▶ コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022067077
(43)【公開日】2022-05-02
(54)【発明の名称】調整可能共振周波数を有する電気機械デバイス
(51)【国際特許分類】
H03H 9/25 20060101AFI20220422BHJP
H03H 9/145 20060101ALI20220422BHJP
【ＦＩ】
H03H9/25 Z
H03H9/145 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2021168587
(22)【出願日】2021-10-14
(31)【優先権主張番号】2010704
(32)【優先日】2020-10-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】311015001
【氏名又は名称】コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ
(74)【代理人】
【識別番号】110001173
【氏名又は名称】特許業務法人川口國際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】アレクサンドル・ラインハルト
(72)【発明者】
【氏名】ブリュノ・レ
(72)【発明者】
【氏名】アクセル・ソバージュ
【テーマコード（参考）】
5J097
【Ｆターム（参考）】
5J097AA13
5J097BB02
5J097BB11
5J097CC01
5J097DD01
5J097DD14
5J097DD19
5J097DD21
5J097GG04
5J097HA02
5J097KK03
5J097LL01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】調整可能共振周波数を有する電気機械デバイスを提供する。
【解決手段】表面又は互いに平行な２つの表面によって画定された圧電支持体と、この支持体上の前記表面に対して平行に伝播する弾性波のための共振器（８０）とを含む電気機械デバイス（８）であって、共振器は、共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器（Ｒ１、Ｒ２）と、電気信号から前記波を生成するためのいくつかインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）と、前記共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサ（ＴＴ）とを含み、各トランスデューサが、互いにかみ合った第１の電極（１０、３０）と第２の電極（２０、４０）とを含み、トランスデューサは共振器内で前記波がたどる伝播パス（Ｃ）に沿って、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とが交互に前記パスに沿って配置されている、電気機械デバイス。
【選択図】図８
【解決手段】表面又は互いに平行な２つの表面によって画定された圧電支持体と、この支持体上の前記表面に対して平行に伝播する弾性波のための共振器（８０）とを含む電気機械デバイス（８）であって、共振器は、共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器（Ｒ１、Ｒ２）と、電気信号から前記波を生成するためのいくつかインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）と、前記共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサ（ＴＴ）とを含み、各トランスデューサが、互いにかみ合った第１の電極（１０、３０）と第２の電極（２０、４０）とを含み、トランスデューサは共振器内で前記波がたどる伝播パス（Ｃ）に沿って、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とが交互に前記パスに沿って配置されている、電気機械デバイス。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
調整可能共振周波数を有する電気機械デバイス（５；８；９；１２；１４；１６）であって、
表面（Ｓ）によって、または互いに平行な２つの表面（Ｓ１、Ｓ２）によって画定された圧電支持体（１００；２００）と、
この支持体上に作られた、前記表面（Ｓ；Ｓ１、Ｓ２）に対して平行に伝播する弾性波のための共振器（５０；８０；９０；１２０；１４０）であって、少なくとも、
共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器（Ｒ１、Ｒ２）と、
２つの反射器の間の、電気信号から前記波を生成するように構成されたいくつかのインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）と、
前記共振周波数を制御するためのいくつかのチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とを含み、
前記トランスデューサ（ＴＩ、ＴＴ）のそれぞれが、各々が圧電支持体（１００、２００）の前記表面（Ｓ）上または前記表面（Ｓ１、Ｓ２）のうちの１つの上に作られた互いにかみ合った第１の電極（１０、３０）と第２の電極（２０、４０）とを含む、共振器（５０；８０；９０；１２０；１４０）と、
前記共振周波数を制御するための電気デバイス（７９）であって、第１の端子（７７）と第２の端子（７８）とを含み、これらの２つの端子の間に調整可能電気インピーダンス（Ｚ）を有する、電気デバイス（７９）と
を含み、
各チューニングトランスデューサ（ＴＴ）ごとに、トランスデューサの第１の電極（３０）および第２の電極（４０）がそれぞれ、前記電気制御デバイス（７９）の第１の端子および第２の端子（７７、７８）に接続されていることと、
異なるインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第１の電極（１０）が互いに電気的に接続され、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極（２０）も互いに電気的に接続されていることと、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とが、共振器内で前記波がたどる伝播パス（Ｃ）に沿って、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とが交互に位置付けられ、各チューニングトランスデューサ（ＴＴ）が２つの連続するインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の間、または反射器（Ｒ１、Ｒ２）の一方と隣接インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）との間に挿入されていることとを特徴とする、デバイス（５；８；９；１２；１４；１６）。
表面（Ｓ）によって、または互いに平行な２つの表面（Ｓ１、Ｓ２）によって画定された圧電支持体（１００；２００）と、
この支持体上に作られた、前記表面（Ｓ；Ｓ１、Ｓ２）に対して平行に伝播する弾性波のための共振器（５０；８０；９０；１２０；１４０）であって、少なくとも、
共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器（Ｒ１、Ｒ２）と、
２つの反射器の間の、電気信号から前記波を生成するように構成されたいくつかのインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）と、
前記共振周波数を制御するためのいくつかのチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とを含み、
前記トランスデューサ（ＴＩ、ＴＴ）のそれぞれが、各々が圧電支持体（１００、２００）の前記表面（Ｓ）上または前記表面（Ｓ１、Ｓ２）のうちの１つの上に作られた互いにかみ合った第１の電極（１０、３０）と第２の電極（２０、４０）とを含む、共振器（５０；８０；９０；１２０；１４０）と、
前記共振周波数を制御するための電気デバイス（７９）であって、第１の端子（７７）と第２の端子（７８）とを含み、これらの２つの端子の間に調整可能電気インピーダンス（Ｚ）を有する、電気デバイス（７９）と
を含み、
各チューニングトランスデューサ（ＴＴ）ごとに、トランスデューサの第１の電極（３０）および第２の電極（４０）がそれぞれ、前記電気制御デバイス（７９）の第１の端子および第２の端子（７７、７８）に接続されていることと、
異なるインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第１の電極（１０）が互いに電気的に接続され、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極（２０）も互いに電気的に接続されていることと、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とが、共振器内で前記波がたどる伝播パス（Ｃ）に沿って、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とが交互に位置付けられ、各チューニングトランスデューサ（ＴＴ）が２つの連続するインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の間、または反射器（Ｒ１、Ｒ２）の一方と隣接インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）との間に挿入されていることとを特徴とする、デバイス（５；８；９；１２；１４；１６）。
【請求項2】
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の少なくともいくつかについて、
これらのインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第１の電極（１０）が、１つ以上の第１の電気トラック（１２’）によって互いに接続され、
これらのインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極（２０）が、１つ以上の第２の電気トラック（２２）によって互いに接続され、
前記チューニングトランスデューサ（ＴＴ）の少なくともいくつかについて、
これらのチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第１の電極（３０）が、１つ以上の第３の電気トラック（３２）によって互いに接続され、
これらのチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（４０）が、１つ以上の第４の電気トラック（４２）によって互いに接続され、
前記電気トラック（１２’、２２、３２、４２）のそれぞれが圧電支持体（１００；２００）の表面（Ｓ）上または２つの表面（Ｓ１、Ｓ２）のうちの１つの上に作られる、請求項１に記載のデバイス（８；９；１２；１４；１６）。
これらのインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第１の電極（１０）が、１つ以上の第１の電気トラック（１２’）によって互いに接続され、
これらのインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極（２０）が、１つ以上の第２の電気トラック（２２）によって互いに接続され、
前記チューニングトランスデューサ（ＴＴ）の少なくともいくつかについて、
これらのチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第１の電極（３０）が、１つ以上の第３の電気トラック（３２）によって互いに接続され、
これらのチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（４０）が、１つ以上の第４の電気トラック（４２）によって互いに接続され、
前記電気トラック（１２’、２２、３２、４２）のそれぞれが圧電支持体（１００；２００）の表面（Ｓ）上または２つの表面（Ｓ１、Ｓ２）のうちの１つの上に作られる、請求項１に記載のデバイス（８；９；１２；１４；１６）。
【請求項3】
圧電支持体の同一表面（Ｓ；Ｓ１、Ｓ２）上に作られたトラックは互いに重なり合わない、請求項２に記載のデバイス（８；９；１２；１４；１６）。
【請求項4】
前記互いにかみ合った電極（１０、２０、３０、４０）の各１つは、１本以上のフィンガ（１１、２１、３１、４１）と、そこから前記フィンガが延び、電極の主本体を形成する長手方向導電ストリップとを含み、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）について、
前記第２の電極（２０）のそれぞれが、その第２の電極が関連付けられている第１の電極（１０）よりも少なくとも１本多いフィンガ（２１）を含み、この第２の電極（２０）の２本の周辺フィンガ（２１）が第１の電極（１０）のフィンガ（１１）の完全なセットを囲み、これら２本の周辺フィンガ（２１）がそれぞれ、第２の電極（２０）の主本体の反対側の、前記伝播パス（Ｃ）の第１の側（７１）に位置する端部を有し、
前記第２のトラック（２２）の各１つが、前記第２の電極（２０）のうちの１つの周辺フィンガ（２１）のうちの１つの端部を、次の第２の電極（２０）の周辺フィンガ（２１）のうちの１つの端部に接続し、前記第２の電極（２０）の主本体とそれら第２の電極（２０）の周辺フィンガ（２１）とが、第２のトラック（２２）とともに、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）を迂回することによって伝播パス（Ｃ）に沿って前記パスの両側を蛇行する大域的トラックを形成する、請求項２または３に記載のデバイス（８；９；１２）。
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）について、
前記第２の電極（２０）のそれぞれが、その第２の電極が関連付けられている第１の電極（１０）よりも少なくとも１本多いフィンガ（２１）を含み、この第２の電極（２０）の２本の周辺フィンガ（２１）が第１の電極（１０）のフィンガ（１１）の完全なセットを囲み、これら２本の周辺フィンガ（２１）がそれぞれ、第２の電極（２０）の主本体の反対側の、前記伝播パス（Ｃ）の第１の側（７１）に位置する端部を有し、
