(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022070723
(43)【公開日】2022-05-13
(54)【発明の名称】プリント配線板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20220506BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20220506BHJP
H05K 3/42 20060101ALI20220506BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 T
H05K3/40 K
H05K3/42 610A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020179948
(22)【出願日】2020-10-27
(71)【出願人】
【識別番号】000000066
【氏名又は名称】味の素株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】特許業務法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 真俊
【テーマコード（参考）】
5E316
5E317
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA43
5E316CC02
5E316CC09
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316CC40
5E316CC57
5E316DD17
5E316DD25
5E316DD33
5E316EE31
5E316FF04
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH31
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB11
5E317BB12
5E317CC32
5E317CC33
5E317CD27
5E317CD32
5E317GG16
(57)【要約】
【課題】サンドブラスト処理により効率的に形成できる開口径５０μｍ以上のビアホールと、レーザー処理により形成できる開口径３２μｍ以下のビアホールとを同一の硬化層に備えるプリント配線板の提供。
【解決手段】熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である、プリント配線板。
【選択図】図１３
【解決手段】熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である、プリント配線板。
【選択図】図１３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である、プリント配線板。
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である、プリント配線板。
【請求項2】
前記硬化層の２５℃における弾性率が、１０ＧＰａ以上である、請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項3】
前記硬化層の線熱膨張率が、５０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１又は２に記載のプリント配線板。
【請求項4】
前記硬化層の線熱膨張率が、１７ｐｐｍ／℃以上である、請求項１～３の何れか１項に記載のプリント配線板。
【請求項5】
前記硬化層の厚みが、３μｍ以上である、請求項１～４の何れか１項に記載のプリント配線板。
【請求項6】
前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を含有する、請求項１～５の何れか１項に記載のプリント配線板。
【請求項7】
前記樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量が、前記樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８質量％以上４０質量％以下である、請求項６に記載のプリント配線板。
【請求項8】
前記樹脂組成物が、さらに、無機充填材を含有する、請求項１～７の何れか１項に記載のプリント配線板。
【請求項9】
前記樹脂組成物中の無機充填材の含有量が、前記樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、４０質量％以上７７質量％以下である、請求項８に記載のプリント配線板。
【請求項10】
請求項１～９の何れか１項に記載のプリント配線板を含む半導体装置。
【請求項11】
熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるプリント配線板の製造方法であって、
前記硬化層に対してサンドブラスト処理を施し、前記硬化層に前記第一ビアホールを形成する工程と、前記第一ビアホール形成後の前記硬化層に向けてレーザーを照射し、前記硬化層に前記第二ビアホールを形成する工程と、を含むプリント配線板の製造方法。
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるプリント配線板の製造方法であって、
前記硬化層に対してサンドブラスト処理を施し、前記硬化層に前記第一ビアホールを形成する工程と、前記第一ビアホール形成後の前記硬化層に向けてレーザーを照射し、前記硬化層に前記第二ビアホールを形成する工程と、を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項12】
さらに、前記第二ビアホール形成後のプリント配線板にデスミア処理を行う工程を含む請求項１１に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ビアホールを備えるプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、プリント配線板のパッケージ構造の複雑化・高密度化に伴い、ソルダーレジスト（絶縁層）に形成されるビアホールの開口径はより小さく、またビアホールの開口間の距離はより狭くなってきており（狭ピッチ化）、従来一般的に用いられてきた光硬化性のソルダーレジストでは絶縁信頼性の担保が難しくなってきた。
【0003】
また一方で、ソルダーレジスト（絶縁層）の同一平面上に異なるサイズの開口のビアホール（すなわち大きな開口のビアホールと小さな開口のビアホールの両方）を有する構造体の需要も高まっている。
【0004】
熱硬化性のソルダーレジスト（絶縁層）は、光硬化性のソルダーレジスト（絶縁層）に比べ、絶縁信頼性が高くなることが知られているが、これまでのところ、ビアホール加工性の側面や同一平面上の基板処理の技術的側面から、熱硬化性のソルダーレジスト（絶縁層）において大きな開口のビアホールと小さな開口のビアホールとを高密度で同一層に形成させることができる工業的に利用可能な方法は知られていない（特許文献１～３）。
【0005】
また、熱硬化性のソルダーレジスト（絶縁層）では、クラックの発生率や反りが大きくなる傾向があり、この課題を克服する必要もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１８－０３２７５２号公報（特願２０１６－１６４４３１）
【特許文献2】特開２０１０－１２３６３２号公報（特願２００８－２９３７９３）
【特許文献3】特開２００９－１１９８７９号公報（特願２００９－０５１６３６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成された絶縁信頼性の比較的高い硬化層（絶縁層）において、クラックの発生及び反りを抑制しつつ、サンドブラスト処理による大きな開口のビアホールとレーザー処理による小さな開口のビアホールとを効率的に同一の硬化層に形成可能な条件を見出し、サンドブラスト処理により効率的に形成できる開口径５０μｍ以上（大きな開口）のビアホールと、レーザー処理により形成できる開口径３２μｍ以下（小さな開口）のビアホールとを同一の硬化層に備えるプリント配線板と、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討を行った。その結果、本発明者は、硬化層の厚みを２５μｍ以下、硬化層の２５℃における弾性率を５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下に設定することにより、クラックの発生及び反りを抑制しつつ、サンドブラスト処理による大きな開口のビアホールとレーザー処理による小さな開口のビアホールとを効率的に同時に形成可能であることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、下記を含む。
【0009】
［１］ 熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である、プリント配線板。
［２］ 前記硬化層の２５℃における弾性率が、１０ＧＰａ以上である、上記［１］に記載のプリント配線板。
［３］ 前記硬化層の線熱膨張率が、５０ｐｐｍ／℃以下である、上記［１］又は［２］に記載のプリント配線板。
［４］ 前記硬化層の線熱膨張率が、１７ｐｐｍ／℃以上である、上記［１］～［３］の何れかに記載のプリント配線板。
［５］ 前記硬化層の厚みが、３μｍ以上である、上記［１］～［４］の何れかに記載のプリント配線板。
［６］ 前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を含有する、上記［１］～［５］の何れかに記載のプリント配線板。
［７］ 前記樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量が、前記樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８質量％以上４０質量％以下である、上記［６］に記載のプリント配線板。
［８］ 前記樹脂組成物が、さらに、無機充填材を含有する、上記［１］～［７］の何れかに記載のプリント配線板。
［９］ 前記樹脂組成物中の無機充填材の含有量が、前記樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、４０質量％以上７７質量％以下である、上記［８］に記載のプリント配線板。
［１０］ 上記［１］～［９］の何れかに記載のプリント配線板を含む半導体装置。
［１１］ 熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるプリント配線板の製造方法であって、
前記硬化層に対してサンドブラスト処理を施し、前記硬化層に前記第一ビアホールを形成する工程と、前記第一ビアホール形成後の前記硬化層に向けてレーザーを照射し、前記硬化層に前記第二ビアホールを形成する工程と、を含むプリント配線板の製造方法。
［１２］ さらに、前記第二ビアホール形成後のプリント配線板にデスミア処理を行う工程を含む上記［１１］に記載のプリント配線板の製造方法。
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である、プリント配線板。
［２］ 前記硬化層の２５℃における弾性率が、１０ＧＰａ以上である、上記［１］に記載のプリント配線板。
［３］ 前記硬化層の線熱膨張率が、５０ｐｐｍ／℃以下である、上記［１］又は［２］に記載のプリント配線板。
［４］ 前記硬化層の線熱膨張率が、１７ｐｐｍ／℃以上である、上記［１］～［３］の何れかに記載のプリント配線板。
［５］ 前記硬化層の厚みが、３μｍ以上である、上記［１］～［４］の何れかに記載のプリント配線板。
［６］ 前記樹脂組成物が、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を含有する、上記［１］～［５］の何れかに記載のプリント配線板。
［７］ 前記樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量が、前記樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、８質量％以上４０質量％以下である、上記［６］に記載のプリント配線板。
［８］ 前記樹脂組成物が、さらに、無機充填材を含有する、上記［１］～［７］の何れかに記載のプリント配線板。
［９］ 前記樹脂組成物中の無機充填材の含有量が、前記樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、４０質量％以上７７質量％以下である、上記［８］に記載のプリント配線板。
［１０］ 上記［１］～［９］の何れかに記載のプリント配線板を含む半導体装置。
［１１］ 熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層を備え、
前記硬化層が、前記硬化層の一方の面に開口径５０μｍ以上の第一開口部を有し且つ前記第一開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第一ビアホールと、前記面に開口径３２μｍ以下の第二開口部を有し且つ前記第二開口部から前記硬化層を貫通するように形成された第二ビアホールと、を備え、
前記硬化層の厚みが、２５μｍ以下であり、
前記硬化層の２５℃における弾性率が、５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるプリント配線板の製造方法であって、
前記硬化層に対してサンドブラスト処理を施し、前記硬化層に前記第一ビアホールを形成する工程と、前記第一ビアホール形成後の前記硬化層に向けてレーザーを照射し、前記硬化層に前記第二ビアホールを形成する工程と、を含むプリント配線板の製造方法。
［１２］ さらに、前記第二ビアホール形成後のプリント配線板にデスミア処理を行う工程を含む上記［１１］に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成された絶縁信頼性の比較的高い硬化層において、クラックの発生及び反りを抑制しつつ、サンドブラスト処理による大きな開口のビアホールとレーザー処理による小さな開口のビアホールとを効率的に同一の硬化層に形成可能な条件を見出したことにより、サンドブラスト処理により効率的に形成できる開口径５０μｍ以上（大きな開口）のビアホールと、レーザー処理により形成できる開口径３２μｍ以下（小さな開口）のビアホールとを同一の硬化層に備えるプリント配線板と、その製造方法を提供できる。
【0011】
このように、絶縁信頼性の比較的高い材料を用いて開口径の異なるビアホールを同一の硬化層に備えるプリント配線板の製造を実現したことにより、これまで以上に複雑で且つ精密な半導体装置の設計が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。ただし、本発明は、下記実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施され得る。
【0014】
＜プリント配線板＞
図１０は、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。本発明の一実施形態に係るプリント配線板は、図１０に示す例のように、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層３０を備える。硬化層３０は、第一ビアホール７０と、第二ビアホール８０と、を備える。樹脂組成物の成分として熱硬化性樹脂を用いて硬化層３０を形成することにより、光硬化性樹脂を用いて形成した一般的な従来の硬化層に比べ、絶縁信頼性を向上させることができる。これにより、本発明のプリント配線板では、ビアホール間のピッチをより狭く設計することができる。
図１０は、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。本発明の一実施形態に係るプリント配線板は、図１０に示す例のように、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を熱硬化して形成される硬化層３０を備える。硬化層３０は、第一ビアホール７０と、第二ビアホール８０と、を備える。樹脂組成物の成分として熱硬化性樹脂を用いて硬化層３０を形成することにより、光硬化性樹脂を用いて形成した一般的な従来の硬化層に比べ、絶縁信頼性を向上させることができる。これにより、本発明のプリント配線板では、ビアホール間のピッチをより狭く設計することができる。
【0015】
第一ビアホール７０は、硬化層３０の一方の面（第二開口部８１と同一の面）に第一開口部７１を有し且つ第一開口部７１から硬化層３０を貫通するように形成されている。第一ビアホール７０は、レーザーで加工するには開口径が大きいため、通常、サンドブラスト処理により形成されるものであり得る。
【0016】
第一ビアホール７０における第一開口部７１の開口径は、５０μｍ以上であり、サンドブラスト処理による加工の容易さの観点から、好ましくは７０μｍ以上であり、より好ましくは９０μｍ以上である。サンドブラスト処理では通常開口径５０μｍ未満の開口部を有するビアホールの形成は通常困難である。第一開口部７１の開口径の上限は、特に限定されるものではないが、例えば、１００００μｍ以下、５０００μｍ以下、１０００μｍ以下、５００μｍ以下等であり得る。第一開口部７１の形状は、円形、略三角形、略四角形（略正方形、略長方形を含む）等、特に限定されるものではなく、第一開口部７１の開口径は、その最短径（直径）を意味する。
【0017】
第一ビアホール７０の最小ピッチは、硬化物の絶縁信頼性が従来のものより高いことからより狭く設定することができ、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。第一ビアホール７０の最小ピッチは、ある第一開口部７１の中心（重心）から同一の硬化層３０の面にある最も近い別の第一開口部７１の中心（重心）までの最短の距離である。
【0018】
第一ビアホール７０は、硬化層３０の一方の面にある第一開口部７１から第一開口部７１とは反対側の硬化層３０の他方の面にあるその貫通口部まで形成されている。したがって、第一ビアホール７０の深さは、硬化層３０の厚みＴ３０（図３参照）と同一であり得る。第一ビアホール７０は、例えば、硬化層３０の一方の面にある第一開口部７１から第一開口部７１とは反対側の硬化層３０の他方の面にあるその貫通口部に向けて径が狭くなるテーパ形状であり得る。
【0019】
第二ビアホール８０は、硬化層３０の一方の面（第一開口部７１と同一の面）に第二開口部８１を有し且つ第二開口部８１から硬化層３０を貫通するように形成されている。第二ビアホールは、サンドブラストで加工するには開口径が小さいため、通常、レーザー処理により形成されるものであり得る。
【0020】
第二ビアホール８０における第二開口部８１の開口径は、開口径３２μｍ以下である。第二開口部８１の開口径の下限は、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等であり得る。第二開口部８１の形状は、特に限定されるものではないが、一実施形態においてレーザー処理により形成されるものであるため、好ましくは円形であり得、第二開口部８１の開口径は、その最短径（直径）を意味する。
【0021】
第二ビアホール８０の最小ピッチは、硬化物の絶縁信頼性が従来のものより高いことからより狭く設定することができ、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。第二ビアホール８０の最小ピッチは、ある第二開口部８１の中心（重心）から同一の硬化層３０の面にある最も近い別の第二開口部８１の中心（重心）までの最短の距離である。第二ビアホール８０の最小ピッチは、第一ビアホール７０の最小ピッチより小さくてもよく、大きくてもよく、同じでもよい。
【0022】
第二ビアホール８０は、硬化層３０の一方の面にある第二開口部８１から第二開口部８１とは反対側の硬化層３０の他方の面にあるその貫通口部まで形成されている。したがって、第二ビアホール８０の深さは、硬化層３０の厚みＴ３０（図３参照）と同一であり得る。第二ビアホール８０は、例えば、硬化層３０の一方の面にある第二開口部８１から第二開口部８１とは反対側の硬化層３０の他方の面にあるその貫通口部に向けて径が狭くなるテーパ形状であり得る。
【0023】
硬化層３０の厚みＴ３０は、２５μｍ以下であり、好ましくは２２μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下であり得る。硬化層３０の厚みＴ３０が２５μｍを上回る場合、ビアホールの形成が困難となり得る。硬化層３０の厚みＴ３０の下限は、求められる層間絶縁性を確保する観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であり得る。
【0024】
硬化層３０の２５℃における弾性率は、５ＧＰａ以上であり、サンドブラスト加工性をより向上させる観点から、好ましくは８ＧＰａ以上、より好ましくは１０ＧＰａ以上である。弾性率が５ＧＰａを下回るとサンドブラスト処理による第一ビアホール７０の形成が困難となり得る。硬化層３０の２５℃における弾性率の上限は、１５ＧＰａ以下である。弾性率が１５ＧＰａを上回ると硬化層３０の反りが大きくなり得る。硬化層３０の２５℃における弾性率は、下記試験例１に記載の方法により測定できる。
【0025】
硬化層３０の線熱膨張率は、さらに硬化層３０のクラック発生を抑制する観点から、好ましくは５０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは４０ｐｐｍ／℃以下である。硬化層３０の線熱膨張率の下限は、例えば、１０ｐｐｍ／℃以上、１５ｐｐｍ／℃以上、１７ｐｐｍ／℃以上等とし得る。硬化層３０の線熱膨張率は、下記試験例２に記載の方法により測定できる。
【0026】
本発明のプリント配線板は、一実施形態において、硬化層３０に加えてさらに、支持基板１１と、支持基板１１上の少なくとも一部に設けられた導体層１２とを有する回路基板１０を備える。当該実施形態において、硬化層３０は、導体層１２を覆うようにして回路基板１０上に設けられている。
【0027】
当該実施形態において、第一ビアホール７０は、硬化層３０における回路基板１０が接する側とは反対側の面の第一開口部７１から硬化層３０を貫通して回路基板１０の導体層１２の表面に到達するように形成され、第二ビアホール８０は、硬化層３０における回路基板１０が接する面とは反対側の面の第二開口部８１から硬化層３０を貫通して回路基板１０の導体層１２の表面に到達するように形成される。
【0028】
図１１は、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。本発明のプリント配線板は、一実施形態において、図１１に示す例のように、第一開口部７１から貫通口部がある回路基板１０の導体層１２の表面までの第一ビアホール７０内と、第二開口部８１から貫通口部がある回路基板１０の導体層１２の表面までの第二ビアホール８０内と、に導体層１２’が形成されている。
【0029】
本発明のプリント配線板は、当該実施形態において、さらに、第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上に、第一ビアホール７０内から連続して導体層１２’が形成され、第二ビアホール８０外の第二開口部８１の面上に第二ビアホール８０から連続して導体層１２’が形成されている。当該実施形態において、第一開口部７１又は第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’は、それぞれ、第一ビアホール７０内又は第二ビアホール８０内に形成された導体層１２’を介して、予め形成されている回路基板１０における導体層１２と電気的に導通している。当該実施形態において、さらに、硬化層３０の回路基板１０と接する側とは反対側の面の少なくとも一部の面上に、第一開口部７１又は第二開口部８１の面上の導体層１２’と連続的に導体層１２’が形成されている。
【0030】
図１２は、本発明の一実施形態に係るプリント配線板の更に別の一例を模式的に示す断面図である。本発明のプリント配線板は、当該実施形態において、図１２に示す例のように、さらに、第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’の表面上に第一半田ボール９０ａが形成され、第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’の表面上に第二半田ボール９０ｂが形成されている。第一半田ボール９０ａは、第二半田ボール９０ｂに比べて大きなサイズであり得る。
