特開 2022-59952 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022059952

(43)【公開日】2022-04-14

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1339 20060101AFI20220407BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20220407BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1339 500

G02F1/1368

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020167864

(22)【出願日】2020-10-02

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】棚瀬 健司

【テーマコード（参考）】

2H189

2H192

【Ｆターム（参考）】

2H189DA07

2H189DA31

2H189DA32

2H189DA39

2H189DA43

2H189DA45

2H189FA16

2H189JA05

2H189JA10

2H189LA03

2H189LA10

2H189LA14

2H189LA15

2H189LA20

2H192AA24

2H192BC35

2H192BC63

2H192BC72

2H192CB05

2H192CB23

2H192CB37

2H192CB83

2H192CC32

2H192EA04

2H192EA43

2H192EA67

2H192FB03

2H192FB05

2H192GD23

2H192GD61

2H192HA44

2H192JA06

2H192JA13

(57)【要約】      （修正有）

【課題】良好な光学特性を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置１０は、第１基板の表示領域１０２に格子状に配置された複数の画素電極と、前記第１基板に対向する第２基板上に設けられ、前記画素電極と重畳するカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に設けられる平坦絶縁層と、前記平坦絶縁層上に設けられ、開口部を有する共通電極と、前記画素電極と、前記共通電極との間に配置されるスペーサと、前記第１基板と、前記画素電極との間に設けられ、前記スペーサと重畳する遮光層と、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板の表示領域に配置された複数の画素電極と、
前記第１基板に対向する第２基板上に設けられ、前記画素電極と重畳するカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に設けられる平坦絶縁層と、
前記平坦絶縁層上に設けられ、開口部を有する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、前記開口部と重畳するスペーサと、
前記第１基板と、前記画素電極との間に設けられ、前記スペーサと重畳する遮光層と、を含む、
表示装置。

【請求項2】

前記開口部の径は、前記スペーサの径よりも小さい、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記スペーサは、前記複数の画素電極のうち、隣り合って配置される少なくとも２つの画素電極の一部と重畳する、
請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記開口部のうち、前記表示領域の中心部に設けられる単位面積あたりの開口部の数と、前記表示領域の周辺部に設けられる単位面積当たりの開口部の数とは、異なる、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項5】

前記スペーサは、前記開口部に対応する第１スペーサと、前記開口部と非対応の第２スペーサを有し、
前記第１スペーサは、前記開口部を介して前記平坦絶縁層と接触する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項6】

前記画素電極と、前記共通電極との間において、前記第１スペーサの第１高さは、前記第２スペーサの第２高さよりも小さい、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記画素電極は、反射性材料を含む、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項8】

前記遮光層は、前記第１基板上に設けられたトランジスタのゲート電極、ソース／ドレイン電極および中継配線のいずれかと同一層上に設けられる、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記カラーフィルタは、第１波長帯域の光を透過する第１カラーフィルタと、前記第１波長帯域とは異なる第２波長帯域の光を透過し、前記第１カラーフィルタの側面と接触する第２カラーフィルタを含む、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。

【請求項10】

前記カラーフィルタと、前記第２基板との間に遮光材料を有しない、
請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

前記表示装置は、第２基板側から入射した光が前記画素電極で反射し、
前記反射した光が、前記第２基板側から出射される、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の一実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

現在最も汎用されている表示装置の一つとして液晶表示装置が挙げられる。例えば、テレビのみならず、コンピュータやタブレット、携帯電話などの様々な電子機器のインターフェースとして液晶表示装置が幅広く用いられている。液晶表示装置は、反射型液晶表示装置と、透過型液晶表示装置に大別される。特許文献１および特許文献２には、液晶表示装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－０１４９８８号公報

【特許文献2】特開２００９－２１６９７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

反射型液晶表示装置は、縦方向の電界により駆動する液晶表示素子を含む。液晶表示素子中の液晶層は、画素電極が設けられる第１基板と、共通電極が設けられる第２基板の間に配置される。このとき、液晶層は、液状であるために２つの基板の距離間（セルギャップ）を保持するために、スペーサがさらに設けられる。スペーサは、共通電極の直上に配置される。共通電極と第２基板との間には有機膜からなるカラーフィルタ及び平坦化層が存在する。

【0005】

ここで、液晶表示装置に物理的な負荷がかかると、共通電極にクラックやワレが発生する場合がある。この場合、クラックやワレが発生した部分から有機膜中のデガス成分が液晶層内に気泡となって入り込む恐れがある。これにより、当該液晶表示装置において表示不良が発生する恐れがある。

【0006】

このような課題に鑑み、本発明は、良好な光学特性を有する液晶表示素子を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態の表示装置は、第１基板の表示領域に配置された複数の画素電極と、前記第１基板に対向する第２基板上に設けられ、前記画素電極と重畳するカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に設けられる平坦絶縁層と、前記平坦絶縁層上に設けられ、開口部を有する共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、前記開口部と重畳するスペーサと、前記第１基板と、前記画素電極との間に設けられ、前記スペーサと重畳する遮光層と、を含むことを特徴とする。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す上面図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の回路構成の一例を示す回路図である。

【図3】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の回路構成の一例を示す回路図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域の一部を示す平面図である。

【図5】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域を示す断面図である。

【図6】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図8】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

【図9】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域を示す断面図である。

【図10】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域を示す断面図である。

【図11】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す上面図である。

【図12】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す上面図である。

【図13】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域を示す断面図である。

【図14】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す上面図である。

【図15】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域を示す断面図である。

【図16】本発明の一実施形態に係る表示装置における表示領域を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

【0010】

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にＡ、Ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。

