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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022076994
(43)【公開日】2022-05-20
(54)【発明の名称】セラミック電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/228 20060101AFI20220513BHJP
H01G 4/236 20060101ALI20220513BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20220513BHJP
【ＦＩ】
H01G4/228 F
H01G4/228 W
H01G4/236
H01G4/30 513
H01G4/30 201H
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021165075
(22)【出願日】2021-10-06
(31)【優先権主張番号】202011244620.1
(32)【優先日】2020-11-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】513144855
【氏名又は名称】厦門ティーディーケイ有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】森 雅弘
(72)【発明者】
【氏名】増田 朗丈
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 信弥
(72)【発明者】
【氏名】安藤 ▲徳▼久
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF02
5E001AJ03
5E082AB03
5E082BC31
5E082GG08
5E082HH25
5E082HH47
(57)【要約】
【課題】セラミック素体に生じるクラックを低減したセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】第１軸に沿う端面と、端面に交わり第２軸に沿う側面とを有するセラミック素体と、セラミック素体の端面に形成してある端面電極と、ハンダにより端面電極に接合してあるリード端子と、を有するセラミック電子部品である。リード端子は、第２軸に沿う方向からの側面視において端面電極と重複する隣接部と、隣接部の端部から側面を含む面から離反する方向へ向かって延びる延出部と、を有する。そして、延出部には、端面を含む面から離反する方向に凹む第１凹部が形成してあり、当該第１凹部が、隣接部の端部と近接する位置に存在している。
【選択図】図３
【解決手段】第１軸に沿う端面と、端面に交わり第２軸に沿う側面とを有するセラミック素体と、セラミック素体の端面に形成してある端面電極と、ハンダにより端面電極に接合してあるリード端子と、を有するセラミック電子部品である。リード端子は、第２軸に沿う方向からの側面視において端面電極と重複する隣接部と、隣接部の端部から側面を含む面から離反する方向へ向かって延びる延出部と、を有する。そして、延出部には、端面を含む面から離反する方向に凹む第１凹部が形成してあり、当該第１凹部が、隣接部の端部と近接する位置に存在している。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１軸に沿う端面と、前記端面に交わり第２軸に沿う側面とを有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記端面に形成してある端面電極と、
ハンダにより前記端面電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記リード端子は、
前記第２軸に沿う方向からの側面視において、前記端面電極と重複する隣接部と、
前記隣接部の端部から、前記側面を含む面から離反する方向へ向かって延びる延出部と、を有し、
前記延出部には、前記端面を含む面から離反する方向に凹む第１凹部が形成してあり、
前記第１凹部が、前記隣接部の前記端部と近接する位置に存在する、セラミック電子部品。
前記セラミック素体の前記端面に形成してある端面電極と、
ハンダにより前記端面電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記リード端子は、
前記第２軸に沿う方向からの側面視において、前記端面電極と重複する隣接部と、
前記隣接部の端部から、前記側面を含む面から離反する方向へ向かって延びる延出部と、を有し、
前記延出部には、前記端面を含む面から離反する方向に凹む第１凹部が形成してあり、
前記第１凹部が、前記隣接部の前記端部と近接する位置に存在する、セラミック電子部品。
【請求項2】
前記第１軸および前記第２軸と垂直な軸を第３軸として、
前記第１凹部は、前記第３軸の方向において、閉塞されずに開放してある請求項１に記載のセラミック電子部品。
前記第１凹部は、前記第３軸の方向において、閉塞されずに開放してある請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項3】
前記第２軸方向において、前記隣接部の最大幅をＷｘ１とし、前記第１凹部の最深部における前記延出部の最大幅をＷｘ２として、
Ｗｘ２／Ｗｘ１が、０．４～０．８である、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
Ｗｘ２／Ｗｘ１が、０．４～０．８である、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
【請求項4】
前記セラミック素体の前記第１軸方向の高さをＬ０とし、
前記第１凹部の前記第１軸方向の下端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ１として、Ｌ１／Ｌ０が０．３以上である請求項１～３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
前記第１凹部の前記第１軸方向の下端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ１として、Ｌ１／Ｌ０が０．３以上である請求項１～３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項5】
前記第１凹部の一部が、前記第１軸方向において、前記延出部の上端から前記隣接部の一部に跨って存在しており、
前記第１凹部の上端が、前記側面よりも前記第１軸方向の上方に位置する請求項１～４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
前記第１凹部の上端が、前記側面よりも前記第１軸方向の上方に位置する請求項１～４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項6】
前記第１凹部の一部が、前記第１軸方向において、前記延出部の上端から前記隣接部の一部に跨って存在しており、
前記第１凹部の上端が、前記側面よりも前記第１軸方向の上方に位置しており、
前記セラミック素体の前記第１軸方向の高さをＬ０とし、
前記第１凹部の前記第１軸方向の下端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ１とし、
前記第１凹部の前記第１軸方向の上端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ２として、
Ｌ１とＬ２の関係が、Ｌ１＞Ｌ２である請求項１～４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
前記第１凹部の上端が、前記側面よりも前記第１軸方向の上方に位置しており、
前記セラミック素体の前記第１軸方向の高さをＬ０とし、
前記第１凹部の前記第１軸方向の下端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ１とし、
