トランジスタは一般にフロントエンド（Front End of Line）（ＦＥＯＬ）トランジスタ作製ステップで作製される。ＦＥＯＬ材料スタックは、典型的には、金属ゲート及び誘電材料の複数のスタックを含む。各集積回路中の数十億にも及ぶ能動素子の電気的絶縁はＦＥＯＬにおける目標であり、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）プロセスを用いて達成しうる。ＳＴＩプロセスの一部をデモンストレーション目的で図１に示す。図１から見て取れるように、ＳＴＩ ＣＭＰプロセスの前に、熱酸化シリコン膜（thermal silicon oxide）及びＳｉＮをシリコン（例えばシリコンウェハ）の上に堆積することができ（図１（ａ））、それからこれらをエッチング除去してトレンチ／絶縁と、「アクティブ」（active）非トレンチ領域とを（トランジスタ含有領域を形成するために）形成することができる（図１（ｂ））。その後、これらのトレンチ／絶縁領域は、アクティブな非トレンチ領域同士がトレンチ内のシリコン酸化物によって絶縁されるように、シリコン酸化物（例えばＴＥＯＳ）をトレンチ中に堆積（例えば、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により堆積）することにより埋めることができる（図１（ｃ））。その後、シャロートレンチ内のシリコン酸化物は維持しながらアクティブな非トレンチ領域の上の「過剰に載せられた／余分な」シリコン酸化物を選択的に除去することができる（図１（ｄ））。シリコン酸化物の選択的な除去は、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）化学機械研磨／平坦化（ＣＭＰ）プロセスにより達成され、このプロセスではシリコン窒化物（例えばＳｉＮ）に対するシリコン酸化物の高い材料除去速度（ＭＲＲ）選択性を有するＣＭＰスラリー組成物（例えば本開示に記載のＣＭＰスラリー組成物）を用いて高い速度でシリコン酸化物を除去し、好ましくはシリコン窒化物（ステップオン層）は実質的に除去しない。のＳＴＩ ＣＭＰステップの後、シリコンを露出して絶縁を完成させ、アクティブな非トレンチ領域（複数形）に形成された隣接するトランジスタ同士が互いに接触するのを防止し、それにより電気回路のショートを防止するために、エッチングを用いることができる。

より具体的には、研磨剤、窒化物除去速度減少剤、酸又は塩基、水、及び任意に（optionally）金属防錆剤（metal corrosion inhibitor）を含む研磨組成物に関する。本開示に記載の研磨組成物のｐＨは２～６．５の範囲、より具体的には２～４．５の範囲とすることができる。本開示の組成物は（例えば、使用場所で／使用時に（point of use））希釈されて、性能劣化無・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る