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特開2022-48753半導体製造システム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022048753
(43)【公開日】2022-03-28
(54)【発明の名称】半導体製造システム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
(51)【国際特許分類】
G03F 9/00 20060101AFI20220318BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20220318BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20220318BHJP
【ＦＩ】
G03F9/00 H
G03F7/20 521
H01L21/302 105A
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020154754
(22)【出願日】2020-09-15
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】本田 真悟
【テーマコード（参考）】
2H197
5F004
【Ｆターム（参考）】
2H197AB08
2H197EA11
2H197HA03
2H197JA05
2H197JA12
2H197JA17
5F004AA01
5F004BB23
5F004CA08
(57)【要約】
【課題】一つの実施形態は、パターンを精度よく形成することを目的とする。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体製造システムにおいて、計算部は、エッチング装置のパーツの消耗状態に応じて、エッチング装置におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する。補正部は、計算された傾き具合いに応じて、エッジを含む第２の露光パターンにおけるエッジ位置を第１の露光パターンよりシフトさせるように第２の露光パターンを補正する。露光装置は、第１のレジストパターンが除去された基板に形成された第２のレジスト膜を第２の露光パターンにより露光する。現像装置は、第２のレジスト膜を現像し、第２のレジストパターンを基板に形成する。エッチング装置は、第２のレジストパターンをマスクとして基板にエッチング加工を施す。
【選択図】図１
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体製造システムにおいて、計算部は、エッチング装置のパーツの消耗状態に応じて、エッチング装置におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する。補正部は、計算された傾き具合いに応じて、エッジを含む第２の露光パターンにおけるエッジ位置を第１の露光パターンよりシフトさせるように第２の露光パターンを補正する。露光装置は、第１のレジストパターンが除去された基板に形成された第２のレジスト膜を第２の露光パターンにより露光する。現像装置は、第２のレジスト膜を現像し、第２のレジストパターンを基板に形成する。エッチング装置は、第２のレジストパターンをマスクとして基板にエッチング加工を施す。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に形成された第１のレジスト膜を第１の露光パターンにより露光する露光装置と、
前記第１のレジスト膜を現像し、第１のレジストパターンを前記基板に形成する現像装置と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記基板にエッチング加工を施すエッチング装置と、
前記エッチング装置のパーツの消耗状態に応じて前記エッチング装置におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する計算部と、
前記計算された傾き具合いに応じて、エッジを含む第２の露光パターンにおけるエッジ位置を前記第１の露光パターンよりシフトさせるように前記第２の露光パターンを補正する補正部と、
を備え、
前記露光装置は、前記第１のレジストパターンが除去された基板に形成された第２のレジスト膜を前記第２の露光パターンにより露光し、
前記現像装置は、前記第２のレジスト膜を現像し、第２のレジストパターンを前記基板に形成し、
前記エッチング装置は、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記基板にエッチング加工を施す
半導体製造システム。
前記第１のレジスト膜を現像し、第１のレジストパターンを前記基板に形成する現像装置と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記基板にエッチング加工を施すエッチング装置と、
前記エッチング装置のパーツの消耗状態に応じて前記エッチング装置におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する計算部と、
前記計算された傾き具合いに応じて、エッジを含む第２の露光パターンにおけるエッジ位置を前記第１の露光パターンよりシフトさせるように前記第２の露光パターンを補正する補正部と、
を備え、
前記露光装置は、前記第１のレジストパターンが除去された基板に形成された第２のレジスト膜を前記第２の露光パターンにより露光し、
前記現像装置は、前記第２のレジスト膜を現像し、第２のレジストパターンを前記基板に形成し、
前記エッチング装置は、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記基板にエッチング加工を施す
半導体製造システム。
【請求項2】
前記基板は、複数のショット領域を含み、
前記補正部は、前記基板における前記ショット領域の位置に応じて、シフトさせるべき向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じて、エッジ位置を前記第１の露光パターンよりシフトさせるように前記第２の露光パターンを補正する
請求項１に記載の半導体製造システム。
前記補正部は、前記基板における前記ショット領域の位置に応じて、シフトさせるべき向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じて、エッジ位置を前記第１の露光パターンよりシフトさせるように前記第２の露光パターンを補正する
請求項１に記載の半導体製造システム。
【請求項3】
基板の上方に絶縁膜を堆積することと、
前記絶縁膜の上又は上方に第１のマスク膜を堆積することと、
前記第１のマスク膜の上に第２のマスク膜を堆積することと、
前記第２のマスク膜の上に第１のレジストパターンを形成することと、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第２のマスク膜を加工し、エッジを含む第２のマスクパターンを形成することと、
前記第１のレジストパターンが除去された前記第２のマスクパターンの上に前記第１のレジストパターンよりエッジ位置をシフトさせた第２のレジストパターンを形成することと、
前記第２のレジストパターン及び前記第２のマスクパターンをマスクとして前記第１のマスク膜を加工し、断面視において第１の側の側面の傾斜角が第２の側の側面の傾斜角より大きい第１のマスクパターンを形成することと、
前記第１のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜を加工し、断面視において前記第１の側の側面の傾斜角が前記第２の側の側面の傾斜角と均等であるパターンを形成することと、
を備えた半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜の上又は上方に第１のマスク膜を堆積することと、
前記第１のマスク膜の上に第２のマスク膜を堆積することと、
前記第２のマスク膜の上に第１のレジストパターンを形成することと、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第２のマスク膜を加工し、エッジを含む第２のマスクパターンを形成することと、
前記第１のレジストパターンが除去された前記第２のマスクパターンの上に前記第１のレジストパターンよりエッジ位置をシフトさせた第２のレジストパターンを形成することと、
前記第２のレジストパターン及び前記第２のマスクパターンをマスクとして前記第１のマスク膜を加工し、断面視において第１の側の側面の傾斜角が第２の側の側面の傾斜角より大きい第１のマスクパターンを形成することと、
前記第１のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜を加工し、断面視において前記第１の側の側面の傾斜角が前記第２の側の側面の傾斜角と均等であるパターンを形成することと、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記基板は、複数のショット領域を含み、
前記第２のレジストパターンの形成は、前記第２のマスクパターンの上に、前記基板における前記ショット領域の位置に応じて決められた向き及び量でエッジ位置を前記第１のレジストパターンよりシフトさせた前記第２のレジストパターンを形成することを含む
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２のレジストパターンの形成は、前記第２のマスクパターンの上に、前記基板における前記ショット領域の位置に応じて決められた向き及び量でエッジ位置を前記第１のレジストパターンよりシフトさせた前記第２のレジストパターンを形成することを含む
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記絶縁膜の堆積後、前記第１のマスク膜の堆積前に、前記絶縁膜の上にハードマスク膜を堆積することと、
前記第２のレジストパターン、前記第２のマスクパターン、及び前記第１のマスクパターンをマスクとして前記ハードマスク膜を加工し、断面視において前記第１の側の側面の傾斜角が前記第２の側の側面の傾斜角より大きい第３のマスクパターンを形成することと、
をさらに備え、
前記パターンの形成は、前記第１のマスクパターン及び前記第３のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜を加工し、前記パターンを形成することを含む
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２のレジストパターン、前記第２のマスクパターン、及び前記第１のマスクパターンをマスクとして前記ハードマスク膜を加工し、断面視において前記第１の側の側面の傾斜角が前記第２の側の側面の傾斜角より大きい第３のマスクパターンを形成することと、
をさらに備え、
前記パターンの形成は、前記第１のマスクパターン及び前記第３のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜を加工し、前記パターンを形成することを含む
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
第１の方向と前記第１の方向に垂直な第２の方向とに沿って延びた基板と、
前記基板に対して前記第１の方向及び前記第２の方向に垂直な第３の方向に配された絶縁膜と、
前記絶縁膜を前記第３の方向に貫通し、前記第１の方向に垂直な断面視において、前記第３の方向における第１の側の前記第２の方向に沿った幅が前記第１の側より前記基板に近い第２の側の前記第２の方向に沿った幅より小さく、前記第２の方向に垂直な断面視において、前記第３の方向における前記第１の側の前記第１の方向に沿った幅が前記第２の側の前記第１の方向に沿った幅より大きい第１の貫通電極と、
を備えた半導体装置。
前記基板に対して前記第１の方向及び前記第２の方向に垂直な第３の方向に配された絶縁膜と、
前記絶縁膜を前記第３の方向に貫通し、前記第１の方向に垂直な断面視において、前記第３の方向における第１の側の前記第２の方向に沿った幅が前記第１の側より前記基板に近い第２の側の前記第２の方向に沿った幅より小さく、前記第２の方向に垂直な断面視において、前記第３の方向における前記第１の側の前記第１の方向に沿った幅が前記第２の側の前記第１の方向に沿った幅より大きい第１の貫通電極と、
を備えた半導体装置。
【請求項7】
前記絶縁膜の前記第３の方向の側の面を覆うハードマスク膜と、
前記ハードマスク膜を前記第３の方向に貫通し、前記第１の方向に垂直な断面視において、前記第２の方向における第１の側の側面の傾斜角が第２の側の側面の傾斜角より大きい第２の貫通電極と、
をさらに備え、
前記第１の貫通電極は、前記第２の貫通電極の前記第３の方向における端部に接続され、前記第１の方向に垂直な断面視において、前記第２の方向における前記第１の側の側面の傾斜角が前記第２の側の側面の傾斜角と均等である
請求項６に記載の半導体装置。
前記ハードマスク膜を前記第３の方向に貫通し、前記第１の方向に垂直な断面視において、前記第２の方向における第１の側の側面の傾斜角が第２の側の側面の傾斜角より大きい第２の貫通電極と、
をさらに備え、
前記第１の貫通電極は、前記第２の貫通電極の前記第３の方向における端部に接続され、前記第１の方向に垂直な断面視において、前記第２の方向における前記第１の側の側面の傾斜角が前記第２の側の側面の傾斜角と均等である
請求項６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、半導体製造システム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造方法では、基板に被加工膜を堆積し、被加工膜の上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして被加工膜をエッチング装置でエッチング加工して、所定のパターンを形成することがある。このとき、パターンを精度よく形成することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－９３０４３号公報
【特許文献2】特開２００５－３３２９７８号公報
【特許文献3】特開２０２０－９１９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一つの実施形態は、パターンを精度よく形成することに適した半導体製造システム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一つの実施形態によれば、露光装置と現像装置とエッチング装置と計算部と補正部とを有する半導体製造システムが提供される。露光装置は、基板に形成された第１のレジスト膜を第１の露光パターンにより露光する。現像装置は、第１のレジスト膜を現像し、第１のレジストパターンを基板に形成する。エッチング装置は、第１のレジストパターンをマスクとして基板にエッチング加工を施す。計算部は、エッチング装置のパーツの消耗状態に応じて、エッチング装置におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する。補正部は、計算された傾き具合いに応じて、エッジを含む第２の露光パターンにおけるエッジ位置を第１の露光パターンよりシフトさせるように第２の露光パターンを補正する。露光装置は、第１のレジストパターンが除去された基板に形成された第２のレジスト膜を第２の露光パターンにより露光する。現像装置は、第２のレジスト膜を現像し、第２のレジストパターンを基板に形成する。エッチング装置は、第２のレジストパターンをマスクとして基板にエッチング加工を施す。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造システムを詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【0008】
（実施形態）
実施形態にかかる半導体製造システムは、半導体装置の製造方法に適用される。半導体装置の製造方法では、基板の上方に被加工膜を堆積し、被加工膜の上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして被加工膜をエッチング装置でエッチング加工し、所定のパターンを形成して、半導体装置を製造することがある。
実施形態にかかる半導体製造システムは、半導体装置の製造方法に適用される。半導体装置の製造方法では、基板の上方に被加工膜を堆積し、被加工膜の上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして被加工膜をエッチング装置でエッチング加工し、所定のパターンを形成して、半導体装置を製造することがある。
【0009】
