(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022059145
(43)【公開日】2022-04-13
(54)【発明の名称】圧力検出素子
(51)【国際特許分類】
G01L 9/00 20060101AFI20220406BHJP
H01L 29/84 20060101ALI20220406BHJP
【ＦＩ】
G01L9/00 305A
H01L29/84 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020166695
(22)【出願日】2020-10-01
(71)【出願人】
【識別番号】000150707
【氏名又は名称】長野計器株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000637
【氏名又は名称】特許業務法人樹之下知的財産事務所
(72)【発明者】
【氏名】小川 雅司
(72)【発明者】
【氏名】今井 敦
【テーマコード（参考）】
2F055
4M112
【Ｆターム（参考）】
2F055AA40
2F055BB20
2F055CC02
2F055DD05
2F055EE25
2F055FF17
2F055GG11
2F055HH05
4M112AA01
4M112BA07
4M112CA03
4M112EA03
4M112EA13
4M112FA01
(57)【要約】
【課題】応答性が悪化することを抑制でき、かつ、検出感度の低下を抑制できる圧力検出素子を提供すること。
【解決手段】圧力検出素子１は、第１基板電極２２を有する第１基板２と、第２基板電極３２を有する第２基板３と、第１ダイアフラム電極部４２および第２ダイアフラム電極部４３を有する感応部４とを備える。そして、第１基板２の第１基板本体部２１には、第１基板本体部２１を貫通する第１圧力導入孔２３と、第１ダイアフラム電極部４２と対向する面に設けられ第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４と、が形成される。また、第２基板３の第２基板本体部３１には、第２基板本体部３１を貫通する第２圧力導入孔３３と、第２ダイアフラム電極部４３と対向する面に設けられ第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４と、が形成される。
【選択図】図１
【解決手段】圧力検出素子１は、第１基板電極２２を有する第１基板２と、第２基板電極３２を有する第２基板３と、第１ダイアフラム電極部４２および第２ダイアフラム電極部４３を有する感応部４とを備える。そして、第１基板２の第１基板本体部２１には、第１基板本体部２１を貫通する第１圧力導入孔２３と、第１ダイアフラム電極部４２と対向する面に設けられ第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４と、が形成される。また、第２基板３の第２基板本体部３１には、第２基板本体部３１を貫通する第２圧力導入孔３３と、第２ダイアフラム電極部４３と対向する面に設けられ第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４と、が形成される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
板状に形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム部の一方の面に配置される第１ダイアフラム電極部と、前記ダイアフラム部の他方の面に配置される第２ダイアフラム電極部と、前記ダイアフラム部の周縁部に設けられる接合部と、を有する感応部と、
板状に形成され前記感応部の前記接合部の一方の面に接合される第１基板本体部と、前記第１基板本体部の前記第１ダイアフラム電極部と対向する面に配置される第１基板電極と、を有する第１基板と、
板状に形成され前記感応部の前記接合部の他方の面に接合される第２基板本体部と、前記第２基板本体部の前記第２ダイアフラム電極部と対向する面に配置される第２基板電極と、を有する第２基板と、を備え、
前記第１基板本体部には、前記第１基板本体部を貫通する第１圧力導入孔と、前記第１ダイアフラム電極部と対向する面に設けられ前記第１圧力導入孔と連通する第１溝部と、が形成され、
前記第２基板本体部には、前記第２基板本体部を貫通する第２圧力導入孔と、前記第２ダイアフラム電極部と対向する面に設けられ前記第２圧力導入孔と連通する第２溝部と、が形成される
ことを特徴とする圧力検出素子。
板状に形成され前記感応部の前記接合部の一方の面に接合される第１基板本体部と、前記第１基板本体部の前記第１ダイアフラム電極部と対向する面に配置される第１基板電極と、を有する第１基板と、
板状に形成され前記感応部の前記接合部の他方の面に接合される第２基板本体部と、前記第２基板本体部の前記第２ダイアフラム電極部と対向する面に配置される第２基板電極と、を有する第２基板と、を備え、
