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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022046840
(43)【公開日】2022-03-24
(54)【発明の名称】回路基板および回路基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20220316BHJP
H05K 3/00 20060101ALI20220316BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 C
H05K1/02 D
H05K3/00 X
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020152438
(22)【出願日】2020-09-11
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】凸版印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000062
【氏名又は名称】特許業務法人第一国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】狩野 典子
【テーマコード（参考）】
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E338AA16
5E338AA18
5E338BB02
5E338BB13
5E338BB22
5E338BB25
5E338BB35
5E338BB48
5E338EE28
(57)【要約】
【課題】製造プロセスの一部で起きるガラスの外周端部からのクラック発生の亀裂の進展を防ぐことができる回路基板および回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス製のコア基板１の少なくとも一方の面に配線層５と絶縁層６とを積層して形成された高周波回路１３を備えた回路基板１０は、前記高周波回路１３を形成した中央領域１１と、前記中央領域１１の周辺に形成された周辺領域１２とを有し、前記周辺領域１２に、前記コア基板１を貫通する複数の応力緩和用貫通孔１４を設け，前記応力緩和用貫通孔１４にガラス以外の素材からなる充填物を充填した。充填物としては樹脂が好ましく用いられる。
【選択図】図１
【解決手段】ガラス製のコア基板１の少なくとも一方の面に配線層５と絶縁層６とを積層して形成された高周波回路１３を備えた回路基板１０は、前記高周波回路１３を形成した中央領域１１と、前記中央領域１１の周辺に形成された周辺領域１２とを有し、前記周辺領域１２に、前記コア基板１を貫通する複数の応力緩和用貫通孔１４を設け，前記応力緩和用貫通孔１４にガラス以外の素材からなる充填物を充填した。充填物としては樹脂が好ましく用いられる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガラス製のコア基板の少なくとも一方の面に配線層と絶縁層とを積層して形成された回路を備えた回路基板であって、
前記回路基板は、前記回路を形成した中央領域と、前記中央領域の周辺に形成された周辺領域とを有し、
前記周辺領域の前記コア基板には、ガラス以外の素材からなる充填物が充填された複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする回路基板。
前記回路基板は、前記回路を形成した中央領域と、前記中央領域の周辺に形成された周辺領域とを有し、
前記周辺領域の前記コア基板には、ガラス以外の素材からなる充填物が充填された複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項2】
前記貫通孔は，前記コア基板の縁に沿って整列していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記周辺領域の幅は，２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記コア基板のガラスは，感光性であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項5】
前記貫通孔に充填される充填物は，樹脂または導電性ペーストであることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項6】
前記貫通孔の開口径が，３０μｍ～１００μｍであることを特徴とする請求項1～５のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項7】
異なる前記貫通孔を配置したことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項8】
前記コア基板の前記周辺領域の全体に、銅層が形成されていることを特徴とする請求項１～７のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項9】
ガラス製のコア基板の中央領域に、配線用貫通孔を形成し、前記コア基板の前記中央領域の周囲における周辺領域に、複数の応力緩和用貫通孔を形成する工程と、
前記中央領域に配線層を形成し、前記配線用貫通孔に前記配線層に接続された貫通電極を形成する工程と、
