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特開2022-58237光デバイスのリフト方法及びその装置、光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法、並びにディスプレイの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022058237
(43)【公開日】2022-04-11
(54)【発明の名称】光デバイスのリフト方法及びその装置、光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法、並びにディスプレイの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/48 20100101AFI20220404BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20220404BHJP
H01S 5/02375 20210101ALI20220404BHJP
H01L 31/18 20060101ALI20220404BHJP
【ＦＩ】
H01L33/48
G09F9/00 338
H01S5/02375
H01L31/04 460
【審査請求】未請求
【請求項の数】25
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021156889
(22)【出願日】2021-09-27
(31)【優先権主張番号】P 2020165877
(32)【優先日】2020-09-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002060
【氏名又は名称】信越化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100102532
【弁理士】
【氏名又は名称】好宮 幹夫
(74)【代理人】
【識別番号】100194881
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 俊弘
(74)【代理人】
【識別番号】100215142
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 徹
(72)【発明者】
【氏名】山岡 裕
(72)【発明者】
【氏名】植森 信隆
(72)【発明者】
【氏名】仲田 悟基
(72)【発明者】
【氏名】齋藤 剛
(72)【発明者】
【氏名】小沢 周作
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 伸一
(72)【発明者】
【氏名】倉田 昌実
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 正彦
(72)【発明者】
【氏名】阿部 司
(72)【発明者】
【氏名】野口 毅
(72)【発明者】
【氏名】宇佐美 健人
【テーマコード（参考）】
5F142
5F151
5F173
5G435
【Ｆターム（参考）】
5F142AA51
5F142CB14
5F142FA32
5F142GA02
5F151CB28
5F151CB30
5F151GA03
5F173MD64
5F173MD73
5G435AA17
5G435BB04
5G435CC09
5G435EE50
5G435HH18
5G435HH20
5G435KK05
5G435KK10
(57)【要約】
【課題】ディスプレイの画素ピッチがサファイア基板上に配列された光デバイスのピッチの整数倍でない場合におけるキャリア基板への移載方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に形成された光デバイス（２）の配列ピッチ（３、４）と、キャリア基板（６）上への移載予定の光デバイスの配列ピッチ（５、７）から、ドナー基板とレセプター基板の移動速度の比を決定し、当該ドナー基板の移動に同期してリフト（レーザ転写）することで、サファイア基板上の光デバイスをディスプレイの画素ピッチと同じ配列ピッチにてキャリア基板へ移載する。
【選択図】図４
【解決手段】サファイア基板上に形成された光デバイス（２）の配列ピッチ（３、４）と、キャリア基板（６）上への移載予定の光デバイスの配列ピッチ（５、７）から、ドナー基板とレセプター基板の移動速度の比を決定し、当該ドナー基板の移動に同期してリフト（レーザ転写）することで、サファイア基板上の光デバイスをディスプレイの画素ピッチと同じ配列ピッチにてキャリア基板へ移載する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトする方法であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
【請求項2】
前記配列ピッチＤは、Ｘ方向の配列ピッチＤＸと、Ｙ方向の配列ピッチＤＹで構成され
前記配列ピッチＲは、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、
前記速度比ＶＲは、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、
速度比ＶＲＹでリフトした後に、キャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする工程と、
を更に含む、請求項１に記載のリフト方法。
前記配列ピッチＲは、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、
前記速度比ＶＲは、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、
速度比ＶＲＹでリフトした後に、キャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする工程と、
を更に含む、請求項１に記載のリフト方法。
【請求項3】
前記レーザ光の照射はフォトマスクを用いた縮小投影であり、当該フォトマスクは、Ｙ方向に光デバイス略１個分、Ｘ方向に配列ピッチＤＸで光デバイス２個以上に対応する開口である第1開口部と、Ｘ方向に光デバイス略１個分、Ｙ方向に配列ピッチＲＹで光デバイス２個以上に対応する開口である第２開口部と、
を有し、
速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える工程と、
を更に含む、請求項２に記載のリフト方法
を有し、
速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える工程と、
を更に含む、請求項２に記載のリフト方法
【請求項4】
前記フォトマスクの開口部は、個々の光デバイスに略光デバイスの形状で照射される開口群である、請求項３に記載のリフト方法。
【請求項5】
ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするリフト装置であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第１処理部と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第１処理部と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
【請求項6】
ドナー基板であるサファイア基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
【請求項7】
ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトするリフト方法。
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトするリフト方法。
【請求項8】
前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である請求項７に記載のリフト方法。