エッチング装置は、例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置であり、チャンバー内のステージに載置された基板上の被加工膜に対してドライエッチングを行う。エッチング装置では、チャンバー内のステージが下部電極とされ、チャンバー内に処理ガスが導入され、上部電極と下部電極との間に高周波電圧が印加され、チャンバー内でプラズマの放電が行われる。エッチング装置では、チャンバー内のプラズマで処理ガスのラジカルやイオンがエッチャントとして生成され、上部電極と下部電極との間の電位勾配によりエッチャントが下部電極側（ステージ側）に引き込まれて基板に入射することで、基板上の被加工膜（例えば、絶縁膜）がエッチング加工される。エッチング装置は、異方性エッチングの条件で基板表面の被加工膜のエッチング加工を行う。製造すべき半導体装置が３次元メモリである場合、高アスペクト比のホール及び／又は溝がエッチング加工され得る。
【0010】
エッチング装置では、プラズマ放電の積算時間が増えていくと、ステージの外側に配されたパーツ（例えば、フォーカスリング）が消耗してその高さが徐々に低くなっていき、チャンバー内におけるプラズマとステージとの間のシースの位置が変化し得る。これにより、基板へのエッチャントの入射方向の傾き具合い（すなわち、傾きの向き及び角度）が経時的に変化し、それに応じてホール及び／又は溝のパターンが適正な角度から傾いた角度で形成されるチルティング（ｔｉｌｔｉｎｇ）が発生し得る。異方性エッチングの条件でエッチング加工が行われる際に、エッチャントの入射方向が斜めに傾き、ホール及び／又は溝のある方向の側面が他の方向の側面より集中的にエッチャントに晒されると、ホール及び／又は溝の局所的なサイドエッチングが行われ、チルティングが発生し得る。あるいは、異方性エッチングの条件でエッチング加工が行われる際に、エッチャントの入射方向が斜めに傾き、異方性を実現するための側壁保護膜がホール及び／又は溝の側面に不均一に堆積すると、ホール及び／又は溝の局所的なサイドエッチングが行われ、チルティングが発生し得る。
【0011】
チルティングが発生すると、適正な角度から傾いた角度で形成されたホール及び／又は溝のパターンに導電物を埋め込んで配線を形成することになり、その配線の下層配線との接合位置にずれが生じるなど配線の接合不良が発生し得る。製造すべき半導体装置が３次元メモリである場合、ホール及び／又は溝のアクペクト比が高いことがあるため、その傾向が顕著になり得る。接合不良が発生すると、エッチング加工等で形成されたパターンが配線・回路としての役割を果たせなくなることがあり、半導体装置の製造歩留まりが低下する可能性がある。
【0012】
そこで、本実施形態では、半導体製造システムにおいて、エッチング装置のパーツの消耗状態に応じてエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算し、計算された傾き具合いに応じてレイアウトデータのエッジ位置を補正して基板を露光・現像・エッチング加工する。これにより、チルティングの抑制とそれによる半導体装置の製造歩留まりの向上とが図られる。
【0013】
具体的には、半導体製造システムは、基板上に被加工膜を堆積し、その上に多層レジスト構造を形成する。多層レジスト構造は、最上のレジストとして第１のレジスト膜を含む。半導体製造システムは、第１の露光パターンにより基板の第１のレジスト膜を露光し、第１のレジスト膜を現像し、第１のレジストパターンを基板に形成する。半導体製造システムは、第１のレジストパターンをマスクとして基板にエッチング加工を施す。半導体製造システムは、第１のレジストパターンを除去し、多層レジスト構造の最上のレジストとして第２のレジスト膜を基板に形成する。また、半導体製造システムは、エッチング装置のパーツの消耗状態に応じてエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する。エッチャントの入射方向の傾き具合いは、エッチャントの傾きの向き及び角度を含む。半導体製造システムは、計算された傾き具合いに応じて、エッジを含む第２の露光パターンにおけるエッジ位置を第１の露光パターンよりシフトさせるように第２の露光パターンを補正する。半導体製造システムは、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、補正の向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じて、エッジ位置を第１の露光パターンよりシフトさせるように第２の露光パターンを補正する。半導体製造システムは、第２の露光パターンにより基板の第２のレジスト膜を露光し、第２のレジスト膜を現像し、第２のレジストパターンを基板に形成する。半導体製造システムは、第２のレジストパターンをマスクとして基板にエッチング加工を施す。これにより、多層レジスト構造における最上のレジストより下層のレジストが加工されて下層レジストパターンが形成される。下層レジストパターンは、断面視における側面の傾斜角度が左右で非対称である。下層レジストパターンは、断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する第１の側の側面の基板表面の法線に対する傾斜角が反対の第２の側の側面の基板表面の法線に対する傾斜角より大きい。半導体製造システムは、この下層レジストパターンをマスクとして被加工膜をエッチング加工する。このとき、下層レジストパターンにおける第１の側の側面の傾斜角が第２の側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜をエッチング加工することができる。これにより、被加工膜に断面視における第１の側の側面の傾斜角と第２の側の側面の傾斜角とが均等なパターン（例えば、ホール及び／又は溝のパターン）を形成することができる。この結果、チルティングを抑制でき、接合不良の発生等を抑制できるので、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【0014】
より具体的には、半導体製造システム１００は、図１に示すように構成され得る。図１は、半導体製造システム１００の構成を示す図である。半導体製造システム１００は、搬送系１０１、塗布装置１０２、露光装置１０３、マスク作成装置１０４、現像装置１０５、エッチング装置１０６、成膜装置１０７、及びホストコントローラ１０９を有する。塗布装置１０２、露光装置１０３、マスク作成装置１０４、現像装置１０５、エッチング装置１０６、成膜装置１０７は、搬送系１０１を介して互いに基板を搬送可能に構成されている。
【0015】
ホストコントローラ１０９は、通信線（図示せず）を介して搬送系１０１、塗布装置１０２、露光装置１０３、マスク作成装置１０４、現像装置１０５、エッチング装置１０６、成膜装置１０７に通信可能に接続されている。ホストコントローラ１０９は、搬送系１０１、塗布装置１０２、露光装置１０３、マスク作成装置１０４、現像装置１０５、エッチング装置１０６、成膜装置１０７のそれぞれを制御する。
【0016】
ホストコントローラ１０９は、機能的に、取得部１０９ａ、生成部１０９ｂ、計算部１０９ｃ、補正部１０９ｄ、及び記憶部１０９ｅを有する。
【0017】
取得部１０９ａは、処理対象のレイヤーのレイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３を取得する。取得部１０９ａは、外部（例えば、コンピュータ等の設計装置）から通信回線を介してレイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３を受信することで取得してもよいし、外部で生成されたレイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３が入力インターフェース又は媒体インターフェースを介して入力されることで取得してもよい。取得部１０９ａは、レイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３を記憶部１０９ｅに格納する。
【0018】
生成部１０９ｂは、処理対象のレイヤーのレイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３を記憶部１０９ｅから読み出す。生成部１０９ｂは、レイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３に応じて、処理対象のレイヤーのマスクデータ１０９ｅ２，１０９ｅ４を生成する。生成部１０９ｂは、マスクデータ１０９ｅ２，１０９ｅ４を記憶部１０９ｅに格納する。
【0019】
取得部１０９ａは、エッチング装置１０６のパーツの消耗状態を示す消耗状態情報を取得する。取得部１０９ａは、エッチング装置１０６から通信回線を介して消耗状態情報を受信することで取得してもよいし、エッチング装置１０６から読み出された消耗状態情報が入力インターフェース又は媒体インターフェースを介して入力されることで取得してもよい。
【0020】
エッチング装置１０６は、エッチング装置１０６のパーツの消耗状態をモニターしている。例えば、エッチング装置１０６は、チャンバー内でプラズマ放電を行った積算時間を計測し、積算時間の計測値をモニター結果として保持している。積算時間の計測値は、パーツの消耗が進行するほど長くなる傾向にあり、パーツの消耗状態を示し得る。あるいは、エッチング装置１０６は、パーツの寸法（例えば、フォーカスリングの高さ）を計測し、パーツの寸法の計測値をモニター結果として保持している。パーツの寸法（例えば、フォーカスリングの高さ）は、パーツの消耗が進行するほど低くなる傾向にあり、パーツの消耗状態を示し得る。
【0021】
取得部１０９ａは、エッチング装置１０６のモニター結果を、パーツの消耗状態を示す消耗状態情報として取得することができる。取得部１０９ａは、消耗状態情報を計算部１０９ｃへ供給する。
【0022】
計算部１０９ｃは、消耗状態情報に応じて、エッチング装置１０６におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する。エッチャントの入射方向の傾き具合いは、エッチャントの入射方向の傾きの向き及び角度を含む。計算部１０９ｃは、エッチング装置１０６の消耗状態とエッチャントの入射方向の傾きの向きとエッチャントの入射方向の傾きの角度とが、異なる複数の消耗状態の区分について対応付けられたエッチャント情報を有する。計算部１０９ｃは、消耗状態情報を取得部１０９ａから受けると、エッチャント情報を参照し、消耗状態情報で示される消耗状態に対応した区分を特定する。計算部１０９ｃは、エッチャント情報を参照して、特定された区分に対応するエッチャントの入射方向の傾きの向き及び角度を求める。計算部１０９ｃは、求められたエッチャントの傾き具合いを補正部１０９ｄへ供給する。
【0023】
補正部１０９ｄは、エッチャントの傾き具合いに応じて、エッジを含むレイアウトデータ１０９ｅ３におけるエッジ位置を直前のレジストパターンよりシフトさせるようにレイアウトデータ１０９ｅ３を補正する。補正部１０９ｄは、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、補正の向き及び量を求め、求められた向き及び量でレイアウトデータ１０９ｅ３におけるエッジ位置を補正する。補正部１０９ｄは、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３を記憶部１０９ｅに格納する。
【0024】
記憶部１０９ｅは、レイアウトデータ１０９ｅ１，１０９ｅ３を格納し、マスクデータ１０９ｅ２，１０９ｅ４を格納する。
【0025】
【0026】
成膜装置１０７は、基板ＷＦ上に被加工膜（例えば、シリコン酸化膜などの絶縁膜）を成膜する（Ｓ１）。成膜装置１０７は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置であってもよいし、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置であってもよい。搬送系１０１は、被加工膜が成膜された基板ＷＦを成膜装置１０７から塗布装置１０２へ搬送する。
【0027】
塗布装置１０２は、被加工膜の上に多層レジスト構造を塗布により形成する（Ｓ２）。多層レジスト構造は、第１のマスク膜、第２のマスク膜、第１のレジスト膜が順に積層された３層レジスト構造であってもよい。塗布装置１０２は、被加工膜の上に第１のマスク膜を塗布により形成する。第１のマスク膜は、例えばカーボンを主成分として含む膜であり、回転塗布される場合、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）膜であってもよい。塗布装置１０２は、第１のマスク膜の上に第２のマスク膜を塗布により形成する。第２のマスク膜は、例えばシリコン酸化物を主成分として含む膜であり、回転塗布される場合、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜であってもよい。塗布装置１０２は、第２のマスク膜の上に第１のレジスト膜を塗布により形成する。第１のレジスト膜は、例えば感光材を主成分として含むフォトレジストである。搬送系１０１は、多層レジスト構造が形成された基板ＷＦを塗布装置１０２から露光装置１０３へ搬送する。
【0028】
ホストコントローラ１０９は、処理対象のレイヤー（すなわち、第１のレジスト膜）に対するレイアウトデータ１０９ｅ１を取得し、レイアウトデータ１０９ｅ１に応じてマスクデータ１０９ｅ２を生成する（Ｓ３）。ホストコントローラ１０９は、マスクデータ１０９ｅ２をマスク作成装置１０４へ供給する。
【0029】
マスク作成装置１０４は、マスクデータ１０９ｅ２を受けると、マスクデータ１０９ｅ２に応じてマスクＭＫ１を作成する（Ｓ４）。マスク作成装置１０４は、例えば電子線描画装置であり、マスクブランクにマスクデータ１０９ｅ２に応じたパターンを描画して、マスクＭＫ１を作成する。作成されたマスクＭＫ１は、露光装置１０３のマスクステージにセットされ得る。
【0030】
露光装置１０３では、搬送された基板ＷＦが基板ステージにセットされる。露光装置１０３は、基板ＷＦに形成された第１のレジスト膜をマスクＭＫ１により露光する（Ｓ５）。露光装置１０３は、マスクステージ上のマスクを照明光学系により照明し、その照明光を投影光学系により基板ステージ上の基板ＷＦへ投影し、基板ＷＦを露光する。これにより、基板ＷＦの第１のレジスト膜には、マスクデータ１０９ｅ２に応じた潜像パターンが形成される。搬送系１０１は、露光後の基板ＷＦを現像装置１０５へ搬送する。
【0031】
現像装置１０５は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦの第１のレジスト膜を現像する（Ｓ６）。現像装置１０５は、基板ＷＦの第１のレジストに形成された潜像パターンを現像し、基板ＷＦに第１のレジストパターンを形成する。搬送系１０１は、第１のレジストパターンが形成された基板ＷＦを現像装置１０５からエッチング装置１０６へ搬送する。
【0032】
エッチング装置１０６は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦをステージにセットして、第１のレジストパターンをマスクとして基板ＷＦにエッチング加工を施す（Ｓ７）。エッチング装置１０６は、第１のレジストパターンをマスクとして第２のマスク膜を加工し、第２のマスクパターンを形成する。搬送系１０１は、加工後の基板ＷＦをエッチング装置１０６から洗浄装置（図示せず）へ搬送する。洗浄装置は、第１のレジストパターンを基板ＷＦから除去する洗浄を行う。搬送系１０１は、洗浄後の基板ＷＦを洗浄装置から塗布装置１０２へ搬送する。
【0033】
塗布装置１０２は、第２のマスクパターンに追加的に第２のマスク膜の塗布を行った後、第２のマスクパターンの上に第２のレジスト膜を塗布により形成する（Ｓ９）。第２のレジスト膜は、例えば感光材を主成分として含むフォトレジストである。搬送系１０１は、第２のレジスト膜が形成された基板ＷＦを塗布装置１０２から露光装置１０３へ搬送する。
【0034】
一方、エッチング装置１０６は、パーツの消耗状態をモニターする（Ｓ１０）。パーツは、例えばフォーカスリングである。エッチング装置１０６は、パーツの消耗状態を示す消耗状態情報として、チャンバー内でプラズマ放電を行った積算時間をモニターしてもよいし、パーツの寸法（例えば、フォーカスリングの高さ）をモニターしてもよい。エッチング装置１０６は、ホストコントローラ１０９からの要求に応じて、又は、所定の条件（周期が経過したことなど）が成立したことに応じて、消耗状態情報をホストコントローラ１０９へ供給する。
【0035】
ホストコントローラ１０９は、消耗状態情報を取得する（Ｓ１１）と、基板ＷＦに含まれる図３に示すような複数のショット領域ＳＨ－１～ＳＨ－５９のうち、露光対象となるショット領域ＳＨの位置に応じてマスクデータを生成する。図３は、基板ＷＦ及び複数のショット領域ＳＨ－１～ＳＨ－５９を示す図である。図３では、基板ＷＦが５９個のショット領域ＳＨを含む構成が例示されているが、基板ＷＦは、任意の数のショット領域ＳＨを含み得る。
【0036】