前記第１凹部の前記第１軸方向の上端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ２として、
Ｌ１とＬ２の関係が、Ｌ１＞Ｌ２である請求項１～４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項7】
Ｌ１／Ｌ２が、１．２～４．０である請求項６に記載のセラミック電子部品。
【請求項8】
前記第１凹部の前記第１軸方向の上端から前記側面を含む面までの垂線距離Ｌ２が、Ｌ０の０．２倍以下である請求項６または７に記載のセラミック電子部品。
【請求項9】
前記隣接部には、前記端面電極と向き合う対向面が存在し、
前記対向面には、前記端面電極から離反する方向に凹む第２凹部が形成してある請求項１～８のいずれかに記載のセラミック電子部品。
前記対向面には、前記端面電極から離反する方向に凹む第２凹部が形成してある請求項１～８のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、リード端子付きのセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
回路基板などに実装される電子部品として、特許文献１に示すような、リード端子付きのセラミック電子部品が知られている。このセラミック電子部品においては、端子電極が形成してあるセラミック素体に、ハンダを用いて、リード端子を接合することが一般的である。具体的に、リード端子のハンダ付けは、特許文献１で開示されているように、セラミック素体を一対のリード端子で挟持し、その状態でハンダ浴に浸漬（ディッピング）することで行う。
【0003】
この際、リード端子と端子電極との間には、ハンダが濡れ広がることによりフィレットが形成される。このフィレットと接触しているセラミック素体の端部においては、ハンダの凝固時に収縮応力が発生することなどにより、素体内部にクラックが生じやすい。素体内部にクラックが存在すると、耐湿性や機械的強度などの電子部品としての特性が劣化するため、問題である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開昭６１－２３４５１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記の実情を鑑みてなされ、その目的は、セラミック素体に生じるクラックを低減したセラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
第１軸（Ｚ軸）に沿う端面と、前記端面に交わり第２軸（Ｘ軸）に沿う側面とを有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記端面に形成してある端面電極と、
ハンダにより前記端面電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記リード端子は、
前記第２軸に沿う方向からの側面視において、前記端面電極と重複する隣接部と、
前記隣接部の端部から、前記側面を含む面から離反する方向に向かって延びる延出部と、を有し、
前記延出部には、前記端面を含む面から離反する方向に凹む第１凹部が形成してあり、
前記第１凹部が、前記隣接部の前記端部と近接する位置に存在する。
第１軸（Ｚ軸）に沿う端面と、前記端面に交わり第２軸（Ｘ軸）に沿う側面とを有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の前記端面に形成してある端面電極と、
ハンダにより前記端面電極に接合してあるリード端子と、を有し、
前記リード端子は、
前記第２軸に沿う方向からの側面視において、前記端面電極と重複する隣接部と、
前記隣接部の端部から、前記側面を含む面から離反する方向に向かって延びる延出部と、を有し、
前記延出部には、前記端面を含む面から離反する方向に凹む第１凹部が形成してあり、
前記第１凹部が、前記隣接部の前記端部と近接する位置に存在する。
【0007】
ディッピングによりリード端子をハンダ付けした場合、セラミック素体の側面とリード端子との交差角の内側にハンダフィレットが形成され、当該ハンダフィレットが、セラミック素体のクラック発生に影響を及ぼす。本発明のセラミック電子部品では、延出部の所定位置に第１凹部が形成してあることで、ハンダ付けの際に、ハンダフィレットの形成箇所に滞留する溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられる。その結果、素体側面に対するハンダフィレットの角度が小さくなり、セラミック素体の内部にクラックが発生することを抑制できる。
【0008】
好ましくは、前記第１凹部は、第３軸（Ｙ軸）の方向において、閉塞されずに開放してある。なお、第３軸は、前記第１軸および前記第２軸と実質的に垂直な軸である。
第１凹部が上記の特徴を有することで、ハンダフィレットの形成箇所に滞留する溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレットの角度がより小さくなる。また、第１凹部が第３軸方向において閉塞されずに開放していることで、ハンダによる接合領域に発生する応力を低減することができる。その結果、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
第１凹部が上記の特徴を有することで、ハンダフィレットの形成箇所に滞留する溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレットの角度がより小さくなる。また、第１凹部が第３軸方向において閉塞されずに開放していることで、ハンダによる接合領域に発生する応力を低減することができる。その結果、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
【0009】
前記第２軸方向において、前記隣接部の最大幅をＷｘ１とし、前記第１凹部の最深部における前記延出部の最大幅をＷｘ２とする。この場合、好ましくは、Ｗｘ２／Ｗｘ１が、０．４～０．８である。
第１凹部の内側には、ハンダフィレット側から引き寄せられた溶融ハンダが充填されて、ハンダ溜りが形成される。Ｗｘ２／Ｗｘ１が上記の条件を満足する場合、ハンダ溜りの容積を十分に確保することができ、ハンダフィレット側から溶融ハンダが引き寄せられやすくなる。その結果、ハンダフィレットの角度がより小さくなり、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
第１凹部の内側には、ハンダフィレット側から引き寄せられた溶融ハンダが充填されて、ハンダ溜りが形成される。Ｗｘ２／Ｗｘ１が上記の条件を満足する場合、ハンダ溜りの容積を十分に確保することができ、ハンダフィレット側から溶融ハンダが引き寄せられやすくなる。その結果、ハンダフィレットの角度がより小さくなり、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
【0010】
前記セラミック素体の前記第１軸方向の高さをＬ０とし、前記第１凹部の前記第１軸方向の下端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ１とすると、好ましくは、Ｌ１／Ｌ０が、０．３以上であり、より好ましくは０．３～０．７であり、さらに好ましくは０．４～０．６である。
第１凹部の下端位置を上記の条件に従って設定することで、ハンダフィレット側の溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレットの角度がより小さくなる。その結果、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
第１凹部の下端位置を上記の条件に従って設定することで、ハンダフィレット側の溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレットの角度がより小さくなる。その結果、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