【請求項9】
前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である請求項７に記載のリフト方法。
【請求項10】
前記間隙は、１０～２００μｍである請求項７～９いずれか一項に記載のリフト方法。
【請求項11】
前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする請求項７～１０いずれか一項に記載のリフト方法。
【請求項12】
前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである請求項７～１１いずれか一項に記載のリフト方法。
【請求項13】
前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである請求項７～１１いずれか一項に記載のリフト方法。
【請求項14】
ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項15】
前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である請求項１４に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項16】
前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である請求項１４に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項17】
前記間隙は、１０～２００μｍである請求項１４～１６いずれか一項に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項18】
前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする請求項１４～１７いずれか一項に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項19】
前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである請求項１４～１８いずれか一項に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項20】
前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである請求項１４～１８いずれか一項に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
【請求項21】
請求項１４～１９いずれか一項に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法により得られたレセプター基板上の光デバイスを他の基板に実装するディスプレイの製造方法。
【請求項22】
前記実装はスタンプ方式による実装である請求項２１に記載のディスプレイの製造方法。
【請求項23】
ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する工程と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと、レセプター基板上へリフトにより移載予定の前記光デバイスの配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する工程と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと、レセプター基板上へリフトにより移載予定の前記光デバイスの配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
【請求項24】
ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト装置であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤとレセプター基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置。
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤとレセプター基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置。
【請求項25】
ドナー基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
マイクロＬＥＤの実装工程に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、窒化物半導体の光デバイスが液晶ディスプレイのバックライトや、サイネージ用ディスプレイとして使われるようになっている。これらの用途では、一度に大量の光デバイスを使用するため、高速な移載技術が求められている。高速な移載技術としては、一般にスタンプ方式による一括移載が行われており、一度に１０００～数万個程度の移載ができるようになってきている。
【0003】
光デバイスは、サファイア基板上に半導体プロセスにより大量に作製され、マイクロＬＥＤと呼ばれる１００μｍ角以下のＬＥＤは４インチ基板で数百万個になる。数十μｍの微小なデバイスであるマイクロＬＥＤはエピ基板であるサファイア基板から分離して利用される。サファイア基板上に配列されている光デバイスにサポート基板を張り合わせ、レーザーリフトオフによりサファイア基板から分離することが一般的である。
【0004】
サポート基板またはサポート基板から光デバイスを移載した基板をキャリア基板とし、特殊なスタンプにより、光デバイスを、キャリア基板から、ディスプレイの画素ピッチに応じた間隔でピックアップし、バックプレーン基板へ実装する。よってサファイア基板上の光デバイスのピッチはディスプレイの画素ピッチの１／Ｎ 倍である必要がある。ここでＮは正の整数である。
【0005】
特許文献１には、窒化物半導体のサファイア基板からのレーザーリフトオフについて記載されている。特許文献２及び特許文献３は、異なる方式のスタンプによる高速実装を提案している。特許文献４には、ドナー基板からレセプター基板にリフトするリフト装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特表２００７－５０６４４５号公報
【特許文献2】特開２０２０－１２９６３８号公報
【特許文献3】特開２０１８－１６３９００号公報
【特許文献4】特開２０２０－００４４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながらディスプレイの画素ピッチは、ディスプレイサイズや、４Ｋ、８Ｋなどの解像度により多様であり、画素ピッチに対応したサファイア基板上の光デバイスのピッチを用意することは光デバイスの大量生産を妨げコスト高となってしまう。このことは、レーザダイオードやフォトダイオード素子を用いたパネル型デバイスにも共通する課題である。
【0008】
本発明は、上記の問題点である、ディスプレイ等の画素ピッチが光デバイスのピッチの正の整数倍を満たさない場合における課題を解決する方法である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明に係る第１の発明は、ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフト（ＬＩＦＴ：Laser Induced Forward Transfer）する方法であって、サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる工程と、スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、を含むリフト方法である。ここで、「光デバイス」には、上記各工程を利用できる限りにおいて、レーザダイオードやフォトダイオードが含まれる。
