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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022056688
(43)【公開日】2022-04-11
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20220404BHJP
H01L 25/065 20060101ALI20220404BHJP
H01L 25/18 20060101ALI20220404BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 A
H01L25/08 E
H01L25/04 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020164568
(22)【出願日】2020-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100083806
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 秀和
(74)【代理人】
【識別番号】100101247
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 俊一
(74)【代理人】
【識別番号】100095500
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 正和
(74)【代理人】
【識別番号】100098327
【弁理士】
【氏名又は名称】高松 俊雄
(72)【発明者】
【氏名】鴨田 涼
(72)【発明者】
【氏名】高橋 秀樹
【テーマコード（参考）】
5F136
【Ｆターム（参考）】
5F136BC05
5F136BC07
5F136DA44
5F136FA14
5F136FA23
5F136FA52
5F136FA88
5F136HA01
(57)【要約】
【課題】電磁波の遮蔽と、放熱性の向上を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置は、基板と、半導体メモリと、コントローラと、第１熱伝導板と、グラファイトシートと、封止部と、半田ボールとを備える。基板は、第１面と、第１面とは反対側に位置した第２面とを有する。半導体メモリは、第１面に設けられる。コントローラは、第１面に半導体メモリと離して設けられ、半導体メモリを制御可能である。第１熱伝導板は、コントローラの上に配置される。グラファイトシートは、半導体メモリと、コントローラとの上方であって、第１熱伝導板の上に配置される。封止部は、半導体メモリと、コントローラと、第１熱伝導板と、グラファイトシートとを封止する。半田ボールは、基板の第２面に複数設けられる。
【選択図】図４
【解決手段】実施の形態に係る半導体装置は、基板と、半導体メモリと、コントローラと、第１熱伝導板と、グラファイトシートと、封止部と、半田ボールとを備える。基板は、第１面と、第１面とは反対側に位置した第２面とを有する。半導体メモリは、第１面に設けられる。コントローラは、第１面に半導体メモリと離して設けられ、半導体メモリを制御可能である。第１熱伝導板は、コントローラの上に配置される。グラファイトシートは、半導体メモリと、コントローラとの上方であって、第１熱伝導板の上に配置される。封止部は、半導体メモリと、コントローラと、第１熱伝導板と、グラファイトシートとを封止する。半田ボールは、基板の第２面に複数設けられる。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、を有した基板と、
前記第１面に設けられる半導体メモリと、
前記第１面に前記半導体メモリと離して設けられ、前記半導体メモリを制御可能なコントローラと、
前記コントローラの上に配置された第１熱伝導板と、
前記半導体メモリと、前記コントローラとの上方であって、前記第１熱伝導板の上に配置されたグラファイトシートと、
前記半導体メモリと、前記コントローラと、前記第１熱伝導板と、前記グラファイトシートとを封止した第１封止部と、
前記第２面に設けられた複数の半田ボールとを備える、
半導体装置。
前記第１面に設けられる半導体メモリと、
前記第１面に前記半導体メモリと離して設けられ、前記半導体メモリを制御可能なコントローラと、
前記コントローラの上に配置された第１熱伝導板と、
前記半導体メモリと、前記コントローラとの上方であって、前記第１熱伝導板の上に配置されたグラファイトシートと、
前記半導体メモリと、前記コントローラと、前記第１熱伝導板と、前記グラファイトシートとを封止した第１封止部と、
前記第２面に設けられた複数の半田ボールとを備える、
半導体装置。
【請求項2】
前記グラファイトシートは、前記半導体メモリと前記コントローラと、前記第１熱伝導板とを包含する、
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１面に対向する前記グラファイトシートの裏面に絶縁シートを備える、
請求項１又は２に記載の半導体装置。
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記コントローラの上面に接続された第１ボンディングワイヤと、
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上面に配置された絶縁フィルムとを備え、
前記第１熱伝導板は、前記絶縁フィルムと前記絶縁シートとの間に配置される、
請求項３に記載の半導体装置。
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上面に配置された絶縁フィルムとを備え、
前記第１熱伝導板は、前記絶縁フィルムと前記絶縁シートとの間に配置される、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記グラファイトシートの前記絶縁シートに対向する上面に配置された第２熱伝導板と、
前記グラファイトシートと、前記第２熱伝導板とを封止した第２封止部とを備える、
請求項４に記載の半導体装置。
前記グラファイトシートと、前記第２熱伝導板とを封止した第２封止部とを備える、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記グラファイトシートと前記絶縁シートは略等しい大きさを有する、
請求項５に記載の半導体装置。
