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▶ セメス カンパニー,リミテッドの特許一覧

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2022082529
(43)【公開日】2022-06-02
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
   H01L 21/027 20060101AFI20220526BHJP
   B05C 11/08 20060101ALI20220526BHJP
   B05C 15/00 20060101ALI20220526BHJP
   H01L 21/304 20060101ALI20220526BHJP
【FI】
H01L21/30 564C
B05C11/08
B05C15/00
H01L21/304 643A
H01L21/304 648L
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2021189634
(22)【出願日】2021-11-22
(31)【優先権主張番号】10-2020-0157857
(32)【優先日】2020-11-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】518162784
【氏名又は名称】セメス カンパニー,リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100114775
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 亮一
(74)【代理人】
【識別番号】100121511
【弁理士】
【氏名又は名称】小田 直
(74)【代理人】
【識別番号】100202751
【弁理士】
【氏名又は名称】岩堀 明代
(74)【代理人】
【識別番号】100208580
【弁理士】
【氏名又は名称】三好 玲奈
(74)【代理人】
【識別番号】100191086
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 香元
(72)【発明者】
【氏名】ウム,キ サン
(72)【発明者】
【氏名】チェ,ジン ホ
(72)【発明者】
【氏名】ジョン,サン ウク
(72)【発明者】
【氏名】チェ,ビョン ドゥ
(72)【発明者】
【氏名】アン,ヒ マン
(72)【発明者】
【氏名】キム,シ ウン
【テーマコード(参考)】
4F042
5F146
5F157
【Fターム(参考)】
4F042AA02
4F042AA07
4F042BA05
4F042BA06
4F042BA08
4F042BA13
4F042BA27
4F042DD41
4F042DE01
4F042DE09
4F042DF09
4F042DF32
4F042EB07
4F042EB09
4F042EB18
4F042EB24
4F042EB29
5F146JA02
5F146JA05
5F146JA06
5F146JA07
5F146JA08
5F157AB02
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB47
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157BB22
5F157BB45
5F157CE07
5F157CE76
5F157CE77
5F157CF20
5F157CF66
5F157DB02
5F157DB37
5F157DC90
(57)【要約】
【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は内部空間を有する処理容器、前記内部空間内で基板を支持及び回転させる支持ユニット、そして前記内部空間内の気流を排気する排気ユニットを含み、前記排気ユニットは前記支持ユニットに支持される基板の回転方向に対して接線方向に気流を流入するように提供される気流案内ダクトを含む基板処理装置に係る。
【選択図】図10
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する装置において、
内部空間を有する処理容器と、
前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記内部空間内の気流を排気する排気ユニットと、を含み、
前記排気ユニットは、
前記支持ユニットに支持される基板の回転方向に対して接線方向に気流を流入するように提供される気流案内ダクトを含む基板処理装置。
【請求項2】
前記気流案内ダクトは、螺旋形状に提供される請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記気流案内ダクトは、その長さ方向が基板の回転軸から同一距離を維持しながら、その入口からその出口に向かって漸進的に高さが低くなるように提供される請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記支持ユニットは、
基板を支持する支持板と、
前記支持板を回転させる回転軸と、
前記回転軸に結合されて前記回転軸を回転力を提供する駆動器と、を含み、
前記処理容器は、
前記内部空間を提供する外側カップと、
前記外側カップと離隔されるように前記内部空間に配置される、そして前記回転軸又は前記駆動器を囲む内側カップと、を含み、
前記気流案内ダクトは、前記外側カップと前記内側カップとの間に提供される請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記外側カップと前記内側カップとの間には螺旋形状に提供されるガイド板が提供され、
前記気流案内ダクトは、前記外側カップ、前記内側カップ、そして前記ガイド板によって規定される請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記ガイド板は、前記回転軸で遠くなる方向に下方傾くように提供され、
前記ガイド板で前記外側カップと隣接する領域には排液ホールが形成される請求項5に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記内側カップは、前記内部空間内で排気管が結合された排気空間を規定し、
前記気流案内ダクトから流出した気流は、前記排気空間に流入された後、前記処理容器から排気されるように提供される請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記外側カップと前記内側カップとの間には前記外側カップの床壁から上部に延長される気液分離板が提供され、
前記気流案内ダクトは、前記外側カップと前記気液分離板との間の空間に気流を流出するように提供される請求項7に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記気流案内ダクトは、入口を有する流入部を具備し、
前記気流案内ダクトで前記入口を有する流入部は、前記処理容器の外側壁を通じて前記処理容器の外部に延長されるように配置される請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記流入部は、その長さ方向が前記支持ユニットに支持される基板の接線方向と平行である方向に提供される請求項9に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記支持ユニットは、
基板が置かれる回転可能な支持板を有し、
前記内部空間で前記支持板より下領域に排気空間が規定され、
前記排気ユニットは、前記排気空間に流入された気流を前記内部空間の外部に排気する個別排気管をさらに含み、
前記個別排気管と前記気流案内ダクトは、圧力調節部材が設置された統合排気管に連結される請求項9に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記気流案内ダクトは、前記処理容器の内部空間内に位置される請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記気流案内ダクトは、前記処理容器の内側壁に装着される請求項12に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記気流案内ダクトは、その長さ方向が上下方向に提供され、
前記気流案内ダクトは、上壁及び側壁を含み、
前記上壁は、ブロッキング面に提供され、
前記側壁の中で前記支持ユニットに支持された基板の接線と平行である方向を対向する面には気流を流入する入口が形成され、残りの面は、ブロッキング面に提供される請求項13に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記内部空間に下降気流を供給するファンユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給するノズルと、をさらに含む請求項1乃至請求項14の中でいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記気流案内ダクトは、複数が前記支持ユニットに支持された基板の円周方向に沿って互いに離隔されるように提供される請求項9乃至請求項14の中でいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項17】
