特開 2022-45879 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022045879

(43)【公開日】2022-03-22

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220314BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021014421

(22)【出願日】2021-02-01

(31)【優先権主張番号】P 2020151236

(32)【優先日】2020-09-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】足立 武馬

(72)【発明者】

【氏名】箕浦 大祐

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH13

5E316HH33

(57)【要約】

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板は、所定の導体パターンを含む第１導体層１１と、第１導体層１１を覆う絶縁層２２と、絶縁層２２の上に形成されている第２導体層と、第１導体層１１と第２導体層とを接続する接続導体４と、第１導体層１１における絶縁層２２と向かい合う表面に少なくとも部分的に形成されていて第１導体層１１と絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５と、を備えている。そして、第１導体層１１は、接続導体４と接する導体パッド１ａと、絶縁層２２に覆われている配線パターン１ｂと、を含み、配線パターン１ｂにおける絶縁層２２と向かい合う表面１ｂ１は被覆膜５に覆われており、導体パッド１ａにおける絶縁層２２と向かい合う表面１ａ１は、表面１ｂ１が有する面粗度よりも高い面粗度を有するように粗化されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定の導体パターンを含む第１導体層と、
前記第１導体層を覆う絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されている第２導体層と、
前記絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する接続導体と、
前記第１導体層における前記絶縁層と向かい合う表面に少なくとも部分的に形成されていて前記第１導体層と前記絶縁層との密着性を向上させる被覆膜と、
を備える配線基板であって、
前記第１導体層は、前記接続導体と接する導体パッドと、前記絶縁層に覆われている配線パターンと、を含み、
前記配線パターンにおける前記絶縁層と向かい合う表面は前記被覆膜に覆われており、
前記導体パッドにおける前記絶縁層と向かい合う表面は、前記配線パターンの前記表面が有する第２面粗度よりも高い第１面粗度を有するように粗化されている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記絶縁層と向かい合う前記表面は前記被覆膜に覆われている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記絶縁層と向かい合う前記表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が、前記配線パターンにおける前記絶縁層と向かい合う前記表面の算術平均粗さ（Ｒａ）の２倍以上である。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記接続導体に覆われている表面は、前記第１面粗度よりも低く且つ前記第２面粗度よりも高い第３面粗度を有している。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドを構成する金属と前記接続導体を構成する金属とが、前記導体パッドと前記接続導体との界面において有機材料を介さずに直接接している。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記導体パッドにおける前記絶縁層と向かい合う前記表面と前記絶縁層とが前記被覆膜を介さずに直接接している。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１導体層は、さらに、前記導体パッド及び前記配線パターンが形成されていない領域に広がる平板状の導体パターンを含み、
前記平板状の導体パターンにおける前記絶縁層と向かい合う表面は、前記第１面粗度を有するように粗化されている。

【請求項8】

請求項７記載の配線基板であって、
前記平板状の導体パターンの前記表面は前記被覆膜に覆われている。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、
前記第１導体層は、さらに、前記導体パッド及び前記配線パターンが形成されていない領域に広がる平板状の導体パターンを有し、
前記平板状の導体パターンにおける前記絶縁層と向かい合う表面は前記第２面粗度を有しており、
前記平板状の導体パターンの前記表面は前記被覆膜に覆われている。

【請求項10】

導体パッド及び配線パターンを有する第１導体層を形成することと、
前記第１導体層の露出面を粗化することと、
前記第１導体層の露出面の一部又は全部に被覆膜を設けることと、
前記第１導体層及び前記被覆膜を覆う絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の上に第２導体層を形成すると共に、前記絶縁層を貫通して前記導体パッドと前記第２導体層とを接続する接続導体を形成することと、
を含んでいる、配線基板の製造方法であって、
前記第１導体層の露出面を粗化することにおいて、前記配線パターンの露出面は粗化されずに前記導体パッドの露出面が粗化される。

【請求項11】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板の製造方法は、さらに、前記導体パッドを覆っている前記被覆膜を前記絶縁層の形成の前に除去することを含んでいる。

【請求項12】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記被覆膜を設けることにおいて、前記被覆膜は、前記導体パッドの露出面には設けられずに前記配線パターンの露出面に設けられる。

【請求項13】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層の前記露出面を粗化することは、前記配線パターンを覆うレジスト膜を設けることを含んでいる。

【請求項14】

請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板の製造方法は、さらに、前記導体パッドの表面における前記接続導体に接続される部分の面粗度を低下させることを含んでいる。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、プリント配線板に関し、低粗化又は無粗化の金属配線層の表面に化成皮膜が形成され、この化成皮膜を介して金属配線層上に絶縁樹脂層が形成されることが、開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－１７２７５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の方法では、金属配線層の表面上に形成された化成皮膜が、後工程における各種の処理によって溶解することがある。そのため、特許文献１の方法で製造されたプリント配線板に化成皮膜の溶解液による意図せぬ不具合がもたらされ、プリント配線板の品質劣化を招くことがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、所定の導体パターンを含む第１導体層と、前記第１導体層を覆う絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されている第２導体層と、前記絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する接続導体と、前記第１導体層における前記絶縁層と向かい合う表面に少なくとも部分的に形成されていて前記第１導体層と前記絶縁層との密着性を向上させる被覆膜と、を備えている。そして、前記第１導体層は、前記接続導体と接する導体パッドと、前記絶縁層に覆われている配線パターンと、を含み、前記配線パターンにおける前記絶縁層と向かい合う表面は前記被覆膜に覆われており、前記導体パッドにおける前記絶縁層と向かい合う表面は、前記配線パターンの前記表面が有する第２面粗度よりも高い第１面粗度を有するように粗化されている。