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記グラファイトシートは、前記第１封止部よりも小さなサイズを有する、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記グラファイトシートは、前記基板よりも小さなサイズを有する、
請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第２熱伝導板は、前記第１熱伝導板よりも大きいサイズを有する、
請求項５に記載の半導体装置。
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記グラファイトシートは、前記第２熱伝導板よりも大きいサイズを有する、
請求項９に記載の半導体装置。
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記グラファイトシートは、前記基板に平行な方向に熱伝導率が高い配向を有する、
請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記グラファイトシートは、前記基板に平行な方向及び前記基板に垂直な方向に熱伝導率が高い配向を有する、
請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記第１面に設けられる前記半導体メモリは、複数個積層化されて設けられ、
複数の前記半導体メモリは、複数の前記半導体メモリと前記コントローラとの並び方向において、前記コントローラの方向にずらされて積層される、
請求項１～１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
複数の前記半導体メモリは、複数の前記半導体メモリと前記コントローラとの並び方向において、前記コントローラの方向にずらされて積層される、
請求項１～１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項14】
更に、前記第１面に実装された温度センサを備え、
前記温度センサは、前記コントローラの近傍に設けられる、
請求項１～１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記温度センサは、前記コントローラの近傍に設けられる、
請求項１～１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項15】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、を有した基板と、
前記第１面に設けられる半導体メモリと、
前記第１面に前記半導体メモリと離して設けられ、前記半導体メモリを制御可能なコントローラと、
前記コントローラの上方に配置された熱伝導板と、
前記半導体メモリと、前記コントローラと、前記熱伝導板と、を封止した封止部と、
前記第２面に設けられた複数の半田ボールとを備える、
半導体装置。
前記第１面に設けられる半導体メモリと、
前記第１面に前記半導体メモリと離して設けられ、前記半導体メモリを制御可能なコントローラと、
前記コントローラの上方に配置された熱伝導板と、
前記半導体メモリと、前記コントローラと、前記熱伝導板と、を封止した封止部と、
前記第２面に設けられた複数の半田ボールとを備える、
半導体装置。
【請求項16】
前記コントローラの上面に接続された第１ボンディングワイヤと、
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上面に配置された絶縁フィルムとを更に備え、
前記熱伝導板は、前記絶縁フィルムの上面に配置され、
前記熱伝導板の上面は、外部に露出している、
請求項１５に記載の半導体装置。
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上面に配置された絶縁フィルムとを更に備え、
前記熱伝導板は、前記絶縁フィルムの上面に配置され、
前記熱伝導板の上面は、外部に露出している、
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項17】
更に、前記熱伝導板の上面に配置された第２ボンディングワイヤを備え、
前記封止部は、前記第２ボンディングワイヤを封止する、
請求項１５に記載の半導体装置。
前記封止部は、前記第２ボンディングワイヤを封止する、
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項18】
前記コントローラの上面に接続された第１ボンディングワイヤと、
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上面に配置された絶縁フィルムとを備え、
前記熱伝導板は、前記絶縁フィルムの上面に配置される、
請求項１５に記載の半導体装置。
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上面に配置された絶縁フィルムとを備え、
前記熱伝導板は、前記絶縁フィルムの上面に配置される、
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項19】
第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面と、を有した基板を形成し、
前記第２面に複数の半田ボールを形成し、
前記第１面に半導体メモリを形成し、
前記第１面に、前記半導体メモリと離して、前記半導体メモリを制御可能なコントローラを形成し、
前記コントローラの上面に、絶縁フィルムを介して第１熱伝導板を形成し、
前記第１熱伝導板の上にグラファイトシートを形成し、
前記半導体メモリと、前記コントローラと、前記グラファイトシートを封止する第１封止部を形成し、
前記グラファイトシートの上に第２熱伝導板を形成し、
前記グラファイトシートと、前記第２熱伝導板と、を封止する第２封止部を形成する、
半導体装置の製造方法。
前記第２面に複数の半田ボールを形成し、
前記第１面に半導体メモリを形成し、
前記第１面に、前記半導体メモリと離して、前記半導体メモリを制御可能なコントローラを形成し、
前記コントローラの上面に、絶縁フィルムを介して第１熱伝導板を形成し、
前記第１熱伝導板の上にグラファイトシートを形成し、
前記半導体メモリと、前記コントローラと、前記グラファイトシートを封止する第１封止部を形成し、
前記グラファイトシートの上に第２熱伝導板を形成し、
