特開 2022-67977 収容量推定方法、収容量推定装置およびプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022067977

(43)【公開日】2022-05-09

(54)【発明の名称】収容量推定方法、収容量推定装置およびプログラム

(51)【国際特許分類】

   G01F 23/00 20220101AFI20220426BHJP

【ＦＩ】

G01F23/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020176870

(22)【出願日】2020-10-21

(71)【出願人】

【識別番号】000102212

【氏名又は名称】ウシオ電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100109380

【弁理士】

【氏名又は名称】小西 恵

(74)【代理人】

【識別番号】100109036

【弁理士】

【氏名又は名称】永岡 重幸

(72)【発明者】

【氏名】藪田 泰伸

【テーマコード（参考）】

2F014

【Ｆターム（参考）】

2F014AB02

2F014AC06

2F014GA01

(57)【要約】

【課題】デブリ収容容器に収容される収容物が液相状態に維持されている場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、その収容物の収容量を推定する。
【解決手段】一態様に係る収容量推定方法は、収容物を収容する収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御するステップと、前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定するステップとを備える。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

液相化された収容物が収容された収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御するステップと、
前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定するステップとを備えることを特徴とする収容量推定方法。

【請求項2】

前記振動データの特性は、前記収容容器の温度が目標温度となるように温度制御するときの前記収容容器の温度の振動の振幅、周波数および位相の少なくともいずれかひとつから選択されることを特徴とする請求項１に記載の収容量推定方法。

【請求項3】

前記振動データの特性は、前記収容容器を温度制御するときのＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御におけるデューティの振動の振幅、周波数および位相の少なくともいずれかひとつから選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の収容量推定方法。

【請求項4】

前記振動データの特性は、前記収容容器に収容された収容物の収容量に基づいて変化することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に収容量推定方法。

【請求項5】

前記収容容器の温度が目標温度に到達したときの前記収容物の収容量に応じた温度振動の振幅データを採取するステップと、
前記採取した振幅データと前記収容物の収容量との相関データを記憶するステップと、
前記相関データを採取したときと同じ温度制御条件で温度制御されているときの前記収容容器の温度の時間変化特性を採取するステップと、
前記収容容器の温度が前記目標温度に到達後、前記採取した前記収容容器の温度の時間変化特性から前記温度の振動の振幅を算出するステップと、
前記算出した振幅と前記相関データの振幅とを比較し、前記算出した振幅に対応する前記相関データの振幅に紐付けられた収容量を前記収容量の推定値とするステップとを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に収容量推定方法。

【請求項6】

前記収容容器内の収容物の収容量を推定後、前記収容物の収容量の推定値を閾値と比較するステップと、
前記収容物の収容量の推定値が前記閾値以上の場合、警告信号を外部に送出するステップとを備えることを特徴とする請求項５に記載の収容量推定方法。

【請求項7】

前記収容物の収容量の推定量が前記閾値より小さい場合、前記収容容器の温度の時間変化特性を採取するステップに移行することを特徴とする請求項６に記載の収容量推定方法。

【請求項8】

前記収容物として液体金属を収容する収容容器と、前記収容容器と加熱する加熱手段と、前記収容容器の温度を測定する温度計測手段と、前記加熱手段に電力を供給する給電手段と、前記温度計測手段からの温度情報に基づき前記収容容器の温度が目標温度となるように前記給電手段を制御する制御部とを備える金属収容装置における前記液体金属の収容量の推定に適用される請求項１から７のいずれか１項に記載の収容量推定方法。

【請求項9】

金属を含むプラズマ原料を励起して、極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、前記プラズマから放散される金属を含むデブリを収容する収容容器と、前記収容容器を加熱する加熱手段と、前記収容容器の温度を測定する温度計測手段と、前記加熱手段に電力を供給する給電手段と、前記温度計測手段からの温度情報に基づき前記収容容器の温度が目標温度となるように前記給電手段を制御する制御部とを備える極端紫外光光源装置における前記収容容器内のデブリの収容量の推定に適用される請求項１から７のいずれか１項に記載の収容量推定方法。

【請求項10】

液相化された収容物が収容された収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御する温度制御部と、
前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定する収容量推定部とを備えることを特徴とする収容量推定装置。

【請求項11】

液相化された収容物が収容された収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御するステップと、
前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定するステップとをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、収容量推定方法、収容量推定装置および収容量推定プログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

近年、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められている。次世代の半導体露光用光源としては、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光とも言う）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置とも言う）の開発が進められている。

【0003】

ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光（ＥＵＶ放射）を発生させる方法はいくつか知られている。それらの方法のうちの一つに、極端紫外光放射種（以下、ＥＵＶ放射種とも言う）を加熱して励起することによりプラズマを発生させ、そのプラズマからＥＵＶ光を取り出す方法がある。

【0004】

このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式と、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式とに分けられる。

【0005】

ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種（気相のプラズマ原料）を含む放電ガスが供給された電極間の間隙に高電圧を印加して、放電により高密度プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用する。ＤＰＰ方式としては、例えば、特許文献１に記載されているように、放電を発生させる電極表面に液体状のプラズマ原料（例えば、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ））を供給し、当該原料に対してレーザビーム等のエネルギービームを照射して当該原料を気化し、その後、放電によってプラズマを生成する方法が提案されている。このような方式は、ＬＤＰ（Ｌａｓｅｒ Ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｌａｓｍａ）方式と呼ばれることもある。

【0006】

一方、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、レーザ光をターゲット材料に照射し、当該ターゲット材料を励起させてプラズマを生成する。

【0007】

ＥＵＶ光源装置は、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置として使用される。あるいは、ＥＵＶ光源装置は、リソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用される。すなわち、ＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光を利用する他の光学系装置（利用装置）の光源装置として使用される。

【0008】

ＥＵＶ光は大気中では著しく減衰するので、プラズマから利用装置までのＥＵＶ光が通過する空間領域は、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために減圧雰囲気つまり真空環境におかれている。

【0009】

一方、ＥＵＶ光源装置においては、プラズマからはデブリが高速で放散される。デブリは、プラズマ原料の粒子（プラズマ原料がスズの場合は、スズ粒子）を含む。また、ＤＰＰ方式またはＬＤＰ方式でプラズマが生成される場合、デブリは、プラズマの発生に伴いスパッタリングされる放電電極の材料粒子を含む。

【0010】

デブリは、利用装置に到達すると、利用装置内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、その性能を低下させることがある。そのため、デブリが利用装置に侵入しないように、放散されたデブリを捕捉するためのデブリ低減装置（ＤＭＴ（Ｄｅｂｒｉｓ Ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ Ｔｏｏｌ）とも言う）が提案されている（特許文献１）。

【0011】

デブリ低減装置により捕捉されたデブリの少なくとも一部は、加熱手段によって溶融されるように加熱され、重力によりカバー部材下部に集まり、カバー部材下部から排出管を介してカバー部材の外に排出されて廃原料となる。

【0012】

排出管を介してカバー部材の外に排出された廃原料（デブリ）は、廃原料（スズ）貯蔵部であるデブリ収容容器（Ｔｉｎ Ｄｕｍｐ）に溜められる。デブリ収容容器には、当該デブリ収容容器をプラズマ原料の融点以上に加熱する加熱部が設けられている。すなわち、デブリ収容容器によって受け止められた廃原料は、直ちに溶融され、液化した状態でデブリ収容容器に溜められる。

【0013】

また、デブリ低減装置とプラズマの間には、遮熱板が配置される。遮熱板に堆積したデブリは、やがてある程度の量に達すると液滴となり、重力により遮熱板の下方に集まり落下する。遮熱板からのデブリの落下位置にデブリ収容容器を配置することにより、遮熱板から離脱するデブリは、デブリ収容容器に溜められる。

【0014】

また、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置においては、放電部（放電電極等）に供給されるプラズマ原料（スズ）の一部が漏出することがある。このような漏出原料は、プラズマ発生に寄与しないため、廃原料となる。上記した漏出原料は、例えば放電部を包囲する包囲部材によって捕集され、上記デブリと同様にデブリ収容容器に溜められる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0015】

【特許文献1】特開２０１７－２１９６９８号公報

【特許文献2】特許６２４１４０７号公報

【特許文献3】米国特許出願公開２０１５／００９０９０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0016】

デブリ収容容器は、ＥＵＶ光源装置本体に取り外し可能な状態で取り付けられている。ＥＵＶ光源装置のメインテナンス時は、デブリ収容容器の加熱を停止し、当該デブリ収容容器に貯蔵される収容物（デブリおよび廃原料）を固化した上で、収容物が収容されたデブリ収容容器を、空のデブリ収容容器と交換する。あるいは、固化した収容物が収容されたデブリ収容容器を取り外した後、デブリ収容容器を加熱して収容物を除去し、空となったデブリ収容容器をＥＵＶ光源装置本体に再度取り付ける。

【0017】

上述したように、デブリ収容容器は、デブリ低減装置により捕集されるデブリ、遮熱板から離脱するデブリおよび放電部からの飛散原料を収容する。そのため、ＥＵＶ光源装置の稼働時間が長くなるにつれ、デブリ収容装置に収容されるデブリおよび廃原料の収容量が増加する。

【0018】

デブリ収容容器の収容物が最大収容量を超えると、ＥＵＶ光源装置のデブリ収容容器が取り付けられ当該デブリ収容容器と連通する空間に収容物が溢れ、その空間内の他の構成要素に不具合を与える場合がある。このような事態を回避するために、デブリ収容容器の収容物の収容量をモニタする必要がある。