前記配線層に絶縁層を積層する工程と、
前記応力緩和用貫通孔の内部に充填物を充填する工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記中央領域に配線層を形成し、前記配線用貫通孔に前記配線層に接続された貫通電極を形成する工程と、
前記配線層に絶縁層を積層する工程と、
前記応力緩和用貫通孔の内部に充填物を充填する工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項10】
前記中央領域から前記周辺領域を分離する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項11】
前記配線層を形成するとともに、前記周辺領域の全体に銅層を形成することを特徴とする請求項９または１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項12】
前記絶縁層を形成するとともに、前記応力緩和用貫通孔の内部に樹脂を充填することを特徴とする請求項９～１１のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項13】
前記配線用貫通孔に導電性ペーストを充填して前記貫通電極を形成するとともに、前記応力緩和用貫通孔に導電性ペーストを充填することを特徴とする請求項９～１１のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項14】
前記配線層を含む回路をダイシングする工程を有することを特徴とする請求項９～１３のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は，回路基板および回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
モバイル通信機器の高性能化が進み，内部の電子部品において，高密度化，小型化が進んでいる。昨今のフロントエンドモジュール内では，フィルタを含む多数の受動部品や能動部品がフロントエンドモジュール基板上に多数搭載される。さらにアンテナなどを含んだパッケージ基板もミリ波などの領域で注目されており，今後も多様な周波数帯を用いて高速・大容量な通信を行うため，これらの部品は増加するものとみられている。
【0003】
このような技術動向に対応して，インダクタやキャパシタで構成される受動部品，およびフィルタ部品の類を配線基板内に内蔵することで，基板表面を占有する部品を低減し，小型・低背化に寄与しようとする提案がなされている。基板内に前述の素子を内蔵することで，配線長を短縮し，寄生成分の低減ができると同時に，はんだなどの異種部材との接合点での反射を低減することが可能となる。このため，高周波部品を扱う基板上で有利となる。
【0004】
前述の基板として，セラミック，ガラスクロスを含有した有機基板や，それらを含まない有機基板，シリコン基板，ＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ Ｏｕｔ－Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）などが考えられるが，ガラス材料は平坦・平滑性に優れ，微細配線形成においてシリコン基板に近い性質を有し，電気特性においては，シリコンよりも高い絶縁性を得ることができる。したがって，ガラス材料は特に５Ｇ（第5世代移動通信システム）以降のミリ波の分野で比較的優位な材料といえる。
【0005】
しかしながら，ガラス材料は，上記の特性においては優れるものの，応力に対して比較的弱い脆性材料でもある。積層基板を形成する際に，コア基板上に該基板と異なる線膨張係数の材料を積層することにより，温度変化などによりコア基板外周部に応力を発生させることが知られている。また，積層基板では，製造プロセスで，基板の端部を保持して製造する工程が複数回繰り返されるため，微小なダメージが蓄積されガラスの端部からクラックが生じやすく，また前記コア基板が薄くなることでハンドリング性が悪下する。
【0006】
さらにコア基板の断面のクラックは，基板に蓄積された内部応力が開放されることにより発生し，コア基板が裂ける方向に破壊が進展する可能性がある。
【0007】
このようなクラックを発生させない方法として，特許文献１には、温度変化によって、コア基板の切断面に、信頼性に影響するような破壊を生じることのないよう、コア基板と、コア基板の少なくとも一方面に形成された、一または複数の配線層と絶縁層との積層体からなるビルドアップ層とを有するパッケージ用基板において、コア基板の外周縁の内側にコア基板を貫通する複数の貫通穴を設ける技術が開示されている。
また、特許文献２には、補強材を樹脂配線基板の辺の部分に配置する技術が開示されている。
また、特許文献２には、補強材を樹脂配線基板の辺の部分に配置する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２０１７－２２０６４７号公報
【特許文献2】特開２００９－２１５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかし、特許文献１の技術を用いても、製造プロセス中にコア基板の製品部まで付近まで進展する破損を防ぐためには更なる検討が必要である。
【0010】