基板を処理する装置において、
内部空間を有する処理容器と、
前記内部空間内で基板を支持及び回転させる支持板を有する支持ユニットと、
前記内部空間内雰囲気を排気する排気ユニットと、を具備し、
前記排気ユニットは、
前記処理容器の内側壁と前記支持板に支持された基板との間の空間を通じて前記内部空間の中で前記支持板より下に位置した排気空間に流入される経路である第1経路の気流を前記処理容器の外部に排気する排気管と、
前記第1経路とは異なる第2経路に前記気流を案内する気流案内ダクトと、を含む基板処理装置。
【請求項18】
前記第2経路は、前記支持ユニットに支持される基板の回転方向に対して接線方向の経路である請求項17に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記支持ユニットは、
前記支持板を回転させる回転軸と、
前記回転軸に結合されて前記回転軸を回転力を提供する駆動器と、を含み、
前記処理容器は、
前記内部空間を提供する外側カップと、
前記外側カップと離隔されるように前記内部空間に配置される、そして前記回転軸又は前記駆動器を囲む内側カップと、を含み、
前記気流案内ダクトは、前記外側カップと前記内側カップとの間に提供される請求項18に記載の基板処理装置。
【請求項20】
基板を処理する装置において、
内部空間を有する処理容器と、
前記内部空間内で基板を支持及び回転させる支持板を有する支持ユニットと、
前記支持板に支持された基板の回転によって前記基板上で前記基板の外側に流れる気流の流れ方向を案内する気流案内ダクトと、を有し、
前記気流案内ダクトで前記気流を流入する入口は、前記支持板に支持された基板と同一又は隣接する高さに提供される基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は基板を処理する装置に関り、さらに詳細には回転する基板に液を供給して基板を処理する装置に係る。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そしてイオン注入等のような多様な工程が遂行される。このような工程の中で写真工程は基板の表面にはフォトレジストのような感光液を塗布して膜を形成する塗布工程、基板に形成された膜に回路パターンを転写する露光工程、露光処理された領域又はその反対領域で選択的に基板上に形成された膜を除去する現像工程を含む。
【0003】
図1は基板にフォトレジストを塗布する基板処理装置1を概略的に示す図面である。図1を参照すれば、基板処理装置1は内部空間を有する処理容器10、内部空間で基板Wを支持する支持ユニット20、そして支持ユニット20に置かれる基板W上に処理液82を供給するノズル30を有する。処理容器10は外側カップ12と内側カップ14を有する。また、処理容器10の上部には内部空間に下降気流を供給するファンフィルターユニット(図示せず)が配置し、内部空間の中で下部領域には処理液を排出する排出管60及び処理空間内の雰囲気を排気する排気管70が連結される。
【0004】
図1のような構造の基板処理装置1で回転する基板Wに処理液82を供給しながら、基板Wを処理する時、遠心力によって基板Wの表面で気流84は図2のように基板Wの中心から縁に向かって基板Wの回転方向に沿って流れる。その後、上の気流84は図3のように外側カップ12に衝突した後、下方向に流れて排気管70を通じて内部空間から外部に排出される。この時、気流84が水平方向から垂直方向に変更されることによって、気流84が外側カップ12と衝突し、その地点で渦流が発生される。渦流が発生される地点で気流84が停滞され、したがって内部空間の内部の排気が円滑に行われない。このような問題点は基板Wの回転速度が増加することによってさらに大きくなる。
【0005】
上述した上の衝突地点で渦流の発生及び気流の停滞は基板W上に処理液82の膜を形成する時、基板Wの縁領域で気流の流れを妨害し、これによって基板Wの縁領域で薄膜の厚さが中央領域で薄膜の厚さより厚く形成される原因になる。また、上の衝突地点で渦流によってヒューム等の汚染物質が基板Wの上に逆流して基板Wに汚染させる原因になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】国際特許公開第WO2012/047034A1号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の一目的は基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
【0008】
また、本発明の一目的は処理空間で回転する基板に処理液を供給して基板を処理する時、処理空間内で気流を円滑に排気することができる基板処理装置を提供することにある。
【0009】
また、本発明の一目的は回転する基板に処理液を供給して基板に液膜を形成する時、基板の全体領域で液膜の厚さを均一に提供することができる基板処理装置を提供することにある。
【0010】
また、本発明の一目的は回転する基板に処理液を供給して基板を処理する時、汚染物質が基板に再吸着されることを防止することができる基板処理装置を提供することにある。
【0011】
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明を基板を処理する装置を開示する。
【0013】
基板処理装置は内部空間を有する処理容器、前記内部空間内で基板を支持及び回転させる支持ユニット、そして前記内部空間内の気流を排気する排気ユニットを含み、前記排気ユニットは前記支持ユニットに支持される基板の回転方向に対して接線方向に気流を流入するように提供される気流案内ダクトを含む。
【0014】
一実施形態によれば、前記気流案内ダクトは螺旋形状に提供される。前記気流案内ダクトはその長さ方向が基板の回転軸から同一距離を維持しながら、その入口からその出口に向かって漸進的に高さが低くなるように提供されることができる。
【0015】
一例によれば、前記支持ユニットは基板を支持する支持板、前記支持板を回転させる回転軸、前記回転軸に結合されて前記回転軸を回転力を提供する駆動器を含み、前記処理容器は前記内部空間を提供する外側カップ、前記外側カップと離隔されるように前記内部空間に配置される、そして前記回転軸又は前記駆動器を囲む内側カップを含み、前記気流案内ダクトは前記外側カップと前記内側カップとの間に提供される。
【0016】
前記外側カップと前記内側カップとの間には螺旋形状に提供されるガイド板が提供され、前記気流案内ダクトは前記外側カップ、前記内側カップ、そして前記ガイド板によって規定されることができる。
【0017】
前記ガイド板は前記回転軸で遠くなる方向に下方傾くように提供され、前記ガイド板で前記外側カップと隣接する領域には排液ホールが形成されることができる。
【0018】
前記内側カップは前記内部空間内で排気管が結合された排気空間を規定し、前記気流案内ダクトから流出した気流は前記排気空間に流入した後、前記排気管を通じて前記処理容器から排気されるように提供されることができる。
【0019】
前記外側カップと前記内側カップとの間には前記外側カップの床壁から上部に延長される気液分離板が提供され、前記気流案内ダクトは前記外側カップと前記気液分離板との間の空間に気流を流出するように提供されることができる。
【0020】
他の実施形態によれば、前記気流案内ダクトは入口を有する流入部を具備し、前記気流案内ダクトで前記入口を有する流入部は前記処理容器の外側壁を通じて前記処理容器の外部に延長されるように配置されることができる。
【0021】
前記流入部はその長さ方向が前記支持ユニットに支持される基板の接線方向と平行である方向に提供されることができる。
【0022】
前記支持ユニットは基板が置かれる回転可能な支持板を有し、前記内部空間で前記支持板より下領域に排気空間が規定され、前記排気ユニットは前記排気空間に流入された気流を前記内部空間の外部に排気する個別排気管をさらに含み、前記個別排気管と前記気流案内ダクトは圧力調節部材が設置された統合排気管に連結されることができる。
【0023】
その他の実施形態によれば、前記気流案内ダクトは前記処理容器の内部空間内に位置されることができる。前記気流案内ダクトは前記処理容器の内側壁に裝着されることができる。
【0024】
前記気流案内ダクトはその長さ方向が上下方向に提供され、前記気流案内ダクトは上壁及び側壁を含み、前記上壁はブロッキング面に提供され、前記側壁の中で前記支持ユニットに支持された基板の接線と平行である方向を対向する面には気流を流入する入口が形成され、残りの面はブロッキング面に提供されることができる。
【0025】