【0019】

上述したようにＥＵＶ光源装置の稼働時には、デブリ収容容器は、加熱部によりプラズマ原料（スズ）の融点以上に加熱されているので、デブリおよび廃原料を含む収容物は、液化した状態でデブリ収容容器に収容される。このとき、デブリ収容容器の収容物の収容量をモニタするために、液体状収容物の液面レベルをセンシングする方法が用いられることがある。

【0020】

収容物の液面レベルの電気的なセンシングは、例えば、特許文献２に記載されているように、一般に金属等の導電性材料から構成されるデブリ収容容器と、スズなどの収容物が導電性であることを利用することが考えられる。すなわち、センシング部である金属棒（電極）をスズが収容されるデブリ収容容器内部に設置し、金属棒とデブリ収容容器との間における電流の通電の有無により液面レベルを検出する。このような電極式の液面レベルセンサは、回路の電気的な開状態／閉状態を検出する構成であるため、検出応答性が高い。

【0021】

あるいは、温度変化によってスズの液面レベルを検出する温度センサや、レーザ光の反射によってスズの液面レベルを検出するレーザ変位計を用いることもできる。

【0022】

しかしながら、デブリ収容容器は、ＥＵＶ光源装置のメインテナンスの際、あるいは収容物の収容量が所定レベルを超えた際に取り外される。金属棒を用いて液面レベルをセンシングする場合は、液面レベルの検知時には、金属棒は、液体状の収容物の液面と接触した状態、あるいは一部が収容物内に浸漬された状態となる。

【0023】

デブリ収容容器の取り外しは、デブリ収容容器の加熱が停止され、当該デブリ収容容器に収容される収容物が固体となった状態で行われる。よって、固化した収容物により、金属棒は固定される。そのため、デブリ収容容器を取り外す場合は、液面レベルをセンシングするための金属棒も、ＥＵＶ光源装置から取り外す必要がある。また、デブリ収容容器および金属棒をＥＵＶ光源装置から取り外した後も、固化したスズから金属棒を分離して、再度ＥＵＶ光源装置に取り付ける必要がある。よって、デブリ収容容器のＥＵＶ光源装置への装着および脱着作業に時間がかかる。

【0024】

特許文献２における温度センサは、センシング部がプラズマ原料に浸漬しているときの温度情報、浸漬していない状態のときの温度情報から液面レベルを検出しているので、金属棒のときと同様の不具合が生じる。

【0025】

特許文献３においては、液体状収容物の液面レベルをセンシングすることなく、デブリ収容容器の収容物の収容量を推定する方法が開示されている。
上述したように、大部分がスズである収容物を液相状態に維持するために、デブリ収容容器は、内部に収容する収容物の温度がスズの融点（約２３２℃）以上となるように加熱される。
ここで、ある容量のデブリを収容するデブリ収容容器を室温相当温度から目標温度（例えば、２７０℃）まで加熱する場合、デブリ収容容器の温度が室温相当温度から徐々に増加して目標温度に到達する前に、プラトー期間（温度がほぼ一定の期間）が生じる。
また、ある容量のデブリを収容するデブリ収容容器を目標温度に維持する温度制御を停止すると、デブリ収容容器の温度が目標温度から徐々に減少して室温相当温度に到達する前に、プラトー期間が生じる。

【0026】

このプラトー期間は、デブリ収容容器が収容するデブリの相変化に対応する期間である。すなわち、デブリ収容容器を目標温度まで加熱してその温度を維持する場合、プラトー期間は、デブリが固相から液相へと相変化する時間に相当する。同様に、目標温度に維持するデブリ収容容器の温度制御を停止する場合、プラトー期間は、デブリが液相から固相へと相変化する時間に相当する。

【0027】

上記したプラトー期間は、収容物の体積量に依存する。よって、デブリの体積とプラトー期間との相関データを予め求め、プラトー期間を計測し、計測結果と、予め求めた相関データとを比較することで、デブリ収容容器内のデブリ収容量を推定することが可能となる。

【0028】

しかしながら、このような収容物容量推定方法は、液相と固相との間の相変化にかかる期間を利用しているため、ＥＵＶ光源装置の稼働開始時もしくは稼働終了時にのみ採用可能な方法である。
ＥＵＶ光源装置が稼働されている間は、デブリ収容容器の温度は目標温度付近に維持される。このため、デブリ収容容器内のデブリは液相状態を維持し、液相と固相との間の相変化が発生しないため、プラトー期間は生じない。言い換えると、ＥＵＶ光源装置の稼働中は、プラトー期間を利用した収容物容量推定方法では、デブリ収容容器の収容物の収容量を推定することはできない。

【0029】

デブリ収容容器に収容される収容物の収容量は、ＥＵＶ光源装置の稼働時間（連続動作時間）に依存する。すなわち、ＥＵＶ光源装置の稼働時間が長くなると、デブリ収容容器に収容される収容物の収容量は大きくなる。そのため、ＥＵＶ光源装置の稼働時間が長期間に及ぶと、デブリ収容容器に収容される収容物の収容量が許容値（閾値）を超える場合が生じる。この場合、プラトー期間を利用した収容物容量推定方法では、ＥＵＶ光源装置の稼働中に収容物量を推定できないため、ＥＵＶ光源装置の稼働中に収容物量が許容値を超えたことを検出できなかった。

【0030】

そこで、本発明の目的は、デブリ収容容器に収容される収容物が液相状態に維持されている場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、その収容物の収容量を推定することが可能な収容量推定方法、収容量推定装置およびプログラムを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0031】

本発明の一態様に係る収容量推定方法は、液相化された収容物が収容された収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御するステップと、前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定するステップとを備える。

【0032】

これにより、収容容器の温度を収束させる温度制御系のデータを用いることで、収容容器に収容された収容物の収容量を推定することができる。このとき、温度制御系は、収容容器に収容された収容物の液相と固相との間の相変化の有無に依存することなく、収容容器の温度が収束するように収容容器を温度制御することができる。このため、収容容器に収容された収容物が液相状態に維持されている場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、その収容物の収容量を推定することができる。この結果、収容物を発生させる装置が稼働中の場合においても、収容容器内の収容物に温度センサまたは金属棒を浸漬させることなく、その収容物の収容量を推定することができ、収容容器から収容物が溢れ出すのを防止することが可能となるとともに、収容物が収容された収容容器の交換を効率化することができる。

【0033】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法によれば、前記振動データの特性は、前記収容容器の温度が目標温度となるように温度制御するときの前記収容容器の温度の振動の振幅、周波数および位相の少なくともいずれかひとつから選択されてもよい。

【0034】

これにより、収容容器の温度の計測結果に基づいて収容物の収容量を推定することができ、収容物を発生させる装置が稼働中である場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、収容容器から収容物が溢れ出すのを防止することが可能となる。

【0035】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法によれば、前記振動データの特性は、前記収容容器を温度制御するときのＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御におけるデューティの振動の振幅、周波数および位相の少なくともいずれかひとつから選択されてもよい。

【0036】

これにより、収容容器を温度制御するための指令値に基づいて収容物の収容量を推定することができ、収容物を発生させる装置が稼働中である場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、収容容器から収容物が溢れ出すのを防止することが可能となる。

【0037】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法によれば、前記振動データの特性は、前記収容容器に収容された収容物の収容量に基づいて変化する。

【0038】

これにより、振動データの特性の変化に基づいて収容物の収容量を推定することができ、収容物の収容量を推定するための複雑なアルゴリズムの構築を不要とすることができる。

【0039】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法は、前記収容容器の温度が目標温度に到達したときの前記収容物の収容量に応じた温度振動の振幅データを採取するステップと、前記採取した振幅データと前記収容物の収容量との相関データを記憶するステップと、前記相関データを採取したときと同じ温度制御条件で温度制御されているときの前記収容容器の温度の時間変化特性を採取するステップと、前記収容容器の温度が前記目標温度に到達後、前記採取した前記収容容器の温度の時間変化特性から前記温度の振動の振幅を算出するステップと、前記算出した振幅と前記相関データの振幅とを比較し、前記算出した振幅に対応する前記相関データの振幅に紐付けられた収容量を前記収容量の推定値とするステップとを備えてもよい。

【0040】

これにより、収容容器の温度制御時に採取された温度振動の振幅データの比較結果に基づいて収容物の収容量を推定することができ、収容物の収容量を推定するための複雑なアルゴリズムの構築を不要とすることができる。また、収容物の収容量を推定するために、収容容器の温度制御に用いられる温度センサを用いることができ、収容物の収容量の推定に用いられる温度センサを別途設ける必要がなくなることから、収容物の収容量を推定するために必要なリソースの増大を抑制することができる。

【0041】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法は、前記収容容器内の収容物の収容量を推定後、前記収容物の収容量の推定値前を閾値と比較するステップと、前記収容物の収容量の推定値が前記閾値以上の場合、警告信号を外部に送出するステップとを備えてもよい。

【0042】

これにより、収容容器から収容物が溢れ出す前の状態を外部に通知することができ、収容物が収容された収容容器の交換タイミングの判断材料を提供することができる。

【0043】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法によれば、前記収容物の収容量の推定量が前記閾値より小さい場合、前記収容容器の温度の時間変化特性を採取するステップに移行してもよい。

【0044】

これにより、収容物を追加して収容するスペースが収容容器に残っている場合、収容物の収容量の推定を繰り返すことができ、収容物を追加して収容するスペースがなくなる直前まで収容物の収容量の推定を継続することができる。