また、特許文献２を採用するためには多層配線基板の外周を補強材で覆う作業工数を要し、多層配線基板のコストを増大させることとなる。
【0011】
本発明は，かかる課題に鑑みてなされたものであり，製造プロセスの一部で起きるガラスの外周端部からのクラック発生の亀裂の進展を防ぐことができる回路基板および回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
代表的な本発明の回路基板の一つは、ガラス製のコア基板の少なくとも一方の面に配線層と絶縁層とを積層して形成された回路を備えた回路基板であって、
前記回路基板は、前記回路を形成した中央領域と、前記中央領域の周辺に形成された周辺領域とを有し、
前記周辺領域の前記コア基板には、ガラス以外の素材からなる充填物が充填された複数の貫通孔が形成されている。
前記回路基板は、前記回路を形成した中央領域と、前記中央領域の周辺に形成された周辺領域とを有し、
前記周辺領域の前記コア基板には、ガラス以外の素材からなる充填物が充填された複数の貫通孔が形成されている。
【0013】
代表的な本発明の回路基板の製造方法の一つは、
ガラス製のコア基板の中央領域に、配線用貫通孔を形成し、前記コア基板の前記中央領域の周囲における周辺領域に、複数の応力緩和用貫通孔を形成する工程と、
前記中央領域に配線層を形成し、前記配線用貫通孔に前記配線層に接続された貫通電極を形成する工程と、
前記配線層に絶縁層を積層する工程と、
前記応力緩和用貫通孔の内部に充填物を充填する工程と、を有している。
ガラス製のコア基板の中央領域に、配線用貫通孔を形成し、前記コア基板の前記中央領域の周囲における周辺領域に、複数の応力緩和用貫通孔を形成する工程と、
前記中央領域に配線層を形成し、前記配線用貫通孔に前記配線層に接続された貫通電極を形成する工程と、
前記配線層に絶縁層を積層する工程と、
前記応力緩和用貫通孔の内部に充填物を充填する工程と、を有している。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば，製造プロセスの一部で起きるガラスの外周端部からのクラック発生の亀裂の進展を防ぐことができる回路基板および回路基板の製造方法を提供することができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を記載されたものに特定するものではない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0017】
なお、本開示において、「面」とは、板状部材の面のみならず、板状部材に含まれる層について、板状部材の面と略平行な層の界面も指すことがある。また、「上面」、「下面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層を図示した場合の、図面上の上方又は下方に示される面を意味する。
また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚みの部分を意味する。さらに、面の一部及び側面を合わせて「端部」ということがある。
また、「上方」とは、板状部材又は層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」及びこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。
また、「平面形状」、「平面視」とは、上方から面又は層を視認した場合の形状を意味する。さらに、「断面形状」、「断面視」とは、板状部材又は層を特定の方向で切断した場合の水平方向から視認した場合の形状を意味する。
さらに、「中心部」とは、面又は層の周辺部ではない中心部を意味する。そして、「中心方向」とは、面又は層の周辺部から面又は層の平面形状における中心に向かう方向を意味する。
さらに、「中央領域」とは、回路基板のうち、製造工程でハンドリングをする際の支持部分として用いられることがなく、回路が形成される可能性のある領域であり、「周辺領域」とは、中央領域の周辺に存在する，製造工程でハンドリングをする際の支持部分として用いられる領域である。「中央領域」と「周辺領域」の範囲や大きさは、個々の回路基板ごとに定めることができる。
また、「側面」とは、板状部材や板状部材に含まれる層における面や層の厚みの部分を意味する。さらに、面の一部及び側面を合わせて「端部」ということがある。
また、「上方」とは、板状部材又は層を水平に載置した場合の垂直上方の方向を意味する。さらに、「上方」及びこれと反対の「下方」については、これらを「Ｚ軸方向」ということがあり、水平方向については、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」ということがある。
また、「平面形状」、「平面視」とは、上方から面又は層を視認した場合の形状を意味する。さらに、「断面形状」、「断面視」とは、板状部材又は層を特定の方向で切断した場合の水平方向から視認した場合の形状を意味する。
さらに、「中心部」とは、面又は層の周辺部ではない中心部を意味する。そして、「中心方向」とは、面又は層の周辺部から面又は層の平面形状における中心に向かう方向を意味する。
さらに、「中央領域」とは、回路基板のうち、製造工程でハンドリングをする際の支持部分として用いられることがなく、回路が形成される可能性のある領域であり、「周辺領域」とは、中央領域の周辺に存在する，製造工程でハンドリングをする際の支持部分として用いられる領域である。「中央領域」と「周辺領域」の範囲や大きさは、個々の回路基板ごとに定めることができる。
