特開 2022-62405 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022062405

(43)【公開日】2022-04-20

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20220413BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20220413BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20220413BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20220413BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20220413BHJP

【ＦＩ】

H05B33/22 Z

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

G09F9/30 365

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020170394

(22)【出願日】2020-10-08

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】青木 逸

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC29

3K107DD53

3K107DD68

3K107DD69

3K107DD71

3K107DD74

3K107DD89

3K107DD91

3K107FF00

5C094AA25

5C094BA12

5C094BA27

5C094CA24

5C094DA13

5C094EA04

5C094EA07

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB14

(57)【要約】

【課題】リーク電流の低減を目的とする。
【解決手段】表示装置は、複数の発光領域４６を含み、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂが異なって隣り合う一対の異色発光領域を複数の発光領域４６が含み、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂごとに別々になった複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂと、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのいずれよりも、流れる電流が指数関数的に増加し始める閾値電圧が低く、一対の異色発光領域の間に位置する低閾値層４８と、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及び低閾値層４８の下で、複数の発光領域４６にそれぞれ接触する複数の第１領域Ａ１と、低閾値層４８に接触する第２領域Ａ２と、を連続的に含む連続層５０と、連続層５０の下方で複数の発光領域４６にそれぞれ重なる複数の画素電極３８と、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及び低閾値層４８の上方で複数の画素電極３８に対向する対向電極５２と、を有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の発光領域を含み、発光色が異なって隣り合う一対の異色発光領域を前記複数の発光領域が含み、前記発光色ごとに別々になった複数の発光層と、
前記一対の異色発光領域に含まれる前記発光層のいずれよりも、流れる電流が指数関数的に増加し始める閾値電圧が低く、前記一対の異色発光領域の間に位置する低閾値層と、
前記複数の発光層及び前記低閾値層の下で、前記複数の発光領域にそれぞれ接触する複数の第１領域と、前記低閾値層に接触する第２領域と、を連続的に含む連続層と、
前記連続層の下方で前記複数の発光領域にそれぞれ重なる複数の画素電極と、
前記複数の発光層及び前記低閾値層の上方で前記複数の画素電極に対向する対向電極と、
を有することを特徴とする表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の発光層のそれぞれは、前記複数の発光領域の対応する１つを含むことを特徴とする表示装置。

【請求項3】

請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数の発光層は、相互に重ならずに配置されていることを特徴とする表示装置。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記低閾値層は、前記複数の発光層のいずれとも重ならずに配置されていることを特徴とする表示装置。

【請求項5】

請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記低閾値層は、半導体材料、又は有機半導体材料を含むことを特徴とする表示装置。

【請求項6】

請求項５に記載された表示装置において、
前記半導体材料は、前記複数の発光層のいずれかに含有されるドーパントであることを特徴とする表示装置。

【請求項7】

請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記連続層は、重なった複数層の最上層であることを特徴とする表示装置。

【請求項8】

請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極にそれぞれ対応する複数の開口を有し、前記複数の画素電極のそれぞれの端部と前記連続層の間に介在する絶縁層をさらに有し、
前記複数の発光領域は、それぞれ、前記複数の開口の直上にあることを特徴とする表示装置。

【請求項9】

請求項８に記載された表示装置において、
前記低閾値層は、前記絶縁層の上方にあることを特徴とする表示装置。

【請求項10】

請求項８又は９に記載された表示装置において、
前記複数の発光層は、前記絶縁層にも重なることを特徴とする表示装置。

【請求項11】

請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の発光層は、前記発光色に応じて前記閾値電圧において異なって隣り合う一対の異色発光層を含み、
前記低閾値層は、少なくとも、前記閾値電圧の差において最も大きい前記一対の異色発光層に対応する前記一対の異色発光領域の間にあることを特徴とする表示装置。

【請求項12】

請求項１１に記載された表示装置において、
前記低閾値層は、前記閾値電圧の前記差において二番目に最も大きい前記一対の異色発光層に対応する前記一対の異色発光領域の間にもあることを特徴とする表示装置。