前記第１基板本体部には、前記第１基板本体部を貫通する第１圧力導入孔と、前記第１ダイアフラム電極部と対向する面に設けられ前記第１圧力導入孔と連通する第１溝部と、が形成され、
前記第２基板本体部には、前記第２基板本体部を貫通する第２圧力導入孔と、前記第２ダイアフラム電極部と対向する面に設けられ前記第２圧力導入孔と連通する第２溝部と、が形成される
ことを特徴とする圧力検出素子。
【請求項2】
請求項１に記載の圧力検出素子において、
前記第１溝部は、前記第１基板電極に覆われており、
前記第２溝部は、前記第２基板電極に覆われている
ことを特徴とする圧力検出素子。
前記第１溝部は、前記第１基板電極に覆われており、
前記第２溝部は、前記第２基板電極に覆われている
ことを特徴とする圧力検出素子。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載の圧力検出素子において、
前記第１溝部は、前記第１圧力導入孔から前記接合部との接合箇所に向かって直線状に形成され、
前記第２溝部は、前記第２圧力導入孔から前記接合部との接合箇所に向かって直線状に形成される
ことを特徴とする圧力検出素子。
前記第１溝部は、前記第１圧力導入孔から前記接合部との接合箇所に向かって直線状に形成され、
前記第２溝部は、前記第２圧力導入孔から前記接合部との接合箇所に向かって直線状に形成される
ことを特徴とする圧力検出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧力検出素子に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、図４に示すような静電容量型の圧力検出素子１００が知られている。図４に示す圧力検出素子１００は、第１基板１２０と、第２基板１３０と、感応部１４０とを備える。第１基板１２０は、板状に形成された第１基板本体部１２１と、第１基板本体部１２１の感応部１４０と対向する面に配置される第１基板電極１２２とを有し、第１基板本体部１２１を貫通する第１圧力導入孔１２３が形成される。第２基板１３０は、板状に形成された第２基板本体部１３１と、第２基板本体部１３１の感応部１４０と対向する面に配置される第２基板電極１３２とを有し、第２基板本体部１３１を貫通する第２圧力導入孔１３３が形成される。感応部１４０は、板状に形成されたダイアフラム部１４１と、ダイアフラム部１４１の第１基板本体部１２１と対向する面に配置される第１ダイアフラム電極部１４２と、ダイアフラム部１４１の第２基板本体部１３１と対向する面に配置される第２ダイアフラム電極部１４３と、第１基板本体部１２１および第２基板本体部１３１と接合する接合部１４４とを有する。
【0003】
そして、圧力検出素子１００では、図５に示すように、ダイアフラム部１４１に過大な圧力が作用したり、負圧が作用したりした際に、ダイアフラム部１４１が第１基板本体部１２１に配置された第１基板電極１２２に接触することで、過大な圧力や負圧によってダイアフラム部１４１が損傷してしまうことを防止できるようにしている。
【0004】
ところで、図４、５に示すような圧力検出素子１００では、ダイアフラム部１４１と第１基板電極１２２とが接触した後、過大な圧力や負圧が解放された際に、密閉空間との圧力差が生じ、図５に示すようにダイアフラム部１４１と第１基板電極１２２とが密着してすぐに剥離せず、応答性が悪くなってしまうといった問題があった。
【0005】
このようなダイアフラムと電極との密着による応答性の悪化を防止できる技術として、特許文献１に記載された圧力検出素子が知られている。
特許文献１の圧力検出素子では、２つの基板のそれぞれに複数の圧力導入孔を設けているので、ダイアフラムと電極とが接触しても、密閉空間が形成されず、圧力差が生じないため、これらが密着してしまうことを抑制でき、応答性が悪化することを抑制できる。
特許文献１の圧力検出素子では、２つの基板のそれぞれに複数の圧力導入孔を設けているので、ダイアフラムと電極とが接触しても、密閉空間が形成されず、圧力差が生じないため、これらが密着してしまうことを抑制でき、応答性が悪化することを抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０００－３５６５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献１の圧力検出素子では、基板に複数の圧力導入孔を設ける必要があることから、電極の有効面積が減少してしまい、検出感度を最大限に得られていないといった問題があった。
【0008】
