特開 2022-55650 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022055650

(43)【公開日】2022-04-08

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220401BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020163191

(22)【出願日】2020-09-29

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】川合 康裕

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA03

5E316AA06

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB11

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC34

5E316CC37

5E316DD12

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316JJ06

(57)【要約】

【課題】配線基板の反りの抑制。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面１０Ｆ及び第１面１０Ｆと反対側の第２面１０Ｂを有するコア基板１０と、コア基板１０の第１面１０Ｆ側に形成されている絶縁層１３及び導体層１４を含む第１ビルドアップ部１１と、コア基板１０の第２面１０Ｂ側に形成されている絶縁層１３及び導体層１４を含む第２ビルドアップ部１２と、を備えている。第１ビルドアップ部１１が有する導体層１４の数は第２ビルドアップ部１２が有する導体層１４の数よりも大きく、コア基板１０は、第１面１０Ｆを構成する第１絶縁層１０１、第２面を構成する第２絶縁層１０２、及び第１絶縁層１０１と第２絶縁層１０２とによって挟持される金属層１００を含んでいる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面側に形成されている絶縁層及び導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記コア基板の前記第２面側に形成されている絶縁層及び導体層を含む第２ビルドアップ部と、を備える配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部が有する前記導体層の数は前記第２ビルドアップ部が有する前記導体層の数よりも大きく、
前記コア基板は、前記第１面を構成する第１絶縁層、前記第２面を構成する第２絶縁層、及び前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とによって挟持される金属層を含んでいる。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部における前記コア基板と反対側の表面を構成する導体層は、前記第１ビルドアップ部を構成する導体層が有する配線パターンのなかで最も微細な配線パターンを有している。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部の前記コア層と反対側の表面を構成する導体層が有する配線パターンのライン／スペースは３μｍ／３μｍよりも小さい。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２面を構成する導体層の厚さは、前記第１面を構成する導体層の厚さよりも大きい。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第２ビルドアップ部を構成する導体層の厚さは、前記第１ビルドアップ部を構成する導体層の厚さよりも大きい。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記金属層は、前記第１絶縁層を貫通するビア導体を介して前記第１面を構成する導体層と接続すると共に、前記第２絶縁層を貫通するビア導体を介して前記第２面を構成する導体層と接続している。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記配線基板の一方の表面には、前記コア基板の前記第２面を構成する導体層が露出している。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部を部分的に貫通し底部に部品搭載領域を有するキャビティを備えている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、コア基板の一方の面側にのみビルドアップ部を有する配線基板が開示されている。コア基板の一方の面側は絶縁層と導電層が交互に積層されたビルドアップ部が形成されており、コア基板の他方の面には半田ボールと接続される接続パッドが形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１－２４９７１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の配線基板では、コア基板の一方の面側にのみビルドアップ部が形成されている。すなわち、特許文献１の配線基板は厚さ方向において非対称の層構造を有している。電子部品の搭載時などの熱による熱膨張量に偏りが生じると考えられる。熱膨張量の偏りに起因して配線基板に反りが生じ、配線基板と配線基板に搭載される部品との接続信頼性が低下する虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態である配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面側に形成されている絶縁層及び導体層を含む第１ビルドアップ部と、前記コア基板の前記第２面側に形成されている絶縁層及び導体層を含む第２ビルドアップ部と、を備えている。前記第１ビルドアップ部が有する前記導体層の数は前記第２ビルドアップ部が有する前記導体層の数よりも大きく、前記コア基板は、前記第１面を構成する第１絶縁層、前記第２面を構成する第２絶縁層、及び前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とによって挟持される金属層を含んでいる。

【0006】

本発明の実施形態によれば、曲げ剛性が高く、反りが抑制される信頼性の高い配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図3】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図4】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図5】本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。

【図6A】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6B】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6C】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6D】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6E】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6F】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6G】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6H】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の実施形態である配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。配線基板１は、第１面１０Ｆと第１面１０Ｆとは反対側の第２面１０Ｂとを有するコア基板１０を有している。配線基板１は、コア基板１０の第１面１０Ｆ上の第１ビルドアップ部１１と、コア基板１０の第２面１０Ｂ上の第２ビルドアップ部１２とを含んでいる。第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２は、交互に積層される絶縁層１３及び導体層１４で構成されている。

