特開 2022-77508 希土類前駆体、その製造方法及びこれを用いて薄膜を形成する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022077508

(43)【公開日】2022-05-23

(54)【発明の名称】希土類前駆体、その製造方法及びこれを用いて薄膜を形成する方法

(51)【国際特許分類】

   C07F 19/00 20060101AFI20220516BHJP

   C23C 16/18 20060101ALI20220516BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20220516BHJP

   H01L 21/316 20060101ALI20220516BHJP

   C07F 5/00 20060101ALN20220516BHJP

【ＦＩ】

C07F19/00 CSP

C23C16/18

H01L21/31 B

H01L21/316 X

C07F5/00 D

C07F5/00 G

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021181090

(22)【出願日】2021-11-05

(31)【優先権主張番号】10-2020-0149843

(32)【優先日】2020-11-11

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】519350498

【氏名又は名称】ハンソル ケミカル カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＨＡＮＳＯＬ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７－８Ｆ， ５１３， Ｔｅｈｅｒａｎ－ｒｏ， Ｇａｎｇｎａｍ－ｇｕ， Ｓｅｏｕｌ ０６１６９， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001494

【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】パク， ミ－ラ

(72)【発明者】

【氏名】ヨム， キュ－ヒョン

(72)【発明者】

【氏名】イ， ヒョン－ギョン

(72)【発明者】

【氏名】ソク， チャン－ヒョン

(72)【発明者】

【氏名】パク， チュン－ウ

【テーマコード（参考）】

4H048

4H050

4K030

5F045

5F058

【Ｆターム（参考）】

4H048AA01

4H048AA03

4H048VA32

4H048VA70

4H048VB10

4H050AA01

4H050AA03

4H050AB99

4K030AA11

4K030AA14

4K030AA16

4K030BA42

4K030BA59

4K030CA04

4K030CA12

4K030DA03

4K030EA01

4K030FA01

4K030FA10

4K030HA01

4K030JA05

4K030JA06

4K030JA09

4K030JA10

4K030JA11

4K030LA15

5F045AA04

5F045AA06

5F045AA15

5F045AB31

5F045AB32

5F045AC11

5F045AC12

5F045AC15

5F045AC16

5F058BC02

5F058BF04

5F058BF06

5F058BF22

5F058BF29

5F058BF30

(57)【要約】      （修正有）

【課題】原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、または、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）に適用可能であり、熱的安定性及び反応性に優れた希土類化合物、これを含む希土類前駆体、その製造方法及びこれを用いて薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】例えば、ランタンクロライドと、１，３-ジメチルイミダゾリウムクロライドまたはブロマイドの混合溶液中にナトリウムビストリメチルシリルアミドを添加して合成した、（Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ_３）_２］_３が示される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記化学式１で表される化合物。

【化1】

前記化学式１において、
Ｍは、希土類元素であり、
Ｒ₁～Ｒ₆は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基であり、
Ｒ₇～Ｒ₉は、それぞれ独立して、炭素数１～５の線状または分枝状のアルキル基；－ＯＲ₁₀；または－Ｎ（Ｒ₁₁）₂であり、
前記Ｒ₁₀は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基であり、
前記Ｒ₁₁は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基；またはＳｉ（Ｒ₁₂）₃であり、
前記Ｒ₁₂は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基である。

【請求項2】

Ｒ₁～Ｒ₆、Ｒ₁₀～Ｒ₁₂は、それぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基及びｔｅｒｔ－ブチル基からなる群より選択されるいずれか一つである、請求項１に記載の化合物。

【請求項3】

前記化学式１の

【化1(1)】

は、下記化学式１ａ～１ｊで表されるリガンドからなる群より選択されるいずれか一つである、請求項１に記載の化合物。

【化1a】

【化1b】

【化1c】

【化1d】

【化1e】

【化1f】

【化1g】

【化1h】

【化1i】

【化1j】

【請求項4】

前記化合物は、下記化学式１－１～化学式１－７で表される化合物からなる群より選択されるいずれか一つである、請求項１に記載の化合物。

【化1-1】

【化1-2】

【化1-3】

【化1-4】

【化1-5】

【化1-6】

【化1-7】

前記化学式１－１～１－７において、
Ｍは、希土類類元素であり、
^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルである。

【請求項5】

前記希土類元素は、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）またはルテチウム（Ｌｕ）である、請求項１に記載の化合物。

【請求項6】

請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の化合物を含む、気相蒸着前駆体。

【請求項7】

請求項６に記載の気相蒸着前駆体をチャンバーに導入するステップを含む、薄膜の製造方法。

【請求項8】

前記薄膜の製造方法は、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、または、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）を含む、請求項７に記載の薄膜の製造方法。

