特開 2022-82186 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022082186

(43)【公開日】2022-06-01

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20220525BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20220525BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 G

H05K3/46 Q

H01L21/92 602J

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2020193599

(22)【出願日】2020-11-20

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】特許業務法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐野 克幸

(72)【発明者】

【氏名】澤田 曜志

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC37

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE33

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF15

5E316FF24

5E316HH11

5E316JJ12

5E316JJ25

(57)【要約】

【課題】接続信頼性の高い導体パッドとバンプの接続構造を有する配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、導体パッド１２ｐと、導体パッド１２ｐ上に形成される絶縁層１１０と、導体パッド１２ｐ上に形成され、絶縁層１１０を貫通する貫通孔１１０ａ内に形成されるバンプ１４０と、を備えている。導体パッド１２ｐのバンプ１４０との接続面には凹部ＲＣが形成され、凹部ＲＣ内には隆起部ＵＰが設けられている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体パッドと、前記導体パッド上に形成される絶縁層と、前記導体パッド上に形成され、前記絶縁層を貫通する貫通孔内に形成されるバンプと、を備える配線基板であって、
前記導体パッドの前記バンプとの接続面には凹部が形成され、前記凹部内には隆起部が設けられている。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記凹部は、平面視において、前記貫通孔の前記導体パッド側の開口よりも広い領域に亘って形成されている。

【請求項3】

請求項１記載の配線基板であって、前記隆起部の頂部は、平面視において、前記貫通孔の前記導体パッド側の開口の内側の領域に形成されている。

【請求項4】

請求項１記載の配線基板であって、前記凹部内には、複数の隆起部が設けられている。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記隆起部の高さは、前記凹部の最深部の深さの０．１０倍以上、且つ、０．５０倍以下である。

【請求項6】

請求項５記載の配線基板であって、前記最深部の深さは、１μｍ以上、且つ、１０μｍ以下である。

【請求項7】

請求項１記載の配線基板であって、前記バンプの前記貫通孔内の部分の水平断面における外周上の最長の２点間の距離は、１０μｍ以上、且つ、３５μｍ以下である。

【請求項8】

請求項１記載の配線基板であって、前記バンプの、前記導体パッドに対して反対側の表面には、前記凹部及び前記隆起部に対応する形状の凹み及び隆起が形成されている。

【請求項9】

請求項１記載の配線基板であって、前記配線基板は電子部品を内蔵する部品内蔵配線基板であり、前記導体パッドは前記電子部品が有する接続用のパッドである。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はバンプを備える配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、表面に凹部を有する接続パッド上に形成されたバンプ電極を有する配線基板が開示されている。接続パッド上には、凹部の内面（底面）を接続面として金属層が形成され、金属層上にバンプ電極となるはんだバンプが形成されている。接続パッド表面の凹部の底面は、なだらかに湾曲する曲面を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１０３２９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の配線基板においては、接続パッドと金属層との接続面はなだらかな曲面であり、バンプ電極に加えられる外力等に起因して接続パッドと金属層との接続面に係る応力により、剥離などの不良が発生する虞があると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、導体パッドと、前記導体パッド上に形成される絶縁層と、前記導体パッド上に形成され、前記絶縁層を貫通する貫通孔内に形成されるバンプと、を備えている。前記導体パッドの前記バンプとの接続面には凹部が形成され、前記凹部内には隆起部が設けられている。

【0006】

本発明の実施形態によれば、接続面に係り得る応力に対して剥離などの不良の発生が抑制される、比較的強固な導体パッドとバンプとの接続構造を有する配線基板が提供され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１の配線基板の断面図の部分拡大図。

【図3】図２に示される配線基板の異なる例を示す断面図。

【図4】図２に示される配線基板のさらに異なる例を示す断面図。

【図5】本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。

【図6A】図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6B】図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す図。

【図6C】図１に示される配線基板の製造方法の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

次に、図面を参照しながら本発明の一実施形態である配線基板について説明する。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。