【0018】
＜回路基板＞
図１は，本発明の実施形態にかかる回路基板を平面視した概略図である。図２は、図１のＡ部を拡大して示す図である。矩形板状の回路基板１０は、中央領域１１と、中央領域１１の周辺に形成された周辺領域１２とを有している。中央領域１１には、複数の高周波回路（単に回路ともいう）１３がマトリクス状に独立して配置されている。周辺領域１２には、図２に示すように、複数の応力緩和用貫通孔（単に貫通孔ともいう）１４が形成されている。隣接する高周波回路１３の間には、貫通孔は形成されていない。高周波回路１３は単数であってもよい。
図１は，本発明の実施形態にかかる回路基板を平面視した概略図である。図２は、図１のＡ部を拡大して示す図である。矩形板状の回路基板１０は、中央領域１１と、中央領域１１の周辺に形成された周辺領域１２とを有している。中央領域１１には、複数の高周波回路（単に回路ともいう）１３がマトリクス状に独立して配置されている。周辺領域１２には、図２に示すように、複数の応力緩和用貫通孔（単に貫通孔ともいう）１４が形成されている。隣接する高周波回路１３の間には、貫通孔は形成されていない。高周波回路１３は単数であってもよい。
【0019】
周辺領域１２は，高周波回路１３の配線に接続されないエリアであって，製造工程でハンドリングをする際の支持部分として用いられ、銅層が全面的に形成されていると好ましい。
【0020】
回路基板１０の片面の総面積を１００％としたときに、周辺領域１２の面積は７．５％以上であると好ましい。また、周辺領域１２の幅（中央領域１１と回路基板１０の外周との間隔）は、２ｍｍ以上であると好ましい。
【0021】
図３は、回路基板１０の周辺領域の応力緩和用貫通孔と、中央領域の配線用貫通孔の断面図である。回路基板１０のコア基板１に、応力緩和用貫通孔１４と、配線用貫通孔１６が形成されている。
【0022】
応力緩和用貫通孔１４は、開口径が３０μｍ～３００μｍであって、複数種類の径を持つ応力緩和用貫通孔１４が混在していてもよく、その場合には隣接する応力緩和用貫通孔１４の径が異なると、応力緩和用貫通孔１４の密度が高まるので好ましい。
【0023】
応力緩和用貫通孔１４の内部には、充填物１５として、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などが充填されている。応力緩和用貫通孔１４の数を変え，また間隔を調整することにより，周辺領域１２におけるガラスと樹脂の比率を変化させることができる。充填物１５は、弾性率が１０ＧＰａ以下、ＣＴＥ（熱膨張係数）が２５ｐｐｍ／℃以下である樹脂を用いて形成されると好ましいが、ガラス以外であれば樹脂に限られない。
【0024】
図４は、応力緩和用貫通孔１４の配置の一例を示す回路基板１０の角部の拡大図である。図４の例では、応力緩和用貫通孔１４は、回路基板１０の外周（縁）１０ａに沿って縦横に整列して配置されている。ここで、外周１０ａに最も近い応力緩和用貫通孔１４との間の距離（かかる領域を貫通孔形成禁止領域という）Δは、５０μｍ以上であると好ましい。また、周辺領域１２の総面積に対する応力緩和用貫通孔１４合計断面積の割合（占有率という）は、３０％以上であると好ましい。
【0025】
図５は、応力緩和用貫通孔１４の配置の別な例を示す回路基板１０の角部の拡大図である。図５の例では、応力緩和用貫通孔１４は、奇数列に対して偶数列を半ピッチずらせて、すなわち千鳥状に配置している。これにより、応力緩和用貫通孔１４の密度がさらに高まる。それ以外の構成は、図４に示す例と同様であるため、重複説明を省略する。応力緩和用貫通孔１４の配置例は、以上に限られない。
【0026】
応力緩和用貫通孔１４を配置する場合、回路基板１０を平面視したときに、回路基板１０の中止を原点として、対称的に配置されると好ましい。また応力緩和用貫通孔１４の半径をｒとしたときに、隣接する応力緩和用貫通孔１４の中心間距離を３ｒとすると好ましい。さらに、隣接する３つの応力緩和用貫通孔１４の中心を直線で結んで三角形が形成されたとき、その三角形の内角は、０度を超え６０度以下であると好ましい。
【0027】
図３において、高周波回路１３は、配線用貫通孔１６の内壁に形成された貫通電極１７を備え、貫通電極１７を介して、コア基板１の両面に形成された第１の配線層５，５を互いに導通可能としている。本実施形態では、後述するようにして第１の配線層５，５上に第１の絶縁樹脂層（単に絶縁層ともいう）６，６が形成され，第１の絶縁樹脂層６，６に貫通ビアが形成されて導電材料で充填され，同時に第２の導電層が形成される。これらの積層手順を繰り返すことにより，両面多層配線基板となる。尚，コア基板１の表裏面のどちらかに第１の配線層を形成し，第１の絶縁樹脂層，貫通ビア，第２配線層，第２絶縁樹脂層といった形で，片面積層をしていってもよい。また，コア基板１の両面に配線を形成する場合、その構成はコア基板１を挟んで対称的でも非対称的でもよい。
【0028】
コア基板1の厚さ方向の表面上に順次積層される配線層と絶縁樹脂層をまとめてビルドアップ層と呼ぶ。ビルドアップ層は，複数層に限らず単層であってもよい。
【0029】