【0011】
好ましくは、前記第１凹部の一部が、前記第１軸方向において、前記延出部の上端から前記隣接部の一部に跨って存在しており、前記第１凹部の上端が、前記側面よりも前記第１軸方向の上方に位置する。
第１凹部の第１軸方向の上端は、隣接部と延出部との境界に位置していてもよいが、第１凹部の上端が、セラミック素体の側面よりも第１軸方向の上方に位置することで、ハンダフィレット側の溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなる。その結果、ハンダフィレットの角度がより小さくなり、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。また、端面電極に対するリード端子の接合強度が向上する。
第１凹部の第１軸方向の上端は、隣接部と延出部との境界に位置していてもよいが、第１凹部の上端が、セラミック素体の側面よりも第１軸方向の上方に位置することで、ハンダフィレット側の溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなる。その結果、ハンダフィレットの角度がより小さくなり、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。また、端面電極に対するリード端子の接合強度が向上する。
【0012】
さらに、前記第１凹部の前記第１軸方向の下端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ１とし、前記第１凹部の前記第１軸方向の上端から前記側面を含む面までの垂線距離をＬ２とすると、好ましくは、Ｌ１とＬ２の関係が、Ｌ１＞Ｌ２であり、より好ましくは、Ｌ１／Ｌ２が１．２～４．０である。
第１軸方向において、第１凹部の上端がセラミック素体の側面よりも上方に位置する場合、第１凹部の内側に形成されるハンダ溜りは、延出部から隣接部に跨って存在する。このような場合において、Ｌ１とＬ２の関係をＬ１＞Ｌ２とすると、延出部におけるハンダ溜りの容積が、隣接部におけるハンダ溜りの容積よりも大きくなる。その結果、ハンダフィレットの角度がより小さくなり、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
第１軸方向において、第１凹部の上端がセラミック素体の側面よりも上方に位置する場合、第１凹部の内側に形成されるハンダ溜りは、延出部から隣接部に跨って存在する。このような場合において、Ｌ１とＬ２の関係をＬ１＞Ｌ２とすると、延出部におけるハンダ溜りの容積が、隣接部におけるハンダ溜りの容積よりも大きくなる。その結果、ハンダフィレットの角度がより小さくなり、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
【0013】
また、好ましくは、前記第１凹部の前記第１軸方向の上端から前記側面を含む面までの垂線距離Ｌ２が、Ｌ０の０．２倍以下である。
第１凹部の上端位置を上記の条件に従って設定することで、ハンダフィレット側の溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレットの角度がより小さくなる。その結果、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
第１凹部の上端位置を上記の条件に従って設定することで、ハンダフィレット側の溶融ハンダが、第１凹部側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレットの角度がより小さくなる。その結果、セラミック素体の内部に生じるクラックをより好適に抑制することができる。
【0014】
また、前記隣接部には、前記端面電極と向き合う対向面が存在する。そして、前記対向面には、前記端面電極から離反する方向に凹む第２凹部が形成してあってもよい。対向面にも凹部が存在することで、端面電極に対するリード端子の接合強度が向上する傾向となる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されない。
【0017】
図１および図２に示すように、本発明の一実施形態に係るリード端子付きセラミック電子部品２は、セラミック素体４と、一対のリード端子８とを有する。本実施形態では、セラミック電子部品の一例として、セラミック素体４が、積層セラミックコンデンサで構成してある場合について説明する。
【0018】
図２に示すように、セラミック素体４の全体と、リード端子８の一部とは、二点鎖線で示す外装２０で覆われている。外装２０の被覆範囲は、特に限定されないが、少なくとも、セラミック素体４の全体と、セラミック素体４とリード端子８との接合部分（すなわち後述するハンダ１０が存在する箇所）とを覆っていればよい。外装２０の材質は、絶縁性を有していればよく、特に制限されないが、ハロゲンフリーの絶縁樹脂であることが好ましく、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が例示される。
【0019】
図１および図２示すセラミック素体４は、Ｘ軸方向で対向する２つの端面４ａと、２つの端面４ａを連結する４つの側面４ｂとを有する。本実施形態では、４つの側面４ｂのうち、Ｘ軸に沿う面で、かつ、Ｚ軸方向の下方に位置する面を底面４ｂ１と記す。また、底面４ｂ１に対向する側面を上面４ｂ２と記す。セラミック素体４の寸法は、特に限定されず、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。たとえば、セラミック素体４の寸法は、Ｘ軸方向の長さを０．６～６．５ ｍｍ、Ｙ軸方向の幅を０．３～５．０ｍｍ、Ｚ軸方向の高さ（図２Ａに示すＬ０）を０．２～３．５ｍｍとすることができる。
【0020】
なお、各図面において、Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、相互に実質的に垂直であり、端面４ａがＺ軸に実質的に平行であり、底面４ｂ１がＸ軸に実質的に平行である。本実施形態において、「実質的に平行（もしくは垂直）」とは、ほとんどの部分が平行（または垂直）であるが、多少平行（または垂直）でない部分を有していてもよいことを意味する。例えば、端面４ａや底面４ｂ１に、多少、凹凸があったり、傾いていたりしてもよいという趣旨である。また、本実施形態において、「上，下」の概念は、基板への実装状態を基準として定義する。つまり、実装状態において、セラミック素体が位置する側を「上方側（Ｚ軸上方）」とし、セラミック素体から延出して基板に接続されるリード端子の末端側を「下方側（Ｚ軸下方）」とする。
【0021】
セラミック素体４の内部には、内部電極層１６，１８が、セラミック層１４を介して交互に積層してある。内部電極層１６は、セラミック素体４のＸ軸方向の一方の端面４ａに露出しており、内部電極層１８は、セラミック素体４の他方の端面４ａに露出している。
【0022】
また、セラミック素体４のＸ軸方向の両端には、一対の端子電極６が形成してある。より具体的に、端子電極６は、セラミック素体４の端面４ａから側面４ｂの一部に回り込んで形成してあり、端面４ａを覆う端面電極６ａと、端面電極６ａから連続して側面４ｂの一部を覆う側面電極６ｂとを有する。内部電極１６，１８は、露出した端面４ａにおいて、それぞれ、端面電極６ａに電気的に接続してある。なお、一対の端子電極６は、互いに絶縁してあり、一対の端子電極６と、内部電極層１６，１８とで、コンデンサ回路を形成している。
【0023】