前記装置は前記内部空間に下降気流を供給するファンユニットと前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する処理液ノズルをさらに含むことができる。
【0026】
前記気流案内ダクトは複数が前記基板の円周方向に沿って互いに離隔されるように提供されることができる。
【0027】
また、基板処理装置は内部空間を有する処理容器、前記内部空間内で基板を支持及び回転させる支持板を有する支持ユニット、前記内部空間内雰囲気を排気する排気ユニットを具備し、前記排気ユニットは前記処理容器の内側壁と前記支持板に支持された基板との間の間隙を通じて前記内部空間の中で前記支持板より下に位置した排気空間に流入される経路である第1経路の気流を前記処理容器外部に排気する排気管、前記第1経路とは異なる第2経路に前記気流を案内する気流案内ダクトを含む。
【0028】
前記第2経路は前記支持ユニットに支持される基板の回転方向に対して接線方向の経路であり得る。
【0029】
前記支持ユニットは基板を支持する支持板、前記支持板を回転させる回転軸、前記回転軸に結合されて前記回転軸を回転力を提供する駆動器を含み、前記処理容器は前記内部空間を提供する外側カップ、前記外側カップと離隔されるように前記内部空間に配置される、そして前記回転軸又は前記駆動器を囲む内側カップを含み、前記気流案内ダクトは前記外側カップと前記内側カップとの間に提供されることができる。
【0030】
また、基板処理装置は内部空間を有する処理容器、前記内部空間内で基板を支持及び回転させる支持板を有する支持ユニット、前記支持板に支持された基板の回転によって前記基板上で前記基板の外側に流れる気流の流れ方向を案内する気流案内ダクトを有し、前記気流案内ダクトで前記気流を流入する入口は前記支持板に支持された基板と同一又は隣接する高さに提供される。
【発明の効果】
【0031】
本発明によれば、処理容器の内部空間内で回転する基板に処理液を供給して基板を処理する時、内部空間内の気流を円滑に排気することができる。
【0032】
また、本発明の一実施形態によれば、回転する基板に処理液を供給して基板に液膜を形成する時、基板の全体領域で液膜の厚さを均一に形成することができる。
【0033】
また、本発明の一実施形態によれば、回転する基板に処理液を供給して基板を処理する時、汚染物質が基板に再付着されることを防止することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【0034】
図1】基板を回転させながら、液処理する一般的な構造の基板処理装置を示す断面図である。
図2図1の基板処理装置で基板表面上で気流の方向を示す平面図である。
図3図1の基板処理装置で気流の流れを示す断面図である。
図4】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す斜視図である。
図5図4の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図である。
図6図1の基板処理装置の平面図である。
図7図6の搬送ロボットを概略的に示す平面図である。
図8図6の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平断面図である。
図9図6の熱処理チャンバーの正面図である。
図10】本発明の第1実施形態に係る回転される基板に液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造を概略的に示す断面図である。
図11図10の基板処理装置の斜視図である。
図12図10の装置を利用して基板を液処理する時、処理容器の内部空間内で気流及び処理液の流れ経路を示す断面図である。
図13図10の部分的に切断された斜視図である。
図14】本発明の第2実施形態に係る回転される基板に液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造を概略的に示す断面図である。
図15図14の装置を部分的に切断した斜視図である。
図16図14の装置で排気ユニットの構造を概略的に示す斜視図である。
図17図14の装置を利用して基板を液処理する時、気流及び処理液の流れ経路を示す断面図である。
図18図14の部分的に切断された斜視図である。
図19】本発明の第3実施形態に係る回転される基板に液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造を概略的に示す断面図である。
図20図19の基板処理装置の外部を示す斜視図である。
図21図19の基板処理装置を部分的に切断した斜視図である。
図22図19の装置を利用して基板を液処理する時、気流及び処理液の流れ経路を示す断面図である。
図23図19の部分的に切断された斜視図である。
図24図1のような従来構造の基板処理装置と本発明の実施形態のように気流案内ダクトが提供された基板処理装置で排気流量を比較して示すグラフである。
図25】本発明のその他の実施形態を示す基板処理装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0035】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張及び縮小されたことである。
【0036】
本実施形態の装置は円形基板に対して写真工程を遂行するのに使用されることができる。特に、本実施形態の装置は露光装置に連結されて基板に対して塗布工程及び現像工程を遂行するのに使用されることができる。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されななく、基板を回転させながら、基板に処理液を供給する多様な種類の工程に使用されることができる。以下では基板にウエハが使用された場合を例として説明する。
【0037】
以下では、図4乃至図18を参照して本発明の実施形態に対して説明する。
【0038】
図4は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図5図4の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図であり、図6図4の基板処理装置の平面図である。
【0039】
図4乃至図6を参照すれば、本発明の一実施形態による基板処理装置10はインデックスモジュール(100、index module)、処理モジュール(300、treating module)、そしてインターフェイスモジュール(500、interface module)を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール100、処理モジュール300、そしてインターフェイスモジュール500は順次的に一列に配置される。以下で、インデックスモジュール100、処理モジュール300、そしてインターフェイスモジュール500が配列された方向を第1方向12とし、上部から見る時、第1方向12と垂直になる方向を第2方向14とし、第1方向12及び第2方向14と全て垂直になる方向を第3方向16と定義する。
【0040】
インデックスモジュール100は基板Wが収納された容器Fから基板Wを処理モジュール300に搬送し、処理が完了された基板Wを容器Fに収納する。インデックスモジュール100の長さ方向は第2方向14に提供される。インデックスモジュール100はロードポート110とインデックスフレーム130を有する。インデックスフレーム130を基準にロードポート110は処理モジュール300の反対側に位置される。基板Wが収納された容器Fはロードポート110に置かれる。ロードポート110は複数に提供されることができ、複数のロードポート110は第2方向14に沿って配置されることができる。
【0041】
容器Fとしては前面開放一体型ポッド(Front Open Unified Pod:FOUP)のような密閉用容器Fが使用されることができる。容器Fはオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベア(Overhead Conveyor)、又は自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート110に置かれることができる。
【0042】
インデックスフレーム130の内部にはインデックスロボット132が提供される。インデックスフレーム130内には長さ方向が第2方向14に提供されたガイドレール136が提供され、インデックスロボット132はガイドレール136上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット132は基板Wが置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、第3方向16を軸とする回転、そして第3方向16に沿って移動可能に提供されることができる。
【0043】