ホストコントローラ１０９は、露光対象のショット領域ＳＨが外周ショットか否かを判断する（Ｓ１２）。複数のショット領域ＳＨ－１～ＳＨ－５９は、図３に示すように、内側領域Ｒ０と外周領域Ｒ１～Ｒ４とにグループ化される。外周ショットは、外周領域Ｒ１～Ｒ４に属するショット領域である。外周領域Ｒ１～Ｒ４は、基板ＷＦの外周に沿った領域であり、内側領域Ｒ０は、基板ＷＦにおける外周領域Ｒ１～Ｒ４より内側の領域である。
【0037】
基板ＷＦの表面に垂直な方向をＺ方向とし、基板ＷＦの中心に対してノッチＮＴと反対側に向かう方向を＋Ｙ方向とし、Ｚ方向及びＹ方向に直交する方向をＸ方向とすると、外周領域Ｒ１は、基板ＷＦにおける－Ｘ側の外周領域である。外周領域Ｒ１は、ショット領域ＳＨ－８，ＳＨ－９，ＳＨ－１７，ＳＨ－２６，ＳＨ－３５，ＳＨ－４４を含む。外周領域Ｒ２は、基板ＷＦにおける＋Ｘ側の外周領域である。外周領域Ｒ２は、ショット領域ＳＨ－１６，ＳＨ－２５，ＳＨ－３４，ＳＨ－４３，ＳＨ－５１，ＳＨ－５２を含む。外周領域Ｒ３は、基板ＷＦにおける＋Ｙ側の外周領域である。外周領域Ｒ３は、ショット領域ＳＨ－１～ＳＨ－７，ＳＨ－１５を含む。外周領域Ｒ４は、基板ＷＦにおける－Ｙ側の外周領域である。外周領域Ｒ４は、ショット領域ＳＨ－４５，ＳＨ－５３～ＳＨ－５９を含む。内側領域Ｒ０は、ショット領域ＳＨ－１０～ＳＨ－１４，ＳＨ－１８～ＳＨ－２４，ＳＨ－２７～ＳＨ－３３，ＳＨ－３６～ＳＨ－４２，ＳＨ－４６～ＳＨ－５０を含む。
【0038】
露光対象のショット領域ＳＨが内側領域Ｒ０に属する場合（Ｓ１２でＮｏ）、ホストコントローラ１０９は、処理対象のレイヤー（すなわち、第２のレジスト膜）に対するレイアウトデータ１０９ｅ３を取得し、レイアウトデータ１０９ｅ３に応じて、内側領域Ｒ０用のマスクデータ１０９ｅ４－０を生成する（Ｓ１５）。ホストコントローラ１０９は、マスクデータ１０９ｅ４－０をマスク作成装置１０４へ供給する。マスク作成装置１０４は、マスクデータ１０９ｅ４－０を受けると、マスクデータ１０９ｅ４－０に応じて、内側領域Ｒ０用のマスクＭＫ２－０を作成する（Ｓ１６）。マスク作成装置１０４は、例えば電子線描画装置であり、マスクブランクにマスクデータ１０９ｅ４－０に応じたパターンを描画して、マスクＭＫ２－０を作成する。作成されたマスクＭＫ２－０は、内側領域Ｒ０に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３のマスクステージにセットされ得る。
【0039】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ１に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ１におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。エッチャントの入射方向の傾き具合いは、エッチャントの傾きの向き及び角度を含む。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ１におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、レイアウトデータ１０９ｅ３におけるエッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、レイアウトデータ１０９ｅ３－１を補正する（Ｓ１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、補正の向き及び量を求め、求められた向き及び量でレイアウトデータ１０９ｅ３－１におけるエッジ位置を補正する。
【0040】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態は、図４に示すように区分され得る。図４は、エッチング装置のパーツの消耗状態に応じたエッチャントの入射方向の傾きの変化を示す図であり、消耗状態が図４（ａ）に示す「小」、図４（ｂ）に示す「中」、図４（ｃ）に示す「大」の３段階に区分される場合が例示されている。なお、消耗状態の区分の段階数は、２段階であってもよいし、３段階より多い段階数であってもよい。
【0041】
例えば、「小」及び「中」の積算時間の閾値をＴｔｈ１、「中」及び「大」の積算時間の閾値をＴｔｈ２とする。閾値をＴｔｈ１，Ｔｔｈ２は、予め実験的に決められ得る。ホストコントローラ１０９は、消耗状態情報で示される積算時間Ｔについて、Ｔ＜Ｔｔｈ１であれば、消耗状態＝「小」と判断し、Ｔｔｈ１≦Ｔ≦Ｔｔｈ２であれば、消耗状態＝「中」と判断し、Ｔ＞Ｔｔｈ２であれば、消耗状態＝「大」と判断する。
【0042】
あるいは、「小」及び「中」のパーツのパラメータ（例えば、フォーカスリングＦＲのステージＳＴ下面からの高さ）の閾値をＨｔｈ１、「中」及び「大」のパーツのパラメータの閾値をＨｔｈ２とする。基板ＷＦ表面の高さを基準高さＨｓとすると、所定の正の値ΔＨを用いて、Ｈｔｈ１＝Ｈｓ＋ΔＨ、Ｈｔｈ２＝Ｈｓ－ΔＨと表され得る。所定の正の値ΔＨは、予め実験的に決められ得る。ホストコントローラ１０９は、消耗状態情報で示されるパーツのパラメータＨについて、Ｈ＞Ｈｔｈ１であれば、消耗状態＝「小」と判断し、Ｈｔｈ１≧Ｈ≧Ｈｔｈ２であれば、消耗状態＝「中」と判断し、Ｈ＜Ｈｔｈ２であれば、消耗状態＝「大」と判断する。
【0043】
図４（ａ）では、フォーカスリングＦＲの高さＨ１（＞Ｈｔｈ１）が例示され、図４（ｂ）では、フォーカスリングＦＲの高さＨ２（≦Ｈｔｈ１，≧Ｈｔｈ２）が例示され、図４（ｃ）では、フォーカスリングＦＲの高さＨ３（＜Ｈｔｈ２）が例示されている。
【0044】
消耗状態＝「小」と判断された場合、図４（ａ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側より内側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が内側から外側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ１について、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から＋Ｘ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から＋Ｘ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－１に対する補正の向きを－Ｘ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－１に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、図６に実線で示すように、Ｙ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より－Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。レイアウトデータ１０９ｅ３－１に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図７に実線で示すように、概ねＹ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より－Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ１について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－１を得る。
【0045】
なお、図５は、エッチング装置１０６のパーツの消耗状態に応じたエッチャントの入射方向の傾きの変化を示す図である。図６は、溝パターンに対するレイアウトデータの補正（消耗量が少ない場合）を示す図である。図７は、ホールパターンに対するレイアウトデータの補正（消耗量が少ない場合）を示す図である。図６、図７に示す実線の四角の枠は、ショット領域ＳＨを模式的に例示しているが、ショット領域ＳＨとパターンとの大きさの比率は、図６、図７に示す比率と異なっていてもよい。
【0046】
消耗状態＝「中」と判断された場合、図４（ｂ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側と内側とでほぼ均等なＺ位置に位置するため、エッチャントの入射方向がほとんど傾かずＺ方向に沿っている。外周領域Ｒ１について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きがＺ方向であり、傾きの角度ゼロになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－１に対して補正量ゼロで補正を行い、外周領域Ｒ１について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－１を得る。
【0047】
消耗状態＝「大」と判断された場合、図４（ｃ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの内側より外側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が外側から内側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ１について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から－Ｘ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から－Ｘ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－１に対する補正の向きを＋Ｘ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－１に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、図８に実線で示すように、Ｙ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より＋Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。レイアウトデータ１０９ｅ３－１に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図９に実線で示すように、概ねＹ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より＋Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ１について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－１を得る。
【0048】
なお、図８は、溝パターンに対するレイアウトデータの補正（消耗量が多い場合）を示す図である。図９は、ホールパターンに対するレイアウトデータの補正（消耗量が多い場合）を示す図である。図８、図９に示す実線の四角の枠は、ショット領域ＳＨを模式的に例示しているが、ショット領域ＳＨとパターンとの大きさの比率は、図８、図９に示す比率と異なっていてもよい。
【0049】
ホストコントローラ１０９は、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－１に応じて、外周領域Ｒ１用のマスクデータ１０９ｅ４－１を生成する（Ｓ１５）。ホストコントローラ１０９は、マスクデータ１０９ｅ４－１をマスク作成装置１０４へ供給する。マスク作成装置１０４は、マスクデータ１０９ｅ４－１を受けると、マスクデータ１０９ｅ４－１に応じて、外周領域Ｒ１用のマスクＭＫ２－１を作成する（Ｓ１６）。マスク作成装置１０４は、例えば電子線描画装置であり、マスクブランクにマスクデータ１０９ｅ４－１に応じたパターンを描画して、マスクＭＫ２－１を作成する。作成されたマスクＭＫ２－１は、外周領域Ｒ１に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３のマスクステージにセットされ得る。
【0050】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ２に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ２におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。エッチャントの入射方向の傾き具合いは、エッチャントの傾きの向き及び角度を含む。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ２におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、レイアウトデータ１０９ｅ３におけるエッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、レイアウトデータ１０９ｅ３－２を補正する（Ｓ１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、補正の向き及び量を求め、求められた向き及び量でレイアウトデータ１０９ｅ３－２におけるエッジ位置を補正する。
【0051】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、図４（ａ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側より内側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が内側から外側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ２について、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から－Ｘ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から－Ｘ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－２に対する補正の向きを＋Ｘ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－２に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、図６に実線で示すように、Ｙ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より＋Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。レイアウトデータ１０９ｅ３－２に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図７に実線で示すように、概ねＹ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より＋Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ２について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－２を得る。
【0052】
消耗状態＝「中」と判断された場合、図４（ｂ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側と内側とでほぼ均等なＺ位置に位置するため、エッチャントの入射方向がほとんど傾かずＺ方向に沿っている。外周領域Ｒ２について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きがＺ方向であり、傾きの角度ゼロになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－２に対して補正量ゼロで補正を行い、外周領域Ｒ２について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－２を得る。
【0053】
消耗状態＝「大」と判断された場合、図４（ｃ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの内側より外側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が外側から内側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ２について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から＋Ｘ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から＋Ｘ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－２に対する補正の向きを－Ｘ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－２に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、図８に実線で示すように、Ｙ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より－Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。レイアウトデータ１０９ｅ３－２に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図９に実線で示すように、概ねＹ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より－Ｘ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ２について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－２を得る。