前記グラファイトシートと、前記第２熱伝導板と、を封止する第２封止部を形成する、
半導体装置の製造方法。
【請求項20】
前記コントローラの上に第１ボンディングワイヤを形成し、
前記第１熱伝導板の上に前記絶縁フィルムを予め形成し、
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上に前記絶縁フィルムを形成して、前記第１熱伝導板を前記コントローラの上に形成する、
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
前記第１熱伝導板の上に前記絶縁フィルムを予め形成し、
前記第１ボンディングワイヤの一部を含み、前記コントローラの上に前記絶縁フィルムを形成して、前記第１熱伝導板を前記コントローラの上に形成する、
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の一般的な半導体装置は、樹脂でモールドされたパッケージの状態で使用されている。近年の半導体装置として、特にボールグリッドアレイ（ＢＧＡ: Ball Grid Array）型ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ: Solid State Drives）は性能が向上している。ＢＧＡ型ＳＳＤは、その性能の向上に伴って、電磁波の放射及び発熱量の増加が問題になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第5967206号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、電磁波の遮蔽と、放熱性の向上を実現する半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施の形態に係る半導体装置は、基板と、半導体メモリと、コントローラと、第１熱伝導板と、グラファイトシートと、封止部と、半田ボールとを備える。基板は、第１面と、第１面とは反対側に位置した第２面とを有する。半導体メモリは、第１面に設けられる。コントローラは、第１面に半導体メモリと離して設けられ、半導体メモリを制御可能である。第１熱伝導板は、コントローラの上に配置される。グラファイトシートは、半導体メモリと、コントローラとの上方であって、第１熱伝導板の上に配置される。封止部は、半導体メモリと、コントローラと、第１熱伝導板と、グラファイトシートとを封止する。半田ボールは、基板の第２面に複数設けられる。
【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１の実施の形態に係る半導体装置が搭載される電子機器の一例を示す概略構成図。
【図2】第１の実施の形態に係る回路基板の構成の一部を模式的に示すブロック図。
【図3】第１の実施の形態に係る半導体装置の構成の一例を示すブロック図。
【図4】第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図。
【図5】第１の実施の形態に係る半導体装置の上面図。
【図6】第１の実施の形態に係る半導体装置の一部構成を除外して示した図。
【図7】第１の実施の形態に係る半導体装置に適用可能なグラファイトシートの構成図。
【図8】第１の実施の形態に係る半導体装置に適用可能な第１のグラファイトシートＧＦ（ＸＹ）を例示する図。
【図9】第１の実施の形態に係る半導体装置に適用可能な第２のグラファイトシートＧＦ（ＸＺ）を例示する図。
【図10】第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図。
【図11】第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の上面図。
【図12】第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の一部構成を除外して示した図。
【図13】第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図。
【図14】第２の実施の形態に係る半導体装置の上面図。
【図15】第２の実施の形態に係る半導体装置の一部構成を除外して示した上面図。
【図16A】第２の実施の形態に係る半導体装置の第１の断面図
【図16B】第２の実施の形態に係る半導体装置の第２の断面図。
【図16C】第２の実施の形態に係る半導体装置の第３の断面図。
【図16D】第２の実施の形態に係る半導体装置の第４の断面図。
【図17】第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図。
【図18】第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図。
【図19】第３の実施の形態に係る半導体装置の上面図。
【図20】第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
次に、図面を参照して、実施の形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。図面は模式的なものである。また、以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。実施の形態は、種々の変更を加えることができる。
【0008】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る半導体装置１が搭載される電子機器２の一例を示す概略構成図である。電子機器２は、筐体３を含む。筐体３は回路基板（メインボード）４を収容する。回路基板４は、半導体装置１およびホストコントローラ５（例えばＣＰＵ）を含む。半導体装置１は、例えば、ＢＧＡ型ＳＳＤとして構成される。半導体装置１は、電子機器２の記憶装置として機能する。ホストコントローラ５は、半導体装置１を含む電子機器２の全体の動作を制御する。ホストコントローラ５は、例えばサウスブリッジを含む。
図１は、本実施の形態に係る半導体装置１が搭載される電子機器２の一例を示す概略構成図である。電子機器２は、筐体３を含む。筐体３は回路基板（メインボード）４を収容する。回路基板４は、半導体装置１およびホストコントローラ５（例えばＣＰＵ）を含む。半導体装置１は、例えば、ＢＧＡ型ＳＳＤとして構成される。半導体装置１は、電子機器２の記憶装置として機能する。ホストコントローラ５は、半導体装置１を含む電子機器２の全体の動作を制御する。ホストコントローラ５は、例えばサウスブリッジを含む。