【0045】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法は、前記収容物として液体金属を収容する収容容器と、前記収容容器と加熱する加熱手段と、前記収容容器の温度を測定する温度計測手段と、前記加熱手段に電力を供給する給電手段と、前記温度計測手段からの温度情報に基づき前記収容容器の温度が目標温度となるように前記給電手段を制御する制御部とを備える金属収容装置における前記液体金属の収容量の推定に適用されてもよい。

【0046】

これにより、液相状態を維持させたまま液体金属を収容容器に収容させることが可能となるとともに、収容物の収容量を推定するために、収容容器の温度を測定する温度計測手段および給電手段を制御する制御部を用いることができる。このため、収容物の収容量を推定するために必要なリソースの増大を抑制しつつ、収容容器の温度を目標温度とするための温度制御時のデータに基づいて収容物の収容量を推定することができる。

【0047】

また、本発明の一態様に係る収容量推定方法は、金属を含むプラズマ原料を励起して、極端紫外光を放射するプラズマを発生させる光源部と、前記プラズマから放散される金属を含むデブリを収容する収容容器と、前記収容容器を加熱する加熱手段と、前記収容容器の温度を測定する温度計測手段と、前記加熱手段に電力を供給する給電手段と、前記温度計測手段からの温度情報に基づき前記収容容器の温度が目標温度となるように前記給電手段を制御する制御部とを備える極端紫外光光源装置における前記収容容器内のデブリの収容量の推定に適用されてもよい。

【0048】

これにより、プラズマから放散される金属を含むデブリを液相状態のまま収容容器に収容させることが可能となるとともに、デブリの収容量を推定するために、収容容器の温度を測定する温度計測手段および給電手段を制御する制御部を用いることができる。このため、デブリの収容量を推定するために必要なリソースの増大を抑制することが可能となるとともに、収容容器の温度を目標温度とするための温度制御時のデータに基づいてデブリの収容量を推定することができ、光源部が稼働中である場合においても、デブリが収容された収容容器の交換タイミングの判断材料を提供することができる。

【0049】

また、本発明の一態様に係る収容量推定装置は、液相化された収容物が収容された収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御する温度制御部と、前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定する収容量推定部とを備える。

【0050】

これにより、収容容器の温度を収束させる温度制御系のデータを用いることで、収容容器に収容された収容物の収容量を推定することができ、収容物を発生させる装置が稼働中である場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、収容容器から収容物が溢れ出すのを防止することが可能となる。

【0051】

また、本発明の一態様に係るプログラムは、液相化された収容物が収容された収容容器の温度が収束するように前記収容容器を温度制御するステップと、前記温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、前記収容容器に収容された収容物の収容量を推定するステップとをコンピュータに実行させる。

【0052】

これにより、収容量推定プログラムをコンピュータに実行させることで、収容容器に収容された収容物の収容量を推定することができる。このため、収容容器に収容された収容物の収容量を推定するための専用のハードウェアを不要とすることができ、収容量推定機能の搭載を容易化することができる。

【発明の効果】

【0053】

本発明の一態様においては、デブリ収容容器に収容される収容物が液相状態に維持されている場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、その収容物の収容量を推定することができる。

【図面の簡単な説明】

【0054】

【図1】実施形態に係る極端紫外光光源装置のチャンバ内および接続チャンバ内を水平方向に切断して示す断面図である。

【図2】実施形態に係るデブリ低減部およびデブリ収容部の概略構成を示す断面図である。

【図3】図２の回転式ホイルトラップの構成例を示す正面図である。

【図4】図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す上面図である。

【図5】図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す断面図である。

【図6】図２のデブリ収容容器の構成例を示す斜視図である。

【図7】図２のデブリ収容容器の構成例を示す断面図である。

【図8】図２のデブリ収容容器の加熱処理の温度制御系の一例を示すブロック図である。

【図9】図２のデブリ収容容器の収容物の収容量に応じた温度変化の一例を示す図である。

【図10】図２のデブリ収容容器の収容物の収容量に応じた温度変化のその他の例を示す図である。

【図11】図２のデブリ収容容器の収容物の収容量推定処理の一例を示すフローチャートである。

【図12】図８の制御部のハードウェア構成例を示すブロック図である。

【図13】実施形態に係る収容量推定に用いられる学習モデルの一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0055】

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の構成に必須のものとは限らない。実施形態の構成は、本発明が適用される装置の仕様や各種条件（使用条件、使用環境等）によって適宜修正または変更され得る。本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定され、以下の個別の実施形態によって限定されない。また、以下の説明に用いる図面は、各構成を分かり易くするため、実際の構造と縮尺および形状などと異なることがある。

【0056】

図１は、実施形態に係る極端紫外光光源装置のチャンバ内および接続チャンバ内を水平方向に切断して示す断面図、図２は、実施形態に係るデブリ低減部およびデブリ収容部の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、ＬＤＰ方式の極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光源装置）を例にとる。

【0057】

図１において、ＥＵＶ光源装置１は、極端紫外光（ＥＵＶ光）を放出する。この極端紫外光の波長は、例えば、１３．５ｎｍである。
具体的には、ＥＵＶ光源装置１は、放電を発生させる一対の放電電極ＥＡ、ＥＢの表面にそれぞれ供給された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢにレーザビームＬＢ等のエネルギービームを照射して当該プラズマ原料ＳＡ、ＳＢを気化させる。その後、放電電極ＥＡ、ＥＢ間の放電領域Ｄの放電によってプラズマＰを発生させる。プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。

【0058】

ＥＵＶ光源装置１は、例えば、半導体デバイス製造におけるリソグラフィ装置の光源装置またはリソグラフィに使用されるマスクの検査装置の光源装置として使用可能である。例えば、ＥＵＶ光源装置１がマスク検査装置用の光源装置と使用される場合、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部が取り出され、マスク検査装置に導光される。マスク検査装置は、ＥＵＶ光源装置１から放出されるＥＵＶ光を検査光として、マスクのブランクス検査またはパターン検査を行う。ここで、ＥＵＶ光を用いることにより、５～７ｎｍプロセスに対応することができる。なお、ＥＵＶ光源装置１から取り出されるＥＵＶ光は、図２の遮熱板２３に設けられた開口部ＫＡにより規定される。

【0059】

図１および図２に示すように、ＥＵＶ光源装置１は、光源部２、デブリ低減部３およびデブリ収容部４を備える。光源部２は、ＬＤＰ方式に基づいてＥＵＶ光を発生させる。デブリ低減部３は、光源部２から放射されるＥＵＶ光とともに飛散するデブリを捕獲する。デブリ収容部４は、光源部２で発生したデブリおよびデブリ低減部３で捕獲されたデブリなどを収容する。

【0060】

また、ＥＵＶ光源装置１は、内部で発生されるプラズマＰを外部と隔離するチャンバ１１を備える。チャンバ１１は、剛体、例えば、金属から形成される。チャンバ１１は、真空筐体であり、その内部は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢを加熱励起するための放電を良好に発生させ、ＥＵＶ光の減衰を抑制するために、減圧雰囲気にされる。

【0061】

光源部２は、チャンバ１１内部に配置される。光源部２は、一対の放電電極ＥＡ、ＥＢを備える。放電電極ＥＡ、ＥＢは、同形同大の円板状部材であり、例えば、放電電極ＥＡがカソードとして使用され、放電電極ＥＢがアノードとして使用される。放電電極ＥＡ、ＥＢは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）またはタンタル（Ｔａ）などの高融点金属から形成される。放電電極ＥＡ、ＥＢは、互いに離隔した位置に配置され、放電電極ＥＡ、ＥＢの周縁部が近接している。このとき、プラズマＰが生成される放電領域Ｄは、放電電極ＥＡ、ＥＢの周縁部が互いに最も接近した放電電極ＥＡ、ＥＢ間の間隙に位置する。

【0062】

パルス電力供給部１３より放電電極ＥＡ、ＥＢに電力を給電することにより、放電領域Ｄで放電が発生する。そして、各放電電極ＥＡ、ＥＢの回転に基づいて放電領域Ｄに輸送されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、放電時に放電電極ＥＡ、ＥＢ間に流れる電流により加熱励起され、ＥＵＶ光を放出するプラズマＰが発生する。

【0063】

放電電極ＥＡは、モータＭＡの回転軸ＪＡに連結され、放電電極ＥＡの軸線周りに回転する。放電電極ＥＢは、モータＭＢの回転軸ＪＢに連結され、放電電極ＥＢの軸線周りに回転する。モータＭＡ、ＭＢは、チャンバ１１の外部に配置され、各モータＭＡ、ＭＢの回転軸ＪＡ、ＪＢは、チャンバ１１の外部から内部に延びる。回転軸ＪＡとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＡで封止され、回転軸ＪＢとチャンバ１１の壁の間の隙間は、シール部材ＰＢで封止される。シール部材ＰＡ、ＰＢは、例えば、メカニカルシールである。各シール部材ＰＡ、ＰＢは、チャンバ１１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸ＪＡ、ＪＢを回転自在に支持する。
このように各放電電極ＥＡ、ＥＢは、個別のモータＭＡ、ＭＢによって回転軸ＪＡ、ＪＢを介してそれぞれ駆動される。これらのモータＭＡ、ＭＢの回転駆動は、制御部１２によって制御される。

【0064】

チャンバ１１の内部には、液相のプラズマ原料ＳＡが貯留されるコンテナＣＡと、液相のプラズマ原料ＳＢが貯留されるコンテナＣＢが配置される。各コンテナＣＡ、ＣＢには、加熱された液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢが供給される。液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、例えば、スズである。