前記第２のトラック（２２）の各１つが、前記第２の電極（２０）のうちの１つの周辺フィンガ（２１）のうちの１つの端部を、次の第２の電極（２０）の周辺フィンガ（２１）のうちの１つの端部に接続し、前記第２の電極（２０）の主本体とそれら第２の電極（２０）の周辺フィンガ（２１）とが、第２のトラック（２２）とともに、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）を迂回することによって伝播パス（Ｃ）に沿って前記パスの両側を蛇行する大域的トラックを形成する、請求項２または３に記載のデバイス（８；９；１２）。
【請求項5】
各インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）ごとに、トランスデューサの第２の電極（２０）の主本体が、この第２の電極（２０）の周辺フィンガ（２１）のうちの１つによってだけでなく、伝播パス（Ｃ）に対して横方向に延び、伝播パス（Ｃ）を横断し、当該インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とそれに隣接するチューニングトランスデューサ（ＴＴ）との間に位置する１つ以上の追加フィンガ（２６）によっても、前記第２のトラック（２２）のうちの１つに、接続されている、請求項４に記載のデバイス（９）。
【請求項6】
前記第２のトラック（２２）のそれぞれが、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）のうちの１つの第２の電極（４０）とともに、伝播パス（Ｃ）の第１の側（７１）に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成し、
前記第４のトラック（４２）のそれぞれが、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）のうちの１つの第２の電極（２０）とともに、伝播パス（Ｃ）の第２の側（７１）に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成し、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極（２０）は、少なくともそれら第２の電極の周辺フィンガ（２１、４１）を介して、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（４０）と電気的に接触し、第２の電極（２０、４０）の主本体とそれら第２の電極の周辺フィンガ（２１、４１）とがともに、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）とインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第１の電極（１０、３０）を迂回することによって伝播パス（Ｃ）に沿って前記パスの両側を蛇行する同じ主トラック（６０）を形成する、請求項４または５に記載のデバイス（９；１２）。
前記第４のトラック（４２）のそれぞれが、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）のうちの１つの第２の電極（２０）とともに、伝播パス（Ｃ）の第２の側（７１）に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成し、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極（２０）は、少なくともそれら第２の電極の周辺フィンガ（２１、４１）を介して、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（４０）と電気的に接触し、第２の電極（２０、４０）の主本体とそれら第２の電極の周辺フィンガ（２１、４１）とがともに、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）とインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第１の電極（１０、３０）を迂回することによって伝播パス（Ｃ）に沿って前記パスの両側を蛇行する同じ主トラック（６０）を形成する、請求項４または５に記載のデバイス（９；１２）。
【請求項7】
第１および第２の電気トラック（１２、２２）は、弾性波の伝播パス（Ｃ）の第１の側（７１）に位置し、一方、
第３および第４の電気トラック（３２、４２）は、弾性波の伝播パス（Ｃ）の反対側の、第２の側（７２）に位置する、請求項４から６のいずれか一項に記載のデバイス（８；９；１２）。
第３および第４の電気トラック（３２、４２）は、弾性波の伝播パス（Ｃ）の反対側の、第２の側（７２）に位置する、請求項４から６のいずれか一項に記載のデバイス（８；９；１２）。
【請求項8】
前記第１の電極（１０）のそれぞれの主本体は伝播パス（Ｃ）の第１の側（７１）に位置し、前記第２の電極（２０）のそれぞれの主本体は導波路（Ｃ）の第２の側（７２）に位置し、
前記第１のトラック（１２）のそれぞれは、第１の電極（１０）のうちの１つの主本体を次の第１の電極（１０）の主本体に接続する、請求項４から７のいずれか一項に記載のデバイス（８；９；１２）。
前記第１のトラック（１２）のそれぞれは、第１の電極（１０）のうちの１つの主本体を次の第１の電極（１０）の主本体に接続する、請求項４から７のいずれか一項に記載のデバイス（８；９；１２）。
【請求項9】
前記支持体（２００）は、互いに平行な前記２つの表面（Ｓ１、Ｓ２）によって画定された薄板を形成する、請求項１から８のいずれか一項に記載のデバイス（１２；１４；１６）。
【請求項10】
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）とは、前記支持体（１００、２００）の同一表面（Ｓ；Ｓ１）上に作られている、請求項１から９のいずれか一項に記載のデバイス（５；８；９；１２）。
【請求項11】
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）は板（２００）の表面のうちの１つの表面（Ｓ１）上に作られ、一方、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）は板（２００）の他方の表面（Ｓ２）上に作られる、請求項９に記載のデバイス（１６）。
【請求項12】
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の第２の電極は、チューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（４０）と電気的に接触し、
インターフェーシングトランスデューサの第１の電極、
または、チューニングトランスデューサの第１の電極、
または、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（２０、４０））、
が前記板（２００）の表面のうちの１つの表面（Ｓ２）上に作られ、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）およびチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の他方の電極（１０、３０）は前記板（２００）の他方の表面（Ｓ１）上に作られる、請求項９に記載のデバイス（１４）。
インターフェーシングトランスデューサの第１の電極、
または、チューニングトランスデューサの第１の電極、
または、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）とチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の第２の電極（２０、４０））、
が前記板（２００）の表面のうちの１つの表面（Ｓ２）上に作られ、
インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）およびチューニングトランスデューサ（ＴＴ）の他方の電極（１０、３０）は前記板（２００）の他方の表面（Ｓ１）上に作られる、請求項９に記載のデバイス（１４）。
【請求項13】
第１および第２の電極（１０、２０、３０、４０）はそれぞれ、前記伝播パス（Ｃ）に対して横方向に延びる１本以上のフィンガ（１１、２１、３１、４１）を含み、第１および第２の電極の少なくともいくつかについて、電極のフィンガの総数は１０以下である、請求項１から１２のいずれか一項に記載のデバイス（５；８；９；１２；１４；１６）。
【請求項14】
第１および第２の電極（１０、２０、３０、４０）はそれぞれ、前記伝播パス（Ｃ）に対して横方向に延びる１本以上のフィンガ（１１、２１、３１、４１）を含み、第１および第２の電極の少なくともいくつかについて、電極のフィンガの総数は１本と３本の間に含まれる、請求項１から１２のいずれか一項に記載のデバイス（１２；１４；１６）。
【請求項15】
チューニングトランスデューサ（ＴＴ）とインターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）の異なる電極（１０、２０、３０、４０）をまとめてグループ化するアセンブリが、総数４０本以上の電極フィンガ（１１、２１、３１、４１）を含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載のデバイス（５；８；９；１２；１４；１６）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術分野は、電気共振器機能を実行する目的で弾性波の伝播を利用する電気機械デバイスの技術分野であり、これらの共振器は、フィルタ、周波数基準などのより複雑な機能を実装するのに適する。これらのデバイスは、典型的には数百ｋＨｚから数ＧＨｚまでの範囲にわたることが可能な共振周波数を有する。
【背景技術】
【0002】
この分野では、弾性表面波（「ＳＡＷ」、Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅの略）共振器に基づくデバイスが知られている。このようなデバイスは一般に、比較的厚い固体圧電基板を含む。問題とする弾性波はレーリー波型、表面横波（「ＳＴＷ」）型、または表面スキミングバルク波（「ＳＳＢＷ」）型であり、基板の表面をその表面に平行に伝播する。
【0003】
この場合、弾性表面波共振器を形成するために、これらの表面波を反射し、互いに対向して位置する２つの反射器が基板の表面上に作られる。これらの反射器は、基板の表面上に金属電極を堆積させることによって得られ、これらの電極はそれぞれが、一種のブラッグミラーを形成するために周期的に配置されたいくつかの金属ストリップを含む。
【0004】
この共振器と電気的に相互作用することができるようにするために、互いに入り組んだ櫛の形態の２つの電極を含むトランスデューサが一般に基板の表面に、２つの反射器の間に作製される。これら２つの電極は、それぞれ２つの接続端子に接続される。それで、これら２つの端子間で共振器内の弾性波共振と関連付けられる電気共振が得られる。この電気共振は、例えばフィルタまたは発振器を実装するための基礎として使用することができる。
【0005】
弾性波の伝播のための支持体が、厚い基板ではなく薄い圧電板である弾性波共振器が知られている。したがってそのような板は、ラム波などのいわゆる「板」波の伝播の支持体として使用することができる。また、これらの弾性波は、板の表面に平行に伝播する。したがって板波共振器は、例えば、上述の反射器のような２つの反射器を得るように、この板の表面のうちの１つの上に金属電極を堆積させることによって作ることができる。
【0006】
表面弾性波共振器または板波共振器は、典型的には、多くの電波通信用途（携帯電話通信、ＷｉＦｉ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈなど）に好適な数十メガヘルツと数ギガヘルツの間に含まれる共振周波数を有する。さらに、これらの共振器は一般に、高いＱ値を有し、小サイズ電子チップに集積することができる。
【0007】
いくつかの種類の用途、特に無線通信の分野では、このような共振器の共振周波数を随意に調整することができることが関心を引いている。
【0008】
実際、無線通信のめざましい発展により、電波スペクトルの飽和および妨害作用が増大する傾向にあり、そのために一層、しかじかの種類のプロトコルに割り振られる周波数帯が一般に固定している。使用される通信周波数を変更することができる、よりアジャイルな無線通信管理は、この問題を部分的に解消することを可能にするであろう。また、最新世代の携帯電話端末は、現在、約４０の異なる周波数帯で動作することができ、すべての事例に提供するためには、これは極めて複雑なデータ処理回路を必要とする。その動作周波数を電子的に制御可能なコンポーネントを有することは、これらのアーキテクチャを確実に簡素化することができるであろう。
【0009】
共振周波数を調整可能な上述のような弾性表面波共振器が、以下の論文：Ｐ．Ｓ．Ｃｒｏｓｓ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌｌｙ ｖａｒｉａｂｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ－ａｃｏｕｓｔｉｃ－ｗａｖｅ ｖｅｌｏｃｉｔｙ ａｎｄ ｔｕｎａｂｌｅ ＳＡＷ ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２８．１（１９７６）に説明されている。
【0010】
この共振器は、上述の２つの反射器と、これら２つの反射器の間の、共振器と電気的にインターフェースするための入力トランスデューサと出力トランスデューサとを含む（このデバイスは、伝送時に電気信号のための入力ポートと出力ポートとともに動作する）。この共振器は、さらにまた、２つの反射器の間に位置し、２つの互いに入り組んだ櫛（すなわち：互いにかみ合った櫛）を形成する２つの金属電極を含む周波数チューニングトランスデューサを含む。これらの２つの電極の間に可変キャパシタが接続される。この場合、このデバイスの共振周波数（ここでは最大伝送に対応する電気共振周波数）を、このキャパシタのキャパシタンスを変化させることによって調整することができる。