配線層は,銅,銀,すず,金,タングステン,導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。また,配線層の形成には,サブトラクティブ法,セミアディティブ法,インクジェット法,スクリーン印刷,グラビアオフセット印刷などを用いることができるが、セミアディティフ法を好適に用いることができる。
【0030】
絶縁樹脂層は,エポキシ樹脂系材料,エポキシアクリレート系樹脂,ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は,充填剤を含んでもよい。絶縁樹脂層を形成する絶縁性材料には線膨張係数が７～１３０ｐｐｍ／Ｋのエポキシ配合樹脂が一般的に入手し易く好ましい。
【0031】
また,絶縁性材料は,液状であっても,フィルム状であってもよい。絶縁性材料が液状の場合,スピンコート法,ダイコータ法,カーテンコータ法,ロールコータ法,ドクターブレード法,スクリーン印刷などにより形成することができる。絶縁性材料がフィルム状の場合,例えば真空ラミネート法により絶縁樹脂層を形成することができる。上記のように形成された絶縁樹脂層は,加熱または光照射により硬化させてもよい。
【0032】
例えば回路基板１０は、中央領域１１と周辺領域１２とを有し、高周波回路１３を複数配置したパネルの状態で製品として出荷され、出荷先にて、中央領域１１から周辺領域１２が削除され、さらに高周波回路１３ごとにダイシングされて、電子機器に搭載される。なお、中央領域１１から周辺領域１２を分離した状態で、回路基板１０が出荷される場合もある。
【0033】
＜回路基板の製造方法＞
以下に、回路基板１０の製造工程について、図６～１０を参照して説明する。まず、３００μｍ以下の板厚のコア基板1を準備する。コア基板１の材質は，電気絶縁性を有し，シリコンの熱膨張係数に近い材料が好ましい。このような材質として，例えば，ガラス，セラミック，ガラスセラミック等の無機材料を用いることが可能である。本実施形態では，コア基板１としてガラス基板を用いた。ガラス基板は，表面の平滑性と寸法安定性が優れる。ガラス基板は、表面を当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよい。例えば、表面に粗化処理を行ったものであってもよく，フッ酸で処理したものであってもよく、また，ガラス基板表面にシリコン処理を施したものであってもよい。ガラス基板の表面に下地層（図示せず）を形成してもよい。コア基板１の厚さは，特に限定されないが，好ましくは１００μｍ～３００μｍである。
以下に、回路基板１０の製造工程について、図６～１０を参照して説明する。まず、３００μｍ以下の板厚のコア基板1を準備する。コア基板１の材質は，電気絶縁性を有し，シリコンの熱膨張係数に近い材料が好ましい。このような材質として，例えば，ガラス，セラミック，ガラスセラミック等の無機材料を用いることが可能である。本実施形態では，コア基板１としてガラス基板を用いた。ガラス基板は，表面の平滑性と寸法安定性が優れる。ガラス基板は、表面を当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよい。例えば、表面に粗化処理を行ったものであってもよく，フッ酸で処理したものであってもよく、また，ガラス基板表面にシリコン処理を施したものであってもよい。ガラス基板の表面に下地層（図示せず）を形成してもよい。コア基板１の厚さは，特に限定されないが，好ましくは１００μｍ～３００μｍである。
【0034】
（貫通孔形成）
まず，図６に示すようにコア基板１の中央領域１１に配線用貫通孔１６を形成し、周辺領域１２に応力緩和用貫通孔１４を形成する。配線用貫通孔１６と応力緩和用貫通孔１４の形成方法としては，放電加工，レーザー加工，フッ酸などの薬液処理，これらの組合せになどが挙げられるが，それらに限定されるものではない。また，感光性のガラスに、配線用貫通孔１３と応力緩和用貫通孔１４を形成してもよい。応力緩和用貫通孔１４の位置は、信号ライン，電源ライン，グランドなど，回路配線として必要な機能を有した配線の外側であればどこでもよいが，好ましくは最も外側の高周波回路１３の外縁から１ｍｍ以内の範囲に配置することが望ましい。また，応力緩和用貫通孔１４の数，径についても限定されるものではないが，好ましくは全周に均一に配置し，径は加工可能な範囲で小さくする。応力緩和用貫通孔１４の配列は，孔間の距離が一定となるような千鳥配列に配置されてよい。千鳥配置の列数については限定されない。コア基板１に配線用貫通孔１６を形成する場合は，応力緩和用貫通孔１４の形成と同じ工程で実行されることが好ましい。
まず，図６に示すようにコア基板１の中央領域１１に配線用貫通孔１６を形成し、周辺領域１２に応力緩和用貫通孔１４を形成する。配線用貫通孔１６と応力緩和用貫通孔１４の形成方法としては，放電加工，レーザー加工，フッ酸などの薬液処理，これらの組合せになどが挙げられるが，それらに限定されるものではない。また，感光性のガラスに、配線用貫通孔１３と応力緩和用貫通孔１４を形成してもよい。応力緩和用貫通孔１４の位置は、信号ライン，電源ライン，グランドなど，回路配線として必要な機能を有した配線の外側であればどこでもよいが，好ましくは最も外側の高周波回路１３の外縁から１ｍｍ以内の範囲に配置することが望ましい。また，応力緩和用貫通孔１４の数，径についても限定されるものではないが，好ましくは全周に均一に配置し，径は加工可能な範囲で小さくする。応力緩和用貫通孔１４の配列は，孔間の距離が一定となるような千鳥配列に配置されてよい。千鳥配置の列数については限定されない。コア基板１に配線用貫通孔１６を形成する場合は，応力緩和用貫通孔１４の形成と同じ工程で実行されることが好ましい。
