特開 2022-69419 回路基板に接続された電子部品を除去及び／又は再配置するための方法及び装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022069419

(43)【公開日】2022-05-11

(54)【発明の名称】回路基板に接続された電子部品を除去及び／又は再配置するための方法及び装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20220428BHJP

   H05K 3/34 20060101ALI20220428BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20220428BHJP

   H05K 13/04 20060101ALN20220428BHJP

【ＦＩ】

H01L33/48

H05K3/34 507E

H01L21/60 321Z

H05K13/04 B

【審査請求】有

【請求項の数】21

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2021172072

(22)【出願日】2021-10-21

(31)【優先権主張番号】102151

(32)【優先日】2020-10-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】LU

(71)【出願人】

【識別番号】501198796

【氏名又は名称】パック テック－パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】110001911

【氏名又は名称】特許業務法人アルファ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】フェトケ，マティアス

(72)【発明者】

【氏名】コルバソウ，アンドレイ

【テーマコード（参考）】

5E319

5E353

5F142

【Ｆターム（参考）】

5E319AA03

5E319AA07

5E319AB06

5E319AC01

5E319BB01

5E319CC46

5E319GG15

5E353BB08

5E353EE63

5E353EE88

5E353MM06

5F142AA86

5F142CA13

5F142CB23

5F142CD02

5F142FA31

5F142FA36

(57)【要約】      （修正有）

【課題】回路基板上の電子部品を高速かつ簡単な設計ツールで除去／又は再配置する方法及び装置に関する。
【解決手段】回路基板上６にマトリクス状に配列された複数のマイクロＬＥＤを有するディスプレイにて、欠陥ＬＥＤの交換又は除去する方法は、欠陥ＬＥＤ４ｘと回路基板との接触領域とをレーザビーム１２により選択的に加熱する工程を含む。この加熱工程と同時に、除去又は再配置すべきマイクロＬＥＤが真空吸着ノズル８により剥離される。また交換するマイクロＬＥＤを再配置する場合、回路基板上に再配置すべきマイクロＬＥＤは、真空吸引ノズルの先端に保持された後に再配置され、レーザビームにより選択的に加熱するされ回路基板上に再実装される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

接触領域（５）において回路基板（６）に接続された電子部品（４ｘ）を除去及び又は再配置する方法であって、
ａ）除去又は再配置すべき前記電子部品（４ｘ）と、前記電子部品（４ｘ）と前記回路基板（６）との前記接触領域（５）とをレーザビーム（１２）により選択的に加熱する工程と、
ｂ）前記回路基板（６）から／に前記電子部品（４ｘ）を除去又は再配置する工程と、
を備え、
前記工程ｂ）は、前記電子部品（４ｘ）の近傍に真空吸引ノズル（８）を位置決めして、前記電子部品（４ｘ）を真空吸引により除去又は再配置する工程を含む、方法。

【請求項2】

請求項１に記載の方法であって、
前記レーザビーム（１２）は、前記真空吸引ノズル（８）を介して前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）に方向付けられる、方法。

【請求項3】

請求項１又は請求項２に記載の方法であって、さらに、
前記加熱する工程ａ）の間の温度を制御するために前記工程ａ）の間の温度を測定する工程を備える、方法。

【請求項4】

請求項３に記載の方法であって、
前記測定される温度が変化したとき、前記工程ａ）の加熱を停止する、方法。

【請求項5】

請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）とその接触領域（５）とをプロセスガスに曝す、方法。

【請求項6】

請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記接触領域（５）には、前記レーザビーム（１２）によって加熱されるコンタクトパッドが設けられている、方法。

【請求項7】

請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）は、回路基板（８）に半田付けされている、方法。

【請求項8】

請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記再配置工程ｂ）の間、前記電子部品（４ｘ）は、前記真空吸引ノズル（８）の先端に保持され、その後、その接触領域（５）又はコンタクトパッド上に適切に配置される、方法。