【0054】
ホストコントローラ１０９は、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－２に応じて、外周領域Ｒ２用のマスクデータ１０９ｅ４－２を生成する（Ｓ１５）。ホストコントローラ１０９は、マスクデータ１０９ｅ４－２をマスク作成装置１０４へ供給する。マスク作成装置１０４は、マスクデータ１０９ｅ４－２を受けると、マスクデータ１０９ｅ４－２に応じて、外周領域Ｒ２用のマスクＭＫ２－２を作成する（Ｓ１６）。マスク作成装置１０４は、例えば電子線描画装置であり、マスクブランクにマスクデータ１０９ｅ４－２に応じたパターンを描画して、マスクＭＫ２－２を作成する。作成されたマスクＭＫ２－２は、外周領域Ｒ２に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３のマスクステージにセットされ得る。
【0055】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ３に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ３におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。エッチャントの入射方向の傾き具合いは、エッチャントの傾きの向き及び角度を含む。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ３におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、レイアウトデータ１０９ｅ３におけるエッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、レイアウトデータ１０９ｅ３－３を補正する（Ｓ１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、補正の向き及び量を求め、求められた向き及び量でレイアウトデータ１０９ｅ３－３におけるエッジ位置を補正する。
【0056】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、図４（ａ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側より内側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が内側から外側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ３について、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から－Ｙ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から－Ｙ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－３に対する補正の向きを＋Ｙ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－３に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図６に実線で示すように、補正を行わない。レイアウトデータ１０９ｅ３－３に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図７に実線で示すように、概ねＸ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より＋Ｙ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ３について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－３を得る。
【0057】
消耗状態＝「中」と判断された場合、図４（ｂ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側と内側とでほぼ均等なＺ位置に位置するため、エッチャントの入射方向がほとんど傾かずＺ方向に沿っている。外周領域Ｒ３について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きがＺ方向であり、傾きの角度ゼロになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－３に対して補正量ゼロで補正を行い、外周領域Ｒ３について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－３を得る。
【0058】
消耗状態＝「大」と判断された場合、図４（ｃ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの内側より外側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が外側から内側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ３について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から＋Ｙ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から＋Ｙ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－３に対する補正の向きを－Ｙ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－３に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図８に実線で示すように、補正を行わない。レイアウトデータ１０９ｅ３－３に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図９に実線で示すように、概ねＸ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より－Ｙ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ３について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－３を得る。
【0059】
ホストコントローラ１０９は、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－３に応じて、外周領域Ｒ３用のマスクデータ１０９ｅ４－３を生成する（Ｓ１５）。ホストコントローラ１０９は、マスクデータ１０９ｅ４－３をマスク作成装置１０４へ供給する。マスク作成装置１０４は、マスクデータ１０９ｅ４－３を受けると、マスクデータ１０９ｅ４－３に応じて、外周領域Ｒ３用のマスクＭＫ２－３を作成する（Ｓ１６）。マスク作成装置１０４は、例えば電子線描画装置であり、マスクブランクにマスクデータ１０９ｅ４－３に応じたパターンを描画して、マスクＭＫ２－３を作成する。作成されたマスクＭＫ２－３は、外周領域Ｒ３に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３のマスクステージにセットされ得る。
【0060】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ４に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ４におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。エッチャントの入射方向の傾き具合いは、エッチャントの傾きの向き及び角度を含む。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ４におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、レイアウトデータ１０９ｅ３におけるエッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、レイアウトデータ１０９ｅ３－４を補正する（Ｓ１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、補正の向き及び量を求め、求められた向き及び量でレイアウトデータ１０９ｅ３－４におけるエッジ位置を補正する。
【0061】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、図４（ａ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側より内側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が内側から外側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ４について、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から＋Ｙ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から＋Ｙ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－４に対する補正の向きを－Ｙ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－４に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図６に実線で示すように、補正を行わない。レイアウトデータ１０９ｅ３－４に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図７に実線で示すように、概ねＸ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より－Ｙ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ４について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－４を得る。
【0062】
消耗状態＝「中」と判断された場合、図４（ｂ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの外側と内側とでほぼ均等なＺ位置に位置するため、エッチャントの入射方向がほとんど傾かずＺ方向に沿っている。外周領域Ｒ４について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きがＺ方向であり、傾きの角度ゼロになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－４に対して補正量ゼロで補正を行い、外周領域Ｒ４について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－４を得る。
【0063】
消耗状態＝「大」と判断された場合、図４（ｃ）に示すように、プラズマＰＬの－Ｚ側端部がステージＳＴの内側より外側で－Ｚ側に位置するため、エッチャントの入射方向が外側から内側へ向かうように傾く。外周領域Ｒ４について、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示すように、近似的に、エッチャントの入射方向の向きが－Ｚ方向から－Ｙ側へ傾いた向きであり、傾きの角度が＋Ｚ方向から－Ｙ側への角度θになるとする。これに応じて、ホストコントローラ１０９は、レイアウトデータ１０９ｅ３－４に対する補正の向きを＋Ｙ方向とし、補正量を角度θに応じた量とする。例えば、レイアウトデータ１０９ｅ３－４に含まれる溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図８に実線で示すように、補正を行わない。レイアウトデータ１０９ｅ３－４に含まれるホールパターンについて、ホストコントローラ１０９は、図９に実線で示すように、概ねＸ方向に延びたエッジ部分を点線で示す第１のレジストパターンのエッジ位置より＋Ｙ側に角度θに応じた量でシフトさせる。これにより、ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ４について、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－４を得る。
【0064】
ホストコントローラ１０９は、補正後のレイアウトデータ１０９ｅ３－４に応じて、外周領域Ｒ４用のマスクデータ１０９ｅ４－４を生成する（Ｓ１５）。ホストコントローラ１０９は、マスクデータ１０９ｅ４－４をマスク作成装置１０４へ供給する。マスク作成装置１０４は、マスクデータ１０９ｅ４－４を受けると、マスクデータ１０９ｅ４－４に応じて、外周領域Ｒ４用のマスクＭＫ２－４を作成する（Ｓ１６）。マスク作成装置１０４は、例えば電子線描画装置であり、マスクブランクにマスクデータ１０９ｅ４－４に応じたパターンを描画して、マスクＭＫ２－４を作成する。作成されたマスクＭＫ２－４は、外周領域Ｒ４に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３のマスクステージにセットされ得る。
【0065】
露光装置１０３では、搬送された基板ＷＦが基板ステージにセットされる。
【0066】
露光対象のショット領域ＳＨが内側領域Ｒ０に属する場合、露光装置１０３は、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をマスクＭＫ２－０により露光する（Ｓ１７）。露光装置１０３は、マスクステージ上のマスクを照明光学系により照明し、その照明光を投影光学系により基板ステージ上の基板ＷＦへ投影し、基板ＷＦを露光する。これにより、基板ＷＦの第２のレジスト膜には、マスクデータ１０９ｅ２－０に応じた潜像パターンが形成される。搬送系１０１は、露光後の基板ＷＦを現像装置１０５へ搬送する。
【0067】
現像装置１０５は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦの第２のレジスト膜を現像する（Ｓ１８）。現像装置１０５は、基板ＷＦの第２のレジストに形成された潜像パターンを現像し、基板ＷＦに第２のレジストパターンを形成する。搬送系１０１は、第２のレジストパターンが形成された基板ＷＦを現像装置１０５からエッチング装置１０６へ搬送する。
【0068】
エッチング装置１０６は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦをステージにセットして、第２のレジストパターンをマスクとして基板ＷＦにエッチング加工を施す（Ｓ１９）。エッチング装置１０６は、第２のレジストパターン及び第２のマスクパターンをマスクとして第１のマスク膜を加工し、第１のマスクパターンを形成する。エッチング装置１０６は、第１のマスクパターンをマスクとして被加工膜を加工し、所望のパターンを形成する。
【0069】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ１に属する場合、露光装置１０３は、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をマスクＭＫ２－１により露光する（Ｓ１７）。露光装置１０３は、マスクステージ上のマスクを照明光学系により照明し、その照明光を投影光学系により基板ステージ上の基板ＷＦへ投影し、基板ＷＦを露光する。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ１に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。これにより、基板ＷＦの第２のレジスト膜には、マスクデータ１０９ｅ２－１に応じた潜像パターンが形成される。搬送系１０１は、露光後の基板ＷＦを現像装置１０５へ搬送する。
【0070】