【0009】

なお、本実施形態の配線基板の説明では、配線基板１の厚さ方向においてコア基板１０から遠い側は「上側」、「外側」、又は単に「上」とも称され、コア基板１０に近い側は「下側」、「内側」又は単に「下」とも称される。

【0010】

２つのビルドアップ部（第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２）は、互いに異なる数の絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、第１ビルドアップ部１１が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数は、第２ビルドアップ部１２が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数より大きい。図１に示される例では、第１ビルドアップ部１１は、５層の絶縁層１３及び５層の導体層１４で構成されており、第２ビルドアップ部１２は、２層の絶縁層１３及び２層の導体層１４で構成されている。各ビルドアップ部１１、１２の上側には、ソルダーレジスト層であり得る被覆層１３０が形成されている。

【0011】

なお、第１ビルドアップ部１１が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数、及び、第２ビルドアップ部１２が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数は上述の層数に限定されない。第１ビルドアップ部１１が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数が、第２ビルドアップ部１２が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数よりも大である条件の下、それぞれ任意の層数の導体層及び絶縁層を有し得る。

【0012】

第１及び第２ビルドアップ部１１、１２を構成する絶縁層１３は、絶縁層１３に接する導体層１４に接続するビア導体１４ｖを含んでいる。第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２に形成されるビア導体１４ｖは、コア基板１０側に向かって縮径（先細り）するテーパー形状を有している。なお、便宜上「縮径」という文言が用いられているが、各ビア導体の開口形状は必ずしも円形に限定されない。「縮径」は、単にビア導体の水平断面における外周上の最長の２点間の距離が小さくなることを意味している。

【0013】

第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２の最外の導体層１４は、被覆層１３０の開口から露出する接続パッド１４ｃを有している。第１ビルドアップ部１１には、接続パッド１４ｃを介して外部の電子部品が実装され得る。第２ビルドアップ部１２には、接続パッド１４ｃを介して例えばマザーボードなどの外部の電気回路基板が接続され得る。

【0014】

コア基板１０は、第１絶縁層１０１、第２絶縁層１０２、及び第１絶縁層１０１と第２絶縁層１０２とに挟まれた金属層１００を含んでいる。詳しくは後述するように、コア基板１０が金属層１００を有することで、配線基板１に生じ得る反りが抑制され得る。第１絶縁層１０１の上（金属層１００と反対側）、すなわちコア基板１０の第１面１０Ｆ側には、第１導体層１０３が形成され、第２絶縁層１０２の上（金属層１００と反対側）、すなわちコア基板１０の第２面１０Ｂ側には、第２導体層１０４が形成されている。

【0015】

コア基板１０は、第１絶縁層１０１、金属層１００、及び第２絶縁層１０２を貫通するスルーホール導体１４ｐを含んでいる。スルーホール導体１４ｐは、貫通孔１４ｐｈが導体で充填されることで形成されている。スルーホール導体１４ｐは第１導体層１０３と第２導体層１０４とを接続している。図示の例では、スルーホール導体１４ｐは、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｂの両側からコア基板１０の厚さにおける中央部分に向かって縮径するテーパー形状を有している。

【0016】

配線基板１が有する導体層１０３、１０４、１４、ビア導体１４ｖ、及びスルーホール導体１４ｐは、銅やニッケルなど、適切な導電性を有する任意の材料（導体）を用いて形成され得る。導体層１０３、１０４、１４、ビア導体１４ｖ、及びスルーホール導体１４ｐは、例えば金属箔（好ましくは銅箔）、金属膜層（好ましくは無電解銅めっき膜層）、電解めっき膜層（好ましくは電解銅めっき膜層）によって、又はこれらの組み合わせによって構成される。図１に示される例では、コア基板１０を構成する導体層１０３、１０４は、金属箔、金属膜層、及び電解めっき膜層を含む３層構造を有している。そして、配線基板１を構成するその他の導体層１４、ビア導体１４ｖ、及びスルーホール導体１４ｐは、金属膜層及び電解めっき膜層を含む２層構造を有している。しかし、各導体層を構成する層の数は、図示される例に限定されず、例えば、第１導体層１０３や第２導体層１０４が、２層構造を有してもよい。各導体層（第１導体層１０３、第２導体層１０４、導体層１４）は、それぞれ所望の導体パターン（配線パターン）を有している。

