特開 2022-85874 残留応力制御を有するＳｉＣウエハの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2022085874

(43)【公開日】2022-06-08

(54)【発明の名称】残留応力制御を有するＳｉＣウエハの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C30B 29/36 20060101AFI20220601BHJP

   C30B 25/18 20060101ALI20220601BHJP

   H01L 21/20 20060101ALI20220601BHJP

【ＦＩ】

C30B29/36 A

C30B25/18

H01L21/20

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021189317

(22)【出願日】2021-11-22

(31)【優先権主張番号】102020000028778

(32)【優先日】2020-11-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】IT

(71)【出願人】

【識別番号】591002692

【氏名又は名称】エスティーマイクロエレクトロニクス エス．アール．エル．

【氏名又は名称原語表記】ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓ．ｒ．ｌ．

(74)【代理人】

【識別番号】100076185

【弁理士】

【氏名又は名称】小橋 正明

(72)【発明者】

【氏名】ルッゲーロ アンツァローネ

(72)【発明者】

【氏名】フランチェスコ ラ ヴィア

【テーマコード（参考）】

4G077

5F152

【Ｆターム（参考）】

4G077AA03

4G077AB01

4G077AB09

4G077BE08

4G077DB01

4G077ED06

4G077EE01

4G077EE05

4G077FJ03

4G077HA12

5F152LL02

5F152LM09

5F152LN05

5F152LP05

5F152NN05

5F152NQ02

(57)【要約】

【課題】 残留応力制御を有するＳｉＣウエハを製造する方法を提供する
【解決手段】 ＳｉＣウエハを製造する方法が、支持体（５８）上に第１ＳｉＣ層（６０）を形成するステップ、該支持体（５８）を該第１ＳｉＣ層（６０）から分離するステップ、及び該第１ＳｉＣ層（６０）上に第２ＳｉＣ層（６８）を成長させるステップであって、第１導電型（Ｎ）を有しており該第２ＳｉＣ層（６８）内に第１応力を発生させる第１ドーパントの気体相での前駆体を導入すること及び該第１導電型（Ｎ）とは反対の第２導電型（Ｐ）を有しており該第１応力と反対で且つそれをバランスさせる第２応力を該第２ＳｉＣ層（６８）内に発生させる第２ドーパントの気体相での前駆体を導入することを包含している該成長させるステップ、を有している。従って、該ＳｉＣウエハ反りの効果が無い。
【選択図】 図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

同一の反応室（２４）内において行われる複数のステップからなるシリコンカーバイドＳｉＣウエハを製造する方法において、
支持体（５８）上にシードＳｉＣ層（６０）を形成するステップ、
該シードＳｉＣ層（６０）上に更なるＳｉＣ層（６８）を成長させるステップであって、第１導電型（Ｎ）を有しており且つ該更なるＳｉＣ層（６８）内に第１応力を発生させるような第１ドーパントの前駆体を気体相で該反応室（２４）内に導入するサブステップと、該第１導電型と反対の第２導電型（Ｐ）を有しており且つ該第１応力と反対の第２応力を該更なるＳｉＣ層（６８）内に発生させるような第２ドーパントの前駆体を気体相で該反応室（２４）内に導入するサブステップとを包含している該シードＳｉＣ層（６０）上に更なるＳｉＣ層（６８）を成長させるステップ、及び
該シードＳｉＣ層（６０）から該支持体（５８）を少なくとも部分的に除去するステップ、
を有している方法。

【請求項2】

該支持体（５８）を少なくとも部分的に除去する該ステップが、該反応室（２４）内において該支持体（５８）を少なくとも部分的に溶融させることによって行われる請求項１に記載の方法。

【請求項3】

更に、該反応室（２４）内において該支持体（５８）の残存部分をエッチングすることによって該支持体（５８）の除去を完了するステップを包含している請求項２に記載の方法。

【請求項4】

該支持体（５８）を溶融するステップが、該支持体（５８）の溶融温度以上で且つ該シードＳｉＣ層（６０）の溶融温度未満の温度へ該反応室（２４）を加熱することによって行われる請求項１乃至２の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項5】

該更なるＳｉＣ層（６８）の厚さが該シードＳｉＣ層（６０）の厚さよりも一層大きい請求項１乃至４の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項6】

該シードＳｉＣ層（６０）の物質が３Ｃ－ＳｉＣである請求項１乃至５の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項7】