【0031】
本発明のプリント配線板の製造方法は、下記工程（Ｆ）及び工程（Ｇ）を含む。一実施形態において、さらに下記工程（Ｈ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ｉ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ｊ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ｋ）を含む。一実施形態において、さらに下記工程（Ｅ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ｄ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ｃ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ｂ）を含む。当該実施形態の一実施形態において、さらに下記工程（Ａ）を含む。
【0032】
工程（Ａ）：下記で説明する樹脂組成物に含有させるべき成分を混合及び分散させて、樹脂組成物を準備する工程
工程（Ｂ）：支持体と、支持体上に設けられた樹脂組成物層であって樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を備える樹脂シートを準備する工程
工程（Ｃ）：回路基板１０上に、樹脂シートを、樹脂シートにおける樹脂組成物層が回路基板１０と接合するように積層し、樹脂シート積層板Ｃを準備する工程
工程（Ｄ）：樹脂シート積層板Ｃの樹脂組成物層を熱硬化して、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化層３０を形成する工程
工程（Ｅ）：硬化層形成後の積層板Ｄから支持体を除去する工程
工程（Ｆ）：支持体除去後の積層体Ｅの硬化層３０に対してサンドブラスト処理を施し、硬化層３０に第一ビアホール７０を形成する工程
工程（Ｇ）：第一ビアホール形成後の積層板Ｆ２の硬化層３０に向けてレーザーを照射し、硬化層３０に第二ビアホール８０を形成する工程
工程（Ｈ）：第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇにサンドブラストマスクが残留している場合に、これを除去する任意の工程
工程（Ｉ）：サンドブラストマスク除去後のプリント配線板Ｈ（第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇ）にデスミア処理を行う工程
工程（Ｊ）：デスミア後のプリント配線板Ｉにおける第一開口部７１から回路基板１０までの第一ビアホール７０内と、それと連続的に第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上と、第二開口部８１から回路基板１０までの第二ビアホール８０内と、それと連続的に第二ホール８０外の第二開口部８１の面上と、に新たな導体層１２’を形成する工程
工程（Ｋ）：導体層形成後のプリント配線板Ｊにおける第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’表面上に第一半田ボール９０ａを形成し、第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’表面上に第二半田ボール９０ｂを形成する工程
工程（Ｂ）：支持体と、支持体上に設けられた樹脂組成物層であって樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を備える樹脂シートを準備する工程
工程（Ｃ）：回路基板１０上に、樹脂シートを、樹脂シートにおける樹脂組成物層が回路基板１０と接合するように積層し、樹脂シート積層板Ｃを準備する工程
工程（Ｄ）：樹脂シート積層板Ｃの樹脂組成物層を熱硬化して、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化層３０を形成する工程
工程（Ｅ）：硬化層形成後の積層板Ｄから支持体を除去する工程
工程（Ｆ）：支持体除去後の積層体Ｅの硬化層３０に対してサンドブラスト処理を施し、硬化層３０に第一ビアホール７０を形成する工程
工程（Ｇ）：第一ビアホール形成後の積層板Ｆ２の硬化層３０に向けてレーザーを照射し、硬化層３０に第二ビアホール８０を形成する工程
工程（Ｈ）：第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇにサンドブラストマスクが残留している場合に、これを除去する任意の工程
工程（Ｉ）：サンドブラストマスク除去後のプリント配線板Ｈ（第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇ）にデスミア処理を行う工程
工程（Ｊ）：デスミア後のプリント配線板Ｉにおける第一開口部７１から回路基板１０までの第一ビアホール７０内と、それと連続的に第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上と、第二開口部８１から回路基板１０までの第二ビアホール８０内と、それと連続的に第二ホール８０外の第二開口部８１の面上と、に新たな導体層１２’を形成する工程
工程（Ｋ）：導体層形成後のプリント配線板Ｊにおける第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’表面上に第一半田ボール９０ａを形成し、第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’表面上に第二半田ボール９０ｂを形成する工程
【0033】
本発明のプリント配線板は、さらに下記工程（Ｌ）を経てプリント配線板パッケージＬとすることができる。
【0034】
工程（Ｌ）：半田ボール形成後のプリント配線板Ｋを、それと並行に設置される第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂと、第一半田ボール９０ａ及び第二半田ボール９０ｂを介して電気的に接続し、さらにプリント配線板Ｋと第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂとの層間を封止樹脂１００で封止して、プリント配線板パッケージＬを製造する工程
【0035】
以下、各工程について詳細に説明する。
【0036】
＜（Ａ）樹脂組成物の準備工程＞
工程（Ａ）では、下記で説明する樹脂組成物に含有させるべき成分を混合及び分散させて、樹脂組成物を準備する。
工程（Ａ）では、下記で説明する樹脂組成物に含有させるべき成分を混合及び分散させて、樹脂組成物を準備する。
【0037】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、例えば、下記で説明する樹脂組成物に含有させるべき成分を、任意の調製容器に任意の順で及び／又は一部若しくは全部同時に加えて混合及び分散することによって、製造することができる。各成分を加えて混合する過程で、温度を適宜設定することができ、一時的に又は終始にわたって、加熱及び／又は冷却してもよい。加えて混合する過程において又はその後に、樹脂組成物を、例えば、ミキサーなどの撹拌装置又は振盪装置を用いて撹拌又は振盪し、均一に分散させてもよい。撹拌又は振盪と同時に、真空下等の低圧条件下で脱泡を行ってもよい。
【0038】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂を含有する。このような樹脂組成物を用いることにより、絶縁性に優れる硬化層を得ることができる。また、工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂に加えて、さらに（ｂ）硬化促進剤、（ｃ）熱可塑性樹脂、（ｄ）無機充填材、（ｅ）有機充填材、（ｆ）難燃剤、（ｇ）その他の添加剤、及び（ｈ）有機溶剤を含有していてもよい。以下、工程（Ａ）で準備する樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【0039】
（（ａ）熱硬化性樹脂）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂を含有する。（ａ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂を含有する。（ａ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
【0040】
（（ａ－１）エポキシ樹脂）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂として、（ａ－１）エポキシ樹脂を含有することが好ましい。（ａ－１）エポキシ樹脂とは、エポキシ基を有する樹脂を意味する。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂として、（ａ－１）エポキシ樹脂を含有することが好ましい。（ａ－１）エポキシ樹脂とは、エポキシ基を有する樹脂を意味する。
【0041】
（ａ－１）エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0042】
樹脂組成物は、（ａ－１）エポキシ樹脂として、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、（ａ－１）エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。
【0043】
（ａ－１）エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ－１）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、或いは固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、或いは液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよいが、好適な実施形態では、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含む。
【0044】
液状エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。
【0045】
液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。
【0046】
液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ－５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ－３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ－４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ－７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ－３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４－グリシジルシクロヘキサン）等が挙げられる。
【0047】
固体状エポキシ樹脂としては、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。
【0048】
固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、フェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂、フェノールフタレイン型エポキシ樹脂が好ましい。
【0049】
固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－４７００」、「ＨＰ－４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「Ｎ－６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＨＰ－７２００」、「ＨＰ－７２００ＨＨ」、「ＨＰ－７２００Ｈ」、「ＨＰ－７２００Ｌ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ－７３１１」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ３」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４」、「ＥＸＡ－７３１１－Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ－５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３０００ＦＨ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４８５」（ナフトール型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ３７５」（ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ７８９０」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ７７００」（フェノールアラルキル型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ－１００」、「ＣＧ－５００」；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＷＨＲ９９１Ｓ」（フェノールフタルイミジン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0050】
（ａ－１）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの質量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、好ましくは１：１～１：２０、より好ましくは１：１．５～１：１５、特に好ましくは１：２～１：１０である。
【0051】
（ａ－１）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．である。エポキシ当量は、エポキシ基１当量あたりの樹脂の質量である。このエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ７２３６に従って測定することができる。
【0052】
（ａ－１）エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは１００～５０００、より好ましくは２５０～３０００、さらに好ましくは４００～１５００である。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
【0053】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ａ－１）エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、さらに硬化層のクラック発生を抑制し、サンドブラスト加工性をより向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下、さらに好ましくは５０質量％以下又は４０質量％以下、特に好ましくは３０質量％以下又は２０質量％以下であり、また、その下限は、特に限定されるものではないが、さらに硬化層の反りを抑制する観点から、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上、さらに好ましくは８質量％以上、特に好ましくは１０質量％以上である。
【0054】
（（ａ－２）エポキシ硬化剤）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂として（ａ－１）エポキシ樹脂を含む場合、さらに任意成分として（ａ－２）エポキシ硬化剤を含む場合がある。（ａ－２）エポキシ硬化剤は、（ａ－１）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂として（ａ－１）エポキシ樹脂を含む場合、さらに任意成分として（ａ－２）エポキシ硬化剤を含む場合がある。（ａ－２）エポキシ硬化剤は、（ａ－１）エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。
【0055】
（ａ－２）エポキシ硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、チオール系硬化剤等が挙げられる。中でも、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤が好ましい。（ａ－２）エポキシ硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0056】
活性エステル系硬化剤としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する硬化剤が挙げられる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ－ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。
【0057】
カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。
【0058】
フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、カテコール、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、１，６－ジヒドロキシナフタレン、２，６－ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【0059】
活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン－ジシクロペンチレン－フェニレンからなる２価の構造を表す。
【0060】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ－８０００」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ」、「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、「ＨＰＣ－８０００Ｈ－６５ＴＭ」、「ＥＸＢ－８０００Ｌ－６５ＴＭ」、（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＨＰＣ－８１５０－６２Ｔ」、「ＥＸＢ－８１００Ｌ－６５Ｔ」、「ＥＸＢ－８１５０Ｌ－６５Ｔ」、「ＥＸＢ９４１６－７０ＢＫ」、「ＨＰＣ－８９００－７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。
【0061】
フェノール系硬化剤としては、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）に結合した水酸基を１分子中に１個以上、好ましくは２個以上有する硬化剤が挙げられる。中でも、ベンゼン環に結合した水酸基を有する化合物が好ましい。また、耐熱性及び耐水性の観点からは、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤が好ましい。さらに、密着性の観点からは、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。特に、耐熱性、耐水性、及び密着性を高度に満足させる観点からは、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【0062】
フェノール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ－７７００」、「ＭＥＨ－７８１０」、「ＭＥＨ－７８５１」、「ＭＥＨ－８０００Ｈ」；日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＳＮ－１７０」、「ＳＮ－１８０」、「ＳＮ－１９０」、「ＳＮ－４７５」、「ＳＮ－４８５」、「ＳＮ－４９５」、「ＳＮ－４９５Ｖ」、「ＳＮ－３７５」、「ＳＮ－３９５」；ＤＩＣ社製の「ＴＤ－２０９０」、「ＴＤ－２０９０－６０Ｍ」、「ＬＡ－７０５２」、「ＬＡ－７０５４」、「ＬＡ－１３５６」、「ＬＡ－３０１８」、「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、「ＥＸＢ－９５００」、「ＨＰＣ－９５００」、「ＫＡ－１１６０」、「ＫＡ－１１６３」、「ＫＡ－１１６５」；群栄化学社製の「ＧＤＰ－６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ－６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。
【0063】
カルボジイミド系硬化剤としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のカルボジイミド構造を有する硬化剤が挙げられ、例えば、テトラメチレン－ビス（ｔ－ブチルカルボジイミド）、シクロヘキサンビス（メチレン－ｔ－ブチルカルボジイミド）等の脂肪族ビスカルボジイミド；フェニレン－ビス（キシリルカルボジイミド）等の芳香族ビスカルボジイミド等のビスカルボジイミド；ポリヘキサメチレンカルボジイミド、ポリトリメチルヘキサメチレンカルボジイミド、ポリシクロヘキシレンカルボジイミド、ポリ（メチレンビスシクロヘキシレンカルボジイミド）、ポリ（イソホロンカルボジイミド）等の脂肪族ポリカルボジイミド；ポリ（フェニレンカルボジイミド）、ポリ（ナフチレンカルボジイミド）、ポリ（トリレンカルボジイミド）、ポリ（メチルジイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（トリエチルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（ジエチルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（トリイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（ジイソプロピルフェニレンカルボジイミド）、ポリ（キシリレンカルボジイミド）、ポリ（テトラメチルキシリレンカルボジイミド）、ポリ（メチレンジフェニレンカルボジイミド）、ポリ［メチレンビス（メチルフェニレン）カルボジイミド］等の芳香族ポリカルボジイミド等のポリカルボジイミドが挙げられる。
【0064】
カルボジイミド系硬化剤の市販品としては、例えば、日清紡ケミカル社製の「カルボジライトＶ－０２Ｂ」、「カルボジライトＶ－０３」、「カルボジライトＶ－０４Ｋ」、「カルボジライトＶ－０７」及び「カルボジライトＶ－０９」；ラインケミー社製の「スタバクゾールＰ」、「スタバクゾールＰ４００」、「ハイカジル５１０」等が挙げられる。
【0065】
酸無水物系硬化剤としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する硬化剤が挙げられ、１分子内中に２個以上の酸無水物基を有する硬化剤が好ましい。酸無水物系硬化剤の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５－（２，５－ジオキソテトラヒドロ－３－フラニル）－３－メチル－３－シクロヘキセン－１，２－ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’－４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ－ヘキサヒドロ－５－（テトラヒドロ－２，５－ジオキソ－３－フラニル）－ナフト［１，２－Ｃ］フラン－１，３－ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。酸無水物系硬化剤の市販品としては、新日本理化社製の「ＨＮＡ－１００」、「ＭＨ－７００」、「ＭＴＡ－１５」、「ＤＤＳＡ」、「ＯＳＡ」、三菱ケミカル社製の「ＹＨ－３０６」、「ＹＨ－３０７」、日立化成社製の「ＨＮ－２２００」、「ＨＮ－５５００」等が挙げられる。
