特開 2022-71310 モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022071310

(43)【公開日】2022-05-16

(54)【発明の名称】モジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20220509BHJP

   H03H 9/72 20060101ALI20220509BHJP

   H03H 9/17 20060101ALI20220509BHJP

   H03H 9/70 20060101ALI20220509BHJP

   H03H 9/54 20060101ALI20220509BHJP

   H04B 1/38 20150101ALI20220509BHJP

   H01L 25/00 20060101ALI20220509BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H03H9/25 C

H03H9/72

H03H9/17 F

H03H9/70

H03H9/54 Z

H04B1/38

H01L25/00 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020180199

(22)【出願日】2020-10-28

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100171077

【弁理士】

【氏名又は名称】佐々木 健

(72)【発明者】

【氏名】金原 兼央

【テーマコード（参考）】

5J097

5J108

5K011

【Ｆターム（参考）】

5J097AA01

5J097AA29

5J097BB02

5J097BB14

5J097BB15

5J097DD21

5J097EE08

5J097FF04

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097KK09

5J097KK10

5J097LL01

5J097LL04

5J097LL06

5J097LL07

5J097LL08

5J108AA07

5J108BB08

5J108DD01

5J108EE04

5J108EE07

5J108JJ04

5K011AA06

5K011DA02

5K011DA12

5K011DA27

5K011EA06

5K011JA01

(57)【要約】

【課題】より小型化され、かつ、配線自体の挿入損失が低減されたインピーダンスマッチング用インダクタを有するモジュールを提供する。
【解決手段】複数の外部接続端子を備える配線基板と、前記配線基板に実装され、弾性波素子を備える弾性波素子基板と、前記弾性波素子基板上に実装された受動部品と、を有するモジュールであって、前記弾性波素子基板は、前記配線基板に対向する主面上に形成された第１配線パターン、前記弾性波素子基板の厚み方向の面上に形成された第２配線パターン及び前記弾性波素子基板の前記受動部品が実装された主面上に形成された第３配線パターンを有し、前記受動部品は、前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して前記弾性波素子と電気的に接続されているモジュール。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の外部接続端子を備える配線基板と、
前記配線基板に実装され、弾性波素子を備える弾性波素子基板と、
前記弾性波素子基板上に実装された受動部品と、
を有するモジュールであって、
前記弾性波素子基板は、
前記配線基板に対向する主面上に形成された第１配線パターン、
前記弾性波素子基板の厚み方向の面上に形成された第２配線パターン及び
前記弾性波素子基板の前記受動部品が実装された主面上に形成された第３配線パターンを有し、
前記受動部品は、前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して前記弾性波素子と電気的に接続されているモジュール。

【請求項2】

前記受動部品はチップインダクタである請求項１に記載のモジュール。

【請求項3】

前記受動部品は、ＩＰＤ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ）である、請求項１に記載のモジュール。

【請求項4】

前記弾性波素子基板は圧電基板と支持基板を含み、前記支持基板はサファイア、アルミナ、スピネルまたは高抵抗シリコンからなる基板である請求項１に記載のモジュール。

【請求項5】

前記弾性波素子が弾性表面波共振器である請求項１に記載のモジュール。

【請求項6】

前記弾性波素子が弾性薄膜共振器である請求項１に記載のモジュール。

【請求項7】

前記弾性波素子は、第1のバンドパスフィルタ及び第２のバンドパスフィルタを備えており、
前記弾性波素子基板は、少なくともそれぞれ４つの前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを備えており、
前記受動部品は、
前記第１のバンドパスフィルタと、第１の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して電気的に接続され、第２の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して外部接続端子と電気的に接続された第１のインダクタ、並びに、
前記第２のバンドパスフィルタと、第３の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して電気的に接続され、第４の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して、前記第１のインダクタが電気的に接続された外部接続端子とは別の外部接続端子と電気的に接続された第２のインダクタを備える、
請求項１に記載のモジュール。