処理モジュール300は基板Wに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール300は容器Fに収納された基板Wが伝達されて基板処理工程を遂行することができる。処理モジュール300は塗布ブロック300a及び現像ブロック300bを有する。塗布ブロック300aは基板Wに対して塗布工程を遂行し、現像ブロック300bは基板Wに対して現像工程を遂行する。塗布ブロック300aは複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供される。現像ブロック300bは複数が提供され、現像ブロック300bは互いに積層されるように提供される。図4の実施形態によれば、塗布ブロック300aは2つが提供され、現像ブロック300bは2つが提供される。塗布ブロック300aは現像ブロック300bの下に配置されることができる。一例によれば、2つの塗布ブロック300aは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。また、2つの現像ブロック300bは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。
【0044】
図6を参照すれば、塗布ブロック300aは熱処理チャンバー320、搬送チャンバー350、液処理チャンバー360、そしてバッファチャンバー312、316を有する。熱処理チャンバー320は基板Wに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバー360は基板W上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜又は反射防止膜であり得る。搬送チャンバー350は塗布ブロック300a内で熱処理チャンバー320と液処理チャンバー360との間に基板Wを搬送する。
【0045】
搬送チャンバー350はその長さ方向が第1方向12と平行に提供される。搬送チャンバー350には搬送ロボット352が提供される。搬送ロボットは352は熱処理チャンバー320、液処理チャンバー360、そしてバッファチャンバー312、316の間に基板を搬送する。一例によれば、搬送ロボット352は基板Wが置かれるハンドを有し、ハンドは前進及び後進移動、第3方向16を軸とする回転、そして第3方向16に沿って移動可能に提供されることができる。搬送チャンバー350内にはその長さ方向が第1方向12と平行に提供されるガイドレール356が提供され、搬送ロボット352はガイドレール356上で移動可能に提供されることができる。
【0046】
図7は搬送ロボットのハンドの一例を示す図面である。図7を参照すれば、ハンド352はベース352a及び支持突起352bを有する。ベース352aは円周の一部が切断された環状のリング形状を有することができる。ベース352aは基板Wの直径より大きい内径を有する。支持突起352bはベース352aからその内側に延長される。支持突起352bは複数が提供され、基板Wの縁領域を支持する。一実施形態によれば、支持突起352bは等間隔に4つが提供されることができる。
【0047】
熱処理チャンバー320は複数に提供される。熱処理チャンバー320は第1の方向12に沿って平行に配置される。熱処理チャンバー320は搬送チャンバー350の一側に位置される。
【0048】
図8図6の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平断面図であり、図9図8の熱処理チャンバーの正断面図である。
【0049】
図8及び図9を参照すれば、熱処理チャンバー320はハウジング321、冷却ユニット322、加熱ユニット323、そして搬送プレート324を有する。
【0050】
ハウジング321は大体に直方体の形状に提供される。処理容器321の側壁には、基板Wが出入される搬入口(図示せず)が形成される。搬入口は開放された状態に維持されることができる。選択的に搬入口を開閉するようにドア(図示せず)が提供されることができる。冷却ユニット322、加熱ユニット323、そして搬送プレート324はハウジング321内に提供される。冷却ユニット322及び加熱ユニット323は第2方向14に沿って並んで提供される。一例によれば、冷却ユニット322は加熱ユニット323に比べて搬送チャンバー350にさらに近く位置されることができる。
【0051】
冷却ユニット322は冷却板322aを有する。冷却板322aは上部から見る時、大体に円形の形状を有することができる。冷却板322aには冷却部材322bが提供される。一実施形態によれば、冷却部材322bは冷却板322aの内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
【0052】
加熱ユニット323は加熱板323a、カバー323c、そしてヒーター323bを有する。加熱板323aは上部から見る時、大体に円形の形状を有する。加熱板323aは基板Wより大きい直径を有する。加熱板323aにはヒーター323bが設置される。ヒーター323bは電流が印加される発熱抵抗体で提供されることができる。加熱板323aには第3方向16に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン323eが提供される。リフトピン323eは加熱ユニット323外部の搬送手段から基板Wを引き受けて加熱板323a上に置くか、或いは加熱板323aから基板Wを持ち上げて加熱ユニット323の外部の搬送手段に引き渡す。一実施形態によれば、リフトピン323eは3つが提供されることができる。カバー323cは内部に下部が開放された空間を有する。カバー323cは加熱板323aの上部に位置され、駆動器323dによって上下方向に移動される。カバー323cが移動されてカバー323cと加熱板323aが形成する空間は基板Wを加熱する加熱空間に提供される。
【0053】
搬送プレート324は大体に円板形状を提供され、基板Wと対応される直径を有する。搬送プレート324の縁にはノッチ324bが形成される。ノッチ324bは上述した搬送ロボット352のハンドに形成された突起352bと対応される形状を有することができる。また、ノッチ324bはハンドに形成された突起352bと対応される数に提供され、突起352bと対応される位置に形成される。ハンドAと搬送プレート324が上下方向に整列された位置でハンドAと搬送プレート324の上下位置が変更しながら、ハンドAと搬送プレート324との間に基板Wの伝達が行われる。搬送プレート324はガイドレール324d上に装着され、駆動器324cによってガイドレール324dに沿って移動される。搬送プレート324にはスリット形状のガイド溝324aが複数が提供される。ガイド溝324aは搬送プレート324の終端から搬送プレート324の内部まで延長される。ガイド溝324aはその長さ方向が第2方向14に沿って提供され、ガイド溝324aは第1方向12に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝324aは搬送プレート324と加熱ユニット323との間に基板Wの引受引渡が行われる時、搬送プレート324とリフトピン323eが互いに干渉されることを防止する。
【0054】
基板Wの冷却は基板Wが置かれた搬送プレート324が冷却板322aに接触された状態で行われる。冷却板322aと基板Wとの間に熱伝達がよく行われるように搬送プレート324は熱伝達率が高い材質で提供される。一例によれば、搬送プレート324は金属材質で提供されることができる。
【0055】
熱処理チャンバー320の中で一部の熱処理チャンバーに提供された加熱ユニット323は基板W加熱中にガスを供給してフォトレジストの基板W付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン(HMDS、hexamethyldisilane)ガスであり得る。
【0056】
液処理チャンバー360は複数に提供される。液処理チャンバー360の中で一部は互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバー360は搬送チャンバー350の一側に配置される。液処理チャンバー360は第1の方向12に沿って平行に配列される。液処理チャンバー360の中でいずれかの一部はインデックスモジュール100と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバーを前段液処理チャンバー362(front liquid treating chamber)と称する。液処理チャンバー360の中で他の一部はインターフェイスモジュール500と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバーを後段液処理チャンバー364(rear heat treating chamber)と称する。
【0057】