該更なるＳｉＣ層（６８）の物質が３Ｃ－ＳｉＣである請求項１乃至６の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項8】

該第１ドーパントの前駆体が窒素Ｎ_２である請求項１乃至７の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項9】

該第２ドーパントの前駆体がトリメチルアルミニウムＴＭＡである請求項１乃至８の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項10】

該第２ドーパントの前記前駆体を、該第１ドーパントの該前駆体のｓｃｃｍで表された流れの０．０１％と１％との間の値を有しておりｓｃｃｍで表された流れで該反応室（２４）内に導入させる請求項１乃至９の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

該第１ドーパントの前記前駆体を、該第２ドーパントの夫々の濃度よりも１桁一層大きな該第１ドーパントの濃度を該更なるＳｉＣ層（６８）内に発生させるために該反応室（２４）内に導入させる請求項１乃至１０の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項12】

該第１ドーパントの前記前駆体を、２×１０^１９原子数／ｃｍ^３と６×１０^１９原子数／ｃｍ^３との間の該第１ドーパントの濃度を該更なるＳｉＣ層（６８）内に発生させるために該反応室（６８）内に導入させ、且つ該第２ドーパントの前記前駆体を、１．５×１０^１８原子数／ｃｍ^３と７×１０^１８原子数／ｃｍ^３との間の該第２ドーパントの濃度を該更なるＳｉＣ層（６８）内に発生させるために該反応室（２４）内に導入させる請求項１乃至１１の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項13】

該第１導電型がＮ型であり、該第２導電型がＰ型であり、該第１応力が圧縮型であり、且つ該第２応力が引っ張り型である請求項１乃至１２の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項14】

該シード層（６０）を形成する該ステップが、該第１ドーパントの前記前駆体を気体相で該反応室（２４）内へ導入するサブステップと、該第２ドーパントの前記前駆体を気体相で該反応室（２４）内へ導入するサブステップとを包含している請求項１乃至１３の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項15】

該シードＳｉＣ層（６０）を成長させるために、該第１ドーパントの気体相での該前駆体及び該第２ドーパントの気体相での該前駆体を、同時的に又は少なくとも部分的に重畳する夫々の時間間隔期間中に該反応室（２４）内に導入させる請求項１乃至１４の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項16】

該更なるＳｉＣ層（６８）を成長させるために、該第１ドーパントの気体相での該前駆体及び該第２ドーパントの気体相での該前駆体を、同時的に又は少なくとも部分的に重畳する夫々の時間間隔期間中に該反応室（２４）内に導入させる請求項１乃至１５の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項17】

該第２物質を成長させる該ステップが、該第１及び第２ドーパントの前記前駆体の存在下においてＣＶＤ成長を行うことを包含している請求項１乃至１６の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項18】

前記ウエハが６インチの直径を有している請求項１乃至１７の内のいずれか１項に記載の方法。

【請求項19】

前記支持体（５８）がシリコン基板である請求項１乃至１８の内のいずれか１項に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は残留応力の制御を有するＳｉＣウエハの製造プロセスに関するものである。

【背景技術】

【0002】

知られているように、半導体装置は、典型的に、シリコンウエハ上に製造される。しかしながら、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）ウエハが、少なくとも部分的に、その有利な化学物理的特性のために、ますます普及するようになっている。例えば、ＳｉＣは、通常、シリコンよりも一層広いバンドギャップを有している。その結果、比較的小さな厚さであっても、ＳｉＣはシリコンよりも一層高いブレークダウン電圧を有しており、従ってパワー装置などの高電圧適用例において有益的に使用することが可能である。

【0003】

シリコンカーバイドは、異なる結晶形式即ちポリタイプで見つけることが可能である。最も一般的なポリタイプは立方体ポリタイプ（３Ｃ－ＳｉＣポリタイプ）、六角ポリタイプ（４Ｈ－ＳｉＣ及び６Ｈ－ＳｉＣポリタイプ）、及び菱面体ポリタイプ（１５Ｒ－ＳｉＣポリタイプ）である。これらの中で、現在のところ、３Ｃ－ＳｉＣ立方体ポリタイプが、他のウエハポリタイプと比較してその独特の特性のために、詳細な研究の対象となっている。例えば、通常、３Ｃ－ＳｉＣウエハはＳｉＯ_２／３Ｃ－ＳｉＣ界面上で一層小さなトラップ密度を有しており且つチャンネル電子の一層大きな移動度を有している。３Ｃ－ＳｉＣを興味のあるものとしているその他の特性は、オン状態抵抗Ｒ_ＯＮの値が低いことがあり、そのことは６５０Ｖ以上で動作する装置の場合において特に有用である。