【0009】

図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１００の断面が部分的に示されている。配線基板１００は、交互に積層される絶縁層及び導体層で形成されており、図１にはその一部である絶縁層１１、１１０、及び、導体層１２、１２０が示されている。図示される配線基板１００の片方の面１００Ｆは、半導体素子などの外部の電子部品が搭載される部品搭載面として形成されている。

【0010】

配線基板１００の、部品搭載面１００Ｆと反対側の表面（図示せず）は、電子機器のマザーボードや、積層構造を有する半導体装置のパッケージ基板などとの接続に用いられる接続面として形成される。図１に示される、配線基板１００の部品搭載面１００Ｆは、配線基板１００を構成する絶縁層のうち最も外側の被覆絶縁層１１０、及び、配線基板１００を構成する導体層のうち最も外側の導体層１２０の表面から形成されている。

【0011】

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、配線基板１００を構成する各要素における、配線基板１００の部品搭載面１００Ｆに近い側を「上」、「上側」、「外側」、又は単に「外」とも称する。

【0012】

実施形態の配線基板は、１又は２層以上の絶縁層、及び、２層以上の導体層を有している。図１には、配線基板１００が有する複数の絶縁層のうち部品搭載面１００Ｆ側の４層（３層の絶縁層１１、及び、１層の絶縁層１１０）が図示され、配線基板１００が有する複数の導体層のうち４層の導体層（３層の導体層１２、及び、１層の導体層１２０）が図示されている。配線基板が有する絶縁層及び導体層の層数は特に限定されず、適宜増減され得る。配線基板がより多くの導体層を含むことにより、配線基板の平面サイズを大きくすることなく、より規模が大きく複雑な電気回路を配線基板内に形成することが可能である。

【0013】

導体層１２、１２０は任意の導体パターンを有している。導体層１２、１２０は、絶縁層１１、１１０に形成されているビア導体１３、１３０を介して絶縁層１１、１１０の反対側の導体層１２、１２０と電気的に接続される。図示される例では、各ビア導体１３、１３０は部品搭載面１００Ｆ側から反対側に向かって縮径するテーパー形状を有しているが、ビア導体１３、１３０の形状はこれに限定されない。部品搭載面１００Ｆに向かって縮径する形状であってもよく、また、絶縁層１１、１１０の厚さ方向において同径で導体層１２、１２０に対して略直交する円柱形状に形成されてもよい。なお、便宜上、「縮径」という文言が用いられているが、ビア導体１３、１３０の水平方向の断面形状は必ずしも円形に限定されない。「縮径」は、単に、ビア導体１３、１３０の水平断面における外周上の最長の２点間の距離が小さくなることを意味している。

【0014】

図示される３層の導体層１２のうち、最も部品搭載面１００Ｆに近い導体層１２は、導体パッド１２ｐを有している。部品搭載面１００Ｆを構成する導体層１２０は、接続パッド１２０ｐを有している。導体パッド１２ｐと接続パッド１２０ｐとは、絶縁層１１０を貫通している貫通孔１１０ａを充填するビア導体１３０によって接続される。

【0015】

接続パッド１２０ｐはビア導体１３０と一体的に形成され、ビア導体１３０と共にバンプ１４０を構成する。すなわち、接続パッド１２０ｐは、導体パッド１２ｐ上に形成されるバンプ１４０の、絶縁層１１０から上側に突出して配線基板１００の平面方向に拡がるランド部を構成している。バンプ１４０は、ランド部（接続パッド）１２０ｐを介して、半導体素子などの外部の電子部品（図示せず）が有する接続用のパッドに電気的に接続され得る。例えば、はんだ等の導電性の接続部材を介して電子部品等の接続用端子にバンプ１４０が接続され得る。