前段液処理チャンバー362は基板W上に第1液を塗布し、後段液処理チャンバー364は基板W上に第2液を塗布する。第1液と第2液は互いに異なる種類の液であり得る。一実施形態によれば、第1液は反射防止膜であり、第2液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板W上に塗布されることができる。選択的に、第1液はフォトレジストであり、第2液は反射防止膜であり得る。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板W上に塗布されることができる。選択的に、第1液と第2液は同一な種類の液であり、これらは全てフォトレジストであり得る。
【0058】
以下では、本発明の工程チャンバーの中で回転する基板上に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造に対して詳細に説明する。下では基板処理装置がフォトレジストを塗布する装置である場合を例として説明する。しかし、基板処理装置は回転する基板Wに保護膜又は反射防止膜のような膜を形成する装置であり得る。また、選択的に基板処理装置は基板Wに現像液のような処理液82を供給する装置であり得る。
【0059】
図10は回転する基板に処理液を供給して基板を液処理する基板処理装置の一実施形態を示す断面図であり、図11図10の基板処理装置の斜視図である。
【0060】
図10及び図11を参照すれば、基板処理装置はハウジング1100、処理容器1200、基板支持ユニット1400、液供給ユニット1600、そして排気ユニット1900を含む。
【0061】
ハウジング1100は内部空間1120を有する長方形の筒形状に提供される。ハウジング1100の一側には開口1102が形成される。開口1102は基板Wが搬出入される通路として機能する。開口1102にはドア(図示せず)が設置され、ドアは開口を開閉する。
【0062】
ハウジング1100の内部空間1120には処理容器1200が提供される。処理容器1200は内部空間1280を有する。内部空間1280は上部が開放されるように提供される。
【0063】
支持ユニット1400は処理容器1200の内部空間1280内で基板Wを支持する。支持ユニット1400は支持板1420、回転軸1440、そして駆動器1460を有する。支持板1420はその上部面が円形に提供される。支持板1420は基板Wより小さい直径を有する。支持板1420は真空圧によって基板Wを支持するように提供される。選択的に、支持板1420は基板Wを支持する機械的クランピング構造を有することができる。支持板1420の底面中央には回転軸1440が結合され、回転軸1440には回転軸1440に回転力を提供する駆動器1460が提供される。駆動器1460はモーターであり得る。
【0064】
液供給ユニット1600は基板W上に処理液82を供給する。処理液82をフォトレジストのような塗布液であり得る。液供給ユニット1600はノズル1620、ノズル移動部材1640、及びそして液供給源(図示せず)を有する。ノズル1620は1つ又は複数に提供され、基板Wに処理液82を吐出する。ノズル1620はノズル移動部材1640に支持される。ノズル移動部材1640は工程位置及び待機位置の間にノズル1620を移動させる。工程位置でノズル1620は支持板1420に置かれる基板Wに処理液82を供給し、処理液82の供給を完了したノズル1620は待機位置で待機する。待機位置でノズル1620はホームポート(図面図示せず)で待機し、ホームポートはハウジング1100内で処理容器1200の外側に位置する。
【0065】
ハウジング1100の上壁には内部空間に下降気流84を供給するファンフィルターユニット1260が配置される。ファンフィルターユニット1260は外部の空気を内部空間に導入するファンと外部の空気を濾過するフィルターを有する。
【0066】
ハウジング1100で処理容器1200の外側には処理容器1200とハウジング1100との間の空間に供給される気流84を排気する排気管1140が連結される。
【0067】
処理容器1200は外側カップ1220と内側カップ1240を有する。
【0068】
外側カップ1220は支持ユニット1400及びこれに支持された基板Wを囲むように提供される。外側カップ1220は床壁1222、側壁1224、そして上壁1226を有する。外側カップ1220の内部は上述した内部空間1280に提供される。内部空間1280は上部の処理空間と下部の排気空間1248を含む。
【0069】
床壁1222は円形に提供され、中央に開口を有する。側壁1224は床壁1222の外側端から上部に延長される。側壁1224はリング形状に提供され、床壁1222に垂直に提供される。一例によれば、側壁1224は支持板1420の上面と同一高さまで延長されるか、或いは支持板1420の上面より少し低い高さまで延長される。上壁1226はリング形状を有し、中央に開口を有する。上壁1226は側壁1224の上端から外側カップ1220の中心軸に向かって上向傾くように提供される。
【0070】
内側カップ1240は外側カップ1220の内側に位置される。内側カップ1240は内壁1242、外壁1244、そして上壁1246を有する。内壁1242は上下方向に貫通された貫通孔を有する。内壁1242は駆動器1460を囲むように配置される。内壁1242は駆動器1460が処理空間内の気流84に露出されることを最小化する。支持ユニット1400の回転軸1440又は/及び駆動器1460は貫通孔を通じて上下方向に延長される。内壁1242の下端は外側カップ1220の床壁1222に位置されることができる。外壁1244は内壁1242と離隔されるように、そして内壁1242を囲むように配置される。外壁1244は外側カップ1220の側壁1224と離隔されるように位置される。内壁1242は外側カップ1220の床壁1222から上部に離隔されるように配置される。上壁1246は外壁1244の上端と内壁1242の上端を連結する。上壁1246はリング形状を有し、支持板1420を囲むように配置される。一例によれば、上壁1246は上に膨らんでいる形状を有する。上壁1246は外壁1244の上端から回転軸1440に向かって上向傾いた外側上壁1246aと、これから内壁1242の上端まで下方傾いた内側上壁1246bを有する。支持板1420は内側上壁1246bによって囲まれた空間に位置されることができる。一例によれば、上壁1226の中で最頂点は支持板1420より外側に位置され、支持ユニット1400に支持された基板Wの終端より内側に位置されることができる。
【0071】
処理空間の中で支持板1420の下の空間は排気空間1248として提供されることができる。一例によれば、排気空間1248は内側カップ1240によって規定(define)されることができる。内側カップ1240の外壁1244、上壁1246、そして内壁1242で囲まれた空間及び/又はその下の空間が排気空間1248として提供されることができる。
【0072】
処理容器1200の内部空間1280には気液分離板1230が提供されることができる。気液分離板1230は外側カップ1220の床壁1222から上部に延長されるように提供されることができる。気液分離板1230はリング形状に提供されることができる。気液分離板1230は上部から見る時、外側カップ1220の側壁1224と内側カップ1240の外壁1244との間に位置されることができる。選択的に、気液分離板1230は上部から見る時、内側カップ1240の外壁1244と重畳されるように位置されるか、或いは内側カップ1240の外壁1244より内側に位置されることができる。一例によれば、気液分離板1230の上端は内側カップ1240の外壁1244の下端より低い位置に位置されることができる。
【0073】
外側カップ1220の床壁1222には処理液82を排出する排出管1250が連結される。排出管1250は外側カップ1220の側壁1224と内側カップ1240の外壁1244との間に流入された処理液82を処理容器1200の外部に排出する。一例によれば、外側カップ1220の側壁1224と気液分離板1230との間の空間は処理液82を排出する排出空間1252に提供され、排出管1250は排出空間1252で処理液82を排出するように提供される。外側カップ1220の側壁1224と内側カップ1240の外壁1244との間の空間に流れる気流84は外側カップ1220の側壁1224と床壁1222、そして気液分離板1230によって囲まれた空間に流入され、排気空間1248に流入される。この過程で気流84内に含有された処理液82は排出空間1252で排出管1250を通じて処理容器1200の外部に排出され、気流は処理容器1200の排気空間1248に流入される。
【0074】
排出管1250は1つ又は複数が提供されることができる。排出管1250が複数が提供される場合、排出管1250は内側カップ1240の円周方向に沿って複数が提供されることができる。
【0075】
図示せずが、支持板1420と外側カップ1220の相対高さを調節する昇降駆動器が提供されることができる。一例によれば、昇降駆動器は外側カップ1220を上下方向に昇下降させることができる。例えば、支持板1420に基板Wをローディングするか、或いは支持板1420から基板Wをアンローディングする時、基板Wを搬送する搬送部材が外側カップ1220と干渉することを防止するように支持板1420は外側カップ1220の上端より高い高さに位置する。また、工程を進行する時には基板Wが処理空間内に位置するように支持板1420が外側カップ1220の上端部より低い高さに位置する。