【0006】

本発明の配線基板の製造方法は、導体パッド及び配線パターンを有する第１導体層を形成することと、前記第１導体層の露出面を粗化することと、前記第１導体層の露出面の一部又は全部に被覆膜を設けることと、前記第１導体層及び前記被覆膜を覆う絶縁層を形成することと、前記絶縁層の上に第２導体層を形成すると共に、前記絶縁層を貫通して前記導体パッドと前記第２導体層とを接続する接続導体を形成することと、を含んでいる。そして、前記第１導体層の露出面を粗化することにおいて、前記配線パターンの露出面は粗化されずに前記導体パッドの露出面が粗化される。

【0007】

本発明の実施形態によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態における第１導体層の導体パターンの一例を示す平面図。

【図3】図１のIII部の拡大図。

【図4】図３のIV部の拡大図。

【図5A】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図5B】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図5C】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図5D】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図6A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6D】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6E】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6F】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6G】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図6H】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図7A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の他の例を示す断面図。

【図7B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の他の例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、配線基板１００の第１導体層１１の一部の導体パターンの一例を示す平面図である。図１には図２のＩ－Ｉ線に重なる切断線での断面図が示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0010】

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面それぞれの上に形成されている導体層３１とを含んでいる。

【0011】

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

配線基板１００は、コア基板３の第１面３ａの上に、第１面３ａ側から順に積層されている、第１絶縁層２１、第１導体層１１、第２絶縁層２２、及び第２導体層１２を備えている。第１絶縁層２１はコア基板３の第１面３ａを覆っており、第２絶縁層２２は、第１導体層１１、及び、第１導体層１１に覆われずに露出する第１絶縁層２１を覆っている。配線基板１００は、さらに、コア基板３の第２面３ｂの上に交互に積層されている２つの絶縁層２３及び２つの導体層１３を備えている。

【0013】

各絶縁層には、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する接続導体が形成されている。第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、及び２つの絶縁層２３は、それぞれ、接続導体４を含んでいる。コア基板３の絶縁層３２は接続導体３３を含んでいる。接続導体３３は、コア基板３の両面それぞれの導体層３１同士を接続する、所謂スルーホール導体である。

【0014】

接続導体４は、順次ビルドアップされる各絶縁層内に形成される所謂ビア導体である。第１絶縁層２１に含まれる接続導体４は、導体層３１と第１導体層１１とを接続している。第２絶縁層２２に含まれる接続導体４は、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続している。２つの絶縁層２３それぞれに含まれる接続導体４は、導体層３１と導体層１３とを接続するか、導体層１３同士を接続している。

【0015】

第１及び第２の絶縁層２１、２２、絶縁層２３、及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

【0016】

第１及び第２の導体層１１、１２、導体層１３、及び導体層３１、並びに、接続導体４及び接続導体３３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、及びめっき膜３１ｃを含んでいる。接続導体３３は導体層３１と一体的に形成されており、金属膜３１ｂ及びめっき膜３１ｃによって構成されている。

【0017】

一方、第１及び第２の導体層１１、１２、及び導体層１３、並びに接続導体４は、それぞれ、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃによって構成されている。各接続導体４は、第１導体層１１、第２導体層１２、又は導体層１３と一体的に形成されている。めっき膜３１ｃ、１０ｃは、例えば電解めっき膜である。金属膜３１ｂ及び金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１ｃ及びめっき膜１０ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。

【0018】

第２絶縁層２２及び第２導体層１２の上には、ソルダーレジスト６が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側の表層の絶縁層２３及び導体層１３の上にもソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には、第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６ａが設けられている。ソルダーレジスト６は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。

【0019】

第１導体層１１、第２導体層１２、２つの導体層１３、及び２つの導体層３１は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第１導体層１１は、導体パッド１ａと、配線パターン１ｂと、を含んでいる。

【0020】

導体パッド１ａは、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４と接している。すなわち、導体パッド１ａは、その上に接続導体４が形成される導体パッドであり、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に対する、所謂受けパッドである。そのため、導体パッド１ａの第２絶縁層２２側の表面の一部は、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている。換言すると、導体パッド１ａの第２絶縁層２２側の表面の一部は、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４の底面に対向している。図１の例では、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４と第２絶縁層２２を貫通する接続導体４とが積み重なるように形成されており、所謂スタックビア導体が形成されている。従って導体パッド１ａは、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４（ビア導体）の所謂ビアパッドとして設けられている。

【0021】

配線パターン１ｂは、任意の電気信号の伝送や電力の供給に用いられる導電路として機能する導体パターンである。配線パターン１ｂは、第１絶縁層２１を向く表面以外の表面を第２絶縁層２２に覆われている。配線パターン１ｂは、例えば電気信号の所定の送信元と送信先とを単独で又は他の導体パターンと連携して接続していてもよく、電力の所定の給電元と給電先とを接続していてもよい。配線パターン１ｂは、例えば数ＧＨｚを超えるような高周波信号の伝送路であってもよい。