【0016】

導体パッド１２ｐの、導体パッド１２ｐとバンプ１４０との接続部分には、導体パッド１２ｐの厚さ方向に窪む、凹部ＲＣが形成されている。凹部ＲＣには、その底面の一部が部品搭載面１００Ｆに向かって隆起する隆起部ＵＰが形成されている。バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続部分がこのような形状を有することで、詳しくは後述するように、比較的強固なバンプ１４０（ビア導体１３０）と導体パッド１２ｐとの接続が実現され、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続の信頼性が向上され得る。

【0017】

配線基板１００を構成する絶縁層１１、１１０は、エポキシ樹脂等の任意の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド－トリアジン樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等も用いられ得る。絶縁層１１、１１０はシリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図示される例の配線基板１００においては、絶縁層１１、１１０は芯材を含んでいないが、必要に応じてガラス繊維やアラミド繊維などの芯材を含んでもよい。芯材を含むことで配線基板１００の強度が向上し得る。複数の樹脂絶縁層１１、１１０は、それぞれ異なる材料で構成されてもよく、全てが同じ材料で形成されてもよい。絶縁層１１０は、例えば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等を用いて形成されるソルダーレジスト層であり得る。

【0018】

配線基板１００を構成する導体層１２、１２０は、銅やニッケルなど、適切な導電性を有する任意の材料を用いて形成され得る。導体層１２、１２０は、例えば、金属膜（好ましくは無電解銅めっき膜）、もしくは電解めっき膜（好ましくは電解銅めっき膜）、又はこれらの組み合わせによって形成される。図示の例では、導体層１２、１２０は、金属膜層１２１及び電解めっき膜層１２２の２層構造で形成されている。しかし、配線基板１００を構成する各導体層１２、１２０の構成は、図１に例示される多層構造に限定されない。例えば、無電解めっき膜層、又は電解めっき膜層の単層の構造とされてもよい。また、導体層１２は、金属箔、無電解めっき膜層、及び電解めっき膜層の３層構造で構成されてもよい。

【0019】

ビア導体１３、１３０は、図１に示されるように、導体層１２、１２０を構成している金属膜層（無電解めっき膜層）１２１及び電解めっき膜層１２２と一体的に形成され得る。図示の例では、ビア導体１３、１３０は導通用孔（貫通孔）１１ａ、１１０ａ内を充填するいわゆるフィルドビアであり、導通用孔１１ａ、１１０ａ内の底面及び側面を被覆する金属膜層１２１と電解めっき膜層１２２とで構成されている。

【0020】

次いで、図２を参照して、導体パッド１２ｐとバンプ１４０との接続構造について、特に、導体パッド１２ｐに形成されている凹部ＲＣについて詳述する。図２は、図１において１点鎖線で囲まれる領域IIの拡大図である。導体パッド１２ｐの表面に形成されている凹部ＲＣは、導体パッド１２ｐの平面方向における領域ＲＡに亘って形成されている。領域ＲＡは、平面視において、絶縁層１１０に形成される貫通孔１１０ａの導体パッド１２ｐ側における周縁１１０ｏが画定する領域よりも広い領域を有している。なお、平面視とは、配線基板１００を、その厚さ方向に沿った視線で見ることを意味している。

【0021】

凹部ＲＣの内面は、部品搭載面１００Ｆに向けて隆起する隆起部ＵＰを有している。ここで隆起部ＵＰとは、凹部ＲＣの内面において、周囲よりも部品搭載面１００Ｆに近い頂部ＰＫを有し、周囲から頂部ＰＫに向かって傾斜する部分を含む領域ＵＡに亘って形成されている部分である。隆起部ＵＰの頂部ＰＫは、凹部ＲＣ内面の最深部（絶縁層１１に最も近い部分）に対して高さｐｖを有している。なお、図示される例では、凹部ＲＣは頂部ＰＫの一方側と他方側において等しい深さｒｖを有しているが、凹部ＲＣの形状はこれに限定されず、頂部ＰＫの一方側と他方側において異なる深さを有し得る。すなわち、隆起部ＵＰは頂部に対して非対称な形状をも有し得る。