【0017】

絶縁層１０１、１０２、１３は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層１０１、１０２、１３は、ガラス繊維などの補強材及び／又はシリカなどの無機フィラーを含み得る。図１に示される例では、コア基板１０を構成する第１絶縁層１０１及び第２絶縁層１０２はガラス繊維を含む補強材を含んでいる。一方、配線基板１を構成する、コア基板１０以外の、第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２を構成する絶縁層１３は補強材を含んでいないものが図示されている。第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２上の被覆層１３０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。

【0018】

図１の例のように、各ビルドアップ部１１、１２が複数の絶縁層１３を含んでいる場合、各ビルドアップ部１１、１２内の各絶縁層１３は、各絶縁層１３同士を良好に密着させる観点から、同一の樹脂材料を用いて形成され得る。絶縁層１３間の剥離が防止される場合がある。また、層間剥離の抑制の観点から、例えば、全ての絶縁層、すなわち、コア基板の第１絶縁層１０１、第２絶縁層１０２、第１ビルドアップ部１１内の絶縁層１３、及び、第２ビルドアップ部１２内の絶縁層１３が、同一の絶縁性の樹脂材料を含んでもよい。

【0019】

第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２における各絶縁層１３に含まれるビア導体１４ｖは、各絶縁層１３を貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成される所謂フィルドビアである。ビア導体１４ｖは、その上側（コア基板１０と反対側）の導体層と一体的に形成されている。従って、ビア導体１４ｖと導体層１４とは、同一の、例えば銅又はニッケルなどからなるめっき膜（金属膜及び電解めっき膜）によって形成されている。

【0020】

コア基板１０に含まれる金属層１００は、例えば、銅又はアルミニウム等の金属の、比較的肉厚な金属板を用いて、第１絶縁層１０１及び第２絶縁層１０２の支持体として形成される。コア基板１０が金属層１００を含んでいることで、配線基板１の剛性が向上し得る。特に、配線基板１の曲げ剛性が向上し、配線基板１の各構成要素の熱膨張量の偏りなどに起因する反りが抑制される。金属層１００には、スルーホール導体１４ｐが形成される位置に対応した開口が形成されており、これらの開口には第１絶縁層１０１及び第２絶縁層１０２から浸み出した樹脂が充填されている。

【0021】

図１に示される例では、コア基板１０の両側の表面（第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｂ）から、コア基板１０の厚さ方向の中央部に向って縮径するテーパー形状を有するスルーホール導体１４ｐが形成され、第１導体層１０３と第２導体層１０４を接続している。スルーホール導体１４ｐは長さ方向（コア基板１０の厚さ方向）において径の大きさが略同一に形成されてもよい。あるいは、片方の面から他方の面に向って（例えば、第２面１０Ｂから第１面１０Ｆに向って）縮径するテーパー形状を有してもよい。

【0022】

前述のように、厚さ方向において非対称の層構造を有する配線基板では、反りが発生しやすいという問題がある。具体的には、温度変化による熱膨張量又は熱収縮量の偏りによって反りが発生し得る。特に、電子部品搭載時の加熱などにより、配線基板における熱膨張量が偏ることで反りが生じ得る。本実施形態の配線基板１では、コア基板１０が比較的剛性の高い金属層１００を有する構成を採用している。従って、曲げ剛性が高く、配線基板１の変形が生じ難い。反りの発生が抑制される配線基板１が提供される。

【0023】

本実施形態の配線基板１におけるコア基板１０は、第１絶縁層１０１、第２絶縁層１０２の厚さが、例えば、７０μｍ以上、９０μｍ以下であり、金属層１００は、例えば、３０μｍ以上、１００μｍ以下の厚さを有し得る。図１に示される配線基板１では、コア基板１０の第１絶縁層１０１及び第２絶縁層１０２は略同じ厚さを有しており、金属層１００はコア基板１０の厚さ方向における中心部に配置されている。

【0024】

本実施形態の配線基板は、その表面に比較的微細な配線パターンを備える微細配線層を有し得る。図２に例として示される配線基板１ａにおいては、第１ビルドアップ部１１が微細配線層１１１を有している。微細配線層１１１は第１ビルドアップ部１１の、コア基板１０と反対側に積層される、任意の層数の絶縁層１３１及び導体層１４１によって構成される。図示の例では、第１ビルドアップ部１１の、最も外側の絶縁層及び導体層を含む、２層の絶縁層１３１及び２層の導体層１４１によって微細配線層１１１が構成されている。