本発明の目的は、応答性が悪化することを抑制でき、かつ、検出感度の低下を抑制できる圧力検出素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の圧力検出素子は、板状に形成されたダイアフラム部と、前記ダイアフラム部の一方の面に配置される第１ダイアフラム電極部と、前記ダイアフラム部の他方の面に配置される第２ダイアフラム電極部と、前記ダイアフラム部の周縁部に設けられる接合部と、を有する感応部と、板状に形成され前記感応部の前記接合部の一方の面に接合される第１基板本体部と、前記第１基板本体部の前記第１ダイアフラム電極部と対向する面に配置される第１基板電極と、を有する第１基板と、板状に形成され前記感応部の前記接合部の他方の面に接合される第２基板本体部と、前記第２基板本体部の前記第２ダイアフラム電極部と対向する面に配置される第２基板電極と、を有する第２基板と、を備え、前記第１基板本体部には、前記第１基板本体部を貫通する第１圧力導入孔と、前記第１ダイアフラム電極部と対向する面に設けられ前記第１圧力導入孔と連通する第１溝部と、が形成され、前記第２基板本体部には、前記第２基板本体部を貫通する第２圧力導入孔と、前記第２ダイアフラム電極部と対向する面に設けられ前記第２圧力導入孔と連通する第２溝部と、が形成されることを特徴とする。
【0010】
本発明では、第１基板本体部において、第１ダイアフラム電極部と対向する面に、第１圧力導入孔と連通する第１溝部が形成される。これにより、仮に、第１圧力導入孔または第２圧力導入孔を介して、過大な圧力や負圧がダイアフラム部に作用して、ダイアフラム部の第１ダイアフラム電極部と、第１基板の第１基板電極とが接触したとしても、第１ダイアフラム電極部と第１基板電極が配置された第１基板本体部との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第１ダイアフラム電極部と第１基板電極とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
同様に、本発明では、第２基板本体部において、第２ダイアフラム電極部と対向する面に、第２圧力導入孔と連通する第２溝部が形成されるので、第２ダイアフラム電極部と第２基板電極が配置された第２基板本体部との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第２ダイアフラム電極部と第２基板電極とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
同様に、本発明では、第２基板本体部において、第２ダイアフラム電極部と対向する面に、第２圧力導入孔と連通する第２溝部が形成されるので、第２ダイアフラム電極部と第２基板電極が配置された第２基板本体部との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第２ダイアフラム電極部と第２基板電極とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
【0011】
また、本発明では、第１基板および第２基板のそれぞれにおいて、特許文献１のように圧力導入孔を複数設けることを要しないので、複数の圧力導入孔によって有効な電極面積が減少してしまうことを抑制できる。そのため、検出感度が低下してしまうことを抑制できる。
【0012】
さらに、特許文献１の圧力検出素子では、小型化すると接着剤で固定するエリアの確保が困難となり、感応部周縁に沿った圧力導入孔を塞いでしまい、応答性が悪くなる。一方、本発明では、圧力導入孔を複数設けることを要しないので、圧力検出素子を小型化しても接着エリアを確保できる。
【0013】
本発明の圧力検出素子において、前記第１溝部は、前記第１基板電極に覆われており、前記第２溝部は、前記第２基板電極に覆われていることが好ましい。
この構成では、第１基板および第２基板において、第１溝部および第２溝部も電極に覆われているので、第１溝部および第２溝部に相当する箇所も有効に活用することができる。そのため、第１溝部および第２溝部によって有効な電極面積が減少してしまうことを抑制できる。
この構成では、第１基板および第２基板において、第１溝部および第２溝部も電極に覆われているので、第１溝部および第２溝部に相当する箇所も有効に活用することができる。そのため、第１溝部および第２溝部によって有効な電極面積が減少してしまうことを抑制できる。
【0014】
本発明の圧力検出素子において、前記第１溝部は、前記第１圧力導入孔から前記接合部との接合箇所に向かって直線状に形成され、前記第２溝部は、前記第２圧力導入孔から前記接合部との接合箇所に向かって直線状に形成されることが好ましい。
この構成では、第１溝部および第２溝部が直線状に形成されるので、当該第１溝部および第２溝部を容易に形成することができる。
この構成では、第１溝部および第２溝部が直線状に形成されるので、当該第１溝部および第２溝部を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】一実施形態に係る圧力検出素子の概略を示す断面図。
【図2】前記実施形態の圧力検出素子の概略を示す断面図。
【図3】前記実施形態の第１基板の概略を示す斜視図。
【図4】従来の圧力検出素子の概略を示す断面図。