【0035】
（配線層の形成）
次に図７に示すように、コア基板１の中央領域１１の表裏面に、第１の配線層５，５を形成する。上述したように第１の配線層５、５は,銅,銀,すず,金,タングステン,導電性樹脂などを用いて形成することができるが、好ましくは銅が用いられる。配線形成方法は限定されないが、例えばセミアディティブ工法によるＣｕめっき配線などを使用できる。また,コア基板１の配線用貫通孔１６の内部にも導電性材料を積層または充填して貫通電極１７を形成する。このとき、周辺領域１２に銅層を形成できる。
次に図７に示すように、コア基板１の中央領域１１の表裏面に、第１の配線層５，５を形成する。上述したように第１の配線層５、５は,銅,銀,すず,金,タングステン,導電性樹脂などを用いて形成することができるが、好ましくは銅が用いられる。配線形成方法は限定されないが、例えばセミアディティブ工法によるＣｕめっき配線などを使用できる。また,コア基板１の配線用貫通孔１６の内部にも導電性材料を積層または充填して貫通電極１７を形成する。このとき、周辺領域１２に銅層を形成できる。
【0036】
（貫通孔の充填）
次に,応力緩和用貫通孔１４の充填を行う。なお、応力緩和用貫通孔１４の充填は,配線層形成時にＣｕめっきで埋める方法や,配線形成後に電導性ペーストで充填する方法を採用してもよく，その場合には応力緩和用貫通孔１４の内部が導通化される。ただし、応力緩和用貫通孔１４の充填物１５は、後述する第１の絶縁樹脂層６，６に用いられる樹脂と同等の熱膨張率,弾性率,延性を有した材料、すなわち同じ樹脂であることが望ましい。尚,応力緩和用貫通孔１４の充填は,別工程で行ってもよい。
次に,応力緩和用貫通孔１４の充填を行う。なお、応力緩和用貫通孔１４の充填は,配線層形成時にＣｕめっきで埋める方法や,配線形成後に電導性ペーストで充填する方法を採用してもよく，その場合には応力緩和用貫通孔１４の内部が導通化される。ただし、応力緩和用貫通孔１４の充填物１５は、後述する第１の絶縁樹脂層６，６に用いられる樹脂と同等の熱膨張率,弾性率,延性を有した材料、すなわち同じ樹脂であることが望ましい。尚,応力緩和用貫通孔１４の充填は,別工程で行ってもよい。
【0037】
（絶縁樹脂層の形成）
次に,第１の配線層５、５上に第１の絶縁樹脂層６，６を形成する。上述したように,第１の絶縁樹脂層６，６は,エポキシ樹脂系材料,エポキシアクリレート系樹脂,ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は,充填剤を含んでもよい。配線層と絶縁樹脂層とを複数層積層する場合は,上述した配線層形成工程と絶縁樹脂層形成工程とを繰り返し行う。
さらに図８に示すように,第１の絶縁樹脂層６，６の上に第２の配線層７，７を形成し、第２の配線層７，７の上に第２の絶縁樹脂層８，８を形成することができる。第１の配線層５、５と、第２の配線層７、７とは、導通ビア７ａを介して導通する。
次に,第１の配線層５、５上に第１の絶縁樹脂層６，６を形成する。上述したように,第１の絶縁樹脂層６，６は,エポキシ樹脂系材料,エポキシアクリレート系樹脂,ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は,充填剤を含んでもよい。配線層と絶縁樹脂層とを複数層積層する場合は,上述した配線層形成工程と絶縁樹脂層形成工程とを繰り返し行う。
さらに図８に示すように,第１の絶縁樹脂層６，６の上に第２の配線層７，７を形成し、第２の配線層７，７の上に第２の絶縁樹脂層８，８を形成することができる。第１の配線層５、５と、第２の配線層７、７とは、導通ビア７ａを介して導通する。
【0038】
（最外層の形成及び表面処理）
次に,図９に示すように最外層９を形成する。最外層９の形成方法や材料は特に限定されるものではないが,ソルダーレジストと呼ばれる感光性の樹脂材料を形成することが好ましい。また,配線層の表面処理として,ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理,金めっき処理,Ｓｎめっき処理などを施すことがあるが,特に限定されない。
次に,図９に示すように最外層９を形成する。最外層９の形成方法や材料は特に限定されるものではないが,ソルダーレジストと呼ばれる感光性の樹脂材料を形成することが好ましい。また,配線層の表面処理として,ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理,金めっき処理,Ｓｎめっき処理などを施すことがあるが,特に限定されない。
【0039】
以上で、図１０に示すように、回路基板１０が完成する。回路基板１０は、周辺領域１２を含んだ状態で製品として出荷することもできるし、あるいは図１０の点線Ｂで示す位置で、中央領域１１と周辺領域１２とを切断して、中央領域１１のみを有する回路基板１０を出荷することもできる。本実施形態によれば、周辺領域１２に応力緩和用貫通孔１４を形成することによって、回路基板１０の縁にクラックが生じることを抑制できる。
【0040】
（個片化）
出荷された回路基板１０は、例えば出荷先にて、中央領域１１の高周波回路１３毎にダイシングブレードにより個片化され、電子機器に搭載される。