【請求項8】

スイッチング回路及びローノイズアンプを含む集積回路部品を備える、請求項１に記載のモジュール。

【請求項9】

前記配線基板と前記弾性波素子基板が接合する領域の少なくとも一部の領域と、前記弾性波素子基板と前記受動部品が接合する領域の少なくとも一部の領域が、平面透視図上重なり合う請求項１に記載のモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フロントエンドモジュールを含む、モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

移動体通信端末に代表されるスマートフォンなどでは、複数の高周波数帯における通信に対応することが要請される。このため、高周波の周波数帯域の通信を通過させる複数のバンドパスフィルタを搭載したフロントエンドモジュールが用いられている。

【0003】

また、フロントエンドモジュールでは、バンドパスフィルタとローノイズアンプ（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｅｒ）の間に、バンドパスフィルタおよびローノイズアンプをインピーダンスマッチングするためのインダクタが用いられている。

【0004】

また、近年のスマートフォンの薄型化、集積化の要請から、フロントエンドモジュールに対しても小型化の要請が強く、インピーダンスマッチング用のインダクタは、ＩＰＤ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ）化が進んでいる。

【0005】

特許文献１には、フロントエンドモジュールのインピーダンスマッチングに関する技術の一例が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１９－１９２９９２

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとする主たる課題について説明する。

【0008】

近年では、フロントエンドモジュールに実装される素子、例えば、バンドパスフィルタ、ローノイズアンプなどの集積回路には、インピーダンスマッチングをするためのインダクタが、ほぼ必須となっている。

【0009】

しかし、移動体通信端末のさらなる高集積化、小型化の要請から、フロントエンドモジュールにも、さらなる小型化の要請が高い。

【0010】

また、配線自体の挿入損失を低減するため、インピーダンスマッチングのための配線パターンについても、より短距離での配線が望まれている。

【0011】

図１は、従来のモジュールの一例を示す図である。図１に示すように、２つのバンドパスフィルタＢＰＦと、２つのバンドパスフィルタＢＰＦそれぞれについてインピーダンスマッチング用のＩＰＤを搭載したモジュールは、必要な面積が大きくなる。また、バンドパスフィルタＢＰＦからＩＰＤまでの配線も必要になる。

【0012】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、より小型化され、かつ、配線自体の挿入損失が低減されたインピーダンスマッチング用インダクタを有するモジュールやフロントエンドモジュールを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0013】

前記課題を達成するために、本発明にあっては、
複数の外部接続端子を備える配線基板と、
前記配線基板に実装され、弾性波素子を備える弾性波素子基板と、
前記弾性波素子基板上に実装された受動部品と、
を有するモジュールであって、
前記弾性波素子基板は、
前記配線基板に対向する主面上に形成された第１配線パターン、
前記弾性波素子基板の厚み方向の面上に形成された第２配線パターン及び
前記弾性波素子基板の前記受動部品が実装された主面上に形成された第３配線パターンを有し、
前記受動部品は、前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して前記弾性波素子と電気的に接続されていることを特徴とする、モジュールとした。

【0014】

前記受動部品はチップインダクタであることが、本発明の一形態とされる。

【0015】

前記受動部品は、ＩＰＤ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｐａｓｓｉｖｅ Ｄｅｖｉｃｅ）であることが、本発明の一形態とされる。

【0016】

前記弾性波素子基板は圧電基板と支持基板を含み、前記支持基板はサファイア、アルミナ、スピネルまたは高抵抗シリコンからなる基板であることが、本発明の一形態とされる。

【0017】

前記弾性波素子が弾性表面波共振器であることが、本発明の一形態とされる。

【0018】

前記弾性波素子が弾性薄膜共振器であることが、本発明の一形態とされる。

【0019】

前記弾性波素子は、第1のバンドパスフィルタ及び第２のバンドパスフィルタを備えており、
前記弾性波素子基板は、少なくともそれぞれ４つの前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを備えており、
前記受動部品は、
前記第１のバンドパスフィルタと、第１の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して電気的に接続され、第２の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して外部接続端子と電気的に接続された第１のインダクタ、並びに、
前記第２のバンドパスフィルタと、第３の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して電気的に接続され、第４の前記第１配線パターン、前記第２配線パターン及び前記第３配線パターンを介して、前記第１のインダクタが電気的に接続された外部接続端子とは別の外部接続端子と電気的に接続された第２のインダクタを備えることが、本発明の一形態とされる。