【0065】

コンテナＣＡは、放電電極ＥＡの下部が液相のプラズマ原料ＳＡに浸されるようにプラズマ原料ＳＡを収容する。コンテナＣＢは、放電電極ＥＢの下部が液相のプラズマ原料ＳＢに浸されるようにプラズマ原料ＳＢを収容する。従って、放電電極ＥＡ、ＥＢの下部には、液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢが付着する。放電電極ＥＡ、ＥＢの下部に付着した液相のプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、放電電極ＥＡ、ＥＢの回転に伴って、プラズマＰが発生される放電領域Ｄに輸送される。

【0066】

チャンバ１１の外部には、レーザ源（エネルギービーム照射装置）１４が配置される。レーザ源１４は、放電領域Ｄに輸送された放電電極ＥＡに付着したプラズマ原料ＳＡにエネルギービームを照射して、当該プラズマ原料ＳＡを気化させる。レーザ源１４は、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４（Ｎｅｏｄｙｍｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｙｔｔｒｉｕｍ Ｏｒｔｈｏｖａｎａｄａｔｅ）レーザ装置である。このとき、レーザ源１４は、波長１０６４ｎｍの赤外領域のレーザビームＬＢを発する。ただし、エネルギービーム照射装置は、プラズマ原料ＳＡの気化が可能であれば、レーザビームＬＢ以外のエネルギービームを発する装置であってもよい。

【0067】

レーザ源１４によるレーザビームＬＢの照射タイミングは、制御部１２によって制御される。レーザ源１４から放出されたレーザビームＬＢは、例えば、集光レンズ１５を含む集光手段を介して可動ミラー１６に導かれる。集光手段は、放電電極ＥＡのレーザビーム照射位置におけるレーザビームＬＢのスポット径を調整する。集光レンズ１５および可動ミラー１６は、チャンバ１１の外部に配置される。

【0068】

集光レンズ１５で集光されたレーザビームＬＢは、可動ミラー１６により反射され、チャンバ１１の壁に設けられた透明窓２０を通過して、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部に照射される。
ここで、可動ミラー１６の姿勢を調整することにより、放電電極ＥＡにおける赤外レーザビームＬＢの照射位置が調整される。可動ミラー１６の姿勢の調整は、作業員が手動で実施してもよいし、後述する監視装置４３からのＥＵＶ光の強度情報に基づき、制御部１２が可動ミラー１６の姿勢制御を行ってもよい。この場合、可動ミラー１６は、図示を省略した可動ミラー駆動部により駆動される。

【0069】

放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にするため、放電電極ＥＡ、ＥＢの軸線は平行ではない。回転軸ＪＡ、ＪＢの間隔は、モータＭＡ、ＭＢ側が狭く、放電電極ＥＡ、ＥＢ側が広くなっている。これにより、放電電極ＥＡ、ＥＢの対向面側を接近させつつ、放電電極ＥＡ、ＥＢの対向面側と反対側をレーザビームＬＢの照射経路から退避させることができ、放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの周縁部にレーザビームＬＢを照射するのを容易にすることができる。

【0070】

放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡと可動ミラー１６との間に配置される。可動ミラー１６で反射されたレーザビームＬＢは、放電電極ＥＢの外周面付近を通過した後、放電電極ＥＡの外周面に到達する。このとき、レーザビームＬＢが放電電極ＥＢで遮光されないように、放電電極ＥＢは、放電電極ＥＡよりも、モータＭＢ側の方向（図１の左側）に退避される。
放電領域Ｄ付近の放電電極ＥＡの外周面に付着された液相のプラズマ原料ＳＡは、レーザビームＬＢの照射により気化され、気相のプラズマ原料ＳＡとして放電領域Ｄに供給される。

【0071】

放電領域ＤでプラズマＰを発生させるため（気相のプラズマ原料ＳＡをプラズマ化するため）、パルス電力供給部１３は、放電電極ＥＡ、ＥＢに電力を供給する。そして、レーザビームＬＢの照射により放電領域Ｄに気相のプラズマ原料ＳＡが供給されると、放電領域Ｄにおける放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が生じる。このとき、パルス電力供給部１３は、パルス電力を周期的に放電電極ＥＡ、ＥＢに供給する。
パルス電力供給部１３は、チャンバ１１の外部に配置される。パルス電力供給部１３から延びる給電線は、フィードスルーＦＡ、ＦＢを通過して、チャンバ１１の内部に延びる。フィードスルーＦＡ、ＦＢは、チャンバ１１の壁に埋設されてチャンバ１１内の減圧雰囲気を維持するシール部材である。なお、プラズマＰを発生させるためのレーザ源１４の動作およびパルス電力供給部１３の動作は、制御部１２により制御される。

【0072】

パルス電力供給部１３から延びる２つの給電線は、フィードスルーＦＡ、ＦＢを介してそれぞれコンテナＣＡ、ＣＢに接続される。コンテナＣＡ、ＣＢは、導電性材料から形成され、各コンテナＣＡ、ＣＢの内部に収容されるプラズマ原料ＳＡ、ＳＢもスズなどの導電性材料である。各コンテナＣＡ、ＣＢの内部に収容されているプラズマ原料ＳＡ、ＳＢには、放電電極ＥＡ、ＥＢの下部がそれぞれ浸されている。従って、パルス電力供給部１３からパルス電力がコンテナＣＡ、ＣＢに供給されると、そのパルス電力は、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢをそれぞれ介して放電電極ＥＡ、ＥＢに供給される。放電電極ＥＡ、ＥＢ間で放電が発生すると、放電領域Ｄにおける気相のプラズマ材料ＳＡが電流により加熱励起されて、プラズマＰが発生する。

【0073】

プラズマＰからはＥＵＶ光が放出される。ＥＵＶ光は、他の光学系装置である利用装置（リソグラフィ装置またはマスク検査装置）で利用される。本実施形態においては、ＥＵＶ光はマスク検査装置で利用される。

【0074】

チャンバ１１と利用装置との間には、接続チャンバ２１が配置される。接続チャンバ２１は、剛体、例えば、金属から形成されている。接続チャンバ２１は、真空筐体であり、その内部も、チャンバ１１の内部と同様、ＥＵＶ光の減衰を抑制するため減圧雰囲気にされる。

【0075】

接続チャンバ２１の内部空間は、チャンバ１１の壁に形成された貫通孔である窓部１７を介してチャンバ１１と連通する。また、接続チャンバ２１の内部空間は、接続チャンバ２１の壁に形成された貫通孔である窓部２７を介して利用装置（マスク検査装置）４２と連通する。図２では、利用装置４２の一部のみを示す。放電領域ＤのプラズマＰから放出されたＥＵＶ光は、窓部１７、２７を通じて利用装置（マスク検査装置）４２に導入される。

【0076】

一方、プラズマＰからはＥＵＶ光とともにデブリＤＢが高速で様々な方向に放散される。デブリＤＢは、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢであるスズ粒子およびプラズマＰの発生に伴いスパッタリングされる放電電極ＥＡ、ＥＢの材料粒子を含む。
これらのデブリＤＢは、プラズマＰの収縮および膨張過程を経て、大きな運動エネルギーを得る。すなわち、プラズマＰから発生するデブリＤＢは、高速で移動するイオン、中性原子および電子を含み、このようなデブリＤＢは、利用装置４２に到達すると、利用装置４２内の光学素子の反射膜を損傷または汚染させ、性能を低下させることがある。

【0077】

そのため、デブリＤＢが利用装置４２に侵入しないように、デブリＤＢを捕捉するデブリ低減部３が接続チャンバ２１内に設けられる。デブリ低減部３は、複数のホイルの位置が固定された固定式ホイルトラップ２４と、ホイルがデブリと能動的に衝突する作用を加えた回転式ホイルトラップ２２とを備える。固定式ホイルトラップ２４は、接続チャンバ２２から利用装置（マスク検査装置）４２へと進行するＥＵＶ光の光路上において、回転式ホイルトラップ２２と利用装置２４と間に設けられる。なお、一つのデブリ低減部３においては、回転式ホイルトラップ２２と固定式ホイルトラップ２４の双方を設けてもよいし、いずれか一方を設けてもよい。

【0078】

図３は、図２の回転式ホイルトラップの構成例を示す正面図である。
図３において、回転式ホイルトラップ２２は、中心のハブ５３、ハブ５３に同心の外側リング５２およびハブ５３と外側リング５２との間に配置された多数のホイル５１を備える。各ホイル５１は、薄膜または薄い平板である。ホイル５１は、ほぼ等しい角間隔をおいて放射状に配置される。各ホイル５１は、ハブ５３の中心軸線を含む平面上にある。回転式ホイルトラップ２２の材料は、例えば、タングステンおよび／またはモリブデンなどの高融点金属である。

【0079】

回転式ホイルトラップ２２の複数のホイル５１は、プラズマＰ（発光点）から窓部２７に向かって進むＥＵＶ光を遮らないように、窓部２７に向かって進むＥＵＶ光の光線方向に平行に配置される。
すなわち、図２に示すように、各ホイル５１がハブ５３の中心軸線を含む平面上に配置された回転式ホイルトラップ２２は、ハブ５３の中心軸線の延長線上にプラズマＰ（発光点）が存在するように配置される。これにより、ハブ５３および外側リング５２を除けば、ＥＵＶ光は各ホイル５１の厚みの分のみ遮光され、回転式ホイルトラップ２２を通過するＥＵＶ光の割合（透過率ともいう）を最大にすることが可能となる。

【0080】

ハブ５３は、モータ（回転駆動装置）ＭＣの回転軸ＪＣに連結され、ハブ５３の中心軸線は、回転軸ＪＣの中心軸線に合致する。このとき、モータＭＣの回転軸ＪＣは、回転式ホイルトラップ２２の回転軸とみなすことができる。回転式ホイルトラップ２２は、モータＭＣに駆動されて回転し、回転するホイル５１は、プラズマＰから到来するデブリＤＢに衝突してデブリＤＢを捕捉し、当該デブリＤＢが利用装置４２に侵入するのを阻止する。