【0022】

バンプ１４０を構成する金属膜層１２１が凹部ＲＣの内面を被覆し、電解めっき膜層１２２が凹部ＲＣ内を充填している。バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続部において、このような隆起部ＵＰを有する凹部ＲＣが形成されていることで、比較的強固なバンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続構造が提供され得る。

【0023】

配線基板１００では、導体パッド１２ｐに隆起部ＵＰを有する凹部ＲＣが形成されていない場合と比較すると、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続面積が広く確保され得る。従って、導体パッド１２ｐとバンプ１４０との接続部に係り得る応力に対して強固な接続構造が確保され得る。特に、導体パッド１２ｐとバンプ１４０との界面に係り得る、配線基板１００の平面方向のせん断応力に対して比較的強固な接続構造が得られる。導体パッド１２ｐとバンプ１４０との間での剥離などの不良の発生が抑制され得る。

【0024】

また、隆起部ＵＰとバンプ１４０との間でのアンカー効果により、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの機械的結合強度が向上し得る。バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続構造が、例えば、バンプ１４０上部への電子部品の載置などの際にバンプ１４０に係り得る外力に対して高い剛性を有し得る。バンプ１４０の導体パッド１２ｐからの脱離などの不良が効果的に抑制され得る。

【0025】

バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続構造を、不特定の方向からのバンプ１４０に対する外力に対して強固なものとする観点から、隆起部ＵＰの頂部ＰＫは、平面視において、貫通孔１１０ａの導体パッド１２ｐ側の開口の内側の領域（周縁１１０ｏで画定される領域）内に形成されていることが好ましい。

【0026】

同様の観点から、隆起部ＵＰの頂部ＰＫの高さｐｖは、凹部ＲＣの最深部の深さｒｖに対して、０．１０倍以上の高さを有していることが好ましい。しかしながら、隆起部ＵＰの頂部ＰＫの高さｐｖが過度に大きい場合には、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続面に係る応力が頂部ＰＫ付近に集中し、応力分散の観点から好ましくない場合がある。従って、隆起部ＵＰの頂部ＰＫの高さｐｖは、凹部ＲＣの最深部の深さｒｖに対して、０．５０倍以下の高さであることが好ましい。

【0027】

凹部ＲＣは、導体パッド１２ｐの厚さ、ビア導体１３０の平面方向における寸法等に従って、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続構造を効果的に強固にし得る深さに形成され得る。図示される例の配線基板１００においては、導体パッド１２ｐの厚さは１２μｍ程度とされ、凹部ＲＣの最も深い部分の深さｒｖは、１μｍ以上、且つ、１０μｍ以下とされている。そして、バンプ１４０を構成するビア導体１３０の水平方向の断面における外周上の最長の２点間の距離は、１０μｍ以上、且つ、３５μｍ以下、とされている。

【0028】

バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続部における接続面積を拡大させる観点、及び、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続部のアンカー効果による機械的結合強度を向上させる観点から、隆起部ＵＰは、凹部ＲＣ内に複数形成され得る。図３には、導体パッド１２ｐの凹部ＲＣ内に、２つの隆起部ＵＰが形成される例が示されている。凹部ＲＣ内に複数の隆起部ＵＰが形成される場合には、接続面内で応力を均等に分散させる観点から、複数の頂部ＰＫは凹部ＲＣが形成される領域ＲＡ内において局所的に偏在することなく、比較的均等に分布していることが好ましい。

【0029】

導体パッド１２ｐ上に接続されているバンプ１４０の露出面（接続パッド１２０ｐの上面）には、図４に示されるように、凹部ＲＣに対応する形状の凹み、及び、隆起部ＵＰに対応する形状の隆起が形成されてよい。バンプ１４０に接続され得る、例えば、はんだ等の接続部材との接続面積が拡大し、機械的結合強度も向上し得る。従って、バンプ１４０の上側の面における、接続部材との剥離などの不良の発生が抑制され得る。配線基板１００と外部の電子部品等との接続信頼性が向上し得る。