【0011】

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

【0012】

＜第１実施形態＞
（１－１．表示装置の構成）
図１は、表示装置１０の上面図である。表示装置１０は、基板１０１、表示領域１０２、画素１０３、周辺部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６、フレキシブルプリント基板１０８、端子部１０９および基板１７０を有する。表示領域１０２には、画素１０３が格子状に離間して複数配置される。画素１０３は、画像の構成要素として機能する。具体的には、画素１０３は後述する液晶表示素子１３０を含んでいる。液晶表示素子１３０は、光を透過または遮断する機能を有する。周辺部１０４は、表示領域１０２を囲むように設けられる。駆動回路１０５は、周辺部１０４に設けられ、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、周辺部１０４に設けられ、ソースドライバとしての機能を有する。走査線５１は、駆動回路１０５と接続される。信号線５２は、駆動回路１０６と接続される。画素１０３は、走査線５１および信号線５２と接続される。本実施形態では、画素１０３にはメモリ内蔵の画素（ＭＩＰ：Ｍｅｍｏｒｙ Ｉｎ Ｐｉｘｅｌ）が設けられる。詳細は後述する。

【0013】

表示装置１０において、外部の制御装置（図示せず）からフレキシブルプリント基板１０８を介して表示制御信号が駆動回路１０５および駆動回路１０６に入力される。このとき、駆動回路１０５からの走査信号が走査線５１を介して表示領域１０２内の画素１０３に送信される。同様に、駆動回路１０６からの映像信号が信号線５２を介して表示領域１０２内の画素１０３に送信される。その結果、表示領域１０２において静止画および動画が表示される。

【0014】

（１－２．画素の回路構成について）
続いて、本実施形態における画素１０３の回路構成の詳細について説明する。図２は、画素１０３の回路構成の一例を示すブロック図である。

【0015】

図２に示すように、画素１０３は、３つのスイッチ素子１０３１～１０３３、ラッチ部１０３４、及び液晶表示素子１３０（液晶セル）を有するＳＲＡＭ機能付きの画素構成を有する。ここで、液晶表示素子１３０は、画素電極とこれに対向して配される共通電極との間で発生する液晶容量を制御する。

【0016】

スイッチ素子１０３１は、信号線５２に一端が接続されており、走査線５１から走査信号φＶが与えられることによってオン（閉）状態となり、信号線５２を介して供給されるデータＳＩＧを取り込む。ラッチ部１０３４は、互いに逆向きに並列接続されたインバータ１０３４ａ，１０３４ｂによって構成されており、スイッチ素子１０３１によって取り込まれたデータＳＩＧに応じた電位を保持（ラッチ）する。

【0017】

スイッチ素子１０３２，１０３３は、ラッチ部１０３４の保持電位の極性に応じていずれか一方がオン状態となり、共通電極にコモン電位ＶＣＯＭが印加されている液晶表示素子１３０に対して、当該コモン電位ＶＣＯＭと同相の制御パルスＦＲＰまたは逆相の制御パルスＸＦＲＰを画素電極に与える。スイッチ素子１０３２，１０３３の各一方の端子が共通に接続されたノードが、本画素回路の出力ノードＮｏｕｔとなる。

【0018】

ラッチ部１０３４の保持電位が負側極性のときは、液晶表示素子１３０の画素電位がコモン電位ＶＣＯＭと同相になるため、画素電極と共通電極間で電位が発生せず、液晶分子が初期配向状態から動かない。また、ラッチ部１０３４の保持電位が正側極性のときは、液晶表示素子１３０の画素電位がコモン電位Ｖ_COMと逆相になるため、画素電極と共通電極間に電位が発生し、当該電位に基づいて液晶分子が初期配向状態から回転する。

【0019】

なお、初期配向状態で光を通さない状態の場合、当該画素においては初期配向状態で黒を表示することになる。この場合、液晶分子が初期配向状態から上述の如く回転すると、光を透過させるようになる。この結果、当該画素では白を表示する。なお、この「白を表示」とは、当該画素が点灯していることを意味する。当該画素がカラーフィルタを有している場合は当該カラーフィルタに応じた色を表示する。かかる表示制御を「ノーマリブラック」と称する。他方、液晶分子が初期配向状態のときに光を透過させ（白表示）、初期配向状態から動いた場合に光を不透過（黒表示）とする構成も採用可能である。かかる表示制御を「ノーマリホワイト」と称する。

【0020】

図３は、画素１０３の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。図３において、図２と対応する部分には同一符号を付して示している。なお、図３に示す回路構成を画素回路と称してもよい。

【0021】

図３において、スイッチ素子１０３１は、例えばＮｃｈＭＯＳトランジスタＱ_n10からなる。ＮｃｈＭＯＳトランジスタＱ_n10は、ソース／ドレインが信号線５２に接続され、ゲートが走査線５１に接続されている。

【0022】

スイッチ素子１０３２，１０３３は共に、例えば、ＮｃｈＭＯＳトランジスタ及びＰｃｈＭＯＳトランジスタが並列に接続されてなるトランスファスイッチからなる。具体的には、スイッチ素子１０３２は、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＱ_n11及びＰｃｈＭＯＳトランジスタＱ_p11が互いに並列に接続された構成となっている。スイッチ素子１０３３は、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＱ_n12及びＰｃｈＭＯＳトランジスタＱ_p12が互いに並列に接続された構成となっている。

【0023】

インバータ１０３４ａ，１０３４ｂは共に、例えばＣＭＯＳインバータからなる。具体的には、インバータ１０３４ａは、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＱ_n13及びＰｃｈＭＯＳトランジスタＱ_p13のゲート同士及びドレイン同士が共通に接続された構成となっている。インバータ１０３４ｂは、ＮｃｈＭＯＳトランジスタＱ_n14及びＰｃｈＭＯＳトランジスタＱ_p14のゲート同士及びドレイン同士が共通に接続された構成となっている。

【0024】

上記の回路構成を基本とする画素１０３が、水平方向および垂直方向に展開されて行列状に配置されることになる。この画素１０３の行列状配列に対して、行毎の走査線５１及び列毎の信号線５２に加えて、制御パルスＦＲＰ，ＸＦＲＰを伝送する制御線５６，５７、及び正側電源電圧Ｖ_DD、負側電源電圧Ｖ_SSの電源線５８，５９が列毎に配線されている。