【0022】

図２に示されるように、図１の例の２つの配線パターン１ｂは、第１導体層１１内の２つの導体パッド１ｄ同士を接続している。なお、図２の例の導体パッド１ａ、１ｄにおいて二点鎖線で囲まれている部分１ａ２、１ｄ２は、導体パッド１ａ、１ｄそれぞれの表面のうちで第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている部分を示している。部分１ａ２は「導体パッド１ａにおける接続導体４に覆われている表面１ａ２」とも称される。

【0023】

図１及び図２の例では、第１導体層１１は、さらに、導体パターン１ｃを含んでいる。導体パターン１ｃは、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂが形成されていない領域に広がる平板状の形体を有する導体パターンである。導体パターン１ｃは、第１導体層１１において導体パターン１ｃ以外の配線や接続パッドなどの導体が形成されない領域を略埋め尽くすように設けられる所謂ベタパターンであってもよい。導体パターン１ｃは、例えば、グランド電位又は特定の電源の電位が印加されるグランドプレーン又は電源プレーンとして用いられる。

【0024】

図３には、図１のIII部の拡大図が示されており、図４には図３のIV部のさらなる拡大図が示されている。これまで参照された図１及び図２では省略されているが、図３及び図４に示されるように、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面に被覆膜５が形成されている。すなわち、配線基板１００は、さらに、第１導体層１１と第２絶縁層２２との間に介在する被覆膜５を備えている。なお「第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面」は、第１導体層１１の表面のうちの第２絶縁層２２と向かい合っている領域を意味している。同様に、後述する導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃそれぞれにおける「第２絶縁層２２と向かい合う表面」は、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃの表面それぞれのうちの第２絶縁層２２と向かい合っている領域を意味している。

【0025】

図３に示される例では、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面の全部に被覆膜５が形成されている。しかし、被覆膜５は、後に参照される図５Ｂに示されるように、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面の一部だけに形成されていてもよい。すなわち、被覆膜５は、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面に少なくとも部分的に形成されている。なお、「第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面」には、導体パッド１ａの表面のうちで第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている部分は含まれない。

【0026】

被覆膜５は、第１導体層１１と第２絶縁層２２との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、第２絶縁層２２を構成する樹脂などの有機材料、及び第１導体層１１を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成される。被覆膜５は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基及び無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。そのため、被覆膜５に覆われている第１導体層１１の各導体パターンと第２絶縁層２２とが十分な強度で密着する。被覆膜５の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。なお、被覆膜５の材料は、第１導体層１１の上に第２絶縁層２２が直接形成される場合と比べて、第１導体層１１と第２絶縁層２２との密着強度を高め得るものであればよく、シランカップリング剤に限定されない。

【0027】

図３に示されるように、本実施形態では、第１導体層１１の配線パターン１ｂにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｂ１は、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて配線パターン１ｂと第２絶縁層２２との密着性が高められている。従って、配線パターン１ｂからの第２絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

【0028】

図３の例では、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ａ１、及び平板状の導体パターン１ｃにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１それぞれも、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて導体パッド１ａ及び導体パターン１ｃそれぞれと第２絶縁層２２との密着性が高められている。従って、導体パッド１ａ及び導体パターン１ｃそれぞれからの第２絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

【0029】

先に参照された図１では省略されているが、図３に示されるように、第１導体層１１の各導体パターン（導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃなど）は、第１絶縁層２１と接していない表面に、互いに程度の異なる凹凸を有している。換言すると、第１導体層１１は、第２絶縁層２２と向かい合う表面（表面１ａ１、表面１ｂ１、及び表面１ｃ１）及び接続導体４に覆われる表面１ａ２において互いに面粗度の異なる複数の領域を有している。図３の例において表面１ａ１、表面１ｂ１、及び表面１ｃ１の凹凸の凹部は、被覆膜５で充填されている。

【0030】

図３に示される第１導体層１１では、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ａ１上の凹凸の高低差は、配線パターン１ｂにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｂ１上の凹凸の高低差よりも大きい。導体パッド１ａの表面１ａ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度（第１面粗度）を有している。導体パッド１ａの表面１ａ１は、第２面粗度よりも高い第１面粗度を有するように粗化されている。後述されるように、導体パッド１ａの表面１ａ１は、例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。

【0031】

一方、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、表面１ｂ１の粗化のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。表面１ｂ１の凹凸は、めっき膜１０ｃの粒界やめっき膜１０ｃの形成時のめっきレジストの表面の凹凸によって生じていてもよい。

【0032】

本実施形態の配線基板１００では、導体パッド１ａの表面１ａ１は、比較的高い面粗度（第１面粗度）を有するように粗化されている。そのため、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。具体的には、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド１ａの表面１ａ１の凹凸によって防がれる。その結果、そのような液体の浸入によって引き起こされ得る導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。

【0033】

詳述すると、配線基板１００の製造工程では、接続導体４の形成のために第２絶縁層２２に設けられた貫通孔４ａの内壁が、各種の処理溶液やめっき液になどに晒されることがある。そしてそれらの液体が、貫通孔４ａの内壁から導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面に侵入し、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離を引き起こすことがある。しかし、本実施形態では、そのような剥離を引き起こし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド１ａの表面１ａ１の凹凸によって防がれる。

