特開 2022-62235 パワー・デバイス用のパッケージ構造

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022062235

(43)【公開日】2022-04-19

(54)【発明の名称】パワー・デバイス用のパッケージ構造

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20220412BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20220412BHJP

   H01L 23/36 20060101ALI20220412BHJP

   H01L 23/14 20060101ALI20220412BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 C

H01L21/60 311S

H01L23/36 C

H01L23/14 M

【審査請求】有

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022020106

(22)【出願日】2022-02-14

(62)【分割の表示】P 2020001238の分割

【原出願日】2020-01-08

(31)【優先権主張番号】108128918

(32)【優先日】2019-08-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】502121096

【氏名又は名称】朋程科技股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110000729

【氏名又は名称】特許業務法人 ユニアス国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】蔡 欣昌

(72)【発明者】

【氏名】劉 敬文

(57)【要約】      （修正有）

【課題】従来のパワー・モジュールの過剰な寄生効果によって引き起こされる電力変換損失の問題を解決するパワー・デバイス用のパッケージ構造を提供する。
【解決手段】パワー・デバイス用のパッケージ構造１００は、放熱絶縁基板１０２と、複数のパワー・デバイス１０４と、少なくとも１つの導電クリップ１０６と、放熱台板１０８と、を含む。放熱絶縁基板１０２は、第１の面１０２ａ及び第１の面１０２ａに対向する第２の面１０２ｂを有する。パワー・デバイス１０４は、ブリッジ回路トポロジを形成し、第１の面１０２ａ上に配置される。パワー・デバイス１０４のうちの少なくとも１つの活性領域１０４ａは、第１の面１０２ａにフリップチップ接合される。導電クリップ１０６は、パワー・デバイス１０４のうちの少なくとも１つを第１の面１０２ａに電気的に接続するように構成される。放熱台板１０８は、放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂに配置される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パワー・デバイス用のパッケージ構造であって、
絶縁材ボードと、該絶縁材ボードの一方の面上に形成されたパターニングされた回路と、該絶縁材ボードの他方の面上に形成された下部回路層全体と、を含む放熱絶縁基板と、
ブリッジ回路トポロジを形成し、該パターニングされた回路上に配置される複数のパワー・デバイスと、
該パワー・デバイスのうちの少なくとも１つを該パターニングされた回路に電気的に接続するように構成される、少なくとも１つの導電クリップと、
該下部回路層全体と一体的に形成された放熱台板であって、該下部回路層全体と同じ材料で作られている放熱台板と、
を備える、パワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項2】

前記少なくとも１つの導電クリップが、前記パワー・デバイスのうちの１つまたは複数を前記パターニングされた回路に電気的に接続し、前記パワー・デバイスが前記パターニングされた回路に接合されている側に対向する、前記パワー・デバイスの反対側に配置される、請求項１記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項3】

前記複数のパワー・デバイスが、縦型パワー・デバイスを含み、該縦型パワー・デバイスの活性領域が、前記パターニングされた回路にフリップチップ接合され、前記少なくとも１つの導電クリップが、該縦型パワー・デバイスの非活性領域を前記パターニングされた回路に電気的に接続する、請求項１記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項4】

前記放熱絶縁基板が、ダイレクト・ボンディング銅（ＤＢＣ）セラミック基板、直接めっき銅（ＤＰＣ）セラミック基板、絶縁金属基板（ＩＭＳ）、またはプリント回路基板（ＰＣＢ）を含む、請求項１記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項5】

前記パターニングされた回路が、複数の電気的機能を含み、前記少なくとも１つの導電クリップと電気的に接続され、該パターニングされた回路が、前記複数のパワー・デバイスと電気的に接続される、請求項１記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項6】

前記少なくとも１つの導電クリップが、異なる電気的機能の前記パターニングされた回路に接続する、請求項５記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項7】

１つの前記導電クリップが、異なる電気的機能の前記パターニングされた回路を４つの前記パワー・デバイスに接続する、請求項５記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項8】

前記下部回路層全体の断面積が前記放熱台板の断面積より小さい、請求項１記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【請求項9】

前記導電クリップの材料が黒鉛である、請求項１記載のパワー・デバイス用のパッケージ構造。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

開示は、パッケージ構造に関し、特に、パワー・デバイス用のパッケージ構造に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、パワー・モジュールは、様々な製品における電気エネルギー変換のための主な中心的装置であり、その内部にパワー・デバイスがパッケージ化されている。初期段階では、アルミニウム（Ａｌ）金属ワイヤが、パワー・モジュール内のチップ間の接続線として使用され、過剰な寄生インダクタンスおよび寄生インピーダンスが、高い電力変換損失および不均一な電流分布を引き起こす。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

