特開 2022-76351出願番号 特願 2020-186720
酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
出願人 株式会社神戸製鋼所（識別番号 1199）
2026年 特許公開件数ランキング 165位 185件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 127位 186件（※）
公報発行日 2022年5月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2022-76351 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】酸化物半導体層薄膜を備えた薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を維持しつつ、ストレス耐性、特に光ストレス耐性に優れた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に少なくともゲート電極２、ゲート絶縁膜３、酸化物半導体層４、ソース・ドレイン電極５及び少なくとも１層の保護膜６を有する薄膜トランジスタであって、酸化物半導体層４を構成する金属元素がＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＳｎを含み、酸化物半導体層４における全金属元素の合計（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）に対する各金属元素の割合が、Ｉｎ：３０原子％以上４５原子％以下、Ｇａ：５原子％以上２０原子％未満、Ｚｎ：３０原子％以上６０原子％以下及びＳｎ：９．０原子％以上１９原子％未満である。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、酸化物半導体層を備えた薄膜トランジスタにおいて、高い電界効果移動度を維持しつつ、ストレス耐性、特に光ストレス耐性に優れた薄膜トランジスタを提供することができる。また、薄膜トランジスタにおける酸化物半導体層の形成に用いられるスパッタリングターゲットを提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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