【請求項9】

請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記加熱工程ａ）の前に、前記電子部品（４ｘ）の除去又は再配置を行うか否かを識別する画像認識処理を行う、方法。

【請求項10】

請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記除去又は再配置すべき電子部品は、ＬＥＤであり、特にマイクロＬＥＤ（４ｘ）である、方法。

【請求項11】

請求項８に記載の方法であって、
前記ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤ（４ｘ）は、他のＬＥＤ又はマイクロＬＥＤ（４）と共にマトリクス状に配置され、
前記加熱工程ａ）の前に、前記除去又は再配置すべきＬＥＤ又はマイクロＬＥＤ（４ｘ）を識別するために、前記回路基板（６）に電力が供給される、方法。

【請求項12】

請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の方法を実行する装置であって、
レーザビームエミッタ（１１）と、
前記回路基板（６）から／に電子部品（４ｘ）を除去及び／又は再配置する除去／再配置手段（２）と、
前記レーザビームエミッタ（１１）から前記レーザビーム（１２）を前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）に方向付けて前記除去すべき電子部品（４ｘ）を加熱し、前記除去／再配置手段（２）を制御して前記加熱された電子部品（４ｘ）を前記回路基板（６）から／に除去又は再配置する制御及び駆動手段（１４）と、
を備え、
前記除去／再配置手段（２）は、吸引口（１０）を有する真空吸引ノズル（８）である、装置。

【請求項13】

請求項１２に記載の装置であって、
前記レーザビームエミッタ（１１）からのレーザビーム（１２）は、前記真空吸引ノズル（８）及び前記吸引口（１０）を介して前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）に方向付けられる、装置。

【請求項14】

請求項１２に記載の装置であって、
前記レーザビームエミッタ（１１）は、前記真空吸引ノズル（８）の外側に固定的に取り付けられている、装置。

【請求項15】

請求項１２から請求項１４までのいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）の温度と前記接触領域（５）の温度とを測定する温度センサ（１６）を備え、
前記温度センサ（１６）は、前記制御及び駆動手段（１４）に接続されている、装置。

【請求項16】

請求項１５に記載の装置であって、
前記温度センサは、ＩＲ温度センサ（１６）である、装置。

【請求項17】

請求項１６に記載の装置であって、
前記ＩＲ温度センサ（１６）は、前記除去又は再配置すべき電子部品（４ｘ）の近傍に終端を有する導光ファイバ（２０）を含む、装置。

【請求項18】

請求項１２から請求項１７までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記制御及び駆動手段（１４）は、前記真空吸引ノズル（８）と前記レーザビーム（１２）とを平面内に位置決めするよう構成されている、装置。

【請求項19】

請求項１２から請求項１８までのいずれか一項に記載の装置であって、
再配置のために、前記吸引口（１０）は、再配置すべき電子部品４ｘが前記真空吸引ノズル８の先端に保持されるように構成されている、装置。

【請求項20】

請求項１２から請求項１９までのいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記電子部品（４ｘ）を除去又は再配置すべきかを識別するための画像認識手段（２６）を備える、装置。

【請求項21】

請求項１２から請求項２０までのいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
前記回路基板（６）に電力を供給する手段を備える、装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、請求項１および請求項１２に記載の、回路基板から電子部品を除去及び／又は回路基板上に電子部品を再配置する方法及び装置に関する。

【背景技術】

【0002】

平面状の回路基板上にマトリクス状に配置された複数のミニＬＥＤ又はマイクロＬＥＤを有するディスプレイ技術の分野では、欠陥があるＬＥＤを交換又は除去する作業、若しくは回路基板上に誤配置又は誤構成されたＬＥＤを再配置又は再構成する作業が必要とされることが多い。これは、通常、欠陥があるＬＥＤを加熱し、次いで把持ツールを用いてこれを機械的に除去又は再配置することによって行われる。加熱は、高温窒素又は接触加熱によって行われる。