【0034】

一方、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、導体パッド１ａの表面１ａ１が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第２面粗度）を有している。例えば高度に粗化された表面を有する配線パターンでは、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響を受けて実質的なインピーダンスが増加して伝送特性が低下することがある。また、例えば１０μｍ／１０μｍ（配線幅／配線間隔）程度以下のファインな配線パターンでは、その表面が高度に粗化されると、設計上の配線幅や厚さに対して粗化後に所望の形状が得られないことがある。しかし本実施形態では、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、比較的低い面粗度、少なくとも第１面粗度よりも低い第２面粗度を有しているので、高い面粗度に起因する高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。

【0035】

そして配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、配線パターン１ｂと第２絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５に覆われている。一般に、比較的低い面粗度の表面を有する導体層とその表面上に形成される絶縁層との間には、所謂アンカー効果の作用が十分に得られず、その結果、導体層と絶縁層との剥離が生じることがある。しかし本実施形態の配線パターン１ｂの表面１ｂ１は被覆膜５に覆われているので、配線パターン１ｂと第２絶縁層２２との間の剥離が生じ難いと考えらえられる。

【0036】

さらに本実施形態では、導体パッド１ａの表面１ａ１上に形成された被覆膜５の溶解による品質の劣化が、導体パッド１ａの表面１ａ１の凹凸によって防がれることがある。前述したように、配線基板１００の製造工程では、第２絶縁層２２に設けられた貫通孔４ａの内壁は各種の液体に晒され得る。その液体が導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面に浸入すると、浸入した液体が導体パッド１ａの表面１ａ１上に形成されている被覆膜５を溶解させることがある。その場合、被覆膜５が貫通孔４ａ内に溶出して接続導体４と導体パッド１ａとの接続不良を引き起こしたり、被覆膜５の溶解箇所において導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離が発生したりすることがある。しかし本実施形態では、そのような被覆膜５の溶解をもたらし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド１ａの表面１ａ１の凹凸によって防がれる。

【0037】

このように、配線基板１００では、配線パターン１ｂにおいて良好な伝送特性及び第２絶縁層２２との十分な密着性が得られ、しかも、接続導体４と接する導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離などによる品質劣化が抑制される。このように本実施形態によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

【0038】

配線パターン１ｂにおける良好な高周波伝送特性、及び、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への液体の浸入の確実な防止の両立のためには、導体パッド１ａの表面１ａ１と配線パターン１ｂの表面１ｂ１との面粗度の差は大きい方が好ましいと考えられる。例えば、導体パッド１ａの表面１ａ１の面粗度（第１面粗度）は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度（第２面粗度）よりも１００％以上高い。その場合、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への液体の浸入を略確実に防ぎながら、配線パターン１ｂにおいて、数ＧＨｚオーダーの高周波信号に対する良好な伝送特性が得られると考えられる。

【0039】

第１面粗度は、第２面粗度の２００％以上、１２００％以下であってもよい。その場合、導体パッド１ａの表面１ａ１の粗化工程が過剰な時間を必要とせず、また、粗化工程中の第１絶縁層２１などへのダメージも少ないと考えられる。導体パッド１ａの表面１ａ１が有する第１面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以上、０．６μｍ以下である。また、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第２面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下である。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）の２倍以上である。

【0040】

図３の例では、導体パッド１ａの表面１ａ１を覆う被覆膜５における第２絶縁層２２と向かい合う表面は、表面１ａ１の凹凸に基づく起伏を有している。被覆膜５の表面が平坦な場合と比べて、被覆膜５と第２絶縁層２２との接触面積が増大していると考えられる。被覆膜５による密着性向上作用に加えて、接触面積の増大による密着性向上作用が得られることがある。

【0041】

一方、導体パッド１ａにおける接続導体４に覆われている表面１ａ２と接続導体４との間には被覆膜５は介在していない。すなわち、導体パッド１ａと接続導体４とが直接接している。例えばシランカップリング剤のような有機材料を介さずに、導体パッド１ａを構成する銅などの金属と接続導体４を構成する銅などの金属とが導体パッド１ａと接続導体４との界面において直接接している。従って、導体パッド１ａと接続導体４との界面において金属同士による機械的に強固で電気的抵抗の小さい接合が得られていると考えられる。

【0042】

図３の例では、平板状の導体パターン１ｃにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１は、導体パッド１ａの表面１ａ１が有する第１面粗度よりも低い面粗度を有している。表面１ｃ１は、表面１ｃ１の粗化のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。図３の例の導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度（第２面粗度）と略同じ面粗度を有している。導体パターン１ｃの表面１ｃ１は第２面粗度を有していてもよい。従って、導体パターン１ｃにおいても、良好な高周波伝送特性が得られると考えられる。その反面、導体パターン１ｃの表面１ｃ１において得られるアンカー効果は小さいと推察されるが、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、前述したように被覆膜５に覆われている。被覆膜５によって密着性を高められている導体パターン１ｃと第２絶縁層２２との間の界面剥離は生じ難いと考えられる。

