前記他端領域に形成された前記絶縁層をレーザによって除去する検査用ケルビンコンタクトの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品のケルビン検査を行う検査用ケルビンコンタクト及び検査用ケルビンソケット並びに検査用ケルビンコンタクトの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
SOP（Small Outline Package）やQFP（Quad Flat Package）等の半導体パッケージ（電子部品）のリード端子の一つに対して２つのコンタクトを同時に接触させて検査を行うケルビン検査が行われる（例えば特許文献１）。
【0003】
特許文献１では、一対のコンタクトの間に絶縁シートを介在させることによってコンタクト同士の電気的な絶縁を実現している。コンタクトと絶縁シートとは、それぞれに形成された複数の貫通孔に挿通された止めピンによって互いに固定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第４１３７５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかし、特許文献１では、絶縁シートを挟む工程や複数の止めピンを挿通させる工程などによって工程が煩雑化するとともに、部品点数の増加を招くという問題がある。
【0006】
また、ケルビン検査を繰り返し行うと、コンタクトピンと絶縁シートとを止めピンで固定してあるものの、止めピンを挿通する貫通孔が変形してコンタクトピンと絶縁シートとが相対的にずれるおそれがある。コンタクトピンと絶縁シートとが相対的にずれると、コンタクト同士が絶縁シートを乗り越えて電気的に接触するおそれがある。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、ケルビン検査を繰り返し行ってもコンタクトと絶縁層とが相対的にずれるおそれが少ない検査用ケルビンコンタクト及び検査用ケルビンソケット並びに検査用ケルビンコンタクトの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る検査用ケルビンコンタクトは、電子部品の一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第１コンタクトと、前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、を備え、前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている。
【0009】
電子部品の一の電極端子に対して２つのコンタクト（第１コンタクト及び第２コンタクト）を共通して接触させて検査を行う検査用ケルビンコンタクトである。
各コンタクトの一端は電極端子に対して電気的に接触すると共に、各コンタクトの他端は検査基板の基板電極に対して電気的に接触する。
２つのコンタクトの少なくともいずれか一方には、一端を含む領域及び他端を含む領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている。絶縁層が囲繞するように設けられているので、絶縁層が囲繞されたコンタクトと絶縁層とが相対的にずれるそれが少ない。したがって、コンタクトの変位時に仮に隣り合う２つのコンタクトが相対的にずれても、絶縁層が囲繞されたコンタクトと絶縁層がずれるおそれが少ないので、絶縁層が２つのコンタクトの間に確実に位置することとなり、２つのコンタクト同士が絶縁層を越えて電気的に接触することを回避できる。
絶縁層としては、ポリイミドのコーティングなどが好適に用いられる。
各コンタクトの一端は電極端子に対して電気的に接触すると共に、各コンタクトの他端は検査基板の基板電極に対して電気的に接触する。
２つのコンタクトの少なくともいずれか一方には、一端を含む領域及び他端を含む領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている。絶縁層が囲繞するように設けられているので、絶縁層が囲繞されたコンタクトと絶縁層とが相対的にずれるそれが少ない。したがって、コンタクトの変位時に仮に隣り合う２つのコンタクトが相対的にずれても、絶縁層が囲繞されたコンタクトと絶縁層がずれるおそれが少ないので、絶縁層が２つのコンタクトの間に確実に位置することとなり、２つのコンタクト同士が絶縁層を越えて電気的に接触することを回避できる。
絶縁層としては、ポリイミドのコーティングなどが好適に用いられる。
【0010】