【0010】
第２の発明は、第１の発明において、前記配列ピッチＤが、Ｘ方向の配列ピッチＤＸと、Ｙ方向の配列ピッチＤＹで構成され、前記配列ピッチＲが、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、前記速度比ＶＲが、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと、配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、速度比ＶＲＹでサファイア基板上の光デバイスをキャリア基板にリフトした後に、そのキャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする工程とを更に含むリフト方法である。
【0011】
第３の発明は、第２の発明において、前記レーザ光の照射がフォトマスクを用いた縮小投影であり、当該フォトマスクは、Ｙ方向に光デバイス略1個分、Ｘ方向に配列ピッチＤＸで光デバイス２個以上に対応する開口である第1開口部と、Ｘ方向に光デバイス略1個分、Ｙ方向に配列ピッチＲＹで光デバイス２個以上に対応する開口である第２開口部とを有し、速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える工程とを更に含むリフト方法である。
【0012】
第４の発明は、前記フォトマスクの開口部が、個々の光デバイスに略光デバイスの形状で照射される開口群である、第３の発明におけるリフト方法である。
【0013】
第５の発明は、ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするリフト装置であって、サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第1処理部と、キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置とを有するリフト装置である。
【0014】
第６の発明は、ドナー基板であるサファイア基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程とを含み、前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、前記接着層は、硬度２０～５０（ＪＩＳ タイプＡ）、厚さは５μｍ以上、前記所定の値は、１０～２００μｍの各範囲にあるリフト方法である。
【発明の効果】
【0015】
これにより、ディスプレイの画素ピッチが光デバイスのピッチの整数倍を満たさない場合でもスタンプ方式を用いた高速実装を行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】ドナー基板であるサファイア基板上のマイクロＬＥＤの配列の図である。
【図2】フォトマスクパターンの1例である。
【図3】4インチΦサファイア基板へのレーザ照射例である。
【図4】Ｙ方向のリフト後のマイクロＬＥＤの配列の図である。
【図5】Ｘ方向のリフト前後のマイクロＬＥＤの配列の図である。
【図6】ＲＧＢが実装された第２キャリア基板の図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されない。尚、以下の全ての図面においては、各構成要素を図面上で認識し易くするため、各構成要素の寸法及び比率を実際のものとは適宜に異ならせている。
【0018】
本実施の形態では光デバイスは、ＧａＮ（窒化ガリウム）系半導体のＬＥＤ（発光ダイオード）であるとして説明する。ＬＥＤの製造会社は、サファイア基板上に多数のＬＥＤを形成し、１００μｍ以下のマイクロＬＥＤの場合は、サファイア基板のまま、またはレーザーリフトオフで移載したキャリア基板を、ＬＥＤを使ったディスプレイを製作している会社（以下、ＬＥＤディスプレイメーカ）に供給している。
【0019】
ここではサファイア基板からの処理について説明する。
４インチのサファイア基板の場合、基板上に数百万個のマイクロＬＥＤが形成されている。図１は、サファイア基板上（１）に形成されたマイクロＬＥＤ（２）の配列の図である。ＬＥＤサイズは、２０×４０μｍ（Ｘ×Ｙ）、Ｘ方向の配列ピッチ（３）は、３０μｍ、Ｙ方向の配列ピッチ（４）は６０μｍとなっている。
４インチのサファイア基板の場合、基板上に数百万個のマイクロＬＥＤが形成されている。図１は、サファイア基板上（１）に形成されたマイクロＬＥＤ（２）の配列の図である。ＬＥＤサイズは、２０×４０μｍ（Ｘ×Ｙ）、Ｘ方向の配列ピッチ（３）は、３０μｍ、Ｙ方向の配列ピッチ（４）は６０μｍとなっている。
【0020】
本サファイア基板は、本実施の形態にかかるリフト方法で対象とする光デバイスを形成した基板の一例である。サファイア基板の背面はレーザが透過するように研磨されており、ＬＥＤが形成されている表面は高輝度化のために凹凸加工がされている。
【0021】
次表１にディスプレイの種類と画素ピッチの関係を記す。２１インチディスプレイの場合は、画素ピッチが前記サファイア基板の配列ピッチの正の整数倍となるため、通常のレーザーリフトオフを行うだけでスタンプに好適なキャリア基板が作製でき、スタンプを用いた高速実装が可能である。
【0022】
【表1】
【0023】
ここでは１００インチディプレイ（４Ｋ、８Ｋ）用のキャリア基板を作製する方法を説明する。
【0024】
表１のように１００インチディスプレイの画素ピッチは、４Ｋ（３８４０×２１６０画素）で０．５７７ｍｍ、８Ｋ（７６８０×４３２０画素）で０．２８８ｍｍとなっており、前記配列ピッチ３０μｍ、配列ピッチ６０μｍの整数倍ではない。整数になるターゲット配列ピッチとして７２．１μｍを選択する。前記画素ピッチは４Ｋでターゲット配列ピッチの８倍、８Ｋでターゲット配列ピッチの４倍となる。
【0025】
次にリフト装置を用いたターゲット配列ピッチのキャリア基板作製について説明する。リフト装置は特許文献４に記載のリフト装置を用いる。サファイア基板は、リフト装置のドナー基板としてドナーステージにマイクロＬＥＤが形成された面を下向きにて吸着され、接着層を有するキャリア基板は、リフト装置のレセプター基板としてレセプターステージに、サファイア基板に対向するように吸着される。
【0026】
各基板をステージに搬送するロボットの位置決め精度が十分であれば、予め入力されている２つ以上のアライメントマークの座標を高倍率カメラ位置に移動させ、画像処理にてアライメントマークを認識、カメラ中心からのズレ量を算出し、ステージにフィードバックすることで高精度アライメントを行う。搬送系の精度が不十分の場合は低倍率カメラを使ってアライメントを行うか位置決めセンサにて粗調整を行う必要がある。
【0027】
アライメント後、基板間の間隙をレセプターステージのＺ軸で調整する。マイクロＬＥＤから接着層までの間隙である所定の値は、ハイトセンサで測った各基板位置と、サファイア基板の厚さ、マイクロＬＥＤの厚さ、キャリア基板の厚さ、接着層の厚さ等に基づき設定される。前記所定の値は、１０～２００μｍが好適であり、５０～１５０μｍがより好適である。間隙が１０μｍより狭いと基板の撓みで接触する恐れがあり、２００μｍより広いと移載した際のマイクロＬＥＤの着座位置精度が低下するためである。
【0028】
素子損傷及び着座位置精度においては、マイクロＬＥＤ飛しょう時の空気抵抗に関連し、ドナー基板とレセプター基板の間の気体の密度も重要である。次表２に代表的な気体の密度の一覧を示す。
【0029】
【表2】
【0030】
ヘリウムのように密度の低い気体では飛しょう速度の適切な低下が得られず欠け割れなど素子損傷を起こす。気体密度が高すぎると気体による抵抗が大きく僅かな非対称性で着座位置精度が悪くなる。飛しょう距離である前記所定の値１０～２００μｍにおいては、気体密度は１～２ｋｇ／ｍ３が好適である。
【0031】