【0043】

配線基板１００では、図４に示されるように、導体パッド１ａにおける接続導体４に覆われている表面１ａ２は、導体パッド１ａの表面１ａ１が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第３面粗度）を有している。第３面粗度は、図３に示される配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第２面粗度よりも高い。表面１ａ２は、第２絶縁層２２のような樹脂と接しておらず、また、表皮効果によって電流の集中が生じる「伝送路の表面」でもない。従って、表面１ａ２には、大きな凹凸及び平坦性のいずれも特に求められない。従って、図３及び図４に示されるように、導体パッド１ａの表面１ａ２は、導体パッド１ａの表面１ａ１が有する第１面粗度と配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第２面粗度との間の任意の面粗度（第３面粗度）を有し得る。

【0044】

図５Ａ～図５Ｄには、本実施形態の配線基板の他の例が示されている。図５Ａ～図５Ｄは、本実施形態の配線基板の他の例における図１のIII部に相当する部分の拡大図である。図５Ａの例では、平板状の導体パターン１ｃにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度を有するように粗化されている。図５Ａの例において表面１ｃ１は、導体パッド１ａの表面１ａ１と略同じ面粗度を有している。このように導体パターン１ｃの表面１ｃ１も導体パッド１ａの表面１ａ１と同様に第１面粗度を有するように粗化されていてもよい。例えば導体パターン１ｃにおいて高周波信号が伝送されない場合には、表面１ｃ１の高い面粗度が特に問題とならないと考えられる。

【0045】

図５Ａの例においても、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、図３の例と同様に、被覆膜５に覆われている。そして表面１ｃ１を覆う被覆膜５の表面は、表面１ｃ１の凹凸に基づく起伏を有している。被覆膜５による密着性向上作用に加えて、被覆膜５と第２絶縁層２２との接触面積の増大による密着性向上作用が得られることがある。

【0046】

なお図５Ａの例では、導体パッド１ａにおける接続導体４に覆われている表面１ａ２は、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ａ１が有する面粗度（第１面粗度）と略同じ面粗度を有している。しかし、前述したように、表面１ａ２は表皮効果が作用する「伝送路の表面」ではないので、特に高周波伝送特性の低下などの問題は生じ難い。一方、表面１ａ２の高い面粗度によって、導体パッド１ａと接続導体４との間で、より高いアンカー効果の作用が得られると推察される。

【0047】

図５Ｂの例では、配線パターン１ｂの表面１ｂ１だけが、被覆膜５に覆われており、導体パッド１ａの表面１ａ１及び導体パターン１ｃの表面１ｃ１は被覆膜に覆われていない。すなわち、導体パッド１ａの表面１ａ１と第２絶縁層２２とが被覆膜５を介さずに直接接している。また、導体パターン１ｃの表面１ｃ１と第２絶縁層２２とが被覆膜５を介さずに直接接している。一方、導体パッド１ａの表面１ａ１及び導体パターン１ｃ１の表面１ｃ１のいずれも、図５Ａの例と同様に、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度（第１面粗度）を有している。従って、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との間及び導体パターン１ｃと第２絶縁層２２との間のいずれにおいても十分なアンカー効果が得られるため、界面剥離が生じ難いと考えられる。

【0048】

図５Ｃの例では、導体パッド１ａの表面１ａ１は、図５Ｂの例と同様に、被覆膜５に覆われずに、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する面粗度よりも高い面粗度（第１面粗度）を有している。導体パッド１ａと第２絶縁層２２との間に十分なアンカー効果が得られるため、界面剥離が生じ難いと考えられる。配線パターン１ｂは、先に参照した図３、並びに、図５Ａ及び図５Ｂの例と同様に、導体パッド１ａの表面１ａ１よりも低い面粗度（第２面粗度）を有していて被覆膜５に覆われている。良好な高周波伝送特性が得られると共に、被覆膜５による第２絶縁層２２との密着性向上作用が得られていると考えられる。

【0049】

一方、図５Ｃの例の導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、導体パッド１ａの表面１ａ１が有する第１面粗度よりも低い面粗度を有すると共に、被覆膜５に覆われている。図５Ｃの例の導体パターン１ｃの表面１ｃ１も、配線パターン１ｂの表面１ｂ１と同様に第２面粗度を有し得る。従って、図５Ｃの導体パターン１ｃにおいても、良好な高周波伝送特性が得られると共に、被覆膜５による第２絶縁層２２との密着性向上作用が得られていると考えられる。

【0050】

図５Ａ～図５Ｃに示されるように、本実施形態では、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ａ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１よりも高い面粗度を有していれば、被覆膜５に覆われていてもよく、覆われていなくてもよい。また、導体パターン１ｃの表面１ｃ１も、被覆膜５に覆われていてもよく、覆われていなくてもよい。さらに表面１ｃ１は、導体パッド１ａの表面１ａ１と同様の面粗度を有していてもよく、配線パターン１ｂの表面１ｂ１と同様の面粗度を有していてもよい。

【0051】

図３及び図５Ａ～図５Ｃの例では、被覆膜５は第１導体層１１の一部又は全部の表面を覆っているだけで第１絶縁層２１の表面を覆っていない。しかし、被覆膜５は、図５Ｄに示される実施形態の配線基板の他の例のように、第１絶縁層２１の表面を覆っていてもよい。図５Ｄの例の被覆膜５は、導体パッド１ａの表面１ａ１、配線パターン１ｂの表面１ｂ１、及び導体パターン１ｃの表面１ｃ１に加えて、第１導体層１１に覆われていない第１絶縁層２１の表面２１ａも覆っている。剥離膜５は、このように第１絶縁層２１の露出面を覆っていてもよい。