【0066】
アミン系硬化剤としては、１分子内中に１個以上、好ましくは２個以上のアミノ基を有する硬化剤が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系硬化剤は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルアニリン）、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、ｍ－フェニレンジアミン、ｍ－キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジヒドロキシベンジジン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３－ジメチル－５，５－ジエチル－４，４－ジフェニルメタンジアミン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４－（４－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４－（３－アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系硬化剤は市販品を用いてもよく、例えば、セイカ社製「ＳＥＩＫＡＣＵＲＥ－Ｓ」、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ Ｃ－１００」、「カヤハードＡ－Ａ」、「カヤハードＡ－Ｂ」、「カヤハードＡ－Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。
【0067】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ－ＯＰ１００Ｄ」、「ＯＤＡ－ＢＯＺ」；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」；四国化成工業社製の「Ｐ－ｄ」、「Ｆ－ａ」などが挙げられる。
【0068】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３－メチレン－１，５－フェニレンシアネート）、４，４’－メチレンビス（２，６－ジメチルフェニルシアネート）、４，４’－エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２－ビス（４－シアネート）フェニルプロパン、１，１－ビス（４－シアネートフェニルメタン）、ビス（４－シアネート－３，５－ジメチルフェニル）メタン、１，３－ビス（４－シアネートフェニル－１－（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４－シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４－シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ－９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡＤＣｙ」（ビスフェノールＡジシアネート）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【0069】
チオール系硬化剤としては、例えば、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３－メルカプトブチレート）、トリス（３－メルカプトプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。
【0070】
（ａ－２）エポキシ硬化剤の反応基当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．～３０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～１０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～５００ｇ／ｅｑ．、特に好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～３００ｇ／ｅｑ．である。反応基当量は、反応基１当量あたりの硬化剤の質量である。反応基は、例えば、フェノール系硬化剤であればフェノール性水酸基である。酸無水物系硬化剤の場合はカルボン酸無水物基（－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－）１当量で反応基２当量に相当する。
【0071】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ａ－２）エポキシ硬化剤の含有量は、特に限定されるものではないが、発明の効果をより顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下、特に好ましくは２０質量％以下であり、また、その下限は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上、特に好ましくは５質量％以上である。
【0072】
（（ｂ）硬化促進剤）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂として、（ａ－１）エポキシ樹脂を含む場合、さらに任意成分として（ｂ）硬化促進剤を含む場合がある。（ｂ）硬化促進剤は、（ａ－１）エポキシ樹脂の硬化を促進させる機能を有する。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、（ａ）熱硬化性樹脂として、（ａ－１）エポキシ樹脂を含む場合、さらに任意成分として（ｂ）硬化促進剤を含む場合がある。（ｂ）硬化促進剤は、（ａ－１）エポキシ樹脂の硬化を促進させる機能を有する。
【0073】
（ｂ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、ウレア系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤等が挙げられ、中でも、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤、及びアミン系硬化促進剤が好ましい。（ｂ）硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0074】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－ヘプタデシルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノエチル－２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加物、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３－ジヒドロ－１Ｈ－ピロロ［１，２－ａ］ベンズイミダゾール、１－ドデシル－２－メチル－３－ベンジルイミダゾリウムクロライド、２－メチルイミダゾリン、２－フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
【0075】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「１Ｂ２ＰＺ」、「２ＭＺＡ－ＰＷ」、「２ＰＨＺ－ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００－Ｈ５０」等が挙げられる。
【0076】
リン系硬化促進剤としては、例えば、テトラブチルホスホニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムアセテート、テトラブチルホスホニウムデカノエート、テトラブチルホスホニウムラウレート、ビス（テトラブチルホスホニウム）ピロメリテート、テトラブチルホスホニウムハイドロジェンヘキサヒドロフタレート、テトラブチルホスホニウム２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノラート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルジメチルホスホニウムテトラフェニルボレート等の脂肪族ホスホニウム塩；メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、エチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、プロピルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ブチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、ｐ－トリルトリフェニルホスホニウムテトラ－ｐ－トリルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラｐ－トリルボレート、トリフェニルエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス（３－メチルフェニル）エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリス（２－メトキシフェニル）エチルホスホニウムテトラフェニルボレート、（４－メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等の芳香族ホスホニウム塩；トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン等の芳香族ホスフィン・ボラン複合体；トリフェニルホスフィン・ｐ－ベンゾキノン付加反応物等の芳香族ホスフィン・キノン付加反応物；トリブチルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２－ブテニル）ホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（３－メチル－２－ブテニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の脂肪族ホスフィン；ジブチルフェニルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、ブチルジフェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ－ｏ－トリルホスフィン、トリ－ｍ－トリルホスフィン、トリ－ｐ－トリルホスフィン、トリス（４－エチルフェニル）ホスフィン、トリス（４－プロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４－イソプロピルフェニル）ホスフィン、トリス（４－ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，５－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（３，５－ジメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６－トリメチルフェニル）ホスフィン、トリス（２，６－ジメチル－４－エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－エトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル－２－ピリジルホスフィン、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３－ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４－ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２－ビス（ジフェニルホスフィノ）アセチレン、２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）ジフェニルエーテル等の芳香族ホスフィン等が挙げられる。
【0077】
ウレア系硬化促進剤としては、例えば、１，１－ジメチル尿素；１，１，３－トリメチル尿素、３－エチル－１，１－ジメチル尿素、３－シクロヘキシル－１，１－ジメチル尿素、３－シクロオクチル－１，１－ジメチル尿素等の脂肪族ジメチルウレア；３－フェニル－１，１－ジメチル尿素、３－（４－クロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジクロロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３－クロロ－４－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（２－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－メチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（３，４－ジメチルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－イソプロピルフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－メトキシフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－（４－ニトロフェニル）－１，１－ジメチル尿素、３－［４－（４－メトキシフェノキシ）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、３－［４－（４－クロロフェノキシ）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、３－［３－（トリフルオロメチル）フェニル］－１，１－ジメチル尿素、Ｎ，Ｎ－（１，４－フェニレン）ビス（Ｎ’，Ｎ’－ジメチル尿素）、Ｎ，Ｎ－（４－メチル－１，３－フェニレン）ビス（Ｎ’，Ｎ’－ジメチル尿素）〔トルエンビスジメチルウレア〕等の芳香族ジメチルウレア等が挙げられる。
【0078】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１－メチルグアニジン、１－エチルグアニジン、１－シクロヘキシルグアニジン、１－フェニルグアニジン、１－（ｏ－トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、７－メチル－１，５，７－トリアザビシクロ［４．４．０］デカ－５－エン、１－メチルビグアニド、１－エチルビグアニド、１－ｎ－ブチルビグアニド、１－ｎ－オクタデシルビグアニド、１，１－ジメチルビグアニド、１，１－ジエチルビグアニド、１－シクロヘキシルビグアニド、１－アリルビグアニド、１－フェニルビグアニド、１－（ｏ－トリル）ビグアニド等が挙げられる。
【0079】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【0080】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４－ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）－ウンデセン等が挙げられる。
【0081】
アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＭＹ－２５」等が挙げられる。
【0082】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ｂ）硬化促進剤の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは２質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．２質量％以下であり、また、その下限は、例えば、０質量％以上、０．００１質量％以上、０．０１質量％以上等であり得る。
【0083】
（（ｃ）熱可塑性樹脂）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意の成分として、（ｃ）熱可塑性樹脂を含有する場合がある。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意の成分として、（ｃ）熱可塑性樹脂を含有する場合がある。
【0084】
（ｃ）熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられ、中でも、ポリフェニレンエーテル樹脂及びフェノキシ樹脂が好ましい。（ｃ）熱可塑性樹脂は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0085】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ７２００Ｂ３５」、「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【0086】
ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、例えば、電気化学工業（株）製の「電化ブチラール４０００－２」、「電化ブチラール５０００－Ａ」、「電化ブチラール６０００－Ｃ」、「電化ブチラール６０００－ＥＰ」、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ－５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ－１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【0087】
アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステル系モノマーを含むモノマー成分を重合してなる重合体を意味する。アクリル樹脂を構成するモノマー成分には、（メタ）アクリル酸エステル系モノマーに加えて、（メタ）アクリルアミド系モノマー、スチレン系モノマー、官能基含有モノマー等が共重合成分として含まれていてもよい。アクリル樹脂の具体例としては、東亜合成社製の「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１０００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１０１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１０２０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１０２１」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１０６１」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１０８０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１１１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１１７０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１１９０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＰ－１５００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨ－２０００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨ－２０４１」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨ－２１９０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＨＥ－２０１２」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ－３５１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＧ－４０１０」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＳ－６１００」、「ＡＲＵＦＯＮ ＵＳ－６１７０」などが挙げられる。これらは、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0088】
ポリオレフィン樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸エチル共重合体、エチレン－アクリル酸メチル共重合体等のエチレン系共重合樹脂；ポリプロピレン、エチレン－プロピレンブロック共重合体等のポリオレフィン系エラストマー等が挙げられる。
【0089】
ポリブタジエン樹脂としては、例えば、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂、ヒドロキシ基含有ポリブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ポリブタジエン樹脂、カルボキシ基含有ポリブタジエン樹脂、酸無水物基含有ポリブタジエン樹脂、エポキシ基含有ポリブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ポリブタジエン樹脂、ウレタン基含有ポリブタジエン樹脂、ポリフェニレンエーテル－ポリブタジエン樹脂等が挙げられる。
【0090】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６－３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２－１２６６７号公報及び特開２０００－３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【0091】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【0092】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
【0093】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【0094】
ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学（株）製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ－２Ｓｔ１２００」、「ＯＰＥ－２Ｓｔ２２００」、ＳＡＢＩＣ製「ＮＯＲＹＬ ＳＡ９０」等が挙げられる。ポリエーテルイミド樹脂の具体例としては、ＧＥ社製の「ウルテム」等が挙げられる。
【0095】
ポリカーボネート樹脂としては、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂、ウレタン基含有カーボネート樹脂等が挙げられる。ポリカーボネート樹脂の具体例としては、三菱瓦斯化学社製の「ＦＰＣ０２２０」、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ－１０９０」、「Ｃ－２０９０」、「Ｃ－３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。ポリエーテルエーテルケトン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「スミプロイＫ」等が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂等が挙げられる。
【0096】