【0003】

ＫＲ１０１８９０９３４Ｂ１には、レーザビームを用いて欠陥があるマイクロＬＥＤを加熱し、真空ピペットのような把持具でこれを除去する方法が開示されている。このようなシステムの欠点は、加熱レーザをｘ－ｙ平面内で位置決めする必要がある一方、把持ツールをｘ－ｙ－ｚ空間内で位置決めする必要がある点である。このため処理速度が低下する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

したがって、本発明の目的は、基板から電子部品を除去し及び／又は基板上に電子部品を再配置するための方法及び装置であって、処理速度を向上させることができると共に簡単なツール設計を使用できる方法及び装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

この目的は、請求項１に記載の方法及び請求項１２に記載の装置により解決される。

【0006】

除去／再配置方法は、欠陥がある又は誤配置された電子部品と、この電子部品と回路基板との接触領域とを、レーザビームにより選択的に加熱する工程を含む。この加熱工程と同時に、除去又は再配置すべき電子部品が真空吸引される。レーザ加熱及び真空吸引により、除去又は再配置すべき電子部品が回路基板から剥離すると、電子部品が回路基板から吸引される。これは、欠陥電子部品を除去するための真空吸引ノズルと、この真空吸引ノズルを介して加熱レーザビームを欠陥部品上に導くレーザビームエミッタとを用いることによって達成される。再配置の際には、再配置すべき電子部品を真空吸引ノズルの先端に保持し、回路基板上に再配置して再実装する。

【0007】

レーザビームによる加熱と真空吸引ノズルによる除去の際の位置決めは、いずれもｘ－ｙ平面内で行えばよく、すなわち、ｚ平面内の移動は不要である。これにより、処理速度が向上する。

【0008】

好ましくは、レーザビームは、真空吸引ノズルを介して方向付けされる。これにより、真空吸引ノズルを位置決めすることにより、同時にレーザビームが正しいスポット上に位置決めされる。

【0009】

これに代えて、レーザビームを真空吸引ノズルの外側に取り付け、レーザビームを側面から真空ノズルの吸引口の下の欠陥がある又は誤配置された部品の位置に方向付けしてもよい。ここでも、部品を除去するために、１つの装置のみをｘ－ｙ平面内で位置決めすればよい。

【0010】

従来の修理プロセスとは異なり、ツール開口部が部品の外側輪郭よりも大きく、このため、剥離した部品が真空チャネルを通過できる。

【0011】

再配置の場合、真空吸引ノズルの外形は、電子部品が真空吸引ノズルの先端に保持されるように構成される。これは、真空吸引ノズルの開口を電子部品の直径より小さくすること及び／又は電子部品の外形に適合させることによって達成できる。真空吸引ノズルを使用して、アダプタの除去と再配置の両方を行うために、電子部品の除去に使用される真空吸引ノズル上に手動又は自動でアダプタを取り付けてもよい。これに代えて、電子部品を取り出す真空吸引ノズルの先端に、電子部品を保持又は捕捉するためのグリッド又は他の手段を設けてもよい。

【0012】

その後、先端に電子部品を保持する真空吸引ノズルを回路基板に接近させることにより、電子部品を回路基板上に再配置する。このため、真空吸引ノズルは、その長手方向軸線に対して回転可能であることが好ましい。これに代えて、真空吸引ノズルの長手軸線に対して回路基板を回転可能にしてもよい。

【0013】

更に、本発明に係る装置は、回路基板上に電子部品を再実装する手段、例えば、半田又は接着剤を塗布する手段を備えてもよい。これに代えて、電子部品の接触領域に既に半田が存在し、電子部品の加熱中に液化した半田を用いて、液化した半田が固化するまで電子部品を接触領域に保持してもよい。これにより、誤配置された電子部品を再配置して回路基板に再実装できる。