【0081】

回転式ホイルトラップ２２は、接続チャンバ２１内に配置されるのに対して、モータＭＣは、接続チャンバ２１の外に配置される。接続チャンバ２１の壁には、回転軸ＪＣが通過する貫通孔が形成されている。回転軸ＪＣと接続チャンバ２１の壁の間の隙間は、例えば、メカニカルシールからなるシール部材ＰＣで封止される。シール部材ＰＣは、接続チャンバ２１内の減圧雰囲気を維持しつつ、モータＭＣの回転軸ＪＣを回転自在に支持する。

【0082】

回転式ホイルトラップ２２は、プラズマＰからの放射により高温となる。このため、回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止するために、回転軸ＪＣを中空にして冷却水を流通させ、回転式ホイルトラップ２２を冷却することがある。また、回転時のモータＭＣ自体も発熱するため、モータＭＣの周囲に水冷配管４１を巻き付けて除熱してもよい。水冷配管４１には水が流され、熱交換によりモータＭＣを冷却する。

【0083】

また、プラズマＰから回転式ホイルトラップ２２への放射を低減し、回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止するため、接続チャンバ２１内には遮熱板２３が配置される。遮熱板２３は、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための任意の形状（例えば、円形）の開口部ＫＡを備える。遮熱板２３は、プラズマＰの近傍に配置されるため、例えば、モリブデンまたはタングステンなどの高融点材料から構成される。
開口部ＫＡは、回転式ホイルトラップ２２の回転軸ＪＣから偏心した位置に設けられる。このとき、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部は、開口部ＫＡを介し、回転式ホイルトラップ２２の回転軸方向（図２における左右方向）に対して傾斜角度をもって所定の立体角で遮熱板２３から取り出される。

【0084】

回転式ホイルトラップ２２は、遮熱板２３の開口部ＫＡを通過したＥＵＶ光の光線束（以下、ＥＵＶ取出光とも言う。）の主光線ＵＬ上にホイル５１が位置するように配置されている。遮熱板２３の開口部ＫＡから取り出されたＥＵＶ光は、デブリ低減部３を通過して、窓部２７を介して利用装置（マスク検査装置装置）４２に導入される。

【0085】

回転式ホイルトラップ２２は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢのうち比較的低速のデブリＤＢを捕捉するが、固定式ホイルトラップ２４は、プラズマＰから放散されるデブリＤＢのうち、回転式ホイルトラップ２２で捕捉できなかった高速で進行するデブリＤＢを捕捉する。図２に示すように、固定式ホイルトラップ２４は、ＥＵＶ取出光の主光線ＵＬ上に配置される。
また、固定式ホイルトラップ２４は、遮熱板２３の開口部ＫＡにより進行方向が制限されたＥＵＶ光であるＥＵＶ取出光が通過する領域に対応させた形状を備える。

【0086】

図４は、図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す上面図、図５は、図２の固定式ホイルトラップの構成例を示す断面図である。
図４および図５において、固定式ホイルトラップ２４は、複数のホイル６１と、ホイル６１を支持する固定枠（固定部材）６０とを備える。
ホイル６１は、図５に示すように、ＥＵＶ取出光の主光線ＵＬ方向に直交する断面において、それぞれ等間隔に配置される。また、固定枠６０は、例えば、正面から見て矩形状となっている。なお、固定枠６０の外形は、任意の形状であってよい。さらに、複数のホイル６１は、図４に示すように、主光線ＵＬ方向に直交する方向から見ると、ＥＵＶ取出光の光線方向に伸びるように放射状に配置される。

【0087】

固定式ホイルトラップ２４の複数のホイル６１は、固定式ホイルトラップ２４が配置された空間を細かく分割することにより、その部分のコンダクタンスを下げて圧力を局所的に上げる働きをする。固定式ホイルトラップ２４にガスを適宜供給することにより、固定式ホイルトラップ２４における圧力を上げるようにする。言い換えると、接続チャンバ２１内において、固定式ホイルトラップ２４内にガスを局在化させて圧力が比較的高い部分を設定する。ここで、固定式ホイルトラップ２４に供給するガスは、ＥＵＶ光に対して透過率の高いガスが望ましく、例えば、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの希ガスまたは水素（Ｈ_２）などが用いられる。

【0088】

回転式ホイルトラップ２２で捕捉できなかった高速のデブリＤＢは、固定式ホイルトラップ２４における圧力が上がった領域でガスとの衝突確率が上がるために速度が低下する。また、ガスとの衝突によりデブリＤＢの進行方向も変わる。固定式ホイルトラップ２４は、このようにして速度が低下して進行方向が変わったデブリＤＢを、ホイル６１または固定枠６０により捕捉する。

【0089】

また、接続チャンバ２１内には、カバー部材２５が配置される。カバー部材２５は、回転式ホイルトラップ２２を包囲し、回転式ホイルトラップ２２により捕捉されたデブリＤＢが接続チャンバ２１の内部に飛散するのを防止する。カバー部材２５は、入射側開口部ＫＩおよび出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを備える。入射側開口部ＫＩは、回転式ホイルトラップ２２に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。出射側開口部ＫＯＡは、入射側開口部ＫＡおよび回転式ホイルトラップ２２を通過して固定式ホイルトラップ２４に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。出射側開口部ＫＯＢは、入射側開口部ＫＩおよび回転式ホイルトラップ２２を通過して監視装置４３に入射するＥＵＶ光が遮光されない位置に設けられる。

【0090】

回転式ホイルトラップ２２により捕捉されたデブリＤＢの少なくとも一部は、遠心力により回転式ホイルトラップ２２のホイル５１上を径方向に移動し、ホイル５１の端部から離脱して、カバー部材２５の内面に付着する。
カバー部材２５は、図示を省略した加熱手段またはＥＵＶ放射を受ける遮熱板２３からの二次輻射によって加熱され、当該加熱によりカバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは固化せず、液相状態を保持する。カバー部材２５の内面に付着したデブリＤＢは、重力によりカバー部材２５の下部に集まり、カバー部材２５の下部から排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出されて廃原料となり、デブリ収容部４に収容される。これにより、カバー部材２５は、回転式ホイルトラップ２２のホイル５１の端部から離脱したデブリＤＢが接続チャンバ２１の内部に飛散するのを防止することができる。

【0091】

デブリ収容部４は、デブリ収容容器３１を備える。デブリ収容容器３１は、接続チャンバ２１の外部に配置され、接続チャンバ２１に取り付けられる。デブリ収容容器３１は、デブリＤＢおよび廃原料を含む収容物ＳＵを貯蔵する。

【0092】

接続チャンバ２１の底壁には、デブリ収容容器３１の内部空間と接続チャンバ２１の内部空間を連通させる貫通孔３７が形成されている。デブリ収容容器３１は、上部にフランジ３２を備える。フランジ３２で囲まれたデブリ収容容器３１の開口部は、接続チャンバ２１の貫通孔３７に重ねられる。そして、フランジ３２が接続チャンバ２１の底壁に、例えば、ネジで固定されることで、デブリ収容容器３１が接続チャンバ２１に取り付けられる。フランジ３２と接続チャンバ２１の底壁の間の間隙は、ガスケット３３により封止される。遮熱板２３は、直立した状態で貫通孔３７の上方に配置される。排出管２６の排出口は、貫通孔３７の上方に配置される。このとき、遮熱板２３および排出管２６からのデブリＤＢの落下位置にデブリ収容容器３２が配置される。

【0093】

排出管２６を介してカバー部材２５の外に排出された廃原料は、重力方向に落下し、接続チャンバ２１の下方（図２の下側）に配置されているデブリ収容容器３１に溜められる。一方、プラズマＰから様々な方向に放散されるデブリＤＢの一部は、チャンバ１１の窓部１７を通じて接続チャンバ２１に侵入すると、遮熱板２３の窓部１７と対面する面に堆積する。遮熱板２３に堆積したデブリＤＢは、プラズマＰからの放射により溶融し、ある程度の量に達すると、液滴となって重力により遮熱板２３の下方に移動する。そして、遮熱板２３の下方に移動したデブリＤＢが遮熱板２３から離脱し、接続チャンバ２１の下方へ落下することで、デブリ収容容器３１に収容される。

【0094】

このように遮熱板２３は、プラズマＰから回転式ホイルトラップ２２へのＥＵＶ放射を制限して回転式ホイルトラップ２２の過熱を防止したり、開口部ＫＡによりプラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出し可能とするのみならず、回転式ホイルトラップ２２に向けて進行するデブリＤＢをできるだけ少なくし、回転式ホイルトラップ２２の負荷を減少させる。

【0095】

また、ＬＤＰ方式のＥＵＶ光源装置１においては、放電部（放電電極ＥＡ、ＥＢなど）に供給されるプラズマ原料（スズ）ＳＡ、ＳＢの一部が漏出することがある。例えば、プラズマ原料ＳＡ、ＳＢの一部は、コンテナＣＡ、ＣＢから漏出する場合がある。漏出したプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、プラズマＰの発生に寄与しないため、廃原料となる。上記した放電部から漏出したプラズマ原料ＳＡ、ＳＢは、図示を省略した包囲部材により捕集される。