【0076】
排気ユニット1900は排気管1800と気流案内ダクト1700を有する。
【0077】
排気管1800は処理容器1200の排気空間1248に流入された気流84を処理容器1200の外部に排気する。一例によれば、排気管1800は内側カップ1240の外壁1244と連結される。排気管1800は内側カップ1240の外壁1244と内壁1242との間の空間まで延長されることができる。選択的に、排気管1800はその入口が外壁1244上に提供されるように内側カップ1240の外壁1244に結合されることができる。一例によれば、排気管1800は基板Wの回転方向に対して接線方向に処理容器1200に結合されることができる。選択的に、排気管1800は基板Wの回転方向に対して接線方向とは異なる方向に処理容器1200に結合されることができる。選択的に、排気管1800は外側カップ1220の床壁1222に結合されることができる。排気管1800には排気空間1248内の気流84を強制吸引するように圧力調節部材(図示せず)が設置される。圧力調節部材はポンプであり得る。
【0078】
気流案内ダクト1700は基板Wの上面と同一又はこれと隣接する高さで気流84の流れを案内する。基板Wが回転されれば、基板Wの上部領域に提供された下降気流84は遠心力によって基板Wの中心領域で基板Wの縁領域に向かう方向に流れる。基板Wの表面及びこれと隣接する領域で気流84は基板Wの回転方向と同一な方向に曲がりながら、基板Wの外側に向かって流れる。これらの気流84が基板Wの上面から逸脱する時、気流84方向は大体に基板Wの回転方向に対して接線方向である。
【0079】
気流案内ダクト1700は基板Wの上面から逸脱した気流84を基板Wの回転方向に対して接線方向に流入するように提供される。
【0080】
一実施形態によれば、気流案内ダクト1700は外側カップ1220と内側カップ1240との間の空間に提供される。気流案内ダクト1700は螺旋形状を有する。一例によれば、気流案内ダクト1700はヘリックス(helix)形状に提供される。気流案内ダクト1700は入口及び出口を有する。入口は支持ユニット1400に支持された基板Wと同一又は隣接する位置に提供される。出口は排出空間1252内又は排出空間1252と隣接する位置に提供される。
【0081】
外側カップ1220と内側カップ1240との間には螺旋形状のガイド板1720が提供され、外側カップ1220、内側カップ1240、そして螺旋形状のガイド板1720によって囲まれた空間は気流案内ダクト1700として定義される。ガイド板1720はその長さ方向に沿って支持ユニット1400の回転軸1440から同一距離に位置され、入口から出口に向かう方向に漸進的に高さが低くなるように位置される。ガイド板1720は支持ユニット1400の回転軸1440に沿って一定回数回転するように提供される。一例によれば、一定回数は1~3回転であり得る。
【0082】
一例によれば、ガイド板1720の内側端は内側カップ1240と隣接するように位置され、ガイド板1720の外側端は外側カップ1220と隣接するように位置される。選択的に、ガイド板1720の内側端が内側カップ1240と接触されるか、或いはガイド板1720の外側端が外側カップ1220と接触されることができる。
【0083】
一例によれば、ガイド板1720はその内側端が外側端より高く位置されるように回転軸1440から遠くなるほど、下方傾くように配置される。ガイド板1720で外側カップ1220の側壁1224と隣接する領域には排液ホール1722が形成される。排液ホール1722はガイド板1720の長さ方向に沿って複数が提供される。したがって、ノズル1620から回転する基板W上に供給された処理液82の中で気流84と共に気流案内ダクト1700に流入された処理液82は排液ホール1722を通じて排出空間1252に流入されることができる。ガイド板1720に排液ホール1722が提供されない場合、処理液82はガイド板1720に沿って螺旋形状に回転しながら、排出空間1252に流入されることができる。
【0084】
上述した例では外側カップ1220と内側カップ1240との間の空間にガイド板1720を提供することによって気流案内ダクト1700が形成されることと記載したが、気流案内ダクトは外側カップ1220と内側カップ1240とは独立された構造物で提供されることができる。例えば、気流案内ダクトは外側カップ1220と内側カップ1240との間に位置された管形状の部材で提供されることができる。
【0085】
上述した例では排気管1800が排気空間1248に提供されることと記載したが、これと異なりに排気管1800は排出空間1252で気流案内ダクト1900の出口と対向する位置にその入口が位置されるように提供されることができる。
【0086】
図12及び図13は各々図10の装置を利用して基板Wを液処理する時、処理容器1200の内部空間内で気流84及び処理液82の流れ経路を示す断面図及び部分的に切断された斜視図である。
【0087】
図12及び図13を参照すれば、塗布工程進行する時、基板Wは支持板1420に支持され、支持板1420によって回転される。支持ユニット1400は基板Wの回転によって発生される気流84が気流案内ダクト1700の入口に向かう方向になるように基板Wを回転させる。ファンフィルターユニット1260から外部空気が基板Wに向かって下降気流84として供給される。また、ノズル1620からフォトレジストのような処理液82が基板Wに供給される。基板Wの回転によって基板Wの上面及びこれと隣接する領域で気流84は基板Wの外側に向かう方向に基板Wの回転方向に曲がりながら、流れる。気流84が基板Wの外側に流れれば、気流84と基板W上に供給された処理液82は気流案内ダクト1700に流入される。この時、気流案内ダクト1700は基板Wの回転方向に対して接線方向に気流84を流入するように提供されるので、基板Wの外側に流れる気流84は外部部材との衝突や外部部材による干渉なく、円滑に気流案内ダクト1700内に流入されることができる。
【0088】
気流案内ダクト1700内に流入された気流84は螺旋形状に継続的に回転しながら、漸進的に内部空間の内部で下方向に流れる。この時、気流案内ダクト1700に流入された処理液82はガイド板1720の傾斜によってガイド板1720に形成された排液ホール1722に向かって流れ、排液ホール1722を通じて排出空間1252に落ち、その後、排出管1250を通じて処理容器1200の外部に排出される。気流案内ダクト1700から出口を通じて排出空間1252に流出した気流84は排気空間1248に流入された後、排気管1800を通じて処理容器1200の外部に排気される。
【0089】
以下では、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置2000に対して図面を参考してより詳細に説明する。
【0090】
図14乃至図16は本発明の第2実施形態に係る気流案内ダクト2700を具備する基板処理装置2000を示す図面である。図14は第2実施形態に係る基板処理装置2000の断面図であり、図15図14の装置を部分的に切断した斜視図であり、図16図14の装置で排気ユニット2900の構造を概略的に示す斜視図である。
【0091】
図14乃至図16を参照すれば、排気ユニット2900は処理空間内の気流84を排気する。排気ユニット2900は個別排気管2820及び気流案内ダクト2700を有する。
【0092】
個別排気管2820は基板処理装置2000内の排気空間1248と連結される。個別排気管2820は1つ又は複数が提供されることができる。一例によれば、個別排気管2820は外側カップ1220の床壁1222に連結され、個別排気管2820の入口は外側カップ1220の床壁1222から一定高さ上部に離隔されるように配置される。
【0093】
気流案内ダクト2700は基板Wの上面と同一又はこれと隣接する高さで気流84の流れを案内する。基板Wが回転されれば、遠心力によって基板Wの上部領域に提供された下降気流84は基板Wの中心領域で基板Wの縁領域に向かう方向に流れる。また、基板Wの表面及びこれと隣接する領域で気流84は基板Wの回転方向と同一な方向に曲がりながら、基板Wの外側に向かって流れる。これらの気流84が基板Wの上面から逸脱する時、気流84方向は大体に基板Wの回転方向に対して接線方向である。
【0094】
気流案内ダクト2700は基板Wの上面から逸脱した気流84を基板Wの回転方向に対して接線方向に流入するように提供される。
【0095】
気流案内ダクト2700は外側カップ1220と内側カップ1240との間に配置されることができる。気流案内ダクト2700は内側カップ1240より外側カップ1220にさらに隣接するように配置されることができる。一例によれば、気流案内ダクト2700は外側カップ1220の内側壁1224に設置されることができる。気流案内ダクト2700と内側カップ1240の外壁1244との間には気流84が流れる通路が提供され、その通路を通じても気流84の一部が流れることができる。気流案内ダクト2700は入口2746a及び出口2746bを有する。入口2746aは支持ユニット1400に支持された基板Wと同一又は隣接する位置に提供される。出口2746bは後述する統合排気管2840と連結されるように提供されることができる。