【0014】

好ましくは、加熱工程中に、欠陥がある又は誤配置された電子部品の温度及びその位置における温度を測定して、加熱工程中にレーザビームを用いて温度を制御する。これにより、欠陥部品の位置において熱及び温度が過剰になることはなく、欠陥部品の位置での回路基板の焼損が回避される。

【0015】

好ましい実施形態では、測定温度が変化したとき、加熱が停止される。この温度の著しい変化は、電子部品の熱エネルギが回路基板に放散されなくなったため、欠陥部品が真空吸引によって基板から取り外されたことを示している。レーザビームを停止することにより、基板の焼損が回避される。

【0016】

温度は、好ましくは、加熱スポットに接触することなく、適切な光学系を有するＩＲセンサによって測定される。ＩＲセンサは、ビームスプリッタを使用して、レーザ相互作用領域の外側又は光レーザ経路の一部のいずれかに配置できる。

【0017】

あるいは、温度センサは、加熱スポットの近傍に位置する自由端を有する導光ファイバを備える。これによっても、加熱スポットの温度を測定できる。

【0018】

好ましい実施形態では、半田の酸化を回避するために及び／又は回路基板からの欠陥部品の除去プロセスに積極的に影響を与えるために、加熱スポットにプロセスガスが受動的又は能動的に適用される。

【0019】

他の好ましい実施形態では、装置は、電子部品の欠陥又は回路基板上への誤配置を検出できる画像認識手段を備えていてもよい。このため、画像認識手段は、電子部品が接触領域に適切に配置されている場合、すなわち、電子部品が意図された接触領域に対して位置ずれ又は回転しておらず、リードのタブ等の電子部品の接点が回路基板上の意図されたコンタクトパッド上に配置されている場合、電子部品自体に欠陥があると識別できる。電子部品が回路基板上に適切に配置されていない場合、すなわち、電子部品が意図された接触領域に対して位置ずれ又は回転している又は電子部品の接点が回路基板上の意図されたコンタクトパッド上に配置されていない場合、電子部品が誤配置されていると識別される。

【0020】

回路基板上の電子部品がＬＥＤ又はマイクロＬＥＤである場合、画像認識手段は、ＬＥＤ又はマイクロＬＥＤのマトリクスを点灯させることにより、除去又は再配置すべきＬＥＤ又はマイクロＬＥＤを事前に識別してもよい。その後、光を発していないＬＥＤやマイクロＬＥＤを欠陥又は誤配置と識別する。

【0021】

更なる下位請求項は、更なる好ましい実施形態を対象とする。

【0022】

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明の第１の実施形態に基づく欠陥を有する又は誤配置されたマイクロＬＥＤを含むマイクロＬＥＤのマトリクス及び除去／再配置ツールを示す図である。

【図2】レーザビームが真空吸引ノズルを介して方向付けされる本発明の第１の実施形態の詳細を示す断面図である。

【図3】レーザビームが側方から吸引ノズル開口の下のスポットに方向付けられる本発明の第２の実施形態を表す断面図である。

【図4】光学系が加熱スポットに方向付けられたＩＲ温度センサを備える第３の実施形態を表す図である。

【図5】自由端が加熱スポットの近傍に位置する導光ファイバを備えたＩＲ温度センサを備える第４の実施形態を表す図である。

【図6】ビームスプリッタによってレーザ経路内に結合されたＩＲ温度センサを備える第５の実施形態を表す図である。

【図7】本発明の第１及び第３の実施形態における様々な構成要素の相互接続を示す概略図である。

【図8】カメラと処理ユニットとから構成される画像認識手段を備える第６の実施形態を表す図である。

【図9】本発明の第７の実施形態における回路基板上の電子部品を再配置するための方法の工程を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