【0009】
図２は、回路基板４の構成の一部を模式的に示すブロック図である。回路基板４には、電源回路７が設けられている。電源回路７は、電源ライン８（８ａ，８ｂ）を介して、半導体装置１およびホストコントローラ５に接続されている。電源回路７は、電源ライン８（８ａ）を介して電源電圧をホストコントローラ５に供給する。また、電源回路７は、電源ライン８（８ｂ）を介して電源電圧を半導体装置１に供給する。
【0010】
半導体装置１とホストコントローラ５との間には、複数の信号ライン６が設けられている。半導体装置１は、信号ライン６を介して、ホストコントローラ５との間で信号をやり取りする。半導体装置１およびホストコントローラ５は、例えば、ＰＣＩ－ｅｘｐｒｅｓｓ（以下、ＰＣＩｅ）の規格に則したインタフェースを有する。半導体装置１およびホストコントローラ５が有するインタフェースは、必ずしもＰＣＩｅの規格に則したインタフェースでなくても良い。ホストコントローラ５及び半導体装置１が有するインタフェースは、例えば、ＳＡＳ（Serial Attached SCSI）やＳＡＴＡ（Serial Advanced Technology Attachment）の規格に則するものでもよい。また、ホストコントローラ５及び半導体装置１が有するインタフェースは、ＮＶＭｅ（Non Volatile Memory Express）、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）等の他の規格に則するものでもよい。
【0011】
（半導体装置の構成）
次に、半導体装置１の構成について説明する。
次に、半導体装置１の構成について説明する。
【0012】
図３は、半導体装置１の構成の一例を示すブロック図である。図４は、第１の実施の形態に係る半導体装置１の断面図である。図５は、第１の実施の形態に係る半導体装置１の上面図である。半導体装置１は、コントローラ１１、半導体メモリ１２、ＲＡＭ１３、オシレータ（ＯＳＣ）１４、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable ROM）１５、温度センサ１６、基板２１（パッケージ基板）、ボンディングワイヤ２２Ｍ、２２Ｃ、絶縁フィルム１７、第１熱伝導板３４、絶縁シート３０、グラファイトシート３２、封止部（モールド材）２３、マウントフィルム２４、及び半田ボール２５を備える。
【0013】
コントローラ１１は、半導体メモリ１２の動作を制御する集積回路である。コントローラ１１は、集積回路の１個のチップ上に、プロセッサコア、マイクロコントローラなどを集積している。プロセッサコア、マイクロコントローラなどは連携してＳｏＣとして機能する。
【0014】
半導体メモリ１２は、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリである。半導体メモリ１２は、ＮＡＮＤフラッシュメモリの他に、例えば、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、抵抗変化メモリ（ＲｅＲＡＭ：Resistive Random Access Memory）、相変化メモリ(ＰＣＭ: Phase-Change Memory)、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ:Ferroelectric Random Access Memory)、磁気トンネル接合（ＭＴＪ：Magneto Tunnel Junction）抵抗変化素子が適用可能である。
【0015】
ＲＡＭ１３は、揮発性メモリである。ＲＡＭ１３は、例えば、ＤＲＡＭである。ＲＡＭ１３は、半導体メモリ１２の管理情報を記憶する。ＲＡＭ１３は、例えば、データのキャッシュなどに用いられる。
【0016】
オシレータ（ＯＳＣ）１４は、所定周波数の動作信号をコントローラ１１に供給する。
【0017】
ＥＥＰＲＯＭ１５は、不揮発性メモリである。ＥＥＰＲＯＭ１５は、制御プログラム等を固定情報として記憶する。
【0018】
温度センサ１６は、半導体装置１内の温度を計測する。温度センサ１６は、計測した温度を、温度情報としてコントローラ１１に送信する。
【0019】
基板２１は、多層の配線基板である。基板２１は、第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側に位置した第２面２１ｂとを有する。基板２１は、電源層２８及びグランド層２９を有する。
【0020】
ボンディングワイヤ２２Ｍ、２２Ｃは、例えば、銅ワイヤ、銀ワイヤ、金ワイヤである。ボンディングワイヤ２２Ｍ、２２Ｃの太さは、例えば直径２０μｍ～５０μｍ程度である。
【0021】
絶縁フィルム１７は、柔軟性を備えた絶縁膜である。絶縁フィルム１７には、フィルムオンワイヤ（Film On Wire、ＦＯＷ）技術が適用される。このため、ボンディングワイヤ２２Ｃの一部を絶縁フィルム１７内に内蔵させることができる。絶縁フィルム１７の厚さは、例えば約５０μｍ程度である。絶縁フィルム１７の厚さは、ボンディングワイヤ２２Ｃの一部を埋め込むことができる厚さである。
【0022】
第１熱伝導板３４は、例えば、シリコン基板である。第１熱伝導板３４は、シリコン基板以外の熱伝導性の高い基板であっても良い。第１熱伝導板３４は、絶縁フィルム１７を介してコントローラ１１上に配置される。また、第１熱伝導板３４は、絶縁フィルム１７と絶縁シート３０との間に配置される。第１熱伝導板３４により、コントローラ１１から発生する熱をグラファイトシート３２に効率よく伝えることができる。
【0023】
絶縁シート３０は、例えば、アルミナシートである。絶縁シート３０は、グラファイトシート３２を保護する。絶縁シート３０は、グラファイトシート３２の帯電を防止する。
【0024】
グラファイトシート３２は、ヒートスプレッダとして使用される。グラファイトシート３２には、封止部（モールド材）２３を介して、半導体メモリ１２の熱が伝達される。また、グラファイトシート３２には、第１熱伝導板３４を介して、コントローラ１１の熱が伝達される。グラファイトシート３２は、熱伝導異方性を有する。グラファイトシート３２は、例えば、基板２１に平行な方向に熱伝導率が高い配向を有する。また、グラファイトシート３２は、基板２１に平行な方向及び基板２１に垂直な方向に熱伝導率が高い配向を有していても良い。グラファイトシート３２は導電性が高い。グラファイトシート３２は、例えば、電気的にフローティング状態になされている。また、グラファイトシート３２は接地電位になされていても良い。グラファイトシート３２は、第１熱伝導板３４上に配置される。グラファイトシート３２は、平面視で、第１熱伝導板３４及びコントローラ１１を覆うように配置されている。また、グラファイトシート３２は、平面視で、封止部（モールド材）２３を介して半導体メモリ１２を覆うように配置されている。グラファイトシート３２は、封止部２３よりも小さい。グラファイトシート３２は、基板２１よりも小さい。グラファイトシート３２と絶縁シート３０とは大きさが略等しい。