【請求項13】

請求項１１又は１２に記載された表示装置において、
前記低閾値層は、前記閾値電圧の前記差において最も小さい前記一対の異色発光層に対応する前記一対の異色発光領域の間を避けた位置にあることを特徴とする表示装置。

【請求項14】

請求項１１から１３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の発光層は、前記発光色に応じて前記閾値電圧において最も高い発光層群を含み、
前記複数の発光領域は、前記発光層群に対応する発光領域群を含み、
前記低閾値層は、前記発光領域群のそれぞれを囲んでいることを特徴とする表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、画素数の増加によって隣同士の画素が接近するようになってきた。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、発光層が画素ごとに分離されていても、全画素に連続する層（例えば正孔輸送層）を有することがある。このような連続層は、生産性を確保するためには理想的であるが、リーク電流によって、隣の発光層が発光してしまうことがある（特許文献１及び２）。これは、低階調時に顕著であり、単色や白色の色ずれに影響する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１０３３９５号公報

【特許文献2】特開２０１６－８５９１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

発光層の材料は、発光色ごとに特性を考慮して選択される。そのため、発光層に電流が流れ始める閾値電圧は、発光色によって異なる。リーク電流の対策のためには、どの発光層でも閾値電圧を同じにすることが理想だが、そうすると材料選択の余地を狭めることになる。

【0005】

本発明は、リーク電流の低減を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る表示装置は、複数の発光領域を含み、発光色が異なって隣り合う一対の異色発光領域を前記複数の発光領域が含み、前記発光色ごとに別々になった複数の発光層と、前記一対の異色発光領域に含まれる前記発光層のいずれよりも、流れる電流が指数関数的に増加し始める閾値電圧が低く、前記一対の異色発光領域の間に位置する低閾値層と、前記複数の発光層及び前記低閾値層の下で、前記複数の発光領域にそれぞれ接触する複数の第１領域と、前記低閾値層に接触する第２領域と、を連続的に含む連続層と、前記連続層の下方で前記複数の発光領域にそれぞれ重なる複数の画素電極と、前記複数の発光層及び前記低閾値層の上方で前記複数の画素電極に対向する対向電極と、を有することを特徴とする。

【0007】

本発明によれば、連続層から低閾値層に電流が流れることで、一対の異色発光領域の間のリーク電流を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。

【図2】図１に示す表示装置のII－II線断面図である。

【図3】図２に示す部分IIIの拡大図である。

【図4】第１の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。

【図5】第２の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。

【図6】第３の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。

【図7】第４の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。

【図8】第５の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

【0010】

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

【0011】

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

【0012】

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられるようになっている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。

【0013】

表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。

【0014】

図２は、図１に示す表示装置のII－II線断面図である。図３は、図２に示す部分IIIの拡大図である。図３に示す樹脂基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。樹脂基板１０の裏面には、感圧接着剤１２を介して、補強フィルム１４が貼り付けられている。ここでは例として、シートディスプレイを想定して樹脂基板１０を用いているが、特にこれに限定されるものではなく、ガラス基板、絶縁表面を有する金属基板等に換えても良い。

【0015】

樹脂基板１０上に、バリア無機膜１６（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１６は、第１無機膜（例えばシリコン酸化膜）１６ａ、第２無機膜（例えばシリコン窒化膜）１６ｂ及び第３無機膜（シリコン酸化膜）１６ｃの三層積層構造である。最下層の第１無機膜１６ａは、樹脂基板１０との密着性向上のため、中層の第２無機膜１６ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層の第３無機膜１６ｃは、第２無機膜１６ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。

【0016】

薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜２０を形成してもよい。付加膜２０は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、第１無機膜１６ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜２０を島状に形成し、その後第２無機膜１６ｂ及び第３無機膜１６ｃを積層することで、バリア無機膜１６に付加膜２０を封入するように形成しているが、この限りではなく、樹脂基板１０上にまず付加膜２０を形成し、その後にバリア無機膜１６を形成してもよい。