【0052】

被覆膜５は、第１絶縁層２１全体にわたってその露出面の全面を覆っていてもよい。被覆膜５は、第１絶縁層１１の露出面の全面、及び、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面の全面を覆っていてもよい。その場合、第１絶縁層２１上に被覆膜５の端面が存在しないので、例えば端面を起点とする被覆膜５の剥離が生じ難いと考えられる。図５Ａ～図５Ｄにおいて、図３に示される構成要素と同様の構成要素には、図３に付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、その同様の構成要素についての繰り返しとなる説明は省略される。

【0053】

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図６Ａ～図６Ｈを参照して説明される。

【0054】

図６Ａに示されるように、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１ａを含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１及び接続導体３３が形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によって接続導体３３の形成位置に貫通孔が形成され、その貫通孔内及び金属箔３１ａ上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜３１ｂが形成される。そして金属膜３１ｂを給電層として用いる電解めっきによってめっき膜３１ｃが形成される。その結果、３層構造の導体層３１、及び２層構造の接続導体３３が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が得られる。

【0055】

そして図６Ａに示されるように、第１絶縁層２１及び絶縁層２３が、コア基板３の第１面３ａ上及び第２面３ｂ上にそれぞれ形成される。第１絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれの形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、第１絶縁層２１及び絶縁層２３が、それぞれ形成される。第１絶縁層２１及び絶縁層２３は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。第１絶縁層２１及び絶縁層２３には、接続導体４を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

【0056】

本実施形態の配線基板の製造方法は、図６Ａに示されるように、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂを有する第１導体層１１を形成することを含んでいる。図６Ａの例では、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂに加えて導体パターン１ｃを含む第１導体層１１が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には導体層１３が形成される。第１絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれには接続導体４が形成される。第１導体層１１、導体層１３、及び接続導体４は、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、貫通孔４ａ内、並びに、第１絶縁層２１及び絶縁層２３の表面上に、例えば無電解めっき又はスパッタリングによって金属膜１０ｂが形成される。

【0057】

金属膜１０ｂの上に、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃに対応する開口、又は、導体層１３に含まれるべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内にめっき膜１０ｃが形成される。その結果、金属膜１０ｂ及びめっき膜層１０ｃからなる第１導体層１１及び導体層１３それぞれが形成される。貫通孔４ａ内には、金属膜１０ｂ及びめっき膜層１０ｃからなる接続導体４が形成される。その後、めっきレジストが、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去され、その後、金属膜１０ｂにおいてめっき膜１０ｃに覆われずに露出している部分がエッチングなどによって除去される。

【0058】

本実施形態の配線基板の製造方法は、図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、第１導体層１１の表面のうちの第１絶縁層２１と接していない領域である露出面を粗化することを含んでいる。但し、本実施形態の配線基板の製造方法では、第１導体層１１の露出面の粗化において、配線パターン１ｂの露出面は粗化されない。一方、導体パッド１ａの露出面は粗化される。そのため、図６Ｂに示されるように、配線パターン１ｂを覆うレジスト膜Ｒ１が設けられる。このように、第１導体層１１の露出面を粗化することは、配線パターン１ｂを覆うレジスト膜Ｒ１を設けることを含んでいてもよい。

【0059】

第１導体層１１の露出面の粗化は任意の方法で行われ得る。例えば、黒化処理又はブラウン処理と呼ばれる表面酸化処理や、酸性の溶剤を用いたマイクロエッチング処理によって、第１導体層１１の露出面のうちのレジスト膜Ｒ１に覆われていない部分が粗化される。

【0060】

なお、図１の配線基板１００では導体パターン１ｃの表面も粗化されないので、図６Ｂの例では、レジスト膜Ｒ１は、導体パターン１ｃも覆うように設けられている。レジスト膜Ｒ１は、例えば感光性樹脂を含むフィルムの積層によって形成される。レジスト膜Ｒ１には、露光及び現像などのフォトリソグラフィ技術を用いて、導体パッド１ａなどを露出させる開口Ｒ１ａが設けられる。レジスト膜Ｒ１は、前述した第１導体層１１の形成に用いられるめっきレジスト（図示せず）と同様の材料で形成されてもよい。

【0061】

図６Ｃに示されるように、導体パッド１ａの露出面が粗化される。図６Ｃは、図６ＢのVIＣ部における第１導体層１１の露出面の粗化処理後の拡大図である。導体パッド１ａの露出面は、少なくとも、配線パターン１ｂの粗化されない表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度を有するように粗化される。導体パッド１ａの露出面は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下の面粗度を有するように粗化される。

【0062】

図６Ｄに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１導体層１１の露出面に被覆膜５を設けることを含んでいる。図６Ｄは、図６Ｃと同様の部分についての被覆膜５の形成後の状態を示している。図６Ｄの例では、被覆膜５は、導体パッド１ａの露出面、配線パターン１ｂの露出面、及び導体パターン１ｃの露出面を含む、第１導体層１１の露出面の全部に設けられている。なお、本実施形態において被覆膜５は、後述されるように第１導体層１１の露出面の一部に設けられてもよい。