【0011】
これらの２つの電極の間に接続された電気キャパシタンスに応じてのこのデバイスの共振周波数の変化は、圧電材料の表面を伝播する弾性表面波が電気成分を有することに注目することによって説明することができる。この材料の表面における電界に特定の状態を与えると、したがって、これらの弾性波の伝播に影響を及ぼし、この効果は一般に音響電気効果と呼ばれる。
【0012】
したがって、例えばこの材料の表面を全体的にメタライズすると、この表面が電気的に自由な（すなわち電界について制約がない）ままにされているときよりも遅い伝播速度が得られる。それで、インピーダンスが調整可能な上述のキャパシタは、チューニングトランスデューサが占めるゾーンにおいて弾性波の有効速度を、短絡状態の速度と開回路状態の速度との間で調整することを可能にし、それが共振器の共振周波数を変更することを可能にする。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0013】
【非特許文献1】Ｐ．Ｓ．Ｃｒｏｓｓ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌｌｙ ｖａｒｉａｂｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ－ａｃｏｕｓｔｉｃ－ｗａｖｅ ｖｅｌｏｃｉｔｙ ａｎｄ ｔｕｎａｂｌｅ ＳＡＷ ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２８．１（１９７６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
しかし、この論文に説明されているデバイスでは、共振周波数を調整可能な範囲は依然として限定されている（この範囲は共振周波数の約０．１％の幅を有する）。
【0015】
より拡張された調整範囲を得るために、１つの可能性は、周波数チューニングトランスデューサの互いにかみ合った電極のフィンガの数（言い換えると歯の数）を、（歯間の周期を同じにしたまま）増加させることである。共振器では、これはチューニングトランスデューサが占めるゾーンの長さ、したがって伝播速度が変更される長さを増加させる。図２に示すデジタルシミュレーション（以下で詳述する）の結果が、周波数チューニングトランスデューサＴＴの互いにかみ合った電極のフィンガの数Ｎ２が増加すると、同調性の範囲の幅が効果的に増加することを確証している。
【0016】
このフィンガの数Ｎ２（および、また場合によっては共振器と電気的にインターフェースするために使用されるインターフェーシングトランスデューサＴＩのフィンガの数Ｎ１）が増加することは、すべてのトランスデューサについて５０オームに極めて近いインピーダンスをさらに得ることを可能にする。
【0017】
しかし、発明人らは、フィンガの数Ｎ２の増加は、望ましくない効果につながることを観察した。具体的には、Ｎ２が増加すると、固定周波数寄生共振（図２で参照符号Ｒｐで指し示されている）が次第に目立ってくる。この効果は、Ｎ２が増加するときの、インターフェーシングトランスデューサＴＩとチューニングトランスデューサＴＴとの間の界面における音波の反射率の増加によって説明することができる。この界面におけるこのより強力な反射は、そして、反射器Ｒ１と界面ＴＩ／ＴＴの間の共振器の一部のみにある共振モード（したがってインターフェーシングトランスデューサＴＩ上に主としてあるモード）に有利に働く傾向がある。この寄生効果は特に不都合である場合がある。例えば、Ｎ１＝１１およびＮ２＝３１の場合に対応する曲線では、図２で、この寄生共振Ｒｐは（少なくとも小さいキャパシタンス値の場合）「主」調整可能周波数共振と同程度に大きい振幅を有することがわかる。
【課題を解決するための手段】
【0018】
このようなコンテキストで、通常とは異なり、互いにかみ合った電極を備えたいくつかのインターフェーシングトランスデューサと、やはり互いにかみ合った電極を備えたいくつかの周波数チューニングトランスデューサとを含む弾性波共振器を含む電気機械デバイスであって、これらの異なるトランスデューサが、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとを弾性波の伝播パスに沿って互い違いにすることによってこのパスに沿って位置付けられている、電気機械デバイスが提案される。
【0019】
したがって、多数のフィンガを含む単一のインターフェーシングトランスデューサと、それの後に（外部の調整可能インピーダンスに接続された）やはり順次配置された多数のフィンガを含む単一の周波数チューニングトランスデューサとを使用するのではなく、各トランスデューサが限られた数のフィンガを含み、弾性波の伝播経路に沿って互いに交互になった多数のインターフェーシングトランスデューサと複数のチューニングトランスデューサとがここで使用される。
【0020】
これは、（共振周波数の広い調整範囲を得るために）共振器の全長にわたって伝播速度を制御する電極を分散させることを可能にし、これは、共振器の一部のみにあるはずの寄生共振モードの出現を限定した状態で、（例えば５０オームに近いインピーダンスを得るために）相当な総数のフィンガを使用することも可能にする。
【0021】
言い換えると、共振器全体に分散された大域的共振モードが、こうして有利に働く。
【0022】
この特定の配置によって可能とされたこの改善を、例示の実施形態について図３に示す。この図は、図１および図２のデバイスと類似しているが、弾性波の伝播パスに沿って互いに交互になった３つのインターフェーシングトランスデューサと３つの周波数チューニングトランスデューサとを含むデバイスについて得られた電気共振曲線を示している。この図でわかるように、交互になったトランスデューサを備えたこの構成は、調整可能周波数を有し、振幅が上述の寄生共振の振幅よりも明確に大きい主共振を得ることを可能にする。
【0023】
本技術は、より正確には調整可能共振周波数を有する電気機械デバイスであって：
－ 表面によって、または互いに平行な２つの表面によって画定された圧電支持体と、
－ この支持体上の、前記表面に対して平行に伝播する弾性波のための共振器であって、少なくとも：
－ 共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器と、
－ ２つの反射器の間の、電気信号から前記波を生成するように構成されたいくつかのインターフェーシングトランスデューサと、
－ 前記共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサとを含み、
－ 前記トランスデューサのそれぞれが、各々が圧電支持体の前記表面上または前記表面のうちの１つの上に延びる互いにかみ合った第１の電極と第２の電極とを含む、共振器と、
－ 前記共振周波数を制御するための電気デバイスであって、第１の端子と第２の端子とを含み、これら２つの端子の間に調整可能電気インピーダンスを有する電気デバイスとを含み、
－ チューニングトランスデューサごとに、トランスデューサの第１の電極と第２の電極とがそれぞれ前記電気制御デバイスの第１の端子と第２の端子に接続され、
－ 異なるインターフェーシングトランスデューサの第１の電極が互いに電気的に接続され、インターフェーシングトランスデューサの第２の電極も互いに電気的に接続され、
－ インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとは、共振器内で前記波がたどる伝播パスに沿って、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが交互に位置付けられ、各チューニングトランスデューサが２つの連続したインターフェーシングトランスデューサの間、または反射器のうちの１つと隣接インターフェーシングトランスデューサとの間に挿入されている、デバイスに関する。
－ 表面によって、または互いに平行な２つの表面によって画定された圧電支持体と、
－ この支持体上の、前記表面に対して平行に伝播する弾性波のための共振器であって、少なくとも：
－ 共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器と、
－ ２つの反射器の間の、電気信号から前記波を生成するように構成されたいくつかのインターフェーシングトランスデューサと、
－ 前記共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサとを含み、
－ 前記トランスデューサのそれぞれが、各々が圧電支持体の前記表面上または前記表面のうちの１つの上に延びる互いにかみ合った第１の電極と第２の電極とを含む、共振器と、
－ 前記共振周波数を制御するための電気デバイスであって、第１の端子と第２の端子とを含み、これら２つの端子の間に調整可能電気インピーダンスを有する電気デバイスとを含み、
－ チューニングトランスデューサごとに、トランスデューサの第１の電極と第２の電極とがそれぞれ前記電気制御デバイスの第１の端子と第２の端子に接続され、
－ 異なるインターフェーシングトランスデューサの第１の電極が互いに電気的に接続され、インターフェーシングトランスデューサの第２の電極も互いに電気的に接続され、
－ インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとは、共振器内で前記波がたどる伝播パスに沿って、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが交互に位置付けられ、各チューニングトランスデューサが２つの連続したインターフェーシングトランスデューサの間、または反射器のうちの１つと隣接インターフェーシングトランスデューサとの間に挿入されている、デバイスに関する。
【0024】
問題とする波は、支持体の表面を伝播する（例えばレーリー波型の）表面波とすることができ、それでこの支持体は比較的厚い。この場合、トランスデューサの異なる電極と、反射器とは、例えば支持体の開放表面（ｆｒｅｅ ｓｕｒｆａｃｅ）に対応する同一表面上に作製される。
【0025】
圧電支持体は、一方が上面で他方が下面であって互いに平行な（実際には、最も近い１０度より良好に平行な）上記の２つの表面によって画定された薄い圧電板の形態とすることも可能である。この場合、弾性波の伝播によって生じる変形は、板の厚さ全体にわたって、またはその厚さの少なくとも大部分で分散される。例えばラム波型のこれらの弾性波は、それで、板波と呼ばれる。
【0026】
圧電支持体が薄板の形態であるとき、トランスデューサのいくつかの電極が板の２つの表面のうちの１つの上に置かれ得、他の電極はこの板の他方の表面上に位置する。また、この種の支持体は一般に、表面波の伝播が意図された固体の（厚い）支持体よりも強い電気機械結合を得ることを可能にする。上記の薄板は、弾性波が誘導された状態を保つ、懸垂膜（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ ｍｅｍｂｒａｎｅ）の形態、またはいくつかの層のスタック、圧電層の形態とすることができる。
【0027】
いずれの場合も（表面波の場合または板波の場合）、支持体は同じ圧電材料、例えば単結晶または実質的に単結晶の材料（石英、ニオブ酸リチウム、またはタンタル酸リチウム）から形成された単一体からなり得る。しかし、この支持体は層のスタックの形態であることもでき、これらの層のうちの１つ以上の層（ただし必ずしもその全部ではない）が圧電体である。
【0028】
伝播パスは、共振器内で弾性波がたどる平均線である。共振器が互いに対向して位置する厳密に２つの反射器を含むとき、この伝播パスは反射器のうちの１つから他方の反射器まで延びるセグメントである。
【0029】
実際には、共振器の共振周波数を調整するために、上記のように、調整可能電気インピーダンス、例えば調整可能キャパシタンスを有するキャパシタが、周波数チューニングトランスデューサの第１の電極と第２の電極の間に接続される。デバイスの共振周波数が高いため、使用されるキャパシタンス値は一般に小さく、ピコファラッド程度である。このコンテキストで、第１の電極相互の接続と、第２の電極相互の接続は、追加の寄生インピーダンス、特に寄生キャパシタンスを導入するのを防ぐために、特に細心である必要がある。具体的には、このコンテキストでは、電極に溶着されたワイヤによる電極間の接続（「ワイヤボンディング」型の接続）は一般に最適ではない。
【0030】
また、このような寄生インピーダンスの出現を制限するために：
－ インターフェーシングトランスデューサのうちの少なくともいくつかについて、さらにインターフェーシングトランスデューサの全部についてであっても：
－ これらのインターフェーシングトランスデューサの第１の電極が１つ以上の第１の電気トラックによって互いに接続され、
－ これらのインターフェーシングトランスデューサの第２の電極が１つ以上の第２の電気トラックによって互いに接続され、
－ 前記チューニングトランスデューサのうちの少なくともいくつかについて、さらにインターフェーシングトランスデューサの全部についてであっても、
－ これらのチューニングトランスデューサの第１の電極が１つ以上の第３の電極トラックによって互いに接続され、
－ これらのチューニングトランスデューサの第２の電極が１つ以上の第４の電気トラックによって互いに接続され、
－ 前記電気トラックのそれぞれが、圧電支持体の表面上、または２つの表面のうちの１つの上に作られることが提供され得る。
－ インターフェーシングトランスデューサのうちの少なくともいくつかについて、さらにインターフェーシングトランスデューサの全部についてであっても：
－ これらのインターフェーシングトランスデューサの第１の電極が１つ以上の第１の電気トラックによって互いに接続され、
－ これらのインターフェーシングトランスデューサの第２の電極が１つ以上の第２の電気トラックによって互いに接続され、
－ 前記チューニングトランスデューサのうちの少なくともいくつかについて、さらにインターフェーシングトランスデューサの全部についてであっても、
－ これらのチューニングトランスデューサの第１の電極が１つ以上の第３の電極トラックによって互いに接続され、
－ これらのチューニングトランスデューサの第２の電極が１つ以上の第４の電気トラックによって互いに接続され、
－ 前記電気トラックのそれぞれが、圧電支持体の表面上、または２つの表面のうちの１つの上に作られることが提供され得る。
【0031】