【請求項9】

反応ガスとして水素（Ｈ₂）、酸素（Ｏ）原子含有化合物及び窒素（Ｎ）原子含有化合物のいずれか一つ以上を注入するステップをさらに含む、請求項７に記載の薄膜の製造方法。

【請求項10】

前記反応ガスは、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、水（Ｈ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、窒素（Ｎ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）及びヒドラジン（Ｎ₂Ｈ₄）中より選択されたいずれか一つ以上のものである、請求項９に記載の薄膜の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、気相蒸着を通じて薄膜蒸着が可能な気相蒸着化合物に関するものであって、具体的には、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、または、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）に適用可能な揮発性及び熱的安定性に優れ、反応ガスとの反応性に優れた希土類前駆体、その製造方法及びこれを用いて薄膜を形成する方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

ここ数十年の間に誘電体として使用されていた酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）は、近年、半導体素子の密集パッキングとミクロ化するチャネル長さに伴い、「金属ゲート／ハイ－Ｋ（Ｈｉｇｈ－ｋ）」トランジスタに置き換えられている。

【0003】

特に、動的ランダムアクセス記憶装置（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ、ＤＲＡＭ）のメモリ素子及びキャパシタのための新しいゲート誘電体材料が求められている。

【0004】

素子のサイズが２０ｎｍ水準に進入することにより、高誘電定数材料及び工程への要求が増加している。

【0005】

好ましくは、高ｋ（Ｈｉｇｈ－ｋ）物質は、高いバンドギャップ及びバンドオフセット、高いｋ値、ケイ素上に対する優れた安定性、最小のＳｉＯ₂界面層及び基材上の高品質界面を有しなければならない。また、非晶質または高結晶質の温度フィルムが好ましい。

【0006】

酸化ケイ素を置き換えるために活発に研究及び適用されている代表的な高ｋ物質としては、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）などがあり、特に１０ｎｍ以下の工程では、次世代の高ｋ物質が持続的に求められている。

【0007】

次世代の高ｋ物質の有力な候補としては、希土類がドープされた酸化ハフニウムなどが挙げられている。

【0008】

特に、希土類元素含有材料は、進歩したケイ素ＣＭＯＳ、ゲルマニウムＣＭＯＳ及びＩＩＩ－Ｖ族トランジスタ素子として有望な高ｋ誘電体物質であり、これを基材とした新世代の酸化物は、通常の誘電体材料に比べて容量の面で相当な利点を提供するものと報告されている。

【0009】

また、希土類元素含有材料は、強誘電性、焦電性、圧電性、抵抗変換などの特性を有するペロブスカイト材料の製造への応用が期待されている。つまり、有機金属化合物前駆体を使用する蒸着工程を通じてＡＢＯ₃型のペロブスカイトを製造し、Ａ、Ｂ、陽イオン（希土類または遷移金属）の種類や組成を調節し、素材の誘電性、電子伝導性及び酸素イオン伝導度など様々な特性を付与して、燃料電池、センサー、二次電池などの様々な産業分野に用いるための研究が進んでいる。

【0010】

そのほかにも、希土類元素含有材料は、多層酸化物薄膜構造の優れた水分浸透抵抗性を活用した封止用素材や次世代の不揮発性メモリの具現に活用するために活発に研究されている。

【0011】

しかし、依然として希土類含有層の蒸着が難しいため、新しい材料及び工程が持続的に求められている。これについて、様々なリガンドを有する希土類前駆体が研究されてきた。

【0012】

希土類前駆体を構成するリガンドの代表的な例としては、アミド（ａｍｉｄｅ）、アミジナート（ａｍｉｄｉｎａｔｅ）、ベタ－ジケトナート（β－Ｄｉｋｅｔｏｎａｔｅ）、シクロペンタジエニル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ、Ｃｐ）などの化合物群があるが、これらの前駆体は、高い融点、低い蒸着温度、高い薄膜内の不純物、比較的低い反応性など、実際の工程には適用し難いという欠点があった。

【0013】

具体的には、ランタン－２，２，６，６－テトラメチルヘプタンジオナート（［Ｌａ（ｔｍｈｄ）₃］）は、２６０℃以上の高い融点を有し、希土類－２，２，７－トリメチルオクタンジオナート（［Ｌａ（ｔｍｏｄ）₃］）の融点は１９７℃である。また、ベタ－ジケトナートの伝達効率は制御することが非常に難しく、薄膜成長率が低く、カーボン不純物生成率が高いため、薄膜純度が低い。

【0014】

シクロペンタジエニル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ、Ｃｐ）の化合物は、一部の液体の化合物の具現が可能であるが、工程評価において薄膜内の炭素不純物の含有量が高いという欠点がある。