【0025】

上述したように、本実施形態に係るＭＩＰ方式かつアクティブマトリクス型の表示装置１０は、表示データに応じた電位を保持するラッチ部１０３４を有するＳＲＡＭ機能付きの画素（ＭＩＰ）が行列状に配置された構成となっている。なお、本実施形態では、画素内蔵のメモリとしてＳＲＡＭを用いる場合を例に挙げたが、ＳＲＡＭは一例に過ぎず、他の構成のメモリ、例えばＤＲＡＭを用いる構成であっても良い。

【0026】

表示装置１０は、画素内にメモリを持つことで、メモリ表示モードによる表示を実現できる。メモリ表示モードの場合、メモリに保持されている画素データを用いて表示を行うことから、階調を反映した信号電位の書き込み動作をフレーム周期で実行する必要がないため、表示装置の消費電力の低減を図ることができる、という利点がある。

【0027】

また、表示画面を部分的に、即ち、表示画面の一部だけを書き換えたい、というニーズがある。この場合、部分的に画素データを書き換えれば良いことになる。表示画面を部分的に書き換える、即ち、画素データを部分的に書き換えると、書き換えを行わない画素についてはデータを転送する必要がなくなる。したがって、データ転送量を減らすことができるため、表示装置の省電力化を図ることができる。

【0028】

また、図３に示すように、本実施形態において、１画素の中の画素電極が複数個に分割して配置されてもよい。この場合、１画素内の分割された画素電極をサブ画素電極と称してもよい。また、このような画素回路及び当該画素電極に接続されたサブ画素電極の組み合わせを１画素内に複数配置することもできる。かかる複数のサブ画素電極の点灯／消灯の組み合わせ方により当該画素にて階調表示を行うことができる。このとき、サブ画素電極は、中継配線を介して接続されてもよい。

【0029】

（１－３．表示領域の平面および断面構成）
図４は、表示領域の一部を拡大した平面模式図である。図５は、図４のＡ１－Ａ２間の構成を示す断面模式図である。なお、図４及び図５では、説明の関係上、一部の構成を省略して説明する。詳細な断面構成については、後で説明する。

【0030】

図４および図５に示すように、表示装置１０は、基板１０１、遮光層１１９ａ、平坦絶縁層１２５、配向膜１３３、スペーサ１４０、液晶表示素子１３０（画素電極１３１、液晶層１３５、共通電極１３９）、配向膜１３７、平坦絶縁層１５０、カラーフィルタ１６０、及び基板１７０を含む。

【0031】

基板１０１と基板１７０とは、対向して配置される。基板１０１および基板１７０は、光を透過する機能を有する。例えば、基板１０１および基板１７０には透光性を有する無機絶縁材料、有機絶縁材料または無機絶縁材料および有機絶縁材料の混合材料が用いられる。具体的には、基板１０１および基板１７０にはガラス基板が用いられる。基板１０１および基板１７０は、剛性を有する程度の厚さを有することが好ましい。具体的には、基板１０１および基板１７０の厚さは、１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。

【0032】

なお、基板１０１および基板１７０は、剛性を有する例を示したが、これに限定されない。例えば、基板１０１および基板１７０は可撓性を有してもよい。この場合、基板１０１および基板１７０には、有機樹脂材料が用いられてもよい。具体的には、基板１０１および基板１７０にポリイミド樹脂が用いられてもよい。

【0033】

また、基板１０１には、トランジスタ、容量素子、配線などが設けられる。詳細については、後述する。なお、本実施形態では、基板１０１を第１基板といい、基板１７０を第２基板という。

【0034】

液晶表示素子１３０には、画素電極１３１、液晶層１３５および共通電極１３９が用いられる。液晶表示素子１３０は、光を基板１７０側に透過させる、または光を遮断する機能を有する。本実施形態において基板１０１に設けられる複数の画素電極１３１が配向膜１３３に覆われている。同様に、基板１７０に設けられる共通電極１３９が配向膜１３７に覆われている。

【0035】

画素電極１３１は、平坦絶縁層１２５上に画素１０３ごとに設けられる。つまり、画素電極１３１は、表示領域１０２に配置される。画素電極１３１は、液晶表示素子１３０の第１電極としての機能を有する。画素電極１３１には、反射性の導電材料が用いられる。例えば、画素電極１３１には、銀、銅、アルミニウム、チタニウムおよびモリブデンなどの金属材料が用いられる。なお、画素電極１３１は、上述した材料とともに透光性を有しかつ導電性を有する材料が設けられてもよい。例えば、画素電極１３１には、銀とＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を積層させたものが用いられてもよい。なお、ここでいう画素電極とは、上述の如く複数のサブ画素電極を備える構成であっても構わない。

【0036】

カラーフィルタ１６０は、基板１７０（具体的には基板１７０の第１面１７０ａ側）に設けられる。カラーフィルタ１６０は、画素電極１３１と重畳する。カラーフィルタ１６０は、特定の波長帯域の光を透過する機能を有する。例えば、カラーフィルタ１６０ｒには赤色の波長帯域（第１波長帯域ともいう。具体的には６１０ｎｍ～７５０ｎｍの波長帯域）の光を透過する材料が用いられる。カラーフィルタ１６０ｇは緑色の波長帯域（第２波長帯域ともいう。具体的には５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長帯域）の光を透過する材料が用いられる。カラーフィルタ１６０ｂは青色の波長帯域の光（具体的には４３５ｎｍ～４８０ｎｍの波長帯域）を透過する材料が用いられる。