圧電支持体の同一表面上に作られるトラックは互いに重なり合わないことが、さらに提供され得る。
【0032】
この場合、支持体の同一表面上にあるトラックは、互いに重ね合わされず、互いの上を通らないという意味で、重なり合わない。言い換えると、この表面上の突起において交差しない（すなわち、この表面上の突起において交わらない）。トラック間の重なりを防ぐことを可能にする異なる特徴を以下に提示する。
【0033】
上記に提示した特徴に加えて、上述の電気機械デバイスは、以下の特徴のうちの１つ以上の追加の特徴を、個別にまたは任意の技術的に可能な組み合わせで有することができる：
－ 前記互いにかみ合った電極のそれぞれが１本以上のフィンガと、前記フィンガがそこから延び、電極の主本体を形成する長手方向の導電ストリップとを含み；
－ インターフェーシングトランスデューサについて：
－ 前記第２の電極のそれぞれが、その第２の電極が関連付けられている前記第１の電極よりも少なくとも１本多いフィンガを含み、この第２の電極の２本の周辺フィンガが第１の電極のフィンガの完全なセットを囲み、これらの２本の周辺フィンガがそれぞれ第２の電極の主本体とは反対側の前記伝播パスの第１の側に位置する端部を有し、
－ 前記第２のトラックのそれぞれが、前記第２の電極のうちの１つの周辺フィンガのうちの１つの端部を次の第２の電極の周辺フィンガのうちの１つの端部に接続し、前記第２の電極の主本体とそれらの周辺フィンガとが、第２のトラックとともに、チューニングトランスデューサを迂回することによって前記パスの両側を伝播パスに沿って蛇行する大域トラックを形成する；
－ インターフェーシングトランスデューサごとに、トランスデューサの第２の電極の主本体が、この第２の電極の周辺フィンガのうちの１つによってだけでなく、伝播パスに対して横方向に延びて伝播パスを横断し、当該インターフェーシングトランスデューサとそれに隣接するチューニングトランスデューサとの間に位置する１つ以上の追加のフィンガによっても、前記第２のトラックのうちの１つに接続される；
－ 前記第２のトラックのそれぞれが、チューニングトランスデューサのうちの１つの第２の電極とともに、伝播パスの第１の側に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成する；
－ 前記第４のトラック（４２）のそれぞれが、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）のうちの１つの第２の電極（２０）とともに、伝播パスの第２の側に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成する；
－ インターフェーシングトランスデューサの第２の電極が、少なくともそれらの周辺フィンガを介してチューニングトランスデューサの第２の電極と電気的に接触し、第２の電極の主本体とそれらの周辺フィンガがともに、チューニングトランスデューサとインターフェーシングトランスデューサの第１の電極を迂回することによって伝播パスに沿って前記パスの両側を蛇行する同じ主トラックを形成する；
－ 第１および第２の電気トラックが弾性波の伝播パスの第１の側に位置し、一方、第３および第４の電気トラックが弾性波の伝播パスの反対側の第２の側に位置する；
－ インターフェーシングトランスデューサについて：
－ 前記第１の電極のそれぞれの主本体が伝播パスの第１の側に位置し、第２の電極のそれぞれの主本体が伝播パスの第２の側に位置し、
－ 前記第１のトラックのそれぞれが第１の電極のうちの１つの主本体を次の第１の電極の主本体に接続する；
－ 前記支持体が、互いに平行な前記２つの表面によって画定された薄板を形成し；例えば懸垂されたこの板が、板に対して垂直な方向に従って少なくとも部分的に自由に変形させられることが可能である；
－ インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが前記支持体の同一表面上に作られる；
－ インターフェーシングトランスデューサは板の表面のうちの１つの上にあり、一方、チューニングトランスデューサは板の他方の表面上にある；
－ インターフェーシングトランスデューサの第２の電極がチューニングトランスデューサの第２の電極と電気的に接触し：
－ インターフェーシングトランスデューサの第１の電極、
－ または、チューニングトランスデューサの第１の電極、
－ または、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサトランスデューサの第２の電極が、
前記板の表面のうちの１つの上にあり、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサの他方の電極が前記板の他方の表面上にある；
－ 前記第１および第２の電極がそれぞれ、前記伝播パスに対して横方向に延びる１本以上のフィンガを含み、第１および第２の電極のうちの少なくともいくつかの電極について、さらに第１および第２の電極の全部についてであっても、電極のフィンガの総数が１０本以下、さらに５本または６本以下である；
－ 第１および第２の電極のうちの少なくともいくつかの電極について、さらに第１および第２の電極の全部についてであっても、電極のフィンガの総数が１本と３本の間であり、さらに１本と２本の間に含まれる；
－ チューニングトランスデューサとインターフェーシングトランスデューサの異なる電極をまとめてグループ化するアセンブリが、総数４０本以上、さらに８０本以上、さらにまたは１５０本以上の電極フィンガを含み；
－ インターフェーシングトランスデューサの数が３以上であり、さらに４以上または５以上である；
－ チューニングトランスデューサの数が３以上、さらに４以上または５以上である。
－ 前記互いにかみ合った電極のそれぞれが１本以上のフィンガと、前記フィンガがそこから延び、電極の主本体を形成する長手方向の導電ストリップとを含み；
－ インターフェーシングトランスデューサについて：
－ 前記第２の電極のそれぞれが、その第２の電極が関連付けられている前記第１の電極よりも少なくとも１本多いフィンガを含み、この第２の電極の２本の周辺フィンガが第１の電極のフィンガの完全なセットを囲み、これらの２本の周辺フィンガがそれぞれ第２の電極の主本体とは反対側の前記伝播パスの第１の側に位置する端部を有し、
－ 前記第２のトラックのそれぞれが、前記第２の電極のうちの１つの周辺フィンガのうちの１つの端部を次の第２の電極の周辺フィンガのうちの１つの端部に接続し、前記第２の電極の主本体とそれらの周辺フィンガとが、第２のトラックとともに、チューニングトランスデューサを迂回することによって前記パスの両側を伝播パスに沿って蛇行する大域トラックを形成する；
－ インターフェーシングトランスデューサごとに、トランスデューサの第２の電極の主本体が、この第２の電極の周辺フィンガのうちの１つによってだけでなく、伝播パスに対して横方向に延びて伝播パスを横断し、当該インターフェーシングトランスデューサとそれに隣接するチューニングトランスデューサとの間に位置する１つ以上の追加のフィンガによっても、前記第２のトラックのうちの１つに接続される；
－ 前記第２のトラックのそれぞれが、チューニングトランスデューサのうちの１つの第２の電極とともに、伝播パスの第１の側に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成する；
－ 前記第４のトラック（４２）のそれぞれが、インターフェーシングトランスデューサ（ＴＩ）のうちの１つの第２の電極（２０）とともに、伝播パスの第２の側に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成する；
－ インターフェーシングトランスデューサの第２の電極が、少なくともそれらの周辺フィンガを介してチューニングトランスデューサの第２の電極と電気的に接触し、第２の電極の主本体とそれらの周辺フィンガがともに、チューニングトランスデューサとインターフェーシングトランスデューサの第１の電極を迂回することによって伝播パスに沿って前記パスの両側を蛇行する同じ主トラックを形成する；
－ 第１および第２の電気トラックが弾性波の伝播パスの第１の側に位置し、一方、第３および第４の電気トラックが弾性波の伝播パスの反対側の第２の側に位置する；
－ インターフェーシングトランスデューサについて：
－ 前記第１の電極のそれぞれの主本体が伝播パスの第１の側に位置し、第２の電極のそれぞれの主本体が伝播パスの第２の側に位置し、
－ 前記第１のトラックのそれぞれが第１の電極のうちの１つの主本体を次の第１の電極の主本体に接続する；
－ 前記支持体が、互いに平行な前記２つの表面によって画定された薄板を形成し；例えば懸垂されたこの板が、板に対して垂直な方向に従って少なくとも部分的に自由に変形させられることが可能である；
－ インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが前記支持体の同一表面上に作られる；
－ インターフェーシングトランスデューサは板の表面のうちの１つの上にあり、一方、チューニングトランスデューサは板の他方の表面上にある；
－ インターフェーシングトランスデューサの第２の電極がチューニングトランスデューサの第２の電極と電気的に接触し：
－ インターフェーシングトランスデューサの第１の電極、
－ または、チューニングトランスデューサの第１の電極、
－ または、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサトランスデューサの第２の電極が、
前記板の表面のうちの１つの上にあり、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサの他方の電極が前記板の他方の表面上にある；
－ 前記第１および第２の電極がそれぞれ、前記伝播パスに対して横方向に延びる１本以上のフィンガを含み、第１および第２の電極のうちの少なくともいくつかの電極について、さらに第１および第２の電極の全部についてであっても、電極のフィンガの総数が１０本以下、さらに５本または６本以下である；
－ 第１および第２の電極のうちの少なくともいくつかの電極について、さらに第１および第２の電極の全部についてであっても、電極のフィンガの総数が１本と３本の間であり、さらに１本と２本の間に含まれる；
－ チューニングトランスデューサとインターフェーシングトランスデューサの異なる電極をまとめてグループ化するアセンブリが、総数４０本以上、さらに８０本以上、さらにまたは１５０本以上の電極フィンガを含み；
－ インターフェーシングトランスデューサの数が３以上であり、さらに４以上または５以上である；
－ チューニングトランスデューサの数が３以上、さらに４以上または５以上である。
【0034】
本技術およびその異なる応用は、以下の説明を読み、添付図面を検討すると、よりよくわかるであろう。
【0035】
図面は、情報のために提示し、いかなる点でも限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】上から見た、周波数アジャイル表面波共振器を含む電気機械デバイスを図式的に示す図である。このデバイスは、比較のために示され、厳密に言えば本技術を実装しない。
【図3】図１のデバイスと類似しているが、共振器の軸に沿って互いに交互になっているいくつかのインターフェーシングトランスデューサと共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサとを含むデバイスの、電気共振曲線を図式的に示す図である。
【図4】斜視で見た、周波数アジャイル表面波共振器を含む電気機械デバイスを図式的に示す図である。
【図8】上から見た、周波数アジャイル表面波共振器を含む電気機械デバイスを図式的に示す図である。
【図9】上から見た、周波数アジャイル表面波共振器を含むさらに別の電気機械デバイスを図式的に示す図である。
【図11】斜視で見た、周波数アジャイル板波共振器を含む電気機械デバイスを図式的に示す図である。
【図14】上から見た、周波数アジャイル板波共振器を含む別の電気機械デバイスを図式的に示す図である。
【図16】断面および側面図として見た、周波数アジャイル板波共振器を含む別の電気機械デバイスの一部を図式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0037】
図１に、単一のインターフェーシングトランスデューサＴＩと単一の共振周波数チューニングトランスデューサＴＴとを含む弾性波共振器２を含む、電気機械デバイス１を図式的に示す。この事例は、共振器内で弾性波がたどる伝播パスＣに沿って互いにインターリーブされた、いくつかのインターフェーシングトランスデューサといくつかのチューニングトランスデューサとを有するそのような共振器を装備する利点をよりよく例示するために、比較を目的として提示するものである。
【0038】
このデバイス１は、ニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ３からなる固体圧電基板を、この基板の表面を伝播する弾性表面波の伝播の支持体として機能する断面Ｘとして含む。共振器２は、基板の開放表面上に金属層（ここではアルミニウムの層）を堆積させ、次に、２つの反射器Ｒ１およびＲ２と、トランスデューサＴＴおよびＴＩの電極と、電極を外部要素、例えば調整可能キャパシタンスを有するキャパシタに（例えば接触ゾーンに溶着された導体ワイヤを用いて）接続することを可能にする接触ゾーンとを画定するように、この層のリソグラフィとエッチングとを実行することによって作ることができる。
【0039】
２つの反射器Ｒ１およびＲ２はそれぞれ、問題とする弾性波のための反射性周期的配列を形成するように規則的にスペースがとられたいくつかの平行金属ストリップを含む（一種のブラッグミラー；周期、すなわちこの配列のピッチは典型的にはλ／２であり、ここでλはこの共振器の期待される共振、例えばチューニングトランスデューサが開回路であるときの波長である）。上から見ると、これらの反射器の各１つの反射器は、はしごの形状を有することができ、問題とするストリップの各１つがはしごの横木のうちの１つを形成する。これらの反射器は一般に、互いに電気的に接続された（短絡された）２つの電極から形成される。しかし、反射器は、電気的にフローティング（開回路にある）のままとされた電極で形成されることも可能である：この場合、反射器は、互いに接続されていない金属線を有する同一周期のネットワークの形態をとる。
【0040】