現像装置１０５は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦの第２のレジスト膜を現像する（Ｓ１８）。現像装置１０５は、基板ＷＦの第２のレジストに形成された潜像パターンを現像し、基板ＷＦに第２のレジストパターンを形成する。搬送系１０１は、第２のレジストパターンが形成された基板ＷＦを現像装置１０５からエッチング装置１０６へ搬送する。
【0071】
エッチング装置１０６は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦをステージにセットして、第２のレジストパターンをマスクとして基板ＷＦにエッチング加工を施す（Ｓ１９）。エッチング装置１０６は、第２のレジストパターン及び第２のマスクパターンをマスクとして第１のマスク膜を加工し、第１のマスクパターンを形成する。これにより、第１のマスクパターンＭＰは、断面視における側面の傾斜角度が左右で非対称にされ得る。
【0072】
例えば、Ｓ１４で消耗状態＝「小」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１０に示す外周領域Ｒ１のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面ＳＦ１１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面ＳＦ１２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１１に示す外周領域Ｒ１のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面ＳＦ１１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面ＳＦ１２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。－Ｘ側の側面ＳＦ１１の傾斜角と＋Ｘ側の側面ＳＦ１２の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、第１のマスクパターンＭＰにおける－Ｘ側の側面の傾斜角が＋Ｘ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における－Ｘ側の側面の傾斜角と＋Ｘ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0073】
Ｓ１４で消耗状態＝「中」と判断された場合、エッチャントの入射方向がほとんど傾かず、チルティングの影響が無視できるので、内側領域Ｒ０と同様にエッチング加工が行われ得る。
【0074】
Ｓ１４で消耗状態＝「大」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１２に示す外周領域Ｒ１のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する＋Ｘ側の側面ＳＦ１２の＋Ｚ方向に対する傾斜角が－Ｘ側の側面ＳＦ１１の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１３に示す外周領域Ｒ１のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する＋Ｘ側の側面ＳＦ１２の＋Ｚ方向に対する傾斜角が－Ｘ側の側面ＳＦ１１の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。＋Ｘ側の側面ＳＦ１２の傾斜角と－Ｘ側の側面ＳＦ１１の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、第１のマスクパターンＭＰにおける＋Ｘ側の側面の傾斜角が－Ｘ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における＋Ｘ側の側面の傾斜角と－Ｘ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0075】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ２に属する場合、露光装置１０３は、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をマスクＭＫ２－２により露光する（Ｓ１７）。露光装置１０３は、マスクステージ上のマスクを照明光学系により照明し、その照明光を投影光学系により基板ステージ上の基板ＷＦへ投影し、基板ＷＦを露光する。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ２に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。これにより、基板ＷＦの第２のレジスト膜には、マスクデータ１０９ｅ２－２に応じた潜像パターンが形成される。搬送系１０１は、露光後の基板ＷＦを現像装置１０５へ搬送する。
【0076】
現像装置１０５は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦの第２のレジスト膜を現像する（Ｓ１８）。現像装置１０５は、基板ＷＦの第２のレジストに形成された潜像パターンを現像し、基板ＷＦに第２のレジストパターンを形成する。搬送系１０１は、第２のレジストパターンが形成された基板ＷＦを現像装置１０５からエッチング装置１０６へ搬送する。
【0077】
エッチング装置１０６は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦをステージにセットして、第２のレジストパターンをマスクとして基板ＷＦにエッチング加工を施す（Ｓ１９）。エッチング装置１０６は、第２のレジストパターン及び第２のマスクパターンをマスクとして第１のマスク膜を加工し、第１のマスクパターンを形成する。これにより、第１のマスクパターンＭＰは、断面視における側面の傾斜角度が左右で非対称にされ得る。
【0078】
例えば、Ｓ１４で消耗状態＝「小」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１０に示す外周領域Ｒ２のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する＋Ｘ側の側面ＳＦ２１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が－Ｘ側の側面ＳＦ２２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１１に示す外周領域Ｒ２のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する＋Ｘ側の側面ＳＦ２２の＋Ｚ方向に対する傾斜角が－Ｘ側の側面ＳＦ２１の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。＋Ｘ側の側面ＳＦ２２の傾斜角と－Ｘ側の側面ＳＦ２１の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、第１のマスクパターンＭＰにおける＋Ｘ側の側面の傾斜角が－Ｘ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における＋Ｘ側の側面の傾斜角と－Ｘ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0079】
Ｓ１４で消耗状態＝「中」と判断された場合、エッチャントの入射方向がほとんど傾かず、チルティングの影響が無視できるので、内側領域Ｒ０と同様にエッチング加工が行われ得る。
【0080】
Ｓ１４で消耗状態＝「大」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１２に示す外周領域Ｒ２のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面ＳＦ２１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面ＳＦ２２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１３に示す外周領域Ｒ２のＸＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面ＳＦ２１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面ＳＦ２２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。－Ｘ側の側面ＳＦ２１の傾斜角と＋Ｘ側の側面ＳＦ２２の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、第１のマスクパターンＭＰにおける－Ｘ側の側面の傾斜角が＋Ｘ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における－Ｘ側の側面の傾斜角と＋Ｘ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0081】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ３に属する場合、露光装置１０３は、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をマスクＭＫ２－３により露光する（Ｓ１７）。露光装置１０３は、マスクステージ上のマスクを照明光学系により照明し、その照明光を投影光学系により基板ステージ上の基板ＷＦへ投影し、基板ＷＦを露光する。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ３に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。これにより、基板ＷＦの第２のレジスト膜には、マスクデータ１０９ｅ２－３に応じた潜像パターンが形成される。搬送系１０１は、露光後の基板ＷＦを現像装置１０５へ搬送する。
【0082】
現像装置１０５は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦの第２のレジスト膜を現像する（Ｓ１８）。現像装置１０５は、基板ＷＦの第２のレジストに形成された潜像パターンを現像し、基板ＷＦに第２のレジストパターンを形成する。搬送系１０１は、第２のレジストパターンが形成された基板ＷＦを現像装置１０５からエッチング装置１０６へ搬送する。
【0083】
エッチング装置１０６は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦをステージにセットして、第２のレジストパターンをマスクとして基板ＷＦにエッチング加工を施す（Ｓ１９）。エッチング装置１０６は、第２のレジストパターン及び第２のマスクパターンをマスクとして第１のマスク膜を加工し、第１のマスクパターンを形成する。これにより、第１のマスクパターンＭＰは、断面視における側面の傾斜角度が左右で非対称にされ得る。
【0084】
例えば、Ｓ１４で消耗状態＝「小」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１０に示す外周領域Ｒ３のＹＺ断面視において、チルティングの影響が無視できるとして、＋Ｙ側の側面ＳＦ３１の傾斜角と－Ｙ側の側面ＳＦ３２の傾斜角とが均等である。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１１に示す外周領域Ｒ３のＹＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する＋Ｙ側の側面ＳＦ３１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が－Ｙ側の側面ＳＦ３２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。＋Ｙ側の側面ＳＦ３１の傾斜角と－Ｙ側の側面ＳＦ３２の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、ホールパターンの場合、第１のマスクパターンＭＰにおける＋Ｙ側の側面の傾斜角が－Ｙ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における＋Ｙ側の側面の傾斜角と－Ｙ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0085】
Ｓ１４で消耗状態＝「中」と判断された場合、エッチャントの入射方向がほとんど傾かず、チルティングの影響が無視できるので、内側領域Ｒ０と同様にエッチング加工が行われ得る。
【0086】
Ｓ１４で消耗状態＝「大」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１２に示す外周領域Ｒ３のＹＺ断面視において、チルティングの影響が無視できるとして、－Ｙ側の側面ＳＦ３２の傾斜角と＋Ｙ側の側面ＳＦ３１の傾斜角とが均等である。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１３に示す外周領域Ｒ３のＹＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｙ側の側面ＳＦ３２の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｙ側の側面ＳＦ３１の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。－Ｙ側の側面ＳＦ３２の傾斜角と＋Ｙ側の側面ＳＦ３１の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、第１のマスクパターンＭＰにおける－Ｙ側の側面の傾斜角が＋Ｙ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における－Ｙ側の側面の傾斜角と＋Ｙ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0087】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ４に属する場合、露光装置１０３は、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をマスクＭＫ２－４により露光する（Ｓ１７）。露光装置１０３は、マスクステージ上のマスクを照明光学系により照明し、その照明光を投影光学系により基板ステージ上の基板ＷＦへ投影し、基板ＷＦを露光する。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ４に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。これにより、基板ＷＦの第２のレジスト膜には、マスクデータ１０９ｅ２－４に応じた潜像パターンが形成される。搬送系１０１は、露光後の基板ＷＦを現像装置１０５へ搬送する。
【0088】
現像装置１０５は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦの第２のレジスト膜を現像する（Ｓ１８）。現像装置１０５は、基板ＷＦの第２のレジストに形成された潜像パターンを現像し、基板ＷＦに第２のレジストパターンを形成する。搬送系１０１は、第２のレジストパターンが形成された基板ＷＦを現像装置１０５からエッチング装置１０６へ搬送する。
【0089】
エッチング装置１０６は、基板ＷＦが搬送されると、基板ＷＦをステージにセットして、第２のレジストパターンをマスクとして基板ＷＦにエッチング加工を施す（Ｓ１９）。エッチング装置１０６は、第２のレジストパターン及び第２のマスクパターンをマスクとして第１のマスク膜を加工し、第１のマスクパターンを形成する。これにより、第１のマスクパターンＭＰは、断面視における側面の傾斜角度が左右で非対称にされ得る。
【0090】
例えば、Ｓ１４で消耗状態＝「小」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１０に示す外周領域Ｒ４のＹＺ断面視において、チルティングの影響が無視できるとして、－Ｙ側の側面ＳＦ４１の傾斜角と＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の傾斜角とが均等である。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１１に示す外周領域Ｒ４のＹＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｙ側の側面ＳＦ４１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。－Ｙ側の側面ＳＦ４１の傾斜角と＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、第１のマスクパターンＭＰにおける－Ｙ側の側面ＳＦ４１の傾斜角が＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における－Ｙ側の側面の傾斜角と＋Ｙ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0091】