【0037】

本実施形態では、カラーフィルタ１６０の各カラーフィルタ（カラーフィルタ１６０ｒ、カラーフィルタ１６０ｇ、およびカラーフィルタ１６０ｂ）は、それぞれ側面において接する。言い換えれば、基板１７０とカラーフィルタ１６０の各々との間は遮光材料が設けられない構成となっている。なお、カラーフィルタ１６０ｒ、カラーフィルタ１６０ｇ、およびカラーフィルタ１６０ｂは、側面において接して設けられる例を示したが、間隔を有して離隔して配置されてもよい。また、隣り合うカラーフィルタ１６０ｒ、カラーフィルタ１６０ｇ、およびカラーフィルタ１６０ｂの端部同士が一部において互いに重畳しあう構成も採用可能である。

【0038】

平坦絶縁層１５０は、カラーフィルタ１６０上に設けられる。平坦絶縁層１５０（オーバーコート層ともいう）には、無色透明の有機材料、または無色透明の有機材料と無機材料の複合材料が用いられる。例えば、平坦絶縁層１５０にはアクリル樹脂が用いられる。

【0039】

共通電極１３９は、平坦絶縁層１５０上に設けられる。共通電極１３９は、液晶表示素子１３０の第２電極としての機能を有する。図４では簡略して記載し詳細は後述するが、共通電極１３９は、少なくとも表示領域１０２に亘って設けられており、すべての画素電極１３１及び画素電極１３１間と対向している。あるいは、表示領域１０２内で共通電極をパターニングして複数に分け、複数の画素電極１３１と対向する構成も採用可能である。共通電極１３９には、透光性を有しかつ導電性を有する材料が設けられる。例えば、共通電極１３９には、ＩＴＯやＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍｕ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の酸化物導電材料が用いられる。

【0040】

また、共通電極１３９は、隣接する４つの画素電極１３１の間に開口部１３９ａを有する。

【0041】

液晶層１３５において、画素電極１３１と、共通電極１３９との間に複数のスペーサ１４０が設けられる。スペーサ１４０は、画素電極１３１と、共通電極１３９との間の距離、つまり基板１０１と基板１７０との間の間隔を保持する機能を有する。スペーサ１４０には、無機材料又は有機材料が用いられる。この例では、スペーサ１４０には、感光性樹脂で形成されたフォトスペーサが用いられる。スペーサ１４０は、前記複数の画素電極１３１のうち、隣り合って配置される少なくとも２つの画素電極１３１の一部と重畳する。この例では、スペーサ１４０は、隣り合って配置される４つの画素電極１３１の一部と重畳する。本実施形態では、基板１７０、カラーフィルタ１６０、共通電極１３９、およびスペーサ１４０をまとめてカラーフィルタ基板と呼ぶ。

【0042】

液晶層１３５は、画素電極１３１と共通電極１３９との間に配置される。言い換えれば、液晶層１３５は基板１０１と基板１７０との間に設けられる。液晶層１３５は、適宜最適な液晶材料が用いられる。この例では、液晶表示素子１３０としてＴＮ（Ｔｗｉｓｔ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶素子、ＶＡ（Ｖｉｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶素子が用いられる。

【0043】

遮光層１１９ａは、基板１０１と、画素電極１３１との間に設けられる。遮光層１１９ａは、基板１０１の法線方向においてスペーサ１４０と重畳する。このとき、スペーサ１４０の径ｒ１４０は、遮光層１１９ａの径ｒ１１９ａよりも小さいことが望ましい。遮光層１１９ａには、黒色の樹脂材料または反射性金属材料が設けられる。この例では、遮光層１１９ａには、反射性金属材料が用いられる。また、遮光層１１９ａは、信号線５２および後述するソース／ドレイン電極１１９ｂと同一の層に設けられる。

【0044】

本実施形態の表示装置１０の場合、基板１７０側（具体的には、基板１７０の第２面１７０ｂ側）から入射した光が画素電極１３１で反射する。そして、画素電極１３１で反射した光は、液晶層１３５、共通電極１３９、およびカラーフィルタ１６０等を通って基板１７０側から出射される。つまり、表示装置１０は、反射型の液晶表示装置である。このとき、カラーフィルタ１６０ｒ、カラーフィルタ１６０ｇ、およびカラーフィルタ１６０ｂの間には遮光材料が設けられていない。これにより、表示装置１０は反射光学特性を向上させることができる。

【0045】

また、本実施形態において、画素電極１３１は反射性金属材料で形成されることにより、画素電極１３１の下側（基板１０１側）に画素回路を配置することができる。

【0046】

また、本実施形態の場合、図５に示す基板１０１の下側に照明装置２００を設け、画素電極１３１間の隙間（例えば、３μｍ以上１０μｍ以下）から光を透過させてもよい。これにより、表示装置の光学特性を向上させることができる。また、遮光層１１９ａと同一の層である信号線５２が画素電極１３１間の隙間に重畳する場合には、図４および図５に示すように、信号線５２の一部に開口部５２ａを設けてもよい。図示していないが、走査線５１が画素電極１３１間の隙間に重畳する場合には、信号線５２と同様に走査線５１の一部に開口部を設けてもよい。

【0047】

また、本実施形態では、共通電極１３９が開口部１３９ａを有することにより、スペーサ１４０と平坦絶縁層１５０とが接触することができる。スペーサ１４０および平坦絶縁層１５０は、いずれも有機樹脂を含むので、スペーサの基板との接着性（付着性）が高まる。これによりスペーサ１４０が傾いたりするなどのスペーサ１４０の構造変化が抑えられる。

【0048】

また、本実施形態では、共通電極１３９の開口部１３９ａの径ｒ１３９ａは、スペーサ１４０の下側の径ｒ１４０よりも小さいことが望ましい。

【0049】

（１－４．表示装置の製造方法）
次に、表示装置１０の製造方法について、図面を用いて説明する。この例では、説明の関係上、表示装置１０に用いられるカラーフィルタ基板（基板１７０上へのスペーサ１４０の形成まで）の製造方法について説明する。