２つの反射器は、互いに対向して位置する。２つの反射器は、同一軸、ここでは基板の結晶軸Ｚに平行な軸上に配置されている。これらの反射器の各１つの金属ストリップは、各反射器が弾性波を他方の反射器の方向に反射する程度に、この軸に対して垂直である。したがって、共振器２内の弾性波の伝播の平均方向は、軸Ｚの方向である。共振器内で弾性波がたどる伝播パスＣは、２つの反射器Ｒ１およびＲ２によって画定されたセグメントであり、したがって、ここでは軸Ｚに平行である。
【0041】
インターフェーシングトランスデューサＴＩとチューニングトランスデューサＴＴは両方とも、伝播パスＣ上に、２つの反射器Ｒ１とＲ２の間に一方が他方に続いて位置する。これらのトランスデューサＴＩおよびＴＴはそれぞれ、互いにかみ合った第１の電極と第２の電極とを含む。これらの電極の各１つは、互いに平行であって伝播パスＣに対して垂直な１本以上のフィンガを含む。電極がいくつかのフィンガを含むとき、フィンガは櫛を形成するように配置される。この場合、各フィンガは自由端と反対側の端部とを有する金属ストリップの形態を有し、フィンガが反対側の端部を通して「バス」と呼ばれる（フィンガに対して垂直な）共通の長手方向ストリップに接続される。第１の電極のフィンガと第２の電極のフィンガとは互いにインターリーブしている。これらのフィンガは、第１の電極からの１つのフィンガ、次に第２の電極からのフィンガというように毎回交互にすることによって、伝播パスＣに沿って配置される（したがって、場合によって櫛の端部のフィンガを除き、第１の電極の各フィンガは、第２の電極の２本のフィンガの間に延びる）。
【0042】
インターフェーシングトランスデューサＴＩのフィンガの総数は、その第１の電極のフィンガの数とその第２の電極のフィンガの数との和に等しく、Ｎ１として示す。チューニングトランスデューサＴＴのフィンガの総数は、Ｎ２として示す。
【0043】
図２に、以下の３つの構成についてデジタルシミュレーションによって得られた、図１のデバイス１の電気共振曲線を示す：
－ Ｎ１＝１１およびＮ２＝３（図２の曲線（ａ））、
－ Ｎ１＝１１およびＮ２＝２１（図２の曲線（ｂ））、および
－ Ｎ１＝１１およびＮ２＝３１（図２の曲線（ｃ））。
－ Ｎ１＝１１およびＮ２＝３（図２の曲線（ａ））、
－ Ｎ１＝１１およびＮ２＝２１（図２の曲線（ｂ））、および
－ Ｎ１＝１１およびＮ２＝３１（図２の曲線（ｃ））。
【0044】
これらの構成について、図２に、デバイス１の、チューニングトランスデューサＴＴの２つの電極が調整可能キャパシタンスを有するキャパシタＣｔに接続された状態の、周波数ｆ（メガヘルツ単位）に応じたインターフェーシングトランスデューサＴＩの２つの電極の間のアドミタンスＹ（アドミタンスＹはジーメンス単位で表される）を示す（数量Ｙはより正確には問題とするアドミタンスのモジュールに等しい）。
【0045】
これらの３つの構成の各１つについて、キャパシタＣｔの３つの異なる値にそれぞれ対応する３つの曲線が示されている。したがって図２は、各構成（ａ）、（ｂ）および（ｃ）について：
－ 極めて低いキャパシタンス値Ｃｔ（この状況は、実質的にチューニングトランスデューサＴＴの開回路での２つの電極に等価である）に対応する第１の曲線Ａ１であり、共振周波数が最大である曲線と、
－ 中間のキャパシタンス値Ｃｔ（約０．３ピコファラッド、この場合のキャパシタのインピーダンスは約１キロオームである）に対応する第２の曲線Ａ２であり、共振周波数が中間の曲線と、
－ 極めて高いキャパシタンス値Ｃｔ（この状況は、実質的にチューニングトランスデューサＴＴの短絡した２つの電極に等価である）に対応する第３の曲線Ａ３であり、共振周波数が最小の状況である、第３の曲線Ａ３と
を示す。
－ 極めて低いキャパシタンス値Ｃｔ（この状況は、実質的にチューニングトランスデューサＴＴの開回路での２つの電極に等価である）に対応する第１の曲線Ａ１であり、共振周波数が最大である曲線と、
－ 中間のキャパシタンス値Ｃｔ（約０．３ピコファラッド、この場合のキャパシタのインピーダンスは約１キロオームである）に対応する第２の曲線Ａ２であり、共振周波数が中間の曲線と、
－ 極めて高いキャパシタンス値Ｃｔ（この状況は、実質的にチューニングトランスデューサＴＴの短絡した２つの電極に等価である）に対応する第３の曲線Ａ３であり、共振周波数が最小の状況である、第３の曲線Ａ３と
を示す。
【0046】
この図でわかるように（また「発明の概要」部ですでに説明したように）、チューニングトランスデューサＴＴのフィンガの数Ｎ２を増加させることはデバイス１をよりアジャイルにする：その共振周波数は、より広い範囲（Ｎ２＝３の場合は約１ＭＨｚで、Ｎ２＝３１の場合は２．５ＭＨｚ強の範囲）にわたって調整可能である。しかし、固定周波数寄生共振ＲＰの出現も顕著であり、Ｎ２が大きくなるにつれてますます際立つ。例えば、Ｎ２＝３１の場合、開回路状況（曲線Ａ１）では、この寄生共振は、主調整可能周波数共振と同程度に大きい振幅を有し、したがって特に不都合である。すでに示したように、この寄生共振（約３３４メガヘルツの周波数で発生する）は、共振器２の一部のみにある共振モードに関連し、これはインターフェーシングトランスデューサＴＩが占める部分の特定の音響共振にある程度対応する（これは、この寄生共振ＲＰがチューニングトランスデューサＴＴの電極間に接続されたインピーダンスとは独立した固定周波数を有することを説明している）。
【0047】
図３に、図１のデバイスと類似しているが、弾性波の伝播パスに沿って互いに交互になった３つのインターフェーシングトランスデューサと３つの周波数チューニングトランスデューサとを含むデバイスの電気共振曲線を示す。
【0048】
これらのトランスデューサの各１つは、上述のように互いにかみ合った第１の電極と第２の電極とを含む。各インターフェーシングトランスデューサごとに、トランスデューサのフィンガの総数、Ｎ１、はここでは４６に等しい（これは、その第１の電極のフィンガの数と、その第２の電極のフィンガの数との和である）。また、各チューニングトランスデューサごとに、トランスデューサのフィンガの総数、Ｎ２、はここでは１４に等しい。
【0049】
３つのチューニングトランスデューサの第１の電極は、互いに電気的に接続されている。３つのチューニングトランスデューサの第２の電極も互いに電気的に接続され、一方のこれらの第１の電極と他方のこれらの第２の電極との間に、調整可能電気キャパシタンスを有するキャパシタが接続されている。
【0050】
３つのインターフェーシングトランスデューサの第１の電極は互いに電気的に接続され、これらのトランスデューサの第２の電極も互いに電気的に接続されている。図３に、周波数ｆ（メガヘルツ単位）に応じた、このデバイスの、一方のこれらの第１の電極と他方のこれらの第２の電極との間のアドミタンスＹ（ジーメンス単位）を示す。上記の３つのキャパシタンス値（極めて低いキャパシタンスと、約０．３ピコファラッドの中間キャパシタンスと、極めて高いキャパシタンス）に対応する（この場合もデジタルシミュレーションにより得られた）３つの曲線Ａ１、Ａ２およびＡ３が、図３に示されている。
【0051】
図３でわかるように、（単一体からなる単一のより長いチューニングトランスデューサではなく）伝播パス全体にわたって分散され、インターフェーシングトランスデューサの間に挿入されたいくつかのチューニングトランスデューサを使用することが、その振幅が指し示されている、この図で観察される寄生共振の振幅より明確により大きい主調整可能周波数共振を得ることを可能にする。曲線Ａ１では、共振が得られる周波数が図３で参照符号ｆＲ，１で指し示されている。さらに曲線Ａ３では、共振が得られる周波数が参照符号ｆＲ，３で指し示されている。これらの曲線の各１つで、共振は反共振から特によく離隔されており、高い電気機械結合係数を示していることにも留意されたい。
【0052】
すでに説明したように、インターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが交互にされたこのような構成は、（共振周波数の広い調整範囲を得るために）共振器全体にわたる伝播速度を制御する電極を分散させることを可能にして、共振器の一部のみにある寄生共振モードの出現を限定したまま、（例えば５０オームに近いインピーダンスを得るために）トランスデューサの完全セットにかなり多めのフィンガの総数を使用することを可能にする。
【0053】
さらに、本技術は一般に、調整可能共振周波数を有し電気機械デバイス５；８；９；１２；１４；１６であって：
－ 表面Ｓによって、または互いに平行な２つの表面Ｓ１およびＳ２によって画定された圧電の支持体１００；２００と、
－ この支持体１００；２００上の、前記表面Ｓ；Ｓ１、Ｓ２に対して平行に伝播する弾性波のための共振器５０；８０；９０；１２０；１４０とを含み、共振器は：
－ 共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器Ｒ１およびＲ２と、
－ いくつかのインターフェーシングトランスデューサＴＩと、
－ 前記共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサＴＴとを含み、インターフェーシングトランスデューサＴＩとチューニングトランスデューサＴＴとが、共振器内で前記波がたどる伝播パスＣに沿ってインターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが交互になった状態でこの伝播パスに沿って配置された、電気機械デバイスに関する。
－ 表面Ｓによって、または互いに平行な２つの表面Ｓ１およびＳ２によって画定された圧電の支持体１００；２００と、
－ この支持体１００；２００上の、前記表面Ｓ；Ｓ１、Ｓ２に対して平行に伝播する弾性波のための共振器５０；８０；９０；１２０；１４０とを含み、共振器は：
－ 共振器を画定し、前記波を反射する２つの反射器Ｒ１およびＲ２と、
－ いくつかのインターフェーシングトランスデューサＴＩと、
－ 前記共振周波数を制御するためのいくつかのトランスデューサＴＴとを含み、インターフェーシングトランスデューサＴＩとチューニングトランスデューサＴＴとが、共振器内で前記波がたどる伝播パスＣに沿ってインターフェーシングトランスデューサとチューニングトランスデューサとが交互になった状態でこの伝播パスに沿って配置された、電気機械デバイスに関する。
【0054】
インターフェーシングトランスデューサＴＩとチューニングトランスデューサＴＴは、連続して、インターフェーシングトランスデューサＴＩ、次にチューニングトランスデューサＴＴ、次にインターフェーシングトランスデューサＴＩを有して、伝播パスＣに沿って互いに続いて配置される。したがって、伝播パスＣの２端に位置する２つのトランスデューサ（ＴＩまたはＴＴ）以外は、各チューニングトランスデューサＴＴが（その最も近い近隣である）２つのインターフェーシングトランスデューサＴＩの間に位置し、同様に、各インターフェーシングトランスデューサＴＩが（その最も近い近隣である）２つのチューニングトランスデューサＴＴの間に位置する。伝播パスＣの２端に位置する２つのトランスデューサＴＩまたはＴＴに関しては、それらはそれぞれ、一方の２つの反射器Ｒ１、Ｒ２のうちの１つと、他方の別の種類のトランスデューサＴＴまたはＴＩとの間に挿入される。
【0055】
図３の共振曲線に対応する実施形態に加えて、本明細書ではこのデバイスの６つの異なる実施形態５；８；９；１２；１４および１６について説明する。これらのデバイスをそれぞれ、図５、図８、図９、図１２、図１４および図１６に示す。
【0056】
図５、図８および図９に示す実施形態では、デバイスの支持体１００は固体の厚い支持体であり、共振器５０；８０；９０は、この支持体の開放表面Ｓ上に作られた表面波共振器である（図４参照）。ここで、表面は平面である。
【0057】
図１２、図１４および図１６の他の３つの実施形態では、支持体、２００、は上述の２つの表面Ｓ１およびＳ２によって画定された薄い圧電板（図１１参照）であり、共振器は板波共振器である。２つの表面Ｓ１およびＳ２は、ここでは平面である。
【0058】
これらの異なる実施形態は、多くの共通点を有する。また、実施形態ごとに、同一または対応する要素は、可能な限り同じ参照符号で指し示され、必ずしもそのたびごとに説明しない。
【0059】
これらの実施形態の各１つについて順次、詳細に説明する前に、まず、これらの実施形態に共通する特徴を提示する。
【0060】
これらの実施形態のそれぞれにおいて、共振器は厳密に２つの反射器を含む。これらの２つの反射器Ｒ１およびＲ２は、類似した構造を有し、図１の共振器と同じでさえもある：共振器はそれぞれ、対象の弾性波のために反射性の周期的配列を形成するように規則的にスペースがとられたいくつかの平行な金属ストリップを含む。これらの２つの反射器は、同一軸上に互いに対向して配置される。共振器内で、弾性波はこの軸に沿って伝播し、これらの反射器Ｒ１およびＲ２の一方で、次に他方でというように交互に反射する。共振器内で弾性波がたどる伝播パスＣは、２つの反射器Ｒ１およびＲ２によって画定されたセグメントである。
【0061】
インターフェーシングトランスデューサＴＩについては、支持体２００が薄板の形態で作られるとき、インターフェーシングトランスデューサＴＩのそれぞれが、支持体２００の表面Ｓ（図４）または支持体２００の２つの表面Ｓ１またはＳ２の一方の上にそれぞれ作られた、互いにかみ合った第１の電極１０と第２の電極２０とを含む。
【0062】
同様に、各チューニングトランスデューサＴＴは、それぞれが支持体２００の表面Ｓ（図４）または支持体２００の２つの表面Ｓ１またはＳ２の一方の上に作られた、第１の電極３０と互いにかみ合った第２の電極４０とを含む。
【0063】
これらの電極１０、２０、３０、４０はそれぞれ、互いに平行であって伝播パスＣに対して垂直な１本以上のフィンガ１１、２１、３１、４１を含む。電極がいくつかのフィンガを含むとき、フィンガは櫛を形成するように配置される。各フィンガ１１、２１、３１、４１は、このようにして、自由端と、その反対側の端部とを有する、金属ストリップを形成し、反対側の端部を通してそのフィンガがこの櫛の異なるフィンガに共通した（フィンガに対して垂直の）、「バス」と呼ばれる電極の主本体（櫛の主本体）を形成する長手方向ストリップに接続される。第１の電極１０、３０のフィンガと第２の電極２０、４０のフィンガは互いの間に挿入される：それらは第１の電極１０、３０からの１つのフィンガ１１、３１、次に第２の電極２０、４０からのフィンガ２１、４１というように毎回交互にすることによって、伝播パスＣに沿って配置される。