【0015】

分子設計は、揮発性を向上させ、融点を低下させることに役立つことができるが、工程条件で制限された用途を有するものと判明された。例えば、Ｌａ（ｉＰｒＣｐ）₃（ｉＰｒは、イソプロピル（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ））は、２２５℃より高い温度ではＡＬＤ工程に適しない。

【0016】

アミド系リガンドであるＲＥ（ＮＲ₂）₃（ＲＥは、希土類元素）は、化合物の構造的不安定性により、ＡＬＤやＣＶＤ工程に適しない。

【0017】

また、現在、活用可能な希土類含有前駆体のうち一部は、蒸着工程で使用の際に多くの問題点が生じる。例えば、フッ素化希土類前駆体は、副産物として、ＲＥＦ₃（ＲＥは、希土類元素）を生成することがある。この副産物は除去し難いものと知られている。

【0018】

すなわち、従来の希土類前駆体は、高温で熱的に安定していないため、化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）及び原子層蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）工程時に低い蒸着率が生じるという欠点があった。

【0019】

その結果、希土類含有フィルムの蒸着のための代替的な前駆体の開発が所望の実情である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0020】

【特許文献1】韓国登録特許第１０－２１３８７０７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0021】

本発明は、前記のように言及された既存の希土類前駆体の問題点を解決するためのものであって、熱的安定性及び揮発性に優れ、反応ガスとの反応性に優れた蒸着用希土類前駆体化合物を提供することにその目的がある。

【0022】

また、本発明は、前記希土類前駆体化合物を用いる薄膜製造方法を提供しようとする。

【0023】

しかし、本願が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていない他の課題は、下記の記載から当業者に明確に理解できるはずである。

【課題を解決するための手段】

【0024】

前述のような希土類前駆体の問題点を解決するために、様々なリガンドに対する研究が行われていたが、前駆体のすべてのリガンドの種類が同一なホモレプティック（ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ）希土類前駆体は、依然として同一の問題点を有していた。また、以降新しく登場したヘテロレプティック（ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃ）の化合物は、熱的安定性及び揮発性を有する利点があるが、反応ガスとの反応性が低いという欠点があった。

【0025】

そこで、本発明者らは、このような問題点を解消するために、ヘテロレプティック化合物の既存の利点は維持し、反応ガスとの反応性が低いという欠点を補完することができるヘテロレプティック希土類前駆体を合成した。

【0026】

特に、アルコキシド（ａｌｋｏｘｉｄｅ）、アミド（ａｍｉｄｅ）及びアルキル（ａｋｙｌ）からなる群より選択されるいずれか一つのリガンドと中性リガンド（ｎｅｕｔｒａｌ ｌｉｇａｎｄ）を含む希土類前駆体を合成した。

【0027】

これを通じて、既存の公知の希土類前駆体化合物に比べて、揮発性、熱的安定性に優れ、反応ガスとの反応性も高い希土類前駆体を得ることができる。

【0028】

本願の一側面は、下記化学式１で表される化合物を提供する：

【化1】

【0029】

前記化学式１において、
Ｍは、希土類元素であり、
Ｒ₁～Ｒ₆は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基であり、
Ｒ₇～Ｒ₉は、それぞれ独立して、炭素数１～５の線状または分枝状のアルキル基；－ＯＲ₁₀；または－Ｎ（Ｒ₁₁）₂であり、
前記Ｒ₁₀は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基であり、
前記Ｒ₁₁は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基；またはＳｉ（Ｒ₁₂）₃であり、
前記Ｒ₁₂は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基である。

【0030】

本願の他の側面は、前記化合物を含む気相蒸着前駆体を提供する。

【0031】

本願のもう一つの側面は、前記気相蒸着前駆体をチャンバーに導入するステップを含む、薄膜の製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0032】

本発明に係る新規の蒸着希土類化合物及び前記気相蒸着化合物を含む前駆体は、熱的安定性及び揮発性に優れている。また、反応ガスとの反応性にも優れている。

【0033】

本発明の気相蒸着前駆体は、均一な薄膜蒸着が可能であり、これによる優れた薄膜物性、厚さ及び段差被覆性の確保が可能である。

【0034】

前記のような物性は、原子層蒸着法及び化学気相蒸着法に適した前駆体を提供し、優れた薄膜特性に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本願の実施例１（（Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃）、実施例２（（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃）及び実施例４（（ⁱＰｒ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃）の化合物の示差走査熱量計（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ、ＤＳＣ）分析結果のグラフである。

【図2】本願の実施例１～実施例５の化合物の熱重量（Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ、ＴＧ）分析結果のグラフである（実施例１：（Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃、実施例２：（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃、実施例３：（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｙ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃、実施例４：（ⁱＰｒ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃、実施例５：（ⁱＰｒ、Ｍｅ、Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃）。