【0050】

図６に示すように、基板１７０上にカラーフィルタ１６０を形成する。まず、基板１７０に赤色のカラーフィルタ１６０ｒを形成する。このとき、赤色のカラーフィルタ１６０ｒは、スリットコート法により基板１７０の上面全体に塗布形成された後、フォトリソグラフィ法により所定の位置に配置されるように加工される。赤色のカラーフィルタ１６０ｒの厚みは０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上３μｍ以下である。この例では、赤色のカラーフィルタ１６０ｒの厚みは、１μｍである。

【0051】

次に、基板１７０に緑色のカラーフィルタ１６０ｇを形成する。このとき、緑色のカラーフィルタ１６０ｇは、スリットコート法により基板１７０および赤色のカラーフィルタ１６０ｒ上に塗布形成された後、フォトリソグラフィ法により赤色のカラーフィルタ１６０ｒとは異なる位置に配置されるように加工される。このとき、赤色のカラーフィルタ１６０ｒと、緑色のカラーフィルタ１６０ｇは、側面において接してもよい。

【0052】

次に、基板１７０上に青色のカラーフィルタ１６０ｂを形成する。このとき、青色のカラーフィルタ１６０ｂは、スリットコート法により基板１７０、赤色のカラーフィルタ１６０ｒおよび緑色のカラーフィルタ１６０ｇ上に塗布形成された後、フォトリソグラフィ法により赤色のカラーフィルタ１６０ｒおよび緑色のカラーフィルタ１６０ｇとは異なる位置に配置されるように加工される。青色のカラーフィルタ１６０ｒは、赤色のカラーフィルタ１６０ｒおよび緑色のカラーフィルタ１６０ｇと側面において接してもよい。

【0053】

次に、基板１７０およびカラーフィルタ１６０上に平坦絶縁層１５０を形成する。平坦絶縁層１５０は、アクリル樹脂のほか、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などで形成される。平坦絶縁層１５０は、塗布法、具体的にはスリットコート法により形成される。平坦絶縁層１５０の厚みは０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３μｍ以下である。

【0054】

図７に示すように、平坦絶縁層１５０上に共通電極１３９を形成する。共通電極１３９は、ＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電材料で形成される。共通電極１３９は、スパッタリング法、または蒸着法により、形成される。共通電極１３９の厚さは、０．０５μｍ以上１μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。

【0055】

次に、共通電極１３９に開口部１３９ａを形成する。開口部１３９ａは、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により形成される。開口部１３９ａは、カラーフィルタ１６０の各カラーフィルタの境界領域と重畳するように形成される。また、開口部１３９ａは、基板１０１上の遮光層１１９ａと重畳する位置に形成される。

【0056】

図８に示すように、共通電極１３９および平坦絶縁層１５０上にスペーサ１４０を形成する。スペーサ１４０は、塗布法により共通電極１３９上に有機樹脂層として形成された後、フォトリソグラフィにより所定の形状に加工される。このとき、スペーサ１４０は、開口部１３９ａと重畳するように形成される。これにより、スペーサ１４０と平坦絶縁層１５０とが接することができる。結果的に、スペーサ１４０の基板１７０側における密着性を向上させることができる。

【0057】

本実施形態において、開口部１３９ａを形成することにより、共通電極を形成後においてもなお、有機樹脂を含む平坦絶縁層１５０およびカラーフィルタ１６０から発生するガスを適宜開口部１３９ａから排出することができる。したがって、製造工程における上記有機膜の脱ガスが促進され、製造後に生じる脱ガスによる表示不良の発生を抑制することができる。

【0058】

（１－５．表示装置のその他の構成）
次に、表示装置１０のその他の構成について断面図を用いて詳述する。図９は、表示装置１０、とくに表示領域１０２の画素１０３部分の断面図を示す。図９に示すように、画素１０３において、表示装置１０は、基板１０１、液晶表示素子１３０（画素電極１３１、液晶層１３５、共通電極１３９）、スペーサ１４０、平坦絶縁層１５０、カラーフィルタ１６０、遮光層１１９ａ、および基板１７０に加えて、トランジスタ１１０、絶縁層１１７、平坦絶縁層１２１、導電層１２３、平坦絶縁層１２５、偏光板１８０および偏光板１８１が設けられる。

【0059】

トランジスタ１１０は、ゲート電極１１１、ゲート絶縁層１１３、半導体層１１５、およびソース／ドレイン電極１１９ｂを有する。トランジスタ１１０は、ボトムゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、トップゲート・トップコンタクト構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。

【0060】

なお、図示されていないが、容量素子は、ゲート絶縁層１１３を誘電体として半導体層１１５のソースまたはドレイン領域およびゲート電極１１１と同一の層に設けられた容量電極が用いて構成されてもよい。

【0061】

ゲート電極１１１は、基板１０１上（具体的には基板１０１の第１面１０１ａ側）に設けられる。ゲート電極１１１は、走査線５１と適宜接続される。ゲート電極１１１は、銀、銅、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料の単層、積層物、または合金で形成されてもよい。なお、基板１０１とゲート電極１１１との間に絶縁層が設けられてもよい。

【0062】

ゲート絶縁層１１３は、ゲート電極１１１上に設けられる。ゲート絶縁層１１３は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料で形成されてもよい。ゲート絶縁層１１３は、単層であってもよいし、上記材料の積層構造であってもよい。

【0063】

半導体層１１５は、ゲート絶縁層１１３上に設けられる。半導体層１１５は、シリコン、酸化物半導体または有機物半導体などが用いられてもよい。

【0064】

絶縁層１１７は、ゲート絶縁層１１３、および半導体層１１５上に設けられる。絶縁層１１７は、ゲート絶縁層１１３と同様の材料で形成される。なお、絶縁層１１７は、単層であってもよいし、積層であってもよい。