【0025】

配線基板１ａにおける、第１ビルドアップ部１１の微細配線層１１１が有する導体層１４１は、第１ビルドアップ部１１における微細配線層１１１以外の導体層１４よりも薄く形成され、微細な配線パターンを有している。第１ビルドアップ部１１の最外の導体層１４１は、被覆層１３０の開口から露出する、比較的狭ピッチの接続パッド１４１ｃを有している。特に、第１ビルドアップ部１１におけるコア基板１０と反対側の表面を構成する導体層１４１（接続パッド１４１ｃを含んでいる導体層１４１）は、第１ビルドアップ部１１を構成する導体層１４、１４１のなかで最も微細な配線パターンを有している。具体的には、微細配線層１１１における導体層１４１は、パターン幅／パターン間距離（Ｌ／Ｓ）が３μｍ／３μｍ以下に形成されている。一方、第１ビルドアップ部１１における微細配線層１１１以外の導体層１４は、Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ程度に形成されている。なお、微細配線層１１１の絶縁層１３１に含まれるビア導体１４１ｖは、微細配線層１１１以外の絶縁層１３に含まれるビア導体１４ｖよりも小径に形成されている。

【0026】

微細配線層１１１に含まれる絶縁層１３１及び導体層１４１の層数は、図示されるものに限定されない。少なくとも、第１ビルドアップ部１１の最も外側の絶縁層１３１及び導体層１４１が、微細配線層１１１として形成され、接続パッド１４１ｃを介して、比較的狭い端子ピッチを有する、例えばベアチップ半導体などの電子部品が実装され得る。実施形態の配線基板では、コア基板１０が金属層１００を有することで、配線基板の反りが抑制される。従って、第１ビルドアップ部１１の最外の導体層１４１が微細な配線パターンに形成され、接続パッド１４１ｃが比較的狭いピッチを有するとしても、接続パッド１４１ｃと電子部品などとの間において、短絡などの不良の少ない、信頼性の高い接続が実現され得る。

【0027】

上述の、配線基板の反りを抑制する観点から、加熱時における配線基板内での熱膨張量は均等であることが好ましい。特に、配線基板の構成要素の中でも比較的熱膨張率が大きい金属を含む導体層１４及び金属層１００は、その存在量が配線基板の厚さ方向の中心位置の両側において比較的均等になるように配置されていることが好ましい。図３に配線基板１ｂとして示されているように、第２導体層１０４の厚さＴ２が第１導体層１０３の厚さＴ１よりも大きく形成されていることで、配線基板内での熱膨張量の偏りが緩和されることがある。さらに、第２ビルドアップ部１２を構成する導体層１４の厚さｔ２が第１ビルドアップ部１１を構成する導体層１４の厚さｔ１よりも大きく形成されていることで、さらに配線基板内での熱膨張量の偏りが緩和されることがある。配線基板の厚さ方向における中心位置から、一方側（例えば第１ビルドアップ部１１の表面側）と他方側（例えば第２ビルドアップ部１２の表面側）とでの金属の存在量が比較的均等な状態とされ得る。

【0028】

なお、本実施形態において、「第１ビルドアップ部１１が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数が、第２ビルドアップ部１２が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数よりも大である」とは、コア基板１０の第２面１０Ｂ側に第２ビルドアップ部１２が形成されず、コア基板１０の第２面１０Ｂが露出する構成をも含む。すなわち本実施形態においては、配線基板は、コア基板１０の一方の面にのみビルドアップ部を有する態様も有し得る。

【0029】

図４に示される配線基板１ｃにおいては、コア基板１０の第１面１０Ｆ側には第１ビルドアップ部１１が形成され、コア基板１０の第２面１０Ｂを構成する第２導体層１０４は、第２面１０Ｂ上に設けられている被覆層１３０に形成されている開口から露出している。そして、図示される例においては、コア基板１０の金属層１００は、ビア導体１４ｖを介して、第１導体層１０３及び第２導体層１０４と接続されている。このような構成を有することで、第１ビルドアップ部１１上に載置され得る電子部品から発せられる熱が、金属層１００を介して効果的に配線基板１ｃ外へと放熱されることがある。曲げ剛性が高く反りが効果的に抑制されると共に、良好な放熱性を備えることにより、反りがより効果的に抑制され得る配線基板が提供され得る。