サファイア基板とキャリア基板のステージスキャンの速度比は、前記サファイア基板の配列ピッチと１００インチディスプレイ用のキャリア基板のターゲット配列ピッチの比となる。サファイア基板のステージ速度を基準として２００ｍｍ／ｓに設定すると、キャリア基板のステージ速度は、Ｘ方向で２．４０３３３３３３３倍の４８０．６６６６６７ｍｍ／ｓ、Ｙ方向で１．２０１６６６６６７倍の２４０．３３３３３３ｍｍ／ｓとなる。
【0032】
フォトマスクは、５インチ角の石英ガラス基板にクロムが１００～２００ｎｍ蒸着されたクロムマスクを用い、図１のＸ方向に５００個のマイクロＬＥＤの配列及びサイズに対応する開口を有するパターンと、図４のＹ方向に２００個のマイクロＬＥＤの配列及びサイズに対応する開口を有するパターンが作製されている。
【0033】
マスクパターンについて図２で説明する。図２の黒部は遮光するクロム面、白部はレーザが透過する開口である。１／５の投影光学系のためマスク面では投影面フィールドサイズの５倍となる。よって１ＬＥＤあたりの開口は１００μｍ×２００μｍ、ピッチは１５０μｍで、５００個の開口群の長さは７４．９５ｍｍとなる。キャリア基板の接着層がレーザ照射によるダメージがない場合は、７５０００μｍ×２５０μｍ等の長方形の開口でも良い。
【0034】
フォトマスク座標系とステージ座標系を合わせるアライメントはマスク交換時に行う。高精度な加工が必要な場合は同一マスク内のパターン切替時にもマスクアライメントを行う。マスクアライメントの方法は装置構成により異なり、マスクに形成されているアライメントマークを高倍率カメラにて観察しアライメントを行う方法と、ステージに設置したプロファイラにてマスク投影イメージを観察しアライメントを行う方法がある。
【0035】
マスクの光軸に対するΘズレ、すなわち基板ステージのスキャン軸に対するマスクのΘズレがあった場合はマスクステージで合わせる必要があるが、光軸に対して垂直な面内、ＸＹ方向のズレに関してはマスクステージでアライメントしても良いし、基板ステージ側で補正値を持つことでマスクアライメントとしてもよい。
【0036】
実際のリフト動作について説明する。ドナー基板は、前記４インチΦサファイア基板を用いる。レセプター基板は、６インチΦ石英基板であり、表面には接着性のある硬度３０、厚さ２０μｍ接着層を設けている。接着層は、硬すぎるとマイクロＬＥＤが割れる等の損傷が生じ、柔らかすぎると跳ねてしまい着座しない、または接着層に埋まってしまうなど問題があるため、硬度は２０～５０（ＪＩＳ タイプＡ）で、レセプター基板の種類に影響され難く、接着層の材料の特性が主になる厚さ５μｍ以上が望ましい。この硬度は２５～４０であることがより好適である。また、接着層の厚さは１００μｍ以下であることが好ましく、１０～５０μｍであることがより好ましい。
【0037】
最初に図１においてＹ方向でリフトを行う。フォトマスクは図１のＸ方向に５００個のマイクロＬＥＤの配列及びサイズに対応する開口を有するパターンを設定する。ドナーステージとレセプターステージの等速領域の速度として、２００ｍｍ／ｓと２４０．３３３３３３ｍｍ／ｓを設定する。
【0038】
図３を用い４インチΦ基板に照射方法を説明する。約１５ｍｍのマスクパターンを投影によるスキャン照射を７回行うことで全面を照射する。ハッチングしているエリアが照射エリアであり、マイクロＬＥＤの実装位置のみに照射を行う。
【0039】
仮にドナー基板である４インチΦ基板の照射開始位置（Ｘ，Ｙ）が（０，－１０．０）の場合、レセプター基板である６インチΦ基板の照射開始位置は（０，―１２．０１６６６６７）となる。この開始位置で前記設定された等速度になっているように加速距離を設けており、照射エリアは全て等速であり、ステージ座標基準でパルスレーザにトリガを入れてマイクロＬＥＤの実装されている座標のみに照射を行っている。
【0040】
ＧａＮ系マイクロＬＥＤのサファイア基板からのリフトは、エピ基板のため高いエネルギー密度が必要で０．５～２Ｊ／ｃｍ２である。
【0041】
リフトの結果の配列の一部を図４に示す。マイクロＬＥＤは、６インチΦ基板上にＹ方向に配列ピッチ（５）が広がった縦長の楕円状に配列している。
【0042】
次に図４のＸ方向のリフトを行う。レセプターステージから外された６インチΦ石英基板（第１キャリア基板（６））を図４ＸＹ面内で９０度回転させてドナー基板として吸着する。レセプター基板には、ブランクの６インチΦ石英基板を第２キャリア基板（８）として吸着する。
【0043】
フォトマスクは、図４のＹ方向に２００個のマイクロＬＥＤの配列及びサイズに対応する開口を有するパターンに切り替える。ドナー基板、レセプター基板とフォトマスクのアライメントは前記と同様である。
【0044】
ドナーステージとレセプターステージの等速領域の速度として、２００ｍｍ／ｓと４８０．６６６６６７ｍｍ／ｓを設定する。照射方法については前記と同様である。スキャン照射を９回行い、全面を照射する。仮にドナー基板の照射開始位置（Ｘ，Ｙ）が（０，－１０．０）の場合、レセプター基板の照射開始位置は（０，―２４．０３３３３３３）となる。１回目のＹ方向のリフト結果の座標に基づき、前記と同様のスキャン照射を行うことで図５に示すようにＸＹ方向に配列ピッチを調整したリフトの結果を得ることができる。
【0045】
ここまで図１のＹ方向の配列ピッチを調整してからＸ方向の配列を調整する順番で説明したがＸ方向を調整してからＹ方向を調整しても良い。
【0046】
単色のマイクロＬＥＤのキャリア基板作製方法を説明したが、ＲＧＢ夫々のマイクロＬＥＤを続けてリフトし、ＲＧＢが並んだ第２キャリア基板を作製してもよい。ＲＧＢ３色全てＧａＮ系であれば前記工程でＲＧＢ夫々に第１キャリア基板を作製し、第２キャリア基板に対し、ＲＧＢをずらしながらリフトすることで作製することができる。図６にＲＧＢを実装した第２キャリア基板の例を示す。Ｒ（赤）がＧａＡｓ系の場合は、予めサファイア基板または石英ガラス基板に、電極が表面になる向きで移載をしておく必要があるが、同様の手順でＲＧＢが並んだ第２キャリア基板を作製することができる。この場合、サファイア基板または石英ガラス基板は、化合物半導体のエピ基板ではないためリフトする際のエネルギー密度は低くても良く、０．２～１.５Ｊ／ｃｍ２である。
【0047】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、一方で本発明について異なる視点から表現すると下記（１）～（２５）のようになる。
（１） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトする方法であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
（２） 前記配列ピッチＤは、Ｘ方向の配列ピッチＤＸと、Ｙ方向の配列ピッチＤＹで構成され
前記配列ピッチＲは、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、
前記速度比ＶＲは、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、
速度比ＶＲＹでリフトした後に、キャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする工程と、
を更に含む、（１）に記載のリフト方法。
（３） 前記レーザ光の照射はフォトマスクを用いた縮小投影であり、当該フォトマスクは、Ｙ方向に光デバイス略１個分、Ｘ方向に配列ピッチＤＸで光デバイス２個以上に対応する開口である第1開口部と、Ｘ方向に光デバイス略１個分、Ｙ方向に配列ピッチＲＹで光デバイス２個以上に対応する開口である第２開口部と、
を有し、
速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える工程と、
を更に含む、（２）に記載のリフト方法
（４） 前記フォトマスクの開口部は、個々の光デバイスに略光デバイスの形状で照射される開口群である、（３）に記載のリフト方法。
（５） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするリフト装置であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第１処理部と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（６） ドナー基板であるサファイア基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