図１及び図２は、本発明の第１の実施形態を示している。図２は、本発明の第１の実施形態の詳細な断面図である。電子部品除去／再配置ツール２は、除去又は再配置すべき欠陥又は誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘの上方に位置決めされる。欠陥マイクロＬＥＤ４ｘ及び他の複数のマイクロＬＥＤ４は、図１に示すように、回路基板６上の接触領域５にマトリクス状に配置され、例えば、半田によって回路基板６に取り付けられている。マイクロＬＥＤ４ｘが誤配置された場合、マイクロＬＥＤ４ｘは、回路基板６上の意図する接触領域５上に適切に配置されず、このため、回路基板６に電力が供給されてもマイクロＬＥＤ４ｘは点灯しない。

【0025】

除去ツール２は、除去又は再配置すべきマイクロＬＥＤ４上に位置する吸引口１０を有する真空吸引ノズル８を備える。また、除去／再配置ツール２は、レーザビームエミッタ１１を備え、真空吸引ノズル８の中心を介して及び吸引口１０を介して、加熱用レーザビーム１２を除去又は再配置すべきマイクロＬＥＤ４ｘ上に方向付ける。レーザビーム１２からの熱により、マイクロＬＥＤ４ｘが回路基板６から剥離され、剥離されたマイクロＬＥＤ４ｘが真空吸引ノズル８に吸引されて回路基板６から除去される。再配置の場合、マイクロＬＥＤ４ｘは、真空吸引ノズル８の先端に保持され、真空吸引ノズル８内に吸い込まれないように設計されている。このため、真空吸引ノズル８にアダプタを手動又は自動で取り付けてもよく、他のノズルを用いてもよい。除去／再配置ツール２の位置決め、真空吸引、及びレーザビームエミッタ１１の制御は、制御及び駆動手段１４によって行われる。制御及び駆動手段１４は、真空吸引ノズル８の先端に保持されたマイクロＬＥＤ４ｘを回転させることができることが好ましい。レーザビーム１２は、径が小さく、集光できるため、欠陥がある又は誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘとその接触領域５のみを加熱できる。これにより、隣接するマイクロＬＥＤ４の焼損が回避される。除去プロセスの間、除去ツール２は、ｘ－ｙ平面内のみで位置決めされ、ｚ方向への移動は不要である。このため、除去速度が高められる。なお、真空吸引ノズル８の先端に保持されたマイクロＬＥＤ４ｘを回路基板６上に再配置する場合は、真空吸引ノズル８が回路基板６に接近し、マイクロＬＥＤ４ｘを目的の接触領域５上に適切に再配置する。その後、再配置されたマイクロＬＥＤ４ｘは、例えば半田を塗布して回路基板６上に再実装される。これに代えて、接触領域５に既に存在し、マイクロＬＥＤ４の加熱中に液化した半田を再実装に使用し、液化した半田が固化するまでマイクロＬＥＤ４ｘを接触領域に保持してもよい。

【0026】

図３は、図２と同様の断面図であり、本発明の第２の実施形態を示す。図３に示す第２の実施形態では、レーザビーム１２は、真空吸引ノズル８の外側から吸引口１０の下の領域に導かれる。これは、除去ツール２の外側にレーザビームエミッタ１１を固定的に取り付け、吸引口１０の下方領域にレーザビーム１２を方向付けることによって達成される。これにより、真空吸引ノズル８の位置決めと同時に、除去又は再配置すべき欠陥がある又は誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘ上にレーザビーム１２が位置決めされる。他の全ての特徴は、第１の実施形態の特徴と同じである。

【0027】

図４は、本発明の第３の実施形態を示す概略図である。第１の実施形態の特徴に加えて、ＩＲ温度センサ１６は、欠陥がある又は誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘ及びその近傍の温度を非接触で測定するためのＩＲ光学系１８を備える。加熱工程中に欠陥がある又は誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘの温度を測定することにより、制御及び駆動手段１４を介してレーザビームエミッタ１１から放出される熱エネルギを制御することによって除去プロセス中の温度を制御できる。

【0028】

図５に示す第４の実施形態では、ＩＲ光学系１８に代えて、モノフィラメント導光ファイバ２０がＩＲ温度センサ１６に接続され、導光ファイバ２０の自由端が、加熱されるマイクロＬＥＤ４ｘの近傍に配置される。