【0025】
封止部２３は、例えば、エポキシ系樹脂のようなモールド材である。封止部２３は、基板２１の第１面２１ａに設けられる。封止部２３は、半導体メモリ１２、コントローラ１１、第１熱伝導板３４、絶縁フィルム１７、グラファイトシート３２、絶縁シート３０、ボンディングワイヤ２２Ｍ、及びボンディングワイヤ２２Ｃを封止している。
【0026】
マウントフィルム２４は、接着フィルムである。マウントフィルム２４は、半導体メモリ１２やコントローラ１１を基板２１に固定するために用いられる。
【0027】
半田ボール２５は、接続部材である。半田ボール２５は、例えば、半田である。半田ボール２５は、例えば、球状である。半田ボール２５は、半導体装置１を外部に接続するために用いられる。半田ボール２５は基板２１の第２面２１ｂに設けられる。
【0028】
（半導体装置の構造）
次に、半導体装置１の構造について説明する。
次に、半導体装置１の構造について説明する。
【0029】
図４に示すように、半導体メモリ１２は、基板２１の第１面２１ａに載せられる。半導体メモリ１２は、マウントフィルム２４によって第１面２１ａに固定される。複数の半導体メモリ１２は、基板２１を介して、コントローラ１１に電気的に接続される。また、第１面２１ａにおいて、半導体メモリ１２とコントローラ１１とが並ぶ方向をＸ方向、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向とする。また、第１面２１ａと垂直な方向をＺ方向とする。
【0030】
尚、複数の半導体メモリ１２が、積層されていても良い。複数の半導体メモリ１２は、Ｘ方向にずらされてＺ方向に積層される。また、複数の半導体メモリ１２は、マウントフィルム２４によって固定される。また、複数の半導体メモリ１２は、ボンディングワイヤ２２Ｍによって基板２１に電気的に接続される。マウントフィルム２４にＦＯＷ技術を適用して、ボンディングワイヤ２２Ｍを内蔵させてもよい。以降、複数の半導体メモリ１２の内、最下層の半導体メモリを、特に半導体メモリ１２Ｚとする。半導体メモリ１２Ｚは、基板２１の第１面２１ａ上において、コントローラ１１と距離Ｘ１離れて配置されている。距離Ｘ１の値は、例えば、数ｍｍである。
【0031】
図６は、第１の実施の形態に係る半導体装置１の一部構成を除外して示した図である。第１の実施の形態においてコントローラ１１、ＲＡＭ１３、及び温度センサ１６は、半導体メモリ１２に隣接した領域Ａに実装される。
【0032】
コントローラ１１は、基板２１の第１面２１ａに載せられる。コントローラ１１は、例えば、マウントフィルム２４によって基板２１の第１面２１ａに固定される。また、コントローラ１１は、ボンディングワイヤ２２Ｃによって基板２１に電気的に接続される。
【0033】
ＲＡＭ１３は、基板２１の第１面２１ａに載せられる。尚、ＲＡＭ１３は、図示されないマウントフィルム２４によって第１面２１ａに固定される。ＲＡＭ１３は、ボンディングワイヤを介して基板２１に電気的に接続される。ＲＡＭ１３は、基板２１を介して、コントローラ１１に電気的に接続される。
【0034】
温度センサ１６は、基板２１の第１面２１ａに載せられる。温度センサ１６は、例えば、コントローラ１１の近傍に位置する。より具体的には、半導体メモリ１２Ｚ、コントローラ１１、及びＲＡＭ１３のうち、コントローラ１１の、温度センサ１６との距離が、最も短い。
【0035】
（グラファイトシート）
図７は、第１の実施の形態に係るグラファイトシートの構成図である。グラファイトシート３２は、グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎを含む。グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎは、グラファイトシート３２の積層構造を構成する。グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎは、１つの結晶構造の中に多数の六方晶系の共有結合を有する。隣接するグラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎ同士は、ファンデルワールス力によって結合している。グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎは、Ｚ軸の厚さ方向よりも結晶面方向（ＸＹ面上）に大きな熱伝導度（高い熱伝導率）を有する。
図７は、第１の実施の形態に係るグラファイトシートの構成図である。グラファイトシート３２は、グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎを含む。グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎは、グラファイトシート３２の積層構造を構成する。グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎは、１つの結晶構造の中に多数の六方晶系の共有結合を有する。隣接するグラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎ同士は、ファンデルワールス力によって結合している。グラフェンＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎは、Ｚ軸の厚さ方向よりも結晶面方向（ＸＹ面上）に大きな熱伝導度（高い熱伝導率）を有する。
【0036】
グラファイトシート３２として、第１のグラファイトシートＧＦ（ＸＹ）と第２のグラファイトシートＧＦ（ＸＺ）との２種類のグラファイトシートが用いられ得る。２種類のグラファイトシートは、配向が異なる。
【0037】
図８は、第１の実施の形態に係る第１のグラファイトシートＧＦ（ＸＹ）を例示する図である。第１のグラファイトシートＧＦ（ＸＹ）は、ＸＹ配向（第１の配向）を有する。第１のグラファイトシートＧＦ（ＸＹ）は、厚み方向の熱伝導率よりも面方向の熱伝導率が高い。第１のグラファイトシートＧＦ（ＸＹ）は、例えば、Ｘ＝１５００（Ｗ／ｍＫ）程度、Ｙ＝１５００（Ｗ／ｍＫ）程度、Ｚ＝５（Ｗ／ｍＫ）程度の熱伝導率を備える。