【0096】

包囲部材により廃原料として捕集されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢをデブリ収容容器３１に導くために、接続チャンバ２１内には受け板部材（ｓｈｏｖｅｌ）１８が設置される。受け板部材１８は、窓部１７から貫通孔３７にかけて掛け渡されるように傾斜姿勢で支持される。受け板部材１８は、廃原料として捕集されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢが受け板部材１８上で融点以上に維持されるように、図示を省略した加熱手段（ヒータ）で加熱される。そして、包囲部材により廃原料として捕集されたプラズマ原料ＳＡ、ＳＢおよび接続チャンバ２１に侵入したデブリＤＢの一部は、受け板部材１８に導かれてデブリ収容容器３１に落下する。

【0097】

ここで、デブリＤＢの大部分はスズであり、廃材料もスズであるので、デブリ収容容器３１は、スズ回収容器と呼ぶこともできる。デブリ収容容器３１の周囲には、デブリ収容容器３１を加熱する加熱手段としてのヒータ配線３４が巻き付けられている。加熱手段は、デブリ収容容器３１本体に埋設されていてもよい。
ＥＵＶ光源装置１の稼働中では、ヒータ配線３４に給電することによって、デブリ収容容器の内部は、スズの融点以上に加熱され、デブリ収容容器３１内部に蓄積されたスズは液相にされる。

【0098】

デブリ収容容器３１の内部のスズを液相とする理由は、デブリ収容容器３１の内部に蓄積されるデブリＤＢが固化すると、デブリＤＢが落下しやすい地点での蓄積物が、あたかも鍾乳洞の石筍のように成長するからである。デブリＤＢの蓄積物が石筍状に成長すると、例えば、カバー部材２５の排出管２６がデブリＤＢにより封鎖されてカバー部材２５内にデブリＤＢが蓄積される。このとき、カバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢの少なくとも一部が回転式ホイルトラップ２２に接触し、回転式ホイルトラップ２２の回転を妨げたり、回転式ホイルトラップ２２を損傷したりすることがある。
あるいは、カバー部材２５に設けられている出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢの一部がカバー部材２５内に蓄積されたデブリＤＢにより封鎖されて、出射側開口部ＫＯＡ、ＫＯＢを通過するＥＵＶ光の一部が遮られることもある。
よって、デブリ収容容器３１の内部の収容物であるスズを液相にすることで、デブリ収納容器３１内でスズを平坦化し、石筍のような成長を回避しながらデブリ収納容器３１内にスズを貯蔵することが可能となる。

【0099】

デブリ収容容器３１に蓄積されたスズを回収する場合、ヒータ配線３４への給電を止めてデブリ収容容器３１内部の加熱を停止する。そして、デブリ収容容器３１の温度が常温に到達してデブリ収容容器３１に貯蔵されるスズを固化させた上で、接続チャンバ２１内部を大気圧に戻す。その後、デブリ収容容器３１を接続チャンバ２１から取り外し、スズの溜まっていない新しいデブリ収容容器を接続チャンバ２１に取り付ける。
接続チャンバ２１から取り外されたデブリ収容容器３１の内部のスズは固相になっているが、そのデブリ収容容器３１を再加熱して内部のスズを再度液相とすることによって、デブリ収容容器３１からスズを取り出すことができる。接続チャンバ２１から取り外し、内部からスズを除去したデブリ収容容器３１は再利用することができる。

【0100】

さらに、接続チャンバ２１の外部には、ＥＵＶ光を監視する監視装置４３が配置される。監視装置４３は、ＥＵＶ光を検出する検出器またはＥＵＶ光の強度を測定する測定器である。接続チャンバ２１の壁には、ＥＵＶ光が通過する貫通孔であるＥＵＶ光案内孔２８が形成され、ＥＵＶ光案内孔２８と監視装置４３と間には、ＥＵＶ光が接続チャンバ２１の外に漏れずに通過する案内管２９が設けられている。

【0101】

遮熱板２３には、開口部ＫＡとは別の位置に、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部を取り出すための任意の形状（例えば、円形）の開口部ＫＢが設けられる。
プラズマＰと開口部ＫＢの中心部を結ぶ直線の延長線上には、監視装置４３、ＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９が配置されている。従って、プラズマＰから放出されるＥＵＶ光の一部は、チャンバ１１の窓部１７、遮熱板２３の開口部ＫＢ、カバー部材２５の入射側開口部ＫＩ、回転式ホイルトラップ２２の複数のホイル５１の隙間、カバー部材２５の出射側開口部ＫＯＢ、接続チャンバ２１の壁のＥＵＶ光案内孔２８および案内管２９の内腔を順次通過して、監視装置４３に到達する。このようにして、ＥＵＶ光を監視装置４３によって監視することができる。

【0102】

図６は、図２のデブリ収容容器の構成例を示す斜視図、図７は、図２のデブリ収容容器の構成例を示す断面図である。
図６および図７において、デブリ収容容器３１は、上部にフランジ３２を備える。フランジ３２は、デブリ収容容器３１の開口部を囲むように配置される。デブリ収容容器３１は、デブリ収容容器３１の開口部が接続チャンバ２１の底面部に設けられた貫通孔３７に重なるように位置決めされた状態で、例えば、ねじを用いてフランジ３２を接続チャンバ２１の底壁に固定されることにより取り付けられる。

【0103】

デブリ収容容器３１は、デブリＤＢなどの収容物ＳＵの収容部を取り囲む壁部の一部に加熱手段３５が埋設される。加熱手段３５を埋設するために、デブリ収容容器３１の壁部には、加熱手段埋設部３８が複数設けられる。加熱手段３５としては、例えば、発熱体をシース（金属パイプ）で覆ったカートリッジヒータが使用される。カートリッジヒータの発熱体は、例えば、ニクロム線である。このとき、当該ニクロム線に電流を給電することによりデブリ収容容器３１を加熱することができる。なお、シースの先端は封止される。カートリッジヒータのシースは、加熱手段埋設部３８に挿入された状態でデブリ収容容器３１に保持される。

【0104】

デブリ収容容器３１に収容される収容物（デブリおよび廃材料）は、少なくともＥＵＶ光源装置１が稼働中は液相状態に維持される。収容物の大部分はスズであるので、デブリ収容容器３１は、内部に収容する収容物の温度がスズの融点以上となるように加熱される。そのため、デブリ収容容器３１には、その温度をセンシングする温度センサ３６が埋設される。温度センサ３６を埋設するために、デブリ収容容器３１の壁部には温度センサ埋設部３９が設けられる。温度センサ３６としては、例えば、測温抵抗体（ＲＴＤ：Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が用いられる。測温抵抗体は、金属または金属酸化物が温度変化によって電気抵抗値が変化する特性を利用し、その電気抵抗値を測定することで温度を測定する。測温抵抗体に使用される金属は種々存在するが、例えば、特性が安定し入手が容易な白金（Ｐｔ１００）が用いられる。

【0105】

温度センサ３６の埋設を容易化するために、例えば、シース型の測温抵抗体センサを使用することができる。シース型の測温抵抗体センサは、抵抗素子とそれに接続されている導線がシース（金属パイプ）に挿入されるとともに、シース内部に絶縁物（酸化マグネシウム）が充填され、これらが一体形成される。なお、シースの先端は封止される。シース型の測温抵抗体センサは、そのシースが温度センサ埋設部３９に挿入された状態でデブリ収容容器３１に保持される。

【0106】

なお、温度センサ３６としては、測温抵抗体以外のセンサも使用可能であるが、測温抵抗体は、高精度な測定が可能であり、安定性および再現性に優れている。また、測温抵抗体は、電気的ノイズの影響も比較的受けにくいので、電気的ノイズを発生する放電部分を備えるＥＵＶ光源装置１の使用に好適である。

【0107】

図８は、図２のデブリ収容容器の加熱処理の温度制御系の一例を示すブロック図である。
図８において、温度制御系は、温度検出部７１、制御部７２および加熱用給電部７３を備える。制御部７２は、温度制御部７２Ａおよび収容量推定部７２Ｂを備える。

【0108】

温度検出部７１は、温度センサ３６（測温抵抗体）へ給電したり、温度センサ３６からの温度情報を検出（電気抵抗値の検出）したりする。また。温度検出部７１は、温度センサ３６からの温度情報を制御部７２に送信する。制御部７２は、加熱用給電部７３を制御することにより、加熱手段（カートリッジヒータ）３５への給電量を制御したり、給電のオンとオフを制御したりする。加熱用給電部７３は、各加熱手段３５に個別に電力を給電する。

【0109】

温度制御部７２Ａは、液相化された収容物が収容されたデブリ収容容器３１の温度が収束するように収容容器３１を温度制御する。図１のＥＵＶ光源装置１にデブリ収容容器３１が設置されている場合、デブリ収容容器３１の収容物は主にスズである。このとき、温度制御部７２Ａは、温度検出部７１から受信した温度情報に基づき、加熱用給電部７３を制御する。なお、温度センサ３６の抵抗素子と温度検出部７１との電気的な接続は、例えば、一般的な３線式による結線が採用される。温度制御部７２Ａは、デブリ収容容器３１の温度を目標温度に維持するために、例えば、ＰＩＤ制御を行う。ＰＩＤ制御の各ゲイン（比例ゲイン、積分ゲイン、微分ゲイン）は、デブリ収容容器３１の熱容量に基づいて適宜設定される。

【0110】

収容量推定部７２Ｂは、温度制御部７２Ａによる温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、デブリ収容容器３１に収容された収容物の収容量を推定する。振動データの特性は、デブリ収容容器３１の温度が目標温度となるように温度制御するときのデブリ収容容器３１の温度の振動の振幅、周波数および位相の少なくともいずれかひとつから選択されてもよい。また、振動データの特性は、デブリ収容容器３１を温度制御するときのＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御におけるデューティの振動の振幅、周波数および位相の少なくともいずれかひとつから選択されてもよい。