【0004】

しかしながら、シリコンカーバイドウエハの製造はシリコンウエハの製造よりも一層複雑であり、且つ３Ｃ－ＳｉＣ基板は現在のところ市販されていない。

【0005】

特に、本発明者は、シリコンカーバイドウエハが反りを発生する傾向があることを見出しており、そのことは、実際に、電子装置を製造することを不安定なものとさせる。この現象は寸法が大きなウエハ、特に６インチを越えるウエハにおいてより顕著である。

【0006】

特許文書ＥＰ２７８２１１７は、ＳｉＣ基板と該ＳｉＣ基板上に形成されており且つＰ型不純物及びＮ型不純物を包含しているＰ型第１ＳｉＣエピタキシャル層を包含しているＳｉＣエピタキシャルウエハを記載している。しかしながら、前記した問題は解決されていない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】欧州特許 ＥＰ２７８２１１７

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明の目的とするところは、既知の技術の欠点を解消し且つ寸法が大きなシリコンカーバイドウエハであっても製造することを可能とするシリコンカーバイドウエハの製造プロセスを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明によれば、特許請求の範囲に定義される如く、シリコンカーバイドウエハの製造プロセスが提供される。

【0010】

本発明をより良く理解するために、その実施例について、純粋に非制限的な例として、添付の図面を参照して以下に記載する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】特に３Ｃ－ＳｉＣウエハであるシリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法の１実施例における或る段階における状態を示した概略断面図。

【図2】特に３Ｃ－ＳｉＣウエハであるシリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法の１実施例における或る段階における状態を示した概略断面図。

【図3】特に３Ｃ－ＳｉＣウエハであるシリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法の１実施例における或る段階における状態を示した概略断面図。

【図4】特に３Ｃ－ＳｉＣウエハであるシリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法の１実施例における或る段階における状態を示した概略断面図。

【図5】特に３Ｃ－ＳｉＣウエハであるシリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法の１実施例における或る段階における状態を示した概略断面図。

【図6】特に３Ｃ－ＳｉＣウエハであるシリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法の１実施例における或る段階における状態を示した概略断面図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

図１－３のステップ即ち段階は既知のタイプのものであり、ここでは、説明の完全性のために且つ本発明の理解をより良くするために記載する。例えば、これらの処理ステップは米国特許公開番号２０２０／１４４０４７から既知である。

【0013】

図１－６において、シリコンカーバイドウエハの製造プロセス、即ち製造方法が、ＣＶＤ成長用の装置１０を参照して例示されている。装置１０は、ＳｉＣウエハの成長及びドーピングの化学反応が行われる閉鎖空間を画定している反応室２４を有している。装置１０は、それ自身既知の態様で、ヒーター（不図示）、インレットダクト１６、及びアウトレットダクト１８を有している。装置１０は、更に、支持体２０（「サスセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）」とも呼称される）及び例えばカップ形状をした収容器２２を有している。支持体２０及び収容器２２は反応室２４内に位置されている。ヒーターは、反応室２４及び反応室２４内に収容されているもの（例えば、支持体２０，収容器２２、気体、基板、ウエハ、又はその他の物体又は基板）を加熱する形態とされている。インレットダクト１６は、装置１０外部の環境から反応室２４へ向けての流体経路を与えており、反応室２４内へ前駆体及び気体を導入するために使用することが可能である。アウトレットダクト１８は、反応室２４から装置１０外側へ向けての流体経路を提供している。それは、反応室２４内で形成された反応気体を外部へ排出させるために使用することが可能である。支持体２０は反応室２４内で収容器２２上に配置されている。支持体２０は基板又はウエハを受け取り且つそれを反応室２４の内側に維持するためのプラットフォームを構成している。特に、後述する如く、シリコン基板はＳｉＣウエハの製造期間中に支持体２０上に配置される。

【0014】

上述したタイプの装置又は同様の装置は、例えば、米国特許公開公報２０１８／０９０３５０から既知であり、それは、傾斜した形状を有しているか又は下方に対面した複数のバーによって形成されているサスセプターを記載している。又、特許文書ＵＳ２０２０／１４４０４７は、装置１０と同様で且つ本発明を実施するために使用することが可能なサスセプターが設けられている装置を記載している。