さらに、本発明の一態様に係る検査用ケルビンコンタクトでは、前記絶縁層は、前記本体領域の全てにわたって設けられている。
【0011】
絶縁層を、コンタクトの一端を含む領域と他端を含む領域を除く本体領域の全てにわたって設けることとしたので、絶縁層がコンタクトに対してずれるおそれを更に回避することができ、また２つのコンタクト同士が電気的に接触することをより確実に回避することができる。
【0012】
さらに、本発明の一態様に係る検査用ケルビンコンタクトでは、前記絶縁層は、前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの両方に設けられている。
【0013】
絶縁層を両方のコンタクトに設けることとしたので、より確実に絶縁を確保することができる。
【0014】
本発明の一態様に係る検査用ケルビンソケットは、上記のいずれかに記載された検査用ケルビンコンタクトと、前記検査用ケルビンコンタクトを収容するコンタクト収容部と、を備えている。
【0015】
上記のいずれかの検査用ケルビンコンタクトをコンタクト収容部に収容することによって、検査用ケルビンソケットが構成される。検査用ケルビンソケットは、検査基板上に設置される。電子部品は、検査時に、検査用ケルビンソケットに設けられた検査用ケルビンコンタクトに電極端子が電気的に接触するように設置される。
【0016】
さらに、本発明の一態様に係る検査用ケルビンソケットでは、前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとから構成される１対のコンタクト対と、隣り合う他のコンタクト対との間に、絶縁性を有する仕切板が設けられている。
【0017】
隣り合うコンタクト対の間に絶縁性を有する仕切板を設けることによって、隣り合うコンタクト対の間の絶縁をより確実に行うことができる。
なお、仕切板を省略して、空間で絶縁性を確保することもできる。
なお、仕切板を省略して、空間で絶縁性を確保することもできる。
【0018】
さらに、本発明の一態様に係る検査用ケルビンソケットでは、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトは、前記コンタクト収容部に対して交換可能とされている。
【0019】
コンタクトを交換可能とすることとした。これにより、コンタクトに不具合が生じた場合に、ソケットの全体を交換することなくコンタクトのみを交換することで検査を継続することができる。
【0020】
本発明の一態様に係る検査用ケルビンコンタクトの製造方法は、電子部品の一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第１コンタクトと、前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、を備え、前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクトの製造方法であって、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの前記一端領域および前記他端領域をマスキングした後に、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトに対して前記絶縁層を形成する。
【0021】
一端領域および他端領域をマスキングした後に絶縁層を形成することによって、コンタクトの一端および他端を電気接点として形成することができる。
【0022】
本発明の一態様に係る検査用ケルビンコンタクトの製造方法は、電子部品の一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第１コンタクトと、前記一の電極端子に対して一端が接触するとともに、他端が検査基板の基板電極に対して接触する第２コンタクトと、を備え、前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、共通の前記一の電極端子に対して接触可能なように隣接されて配置され、前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトの少なくともいずれか一方には、前記一端を含む一端領域及び前記他端を含む他端領域を除く本体領域の少なくとも一部を囲繞する絶縁層が設けられている検査用ケルビンコンタクトの製造方法であって、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの全体に対して前記絶縁層を形成した後に、前記第１コンタクト及び／又は前記第２コンタクトの前記一端領域および前記他端領域に形成された前記絶縁層をレーザによって除去する。