発明は、パワー・デバイス用のパッケージ構造を提供し、それは、従来のパワー・モジュールの過剰な寄生効果によって引き起こされる電力変換損失の問題を解決し得る。

【0004】

発明は、パワー・デバイス用のパッケージ構造をさらに提供し、それは、パワー・モジュールの漂遊インダクタンスおよび熱抵抗を減少させ得る。

【課題を解決するための手段】

【0005】

発明のパワー・デバイス用のパッケージ構造は、放熱絶縁基板と、複数のパワー・デバイスと、少なくとも１つの導電クリップと、放熱台板と、を含む。放熱絶縁基板は、第１の面および第１の面に対向する第２の面を有する。パワー・デバイスは、ブリッジ回路トポロジを形成し、第１の面上に配置され、パワー・デバイスのうちの少なくとも１つの活性領域は、第１の面にフリップチップ接合される。導電クリップは、パワー・デバイスのうちの少なくとも１つを第１の面に電気的に接続するように構成される。放熱台板は、放熱絶縁基板の第２の面に配置される。

【0006】

発明の実施形態において、１つの導電クリップは、パワー・デバイスのうちの１つまたは複数を放熱絶縁基板に電気的に接続し、パワー・デバイスが放熱絶縁基板に接合されている側に対向する、パワー・デバイスの反対側に配置される。

【0007】

発明の実施形態において、導電クリップの材料は、アルミニウム、銅、または黒鉛を含む。

【0008】

発明の実施形態において、複数のパワー・デバイスは、例えば縦型パワー・デバイスを含み、縦型パワー・デバイスの活性領域は、第１の面にフリップチップ接合され、少なくとも１つの導電クリップが、縦型パワー・デバイスの非活性領域を第１の面に電気的に接続する。

【0009】

発明の実施形態において、放熱絶縁基板は、ダイレクト・ボンディング銅（ＤＢＣ）セラミック基板、直接めっき銅（ＤＰＣ）セラミック基板、絶縁金属基板（ＩＭＳ）、またはプリント回路基板（ＰＣＢ）を含む。

【0010】

発明の実施形態において、放熱絶縁基板は、パターニングされた回路を有し、パターニングされた回路は、複数の電気的機能を含み、少なくとも１つの導電クリップと電気的に接続され、パターニングされた回路は、複数のパワー・デバイスと電気的に接続される。

【0011】

発明の実施形態において、１つの導電クリップは、異なる電気的機能のパターニングされた回路に接続し得る。

【0012】

発明の実施形態において、放熱絶縁基板の第２の面は、放熱台板と一体形成されるか、または放熱台板と熱的に接触している。

【0013】

発明の別のパワー・デバイス用のパッケージ構造は、放熱絶縁基板と、複数の縦型パワー・デバイスと、少なくとも１つの導電クリップと、を含む。複数の縦型パワー・デバイスは、ブリッジ回路トポロジを形成し、縦型パワー・デバイスのうちの少なくとも１つの活性領域は、放熱絶縁基板にフリップチップ接合される。導電クリップは、放熱絶縁基板にフリップチップ接合された縦型パワー・デバイスの非活性領域を、放熱絶縁基板に電気的に接続する。

【0014】

発明の別の実施形態において、放熱絶縁基板は、パターニングされた回路を有し、パターニングされた回路は、複数の電気的機能を含み、少なくとも１つの導電クリップと電気的に接続され、パターニングされた回路は、複数の縦型パワー・デバイスと電気的に接続される。

【0015】

発明の別の実施形態において、１つの導電クリップは、異なる電気的機能のパターニングされた回路に接続する。

【0016】

発明の別の実施形態において、パワー・デバイス用のパッケージ構造は、放熱絶縁基板が複数の縦型パワー・デバイスに接合された面以外の、放熱絶縁基板の別の面に配置された放熱台板をさらに含む。

【0017】

発明の別の実施形態において、放熱絶縁基板は、放熱台板と一体形成されるか、または放熱台板と熱的に接触している。

【発明の効果】

【0018】

上記に基づいて、発明のパワー・デバイス用のパッケージ構造は、パワー・デバイスが放熱基板に直接フリップチップ接合された接続構成であり、導電クリップは、アルミニウム金属線を回路として置換するために使用される。これは、電力変換損失を減少させ、電流をより均一に分散させるように、放熱基板および導電クリップの低い寄生インピーダンスおよび寄生インダクタンスによって、パワー・モジュールの漂遊インダクタンスおよび熱抵抗を減少させる効果を達成する。