【図5】従来の圧力検出素子の概略を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0016】
［実施形態］
本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１、２は、本実施形態の圧力検出素子１の概略を示す断面図である。
図１、２に示すように、本実施形態の圧力検出素子１は、第１基板２と、第２基板３と、感応部４とを備え、静電容量型の圧力検出素子である。
本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１、２は、本実施形態の圧力検出素子１の概略を示す断面図である。
図１、２に示すように、本実施形態の圧力検出素子１は、第１基板２と、第２基板３と、感応部４とを備え、静電容量型の圧力検出素子である。
【0017】
［第１基板２］
図３は、第１基板２の概略を示す斜視図である。なお、図３は、圧力検出素子１の内側（感応部４の側）から第１基板２を見た斜視図である。また、第２基板３は、感応部４を挟んで第１基板２と対称となるように形成されている。
図１～図３に示すように、第１基板２は、第１基板本体部２１と、第１基板電極２２とを有する。
第１基板本体部２１は、ガラス等の絶縁性部材から板状に形成されている。そして、第１基板本体部２１の感応部４と対向する面には、感応部４との間に静電容量を生じさせるための第１基板電極２２が配置されている。本実施形態では、第１基板電極２２は、フォトリソグラフィによりパターニングされた金属蒸着膜によって形成されている。
図３は、第１基板２の概略を示す斜視図である。なお、図３は、圧力検出素子１の内側（感応部４の側）から第１基板２を見た斜視図である。また、第２基板３は、感応部４を挟んで第１基板２と対称となるように形成されている。
図１～図３に示すように、第１基板２は、第１基板本体部２１と、第１基板電極２２とを有する。
第１基板本体部２１は、ガラス等の絶縁性部材から板状に形成されている。そして、第１基板本体部２１の感応部４と対向する面には、感応部４との間に静電容量を生じさせるための第１基板電極２２が配置されている。本実施形態では、第１基板電極２２は、フォトリソグラフィによりパターニングされた金属蒸着膜によって形成されている。
【0018】
また、第１基板本体部２１には、当該第１基板本体部２１を貫通する第１圧力導入孔２３が中央部に形成されている。本実施形態では、第１圧力導入孔２３は、断面視で台形状に形成されており、外側から内側に向かうにしたがって径が小さくなるように構成されている。
さらに、本実施形態では、第１基板本体部２１には、感応部４と対向する面に、第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４が形成されている。具体的には、第１溝部２４は、第１圧力導入孔２３から後述する感応部４の接合部４４の接合箇所に向かって直線状に形成されている。例えば、第１溝部２４は、フォトリソグラフィによるエッチング加工等の加工技術により第１基板本体部２１に形成されている。
そして、本実施形態では、第１圧力導入孔２３および第１溝部２４は、第１基板電極２２に覆われている。
さらに、本実施形態では、第１基板本体部２１には、感応部４と対向する面に、第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４が形成されている。具体的には、第１溝部２４は、第１圧力導入孔２３から後述する感応部４の接合部４４の接合箇所に向かって直線状に形成されている。例えば、第１溝部２４は、フォトリソグラフィによるエッチング加工等の加工技術により第１基板本体部２１に形成されている。
そして、本実施形態では、第１圧力導入孔２３および第１溝部２４は、第１基板電極２２に覆われている。
【0019】
［第２基板３］
第２基板３は、前述したように感応部４を挟んで第１基板２と対称になるように形成されており、第２基板本体部３１と、第２基板電極３２とを有する。
第２基板本体部３１は、ガラス等の絶縁性部材から板状に形成されている。そして、第２基板本体部３１の感応部４と対向する面には、感応部４との間に静電容量を生じさせるための第２基板電極３２が配置されている。本実施形態では、第２基板電極３２は、フォトリソグラフィによりパターニングされた金属蒸着膜によって形成されている。
第２基板３は、前述したように感応部４を挟んで第１基板２と対称になるように形成されており、第２基板本体部３１と、第２基板電極３２とを有する。
第２基板本体部３１は、ガラス等の絶縁性部材から板状に形成されている。そして、第２基板本体部３１の感応部４と対向する面には、感応部４との間に静電容量を生じさせるための第２基板電極３２が配置されている。本実施形態では、第２基板電極３２は、フォトリソグラフィによりパターニングされた金属蒸着膜によって形成されている。
【0020】
また、第２基板本体部３１には、当該第２基板本体部３１を貫通する第２圧力導入孔３３が中央部に形成されている。本実施形態では、第２圧力導入孔３３は、断面視で台形状に形成されており、外側から内側に向かうにしたがって径が小さくなるように構成されている。