【0030】

実施形態の配線基板は、内部に電子部品が搭載されるキャビティを有する態様をも有し得る。図５に示される配線基板１ｄは、第１ビルドアップ部１１の一部を貫通するキャビティ（凹部）ＲＣを有している。キャビティＲＣは、第１ビルドアップ部１１のキャビティＲＣの形成箇所に対応した位置に、例えば炭酸ガスレーザー、又はＹＡＧレーザーなどのレーザー光を照射することで形成され得る。キャビティＲＣの底部は部品搭載領域Ａを備えており、部品搭載領域Ａは電子部品が接続され得る部品実装パッド１４０を有している。部品実装パッド１４０には、エポキシ樹脂などで形成される絶縁性の接着剤、又は、導電性粒子を含む導電性接着剤などの実装用部材を介して電子部品が実装され得る。例えば、メモリ、マイコン、ＣＰＵ、等の半導体集積回路装置、又はＬＥＤ、ＰＤ（フォトダイオード）等の光半導体デバイスである電子部品が搭載され得る。

【0031】

つぎに、図１に示される配線基板１を例に、配線基板の製造方法が、図６Ａ～図６Ｈを参照して以下に説明される。先ず、所定の厚さの例えば銅又はアルミニウムからなる金属板が裁断され、所定の位置に必要な孔１００ｈをあけた金属板１００Ｐが用意される。金属板１００Ｐの表面には、必要に応じて樹脂の密着性をよくするために粗化処理が施され得る。

【0032】

続いて、図６Ａに示されるように、金属板１００Ｐの両面に、例えばエポキシ樹脂等を含浸させた芯材を有するプリプレグ１０１Ｐ及びプリプレグ１０２Ｐが配置される。さらに、プリプレグ１０１Ｐの上に例えば銅箔である金属箔１０３Ｐが積層され、プリプレグ１０２Ｐの上に例えば銅箔である金属箔１０４Ｐが積層され、加熱プレスによって一体化される。この一体化によってプリプレグ１０１Ｐ、１０２Ｐに含まれる樹脂はメタル板１００Ｐに形成された孔１００ｈに充填される。一体化により、図６Ｂに示される、金属層１００がプリプレグ１０１Ｐ、１０２Ｐが硬化してなる第１絶縁層１０１、及び第２絶縁層１０２に挟まれた出発基板１０Ｐが得られる。

【0033】

図６Ａにおけるプリプレグ１０１Ｐの厚さはプリプレグ１０２Ｐの厚さと略等しく、図６Ｂに示される出発基板１０Ｐにおいては、第１絶縁層１０１の厚さは第２絶縁層１０２の厚さと略等しい。すなわち、金属層１００は出発基板１０Ｐにおける厚さ方向の中心に形成されている。

【0034】

続いて、図６Ｃに示されるように、出発基板１０Ｐにスルーホール用貫通孔１４ｐｈが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。貫通孔１４ｐｈは、例えばレーザー光が金属層１００に設けられている孔１００ｈに対応する位置に照射されることで形成される。次いで、例えばサブトラクティブ法を用いて、金属箔、金属膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する第１導体層１０３及び第２導体層１０４がそれぞれコア基板１０の第１面１０Ｆ側及び第２面１０Ｂ側に形成される。同時に、金属膜及び電解めっき膜によりスルーホール用貫通孔１４ｐｈが充填されることによってスルーホール導体１４ｐが形成される。スルーホール用貫通孔１４ｐｈの形成にはドリル加工等の機械的加工が用いられてもよい。第１導体層１０３及び第２導体層１０４は、金属箔１０３Ｐ、１０４Ｐ及びめっき膜（金属膜１０３ｎ、１０４ｎ、及び、電解めっき膜１０３ｅ、１０４ｅ）によって、形成される。

【0035】

次いで、図６Ｄに示されるように、絶縁層１３がコア基板１０の第１及び第２面１０Ｆ、１０Ｂ側に形成される。第２面１０Ｂ側の絶縁層１３上には接着層７１を介して支持板７０が接続される。支持板７０には、例えば、金属板や、ガラス繊維などの補強材にエポキシ樹脂を含浸してなるガラスエポキシ板などが用いられるが、これら以外にも、適度な剛性を有する任意の材料が使用され得る。