（ｃ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは８，０００以上、より好ましくは１０，０００以上、さらに好ましくは２０，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは７０，０００以下、さらに好ましくは６０，０００以下である。。樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
【0097】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ｃ）熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下、さらに好ましくは３０質量％以下、特に好ましくは２５質量％以下であり、また、その下限は、例えば、０質量％以上、０．０１質量％以上であり、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、特に好ましくは１質量％以上である。
【0098】
（（ｄ）無機充填材）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意の成分として、（ｄ）無機充填材を含有する場合がある。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意の成分として、（ｄ）無機充填材を含有する場合がある。
【0099】
（ｄ）無機充填材の材料としては、無機化合物を用いる。（ｄ）無機充填材の材料の例としては、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられる。また、シリカとしては、球状シリカが好ましい。（ｄ）無機充填材は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【0100】
（ｄ）無機充填材の市販品としては、例えば、デンカ社製の「ＵＦＰ－３０」；新日鉄住金マテリアルズ社製の「ＳＰ６０－０５」、「ＳＰ５０７－０５」；アドマテックス社製の「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」；トクヤマ社製の「シルフィルＮＳＳ－３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ－５Ｎ」；アドマテックス社製の「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ－Ｃ４」、「ＳＯ－Ｃ２」、「ＳＯ－Ｃ１」；などが挙げられる。
【0101】
（ｄ）無機充填材の比表面積としては、好ましくは１ｍ２／ｇ以上、より好ましくは２ｍ２／ｇ以上、特に好ましくは３ｍ２／ｇ以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは６０ｍ２／ｇ以下、５０ｍ２／ｇ以下又は４０ｍ２／ｇ以下である。比表面積は、ＢＥＴ法に従って、比表面積測定装置（マウンテック社製Ｍａｃｓｏｒｂ ＨＭ－１２１０）を使用して試料表面に窒素ガスを吸着させ、ＢＥＴ多点法を用いて比表面積を算出することで得られる。
【0102】
（ｄ）無機充填材の平均粒径は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、特に好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下である。
【0103】
（ｄ）無機充填材の平均粒径は、ミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的には、レーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、（ｄ）無機充填材の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、（ｄ）無機充填材１００ｍｇ、メチルエチルケトン１０ｇをバイアル瓶に秤取り、超音波にて１０分間分散させたものを使用することができる。測定サンプルを、レーザー回折式粒径分布測定装置を使用して、使用光源波長を青色及び赤色とし、フローセル方式で（ｄ）無機充填材の体積基準の粒径分布を測定し、得られた粒径分布からメディアン径として平均粒径を算出できる。レーザー回折式粒径分布測定装置としては、例えば堀場製作所社製「ＬＡ－９６０」等が挙げられる。
【0104】
（ｄ）無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、ビニルシラン系カップリング剤、（メタ）アクリル系カップリング剤、フッ素含有シランカップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。中でも、本発明の効果を顕著に得る観点から、ビニルシラン系カップリング剤、（メタ）アクリル系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤が好ましい。また、表面処理剤は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を任意に組み合わせて用いてもよい。
【0105】
表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ１００３」（ビニルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」（３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３－アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ－３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）、信越化学工業社製「ＫＢＭ－７１０３」（３，３，３－トリフルオロプロピルトリメトキシシラン）等が挙げられる。
【0106】
表面処理剤による表面処理の程度は、（ｄ）無機充填材の分散性向上の観点から、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、（ｄ）無機充填材１００質量部は、０．２質量部～５質量部の表面処理剤で表面処理されていることが好ましく、０．２質量部～３質量部で表面処理されていることが好ましく、０．３質量部～２質量部で表面処理されていることが好ましい。
【0107】
表面処理剤による表面処理の程度は、（ｄ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。（ｄ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、（ｄ）無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、樹脂組成物の溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。
【0108】
（ｄ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理後の（ｄ）無機充填材を溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された（ｄ）無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて（ｄ）無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「ＥＭＩＡ－３２０Ｖ」等を使用することができる。
【0109】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ｄ）無機充填材の含有量としては、特に限定されるものではないが、さらに硬化層のクラック発生をさらに抑制し、サンドブラスト加工性をより向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは４０質量％以上、さらに好ましくは５０質量％以上、特に好ましくは６０質量％以上又は７０質量％以上であり、また、その上限は、特に限定されるものではないが、さらに硬化層の反りを抑制する観点から、好ましくは８５質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７７質量％以下、特に好ましくは７５質量％以下である。
【0110】
（（ｅ）有機充填材）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意の成分として、（ｅ）有機充填材を含有する場合がある。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意の成分として、（ｅ）有機充填材を含有する場合がある。
【0111】
（ｅ）有機充填材としては、プリント配線板の絶縁層を形成するに際し使用しうる任意の有機充填材を使用できる。（ｅ）有機充填材は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で与わせて用いてもよい。
【0112】
（ｅ）有機充填材としては、例えば、ゴム粒子、ポリアミド粒子、シリコーン粒子等が挙げられる。また、ゴム粒子としては、市販品を用いてもよく、例えば、ダウ・ケミカル日本社製の「ＥＸＬ２６５５」、アイカ工業社製の「ＡＣ３８１６Ｎ」等が挙げられる。
【0113】
（ｅ）有機充填材の粒子の平均粒径は、樹脂組成物中の分散性に優れるという観点から、５μｍ以下が好ましく、４μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下がさらに好ましい。（ｅ）有機充填材の平均粒径の下限は、特に限定されないが、０．０５μｍ以上が好ましく、０．０８μｍ以上がより好ましく、０．１０μｍ以上が特に好ましい。
【0114】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ｅ）有機充填材の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは５質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下、特に好ましくは０．５質量％以下であり、また、その下限は、例えば、０質量％以上、０．００１質量％以上、０．０１質量％以上、０．１質量％以上等であり得る。
【0115】
（（ｆ）難燃剤）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意成分として（ｆ）難燃剤を含む場合がある。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、任意成分として（ｆ）難燃剤を含む場合がある。
【0116】
（ｆ）難燃剤としては、例えば、ホスファゼン化合物、リン酸塩、リン酸エステル、ポリリン酸塩、ホスフィン酸塩、ホスフィン酸エステル、ホスホン酸塩、ホスホン酸エステル等のリン系難燃剤；脂肪族アミン化合物、芳香族アミン化合物、含窒素複素環化合物、尿素化合物等の窒素系難燃剤；水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等の金属水酸化物、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、アンチモン酸ナトリウム等のアンチモン化合物等の無機系難燃剤；ヘキサブロモベンゼン、塩素化パラフィン、臭素化ポリカーボネート樹脂、臭素化エポキシ樹脂、臭素化フェノキシ樹脂、臭素化ポリフェニレンエーテル樹脂、臭素化ポリスチレン樹脂、臭素化ベンジルポリアクリレート樹脂等のハロゲン系難燃剤等が挙げられ、中でも、リン系難燃剤が好ましい。（ｆ）難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【0117】
ホスファゼン化合物としては、例えば、ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼン、トリス（４－ヒドロキシフェノキシ）トリフェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサキス（４－ヒドロキシフェノキシ）シクロトリホスファゼン、トリス（４－メチルフェノキシ）トリフェノキシシクロトリホスファゼン、トリス（４－シアノフェノキシ）トリフェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサキス（４－アミノフェノキシ）シクロトリホスファゼン、トリス［４－（２－グリシジルオキシエチル）フェノキシ］トリフェノキシシクロトリホスファゼン、オクタフェノキシシクロテトラホスファゼン等のフェノキシシクロホスファゼン化合物等が挙げられる。
【0118】
リン酸塩としては、例えば、リン酸アンモニウム、リン酸メラミン、リン酸ピペラジン等が挙げられる。
【0119】
リン酸エステルとしては、例えば、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート等の非ハロゲン系脂肪族リン酸エステル；トリフェニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、ジクレジルフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（２，６－ジメチルフェニル）ホスフェート、トリス（４－イソプロピルフェニル）ホスフェート、トリス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ホスフェート、ビス(４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル)フェニルホスフェート、ヒドロキシフェニルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、２－エチルヘキシルジフェニルホスフェート等の非ハロゲン系芳香族リン酸エステル；トリス（１－クロロ－２－プロピル）ホスフェート、トリス（１，３－ジクロロ－２－プロピル）ホスフェート、トリス［３－ブロモ－２，２－ビス（ブロモメチル）プロピル］ホスフェート等のハロゲン系脂肪族リン酸エステル等が挙げられる。
【0120】
ポリリン酸塩としては、例えば、ポリリン酸アンモニウム、ポリリン酸メラミン等が挙げられる。
【0121】
ホスフィン酸塩としては、例えば、トリス（ジエチルホスフィン酸）アルミニウム、ビス（ジエチルホスフィン酸）亜鉛、トリス（メチルエチルホスフィン酸）アルミニウム、ビス（メチルエチルホスフィン酸）亜鉛、テトラキス（ジエチルホスフィン酸）チタン等のジアルキルホスフィン酸塩；ビス（ジフェニルホスフィン酸）亜鉛、テトラキス（ジフェニルホスフィン酸）チタン等のジアリールホスフィン酸塩等が挙げられる。
【0122】
ホスフィン酸エステルとしては、例えば、ジメチルホスフィン酸メチル、ジメチルホスフィン酸エチル、ジエチルホスフィン酸エチル、ジエチルホスフィン酸ビニル、ジエチルホスフィン酸フェニル等のジアルキルホスフィン酸エステル；ジフェニルホスフィン酸フェニル、ジフェニルホスフィン酸メチル、ジフェニルホスフィン酸エチル等の非環状ジアリールホスフィン酸エステル；１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－（１，４－ジヒドロキシ－２－ナフチル）－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－（２，５－ジヒドロキシビフェニル－４－イル）－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－［２，４－ジ（グリシジルオキシ）フェニル］－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド等の環状ジアリールホスフィン酸エステル；９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド等の環状モノアリールホスフィン酸エステル；９，１０－ジヒドロ－１０－ベンジル－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－［２，３－ビス（２－ヒドロキシエトキシカルボニル）プロピル］－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド又はそのポリエーテル重縮合体、１０－（２－シアノエチル）－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－［２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチル］－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド、１０－（３－グリシジルオキシプロピル）－９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナントレン－１０－オキサイド等の環状アリールアルキルホスフィン酸エステル等が挙げられる。
【0123】
ホスホン酸塩としては、例えば、メタンホスホン酸亜鉛、エチルホスホン酸亜鉛、ブチルホスホン酸亜鉛、フェニルホスホン酸亜鉛等が挙げられる。
【0124】
ホスホン酸エステルとしては、例えば、メチルホスホン酸ジフェニル、ブチルホスホン酸ジブチル、エチルホスホン酸ジエチル、（メトキシメチル）ホスホン酸ジエチル、ビニルホスホン酸ジエチル等の脂肪族ホスホン酸エステル；フェニルホスホン酸ジエチル、フェニルホスホン酸ジビニル、フェニルホスホン酸ジアリル等の芳香族ホスホン酸エステルが挙げられる。
【0125】
（ｆ）難燃剤は、リン系難燃剤を含むことが好ましく、フェノール性水酸基含有リン系難燃剤を含むことがより好ましく、フェノール性水酸基含有ホスフィン酸エステルを含むことが特に好ましい。フェノール性水酸基含有リン系難燃剤のフェノール性水酸基当量は、特に限定されるものではないが、好ましくは８０ｇ／ｅｑ．～１，０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは１００ｇ／ｅｑ．～５００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．～３００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．～２００ｇ／ｅｑ．、好ましくは１３０ｇ／ｅｑ．～１８０ｇ／ｅｑ．である。フェノール性水酸基当量は、フェノール性水酸基１当量あたりのリン系難燃剤の質量である。フェノール性水酸基含有リン系難燃剤は、（Ｃ－１）エポキシ硬化剤同様、（Ｂ）エポキシ樹脂を硬化する機能を有する。
【0126】
（ｆ）難燃剤の市販品としては、例えば、大塚化学社製の「ＳＰＨ－１００」、「ＳＰＳ－１００」、「ＳＰＢ－１００」、「ＳＰＥ－１００」（ホスファゼン化合物）；伏見製薬所社製の「ＦＰ－１００」、「ＦＰ－１１０」、「ＦＰ－３００」、「ＦＰ－４００」（ホスファゼン化合物）；三光社製の「ＨＣＡ－ＮＱ」、「ＨＣＡ－ＨＱ」、「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳＴ」、「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳ」（ホスフィン酸エステル（フェノール性水酸基含有））；大八化学工業社製の「ＰＸ－２００」、「ＰＸ－２０１」、「ＰＸ－２０２」、「ＣＲ－７３３Ｓ」、「ＣＲ－７４１」、「ＣＲ－７４７」（リン酸エステル）等が挙げられる。
【0127】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物における（ｆ）難燃剤の含有量は、特に限定されるものではないが、本発明の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは７質量％以下、特に好ましくは５質量％以下であり、また、その下限は、例えば、０質量％以上、０．００１質量％以上、０．０１質量％以上、０．１質量％以上等であり得る。
【0128】
（（ｇ）その他の添加剤）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、不揮発成分として、さらに任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の分散剤；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤等が挙げられる。（ｇ）その他の添加剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。（ｇ）その他の添加剤の含有量は当業者であれば適宜設定できる。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、不揮発成分として、さらに任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物、有機コバルト化合物等の有機金属化合物；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、アイオディングリーン、ジアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック等の着色剤；ハイドロキノン、カテコール、ピロガロール、フェノチアジン等の重合禁止剤；シリコーン系レベリング剤、アクリルポリマー系レベリング剤等のレベリング剤；ベントン、モンモリロナイト等の増粘剤；シリコーン系消泡剤、アクリル系消泡剤、フッ素系消泡剤、ビニル樹脂系消泡剤等の消泡剤；ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤等の紫外線吸収剤；尿素シラン等の接着性向上剤；トリアゾール系密着性付与剤、テトラゾール系密着性付与剤、トリアジン系密着性付与剤等の密着性付与剤；ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤等の酸化防止剤；スチルベン誘導体等の蛍光増白剤；フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等の界面活性剤；リン酸エステル系分散剤、ポリオキシアルキレン系分散剤、アセチレン系分散剤、シリコーン系分散剤、アニオン性分散剤、カチオン性分散剤等の分散剤；ボレート系安定剤、チタネート系安定剤、アルミネート系安定剤、ジルコネート系安定剤、イソシアネート系安定剤、カルボン酸系安定剤、カルボン酸無水物系安定剤等の安定剤等が挙げられる。（ｇ）その他の添加剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。（ｇ）その他の添加剤の含有量は当業者であれば適宜設定できる。
【0129】
（（ｈ）有機溶剤）
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、上述した不揮発成分以外に、揮発性成分として、さらに任意の有機溶剤を含んでいてもよい。（ｈ）有機溶剤としては、公知のものを適宜用いることができ、その種類は特に限定されるものではない。（ｈ）有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル系溶剤；テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤；酢酸２－エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤；乳酸メチル、乳酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤；２－メトキシプロパノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のエーテルアルコール系溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。（ｈ）有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物は、上述した不揮発成分以外に、揮発性成分として、さらに任意の有機溶剤を含んでいてもよい。（ｈ）有機溶剤としては、公知のものを適宜用いることができ、その種類は特に限定されるものではない。（ｈ）有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル系溶剤；テトラヒドロピラン、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶剤；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール等のアルコール系溶剤；酢酸２－エトキシエチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルジグリコールアセテート、γ－ブチロラクトン、メトキシプロピオン酸メチル等のエーテルエステル系溶剤；乳酸メチル、乳酸エチル、２－ヒドロキシイソ酪酸メチル等のエステルアルコール系溶剤；２－メトキシプロパノール、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のエーテルアルコール系溶剤；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド系溶剤；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶剤；ヘキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等を挙げることができる。（ｈ）有機溶剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【0130】