（７） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトするリフト方法。
（８） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（７）に記載のリフト方法。
（９） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（７）に記載のリフト方法。
（１０） 前記間隙は、１０～２００μｍである（７）～（９）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１１） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（７）～（１０）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１２） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（７）～（１１）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１３） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（７）～（１１）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１５） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１６） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１７） 前記間隙は、１０～２００μｍである（１４）～（１６）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１８） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（１４）～（１７）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１９） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（１４）～（１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（２０） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（１４）～（１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（２１） （１４）～（１９）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法により得られたレセプター基板上の光デバイスを他の基板に実装するディスプレイの製造方法。
（２２） 前記実装はスタンプ方式による実装である（２１）に記載のディスプレイの製造方法。
（２３） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する工程と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと、レセプター基板上へリフトにより移載予定の前記光デバイスの配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
（２４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト装置であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤとレセプター基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（２５） ドナー基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
（１） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトする方法であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
（２） 前記配列ピッチＤは、Ｘ方向の配列ピッチＤＸと、Ｙ方向の配列ピッチＤＹで構成され
前記配列ピッチＲは、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、
前記速度比ＶＲは、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、
速度比ＶＲＹでリフトした後に、キャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする工程と、
を更に含む、（１）に記載のリフト方法。
（３） 前記レーザ光の照射はフォトマスクを用いた縮小投影であり、当該フォトマスクは、Ｙ方向に光デバイス略１個分、Ｘ方向に配列ピッチＤＸで光デバイス２個以上に対応する開口である第1開口部と、Ｘ方向に光デバイス略１個分、Ｙ方向に配列ピッチＲＹで光デバイス２個以上に対応する開口である第２開口部と、
を有し、
速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える工程と、
を更に含む、（２）に記載のリフト方法
（４） 前記フォトマスクの開口部は、個々の光デバイスに略光デバイスの形状で照射される開口群である、（３）に記載のリフト方法。
（５） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするリフト装置であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第１処理部と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（６） ドナー基板であるサファイア基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する工程と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
（７） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトするリフト方法。
（８） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（７）に記載のリフト方法。
（９） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（７）に記載のリフト方法。
（１０） 前記間隙は、１０～２００μｍである（７）～（９）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１１） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（７）～（１０）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１２） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（７）～（１１）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１３） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（７）～（１１）いずれか一つに記載のリフト方法。