【0038】
図９は、第１の実施の形態に係る第２のグラファイトシートＧＦ（ＸＺ）を例示する図である。第２のグラファイトシートＧＦ（ＸＺ）は、ＸＺ配向（第２の配向）を有する。第２のグラファイトシートＧＦ（ＸＺ）は、面方向の熱伝導率よりも厚み方向の熱伝導率が高い。第２のグラファイトシートＧＦ（ＸＺ）は、例えば、Ｘ＝１５００（Ｗ／ｍＫ）程度、Ｙ＝５（Ｗ／ｍＫ）程度、Ｚ＝１５００（Ｗ／ｍＫ）程度の熱伝導率を備える。
【0039】
第１の実施の形態に係る半導体装置１は、コントローラ１１の熱を効率的にパッケージ外部へ逃がすことができる。第１の実施の形態によれば、半導体メモリ１２の温度上昇を緩和することができる。また、第１の実施の形態によれば、温度センサ１６がコントローラ１１の近傍に設けられているため、半導体装置１の温度検出の精度を向上することができる。また、第１の実施の形態に係る半導体装置１は、グラファイトシート３２を内蔵することで、半導体装置の内部を電磁遮蔽することができる。また、第１の実施の形態に係る半導体装置１は、グラファイトシート３２を内蔵することで、放熱性を向上できる。
【0040】
（第１の実施の形態の変形例）
図１０は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１の断面図である。図１１は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１の上面図である。図１０、及び図１１では、半導体装置１に備えられるオシレータ１４、ＥＥＰＲＯＭ１５を省略している。また、図１１では、半導体装置１の構成の中で、封止部（モールド材）２３を省略している。
図１０は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１の断面図である。図１１は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１の上面図である。図１０、及び図１１では、半導体装置１に備えられるオシレータ１４、ＥＥＰＲＯＭ１５を省略している。また、図１１では、半導体装置１の構成の中で、封止部（モールド材）２３を省略している。
【0041】
第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１は、基板２１（パッケージ基板）、コントローラ１１、半導体メモリ１２、ボンディングワイヤ２２Ｍ、２２Ｃ、第１熱伝導板３４、絶縁フィルム１７、グラファイトシート３２、絶縁シート３０、封止部（モールド材）２３、マウントフィルム２４、及び半田ボール２５を備える。
【0042】
図１２は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の一部構成を除外して示した図である。第１の実施の形態の変形例においてコントローラ１１、ＲＡＭ１３、及び温度センサ１６は、半導体メモリ１２に隣接した領域Ｂに実装される。複数のボンディングワイヤ２２Ｍは、最下の半導体メモリ１２Ｚの端部と基板２１とを電気的に接続する。複数のボンディングワイヤ２２Ｃは、コントローラ１１の周囲の端部と基板２１とを電気的に接続する。
【0043】
第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１は、コントローラ１１の熱を効率的にパッケージ外部へ逃がすことができる。第１の実施の形態の変形例によれば半導体メモリ１２の温度上昇を緩和することができる。また、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１は、グラファイトシート３２を内蔵することで、半導体装置１の内部を電磁遮蔽することができる。また、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置１は、グラファイトシート３２を内蔵することで、放熱性を向上できる。
【0044】
【0045】
第２の実施の形態に係る半導体装置１では、ボンディングワイヤ２２Ｍが、半導体メモリ１２と基板２１とを電気的に接続している。
【0046】
第２の実施の形態に係る半導体装置１は、基板２１（パッケージ基板）、コントローラ１１、半導体メモリ１２、ボンディングワイヤ２２Ｍ、２２Ｃ、第１熱伝導板３４、第２熱伝導板３６、絶縁フィルム１７、グラファイトシート３２、絶縁シート３０、封止部（モールド材）２３１、２３２、マウントフィルム２４、及び半田ボール２５を備える。
【0047】
第２熱伝導板３６は、グラファイトシート３２に伝導された熱を半導体装置１の外部に放散させるための熱伝導板である。第２熱伝導板３６は、例えばシリコン基板である。尚、第２熱伝導板３６は、シリコン基板以外の熱伝導性の高い基板であっても良い。第２熱伝導板３６は、グラファイトシート３２の上面に配置されている。
【0048】
封止部２３１は、例えば、エポキシ系樹脂のようなモールド材である。封止部２３１は、半導体メモリ１２、コントローラ１１、第１熱伝導板３４、絶縁フィルム１７、グラファイトシート３２、絶縁シート３０、ボンディングワイヤ２２Ｍ、及びボンディングワイヤ２２Ｃを封止している。
【0049】
封止部２３２は、例えば、エポキシ系樹脂のようなモールド材である。封止部２３２は、グラファイトシート３２と、第２熱伝導板３６とを封止している。
【0050】
図１４は、第２の実施の形態に係る半導体装置１の上面図である。図１４では、第１熱伝導板３４、第２熱伝導板３６、絶縁フィルム１７、グラファイトシート３２、絶縁シート３０、封止部（モールド材）２３１、２３２以外の構成を省略している。図１５は、第２の実施の形態に係る半導体装置１の一部構成を除外して示した上面図である。図１５では、封止部（モールド材）２３１、２３２を省略している。
【0051】
第１熱伝導板３４は、コントローラ１１の上に配置される。コントローラ１１には、絶縁フィルム１７が配置されている。第１熱伝導板３４は、ＲＡＭや温度センサの上方にも配置されていても良い。
【0052】
第２熱伝導板３６は、第１熱伝導板３４よりも大きい。第２熱伝導板３６の上面は、封止部２３２の外部に露出している。このため、第２熱伝導板３６を介して、熱を効率良く半導体装置１の外部に放散することができる。
【0053】