【0063】

被覆膜５は、第１導体層１１と、後工程で形成される第２絶縁層２２（図６Ｅ参照）との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への第１導体層１１の浸漬や、そのような液体の噴霧（スプレーイング）によって形成される。しかし、被覆膜５の形成方法は任意であり、被覆膜５を構成する材料への浸漬や、そのような材料の噴霧に限定されない。

【0064】

図６Ｅ及び図６Ｆに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１導体層１１を覆う第２絶縁層２２を形成することを含んでいる。コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに絶縁層２３が形成される。なお、図６Ｆには図６ＥにおけるVIＦ部の拡大図が示されている。図６Ｆに示されるように、第２絶縁層２２は、被覆膜５も覆っている。第２絶縁層２２及び絶縁層２３は、第１絶縁層２１と同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂の積層、並びに加熱及び加圧によって形成される。

【0065】

第２絶縁層２２及び絶縁層２３には、後工程で接続導体４（図６Ｇ参照）を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。第２絶縁層２２における導体パッド１ａ上の領域に貫通孔４ａが形成される。貫通孔４ａによって導体パッド１ａの表面の一部（表面１ａ２）が露出する。

【0066】

図６Ｆの例では、貫通孔４ａの形成によって貫通孔４ａ内に露出する導体パッド１ａの表面１ａ２上に形成されていた被覆膜５が除去されている。表面１ａ２上に形成されていた被覆膜５は、例えば、貫通孔４ａの形成時のレーザー光の照射を受けて、溶解及び気化するか、又は昇華する。その結果、表面１ａ２上に形成されていた被覆膜５が除去され得る。本実施形態の配線基板の製造方法は、図６Ｆの例のように、導体パッド１ａの表面１ａ２から被覆膜５を除去することを含んでいてもよい。表面１ａ２から被覆膜５を除去することによって、後工程で導体パッド上に形成される接続導体４と導体パッド１ａとを、金属同士で強固に、且つ小さな電気抵抗で接合させることができる。

【0067】

なお、被覆膜５の除去時の被覆膜５の溶解液による導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への浸透が、前述したように比較的高い面粗度を有するように粗化されている導体パッド１ａの表面１ａ１の凹凸によって妨げられる。導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面剥離が防止されることがある。

【0068】

また図６Ｆの例では、貫通孔４ａの形成時のレーザー光の照射によって、導体パッド１ａの表面１ａ２の凹凸の凸部の高さが、貫通孔４ａの形成前と比べて低くなっている。例えば、貫通孔４ａの形成時のレーザー光の照射によって、表面１ａ２の凹凸の凸部が丸められるか、又は溶解している。その結果、表面１ａ２の面粗度が、貫通孔４ａの形成前と比べて低下している。本実施形態の配線基板の製造方法は、図６Ｆの例のように、導体パッド１ａの表面の一部である表面１ａ２の面粗度を低下させることを含んでいてもよい。表面１ａ２は、導体パッド１ａの表面のうちの、後述する接続導体４に接続される部分である。

【0069】

貫通孔４ａの形成後、好ましくは、貫通孔４ａの形成によって生じた樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。例えばアルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔４ａの内壁を晒すことによって貫通孔４ａ内のスミアが除去される。このデスミア処理のための処理液による、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への浸入が、導体パッド１ａの粗化された表面１ａ１の凹凸によって妨げられる。処理液による表面１ａ１上の被覆膜５の溶解や、それに伴う界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

【0070】

図６Ｇ及び図６Ｈに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第２絶縁層２２の上に第２導体層１２を形成すると共に、第２絶縁層２２を貫通して導体パッド１ａと第２導体層１２とを接続する接続導体４を形成することを含んでいる。コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに、導体層１３及び接続導体４が形成される。図６Ｈには、図６ＧのVIＨ部の拡大図が示されている。

【0071】

第２導体層１２及び第２絶縁層２２を貫通する接続導体４は、例えば、前述した第１導体層１１及び第１絶縁層２１を貫通する接続導体４の形成方法と同様の方法で形成される。例えば、第２導体層１２及び第２絶縁層２２を貫通する接続導体４、並びにコア基板３の第２面３ｂ側にさらに形成される導体層１３及び接続導体４は、セミアディティブ法によって形成される。

【0072】

配線基板１００が製造される図６Ｇの例では、ソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６ａが設けられる。ソルダーレジスト６及び開口６ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

【0073】

セミアディティブ法による第２絶縁層２２への接続導体４の形成では、図６Ｈに示されるように、貫通孔４ａ内に例えば無電解めっきによって金属膜１０ｂが形成され、さらに電解めっきによってめっき膜１０ｃが形成される。本実施形態の配線基板の製造方法では、金属膜１０ｂの形成時のめっき液による導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への浸入が、導体パッド１ａの粗化された表面１ａ１の凹凸によって妨げられる。めっき液による、表面１ａ１上の被覆膜５の溶解や、それに伴う界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

【0074】

以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト６の開口６ａ内に露出する第２導体層１２又は導体層１３の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

【0075】

なお、本実施形態の配線基板の製造方法は、図７Ａに示されるように、さらに、導体パッド１ａを覆っている被覆膜５を第２絶縁層２２の形成の前に除去することを含んでいてもよい。図７Ａは、先に参照した図６Ｄに例示される被覆膜５の形成後に導体パッド１ａを覆う被覆膜５がレーザー光Ｌの照射によって除去される例を示している。第２絶縁層２２の形成の前に導体パッド１ａ上の被覆膜５を除去することによって、貫通孔４ａ（図６Ｆ参照）の形成時における被覆膜５の溶解液による導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への浸入を根本的に防ぐことができる。