【図3】本願の実施例７及び実施例９の化合物の熱重量（Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ、ＴＧ）分析結果のグラフである（実施例７：（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ（Ｏ^tＢｕ）₃、実施例９：（ⁱＰｒ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ（Ｏ^tＢｕ）₃）。

【発明を実施するための形態】

【0036】

以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように、本願の具現例及び実施例などを詳しく説明する。しかし、本願は、様々な異なる形態で具現することができ、ここで説明する具現例及び実施例に限定されない。

【0037】

以下、本願の具現例及び実施例を詳細に説明する。しかし、本願は、このような具現例及び実施例と図面に制限されるものではない。

【0038】

本願の一側面は、下記化学式１で表される化合物を提供する。

【化1】

【0039】

前記化学式１において、
Ｍは、希土類元素であり、
Ｒ₁～Ｒ₆は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基であり、
Ｒ₇～Ｒ₉は、それぞれ独立して、炭素数１～５の線状または分枝状のアルキル基；－ＯＲ₁₀；または－Ｎ（Ｒ₁₁）₂であり、
前記Ｒ₁₀は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基であり、
前記Ｒ₁₁は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基；またはＳｉ（Ｒ₁₂）₃であり、
前記Ｒ₁₂は、それぞれ独立して、水素；炭素数１～６の線状または分枝状のアルキル基である。

【0040】

すなわち、本発明の化合物は、すべてのリガンドの種類が同一ではなく、２以上のリガンドの種類を含むヘテロレプティック化合物であり、中性リガンドとして、Ｎ－ヘテロサイクリックカルベン（Ｎ－ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃｃａｒｂｅｎｅ）を含んでいる。

【0041】

また、本発明の化合物は、アルコキシド（ａｌｋｏｘｉｄｅ）、アミド（ａｍｉｄｅ）及びアルキル（ａｋｙｌ）からなる群より選択されるいずれか一つのリガンドを含んでいる。

【0042】

前記Ｎ－ヘテロサイクリックカルベンは、化合物の熱的安定性を向上させ、アルコキシド（ａｌｋｏｘｉｄｅ）、アミド（ａｍｉｄｅ）及びアルキル（ａｋｙｌ）からなる群より選択されるいずれか一つのリガンドは、化合物の揮発性を向上させると同時に反応ガスとの反応性を高める。

【0043】

本願の一具現例において、好ましくは、Ｒ₁～Ｒ₆、Ｒ₁₀～Ｒ₁₂は、それぞれ独立して、水素、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基及びｔｅｒｔ－ブチル基からなる群より選択されるいずれか一つであってもよいが、これに制限されるものではない。

【0044】

本願の一具現例において、好ましくは、前記化学式１の

【化1(1)】

は、下記化学式１ａ～１ｊで表されるリガンドからなる群より選択されるいずれか一つであってもよい。

【化1a】

【化1b】

【化1c】

【化1d】

【化1e】

【化1f】

【化1g】

【化1h】

【化1i】

【化1j】

【0045】

本願の一実施例において、好ましくは、前記化合物は、下記化学式１－１～化学式１－７で表される化合物からなる群より選択されるいずれか一つである化合物であってもよい。

【化1-1】

【化1-2】

【化1-3】

【化1-4】

【化1-5】

【化1-6】

【化1-7】

【0046】

前記化学式１－１～１－７において、
Ｍは、希土類元素であり、
^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルである。

【0047】

本願の一具現例において、前記希土類元素は、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）のいずれか一つであってもよい。

【0048】

本願の他の側面は、前記化合物を含む気相蒸着前駆体、好ましくは気相蒸着前駆体を提供する。

【0049】

本願のもう一つの側面は、前記気相蒸着前駆体をチャンバーに導入するステップを含む薄膜の製造方法を提供する。前記気相蒸着前駆体をチャンバーに導入するステップは、物理吸着、化学吸着、または物理的及び化学吸着するステップを含んでもよい。

【0050】

本願の一具現例において、前記薄膜の製造方法は、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、または、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）を含んでもよいし、前記化学気相蒸着は、有機金属化学気相蒸着（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＭＯＣＶＤ）、低圧化学気相蒸着（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＬＰＣＶＤ）、パルス化化学気相蒸着法（Ｐ－ＣＶＤ）、プラズマ強化原子層蒸着法（ＰＥ－ＡＬＤ）、またはこれらの組み合わせを含んでもよいが、これに制限されるものではない。