【0020】

スイッチング回路及びローノイズアンプを含む集積回路部品を備えることが、本発明の一形態とされる。

【0021】

前記配線基板と前記弾性波素子基板が接合する領域の少なくとも一部の領域と、前記弾性波素子基板と前記受動部品が接合する領域の少なくとも一部の領域が、平面透視図上重なり合うことが、本発明の一形態とされる。

【発明の効果】

【0022】

本発明によれば、低コストで最適なインダクタンス値によりインピーダンスマッチングがされたフロントエンドモジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】図１は、従来のモジュールの一例を示す図である。

【図2】図２は、本実施例にかかるモジュール１の断面図である。

【図3】図３は、弾性波素子基板５の構成例を示す図である。

【図4】図４は、弾性波素子５２が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。

【図5】図５は、弾性波素子５２が圧電薄膜共振器である例を示す断面図である。

【図6】図６は、本実施例にかかる弾性波素子基板５の製造方法の一例を説明するための図である。

【図7】図７は、本実施例にかかるモジュール１の製造方法の一例を説明するための図である。

【図8】図８は、本発明の実施例２にかかるモジュール１００の断面図である。

【図9】図９は、本発明の実施例２にかかるモジュール１００の平面図である。

【図10】図１０は、フロントエンドモジュール２００の回路構成の概略を示す図である。

【図11】図１１は、実施例３にかかるフロントエンドモジュール２００の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施の形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

【0025】

（実施例１）
図２は、本実施例にかかるモジュール１の断面図である。

【0026】

図２に示すように、本実施例にかかるモジュール１は、配線基板３と、配線基板３上に実装された、弾性波素子基板５を備える。また、弾性波素子基板５上に実装された、受動部品７を備える。

【0027】

配線基板３は、例えば、樹脂からなる多層基板、または、複数の誘電体層からなる低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）多層基板等が用いられる。また、配線基板３は、複数の外部接続端子３１を備える。

【0028】

弾性波素子基板５は、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスからなる基板を用いることができる。また、弾性波素子基板５は、圧電基板と支持基板が接合された基板を用いてもよい。支持基板は、例えば、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板または高抵抗シリコン基板を用いることができる。また、高抵抗シリコンとは、体積抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコンを意味するものとする。

【0029】

弾性波素子基板５は、バンプ１５を介して、配線基板３にフリップチップボンディングにより実装されている。

【0030】

バンプ１５は、例えば、金バンプを用いることができる。バンプ１５の高さは、例えば、２０μｍから５０μｍである。

【0031】

受動部品７は、例えば、チップインダクタやＩＰＤを用いることができる。また、ミアンダパターンなど、メタルパターンによりインダクタを形成してもよい。受動部品７は、弾性波素子基板５の厚み方向の面上に形成された第２配線パターン１１を介して、弾性波素子（ここでは図示せず）に電気的に接続されている。また、別の第２配線パターン１１を介して、配線基板３の外部接続端子３１と電気的に接続されている。受動部品７の弾性波素子基板５への実装は、例えば、ハンダバンプを用いて実装することができる。

【0032】

図２に示すように、配線基板３と弾性波素子基板５が接合する領域であるバンプ１５の領域と、弾性波素子基板５と受動部品７が接合する領域が重なり合う領域Ａがある。領域Ａを設けることにより、受動部品７を弾性波素子基板５へ実装する際の弾性波素子基板５の破壊を抑制することができる。

【0033】

弾性波素子基板５と受動部品７を覆うように、封止部１７が形成されている。封止部１７は、例えば、合成樹脂等の絶縁体により形成してもよく、金属を用いてもよい。合成樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミドなどを用いることができるが、これらに限るものではない。好ましくは、エポキシ樹脂を用い、低温硬化プロセスを用いて封止部１７を形成する。