【0076】

被覆膜５の除去に用いるレーザー光としては、炭酸ガスレーザー光、ＹＡＧレーザー光などが例示されるが、被覆膜５の除去に用いるレーザー光は、これらに限定されない。また、導体パッド１ａ上の被覆膜５を除去する方法はレーザー光の照射に限定されず、例えばプラズマ処理によって被覆膜５が除去されてもよい。なお、導体パッド１ａ上の被覆膜５が除去される際には、図７Ａに示されるように、導体パッド１ａ以外の第１導体層１１の導体パターン（配線パターン１ｂ及び導体パターン１ｃ）を覆うレジスト膜Ｒ２が設けられてもよい。

【0077】

先に参照した図６Ｄの例では、被覆膜５が第１導体層１１の露出面の全部に設けられたが、本実施形態の配線基板の製造方法において、被覆膜５は、その形成時に、導体パッド１ａの露出面には設けられずに第１導体層１１の露出面の一部だけに設けられてもよい。その場合、被覆膜５は、配線パターン１ｂの露出面及び導体パターン１ｃの露出面だけに設けられてもよい。

【0078】

図７Ｂには、被覆膜５の形成時に、被覆膜５が導体パッド１ａの露出面には設けられずに配線パターン１ｂ及び導体パターン１ｃそれぞれの露出面に設けられる例が示されている。図７Ｂに示されるように、導体パッド１ａを覆うレジスト膜Ｒ３が形成されており、その結果、配線パターン１ｂ及び導体パターン１ｃそれぞれの露出面だけに被覆膜５が設けられている。このように、被覆膜５が、その形成時に導体パッド１ａ上に形成されない場合、前述した被覆膜５の溶解液による導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への浸入を根本的に防ぐことができ、しかも、前述した被覆膜５の除去工程を省略することができる。

【0079】

なお、先に参照した図５Ａの例の配線基板１００が製造される場合は、図６Ｃに例示の工程において、導体パターン１ｃを覆うレジスト膜Ｒ１が設けられずに、第１導体層１１の露出面が粗化される。その結果、導体パターン１ｃの表面１ｃ１も導体パターン１ａの露出面と略同じ面粗度を有するように粗化される。なお、貫通孔４ａ（図６Ｆ参照）の形成時のレーザー光のパワーの調整などによって、貫通孔４ａに露出する導体パッド１ａの表面１ａ２の面粗度を、低下させずに表面１ａ１と略同じ面粗度に維持させることができる。

【0080】

また、先に参照した図５Ｂの例の配線基板１００が製造される場合は、図７Ａに例示の工程において、導体パターン１ｃを覆うレジスト膜Ｒ２が設けられずに、被覆膜５の除去が行われる。その結果、導体パターン１ｃの表面１ｃ１上の被覆膜５も除去される。或いは、図７Ｂに例示の工程において、導体パターン１ｃ上にもレジスト膜Ｒ３が設けられ、被覆膜５の形成が行われる。その結果、配線パターン１ｂの表面１ｂ１上だけに、被覆膜５が形成される。

【0081】

本実施形態の配線基板の製造方法によれば、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は粗化されずに導体パッド１ａの表面が粗化される。そのため、導体パッド１ａに接する接続導体４の形成用の貫通孔４ａの内壁から導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への各種の液体の浸入が、導体パッド１ａの表面の凹凸によって防がれる。従って、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面剥離が防がれることがある。一方、粗化されない良好な高周波伝送特性などを有し得る配線パターン１ｂの表面１ｂ１には、第１導体層１１と第２絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５が形成される。従って、配線パターン１ｂでは、例えば、良好な高周波伝送特性と共に、第２絶縁層２２との間の十分な密着性が得られる。このように本実施形態の配線基板の製造方法によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

【0082】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。第１導体層１１は、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。第１導体層１１は、電解めっき膜からなるめっき膜１０ｃを含まなくてもよく、例えば無電解めっき膜からなる金属膜１０ｂだけを含んでいてもよい。また、配線基板に含まれる複数の導体層の全部又は一部の複数の導体層が、第１導体層１１に含まれているような導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃを含んでいてもよい。また、導体パッド１ａは、第１導体層１１の下層の絶縁層（配線基板１００における第１絶縁層２１）を貫通する接続導体のビアパッドでなくてもよい。

【0083】

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば第１及び第２の導体層１１、１２はフルアディティブ法によって形成されてもよい。また、第１及び第２の絶縁層２１、２２は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。また、第２絶縁層２２以外の絶縁層には、接続導体が形成されなくてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

【符号の説明】

【0084】

１００ 配線基板
１１ 第１導体層
１ａ 導体パッド
１ａ１ 第２絶縁層と向かい合う表面
１ａ２ 接続導体に覆われている表面
１ｂ 配線パターン
１ｂ１ 第２絶縁層と向かい合う表面
１ｃ 平板状の導体パターン
１ｃ１ 第２絶縁層と向かい合う表面
１２ 第２導体層
２１ 第１絶縁層
２２ 第２絶縁層
４ 接続導体（ビア導体）
５ 被覆膜
Ｒ１ レジスト膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図7A】

【図7B】