【0023】
コンタクトの全体に対して絶縁層を形成した後に、一端領域および他端領域をレーザによって除去することによって、コンタクトの一端および他端を電気接点として形成することができる。
【発明の効果】
【0024】
コンタクトを囲繞する絶縁層を設けることとしたので、コンタクトと絶縁層とが相対的にずれるおそれが少ない。これにより、繰り返し行っても安定したケルビン検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】本発明の一実施形態に係るＩＣソケットを示した斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態に係るコンタクトとＩＣデバイスと検査基板との位置関係を示した正面図である。
【図6】ＩＣソケットのコンタクト収容部に設けられたコンタクトを示した縦断面図である。
【図7A】コンタクトの上部接点周りを示した部分拡大縦断面図である。
【図7B】コンタクトの下部接点周りを示した部分拡大縦断面図である。
【図8】ＩＣデバイスの電極端子をプッシャーによってコンタクトに対して押し込んだ状態を示した正面図である。
【図9】ワイピングの状態を示した正面図である。
【図10A】複数対のコンタクト間に仕切板を設置した状態を示した縦断面図である。
【図10B】複数対のコンタクト間に空間を設けた状態を示した縦断面図である。
【図11】板材からコンタクトを含む母材形状を切り出した状態を示した正面図である。
【図13】コンタクトの交換方法を示した縦断面図である。
【図17】コンタクトの形状の変形例を示した正面図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下に、本発明に係る一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１には、本実施形態に係るＩＣソケット（検査用ケルビンソケット）１が示されている。
図１には、本実施形態に係るＩＣソケット（検査用ケルビンソケット）１が示されている。
【0027】
ＩＣソケット１は、ＩＣデバイス（電子部品）５のケルビン検査を行う。ＩＣソケット１は、平面視した場合に略正方形を有する直方体形状とされ、本体部２と、本体部２に対して開閉する蓋部３とを備えている。なお、本実施形態において用いる上下方向は図１に示す上下方向を意味し、本体部２は蓋部３に対して下方に位置し、蓋部３は閉状態にて本体部２の上面を覆う位置関係となる。なお、図１では、蓋部３が本体部２に対して開いた開状態が示されている。
【0028】
本体部２の中央には、ケルビン検査時にＩＣデバイス５が収納される収納凹部２ａが形成されている。ロボットハンド等の把持装置によってＩＣデバイス５が収納凹部２ａに挿入され、かつ取り外される。
【0029】
ＩＣデバイス５は、図１に示した実施形態では表面実装タイプのＩＣパッケージであり、SOP（Small Outline Package）とされている。なお、SOPに限定されるものではなく、QFP（Quad Flat Package）、SON（Small Outline Non leaded）、QFN(Quad Flat Non leaded)等のＩＣパッケージを用いることもできる。
ＩＣデバイス５の両側部には、所定間隔を空けて複数の電極端子５ａが並列に設けられている。
ＩＣデバイス５の両側部には、所定間隔を空けて複数の電極端子５ａが並列に設けられている。
【0030】
収納凹部２ａ内に一端（後述する上部接点７ａ：図２参照）が露出するように、複数のコンタクト７が本体部２に設けられている。コンタクト７は、ＩＣデバイス５の電極端子５ａに対応する位置に設けられている。
【0031】
ＩＣソケット１は、ケルビン検査を目的としたものであり、１つの電極端子５ａに対して２つのコンタクト７が接触可能に配置されている。コンタクト７は、検査時に、ＩＣデバイス５と検査基板１０（図２参照）とを導通する。
【0032】
蓋部３は、本体部２に対してヒンジ部９によって回動可能に結合されている。検査時には蓋部３が本体部２に対して閉じられ、検査終了後やＩＣデバイス５の取り付け及び取り外しの際には本体部２に対して開けられる。
【0033】
図２には、コンタクト７とＩＣデバイス５と検査基板１０との位置関係が示されている。下方から順に、検査基板１０、コンタクト７及びＩＣデバイス５が位置している。
【0034】
検査時には、コンタクト７の上部接点（一端）７ａがＩＣデバイス５の電極端子５ａに電気的に接触し、コンタクト７の下部接点（他端）７ｂが検査基板１０の電極パッド（基板電極）１０ａに電気的に接触する。
【0035】