【0019】

発明の前述のおよびその他の目的および利点を理解可能にするために、図面を伴った実施形態が、以下で詳細に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】発明の第１の実施形態による、パワー・デバイス用のパッケージ構造の断面図である。

【0021】

【図2】第１の実施形態による、パワー・デバイス用の別のパッケージ構造の断面図である。

【0022】

【図3】発明の第２の実施形態による、パワー・デバイス用のパッケージ構造の断面図である。

【0023】

【図4A】第１の実施形態による、ハーフ・ブリッジ回路を構成するパワー・デバイス用のパッケージ構造の平面図である。

【0024】

【図4B】３つの図４Ａに示される構造から構成される異相ハーフ・ブリッジ回路トポロジ・デバイスの回路図である。

【0025】

【図4C】図４Ｂの回路の電気ループ図である。

【0026】

【図5】ハーフ・ブリッジ回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

多くの異なる実施または例が、発明の異なる特徴を実施するために以下に開示された内容によって提供される。確かに、これらの実施形態は、単なる例であり、発明の範囲および適用を限定するように意図されない。さらに、コンポーネント、フィルム、または領域の相対厚さおよび位置は、明確化のために減少されてもよく、または拡大されてもよい。さらに、同一または類似の参照番号は、添付図面において同一または類似の要素または特徴を示すために使用される。１つの図面に出現する参照番号の詳細は、以下の図面の説明において省略されてもよい。

【0028】

図１は、発明の第１の実施形態による、パワー・デバイス用のパッケージ構造の断面図である。

【0029】

図１を参照すると、本実施形態のパワー・デバイス用のパッケージ構造１００は、放熱絶縁基板１０２と、複数のパワー・デバイス１０４と、少なくとも１つの導電クリップ１０６と、放熱台板１０８と、を含む。放熱絶縁基板１０２は、第１の面１０２ａおよび第１の面１０２ａに対向する第２の面１０２ｂを有する。パワー・デバイス１０４は、ブリッジ回路トポロジ（ハーフ・ブリッジまたはフル・ブリッジ回路トポロジを含む）を形成し、第１の面１０２ａ上に配置される。パワー・デバイス１０４のうちの少なくとも１つの活性領域１０４ａは、第１の面１０２ａにフリップチップ接合される。１つの実施形態において、パワー・デバイス１０４は、例えば縦型パワー・デバイスであり、したがって、縦型パワー・デバイスの活性領域（すなわち１０４ａ）は、第１の面１０２ａにフリップチップ接合される。放熱絶縁基板１０２は、例えば、ダイレクト・ボンディング銅（ＤＢＣ）セラミック基板、直接めっき銅（ＤＰＣ）セラミック基板、絶縁金属基板（ＩＭＳ）、またはプリント回路基板（ＰＣＢ）である。

【0030】

第１の実施形態において、導電クリップ１０６は、パワー・デバイス１０４のうちの少なくとも１つを第１の面１０２ａと電気的に接続するように構成され、導電クリップ１０６の材料は、例えば、アルミニウム、銅、または黒鉛である。さらに、１つの導電クリップ１０６は、複数のパワー・デバイス１０４を放熱絶縁基板１０２に電気的に接続してもよく、パワー・デバイスが放熱絶縁基板１０２に接合されている側に対向する、パワー・デバイス１０４の反対側１０４ｂに配置される。しかしながら、発明はこれらに限定されず、１つの導電クリップ１０６は、また、１つのパワー・デバイス１０４を放熱絶縁基板１０２に電気的に接続するだけであってもよい。１つの実施形態において、パワー・デバイス１０４が、縦型パワー・デバイスである場合、導電クリップ１０６の一部は、縦型パワー・デバイスの非活性領域に電気的に接続してもよく、導電クリップ１０６の他の部分は、第１の面１０２ａに電気的に接続してもよい。さらに、第１の導電接続層１１０によって、第１の面１０２ａと導電クリップ１０６との間に相互電気接続が形成されてもよく、第２の導電接続層１１２によって、パワー・デバイス１０４と導電クリップ１０６との間に相互電気接続が形成されてもよいが、発明は、これらに限定されない。第１の導電接続層１１０および第２の導電接続層１１２は、例えば、焼結銀層または他の導電接続層である。