【0064】
特定の場合（例えば図１６のデバイスの場合）には、同じトランスデューサの第１の電極と第２の電極が、それぞれ単一のフィンガを含み得ることに留意されたい。また、同じトランスデューサの第１の電極と第２の電極が、支持体２００の２つの異なる表面上に作られてもよい（例えば図１５参照）。
【0065】
電極１つ当たりのある程度多数のフィンガ数を選定することにつながる基準については、図面自体の説明の後で後述する。
【0066】
電気機械デバイス５；８；９；１２；１４；１６は、各インターフェーシングトランスデューサＴＩがチューニングトランスデューサＴＴとは独立して給電されるかまたはデバイスの外部の要素から外部の要素に電気的に接続され得るように構成される。チューニングトランスデューサＴＴについては、それらは、電気機械デバイス５；８；９；１２；１４；１６に属する、調整可能電気インピーダンスを有する電気デバイス７９に（インターフェーシングトランスデューサとは独立して）接続される。
【0067】
したがって、インターフェーシングトランスデューサＴＩごとに、（チューニングトランスデューサＴＴとは独立してこのトランスデューサＴＩに給電／接続可能とするために）トランスデューサの２つの電極のうちの少なくとも一方がチューニングトランスデューサＴＴの異なる電極に対して電気的に分離される。同様に、チューニングトランスデューサＴＴごとに、トランスデューサの２つの電極のうちの少なくとも一方がインターフェーシングトランスデューサトランスデューサＴＩの異なる電極に対して電気的に分離されている。
【0068】
ここで説明する実施形態では、異なるインターフェーシングトランスデューサＴＩの第１の電極１０は互いに電気的に接続されている（すなわち、中間の電気コンポーネントなしに導電体によって直接接続されている）。第１の電極１０は、電気機械デバイスの第１の接続端子、７５に電気的に接続されている（例えば図８参照）。異なるインターフェーシングトランスデューサＴＩの第２の電極２０も、互いに電気的に接続されている。これらの電極は、電気機械デバイスの第２の接続端子、７６に電気的に接続されている。２つの端子７５および７６は、電気機械デバイスを外部要素に接続することを可能にする。これらの端子は、完全な電子回路、例えば同調可能周波数を有する周波数アジャイルフィルタリング回路または信号生成回路における、例えば電気機械デバイス（調節可能電気共振器として使用される）を接続することを可能にする。実際には、２つの接続端子７５および７６は、支持体１００；２００の表面Ｓ上、または表面Ｓ１、Ｓ２のうちの１つの上に作られた、２つの幅広い電気トラックに、または２つの「パッド」接続ゾーンに、直接対応し得る。
【0069】
異なるチューニングトランスデューサＴＴの第１の電極３０も互いに電気的に接続されている。これらの電極は、調整可能インピーダンスＺを有するデバイス７９の第１の端子７７に接続される（例えば図８参照）。異なるチューニングトランスデューサＴＴの第２の電極４０も互いに電気的に接続されている。これらの電極は、デバイス７９の第２の端子７８に電気的に接続されている。デバイス７９は、その端子７７と７８の間に、調整可能（例えば電気的に操縦可能（ｐｉｌｏｔａｂｌｅ））電気インピーダンスＺを有する。電気的な観点からは、デバイス７９は具体的には調整可能電気キャパシタンスを有するキャパシタに等価であり得る（さらに、調整可能キャパシタンスを有するキャパシタであり得る）。
【0070】
共通の電気接地を備えた特定の実施形態（例えば図９および図１２の実施形態）では、チューニングトランスデューサＴＴの第２の電極４０はインターフェーシングトランスデューサＴＩの第２の電極２０に電気的に接続される（電極４０と電極２０が互いに短絡される）ことに留意されたい。しかし、チューニングトランスデューサＴＴの第１の電極３０は、この場合、インターフェーシングトランスデューサＴＩの第１の電極１０から電気的に分離されたままである。
【0071】
表面波共振器
以下、共振器が表面波共振器である電気機械デバイス５；８；９の最初の３つの実施形態について、より詳細に説明する。
以下、共振器が表面波共振器である電気機械デバイス５；８；９の最初の３つの実施形態について、より詳細に説明する。
【0072】
すでに示したように、これらの３つの実施形態では、支持体１００が固体の厚い支持体（厚さは例えば、動作周波数で使用される音波の波長の６倍以上、すなわち、電気機械デバイスで使用される電極の周期の１２倍以上）である。ここでは、支持体１００は断面Ｘとして（すなわち開放表面Ｓが結晶軸Ｘに対して直角である）ニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ３からなる。また、共振器の軸、すなわち共振器における弾性波の伝播の軸は、結晶軸Ｘに平行である（言い換えると、伝播パスＣは軸Ｚに平行である）。
【0073】
反射器Ｒ１、Ｒ２と、異なるトランスデューサＴＴ、ＴＩの電極１０、２０、３０、４０は導電材料、例えば金属材料からなる。ここでは、これらはアルミニウムからなる。これらの厚さ（表面Ｓに対して垂直な延長）は、典型的には０．０２ミクロンと１．５ミクロンの間に含まれる；ここでは、例えば０．７ミクロンである。トランスデューサと反射器は、例えば２０％と６０％の間に含まれるメタライゼーション率で作られる。ここでは、例えばメタライゼーション率は５０％である。メタライゼーション率は：
－ 互いにかみ合った電極フィンガ１１、２１、３１、４１のうちのいずれかのフィンガの幅（すなわち伝播パスＣに平行なフィンガの延長）を、
－ ２つの連続するフィンガの間のピッチ（空間周期）で割った値に等しい。
－ 互いにかみ合った電極フィンガ１１、２１、３１、４１のうちのいずれかのフィンガの幅（すなわち伝播パスＣに平行なフィンガの延長）を、
－ ２つの連続するフィンガの間のピッチ（空間周期）で割った値に等しい。
【0074】
ここでは、例えば各フィンガは２．５ミクロンの幅を有し、２つの連続するフィンガ間の空き空間も２．５ミクロンの幅を有する（メタライゼーション率５０％）。したがって問題とするピッチは、５ミクロンに等しい。さらに、同じ電極の２つの連続するフィンガ間の空間周期は、１０ミクロンである。
【0075】
図４および図５に示す第１の実施形態では、電気機械デバイス５の共振器５０は、５つのインターフェーシングトランスデューサＴＩと５つの周波数チューニングトランスデューサＴＴを含む。インターフェーシングトランスデューサＴＩごとに、トランスデューサの第１の電極１０は４本のフィンガ、１１、を含み、一方、第２の電極２０は５本のフィンガ２１を含む。同様に、チューニングトランスデューサＴＴごとに、トランスデューサの第１の電極３０は４本のフィンガ３１を含み、一方、第２の電極４０は５本のフィンガ、４１を含む。したがって、全トランスデューサは、弾性波の伝播パスＣに沿って規則的（周期的）に分散された９０本のフィンガを含む。
【0076】
電極１０、２０、３０および４０の各１つは、電極の電気的接続が意図された比較的幅広い電気トラック１７、２７、３７、４７（幅約３０ミクロン、長さ約１００ミクロン以上）によって、互いにかみ合ったフィンガの反対側に延ばされている。この実施形態では、電極間の電気接続は、「ブリッジング」によって、すなわち、互いに電気的に接続される２つの電極を接続するために電気配線を溶着すること（「ワイヤボンディング」と呼ばれる接続）によって作られる。したがって、例えば第１の電極１０は、これらの溶着配線によって互いに接続される（同じことは電極２０、または電極３０または４０にも当てはまる）。
【0077】
図６に、電気機械デバイス５によって提示される、その第１の接続端子（第１の電極１０に接続されている）とその第２の接続端子（第２の電極２０に接続されている）との間のアドミタンスＹを測定することによって得られた３つの共振曲線Ａ１、Ａ２およびＡ３を示す。曲線Ａ３は、チューニングトランスデューサＴＴについて、第１の電極３０を第２の電極４０と短絡させる（これは、電気的な観点からは、極めて高いキャパシタンスを有するキャパシタをこれらの電極の間に接続することに等価である）ことによって得られる。曲線Ａ２は、第１の電極３０と第２の電極４０との間に０．３ピコファラッドのキャパシタを接続することによって得られる。さらに、曲線Ａ１は、開回路、すなわち、第１の電極３０と第２の電極４０の間に電気コンポーネントを接続せずに（これは、電気的な観点からは、これらの電極の間に接続された極めて低いキャパシタンスを有するキャパシタに等価である）得られる。
【0078】
図６でわかるように、電気機械デバイス５は、寄生共振のないきれいな電気共振を有する。その共振周波数は、周波数チューニングトランスデューサＴＴの端子に接続されたキャパシタのキャパシタンスを変化させることによって効果的に変更することができる。しかし、得られる周波数変化は低く、約１００ｋＨｚである。さらに、共振と反共振との差は、デジタルシミュレーション（例えば図３）に照らして期待され得る差よりも小さい。
【0079】
この限定された同調性は、（「ブリッジング」による）配線接続に関連する望ましくない効果、具体的には、固定値の寄生キャパシタンスまたはインダクタンスの導入に起因する。
【0080】
また、他の実施形態では、電気機械デバイス８；９；１２；１４；１６の電極間の電気接続は、例えば図８に示すように、支持体１００の表面Ｓ上、または支持体２００の表面Ｓ１、Ｓ２のうちの１つの上に作られた電気トラックによって作られる。実際には、これは、「ブリッジング」を介しての接続を用いてよりも広い範囲の同調性を得ることを効果的に可能にする（例えば図７の実験曲線参照）。
【0081】
次に、図８および図９を参照しながら以下で説明するように、支持体の同一表面上に作られる電気トラック間の重なり（この場合も寄生キャパシタンスおよび／またはインダクタンスの源になることとなる重なり）を防ぐために、特別な配置が実装される。
【0082】
【0083】
これらの２つの実施形態では、電気トラック間の重なりを防ぐために：
－ インターフェーシングトランスデューサＴＩの電極を接続する電気トラックが、伝播パスＣの第１の側７１に作られ、
－ 一方、チューニングトランスデューサＴＴの電極を接続する電気トラックが、伝播パスの他方の側（この伝播パスの第２の側、７２）に作られる。
－ インターフェーシングトランスデューサＴＩの電極を接続する電気トラックが、伝播パスＣの第１の側７１に作られ、
－ 一方、チューニングトランスデューサＴＴの電極を接続する電気トラックが、伝播パスの他方の側（この伝播パスの第２の側、７２）に作られる。
【0084】
（トラック間の交差または重なりを防ぐように）伝播パスＣの一方の側または他方の側にこれらの接続を作るために、特別な配置が採用される：いくつかの電極が（例えば電極１０の場合のように）それらの主本体によってではなく、革新的なやり方で、伝播パスの適切な側に位置するという利点を有するそれらの周辺フィンガ２１の端部（例えば電極２０）によって、互いに接続される。
【0085】
伝播パスの第１の側７１とは、伝播パスＣの一方の側、例えば伝播パスＣの左側に位置する表面Ｓの部分（または、より一般的にはこの空間のゾーン）を指定する。伝播パスの第２の側とは、伝播パスＣの他方の側、例えば伝播パスＣの右側に位置する表面Ｓの部分（また、より一般的にはこの空間のゾーン）を指定する。すでに示したように、共振器内で弾性波がたどる平均伝播パスに対応する伝播パスＣは、反射器Ｒ１から反射器Ｒ２まで延びるセグメントである。このセグメントは、互いにかみ合った電極の各フィンガのほぼ中央（それは共振器の軸と一致する）を通る。互いにかみ合った電極の各フィンガは、伝播パスＣの一方の側から他方の側に延びる（すなわちパスＣを横断する）。
【0086】
インターフェーシングトランスデューサＴＩごとに、トランスデューサの第１の電極１０のフィンガ１１は、伝播パスＣの第１の側、７１で互いに接続される。言い換えると、櫛の形状の電極１０の本体（ある意味で電極の主本体）を形成するこれらの異なるフィンガ１１が接続されている共通の長手方向導電ストリップ（フィンガに対して垂直なストリップ）が、伝播パスＣの第１の側、７１に位置する。
【0087】
第１の電極１０は、完全に伝播パスＣの第１の側７１に位置する第１の電気トラック、１２、によって互いに接続される。近隣の（すなわち、間に単一のチューニングトランスデューサＴＴが挿入されて伝播パスに沿って直接続く）第１の電極１０のペアごとに、その２つの電極１０のそれぞれの本体が、第１のトラック１２’のうちの１つによって互いに接続される。第１の電極１０と第１のトラック１２’とのアセンブリは全体的な櫛形の形状を有し（ある意味で大規模な櫛）、そのそれぞれの歯が（それ自体がいくつかのフィンガ１１から形成される）電極１０のうちの１つに対応する。この櫛の本体は、パスＣの第１の側７１に位置する。
【0088】
インターフェーシングトランスデューサＴＩごとに、トランスデューサの第２の電極２０のフィンガ２１がパスＣの第２の側、７２（第１のトラック１２’の反対側）で互いに接続される：櫛の形態のこの電極の本体が伝播パスＣの第２の側に位置する。この第２の電極２０は、それに関連付けられている第１の電極１０より（すなわち、この第２の電極２０のフィンガ２１が挿入されているフィンガ１１の間の第１の電極１０より）１本多いフィンガを含む。この電極２０の２本の周辺フィンガ２１は、第１の電極１０のフィンガ１１の完全なセットを囲み、その両側に位置する（ある意味で取り囲む）。当該第２の電極２０の２本の周辺フィンガ２１は、この電極の互いに最も遠く離れた２本のフィンガである（ただし、依然として、当該トランスデューサの第１の電極１０のフィンガ１１のうちの１つを最も近い近隣として有する）。これらの２本の周辺フィンガ２１はそれぞれ、第２の電極２０の本体にそれを介して接続される第１の端部と、伝播パスＣの第１の側７１に位置する反対側の第２の端部とを有する。
【0089】
近隣の（すなわち伝播パスに沿って互いに続いている）第２の電極２０のペアごとに、問題とする２つの電極２０は第２のトラック２２によって互いに接続される。この第２のトラックは、完全に伝播パスの第１の側７１に延びている。この第２のトラックは：
－ これらの２つの電極２０のうち一方の周辺フィンガ２１の１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極２０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部を、