（１４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１５） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１６） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１７） 前記間隙は、１０～２００μｍである（１４）～（１６）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１８） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（１４）～（１７）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（１９） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（１４）～（１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（２０） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（１４）～（１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法。
（２１） （１４）～（１９）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造方法により得られたレセプター基板上の光デバイスを他の基板に実装するディスプレイの製造方法。
（２２） 前記実装はスタンプ方式による実装である（２１）に記載のディスプレイの製造方法。
（２３） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する工程と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
配列ピッチＤと、レセプター基板上へリフトにより移載予定の前記光デバイスの配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する工程と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する工程と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる工程と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする工程と、
を含むリフト方法。
（２４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト装置であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤとレセプター基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（２５） ドナー基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトする方法であって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する工程と、
ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する工程と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフト方法。
【0048】
また、本発明について更に別の視点から表現すると下記（Ｕ１）～（Ｕ１５）のようになる。
（Ｕ１） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするシステムであって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する機構と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する機構と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する機構と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる機構と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする機構と、
を含むリフトシステム。
（Ｕ２） 前記配列ピッチＤは、Ｘ方向の配列ピッチＤＸと、Ｙ方向の配列ピッチＤＹで構成され
前記配列ピッチＲは、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、
前記速度比ＶＲは、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、
速度比ＶＲＹでリフトした後に、キャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする機構と、
を更に含む、（Ｕ１）に記載のリフトシステム。
（Ｕ３） 前記レーザ光の照射はフォトマスクを用いた縮小投影であり、当該フォトマスクは、Ｙ方向に光デバイス略1個分、Ｘ方向に配列ピッチＤＸで光デバイス２個以上に対応する開口である第1開口部と、Ｘ方向に光デバイス略1個分、Ｙ方向に配列ピッチＲＹで光デバイス２個以上に対応する開口である第２開口部と、
を有し、
速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える機構と、
を更に含む、（Ｕ２）に記載のリフトシステム
（Ｕ４） 前記フォトマスクの開口部は、個々の光デバイスに略光デバイスの形状で照射される開口群である、（Ｕ３）に記載のリフトシステム。
（Ｕ５） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするリフト装置にドナー基板を設置したリフト装置であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第１処理部と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（Ｕ６） ドナー基板であるサファイア基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトするシステムであって、
ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する機構と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する機構と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフトシステム。
（Ｕ７） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフトシステムであって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする機構を有するリフトシステム。
（Ｕ８） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（Ｕ７）に記載のリフトシステム。
（Ｕ９） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（Ｕ７）に記載のリフトシステム。