本実施形態において、セラミック層１４は、誘電体組成物で構成してある。使用する誘電体組成物としては、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ3）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ3）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3）などを主成分として用いることができる。また、これら主成分の他に、希土類の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、遷移金属の酸化物、酸化マグネシウムなどを副成分として添加してもよい。なお、セラミック層１４の厚み、および積層数も、特に限定されず、一般的な厚みおよび積層数とすることができる。
【0024】
内部電極層１６，１８は、導電性金属を主成分として含有する。使用する導電性金属は、特に限定されず、公知の材質を用いればよい。たとえば、ニッケル、銅、銀、金、パラジウム、または、これら金属元素のうち少なくとも１種を含む合金などが例示される。内部電極層１６，１８の厚みも、特に限定されず、一般的な厚みを採用できる。また、内部電極層１６，１８の積層数は、セラミック層１４の積層数に応じて決定される。
【0025】
端子電極６についても、導電性金属を主成分として含有していればよく、材質は特に限定されない。端子電極６の主成分としては、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極６には、導電性金属の他に、ガラスフリットや樹脂が含まれていてもよい。端子電極６の厚みは、特に限定されず、通常、１０～５０μｍ程度である。なお、端子電極６の表面には、ニッケル、銅、錫などから選ばれる少なくとも１種のメッキ層が形成してあってもよい。この場合、メッキ層の１層当たりの厚みは、１～１０μｍであることが好ましく、メッキ層は多層構造であってもよい。例えば、端子電極６は、Ｃｕ焼結電極層／Ｎｉメッキ層／Ｓｎメッキ層の複数層構造とすることができる。
【0026】
本実施形態では、図２に示すように、一対のリード端子８が、セラミック素体４の２つの端面４ａに対応して設けられている。各リード端子８は、Ｚ軸方向に沿って延在しており、それぞれ、隣接部８ａと、延出部８ｅとを有する。本実施形態において、リード端子８の各部位は、導電性線材を加工することで、一体的に形成してある。ただし、リード端子８は、導電性の金属板を加工して形成してもよい。
【0027】
リード端子８を構成する導電性線材としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、銀（Ａｇ）などを含む金属線を用いることができる。特に、リード端子８は、銅を含むことが好ましい。より具体的には、芯材が純銅、もしくは銅を主成分として含む銅合金である銅系の金属線（以下、Ｃｕ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。もしくは、表面に銅の被覆層を形成した銅被覆鋼線（以下、ＣＰ線と呼ぶ）を用いることが好ましい。ＣＰ線の場合、芯材は、純鉄、もしくは鉄を主成分として含む鉄合金である。また、ＣＰ線を用いる場合、芯材の表面に形成してある銅被覆層の厚みは、５μｍ～１０μｍであることが好ましい。
【0028】
なお、リード端子８を構成する導電性線材の線径は、セラミック素体４の寸法に応じて適宜決定される。たとえば、０．５ｍｍ～１．０ｍｍの線径とすることができ、好ましくは、０．５ｍｍ～０．６ｍｍである。
【0029】
次に、リード端子８の各部位の特徴について、詳細を説明する。なお、以降の説明では、一対のリード端子８のうちの片方について例示するが、他方のリード端子８も同様の特徴を有する。
【0030】
図２に示すように、リード端子８の先端側（Ｚ軸上方側）は、セラミック素体４に隣接する隣接部８ａとなっている。具体的に、隣接部８ａは、Ｘ軸に沿う方向からの側面視において、端面電極６ａと重複する部位であり、隣接部８ａは、ハンダ１０を介して端面電極６ａに接合してある。
【0031】
この隣接部８ａは、導電性線材の先端側のみを潰し加工することで形成してあり、全体として、半円柱に似た形状を有する。より具体的に、図２および図４に示すように、隣接部８ａの下方側には、後述する第１凹部９の一部が存在し、隣接部８ａの上方側が半円柱状となっている。そして、隣接部８ａの半円柱状の箇所には、潰し加工により、対向面８ａａが形成してある。この対向面８ａａは、Ｙ軸およびＺ軸に実質的に平行であり、端面電極６ａと向き合っている。
【0032】
本実施形態において、隣接部８ａのＸ軸方向における最大幅Ｗｘ１は、潰し加工が施されていない延出部８ｅのＸ軸方向における最大幅Ｗｘ３よりも小さくなっている。より具体的に、最大幅Ｗ３に対する最大幅Ｗ１の比（Ｗｘ１／Ｗｘ３）は、１／２～７／１０とすることが好ましい。Ｗｘ１／Ｗｘ３を上記の範囲内とすることで、リード端子８の弾性力を十分に確保することができる。なお、Ｘ軸方向における延出部８ｅの最大幅Ｗｘ３とは、導電性線材の直径と同義である。
【0033】
また、対向面８ａａのＹ軸方向の幅Ｗｙ１は、セラミック素体４のＹ軸方向の幅に対して、０．７倍～１．１倍程度の範囲であることが好ましい。さらに、対向面８ａａのＺ軸方向の長さＬ４は、セラミック素体４のＺ軸方向の高さＬ０と同程度か、Ｌ０よりも長くても短くてもよく、たとえば、Ｌ０に対して０．６倍～０．９倍の範囲とすることができる。隣接部８ａに存在する対向面８ａａの寸法を上記の範囲に設定することで、一対のリード端子８でセラミック素体４をしっかりと挟持することができるとともに、端子電極６とリード端子８との接合強度が向上する傾向となる。
【0034】
図３に示すように、対向面８ａａと端面電極６ｂとの間には、ハンダ１０が介在する隙間８６が存在する。この隙間８６は、セラミック素体４の内部電極層１６（１８）と近接しているため、隙間８６ではハンダ１０の介在量が適正な範囲に制御されていることが好ましい。具体的に、隙間８６のＸ軸方向の幅Ｗｘ４は、１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。隙間８６の幅が上記の条件を満たすことで、ハンダ接合部の電気抵抗を小さくすることができると共に、セラミック電子部品２の放熱性が良好となる。
【0035】
リード端子８の延出部８ｅは、隣接部８ａの下端から、底面４ｂ１を含む面から離反する方向へ延びている。ここで、「底面４ｂ１を含む面」とは、底面４ｂ１をＸ軸およびＹ軸に沿って延長した仮想面を意味し、「底面４ｂ１を含む面から離反する方向」には、当該仮想面の垂線方向（すなわちＺ軸方向）が含まれ、垂線方向よりも傾いて実装基板（図示せず）へ向かう方向も含まれる。
【0036】
また、延出部８ｅは、図２に示すように、上方側支持部８ｅａと，下方側支持部８ｅｂと、脚部８ｅｃとで構成されており、延出部８ｅにおける各部位は、一体的に連続している。上方側支持部８ｅａは、隣接部８ａの下端からＺ軸方向の下方に向けて、Ｚ軸に略平行に伸びている。一方、下方側支持部８ｅｂは、上方側支持部８ｅａの下端から連続して存在しており、一対のリード端子８がＸ軸方向で離間する方向へ折れ曲がっている。この上方側支持部８ｅａ，下方側支持部８ｅｂは、基板実装後の状態で、電子部品本体を基板上で支持する役割を担う。さらに、下方側支持部８ｅｂは、セラミック電子部品２の基板実装時に、立付け高さを規制するキンクとして作用する。
【0037】
脚部８ｅｃは、下方側支持部８ｅｂのＺ軸方向の下端側に一体的に形成してあり、Ｚ軸と略平行に、直線状に延びている。脚部８ｅｃは、プリント基板やフレキシブル基板などの実装基板に接続され、実装部を構成する。セラミック電子部品２の基板への実装方法は、特に限定されないが、たとえば、ハンダや溶接、カシメなどの実装技術を適用できる。
【0038】
なお、延出部８ｅでは、後述する第１凹部９が形成してある箇所を除いて、潰し加工が施されておらず、延出部８ｅのＸ－Ｙ断面の形状は、円形状となっている。また、延出部８ｅのＺ軸方向の長さは、特に限定されない。たとえば、上方側支持部８ｅａおよび下方側支持部８ｅｂの長さは、基板実装後の立て付け高さを考慮して適宜決定すればよい。
【0039】