工程（Ａ）で準備する樹脂組成物に含まれる（ｈ）有機溶剤の量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の全成分を１００質量％とした場合、例えば、６０質量％以下、４０質量％以下、３０質量％以下、２０質量％以下、１５質量％以下、１０質量％以下、５質量％以下等であり得る。
【0131】
＜（Ｂ）樹脂シートの準備工程＞
工程（Ｂ）では、支持体と、支持体上に設けられた樹脂組成物層を備える樹脂シートを準備する。樹脂組成物層は、工程（Ａ）で得られた樹脂組成物で形成されたものである。
工程（Ｂ）では、支持体と、支持体上に設けられた樹脂組成物層を備える樹脂シートを準備する。樹脂組成物層は、工程（Ａ）で得られた樹脂組成物で形成されたものである。
【0132】
図１は、工程（Ｃ）で使用する回路基板１０と工程（Ｂ）で準備される樹脂シート２０の一例を模式的に示す断面図である。回路基板１０については工程（Ｃ）にて説明する。工程（Ｂ）で準備される樹脂シート２０では、図１に一例を示すように、支持体２１上に樹脂組成物層２２が設けられている。
【0133】
樹脂組成物層２２の形成方法としては、例えば、工程（Ａ）で得られた液状の樹脂組成物をそのまま、或いは有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂組成物を調製し、これを、ダイコーター等を用いて支持体２１上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層２２を形成させる方法が挙げられる。
【0134】
有機溶剤としては、樹脂組成物の成分として説明した有機溶剤と同様のものが挙げられる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【0135】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層２２中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂組成物中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％～６０質量％の有機溶剤を含む樹脂組成物を用いる場合、５０℃～１５０℃で３分間～１０分間乾燥させることにより、支持体２１上に樹脂組成物層２２を形成することができる。
【0136】
乾燥後の樹脂組成物層２２の厚みＴ２２は、ビアホールを容易に形成する観点から、好ましくは２５μｍ以下、より好ましくは２２μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下であり、求められる層間絶縁性を確保する観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であり得る。
【0137】
支持体２１としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【0138】
支持体２１としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【0139】
支持体２１として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【0140】
支持体２１は、樹脂組成物層２２と接合する面にマット処理、コロナ処理、帯電防止処理を施してあってもよい。
【0141】
また、支持体２１としては、樹脂組成物層２２と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＰＥＴ５０１０１０」、「ＳＫ－１」、「ＡＬ－５」、「ＡＬ－７」；東レ社製の「ルミラーＴ６０」；帝人社製の「ピューレックス」；ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【0142】
支持体２１の厚みＴ２１としては、特に限定されないが、５μｍ～７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ～６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【0143】
樹脂シート２０は、さらに必要に応じて、その他の層を備えていてもよい。その他の層としては、例えば、樹脂組成物層２２の支持体２１と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）に設けられた、支持体に準じた保護フィルム（図省略）等が挙げられる。保護フィルム（図省略）の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ～４０μｍである。保護フィルム（図省略）を積層することにより、樹脂組成物層２２の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。
【0144】
樹脂シート２０は、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シート２０が保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【0145】
＜（Ｃ）樹脂シート積層板の準備工程＞
工程（Ｃ）では、回路基板１０上に、工程（Ｂ）で準備した樹脂シート２０を、樹脂シート２０における樹脂組成物層２２が回路基板１０と接合するように積層し、樹脂シート積層板Ｃを準備する。以下の説明では、第一ビアホール及び第二ビアホールを形成される前の硬化層を備える中間製造物を、「積層板」と呼ぶことがある。
工程（Ｃ）では、回路基板１０上に、工程（Ｂ）で準備した樹脂シート２０を、樹脂シート２０における樹脂組成物層２２が回路基板１０と接合するように積層し、樹脂シート積層板Ｃを準備する。以下の説明では、第一ビアホール及び第二ビアホールを形成される前の硬化層を備える中間製造物を、「積層板」と呼ぶことがある。
【0146】
回路基板１０は、図１に一例を示すように、支持基板１１と、支持基板１１上の一部に設けられた導体層１２とを有する。
【0147】
導体層１２に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層１２は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層１２は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層１２形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【0148】
導体層１２は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層１２が複層構造である場合、支持基板１１の絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。
【0149】
導体層１２の厚みＴ１２は、回路基板１０のデザインによるが、通常３５μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。導体層１２の厚みＴ１２の下限は、特に限定されないが、通常３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。
【0150】
図２は、工程（Ｃ）で準備される樹脂シート積層板Ｃの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｃ）で準備される樹脂シート積層板Ｃでは、図２に一例を示すように、回路基板１０上に、樹脂組成物層２２が導体層１２を覆うようにして樹脂シート２０が積層されている。
【0151】
樹脂シート２０が保護フィルムを有する場合、回路基板１０への樹脂シート２０の積層の前に、保護フィルム（図省略）を剥がす。
【0152】
回路基板１０への樹脂シート２０の積層は、例えば、樹脂シート２０の支持体２１側から樹脂シート２０を回路基板１０に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シート２０を回路基板１０に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シート２０に直接プレスするのではなく、回路基板１０の表面凹凸に樹脂シー２０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【0153】
回路基板１０への樹脂シート２０の積層は、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃～１６０℃、より好ましくは８０℃～１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ～１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ～１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間～４００秒間、より好ましくは３０秒間～３００秒間の範囲である。回路基板１０への樹脂シート２０の積層は、好ましくは圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【0154】
回路基板１０への樹脂シート２０の積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアップリケーター、バッチ式真空加圧ラミネーター等が挙げられる。
【0155】
回路基板１０への樹脂シート２０の積層後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体２１側からプレスすることにより、積層された樹脂シート２０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【0156】
回路基板１０への樹脂シート２０の積層後の樹脂組成物層２２の厚みＴ２２’は、ビアホールを容易に形成する観点から、好ましくは２５μｍ以下、より好ましくは２２μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下であり、求められる層間絶縁性を確保する観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であり得る。なお、樹脂組成物層２２の厚みＴ２２’は、樹脂組成物層２２における回路基板１０の導体層１２と接する面から、回路基板１０と接する側とは反対側の支持体２１と接する面までの厚みである。
【0157】
＜（Ｄ）硬化層の形成工程＞
工程（Ｄ）では、工程（Ｃ）で準備した樹脂シート積層板Ｃの樹脂組成物層２１を熱硬化して、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化層（絶縁層）を形成する。
工程（Ｄ）では、工程（Ｃ）で準備した樹脂シート積層板Ｃの樹脂組成物層２１を熱硬化して、樹脂組成物の硬化物で形成された硬化層（絶縁層）を形成する。
【0158】
図３は、工程（Ｄ）で準備される硬化層形成後の積層板Ｄの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｄ）で準備される硬化層形成後の積層板Ｄでは、図３に一例を示すように、樹脂組成物層２２を熱硬化して形成された硬化層３０が、導体層１２を覆うようにして回路基板１０上に積層されており、硬化層３０の回路基板１０と接する側とは反対側の面上に支持体２１がそのまま存在する。
【0159】
樹脂組成物層２２の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なりうる。一例において、硬化温度は、好ましくは１２０℃～２４０℃、より好ましくは１３０℃～２２０℃、さらに好ましくは１５０℃～２１０℃でありうる。また、硬化時間は、好ましくは５分間～１２０分間、より好ましくは１０分間～１００分間、さらに好ましくは１５分間～１００分間でありうる。
【0160】
樹脂組成物層２２を熱硬化させる前に、樹脂組成物層２２を、硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層２２を熱硬化させる前に、樹脂組成物層２２を、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１５℃以下、より好ましくは７０℃以上１１０℃以下）の温度にて、５分間以上（好ましくは５分間～１５０分間、より好ましくは１５分間～１２０分間、さらに好ましくは１５分間～１００分間）予備加熱してもよい。
【0161】
硬化層３０の厚みＴ３０は、ビアホールを容易に形成する観点から、２５μｍ以下であり、好ましくは２２μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下であり、求められる層間絶縁性を確保する観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは８μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であり得る。なお、硬化層３０の厚みＴ３０は、硬化層３０における回路基板１０の導体層１２と接する面から、回路基板１０と接する側とは反対側の支持体２１と接する面までの厚みである。
【0162】
硬化層３０の２５℃における弾性率は、５ＧＰａ以上であり、サンドブラスト加工性をより向上させる観点から、好ましくは８ＧＰａ以上、より好ましくは１０ＧＰａ以上である。弾性率が５ＧＰａを下回るとサンドブラスト処理による第一ビアホールの形成が困難となり得る。硬化層３０の２５℃における弾性率の上限は、１５ＧＰａ以下である。弾性率が１５ＧＰａを上回ると硬化層３０の反りが大きくなる傾向がある。硬化層３０の２５℃における弾性率は、下記試験例１に記載の方法により測定できる。
【0163】
硬化層３０の線熱膨張率は、さらに硬化層のクラック発生を抑制する観点から、好ましくは５０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは４０ｐｐｍ／℃以下である。硬化層３０の線熱膨張率の下限は、例えば、１０ｐｐｍ／℃以上、１５ｐｐｍ／℃以上、１７ｐｐｍ／℃以上等とし得る。硬化層３０の線熱膨張率は、下記試験例２に記載の方法により測定できる。
【0164】
＜（Ｅ）支持体の除去工程＞
工程（Ｅ）では、工程（Ｄ）で得られた硬化層形成後の積層板Ｄから支持体２１を除去する。なお、ここまで支持体２１を除去せずに樹脂組成物層２２を熱硬化する方法について説明したが、工程（Ｃ）における樹脂シート２０の積層の後、工程（Ｄ）における樹脂組成物層２２の熱硬化の前に、支持体２１を除去しておいてもよい。
工程（Ｅ）では、工程（Ｄ）で得られた硬化層形成後の積層板Ｄから支持体２１を除去する。なお、ここまで支持体２１を除去せずに樹脂組成物層２２を熱硬化する方法について説明したが、工程（Ｃ）における樹脂シート２０の積層の後、工程（Ｄ）における樹脂組成物層２２の熱硬化の前に、支持体２１を除去しておいてもよい。
【0165】
図４は、工程（Ｅ）で準備される支持体除去後の積層板Ｅの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｅ）で準備される支持体除去後の積層板Ｅでは、図４に一例を示すように、支持体２１が除去されたことにより硬化層３０における回路基板１０と接する側とは反対側の面が露出している。
【0166】
支持体２１の除去方法は特に限定されるものではない。
【0167】
＜（Ｆ）第一ビアホールの形成工程＞
工程（Ｆ）では、工程（Ｅ）で準備された支持体除去後の積層板Ｅの硬化層３０（硬化層３０における第一ビアホール７０を形成するべき特定の位置）に対してサンドブラスト処理を施し、硬化層３０に第一ビアホール７０を形成する。
工程（Ｆ）では、工程（Ｅ）で準備された支持体除去後の積層板Ｅの硬化層３０（硬化層３０における第一ビアホール７０を形成するべき特定の位置）に対してサンドブラスト処理を施し、硬化層３０に第一ビアホール７０を形成する。
【0168】
第一ビアホール７０は、硬化層３０における回路基板１０が接する側とは反対側のサンドブラスト処理を施した側に第一開口部７１を有し且つ第一開口部７１から硬化層３０を貫通して回路基板１０の導体層１２の表面に到達するように形成される。通常、第一ビアホール７０は、通常、テーパ形状の孔として形成されうる。
【0169】
サンドブラスト処理では、通常、砥粒をノズルから噴射させ、この砥粒を、硬化層３０の回路基板１０が接する側とは反対側の面上の特定の位置に衝突させる。一般的には、砥粒は、適切な圧力のエアーによって噴射される。砥粒の衝突によって硬化層３０が削られるので、硬化層３０に第一開口部７１を有する第一ビアホール７０を形成できる。砥粒は、液体を含まない状態で噴射されてもよく（ドライブラスト処理）、液体を含むスラリーの状態で噴射されてもよい（ウェットブラスト処理）。
【0170】
工程（Ｆ）において形成される第一ビアホール７０における第一開口部７１の開口径は、５０μｍ以上であり、サンドブラスト処理による加工の容易さの観点から、好ましくは７０μｍ以上であり、より好ましくは９０μｍ以上である。サンドブラスト処理では開口径５０μｍ未満の開口部を有するビアホールの形成は困難である。第一開口部７１の開口径の上限は、特に限定されるものではないが、例えば、１００００μｍ以下、５０００μｍ以下、１０００μｍ以下、５００μｍ以下等であり得る。第一開口部７１の形状は、円形、略四角形（略正方形を含む）等、特に限定されるものではなく、第一開口部７１の開口径は、その最短径（直径）を意味する。第一開口部７１の形状とは、別に断らない限り、積層板の厚み方向から見た形状を表す。第一ビアホール７０は、通常、第一開口部７１の開口径よりも導体層１２の表面と接する底部の径が小さいテーパ形状を有する。
【0171】
第一ビアホール７０の最小ピッチは、硬化物の絶縁信頼性が従来のものより高いことからより狭く設定することができ、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。第一ビアホール７０の最小ピッチは、ある第一開口部７１の中心（重心）から同一の硬化層３０の面にある最も近い別の第一開口部７１の中心（重心）までの最短の距離である。
【0172】
感光性樹脂組成物を用いた硬化層は、一般に柔軟であるので、砥粒の衝突によって正確に削ることは難しいのに対し、工程（Ａ）で得られた樹脂組成物を熱硬化させて形成される硬化層３０は、弾性率が５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるため、砥粒の衝突によって円滑に削ることができる。したがって、サンドブラスト処理による高い精度での第一ビアホール７０の形成が可能であり、優れた加工性を実現できる。
【0173】
サンドブラスト処理は、特定の位置に選択的に第一開口部７１を有する第一ビアホール７０を形成するために、通常、硬化層３０上にサンドブラストマスクを設置した状態で行う。
【0174】
サンドブラスト処理においてサンドブラストマスクを用いる場合、工程（Ｆ）は、一実施形態において、硬化層３０上にサンドブラストマスクを設置する工程（Ｆ１）と、サンドブラストマスクが設置されていないマスク開口部を通して硬化層３０に向けて砥粒を噴射して第一ビアホール７０を形成する工程（Ｆ２）と、を含み得る。
【0175】
工程（Ｆ１）では、硬化層３０の回路基板１０が接する側とは反対側の面上の第一ビアホール７０を形成すべき特定の位置にマスク開口部が形成されるようにサンドブラストマスクを設置する。サンドブラストマスク設置後、硬化層３０に向けて砥粒をノズルから噴射すると、サンドブラストマスクが存在しないマスク開口部の位置では、砥粒が直接硬化層３０に衝突し、硬化層３０が削られ、他方で、サンドブラストマスクが存在するマスク開口部以外の位置では、砥粒がサンドブラストマスクに遮られるため、硬化層３０は削られない。よって、サンドブラストマスクに覆われていないマスク開口部の位置に選択的に、第一開口部７１を有する第一ビアホール７０を形成できる。
【0176】
サンドブラストマスクを形成するために、マスク開口部の形状及びサイズを精確に制御できるレジストフィルムを用いることが好ましい。
【0177】
サンドブラストマスクを形成するためにレジストフィルムを用いる場合、硬化層３０上にサンドブラストマスクを設置する工程（Ｆ１）は、一実施形態において、支持体除去後の積層板Ｅの硬化層３０上にレジストフィルムを積層する工程（Ｆ１ａ）と、工程（Ｆ１ａ）で積層したレジストフィルム上のマスク開口部を形成すべき位置にフォトマスクを設置する工程（Ｆ１ｂ）と、工程（Ｆ１ｂ）のフォトマスク設置後にレジストフィルムに露光処理及び現像処理を行ってマスク開口部とサンドブラストマスクを形成する工程（Ｆ１ｃ）と、を含み得る。
【0178】
図５は、工程（Ｆ１ａ）において準備されるレジストフィルム４０の積層後の積層板Ｆ１ａの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｆ１ａ）で準備されるレジストフィルム４０の積層後の積層板Ｆ１ａでは、図５に一例を示すように、レジストフィルム４０が、硬化層３０における回路基板１０の導体層１２と接する側とは反対側の面上に積層されている。硬化層３０とレジストフィルム４０との積層条件は、特に限定されず、例えば、上述した回路基板と樹脂シートの積層条件と同じであり得る。
【0179】
レジストフィルム４０としては、露光及び現像によりサンドブラストマスク６０が形成されるものを用い得る。また、レジストフィルム４０により形成されるサンドブラストマスク６０は、サンドブラスト処理に対して耐性を有し得る。レジストフィルム４０としては、例えば、フォトレジスト組成物で形成された感光性のフィルムを用い得る。このようなレジストフィルム４０としては、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等の樹脂を含むドライフィルムが挙げられる。
【0180】
レジストフィルム４０の厚みＴ４０は、ビアホールの加工性を向上させる観点から、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。
【0181】
図６は、工程（Ｆ１ｂ）で準備されるフォトマスク設置後の積層板Ｆ１ｂの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｆ１ｂ）で準備されるフォトマスク５０の設置後の積層板Ｆ１ｂでは、図６に一例を示すように、レジストフィルム４０の硬化層３０と接する側とは反対側の面上の硬化層３０を開口すべき位置（下記で説明する第一開口部６０を形成すべき位置）にフォトマスク５０が設置されている。
【0182】
工程（Ｆ１ｃ）の露光処理では、通常、フォトマスク設置後の積層板Ｆ１ｂにおけるフォトマスク５０が設置されていないレジストフィルム４０の表面上（露光部分）に活性エネルギー線（図示せず。）が照射される。露光処理によって活性エネルギー線が照射された露光部分のレジストフィルム４０は、光硬化する。レジストフィルム４０の表面上にフォトマスク５０が設置されている部分（非露光部分）は、活性エネルギー線がフォトマスク５０に遮られるため、通常、活性エネルギー線が到達できず、光硬化しない。