コンタクト７は、２つで一対とされており、図２には、手前側に第１コンタクト７Ａ、奥側に第２コンタクト７Ｂが示されている。第１コンタクト７Ａと第２コンタクト７Ｂとは、下部接点７ｂの位置が異なるのみで、その他の形状は同様である。したがって、以下では、第１コンタクト７Ａと第２コンタクト７Ｂとを区別して説明する必要がない場合は単に「コンタクト７」と表記して説明する。
【0036】
図３に側面視して示すように、コンタクト７は、板状とされており、既述の通り２つのコンタクト７Ａ，７Ｂで一対とされている。図４に示すように、ＩＣデバイス５の一つの電極端子５ａに対して一対のコンタクト７Ａ，７Ｂの上部接点７ａが同時に接続されるようになっている。各コンタクト７Ａ，７Ｂの下部接点７ｂは、それぞれ異なる電極パッド１０ａに接続される。
【0037】
図５には,コンタクト７の正面図が示されている。同図では、一方の第１コンタクト７Ａが示されている。既述したように、コンタクト７は板状とされており、例えば、母材をワイヤーカットによって切り出した後にメッキが施される。母材としては例えばベリリウム銅が用いられ、メッキとしては例えば金メッキが用いられる。
【0038】
コンタクト７は、中央に中間部７ｃを備え、上端に上部接点７ａ、下端に下部接点７ｂを備えている。中間部７ｃは、横長の略矩形状とされており、一側（同図において左側）には中央に向かって形成された矩形状の溝部７ｄが形成されている。中間部７ｃの他側（同図において右側）には、上側の凸部７ｅを残して下端側に向かって切り欠かれた切欠部７ｆが形成されている。
【0039】
図６に示すように、コンタクト７は、ＩＣソケット１の本体部２のコンタクト収容部２ｂに収容される。このとき、コンタクト７の溝部７ｄに対して、嵌合ブロック２ｃの矩形状とされた一端が嵌合される。嵌合ブロック２ｃは、ＩＣソケット１の本体部２の内壁の一部を構成する内壁ブロック２ｆの上部に固定される。コンタクト７の切欠部７ｆは、係合ブロック２ｄの肩部に係合される。コンタクト７の凸部７ｅは、係合ブロック２ｄの上部に取り付けられる係止ブロック２ｅによって上方及び側方から係止される。このように、コンタクト７の中間部７ｃは、嵌合ブロック２ｃ、係合ブロック２ｄ及び係止ブロック２ｅによって、コンタクト収容部２ｂ内に固定されて位置決めされる。
【0040】
図５に示すように、コンタクト７の中間部７ｃの上部には、上部レバー部７ｇが接続されている。上部レバー部７ｇは、中間部７ｃの上部から上方に立設した基端部７ｇ１と、この基端部７ｇ１に接続されて略直角に曲がり側方（図５において左方）に延在する腕部７ｇ２と、この腕部７ｇ２に接続されて略直角に曲がり上方に延在する先端部７ｇ３とを有している。先端部７ｇ３の上端に上部接点７ａが設けられている。
【0041】
コンタクト７の中間部７ｃの下部には、下部レバー部７ｈが接続されている。下部レバー部７ｈは、中間部７ｃの下部から下方に延びるとともに側方（図５において左方）に向けて略円弧状に湾曲する円弧部７ｈ１と、この円弧部７ｈ１に接続されて側方（図５において左方）に向かって直線状に延在する腕部７ｈ２と、この腕部７ｈ２に接続されて略直角に曲がり下方に向けて延在する先端部７ｈ３とを有している。先端部７ｈ３の下端に下部接点７ｂが設けられている。
【0042】
コンタクト７の外表面には、上部接点７ａを含む上部接点領域（一端領域）と下部接点７ｂを含む下部接点領域（下端領域）を除く本体領域の全体にわたって、絶縁層が形成されている。すなわち、絶縁層は、コンタクト７の周囲の全体（上部接点領域及び下部接点領域を除く）を囲繞するように被覆している。具体的には、コンタクト７の中間部７ｃの全体（表裏及び両側面）だけでなく、上部接点領域を除く上部レバー部７ｇの全体（表裏及び両側面）と下部接点領域を除く下部レバー部７ｈの全体（表裏及び両側面）に絶縁層が形成されている。
【0043】
絶縁層としては、樹脂系の材料が用いられ、例えばポリイミドが好適に用いられる。ポリイミド以外の樹脂材料としては、アクリルポリマー、エポキシ樹脂、プリプレグなどが挙げられる。
【0044】
図７Ａに示すように、上部接点７ａを含む上部接点領域は、母材７ｉ（例えばベリリウム銅）上に形成されたメッキ層７ｊ（例えば金メッキ層）の上端面が露出するように形成されている。上部接点７ａが形成された上端面よりも下の領域は、絶縁層７ｋで被覆されている。メッキ層７ｊが露出する上部接点領域の下端（絶縁層７ｋの上端）の位置は、上部接点７ａの上端からメッキ層７ｊの厚さの１倍程度とされ、例えば母材7ｉの厚さ以下とされる。
【0045】