さらに、本実施形態では、第２基板本体部３１には、感応部４と対向する面に、第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４が形成されている。具体的には、第２溝部３４は、第２圧力導入孔３３から後述する感応部４の接合部４４の接合箇所に向かって直線状に形成されている。例えば、第２溝部３４は、フォトリソグラフィによるエッチング加工等の加工技術により第２基板本体部３１に形成されている。
そして、本実施形態では、第２圧力導入孔３３および第２溝部３４は、第２基板電極３２に覆われている。
さらに、本実施形態では、第２基板本体部３１には、感応部４と対向する面に、第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４が形成されている。具体的には、第２溝部３４は、第２圧力導入孔３３から後述する感応部４の接合部４４の接合箇所に向かって直線状に形成されている。例えば、第２溝部３４は、フォトリソグラフィによるエッチング加工等の加工技術により第２基板本体部３１に形成されている。
そして、本実施形態では、第２圧力導入孔３３および第２溝部３４は、第２基板電極３２に覆われている。
【0021】
［感応部４］
感応部４は、導電性が付与されたシリコンから形成され、所定厚のシリコン素材の中央部分をフォトリソグラフィによるエッチング加工等の加工技術により薄肉部を形成し、これをダイアフラム部４１とした構成である。つまり、感応部４は、ダイアフラム部４１の第１基板２と対向する面が第１ダイアフラム電極部４２を構成し、第２基板３と対向する面が第２ダイアフラム電極部４３を構成する。これにより、第１基板２の第１基板電極２２と感応部４の第１ダイアフラム電極部４２との間に静電容量が生じ、第２基板３の第２基板電極３２と感応部４の第２ダイアフラム電極部４３との間に静電容量が生じる構成となっている。そのため、本実施形態の圧力検出素子１は、このような静電容量の変化を検出することにより、ダイアフラム部４１に作用する圧力を検出可能とされている。
感応部４は、導電性が付与されたシリコンから形成され、所定厚のシリコン素材の中央部分をフォトリソグラフィによるエッチング加工等の加工技術により薄肉部を形成し、これをダイアフラム部４１とした構成である。つまり、感応部４は、ダイアフラム部４１の第１基板２と対向する面が第１ダイアフラム電極部４２を構成し、第２基板３と対向する面が第２ダイアフラム電極部４３を構成する。これにより、第１基板２の第１基板電極２２と感応部４の第１ダイアフラム電極部４２との間に静電容量が生じ、第２基板３の第２基板電極３２と感応部４の第２ダイアフラム電極部４３との間に静電容量が生じる構成となっている。そのため、本実施形態の圧力検出素子１は、このような静電容量の変化を検出することにより、ダイアフラム部４１に作用する圧力を検出可能とされている。
【0022】
また、感応部４は、厚肉部とされたダイアフラム部４１の周縁部が、第１基板２および第２基板３と接合する接合部４４とされている。すなわち、本実施形態では、第１基板２の第１基板本体部２１は、感応部４の接合部４４の一方の面に接合され、第２基板３の第２基板本体部３１は、感応部４の接合部４４の他方の面に接合される。
なお、感応部４は、上記構成に限られるものではない。例えば、感応部４は、絶縁性のシリコン等から形成され、ダイアフラム部４１の第１基板２と対向する側に第１ダイアフラム電極部４２が設けられ、第２基板３と対向する側に第２ダイアフラム電極部４３が設けられていてもよい。つまり、感応部４は、ダイアフラム部４１の第１基板２と対向する側に第１ダイアフラム電極部４２が配置され、第２基板３と対向する側に第２ダイアフラム電極部４３が配置されていればよい。
なお、感応部４は、上記構成に限られるものではない。例えば、感応部４は、絶縁性のシリコン等から形成され、ダイアフラム部４１の第１基板２と対向する側に第１ダイアフラム電極部４２が設けられ、第２基板３と対向する側に第２ダイアフラム電極部４３が設けられていてもよい。つまり、感応部４は、ダイアフラム部４１の第１基板２と対向する側に第１ダイアフラム電極部４２が配置され、第２基板３と対向する側に第２ダイアフラム電極部４３が配置されていればよい。
【0023】
［感応部４の動作について］
次に、感応部４の動作について説明する。
図１に示す圧力検出素子１のダイアフラム部４１に対して、図中の上側に向かって過大な圧力が作用したり、負圧が作用したりした場合、図２に示すように、ダイアフラム部４１が第１基板本体部２１に配置された第１基板電極２２に接触する。これにより、過大な圧力や負圧によってダイアフラム部４１が過剰に変形してしまうことがないので、ダイアフラム部４１の損傷を抑制できる。
次に、感応部４の動作について説明する。