【0036】

支持板７０と絶縁層１３の間には、絶縁層１３に対する適度な接着性（密着性）を有する接着層７１が設けられ、接着層７１の接着性により支持板７０と絶縁層１３とが貼り合わされる。その後、必要に応じて加熱などにより接着層７１が硬化される。接着層７１を構成する材料は、支持板７０及び絶縁層１３と密着し得るものであれば特に限定されない。少なくとも、絶縁層１３との間よりも、支持板７０との間に強い接着力を発現し得る材料が、接着層７１の材料として好ましい。接着層７１を構成する材料は、紫外線照射や加熱などの特定の処理により絶縁層１３との接着性を喪失するものであってもよい。例えば、アクリル系樹脂が接着層７１の材料として例示される。

【0037】

なお、図６Ｄでは、支持板７０の片方の面にのみ、コア基板１０の両面に絶縁層１３が形成された積層体が接着層７１を介して貼着される例が示されている。そして、図６Ｄ～６Ｆを参照する説明においては、支持板７０の片方の面側において実施される製造工程が説明される。しかしながら、支持板７０の両面に積層体が貼着され、支持板７０の両面側で配線基板の製造が実施されてよい。具体的には、図６Ｄに示される段階で、コア基板１０の両面に絶縁層１３が形成された２つの積層体が、それぞれ第２面１０Ｂ側を支持板７０に向けて支持板７０の両面に貼着され得る。そして、図６Ｄ～６Ｆを参照して説明される製造工程は、支持板７０の両面側で実施され得る。

【0038】

次いで、図６Ｅに示されるように、第１面１０Ｆ側の絶縁層１３には、ビア導体用の貫通孔１４ｖｈが例えばレーザー光の照射により形成される。そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、絶縁層１３上及び貫通孔１４ｖｈ内に、無電解銅めっきなどによる金属膜、及びこの金属膜をシード層として用いて金属膜上に電解めっき膜が形成されて、所望の導体パターンを有する導体層１４、ならびに、ビア導体１４ｖが形成される。次いで、図６Ｆに示されるように、コア基板１０の第１面１０Ｆ側では、一般的なビルドアップ工法による絶縁層１３及び導体層１４の積層が繰り返される。

【0039】

図６Ｅ及び図６Ｆに示される工程において、コア基板１０の第１面１０Ｆ側へは、製造される配線基板１の第１ビルドアップ部１１が有するべき絶縁層１３及び導体層１４の層数の、第２ビルドアップ部１２が有するべき絶縁層１３及び導体層１４の層数を超える層数分の絶縁層１３及び導体層１４が積層される。すなわち、図示の例では、配線基板１の第１ビルドアップ部１１が有するべき５層の絶縁層１３及び導体層１４と、第２ビルドアップ部１２が有するべき２層の絶縁層１３及び導体層１４との差異である、３層の絶縁層１３及び導体層１４が第１面１０Ｆに接する絶縁層１３上に形成される。その結果、図６Ｆに示されるように、コア基板１０の第１面１０Ｆ側に４層の絶縁層１３、及び、３層の導体層１４が積層され、第２面１０Ｂ側に１層の絶縁層１３が積層された状態となる。

【0040】

次いで、図６Ｇに示されるように、支持体７０が、コア基板１０の第２面１０Ｂ側の絶縁層１３から分離される。支持体７０の分離により露出する第２面１０Ｂ側に接する絶縁層１３には、ビア導体１４ｖが形成され、併せて導体層１４が絶縁層１３上に形成される。そして、さらに絶縁層１３及び導体層１４が積層され、第２ビルドアップ部１２が形成される。同時に、第１面１０Ｆ側においても、第２面１０Ｂ側と同じ層数の導体層１４及び絶縁層１３が積層され、第１ビルドアップ部１１が形成される。以上でコア基板１０の第１面１０Ｆ側への第１ビルドアップ部１１の形成、及び、第２面１０Ｂ側への第２ビルドアップ部１２の形成が完了する。第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２の形成が完了した状態において、第２ビルドアップ１２部が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数は、第１ビルドアップ部１１が有する絶縁層１３及び導体層１４の層数よりも小さい。