図７Ｂに示すように、下部接点７ｂを含む下部接点領域は、母材７ｉ（例えばベリリウム銅）上に形成されたメッキ層７ｊ（例えば金メッキ層）の下端面が露出するように形成されている。下部接点７ｂが形成された下端面よりも上の領域は、絶縁層７ｋで被覆されている。メッキ層７ｊが露出する下部接点領域の上端（絶縁層の下端）の位置は、下部接点７ｂの下端からメッキ層７ｊの厚さの１倍程度とされ、例えば母材7ｉの厚さ以下とされる。
【0046】
図８には、ＩＣデバイス５を収納凹部２ａ（図１参照）に収納し、コンタクト７の第１コンタクト７Ａ上に電極端子５ａを設置した後に、プッシャー１２によって電極端子５ａをさらに下方へ押し込んだ状態が示されている。この状態にて、ＩＣデバイス５と検査基板１０上の電極パッド１０ａとの間でコンタクト７によって導通が行われ、ＩＣデバイス５のケルビン検査が行われる。
【0047】
図９には、コンタクト７の第１コンタクト７Ａに対して電極端子５ａを接触させて設置した設置位置（破線）と、この設置位置から電極端子５ａをさらに下方へ押し込んで検査を行う検査位置（実線）とが示されている。同図から分かるように、設置位置から検査位置に至る間に、第１コンタクト７Ａと電極端子５ａとが接触している位置（Ａ点）がスライドし、寸法Ｗ１にわたってワイピングが行われる。ワイピングによって、接触範囲における異物の除去や半田転写の抑制が行われる。
【0048】
図１０Ａには、複数対のコンタクト７が示されている。２つのコンタクト７Ａ，７Ｂで一対とされ、各対のコンタクト７はＩＣデバイス５の１つの電極端子５ａに対応する。なお、同図では、絶縁層７ｋ（図７Ａ参照）の表示は省略している。ＩＣデバイス５の一辺に沿って並列された複数の電極端子５ａのそれぞれの位置に対応して、コンタクト７の各対が配置される。隣り合う各対のコンタクト７の間には、仕切板１４が設けられている。仕切板１４は、図５のようにコンタクト７を平面視した場合に、コンタクト７の全範囲（上部接点領域および下部接点領域を除く。）をカバーするように設けられている（図示せず）。仕切板１４は、絶縁性を有し、例えば樹脂が用いられる。各仕切板１４は、図示しないがＩＣソケット１の本体部２に対して固定される。
【0049】
図１０Ｂに示すように、隣り合う各対のコンタクト７の間に空間Ｓ１を設けて絶縁性を確保できる場合には、仕切板１４を省略しても良い。
【0050】
次に、コンタクト７を製造する方法について説明する。
図１１に示すように、まず、複数のコンタクト７が連なった初期形状となるように、金属板からワイヤーカットなどで切断する。母材（例えば図７Ａの符号７ｉ）となる材料は、例えばベリリウム銅とされ、母材の厚さは、例えば１００μｍ以上５００μｍ以下とされる。図１１に示した初期形状は、帯状とされたリテーナ１６に対して複数のコンタクト７が連続的に接続された形状とされている。リテーナ１６は、下方に延在する接続用腕部１６ａを有している。接続用腕部１６ａは、帯状とされたリテーナ１６の長手方向に沿って並列に複数設けられている。各接続用腕部１６ａの下端と、各コンタクト７の中間部７ｃの上縁とが接続されている。接続用腕部１６ａで安定的にコンタクト７を吊り下げることができるように、それぞれのコンタクト７に対して接続用腕部１６ａが２つずつ接続されている。
図１１に示すように、まず、複数のコンタクト７が連なった初期形状となるように、金属板からワイヤーカットなどで切断する。母材（例えば図７Ａの符号７ｉ）となる材料は、例えばベリリウム銅とされ、母材の厚さは、例えば１００μｍ以上５００μｍ以下とされる。図１１に示した初期形状は、帯状とされたリテーナ１６に対して複数のコンタクト７が連続的に接続された形状とされている。リテーナ１６は、下方に延在する接続用腕部１６ａを有している。接続用腕部１６ａは、帯状とされたリテーナ１６の長手方向に沿って並列に複数設けられている。各接続用腕部１６ａの下端と、各コンタクト７の中間部７ｃの上縁とが接続されている。接続用腕部１６ａで安定的にコンタクト７を吊り下げることができるように、それぞれのコンタクト７に対して接続用腕部１６ａが２つずつ接続されている。
【0051】
【0052】
その後、図１２Ａに示すように、コンタクト７の上部接点７ａを含む上部接点領域と、下部接点７ｂを含む下部接点領域とを覆うようにテープ状のマスキング材１８が貼付される。マスキング材１８は、図１２Ｂに示すように、コンタクト７の表裏の両面にそれぞれ設けられる。このようにマスキング材１８を貼付した状態で、絶縁層（例えば図７Ａの符号７ｋ）を形成する。例えば、絶縁層としてポリイミドを用いる場合、電着塗装が用いられる。このようにマスキング材１８を施すことによって、上部接点７ａを含む上部接点領域および下部接点７ｂを含む下部接点領域を除く全ての領域に絶縁層を形成することができる。
【0053】