【0015】

詳細には、図１において、ここではシリコン基板である第１物質からなる基板５８を反応室２４内で且つ支持体２０の着座４８に精密に位置決めさせる。基板５８を着座４８内に挿入させる。

【0016】

基板５８は脆弱性の特性に適合する可及的に最も小さな厚さを有している。例えば、基板５８は、特に、２００μｍと３００μｍとの間で少なくとも６０－７０μｍの厚さを有することが可能である。

【0017】

基板５８は、通常、結晶性構造を有している。更に、このステップにおいては、反応室２４は室温にある。

【0018】

基板５８が支持体２０に位置決めされると、反応室２４を密封し且つヒーターによって第１温度へ加熱される。例えば、該第１温度は４５０℃乃至５５０℃の間とすることが可能である。第１圧力レベルも反応室２４内に設定するが、例えば、８×１０^－５ｂａｒと１２×１０^－５ｂａｒとの間とすることが可能である。

【0019】

反応室２４を該第１温度へ加熱させた後に、それは該第１温度よりも一層高い第２温度とさせる。例えば、該第２温度は１０５０℃と１１５０℃との間とすることが可能である。反応室２４内に第２圧力レベルも設定するが、それは該第１圧力レベルよりも一層高く、例えば、７５ｍｂａｒと１２５ｍｂａｒとの間とすることが可能である。

【0020】

反応室２４は本プロセスの残部において該第２圧力レベルに維持される。

【0021】

反応室２４を該第２温度へ加熱した後に、基板５８を水素（Ｈ_２）内に浸漬させる。該水素はインレットダクト１６を介して反応室２４内に導入される。更に、インレットダクト１６を介して塩化水素（ＨＣｌ）を反応室２４内に導入させることによって、基板５８に対して活性化操作を行う。

【0022】

次いで、反応室２４を該ヒーターによって該第２温度よりも一層高い第３温度へ加熱させる。例えば、該第３温度は１３４０℃と１４００℃との間とすることが可能である。

【0023】

再度図１を参照して、反応室２４が該第３温度とされるか又はそれが該第３温度に到達した後に、カーボンを基礎とした前駆体をインレットダクト１６を介して反応室２４内に導入させる。該カーボンを基礎とした前駆体は基板５８の表面シリコン原子を炭化させて薄いＳｉＣ層、特に３Ｃ－ＳｉＣ層、を形成する。１つの例示的な例においては、該薄いＳｉＣ層は数ナノメートルの程度の厚さを有している。このステップは「ランプ炭化（ｒａｍｐ ｃａｒｂｏｎｉｚａｔｉｏｎ）」とも呼称される。後述するように、この薄いＳｉＣ層は更なる一層熱いＳｉＣ層（特に、３Ｃ－ＳｉＣポリタイプのもの）を成長させるためのシードとして作用する。

【0024】

反応室２４が該第３温度にある場合に、反応室２４内の該カーボンを基礎とした前駆体に対してシリコンを基礎として前駆体を付加させる。その結果、図２に例示した如く、該薄いＳｉＣ層からエピタキシャル的に第１ＳｉＣ層６０が成長し始める。このステップは、しばしば、「ヘテロエピタキシャル成長（ｈｅｔｅｒｏ－ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ）」として定義される。第１ＳｉＣ層６０は前述したＳｉＣシード層である。

【0025】

次いで、溶融プロセスが実施される。特に、その溶融はインレットダクト１６を介して反応室２４内にＨ_２の流れを維持することによって行われる。溶融期間中、反応室２４は該ヒーターによって、基板５８の溶融温度以上であって且つ第１ＳｉＣ層６０の溶融温度よりも一層低い第４温度へ加熱される。例えば、該第４温度は１５５０℃と１６５０℃との間とすることが可能である。その結果、図３に例示される如く、基板５８は溶融し（図３中において符号６６で示してある）且つ収容器２２に堆積して吸収物質３３（例えば、スポンジ状物質）によって回収される。

【0026】

反応室２４は、基板５８の全てが第１ＳｉＣ層６０から除去されるまで、又は基板５８の薄い残留層７０が支持体２０上に留まる（基板５８の残留層７０は次いでエッチングプロセスによって除去される）まで、該第４温度に維持させることが可能である。