【0111】

ここで、ＥＵＶ光源装置１の稼働中は、デブリ収容容器３１に収容される収容物（デブリ）の量は徐々に増加する。よって、ＥＵＶ光源装置１の稼働中は、デブリ収容容器３１全体の熱容量も徐々に変化する。

【0112】

一方、ＰＩＤ制御の各ゲインは、例えば、デブリ収容容器３１が所定量の収容物を収容している場合におけるデブリ収容容器３１全体の熱容量に基づいて設定される。この場合、デブリ収容容器３１に収容される収容物の量が上記所定量と一致しないときは、ＰＩＤ制御によりデブリ収容容器３１の温度を目標温度に維持しようとしても、デブリ収容容器３１の温度は、目標温度に収束せず振動現象が発生する。また、デブリ収容容器３１の温度が目標温度に収束しない場合、温度制御部７２Ａは、デブリ収容容器３１の温度を目標温度に収束させるために、加熱用給電部７３の給電量を変化させる。温度制御部７２Ａは、加熱用給電部７３の給電量を変化させるために、ＰＷＭ制御におけるデューティを変化させる。このとき、デブリ収容容器３１の温度の振動現象に伴って、ＰＷＭ制御におけるデューティも振動する。

【0113】

ここで、デブリ収容容器３１全体の熱容量が変化すると、デブリ収容容器３１の温度の振動特性およびＰＷＭ制御におけるデューティの振動特性も変化する。デブリ収容容器３１全体の熱容量は、デブリ収容容器３１単体の熱容量とデブリ収容容器３１に収容された収容物の熱容量の和である。デブリ収容容器３１に収容された収容物が変化しても、デブリ収容容器３１単体の熱容量は変化しない。このため、収容量推定部７２Ｂは、デブリ収容容器３１の温度の振動特性またはＰＷＭ制御におけるデューティの振動特性に基づいて、デブリ収容容器３１に収容された収容物の収容量を推定することができる。

【0114】

ここで、デブリ収容容器３１の温度を目標温度に収束させる温度制御は、デブリ収容容器３１に収容された収容物の液相と固相との間の相変化の有無に依存しない。このため、デブリ収容容器３１に収容された収容物が液相状態に維持されている場合においても、液面レベルの計測を不要としつつ、その収容物の収容量を推定することができる。この結果、ＥＵＶ光源装置１が稼働中である場合においても、デブリ収容容器３１内の収容物に温度センサまたは金属棒を浸漬させることなく、その収容物の収容量を推定することができ、デブリ収容容器３１から収容物が溢れ出すのを防止することが可能となるとともに、収容物が収容されたデブリ収容容器３１の交換を効率化することができる。

【0115】

図９および図１０は、図２のデブリ収容容器の収容物の収容量に応じた温度変化例を示す図である。なお、図９および図１０では、温度制御部７２Ａによる温度制御に伴って振動する振動データの特性の一例として、デブリ収容容器３１の温度の振幅を示した。また、図９は、デブリ収容容器３１に収容物がほとんど収容されていない場合のデブリ収容容器３１の温度の時間特性、図１０は、デブリ収容容器３１に収容物がある程度収容されている場合のデブリ収容容器３１の温度の時間特性を示した。また、時間０は、温度制御（ＰＩＤ制御）により、デブリ収容容器３１の温度が目標温度（２７０℃）にほぼ到達した時点以降の任意の時点である。

【0116】

図９において、ＰＩＤ制御の各ゲインは、デブリ収容容器３１が所定量の収容物を収容している状態をベースに設定される。このため、デブリ収容容器３１に収容物がほとんど収容されていない場合、デブリ収容容器３１の温度が目標温度（２７０℃）にほぼ到達した後も、温度の振動が発生し、振幅Ａ１の温度波形Ｗ１が得られる。

【0117】

一方、デブリ収容容器３１に収容物がある程度収容されている場合、デブリ収容容器３１の収容物の量は、ＰＩＤ制御の各ゲインを設定したときのデブリ収容容器３１に収容される収容物の所定量と相違する。このため、デブリ収容容器３１の温度が目標温度（２７０℃）にほぼ到達した後も、温度の振動が発生し、振幅Ａ２の温度波形Ｗ２が得られる。このとき、温度波形Ｗ２の振幅Ａ２は、温度波形Ｗ１の振幅Ａ１より小さくなる。これは、デブリ収容容器３１に収容物がほとんど収容されていない場合と比較すると、ある程度の収容物が収容されている場合は、所定量の収容物が収容されている状態をベースに各ゲインが設定されたデブリ収容容器３１全体の熱容量との差が小さいためであると考えられる。

【0118】

図９および図１０から判るように、デブリ収容容器３１が所定量の収容物を収容している状態をベースに温度制御のための各ゲインを設定すると、デブリ収容容器３１の温度が目標温度（２７０℃）にほぼ到達した後の温度の振動の振幅は、デブリ収容容器３１が収容する収容物の量に依存する。よって、スズの体積と温度振動の振幅との相関データを予め求めておき、目標温度到達時の温度振動の振幅を計測し、計測結果と相関データとを比較することで、デブリ収容容器３１内の収容物の収容量を推定することが可能となる。

【0119】

図１１は、図２のデブリ収容容器の収容物の収容量推定処理の一例を示すフローチャートである。
図１１において、デブリ収容容器３１の温度が目標温度にほぼ到達した後の温度振動の振幅ＡＮとデブリ収容容器３１内の収容物（デブリ）の収容量ＶＮとの相関を予め求め、相関データを制御部７２に記憶させる（ステップＳ１）。

【0120】

デブリ収容容器３１の温度を目標温度に維持する制御は、例えば、ＰＩＤ制御で行われる。ＰＩＤ制御の目標温度および各ゲインなどのパラメータは、制御部７２に予め記憶される。ここで、ＰＩＤ制御の各ゲインは、デブリ収容容器３１が所定量の収容物（デブリ）を収容している状態をベースに設定される。また、温度振動の振幅ＡＮと収容物ＶＮとの収容量との相関データの採取は、デブリ収容容器３１が所定量の収容物（デブリ）を収容している状態をベースに設定された各ゲイン条件のもとで行われる。

【0121】

制御部７２は、温度検出部７１からデブリ収容容器３１の温度情報を受信し、その温度情報を基に加熱用給電部７３を制御し、加熱手段３５によるデブリ収容容器３１の温度制御を開始する。
また、制御部７２は、温度制御開始時点を起点として、デブリ収容容器３１の温度Ｔの時間変化特性の採取を開始する（ステップＳ２）。

【0122】

デブリ収容容器３１の温度が目標温度（例えば、２７０℃）に到達した後、制御部７２は、不図示の演算手段により、デブリ収容容器３１の温度Ｔの時間変化特性データから温度振動の振幅ＡＭを算出する（ステップＳ３）。
次に、制御部７２は、ステップＳ３で算出した温度振動の振幅ＡＭと、ステップＳ１で記憶した相関データの振幅ＡＮとを比較し、ステップＳ３で算出した温度振動の振幅ＡＭに対応する相関データの振幅ＡＮに紐付けられたデブリ収容容器３１内の収容物の収容量ＶＮを、ＥＵＶ光源装置１が稼働中のデブリ収容容器３１内の収容物の収容量の推定値ＶＭとする（ステップＳ４）。

【0123】

次に、制御部７２は、ステップＳ４で求めた収容物の収容量の推定値ＶＭと、予め記憶した収容量の最大許容値である閾値Ｖｔとを比較する（ステップＳ５）。収容物の収容量の推定値ＶＭが閾値Ｖｔ以上の場合（ＶＭ≧Ｖｔ）、制御部７２は、不図示の警告手段から警告信号を外部に送出する（ステップＳ６）。これにより、制御部７２は、デブリ収容容器３１から収容物が溢れ出す前の状態を外部に通知することができ、収容物が収容されたデブリ収容容器３１の交換タイミングの判断材料を提供することができる。

【0124】

一方、収容物の収容量の推定量ＶＭが閾値Ｖｔ未満の場合（ＶＭ＜Ｖｔ）、制御部７２は、ステップＳ３に戻り、温度振動の振幅ＡＮを再度算出する。なお、ＶＭ＜Ｖｔの場合、ステップＳ５での判定から一定時間経過後にステップＳ３に移行するようにしてもよい。これにより、収容物の収容量の推定値ＶＭが閾値Ｖｔ未満の場合、収容物の収容量の推定を繰り返すことができ、収容物の収容量の推定値ＶＭが閾値Ｖｔ以上になるまで収容物の収容量の推定を継続することができる。

【0125】

以上説明したように、上述した実施形態によれば、温度制御によりデブリ収容容器３１の温度が目標温度に到達した後であって、ＥＵＶ光源装置１が稼働している間、収容物の収容量を推定することが可能となる。よって、ＥＵＶ光源装置１が稼働している間に収容物の収容量が許容値を超えた場合、速やかに警告信号を外部に送出することが可能となり、デブリ収容容器３１から収容物が溢れるのを防止することができる。

【0126】

また、デブリ収容容器３１の温度制御時に採取された温度振動の振幅データの比較結果に基づいて収容物の収容量を推定することができ、収容物の収容量を推定するための複雑なアルゴリズムの構築を不要とすることができる。
さらに、デブリ収容容器３１内の収容物の収容量を推定するために、デブリ収容容器３１の温度制御に用いられる温度センサ３６を用いることができ、収容物の収容量の推定に用いられる温度センサを別途設ける必要がなくなることから、収容物の収容量を推定するために必要なリソースの増大を抑制することができる。