【0065】

ソース／ドレイン電極１１９ｂは、絶縁層１１７上に設けられる。ソース／ドレイン電極１１９ｂは、信号線５２と適宜接続される。ソース／ドレイン電極１１９ｂおよび信号線５２には、ゲート電極１１１の材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。このとき、ソース／ドレイン電極１１９ｂはゲート電極１１１と同じ材料で形成されてもよいし、異なる材料で形成されてもよい。

【0066】

平坦絶縁層１２１は、段差を平坦化する機能を有し、絶縁層１１７およびソース／ドレイン電極１１９ｂ上に設けられる。平坦絶縁層１２１は、有機樹脂を含む。この例では、平坦絶縁層１２１には、アクリル樹脂が用いられる。なお、平坦絶縁層１２１はアクリル樹脂に限定されずに、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などで形成されてもよい。または、平坦絶縁層１２１は有機樹脂と無機材料との積層で形成されてもよい。

【0067】

導電層１２３は、平坦絶縁層１２１上に設けられる。導電層１２３は、各トランジスタをつなぐための中継配線として機能することができる。導電層１２３には、導電材料が用いられる。例えば、導電層１２３は、ゲート電極１１１と同様の材料で形成される。導電層１２３に加え、特に図示していないが、前述のソース／ドレイン電極１１９ｂと接合される他の配線も同じ導電材料を用いて形成されてもよい。

【0068】

平坦絶縁層１２５は、段差を平坦化する機能を有する。平坦絶縁層１２５は、平坦絶縁層１２１および導電層１２３上に設けられる。平坦絶縁層１２５は、平坦絶縁層１２１と同様の材料が用いられてもよい。

【0069】

偏光板１８１は、基板１０１の外側の第２面１０１ｂ上に設けられる。偏光板１８０は、基板１７０の外側（視認される側）の第２面１７０ｂ上に設けられる。なお、偏光板１８１を具備しない構成も採用可能である。

【0070】

本実施形態では、基板１０１上に平坦絶縁層が２層積層された構造を有している（平坦絶縁層１２１および平坦絶縁層１２５が積層されている）。そして、平坦絶縁層１２１と、平坦絶縁層１２５との間に導電層１２３が設けられている。導電層１２３は、平坦絶縁層１２５上に分離して設けられた画素電極１３１を電気的に接続する。

【0071】

本実施形態では、平坦絶縁層を１層設ける場合に比べて画素電極直下の平坦絶縁層１２５の膜厚を薄くすることができる。これにより、平坦絶縁層１２５に画素電極１３１との電気的接続のために設けられるコンタクトホール径を、１層構造の平坦絶縁層の場合に比べて小さくできる。これにより、画素サイズを小さくできる。したがって、表示装置の高精細化を図ることができる。

【0072】

また、本実施形態では、複数の画素電極１３１を繋ぐ金属配線（導電層１２３）が２つの平坦絶縁層の間に設けられている。このため、反射型液晶表示装置において、画素電極１３１と同一平面内に接続配線が設けられる場合に比べて表示有効面積（反射面積）が減少することを抑えられる。

【0073】

また、表示装置１０は、基板１０１の第２面１０１ｂの下側に照明装置２００が設けられる。照明装置２００から照射された光は画素電極１３１の間を通って液晶表示素子１３０を透過し、基板１７０の第２面１７０ｂ側から出射される。これにより、表示装置１０は、反射光とともに透過光を利用することができ、表示画面の輝度を向上させることができる。

【0074】

また、このように表示装置１０の下方に照明装置２００を設ける構成においては、図５に示すように、スペーサ１４０の径ｒ１４０は、遮光層１１９ａの径ｒ１１９ａよりも小さいため、スペーサ１４０およびスペーサ１４０の周辺が遮光層１１９ａにより遮光されている。これにより、スペーサ１４０およびその周辺の配向乱れが生じやすい部分への照明装置２００からの光の通過は抑制される。この結果、コントラスト低下が抑制される。

【0075】

＜第２実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態と異なる表示装置について説明する。具体的には、機能および高さの異なるスペーサが配置されている例について説明する。

【0076】

図１０は、表示装置１０Ａの表示領域１０２Ａの一部を拡大した断面模式図である。なお、図１０では、説明の関係上、一部の構成を省略して説明する。詳細な断面構成については、後で説明する。

【0077】

図１０に示すように、表示装置１０Ａは、基板１０１、遮光層１１９ａ、配向膜１３３、液晶表示素子１３０（画素電極１３１、液晶層１３５、共通電極１３９Ａ）、配向膜１３７、平坦絶縁層１５０、カラーフィルタ１６０、及び基板１７０に加えてスペーサ１４０Ａを含む。

【0078】

スペーサ１４０Ａは、サブスペーサ１４０Ａ１（第１スペーサともいう）およびメインスペーサ１４０Ａ２（第２スペーサともいう）を含む。サブスペーサ１４０Ａ１およびメインスペーサ１４０Ａ２は、スペーサ１４０と同様の材料で形成される。第１実施形態と異なり、本実施形態では、スペーサ１４０Ａが共通電極１３９Ａの開口部１３９Ａａに対応して設けられなくてもよい。具体的には、サブスペーサ１４０Ａ１は、開口部１３９Ａａに対応して設けられる。メインスペーサ１４０Ａ２は、開口部１３９Ａａに対応せずに配置される。

【0079】

本実施形態では、サブスペーサ１４０Ａ１は、開口部１３９Ａａを介して平坦絶縁層１５０と接触する。このとき、サブスペーサ１４０Ａ１は、画素電極１３１と離隔する。具体的には、サブスペーサ１４０Ａ１の先端部１４０Ａ１ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と離隔する。一方、メインスペーサ１４０Ａ２は、隣り合って配置された画素電極１３１の一部と接触する。具体的には、メインスペーサ１４０Ａ２の先端部１４０Ａ２ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と接触する。そのため、図１０に示すように、画素電極１３１と共通電極１３９との間のサブスペーサ１４０Ａ１の高さＨ１（第１高さともいう）は、画素電極１３１と共通電極１３９との間のメインスペーサ１４０Ａ２の高さＨ２（第２高さともいう）よりも小さい。メインスペーサ１４０Ａ２は、画素電極１３１と常に接触するため、接地柱と呼ぶことができる。一方、サブスペーサ１４０Ａ１は、通常時は、画素電極１３１と離隔している。しかしながら、基板１７０側から物理的衝撃が加えられたときに、サブスペーサ１４０Ａ１は、画素電極１３１と接触する。そのため、サブスペーサ１４０Ａ１は、浮き柱と呼ぶことができる。