【0027】

図４において、シリコン及びカーボンを基礎とした前駆体をインレットダクト１６を介して反応室２４内に導入させる。従って、第１ＳｉＣ層６０が継続して厚さを増加させるか又は第２ＳｉＣ層６８が第１ＳｉＣ層６０上に成長し始める（例えば、ＣＶＤプロセスによって）。このステップはしばしば「ホモエピタキシャル成長（ｈｏｍｏ－ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ）」と呼称される。該シリコンとカーボンとを基礎とする前駆体は基板５８の溶融ステップ期間中に供給させることが可能である。代替的には、該シリコンとカーボンとを基礎とする前駆体は基板５８の溶融プロセスが完了した後に供給させる。

【0028】

第２ＳｉＣ層６８が所望の厚さに到達すると、シリコン及びカーボンを基礎とした前駆体の流れが停止される。反応室２４内に存在する可能性のある全ての反応気体はアウトレットダクト１８を介して反応室２４から除去される。

【0029】

図５を参照すると、該ＳｉＣウエハが基板５８の残留部分７０を包含している場合には、それらは第２ＳｉＣ層６８の成長期間中又は該成長の終わりにエッチングプロセスによって除去することが可能である。この場合には、塩酸（ＨＣｌ）等のエッチング化合物（特に、気体形態で）をインレットダクト１６を介して反応室２４内に導入させ、それは該残留部分７０を除去することによる作用を行い、該除去された残留物はアウトレットダクト１８を介して反応室２４から排出される。

【0030】

従って、ＳｉＣウエハ７２が得られる。このＳｉＣウエハ７２は２乃至１２インチの間、特に６インチ、の直径を有している。

【0031】

ＳｉＣウエハ７２は、例えば、電子装置の製造用の基板として使用することが可能である（例えば、その上に更なる層を成長させ及び／又はドーパント注入及び活性化、リソグラフィ等のステップを実施することによって）。

【0032】

本発明の一つの側面によれば、図４のステップ期間中で、ＣＶＤ成長のステップ期間中にＳｉＣ層６８のドーピングを実施する。本発明のこの側面は図６に例示してあり、それは図４の複製である。

【0033】

ここでのドーピングは、電子部品の形成の爾後のステップの関数としてのウエハ７２の電気的固有抵抗の所望の値の設定と製造ステップ終了時にＳｉＣウエハ７２に露呈される正味の応力値の規制との二重機能を有している。

【0034】

詳細には、本発明の１実施例において、第２ＳｉＣ層６９のドーピングプロセスは、ＣＶＤ成長期間中に、一つがＮ型で一つがＰ型である２つの異なるドーパント種を同時的に供給することによって実施され、該ドーパント種は、例えば、Ｎ型のドーピング用の窒素（Ｎ_２）及びアルミニウム原子によるＰ型のドーピング用のトリメチルアルミニウム、ＴＭＡ又はＡｌ_２（ＣＨ_３）_６，等の気体相における前駆体を使用することによって供給される。これら２つの異なるドーパント種の供給は同時的ではないが、いずれにしても、ＣＶＤ成長の或る時刻において、両方のドーパント種がこの様なＣＶＤ成長に使用される反応室内に存在するような場合もある。同じことがシード層６０の形成についてもいえる。

【0035】

本発明者が知得したところによれば、ＳｉＣウエハ７２におけるＮ及びＰドーパントの濃度（又は、等価的に、反応室内に導入されるドーパント又は前駆体のドーズ）を適切に校正することによって、ＳｉＣウエハ７２の引っ張り及び圧縮応力を規制することが可能である。実際に、圧縮及び引っ張り応力はＳｉＣウエハ７２の表面の画定された面に対して直交する方向に作用し且つ相互に反対の方向に反らせる傾向となる。Ｎ_２によって行われるＮ型のドーピングは圧縮方向における応力の規制を可能とし（それは第１方向に作用する）、一方、ＴＭＡによって行われるＰ型のドーピングは引っ張り方向における応力の規制を可能とする（それは該第１方向に対して平行で且つ反対である第２方向に作用する）。