【0183】
活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、紫外線が好ましい。紫外線の照射量及び照射時間は、レジストフィルム４０の材料及び厚み等に応じて適切に設定できる。露光方法としては、ここまで図６を用いて説明したフォトマスク５０をレジストフィルム４０に密着させて露光する接触露光法の代わりに、例えば、フォトマスク５０をレジストフィルム４０に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法を用いてもよい。
【0184】
露光処理の後、レジストフィルム４０に現像処理を施して、フォトマスク５０とレジストフィルム４０の非露光部分とを除去する。現像処理は、ウェット現像、ドライ現像のいずれを行ってもよい。現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられる。
【0185】
図７は、工程（Ｆ１ｃ）で準備される現像処理後の積層板Ｆ１ｃの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｆ１ｃ）で準備される現像処理後の積層板Ｆ１ｃでは、図７に一例を示すように、現像処理の後、フォトマスク５０によって遮られていたレジストフィルム４０の非露光部分であった部位にマスク開口部６１が形成され、マスク開口部６１以外の硬化層３０表面上に硬化層３０に接合するようにサンドブラストマスク６０が形成されている。
【0186】
露光処理及び現像処理の例として、ここまで図７を用いてレジストフィルム４０の露光部分でサンドブラストマスク６０を形成し、非露光部分を除去してマスク開口部６１を形成する一形態を用いて説明してきたが、別の形態として、レジストフィルム４０の非露光部分でサンドブラストマスク６０を形成し、露光部分を除去してマスク開口部６１を形成するほかの形態も知られており、代わりにそのような形態を用いてもよい。
【0187】
工程（Ｆ２）では、硬化層３０にマスク開口部６１を介して砥粒を噴射して、第一ビアホール７０を形成する。
【0188】
図８は、工程（Ｆ２）で準備される第一ビアホール形成後の積層板Ｆ２の一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｆ２）において、サンドブラストマスク６０に覆われていないマスク開口部６１により露出した硬化層３０の部分では、硬化層３０に砥粒が衝突し、選択的に削られ、図８に示すように、第一開口部７１から回路基板１０の導体層１２表面に至るまで硬化層３０を貫通するようにして第一ビアホール７０が形成される。他方で、硬化層３０のサンドブラストマスク６０で覆われた部分では、噴射された砥粒がサンドブラストマスク６０に遮られて硬化層３０に衝突しないので、通常、硬化層３０は削られない。通常、形成される第一ビアホール７０の第一開口部７１は、マスク開口部６１とおおよそ同一の平面形状を有し得る。平面形状とは、別に断らない限り、積層板の厚み方向から見た形状を表す。
【0189】
サンドブラスト処理は、砥粒を吹き付けるドライブラスト処理、及び、砥粒及び液体を含むスラリーを吹き付けるウェットブラスト処理のいずれであってもよい。
【0190】
砥粒としては、例えば、シリカ、ガラス等の酸化ケイ素；スチール、ステンレス、亜鉛、銅等の金属；ガーネット、ジルコニア、炭化ケイ素、アルミナ、ボロンカーバイト等のセラミックス；ドライアイス等の材料を主成分とした粒子が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、酸化ケイ素粒子及びセラミックス粒子が好ましく、アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、及びシリカ粒子のいずれかが好ましい。シリカ粒子は、結晶シリカ粒子が好ましい。
【0191】
砥粒としては、市販品を用いてもよい。市販品としては、例えば、デンカ社製「ＤＡＷ－０３」、日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＡＹ２－７５」（アルミナ）；信濃電気精錬社製「ＧＰ＃４０００」、「ＳＥＲ－Ａ０６」（炭化ケイ素）；龍森社製「ＩＭＳＩＬ Ａ－８」（結晶シリカ）；不二製作所製「フジランダムＷＡ」（溶融アルミナ）が挙げられる。
【0192】
サンドブラスト処理に用いる砥粒の修正モース硬度は、第一ビアホール７０の加工性を高める観点から、好ましくは５以上、より好ましくは６以上、特に好ましくは７以上である。上限値は、通常、１５以下でありうる。砥粒の修正モース硬度は、モース硬度計を用いて測定することができる。
【0193】
砥粒の平均粒径は、第一ビアホール７０の加工性を高める観点から、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上、より好ましくは２．０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下、特に好ましくは１５μｍ以下である。砥粒の平均粒径は、例えば、走査型電子顕微鏡観察により測定することができ、詳細は、特開２００８－４１９３２号公報に記載の方法により行うことができる。
【0194】
砥粒の平均粒径は、第一ビアホール７０の加工性を高める観点から、硬化層３０の厚みＴ３０よりも小さいことが好ましい。硬化層３０の厚みＴ３０に対する砥粒の平均粒径の比は、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０２以上、特に好ましくは０．０４以上であり、好ましくは０．８０以下、より好ましくは０．５０以下、特に好ましくは０．３０以下である。
【0195】
砥粒を噴射する圧力（加工圧力）は、第一ビアホール７０の加工性を高める観点、及び、第一ビアホール７０の形成を短時間で行う観点から、好ましくは０．０５ＭＰａ以上、より好ましくは０．１ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．１５ＭＰａ以上であり、好ましくは１ＭＰａ以下、より好ましくは０．８ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．５ＭＰａ以下である。ここで、加工圧力は、硬化層３０の表面における値である。
【0196】
＜（Ｇ）第二ビアホールの形成工程＞
工程（Ｇ）では、工程（Ｆ）で製造された第一ビアホール形成後の積層板Ｆ２の硬化層３０（硬化層３０における第二ビアホール８０を形成するべき特定の位置）に向けて（サンドブラストマスク６０が存在する場合はサンドブラストマスク６０を介して、事前にサンドブラストマスク６０を除去した場合は硬化層３０に直接）レーザーを照射し、硬化層３０に第二ビアホール８０を形成する。なお、サンドブラスト処理を行う工程（Ｆ）を、工程（Ｇ）より後に行うと、工程（Ｇ）で形成した第二ビアホール８０に砥粒が入り込むことにより導通の信頼性が低下するなどの課題が生じ得るため、サンドブラスト処理を行う工程（Ｆ）は、通常、工程（Ｇ）より前に行う。
工程（Ｇ）では、工程（Ｆ）で製造された第一ビアホール形成後の積層板Ｆ２の硬化層３０（硬化層３０における第二ビアホール８０を形成するべき特定の位置）に向けて（サンドブラストマスク６０が存在する場合はサンドブラストマスク６０を介して、事前にサンドブラストマスク６０を除去した場合は硬化層３０に直接）レーザーを照射し、硬化層３０に第二ビアホール８０を形成する。なお、サンドブラスト処理を行う工程（Ｆ）を、工程（Ｇ）より後に行うと、工程（Ｇ）で形成した第二ビアホール８０に砥粒が入り込むことにより導通の信頼性が低下するなどの課題が生じ得るため、サンドブラスト処理を行う工程（Ｆ）は、通常、工程（Ｇ）より前に行う。
【0197】
第二ビアホール８０は、硬化層３０における回路基板１０が接する面とは反対側の面に第二開口部８１を有し且つ第二開口部８１から硬化層３０を貫通して回路基板１０の導体層１２の表面に到達するようにテーパ形状の孔として形成される。
【0198】
図９は、工程（Ｇ）で製造される第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｇ）で製造される第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇでは、図９に一例を示すように、サンドブラストマスク６０に第二開口部８１と重なる新たな開口が形成されると共に、第二開口部８１から回路基板１０の導体層１２に至るまで硬化層３０を貫通するようにしてテーパ形状の第二ビアホール８０が形成されている。
【0199】
工程（Ｇ）において形成される第二ビアホール８０における第二開口部８１の開口径は、開口径３２μｍ以下である。第二開口部８１の開口径の下限は、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等であり得る。第二開口部８１の形状は、特に限定されるものではないが、一実施形態においてレーザー処理により形成されるものであるため、好ましくは円形であり得、第二開口部８１の開口径は、その最短径（直径）を意味する。第二開口部８１の形状とは、別に断らない限り、プリント配線板の厚み方向から見た形状を表す。第二ビアホール８０は、通常、第二開口部８１の開口径よりも導体層１２の表面と接する底部の径の方が小さいテーパ形状を有する。
【0200】
第二ビアホール８０の最小ピッチは、硬化物の絶縁信頼性が従来のものより高いことからより狭く設定することができ、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。第二ビアホール８０の最小ピッチは、ある第二開口部８１の中心（重心）から同一の硬化層３０の面にある最も近い別の第二開口部８１の中心（重心）までの最短の距離である。
【0201】
工程（Ｇ）において照射するレーザーとしては、例えば、ＣＯ２レーザー（炭酸ガスレーザー）、ＹＡＧレーザー、ＵＶ－ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。硬化層３０の特性等に応じて、適切なレーザー光源を使用してよい。
【0202】
工程（Ｇ）におけるレーザーの照射条件は、小径の第二開口部８１を有する第二ビアホール８０を形成し得る限りにおいて特に限定されず、レーザー光源の種類、サンドブラストマスク６０の種類、硬化層３０の厚み、硬化層３０形成に使用した樹脂組成物の種類等に応じて、適宜決定してよい。
【0203】
以下、レーザー光源として炭酸ガスレーザーを使用する場合の照射条件について例示する。レーザー光源として炭酸ガスレーザーを使用する場合、一般に９．３μｍ～１０．６μｍの波長のレーザー光が使用される。
【0204】
工程（Ｇ）における炭酸ガスレーザーを使用する場合のレーザーのショット数は、形成すべき第二ビアホール８０の深さ、トップ径、レーザー光源の種類、サンドブラストマスク６０の種類、硬化層３０形成に使用した樹脂組成物の種類によっても異なるが、通常１～１０ショットの範囲で選択される。加工速度を高めて回路基板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、１～５ショットの範囲であることが好ましく、１～３ショットの範囲であることがより好ましい。なお、ショット数が２ショット以上である場合、バーストモード、サイクルモードの何れのモードでレーザー光を照射してもよい。
【0205】
工程（Ｇ）における炭酸ガスレーザーを使用する場合のレーザーのレーザー光のエネルギーは、ショット数、第二ビアホール８０の深さ、レーザー光源の種類、サンドブラストマスク６０の種類、硬化層３０形成に使用した樹脂組成物の種類等の厚さにもよるが、好ましくは０．２ｍＪ以上、より好ましくは０．３ｍＪ以上、さらに好ましくは０．４ｍＪ以上に設定される。レーザー光のエネルギーの上限は、好ましくは２０ｍＪ以下、より好ましくは１５ｍＪ以下、さらに好ましくは１０ｍＪ以下である。
【0206】
次にレーザー光源としてＵＶ－ＹＡＧレーザーを使用する場合の照射条件について例示する。レーザー光源としてＵＶ－ＹＡＧレーザーを使用する場合、一般に０．２μｍ～０．４μｍの波長のレーザー光が使用される。
【0207】
工程（Ｇ）におけるＵＶ－ＹＡＧレーザーを使用する場合のレーザーのショット数は、形成すべき第二ビアホール８０の深さ、トップ径、レーザー光源の種類、サンドブラストマスク６０の種類、硬化層３０形成に使用した樹脂組成物の種類によっても異なるが、通常１０～２００ショットの範囲で選択される。加工速度を高めて回路基板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、１０～１００ショットの範囲であることが好ましく、１０～８０ショットの範囲であることがより好ましい。
【0208】
工程（Ｇ）におけるＵＶ－ＹＡＧレーザーを使用する場合のレーザーのレーザー光のエネルギーは、ショット数、第二ビアホール８０の深さ、レーザー光源の種類、サンドブラストマスク６０の種類、硬化層３０形成に使用した樹脂組成物の種類等の厚さにもよるが、好ましくは０．０５Ｗ以上、より好ましくは０．１０Ｗ以上、さらに好ましくは０．１５Ｗ以上に設定される。レーザー光のエネルギーの上限は、好ましくは１０Ｗ以下、より好ましくは５Ｗ以下、さらに好ましくは３Ｗ以下である。
【0209】
工程（Ｇ）におけるレーザーの照射は市販のレーザー装置を用いて実施してよい。市販のレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」（炭酸ガスレーザー装置）、三菱電機（株）製「６０５ＧＴＷＩＩＩ（－Ｐ）」（炭酸ガスレーザー装置）、ＥＳＩ社製「ＭＯＤＥＬ５３３０ｘｉ」、「ＭＯＤＥＬ５３３５」（ＵＶ－ＹＡＧレーザー装置）等が挙げられる。
【0210】
＜（Ｈ）サンドブラストマスクの除去工程＞
工程（Ｈ）では、工程（Ｇ）で得られた第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇにサンドブラストマスク６０が残留している場合に、これを除去する。工程（Ｈ）は、任意の工程である。
工程（Ｈ）では、工程（Ｇ）で得られた第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇにサンドブラストマスク６０が残留している場合に、これを除去する。工程（Ｈ）は、任意の工程である。
【0211】
工程（Ｈ）におけるサンドブラストマスク６０の除去方法は、特に制限されるものではないが、例えば、サンドブラストマスク６０の形成のためにレジストフィルム４０を用いた場合、そのレジストフィルム４０を溶解しうる除去液とレジストフィルム４０とを接触させ、溶解させて、除去してもよい。接触方法は、例えば、浸漬法、スプレー法、塗布法などが挙げられるが、これに限定されない。
【0212】
なお、サンドブラストマスク６０の除去は、工程（Ｇ）のレーザー照射後に限られるものではなく、工程（Ｆ）のサンドブラスト処理後、工程（Ｇ）のレーザー照射前に、或いは工程（Ｉ）のデスミア後、工程（Ｊ）の導体層形成前に行ってもよい。
【0213】
＜（Ｉ）デスミア処理工程＞
工程（Ｉ）では、工程（Ｈ）のサンドブラストマスク除去後のプリント配線板Ｈ（工程（Ｇ）で得られた第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇ）にデスミア処理を行う。
工程（Ｉ）では、工程（Ｈ）のサンドブラストマスク除去後のプリント配線板Ｈ（工程（Ｇ）で得られた第二ビアホール形成後のプリント配線板Ｇ）にデスミア処理を行う。
【0214】
工程（Ｇ）においてレーザーを用いて形成された第二ビアホール８０の内部（特に底部）には、樹脂残渣（スミア）が付着している場合がある。斯かるスミアは、層間の電気接続不良の原因となるため、工程（Ｉ）においてスミアを除去する処理（デスミア処理）を実施する。
【0215】
図１０は、工程（Ｉ）で製造されるデスミア後のプリント配線板Ｉの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｉ）で製造されたデスミア後のプリント配線板Ｉでは、図１０に一例を示すように、サンドブラストマスク６０が除去され、第一開口部７１及び第二開口部８１が形成された硬化層３０の面が露出している。
【0216】
工程（Ｉ）で行うデスミア処理の方法は、特に限定されず、公知の各種方法により行うことができる。工程（Ｉ）で行うデスミア処理は、例えば、乾式デスミア処理、湿式デスミア処理又はこれらの組み合わせにより行ってよい。
【0217】
乾式デスミア処理としては、例えば、プラズマを用いたデスミア処理等が挙げられる。プラズマを用いたデスミア処理は、市販のプラズマデスミア処理装置を使用して実施することができる。市販のプラズマデスミア処理装置の中でも、プリント配線板の製造用途に好適な例として、（株）ニッシン製のマイクロ波プラズマ装置、積水化学工業（株）製の常圧プラズマエッチング装置等が挙げられる。
【0218】
乾式デスミア処理としてはまた、研磨材をノズルから吹き付けて処理対象を研磨し得る乾式サンドブラストデスミア処理を用いてもよい。乾式サンドブラストデスミア処理は、市販の乾式サンドブラストデスミア処理装置を用いて実施することができる。研磨材として、水溶性の研磨材を使用する場合には、乾式サンドブラストデスミア処理後に水洗処理することにより、研磨材が第二ビアホール内部に残留することもなく、スミアを効果的に除去することができる。
【0219】
湿式デスミア処理としては、例えば、酸化剤溶液を用いたデスミア処理等が挙げられる。酸化剤溶液を用いてデスミア処理する場合、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による酸化処理、中和液による中和処理をこの順に行うことが好ましい。
【0220】
膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等を挙げることができる。膨潤処理は、第二ビアホールの形成された基板を、６０℃～８０℃に加熱した膨潤液に５分間～１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。
【0221】
酸化剤溶液としては、アルカリ性過マンガン酸水溶液が好ましく、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。酸化剤溶液による酸化処理は、膨潤処理後のプリント配線板を、６０℃～８０℃に加熱した酸化剤溶液に１０分間～３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。アルカリ性過マンガン酸水溶液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ド－ジングソリューション・セキュリガンスＰ」等が挙げられる。
【0222】
中和液による中和処理は、酸化処理後の基板を、３０℃～５０℃の中和液に３分間～１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」が挙げられる。
【0223】
湿式デスミア処理としてはまた、研磨材と分散媒とをノズルから吹き付けて処理対象を研磨し得る湿式サンドブラストデスミア処理を用いてもよい。湿式サンドブラストデスミア処理は、市販の湿式サンドブラストデスミア処理装置を用いて実施することができる。
【0224】
乾式デスミア処理と湿式デスミア処理を組み合わせて実施する場合、乾式デスミア処理を先に実施してもよく、湿式デスミア処理を先に実施してもよい。
【0225】
＜（Ｊ）導体層の形成工程＞
工程（Ｊ）では、工程（Ｉ）のデスミア後のプリント配線板Ｉにおける第一開口部７１から回路基板１０までの第一ビアホール７０内と、それと連続的に第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上と、第二開口部８１から回路基板１０までの第二ビアホール８０内と、それと連続的に第二ビアホール８０外の第二開口部８１の面上と、に新たな導体層１２’を形成する。
工程（Ｊ）では、工程（Ｉ）のデスミア後のプリント配線板Ｉにおける第一開口部７１から回路基板１０までの第一ビアホール７０内と、それと連続的に第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上と、第二開口部８１から回路基板１０までの第二ビアホール８０内と、それと連続的に第二ビアホール８０外の第二開口部８１の面上と、に新たな導体層１２’を形成する。
【0226】
図１１は、工程（Ｊ）で製造される導体層形成後のプリント配線板Ｊの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｊ）で製造される導体層形成後のプリント配線板Ｊでは、図１１に一例を示すように、第一開口部７１から底部（貫通口部）である回路基板１０の導体層１２表面までの第一ビアホール７０内と、それと連続的に第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上と、第二開口部８１から底部（貫通口部）である回路基板１０の導体層１２表面までの第二ビアホール８０内と、それと連続的に第二ビアホール８０外の第二開口部８１の面上と、に導体層１２’が形成されている。したがって、第一開口部７１又は第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’は、それぞれ、第一ビアホール７０内又は第二ビアホール８０内に形成された導体層１２’を介して、予め形成されている回路基板１０における導体層１２と電気的に導通している。
【0227】
また、硬化層３０の回路基板１０と接する側とは反対側の表面上の少なくとも一部に、第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’から連続的に硬化層３０と接合するようにして導体層１２’が形成され、また、第二ビアホール８０外の第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’から連続的に硬化層３０と接合するようにして導体層１２’が形成されている。
【0228】
導体層１２’に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、導体層１２’は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層１２’は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金及びニッケル・金合金）から形成された層が挙げられる。中でも、導体層１２’形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金及びニッケル・金合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金及びニッケル・金合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【0229】
導体層１２’は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよいが、一実施形態において、複層構造であることが好ましい。導体層１２’が複層構造である場合、硬化層３０と接する層は、クロム、亜鉛、チタン若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。硬化層３０と接しない露出層（下記工程（Ｋ）で形成される第一半田ボール９０ａ又は第二半田ボール９０ｂと接合する層）は、ニッケル・金合金の合金層であることが好ましい。
【0230】
硬化層３０の回路基板１０と接する側とは反対側の表面上の少なくとも一部、第一ビアホール７０外の第一開口部７１の面上、及び第二ビアホール８０外の第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’の厚みＴ１２’は、互いに同等であり得る。導体層１２’の厚みＴ１２’は、所望の回路基板のデザインによるが、通常３５μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。導体層１２’の厚みＴ１２’の下限は、特に限定されないが、通常３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。
【0231】