－ 当該ペアの他方の電極２０の周辺フィンガ２１の１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極２０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部に接続する。
－ これらの２つの電極２０のうち一方の周辺フィンガ２１の１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極２０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部を、
－ 当該ペアの他方の電極２０の周辺フィンガ２１の１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極２０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部に接続する。
【0090】
したがって、（例えば第１の電極１０の場合のように）２つの電極２０のうち一方の本体を当該ペアの他方の電極２０の本体に接続するのではなく、これらの２つの電極２０は、それぞれの周辺フィンガ２１によって、より正確には、伝播パスＣの第１の側７１に位置するという利点を有するこれらの周辺フィンガ２１の第２の端部によって接続される。したがって、第２の電極２０の本体がパスＣの第２の側に位置している場合でも、これらの電極はこのパスの第２の側７１のみを通ることによって接続され得、したがって、チューニングトランスデューサＴＴの電極の接続のために伝播パスの第２の側７２を空けておくことができる。
【0091】
トラック２２とトラック２２が接続する２本の周辺フィンガ２１とを含むアセンブリは、一種のＣ字形状のトラックを形成し、２つの電極２０の間に位置するチューニングトランスデューサＴＴを迂回するために（伝播パスの第２の側から第１の側に通るためにパスＣを横断し、次に、パスＣに平行に（およびこの伝播パスの第１の側に）延ばされ、次に、問題とするチューニングトランスデューサＴＴを越えた後、他方の電極２０の本体に接続されるように再びパスＣを横断して第２の側７２に戻る。
【0092】
第２のトラック２２と、第２の電極２０の本体と、これらの電極２０の各１つの２本の周辺フィンガ２１とを含む集合体は、パスＣに沿って蛇行し、インターフェーシングトランスデューサＴＩの間に挿入されたチューニングトランスデューサＴＴを迂回するようにこのパスを数回横断し、再横断して蛇行路を形成する、主トラックを形成する（例えば図８参照）。
【0093】
チューニングトランスデューサＴＴの電極３０、４０を接続するトラック３２、４２が、トラック１２、２２と比較し得るやり方であるが伝播パスの第２の側７２に作られる。
【0094】
したがって、チューニングトランスデューサＴＴごとに、トランスデューサの第１の電極３０のフィンガ３１が伝播パスＣの第２の側７２で互いに接続される。したがって電極３０の本体はこのパスの第２の側７２に位置する。近隣の第２の電極３０のペアごとに、問題とする２つの電極は完全にパスＣの第２の側７２に位置する第３のトラック３２によって互いに接続される。第１の電極３０と第３のトラック３２とのアセンブリは、各歯が電極３０のうちの１つに対応する大域的な櫛の形状を有し（ある意味で大規模な櫛）、この櫛の本体がパスＣの第２の側７２に位置する。
【0095】
また、チューニングトランスデューサＴＴごとに、トランスデューサの第２の電極４０のフィンガ４１が伝播パスＣの第１の側７１で互いに接続され、したがってこの電極の本体はパスＣの第１の側に位置する。この第２の電極４０は、関連付けられている第１の電極よりも１本多いフィンガを含む。この電極４０の２本の周辺フィンガ４１が第１の電極３０のすべてのフィンガ３１を囲んでいる。これらの２本の周辺フィンガ４１はそれぞれ、それを介して電極４０の本体に接続される第１の端部と、伝播パスＣの第２の側７２に位置する反対側の第２の端部とを有する。
【0096】
近隣の（すなわち伝播パスに沿って互いに続く）第２の電極４０のペアごとに、問題とする２つの電極４０が第４のトラック４２によって互いに接続される。この第４のトラックは、完全に伝播パスの第２の側７２に延びている。第４のトラックは、
－ これら２つの電極４０のうちの１つの周辺フィンガ４１のうちの１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極４０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部を、
－ 当該ペアの他方の電極４０の周辺フィンガ４１の１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極４０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部に接続する。
－ これら２つの電極４０のうちの１つの周辺フィンガ４１のうちの１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極４０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部を、
－ 当該ペアの他方の電極４０の周辺フィンガ４１の１つ（ここでは、当該ペアの他方の電極４０に最も近いこの電極の周辺フィンガ）の第２の端部に接続する。
【0097】
この場合も、４つのトラック４２と、第２の電極４０の本体と、これらの電極４０の各１つの２本の周辺フィンガ４１とを含むアセンブリは、パスＣに沿って蛇行し、チューニングトランスデューサＴＴの間に挿入されたインターフェーシングトランスデューサＴＩを迂回するようにこのパスを数回横断し、再横断して蛇行路をなす、主トラックを形成する。
【0098】
【0099】
図のように、デバイス８の共振器８０は、５つのインターフェーシングトランスデューサＴＩと５つの周波数チューニングトランスデューサＴＴとを含む。各インターフェーシングトランスデューサＴＩごとに、トランスデューサの第１の電極１０は４本のフィンガ１１を含み、一方、第２の電極２０は５本のフィンガ２１を含む。同様に、各チューニングトランスデューサＴＴごとに、トランスデューサの第１の電極３０は４本のフィンガ３１を含み、第２の電極４０は５本のフィンガ４１を含む。したがって全トランスデューサで、弾性波の伝播パスＣに沿って規則的に（周期的に）分散された９０本のフィンガを含む。
【0100】
図７に、周波数ｆ（メガヘルツ単位で表される）に応じた、電気機械デバイス８によって提示される、その第１の接続端子７５と第２の接続端子７６との間のアドミタンスＹ（ジーメンス単位で表される）を測定することによって得られた３つの共振曲線Ａ１、Ａ２およびＡ３を示す。曲線Ａ３は、チューニングトランスデューサＴＴについて、第１の電極３０を第２の電極４と短絡させることによって得られる（Ｚ＝０）。それに対して曲線Ａ１は開回路（無限Ｚ）で得られ、曲線Ａ２は、第１の電極３０と第２の電極４０との間に１ピコファラッドの中間キャパシタを接続することによって得られる。
【0101】
図７でわかるように、電気機械デバイス８は、寄生共振のない、明らかにデバイス５よりも拡張された同調性の範囲（約１ＭＨｚ）を有する、反共振からよりよく離隔された共振を有する（約１．８ＭＨｚの差）、きれいな電気共振を有し、この場合に使用される特定の接続モード（トラックを介しての、重なりのない接続）の利点を示している。
【0102】
図８の電気機械デバイス８では、各第２の電極２０がその周辺フィンガ２１のうちの１つによって第２のトラック２２のうちの１つに接続される。あるいは、各第２の電極２０が、その周辺フィンガ２１の１つによってだけでなく、伝播パスに対して横方向に延び、伝播パスＣを横断し、（図９の場合のように）当該インターフェーシングトランスデューサＴＩと隣接チューニングトランスデューサＴＴとの間に位置する１つ以上の追加のフィンガによっても、第２のトラック２２のうちの１つに接続されるようにしてもよい。同様に、各第２の電極４０は、その周辺フィンガ４１の１つだけでなく１つ以上のそのような追加のフィンガによっても第４のトラック４２のうちの１つに接続されてもよい。したがって、第２の電極２０を第２のトラック２２（または第２の電極４０のうちの１つと第４のトラック４２のうちの１つ）に、１つのフィンガだけでなくいくつかのフィンガによって接続することは、２つの連続した第２の電極２０間の電気抵抗とインダクタンスとを低減させることができる。言い換えると、これは、第２の電極２０（または４０）のうちの１つから次の第２の電極への共通電位のより良好な伝達を可能にする。しかし、インターフェーシングトランスデューサＴＩと近隣チューニングトランスデューサＴＴとの間にいくつかのこのような「電位伝達」フィンガが挿入されると、これは音響的観点からは、これらの２つのトランスデューサＴＩとＴＴの間に部分反射器を挿入することに立ち戻る。これは、共振器の２つの隣接セクションの分離の一因となり、したがって結果としてデバイスの電気機械結合係数の低減と、トランスデューサのこれらのセクションの特定の共振（共振器の一部のみにあるモード）の寄与の増加をもたらす可能性がある。
【0103】
したがって、一方では電気接触抵抗およびインダクタンスの低減（電位伝達フィンガの数の増加を促す）と、他方では連続するトランスデューサ間の反射率の低減（電位伝達フィンガの数の制限を促す）との間の妥協点を見つけることが望ましい。デジタルシミュレーションの結果は、電位伝達フィンガ（第２の電極自体の周辺フィンガ２１、４１を含む）の総数が１本と１０本の間、さらには１本と４本の間に含まれることが好ましいことを示している。
【0104】
図９の実施形態は、図８の実施形態と比較し得るが、インターフェーシングトランスデューサＴＩの第２の電極２０とチューニングトランスデューサＴＴの第２の電極４０が互いに電気的に接続（短絡）されて共通の電気接地を形成する。
【0105】
また、この実施形態では、第２のトラック２２の各１つが、チューニングトランスデューサＴＴのうちの１つの第２の電極４０とともに、伝播パスＣの第１の側７１に位置する同じ長手方向導電ストリップを形成する。言い換えると、この第２のトラック２２とこの第２の電極４０は互いにひとまとめにされている（図９参照）。
【0106】
同様に、第４のトラック４２の各１つが、インターフェーシングトランスデューサＴＩの１つの第２の電極２０とともに、今度は伝播パスの第２の側７２に位置する同一の長手方向導電ストリップを形成する。
【0107】
インターフェーシングトランスデューサＴＩのうちの１つと、このインターフェーシングトランスデューサＴＩの隣接チューニングトランスデューサＴＴ（このインターフェーシングトランスデューサの最も近い近隣）のうちの１つとを含むペアごとに：インターフェーシングトランスデューサＴＩの第２の電極２０が、それぞれの周辺フィンガ、２１および４１を介して、およびここでは２つのトランスデューサＴＩとＴＴの間に挿入された（より正確には、問題とする周辺フィンガ２１と４１との間に挿入された）追加のフィンガ２６も介して、チューニングトランスデューサＴＴの第２の電極４０と電気的に接触している。これらの追加のフィンガ２６の各１つは、第２の電極２０を第２の電極４０に接続するために、伝播パスＣに対して横方向に延び、伝播パスＣを横断している。
【0108】
図９の実施例では、インターフェーシングトランスデューサＴＩのうちの１つとこのインターフェーシングトランスデューサの隣接チューニングトランスデューサＴＴのうちの１つとのペアごとに、これら２つのトランスデューサの間に位置するすべての電位伝達フィンガ、すなわち２本の周辺フィンガ２１および４１と追加のフィンガ２６とが、合計１０本のフィンガ（すなわち８本の追加フィンガ２６）を含む。しかし、これに代えて異なる数の電位伝達フィンガ、例えばより少ない数の電位伝達フィンガが選定されてもよい。
【0109】
図９の共振器９０では、第２の電極２０および４０の主本体と、それらの周辺フィンガ２１および４１と、上述の追加フィンガ２６とがともに、チューニングトランスデューサＴＴとインターフェーシングトランスデューサＴＩの第１の電極１０および３０を迂回することを可能にする蛇行路を形成することによって、伝播パスＣに沿ってこのパスの両側を蛇行する（伝播パスを数回横断し、再横断する）同一の主トラック６０を形成する。
【0110】
図１０に、周波数ｆ（メガヘルツ単位で表される）に応じた、電気機械デバイス９によって提示される、その第１の接続端子（第１の電極１０に接続）と第２の接続端子（第２の電極２０に接続）との間のアドミタンスＹ（ジーメンス単位で表される）を測定することによって得られた３つの共振曲線Ａ１、Ａ２およびＡ３を示す。曲線Ａ３は、チューニングトランスデューサＴＴについて、第１の電極３０における第２の電極４０との短絡として得られる（Ｚ＝０）。それに対して曲線Ａ１は開回路で得られ（無限Ｚ）、曲線Ａ２は第１の電極３０と第２の電極４０との間に３ピコファラッドの中間キャパシタを接続することによって得られる。
【0111】
図１０でわかるように、電気機械デバイス９は満足のいく同調性の範囲のきれいな電気共振を有する。しかし、この同調性の範囲は、図８のデバイス８の場合よりもわずかに小さく、共振は反共振から、よりわずかに離隔されている。寄生共振（局在化モードに対応）は、図８のデバイス８の場合よりも全体として若干際立っている。これらの観察は、電位伝達フィンガの数（ここではこの数は１０に等しい）がこの実施例では共振器８０の場合より多く、したがって２つの連続するトランスデューサの間の界面における部分反射の程度が増加することによって説明され得る。
【0112】
上記で提示した表面波電気機械デバイス５、８、９にはその性能（特に周波数のアジリティ）をさらに改善するために異なる代替を与えることができる。
【0113】
例えば、より高い電気機械結合係数を得るために、ニオブ酸リチウム基板（または別の種類の基板が選定されてもよい）のために異なる結晶配向を選定することができる。したがって、断面Ｘを使用するのではなく、配向Ｙ＋６４°またはＹ＋１２８°が使用されてもよい。
【0114】
反射率、したがって共振器のＱ値を改善するために、異なる数のフィンガ（周期の数）、例えばより多数のフィンガを含む反射器が使用されてもよい。
【0115】
共振器の全体的寸法の縮小（特に連続するフィンガ間のピッチの縮小）は、動作周波数を増加させる（より高い共振周波数）ことを可能することになる。
【0116】