【0029】

ＩＲ温度センサ１６によって測定される温度は、欠陥マイクロＬＥＤ４ｘが液体半田と共に回路基板６から剥離すると、大きく変化することが分かった。この急激な温度変化は、熱エネルギがマイクロＬＥＤ４ｘから回路基板に放散されなくなったために現れるものであり、これを指標として用いて、加熱プロセスを停止させ、すなわち、レーザビーム１２の出射を数ミリ秒以内に停止させ、これにより、回路基板６又は非欠陥マイクロＬＥＤ４の焼損が回避される。

【0030】

温度は、好ましくは、加熱スポット、除去又は再配置すべきマイクロＬＥＤ４ｘに接触することなく、適切な光学系１８を有するＩＲセンサ１６によって測定される。ＩＲセンサ１６は、除去ツール２の外側に配置され、ＩＲ放射は、図３、図４及び図５に示すように、除去ツール２の外側からＩＲセンサに導かれ、又は図６に示すように、ビームスプリッタ２５を用いて、レーザビーム１２の外側の真空吸引ノズル８の内側から導かれる。

【0031】

図６は、光学系１８によって、真空吸引ノズル８の外側から吸引口１０の下の除去すべきマイクロＬＥＤ４ｘにＩＲ放射を方向付けることに代えて、ビームスプリッタ２５によってレーザ経路内に結合されたＩＲ温度センサを有する第４の実施形態を表す図である。ビームスプリッタ２５は、レーザビームからのＩＲ放射をフィルタリングし、適切な光学系１８を用いてＩＲ温度センサ１６に反射する。

【0032】

図７は、本発明の第１及び第３の実施形態における様々な構成要素の相互接続を示す概略図である。更に、図７には、加熱された除去すべきマイクロＬＥＤ４ｘに向けてプロセスガス２４を供給するプロセスガスノズル２２が示されている。プロセスガスは、加熱工程中の液化半田の酸化を回避するのに役立ち、加熱工程中の加熱ダイナミクスを支援することができる。プロセスガスの供給も同様に制御及び駆動手段１４によって制御される。使用されるプロセスガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム又はホルミドガス（ｆｏｒｍｉｄ－ｇａｓ）であってもよい。

【0033】

図８は、通信可能に互いに接続されたカメラ２８と処理ユニット３０とから構成された画像認識手段２６を含む本発明の第６の実施形態を示している。なお、処理ユニット３０は、カメラ２８を制御するものであり、制御及び駆動手段１４に含まれていてもよい。具体的には、画像認識ユニット２６は、欠陥があるマイクロＬＥＤ４ｘと、誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘとを区別できる。この目的のために、回路基板６に電力を供給し、点灯していないマイクロＬＥＤが、欠陥がある又は誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘであると識別するようにしてもよい。この後、画像認識手段２６は、マイクロＬＥＤ４ｘが意図する接触領域５に対して位置ずれ又は回転している場合、又はマイクロＬＥＤ４ｘの接点が意図するコンタクトパッド上に配置されていない場合、マイクロＬＥＤ４ｘが誤配置されていると識別する画像認識処理を行う。マイクロＬＥＤ４ｘが適正に配置されている場合には、画像認識処理により、マイクロＬＥＤ４ｘを欠陥として識別する。