（Ｕ１０） 前記間隙は、１０～２００μｍである（Ｕ７）～（Ｕ９）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１１） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（Ｕ７）～（Ｕ１０）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１２） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（Ｕ７）～（Ｕ１１）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１３） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（Ｕ７）～（Ｕ１１）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システムであって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする機構を有する光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１５） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（Ｕ１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１６） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（Ｕ１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１７） 前記間隙は、１０～２００μｍである（Ｕ１４）～（Ｕ１６）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１８） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（Ｕ１４）～（Ｕ１７）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１９） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（Ｕ１４）～（Ｕ１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ２０） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（Ｕ１４）～（Ｕ１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ２１） （Ｕ１４）～（Ｕ１９）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システムにより得られたレセプター基板上の光デバイスを他の基板に実装する機構を有するディスプレイの製造システム。
（Ｕ２２） 前記実装はスタンプ方式による実装である（Ｕ２１）に記載のディスプレイの製造システム。
（Ｕ２３） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするシステムであって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤと、レセプター基板上へリフトにより移載予定の前記光デバイスの配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する機構と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする機構と、
を含むリフトシステム。
（Ｕ２４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト装置にドナー基板を設置したリフト装置であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤとレセプター基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（Ｕ２５） ドナー基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトするシステムであって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する機構と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフトシステム。
（Ｕ１） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするシステムであって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する機構と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する機構と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する機構と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させる機構と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする機構と、
を含むリフトシステム。
（Ｕ２） 前記配列ピッチＤは、Ｘ方向の配列ピッチＤＸと、Ｙ方向の配列ピッチＤＹで構成され
前記配列ピッチＲは、Ｘ方向の配列ピッチＲＸと、Ｙ方向の配列ピッチＲＹで構成され、
前記速度比ＶＲは、配列ピッチＤＸとＲＸから算出されるＸ方向の速度比ＶＲＸと配列ピッチＤＹとＲＹから算出されるＹ方向の速度比ＶＲＹで構成され、
速度比ＶＲＹでリフトした後に、キャリア基板をサファイア基板の代わりにドナー基板としてスキャン方向に対し水平面で９０度回転させて装着して、速度比ＶＲＸで第２キャリア基板にリフトする機構と、
を更に含む、（Ｕ１）に記載のリフトシステム。
（Ｕ３） 前記レーザ光の照射はフォトマスクを用いた縮小投影であり、当該フォトマスクは、Ｙ方向に光デバイス略1個分、Ｘ方向に配列ピッチＤＸで光デバイス２個以上に対応する開口である第1開口部と、Ｘ方向に光デバイス略1個分、Ｙ方向に配列ピッチＲＹで光デバイス２個以上に対応する開口である第２開口部と、
を有し、
速度比ＶＲＹでリフトする場合は第１開口部を、速度比ＶＲＸでリフトする場合は第２開口部を用いるようマスクを切り替える機構と、
を更に含む、（Ｕ２）に記載のリフトシステム
（Ｕ４） 前記フォトマスクの開口部は、個々の光デバイスに略光デバイスの形状で照射される開口群である、（Ｕ３）に記載のリフトシステム。
（Ｕ５） ドナー基板であるサファイア基板上の光デバイスを、レセプター基板であるキャリア基板にリフトするリフト装置にドナー基板を設置したリフト装置であって、
サファイア基板上に形成された光デバイスの配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する第１処理部と、
キャリア基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する第２処理部と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板を対向させ、光デバイスの表面からキャリア基板までの距離が所定の値になるように、サファイア基板及びキャリア基板のいずれか又は両方の位置を調整するステージ及びステージコントローラと、
配列ピッチＤと配列ピッチＲからサファイア基板とキャリア基板のスキャン速度比ＶＲを算出する第３処理部と、
サファイア基板と光デバイスの境界面にサファイア基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、サファイア基板とキャリア基板の水平面内の相対位置を合わせ、前記速度比ＶＲで、サファイア基板とキャリア基板をスキャン動作させるステージ及びステージコントローラと、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（Ｕ６） ドナー基板であるサファイア基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトするシステムであって、
ドナー基板上に配列された微小素子の三次元サイズ、当該配列の基準位置Ｄ、及び配列ピッチＤを取得する工程と、レセプター基板上へリフトにより実装予定の当該微小素子の配列の基準位置Ｒ及び配列ピッチＲを取得する機構と、
基準位置Ｄと基準位置Ｒに基づき、ドナー基板とレセプター基板を対向させ、その基板間隔を測定し、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