Ｓ１４で消耗状態＝「中」と判断された場合、エッチャントの入射方向がほとんど傾かず、チルティングの影響が無視できるので、内側領域Ｒ０と同様にエッチング加工が行われ得る。
【0092】
Ｓ１４で消耗状態＝「大」と判断された場合、第１のマスクパターンＭＰに含まれる溝パターンは、図１２に示す外周領域Ｒ４のＹＺ断面視において、チルティングの影響が無視できるとして、＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の傾斜角と－Ｙ側の側面ＳＦ４１の傾斜角とが均等である。第１のマスクパターンＭＰに含まれるホールパターンは、図１３に示す外周領域Ｒ４のＹＺ断面視において、エッチャントの傾きの向きに対応する＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の＋Ｚ方向に対する傾斜角が－Ｙ側の側面ＳＦ４１の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。＋Ｙ側の側面ＳＦ４２の傾斜角と－Ｙ側の側面ＳＦ４１の傾斜角との差は、３～５°であってもよい。エッチング装置１０６は、この第１のマスクパターンＭＰをマスクとして被加工膜ＦＬをエッチング加工する。このとき、ホールパターンの場合、第１のマスクパターンＭＰにおける＋Ｙ側の側面の傾斜角が－Ｙ側の側面の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して被加工膜ＦＬをエッチング加工することができる。これにより、被加工膜ＦＬに断面視における＋Ｙ側の側面の傾斜角と－Ｙ側の側面の傾斜角とが均等なパターンを形成することができる。
【0093】
なお、図１０は、溝パターンに対するマスクパターンの加工断面形状（消耗量が少ない場合）を示す図である。図１１は、ホールパターンに対するマスクパターンの加工断面形状（消耗量が少ない場合）を示す図である。図１２は、溝パターンに対するマスクパターンの加工断面形状（消耗量が多い場合）を示す図である。図１３は、ホールパターンに対するマスクパターンの加工断面形状（消耗量が多い場合）を示す図である。図１０～図１３では、加工断面の側面が傾斜した部分と傾斜していない部分とを含む場合、傾斜した部分に着目し、傾斜した部分を側面として説明している。
【0094】
次に、半導体装置１の製造方法について図１４～図１９を用いて説明する。図１４は、半導体装置１の製造方法を示すフローチャートである。図１５（ａ）～図１７（ｃ）は、半導体装置１の製造方法を示す断面図である。図１８、図１９は、半導体装置の製造方法及び構成を示す断面図である。図１４～図１９では、エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について消耗状態＝「小」と判断された場合の外周領域Ｒ１のホールパターン（図７参照）の形成について例示するが、他の場合、他の領域、他のパターンについても同様に適用され得る。
【0095】
基板２の＋Ｚ側に配線４が形成される（Ｓ２１）。基板２は、シリコン等の半導体を主成分とする材料で形成され得る。図１５（ａ）に示すように、基板２の＋Ｚ側に、成膜装置１０７により、シリコン酸化膜等の絶縁膜３が堆積される。塗布装置１０２、露光装置１０３、現像装置１０５により、絶縁膜３の＋Ｚ側の面に溝３ａとなるべき領域が選択的に開口されたレジストパターンが形成される。エッチング装置１０６により、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング加工が行われ、絶縁膜３に溝３ａが形成される。メッキ装置（図示せず）により、溝３ａに導電物（例えば、銅、チタン、タングステンなど）を主成分とする材料が埋め込まれ、ＣＭＰ装置（図示せず）により、絶縁膜３が露出されるまで平坦化されて配線４が形成される。
【0096】
絶縁膜３及び配線４の＋Ｚ側に絶縁膜５が堆積される（Ｓ２２）。図１５（ａ）に示すように、絶縁膜３及び配線４の＋Ｚ側に、成膜装置１０７により、シリコン酸化膜等の絶縁膜５が堆積される。
【0097】
絶縁膜５の＋Ｚ側に第１のマスク膜６が形成される（Ｓ２３）。図１５（ａ）に示すように、塗布装置１０２により、絶縁膜５の上に第１のマスク膜６が塗布により形成される。第１のマスク膜は、例えばカーボンを主成分として含む膜であり、回転塗布される場合、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）膜であってもよい。
【0098】
第１のマスク膜６の＋Ｚ側に第２のマスク膜７が形成される（Ｓ２４）。図１５（ａ）に示すように、塗布装置１０２により、第１のマスク膜６の上に第２のマスク膜７が塗布により形成される。第２のマスク膜は、例えばシリコン酸化物を主成分として含む膜であり、回転塗布される場合、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜であってもよい。
【0099】
第２のマスク膜７の＋Ｚ側に第１のレジストパターン８が形成される（Ｓ２５）。塗布装置１０２により、第２のマスク膜７の＋Ｚ側に第１のレジスト膜８’（図示せず）が塗布により形成される。第１のレジスト膜８’は、例えば感光材を主成分として含むフォトレジストである。第１のマスク膜６、第２のマスク膜７、第１のレジスト膜８’が順に堆積された構造は、多層レジスト構造を構成する。露光装置１０３により、第１のレジスト膜８’が露光され、形成すべき開口パターン８ａに対応した潜像が第１のレジスト膜８’に形成される。現像装置１０５により、第１のレジスト膜８’の潜像が現像され、第１のレジストパターン８が形成される。第１のレジストパターン８は、開口パターン８ａを有する。開口パターン８ａは、レイアウトデータのパターンに応じた領域ＰＲに加えて＋Ｘ側の領域ＡＲがさらに開口されたパターンである（図７の外周領域Ｒ１の点線で示すホールパターン参照）。第１のレジストパターン８は、領域ＰＲの－Ｘ側に概ねＹ方向に延びたエッジ８１を有する。
【0100】
第２のマスク膜７が加工され、第２のマスクパターン７ｉが形成される（Ｓ２６）。エッチング装置１０６により、第１のレジストパターン８をマスクとして第２のマスク膜７をエッチング加工する。これにより、第１のレジストパターン８が第２のマスク膜７に転写され、エッジ８１に対応したエッジ７ｉ１を含む第２のマスクパターン７ｉが形成される。第２のマスクパターン７ｉは、開口パターン８ａに対応した開口パターン７ａを有している。これにより、第１のマスク膜６は、領域ＰＲ及び領域ＡＲ（図１５（ａ）参照）に対応する領域が露出されている。
【0101】
レジストが除去される（Ｓ２７）。エッチング残りのレジストがあれば、硫酸等の薬液によりレジストが除去される。塗布装置１０２により、図１５（ｃ）に示すように、第２のマスクパターン７ｉ及び第１のマスク膜６の＋Ｚ側に第２のマスク膜７が追加的に塗布され、第２のマスクパターン７ｊが形成される。第２のマスクパターン７ｊは、エッジ７ｉ１に対応したエッジ７ｊ１を有し、第２のマスクパターン７ｉに対応した領域がそれ以外の領域より厚さが厚くなったパターンである。エッジ７ｊ１は、第２のマスクパターン７ｊにおける段差部分に配されている。
【0102】
第２のマスクパターン７ｊの＋Ｚ側に第２のレジストパターン９が形成される（Ｓ２８）。塗布装置１０２により、第２のマスクパターン７ｊの＋Ｚ側に第２のレジスト膜９’（図示せず）が塗布により形成される。第２のレジスト膜９’は、例えば感光材を主成分として含むフォトレジストである。第１のマスク膜６、第２のマスク膜７、第２のレジスト膜９’が順に堆積された構造は、多層レジスト構造を構成する。露光装置１０３により、第２のレジスト膜９’が露光され、形成すべき開口パターン９ａに対応した潜像が第２のレジスト膜９’に形成される。現像装置１０５により、第２のレジスト膜９’の潜像が現像され、図１５（ｃ）に示すように、第２のレジストパターン９が形成される。第２のレジストパターン９は、開口パターン９ａを有する。開口パターン９ａは、レイアウトデータのパターンに応じた領域ＰＲに加えて－Ｘ側の領域ＡＲ’がさらに開口されたパターンである（図７の外周領域Ｒ１の実線で示すホールパターン参照）。第２のレジストパターン９は、領域ＡＲ’の－Ｘ側に概ねＹ方向に延びたエッジ９１を有する。エッジ９１は、エッジ８１に対して－Ｘ方向に後退したエッジである。これにより、ＸＺ断面視において、開口パターン９ａの－Ｘ側の側面が階段状になっている。開口パターン９ａの＋Ｘ側の側面は、Ｚ方向に沿って延びている。
【0103】
第１のマスク膜６が加工され、第１のマスクパターン６ｊが形成される（Ｓ２９）。エッチング装置１０６により、図１６（ａ）に示すように、第２のレジストパターン９をマスクとして第２のマスクパターン７ｊがエッチング加工される。これにより、第２のレジストパターン９が第２のマスクパターン７ｊに転写され、第２のマスクパターン７ｋにおけるエッジ７ｋ１のＺ位置がより－Ｚ側になるとともに、開口パターン７ｋａが形成される。開口パターン７ｋａは、領域ＡＲ’において第２のマスクパターン７ｋを貫通せず、領域ＲＰにおいて第２のマスクパターン７ｋを貫通する。開口パターン７ｋａにより、第１のマスク膜６ｉの＋Ｚ側の面の一部が露出される。
【0104】
エッチング装置１０６により、図１６（ｂ）に示すように、第２のレジストパターン９及び第２のマスクパターン７ｋをマスクとして第１のマスク膜６ｉがエッチング加工される。これにより、第２のレジストパターン９が第２のマスクパターン７ｋに転写され、第２のマスクパターン７ｎにおけるエッジ７ｎ１のＺ位置がより－Ｚ側になる。それとともに、第２のマスクパターン７ｋが第１のマスク膜６ｉに転写され、開口パターン６ｊａを有する第１のマスクパターン６ｊが形成される。開口パターン６ｊａは、領域ＲＰにおいて第１のマスクパターン６ｊを貫通する。開口パターン６ｊａにより、絶縁膜５の＋Ｚ側の面の一部が露出される。
【0105】
絶縁膜５が加工され、所望のパターンが形成される（Ｓ３０）。エッチング装置１０６により、図１６（ｃ）に示すように、第２のマスクパターン７ｎをマスクとして第１のマスクパターン６ｊがエッチング加工されるとともに、第１のマスクパターン６ｊをマスクとして絶縁膜５がエッチング加工される。これにより、第２のマスクパターン７ｎが第１のマスクパターン６ｊに転写され、エッジ７ｎ１に対応したエッジが第１のマスクパターン６ｊに転写される。このとき、第１のマスクパターン６ｋに異方性エッチングの側壁保護膜が堆積しにくく、エッジへの電界集中により第１のマスクパターン６ｋにおけるエッジ近傍が優先的にエッチングされ、エッジに応じた側面の階段形状が傾斜面形状へ変化し、開口パターン６ｋａの－Ｘ側に傾斜した側面６ｋａ１が形成される。すなわち、第１のマスクパターン６ｋの開口パターン６ｋａは、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面１６ｋａ１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面６ｋａ２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。これにより、絶縁膜５ｉにＸＺ断面視における－Ｘ側の側面５ｉａ１の傾斜角と＋Ｘ側の側面５ｉａ２の傾斜角とが均等なホールパターン５ｉａが形成され始める。
【0106】
エッチング装置１０６により、図１７（ａ）に示すように、引き続きエッチング加工が行われ、第１のマスクパターン６ｎをマスクとして絶縁膜５ｊがエッチング加工される。このとき、第１のマスクパターン６ｎの開口パターン６ｎａにおける－Ｘ側の側面６ｎａ１の傾斜角が＋Ｘ側の側面６ｎａ２の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して絶縁膜５ｊをエッチング加工することができる。これにより、絶縁膜５ｊにＸＺ断面視における－Ｘ側の側面５ｊａ１の傾斜角と＋Ｘ側の側面５ｊａ２の傾斜角とが均等なホールパターン５ｊａを形成することができる。ホールパターン５ｊａは、配線４の表面を露出する。第１のマスクパターン６ｎは、図１７（ｂ）に示すように、所定の薬液により除去される。
【0107】
所望のパターンに導電物が埋め込まれる（Ｓ３１）。図１７（ｃ）に示すように、メッキ装置により、ホールパターン５ｊａに導電物（例えば、銅、チタン、タングステンなど）を主成分とする材料が埋め込まれ、ＣＭＰ装置により、絶縁膜５ｊが露出されるまで平坦化されて貫通電極１０が形成される。貫通電極１０の－Ｚ側の端部は、配線４に接触しており、配線４に電気的に接続されている。
【0108】
【0109】
次に、半導体装置１の構成について図１８～図２０を用いて説明する。図１８は、貫通電極１０を通る位置で半導体装置１を切った場合のＸＺ断面を示し、図１９は、貫通電極１０を通る位置で半導体装置１を切った場合のＹＺ断面を示す。図２０は、半導体装置１の構成を示す斜視図である。図２０（ａ）は、図１８に対応したＸＺ断面を含む斜視図であり、図２０（ｂ）は、図１９に対応したＹＺ断面を含む斜視図である。図２０では、簡略化のため、配線１１及び絶縁膜１２の図示が省略されている。図１８～図２０では、エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について消耗状態＝「小」と判断された場合の外周領域Ｒ１のホールパターン（図７参照）に対応した構成について例示するが、他の場合、他の領域、他のパターンについても同様に適用され得る。
【0110】
基板２は、Ｘ方向及びＹ方向に板状に延びている。基板２は、半導体（例えば、シリコン）を主成分とする材料で形成され得る。
【0111】
絶縁膜３は、基板２の＋Ｚ側に配され、基板２の＋Ｚ側の面を覆っている。絶縁膜３は、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成され得る。絶縁膜３は、＋Ｚ側の面に溝３ａを有する。
【0112】
配線４は、絶縁膜３における溝３ａ内に配されている。配線４は、Ｙ方向に沿ってライン状に延びている。配線４は、導電物（例えば、銅、チタン、タングステンなど）を主成分とする材料で形成され得る。配線４は、＋Ｚ側の面が貫通電極１０に接しており、貫通電極１０に電気的に接続されている。
【0113】
絶縁膜５１ｊは、基板２及び絶縁膜３の＋Ｚ側に配され、絶縁膜３の＋Ｚ側の面を覆っている。絶縁膜５１ｊは、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成され得る。絶縁膜５１ｊは、貫通電極１０によりＺ方向に貫通されている。
【0114】
貫通電極１０は、基板２、絶縁膜３、配線４の＋Ｚ側に配され、配線１１、絶縁膜１２の－Ｚ側に配され、絶縁膜５１ｊをＺ方向に貫通している。貫通電極１０は、導電物（例えば、銅、チタン、タングステンなど）を主成分とする材料で形成され得る。貫通電極１０は、＋Ｚ側の端部１０ａが配線１１に接しており、配線１１に電気的に接続されている。貫通電極１０は、－Ｚ側の端部１０ｂが配線４に接しており、配線４に電気的に接続されている。
【0115】
貫通電極１０は、図１８、図２０（ａ）に示すように、ＸＺ断面視において、＋Ｚ側の端部１０ａのＸ方向幅Ｗ１０ａ１が－Ｚ側の端部１０ｂのＸ方向幅Ｗ１０ｂ１より小さい。貫通電極１０は、図１９、図２０（ｂ）に示すように、ＹＺ断面視において、＋Ｚ側の端部１０ａのＹ方向幅Ｗ１０ａ２が－Ｚ側の端部１０ｂのＹ方向幅Ｗ１０ｂ２より大きい。
【0116】
貫通電極１０は、図１８、図２０（ａ）に示すように、ＸＺ断面視において、－Ｘ側の側面１０ｃ１１が＋Ｚ方向から＋Ｘ側に角度θ１１で傾斜しており、＋Ｘ側の側面１０ｃ１２が＋Ｚ方向から－Ｘ側に角度θ１２で傾斜しており、θ１１≒θ１２である。すなわち、貫通電極１０は、ＸＺ断面視において、－Ｘ側の側面１０ｃ１１の傾斜角θ１１と＋Ｘ側の側面１０ｃ１２の傾斜角θ１２とが均等である。
【0117】
貫通電極１０は、図１９、図２０（ｂ）に示すように、ＹＺ断面視において、－Ｙ側の側面１０ｃ２１が＋Ｚ方向から＋Ｙ側に角度θ２１で傾斜しており、＋Ｙ側の側面１０ｃ２２が＋Ｚ方向から－Ｙ側に角度θ２２で傾斜しており、θ２１≒θ２２である。すなわち、貫通電極１０は、ＹＺ断面視において、－Ｙ側の側面１０ｃ２１の傾斜角θ２１と＋Ｙ側の側面１０ｃ２２の傾斜角θ２２とが均等である。
【0118】
配線１１は、Ｘ方向に沿ってライン状に延びている。配線１１は、導電物（例えば、銅、チタン、タングステンなど）を主成分とする材料で形成され得る。配線１１は、－Ｚ側の面が貫通電極１０に接しており、貫通電極１０に電気的に接続されている。
【0119】
絶縁膜１２は、絶縁膜５１ｊ、貫通電極１０の＋Ｚ側に配され、絶縁膜５１ｊの＋Ｚ側の面を覆っている。絶縁膜１２は、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成され得る。
【0120】