【0051】

本願の一具現例において、前記薄膜の製造方法は、反応ガスとして、水素（Ｈ₂）、酸素（Ｏ）原子含有化合物及び窒素（Ｎ）原子含有化合物のいずれか一つ以上を注入するステップをさらに含んでもよい。

【0052】

所望の希土類含有フィルムが酸素を含有する場合、反応ガスは、酸素（Ｏ₂）、オゾン（Ｏ₃）、水（Ｈ₂Ｏ）、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）及びこれらの任意の組み合わせより選択してもよいが、これに制限されるものではない。

【0053】

所望の希土類含有フィルムが窒素を含有する場合、反応物ガスは、窒素（Ｎ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）、ヒドラジン（Ｎ₂Ｈ₄）及びこれらの任意の組み合わせより選択してもよいが、これに制限されるものではない。

【0054】

また、所望の希土類含有フィルムが他の金属を含んでもよい。

【0055】

以下、合成例、実施例、実験例及び製造例を用いて本願により具体的に説明するが、本願がこれに制限されるものではない。

【0056】

＜合成例１＞（ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃の合成
ランタンクロライド（Ｌａｎｔｈａｎｕｍ（ＩＩＩ）ｃｈｌｏｒｉｄｅ）７．３６ｇ（０．０３ｍｏｌ）と、アルキルイミダゾリウムクロライドまたはブロマイド（１－Ｒ１－３－Ｒ２－４－Ｒ３－５－Ｒ４－ｉｍｉｄａｚｏｌｉｕｍ ｃｈｌｏｒｉｄｅ ｏｒ ｂｒｏｍｉｄｅ）０．０３ｍｏｌをフラスコに定量し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍＬを入れて溶解させる。この溶液にナトリウムビストリメチルシリルアミド（Ｓｏｄｉｕｍｂｉｓ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌ）ａｍｉｄｅ）２２ｇ（０．１２ｍｏｌ）をＴＨＦに溶解し、０℃でゆっくりと添加する。その後、略１６時間常温で攪拌して反応を完了し、真空で溶媒及び揮発性副反応物を除去する。この残留物にヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）を入れて希釈し、セライト（ｃｅｌｉｔｅ）が含まれているフィルタ（ｆｉｌｔｅｒ）を通してろ過した後、ろ液を再び真空で乾燥する。この固体を再びｈｅｘａｎｅに溶解させ、－４０℃で再結晶して無色または白色の結晶性固体を得た。

【0057】

合成例１の反応を、下記反応化学式１で示した。

【化2(1)】

【0058】

前記反応化学式１のＨＭＤＳは、ヘキサメチルジシラザン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｄｉｓｉｌaｚａｎｅ）である。

【0059】

＜合成例２＞（ＮＨＣ）Ｌａ（Ｏ^tＢｕ）３の合成
合成例１で合成した（ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃（０．００４５ｍｏｌ）をトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）５０ｍＬに溶解させ、ｔｏｌｕｅｎｅに希釈したターシャリブチルアルコール（ｔｅｒｔｉａｒｙ ｂｕｔｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）１．２８ｍＬ（０．０１３５ｍｏｌ）を０℃でゆっくりと添加する。その後、略１６時間常温で攪拌して反応を完了し、真空で溶媒及び揮発性副反応物を除去する。この残留物にヘキサン（ｈｅｘａｎｅ）を入れて希釈し、セライト（ｃｅｌｉｔｅ）が含まれているフィルタ（ｆｉｌｔｅｒ）を通してろ過した後、ろ液を再び真空で乾燥する。この固体を再びｈｅｘａｎｅに溶解させ、－４０℃で再結晶して橙色の固体を得た。

【0060】

合成例２の反応を、下記反応化学式（２）で示した。

【化2(2)】

【0061】

前記反応化学式（２）の^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルであり、ＨＭＤＳは、ヘキサメチルジシリザン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｄｉｓｉｌｉｚａｎｅ）である。

【0062】

＜実施例１＞（Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃の合成
合成例１に従って合成され、前記反応化学式１において、Ｒ₁及びＲ₂は、それぞれメチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式３－１の通りである。

【化3-1】

【0063】

合成された化合物は、無色の結晶性固体であり、収率は、７０．５１％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0064】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ０．３５（ｓ、５４Ｈ）、δ３．３６（ｓ、６Ｈ）、δ５．９４（ｓ、２Ｈ）。

【0065】

＜実施例２＞（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃の合成
合成例１に従って合成され、前記反応化学式１において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれエチル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式３－２の通りである。

【化3-2】

【0066】

合成された化合物は、無色の結晶性固体であり、収率は、６０．２６％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0067】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ０．３６（ｓ、５４Ｈ）、δ１．１０（ｔ、３Ｈ）、δ３．４０（ｓ、３Ｈ）、δ３．８６（ｑ、２Ｈ）、δ６．００（ｓ、１Ｈ）、δ６．１０（ｓ、１Ｈ）。