図１に示す圧力検出素子１のダイアフラム部４１に対して、図中の上側に向かって過大な圧力が作用したり、負圧が作用したりした場合、図２に示すように、ダイアフラム部４１が第１基板本体部２１に配置された第１基板電極２２に接触する。これにより、過大な圧力や負圧によってダイアフラム部４１が過剰に変形してしまうことがないので、ダイアフラム部４１の損傷を抑制できる。
【0024】
そして、本実施形態では、第１基板本体部２１において、第１ダイアフラム電極部４２と対向する面に、第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４が形成されている。そのため、図２に示すように、ダイアフラム部４１と第１基板電極２２とが接触した状態において、第１溝部２４と第１圧力導入孔２３とが連通しているので、第１ダイアフラム電極部４２と第１基板電極２２との間に密閉空間が形成されることを抑制できる。そのため、ダイアフラム部４１に作用していた過大な圧力や負圧が解放された際に、密閉空間との圧力差が生じることで、ダイアフラム部４１と第１基板電極２２とが密着してすぐに剥離しなくなってしまうことを抑制できる。
【0025】
同様に、本実施形態では、第２基板本体部３１において、第２ダイアフラム電極部４３と対向する面に、第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４が形成されているので、ダイアフラム部４１に作用していた過大な圧力や負圧が解放された際に、密閉空間との圧力差が生じることで、ダイアフラム部４１と第２基板電極３２とが密着してすぐに剥離しなくなってしまうことを抑制できる。
【0026】
［実施形態の効果］
以上のような本実施形態では、次の効果を奏することができる。
（１）本実施形態では、第１基板本体部２１において、第１ダイアフラム電極部４２と対向する面に、第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４が形成される。これにより、第１圧力導入孔２３または第２圧力導入孔３３を介して、過大な圧力や負圧がダイアフラム部４１に作用して、ダイアフラム部４１の第１ダイアフラム電極部４２と、第１基板２の第１基板電極２２とが接触したとしても、第１ダイアフラム電極部４２と第１基板電極２２が配置された第１基板本体部２１との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第１ダイアフラム電極部４２と第１基板電極２２とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
同様に、本実施形態では、第２基板本体部３１において、第２ダイアフラム電極部４３と対向する面に、第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４が形成されるので、第２ダイアフラム電極部４３と第２基板電極３２が配置された第２基板本体部３１との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第２ダイアフラム電極部４３と第２基板電極３２とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
以上のような本実施形態では、次の効果を奏することができる。
（１）本実施形態では、第１基板本体部２１において、第１ダイアフラム電極部４２と対向する面に、第１圧力導入孔２３と連通する第１溝部２４が形成される。これにより、第１圧力導入孔２３または第２圧力導入孔３３を介して、過大な圧力や負圧がダイアフラム部４１に作用して、ダイアフラム部４１の第１ダイアフラム電極部４２と、第１基板２の第１基板電極２２とが接触したとしても、第１ダイアフラム電極部４２と第１基板電極２２が配置された第１基板本体部２１との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第１ダイアフラム電極部４２と第１基板電極２２とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
同様に、本実施形態では、第２基板本体部３１において、第２ダイアフラム電極部４３と対向する面に、第２圧力導入孔３３と連通する第２溝部３４が形成されるので、第２ダイアフラム電極部４３と第２基板電極３２が配置された第２基板本体部３１との間に密閉空間が形成されてしまうことを防止できる。そのため、第２ダイアフラム電極部４３と第２基板電極３２とがすぐに剥離せずに応答性が悪くなってしまうことを抑制できる。
【0027】
また、本実施形態では、第１基板２および第２基板３のそれぞれにおいて、圧力導入孔を複数設けることを要しないので、複数の圧力導入孔によって有効な電極面積が減少してしまうことを抑制できる。そのため、検出感度が低下してしまうことを抑制できる。
さらに、本実施形態では、圧力導入孔を複数設けることを要しないので、圧力検出素子１を小型化しても接着エリアを確保できる。