工程（Ｊ）は、一実施形態において、硬化層３０の表面に乾式メッキして金属層を形成する工程（Ｊ１）、及び工程（Ｊ１）で形成した金属層の表面に湿式メッキして導体層１２’を形成する工程（Ｊ２）をこの順序で含む。工程（Ｊ）は、他実施形態において、硬化層３０の表面に湿式メッキして導体層１２’を形成する工程（Ｊ’）を含む。硬化層３０の表面は、工程（Ｈ）のデスミア処理で予め粗化処理されているか、同様の条件で粗化処理されていることが好ましい。
【0232】
工程（Ｊ１）における乾式メッキの方法としては、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レーザーアブレーション等の物理気相成長（ＰＶＤ）法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の化学気相成長（ＣＶＤ）法等が挙げられ、中でも蒸着、スパッタリングが好ましい。金属層は、これら乾式メッキの２種を組み合わせて形成してもよい。
【0233】
工程（Ｊ１）で形成する金属層の厚さは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ～２μｍ、より好ましくは１０ｎｍ～１μｍ、さらに好ましくは２０ｎｍ～５００ｎｍである。なお、工程（Ｊ１）で形成する金属層は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。工程（Ｊ１）で形成する金属層が複層構造である場合、金属層全体の厚さが上記範囲にあることが好ましい。
【0234】
工程（Ｊ２）では、金属層をメッキシード層として用い、セミアディティブ法により湿式メッキして所望のパターンを有する導体層１２’を形成することができる。詳細には、工程（Ｊ１）で形成した金属層（メッキシード層）上に、所望の配線パターンに対応して金属層（メッキシード層）の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出した金属層（メッキシード層）上に、電解メッキにより導体層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要な金属層（メッキシード層）をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層１２’を形成することができる。
【0235】
工程（Ｊ’）においては、硬化層３０の表面に直接湿式メッキして導体層１２’を形成する。例えば、無電解メッキと電解メッキとを組み合わせてセミアディティブ法により所望の配線パターンを有する導体層１２’を形成することができる。
【0236】
＜（Ｋ）半田ボールの形成工程＞
工程（Ｋ）では、工程（Ｉ）の導体層形成後のプリント配線板Ｊにおける第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’表面上に第一半田ボール９０ａを形成し、第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’表面上に第二半田ボール９０ｂを形成する。
工程（Ｋ）では、工程（Ｉ）の導体層形成後のプリント配線板Ｊにおける第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’表面上に第一半田ボール９０ａを形成し、第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’表面上に第二半田ボール９０ｂを形成する。
【0237】
図１２は、工程（Ｋ）で製造される半田ボール形成後のプリント配線板Ｋの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｋ）で製造される半田ボール形成後のプリント配線板Ｋでは、図１２に一例を示すように、第一開口部７１の面上に形成された導体層１２’上に当該導体層１２’と電気的に導通するように第一半田ボール９０ａが形成され、第二開口部８１の面上に形成された導体層１２’上に当該導体層１２’と電気的に導通するように第一半田ボール９０ａより大きなサイズの第二半田ボール９０ｂが形成されている。
【0238】
本発明のプリント配線板では、硬化層に異なるサイズの開口径を有するビアホールが形成されているため、そのビアホールの異なる開口径に応じた異なるサイズの半田ボールが形成できる。
【0239】
＜（Ｌ）プリント配線板パッケージの形成工程＞
工程（Ｌ）では、工程（Ｋ）の半田ボール形成後のプリント配線板Ｋを、それと並行に設置される第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂと、第一半田ボール９０ａ及び第二半田ボール９０ｂを介して電気的に接続し、さらにプリント配線板Ｋと第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂとの層間を封止樹脂１００で封止して、プリント配線板パッケージＬを製造する。
工程（Ｌ）では、工程（Ｋ）の半田ボール形成後のプリント配線板Ｋを、それと並行に設置される第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂと、第一半田ボール９０ａ及び第二半田ボール９０ｂを介して電気的に接続し、さらにプリント配線板Ｋと第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂとの層間を封止樹脂１００で封止して、プリント配線板パッケージＬを製造する。
【0240】
図１３は、工程（Ｌ）で製造されるプリント配線板パッケージＬの一例を模式的に示す断面図である。工程（Ｌ）で製造されるプリント配線板パッケージＬでは、図１３に一例を示すように、プリント配線板Ｋの第一半田ボール９０ａ及び第二半田ボール９０ｂが形成された側の面からプリント配線板Ｋの厚み方向に、プリント配線板Ｋと所定の距離を保って平行に第二回路基板１０ｂが設置され、さらに第二回路基板１０ｂのプリント配線板Ｋ側とは反対側の面から第二回路基板１０ｂの厚み方向に、第二回路基板１０ｂと所定の距離を保って平行に第一回路基板１０ａが設置されている。
【0241】
第二回路基板１０ｂは、プリント配線板Ｋ及び第一回路基板１０ａに比べて通常基板の面積が小さい。プリント配線板Ｋ及び第一回路基板１０ａには、それぞれ、第二回路基板１０ｂと重なる領域と重ならない領域が存在する。プリント配線板Ｋの第一半田ボール９０ａが形成された部分の厚み方向には、第一回路基板１０ａのみが存在し、プリント配線板Ｋの第二半田ボール９０ｂが形成された部分の厚み方向には、第二回路基板１０ｂと第一回路基板１０ａの両方が重なって存在する。
【0242】
プリント配線板Ｋは、第一回路基板１０ａと、プリント配線板Ｋの第一半田ボール９０ａ及び第一回路基板の半田ボール９０ａ’を介して、電気的に接続され、第二回路基板１０ｂと、プリント配線板Ｋの第二半田ボール９０ｂ及び第二回路基板の半田ボール９０ｂ’を介して、電気的に接続されている。さらに、プリント配線板Ｋと第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂとの層間が封止樹脂１００で封止されている。
【0243】
本発明のプリント配線板における硬化層には異なるサイズの開口径を有するビアホールが形成されているため、その異なるビアホールの開口径に応じた異なるサイズの第一半田ボール９０ａ及び第二半田ボール９０ｂを形成させることができ、これにより、プリント配線板Ｋを、異なる距離に設置された第一回路基板１０ａ及び第二回路基板１０ｂそれぞれと、異なるサイズの第一半田ボール９０ａ及び第二半田ボール９０ｂを介して、電気的に接続することができる。したがって、より複雑で且つ精密な半導体装置の設計が可能となる。
【0244】
＜半導体装置＞
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板（例えばプリント配線板パッケージの形態として）を含む。半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板（例えばプリント配線板パッケージの形態として）を含む。半導体装置としては、例えば、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例0245】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。特に温度及び圧力の指定が無い場合の温度条件及び圧力条件は、室温（２５℃）及び大気圧（１ａｔｍ）である。
【0246】
＜調製例１：樹脂組成物１の調製＞
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ－３０００－Ｌ」、エポキシ当量約２６９）１０部、液状１，４－グリシジルシクロヘキサン（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ１６５８」、エポキシ当量約１３５）１０部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量約１８５）１０部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、固形分６５％のトルエン溶液）５０部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、水酸基当量約１５１、固形分５０％の２－メトキシプロパノール溶液）６部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１０部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ－０３」、活性基当量約２１６、固形分５０質量％のトルエン溶液）１０部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）２２０部、リン系難燃剤（三光社製「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳ」、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド）１部、ゴム粒子（アイカ工業社製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」）１部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）５部、メチルエチルケトン２５部、シクロヘキサノン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物１（ワニス状）を調製した。
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ－３０００－Ｌ」、エポキシ当量約２６９）１０部、液状１，４－グリシジルシクロヘキサン（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＺＸ１６５８」、エポキシ当量約１３５）１０部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量約１８５）１０部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、固形分６５％のトルエン溶液）５０部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ－３０１８－５０Ｐ」、水酸基当量約１５１、固形分５０％の２－メトキシプロパノール溶液）６部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１０部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ－０３」、活性基当量約２１６、固形分５０質量％のトルエン溶液）１０部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）２２０部、リン系難燃剤（三光社製「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳ」、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド）１部、ゴム粒子（アイカ工業社製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」）１部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）５部、メチルエチルケトン２５部、シクロヘキサノン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物１（ワニス状）を調製した。
【0247】
＜調製例２：樹脂組成物２の調製＞
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ－３０００－Ｌ」、エポキシ当量約２６９）３０部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＥＬ」、エポキシ当量約１８０）２０部、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１０３１Ｓ」、エポキシ当量約１９８）５部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＴＤ－２０９０－６０Ｍ」、水酸基当量約１０５、固形分６０％）１０部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）８部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）３５部、メタクリルシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」）で表面処理された球形シリカ（デンカ社製「ＵＦＰ－３０」、平均粒径０．３μｍ、比表面積３０．７ｍ２／ｇ）３５部、リン系難燃剤（三光社製「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳ」、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド）５部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５％のＭＥＫ溶液）３部、メチルエチルケトン２０部、シクロヘキサノン１０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物２（ワニス状）を調製した。
ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ－３０００－Ｌ」、エポキシ当量約２６９）３０部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＥＬ」、エポキシ当量約１８０）２０部、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ｊＥＲ１０３１Ｓ」、エポキシ当量約１９８）５部、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＬＡ－７０５４」、水酸基当量約１２５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＴＤ－２０９０－６０Ｍ」、水酸基当量約１０５、固形分６０％）１０部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）８部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）３５部、メタクリルシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」）で表面処理された球形シリカ（デンカ社製「ＵＦＰ－３０」、平均粒径０．３μｍ、比表面積３０．７ｍ２／ｇ）３５部、リン系難燃剤（三光社製「ＨＣＡ－ＨＱ－ＨＳ」、１０－（２，５－ジヒドロキシフェニル）－１０－ヒドロ－９－オキサ－１０－フォスファフェナンスレン－１０－オキサイド）５部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５％のＭＥＫ溶液）３部、メチルエチルケトン２０部、シクロヘキサノン１０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物２（ワニス状）を調製した。
【0248】
＜調製例３：樹脂組成物３の調製＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＥＬ」、エポキシ当量約１８０）２０部、ナフトール型エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＥＳＮ－４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３２）１０部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量約１８５）１０部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ６０００」、エポキシ当量約２６０）２０部、シアネートエステル系硬化剤（ロンザジャパン社製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３５、固形分７５％のＭＥＫ溶液）１０部、シアネートエステル系硬化剤（ロンザジャパン社製「ＢＡＤＣｙ」、シアネート当量約１４２）１０部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、固形分６５％のトルエン溶液）２０部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）８部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）８５部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５％のＭＥＫ溶液）３部、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成社製の１％のＭＥＫ溶液）５部、メチルエチルケトン３０部、シクロヘキサノン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物３（ワニス状）を調製した。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＥＬ」、エポキシ当量約１８０）２０部、ナフトール型エポキシ樹脂（日鉄ケミカル＆マテリアル社製「ＥＳＮ－４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３２）１０部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量約１８５）１０部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ６０００」、エポキシ当量約２６０）２０部、シアネートエステル系硬化剤（ロンザジャパン社製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３５、固形分７５％のＭＥＫ溶液）１０部、シアネートエステル系硬化剤（ロンザジャパン社製「ＢＡＤＣｙ」、シアネート当量約１４２）１０部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、固形分６５％のトルエン溶液）２０部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）８部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）８５部、硬化促進剤（４－ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５％のＭＥＫ溶液）３部、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成社製の１％のＭＥＫ溶液）５部、メチルエチルケトン３０部、シクロヘキサノン１５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物３（ワニス状）を調製した。
【0249】
＜調製例４：樹脂組成物４の調製＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＥＬ」、エポキシ当量約１８０）１５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量約１８５）２５部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、固形分６５％のトルエン溶液）４０部、スチレン変性ポリフェニレンエーテル樹脂（三菱瓦斯化学社製「ＯＰＥ－２Ｓｔ１２００」（数平均分子量１２００）、固形分６０％のトルエン溶液）５０部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）２４０部、硬化促進剤（四国化成（株）製「１Ｂ２ＰＺ」の１０％ＭＥＫ溶液）２部、メチルエチルケトン４０部、シクロヘキサノン２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物４（ワニス状）を調製した。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＥＬ」、エポキシ当量約１８０）１５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＸ４０００Ｈ」、エポキシ当量約１８５）２５部、活性エステル化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ－８０００－６５Ｔ」、活性基当量約２２３、固形分６５％のトルエン溶液）４０部、スチレン変性ポリフェニレンエーテル樹脂（三菱瓦斯化学社製「ＯＰＥ－２Ｓｔ１２００」（数平均分子量１２００）、固形分６０％のトルエン溶液）５０部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）２４０部、硬化促進剤（四国化成（株）製「１Ｂ２ＰＺ」の１０％ＭＥＫ溶液）２部、メチルエチルケトン４０部、シクロヘキサノン２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂組成物４（ワニス状）を調製した。
【0250】
＜調製例５：樹脂組成物５の調製＞
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）の使用量を３５部から２０部に、メタクリルシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」）で表面処理された球形シリカ（デンカ社製「ＵＦＰ－３０」、平均粒径０．３μｍ、比表面積３０．７ｍ２／ｇ）の使用量を３５部から２０部に変更した以外は、調製例２と同様にして樹脂組成物５（ワニス状）を調製した。
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）の使用量を３５部から２０部に、メタクリルシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５０３」）で表面処理された球形シリカ（デンカ社製「ＵＦＰ－３０」、平均粒径０．３μｍ、比表面積３０．７ｍ２／ｇ）の使用量を３５部から２０部に変更した以外は、調製例２と同様にして樹脂組成物５（ワニス状）を調製した。
【0251】
＜調製例６：樹脂組成物６の調製＞
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）の使用量を２２０部から３００部に変更した以外は、調製例１と同様にして樹脂組成物６（ワニス状）を調製した。
アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製「ＳＯ－Ｃ２」、平均粒径０．５μｍ）の使用量を２２０部から３００部に変更した以外は、調製例１と同様にして樹脂組成物６（ワニス状）を調製した。
【0252】
＜試験例１：弾性率の測定＞
離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型面上に、調製例１～６で得た樹脂組成物を均一に塗布し、８０～１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥させて、樹脂組成物層の厚み４０μｍの樹脂シートを作製した。