【0017】

バリア無機膜１６上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域又は真性半導体領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２２としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２４は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２４に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２２を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。

【0018】

ゲート電極２４の上に、層間絶縁膜２６（シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２６の上に、ソース／ドレイン電極２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２６を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。

【0019】

ソース／ドレイン電極２８を覆うように平坦化有機膜３０が設けられている。平坦化有機膜３０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。

【0020】

平坦化有機膜３０は、画素コンタクト部３２では除去されて、その上に透明導電膜３４（例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ））が形成されている。透明導電膜３４は、相互に分離された第１透明導電膜３４ａ及び第２透明導電膜３４ｂを含む。

【0021】

平坦化有機膜３０の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３４ａにて被覆される。第１透明導電膜３４ａを被覆するように、平坦化有機膜３０の上に無機絶縁膜３６（例えばシリコン窒化膜）が設けられている。無機絶縁膜３６は、画素コンタクト部３２に開口し、この開口を介してソース／ドレイン電極２８に導通するように画素電極３８が積層されている。画素電極３８は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３８は、画素コンタクト部３２から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。

【0022】

第２透明導電膜３４ｂは、画素コンタクト部３２に隣接して、画素電極３８の下方（さらに無機絶縁膜３６の下方）に設けられている。第２透明導電膜３４ｂ、無機絶縁膜３６及び画素電極３８は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。

【0023】

表示装置は、複数の画素電極３８のそれぞれの端部を覆う絶縁層４０を有する。絶縁層４０は、バンク（リブ）とも呼ばれる。絶縁層４０は、平坦化有機膜３０の上であって、例えば画素コンタクト部３２の上方で、隣同士の画素領域の隔壁となる。絶縁層４０としては平坦化有機膜３０と同じく感光性アクリル等が用いられる。

【0024】

平坦化有機膜３０と絶縁層４０は、両者間にある無機絶縁膜３６に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層４０の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜３０から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層４０を通じて引き抜くことができる。

【0025】

図２に示すように、絶縁層４０は、複数の画素電極３８にそれぞれ対応する複数の開口４２を有する。開口４２の端部はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口４２の端部が急峻な形状になっていると、その上に形成される層のカバレッジ不良を生ずる。

【0026】

表示装置は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂを有する。複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、発光色ごとに別々になっている。例えば、発光層４４Ｒの発光色は赤であり、発光層４４Ｇの発光色は緑であり、発光層４４Ｂの発光色は青である。複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、相互に重ならずに配置されているが、端部において相互に重なっていてもよい。複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの端部は、絶縁層４０に重なっている。

【0027】

複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、複数の発光領域４６を含む。例えば、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのそれぞれが、複数の発光領域４６の対応する１つを含む。変形例として、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのそれぞれが、２つ又はそれ以上の発光領域４６を含んでもよい。複数の発光領域４６は、それぞれ、複数の画素電極３８に重なる。複数の発光領域４６は、それぞれ、絶縁層４０の複数の開口４２の直上にある。

【0028】

表示装置は、低閾値層４８を有する。低閾値層４８は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのいずれよりも、流れる電流が指数関数的に増加し始める閾値電圧において低い。低閾値層４８は、半導体材料又は有機半導体材料からなる。半導体材料は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのいずれか（例えば発光色が緑の発光層４４Ｇ）に含有されるドーパントである。低閾値層４８を流れる電流のエネルギーの少なくとも一部は、光や熱に変換されることで消費される。低閾値層４８の発光効率は低いことが好ましい。

【0029】

低閾値層４８は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのいずれとも重ならずに配置されている。あるいは、低閾値層４８は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの少なくとも１層に重なるのであれば、その上ではなく下（画素電極３８に近い側）に位置する。低閾値層４８は、絶縁層４０の上方にある。

【0030】

表示装置は、連続層５０を有する。連続層５０は、キャリアが移動可能な性質を有している。例えば、連続層５０が電子ブロック層であれば、電子の移動はブロックするが、正孔は移動可能である。あるいは、連続層５０は、正孔輸送層であってもよい。連続層５０は、複数の画素電極３８の上方にあって、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ（発光領域４６）の下方にある。連続層５０は絶縁層４０にも重なる。