本実施形態のセラミック電子部品２では、図２および図３に示すように、リード端子８の一部に、第１凹部９が形成してある。この第１凹部９は、端面４ａを含む面から離反する方向に凹んでおり、第１凹部９の内側は、ハンダ１０が充填されてハンダ溜りとなっている。なお、「端面４ａを含む面」とは、端面４ａをＹ軸およびＺ軸に沿って延長した仮想面であり、図３では符号ＹＺで示してある。そして、「端面４ａを含む面から離反する方向に凹む」とは、リード端子８のＸ軸方向の幅が小さくなる方向に凹むことを意味し、第１凹部９の形成箇所におけるリード端子８の幅は、隣接部８ａの幅よりも小さくなっている。
【0040】
また、第１凹部９は、ハンダフィレット１０ａの形成位置を考慮した位置に形成してある。具体的に、第１凹部９は、延出部８ｅにおいて、隣接部８ａの下端と近接する位置に形成してあり、延出部８ｅのＺ軸方向における最上部に存在する。このような位置に第１凹部９を形成した場合、第１凹部９は、Ｘ軸方向において、ハンダフィレット１０ａの側方に位置し、第１凹部９の壁面９ａがハンダフィレット１０ａに向かい合うこととなる。
【0041】
ここで、ハンダフィレット１０ａとは、リード端子８と端面電極６ａとの間から、余剰なハンダ１０がはみ出して、滞留した部分を意味する。リード端子８をディッピングによりセラミック素体４にハンダ付けした場合、ハンダフィレット１０ａは、側面電極６ｂの外側（Ｚ軸下方）で、端面４ａを含む面ＹＺと底面４ｂ１とで区切られた空間に形成される（図３参照）。
【0042】
ディッピングにより製造する従来のセラミック電子部品では、ハンダフィレットの近傍で収縮応力が発生し、セラミック素体の内部にクラックが発生し易い。また、ハンダが滞留しているハンダフィレットでは、ハンダの凝固に伴い、歪みが蓄積される。そのため、ハンダ凝固後においても、リード端子に外力が加わると、セラミック素体の内部（特にハンダフィレットの近傍）にクラックが発生し易い。特に、ハンダフィレットの容積が大きく、セラミック素体に対するハンダフィレットの接触角度が大きくなると（鈍角になると）、クラックがより発生し易くなる。
【0043】
本実施形態では、前述した所定位置に第１凹部９が形成してあることで、リード端子８のハンダ付け時に、側面電極６ｂの外側に滞留する溶融ハンダが、第１凹部９側に引き寄せられる。その結果、側面電極６ｂのＺ軸下方にはハンダが滞留し難くなり、セラミック素体４に対するハンダフィレット１０ａの接触角度θが、少なくとも４０度未満、好ましくは３５度未満と小さくなる。そして、接触角度θが小さくなることで、ハンダフィレット１０ａがセラミック素体４に及ぼす応力が小さくなり、セラミック素体４の内部にクラックが発生することを抑制できる。つまり、本実施形態のセラミック電子部品２では、第１凹部９による接触角度θの低減効果により、セラミック素体４の内部にクラックが発生することを抑制できると考えられる。
【0044】
なお、ハンダフィレット１０ａの接触角度θとは、Ｘ軸方向におけるハンダフィレット１０ａの先端部１０ａａにおいて、セラミック素体４の底面４ｂ１と、ハンダフィレット１０ａの外縁１０ａｂとがなす角の角度を意味する。この接触角度θは、ＳＥＭもしくは光学顕微鏡により図３に示すＸ－Ｚ断面の断面写真を撮影し、その断面写真を画像解析することで測定することができる。この際、観察用の試料は、Ｘ－Ｚ断面が、リード端子８のＹ軸方向の略中央位置となるように、セラミック電子部品２を切断し、鏡面研磨することで得る。
【0045】
上記のとおり、本実施形態では、第１凹部９により素体内部にクラックが発生することを抑制できるが、第１凹部９の形態や寸法を最適化することで、当該クラック抑制効果をさらに高めることができる。以下、第１凹部９の最適な様態について説明する。
【0046】
まず、図１および図４に示すように、第１凹部９は、Ｙ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸の方向において、閉塞されずに開放してあることが好ましい。この場合、第１凹部９のＹ軸方向における開放部分は、底面４ｂ１を含む面ＸＹよりもＺ軸下方に位置する。第１凹部９が上記の特徴を有していることで、ハンダ付けの際に、余剰な溶融ハンダがリード端子８の外側に流れ出し易くなり、第１凹部９側に溶融ハンダが引き寄せられ易くなる。その結果、ハンダフィレット１０ａの接触角度θがより小さく（鋭角に）なり、クラック抑制効果をより高めることができる。また、第１凹部９がＹ軸方向において閉塞されていないことで、第１凹部９の内側に存在するハンダ溜りでは、ハンダ１０の凝固に伴い発生する歪が蓄積され難くなると考えられる。Ｙ軸方向の開放部分からリード端子８の外側に向かって、歪が分散するためである。上記のようにハンダ溜りの歪が低減された結果、第１凹部９によるクラック抑制効果がより向上する。
【0047】
また、第１凹部９の最深部における延出部８ｅのＸ軸方向の最大幅をＷｘ２とすると、隣接部８ａの最大幅Ｗｘ１に対する最大幅Ｗｘ２の比（Ｗｘ２／Ｗｘ１）は、０．４～０．８であることが好ましい（図３参照）。Ｗｘ２／Ｗｘ１を上記の範囲内に設定することで、第１凹部９のＸ軸方向における深さが、十分に深くなり、第１凹部９によるハンダ溜りの容積を十分に確保することができる。そして、ハンダフィレット１０ａの形成箇所に滞留する溶融ハンダが第１凹部９側に引き寄せられやすくなり、ハンダフィレット１０ａの接触角度θをより小さくすることができる。なお、図２および図３に示すように、第１凹部９の壁面９ａは、円弧状に湾曲していることが好ましい。壁面９ａに直角の角部が存在するよりも、壁面９ａがなだらかに湾曲していることで、第１凹部９の内側にハンダ１０が充填されやすくなり、ハンダフィレット１０ａの接触角度θをより小さくすることができる。
【0048】
また、本実施形態では、Ｚ軸方向における第１凹部９の下端９ｂおよび上端９ｃが、所定の位置に存在することが好ましい。ここで、第１凹部９の下端９ｂとは、潰し加工の端縁であり、下端９ｂよりもＺ軸方向の下方には、円形の断面形状を有する上方側支持部８ｅａがＺ軸と略平行に延在している。一方、第１凹部９の上端９ｃとは、第１凹部９と対向面８ａａとの境界縁であり、Ｘ軸と略平行に延在している。以下、下端９ｂおよび上端９ｃの好ましい様態について、詳述する。
【0049】
第１凹部９の下端９ｂの位置は、以下の条件を満足することが好ましい。第１凹部９のＺ軸方向の下端９ｂから、底面４ｂ１を含む面ＸＹまでの垂線距離をＬ１とすると、セラミック素体４の高さＬ０に対する垂線距離Ｌ１の比（Ｌ１／Ｌ０）は、０．３以上であることが好ましく、０．３～０．７であることがより好ましく、０．４～０．６であることがさらに好ましい。Ｌ１／Ｌ０を上記の範囲内に設定することで、第１凹部９のＸ軸方向における開口面を、ハンダフィレット１０ａの形成箇所に対して十分に広くとることができる。そのため、ハンダフィレット１０ａの形成箇所に滞留する溶融ハンダが第１凹部９側に引き寄せられやすくなり、接触角度θをより小さくすることができる。
【0050】
また、第１凹部９の下端９ｂは、Ｚ軸方向において、ハンダフィレット１０ａの下端１０ａｃと一致していることが好ましい。このような条件を満たすことで、溶融ハンダが第１凹部９側に引き寄せられやすくなり、接触角度θをより小さくすることができる。
【0051】
なお、前述したいように、第１凹部９の下端９ｂは、潰し加工の端縁となっているため、下端９ｂにおける延出部８ｅのＸ軸方向の最大幅は、リード端子を構成する導電性線材の直径と同程度（すなわち、Ｗｘ３と同程度）となっている。そのため、第１凹部９の下端９ｂは、端面４ａを含む面ＹＺよりもＸ軸方向の内側に存在している。
【0052】
一方、第１凹部９の上端９ｃは、Ｚ軸方向において、隣接部８ａと延出部８ｅとの境界に位置していてもよいし、底面４ｂ１よりもＺ軸下方に位置していてもよい。ただし、図３に示すように、第１凹部９の一部が、Ｚ軸方向において、延出部８ｅの上端から隣接部８ａの一部に跨って存在していることが好ましい。この場合、第１凹部９の上端９ｃは、底面４ｂ１を含む面ＸＹよりもＺ軸方向の上方に位置する。リード端子８をディッピングによりハンダ付けする際、リード端子８の隣接部８ａ側を、重力方向の下方に向けてハンダ浴に浸漬させる。第１凹部９の上端９ｃが底面４ｂ１よりもＺ軸上方に位置する場合、ディッピング時において、ハンダフィレット１０ａの形成箇所より重量方向の下方にも、第１凹部９によるハンダ溜りが形成されることとなる。そのため、ハンダフィレット１０ａの形成箇所に滞留する溶融ハンダが第１凹部９側に引き寄せられやすくなる。