【0068】

＜実施例３＞（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｙ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃の合成
合成例１に従って合成され、前記反応化学式１において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれエチル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、 Ｌｎ は、イットリウム（Ｙ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式３－３の通りである。

【化3-3】

【0069】

合成された化合物は、無色の結晶性固体であり、収率は、５７．５％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0070】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ０．３９（ｓ、５４Ｈ）、δ０．９４（ｔ、３Ｈ）、δ３．５２（ｓ、３Ｈ）、δ３．８５（ｑ、２Ｈ）、δ５．８６（ｓ、１Ｈ）、δ５．９８（ｓ、１Ｈ）。

【0071】

＜実施例４＞（ⁱＰｒ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃の合成
合成例１に従って合成され、前記反応化学式１において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれｉｓｏ－プロピル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式３－４の通りである。

【化3-4】

【0072】

合成された化合物は、白色の結晶性固体であり、収率は、５２．４４％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0073】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ０．３５（ｓ、５４Ｈ）、δ１．１８（ｄ、６Ｈ）、δ３．４１（ｓ、３Ｈ）、δ４．７１（ｍ、１Ｈ）、δ６．０３（ｓ、１Ｈ）、δ６．２４（ｓ、１Ｈ）。

【0074】

＜実施例５＞（ⁱＰｒ、Ｍｅ、Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ［Ｎ（ＳｉＭｅ₃）₂］₃の合成
合成例１に従って合成され、前記反応化学式１において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれｉｓｏ－プロピル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれメチルであり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式３－５の通りである。

【化3-5】

【0075】

合成された化合物は、米色の結晶性固体であり、収率は、７７％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0076】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ０．３０（ｓ、５４Ｈ）、δ１．３４（ｄ、６Ｈ）、δ１．３７（ｓ、３Ｈ）、δ１．５８（ｓ、３Ｈ）、δ３．３８（ｓ、３Ｈ）、δ４．３０（ｓ、１Ｈ）。

【0077】

＜実施例６＞（Ｍｅ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ（Ｏ^tＢｕ）₃の合成
合成例２に従って合成され、前記反応化学式（２）において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれメチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式４－１の通りである。

【化4-1】

（前記化学式４－１において、^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルである）

【0078】

合成された化合物は、橙色の結晶性固体であり、収率は、３１．７７％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0079】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ１．４１（ｓ、２７Ｈ）、δ３．３７（ｓ、６Ｈ）、δ６．２２（ｓ、２Ｈ）。

【0080】

＜実施例７＞（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ（Ｏ^tＢｕ）₃の合成
合成例２に従って合成され、前記反応化学式（２）において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれエチル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式４－２の通りである。

【化4-2】

（前記化学式４－２において、^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルである）

【0081】

合成された化合物は、橙色の結晶性固体であり、収率は、３０．４６％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0082】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ１．１４（ｔ、３Ｈ）、δ１．４５（ｓ、２７Ｈ）、δ３．３９（ｓ、３Ｈ）、δ３．８１（ｑ、２Ｈ）、δ６．２６（ｓ、１Ｈ）、δ６．３３（ｓ、１Ｈ）。

【0083】

＜実施例８＞（Ｅｔ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｙ（Ｏ^tＢｕ）₃の合成
合成例２に従って合成され、前記反応化学式（２）において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれエチル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、イットリウム（Ｙ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式４－３の通りである。

【化4-3】

（前記化学式４－３において、^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルである）

【0084】

合成された化合物は、橙色の結晶性固体であり、収率は、９５．７％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0085】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ１．１８（ｔ、３Ｈ）、δ１．４８（ｓ、２７Ｈ）、δ３．６４（ｓ、３Ｈ）、δ４．１６（ｑ、２Ｈ）、δ６．１３（ｓ、１Ｈ）、δ６．２２（ｓ、１Ｈ）。

【0086】

＜実施例９＞（ⁱＰｒ、Ｍｅ－ＮＨＣ）Ｌａ（Ｏ^tＢｕ）₃の合成
合成例２に従って合成され、前記反応化学式（２）において、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれｉｓｏ－プロピル、メチルであり、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ水素であり、Ｌｎは、ランタン（Ｌａ）であり、合成された化合物の化学式は、下記化学式４－４の通りである。