【0031】

連続層５０は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの下では、複数の第１領域Ａ１を含む。複数の第１領域Ａ１は、複数の発光領域４６にそれぞれ接触する。したがって、第１領域Ａ１を通してキャリアが発光層４４Ｒ（又は４４Ｇ，４４Ｂ）に流入する。連続層５０は、低閾値層４８の下では、第２領域Ａ２を含む。第２領域Ａ２は、低閾値層４８に接触する。したがって、第２領域Ａ２を通してキャリアが低閾値層４８に流入する。

【0032】

複数の第１領域Ａ１と第２領域Ａ２は連続している。つまり、隣同士の第１領域Ａ１の間に第２領域Ａ２がある。低閾値層４８は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂのいずれよりも閾値電圧において低いので、隣同士の第１領域Ａ１の間で移動するキャリアは、低閾値層４８に注入されやすい。

【0033】

連続層５０は、重なった複数層の最上層である。複数層は、電子ブロック層（連続層５０）、正孔輸送層及び正孔注入層を含んでもよい。また、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及び低閾値層４８の上にも、他の複数層（例えば、正孔ブロック層、電子輸送層及び電子注入層）が重なっている。

【0034】

表示装置は、対向電極５２を有する。対向電極５２は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及び低閾値層４８の上方で複数の画素電極３８に対向する。対向電極５２の上に封止層５４が形成されている。封止層５４は、複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ及びその上下の複数層への外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層５４は、有機膜５６及びこれを上下で挟む一対の無機膜５８（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。一対の無機膜５８は、有機膜５６の周囲で、接触して重なる。封止層５４には、保護層６０及び偏光板６２（例えば円偏光板）が積層される。

【0035】

図４は、第１の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。本実施形態では、画素配列はストライプ配列である。縦方向に同じ発光色Ｒ（又はＧ，Ｂ）の発光領域４６Ｒ（又は４６Ｇ，４６Ｂ）が並ぶ。横方向には異なる発光色Ｒ，Ｇ，Ｂの発光領域４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂが交互に並ぶ。複数の発光領域４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂは、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂが異なって隣り合う一対の異色発光領域を含む。一対の異色発光領域は、例えば、一対の発光領域４６Ｂ，４６Ｒ、一対の発光領域４６Ｂ，４６Ｇ、一対の発光領域４６Ｒ，４６Ｇである。

【0036】

複数の発光層４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂに応じて閾値電圧において異なって隣り合う一対の異色発光層を含む。一対の異色発光層は、例えば、一対の発光層４４Ｂ，４４Ｒ、一対の発光層４４Ｂ，４４Ｇ、一対の発光層４４Ｒ，４４Ｇである。

【0037】

低閾値層４８は、少なくとも、閾値電圧の差において最も大きい一対の異色発光層（一対の発光層４４Ｂ，４４Ｒ又は一対の発光層４４Ｂ，４４Ｇ）に対応する一対の異色発光領域（一対の発光領域４６Ｂ，４６Ｒ又は一対の発光領域４６Ｂ，４６Ｇ）の間にある。

【0038】

低閾値層４８は、閾値電圧の差において二番目に最も大きい一対の異色発光層（一対の発光層４４Ｂ，４４Ｒ又は一対の発光層４４Ｂ，４４Ｇ）に対応する一対の異色発光領域（一対の発光領域４６Ｂ，４６Ｒ又は一対の発光領域４６Ｂ，４６Ｇ）の間にもある。

【0039】

低閾値層４８は、閾値電圧の差において最も小さい一対の異色発光層に対応する一対の異色発光領域（一対の発光領域４６Ｒ，４６Ｇ）の間を避けた位置にある。

【0040】

本実施形態によれば、連続層５０から低閾値層４８に電流が流れることで、一対の異色発光領域（一対の発光層４４Ｂ，４４Ｒ及び一対の発光層４４Ｂ，４４Ｇ）の間のリーク電流を低減することができる。