【0053】
また、第１凹部９の上端９ｃが底面４ｂ１よりもＺ軸上方に位置する場合、端面電極６ａと側面電極６ｂとの交差角６ａｂは、第１凹部９によるハンダ溜まりに覆われた状態となる。つまり、第１第１凹部９の内側に形成されるハンダ溜りは、延出部８ｅの上端から隣接部８ａの一部に跨って存在する。隣接部８ａの下端側にも、第１凹部９によるハンダ溜りが存在することで、セラミック素体４に対するリード端子８の接合強度が向上する。
【0054】
また、上端９ｃから底面４ｂ１を含む面ＸＹまでの垂線距離をＬ２とすると、Ｌ１とＬ２の関係性は、Ｌ１＞Ｌ２であることが好ましい。さらに、Ｌ２に対するＬ１の比（Ｌ１／Ｌ２）は、１．２～４．０であることが好ましく、１．５～２．０であることがより好ましい。上記の条件を満たす場合、延出部８ｅにおけるハンダ溜りの容積が、隣接部８ａにおけるハンダ溜りの容積よりも大きくなる。このように、延出部８ｅ側のハンダ溜まりの容積のほうが大きくなることで、第１凹部９側に溶融ハンダが引き寄せられ易くなり、ハンダフィレット１０ａの接触角度θをより小さくすることができる。また、クラック抑制効果をさらに高めることができる。
【0055】
さらに、セラミック素体４の高さＬ０に対する垂線距離Ｌ２の比（Ｌ２／Ｌ０）は、０～０．２であることが好ましい。また、第１凹部９のＺ軸方向の長さＬ３は、Ｌ０に対して０．５倍～１．０倍であることが好ましい。
【0056】
なお、第１凹部９の下端９ｂおよび上端９ｃの位置は、潰し加工で使用する金型の寸法により調整できる。また、ハンダ付けの際に、リード端子に対するセラミック素体４の固定位置を制御することでも調整できる。
【0057】
第１凹部９の形態や寸法が、上記の条件を満たす場合、セラミック素体４の内部にクラックが発生することをより効果的に抑制することができる。
【0058】
なお、ハンダフィレットによるクラックを抑制する方法として、従来では、リード端子の一部に、ハンダ濡れ性の悪い非親和層を形成することが知られている。この非親和層は、たとえば、リード端子の一部の表面を酸化することで形成できる。また、非親和層は、リード端子表面のメッキ層（ハンダ濡れ性が良好な被覆層）を、機械研磨やレーザー加工により除去することでも形成できる。つまり、当該従来技術では、リード端子の一部にハンダが濡れない部分を形成することで、ハンダフィレットが形成されることを抑制する。当該従来技術でも、クラック抑制効果が期待できる。ただし、リード端子に対して、局所的に非親和層を形成することは、必ずしも容易ではなく、特に、セラミック素体４のサイズが小さくなると、非親和層の形成が困難となる。また、非親和層によりハンダの接合領域が狭められることで、セラミック素体に対するリード端子の接合強度が低下してしまう。
【0059】
これに対して、本実施形態の場合、第１凹部９は、金型を用いた潰し加工により容易に形成することができる。そのため、セラミック素体４のサイズが小型化した場合であっても、確実にクラックを抑制することができ、製造コストも抑えられる。また、本実施形態のセラミック電子部品２では、第１凹部９の内側がハンダ溜まりとなっているため、クラックを抑制したうえで、リード端子８を上記の従来技術よりも強固に接合することができる。
【0060】
なお、本実施形態において、リード端子８の接合に使用するハンダ１０の材質は、特に限定されない。たとえば、錫－アンチモン系、錫－銀－銅系、錫－銅系、錫－ビスマス系の鉛フリーハンダを用いることができる。
【0061】
また、図２および図３では図示していないが、リード端子８の表面には、金属メッキ層などの被覆層が形成してあってもよい。被覆層の種類は、特に限定されず、リード端子８の先端側（隣接部側）と後端側（脚部側）とで、種類が異なる被覆層が形成してあってもよい。特に、リード端子８の表面のうちハンダ１０と接触する箇所（隣接部８ａ、第１凹部９を含む上方側支持部８ｅａの一部）には、リード端子８の芯材よりもハンダ濡れ性が良好な被覆層が形成してあることが好ましい。「ハンダ濡れ性が良好な被覆層」とは、たとえば、銅および錫を含む合金層が挙げられ、より具体的には、Ｃｕ6Ｓｎ5を含む合金層であることが好ましい。このような被覆層をハンダ１０との接触表面に形成しておくことで、ハンダフィレット１０ａの接触角度θをより小さくすることができる。
【0062】
上記のように被覆層を形成する場合、被覆層の厚みは、０．５μｍ～１０μｍ程度とすることができ、１．０μｍ～７．０μｍであることが好ましく、１．０μｍ～３．０μｍであることがより好ましい。被覆層の厚みは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等による断面観察により測定でき、被覆層を構成する成分は、電子プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）や、電子線回折等の手法により確認することができる。
【0063】
続いて、セラミック電子部品２の製造方法の一例について、以下に説明する。
【0064】
まず、セラミック素体４として、コンデンサチップを準備する。コンデンサチップは、公知の方法により製造すればよい。たとえば、ドクターブレード法やスクリーン印刷等の手法により、電極パターンが形成されたグリーンシートを積層し、積層体を得る。その後、得られた積層体を加圧・焼成することで、コンデンサチップが得られる。
【0065】
次に、準備したコンデンサチップに対して、一対の端子電極６を形成する。端子電極６の形成方法は、特に限定されない。たとえば、コンデンサチップを、電極用の導電性ペーストに浸漬し、その後、焼き付け処理を施すことで形成できる。もしくは、熱硬化性樹脂をふくむ導電性ペーストを塗布し、その後、加熱処理により樹脂を硬化させることで端子電極６を形成してもよい。また、焼き付け電極もしくは樹脂電極の表面には、適宜、メッキ処理を施してもよい。
【0066】
次に、リード端子８の製造方法について説明する。リード端子８の製造では、まず、導電性線材を準備する。本実施形態において、準備する導電性線材としては、表面に錫メッキ層が形成してあるＣｕ線、もしくは、Ｃｕメッキ層の表面にさらに錫メッキ層が形成してあるＣＰ線を用いることが好ましい。ここで、Ｃｕ線もしくはＣＰ線の表面に形成してある錫メッキ層は、錫が９０ｍｏｌ％以上含まれていることが好ましく、厚みが、１μｍ～１０μｍであることが好ましい。
【0067】
ただし、導電性線材の表面は、錫メッキ層に代えて、銀メッキ層や、金メッキ層、パラジウムメッキ層、銅－錫メッキ層などを形成してもよい。さらに、金メッキ層もしくはパラジウムメッキ層を形成する場合には、下地にニッケルメッキ層が形成してあってもよい。
【0068】
準備した導電性線材は、所定の長さに切断し、その後、全体としてＵ字形状となるように曲げ加工を施す。次に、Ｕ字形状の導電性線材を、キャリアテープに張り付けて固定する。この際、導電性線材は、Ｕ字形状の両端がキャリアテープから飛び出すようにして固定される。
【0069】
このように、導電性線材をキャリアテープに張り付けた状態で、導電性線材の先端を、図４に示す形状に加工する。具体的には、まず、導電性線材の両端に折り曲げ加工を施し、上方側支持部８ｅａ，下方側支持部８ｅｂを形成する。その後、導電性線材の先端を潰し加工（プレス加工）し、対向面８ａａを有する隣接部８ａの形状と第１凹部９とを形成する。なお、折り曲げ加工と潰し加工とは、順序が逆であっても良い。量産時においては、キャリアテープ上に複数の導電性線材を張り付けて、上記の先端加工を同時に行えばよい。
【0070】
次に、上記のような手順で作製したセラミック素体４とリード端子８とを接合し、リード端子付きのセラミック電子部品２を得る。たとえば、リード端子８の表面（特にハンダと接触する部分）にハンダ濡れ性の良い銅および錫を含む合金層を形成する場合は、以下に示す手順で、セラミック素体４にリード端子８を接合する。