出荷された回路基板１０は、例えば出荷先にて、中央領域１１の高周波回路１３毎にダイシングブレードにより個片化され、電子機器に搭載される。
【0041】
（変形例）
図１１は、変形例にかかる回路基板の周辺領域の応力緩和用貫通孔１４と、中央領域の配線用貫通孔１６の断面図である。本変形例において、配線用貫通孔１６に導電性ペーストが充填されて貫通電極１７が形成され、貫通電極１７は、第１の配線層５，５と導通している。また、応力緩和用貫通孔１４にも充填物１５として導電性ペーストが充填されている。配線用貫通孔１６と応力緩和用貫通孔１４の導電性ペーストは、配線層形成工程で充填できる。導電性ペーストとしては、有機材料または無機材料をバインダーとする導電フィラーを含んだものを用いることができる。それ以外の構成は、図３に示す例と同様であるため、重複説明を省略する。
図１１は、変形例にかかる回路基板の周辺領域の応力緩和用貫通孔１４と、中央領域の配線用貫通孔１６の断面図である。本変形例において、配線用貫通孔１６に導電性ペーストが充填されて貫通電極１７が形成され、貫通電極１７は、第１の配線層５，５と導通している。また、応力緩和用貫通孔１４にも充填物１５として導電性ペーストが充填されている。配線用貫通孔１６と応力緩和用貫通孔１４の導電性ペーストは、配線層形成工程で充填できる。導電性ペーストとしては、有機材料または無機材料をバインダーとする導電フィラーを含んだものを用いることができる。それ以外の構成は、図３に示す例と同様であるため、重複説明を省略する。
【0042】
（実施例１と比較例１）
以下,実施例１と比較例１とを比較して説明する。
まず，板厚寸法が３００μｍのコア基板１（アルミノ珪酸塩ガラス）を準備し，コア基板１に応力緩和用貫通孔１４を形成した。応力緩和用貫通孔１４は放電加工により８０μｍの径で形成し，応力緩和用貫通孔１４の中心間距離が１２０μｍとなるように千鳥配置２列で回路基板１０の外周から０．５ｍｍの位置に設けた。同時に表裏の電気的接続を得る為の配線用貫通孔１６も設けた．
以下,実施例１と比較例１とを比較して説明する。
まず，板厚寸法が３００μｍのコア基板１（アルミノ珪酸塩ガラス）を準備し，コア基板１に応力緩和用貫通孔１４を形成した。応力緩和用貫通孔１４は放電加工により８０μｍの径で形成し，応力緩和用貫通孔１４の中心間距離が１２０μｍとなるように千鳥配置２列で回路基板１０の外周から０．５ｍｍの位置に設けた。同時に表裏の電気的接続を得る為の配線用貫通孔１６も設けた．
【0043】
次に,コア基板1の厚さ方向の表面に銅めっきにより５μｍの厚みの第１の配線層５、５を形成した。銅配線の形成にはセミアディティブ法を使用した．次に,第１の配線層５、５に重ねて、線膨張係数が３４ｐｐｍのエポキシ配合樹脂である絶縁性材料を真空ラミネートし,第１の絶縁樹脂層６，６を形成した。このとき同時に応力緩和用貫通孔１４を絶縁性材料で充填した。
【0044】
さらに,第１の配線層５，５の形成と第１の絶縁樹脂層６，６の形成と,層間の導通を得る為のビア加工を繰り返すことで回路基板１０を得た。次にソルダーレジストにより最外層９を形成し,フォトリソグラフィープロセスにより,接合パッドを露出させた。つぎに接合パッドの表面処理としてＯＳＰ処理を施した。
【0045】
（比較結果）
上記実施例１に対し、周辺領域１２に貫通孔を形成しない以外は共通の構成を有する比較例１を作製した。その結果，比較例１では，約7割の回路基板の外周において、製造プロセス内でのハンドリングにより生じた破損が観察された。これに対し、実施例１の回路基板１０では、高周波回路１３に達する割れやひびなどが発生していないことを確認できた。
上記実施例１に対し、周辺領域１２に貫通孔を形成しない以外は共通の構成を有する比較例１を作製した。その結果，比較例１では，約7割の回路基板の外周において、製造プロセス内でのハンドリングにより生じた破損が観察された。これに対し、実施例１の回路基板１０では、高周波回路１３に達する割れやひびなどが発生していないことを確認できた。
【0046】
（実施例２および比較例２）
上面からみた（平面視した）ときに１辺が１００ｍｍ２で、板厚寸法１００μｍのコア基板１を準備し、それぞれのコア基板１に応力緩和貫通孔１４が形成される周辺領域を２ｍｍ幅とし、四辺の縁からΔ＝５０μｍ内側を貫通孔形成禁止領域として、表１に示した４種類のパターン配置で応力緩和貫通孔１４を形成した。
上面からみた（平面視した）ときに１辺が１００ｍｍ２で、板厚寸法１００μｍのコア基板１を準備し、それぞれのコア基板１に応力緩和貫通孔１４が形成される周辺領域を２ｍｍ幅とし、四辺の縁からΔ＝５０μｍ内側を貫通孔形成禁止領域として、表１に示した４種類のパターン配置で応力緩和貫通孔１４を形成した。
【0047】
【表1】
【0048】
パターンは、格子配置（図４参照）と、隣接する３つの応力緩和貫通孔１４の中心を結んだ直線からなる三角形の内角が６０°である千鳥配置（図５参照）とした。また、応力緩和貫通孔１４の孔径を、φ１００μｍとφ３０μｍとした。ここで、それぞれ応力緩和貫通孔１４の開口径の半径をｒとしたときに、実施例２として応力緩和貫通孔１４の中心が３ｒのピッチ、比較例２として応力緩和貫通孔１４の中心が５ｒのピッチとなるように、間隔をあけて配置した。
【0049】