【0034】

図３は、弾性波素子基板５の構成を説明するための図である。

【0035】

図３（ａ）は、弾性波素子基板５の配線基板３に対向する主面の例を示す。また、図３（ｂ）は、弾性波素子基板５の厚み方向の面の例を示す。また、図３（ｃ）は、弾性波素子基板５の受動部品７が実装された主面の例を示す。図３（ａ）における弾性波素子基板５の一主面を示す略四角形の下辺が、図３（ｂ）における弾性波素子基板５の厚み方向の面を示す略四角形の上辺と一致する。また、図３（ｂ）における弾性波素子基板５の厚み方向の面を示す略四角形の下辺が、図３（ｃ）における弾性波素子基板５の一主面を示す略四角形の上辺と一致する。また、図３（ｃ）に示す受動部品７は、上面透視図により示されている。

【0036】

図３（ａ）に示すように、弾性波素子基板５上に、第１配線パターン９、弾性波素子５２および配線パターン５４が形成されている。

【0037】

配線パターン５４上に、絶縁体５６が形成されている。絶縁体５６は、例えば、ポリイミドを用いることができる。絶縁体５６は、例えば、１０００ｎｍの膜厚で形成する。

【0038】

絶縁体５６上にも配線パターン５４が形成されており、絶縁体５６を介して立体的に交差するように配線が形成されている。

【0039】

第１配線パターン９、弾性波素子５２および配線パターン５４は、銀、アルミニウム、銅、チタン、パラジウムなどの適宜の金属もしくは合金からなる。また、これらの金属パターンは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。第１配線パターン９、弾性波素子５２および配線パターン５４は、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍとすることができる。

【0040】

配線パターン５４は、入力パッドＩｎ、出力パッドＯｕｔおよびグランドパッドＧＮＤを構成する配線を含んでいる。また、第１配線パターン９および配線パターン５４は、弾性波素子５２と電気的に接続されている。

【0041】

図３（ａ）に示すように、弾性波素子５２を複数形成することで、例えば、バンドパスフィルタを構成することができる。バンドパスフィルタは、入力パッドＩｎから入力された電気信号のうち、所望の周波数帯域のみの電気信号を通過させるように設計されている。

【0042】

入力パッドＩｎから入力された電気信号は、バンドパスフィルタを通過し、所望の周波数帯域の電気信号が、第１配線パターン９に出力される。

【0043】

第１配線パターン９に出力された電気信号は、図３（ｂ）に示す第２配線パターン１１、図３（ｃ）に示す第３配線パターン１３を介して、受動部品７に入力される。受動部品７でインピーダンスマッチングがなされた電気信号は、別の第１～第３配線パターン、出力パッドＯｕｔを介して、配線基板３の外部接続端子３１から出力される。

【0044】

図４は、弾性波素子５２が弾性表面波共振器である例を示す平面図である。

【0045】

図４に示すように、弾性波素子基板５上に、弾性表面波を励振するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）５２ａと反射器５２ｂが形成されている。ＩＤＴ５２ａは、互いに対向する一対の櫛形電極５２ｃを有する。櫛形電極５２ｃは、複数の電極指５２ｄと複数の電極指５２ｄを接続するバスバー５２ｅを有する。反射器５２ｂは、ＩＤＴ５２ａの両側に設けられている。

【0046】

ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、例えば、アルミニウムと銅の合金からなる。ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、その厚みが、例えば、１５０ｎｍから４００ｎｍの薄膜である。ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、他の金属、例えば、チタン、パラジウム、銀などの適宜の金属もしくはこれらの合金を含んでもよく、これらの合金により形成されてもよい。また、ＩＤＴ５２ａおよび反射器５２ｂは、複数の金属層を積層してなる積層金属膜により形成されてもよい。