【0071】
まず、キャリアテープに張り付けてあるリード端子８の先端部のみをハンダ浴に浸漬し、リード端子８の表面に銅および錫を含む合金層を形成する（リード端子８の浸漬工程）。
【0072】
上記の浸漬工程において、使用するハンダ浴の種類は、後述するセラミック素体４のハンダ付け工程で使用するハンダ浴と同じでもよいが、異なっていてもよい。また、使用するハンダ浴の温度は、ハンダの組成によっても異なるが、たとえば、錫－アンチモン系のハンダの場合、２７０℃～３２０℃とすることができる。特に、浸漬工程におけるハンダ浴の温度は、後述するハンダ付け工程におけるハンダ浴の温度に対して、０．９～１．１倍程度とすることが好ましい。
【0073】
また、浸漬工程におけるハンダ浴への浸漬時間は、後述するハンダ付け工程での浸漬時間に対して、１０～６０倍程度と長くすることが好ましく、より具体的には、１０秒～６０秒程度とすることが好ましい。
【0074】
なお、上記の浸漬工程において、ハンダ浴に浸漬した箇所では、導電性線材の表面に形成してある錫メッキ層が、ハンダ浴に溶解され、銅および錫を含む合金層が生成する。ハンダ浴に浸漬していないリード端子８の脚部８ｅｃ、下方側支持部８ｅｂ、上方側支持部８ｅａの一部では、表面に錫メッキ層が残った状態となる。
【0075】
上記の浸漬工程を行った後、一対のリード端子８の隣接部８ａの間に、端子電極６を形成したセラミック素体４を配置し、一対の対向面８ａａでセラミック素体４を挟持することで、セラミック素体４を仮固定する。なお、仮固定に際して、隣接部８ａの上端（リード端子８の先端）と、セラミック素体４の上端（上面４ｂ２）とは、Ｚ軸方向で位置ズレしていてもよいが、隣接部８ａの上端とセラミック素体４の上端とを揃えることが好ましい。このような方法で仮固定を行うことで、リード端子８がセラミック素体４に対して適切な位置に配置され、製造誤差を低減することができる。
【0076】
次に、リード端子８で挟持したセラミック素体４を、ハンダ浴に浸漬し、端子電極６とリード端子８とをハンダ付けする（ハンダ付け工程：ディッピング）。この際、リード端子８の先端側（隣接部８ａのＺ軸上端側）を、重力方向の下方に向けて、ハンダ浴に浸漬させる。このハンダ付け工程において、ハンダ浴への浸漬時間は、０．５秒～２程度であり、特に、０．８秒～１．５秒程度と短くすることが好ましい。ハンダ付け工程での浸漬時間を上記の範囲内とすることで、セラミック素体４への熱影響を最小限に抑制することができる。
【0077】
ハンダ付け工程の後には、ハンダ浴に浸漬させた部分を、液状の絶縁性樹脂の浴槽に浸漬する。この際、少なくとも、セラミック素体４およびリード端子８のハンダ接合部分が、絶縁性樹脂の浴槽に浸るように浸漬する。その後、使用する絶縁性樹脂の種類に応じて、適宜、熱処理や冷却乾燥処理を施すことで、セラミック素体４およびリード端子８の一部を覆うように外装２０が形成される。
【0078】
なお、上述した一連の接合工程は、リード端子８をキャリアテープに張り付けて固定した状態で行えばよい。外装２０を形成した後、一対のリード脚部８ｄの連結部分（すなわち、Ｕ字形状の円弧部分）を切断し、キャリアテープからリード端子８を取り外すことで、図１および図２に示すセラミック電子部品２が得られる。
【0079】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【0080】
（変形例）
たとえば、リード端子８は、図５に示すような形態であってもよい。図５に示すリード端子８１では、隣接部８ａの対向面８ａａに第２凹部９１が形成してある。この第２凹部９１は、Ｚ軸に沿って、対向面８ａａの上端から下端まで延在している。また、第２凹部９１のＺ軸方向の下端は、第１凹部９と接続されており、第２凹部９１と第１凹部９とは連通している。図５に示すリード端子８１を使用した場合であっても、クラック抑制効果が期待できる。また、リード端子８１を使用した場合、対向面８ａａと端面電極６ａとの隙間８６に介在するハンダ１０の量が多くなり、リード端子８１の接合強度が向上する傾向となる。
たとえば、リード端子８は、図５に示すような形態であってもよい。図５に示すリード端子８１では、隣接部８ａの対向面８ａａに第２凹部９１が形成してある。この第２凹部９１は、Ｚ軸に沿って、対向面８ａａの上端から下端まで延在している。また、第２凹部９１のＺ軸方向の下端は、第１凹部９と接続されており、第２凹部９１と第１凹部９とは連通している。図５に示すリード端子８１を使用した場合であっても、クラック抑制効果が期待できる。また、リード端子８１を使用した場合、対向面８ａａと端面電極６ａとの隙間８６に介在するハンダ１０の量が多くなり、リード端子８１の接合強度が向上する傾向となる。
【0081】
また、図２および図３に示すリード端子８では、上方側支持部８ｅａが、Ｚ軸と略平行に延びているが、上方側支持部８ｅａの延長方向は当該様態に限定されない。たとえば、上方側支持部８ｅａは、第１凹部９の下端９ｂから、Ｘ軸方向の外側に向かって曲折していてもよい。Ｘ軸方向の外側とは、一対のリード端子が互いに離反する方向である。このように、上方側支持部８ｅａが曲折することで、ハンダフィレット１０ａの接触角度θがより小さくなる傾向となる。
【実施例0082】
（試料１）
試料１では、図４に示す先端形状を有するリード端子８を使用して、コンデンサ試料を３０個作製し、そのクラック発生率を評価した。
試料１では、図４に示す先端形状を有するリード端子８を使用して、コンデンサ試料を３０個作製し、そのクラック発生率を評価した。
【0083】
まず、セラミック素体４として、Ｘ軸方向の長さが１．６ｍｍ、Ｙ軸方向の幅が０．８ｍｍ、Ｚ軸方向の高さＬ０が０．８ｍｍであるコンデンサチップを準備した。そして、当該コンデンサチップに、Ｃｕ焼結電極層とＮｉメッキ層とＳｎメッキ層とからなる端子電極６を形成した。
【0084】
また、リード端子８の原材料として、線径が０．５ｍｍで、表面に錫メッキ層が形成してあるＣｕ線を準備した。そして、このＣｕ線を、図４に示す形状に加工し、実施形態で示した手順に従って、コンデンサチップにハンダ付けした。実際に使用したリード端子８の詳細な寸法を以下に示す。なお、以下の寸法は、平均値であり、完成したコンデンサ試料３０個の断面をＳＥＭで観察し、得られた断面写真を画像解析することで測定した。
Ｗｘ１／Ｗｘ３＝０．７５
Ｗｘ２／Ｗｘ１＝０．７２
Ｌ１／Ｌ０＝０．５０
Ｌ２／Ｌ０＝０．２０
Ｗｘ１／Ｗｘ３＝０．７５
Ｗｘ２／Ｗｘ１＝０．７２
Ｌ１／Ｌ０＝０．５０
Ｌ２／Ｌ０＝０．２０
【0085】
（クラック発生率の評価）
上記の手順で作製したコンデンサ試料について、クラックが発生しているか否かを調査した。クラックの有無は、コンデンサ試料の断面を光学顕微鏡で観察することで確認し、素体（コンデンサチップ）の内部に少しでもクラックが存在するサンプルをＮＧとした。当該調査を３０個のサンプルに対して行い、クラックが存在するサンプルの割合をクラック発生率として算出した。
上記の手順で作製したコンデンサ試料について、クラックが発生しているか否かを調査した。クラックの有無は、コンデンサ試料の断面を光学顕微鏡で観察することで確認し、素体（コンデンサチップ）の内部に少しでもクラックが存在するサンプルをＮＧとした。当該調査を３０個のサンプルに対して行い、クラックが存在するサンプルの割合をクラック発生率として算出した。
【0086】
（比較例１）
比較例１では、図６，７に示す従来のリード端子８２を使用した。ここで、図６，７に示すリード端子８２の特徴について説明しておく。リード端子８２では、隣接部８ａに潰し加工が施されており、対向面８ａａが形成されているが、当該リード端子８２には、第１凹部９が形成されていない。リード端子８２において、隣接部８ａと延出部８ｅ（上方側支持部８ｅａ）との境界位置には、潰し加工によって、Ｘ軸およびＹ軸と実質的に平行な段差面１１が形成されている。当該段差面１１は、ハンダ付けの際に側面電極６ｂに当接され、リード端子８２とコンデンサチップとの位置関係を調整する役割を果たす。