【化4-4】

（前記化学式４－４において、^tＢｕは、ｔｅｒｔ－ブチルである）

【0087】

合成された化合物は、橙色の結晶性固体であり、収率は、８９．３５％であり、測定された¹Ｈ－ＮＭＲピークは、下記の通りである。

【0088】

¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ₆Ｄ₆）：δ１．２５（ｄ、６Ｈ）、δ１．４１（ｓ、２７Ｈ）、δ３．４４（ｓ、３Ｈ）、δ４．４８（ｍ、１Ｈ）、δ６．２８（ｓ、１Ｈ）、δ６．４１（ｓ、１Ｈ）。

【0089】

［実験例１］示差走査熱量計分析（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ、ＤＳＣ）
実施例１－１、１－２及び１－４の熱的特性を測定する示差走査熱量計分析（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ、ＤＳＣ）を実施し、その結果を図１に示した。

【0090】

使用された機器は、ＮＥＴＺＳＨ社のＤＳＣ ２１４ Ｐｏｌｙｍａであり、各サンプルの重量を略１０ｍｇ取り、ｃｌｏｓｅｄ ｈｉｇｈ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｇｏｌｄ ｐｌａｔｅｄ Ａｌ ｐａｎに入れた後、１０℃の昇温速度で５０℃から３５０℃まで測定した。

【0091】

測定の結果、実施例１－１、実施例１－２及び実施例１－４の化合物の融点（ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）は、それぞれ１５３℃、１３８℃及び１１９℃であった。

【0092】

また、実施例１－１、実施例１－２及び実施例１－４の化合物の分解温度（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）は、それぞれ２５７℃、２５４℃及び２５７℃であった。

【0093】

実施例１－１、実施例１－２及び実施例１－４の化合物の分解温度がいずれも２５０℃以上で合成された化合物の熱的安定性が優れていることが確認できた。

【0094】

［実験例２］熱重量分析（ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃａｎ ａｌｙｓｉｓ、ＴＧＡ）
合成された化合物の熱重量分析（ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃａｎ ａｌｙｓｉｓ、ＴＧＡ）を実施した。熱重量分析時に使用された機器は、Ｍｅｔｔｌｅｒ Ｔｏｌｅｄｏ社のＴＧＡ／ＤＳＣ １ ＳＴＡＲ Ｓｙｓｔｅｍであり、５０μＬの容量のアルミナるつぼ（Ａｌｕｍｉｎａ ｃｒｕｃｉｂｌｅ）を使用した。前記化合物を１０℃／分の速度で４００℃まで加温させる方法で進行し、２００ｍＬ／分の速度でアルゴン（Ａｒ）ガスを注入した。

【0095】

実施例１－１～実施例１－５の化合物の熱重量分析による結果を図２に示し、実施例１－７及び実施例１－９の化合物の熱重量分析による結果を図３に示した。

【0096】

熱重量分析の結果、重量が半分に減少する温度［Ｔ_1/2］が、実施例１－１の化合物は２４３℃、実施例１－２の化合物は２４７℃、実施例１－３の化合物は３２４℃、実施例１－４の化合物は２７８℃、実施例１－５の化合物は２６６℃、実施例１－７の化合物は２３３℃、実施例１－９の化合物は２１６℃で測定された。

【0097】

また、４００℃での残留物の量は、実施例１－１の化合物は１９．４７％、実施例１－２の化合物は１７．２９％、実施例１－３の化合物は４３．７９％、実施例１－４の化合物は２５．１７％、実施例１－５の化合物は１８．４６％、実施例１－７の化合物は１１．６５％、実施例１－９の化合物は１２．６４％と測定された。

【0098】

したがって、反応化学式１により合成された化合物は、略２４０℃以上で重量が半分に減少し、反応化学式２により合成された化合物は、略２１０℃以上で重量が半分に減少し、反応化学式１により合成された化合物のＴ_1/2が、反応化学式２により合成された化合物のＴ_1/2に比べて概ね高かった。また、反応化学式１と反応化学式２により合成された化合物の熱的安定性が優れていることが確認できた。

【0099】

［製造例１］
本発明の実施例１－１～実施例１－６により合成された新規の希土類前駆体及び反応物Ｏ₃を交互に適用して基板上に希土類薄膜を蒸着した。本実験に使用された基板は、ｐ型Ｓｉウェハであり、抵抗は０．０２Ω・ｍである。蒸着に先立ってｐ型Ｓｉウェハは、アセトン－エタノール－脱イオン水（ＤＩ ｗａｔｅｒ）にそれぞれ１０分ずつ超音波処理（Ｕｌｔｒａ ｓｏｎｉｃ）して洗浄した。Ｓｉウェハ上に形成された自然酸化物薄膜は、ＨＦ１０％（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：９）の溶液に１０秒間浸した後、除去した。

【0100】

基板は、１５０～４５０℃の温度に維持して準備し、前記実施例１で合成された固体の新規の希土類前駆体は、９０～１５０℃の温度に維持されたバブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）で気化させた。