そして、各接続用腕部１６ａの下端と各コンタクト７の中間部７ｃの上縁との接続位置をレーザ等によって切断することで、複数のコンタクト７を得ることができる。
【0054】
次に、コンタクト７の交換方法について説明する。
図６を用いて説明したように、ＩＣソケット１の本体部２は、コンタクト７に嵌合される嵌合ブロック２ｃと、嵌合ブロック２ｃの下方から支える内壁ブロック２ｆと、コンタクト７の凸部７ｅを係止する係止ブロック２ｅと、係止ブロック２ｅを下方から支える係合ブロック２ｄとを備えている。コンタクト７は、これら嵌合ブロック２ｃ、係合ブロック２ｄ及び係止ブロック２ｅによって固定される。
図６を用いて説明したように、ＩＣソケット１の本体部２は、コンタクト７に嵌合される嵌合ブロック２ｃと、嵌合ブロック２ｃの下方から支える内壁ブロック２ｆと、コンタクト７の凸部７ｅを係止する係止ブロック２ｅと、係止ブロック２ｅを下方から支える係合ブロック２ｄとを備えている。コンタクト７は、これら嵌合ブロック２ｃ、係合ブロック２ｄ及び係止ブロック２ｅによって固定される。
【0055】
図１３に示すように、嵌合ブロック２ｃは内壁ブロック２ｆに対して、係止ブロック２ｅは係合ブロック２ｄに対して、それぞれ分離することができるようになっている。
コンタクト７を取り外す際には、先ず係止ブロック２ｅを係合ブロック２ｄから分離して上方へ移動させる（矢印Ａ１）。そして、複数のコンタクト７に対して嵌合ブロック２ｃを嵌合させたまま、嵌合ブロック２ｃを内壁ブロック２ｆから分離して上方へ移動させる（矢印Ａ２）。これにより、連なる複数のコンタクト７を嵌合ブロック２ｃに嵌合させた状態で、ひとまとまりとして複数のコンタクト７を取り外すことができる。
その後、新たな複数のコンタクト７を嵌合ブロック２ｃに嵌合させて、ＩＣソケット１の本体部２に対して取り付ける。このようにして、コンタクト７を容易に交換することができる。
コンタクト７を取り外す際には、先ず係止ブロック２ｅを係合ブロック２ｄから分離して上方へ移動させる（矢印Ａ１）。そして、複数のコンタクト７に対して嵌合ブロック２ｃを嵌合させたまま、嵌合ブロック２ｃを内壁ブロック２ｆから分離して上方へ移動させる（矢印Ａ２）。これにより、連なる複数のコンタクト７を嵌合ブロック２ｃに嵌合させた状態で、ひとまとまりとして複数のコンタクト７を取り外すことができる。
その後、新たな複数のコンタクト７を嵌合ブロック２ｃに嵌合させて、ＩＣソケット１の本体部２に対して取り付ける。このようにして、コンタクト７を容易に交換することができる。
【0056】
以上説明した本実施形態の作用効果は以下の通りである。
コンタクト７の上部接点７ａを含む上部接点領域及び下部接点７ｂを含む下部接点領域を除く本体領域の全体を囲繞するように、絶縁層７ｋを設けることとした。絶縁層７ｋが囲繞するように設けられているので、絶縁層７ｋが囲繞されたコンタクト７と絶縁層７ｋとが相対的にずれるそれが少ない。したがって、コンタクト７の変位時に仮に隣り合う２つのコンタクト７が相対的にずれても、コンタクト７と絶縁層７ｋがずれるおそれが少ないので、絶縁層７ｋが２つのコンタクトの間に確実に位置することとなり、２つのコンタクト同士が絶縁層７ｋを越えて電気的に接触することを回避できる。
コンタクト７の上部接点７ａを含む上部接点領域及び下部接点７ｂを含む下部接点領域を除く本体領域の全体を囲繞するように、絶縁層７ｋを設けることとした。絶縁層７ｋが囲繞するように設けられているので、絶縁層７ｋが囲繞されたコンタクト７と絶縁層７ｋとが相対的にずれるそれが少ない。したがって、コンタクト７の変位時に仮に隣り合う２つのコンタクト７が相対的にずれても、コンタクト７と絶縁層７ｋがずれるおそれが少ないので、絶縁層７ｋが２つのコンタクトの間に確実に位置することとなり、２つのコンタクト同士が絶縁層７ｋを越えて電気的に接触することを回避できる。
【0057】
図１０Ａに示したように、対となる隣り合うコンタクト７の間に絶縁性を有する仕切板１４を設けることによって、隣り合うコンタクト７の間の絶縁をより確実に行うことができる。
なお、仕切板１４を省略して、空間Ｓ１で絶縁性を確保することもできる（図１０Ｂ参照）。
なお、仕切板１４を省略して、空間Ｓ１で絶縁性を確保することもできる（図１０Ｂ参照）。
【0058】
図１３に示したように、嵌合ブロック２ｃと係止ブロック２ｅを取り外し可能とすることによって、コンタクト７を交換可能とすることとした。これにより、コンタクト７に不具合が生じた場合に、ＩＣソケット１の全体を交換することなくコンタクト７のみを交換することで検査を継続することができる。
【0059】
上述した実施形態は、以下のように変形することができる。
＜変形例１＞
図１３に示したコンタクト７の交換方法に代えて、図１４に示すようにコンタクト７を交換することができる。