また、支持体として単結晶基板を使用する代わりに、表面付近によりよく閉じ込められ、より速く、それらの伝播特性が温度とともにドリフトすることがより少ない波の使用を許す多層構造体に頼ってもよい。
【0117】
【0118】
すでに示したように、これらの３つの実施形態では、支持体２００は全体として６波長未満（または電極の周期の１２倍）の厚さの薄板である。
【0119】
ここでは、これは厚さ０．３９ミクロンの断面Ｘとしてのニオブ酸リチウム板の使用を伴う。反射器Ｒ１およびＲ２は、共振器内の弾性波の伝播の軸、これら２つの反射器を接続する軸が、切断面において結晶軸Ｙと１７０°の角度を作るように配置される。
【0120】
トランスデューサの電極と、反射器と、電気接続トラックとは、導電性材料、例えば金属材料からなる。ここでは、これらはアルミニウムからなる。これらの厚さ（面Ｓに対して垂直な延長）は、典型的には０．０１ミクロンと１ミクロンの間に含まれる；ここでは、厚さは例えば２３５ナノメートルである。トランスデューサと反射器は、例えば１０％と６０％の間（ここでは約３０％）のメタライゼーション率で作られる。トランスデューサの電極の異なるフィンガ１１、１２、３１、４１と反射器Ｒ１、Ｒ２は、ここでは２．３ミクロンの空間周期で２つずつ離隔され、それぞれが０．７ミクロンの幅（伝播パスＣに平行な特定の延長）を有する。各電極における波の反射率を低減するために、表面波共振器よりもわずかに低いメタライゼーション率が使用され、これにより共振器の単一領域における波の局在を防ぐ。
【0121】
実際に、電極の厚さは板２００のそれと比較し得るため、板波はその通過中に各電極フィンガの下で多少強い反射を被る（対応する反射率は例えば３０％に達し得る）。これらの状態で、連続する歯のセット間の弾性結合が伝播パスＣに沿って急速に低くなる。したがって、これらの板波共振器１２０；１４０が、フィンガ１１、２１を実質的に連続して交互にし、それによって共振器とフィンガ３１、４１の電気的インターフェーシングを可能にし、周波数制御を可能にすることが望ましい。
【0122】
また、この種の共振器では、前記電極１０、２０、３０および４０の各１つが最大で３本のフィンガを含むことが提供される。
【0123】
より正確には、第４および第５の実施形態（それぞれ図１２および図１４）では、第１の電極１０および３０の各１つが単一のフィンガを含み、第２の電極２０および４０の各１つが、対応する第１の電極の単一のフィンガを囲むフィンガを２本のみ含む。したがって、これら２つの実施形態の場合、各トランスデューサは合計で３本のフィンガを含む。
【0124】
これらの３つの板波共振器デバイス１２；１４；１６では、トランスデューサの電極１０、２０、３０、４０はこの場合も、それぞれが支持体２００の２つの表面Ｓ１およびＳ２のうちの１つまたは他方の上に作られた電気トラック１２、２２、３２および４２によって互いに電気的に接続される。この支持体の同一表面、Ｓ１またはＳ２、上に作られるトラックは重なり合わない。
【0125】
第４の実施形態（図１１および図１２）では、共振器１２０の異なる要素、すなわち、反射器Ｒ１、Ｒ２と、トランスデューサＴＴ、ＴＩと、接続トラック１２、２２、３２、４２とは、支持体２００の同一表面、Ｓ１、上に作られる。トラック間の重なり合いを防ぐために、この場合、上記で提示した、表面波を使用するデバイス８および９と同じ配置に頼る。
【0126】
インターフェーシングトランスデューサＴＩの場合、第１の電極１０が、完全に伝播パスＣの第１の側７１に位置する第１のトラック１２’によって互いに接続される。さらに、第２の電極２０も、やはり完全に伝播パスの第１の側７１に位置する第２のトラック２２によって互いに接続される。
【0127】
また、チューニングトランスデューサＴＴの場合、第１の電極３０が、完全に伝播パスＣの第２の側７２に位置する第３のトラック３２によって互いに接続される。さらに、第２の電極４０も、やはり完全に伝播パスの第２の側７２に位置する第４のトラックによって互いに接続される。
【0128】
ここでは、第１の電極１０がそれぞれ単一のフィンガを有するため、これらの第１の電極１０とそれらを接続する第１のトラック１２’とを含むアセンブリが櫛を形成し、櫛の本体が実質的に伝播パスＣの全長にわたってこのパスの第１の側７１にパスＣに対して平行に延び、その各フィンガが第１の電極１０のうちの１つによって、すなわちこの電極の１つしかないフィンガによって形成される。
【0129】
第１の電極３０とそれらを接続する第１のトラック３２とを含むアセンブリも櫛を形成し、櫛の本体が実質的に伝播パスＣの全長にわたってこのパスの第２の側７２にパスＣに対して平行に延び、その各フィンガが第１の電極３０の１つによって（すなわちこの電極の１つしかないフィンガによって）形成される。問題とする２つの櫛は互いにかみ合っている：第１の電極１０のうちの各１つにより構成されるフィンガが、それぞれ第１の電極３０のうちの１つを構成する２本のフィンガの間に挿入される。
【0130】
第２の電極２０および４０とそれらを接続する第２のトラック２２、４２に関しては、これらはともに同一の主トラック６０を形成し、主トラック６０は、伝播パスＣに沿ってこのパスの両側を蛇行し、単一のフィンガを有する第１の電極１０を交互に迂回し（第２の側７２を通ることによって迂回する）、次に単一のフィンガを有する第１の電極３０を交互に迂回し（第１の側を通過することによって迂回する）、以下同様に蛇行する。この主トラック６０は、ここでは、このように伝播パスＣに沿って蛇行する単体のストリップから形成される（第２の電極２０および４０のフィンガ２１および４１は２つずつひとまとめにされ、単一のフィンガ２１／４２が電極１０を次の電極３０から離隔させる）。このストリップは例えば一定した幅を有する。
【0131】
図１１および図１２には、共振器１２０のフィンガの一部のみが示されている。実際には、共振器１２０はここに説明した他の共振器５０；８０；９０；１４０と同様に、４０本以上、さらには８０本以上、またはさらには１５０本以上のフィンガの総数（反射器を含まない）を含む。多数のフィンガの総数の使用は、特に、電気機械デバイスの第１の端子と第２の端子との間の５０オームに比較的近いインピーダンス（当然ながら共振周波数および反共振周波数の外側で）を得ることを可能にする。
【0132】
図１３に、周波数ｆ（ギガヘルツ単位）に応じた、デバイス１２により提示される、その第１の接続端子７５と第２の接続端子７６との間のアドミタンスＹを示す（ジーメンス単位で表す）。デジタルシミュレーションを介して得られた７つの電気共振曲線が示されている。曲線Ａ７は、チューニングトランスデューサＴＴについて、第１の電極３０を第２の電極４０と短絡させることによって得られる（Ｚ＝０）。曲線Ａ１は、１ｐＦキャパシタをこれらの同じ電極の間に接続することによって得られ、曲線Ａ３は４ｐＦキャパシタを第１の電極３０と第２の電極４０の間に接続することによって得られる。
【0133】
図１３でわかるように、板波共振器デバイス１２は：
－ 共振ピークの－３ｄＢにおける幅の少なくとも１０倍に等しい幅の、極めて広い同調性の範囲（約０．１ＧＨｚまたは平均共振周波数の１４％）と、
－ 極めて鋭い共振ピークと、
－ 特によく離隔された反共振と共振と
を得ることを可能にする。
－ 共振ピークの－３ｄＢにおける幅の少なくとも１０倍に等しい幅の、極めて広い同調性の範囲（約０．１ＧＨｚまたは平均共振周波数の１４％）と、
－ 極めて鋭い共振ピークと、
－ 特によく離隔された反共振と共振と
を得ることを可能にする。
【0134】
第５および第６の実施形態（図１５および図１６にそれぞれ示す）では、いくつかの電極が電気機械デバイス１４；１６の支持体の第１の表面Ｓ１（上面）上に作られ、一方、他の電極がこの支持体の第２の表面Ｓ２（下面）上に作られる。これは、デバイス１４；１６の製造を（図１１および図１２のデバイス１２に対して）複雑にし得るが、これは重なりの可能性を限定するため、電極間の接続を簡素化する。
【0135】
第５の実施形態（図１４および図１５）では、インターフェーシングトランスデューサＴＩの第２の電極２０とチューニングトランスデューサＴＴの第２の電極４０とが電気的に接触し、ともに同じ共通の電気接地を形成する。これらの電極２０、４０とそれらを接続する電気トラックとは、図１５でわかるように支持体２００の第２の表面Ｓ２上に作られている。図１５は、支持体２００に対して垂直な、伝播パスＣを含む切断面に沿ったデバイス１４の一部の図式的な断面図である。
【0136】
インターフェーシングトランスデューサＴＩの第１の電極１０とチューニングトランスデューサＴＴの第１の電極３０が、支持体の第１の表面Ｓ１上に作られる。図１４は、支持体２００が見えない（言わば透明に示されている）デバイス１４の上面図であることに留意されたい。したがって、この図では、いくつかのトラックまたはフィンガが交差しているように見えるが、実際には異なる表面上に作られているため、実際には交差していない。
【0137】
（単一のフィンガを有する）第１の電極１０とそれらを互いに接続する第１のトラック１２’とを含むアセンブリが櫛を形成し、（第４の実施形態と同様に）櫛の本体が伝播パスの第１の側７１に位置する。また、（単一のフィンガを有する）第１の電極３０とそれらを接続する第１のトラック３２とを含むアセンブリが櫛を形成し、櫛の本体が伝播パスの第２の側７２に位置する（これらの２つの櫛は、互いにかみ合っている）。
【0138】
すべての第２の電極２０および４０によって形成される接地トラックも、伝播パスの第１の側または第２の側（ここでは第２の側）に位置する主本体と、それぞれが（表面Ｓ１上の突起において）第１の電極１０の１つと近隣の第１の電極３０との間に延びるフィンガとを有する櫛を形成する。ここでは、第１の電極１０の１つと、近隣の第１の電極３０とを含むペアごとに、この接地トラックの単一のフィンガが問題とする第１の電極１０と第１の電極３０との間に挿入される。
【0139】
第６の実施形態では、図１６でわかるように、インターフェーシングトランスデューサＴＩが支持体２００の第１の表面Ｓ１上に作られ、チューニングトランスデューサＴＴが支持体２００の第２の表面Ｓ２上に作られる。図１６は、切断面が支持体に対して垂直（すなわち、表面Ｓ１およびＳ２に対して垂直）であり伝播パスＣを含む、この第６の実施形態によるデバイス１６の一部の断面図である。この第６の実施形態では、各電極１０、２０、３０、４０が単一のフィンガを含む（したがって各トランスデューサが合計２本のフィンガを含む）。
【0140】
インターフェーシングトランスデューサがともに、互いにかみ合い、実質的に全伝播パスにわたって延びる２つの長い櫛（一方は第１の電極のため、他方は第２の電極のため）を形成する。同様に、チューニングトランスデューサが全体として、互いにかみ合い、実質的に全伝播パスにわたって延びる２つの長い櫛を形成する。
【0141】
すでに示したように、各チューニングトランスデューサＴＴは、伝播パスの端部に位置する制御トランスデューサＴＴを除き、２つのインターフェーシングトランスデューサＴＩの間に挿入される。したがって、２つの表面Ｓ１、Ｓ２のうちの１つの上の突起において、問題とするチューニングトランスデューサＴＴは２つのインターフェーシングトランスデューサＴＩの間に位置する（言わば挿入されている）（図１６）。
【0142】
上述の電気機械デバイス５；８；９；１２；１４；１６に対して異なる代替を作ることができる。
【0143】
具体的には、トランスデューサは提示されたものとは異なる数のフィンガを含んでもよい。
【0144】
１トランスデューサ当たりのフィンガの数は、具体的には各フィンガにおける弾性波の所望の反射率に応じて、および／または、共振器の一部のみに局在するモードに対応する寄生共振の存在に対し多かれ少なかれ耐性のある目的用途に応じて、選定することができる。
【0145】
例えば電極があまり厚くないために、各フィンガにおいて予期される反射率が低いとき、１トランスデューサ当たり比較的多数のフィンガを使用することができる。例えば、この反射率が５％未満の場合、１０本より多い、１トランスデューサ当たりのフィンガの総数を選定することができる（ただし、この場合、より少ない本数も適切であり得る）。一方、問題とする反射率が例えば２０％より大きい場合は、３本または４本以下の、１トランスデューサ当たりのフィンガの総数を選定するのが好ましいであろう。
【0146】
次に、目的用途に関して、例えば、共振周波数がフィルタの帯域の中央に位置するいわゆる直列共振器と、反共振周波数がこの同じ帯域の中心に位置する並列共振器とからなるフィルタの場合は、寄生共振（したがってフィルタの帯域内に収まる可能性がある）の存在が、並列共振器に対してよりも直列共振器に対してより悪影響があることになる。直列共振器の場合、１トランスデューサ当たりの低減されたフィンガの総数（例えば１０本以下）を選定するのが好ましいであろう。
【符号の説明】
【0147】
１、５、８、９、１２、１４、１６ 電気機械デバイス
１０、３０ 第１の電極
１１、２１、３１、４１ フィンガ
１２’ 第１のトラック
１７、２７、３７、４７ トラック
２０、４０ 第２の電極
２１ 周辺フィンガ
２２ 第２のトラック
３２ 第３のトラック
４２ 第４のトラック
５０、８０、９０、１２０、１４０ 共振器
７１ 第１の側
７２ 第２の側
７５ 第１の接続端子
７６ 第２の接続端子
７７ 第１の端子
７８ 第２の端子
７９ 電気デバイス
１００、２００ 支持体
Ｃ 伝播パス
Ｒ１、Ｒ２ 反射器
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ 表面
ＴＩ インターフェーシングトランスデューサ
ＴＴ チューニングトランスデューサ
１０、３０ 第１の電極
１１、２１、３１、４１ フィンガ
１２’ 第１のトラック
１７、２７、３７、４７ トラック
２０、４０ 第２の電極
２１ 周辺フィンガ
２２ 第２のトラック
３２ 第３のトラック
４２ 第４のトラック
５０、８０、９０、１２０、１４０ 共振器
７１ 第１の側
７２ 第２の側
７５ 第１の接続端子
７６ 第２の接続端子
７７ 第１の端子
７８ 第２の端子
７９ 電気デバイス
１００、２００ 支持体
Ｃ 伝播パス
Ｒ１、Ｒ２ 反射器
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２ 表面
ＴＩ インターフェーシングトランスデューサ
ＴＴ チューニングトランスデューサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【外国語明細書】