【0121】
以上のように、本実施形態では、半導体製造システム１００において、エッチング装置１０６のパーツの消耗状態に応じてエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算し、計算された傾き具合いに応じてレイアウトデータのエッジ位置を補正して基板ＷＦを露光・現像・エッチング加工する。これにより、チルティングを抑制しながら被加工膜をエッチング加工できるので、半導体装置１の製造歩留まりを向上できる。
【0122】
なお、図２では、被加工膜の上に形成される多層レジスト構造における第１のマスク膜、第２のマスク膜が塗布型の膜である場合が例示されているが、第１のマスク膜、第２のマスク膜は、ＣＶＤ等による成膜型の膜であってもよい。この場合、成膜装置１０７は、基板ＷＦ上に被加工膜を成膜し、さらに、被加工膜の上に、第１のマスク膜、第２のマスク膜を順に堆積する（Ｓ１’）。第１のマスク膜は、例えばカーボンを主成分として含む膜である。第２のマスク膜は、例えばシリコン酸化物を主成分として含む膜である。搬送系１０１は、被加工膜、第１のマスク膜、第２のマスク膜が順に堆積された基板ＷＦを成膜装置１０７から塗布装置１０２へ搬送する。塗布装置１０２は、第２のマスク膜の上に第１のレジスト膜を塗布により形成する（Ｓ２）。その後、Ｓ３～Ｓ７が行われ、搬送系１０１は、加工後の基板ＷＦをエッチング装置１０６から洗浄装置（図示せず）へ搬送する。洗浄装置は、第１のレジストパターンを基板ＷＦから除去する洗浄を行う。搬送系１０１は、洗浄後の基板ＷＦを洗浄装置から成膜装置１０７へ搬送する。成膜装置１０７は、第２のマスクパターンに追加的に第２のマスク膜の堆積を行う（Ｓ８’）。搬送系１０１は、その基板ＷＦを成膜装置１０７から塗布装置１０２へ搬送する。塗布装置１０２は、第２のマスクパターンの上に第２のレジスト膜を塗布により形成する（Ｓ９）。その後、Ｓ１０以降は、実施形態と同様である。
【0123】
実施形態の第１の変形例として、半導体製造システム１００は、図２１に示すような動作を行ってもよい。図２１は、実施形態の第１の変形例にかかる半導体製造システム１００の動作を示すシーケンス図である。図２１では、Ｓ１６（図２参照）が省略され、Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１７がＳ１１４，Ｓ１１５，Ｓ１１７に置き換わっている。
【0124】
露光対象のショット領域ＳＨが内側領域Ｒ０に属する場合（Ｓ１２でＮｏ）、ホストコントローラ１０９は、ずらし量ゼロを示すずらし量データＳＤ－０を生成して（Ｓ１１５）露光装置１０３へ供給する。
【0125】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ１に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ１におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ１におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、エッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、ショット領域の中心位置（すなわち、ショット位置）のずらし量を計算する（Ｓ１１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ずらしの向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じてショット位置のずらし量を求める。すなわち、外周領域Ｒ１について、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１３で計算された傾き具合いに応じて、Ｓ１１７で露光すべき露光パターンにおけるエッジ位置をＳ５の露光パターンよりシフトさせるように補正する。
【0126】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示す外周領域Ｒ１のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを－Ｘ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ１の溝パターンについて、図２２に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、－Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、溝パターンが図６と同様にシフトされ得る。外周領域Ｒ１のホールパターンについて、図２３に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、－Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図７と同様にシフトされ得る。
【0127】
消耗状態＝「中」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示す外周領域Ｒ１のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、Ｓ５の露光時のショット位置に対してずらし量ゼロを求める。
【0128】
なお、図２２は、実施形態の第１の変形例における溝パターンに対するショット位置ずらし（消耗量が少ない場合）を示す図である。図２３は、実施形態の第１の変形例におけるホールパターンに対するショット位置ずらし（消耗量が少ない場合）を示す図である。
【0129】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「大」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示す外周領域Ｒ１のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを＋Ｘ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ１の溝パターンについて、図２４に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、溝パターンが図８と同様にシフトされ得る。外周領域Ｒ１のホールパターンについて、図２５に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図９と同様にシフトされ得る。
【0130】
なお、図２４は、実施形態の第１の変形例における溝パターンに対するショット位置ずらし（消耗量が多い場合）を示す図である。図２５は、実施形態の第１の変形例におけるホールパターンに対するショット位置ずらし（消耗量が多い場合）を示す図である。
【0131】
ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１４で求められたずらし量に応じて、外周領域Ｒ１用のずらし量データＳＤ－１を生成する（Ｓ１１５）。ホストコントローラ１０９は、ずらし量データＳＤ－１を露光装置１０３へ供給する。供給されたずらし量データＳＤ－１は、外周領域Ｒ１に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３により参照され得る。
【0132】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ２に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ２におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ２におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、エッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、ショット領域の中心位置（すなわち、ショット位置）のずらし量を計算する（Ｓ１１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ずらしの向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じてショット位置のずらし量を求める。すなわち、外周領域Ｒ２について、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１３で計算された傾き具合いに応じて、Ｓ１１７で露光すべき露光パターンにおけるエッジ位置をＳ５の露光パターンよりシフトさせるように補正する。
【0133】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示す外周領域Ｒ２のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを＋Ｘ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ２の溝パターンについて、図２２に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、溝パターンが図６と同様にシフトされ得る。外周領域Ｒ２のホールパターンについて、図２３に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図７と同様にシフトされ得る。
【0134】
消耗状態＝「中」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示す外周領域Ｒ２のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、Ｓ５の露光時のショット位置に対してずらし量ゼロを求める。
【0135】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「大」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示す外周領域Ｒ２のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを－Ｘ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ２の溝パターンについて、図２４に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、－Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、溝パターンが図８と同様にシフトされ得る。外周領域Ｒ２のホールパターンについて、図２５に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｘ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図９と同様にシフトされ得る。
【0136】
ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１４で求められたずらし量に応じて、外周領域Ｒ２用のずらし量データＳＤ－２を生成する（Ｓ１１５）。ホストコントローラ１０９は、ずらし量データＳＤ－２を露光装置１０３へ供給する。供給されたずらし量データＳＤ－２は、外周領域Ｒ２に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３により参照され得る。
【0137】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ３に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ３におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ３におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、エッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、ショット領域の中心位置（すなわち、ショット位置）のずらし量を計算する（Ｓ１１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ずらしの向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じてショット位置のずらし量を求める。すなわち、外周領域Ｒ３について、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１３で計算された傾き具合いに応じて、Ｓ１１７で露光すべき露光パターンにおけるエッジ位置をＳ５の露光パターンよりシフトさせるように補正する。
【0138】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示す外周領域Ｒ３のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを＋Ｙ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ３の溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図２２に実線の四角の枠で示すように、ショット位置のずらし量をゼロとする。外周領域Ｒ３のホールパターンについて、図２３に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｙ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図７と同様にシフトされ得る。
【0139】
消耗状態＝「中」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示す外周領域Ｒ３のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、Ｓ５の露光時のショット位置に対してずらし量ゼロを求める。
【0140】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「大」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示す外周領域Ｒ３のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを－Ｙ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ３の溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図２４に実線の四角の枠で示すように、ショット位置のずらし量をとする。外周領域Ｒ３のホールパターンについて、図２５に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、－Ｙ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図９と同様にシフトされ得る。
【0141】
ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１４で求められたずらし量に応じて、外周領域Ｒ３用のずらし量データＳＤ－３を生成する（Ｓ１１５）。ホストコントローラ１０９は、ずらし量データＳＤ－３を露光装置１０３へ供給する。供給されたずらし量データＳＤ－３は、外周領域Ｒ３に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３により参照され得る。
【0142】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ４に属する場合（Ｓ１２でＹｅｓ）、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１で取得された消耗状態情報に応じて、外周領域Ｒ４におけるエッチャントの入射方向の傾き具合いを計算する（Ｓ１３）。ホストコントローラ１０９は、外周領域Ｒ４におけるエッチャントの傾き具合いに応じて、エッジ位置を第１のレジストパターンよりシフトさせるように、ショット領域の中心位置（すなわち、ショット位置）のずらし量を計算する（Ｓ１１４）。ホストコントローラ１０９は、エッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ずらしの向き及び量を求め、求められた向き及び量に応じてショット位置のずらし量を求める。すなわち、外周領域Ｒ４について、ホストコントローラ１０９は、Ｓ１３で計算された傾き具合いに応じて、Ｓ１１７で露光すべき露光パターンにおけるエッジ位置をＳ５の露光パターンよりシフトさせるように補正する。