ドナー基板とレセプター基板の水平面内の相対位置を合わせ、ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する機構と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフトシステム。
（Ｕ７） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフトシステムであって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする機構を有するリフトシステム。
（Ｕ８） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（Ｕ７）に記載のリフトシステム。
（Ｕ９） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（Ｕ７）に記載のリフトシステム。
（Ｕ１０） 前記間隙は、１０～２００μｍである（Ｕ７）～（Ｕ９）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１１） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（Ｕ７）～（Ｕ１０）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１２） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（Ｕ７）～（Ｕ１１）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１３） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（Ｕ７）～（Ｕ１１）いずれか一つに記載のリフトシステム。
（Ｕ１４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトする光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システムであって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの間に間隙を設け、
所定の間隔で配置されているドナー基板上の隣接する光デバイスを、前記所定の間隔と異なる間隔に変換しながらキャリア基板にリフトする機構を有する光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１５） 前記変換する間隔は、Ｘ方向（光デバイスの短軸方向）である（Ｕ１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１６） 前記変換する間隔は、Ｙ方向（光デバイスの長軸方向）である（Ｕ１４）に記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１７） 前記間隙は、１０～２００μｍである（Ｕ１４）～（Ｕ１６）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１８） 前記ドナー基板又は前記レセプター基板をスキャン動作させながらリフトする（Ｕ１４）～（Ｕ１７）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ１９） 前記光デバイスは、レーザダイオード又はフォトダイオードである（Ｕ１４）～（Ｕ１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ２０） 前記光デバイスは、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである（Ｕ１４）～（Ｕ１８）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システム。
（Ｕ２１） （Ｕ１４）～（Ｕ１９）いずれか一つに記載の光デバイスが移設されたレセプター基板の製造システムにより得られたレセプター基板上の光デバイスを他の基板に実装する機構を有するディスプレイの製造システム。
（Ｕ２２） 前記実装はスタンプ方式による実装である（Ｕ２１）に記載のディスプレイの製造システム。
（Ｕ２３） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするシステムであって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤと、レセプター基板上へリフトにより移載予定の前記光デバイスの配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する機構と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
スキャン動作に連動してレーザ光を照射しリフトする機構と、
を含むリフトシステム。
（Ｕ２４） ドナー基板上の光デバイスを、レセプター基板にリフトするリフト装置にドナー基板を設置したリフト装置であって、
ドナー基板上に形成された光デバイスの配列の配列ピッチＤを取得する機構と、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、光デバイスの表面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
配列ピッチＤとレセプター基板上へリフトにより移載予定の当該光デバイスの配列の配列ピッチＲからドナー基板とレセプター基板のスキャン速度比ＶＲを算出する機構と、
ドナー基板と光デバイスの境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を１列に並んだ複数個の光デバイスに向けて照射する縮小投影光学系と、
前記速度比ＶＲで、ドナー基板とレセプター基板をスキャン動作させる機構と、
当該スキャン動作に連動してレーザ光を照射するレーザ装置と、
を有するリフト装置
（Ｕ２５） ドナー基板上の微小素子を、接着層を有するレセプター基板にリフトするシステムであって、
ドナー基板とレセプター基板を対向させ、微小素子の下面からレセプター基板までの距離が所定の値になるように、ドナー基板及びレセプター基板のいずれか又は両方の位置を調整する機構と、
ドナー基板と微小素子の境界面にドナー基板の裏面側からレーザ光を縮小投影する機構と、
を含み、
前記縮小投影されるレーザ光は、ＫｒＦエキシマレーザ光であり、その照射エネルギー密度は、０．５～２Ｊ／ｃｍ２、
前記基板間隔を満たす雰囲気の密度は、１～２ｋｇ／ｍ３、
前記接着層は、硬度２０～５０、厚さは５μｍ以上、
前記所定の値は、１０～２００μｍ、
であるリフトシステム。
【0049】
また、各種機構は別々の機構が別々の機能を有していてもよいし、一つの機構が複数の機能を有していてもよい。
【産業上の利用可能性】
【0050】
マイクロＬＥＤディスプレイの製造工程の一部に利用可能である。また、ＶＣＳＥＬ（垂直共振器面発光レーザ）、ディスプレイプロジェクター、レーザプロジェクターの製造工程においてＧａＮ系レーザダイオードの配置の自由度を上げるために利用可能である。さらに、フラットパネルセンサの製造工程においてＧａＮ系フォトダイオードの配置の自由度を上げるために利用可能である。
【符号の説明】
【0051】
１ サファイア基板
２ マイクロＬＥＤ
３ Ｘ軸方向の配列ピッチ
４ Ｙ軸方向の配列ピッチ
５ Ｙ軸方向に調節された配列ピッチ
６ 第１キャリア基板
７ Ｘ軸方向に調節された配列ピッチ
８ 第２キャリア基板
２ マイクロＬＥＤ
３ Ｘ軸方向の配列ピッチ
４ Ｙ軸方向の配列ピッチ
５ Ｙ軸方向に調節された配列ピッチ
６ 第１キャリア基板
７ Ｘ軸方向に調節された配列ピッチ
８ 第２キャリア基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】