【0096】
一例によれば、気流案内ダクト2700は管形状を有する。気流案内ダクト2700はその長さ方向が外側カップ1220の床壁1222に対して垂直になる方向に提供されることができる。気流案内ダクト2700は上部壁2720及び側壁2740を有する。側壁2740は外側カップ1220の内側面と対向する第1側面2742、支持ユニット1400に置かれる基板Wに対向する第2側面2744、そして基板Wの回転方向に対する接線方向に対向する第3側面2746を有する。気流案内ダクト2700の上部壁2720はブロッキング(blocking)面に提供される。気流案内ダクト2700の側壁2740の中で第1側面2742と第2側面2744はブロッキング面として提供される。気流案内ダクト2700の入口2746aは第3側面2746に形成され、第3側面2746で入口2746aを除いた部分はブロッキング面として提供される。気流案内ダクト2700はその長さ方向に垂直になる断面積が同様に提供されることができる。また、気流案内ダクト2700の側壁2740の中で第2側面2744は入口2746aから遠くなるほど、支持ユニット1400の回転軸1440から遠くなるように提供されることができる。これによって、気流案内ダクト2700は入口2746aで遠くなるほど、面積が狭くなるように提供されることができる。入口2746aは第1側面2742の中で上部領域に提供されることができる。入口2746aは長方形の形状に提供されることができる。
【0097】
気流案内ダクト2700は1つ又は複数が提供されることができる。一例によれば、気流案内ダクト2700は4つが提供され、これらは基板Wの回転中心を基準に同一間隔に提供される。
【0098】
統合排気管2840は外側カップ1220の外部に配置される。一例によれば、統合排気管2840はハウジング1100の外部に配置されることができる。統合排気管2840は気流導入部2842と気流排出部2844を有する。
【0099】
気流導入部2842はリング形状を有する。個別排気管2820及び気流案内ダクト2700は気流導入部2842と結合され、個別排気管2820及び気流案内ダクト2700から流出されたガスは統合排気管2840の気流導入部2842に流入される。気流排出部2844は気流導入部2842で囲まれた空間内に位置される。統合排気管2840は気流排出部2844と結合された外部ダクト2849を有し、外部ダクト2849にはポンプのような圧力調節部材(図示せず)が結合されることができる。
【0100】
個別排気管2820は気流案内ダクト2700より気流排出部2844にさらに隣接する位置で気流導入部2842に結合される。気流導入部2842の中で個別排気管2820が連結される地点と気流排出部2844との間には気液分離板2846が提供されることができる。一例によれば、気液分離板2846は気流導入部2842に設置されることができる。気液分離板2840はリング形状に提供され、気流導入部2842の底面から上部に突出されるように提供される。また、気液分離板2840は気流導入部2842の上面から離隔されるように提供される。
【0101】
また、気流導入部2842の中で気液分離板2840が設置された地点を基準に気流排出部2844の反対側領域には排出管2842が設置される。排出管2848は気流導入部2842に流入された気流84で分離された液を統合排気管2840の外部に排出する。一例によれば、排出管2842は気液分離板2840と隣接する位置に設置される。
【0102】
図17及び図18は各々図14の装置を利用して基板Wを液処理する時、気流84及び処理液82の流れ経路を示す断面図及び部分的に切断された斜視図である。
【0103】
図17及び図18を参照すれば、塗布工程進行する時、基板Wは支持板1420に支持され、支持板1420によって回転される。この時、支持ユニット1400は基板Wの回転によって発生される気流84が気流案内ダクト2700の入口2746aに向かう方向になるように基板Wを回転させる。ファンフィルターユニット1260から外部空気が基板Wに向かって下降気流84として供給される。また、ノズル1620から処理液82が基板Wに供給される。基板Wの回転によって基板Wの上面で気流84は基板Wの外側に向かう方向に基板Wの回転方向に曲がりながら、流れる。気流84が基板Wの外側に流れれば、気流84の中で一部の気流84は気流案内ダクト2700に流入され、その後、処理容器1200外部に排気される。また、気流84の中で残りの気流84は内側カップ1240と外側カップ1220との間の間隙を通じて下に流れた後、処理容器1200内の排気空間1248に流入され、その後、個別排気管2820を通じて処理容器1200の外部に排気される。また、基板Wを処理した処理液82は内側カップ1240と外側カップ1220との間の空間を通じて排出空間1252に流入された後、排出管1250を通じて処理容器1200の外部に排出される。
【0104】
気流案内ダクト2700及び個別排気管2820から排気された気流84は統合排気管2840の気流導入部2842に流入された後、気液分離板1230によって処理液82が分離された後、気流排出部2844を通じて外部に排気される。
【0105】
図14の実施形態によれば、気流84の中で一部は気流案内ダクト2700に流入される。この時、気流案内ダクト2700は基板Wの回転方向に対して接線方向に気流84を流入するように提供されるので、遠心力によって基板Wの外側に流れる気流84は処理容器1200又はその内部に提供された部材との衝突や干渉なく、円滑に気流案内ダクト2700内に流入されることができる。
【0106】
また、気流84の中で一部は従来と同様に処理容器1200内排気空間1248に流入されるが、この時、排気空間1248に流入される気流84の量は気流案内ダクト2700を提供しない時に比べて非常に小さいので、渦流や大きい衝突なしで、円滑に排気空間1248を通じて排気されることができる。
【0107】
上述した例では基板Wに供給された気流84が処理空間の中で支持板1420より下に位置した排気空間1248に流入される第1経路と気流案内ダクト2700に流入される第2経路に流れることと説明した。しかし、選択的に、基板処理装置2000は基板Wに供給された気流84は全て第2経路のみを通じて流れるように提供されることができる。
【0108】
以下では、本発明の第3実施形態に係る基板処理装置3000に対して図面を参照してより詳細に説明する。
【0109】
図19乃至図21は本発明の第3実施形態に係る気流案内ダクト3700を具備する基板処理装置3000を示す図面である。
【0110】
図19は本発明の第3実施形態に係る気流案内ダクト3700が提供された基板処理装置3000を概略的に示す断面図であり、図20図19の基板処理装置3000の外部を示す斜視図であり、図21図19の基板処理装置3000を部分的に切断した斜視図である。
【0111】
図19乃至図21を参照すれば、排気ユニット3900は処理容器内の内部空間の気流84を排気する。排気ユニット3900は個別排気管3820、気流案内ダクト3700、そして統合排気管3840を有する。
【0112】
個別排気管3820は基板処理装置3000内の排気空間1248と連結される。個別排気管3820は1つ又は複数が提供されることができる。一例によれば、個別排気管3820は外側カップ1220の床壁1222に連結され、個別排気管3820の入口3722は外側カップ1220の床壁1222から一定高さに離隔されるように配置される。
【0113】
気流案内ダクト3700は基板Wの上面と同一又はこれと隣接する高さで気流84の流れを案内する。基板Wが回転されれば、遠心力によって基板Wの上部領域に提供された下降気流84は基板Wの中心領域から基板Wの縁領域に向かう方向に流れる。また、基板Wの表面及びこれと隣接する領域で気流84は基板Wの回転方向と同一な方向に曲がりながら、基板Wの外側に向かって流れる。これらの気流84が基板Wの上面から逸脱する時、気流84方向は大体に基板Wの回転方向に対して接線方向である。
【0114】
気流案内ダクト3700は基板Wの上面から逸脱した気流84を基板Wの回転方向に対して接線方向に流入するように提供される。
【0115】
気流案内ダクト3700は処理容器1200の外側に配置される。気流案内ダクト3700は気流流入部3720、接続部3740、そして気流流出部3760を有する。気流流入部3720は処理空間で気流84を流入する入口3722を有する。入口3722は支持ユニット1400に支持された基板Wと同一又は隣接する高さに提供される。入口3722は支持ユニット1400に支持される基板Wの接線方向と平行である方向に気流84を流入するように提供される。気流流出部3760は出口3762を有し、気流流出部3760は後述する統合排気管3840と連結されることができる。接続部3740は気流流入部3720と気流流出部3760を連結する。