【0034】

図９は、回路基板６上に誤配置されたマイクロＬＥＤ４ｘを再配置するための第７の実施形態を示している。図９（ａ）において、マイクロＬＥＤ４ｘが回路基板６上の専用のコンタクトパッド３１上に適切に配置されていないため、回路基板６に電力が供給されてもマイクロＬＥＤ４ｘは点灯しない。図９（ｂ）において、再配置ツール２は、マイクロＬＥＤ４ｘ上に配置され、レーザビーム１２がマイクロＬＥＤ４ｘに照射され、マイクロＬＥＤ４ｘの下の半田３２を液化させる。一方、マイクロＬＥＤ４ｘは、真空吸引ノズル８により上方に吸引される（図９（ｂ）矢印参照）。図９（ｂ）に示すように、真空吸引ノズル８の吸引口１０は、真空吸引ノズル８の先端でマイクロＬＥＤ４ｘを保持するように構成されている。具体的には、吸引口１０の径は、マイクロＬＥＤ４ｘの直径、すなわち、マイクロＬＥＤ４ｘの筐体の直径よりも小さく設計されている。これにより、マイクロＬＥＤ４ｘ及び半田３２は、真空吸引ノズル８内に吸い込まれない。

【0035】

その後、マイクロＬＥＤ４ｘの接触領域が専用コンタクトパッド３２の真上に位置するように、マイクロＬＥＤ４ｘを位置決めする。この目的のために、マイクロＬＥＤ４ｘを回路基板６と平行な平面に再配置し、回路基板６に対して回転させてもよい。半田３２は、マイクロＬＥＤ４ｘの下に残り、再配置後に、マイクロＬＥＤ４ｘを回路基板６に固定するために再使用できることが好ましい。図９（ｃ）において、マイクロＬＥＤ４ｘは、僅かに左側にずれている。なお、マイクロＬＥＤ４ｘは、図９の（ｃ）の間、真空吸引ノズル８に吸着されている。マイクロＬＥＤ４ｘが適切に配置されると、真空吸引ノズル８、したがって、吸着されたマイクロＬＥＤ４ｘは、回路基板６に向かって接近する（図９（ｄ）の矢印参照）。半田３２が再固化した後、マイクロＬＥＤ４ｘは、回路基板６上に正しく配置され、固化した半田３２によって固定される。

【0036】

図９には示されていないが、真空吸引ノズル８を回路基板６に接近させることなく、マイクロＬＥＤ４ｘを回路基板６上で位置決めしてもよい。これは、マイクロＬＥＤ４ｘが回路基板６に向かって降下するように吸引を停止することによって達成できる。また、真空吸引ノズル８内のフロー方向を逆にして、マイクロＬＥＤ４ｘを回路基板６に向けて吹き付けるようにしてもよい。

【0037】

更なる実施形態では、コンタクトパッド３１は、マイクロＬＥＤ４ｘの側に配置されてもよく、コンタクトパッド３１は、加熱されてもよく、液化した半田３２は、マイクロＬＥＤ４ｘの再配置前に、真空吸引ノズル８内に吸引されてもよい。この実施形態では、電子部品除去／再配置ツール２は、再配置されたマイクロＬＥＤ４ｘを回路基板６に再実装するために半田を塗布する手段を備えていてもよい。

【0038】

マイクロＬＥＤ４、４ｘは、通常、回路基板６に半田付けされている。同様に、接着剤を使用して、マイクロＬＥＤ４、４ｘ又は他の電子部品を回路基板６に取り付けてもよい。

【0039】

様々な実施形態を組み合わせることができる。異なる温度測定構成は、レーザビーム１２を除去すべきマイクロＬＥＤ４ｘに導く異なる方法と組み合わせることができる。同様に、プロセスガスの適用は、上述の組み合わせと組み合わせることができる。同様に、画像認識を異なる実施形態と組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0040】

２ 電子部品除去／再配置ツール
４ マイクロＬＥＤ
４ｘ 除去すべき欠陥があるマイクロＬＥＤ
５ 接触領域
６ 回路基板
８ 真空吸引ノズル
１０ 吸引口
１１ レーザビームエミッタ
１２ レーザビーム
１４ 制御及び駆動手段
１６ ＩＲ温度センサ
１８ 光学系
２０ モノフィラメント導光ファイバ
２２ プロセスガスノズル
２４ プロセスガス
２５ ビームスプリッタ
２６ 画像認識手段
２８ カメラ
３０ 処理ユニット
３１ コンタクトパッド
３２ 半田

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【外国語明細書】