【0047】

図５は、弾性波素子５２が圧電薄膜共振器である例を示す断面図である。

【0048】

図５に示すように、チップ基板６０上に圧電膜６２が設けられている。圧電膜６２を挟むように下部電極６４および上部電極６６が設けられている。下部電極６４とチップ基板６０との間に空隙６８が形成されている。下部電極６４および上部電極６６は、圧電膜６２内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。

【0049】

チップ基板６０は、例えば、シリコン等の半導体基板、または、サファイア、アルミナ、スピネルもしくはガラス等の絶縁基板を用いることができる。圧電膜６２は、例えば、窒化アルミニウムを用いることができる。下部電極６４および上部電極６６は、例えば、ルテニウム等の金属を用いることができる。

【0050】

弾性波素子５２は、所望のバンドパスフィルタとしての特性が得られるよう、適宜、多重モード型フィルタやラダー型フィルタに採用されることができる。

【0051】

次に、本実施例にかかるモジュール１の製造方法について説明する。

【0052】

図６は、本実施例にかかる弾性波素子基板５の製造方法の一例を説明するための図である。

【0053】

本実施例のモジュール１の製造方法においては、まず、図６（ａ）に示すように、弾性波素子基板５の個片化する前の基板７０を用意する。基板７０を貫通するように、レーザ等による穴あけ加工を行う。穴あけ加工は、第２配線パターン１１が形成される領域７２に行う。領域７２に形成された貫通孔表面にメッキ処理を行い、第２配線パターン１１を形成する。

【0054】

次に、図６（ｂ）に示すように、第１配線パターン９、弾性波素子５２および配線パターン５４をスパッタリング法などにより形成する。

【0055】

次に、図６（ｃ）に示すように、受動部品７が実装される主面側に、第３配線パターン１３をスパッタリング法などにより形成する。図示はしないが、メタルパターンにより受動部品７を形成するときは、第３配線パターン１３の形成と同時に受動部品７を形成することもできる。基板７０をダイシングし個片化することで弾性波素子基板５を得る。

【0056】

図７は、本実施例にかかるモジュール１の製造方法の一例を説明するための図である。

【0057】

図７（ａ）に示すように、配線基板３となる配線基板アレイ８０上に、弾性波素子基板５をフリップチップボンディングにより実装する。弾性波素子基板５の配線基板３へのボンディングは、例えば、金バンプを用いることができる。

【0058】

次に、図７（ｂ）に示すように、受動部品７を弾性波素子基板５上に実装する。受動部品７の弾性波素子基板５への実装は、例えば、ハンダバンプを用いてハンダリフロー処理により実装することができる。

【0059】

次に、図７（ｃ）に示すように、シート状の樹脂を適宜加熱しながら押圧し、さらに、熱処理により硬化することで樹脂封止部８２が形成される。配線基板アレイ８０をダイシングし個片化することでモジュール１を得る。

【0060】

以上説明した本発明の一実施形態によれば、より小型化され、かつ、配線自体の挿入損失が低減されたインピーダンスマッチング用インダクタを有するモジュールが提供される。

【0061】

（実施例２）
次に、本発明の別の実施形態である実施例２について説明する。

【0062】

図８は、本発明の実施例２にかかるモジュール１００の断面図である。
図８に示すように、配線基板１３０の主面上に、弾性波素子基板１５０が実装されている。配線基板１３０は、複数の外部接続端子１３１を有している。

【0063】

弾性波素子基板１５０の配線基板１３０と対向する主面上には、図示はしないが、配線パターン、少なくとも４つの第１配線パターン、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１および第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２が形成されている。また、弾性波素子基板１５０の別の主面上には、受動部品である、第１のインダクタ１７０および第２のインダクタ１７１が実装されている。

【0064】

弾性波素子基板１５０の厚み方向の面上には、少なくとも４つの第２配線パターン１１１が形成されている。また、弾性波素子基板１５０の受動部品が実装されている主面上には、図示はしないが、少なくとも４つの第３配線パターンが形成されている。

【0065】

第１の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１と、第１のインダクタ１７０の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0066】

第２の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１の入力又は出力のための外部接続端子１３１と、第１のインダクタ１７０の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0067】