【0101】

パージ（ｐｕｒｇｅ）ガスは、アルゴン（Ａｒ）を供給して蒸着チャンバー内に残存する前駆体と反応ガスをパージし、アルゴンの流量は１０００ｓｃｃｍとした。反応ガスとしては、２２４ｇ／ｃｍ³の濃度のオゾン（Ｏ₃）を使用し、各反応ガスは、空圧弁のｏｎ／ｏｆｆを調節して注入し、工程温度で成膜した。

【0102】

ＡＬＤサイクルは、前駆体パルス１０／１５秒後に、アルゴン１０秒パージした後、反応物パルス２／５／８／１０秒後に、アルゴン１０秒パージする順序を含んでいる。蒸着チャンバーの圧力は１～１．５ｔｏｒｒに調節し、蒸着温度は１５０～４５０℃に調節した。

【0103】

実施例１－１～実施例１－６の化合物を前駆体として使用して酸化ランタン及び酸化イットリウム薄膜が形成されることが確認できた。

【0104】

［製造例２］
本発明の実施例１－７～１－９により合成された新規の希土類前駆体を使用することを除いて、前記製造例１と同一の条件の下で基板上に酸化ランタン薄膜を蒸着した。

【0105】

実施例１－７～１－９の化合物を前駆体として使用して酸化ランタン及び酸化イットリウム薄膜を形成できることが確認できた。

【0106】

［製造例３］
本発明の実施例１－１～１－９により合成された新規の希土類前駆体を使用して、化学気相蒸着法で希土類元素を含む薄膜を製造した。前記実施例１－１～１－９により合成した前駆体が含まれている前駆体開始溶液（ｓｔａｒｔｉｎｇ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を準備した。

【0107】

この前駆体開始溶液を０．１ｃｃ／ｍｉｎの流速で９０～１５０℃の温度が維持される気化器に伝達した。このように気化された前駆体は、５０～３００ｓｃｃｍのヘリウムキャリアガスを使用して蒸着チャンバーに伝達した。反応ガスとしては、水素（Ｈ₂）及び酸素（Ｏ₂）を使用し、それぞれ０．５Ｌ／ｍｉｎ（０．５ｐｍ）ずつの流速で蒸着チャンバーに供給した。蒸着チャンバーの圧力は１～１５ｔｏｒｒに調節し、蒸着温度は１５０～４５０℃に調節した。このような条件で、略１５分間蒸着工程を行った。

【0108】

実施例１－１～実施例１－９の化合物を前駆体として使用して酸化ランタン及び酸化イットリウム薄膜を形成できることが確認できた。

【0109】

希土類含有前駆体及び１種以上の反応ガスは、反応チャンバーに同時に化学気相蒸着法、原子層蒸着法、または他の組み合わせで導入されてもよい。

【0110】

一つの例として、希土類含有前駆体は、単一のパルスで導入されてもよいし、２つの追加の金属供給源は、個別のパルスでともに導入されてもよい。また、反応チャンバーは希土類含有前駆体を導入する前に、すでに反応物種を含有してもよい。

【0111】

反応物ガスは、反応室から離れて位置するプラズマシステムを通過してラジカルに分解されてもよい。また、他の金属供給源がパルスによって導入されながら、希土類含有前駆体が連続的に反応室に導入されてもよい。

【0112】

例えば、原子層蒸着類型の工程で蒸気状の希土類含有前駆体が反応チャンバーに導入され、ここで適切な基板と接触した後、過量の希土類含有前駆体は反応器をパージすることにより、反応チャンバーから除去することができる。

【0113】

酸素供給源が反応チャンバーに導入され、ここで自己制限方式で吸収された希土類前駆体と反応する。過量の酸素供給源は、反応チャンバーをパージ及び／または脱気することにより、反応チャンバーから除去することができる。所望のフィルムが希土類酸化物フィルムである場合、前記工程は、所望のフィルム厚さを得るまで繰り返してもよい。

【0114】

前記の薄膜製造を通じて、新規の合成された実施例１－１～１－９の希土類前駆体が、既存の希土類前駆体の薄膜蒸着時の問題点を補完するだけでなく、ＣＶＤだけでなく、ＡＬＤにも適用可能な優れた揮発性、熱的安定性を有しており、反応ガスとの反応性も優れていることを確認した。

【0115】

また、前記新規の希土類前駆体を通じて均一な薄膜蒸着が可能であり、これによる優れた薄膜物性、厚さ及び段差被覆性を確保することができる。

【0116】

本発明の範囲は、前記詳細な説明よりは後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、並びにその均等概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれるものと解釈なければならない。

【図1】

【図2】

【図3】