【0036】

本発明者が知得したところによれば、以下のような割合を満足するようなｓｃｃｍ（毎分当たりの標準立方センチメートル）で測定された流れでの気体相における前駆体を反応室２４内に導入することによって所望の応力バランスが得られる。ＳｉＣウエハ７２において得ることが所望されるＮ型のドーピングの関数として選択された「ｘ」ｓｃｃｍに等しい窒素の流れが与えられた場合に、ＴＭＡの流れ「ｙ」はｘの値の０．０１％と１％との間である。例えば、約２１００ｃｍ^３の内部容積を有する反応室２４を考えた場合に、ｘの値はｓｃｃｍで５００と１８００との間の範囲である場合があり、且つｙの値はｓｃｃｍで０．１と５との間である場合があり、これらの値は前述した割合を満足するように選択されている。

【0037】

ｓｃｃｍで表される流れの値は、使用される反応室の寸法及びＳｉＣウエハ７２のレベルにおける所望のドーパント濃度の関数として異なる場合があることは明らかである。

【0038】

ウエハレベルにおける応力をバランスさせるために、本発明者が検証したところでは、Ｎ型ドーパント（Ｎ_２）濃度は１０^１０原子数／ｃｍ^３－１０^２０原子数／ｃｍ^３の範囲内に設定することが可能であり、且つＰ型ドーパント（Ａｌ）濃度は１０^１７原子数／ｃｍ^３－１０^１９原子数／ｃｍ^３の範囲内に設定することが可能である。より詳細には、本発明者が検証したところでは、Ｎ型ドーパント濃度が２×１０^１９原子数／ｃｍ^３－６×１０^１９原子数／ｃｍ^３の範囲内であり、且つＰ型ドーパント濃度が１．５×１０^１８原子数／ｃｍ^３－７×１０^１８原子数／ｃｍ^３の範囲内である場合に実質的に平坦なウエハ７２を得ることが可能である。上述した値を使用した場合の応力のバランスは３Ｃ－ＳｉＣの場合に特に効果的である。

【0039】

一般的に、ドーパント濃度はそのようにして製造されるウエハの電気的条件に従って変化する場合がある。例えば、１０^１８原子数／ｃｍ^３の程度のＳｉＣウエハ７２のレベルにおいて測定したＮ型の正味のドーピングを有するＳｉＣウエハ７２を得るために、ウエハ７２のレベルにおいて測定したＮ型ドーパントの濃度は４×１０^１８－１．５×１０^１９原子数／ｃｍ^３の間であり、且つウエハ７２のレベルにおいて測定したＰ型ドーパントの濃度は１０^１７原子数／ｃｍ^３よりも一層高く（例えば、１×１０^１８原子数／ｃｍ^３）且つ１０^１９原子数／ｃｍ^３よりも一層低い（例えば、８×１０^１８原子数／ｃｍ^３）。

【0040】

１実施例において、上述した製造プロセスは同一の反応室２４内において行われ、特に製造中の製造物（即ち、ＳｉＣウエハ７２及び基板５８と層６０と層６８との間での２つまたはそれ以上の積層体によって形成されるその中間製造物）が反応室２４から出されること無しに行われている。本発明者が知得したところでは、ＳｉＣウエハ７２（又はその中間製造物）が製造の中間ステップ期間中に反応室２４から出される場合には、ウエハ７２（又はその中間製造物）が破損する高い危険性がある。特に、図２乃至４に関連して形成される積層体のいずれかが基板５８を除去するステップ（例えば、層剥離プロセスを使用して）を実施するために反応室２４から出される場合には、この様な積層体はその除去ステップ期間中に破損するか亀裂を発生させる蓋然性が高い。一方、図３を参照して説明したように、反応室２４内で基板５８の溶融プロセスを行うことによって、且つ、必要である場合に、図４を参照して説明したエッチングステップによるステップを完了することによって、層６０と６８とは妥協されることはなく、且つその様にして得られたＳｉＣウエハ７２は亀裂又はその他の物理的損傷を示すものではない。

【0041】

最後に、本特許請求の範囲に定義するような本発明の範囲を逸脱すること無しに、本書に記載し且つ例示した装置及び方法に対して種々の変形例及び修正例を構成することが可能であることは明らかである。例えば、本発明は、ＳｉＣウエハ上のＰ型の正味のドーピングを得るため、Ｎ型のドーパント種の導入による応力効果のバランス付けのために適用することも可能である。更に、Ｎ型のドーピングの場合には、窒素を代替するためのドーパント種、例えばリン（Ｐ）を使用することも可能であり、Ｐ型のドーピングの場合には、アルミニウムを代替するためのドーパント種、例えばボロン（Ｂ）を使用することも可能である。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】