図１４に示したＩＣソケット１の本体部２’は、図１３の嵌合ブロック２ｃと内壁ブロック２ｆとを一体化させた内壁嵌合ブロック２ｇを備えている。内壁嵌合ブロック２ｇは、本体部２側に固定されたままであり、取り外し可能とされてない。また、図１４の本体部２’は、図１３の係止ブロック２ｅと係合ブロック２ｄとを一体化させた係止係合ブロック２ｈを備えている。係止係合ブロック２ｈは、本体部２に対して取り外し可能とされている。
コンタクト７を取り外す際には、先ず係止係合ブロック２ｈを側方（同図において右方）にスライダした後に上方へ移動させる（矢印Ａ３参照）。その後、コンタクト７を側方（同図において右方）にスライドした後に上方へ移動させる（矢印Ａ４参照）。
新たなコンタクト７を取り付ける場合は、取り外しと逆の手順となり、先ずコンタクト７を内壁嵌合ブロック２ｇに取り付けた後に、係止係合ブロック２ｈ固定する。図１４に示した変形例では、図１３のように嵌合ブロック２ｃとともに複数のコンタクト７をまとめて交換するのではなく、コンタクト７を１つずつ交換することができる。
＜変形例１＞
図１３に示したコンタクト７の交換方法に代えて、図１４に示すようにコンタクト７を交換することができる。
図１４に示したＩＣソケット１の本体部２’は、図１３の嵌合ブロック２ｃと内壁ブロック２ｆとを一体化させた内壁嵌合ブロック２ｇを備えている。内壁嵌合ブロック２ｇは、本体部２側に固定されたままであり、取り外し可能とされてない。また、図１４の本体部２’は、図１３の係止ブロック２ｅと係合ブロック２ｄとを一体化させた係止係合ブロック２ｈを備えている。係止係合ブロック２ｈは、本体部２に対して取り外し可能とされている。
コンタクト７を取り外す際には、先ず係止係合ブロック２ｈを側方（同図において右方）にスライダした後に上方へ移動させる（矢印Ａ３参照）。その後、コンタクト７を側方（同図において右方）にスライドした後に上方へ移動させる（矢印Ａ４参照）。
新たなコンタクト７を取り付ける場合は、取り外しと逆の手順となり、先ずコンタクト７を内壁嵌合ブロック２ｇに取り付けた後に、係止係合ブロック２ｈ固定する。図１４に示した変形例では、図１３のように嵌合ブロック２ｃとともに複数のコンタクト７をまとめて交換するのではなく、コンタクト７を１つずつ交換することができる。
【0060】
＜変形例２＞
上述した実施形態では、図１２Ａ及び図１２Ｂに示したように、上部接点７ａを含む上部接点領域と下部接点７ｂを含む下部接点領域とを形成するために、マスキング材１８を用いることとした。これに対して、図１５Ａ及び図１５Ｂに示す変形例では、マスキング材１８を用いずに各接点領域を形成することができる。
上述した実施形態では、図１２Ａ及び図１２Ｂに示したように、上部接点７ａを含む上部接点領域と下部接点７ｂを含む下部接点領域とを形成するために、マスキング材１８を用いることとした。これに対して、図１５Ａ及び図１５Ｂに示す変形例では、マスキング材１８を用いずに各接点領域を形成することができる。
【0061】
図１２Ｂに示したように上記実施形態では母材形状は平面形状の板状とされていたが、図１５Ａに示すように、本変形例では接続用腕部１６ａに折曲げ部１６ｂを設ける。折曲げ部１６ｂは、図１５Ｂに示すように、接続用腕部１６ａの中間位置に設けられ、板厚方向に９０°未満の角度範囲で屈曲させられた後に、リテーナ１６と平行となるように曲げ戻された形状とされている。折曲げ部１６ｂによって、コンタクト７の上下方向の軸線Ｌ１を、この軸線Ｌ１に平行なリテーナ１６の上下方向の軸線Ｌ２に対して寸法Ｗ２だけオフセットさせることができる。このようにコンタクト７をリテーナ１６に対してオフセットさせることで、リテーナ１６によって干渉されることなく、上部接点７ａを含む上部接点領域の絶縁層（ポリイミド層）に対応する位置にレーザを軸線Ｌ１方向から照射することができる（矢印Ｂ１参照）。上部接点領域に被覆された絶縁層（ポリイミド層）は、レーザによって部分的に除去される。下部接点７ｂを含む下部接点領域の絶縁層（ポリイミド層）は、下方から照射されるレーザ（矢印Ｂ２参照）によって部分的に除去される。
【0062】
＜変形例３＞
上述した実施形態では、図７Ａ及び図７Ｂに示したように、各コンタクト７に対して絶縁層７ｋを設けることとした。これに対して、図１６に示すように、第１コンタクト７Ａにのみ絶縁層７ｋを形成し、第２コンタクト７Ｂには絶縁層７ｋを形成せずにメッキ層７ｊが全面に露出させたものとしても良い。第１コンタクト７Ａと第２コンタクト７Ｂとを重ね合わせても、第１コンタクト７Ａに絶縁層７ｋが形成されているので、両コンタクト７Ａ，７Ｂ間で電気的絶縁を得ることができる。すなわち、一方のコンタクトのみに絶縁層を設ける構成としても良い。