離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型面上に、調製例１～６で得た樹脂組成物を均一に塗布し、８０～１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥させて、樹脂組成物層の厚み４０μｍの樹脂シートを作製した。
【0253】
離型剤処理されたＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」、厚み３８μｍ、２４０ｍｍ角）の離型剤未処理面に、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（パナソニック社製「Ｒ５７１５ＥＳ」、厚み０．７ｍｍ、２５５ｍｍ角）を重ね四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した（以下、「固定ＰＥＴフィルム」ということがある。）。
【0254】
作製した樹脂組成物層の厚み４０μｍの接着フィルムを上記「固定ＰＥＴフィルム」の離型処理面上にバッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ－５００）を用いてラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。
【0255】
次いで、離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を剥離し、１９０℃のオーブンに投入後９０分間の硬化条件で接着フィルムを熱硬化させた。
【0256】
熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、硬化物をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板から取り外し、更にＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」）も剥離して、シート状の評価用硬化物を得た。
【0257】
得られた評価用硬化物を、日本工業規格（ＪＩＳ Ｋ７１２７）に準拠し、２５℃において、テンシロン万能試験機（（株）エー・アンド・デイ製）により硬化物の引っ張り試験を行い、弾性率（ＧＰａ）を測定した。
【0258】
＜試験例２：線熱膨張率の測定＞
試験例１で得られた評価用硬化物を、幅約５ｍｍ、長さ約１５ｍｍの試験片に切断し、（株）リガク製熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０）を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。２回の測定において２５℃から１５０℃までの平均線熱膨張率を算出した。
試験例１で得られた評価用硬化物を、幅約５ｍｍ、長さ約１５ｍｍの試験片に切断し、（株）リガク製熱機械分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＴＭＡ８３１０）を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。２回の測定において２５℃から１５０℃までの平均線熱膨張率を算出した。
【0259】
調製例１～６の樹脂組成物１～６の固形分量基準の原料使用量、並びに試験例１及び２の測定結果を下記表１にまとめる。
【0260】
【表1】
【0261】
＜実施例１：評価用プリント配線板１の作製＞
（１）樹脂シートの準備
離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型面上に、調製例１で得た樹脂組成物１を均一に塗布し、８０～１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥させて、樹脂組成物層の厚み１５μｍの樹脂シートを作製した。
（１）樹脂シートの準備
離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック社製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）の離型面上に、調製例１で得た樹脂組成物１を均一に塗布し、８０～１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥させて、樹脂組成物層の厚み１５μｍの樹脂シートを作製した。
【0262】
（２）樹脂シートのラミネート
作製した樹脂組成物層の厚み１５μｍの樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ－５００）を用いて、メック社製「ＣＺ８２０１」により銅（導体層）表面の粗化処理を行った積層板（回路基板）の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。
作製した樹脂組成物層の厚み１５μｍの樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ－５００）を用いて、メック社製「ＣＺ８２０１」により銅（導体層）表面の粗化処理を行った積層板（回路基板）の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。
【0263】
（３）樹脂組成物層の硬化
樹脂シートをラミネートした積層板（樹脂シート積層板）を１８０℃、３０分の条件で加熱して、積層板における樹脂組成物層を熱硬化し絶縁層（硬化層）を形成した。
樹脂シートをラミネートした積層板（樹脂シート積層板）を１８０℃、３０分の条件で加熱して、積層板における樹脂組成物層を熱硬化し絶縁層（硬化層）を形成した。
【0264】
（４）サンドブラストによるビア加工
次に、樹脂シートの離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、絶縁層表面にレジストフィルム（ニッコーマテリアルズ（株）製、ＮＣＭ３４０、厚さ４０μｍ）を貼り合わせた。レジストフィルムの積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機製作所社製「ＭＶＬＰ－５００」）を用いて、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にした後、圧力０．１ＭＰａ、温度７０℃にて、２０秒間加圧して行った。その後、ビアパターンを有するガラスマスクをドライフィルムの保護層であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に置き、ＵＶランプにより照射強度１４０ｍＪ／ｃｍ２にてＵＶ照射を行った。ＵＶ照射後、２５℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて噴射圧０．１５ＭＰａにて４５秒間スプレー処理した。その後、水洗を行い円形の第一ビアホール（絶縁層表面における開口径（直径）１００μｍ）を形成するためのビアパターンを形成した。その後、砥粒として＃２０００のアルミナ砥粒スラリー（平均粒径６．７μｍ）を用いてサンドブラスト加工を行い、第一ビアホールのパターンを形成した。
次に、樹脂シートの離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離した後、絶縁層表面にレジストフィルム（ニッコーマテリアルズ（株）製、ＮＣＭ３４０、厚さ４０μｍ）を貼り合わせた。レジストフィルムの積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機製作所社製「ＭＶＬＰ－５００」）を用いて、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下にした後、圧力０．１ＭＰａ、温度７０℃にて、２０秒間加圧して行った。その後、ビアパターンを有するガラスマスクをドライフィルムの保護層であるポリエチレンテレフタレートフィルム上に置き、ＵＶランプにより照射強度１４０ｍＪ／ｃｍ２にてＵＶ照射を行った。ＵＶ照射後、２５℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて噴射圧０．１５ＭＰａにて４５秒間スプレー処理した。その後、水洗を行い円形の第一ビアホール（絶縁層表面における開口径（直径）１００μｍ）を形成するためのビアパターンを形成した。その後、砥粒として＃２０００のアルミナ砥粒スラリー（平均粒径６．７μｍ）を用いてサンドブラスト加工を行い、第一ビアホールのパターンを形成した。
【0265】
（５）レーザーによるビア加工
ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機（ビアメカニクス（株）製「ＬＵ－２Ｌ２１２／Ｍ５０Ｌ」）を使用し、絶縁層表面に円形の第二ビアホールのパターンを形成した。絶縁層表面における第二ビアホールの開口径（直径）は２０μｍであった。第二ビアホールの形成後レジストフィルムの除去を行った。
ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機（ビアメカニクス（株）製「ＬＵ－２Ｌ２１２／Ｍ５０Ｌ」）を使用し、絶縁層表面に円形の第二ビアホールのパターンを形成した。絶縁層表面における第二ビアホールの開口径（直径）は２０μｍであった。第二ビアホールの形成後レジストフィルムの除去を行った。
【0266】
（６）ビアフィルメッキと銅ランドパターンの形成
第一ビアホールと第二ビアホールが形成された絶縁層を有する積層板を膨潤液（アトテックジャパン（株）製「スエリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液）に６０℃で１０分間浸漬し、次いで酸化剤（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６質量％、水酸化ナトリウム濃度約４質量％の水溶液）に８０℃で２０分間浸漬し、最後に中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液）に４０℃で５分間浸漬した。その後、８０℃で３０分間乾燥させた。その後、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ液に４０℃で５分間浸漬した後、無電解銅メッキ液に２５℃で２０分間浸漬した。次いで、１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングにより銅ランドパターン形成した。その後、硫酸銅電解メッキによりビアフィルと銅ランド（導体層）の形成を行い、１８０℃にて６０分間アニール処理を行い、評価用プリント配線板１を作製した。
第一ビアホールと第二ビアホールが形成された絶縁層を有する積層板を膨潤液（アトテックジャパン（株）製「スエリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル含有の水酸化ナトリウム水溶液）に６０℃で１０分間浸漬し、次いで酸化剤（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６質量％、水酸化ナトリウム濃度約４質量％の水溶液）に８０℃で２０分間浸漬し、最後に中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸ヒドロキシルアミン水溶液）に４０℃で５分間浸漬した。その後、８０℃で３０分間乾燥させた。その後、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ液に４０℃で５分間浸漬した後、無電解銅メッキ液に２５℃で２０分間浸漬した。次いで、１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングにより銅ランドパターン形成した。その後、硫酸銅電解メッキによりビアフィルと銅ランド（導体層）の形成を行い、１８０℃にて６０分間アニール処理を行い、評価用プリント配線板１を作製した。
【0267】
＜実施例２：評価用プリント配線板２の作製＞
樹脂組成物１の代わりに調製例２で得た樹脂組成物２を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板２を作製した。
樹脂組成物１の代わりに調製例２で得た樹脂組成物２を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板２を作製した。
【0268】
＜実施例３：評価用プリント配線板３の作製＞
樹脂組成物１の代わりに調製例３で得た樹脂組成物３を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される第一ビアホールの開口形状を円形から開口径（正方形の一辺の長さ）２００μｍの略正方形に変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板３を作製した。
樹脂組成物１の代わりに調製例３で得た樹脂組成物３を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される第一ビアホールの開口形状を円形から開口径（正方形の一辺の長さ）２００μｍの略正方形に変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板３を作製した。
【0269】
＜実施例４：評価用プリント配線板４の作製＞
樹脂組成物１の代わりに調製例４で得た樹脂組成物４を使用し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板４を作製した。
樹脂組成物１の代わりに調製例４で得た樹脂組成物４を使用し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板４を作製した。
【0270】
＜比較例１：評価用プリント配線板５の作製＞
樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから３０μｍに変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、開口径３５μｍの円形の第二ビアホールの形成を試みたが、硬化層が厚すぎるため下地銅パターンの露出させることができなかった点以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板５を作製した。
樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから３０μｍに変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、開口径３５μｍの円形の第二ビアホールの形成を試みたが、硬化層が厚すぎるため下地銅パターンの露出させることができなかった点以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板５を作製した。
【0271】
＜比較例２：評価用プリント配線板６の作製＞
樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより開口径１００μｍの円形の第一ビアホールの代わりに開口径３０μｍの円形の第一ビアホールの形成を試みたがレジストフィルムが残留している間に下地銅パターンの露出させることができず、さらに、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板６を作製した。
樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより開口径１００μｍの円形の第一ビアホールの代わりに開口径３０μｍの円形の第一ビアホールの形成を試みたがレジストフィルムが残留している間に下地銅パターンの露出させることができず、さらに、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板６を作製した。
【0272】
＜比較例３：評価用プリント配線板７の作製＞
樹脂組成物１の代わりに調製例５で得た樹脂組成物５を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更して第一ビアホールの形成を試みたがレジストフィルムが残留している間に下地銅パターンの露出させることができず、さらに、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板７を作製した。
樹脂組成物１の代わりに調製例５で得た樹脂組成物５を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更して第一ビアホールの形成を試みたがレジストフィルムが残留している間に下地銅パターンの露出させることができず、さらに、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板７を作製した。
【0273】
＜比較例４：評価用プリント配線板８の作製＞
樹脂組成物１の代わりに調製例６で得た樹脂組成物６を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板８を作製した。
樹脂組成物１の代わりに調製例６で得た樹脂組成物６を使用し、樹脂シートの樹脂組成物層の厚みを１５μｍから２０μｍに変更し、サンドブラストにより形成される円形の第一ビアホールの開口径を１００μｍから２００μｍに変更し、ＵＶ－ＹＡＧレーザー加工機の代わりにＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ－２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、円形の第二ビアホールの開口径を２０μｍから３０μｍに変更した以外は実施例１と同様にして評価用プリント配線板８を作製した。
【0274】
＜評価例１：サンドブラスト加工性の評価＞
各実施例の工程（４）におけるサンドブラストによる第一ビアホール形成の加工時間を測定し、サンドブラスト加工性を下記評価基準に従って評価した。
各実施例の工程（４）におけるサンドブラストによる第一ビアホール形成の加工時間を測定し、サンドブラスト加工性を下記評価基準に従って評価した。
【0275】
評価基準
「○」：レジストフィルムが残っている間に下地銅パターンの露出が可能かつ加工時間が５分未満
「△」：レジストフィルムが残っている間に下地銅パターンの露出が可能かつ加工時間が５分以上
「×」：レジストフィルムが残っている間に下地銅パターンの露出が不可能
「○」：レジストフィルムが残っている間に下地銅パターンの露出が可能かつ加工時間が５分未満
「△」：レジストフィルムが残っている間に下地銅パターンの露出が可能かつ加工時間が５分以上
「×」：レジストフィルムが残っている間に下地銅パターンの露出が不可能
【0276】
＜評価例２：クラック抑制の評価＞
評価用基板について、－５５℃で１０分間、１２５℃で１０分間を１サイクルとする熱サイクル試験を実施した（サイクル数：１０００）。熱サイクル試験後の積層体の断面をＳＥＭにて観察（倍率４５００倍）し、ビア接続部分のクラックや剥がれを観察し、接続信頼性を下記評価基準に従って評価した。
評価用基板について、－５５℃で１０分間、１２５℃で１０分間を１サイクルとする熱サイクル試験を実施した（サイクル数：１０００）。熱サイクル試験後の積層体の断面をＳＥＭにて観察（倍率４５００倍）し、ビア接続部分のクラックや剥がれを観察し、接続信頼性を下記評価基準に従って評価した。
【0277】
評価基準
「○」：観察した任意の第一ビアホールのビア接続部分１０カ所、観察した任意の第二ビアホールのビア接続部分１０カ所の合計２０カ所のビア接続部分中、クラックや剥がれが０個
「△」：観察した任意の第一ビアホールのビア接続部分１０カ所、観察した任意の第二ビアホールのビア接続部分１０カ所の合計２０カ所のビア接続部分中、クラックや剥がれが１～２個
「×」：観察した任意の第一ビアホールのビア接続部分１０カ所、観察した任意の第二ビアホールのビア接続部分１０カ所の合計２０カ所のビア接続部分中、クラックや剥がれが３個以上
「○」：観察した任意の第一ビアホールのビア接続部分１０カ所、観察した任意の第二ビアホールのビア接続部分１０カ所の合計２０カ所のビア接続部分中、クラックや剥がれが０個
「△」：観察した任意の第一ビアホールのビア接続部分１０カ所、観察した任意の第二ビアホールのビア接続部分１０カ所の合計２０カ所のビア接続部分中、クラックや剥がれが１～２個
「×」：観察した任意の第一ビアホールのビア接続部分１０カ所、観察した任意の第二ビアホールのビア接続部分１０カ所の合計２０カ所のビア接続部分中、クラックや剥がれが３個以上
【0278】
＜評価例３：反り抑制の評価＞
各実施例の工程（１）で得た特定の樹脂組成物層の厚みを有する樹脂シートを、ガラス布基材両面銅張積層板（銅箔の厚み１８μｍ、基板厚み０．２ｍｍ、日立化成(株)社製「ＭＣＬ－Ｅ６７９ ＦＧＲ」、大きさ１５ｃｍ×１８ｃｍ）の片面にバッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）にてラミネートし、ＰＥＴフィルムを除去した後、１９０℃で９０分熱硬化させ平面に置き反り量を確認し、反りを下記評価基準に従って評価した。
各実施例の工程（１）で得た特定の樹脂組成物層の厚みを有する樹脂シートを、ガラス布基材両面銅張積層板（銅箔の厚み１８μｍ、基板厚み０．２ｍｍ、日立化成(株)社製「ＭＣＬ－Ｅ６７９ ＦＧＲ」、大きさ１５ｃｍ×１８ｃｍ）の片面にバッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製２ステージビルドアップラミネーター「ＣＶＰ７００」）にてラミネートし、ＰＥＴフィルムを除去した後、１９０℃で９０分熱硬化させ平面に置き反り量を確認し、反りを下記評価基準に従って評価した。
【0279】
評価基準
「○」：４つ角それぞれの反り量の平均値が１ｃｍ未満
「△」：４つ角それぞれの反り量の平均値が１ｃｍ以上２ｃｍ未満
「×」：４つ角それぞれの反り量の平均値が２ｃｍ以上
「○」：４つ角それぞれの反り量の平均値が１ｃｍ未満
「△」：４つ角それぞれの反り量の平均値が１ｃｍ以上２ｃｍ未満
「×」：４つ角それぞれの反り量の平均値が２ｃｍ以上
【0280】
評価用プリント配線板１～８の特徴、並びに評価例１～３の測定結果及び評価結果を下記表２にまとめる。
【0281】
【表2】
【0282】
以上の通り、硬化層の厚みが２５μｍ以下であり、硬化層の２５℃における弾性率が５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である場合では、サンドブラスト加工性に優れ、第一ビアホール及び第二ビアホールの形成を成功させることができ、さらには、クラックの発生や反りを抑制することができた。硬化層の厚みが２５μｍを上回る比較例１では硬化層が厚すぎたためレーザー処理による第二ビアホールの形成ができなかった。比較例２ではサンドブラスト処理で開口径５０μｍ未満のビアホールの形成を試みたが形成できなかった。弾性率が５ＧＰａ未満の比較例３ではサンドブラスト加工性が低下したことによりサンドブラスト処理による第一ビアホールの形成ができなかった。また、多数のクラックの発生が確認された。弾性率が１５ＧＰａを上回る比較例４では顕著な反りが確認された。
【符号の説明】
【0283】
１０ 回路基板
１０ａ 第一回路基板
１０ｂ 第二回路基板
１１ 支持基板
１２ 導体層
１２’ 導体層
２０ 樹脂シート
２１ 支持体
２２ 樹脂組成物層
３０ 硬化層
４０ レジストフィルム
５０ フォトマスク
６０ サンドブラストマスク
６１ マスク開口部
７０ 第一ビアホール
７１ 第一開口部
８０ 第二ビアホール
８１ 第二開口部
９０ａ 第一半田ボール
９０ｂ 第二半田ボール
９０ａ’ 第一回路基板の半田ボール
９０ｂ’ 第二回路基板の半田ボール
１００ 封止樹脂
１０ａ 第一回路基板
１０ｂ 第二回路基板
１１ 支持基板
１２ 導体層
１２’ 導体層
２０ 樹脂シート
２１ 支持体
２２ 樹脂組成物層
３０ 硬化層
４０ レジストフィルム
５０ フォトマスク
６０ サンドブラストマスク
６１ マスク開口部
７０ 第一ビアホール
７１ 第一開口部
８０ 第二ビアホール
８１ 第二開口部
９０ａ 第一半田ボール
９０ｂ 第二半田ボール
９０ａ’ 第一回路基板の半田ボール
９０ｂ’ 第二回路基板の半田ボール
１００ 封止樹脂
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】