第２の実施の形態によれば、半導体装置１は、グラファイトシート３２を内蔵している。グラファイトシート３２の上には、第２熱伝導板３６が配置されている。半導体メモリ１２及びコントローラ１１の熱をグラファイトシート３２を介して第２熱伝導板３６に逃がすことができる。また、第２の実施の形態によれば、半導体装置１が第１熱伝導板３４と第２熱伝導板３６との間にグラファイトシート３２が挟まる構造を備えている。第２の実施の形態によれば、半導体メモリ１２及びコントローラ１１の放熱速度を向上できる。また、第２の実施の形態によれば、コントローラの熱を効率的にパッケージ外部へ逃がすことができる。第２の実施の形態によれば、半導体メモリの温度上昇を緩和することができる。また、第２の実施の形態によれば、グラファイトシートを内蔵することにより、半導体装置の内部を電磁遮蔽することができる。また、第２の実施の形態によれば、グラファイトシートを内蔵することにより、放熱性を向上できる。
（製造方法）
（製造方法）
【0054】
図１６Ａは、第２の実施の形態に係る半導体装置１の第１の断面図である。
（Ａ１）まず、図１６Ａに示すように、第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側に位置した第２面２１ｂと、を有した基板２１を形成する。基板２１は、多層の配線基板であり、電源層２８及びグランド層２９を有する。
（Ａ１）まず、図１６Ａに示すように、第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側に位置した第２面２１ｂと、を有した基板２１を形成する。基板２１は、多層の配線基板であり、電源層２８及びグランド層２９を有する。
【0055】
（Ａ２）次に、図１６Ａに示すように、第１面２１ａ側に半導体メモリ１２を形成する。半導体メモリ１２は多層化されている。最下層の半導体メモリ１２ＺとＸ方向に距離Ｘ１離して、半導体メモリ１２、１２Ｚを制御可能なコントローラ１１を形成する。
【0056】
（Ａ３）次に、図１６Ａに示すように、コントローラ１１の上面にボンディングワイヤ２２Ｃを形成する。また、半導体メモリ１２、１２Ｚの上面にボンディングワイヤ２２Ｍを形成する。
【0057】
【0058】
（Ｂ２）次に、図１６Ｂに示すように、コントローラ１１の上面に絶縁フィルム１７と第１熱伝導板３４との積層構造を配置する。第１熱伝導板３４は、コントローラ１１の上面に絶縁フィルム１７で接合される。尚、第１熱伝導板３４は、コントローラ１１の上面に、絶縁フィルム１７を介してフリップに配置してもよい。
【0059】
図１６Ｃは、第２の実施の形態に係る半導体装置１の第３の断面図である。
（Ｃ１）次に、図１６Ｃに示すように、コントローラ１１の上面に、絶縁フィルム１７を介して第１熱伝導板３４を形成する。コントローラ１１の上面のボンディングワイヤ２２Ｃは、ＦＯＷ技術により、その一部が、絶縁フィルム１７に内蔵される。
（Ｃ１）次に、図１６Ｃに示すように、コントローラ１１の上面に、絶縁フィルム１７を介して第１熱伝導板３４を形成する。コントローラ１１の上面のボンディングワイヤ２２Ｃは、ＦＯＷ技術により、その一部が、絶縁フィルム１７に内蔵される。
【0060】
（Ｃ２）次に、図１６Ｃに示すように、グラファイトシート３２の裏面に、絶縁シート３０が一体的に形成する。
【0061】
（Ｃ３）次に、図１６Ｃに示すように、第１熱伝導板３４の上に絶縁シート３０を介してグラファイトシート３２を形成する。
【0062】
（Ｃ４）次に、図１６Ｃに示すように、半導体メモリ１２及び１２Ｚ、コントローラ１１、ボンディングワイヤ２２Ｍ及び２２Ｃ、絶縁フィルム１７、第１熱伝導板３４、絶縁シート３０、グラファイトシート３２、を封止する封止部２３１を形成する。グラファイトシート３２の上面は、第１封止部２３１から露出させる。
【0063】
【0064】
（Ｅ１）次に、図１３に示すように、封止部２３１、グラファイトシート３２、第２熱伝導板３６、を封止する第２封止部２３２を形成する。第２熱伝導板３６の上面は、第２封止部２３２から露出させる。
【0065】
（Ｅ２）次に、図１３に示すように、第２面２１ｂ側に複数の半田ボール２５を形成する。
【0066】
（第２の実施の形態の変形例）
図１７は、第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置は、半導体メモリ１２に接続されるボンディングワイヤ２２Ｍの接続構造が異なる。その他の構成は第２の実施の形態に係る半導体装置と同様である。図１７では、半導体装置１に備えられるオシレータ１４、ＥＥＰＲＯＭ１５、ＲＡＭ１３、温度センサ１６を省略している。以下、第２の実施の形態と異なる構成について説明する。
図１７は、第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置は、半導体メモリ１２に接続されるボンディングワイヤ２２Ｍの接続構造が異なる。その他の構成は第２の実施の形態に係る半導体装置と同様である。図１７では、半導体装置１に備えられるオシレータ１４、ＥＥＰＲＯＭ１５、ＲＡＭ１３、温度センサ１６を省略している。以下、第２の実施の形態と異なる構成について説明する。
【0067】
第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置においては、ボンディングワイヤ２２Ｍは、複数の半導体メモリ１２を接続している。また、ボンディングワイヤ２２Ｍは、最下層の半導体メモリ１２Ｚと基板２１とを電気的に接続している。
【0068】
第２の実施の形態に係る半導体装置１は、基板２１（パッケージ基板）、コントローラ１１、半導体メモリ１２、ボンディングワイヤ２２Ｍ、２２Ｃ、第１熱伝導板３４、第２熱伝導板３６、絶縁フィルム１７、グラファイトシート３２、絶縁シート３０、封止部（モールド材）２３１、２３２、マウントフィルム２４、及び半田ボール２５を備える。
【0069】
第２の実施の形態の変形例によれば、半導体装置１は、グラファイトシート３２を内蔵している。グラファイトシート３２の上には、第２熱伝導板３６が配置されている。半導体メモリ１２及びコントローラ１１の熱をグラファイトシート３２を介して第２熱伝導板３６に逃がすことができる。また、第２の実施の形態の変形例によれば、半導体装置１が第１熱伝導板３４と第２熱伝導板３６との間にグラファイトシート３２が挟まる構造を備えている。第２の実施の形態の変形例によれば、半導体メモリ１２及びコントローラ１１の放熱速度を向上できる。また、第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置によれば、コントローラの熱を効率的にパッケージ外部へ逃がすことができる。第２の実施の形態の変形例によれば、半導体メモリの温度上昇を緩和することができる。また、第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置によれば、グラファイトシートを内蔵することにより、半導体装置１の内部を遮蔽することができる。また、第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、グラファイトシートを内蔵することにより、放熱性を向上できる。