【0143】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「小」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ａ）に矢印で示す外周領域Ｒ４のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを－Ｙ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ４の溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図２２に実線の四角の枠で示すように、ショット位置のずらし量をゼロとする。外周領域Ｒ４のホールパターンについて、図２３に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、－Ｙ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図７と同様にシフトされ得る。
【0144】
消耗状態＝「中」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｂ）に示す外周領域Ｒ４のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、Ｓ５の露光時のショット位置に対してずらし量ゼロを求める。
【0145】
エッチング装置１０６のパーツの消耗状態について、消耗状態＝「大」と判断された場合、ホストコントローラ１０９は、図５（ｃ）に矢印で示す外周領域Ｒ４のエッチャントの傾きの向き及び角度に応じて、ショット位置に対するずらしの向きを＋Ｙ方向とし、ずらし量を角度θに応じた量とする。例えば、外周領域Ｒ４の溝パターンについて、ホストコントローラ１０９は、チルティングの影響が無視できるとして、図２４に実線の四角の枠で示すように、ショット位置のずらし量をとする。外周領域Ｒ４のホールパターンについて、図２５に、Ｓ５の露光時のショット位置を点線の四角の枠で示し、Ｓ１１７で露光すべきショット位置を実線の四角の枠で示す。ホストコントローラ１０９は、点線の四角の枠で示すショット位置に対する実線の四角の枠で示すショット位置のずらし量として、＋Ｙ側に角度θに応じた量を求める。このずらし量に応じて、ホールパターンが図９と同様にシフトされ得る。
【0146】
ホストコントローラ１０９は、Ｓ１１４で求められたずらし量に応じて、外周領域Ｒ４用のずらし量データＳＤ－４を生成する（Ｓ１１５）。ホストコントローラ１０９は、ずらし量データＳＤ－４を露光装置１０３へ供給する。供給されたずらし量データＳＤ－４は、外周領域Ｒ４に属するショット領域ＳＨが露光される際に、露光装置１０３により参照され得る。
【0147】
露光対象のショット領域ＳＨが内側領域Ｒ０に属する場合、露光装置１０３は、ずらし量データＳＤ－０を参照し、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をＳ５と同様のマスクＭＫ１によりショット位置のずらし量ゼロで露光する（Ｓ１１７）。その後、Ｓ６，Ｓ７が行われる。
【0148】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ１に属する場合、露光装置１０３は、ずらし量データＳＤ－１で示されたずらし量でショット領域ＳＨのアライメント座標をずらし、その状態で、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をＳ５と同様のマスクＭＫ１により露光する（Ｓ１１７）。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ１に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。その後、Ｓ６，Ｓ７が行われる。
【0149】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ２に属する場合、露光装置１０３は、ずらし量データＳＤ－２で示されたずらし量でショット領域ＳＨのアライメント座標をずらし、その状態で、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をＳ５と同様のマスクＭＫ１により露光する（Ｓ１１７）。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ２に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。その後、Ｓ６，Ｓ７が行われる。
【0150】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ３に属する場合、露光装置１０３は、ずらし量データＳＤ－３で示されたずらし量でショット領域ＳＨのアライメント座標をずらし、その状態で、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をＳ５と同様のマスクＭＫ１により露光する（Ｓ１１７）。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ３に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。その後、Ｓ６，Ｓ７が行われる。
【0151】
露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ４に属する場合、露光装置１０３は、ずらし量データＳＤ－４で示されたずらし量でショット領域ＳＨのアライメント座標をずらし、その状態で、基板ＷＦに形成された第２のレジスト膜をＳ５と同様のマスクＭＫ１により露光する（Ｓ１１７）。すなわち、露光装置１０３は、露光対象のショット領域ＳＨが外周領域Ｒ４に属することに応じて、エッジ位置がＳ５の露光パターンよりシフトされた露光パターンにより基板ＷＦを露光する。その後、Ｓ６，Ｓ７が行われる。
【0152】
このような半導体製造システム１００によっても、計算された傾き具合いに応じてレイアウトデータのエッジ位置を補正して基板ＷＦを露光・現像・エッチング加工するので、チルティングを抑制しながら被加工膜をエッチング加工できる。これにより、半導体装置１の製造歩留まりを向上できる。
【0153】
実施形態の第２の変形例として、被加工膜と多層レジスト構造との間にハードマスク膜が配され、多層レジスト構造及びハードマスク膜により被加工膜のパターニングが行われてもよい。例えば、半導体装置１の製造方法では、図２６～図３０に示すように、次の点で実施形態と異なる処理が行われ得る。
【0154】
図２６（ａ）に示す工程では、絶縁膜３及び配線４の＋Ｚ側に絶縁膜５が堆積された後に、成膜装置１０７により、シリコン窒化膜等のハードマスク膜２１が堆積される。その後、塗布装置１０２により、絶縁膜５の上に第１のマスク膜６が塗布により形成される。それ以外に点は、図１５（ａ）に示す工程と同様である。
【0155】
その後、図１５（ｂ）～図１６（ａ）に示す工程と同様の処理が行われた後、図２６（ｂ）に示す工程が行われる。図２６（ｂ）に示す工程では、第２のレジストパターン９及び第２のマスクパターン７ｋ（図１６（ａ）参照）をマスクとして第１のマスク膜６ｉがエッチング加工される。これにより、第２のレジストパターン９が第２のマスクパターン７ｋに転写され、第２のマスクパターン７ｎにおけるエッジ７ｎ１のＺ位置がより－Ｚ側になる。それとともに、第２のマスクパターン７ｋが第１のマスク膜６ｉに転写され、開口パターン６ｊａを有する第１のマスクパターン６ｊが形成される。開口パターン６ｊａは、領域ＲＰにおいて第１のマスクパターン６ｊを貫通する。開口パターン６ｊａにより、ハードマスク膜２１の＋Ｚ側の面の一部が露出される。
【0156】
図２６（ｃ）に示す工程では、エッチング装置１０６により、第２のマスクパターン７ｎをマスクとして第１のマスクパターン６ｊがエッチング加工される。これにより、第２のマスクパターン７ｎが第１のマスクパターン６ｊに転写され、エッジ７ｎ１に対応したエッジが第１のマスクパターン６ｊに転写される。このとき、第１のマスクパターン６ｔに異方性エッチングの側壁保護膜が堆積しにくく、エッジへの電界集中により第１のマスクパターン６ｔにおけるエッジ近傍が優先的にエッチングされ、エッジに応じた側面の階段形状が傾斜面形状へ変化し、開口パターン６ｔａの－Ｘ側に傾斜した側面６ｔ１が形成される。それとともに、第１のマスクパターン６ｔをマスクとしてハードマスク膜２１がエッチング加工される。これにより、第１のマスクパターン６ｔがハードマスク膜２１に転写され、ホールパターン２１ｉａを有する第３のマスクパターン２１ｉが形成される。ホールパターン２１ｉａは、傾斜した側面６ｔ１に対応して傾斜した側面２１ｉａ１を有する。すなわち、第１のマスクパターン６ｔの開口パターン６ｔａは、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面１６ｔａ１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面６ｔａ２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。第３のマスクパターン２１ｉのホールパターン２１ｉａは、エッチャントの傾きの向きに対応する－Ｘ側の側面２１ｉａ１の＋Ｚ方向に対する傾斜角が＋Ｘ側の側面２１ｉａ２の＋Ｚ方向に対する傾斜角より大きい。これにより、絶縁膜５ｉにＸＺ断面視における－Ｘ側の側面の傾斜角と＋Ｘ側の側面の傾斜角とが均等なホールパターンが形成され始める。
【0157】
図２７（ａ）に示す工程では、エッチング装置１０６により、引き続きエッチング加工が行われ、第３のマスクパターン２１ｊをマスクとして絶縁膜５ｊがエッチング加工される。このとき、第３のマスクパターン２１ｊのホールパターン２１ｊａにおける－Ｘ側の側面２１ｊａ１の傾斜角が＋Ｘ側の側面２１ｊａ２の傾斜角より大きくなっているので、エッチャントの傾きによる影響を抑制して絶縁膜５ｊをエッチング加工することができる。これにより、絶縁膜５ｊにＸＺ断面視における－Ｘ側の側面５ｊａ１の傾斜角と＋Ｘ側の側面５ｊａ２の傾斜角とが均等なホールパターン５ｊａを形成することができる。ホールパターン５ｊａは、配線４の表面を露出する。
【0158】
図２７（ｂ）に示すように、メッキ装置により、ホールパターン５ｊａ，２１ｊａに導電物（例えば、銅、チタン、タングステンなど）を主成分とする材料が埋め込まれ、ＣＭＰ装置により、第３のマスクパターン２１ｊが露出されるまで平坦化されて貫通電極１０，２２が形成される。貫通電極１０の－Ｚ側の端部は、配線４に接触しており、配線４に電気的に接続されている。貫通電極１０の＋Ｚ側の端部は、貫通電極２２に接触しており、貫通電極２２に電気的に接続されている。
【0159】
【0160】
また、図２８～図３０に示すように、半導体装置１’は、次の点で半導体装置１と異なる構成を有する。図２８は、貫通電極１０，２２を通る位置で半導体装置１’（図１８～図２０参照）を切った場合のＸＺ断面を示し、図２９は、貫通電極１０，２２を通る位置で半導体装置１’を切った場合のＹＺ断面を示す。図３０は、半導体装置１’の構成を示す斜視図である。図３０（ａ）は、図２８に対応したＸＺ断面を含む斜視図であり、図３０（ｂ）は、図２９に対応したＹＺ断面を含む斜視図である。図３０では、簡略化のため、配線１１及び絶縁膜１２の図示が省略されている。
【0161】
貫通電極１０は、貫通電極２２、第３のマスクパターン（ハードマスク膜）２１ｊ、配線１１、絶縁膜１２の－Ｚ側に配されている。貫通電極１０は、＋Ｚ側の端部１０ａ（図１８参照）が貫通電極２２に接しており、貫通電極２２に電気的に接続されている。
【0162】
第３のマスクパターン２１ｊは、基板２、絶縁膜３、絶縁膜５１ｊ、貫通電極１０の＋Ｚ側に配され、絶縁膜５１ｊの＋Ｚ側の面を覆っている。第３のマスクパターン２１ｊは、シリコン窒化物を主成分とする材料で形成され得る。第３のマスクパターン２１ｊは、貫通電極２２によりＺ方向に貫通されている。
【0163】
貫通電極２２は、基板２、絶縁膜３、配線４、絶縁膜５１ｊ、貫通電極１０の＋Ｚ側に配され、配線１１、絶縁膜１２の－Ｚ側に配され、第３のマスクパターン２１ｊをＺ方向に貫通している。貫通電極２２は、＋Ｚ側の端部２２ａが配線１１に接しており、配線１１に電気的に接続されている。貫通電極２２は、－Ｚ側の端部２２ｂが貫通電極１０に接しており、貫通電極１０に電気的に接続されている。
【0164】
貫通電極２２は、図２８、図３０（ａ）に示すように、ＸＺ断面視において、－Ｘ側の側面２２ｃ１１が＋Ｚ方向から－Ｘ側に角度α１１で傾斜しており、＋Ｘ側の側面２２ｃ１２が＋Ｚ方向から＋Ｘ側に角度α１２で傾斜しており、α１１＞α１２である。例えば、α１１とα１２と差は、３°～５°であってもよい。すなわち、貫通電極２２は、ＸＺ断面視において、－Ｘ側の側面２２ｃ１１の傾斜角α１１が＋Ｘ側の側面２２ｃ１２の傾斜角α１２より大きい。
【0165】
貫通電極１０は、図２９、図３０（ｂ）に示すように、ＹＺ断面視において、－Ｙ側の側面２２ｃ２１が＋Ｚ方向から－Ｙ側に角度α２１で傾斜しており、＋Ｙ側の側面２２ｃ２２が＋Ｚ方向から＋Ｙ側に角度α２２で傾斜しており、α２１≒α２２である。すなわち、貫通電極２２は、ＹＺ断面視において、－Ｙ側の側面２２ｃ２１の傾斜角α２１と＋Ｙ側の側面２２ｃ２２の傾斜角α２２とが均等である。
【0166】
このような構造は、チルティングを抑制しながら被加工膜をエッチング加工できる本実施形態の第２の変形例の製造方法で得られるので、半導体装置１の製造歩留まりを向上させることに適した構造として提供できる。
【0167】
なお、実施形態及びその変形例において、ホストコントローラ１０９は、図３１に示すようなハードウェアで構成され得る。図３１は、実施形態及びその変形例におけるホストコントローラのハードウェア構成を示す図である。
【0168】
ホストコントローラ１０９は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）３１１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）３１２と、主記憶装置であるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）３１３と、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）またはＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）ドライブ装置などの外部記憶装置３１４と、液晶表示装置などの表示装置３１５と、キーボードおよびマウスなどの入力装置３１６と、を備えており、これらがバスライン３１７を介して接続された、通常のコンピュータを利用したハードウェア構成となっている。
【0169】
取得部１０９ａ、生成部１０９ｂ、計算部１０９ｃ、補正部１０９ｄ（図１参照）のそれぞれは、ＣＰＵ３１１内に回路等でハードウェア的に実装されてもよい。取得部１０９ａ、生成部１０９ｂ、計算部１０９ｃ、補正部１０９ｄのそれぞれは、プログラムのコンパイル時に一括して又はプログラムによる処理の進行に応じて逐次的にＲＡＭ３１３のバッファ領域に展開される機能モジュールとしてソフトウェア的に実装されてもよい。あるいは、取得部１０９ａ、生成部１０９ｂ、計算部１０９ｃ、補正部１０９ｄは、一部がハードウェア的に実装され、残りがソフトウェア的に実装されてもよい。記憶部１０９ｅ（図１参照）は、ＲＯＭ３１２又はＲＡＭ３１３等のハードウェアで実装され得る。
【0170】
本実施形態のホストコントローラ１０９で実行されるプログラムは、図２又は図２１に示される方法を実行するものであり、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルでＣＤ－ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ－Ｒ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。
【0171】
また、本実施形態のホストコントローラ１０９で実行されるプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、本実施形態のホストコントローラ１０９で実行されるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成してもよい。
【0172】
また、本実施形態のプログラムを、ＲＯＭ等に予め組み込んで提供するように構成してもよい。
【0173】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0174】
１，１’ 半導体装置、１００ 半導体製造システム、１０１ 搬送系、１０２ 塗布装置、１０３ 露光装置、１０４ マスク作成装置、１０５ 現像装置、１０６ エッチング装置、１０７ 成膜装置、１０９ ホストコントローラ、１０９ａ 取得部、１０９ｂ 生成部、１０９ｃ 計算部、１０９ｄ 補正部、１０９ｅ 記憶部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】