【0031】

再び図１を参照すると、放熱絶縁基板１０２は、パターニングされた回路１１４を有し、パターニングされた回路１１４は、絶縁材ボード１１６上に形成される。放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂには、下部回路層１１８全体が具備され得る。例えば、はんだ継手１２０は、各パワー・デバイス１０４のパッド（図示せず）上に形成され、はんだ継手１２０は、フリップチップ接合技術を利用してパワー・デバイス１０４と放熱絶縁基板１０２との接続を実現することによって、放熱絶縁基板１０２のパターニングされた回路１１４に正対するように構成される。パターニングされた回路１１４は、複数の電気的機能を含んでもよく、導電クリップ１０６と電気的に接続され、パターニングされた回路１１４は、パワー・デバイス１０４と電気的に接続される。１つの実施形態において、１つの導電クリップ１０６は、異なる電気的機能のパターニングされた回路１１４に接続し得る。

【0032】

放熱台板１０８は、放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂに配置され、第３の導電接続層１２２を介して相互に電気的に接続され得る。第３の導電接続層１２２は、例えば、焼結銀層または他の導電接続層である。しかしながら、発明は、これらに限定されない。

【0033】

放熱絶縁基板１０２の第２の面１０２ｂは、また、図２に示すように、放熱台板２００と一体形成されてもよく、または放熱台板２００と熱的に接触していてもよい。すなわち、放熱台板２００および放熱絶縁基板１０２の下部回路層１１８は、一体形成構成でもよく、または熱接触構成であってもよい。

【0034】

図３は、発明の第２の実施形態による、パワー・デバイス用のパッケージ構造の断面図である。前の実施形態の内容のコンポーネント記号および部品が使用されており、その場合に、同一のコンポーネント記号は、同一または類似のコンポーネントを表すために使用され、同一の技術内容の説明は、省略される。参照は、省略した部分の説明について先の実施形態に対して行われてもよく、省略した部分の説明は、本実施形態においては繰り返されない。

【0035】

図３を参照すると、本実施形態のパワー・デバイス用のパッケージ構造３００は、放熱絶縁基板１０２と、複数の縦型パワー・デバイス３０２と、少なくとも１つの導電クリップ１０６と、を含む。複数の縦型パワー・デバイス３０２は、ブリッジ回路トポロジを形成し、縦型パワー・デバイス３０２のうちの少なくとも１つの活性領域３０２ａは、放熱絶縁基板１０２にフリップチップ接合される。導電クリップ１０６は、放熱絶縁基板１０２にフリップチップ接合された縦型パワー・デバイス３０２の非活性領域３０２ｂを、放熱絶縁基板１０２に電気的に接続する。１つの実施形態では、パワー・デバイス用のパッケージ構造３００は、また、放熱絶縁基板１０２が縦型パワー・デバイス３０２に接合された面以外の、放熱絶縁基板１０２の別の面に配置された放熱台板（図示せず）を含み得る。別の実施形態では、放熱絶縁基板１０２は、放熱台板と一体形成されてもよく、または放熱台板（図示せず）と熱的に接触していてもよい。

【0036】

図４Ａは、第１の実施形態による、ハーフ・ブリッジ回路を構成するパワー・デバイス用のパッケージ構造の平面図である。

【0037】

図４Ａを参照すると、放熱絶縁基板４００は、パターニングされた回路４０２を有する。パターニングされた回路４０２は、複数の電気的機能を含み、複数の導電クリップ４０４ａおよび４０４ｂと電気的に接続され、パターニングされた回路４０２は、縦型パワー・デバイス４０６ａ、４０６ｂ、４０６ｃ、４０６ｄ、４０６ｅ、４０６ｆ、４０６ｇ、および４０６ｈとそれぞれ電気的に接続される。すなわち、図４Ａを例とする場合、１つの導電クリップ４０４ａは、異なる電気的機能のパターニングされた回路４０２を４つの縦型パワー・デバイス４０６ａ、４０６ｂ、４０６ｃ、および４０６ｄに接続し得る。別の導電クリップ４０４ｂは、異なる電気的機能のパターニングされた回路４０２を４つの縦型パワー・デバイス４０６ｅ、４０６ｆ、４０６ｇ、および４０６ｈに接続し得る。図４Ａの縦型パワー・デバイス４０６ａ～４０６ｈは、長方形のフレーム内に示されているが、長方形のフレームの領域内に含まれるパワー・デバイスは、例えば、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）およびファスト・リカバリ・ダイオード（ＦＲＤ）の組み合わせの、同一のまたは異なるパワー・デバイスセットであってもよいと知っておくべきである。放熱台板は、図４Ａに示されないが、放熱台板は、放熱絶縁基板４００の裏面に配置されていると知っておくべきである。