【0116】
気流案内ダクト3700は管形状を有する。気流案内ダクト3700の気流流入部3720はその長さ方向が基板Wの接線方向と平行に提供される。また、気流案内ダクト3700の気流流出部3760は気流流入部3720の下に配置され、気流流入部3720と対向されるように気流流入部3720と平行に提供されることができる。接続部3740はその長さ方向が気流流入部3720と気流流出部3760に対して垂直に提供されることができる。
【0117】
気流案内ダクト3700は1つ又は複数が提供されることができる。一例によれば、気流案内ダクト3700は2つが提供され、これらは基板Wの回転中心を基準に同一間隔に提供されることができる。選択的に、気流案内ダクト3700は3つ又はがより多い数に提供されることができる。
【0118】
統合排気管3840は外側カップ1220の外部に配置される。一例によれば、統合排気管3840はハウジング1100の外部に配置されることができる。統合排気管3840は気流導入部3842と気流排出部3844を有する。
【0119】
一例によれば、気流導入部3842はリング形状を有する。気流導入部3842は個別排気管3820及び気流案内ダクト3700と結合されて、個別排気管3820及び気流案内ダクト3700から流出したガスは統合排気管の気流導入部3842に流入される。気流排出部3844は気流導入部3842で囲まれた空間内に位置され、接続部は気流導入部3842と気流排出部3844を連結して、気流導入部3842に導入されたガスが気流排出部3844に向かって流れるようにする。個別排気管3820は気流案内ダクト3720より気流排出部3844にさらに隣接する位置で気流導入部3842に連結される。気流導入部3842の中で個別排気管3820が連結される地点と気流排出部3844との間には気液分離板3846が提供されることができる。一例によれば、気液分離板3846は気流導入部3842に設置されることができる。気液分離板3846は弧形状に提供され、気流導入部3842の底面から上部に突出されるように提供される。また、気液分離板3846は気流導入部3842の上面から離隔されるように提供される。気液分離板3846と気流導入部3842との間の空間は気流導入部3842に流入された気流84が気流排出部3844に流れる通路として提供される。
【0120】
また、気流導入部3842の中で気液分離板3840が設置された地点を基準に気流排出部3844の反対側領域には排出管3250が設置される。排出管3250は気流導入部3842に流入された気流84で分離された液を統合排気管3840の外部に排出する。一例によれば、排出管3250は気液分離板1230と隣接する位置に設置される。
【0121】
図22及び図23図19の装置を利用して基板Wを液処理する時、気流及び処理液の流れ経路を示す断面図及び部分的に切断された斜視図である。
【0122】
図22及び図23を参照すれば、塗布工程進行する時、基板Wは支持板1420に支持され、支持板1420によって回転される。この時、支持ユニット1400は基板Wの回転によって発生される気流84が気流案内ダクト3700の入口3722に向かう方向になるように基板Wを回転させる。ファンフィルターユニット1260から外部空気が基板Wに向かって下降気流84として供給される。また、ノズル1620から処理液82が基板Wに供給される。基板Wの回転によって基板Wの上面で気流84は基板Wの外側に向かう方向に基板Wの回転方向に回転しながら、流れる。気流84が基板Wの外側に流れれば、気流84の中で一部の気流84は気流案内ダクト3700に流入され、その後、処理容器1200の外部に排気される。また、気流84の中で残る気流84は内側カップ1240と外側カップ1220との間の空間を通じて下に流れた後、処理容器1200内排気空間1248に流入され、その後、個別排気管3820を通じて処理容器1200の外部に排気される。また、基板Wを処理した処理液82は内側カップ1240と外側カップ1220との間の空間を通じて排出空間1252に流入された後、排出管1250を通じて処理容器1200の外部に排出される。
【0123】
気流案内ダクト3700及び個別排気管3820から排気された気流84は統合排気管3840の気流導入部3842に流入された後、気液分離板3846によって処理液82が分離された後、気流排出部3844を通じて排気される。
【0124】
図19の実施形態によれば、気流84の中で一部は気流案内ダクト3700に流入される。この時、気流案内ダクト3700は基板Wの回転方向に対して接線方向に気流84を流入するように提供されるので、遠心力によって基板Wの外側に流れる気流84は処理容器1200の内側壁1224又は処理容器1200内部の他の部材と衝突や干渉なしで、円滑に気流案内ダクト3700内に流入されることができる。
【0125】
また、気流84の中で一部は処理容器1200内排気空間1248に流入されるが、この時、排気空間1248に流入される気流84の量は気流案内ダクト3700を提供しない時に比べて非常に小さい。したがって、排気空間1248に流入される気流84が外部部材と衝突又は干渉が小さいので、渦流や大きい衝突なしで、円滑に排気されることができる。
【0126】
上述した例では基板Wに供給された気流84が処理容器1200の中で支持板1420より下に位置した排気空間1248に流入される第1経路と気流案内ダクト3700に流入される第2経路に流れることと説明した。しかし、選択的に、基板Wに供給された気流84は全て第2経路のみを通じて流れるように提供されることができる。
【0127】
図24(a)及び図24(b)は図1のような従来構造の基板処理装置と本発明の実施形態のように気流案内ダクトが提供された基板処理装置で排気流量を比較して示すグラフである。図24(a)は基板Wの回転速度が低速である場合、従来の基板処理装置と本発明の基板処理装置の排気流量を比較して示すグラフであり、図24(b)は基板Wの回転速度が高速である場合、従来の基板処理装置と本発明の基板処理装置の排気流量を比較して示すグラフである。
【0128】
図24(a)と図24(b)で本発明の基板処理装置は図20に図示された実施形態の基板処理装置である。図24(a)で基板Wは2500rpmに回転され、図24(b)で基板Wは5000rpmに回転された。
【0129】
図24(a)を参照すれば、基板Wが2500rpmに回転される時、図1の基板処理装置Aでは排気流量が1257LPMであったが、本発明の基板処理装置Bでは1418LPMに約12%程度の排気流量が増加した。また、図24(b)を参照すれば、基板Wが5000rpmに回転される時、図1の基板処理装置Aでは排気流量が1114LPMであったが、本発明の基板処理装置Bでは1468LPMに約35%程度排気流量が増加した。
【0130】
上の図24(a)と図24(b)から分かるように、基板Wの回転方向に対して接線方向に気流84を吸入する気流案内ダクトが提供される場合、基板Wを低速回転させながら、工程を進行する時のみならず、基板Wを高速回転させながら、工程を進行する時にも排気効率を増加し、また基板Wの回転速度が速いほど、従来構造に比べて排気効率がさらに増加することを分かる。
【0131】
上述した例では処理容器が外側カップと内側カップを有し、処理容器の内部空間の中で排気空間は内側カップによって規定されることと説明された。しかし、これと異なりに、処理容器に内側カップは提供されなく、処理容器の内部空間の中で排気空間は基板Wを支持する支持板より下領域に規定されることができる。
【0132】
上述した例では気流案内ダクトが基板Wの回転方向に対して接線方向に気流を流入することを例として説明した。しかし、これと異なりに気流案内ダクトは基板Wの回転方向に対して接線方向ではない他の方向で気流を流入するように提供されることができる。例えば、気流案内ダクトは図25に図示されたようにその流入口が基板と同一又はこれと隣接する高さに配置し、基板Wの半径方向に気流を吸引するように提供されることができる。
【0133】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び/又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
【符号の説明】
【0134】
1100 ハウジング
1200 処理容器
1220 外側カップ
1240 内側カップ
1260 ファンフィルターユニット
1400 基板支持ユニット
1420 支持板
1440 回転軸
1460 駆動器
1600 液供給ユニット
1700 気流案内ダクト
1720 ガイド板
1722 排液ホール
1900 排気ユニット
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12
図13
図14
図15
図16
図17
図18
図19
図20
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図22
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図24
図25