さらに、本実施形態では、圧力導入孔を複数設けることを要しないので、圧力検出素子１を小型化しても接着エリアを確保できる。
【0028】
（２）本実施形態では、第１基板２および第２基板３において、第１溝部２４および第２溝部３４も電極に覆われているので、第１溝部２４および第２溝部３４に相当する箇所も有効に活用することができる。そのため、第１溝部２４および第２溝部３４によって有効な電極面積が減少してしまうことを抑制できる。
【0029】
（３）本実施形態では、第１溝部２４および第２溝部３４が直線状に形成されるので、当該第１溝部２４および第２溝部３４を容易に形成することができる。
【0030】
［変形例］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記実施形態では、第１基板本体部２１に第１溝部２４が１つ形成されていたが、これに限定されない。例えば、第１溝部は、第１基板本体部において放射状に複数設けられていてもよい。
同様に、前記実施形態では、第２基板本体部３１に第２溝部３４が１つ形成されていたが、これに限定されない。例えば、第２溝部は、第２基板本体部において放射状に複数設けられていてもよい。
さらに、第１基板本体部および第２基板本体部のいずれか一方に、溝部が形成されていてもよい。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前記実施形態では、第１基板本体部２１に第１溝部２４が１つ形成されていたが、これに限定されない。例えば、第１溝部は、第１基板本体部において放射状に複数設けられていてもよい。
同様に、前記実施形態では、第２基板本体部３１に第２溝部３４が１つ形成されていたが、これに限定されない。例えば、第２溝部は、第２基板本体部において放射状に複数設けられていてもよい。
さらに、第１基板本体部および第２基板本体部のいずれか一方に、溝部が形成されていてもよい。
【0031】
前記実施形態では、第１溝部２４は直線状に形成されていたが、これに限定されない。例えば、第１溝部は曲線状に形成されていてもよい。すなわち、第１溝部は、第１ダイアフラム電極部と第１基板電極とが接触した際に、第１ダイアフラム電極部と第１基板本体部との間に密閉空間が形成されてしまうことを抑制できる流路として構成されていればよい。
同様に、前記実施形態では、第２溝部３４は直線状に形成されていたが、これに限定されない。例えば、第２溝部は曲線状に形成されていてもよい。すなわち、第２溝部は、第２ダイアフラム電極部と第２基板電極とが接触した際に、第２ダイアフラム電極部と第２基板本体部との間に密閉空間が形成されてしまうことを抑制できる流路として構成されていればよい。
同様に、前記実施形態では、第２溝部３４は直線状に形成されていたが、これに限定されない。例えば、第２溝部は曲線状に形成されていてもよい。すなわち、第２溝部は、第２ダイアフラム電極部と第２基板電極とが接触した際に、第２ダイアフラム電極部と第２基板本体部との間に密閉空間が形成されてしまうことを抑制できる流路として構成されていればよい。
【0032】
前記実施形態では、第１圧力導入孔２３は、断面視で台形状に形成されており、外側から内側に向かうにしたがって径が小さくなるように構成されていたが、これに限定されない。例えば、第１圧力導入孔は、断面視で長方形状に形成されていてもよい。
同様に、第２圧力導入孔３３は、断面視で台形状に形成されており、外側から内側に向かうにしたがって径が小さくなるように構成されていたが、これに限定されない。例えば、第２圧力導入孔は、断面視で長方形状に形成されていてもよい。
同様に、第２圧力導入孔３３は、断面視で台形状に形成されており、外側から内側に向かうにしたがって径が小さくなるように構成されていたが、これに限定されない。例えば、第２圧力導入孔は、断面視で長方形状に形成されていてもよい。
【0033】
前記実施形態では、第１圧力導入孔２３および第１溝部２４は、第１基板電極２２に覆われていたが、これに限定されない。例えば、第１圧力導入孔や第１溝部が電極に覆われない場合も、本発明に含まれる。
同様に、前記実施形態では、第２圧力導入孔３３および第２溝部３４は、第２基板電極３２に覆われていたが、これに限定されない。例えば、第２圧力導入孔や第２溝部が電極に覆われない場合も、本発明に含まれる。
同様に、前記実施形態では、第２圧力導入孔３３および第２溝部３４は、第２基板電極３２に覆われていたが、これに限定されない。例えば、第２圧力導入孔や第２溝部が電極に覆われない場合も、本発明に含まれる。
【符号の説明】
【0034】
１…圧力検出素子、２…第１基板、３…第２基板、４…感応部、２１…第１基板本体部、２２…第１基板電極、２３…第１圧力導入孔、２４…第１溝部、３１…第２基板本体部、３２…第２基板電極、３３…第２圧力導入孔、３４…第２溝部、４１…ダイアフラム部、４２…第１ダイアフラム電極部、４３…第２ダイアフラム電極部、４４…接合部。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】