【0041】

次いで図６Ｈに示されるように、第１面１０Ｆ側の第１ビルドアップ部１１、及び、第２面１０Ｂ側の第２ビルドアップ部１２の最外の絶縁層１３及び導体層１４の上に被覆層１３０が形成される。被覆層１３０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され、被覆層１３０には、露光及び現像によって開口１３ａが形成される。開口１３ａからは最外の導体層１４に含まれる接続パッド１４ｃが露出する。

【0042】

以上の工程を経ることによって、配線基板１が完成する。被覆層１３０の開口１３ａ内に露出する接続パッド１４ｃの表面には保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又はＳｎなどからなる保護膜がめっき法により形成され得る。有機材の吹き付けによりＯＳＰ膜が形成されてもよい。

【0043】

なお、図２に示される配線基板１ａが製造される場合には、図６Ｇに示される、第１面１０Ｆ側に絶縁層を積層する工程において、比較的厚さの小さい樹脂フィルムが用いられ、絶縁層１３１が形成され得る。絶縁層１３１に比較的小径のビア導体１４１ｖが形成されると共に、ビア導体１４１ｖと一体的に形成される導体層１４１は、比較的微細なパターンに形成され得る。少なくとも第１ビルドアップ部１１における、最外の導体層１４１は、Ｌ／Ｓが３μｍ／３μｍ以下となるように形成される。

【0044】

また、図３に示される配線基板１ｂが製造される場合には、コア基板１０の第２面１０Ｂ側の導体層１０４、１４の電解めっき膜の形成において、第２面１０Ｂ側の電流密度が、第１面１０Ｆ側の電流密度より高くなるように電圧が印加される。これにより、第２面１０Ｂ側の電解めっき膜の厚みが第１面１０Ｆ側の電解めっき膜の厚みより厚く形成され、第２面１０Ｂ側の導体層１０４、１４の厚さは、第１面１０Ｆ側の導体層１０３、１４の厚さより大きく形成され得る。

【0045】

また、図４に示される配線基板１ｃが製造される場合には、図６Ｄに示される段階において、第２面１０Ｂ側の絶縁層１３が形成されず、第２導体層１０４が支持板７０に貼着される。支持板７０は、被覆層１３０の形成直前の段階で第２導体層１０４から分離され得る。

【0046】

また、図５に示される配線基板１ｄが製造される場合には、第１ビルドアップ部１１が形成された後に、例えば、炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーなどのレーザー光を使用するレーザー加工、又は、ドリル加工を使用して、第１ビルドアップ部１１の一部分が除去される。例えば、第１ビルドアップ部１１のキャビティＲＣの底部となるべき所定の領域上に剥離膜を形成し、剥離膜の周縁全体に沿う溝が第１ビルドアップ部１１の表面からのレーザー加工又はドリル加工により形成される。第１ビルドアップ部１１の溝に囲まれる部分を剥離層と共に除去することでキャビティＲＣが形成され得る。

【0047】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板１が有するビア導体１４ｖは、コア基板１０に向かって縮径するテーパー形状を有しているが、ビア導体１４ｖは配線基板１の厚さ方向において径の大きさが略同一に形成されてもよいし、反対側に（コア基板から配線基板の外側）に向かって縮径する形状に形成されてもよい。また、第１ビルドアップ部１１及び第２ビルドアップ部１２の最外層には被覆層１３０が設けられなくてもよい。

【0048】

また、配線基板の製造方法は、各図面を参照して先に説明された方法に限定されない。例えば、コア基板１０の第１及び第２導体層１０３、１０４は、金属箔を用いるセミアディティブ法を用いて形成されてもよい。第１及び第２ビルドアップ部１１、１２内の各導体層は、サブトラクティブ法を用いて形成されてもよい。先に説明された製造方法の条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

【符号の説明】

【0049】

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 配線基板
１０ コア基板
１０Ｆ 第１面
１０Ｂ 第２面
１１ 第１ビルドアップ部
１２ 第２ビルドアップ部
１３、１３１ 絶縁層
１４、１４１ 導体層
１４ｖ、１４１ｖ ビア導体
１４ｃ、１４１ｃ 接続パッド
１４ｐ スルーホール導体
１００ 金属層
１０１ 第１絶縁層
１０２ 第２絶縁層
１０３ 第１導体層
１０４ 第２導体層
１１１ 微細配線層
ＲＣ キャビティ
Ａ 部品搭載領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】