【0030】

なお、本実施形態の配線基板は、電子部品を内蔵する部品内蔵配線基板であり得る。そして、表面に凹部を有する導体パッドは、部品内蔵配線基板が有する電子部品の電極パッドであり得る。図５には、電子部品ＥＣを内蔵する部品内蔵配線基板１００ｅにおいて、電子部品ＥＣの電極パッドｅｐがバンプ１４０と接続される例が示されている。電極パッドｅｐのバンプ１４０が接続される面には、隆起部ＵＰを有する凹部ＲＣが形成されている。

【0031】

図示される例の部品内蔵配線基板１００ｅでは、キャビティＣＶの部品実装用パッドＰＴで構成される底面に、接着剤ＡＤを介して電子部品ＥＣが搭載されている。電子部品ＥＣは、例えば、半導体装置などの能動部品や、抵抗体のような受動部品である。接着剤ＡＤとしては、例えば、はんだ、金、もしくは銅などの金属、銀などの任意の導電性粒子を含む導電性接着剤、並びに、単にエポキシ樹脂などで構成される絶縁性接着剤などが例示される。

【0032】

電子部品ＥＣは、電子部品ＥＣを被覆する樹脂絶縁層１１１によってキャビティＣＶ内に封止されている。電子部品ＥＣが有する、電子部品ＥＣと外部の回路との接続に用いられる電極パッドｅｐ上には、樹脂絶縁層１１１を貫通するビア導体１３０及び接続パッド１２０ｐで構成されるバンプ１４０が接続されている。電極パッドｅｐに隆起部ＵＰを有する凹部ＲＣが形成されていることにより、比較的強固な電極パッドｅｐとバンプ１４０との接続構造が実現される。外部の回路と電子部品ＥＣとの接続信頼性が高い部品内蔵配線基板１００ｅが提供され得る。

【0033】

なお、上述した、隆起部ＵＰを有する凹部ＲＣが形成される部分は、配線基板１００、１００ｅにおける、バンプ１４０と導体パッド１２ｐ（電極パッドｅｐ）との接続部に限定されない。配線基板１００、１００ｅを構成する、任意のビア導体１３と導体層１２との接続部において、導体層１２に、導体パッド１２ｐが有する凹部ＲＣと同様の凹部が形成されてよい。

【0034】

以下に、図１に示される配線基板１００を製造する方法が、図６Ａ～図６Ｃを参照しながら説明される。図６Ａ～図６Ｃにおいては、図１と同様に、配線基板１００の全体は図示されず、バンプ１４０と導体パッド１２ｐとの接続部を含む、部品搭載面１００Ｆとなる側の部分的な断面のみが図示される。

【0035】

先ず、図６Ａに示されるように、例えば、ビルドアップ方式による一般的な配線基板の製造方法により、絶縁層１１の積層までが完了した配線基板１００ｐが準備される。

【0036】

次いで、図６Ｂに示されるように、導体パッド１２ｐを含む導体層１２が、最外の絶縁層１１上に形成され、同時に、絶縁層１１を貫通するビア導体１３が形成される。配線基板１００ｐの最外層の絶縁層１１における、ビア導体１３の形成箇所に対応する位置に、例えば炭酸ガスレーザー、又はＹＡＧレーザーなどのレーザー光の照射によって、絶縁層１１を貫通する導通用孔１１ａが形成される。導通用孔１１ａの内側及び絶縁層１１の表面の全体に亘って、無電解めっきによって、例えば無電解銅めっき膜層である金属膜層１２１が形成される。

【0037】

金属膜層１２１上には、電解めっき用のめっきレジスト（図示せず）が、例えば、感光性のポリヒドロキシエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。めっきレジストは、導体パッド１２ｐを含む所定の導体パターンに応じた開口を有するように形成され、金属膜層１２１をシード層として用いた電解めっきにより、絶縁層１１の導通用孔１１ａの内部、及び、めっきレジストの開口の内部が充填される。次いで、めっきレジストが除去されることで露出する金属膜層１２１がエッチングにより除去され、樹脂絶縁層１１が露出する。ビア導体１３、及び、導体パッド１２ｐを含む導体層１２の形成が完了する。