上述した実施形態では、図７Ａ及び図７Ｂに示したように、各コンタクト７に対して絶縁層７ｋを設けることとした。これに対して、図１６に示すように、第１コンタクト７Ａにのみ絶縁層７ｋを形成し、第２コンタクト７Ｂには絶縁層７ｋを形成せずにメッキ層７ｊが全面に露出させたものとしても良い。第１コンタクト７Ａと第２コンタクト７Ｂとを重ね合わせても、第１コンタクト７Ａに絶縁層７ｋが形成されているので、両コンタクト７Ａ，７Ｂ間で電気的絶縁を得ることができる。すなわち、一方のコンタクトのみに絶縁層を設ける構成としても良い。
【0063】
＜変形例４＞
上述した実施形態では、例えば図２に示したように、表面実装タイプの検査基板１０に対応する形状のコンタクト７を用いて説明した。これに対して、図１７に示すように、ＤＩＰタイプの検査基板１０’に対応する形状のコンタクト７’を用いても良い。コンタクト７’は、鉛直下方に向かって直線状に延在する下部端子７ｌを備えている。下部端子７ｌは、検査基板１０’に形成されたスルーホールに挿通されることによって下部接点７ｂとして用いられる。したがって、下部接点７ｂとなる領域すなわち下部端子７ｌの側面は、絶縁層（例えば図７Ｂの符号7ｋを参照）が除去されている。図１７に示されているように下部端子７ｌは４つとされている。下部接点７ｂの数は、上記実施形態にて図２を用いて示したように２つでも良く、また本変形例のように３以上であってもよい。
上述した実施形態では、例えば図２に示したように、表面実装タイプの検査基板１０に対応する形状のコンタクト７を用いて説明した。これに対して、図１７に示すように、ＤＩＰタイプの検査基板１０’に対応する形状のコンタクト７’を用いても良い。コンタクト７’は、鉛直下方に向かって直線状に延在する下部端子７ｌを備えている。下部端子７ｌは、検査基板１０’に形成されたスルーホールに挿通されることによって下部接点７ｂとして用いられる。したがって、下部接点７ｂとなる領域すなわち下部端子７ｌの側面は、絶縁層（例えば図７Ｂの符号7ｋを参照）が除去されている。図１７に示されているように下部端子７ｌは４つとされている。下部接点７ｂの数は、上記実施形態にて図２を用いて示したように２つでも良く、また本変形例のように３以上であってもよい。
【0064】
また、図示しないが、図９に示したように積極的にワイピングが行われるコンタクト７とせずに、主として上下に移動して図９のコンタクト７よりも少ないワイピング量としたコンタクトや、上下のみに移動してほとんどワイピンしないコンタクトとしても良い。
【符号の説明】
【0065】
１ ＩＣソケット（検査用ケルビンソケット）
２，２’ 本体部
２ａ 収納凹部
２ｂ コンタクト収容部
２ｃ 嵌合ブロック
２ｄ 係合ブロック
２ｅ 係止ブロック
２ｆ 内壁ブロック
２ｇ 内壁嵌合ブロック
２ｈ 係止係合ブロック
３ 蓋部
５ ＩＣデバイス（電子部品）
５ａ 電極端子
７，７’ コンタクト
７Ａ 第１コンタクト
７Ｂ 第２コンタクト
７ａ 上部接点（一端）
７ｂ 下部接点（他端）
７ｃ 中間部
７ｄ 溝部
７ｅ 凸部
７ｆ 切欠部
７ｇ 上部レバー部
７ｇ１ 基端部
７ｇ２ 腕部
７ｇ３ 先端部
７ｈ 下部レバー部
７ｈ１ 円弧部
７ｈ２ 腕部
７ｈ３ 先端部
７ｉ 母材
７ｊ メッキ層
７ｋ 絶縁層
７ｌ 下部端子
９ ヒンジ部
１０，１０’ 検査基板
１０ａ 電極パッド（基板電極）
１２ プッシャー
１４ 仕切板
１６ リテーナ
１６ａ 接続用腕部
１６ｂ 折曲げ部
１８ マスキング材
Ｓ１ 空間
２，２’ 本体部
２ａ 収納凹部
２ｂ コンタクト収容部
２ｃ 嵌合ブロック
２ｄ 係合ブロック
２ｅ 係止ブロック
２ｆ 内壁ブロック
２ｇ 内壁嵌合ブロック
２ｈ 係止係合ブロック
３ 蓋部
５ ＩＣデバイス（電子部品）
５ａ 電極端子
７，７’ コンタクト
７Ａ 第１コンタクト
７Ｂ 第２コンタクト
７ａ 上部接点（一端）
７ｂ 下部接点（他端）
７ｃ 中間部
７ｄ 溝部
７ｅ 凸部
７ｆ 切欠部
７ｇ 上部レバー部
７ｇ１ 基端部
７ｇ２ 腕部
７ｇ３ 先端部
７ｈ 下部レバー部
７ｈ１ 円弧部
７ｈ２ 腕部
７ｈ３ 先端部
７ｉ 母材
７ｊ メッキ層
７ｋ 絶縁層
７ｌ 下部端子
９ ヒンジ部
１０，１０’ 検査基板
１０ａ 電極パッド（基板電極）
１２ プッシャー
１４ 仕切板
１６ リテーナ
１６ａ 接続用腕部
１６ｂ 折曲げ部
１８ マスキング材
Ｓ１ 空間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図13】
【図14】
【図15A】
【図15B】
【図16】
【図17】