【0038】

図４Ｂは、３つの図４Ａに示される構造から構成される異相ハーフ・ブリッジ回路トポロジ・デバイスの回路図である。図４Ｃは、図４Ｂの回路の電気ループ図である。

【0039】

図４Ｂにおいて、インバータ４０は、高電圧電池ＨＶがモータＭに電気を供給する経路内に配置され、その回路は、３つの異なる位相を有するハーフ・ブリッジ回路トポロジを含む。各位相のハーフ・ブリッジ回路トポロジは、図４Ａの構造を使用し得る。したがって、高電圧電池ＨＶがモータＭに電気を供給するとき、その電流ループは、ループ全体を形成するように、図４Ａおよび図４Ｃ内の特定の位相のハイ・サイドループ４０８を介してモータＭに流れ、次いで、モータＭから別の特定の位相のロー・サイドループ４１０に流れ、最終的に、高電圧電池ＨＶに流れる。

【0040】

上記回路は、発明のパワー・デバイス用のパッケージ構造の単なる１つの実施形態であり、発明の適用範囲を限定するように意図されない。

【0041】

図５のハーフ・ブリッジ回路を例とする場合、寄生インダクタンスは、Ｌ_ｓＣＥ＝Ｌ１１＋Ｌ１２＋Ｌ１３＋Ｌ１４である。したがって、ワイヤ・ボンディングを用いた従来のハーフ・ブリッジ回路の寄生インダクタンスＬ_ｓＣＥは、約５．５５ｎＨであるが、フリップチップ・ボンディング技術と組み合わせた導電クリップ（図１の１０６など）を用いた発明のハーフ・ブリッジ回路の寄生インダクタンスＬ_ｓＣＥは、４．４５ｎＨである。したがって、発明のパワー・デバイス用のパッケージ構造は、寄生インダクタンスの態様において２０％減少させ得る。電圧サージは、ΔＶ＝Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）であるため、寄生インダクタンスが減少する場合、電圧サージは、当然減少する。したがって、発明のパワー・デバイス用のパッケージ構造は、電圧サージも減少させ得る。

【0042】

さらに、導電クリップ（銅クリップなど）の面積および熱伝導率は、両方ともワイヤ・ボンディング用の従来のアルミニウム金属ワイヤのものよりも大きいため、熱抵抗（Ｒ_ＪＦ）は、従来の配線の場合の０．１４℃／Ｗから、導電クリップ使用の場合の０．１０℃／Ｗに減少され得る。この場合、熱抵抗低下は、３０％と同程度である。

【0043】

上記に基づいて、発明によれば、パワー・デバイスは、フリップチップ・ボンディング技術を通して放熱絶縁基板に直接接合され、導電クリップは、回路の接続構成として使用される。したがって、低い寄生インピーダンスおよび低い寄生インダクタンスなどの放熱絶縁基板および導電クリップの特性によって、パワー・モジュールの漂遊インダクタンスおよび熱抵抗が、減少され得る。それによって、さらに、電力変換損失が低下し、電流がより均一に分散され、電圧サージが減少する。

【0044】

発明は、上記実施形態を参照して説明されているが、実施形態は、発明を限定するように意図されるものではない。当業者であれば、発明の思想および範囲から逸脱することなく、変形および修正を行い得る。したがって、発明の保護範囲は、添付の請求の範囲に従うべきである。

【産業上の利用可能性】

【0045】

発明のパワー・デバイス用のパッケージ構造は、パワー・モジュール内のパワー・デバイスに適用され得る。

【符号の説明】

【0046】

１００、３００ パワー・デバイス用のパッケージ構造
１０２、４００ 放熱絶縁基板
１０２ａ 第１の面
１０２ｂ 第２の面
１０４ パワー・デバイス
１０４ａ、３０２ａ 活性領域
１０４ｂ 反対側
１０６、４０４ａ，４０４ｂ 導電クリップ
１０８、２００ 放熱台板
１１０ 第１の導電接続層
１１２ 第２の導電接続層
１１４、４０２ パターニングされた回路
１１６ 絶縁材ボード
１１８ 下部回路層
１２０ はんだ継手
１２２ 第３の導電接続層
３０２、４０６ａ、４０６ｂ、４０６ｃ、４０６ｄ、４０６ｅ、４０６ｆ、４０６ｇ、４０６ｈ 縦型パワー・デバイス
３０２ｂ 非活性領域
４０ インバータ
４０８ ハイ・サイドループ
４１０ ロー・サイドループ
ＨＶ 高電圧電池
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ１４、Ｌ１５ インダクタンス
Ｍ モータ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5】