【0038】

次いで、図６Ｃに示されるように、導体パッド１２ｐを含む導体層１２上、及び、露出する絶縁層１１上に絶縁層１１０が積層される。絶縁層１１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む絶縁性の樹脂で形成され得る。続いて、絶縁層１１０のビア導体１３０が形成される位置に対応する開口（貫通孔）１１０ａが形成される。貫通孔１１０ａは、絶縁層１１０を貫通して導体パッド１２ｐの表面を露出させる。貫通孔１１０ａの形成にはフォトリソグラフィが用いられ得る。貫通孔１１０ａは、例えば、ＵＶレーザー光等のレーザー光を照射することにより形成されてもよい。

【0039】

続いて、貫通孔１１０ａの底面に露出する導体パッド１２ｐがエッチングされ、凹部ＲＣが形成される。例えば、アルカリ性過マンガン酸水溶液などの酸化剤を含む薬液を使用する等方性のウェットエッチングにより、導体パッド１２ｐに凹部ＲＣが形成される。エッチングにおける処理条件（薬液濃度、及び、処理時間など）により、任意の形状及び寸法を有する凹部ＲＣが形成され得る。具体的には、凹部ＲＣの深さ、隆起部ＵＰの数、隆起部ＵＰの頂部ＰＫの高さ等がエッチングの処理条件により任意に調整され得る。

【0040】

次いで、貫通孔１１０ａ内、及び、絶縁層１１０上にバンプ１４０が形成され、配線基板１００の形成が完了する（図１）。バンプ１４０は、前述したビア導体１３及び導体層１２の形成方法と同様の方法及び同様の材料を用いて形成され得る。貫通孔１００ａ内、及び、絶縁層１１０上に金属膜層１２１を形成し、金属膜層１２１をシード層とする電解めっきによって、金属膜層１２１と電解めっき膜層１２２によって構成される導体層１２０及びビア導体１３０が形成される。導体層１２０が有する接続パッド１２０ｐ及びビア導体１３０によって構成されるバンプ１４０の形成が完了する。

【0041】

バンプ１４０を構成する接続パッド１２０ｐ上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経る事によって図１に示される配線基板１００が完成する。

【0042】

なお、バンプ１４０の形成が凹部ＲＣを有する導体パッド１２ｐ上への無電解めっきのみによって実現され、主に無電解めっき膜１２１で構成されるバンプ１４０とされてもよい。この場合、凹部ＲＣの内面にめっき析出用の触媒が付与され、無電解めっき膜は凹部ＲＣの内面から上方に向かって、所謂ボトムアップで成長する。従って、図４に例示されるような、導体パッド１２ｐの凹部ＲＣの形状を反映した表面形状を有するバンプ１４０が形成されやすい場合がある。

【0043】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造や、本明細書において例示された構造や材料を備えるものに限定されない。例えば、部品搭載面１００Ｆには、接続用パッド１２０ｐの他にも異なる導体パターンが含まれ得る。バンプ１４０は平面状に拡がる接続パッド１２０ｐを有さずともよく、ビア導体１３０のみで構成されてもよい。凹部ＲＣ内に形成され得る複数の隆起部ＵＰの頂部ＰＫはそれぞれ凹部ＲＣの最深部に対する高さが異なってよい。また、配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序などは適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

【符号の説明】

【0044】

１００ 配線基板
１００ｅ 部品内蔵配線基板
１１、１１０ 絶縁層
１２、１２０ 導体層
１２１ 金属膜層
１２２ 電解めっき膜層
１２ｐ 導体パッド
１２０ｐ 接続パッド
１３、１３０ ビア導体
１４０ バンプ
１１０ａ 貫通孔
１１０ｏ 周縁部
１００Ｆ 部品搭載面
ＲＣ 凹部
ＰＫ 頂部
ＵＰ 隆起部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】