【0127】

なお、上述した実施形態では、温度制御としてＰＩＤ制御を採用した例を示したが、温度制御はＰＩＤ制御に限定されない。デブリ収容容器３１が収容する収容物の収容量によって、デブリ収容容器３１の温度が目標温度に到達後に温度が振動するときの振動特性が変化する制御方法であればよい。

【0128】

図１２は、図８の制御部のハードウェア構成例を示すブロック図である。
図１２において、制御部７２は、プロセッサ１０１、通信制御デバイス１０２、通信インタフェース１０３、主記憶デバイス１０４、補助記憶デバイス１０５および入出力インタフェース１０７を備える。プロセッサ１０１、通信制御デバイス１０２、通信インタフェース１０３、主記憶デバイス１０４、補助記憶デバイス１０５および入出力インタフェース１０７は、内部バス１０６を介して相互に接続されている。主記憶デバイス１０４および補助記憶デバイス１０５は、プロセッサ１０１からアクセス可能である。

【0129】

また、制御部７２の外部には、センサ１１１、ヒータ１１２、入力装置１１３および出力装置１１４が設けられている。センサ１１１、ヒータ１１２、入力装置１１３および出力装置１１４は、入出力インタフェース１０７を介して内部バス１０６に接続されている。入力装置１１３および出力装置１１４は、ヒューマンインターフェースとして用いることができる。

【0130】

入力装置１１３は、例えば、キーボード、マウス、タッチパネル、カードリーダ、音声入力装置等である。出力装置１１４は、例えば、画面表示装置（液晶モニタ、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、グラフィックカード等）、音声出力装置（スピーカ等）、印字装置等である。

【0131】

センサ１１１は、図２のデブリ収容容器３１の温度を検出する。センサ１１１は、例えば、図８の温度センサ３６である。ヒータ１１２は、デブリ収容容器３１を加熱する。ヒータ１１２は、例えば、図８の加熱手段３５である。

【0132】

プロセッサ１０１は、制御部７２全体の動作制御を司るハードウェアである。プロセッサ１０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよいし、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。プロセッサ１０１は、シングルコアプロセッサであってもよいし、マルチコアプロセッサであってもよい。プロセッサ１０１は、処理の一部を行うアクセラレータなどのハードウェア回路（例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）またはＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ））を備えていてもよい。プロセッサ１０１は、ニューラルネットワークとして動作してもよい。

【0133】

主記憶デバイス１０４は、例えば、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）またはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの半導体メモリから構成することができる。主記憶デバイス１０４には、プロセッサ１０１が実行中のプログラムを格納したり、プロセッサ１０１がプログラムを実行するためのワークエリアを設けたりすることができる。

【0134】

補助記憶デバイス１０５は、大容量の記憶容量を備える記憶デバイスであり、例えば、ハードディスク装置またはＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）である。補助記憶デバイス１０５は、各種プログラムの実行ファイルおよびプログラムの実行に用いられるデータを保持することができる。補助記憶デバイス１０５には、温度制御プログラム１０５Ａおよび収容量推定プログラム１０５Ｂを格納することができる。温度制御プログラム１０５Ａおよび収容量推定プログラム１０５Ｂは、制御部７２にインストール可能なソフトウェアであってもよいし、制御部７２にファームウェアとして組み込まれていてもよい。

【0135】

通信制御デバイス１０２は、外部との通信を制御する機能を備えるハードウェアである。通信制御デバイス１０２は、通信インタフェース１０３を介してネットワーク１０９に接続される。ネットワーク１０９は、インターネットまたはＷＡＮ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）であってもよいし、ＷｉＦｉまたはイーサネット（登録商標）などのＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）であってもよいし、インターネットとＷＡＮとＬＡＮが混在していてもよい。

【0136】

入出力インタフェース１０７は、センサ１１２および入力装置１１３から入力されるデータをプロセッサ１０１が処理可能なデータ形式に変換したり、プロセッサ１０１から出力されるデータをヒータ１１２の駆動信号に変換したり、出力装置１１４が処理可能なデータ形式に変換したりする。

【0137】

プロセッサ１０１は、温度制御プログラム１０５Ａを主記憶デバイス１０４に読み出し、温度制御プログラム１０５Ａを実行することにより、液相化された収容物が収容されたデブリ収容容器３１の温度が収束するように収容容器３１を温度制御することができる。このとき、プロセッサ１０１は、図８の温度制御部７２Ａとして動作することができる。

【0138】

また、プロセッサ１０１は、収容量推定プログラム１０５Ｂを主記憶デバイス１０４に読み出し、収容量推定プログラム１０５Ｂを実行することにより、デブリ収容容器３１の温度制御に伴って振動する振動データの特性に基づいて、デブリ収容容器３１に収容された収容物の収容量を推定することができる。このとき、プロセッサ１０１は、図８の収容量推定部７２Ｂとして動作することができる。

【0139】

なお、温度制御プログラム１０５Ａおよび収容量推定プログラム１０５Ｂの実行は、複数のプロセッサやコンピュータに分担させてもよい。あるいは、プロセッサ１０１は、ネットワーク１０９を介してクラウドコンピュータなどに温度制御プログラム１０５Ａおよび収容量推定プログラム１０５Ｂの全部または一部の実行を指示し、その実行結果を受け取るようにしてもよい。

【0140】

上述した実施形態では、デブリ収容容器３１内の収容物の収容量を推定するために、図１１に示すように、ステップＳ１で温度振動の振幅ＡＮとデブリ収容容器３１内の収容物の収容量ＶＮとの相関データを予め記憶し、ステップＳ３で算出した温度振動の振幅ＡＭと、ステップＳ１で記憶した相関データの振幅ＡＮとの比較を実施した。デブリ収容容器３１内の収容物の収容量の推定は、このようなルールベースに基づいた推定でもよいが、ニューラルネットワークを用いた機械学習に基づいた推定でもよい。

【0141】

図１３は、実施形態に係る収容量推定に用いられる学習モデルの一例を示す図である。
図１３において、学習モデルは、ニューラルネットワークを備える。ニューラルネットワークは、入力層ＬＩ、中間層ＬＨおよび出力層ＬＯを備える。入力層ＬＩはノードＮＩを備え、中間層ＬＨはノードＮＨを備え、出力層ＬＯはノードＮＯを備える。ノードＮＩは、エッジＥＡを介してノードＮＨに結合され、ノードＮＨは、エッジＥＢを介してノードＮＯに結合される。

【0142】

ニューラルネットワークの学習段階では、デブリ収容容器３１の温度制御に伴って振動する振動データの特性を入力層ＬＩに与えたときに、デブリ収容容器３１内の収容物の収容量を正解データとしてニューラルネットワークに学習させる。このとき、ニューラルネットワークの各エッジＥＡ、ＥＢのそれぞれに重みが設定される。入力層ＬＩに与える振動データの特性は、デブリ収容容器３１の温度が目標温度となるように温度制御するときのデブリ収容容器３１の温度の振動の振幅、周波数および位相であってもよいし、デブリ収容容器３１を温度制御するときのＰＷＭ制御におけるデューティの振動の振幅、周波数および位相であってもよい。

【0143】

ニューラルネットワークの推論段階では、ＥＵＶ光源装置１の稼働中に観測した温度制御に伴う振動データの特性を入力層ＬＩに入力する。そして、ニューラルネットワークの出力層ＬＯからの出力をデブリ収容容器３１内の収容物の収容量の推定値とすることができる。

【0144】

このとき、入力層ＬＩの各ノードＮＩに入力されたデータは、各エッジＥＡの重みで重み付けされた後、中間層ＬＨの各ノードＮＨに入力され、各ノードＮＨへの入力がノードＮＨごとに加算されて各ノードＮＨの値となる。中間層ＬＨの各ノードＮＨの値は、活性化関数（例えば、シグモイド関数）で非線形変換されて、各エッジＥＢの重みで重み付けされた後、出力層ＬＯの各ノードＮＯに入力され、各ノードＮＯへの入力がノードＮＯごとに加算されて各ノードＮＯの値となる。

【0145】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

【0146】

例えば、上述した収容物の収容量の推定方法は、ＥＵＶ光源装置のデブリ収容容器が収容するデブリ（スズ）の収容量を対象としているが、これに限るものではない。対象物は室温では固体であって、加熱して液体状態にして使用する金属であれば、デブリの主成分であるスズに限られるものではない。例えば、液体金属冷却炉で使用される液体金属（ナトリウム、リチウム等）の量を推定するのに採用することもできる。この液体金属は、例えば、原子力発電装置の冷媒として用いることができる。このとき、上述した収容量推定方法を用いることにより、液体金属の循環時における液体金属の減少量を推定することができる。そして、液体金属の収容量が最小許容値以下の場合、警報信号を外部に送出するようにしてもよい。

【0147】

また、上述した収容量推定方法は、液体金属の収容量の推定を例にとったが、温度管理される液体であれば、必ずしも金属に限定されることなく、例えば、冷却水、液体窒素、液体ヘリウム、潤滑油または液体燃料などの収容量の推定に適用してもよい。

【符号の説明】

【0148】

１ 極端紫外光光源装置
２ 光源部
３ デブリ低減部
４ デブリ収容部
１１ チャンバ
２１ 接続チャンバ
３１ デブリ収容容器
ＤＢ デブリ
ＳＵ 収容物
３５ 加熱手段
３６ 温度センサ
７１ 温度検出部
７２ 制御部
７２Ａ 温度制御部
７２Ｂ 収容量推定部
７３ 加熱用給電部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】