第３の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２と、第２のインダクタ１７１の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0068】

第４の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２の入力又は出力のための外部接続端子１３１と、第２のインダクタ１７１の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0069】

図９は、本発明の実施例２にかかるモジュール１００の平面図である。

【0070】

図９に示すように、配線基板１３０の主面上に、弾性波素子基板１５０が実装されている。弾性波素子基板１５０の配線基板１３０と対向する主面上には、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ１および第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２が形成されている。弾性波素子基板１５０上に、第１のインダクタ１７０および第２のインダクタ１７１が実装されている。

【0071】

ここで、従来例として示した図１と比較すると、本実施例にかかるモジュールの面積は、概ね半分程度に小型化されていることがわかる。また、バンドパスフィルタと受動部品との配線長は、従来は、例えば、２２０μｍから２７０μｍ程度であった。本実施例にかかるモジュールにおいては、例えば、５０μｍ～２００μｍ程度とすることができる。すなわち、２分の１から４分の１程度にまで、短くすることができる。よって、配線自体の挿入損失が低減されたモジュールを提供することができる。

【0072】

実施例２にかかるモジュールは、２つのバンドパスフィルタを有するモジュールの例を示した。かかる２つのバンドパスフィルタは、デュプレクサとして用いてもよく、両方とも送信用フィルタあるいは受信フィルタとして用いてもよい。また、本発明にかかるモジュールは、２つのバンドパスフィルタに限らず、４つのバンドパスフィルタを備える、クワトロプレクサあるいはデュアルデュプレクサを備えるモジュールとしてもよい。

【0073】

（実施例３）
次に、本発明の別の実施形態である実施例３について説明する。

【0074】

図１０は、フロントエンドモジュール２００の回路構成の概略を示す図である。

【0075】

図１０に示すように、フロントエンドモジュール２００の共通入力端子２０１（外部接続端子２３１）は、アンテナ端子ＡＮＴに接続されている。第１出力端子２０３および第２出力端子２０５（外部接続端子２３１）は、図示はしないが、信号処理回路に接続されている。

【0076】

共通入力端子２０１から、スイッチング回路ＳＷによって、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１を通過する信号と、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２を通過する信号が切り分けられる。

【0077】

第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１を通過した信号は、第１のインダクタ２７０によってインピーダンスマッチングがされ、第１のローノイズアンプＬＮＡ１により増幅され、第１出力端子２０３から出力される。或いは、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１が送信用フィルタである場合には、第１出力端子２０３は入力端子として機能し、第１のローノイズアンプＬＮＡ１により増幅され、かつ、第１のインダクタ２７０によってインピーダンスマッチングがされた信号が、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１を通過し、アンテナ端子から発信される。

【0078】

第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２を通過した信号は、第２のインダクタ２７１によってインピーダンスマッチングがされ、第２のローノイズアンプＬＮＡ２により増幅され、第２出力端子２０５から出力される。或いは、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２が送信用フィルタである場合には、第２出力端子２０５は入力端子として機能し、第２のローノイズアンプＬＮＡ２により増幅され、かつ、第２のインダクタ２７１によってインピーダンスマッチングがされた信号が、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２を通過し、アンテナ端子から発信される。

【0079】

図１１は、実施例３にかかるフロントエンドモジュール２００の断面図である。

【0080】

図１１に示すように、フロントエンドモジュール２００は、配線基板２３０の主面上に、弾性波素子基板２５０が実装されている。配線基板２３０は、複数の外部接続端子２３１を有している。

【0081】

弾性波素子基板２５０の配線基板２３０と対向する主面上には、図示はしないが、配線パターン、少なくとも４つの第１配線パターン、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１および第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２が形成されている。また、弾性波素子基板２５０の別の主面上には、受動部品である、第１のインダクタ２７０および第２のインダクタ２７１が実装されている。

【0082】

弾性波素子基板２５０の厚み方向の面上には、少なくとも４つの第２配線パターン２１１が形成されている。また、弾性波素子基板２５０の受動部品が実装されている主面上には、図示はしないが、少なくとも４つの第３配線パターンが形成されている。