比較例１では、図６，７に示す従来のリード端子８２を使用した。ここで、図６，７に示すリード端子８２の特徴について説明しておく。リード端子８２では、隣接部８ａに潰し加工が施されており、対向面８ａａが形成されているが、当該リード端子８２には、第１凹部９が形成されていない。リード端子８２において、隣接部８ａと延出部８ｅ（上方側支持部８ｅａ）との境界位置には、潰し加工によって、Ｘ軸およびＹ軸と実質的に平行な段差面１１が形成されている。当該段差面１１は、ハンダ付けの際に側面電極６ｂに当接され、リード端子８２とコンデンサチップとの位置関係を調整する役割を果たす。
【0087】
上記の特徴を有するリード端子８２を、試料１と同じ方法で、コンデンサチップにハンダ付けし、比較例１に係るコンデンサ試料を得た。そして、試料１と同じ方法で比較例１のクラック発生率を算出した。
【0088】
（試料２：参考例）
試料２では、図８に示すリード端子８３を使用した。ここで、図８に示すリード端子８３の特徴について説明しておく。リード端子８３では、図７に示す従来のリード端子８２と同様に、隣接部８ａに潰し加工が施してあり、隣接部８ａと延出部８ｅとの境界に段差面１１が形成してある。このリード端子８３では、段差面１１に、第３凹部９２が形成してあり、対向面８ａａに第４凹部９３が形成してある。第３凹部９２はＸ軸方向に延在しており、第４凹部９３はＺ軸方向に延在している。そして、第３凹部９２と第４凹部９３とは、対向面８ａａと段差面１１との交差角で連通している。
試料２では、図８に示すリード端子８３を使用した。ここで、図８に示すリード端子８３の特徴について説明しておく。リード端子８３では、図７に示す従来のリード端子８２と同様に、隣接部８ａに潰し加工が施してあり、隣接部８ａと延出部８ｅとの境界に段差面１１が形成してある。このリード端子８３では、段差面１１に、第３凹部９２が形成してあり、対向面８ａａに第４凹部９３が形成してある。第３凹部９２はＸ軸方向に延在しており、第４凹部９３はＺ軸方向に延在している。そして、第３凹部９２と第４凹部９３とは、対向面８ａａと段差面１１との交差角で連通している。
【0089】
上記の特徴を有するリード端子８３を、試料１と同じ方法で、コンデンサチップにハンダ付けし、試料２に係るコンデンサ試料を得た。なお、ハンダ付け後の状態において、第３凹部９２の下端から底面４ｂ１を含む面までの垂線距離Ｌ１を測定したところ、当該垂線距離は、コンデンサチップの高さＬ０に対して、０．２倍程度（０．２×Ｌ０）であった。試料２のコンデンサ試料についても、試料１と同じ方法で、クラックの有無を評価した。
【0090】
評価結果
比較例１のクラック発生率は、６３％であり、比較例１では、半数以上のサンプルにクラックが発生していた。図７は、比較例１のコンデンサ試料を示す要部拡大断面図である。図７に示すように、従来のリード端子８２には、ハンダフィレット１０ａに対応する箇所に凹部が形成されていない。そのため、比較例１のコンデンサ試料では、素体の底面４ｂ１とリード端子８２の延出部との間に、ハンダが多く滞留し、ハンダフィレット１０ａの接触角度θが５０度超過と鈍角になった。比較例１では、鈍角なハンダフィレット１０ａの影響で、クラックが多く発生したと考えられる。
比較例１のクラック発生率は、６３％であり、比較例１では、半数以上のサンプルにクラックが発生していた。図７は、比較例１のコンデンサ試料を示す要部拡大断面図である。図７に示すように、従来のリード端子８２には、ハンダフィレット１０ａに対応する箇所に凹部が形成されていない。そのため、比較例１のコンデンサ試料では、素体の底面４ｂ１とリード端子８２の延出部との間に、ハンダが多く滞留し、ハンダフィレット１０ａの接触角度θが５０度超過と鈍角になった。比較例１では、鈍角なハンダフィレット１０ａの影響で、クラックが多く発生したと考えられる。
【0091】
なお、図７に示すように、段差面１１と側面電極６ｂとの間には、ハンダが充填される隙間６１が存在する。ただし、この隙間６１の幅Ｗｘ５は、最大でも２０μｍ程度であり、当該隙間６１は、ハンダフィレット１０ａに滞留するハンダを引き寄せて、接触角度θを小さくする機能を有していない。したがって、隙間６１を凹部とみなすことはできない。
【0092】
一方、図８に示すリード端子８３を使用した試料２（参考例）では、クラック発生率が、４０％であり、比較例１よりもクラックを低減することができた。また、試料２では、ハンダフィレット１０ａの接触角度θが比較例１よりも鋭角になっていた。リード端子８３では、段差面１１に形成してある第３凹部９２が、ハンダフィレット１０ａの側方に位置するため、溶融ハンダが第３凹部９２に引き寄せられて、接触角度θが鋭角になったと考えられる。
【0093】
さらに、図４に示すリード端子８を使用した試料１では、クラック発生率を最も低減することができた。具体的に、試料１では、ハンダフィレット１０ａの接触角度θが、比較例１よりも鋭角であり、試料２よりもさらに鋭角となった。そして、試料１では、クラック発生率が１３％であり、試料２よりもクラックの発生を抑制することができた。試料１のクラック発生率が試料２よりも向上した理由として、以下のような事由が考えられる。
【0094】
まず、凹部の大きさの違いが関係していると考えられる。試料２の第３凹部９２は、Ｌ１／Ｌ０が０．２程度であることに対して、試料１の第１凹部９は、Ｌ１／Ｌ０が０．５である。そのため、試料２の第３凹部９２よりも試料１の第１凹部９のほうが、溶融ハンダを引き込む作用が強くなったと考えられる。
【0095】
また、凹部の開口方向が関係していると考えられる。試料２の第３凹部９２は、Ｘ軸方向に延在しており、Ｙ軸方向においては、凹部壁面により閉塞された状態となっている。つまり、第３凹部９２の内側は、ハンダ溜まりとなるが、第３凹部９２によるハンダ溜まりは、第３凹部９２の壁面および第４凹部９３の壁面により囲われている。一方、試料１の第１凹部９は、Ｙ軸方向において開放してあるため、第１凹部９のハンダ溜まりは、Ｙ軸方向で第１凹部９の壁面に拘束されない。そのため、試料１では、ハンダ凝固時に発生する歪みが、リード端子８の外側に分散し易く、第１凹部９のハンダ溜まりには蓄積され難くなっていると考えられる。その結果、試料１では、試料２よりも、クラックを効果的に抑制できたと考えられる。
【0096】
なお、上記の実施例では、リード端子の導電性線材としてＣｕ線を使用したが、ＣＰ線でも上記と同様の実験を行った。ＣＰ線を使用した場合でも、上記の実施例と同様の結果が得られ、図４に示すリード端子形状で最もクラック発生率を低減することができた。
【符号の説明】
【0097】
２ … セラミック電子部品
４ … セラミック素体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
４ｂ１ … 底面
４ｂ２ … 上面
６ … 端子電極
６ａ … 端面電極
６ｂ … 側面電極
６ａｂ … 交差角
８，８１～８３ … リード端子
８ａ … 隣接部
８ａａ … 対向面
９１ … 第２凹部
８ｅ … 延出部
８ｅａ … 上方側支持部
８ｅｂ … 下方側支持部（キンク）
８ｅｃ … 脚部（基板実装部）
９ … 第１凹部
９ａ … 壁面
９ｂ … 下端
９ｃ … 上端
１０ … ハンダ
１０ａ … ハンダフィレット
１０ａａ … 先端
１０ａｂ … 外縁
１０ａｃ … 下端
１１ … 段差面
２０ … 外装
４ … セラミック素体
４ａ … 端面
４ｂ … 側面
４ｂ１ … 底面
４ｂ２ … 上面
６ … 端子電極
６ａ … 端面電極
６ｂ … 側面電極
６ａｂ … 交差角
８，８１～８３ … リード端子
８ａ … 隣接部
８ａａ … 対向面
９１ … 第２凹部
８ｅ … 延出部
８ｅａ … 上方側支持部
８ｅｂ … 下方側支持部（キンク）
８ｅｃ … 脚部（基板実装部）
９ … 第１凹部
９ａ … 壁面
９ｂ … 下端
９ｃ … 上端
１０ … ハンダ
１０ａ … ハンダフィレット
１０ａａ … 先端
１０ａｂ … 外縁
１０ａｃ … 下端
１１ … 段差面
２０ … 外装
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】