【0080】

図１１は、表示装置１０Ａを示す模式図である。図１１に示すように、表示装置１０Ａにおいて、サブスペーサ１４０Ａ１および開口部１３９Ａａは、メインスペーサ１４０Ａ２とともに表示領域１０２に均一に配置されていてもよい。このとき、メインスペーサ１４０Ａ２の単位面積当たりの配置される数（配置密度）は、サブスペーサ１４０Ａ１の配置密度よりも小さくてもよい。例えば、メインスペーサ１４０Ａ２の配置密度は、サブスペーサ１４０Ａ１の配置密度の６７％以下であってもよい。また、メインスペーサ１４０Ａ２の配置密度は、表示領域の面積に対して１０％以下、または１％以下、または０．１％以上０．５％以下であってもよい。なお、図１１においてはメインスペーサ１４０Ａ２の図示を省略している（図１２、１４についても同様）。

【0081】

本実施形態では、サブスペーサ１４０Ａ１が設けられることにより、物理的衝撃に対する影響が緩和される。つまり、本実施形態の表示装置を用いることにより、衝撃耐性を高めることができる。

【0082】

＜第３実施形態＞
本実施形態では、第２実施形態と異なる表示装置について説明する。具体的には、サブスペーサの配置密度が表示領域内で異なる例について説明する。

【0083】

図１２は、表示装置１０Ｂの模式図である。図１２において、特に表示領域１０２Ｂにおけるサブスペーサ１４０Ｂ１（共通電極１３９Ｂの開口部１３９Ｂａ）の配置密度について説明する。表示装置１０Ｂにおいて、表示領域１０２Ｂの中央部Ｒ１において平坦絶縁層１５０またはカラーフィルタ１６０中の残留ガスが多い場合がある。そのため、図１２に示すように、表示装置１０Ｂにおいて、開口部１３９Ｂａのうち、表示領域１０２Ｂの中心部Ｒ１に設けられる単位面積あたりの開口部の数Ｎ_R1と、表示領域１０２Ｂの周辺部Ｒ２に設けられる単位面積当たりの開口部の数Ｎ_R2とは異なることが望ましい。言い換えれば、サブスペーサ１４０Ｂ１（開口部１３９Ｂａ）の配置密度は、表示領域１０２Ｂの周辺部Ｒ２から中央部Ｒ１に行くほど高いことが望ましい。これにより、表示装置の製造時にたまるガスを効果的に放出（デガス）することができる。表示領域１０２Ｂの中央部Ｒ１は特に当該ガスを抜きにくい部位であるが、上記のように開口部１３９Ｂａを配置することにより、製造工程における脱ガス処理をより効果的に行うことができる。結果として、表示装置１０Ｂが完成した後の表示不良の発生を抑制することができる。

【0084】

＜第４実施形態＞
本発明の第２実施形態では、サブスペーサ１４０Ａ１は、開口部１３９ａに対応して設けられる例を示したが、本発明はこれに限定されない。本実施形態では、構造の異なるサブスペーサを有する例について説明する。

【0085】

図１３は、表示装置１０Ｃの表示領域１０２Ｃの一部を拡大した断面模式図である。図１３に示すように、スペーサ１４０Ｃは、メインスペーサ１４０Ｃ２とともにとともにサブスペーサ１４０Ｃ１およびサブスペーサ１４０Ｃ３を含む。サブスペーサ１４０Ｃ１は、共通電極１３９Ｃの開口部１３９Ｃａに対応して設けられてもよい。メインスペーサ１４０Ｃ２およびサブスペーサ１４０Ｃ３は、共通電極１３９Ｃの開口部１３９Ｃａに対応せずに配置されてもよい。

【0086】

メインスペーサ１４０Ｃ２は、画素電極１３１と接触する。具体的には、メインスペーサ１４０Ｃ２の先端部１４０Ｃ２ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と接触する。

【0087】

サブスペーサ１４０Ｃ１は、開口部１３９Ｃａを介して平坦絶縁層１５０と接触する。一方、サブスペーサ１４０Ｃ１は、画素電極１３１と離隔する。具体的には、サブスペーサ１４０Ｃ１の先端部１４０Ｃ１ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と離隔する。同様に、サブスペーサ１４０Ｃ３は、画素電極１３１と離隔する。具体的には、サブスペーサ１４０Ｃ３の先端部１４０Ｃ３ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と離隔する。このとき、図１３に示すように、画素電極１３１と共通電極１３９との間のサブスペーサ１４０Ｃ１の高さＨ１は、メインスペーサ１４０Ｃ２の高さＨ２よりも小さく、画素電極１３１と共通電極１３９との間のサブスペーサ１４０Ｃ３の高さＨ３（第３高さともいう）と実質的に同一である。

【0088】

本実施形態では、メインスペーサ１４０Ｃ２、サブスペーサ１４０Ｃ１およびサブスペーサ１４０Ｃ３は、フォトリソグラフィ法により同時に形成されてもよい。このとき、サブスペーサ１４０Ｃ３は、ハーフトーンマスクを用いて形成されてもよい。