【0070】
【0071】
第３の実施の形態に係る半導体装置１によれば、第１熱伝導板３４の熱を半導体装置１の外部に逃がすことができる。第３の実施の形態に係る半導体装置１では、コントローラ１１の上部に絶縁フィルム１７を介して第１熱伝導板３４が配置されている。第１熱伝導板３４の上面は、封止部２３１から、露出している。
【0072】
第３の実施の形態に係る半導体装置１によれば、半導体装置１の内部に熱がこもることを防ぐことができる。コントローラ１１の上に熱を吸収するため第１熱伝導板３４が配置されている。第１熱伝導板３４の上面は、封止部２３１から露出している。すなわち、コントローラ１１の熱を半導体装置１の外部へ逃がす経路が設けられている。
【0073】
（第４の実施の形態）
図２０は、第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
図２０は、第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【0074】
第４の実施の形態に係る半導体装置では、コントローラ１１の上部に絶縁フィルム１７を介して第１熱伝導板３４が配置されている。更に、第１熱伝導板３４の上面と基板２１との間にボンディングワイヤ２２Ｔが接続されている。コントローラ１１の上に第１熱伝導板３４が積層されている。
【0075】
ボンディングワイヤ２２Ｔは、熱伝導用のワイヤである。ボンディングワイヤ２２Ｔは、例えば、銅ワイヤ、銀ワイヤや金ワイヤ線である。ボンディングワイヤ２２Ｔの太さは、例えば直径２０μｍ～５０μｍ程度である。ボンディングワイヤ２２Ｔによって、コントローラ１１から発生した熱を基板２１及び半田ボール２５側に逃がすことができる。熱伝導率を高めるために、ボンディングワイヤ２２Ｔの本数を増やしても良い。
【0076】
第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、コントローラの熱を効率的にパッケージ外部へ逃がすことができる。第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、半導体メモリの温度の上昇を緩和することができる。
【0077】
（比較例）
ＳＳＤは、ＳｏＣ（System-on-a-chip）とＮＡＮＤが1つのパッケージ内に搭載されている。このため、ＮＡＮＤがＳｏＣの発熱の影響を受けやすい。ＮＡＮＤとＳｏＣを熱的に遮断する技術には、ＰｏＰ（Package on Package）やサーマルビア（ＴＭＶ：Thermal Via）が知られている。ＰｏＰは、ＩＣパッケージの上にＩＣや部品を積層実装させる技術である。ＴＭＶは、基板を利用した表面実装部品の放熱効果を向上させる技術である。ＴＭＶは、構造的には、基板に貫通穴を設け、基板表面と裏面の銅箔をつないで、放熱に利用する面積と体積を増やす、つまり熱抵抗を下げる手法である。
ＳＳＤは、ＳｏＣ（System-on-a-chip）とＮＡＮＤが1つのパッケージ内に搭載されている。このため、ＮＡＮＤがＳｏＣの発熱の影響を受けやすい。ＮＡＮＤとＳｏＣを熱的に遮断する技術には、ＰｏＰ（Package on Package）やサーマルビア（ＴＭＶ：Thermal Via）が知られている。ＰｏＰは、ＩＣパッケージの上にＩＣや部品を積層実装させる技術である。ＴＭＶは、基板を利用した表面実装部品の放熱効果を向上させる技術である。ＴＭＶは、構造的には、基板に貫通穴を設け、基板表面と裏面の銅箔をつないで、放熱に利用する面積と体積を増やす、つまり熱抵抗を下げる手法である。
【0078】
実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。例えば、上記各実施例においてコントローラと基板の間は、ボンディングワイヤによる接合を行ったが、これに代えてフリップチップによる接合としてもよい。フリップチップは、ワイヤを介することなく、チップ表面に設けたバンプと下地基板とを直接接合する。このフリップチップ接合により、コントローラ厚を薄くでき、その分、熱伝導板の厚膜化して放熱性をさらに向上させることが可能となる。
【符号の説明】
【0079】
１…半導体装置
２…電子機器
３…筐体
４…回路基板（メインボード）
５…ホストコントローラ（ＣＰＵ）
６…信号ライン
７…電源回路
８、８ａ、８ｂ…電源ライン
１１…コントローラ
１２、１２Ｚ…半導体メモリ（ＮＡＮＤ）
１３…ＲＡＭ
１４…オシレータ（ＯＳＣ）
１５…ＥＥＰＲＯＭ
１６…温度センサ
１７…絶縁フィルム（ＦＯＷ）
２１…基板
２１ａ…第１面
２１ｂ…第２面
２２Ｍ、２２Ｃ、２２Ｔ…ボンディングワイヤ
２３、２３１、２３２…封止部（モールド材）
２４…マウントフィルム
２５…半田ボール
２８…電源層
２９…グランド層
３０…絶縁シート
３２…グラファイトシート
３４…第１熱伝導板
３６…第２熱伝導板
ＧＦ（ＸＹ）…第１のグラファイトシート
ＧＦ（ＸＺ）…第２のグラファイトシート
ＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎ…グラフェン
Ｘ１…Ｘ方向の距離
２…電子機器
３…筐体
４…回路基板（メインボード）
５…ホストコントローラ（ＣＰＵ）
６…信号ライン
７…電源回路
８、８ａ、８ｂ…電源ライン
１１…コントローラ
１２、１２Ｚ…半導体メモリ（ＮＡＮＤ）
１３…ＲＡＭ
１４…オシレータ（ＯＳＣ）
１５…ＥＥＰＲＯＭ
１６…温度センサ
１７…絶縁フィルム（ＦＯＷ）
２１…基板
２１ａ…第１面
２１ｂ…第２面
２２Ｍ、２２Ｃ、２２Ｔ…ボンディングワイヤ
２３、２３１、２３２…封止部（モールド材）
２４…マウントフィルム
２５…半田ボール
２８…電源層
２９…グランド層
３０…絶縁シート
３２…グラファイトシート
３４…第１熱伝導板
３６…第２熱伝導板
ＧＦ（ＸＹ）…第１のグラファイトシート
ＧＦ（ＸＺ）…第２のグラファイトシート
ＧＦ１、ＧＦ２、ＧＦ３、…、ＧＦｎ…グラフェン
Ｘ１…Ｘ方向の距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】