技術分野
半導体光素子
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】ｆ３ｄＢ帯域の向上とロールオフの低減の両立を目的とする。
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
多重量子井戸層自体の屈折率を大きくすれば、多重量子井戸層の光閉じ込め係数をより大きくすることができるが、光出力特性や利得特性などの特性に影響を与えてしまう。あるいは、ＳＣＨ層の屈折率を大きくすれば、上下のＳＣＨ層を含む領域の光閉じ込め係数が大きくなるので、多重量子井戸層への光閉じ込め係数が大きくなる。しかし、ＳＣＨ層と多重量子井戸層（バリア層）との間にエネルギー障壁が生じる。特に、ｎ型ＳＣＨ層の側でその影響は大きく、エネルギー障壁により電子が停留し、低域での電子のフローが低下する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体光素子は、交互に重なる複数の井戸層及び複数の障壁層を含み、前記複数の障壁層のそれぞれはアンドープ層であり、最外層が前記複数の障壁層の１つである多重量子井戸層と、前記最外層よりも屈折率において大きく、前記最外層よりもバンドギャップにおいて小さい光閉じ込め層と、前記多重量子井戸層と前記光閉じ込め層の間に介在し、前記最外層に接触する第１隣接層を含み、前記光閉じ込め層よりも薄くなっているガイド・・・ 続きを
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この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
第１の半導体光素子の平面図である。
【図2】
図１に示す半導体光素子のII－II線断面図である。
【図3】
第１の実施形態における多重量子井戸層、ガイド層及び光閉じ込め層のバンドダイアグラムである。
【図4】
第２の実施形態における多重量子井戸層、ガイド層及び光閉じ込め層のバンドダイアグラムである。
【図5】
第３の実施形態における多重量子井戸層、ガイド層及び光閉じ込め層のバンドダイアグラムである。
【図6】
第４の実施形態における多重量子井戸層、ガイド層及び光閉じ込め層のバンドダイアグラムである。
【図7】
第５の実施形態における多重量子井戸層、ガイド層及び光閉じ込め層のバンドダイアグラムである。
【図8】
第６の半導体光素子の断面図である。
【図9】
第６の実施形態における多重量子井戸層、ガイド層及び光閉じ込め層のバンドダイアグラムである。
１０ メサストライプ構造、１２ 上電極、１４ 下電極、１６ 誘電体無反射コーティング膜、１８ 誘電体高反射コーティング膜、２０ 半導体基板、２２ バッファ層、２４ ｐ型ＳＣＨ層、２６ 多重量子井戸層、２８ ガイド層、３０ 光閉じ込め層、３２ ｎ型ＳＣＨ層、３４ 下メサ構造、３６ 井戸層、３８ 障壁層、４０ 最外層、４２ 第１隣接層、４４ ｎ型クラッド層、４６Ａ 第１ｎ型ＩｎＰ層、４６Ｂ 第２ｎ型ＩｎＰ層層、４８ 回折格子層、５０ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層、５２ 埋め込み層、５４ 上メサ構造、５６ 電流注入層、５８ ｎ型コンタクト層、６０ 絶縁層、２２６ 多重量子井戸層、２２８ ガイド層、２３０ 光閉じ込め層、２４０ 最外層、２４２ 第１隣接層、３２６ 多重量子井戸層、３２８ ガイド層、３３０ 光閉じ込め層、３４０ 最外層、３４２ 第１隣接層、４２６ 多重量子井戸層、４２８ ガイド層、４３０ 光閉じ込め層、４４０ 最外層、４４２ 第１隣接層、４６２ 第２隣接層、５２６ 多重量子井戸層、５２８ ガイド層、５３０ 光閉じ込め層、５４０ 最外層、５４２ 第１隣接層、５６２ 第２隣接層、５６４ 中間層、６１０ メサストライプ構造、６１２ 上電極、６１４ 下電極、６２０ 半導体基板、６２２ バッファ層、６２４ ｐ型ＳＣＨ層、６２６ 多重量子井戸層、６２８ ガイド層、６３０ 光閉じ込め層、６３２ ｎ型ＳＣＨ層、６３６ 井戸層、６３８ 障壁層、６４０ 最外層、６４２ 第１隣接層、６４４ ｐ型クラッド層、６４８ 回折格子層、６５６ 電流注入層、６５８ ｐ型コンタクト層、６６０ 絶縁層、６６６ ｐ型ＩｎＰ層、ＥｇＣ バンドギャップ、ＥｇＧ１ バンドギャップ、ＥｇＧ２ バンドギャップ、ＥｇＧ３ バンドギャップ、ＥｇＯ バンドギャップ、ｎＣ 屈折率、ｎＧ１ 屈折率、ｎＧ２ 屈折率、ｎＧ３ 屈折率、ｎＯ 屈折率。
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