次に、上述した実施形態の製造方法に従って、コア基板の厚さ方向に銅めっきにより、７μｍの厚みの第１の配線層５を形成し、次に，第１の配線層５に重ねて、線膨張係数が３４ｐｐｍのエポキシ配合樹脂である絶縁性材料を真空ラミネートし，第１の絶縁樹脂層６を形成した。このとき同時に応力緩和用貫通孔１４を絶縁性材料で充填した。
【0050】
第１の配線層５の形成と第１の絶縁樹脂層６の形成と，層間の導通を得る為のビア加工を繰り返すことで回路基板１０を得た。次にソルダーレジストにより最外層９を形成し，フォトリソグラフィープロセスにより，接合パッドを露出させた。つぎに接合パッドの表面処理としてＯＳＰ処理を施した。
【0051】
（比較結果）
上記の条件で作成した実施例２による回路基板は、いずれのパターン配置でも、周辺領域での応力緩和貫通孔１４の占有率が３０％以上となるため、応力緩和貫通孔１４の配置ピッチが５ｒである比較例２よりも、コア基板外周の樹脂の体積が多くなることで端部からの割れやクラックが軽減され良好な結果が得られた。
上記の条件で作成した実施例２による回路基板は、いずれのパターン配置でも、周辺領域での応力緩和貫通孔１４の占有率が３０％以上となるため、応力緩和貫通孔１４の配置ピッチが５ｒである比較例２よりも、コア基板外周の樹脂の体積が多くなることで端部からの割れやクラックが軽減され良好な結果が得られた。
【0052】
（実施例３と比較例３）
上面からみた（平面視した）ときに１辺が１００ｍｍ２で、板厚寸法１００μｍのコア基板１を準備し、それぞれのコア基板１に、大径・小径の応力緩和貫通孔１４が形成される周辺領域１２を５ｍｍ幅とし、四辺の縁からΔ＝５０μｍ内側を貫通孔形成禁止領域として、図１２のような千鳥配置で応力緩和貫通孔１４を作成した。また、同時に中央領域１１に、表裏面を導通するための配線用貫通孔（図１１参照）も形成した。
上面からみた（平面視した）ときに１辺が１００ｍｍ２で、板厚寸法１００μｍのコア基板１を準備し、それぞれのコア基板１に、大径・小径の応力緩和貫通孔１４が形成される周辺領域１２を５ｍｍ幅とし、四辺の縁からΔ＝５０μｍ内側を貫通孔形成禁止領域として、図１２のような千鳥配置で応力緩和貫通孔１４を作成した。また、同時に中央領域１１に、表裏面を導通するための配線用貫通孔（図１１参照）も形成した。
【0053】
周辺領域１２において、図１２のように、小径の応力緩和貫通孔１４を複数個、千鳥配置で形成した小径貫通孔領域Ａと、小径貫通孔領域Ａの内側にて、大径の応力緩和貫通孔１４を複数個、千鳥配置で形成した大径貫通孔領域Ｂの２つの領域を設けた。ここで、領域Ａ、Ｂの合計の幅は５ｍｍとした。このとき、小径貫通孔領域Ａでは応力緩和貫通孔１４の径をφ３０μｍとし、大径貫通孔領域Ｂの領域では応力緩和貫通孔１４の径をφ１００μｍとした。
【0054】
次に実施例2と同様に、上述した実施形態の製造方法に従って、コア基板の厚さ方向に銅めっきにより、7μmの厚みの第１の配線層５を形成し、次に,第１の配線層５に重ねて、線膨張係数が３４ｐｐｍのエポキシ配合樹脂である絶縁性材料を真空ラミネートし,第１の絶縁樹脂層６を形成した。このとき、同時に応力緩和用貫通孔１４を絶縁性材料で充填した。
【0055】
また、ナノ導電粒子を含む導電性ペーストをスクリーン印刷で応力緩和貫通孔を形成した位置に印刷を行い、貫通孔に充填した基板を作成した。一方、比較例３として応力緩和用貫通孔を有さないコア基板を準備した。
【0056】
実施例３及び比較例３とも、第１の配線層５の形成と第１の絶縁樹脂層６の形成と,層間の導通を得る為のビア加工を繰り返すことで回路基板を得た。次にソルダーレジストにより最外層９を形成し,フォトリソグラフィープロセスにより,接合パッドを露出させた。つぎに接合パッドの表面処理としてＯＳＰ処理を施した。
【0057】
（比較結果）
これら実施例３及び比較例３について、図１２の右上の角ＣＰから左方に１ｍｍ、下方に１ｍｍシフトした位置Ｘに、先端のとがった錐（キリ）を突き刺して、強制的にクラックを生じさせるようにした。その結果、応力緩和貫通孔を有さない比較例３の回路基板では、中央領域１１に向かって亀裂が伸展した。これに対し実施例３の回路基板では、クラックは生じるものの、小径貫通孔領域Ａと大径貫通孔領域Ｂの境界で亀裂が止まり、中央領域１１に向かって亀裂が伸展することを防ぐことができた。
これら実施例３及び比較例３について、図１２の右上の角ＣＰから左方に１ｍｍ、下方に１ｍｍシフトした位置Ｘに、先端のとがった錐（キリ）を突き刺して、強制的にクラックを生じさせるようにした。その結果、応力緩和貫通孔を有さない比較例３の回路基板では、中央領域１１に向かって亀裂が伸展した。これに対し実施例３の回路基板では、クラックは生じるものの、小径貫通孔領域Ａと大径貫通孔領域Ｂの境界で亀裂が止まり、中央領域１１に向かって亀裂が伸展することを防ぐことができた。
【符号の説明】
【0058】
１ コア基板
５ 第１の配線層
６ 第１の絶縁樹脂層
７ 第２の配線層
８ 第２の絶縁樹脂層
９ 最外層
１０ 回路基板
１１ 中央領域
１２ 周辺領域
１３ 高周波回路
１４ 応力緩和用貫通孔
１５ 充填物
１６ 配線用貫通孔
１７ 貫通電極
５ 第１の配線層
６ 第１の絶縁樹脂層
７ 第２の配線層
８ 第２の絶縁樹脂層
９ 最外層
１０ 回路基板
１１ 中央領域
１２ 周辺領域
１３ 高周波回路
１４ 応力緩和用貫通孔
１５ 充填物
１６ 配線用貫通孔
１７ 貫通電極
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】