【0041】

［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。本実施形態では、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂに応じて閾値電圧において最も高い発光層２４４Ｂ群は、ストライプ状に配列されている。それ以外の発光層２４４Ｒ，２４４Ｇ群は、ストライプの長さ方向（縦方向）に交互に並んでいる。この点を除き、第１の実施形態で説明した内容は、本実施形態に適用可能である。

【0042】

［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。本実施形態は、第２の実施形態と画素配列において同じであるが、低閾値層３４８は、複数の発光領域３４６Ｒ，３４６Ｇ，３４６Ｂの全てのそれぞれを囲んでいる。低閾値層３４８は、閾値電圧の差において最も小さい一対の異色発光層（一対の発光層３４４Ｒ，３４４Ｇ）に対応する一対の異色発光領域（一対の発光領域３４６Ｒ，３４６Ｇ）の間にもある。

【0043】

［第４の実施形態］
図７は、第４の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。本実施形態では、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂに応じて、発光領域４４６Ｒ，４４６Ｇ，４４６Ｂの大きさが異なり、発光層４４４Ｒ，４４４Ｇ，４４４Ｂの大きさが異なる。また、発光領域４４６Ｒ，４４６Ｇ，４４６Ｂの平面形状は、配列方向を基準にしてひし形になっている。低閾値層４４８は、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂに応じて閾値電圧において最も高い発光層４４４Ｂ群の発光領域４４６Ｂ群のそれぞれを囲んでいる。

【0044】

［第５の実施形態］
図８は、第５の実施形態に係る表示装置の画素配列の平面図である。本実施形態では、画素配列はデルタ配列である。低閾値層５４８は、発光色Ｒ，Ｇ，Ｂに応じて閾値電圧において最も高い発光層５４４Ｂ群の発光領域５４６Ｂ群のそれぞれを囲んでいる。

【0045】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【符号の説明】

【0046】

１０ 樹脂基板、１２ 感圧接着剤、１４ 補強フィルム、１６ バリア無機膜、１６ａ 第１無機膜、１６ｂ 第２無機膜、１６ｃ 第３無機膜、１８ 半導体層、２０ 付加膜、２２ ゲート絶縁膜、２４ ゲート電極、２６ 層間絶縁膜、２８ ドレイン電極、３０ 平坦化有機膜、３２ 画素コンタクト部、３４ 透明導電膜、３４ａ 第１透明導電膜、３４ｂ 第２透明導電膜、３６ 無機絶縁膜、３８ 画素電極、４０ 絶縁層、４２ 開口、４４Ｂ 発光層、４４Ｇ 発光層、４４Ｒ 発光層、４６ 発光領域、４６Ｂ 発光領域、４６Ｇ 発光領域、４６Ｒ 発光領域、４８ 低閾値層、５０ 連続層、５２ 対向電極、５４ 封止層、５６ 有機膜、５８ 無機膜、６０ 保護層、６２ 偏光板、２４４Ｂ 発光層、２４４Ｇ 発光層、２４４Ｒ 発光層、３４４Ｇ 発光層、３４４Ｒ 発光層、３４６Ｒ 発光領域、３４８ 低閾値層、４４４Ｂ 発光層、４４６Ｒ 発光領域、４４６Ｇ 発光領域、４４６Ｂ 発光領域、４４８ 低閾値層、５４４Ｂ 発光層、５４６Ｂ 発光領域、５４８ 低閾値層、Ａ１ 第１領域、Ａ２ 第２領域、Ｃad 付加容量、ＣＬ１ 第１保持容量線、ＣＬ２ 第２保持容量線、ＣＰ 集積回路チップ、Ｃｓ 保持容量、ＤＡ 表示領域、ＤＳＰ ディスプレイ、ＦＰ フレキシブルプリント基板、Ｂ 発光色、Ｇ 発光色、Ｒ 発光色、ＴＲ 薄膜トランジスタ、Ｗ１ 第１配線層、Ｗ２ 第２配線層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】