【0089】

図１４は、表示装置１０Ｃにおけるサブスペーサの配置を示す模式図である。図１４に示すように、サブスペーサ１４０Ｃ１およびサブスペーサ１４０Ｃ３を合わせたサブスペーサ全体は、メインスペーサ１４０Ｃ２とともに、表示領域１０２に均一に配置されてもよい。このとき、サブスペーサ１４０Ｃ１（開口部１３９Ｃａ）の配置密度は、第３実施形態と同様に表示領域１０２の周辺部Ｒ２から中央部Ｒ１に行くほど高くてもよい。上記のように開口部１３９Ｃａを配置することにより、製造工程における脱ガス処理をより効果的に行うことができる。結果として、表示装置１０Ｃが完成した後の表示不良の発生を抑制することができる。

【0090】

＜第５実施形態＞
本発明の第２実施形態では、サブスペーサの高さとメインスペーサの高さが異なる例を示したが、本発明はこれに限定されない。本実施形態では、開口部に対応しないサブスペーサと重畳する画素電極の構造が異なる例について、説明する。

【0091】

図１５は、表示装置１０Ｄの表示領域１０２Ｄの一部を拡大した断面模式図である。図１５に示すように、スペーサ１４０Ｄは、メインスペーサ１４０Ｄ２とともにサブスペーサ１４０Ｄ１およびサブスペーサ１４０Ｄ３を含む。サブスペーサ１４０Ｄ１は、共通電極１３９Ｄの開口部１３９Ｄａに対応して設けられてもよい。サブスペーサ１４０Ｃ３は、共通電極１３９Ｄの開口部１３９Ｄａに対応せずに配置されてもよい。

【0092】

メインスペーサ１４０Ｄ２は、画素電極１３１と接触する。具体的には、メインスペーサ１４０Ｄ２の先端部１４０Ｄ２ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と接触する。

【0093】

サブスペーサ１４０Ｄ１は、開口部１３９Ｄａを介して平坦絶縁層１５０と接触する。サブスペーサ１４０Ｄ１は、画素電極１３１と離隔する。具体的には、サブスペーサ１４０Ｄ１の先端部１４０Ｄ１ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と離隔する。

【0094】

サブスペーサ１４０Ｄ３は、画素電極１３１と離隔する。具体的には、サブスペーサ１４０Ｄ３の先端部１４０Ｃ３ａに設けられた配向膜１３７が画素電極１３１の上面１３１ａに設けられた配向膜１３３と離隔する。このとき、平坦絶縁層１２５のうちサブスペーサ１４０Ｄ３に対応する部分が凹みを有してもよい。これにより、画素電極１３１は、平坦絶縁層１２１の形状に応じて配置される。

【0095】

図１５に示すように、画素電極１３１の上面と共通電極１３９の上面との間のサブスペーサ１４０Ｄ３の高さＨ３は、画素電極１３１の上面と共通電極１３９の上面との間のメインスペーサ１４０Ｄ２の高さＨ２と実質的に同一である。

【0096】

メインスペーサ１４０Ｄ２、サブスペーサ１４０Ｄ１およびサブスペーサ１４０Ｄ３は、フォトリソグラフィ法により同時に形成されてもよい。

【0097】

サブスペーサ１４０Ｄ３は、メインスペーサ１４０Ｄ２とともに、表示領域に均一に配置されてもよい。このとき、サブスペーサ１４０Ｄ１（開口部１３９ａ）の配置密度は、第４実施形態と同様に表示領域１０２の周辺部から中央部に行くほど高くてもよい。

【0098】

＜変形例＞
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0099】

本発明の第１実施形態では、平坦絶縁層１５０の上面は平坦である例を示したが、本発明はこれに限定されない。図１６は、表示装置１０Ｅの表示領域１０２Ｅの一部を拡大した断面模式図である。例えば、図１６に示すように、平坦絶縁層１５０のうちスペーサ１４０と接する部分１５０ａは、凸部を有してもよい。例えば、カラーフィルタの端部が重なる。その結果、平坦絶縁層１５０が部分的に膨らむ。これにより、スペーサ１４０と平坦絶縁層１５０との接触面積が広くなる。結果として、スペーサ１４０と、平坦絶縁層１５０との密着性をさらに向上させることができる。

【0100】

また、本発明の第１実施形態では、遮光層１１９ａがソース／ドレイン電極１１９ｂと同一の層に設けられる例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、遮光層１１９ａは、ゲート電極１１１（または走査線５１）と同一の層に設けられてもよいし、中継配線として機能する導電層１２３と同一の層に設けられてもよい。

【0101】

また、本発明の第１実施形態では、カラーフィルタを用いる例を示したが、これに限定されない。本発明の一実施形態は、カラーフィルタを有しない構造（モノクロ表示構造）にも適用可能である。

【符号の説明】

【0102】

１０・・・表示装置，５１・・・走査線，５２・・・信号線，５６・・・制御線，５７・・・制御線，５８・・・電源線，５９・・・電源線，１０１・・・基板，１０２・・・表示領域，１０３・・・画素，１０４・・・周辺部，１０５・・・駆動回路，１０６・・・駆動回路，１０８・・・フレキシブルプリント基板，１０９・・・端子部，１１０・・・トランジスタ，１１１・・・ゲート電極，１１３・・・ゲート絶縁層，１１５・・・半導体層，１１７・・・絶縁層，１１９ａ・・・遮光層，１１９ｂ・・・ソース・ドレイン電極，１２１・・・平坦絶縁層，１２３・・・導電層，１２５・・・平坦絶縁層，１３０・・・液晶表示素子，１３１・・・画素電極，１３３・・・配向膜，１３５・・・液晶層，１３７・・・配向膜，１３９・・・共通電極，１３９ａ・・・開口部，１４０・・・スペーサ，１５０・・・平坦絶縁層，１６０・・・カラーフィルタ，１７０・・・基板，１８０・・・偏光板，１８１・・・偏光板，２００・・・照明装置，１０３１・・・スイッチ素子，１０３２・・・スイッチ素子，１０３３・・・スイッチ素子，１０３４・・・ラッチ部，１０３４ａ・・・インバータ，１０３４ｂ・・・インバータ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】