【0083】

第１の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１と、第１のインダクタ２７０の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0084】

第２の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、スイッチング回路又はローノイズアンプを介して第１のバンドパスフィルタＢＰＦ２１の入力又は出力のための外部接続端子２３１と、第１のインダクタ２７０の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0085】

第３の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２と、第２のインダクタ２７１の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0086】

第４の第１配線パターン、第２配線パターンおよび第３配線パターンは、スイッチング回路又はローノイズアンプを介して第２のバンドパスフィルタＢＰＦ２２の入力又は出力のための外部接続端子２３１と、第２のインダクタ２７１の入力又は出力端子に、電気的に接続されている。

【0087】

配線基板２３０の内部に、集積回路部品ＩＣが実装されている。集積回路部品ＩＣは、スイッチング回路ＳＷ、第１のローノイズアンプＬＮＡ１および第２のローノイズアンプＬＮＡ２を含む。

【0088】

配線基板２３０の他の主面上には、複数の外部接続端子２３１（共通入力端子２０１、第１出力端子２０３および第２出力端子２０５を含む。）が形成されており、移動通信端末のマザーボードに実装される構成となっている。

【0089】

その他の構成は、実施例１又は２で説明した内容と重複するため、省略する。

【0090】

以上説明した本発明の実施形態によれば、より小型化され、かつ、配線自体の挿入損失が低減されたインピーダンスマッチング用インダクタを有するフロントエンドモジュールを提供することができる。

【0091】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【0092】

また、少なくとも一つの実施形態のいくつかの側面を上述したが、様々な改変、修正および改善が当業者にとって容易に想起されることを理解されたい。かかる改変、修正および改善は、本開示の一部となることが意図され、かつ、本発明の範囲内にあることが意図される。理解するべきことだが、ここで述べられた方法および装置の実施形態は、上記説明に記載され又は添付図面に例示された構成要素の構造および配列の詳細への適用に限られない。方法および装置は、他の実施形態で実装し、様々な態様で実施又は実行することができる。特定の実装例は、例示のみを目的としてここに与えられ、限定されることを意図しない。また、ここで使用される表現および用語は、説明目的であって、限定としてみなすべきではない。ここでの「含む」、「備える」、「有する」、「包含する」およびこれらの変形の使用は、以降に列挙される項目およびその均等物並びに付加項目の包括を意味する。「又は（若しくは）」の言及は、「又は（若しくは）」を使用して記載される任意の用語が、当該記載の用語の一つの、一つを超える、およびすべてのものを示すように解釈され得る。前後左右、頂底上下、および横縦への言及はいずれも、記載の便宜を意図しており、本発明の構成要素がいずれか一つの位置的又は空間的配向に限られるものではない。したがって、上記説明および図面は例示にすぎない。

【符号の説明】

【0093】

１ １００ モジュール
３ １３０ ２３０ 配線基板
５ １５０ ２５０ 弾性波素子基板
７ 受動部品
９ 第１配線パターン
１１ １１１ ２１１ 第２配線パターン
１３ 第３配線パターン
１５ バンプ
１７ 封止部
５０ 圧電基板
５２ 弾性波素子
５４ 配線パターン
５６ 絶縁体
６０ チップ基板
６２ 圧電膜
６４ 下部電極
６６ 上部電極
６８ 空隙
２００ フロントエンドモジュール
２０１ 共通入力端子
２０３ 第１出力端子
２０５ 第２出力端子
１７０ ２７０ 第１のインダクタ
１７１ ２７１ 第２のインダクタ
ＡＮＴ アンテナ端子
ＳＷ スイッチング回路
ＢＰＦ１ ＢＰＦ２１ 第１のバンドパスフィルタ
ＢＰＦ２ ＢＰＦ２２ 第２のバンドパスフィルタ
ＬＮＡ１ 第１のローノイズアンプ
ＬＮＡ２ 第２のローノイズアンプ
ＩＣ 集積回路部品

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図3c】

【図4】

【図5】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】